다음은몇가지중요한기술용어에대한정의이다. ACLR(Adjacent Channel Leakage Ratio) 인접채널누설비. 원하는신호에대한인접채널누설전력비. ADC, 또는아날로그 - 디지털컨버터 연속적인물리량 ( 일반적으로전압 ) 을디지털값으로변환시키는장치. 백엔드오브라인 /BEOL, 미들오브라인 /MOL 및프론트엔드오브라인 /FEOL 집적회로제조과정에서트랜지스터와기타능동소자가제조라인의프론트엔드 (FEOL) 에형성되고활성영역과게이트의접점이제조라인의중간 (MOL) 에형성되며인터커넥트나배선이제조라인의백엔드 (BEOL) 에형성된다 BPOOK(Bi-Phase On-Off-Keying) 데이터통신의변조기법. 반송파진폭이기저대역데이터에따라 0 과 1 사이에서변조된다. 더나아가반송파도기저대역데이터가 1 일때 0 과 180 사이에서변경된다. OOK 와 BPSK 보다스펙트럼효율이높고, 동일한스펙트럼대역폭에서데이터전송률이두배가될수있다. OOK 와마찬가지로포락선검출기가변조에사용될수있으며, 저전력작동에적합하다. BPSK(Bi-Phase Shift Keying) 데이터통신의변조기법. 반송파가기저대역데이터에따라 0 과 180 사이에서변조된다. 코히어런트검출기를사용하면신호점사이의거리가넓고필요한신호대잡음비를완화시킬수있어 OOK 보다수신기감도를향상시킬수있다. BAN(Body Area Network) 인체통신망. 특히인체주변의매우작은영역에대한네트워크기술로, 때때로 "BCC" 의동의어로사용된다. BCC(Body Channel Communication) 인체영역통신. 인체를통한전자기전송을사용하는무선통신기술. 벅컨버터 벅컨버터는입력전압 ( 공급 ) 에서출력전압 ( 부하 ) 으로전압을낮추는 ( 전류는높이는 ) DC-DC 전력컨버터이다. SMPS(switched-mode power supply) 의한종류다. BLE(Bluetooth Low Energy) 저전력블루투스. 블루투스는무선표준이고 BLE 는스마트폰, IoT 등을위한블루투스의저전력 (LE) 모드다. BCI(Brain Computer Interface) 두뇌컴퓨터인터페이스. 두뇌에서정보또는의도를검색하여컴퓨터및기타정보시스템에서사용하는기술. 전자및광학방식을포함하는다양한두뇌측정방식을 BCI 에적용할수있다. CC-CV 정전류및정전압충전. 처음에는다양한전압에서큰전류를주입하기위해 CC 모드가사용된다. 충전량이일정수준에도달하면충전의마지막단계에서충전과정이 CV 모드로전환된다. 대부분의리튬이온배터리는 CC-CV 충전모드를사용한다. CDS(Correlated Double Sampling) 상관된이중샘플링은고정패턴을제거하고픽셀에서노이즈를리셋하는방법이다. 픽셀판독사이클동안두개의샘플이선택되어추출된다. 하나의신호는픽셀이리셋상태에있을때추출되고다른하나는전하가판독노드로전송되었을때추출된다. 칩렛 아주작은칩을의미한다. 일반적으로하나의 CPU 칩에는여러개의코어가탑재되고, 하나의 SoC 칩에는여러개의기능블록이탑재된다. 코어의수가늘어남에따라칩의크기도커진다. 결함의수는칩의크기에비례하기때문에칩의커진크기로인해수율손실이초래되기도한다. 하나의칩에필요한모든기능블록을동일한공정노드로제작하는것은이전공정노드가기능블록의일부를제작하는데충분한경우도있기때문에비용효율적이지않을수있다. 이러한문제는패키지에칩렛을탑재하여멀티코어 CPU 를제작하고, 하나의패키지에다른기능의칩렛을탑재하여시스템을제작하는기술의개발을이끈다. CMOS 이미지센서 (CIS) 상기 CMOS(complementary metal oxide semiconductor, 상보형금속산화반도체 ) 제조기술에기반한이미지센서이다. 반면에, CCD(Charge coupled devices, 전하결합소자 ) 로불리는기존의이미지센서는포토다이오드및폴리게이트공정을기반으로한다. 1
