Korean Chem. Eng. Res., 53(3), 401-406 (2015) http://dx.doi.org/10.9713/kcer.2015.53.3.401 PISSN 0304-128X, EISSN 2233-9558 실리콘표면에증착된다공성알루미나의수분흡착거동 임효령 * 엄누시아 * 조정호 ** 좌용호 *, * 한양대학교화학공학과 426-791 경기도안산시상록구사 3 동 1271 ** 한국세라믹기술원전자소재융합본부 153-801 서울특별시금천구가산동 233-5 (2014 년 9 월 2 일접수, 2014 년 10 월 15 일수정본접수, 2014 년 10 월 18 일채택 ) Moisture Gettering by Porous Alumina Films on Textured Silicon Wafer Hyo Ryoung Lim*, Nu Si A Eom*, Jeong-Ho Cho** and Yong-Ho Choa*, *Department of Fusion Chemical Engineering, Hanyang University, 1271 Sa 3-dong, Sangrok-gu, Ansan Gyeonggi 426-791, Korea **Electronic Components Center, Korea Institute of Ceramic Engineering & Technology, 233-5 Gasan-dong, Geumcheon-gu, Seoul 153-801, Korea (Received 2 September 2014; Received in revised form 15 October 2014; accepted 18 October 2014) 요 약 게터는반도체와초소형전자패키지소자내부의수소와수증기같은기체를흡착하여기기작동시방해기체를제거하는기능을한다. 본연구에서는재료와공정측면에서높은가격경쟁력을갖는게터로, 실리콘기판에올라간다공성알루미나구조체를제조하는연구를진행하였다. 기공의크기가조절된양극산화알루미나 (AAO) 는높은비표면적을가지며표면에 OH - 기를다수포함하므로높은효율을갖는수분흡착제로사용되었다. 등온수분흡탈착곡선으로분석한수분흡착도는상대습도 35% 일때 2.02% 로우수한성능을나타내었다. 즉, 저온에서사용가능하며, 추가열원이필요하지않아박막구조의소형화가용이하여내부손상및오염을방지할수있는게터재를합성하였다. Abstract Getter is a class of materials used in absorbing gases such as hydrogen and moisture in microelectronics or semiconductor devices to operate properly. In this study, we developed a new device structure consisting of porous anodized alumina films on textured silicon wafer, which have cost efficiency in materials and processing aspects. Anodic aluminum oxide (AAO) with controlled pore sizes can be applied to a high-efficiency moisture absorber due to the high surface area and OH - saturated surface property. The moisture sorption capacity was 2.02% (RH=35%), obtained by analyzing isothermal adsorption/desorption curve. Key words: Getter, Moisture Adsorption, Solution Process, Anodizing, Anodic Aluminum Oxide 1. 서론 초소형전자공학기술 (MEMS, Micro electro mechanical systems) 을기반으로하는정밀기계는작동수명과작업효율을높이기위해적절한진공도를필수적으로요구한다. 진공기술이접목되는분야는동작센서 (motion sensor), 적외선센서, 위성통신, 레이더, 관성항법장치 (Inertial navigation system) 를포함하는우주, 군사, 산업기술등으로광범위하다. 