목 분 기 보 고 서...1 대표이사 등의 확인...2 I. 회사의 개요...3 1. 회사의 개요...3 2. 회사의 연혁...7 3. 자본금 변동사항...13 4. 주식의 총수 등...14 5. 의결권 현황...15 6. 배당에 관한 사항 등...15 II. 사업의 내용...18 III. 재무에 관한 사항...45 1. 요약재무정보...45 2. 연결재무제표...47 3. 연결재무제표 주석...54 4. 재무제표...99 5. 재무제표 주석...104 6. 기타 재무에 관한 사항...146 IV. 감사인의 감사의견 등...157 V. 이사의 경영진단 및 분석의견...161 VI. 이사회 등 회사의 기관에 관한 사항...162 1. 이사회에 관한 사항...162 2. 감사제도에 관한 사항...167 3. 주주의 의결권 행사에 관한 사항...170 VII. 주주에 관한 사항...171 VIII. 임원 및 직원 등에 관한 사항...176 1. 임원 및 직원의 현황...176 2. 임원의 보수 등...184 IX. 계열회사 등에 관한 사항...187 X. 이해관계자와의 거래내용...194 XI. 그 밖에 투자자 보호를 위하여 필요한 사항...196 전문가의 확인...202 1. 전문가의 확인...202 2. 전문가와의 이해관계...202 차
분 기 보 고 서 (제 68 기) 사업연도 2015년 01월 01일 2015년 03월 31일 부터 까지 금융위원회 한국거래소 귀중 2015년 5월 15일 제출대상법인 유형 : 면제사유발생 : 주권상장법인 해당사항 없음 회 사 명 : 에스케이하이닉스 주식회사 대 표 이 사 : 박 성 욱 본 점 소 재 지 : 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091 (전 화) 031-630-4114 (홈페이지) http://www.skhynix.com 작 성 책 임 자 : (직 책) 재무본부장 (성 명) 이 명 영 (전 화) 02-3459-5541~8 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 1
대표이사 등의 확인 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 2
1. 회사의 개요 I. 회사의 개요 가. 연결대상 종속회사 개황 (단위 : 백만원) 상호 설립일 주소 주요사업 직전사업연 도말 자산총액 지배관계 근 거 주요종속 회사 여부 에스케이하이이엔지 2001.04 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091 사업지원 55,008 에스케이하이스텍 2008.03 경기도 이천시 부발읍 경충대로 2091 사업지원 40,789 지분 50% 초과보유 지분 50% 초과보유 X X 실리콘화일 2002.11 경기도 성남시 분당구 성남대로 343번길9, SK U타 워 16층 전자ㆍ전기 부품 개발 및 제조 53,371 지분 50% 초과보유 X SK hynix America Inc.(SKHYA) 1983.03 3101 North First Street, San Jose, CA 95134, U.S.A 반도체판매 1,711,746 지분 50% 초과보유 Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc. (HSMA) 1995.07 1830 Willow Creek Circle, Eugene OR, 97401, U.S.A 반도체생산 49,061 지분 50% 초과보유 X SK hynix U.K. Ltd.(SKHYU) 1995.07 1st Floor, Block 10-3, Blanchardstown Corporate Park, Dublin 15. IRELAND 반도체판매 194,318 지분 50% 초과보유 SK hynix Deutschland GmbH(SKHYD) 1989.03 Am Prime Parc 13, Kelsterbacher Str. 16, D-65479 Raunheim, Germany 반도체판매 135,384 지분 50% 초과보유 SK hynix Asia Pte.Ltd.(SKHYS) 1991.09 8 Temasek Boulevard #11-03. Suntec City Tower3. Singapore 038988 반도체판매 386,135 지분 50% 초과보유 SK hynix Semiconductor India Private Limited(SKHYIS) 2006.11 Unit 10, Level 8, Innovator Building, ITPB (International Technology Park Bangalore), Whitefield Road, Bangalore 560066, India 반도체판매 722 지분 50% 초과보유 X SK hynix Semiconductor HongKong Ltd.