CMOS/MOS/MOSFET/FET-- 오늘날대부분의트랜지스터는 FET 또는전계효과트랜지스터 (field-effect transistor) 다. 대부분의 FET 는 CMOS(complementary metal oxide semiconductor, 상보형금속산화반도체 ) 제조기술로만들어진다. 일반적으로 MOSFET 이라고불리고때로는 MOS 트랜지스터라고불린다. 화합물 /III-V 반도체 2 종이상의화학원소로구성된반도체물질을화합물반도체라고하며, 원소주기율표에서 III 족과 V 족의원소로구성된화합물반도체를 III-V 반도체라일컫는다. 기본적인반도체재료인실리콘을대체할수있는, 전자이동도가높은화합물반도체재료들이보고되고있으나, 실리콘보다공정이어렵다는단점이있다. DAC 또는디지털 - 아날로그컨버터 디지털데이터를아날로그신호 ( 전류, 전압또는전하 ) 로변환시키는장치다. Dit 계면의결함또는그의밀도. MOSFET 소자에서는일반적으로채널과게이트산화막계면의결함을의미한다. DNN(Deep Neural Network) 입력과출력사이에한층이상의숨겨진유닛이있는심층신경망. 유명한모델로합성곱신경망 (CNN) 과순환신경망 (RNN) 이있다. 여러개의숨겨진층이있는신경망을통해높은수준의기능을실현하는아이디어는이전부터존재했지만기존의역전파방식을사용한학습은느리고성능도부족하였다. 최근에여러층의신경망을위한효과적인학습알고리즘이개발되고컴퓨터성능이크게향상됨에따라 DNN 의효율성이재발견되었다. 또한, DNN 은 2012 년에개최된이미지인식대회 (ImageNet 대규모시각정보인식챌린지대회 ) 에서 DNN 을사용한연구팀들의뛰어난성과를통해큰주목을받게되었다. 그결과이미지인식, 음성인식등과같은다양한분야에서 DNN 을활용한연구가현재활발히진행중이다. DNN 을사용한머신러닝알고리즘을딥러닝이라고한다. DRAM 동적임의접근메모리 (DRAM) 는커패시터에전하를저장하는방식으로정보를저장하며정보를주기적으로갱신해줘야한다. DRAM 칩은대부분의컴퓨터, 태블릿및스마트폰을위한메인메모리로사용된다. 이중편파 MIMO 이중편파다중입력다중출력은편파의수평및수직모드를모두사용하는다중경로전파를이용하여무선통신링크의용량을증가시키는방법이다. ECoG 뇌파측정법 (ECoG) 은뇌의노출된표면에전극을직접붙여대뇌피질의전기적활동을기록하는일종의전기생리학적모니터링이다. 유효비트수 (ENOB) ADC 의노이즈및왜곡현상을포함하는동적성능의측정기준으로한정된분해능을가진이상적인 ADC 의성능에정규화된값이다. EEG(Electroencephalogram) 뇌전도. 뇌의활동을관찰하는전자측정방식중하나로, 두피또는인체의일부다른부위에전극을부착하면두뇌의전기신호가증폭되어관찰된다. EEG 는비침습적방식과침습적방식을모두포함한다. 일렉트로마이그레이션 인터커넥트에서고밀도전자의운동량이금속원자에전달됨에따라금속원자가움직이는현상을 일렉트로마이그레이션 이라고한다. 최악의경우, 이현상으로인해보이드 (void) 가발생하여인터커넥트의연결이끊길수있다. EOT 또는등가산화막두께 high-k 유전체의성능을 SiO 2 막의기준으로비교하기위해고안된가상의두께. MOSFET 상에서 High-k 유전막은, 해당막의 EOT 와동일한두께를가진 SiO 2 막과동일한게이트정전용량을갖는다. higher k 유전체는 EOT 를줄일수있어 MOSFET 성능을향상시킨다. ESD 정전기방전. 접촉으로인해두물체사이의정전기가갑자기방출되는현상. 집적회로에 ESD 충격이발생하면장치가고장나거나수명을단축시킬수있다. EUV (Extreme Ultra Violet) 극자외선. 리소그래피공정에사용되는차세대광원으로여겨진다. EUV 는 ArF(193 nm) 보다파장이짧아 (13.5 nm) 멀티패터닝공정을줄일수있다. EVM(Error vector magnitude) 오류벡터크기는디지털무선송신기또는수신기의성능을수량화하는데사용되는측정치이며신호대잡음비와같은측정기준과비슷하다. FD-SOI -- 완전공핍형실리콘온인슐레이터 (FD-SOI) 는기존의실리콘트랜지스터보다속도와전력혜택을제공할수있는공정기술옵션이다. 2