이러한 MEMS, MOEMS(Optical MEMS) 패키지내부의미세입자나가스오염은전자기기가작동할때부품소 To whom correspondence should be addressed. E-mail: choa15@hanyang.ac.kr 이논문은한양대학교배성열교수님의정년을기념하여투고되었습니다. This is an Open-Access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial License (http://creativecommons.org/licenses/bync/3.0) which permits unrestricted non-commercial use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited. 자와광학특성을쉽게열화시킨다. 따라서밀봉용접 (hermetic sealing) 하여외부로부터의기체유입을막고, 게터 (Getter) 를추가로실장하여기기작동시소자로부터발생하거나내부에잔존하는 H 2, O 2, CO 2, H 2 O 등의방해기체를화학흡착하여제거한다 [1]. 예를들어, 진공증폭기 (vacuum tube amplifier) 내부의잔존 H 2 O는광학렌즈를부식시키거나가동부품간정지마찰을일으켜부품을이동시키므로제올라이트, 세라믹패키지등으로흡착한다 [2]. 또한, IR 센서내부에서온도상승에의한전기저항변화를검출하는비냉각볼로미터에는 O 2 와 H 2 O 게터를부착, 0.01 mbar 이하의진공도를유지시켜열전도로인한손실을최소화한다 [3]. H 2 기체의경우금속표면에서흡착및분해되어금속원자사이에잔존하던것이고진공에서다시결합하여기기작동을방해하므로 Ti, Zr, Zr-alloy, V 등다양한재료를사용하여흡착한다 [4]. 기기가소형화되면서기기내부에서게터재를제조하는것이불 401
402 임효령 엄누시아 조정호 좌용호 가능해짐에따라, 외부에서제작한후이동하여실장한다. 공기중에노출되는동안기체와의반응을막기위해부동태막을형성시키며, 실제작동전 150 o C 이상으로가열하는활성화단계를거쳐흡착능을회복한다 [5]. 그러나활성화단계는추가적인열원부착을필요로하며, 가열시기기에손상을주거나추가적인오염을불러일으킬수있다. 따라서현재까지의연구는부동태막과흡착재의활성메커니즘을변화시켜활성화온도를낮추거나게터재의비표면적을향상시켜흡착도를높이는데에집중되어있다 [6]. 양극산화알루미나 (AAO, Anodic Aluminum Oxide) 는나노크기의규칙적기공을갖는 2차원다공체로멤브레인, 형판 (template), 필터등으로많이사용된다. 양극산화법은상온액상공정으로, 인가전압및전류, 전해질, 공정온도를변화시켜다양한종횡비의다공성알루미나층을합성한다. 고가의진공증착법, 높은공정온도및고진공을요구하지않아공정이간단하고비용이저렴하며, 제작된나노다공성알루미나는화학적 기계적안정성이우수하다 [7]. 또한, 나노크기의기공이정렬된구조적특성상높은비표면적과캐필러리효과를갖고, 비정질과결정질이혼재하는결정성때문에기공확장정도에따라표면활성정도가변화하므로수분에대한반응성을증대시켜수분센서재에적용된바있다 [8,9]. 본연구에서는재료와공정측면에서높은가격경쟁력을갖는게터재로, 실리콘기판위에적층된다공성알루미나구조체를제조하는연구를진행하였다. 가스반응표면적을높이기위해기판을습식공정을이용하여요철형태로제어한피라미드형실리콘기판을사용하였으며, 나노기공구조의박막을형성하여기공도를조절하였다. 주사전자현미경 (FE-SEM), 등온수분흡탈착곡선 (Isothermal moisture adsorption/desorption curve) 분석하여수분흡착게터재로사용가능성을평가하였다. 저온에서사용가능하며, 추가열원이필요하지않아박막구조의소형화가용이하며내부손상및오염을방지할수있는게터재를합성하였다. 였다. 제조방법은옥살산 (Oxalic acid, Sigma Aldrich, 99+%) 기반의 2단계양극산화공정을채택하였다 [10,11]. 고순도알루미늄필름 (99.99%, 0.25 mm, Alfa Aesar) 을 2.5 2.5 cm 크기로잘라에탄올에담가 3분동안초음파처리하고증류수로세척하였다. 시편표면의자연산화층을제거하기위해 1 M 수산화나트륨 (Sodium hydroxide, SAMCHUN, bead>98.0%) 용액에 1분담갔다가증류수로세척하는과정을두번반복하고자연건조시킨뒤, 1.5 cm의구멍이뚫린지그에넣어조립하여원하는영역만양극산화공정에사용하였다. 