(SKHYH) 1995.04 Suite 1707-08, 17/F., Central Plaza, 18 Harbour Road, Wanchai, Hong Kong 반도체판매 563,598 지분 50% 초과보유 SK hynix Japan Inc.(SKHYJ) 1996.09 23F SHIROYAMA TRUST TOWER, 4-3-1 Toranomon, Minatoku, Tokyo 반도체판매 285,122 지분 50% 초과보유 SK hynix Semiconductor Taiwan Inc.(SKHYT) 1996.07 11F, No.392, Rueyguang Road, Neihu Dist, Taipei 11492, Taiwan, R.O.C 반도체판매 628,791 지분 50% 초과보유 SK hynix Semiconductor (Shanghai) Co.,Ltd.(SKHYCS) 2001.08 Room 2102-2103A, Gubei international Fortune Center N0. 1438 Hongqiao Road, Shanghai, China 반도체판매 53,853 지분 50% 초과보유 X SK hynix Semiconductor (China) Ltd.(SKHYCL) 2005.04 Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in Wuxi New District, Wuxi, Jiangsu Province, China 웨이퍼생산 및 판매 4,179,186 지분 50% 초과보유 SK hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd.(SKHYMC) 2006.04 Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in Wuxi New District, Wuxi, Jiangsu Province, China 웨이퍼생산 및 판매 269,999 지분 50% 초과보유 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 3
SK hynix Semiconductor (Chongqing) Ltd. (SKHYCQL) 2013.09 Xiyong Comperhensive Bonded Zone B Block v2-4/02, Shapingba strict, Chongqing, China 웨이퍼생산 및 판매 341,984 지분 50% 초과보유 SK APTECH Ltd. (SKAPTECH) 2013.09 Wanchai, Hong Kong 해외현지투 가 지주회사 158,383 지분 50% 초과보유 SK hynix(wuxi) Semiconductor Sales Ltd.(SKHYCW) 2010.08 Lot K7, Wuxi Export Processing Zone in Wuxi New District, Wuxi, Jiangsu Province, China 반도체판매 22,647 지분 50% 초과보유 X SK hynix Italy S.r.l. (SKHYIT) 2012.05 V.le Colleori 15, Palazzo Orione 20864 Agrate Brianza (MB), Italy 기술센타 2,610 지분 50% 초과보유 X SK hynix memory solutions Inc. (SKHMS) 2012.08 3103 North First Street, San Jose, CA 95134, U.S.A 기술센타 59,922 지분 50% 초과보유 X SK hynix Flash Solution Taiwan Ltd. (SKHYFST) 2013.08 6F-1. Mo. 6. Taiyuen 1st(Taiyuen Hi-tech Industrial Park) Zhubei City, Hsinchu County 302, Taiwan 기술센타 8,209 지분 50% 초과보유 X Softeq Flash Solutions LLC.