FinFET -- 지느러미를닮은 3-D 형태의트랜지스터로, 일반적으로채널영역이여러면의게이트로둘러싸여온 / 오프전환제어에유리하다. 프런트엔드 /FEOL 및백엔드 /BEOL -- 집적회로제조과정에서트랜지스터와기타능동소자가먼저형성되고 ( 제조라인의프런트엔드또는 FEOL) 인터커넥트나배선은그후에제조라인의 백엔드 (BEOL) 에서형성된다. ft/fmax 차단주파수 (f t) 및최대진동주파수 (f max) 는트랜지스터의고주파수성능의기준점이다. f t 는트랜지스터의현재전류게인이 1 이될때의주파수이고, f max 는단일전력게인 (Gain) 이 1 이될때의주파수이다. 회로성능측면에서 f t 는디지털논리회로에더중요한편이고, f max 는고주파수아날로그회로에더중요한편이다. GAA(Gate All Around) 트랜지스터 게이트전극이채널의 4 면에모두배치되거나와이어형채널의모든표면에배치된 MOS 트랜지스터이다. 글로벌셔터 롤링셔터처럼이미지를순차적으로스캔하는것이아니라전체이미지를한번에캡처하는방식이다. Gm 트랜스컨덕턴스. MOSFET 에서 Gm 은일정한드레인 / 소스전압하에서드레인전류의작은변화량을게이트 / 소스전압의작은변화량으로나눈값으로정의된다. HEMT 고전자이동도트랜지스터 (HEMT) 는 Heterostructure FET(HFET) 또는 modulationdoped FET(MODFET) 라고도한다. HEMT 는밴드갭이다른두가지반도체의이종접합시, 밴드불연속성으로인해계면에형성되는높은이동도를가지는 2 차원적인전자가스 (2DEG) 에기반하고있다. 이력제어 는비교기가출력전압을모니터링하여전력스위치를제어하는 DC-DC 컨버터의제어방법이다. 이방법은부하전류의변화에대한빠른대응이필요한 CPU 나 FPGA 와같은적용에유용하다. HKMG 또는 High-k 유전체 / 금속게이트 게이트유전체는전기절연체로서, MOSFET 소자의게이트전극과채널영역사이의전자이동을막고, 게이트와채널의정전용량성커플링 (capacitive coupling) 효과를통한 ON/OFF 스위치제어를위해사용된다. 일반적으로게이트유전체물질의성능은상대유전율인 k 로표현된다. 향후 CMOS 집적회로 ( 칩 ) 의채널의길이를 10nm 이하로축소시키기위해서, 게이트유전체는원자몇개수준의 SiO2 층과동일한등가산화막두께가필요해질것이며, high-k 게이트유전체의필요성이대두될것이다. 금속게이트물질은기존의도핑된다결정실리콘물질보다 highk 게이트유전체와호환성이높으며, 최근몇년간고성능칩제조를위한전체 CMOS 공정상에금속게이트공정을도입하는데진전이있었다. HTOL 고온작동수명. 실제고온조건에서작동하는반도체장치의수명을측정하는신뢰성테스트이다. 이테스트는초기고장이아닌마모오류를감지하기위해상대적으로오래걸린다. IEEE 802.11ad 밀리미터파 (60GHz 대역 ) 를사용하는초고속무선통신표준이다. IGZO 인듐, 갈륨, 아연, 산소로구성된비정질반도체이다. III-V -- III-V 화합물반도체참조. IA(Instrumentation Amplifier) 연산증폭기및일부추가소자에기반한범용증폭기회로블록으로, 다양한측정애플리케이션에사용될수있다. 집적회로 -- 반도체기판위에조립된상호연결된많은소자 ( 예 : 트랜지스터, 다이오드, 커패시터, 저항기, 인덕터 ) 로구성된전기회로다. 인터커넥트 -- 트랜지스터및기타회로소자를연결하는금속선또는와이어다. 백엔드 /BEOL 참조. 인터포저 칩사이또는소켓과칩사이의전기적인터페이스. 인터포저는다른 I/O 터미널을가진칩과소켓을연결하는데사용된다. KGD(Known good die) 테스트를통해품질이보증된 다이 다. 논리, 메모리, 커뮤니케이션칩과같은여러개의칩이하나의패키지에하나의모듈로써탑재되기도한다. 이경우모듈의칩중하나에오류가발생하면모듈전체가오류로분류되어모듈안에있는다른양호한칩도사용하지못하게된다. 모듈의수율을향상시키고낭비되는칩의수를줄이기위해서는칩을모듈에통합하기전에 KGD 를선택하는것이중요하다. 3