1차양극산화는 50 V에서 30분, 2차양극산화는 55 V에서 4시간 30분동안진행하였고, 1차산화뒤에형성된불규칙한기공은 1.8 wt% 크롬산 (Chromic(VI) oxide, High purity chemical, 99.99%) 과 6 wt% 인산 (Phosphoric acid, SHOWA, 98%) 의혼합용액에 5시간동안담가제거하였다. 하단면의알루미늄은 0.1 M 염화구리 (Copper(II) chloride, Sigma Aldrich, 99%) 와 20 vol% 염산 (Hydrochloric acid, Sigma Aldrich, 34~37%) 혼합용액으로제거하고, 45 o C의 5 wt% 인산용액에 1시간, 2시간동안담가기공확장하였다. 피라미드형태로텍스처링된실리콘기판상단에전자빔증착법 (E-beam evaporation) 으로약 700 nm 두께의알루미늄필름을증착하였다. 알루미늄 / 실리콘시편을구리 (Cu) 테이프에접착하여만든전극을양극으로, 1.5 μm의백금을코팅한타이타늄막대전극을음극으로하여 0.3 M 옥살산용액에담가 50 V 전압을인가하여양극산화시켰다. 100초에서최대 800초의시간동안 100초단위로공정시간을조절한뒤표면육안사진, 전류밀도-시간곡선, 주사전자현미경분석을기반으로최적공정시간을확립하였다. 표면에형성된다공성알루미나피막의기공도를조절하기위해 1.8 wt% 크롬산과 6 wt% 인산의혼합용액에담갔다가꺼내어증류수로세척및건조하였다. 공정시간은 40분, 70분, 90분에서최대 130분으로조절하였고, 주사전자현미경사진을통해표면과측면형상을분석하고기공의크기, 기공도값을얻었다. 2. 실험 2-1. 실리콘표면텍스처링 (Texturing of Silicon Surfaces) 본연구에서는적외선센서재등반도체소자에바로적용할수있는 p-형실리콘기판 (Boron doped, <100> oriented, 1-10 ohm. cm) 을사용하였다. 실리콘기판을아세톤 (99.5%) 과증류수로세척한뒤잔존하는유기물을제거하기위해황산 (Sulfuric acid, DAEJUNG, 98%): 과산화수소수 (Hydrogen peroxide, DAEJUNG, 30% aqueous solution): 증류수가 15:7:3의비율로섞인용액에담가 80 o C에서 10 분동안가열하였다. 자연산화층을제거하기위해상온에서 10 wt% 불산 (Hydrofluoric acid, DUKSAN, 48-51%) 용액에 10분동안담갔다가, 2 wt% 수산화칼륨 (Potassium hydroxide, SAMCHUN, 85%) 용액에 30분동안담가실리콘표면을마이크론단위의피라미드가분포된형상으로텍스처링하였다. 시편을각각의용액에담갔다가꺼낸뒤에는증류수로세척및자연건조시키고다음공정을진행하였다. 2-2. 알루미늄양극산화및기공도제어 (Anodizing of Aluminum Films and Pore-widening Effects) 양극산화알루미나의기공도에따른수분흡착특성을평가하기위하여, 먼저실리콘기판을사용하지않은알루미나피막을제조하 2-3. 특성평가 (Characterization) 다공성구조는 FE-SEM (Hitachi S-4800) 으로, 수분흡착도는 BEL Japan 사의 BELSORP-aqua3을사용하여부피법에의한등온수분흡탈착곡선을그려평가하였다. 수분흡탈착곡선은진공분위기에서 300도로가열하여 24시간동안유지하는전처리공정을통해시편에남아있는수분과잔존가스를제거한뒤분석하였다. 측정온도는 25.15 o C로유지시켰으며흡착에사용된증기는 3차증류수를 80 o C로가열하여얻은것을사용하였다. 이때증류수의밀도는 0.997 g/cm 3, 포화증기압은 3.1690 kpa(23.8 mmhg) 이다. 3. 결과및고찰 3-1. 텍스쳐링된실리콘기판상단에알루미늄증착후양극산화 Fig. 1은텍스쳐링과알루미늄증착공정을거치고난뒤알루미늄 / 실리콘기판의육안사진과주사전자현미경사진이다. (a) 는육안사진으로, 4인치실리콘기판에알루미늄이고르게증착된것을확인하였다. 기판표면의얼룩은유기물과산화층을제거하고텍스쳐링용액에함침하는과정에서용액이흘러내리고건조시증발속도가다르기때문에나타난것으로보인다. 도면에삽입된표는구입한실리콘기판의사양을나타낸다. (b) 는평면주사전자현미경사진으로 4.4±2.1 μm 크기의피라미드가형성된실리콘기판위에알루미늄