(SOFTEQ) 2014.06 Kalvaryiskaya, 42 Fifth Floor Minsk, Belarus, 220073 기술센타 3,961 지분 50% 초과보유 X MMT 특정금전신탁 - - 특정금전신 탁 0 지분 50% 초과보유 X 주요 종속회사 판단기준: 직전 사업연도말 자산총액 750억원 이상 [연결대상회사의 변동현황] 사업 연결에 전기대비 연결에 전기대비 연결에서 전기대비 연결에서 연도 포함된 종속회사 추가된 회사 제외된 회사 제외된 사유 제68기 에스케이하이이엔지 등 22개사 - - - 제67기 에스케이하이이엔지 등 22개사 실리콘화일 Softeq Flash Solutions LLC.(SOFTEQ) SK hynix Europe Holding Ltd.(SKHYE) 청산 제66기 에스케이하이이엔지(주 ) 등 21개사 SK APTECH Ltd. SK hynix Semiconductor(Chongqing) Ltd. SK hynix Flash Solution Taiwan Ltd.(SKHYFST) 아미파워 청산 연결대상회사의 변동현황은 한국채택국제회계기준임. MMT 특정금전신탁은 연결에 포함된 회사수에서 제외하였음. [연결대상회사의 당기 중 변동내용] 구 분 자회사 사 유 신규 연결 연결 제외 - - - - - - - - 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 4
나. 회사의 법적ㆍ상업적 명칭 당사의 명칭은 에스케이하이닉스 주식회사이며, 영문으로는 SK hynix Inc.라고 표기합니다. 단, 약 식으로 표기할 경우에는 SK하이닉스 또는 SK hynix라고 표기합니다. 다. 설립일자 당사는 1949년 10월 국도건설 주식회사로 설립되어 1983년 2월 현대전자산업주식회사로 상호를 변경하였으며, 이후 2001년 3월 주식회사 하이닉스반도체로, 2012년 3월 에스케이하이닉스 주식회 사로 상호를 변경하였습니다. 회사가 발행한 주식은 한국거래소에 상장되어 유가증권시장에서 거래 되고 있으며, 종목코드는 '000660'입니다. 라. 본사의 주소, 전화번호, 홈페이지 주소 주소: 경기도 이천시 경충대로 2091 전화번호: 031-630-4114 홈페이지: http://www.skhynix.com 마. 주요 사업의 내용 현재 당사의 주력 생산제품은 DRAM, NAND Flash 및 MCP(Multi-chip Package)와 같은 메모리 반 도체 제품이며, 2007년부터는 시스템 LSI 분야인 CIS(CMOS Image Sensor) 사업에 재진출하여 종 합반도체 회사로 그 영역을 넓혀가고 있습니다. 당사 정관에 근거하여 현재 회사가 영위하는 목적사업은 다음과 같습니다. -. 반도체소자 제조 및 판매 -. 반도체소자 기타 이와 유사한 부품을 사용하여 전자운동의 특성을 응용하는 기계, 기구 및 이에 사용되는 부품과 재료 등의 제작, 조립 및 판매 -. 컴퓨터 활용을 위한 소프트웨어 개발 및 임대업 -. 전자 전기, 통신기계, 기구 및 그 부품의 제작, 판매, 임대 및 관련 서비스업 -. 기계부분품 제조업 및 금형제조업 -. 기술연구 및 용역수탁업 -. 전자 전기기계, 기구의 임대업 -. 특수통신(위성통신 등) 방송관련 기기 제작, 판매, 임대업 및 서비스업 -. 정보서비스업 -. 출판업 -. 무역업 -. 부동산 매매 및 임대업 -. 발전업 -. 건설업 -. 전자관 제조업 -. 창고업 -. 주차장업 -. 위성통신사업 -. 전기통신회선설비 임대사업 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 5
-. 전자상거래 및 인터넷 관련사업 -. 전기 각호와 관련되는 사업 및 투자 사업부문별 보다 자세한 사항은 Ⅱ. 사업의 내용을 참조하시기 바랍니다. 바. 계열회사의 총수, 주요계열회사의 명칭 및 상장여부 (1) 기업집단의 명칭 : 에스케이 (독점규제 및 공정거래에 관한 법률) (2) 기업집단에 소속된 회사 (2015. 3. 31일 기준 계열사 : 82개사) 업종 상장사 비상장사 지주회사(1) SK - SK E&S, SK에너지, SK종합화학, SK루브리컨츠, 대한송유관공사, SK모바일에너지, 충청에너지서비스, 영남에너지서비스, 이니츠, 에너지ㆍ화학 (34) 정보통신/ 전기전자 (18) 건설/물류/서비스 (23) SK이노베이션, SK케미칼, SKC, SK가스, 부산도시가스 SK텔레콤, SK커뮤니케이션즈, SK브로드밴드, SK C&C, SK하이닉스, SKC솔믹스, 아이리버 SK네트웍스 전북에너지서비스, 전남도시가스, 강원도시가스, 엔티스, SK유화, SKC에어가스, 코원에너지서비스, SK더블유, 유베이스매뉴팩처링아시아, 울산아로마틱스, 피엠피, 위례에너지서비스, 하남에너지서비스, SK인천석유화학, SK어드밴스드, SK트레이딩인터내셔널, 당진에코파워, 