LiDAR "light detection and ranging( 광탐지및거리측정 )" 의약자인 LiDAR 는레이저광을비추고그것이반사되어돌아오는시간및 / 또는파장의차이를센서로측정하여대상까지의거리를측정하는방법이다. 선형전압조정기 부하전류에따라출력저항을변경하여일정한전압을유지한다. 출력전압보다높은입력전압이필요하기때문에스위칭조정기보다효율이떨어진다. 링크버짓 TX 전력과 RX 감도사이의차이로, 무선통신범위의측정기준이다. Low-k 유전체 / 인터커넥트 -- 인터커넥트는집적회로 ( 칩 ) 에서소자를연결하는금속배선을의미한다. 인접한배선간에정전용량커플링효과로인해기생정전용량성분이발생하며, 배선간의거리가줄어들게되면기생정전용량이커져칩의성능을크게제한할수있다. low-k 유전체는기생정전용량을최소화하면서금속배선을전기적으로절연한다. 일반적으로 low-k 물질들은후속공정중손상되기쉬워제조상의어려움이있다. 자기코어 자기코어는인덕터나변압기와같은장치에서자기장을제한하고유도하는데사용되는투자율이높은자성체다. MCU 마이크로제어장치. 마이크로컨트롤러는프로세서코어, 메모리, 입 / 출력주변장치를포함하며내장용으로설계되었다. MEMS -- 미세전자기계시스템 (MEMS) 은마이크로미터크기의가동부품을포함한다. MONOS 금속게이트 - 산화물 - 질화물 - 산화물 - 실리콘채널의다층구조로이루어진비휘발성메모리소자이다. 데이터또는전하는질화물층의전하트랩에저장되고채널을통해흐르는전류의양에의해데이터가읽혀진다. N(P)BTI 음 ( 양 ) 바이어스온도불안정성. 고온에서음 ( 양 ) 전압이게이트에지속적으로인가될때 PFET(NFET) 에서발생하는현상으로, 전압이인가된시간에따라문턱전압의절대값이증가한다. 신경망 컴퓨터시뮬레이션으로뇌의기능적특성을모방하기위한수학적모델이다. 신경망은입력층, 은닉층, 출력층그리고각장치의배선연결로구성된다. 각와이어는연결가중치라고하는매개변수를가진다. 각층의장치는이전층의많은장치에서전송한데이터에연결가중치를곱한데이터를입력하고결과를출력하여미리결정된기능 ( 활성화기능 ) 에적용하는기능을가지고있다. 입력 - 출력쌍으로이루어진테스트데이터세트를적용하고적합한세트의연결가중치를찾아대상기능을제공하는방법을지도학습 (supervised learning) 이라고한다. 지도학습에는역전파방식이라고하는알고리즘이일반적으로사용된다. 지도학습으로얻은연결가중치의세트를적용함으로써바람직한입력 - 출력관계를제공할수있다. N-FET/P-FET 또는 NMOS/PMOS -- MOSFET 은보완적인방식으로작동하는두종류가있다 (n- 채널또는 p- 채널 ). 비휘발성메모리 (NVM) 전원이꺼졌을때도저장된정보를유지하는컴퓨터메모리유형이다. 온오프변조 (OOK) 데이터통신의변조기법. 반송파진폭이기저대역데이터에따라 1 과 0 사이에서직접변조된다. 단순한포락선검출기가변조에사용될수있으며저전력트랜시버에적합하다. 오보닉한계스위치 정확한인가전압 ( 임계전압 ) 에서켜지는 2 단자스위치유형. 선택되지않은셀의의도치않은동작을억제하기위해 3D 크로스포인트메모리어레이의선택스위치로사용된다. PAM4 4 레벨펄스진폭변조. 통신에서데이터는 4 개의이산레벨중하나로표현된다. 이것은각심볼이기존의 1 비트 / 심볼대신 2 비트데이터를인코딩할수있다는것을의미한다. 동일한심볼율과대역폭의경우, 두배의데이터스루풋을얻을수있다. 상변화메모리 /PCM -- 상변화물질은결정및비결정상태를서로전환할수있으며, 상변화물질의결정상태에따라 0 또는 1 을저장할수있는메모리를상변화메모리라한다. 상변화물질의결정화상태를전환하는데전류가필요하며, 전류에서발생하는열이결정상태를변화시킨다. ( 전문가의수정필요 ) 4