실리콘표면에증착된다공성알루미나의수분흡착거동 403 Fig. 1. Naked-eyes view (a) and FE-SEM images of the top-view (b) and cross-sectional view (c) of e-beam evaporated Al/Si substrate. Fig. 2. Time-current density transients during anodizing of (a) 60- µm-thick Al foil and (b) 700-nm-thick Al on Si substrate. 층이고르게증착되었다. (c) 는단면사진으로실리콘기판위에알루미늄층이분리되지않고증착되어있음을확인할수있다. 이때증착된알루미늄층의평균두께는 700 nm로측정되었다. Fig. 2는알루미늄호일과실리콘기판에증착한알루미늄의양극산화거동을비교한전류밀도-시간그래프이다. Fig. 2의 (a) 는알루미늄호일사용시전류밀도의변화를측정한그래프와표면에서의화학반응을나타낸도식이다. 60 μm 두께의알루미늄막을양극으로, 백금전극을음극으로하고 0.3 M의옥살산용액에담가 10분동안 50 V의전압을인가하였다. 알루미늄기판의표면에서산화된알루미늄이온 (Al 3+ ) 과산성전해질의물분자 (H 2 O) 로부터분해된산소이온 (O 2- ) 이반응하여알루미나층이형성되며, 알루미늄이산화될때알루미늄원자하나가차지하는부피차이에의해나노크기의기공을갖는다공성구조로전환된다. 이때연질양극산화의경우전류밀도는일반적으로 10~20 ma/cm 2 이면균일한구조를형성하는것으로보고된바있다 [12]. 따라서, 초기 1~2분사이기공이형성되면서우물형태의전류밀도곡선을그리고, 이후약 10 ma/cm 2 으로유지되면서균일한산화층이형성됨을확인하였다. Fig. 2의 (b) 는실리콘기판위에증착된알루미늄의양극산화시전류밀도의변화와표면화학반응을나타낸도식이다. 전류밀도의값은알루미늄호일의양극산화거동과비슷하게진행되다가약 10분이지난뒤에는전류밀도가급격하게증가하였다. 이는알루미늄표면부터산 화되기시작하여모두다공성알루미나로전환되면전해용액이불가피하게 p-타입실리콘기판과반응하면서기포가발생하기때문이다 [13]. FIg. 3은알루미늄 / 실리콘시편의양극산화시공정시간에따른 Fig. 3. The thickness of the anodized Al 2 O 3 on Si substrate after anodizing for 100-800 s. 산화층두께변화를나타낸그래프이다. 공정시간은 100초간격으로 100초부터 800초까지조절하였으며, 시간에따라산화피막의평균두께는선형적으로증가하는것을확인하였다. 600초이상양극산화시키면두께편차가급격히증가하는데, 이는증착된알루미늄의두께가불균일하기때문에알루미늄이소진되는시간이서로다름에기인한다. 즉, 전자빔증착시알루미늄피막은피라미드의양쪽면에서약 100 nm 두께의편차를가지므로 500초에서 700초사이에서한쪽면의알루미늄은모두산화되고다른면의잔여알루미늄만산화피막으로전환된다. 이는 Fig. 2(b) 의전류밀도가급격히증가하는구간과도일치한다. 이후 800초에서다시피막두께가감소하는것은전해질과 p-형실리콘이만나공동 (void) 을형성하면서다공층이기판으로부터탈착되기때문이다 [14]. 따라서 Pt, Au, Ti 등을접착층으로올린뒤알루미늄을증착하여양극산화한다양한선행연구가있으나, 우리는다공성알루미나자체의수분흡착특성을평가하기위해접착층을사용하지않고양극산화하였다 [15,16]. Fig. 4 는다공성알루미나 / 실리콘시편의단면을관찰한주사전자현미경사진이다. (a) 와 (d) 는 500초, (b) 와 (e) 는 600초, (c) 와 (f) 는 700초동안 50 V를인가하여산화층을형성시킨뒤, 40분동안기공확장한결과이다. 고배율단면사진을통해서로다른두께의산화피막모두다공성구조를갖는것을확인할수있었다. 양극산화시간이 500 초에서 600초로늘어나면알루미나피막의두께는증가하였으며, 산화피막으로전환되지못한알루미늄이산화층하단에남아있는것을관찰할수있었다. Fig. 4(c) 와같이양극산화시간을 700초로증
404 임효령 엄누시아 조정호 좌용호 Fig. 4. Cross-sectional FE-SEM images of AAO/Si structure after anodization for (a, d) 500 s, (b, e) 600 s, and (c, f) 700 s in high and low magnification. 가시키자 알루미늄 층이 관찰되지 않았으므로 600초에서 700초 사 이에 모든 알루미늄 층이 산화피막으로 전환되었으나, 하단면에 공 동이 형성되고 피라미드 형상의 실리콘 기판으로부터 탈착되는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 탈착은 게터재 내부에서 불순물 입자로 작 용할 수 있으므로, 전류밀도 그래프와 FE-SEM 분석 결과를 바탕으 로 양극 산화 공정을 600초에서 700초 동안 진행할 때 p-타입 실리 콘과 전해질이 만나면서 전류 밀도가 증가하는 시점에서 공정을 종 료하였다. 3-2. 기공도에 따른 수분 흡착도 평가 다공질 알루미나의 수분 흡착도를 평가하기 위해, 알루미늄 호일 을 양극산화한 샘플과 실리콘 기판 위에 다공질 알루미나 피막을 형 성시킨 샘플의 기공도를 조절하여 비교 분석하였다. 그림 5는 알루 미늄 호일을 양극산화하고 45 oc의 5 wt% 인산 용액에 담가 기공 확 장한 샘플의 주사전자현미경 사진이다. Fig. 5(a)와 (d)는 기공 확장 공 정을 거치기 전, (b)와 (e)는 1시간, (c)와 (f)는 2시간 동안 기공 확장 한 표면과 하측면이고 삽입된 그림은 그 단면을 촬영한 결과이다. 표 면 사진의 분석 결과 기공 확장 후 다공성 구조가 균일하게 형성되 며, 기공도가 22%, 24%, 49%로 증가하였다. 기공 확장 전의 하측면 을 촬영한 5(d)는 양극산화 시 형성된 장벽층(barrier layer)의 형상을 나타내며, 기공 확장 공정을 진행할수록 (e) 29%, (f) 45%로 기공도 가 증가한다. 또한, 단면 사진을 통해 다공질의 형상이 무너지지 않 고 균일하게 형성되어 있음을 확인할 수 있었다. Fig. 6은 다공성 알루미나 피막을 형성시킨 실리콘 기판의 표면과 단면 형상을 촬영한 주사전자 현미경 사진이다. 기공 확장 용액에 각각 (a, b) 40분, (c, d) 70분, (e, f) 90분, (g, h) 130분 동안 담갔다가 증 Fig. 5. FE-SEM images of top-side(a, b, c) and bottom-side(d, e, f) of AAO template before pore-widening (a, d) process and after immersing in pore-widening solution for 1 h (b, e) and 2 h (c, f). The inset is the cross-sectional view.
실리콘표면에증착된다공성알루미나의수분흡착거동 405 Fig. 7. H 2 O adsorption-desorption isotherms for the AAO template (a) and AAO/Si structure (b) (T=25 o C). Fig. 6. FE-SEM images of top-side(a, c, e, g) and cross-sectional view(b, d, f, h) of AAO/Si structure after immersing in pore-widening solution for 40 m (a, b), 70 m (c, d), 90 m (e, f) and 130 m (g, h). The bottom graph is the average pore diameter and alumina film thickness on the Si substrate measured from the FE-SEM images. 류수로세척한뒤공기중에서건조하여시편을준비하였다. 표면분석을통해기공확장시간이길어질수록다공층의기공크기와기공도가증가하는것을확인하였다. 그러나단면분석결과, 함침시간이 70분이상이되면다공층의벽면이무너지는모습이관찰되었으 며, 실제로시편을다루는과정에서다공층의취성이증가하였다. 형상사진을정량화한그래프를통해기공확장공정시간에따른기공도와다공층의두께를분석한결과, 기공률은약 13.6~37.2% 로조절되었으며산화층의두께는약 8% 감소하였다. 