PEF(Power Efficiency Factor) 전력효율계수. 증폭기의특징을나타내는측정기준으로, 일반적으로신경신호증폭기를비교하는데사용된다. 증폭기가성능대비얼마나적은전력을소모하는지보여주는데사용될수있다. 펄스주파수변조 (PFM) 제어 펄스주파수변조 (PFM) 제어는펄스주파수를가변하는제어방식으로주파수는일정하고펄스폭만가변하는펄스폭변조 (PWM) 제어와다르다. DC-DC 컨버터에서이제어방식을이용하면경부하조건에서 PWM 제어보다더나은전력변환효율을달성할수있다. QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 직교진폭변조는반송파신호의진폭과위상의차이에기초한정보를전달하는디지털변조방법이다. Qubit(Quantum Bit) 양자컴퓨팅에서 qubit 또는양자비트는양자정보의단위이다. 1 qubit 은 2 상태양자역학시스템이다. QD(Quantum Dot) 양자점. 수나노미터에불과한매우작은반도체입자로, 광학적및전자적특성이좀더큰입자와다르다. 양자점은벌크반도체와이산분자사이의중간적특성을보여준다. ReRAM 또는 RRAM 저항랜덤액세스메모리. 전극사이의물질의저항을변화시켜 2 진수를저장하는비휘발성랜덤액세스메모리이다. RSA(Rivest Shamir Adleman)-4K 4096 비트키로데이터전송을보호하기위해널리사용되는공개키암호화시스템이다. ROI( 관심영역 ) ROI 는고려중인물체의경계를정의하는영역이다. 이미지를캡처할때개인적인관심포인트가관찰되고평가될수있다. SAR ADC 축차비교형 ADC 는각변환의디지털출력을최종적으로수렴하기전에가능한모든양자화레벨에서이진검색을통해연속아날로그파형을이산디지털표현으로변환시키는아날로그 - 디지털컨버터의한종류이다. SCA(Side-channel attack) 부채널공격은컴퓨터시스템의실행과정에서얻은정보를토대로암호키또는암호화된데이터에대한액세스를약화시키거나허용하는기타정보를알아내는공격이다. 스케일링 / 밀도 / 통합 -- 스케일링은칩에더많이탑재하기위해트랜지스터와기타회로소자를더작게만드는것이다. 밀도가높은칩일수록주어진공간에더많은트랜지스터를포함한다. 통합은더많은기능을추가하여기능당저비용을달성하기위해회로구성요소들을하나의칩에결합하는것이다. 제벡효과 (Seebeck effect) 재료양끝에온도차이에의해전위차가발생하는효과이다. 반도체 -- 전류를통과시키거나차단하기위해만들어진물질로정보를저장하고처리하는능력을제공한다. SER 소프트오류율. 우주로부터의중성자선또는패키지로부터의알파선이반도체칩안의소자에부딪치면소자내에전하가형성된다. 이발생된전하는저장된데이터의반전을초래할수있다. 이러한현상을소프트오류라고하고, 반도체소자에소프트오류가발생하는비율을소프트오류율이라고한다. SFDR (Spurious Free Dynamic Range) 스퓨리어스없는동적범위 (Spurious Free Dynamic) 는아날로그디지털컨버터와디지털 - 아날로그컨버터의표준측정기준이다. SFDR 은변환된주신호의전력과가장강한스퓨리어스신호간비율을 db 로나타낸다. SFQ(Single-Flux-Quantum) 논리 초전도단자속양자논리는조지프슨 ( 조셉슨 ) 접합을포함하는초전도링에단자속양자의유무에기초한 2 진정보를나타내는극저온기반컴퓨팅기법이다. SNDR 신호대잡음비및왜곡비는아날로그디지털컨버터와디지털 - 아날로그컨버터를위한표준측정기준이다. SNDR 는변환된주신호의전력과노이즈및발생된고조파스퍼 (spur) 의총합간비율을 db 로나타낸다. SoC -- 시스템 - 온 - 칩. 컴퓨터또는기타전자시스템의모든필수구성요소를하나의칩에집적하는집적회로다. 5