즉, 1.8 wt% 크롬산과 6 wt% 인산의혼합용액을사용한기공확장공정은다공질알루미나의기공도를조절하는방법이될수있으나, 동시에실리콘기판위에형성된다공층의취성을증가시켜형상이무너지고불순물을야기하는원인이될수있다. Fig. 7은 60 μm 두께의양극산화알루미나와 1 μm 두께의양극산화알루미나층을올린피라미드형실리콘기판의수분흡착도를평가한그래프이다. Fig. 7(a) 는양극산화알루미나를기공확장전, 기공확장 1시간, 2시간진행한샘플의기공도에따른수분흡착도를측정한결과이다. 게터재가작동하는 RH=35% 이하에서 (a) 에나타낸다공성알루미나의수분흡착도는기공도가증가함에따라최대 3.9, 4.7, 9.4 cm 3 /g으로급격하게증가하는양상을보였다. 이는기공도증가로인하여수분이흡착하는비표면적이증가할뿐아니라, 기공내부의비결정질상에집약된 OH - 가노출되면서 H 2 O와의수소
406 임효령 엄누시아 조정호 좌용호 결합이증대됨에기인한다 [8,9]. Fig. 7(b) 는다공층 / 실리콘샘플을기공확장용액에 40분동안함침한시편의수분흡착도로, 시편의무게에대한수분흡착용량값은 RH=35% 에서 0.020 cm 3 /g(2.02%) 으로측정되었다. 이는고진공에서요하는최소한의수분흡착도인 2.0% 를만족하는값이다 [17]. 또한, 실리콘기판에증착시킨다공성알루미나에비해 60 μm 두께의다공성알루미나필름의흡착도가 100배이상높은이유는실리콘기판이차지하는무게와알루미나의두께차이에기인한다. 따라서, 두께가얇은실리콘기판을사용하거나다공질알루미나의두께를증가시키고또한, 규칙적인기공을형성하여기공도를조절하면수분흡착능을향상시킬수있을것으로판단된다. 4. 결론 저온에서사용가능하고추가열원이필요하지않아내부손상및오염을방지할수있는게터재로용액기반의양극산화법으로다공성알루미나 / 실리콘구조체를합성하였다. 양극산화와기공확장공정조건을제어하여피라미드형으로식각된실리콘구조체상단에기공도 13.6%, 두께 1 μm 다공질층을합성하였고, 합성된구조체는불규칙한직경의기공이분포된 3차원형상이었다. 등온수분흡탈착곡선으로분석한수분흡착도는약 2.02%(RH=35%) 로우수한성능을나타내었으며, 이는다공성알루미나의수분게터재로서의가능성을제시하는결과이다. 이와같이용액기반의양극산화법으로제작된수분흡착게터재는 IR 센서, 디스플레이및램프소재의게터, 박막형및저항형습도센서등각종전자소자에응용이가능할것으로예상된다. 감 본연구는산업통상자원부의산업핵심기술개발사업 ( 과제번호 : 10045177, 액상공정을이용한열변화형세라믹박막및저온진공게터기술개발 ) 으로부터지원받아수행되었습니다. 사 References 1. Lorenz, H. P., Vaccum Technology, In Ullmann s Encyclopedia of Industrial Chemistry, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim(2000). 2. Previti, M. and Gilleo, K., Getters: Micromolecular Scavengers for Packaging, Proceedings of International Symposium on Advanced Packaging Materials: Processes, Properties and Interfaces, March, Georgia(2001). 3. Niklaus, F., Vieider, C. and Jakobsen, H., MEMS-based Uncooled Infrared Bolometer Arrays: A Review, Proceedings of MEMS/ MOEMS Technologies and Applications III, November, Beijing (2007). 4. http://www.onboard-technology.com/pdf_febbraio2005/020509.pdf. 5. Ramesham, R. and Kullberg, R. C., Review of Vacuum Packaging and Maintenance of MEMS and the Use of Getters Therein, J. Micro-Nanolithogr. MEMS MOEMS, 8(3), 031307(2009). 