SOI -- 실리콘 - 온 - 인슐레이터기판으로기생정전용량을줄여집적회로성능을향상시키는데사용된다. SOTB(Silicon-on-Thin-Box) 논리트랜지스터공정기술로, 바디가얇은매몰산화막위에형성된다. SOTB 는 Box( 매몰산화막 ) 층에의해도펀트가없는채널구조로작은 Vth 변화, 낮은 Vdd 동작과같은장점을지니며이는논리회로의에너지를감소시킨다. 변형된실리콘 & SiGe 스트레서 열역학적으로안정한격자구조에대비하여, 재료가인장되어격자내원자간격이커지거나, 압축되어원자간격이정상상태보다줄어든경우를 변형 되었다고한다. 실리콘의경우변형된상태에서는실리콘내부로전자가쉽게움직일수있어, 채널에집적시정상적인실리콘채널대비트랜지스터를더낮은전압으로더빠르게작동시킬수있다. 실리콘격자와격자크기가다른물질이실리콘채널의변형을일으키는외부스트레서로사용될수있다. 예를들어, p- 채널실리콘채널영역을압축변형시키는일반적인방법은실리콘보다격자크기가큰실리콘게르마늄 (SiGe) 을소스와드레인영역에형성하는것이다. SRAM -- 컴퓨터메모리의한종류 ( 정적랜덤액세스메모리, static random access memory) 로정보의각비트를저장하기위해 6 개이상의트랜지스터를사용한다. 매우빠른쓰기와읽기가가능하다. SS 문턱전압이하스윙. SS 는 MOSFET Id-Vg 특성에서대수기울기의역수값으로정의된다. SS 가작을수록소자의스위칭이더좋다. 단위는 [mv/dec] 이며상온에서일반적인 MOSFET 의이론적최소값은 60 이다. STT-MRAM 스핀토크전달자기랜덤액세스메모리는최근주목받고있는비휘발성메모리의한종류로전하가아닌전자의 스핀 상태에따라작동한다. STT-MRAM 은매우작게만들수있다. TDC, 또는시간 - 디지털컨버터 이벤트를인지하고이벤트가발생한시간의디지털표현을제공하기위한장치다. 3 진내용주소화메모리 (TCAM) 내용주소화메모리는전체내용에서하나의단어를찾을수있는특수메모리이다. 3 진 은 0 과 1 이외에도 X (don't care) 를저장하고쿼리할수있는능력을의미한다. 비행시간 (ToF) 거리측정시스템 / 방식 신호를발사한시간부터신호가물체에반사되어돌아오는시간까지를계산하여거리를측정하는시스템 / 방식이다. 이미지센서기반시스템에서신호는광펄스이다. ToF CIS 시스템에서모든픽셀은광원에동기화되어야하기때문에글로벌셔터기능은필수적이다. 트랜지스터 -- 집적회로의구성요소인아주작은전기스위치이다. 가동부품이없고반도체재료 ( 일반적으로실리콘 ) 로만들어진다. 트랜지스터는칩에수십억개를집적할수있고정보를수신, 처리및저장하도록프로그래밍할수있으며정보를출력하고신호를제어할수있다. TSV 실리콘관통전극. TSV 는실리콘다이의상부층에서부터하부층까지연결하여에서 3-D 적층형다이의수직상호연결이가능하다. UWB 초광대역은최소 500MHz 의대역폭을사용하여 3.1-10.6 GHz 대역에서작동하는무선통신으로평균복사전력밀도가매우낮다. 2T-MONOS MONOS 구조의메모리소자와트랜지스터로구성된메모리이다. (MONOS 참조.) 2.5D, 3D 통합 여러개의칩을하나의패키지에통합하는패키징기법이다. 3D 통합에서복수의칩은수직방향으로스택되고이칩들은 micro-bump 와 TSV 를통해전기적으로연결된다. 이기법은 DRAM 스태킹과 CMOS 이미지센서 / 제어논리칩스태킹에실제로사용된다. 이기법의단점은스택된칩들이고성능칩의열에노출되고 TSV 를각칩마다형성해야한다는것이다. 2.5D 통합에는실리콘이나수지를사용하여인터커넥트구조로만들어진인터포저가준비되어있다. 칩들은인터포저위에수평방향으로탑재된다. 이기법을사용하면발열문제를줄일수있고 TSV 를각칩마다형성할필요가없다. 6