6. Chuntonov, K. A. and Yatsenko, S. P., Getter Films for Small Vacuum Chambers, Recent Patents on Materials Science, 6(1), 29-39(2013). 7. Lee, W. and Park, S.-J., Porous Anodic Aluminum Oxide: Anodization and Templated Synthesis of Functional Nanostructures, Chem. Rev., 114(15), 7487-7556(2014). 8. Ono, S., Ichinose, H. and Masuko, N., The High Resolution Observation of Porous Anodic Films Formed on Aluminum in Phosphoric Acid Solution, Corrosion Sci., 33(6), 841-850(1992). 9. Yao, L., Zheng, M., Li, H., Ma, L. and Shen, W., High-performance Humidity Sensors Based on High-field Anodized Porous Alumina Films, Nanotechnology., 20(39), 395501(2009). 10. Hideki, M. and Masahiro, S., Fabrication of Gold Nanodot Array Using Anodic Porous Alumina as an Evaporation Mask, Jpn. J. Appl. Phys., 35(1B), L126-L129(1996). 11. Hwang, S.-K., Jeong, S.-H., Hwang, H.-Y., Lee, O.-J. and Lee, K.-H., Fabrication of Highly Ordered Pore Array in Anodic Aluminum Oxide, Korean J. Chem. Eng., 19(3), 467-473(2002). 12. Sanz, O., Echave, F. J., Odriozola, J. A. and Montes, M., Aluminum Anodization in Oxalic Acid: Controlling the Texture of Al 2 O 3 /Al Monoliths for Catalytic Aplications, Ind. Eng. Chem. Res., 50(4), 2117-2125(2011). 13. Crouse, D., Lo, Y.-H., Miller, A. and Crouse, M., Self-ordered Pore Structure of Anodized Aluminum on Silicon and Pattern Transfer, Appl. Phys. Lett., 76(1), 49-51(2000). 14. Rabin, O., Herz, P. R., Lin, Y. M., Akinwande, A. I., Cronin, S. B. and Dresselhaus, M. S., Formation of Thick Porous Anodic Alumina Films and Nanowire Arrays on Silicon Wafers and Glass, Adv. Funct. Mater., 13(8), 631-638(2003). 15. Yang, Y., Chen, H., Mei, Y., Chen, J., Wu, X. and Bao, X., Anodic Alumina Template on Au/Si Substrate and Preparation of CdS Nanowires, Solid State Commun., 123(6), 279-282(2002). 16. Myung, N. V., Lim, J., Fleurial, J.-P., Yun, M., West, W. and Choi, D., Alumina Nanotemplate Fabrication on Silicon Substrate, Nanotechnology, 15(7), 833(2004). 17. Henry, M. S. and James R. S., Hydrogen and Moisture Getter and Absorber for Sealed Devices, U.S. Patent No. 5,888,925(1999).