보령LNG터미널, SK배터리시스템즈, 에스엠피씨 SK플래닛, SK텔레시스, SK텔링크, 인포섹, 커머스플래닛, 텔레비전미디어코리아, 네트웍오앤에스, 실리콘화일, 에이앤티에스, SKC라이팅, 피에스앤마케팅 SK건설, SK해운, 행복나래, SK디앤디, 엠앤서비스, SK엔카닷컴, 에프앤유신용정보, SK네트웍스서비스, SK하이스텍, 네오에스네트웍 스, 내트럭, SK신텍, 스피드모터스, SK하이이엔지, 지허브, 엠케이에스개런티(유), SK임업, 대전맑은물, 광주맑은물, SK핀크스, 서비스에이스, 서비스탑 금융(1) SK증권 - 기타(5) 유비케어, 바이오랜드 SK바이오팜, SK와이번스, 제주유나이티드FC (*) 사명 변경 : 울산아로마틱스 ( 舊 아로케미 ), 행복나래 ( 舊 엠알오코리아 ), SK하이스텍 ( 舊 하이스텍), SK하이이엔지 ( 舊 하이닉스엔지니어링), 엔티스 ( 舊 SK사이텍 ) SK배터리시스템즈 ( 舊 SK컨티넨탈이모션코리아 ) 사. 신용평가에 관한 사항 본 보고서 제출일 현재 당사의 신용등급은 다음과 같습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 6
구분 평가기관 현등급 최종평가일 NICE신용평가 A+ 2014.06.20 국내 한국기업평가 A+ 2014.05.30 한국신용평가 A+ 2014.06.18 해외 Moody's Ba1 2014.12.12 S&P BB+ 2014.11.21 최근 3개 사업연도 신용등급과 관련한 상세 내역 및 각 등급에 따른 정의는 본 보고서 'Ⅱ. 11. 가 최 근 3년간 신용등급'을 참고하여 주시기 바랍니다. 2. 회사의 연혁 가. 설립 이후의 중요한 변동상황 (1) 회사의 주된 변동내용 1949. 10 국도건설 주식회사 설립 1983. 02 현대전자산업주식회사로 상호 변경 1996. 12 기업공개 및 상장 1997. 03 대표이사 김영환 외 이사 5인 변경 선임 이사 5인, 감사 1인 변경 선임 1999. 05 LG그룹과 LG반도체 주식 양수도 계약 체결 1999. 07 LG반도체 대주주 지분 인수 1999. 10 현대반도체 (구, LG반도체) 흡수합병 2000. 03 박종섭 대표이사 외 이사 1인, 감사위원 2인 변경 선임 2000. 05 전장사업부문 (주)현대오토넷으로 분사 2000. 08 모니터사업부문 "현대이미지퀘스트(주)"로 분사 2001. 03 주식회사 하이닉스반도체로 상호 변경 박상호 대표이사 선임 외 이사 2인, 감사위원 2인 변경 선임 2001. 05 통신단말기 사업부문 "현대큐리텔"로 분사 통신 ADSL 사업부문 "현대네트웍스"로 분사 2001. 07 통신 네트워크 사업부문 "현대시스콤"으로 분사 2001. 08 현대그룹으로부터 계열분리 2001. 10 채권금융기관 공동관리 시작 2001. 12 현대큐리텔, '팬텍 컨소시엄'에 지분 매각 2002. 01 현대시스콤, '쓰리알'에 지분 매각 2002. 05 시러스 로직 社 와 파운드리 전략적 장기공급 계약체결 박종섭 대표이사 사임 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 7
2002. 06 최대주주 변경(현대상선(주) (주)한국외환은행) 2002. 07 우의제 대표이사 선임 외 이사 2인, 감사위원 2인 변경 선임 2002. 12 현대네트웍스, '엠비엔'에 지분 매각 2003. 02 박상호 대표이사 사임 2003. 04 STMicro 社 와 낸드플래시 메모리 공동 개발 및 파운드리 공급 계약 체결 2003. 06 환경/안전/보건 기술연구소 설립 2004. 06 매그나칩반도체 유한회사와 비메모리 사업부문 영업양도계약 체결 2004. 08 중국 장쑤( 江 蘇 )성 우시( 無 錫 )시와 중국 현지공장설립 협력계약 체결 2004. 10 비메모리 사업부문 영업양도 2004. 11 STMicro 社 와 중국 현지 합작공장설립을 위한 협력계약 체결 2005. 03 황학중, 김덕수, 민형욱, 이준호 사외이사 선임 박시룡, 장윤종 사외이사 임기만료 퇴임 2005. 07 채권금융기관 공동관리 조기종료 현대이미지퀘스트(주), (주)빅터스캐피탈코리아에 지분 매각 2005. 10 (주)현대오토넷 지분매각 완료 출자전환주식 공동관리협의회 1차 공동 지분매각(해외유통GDR발행 및 국내 블록세일 ) 2006. 03 권오철 이사, 손방길 사외이사 선임, 정형량 이사 임기만료 퇴임 2006. 04 중국 현지생산법인(HSMC) 설립 2006. 06 출자전환주식 공동관리협의회 2차 공동 지분매각(해외유통GDR발행 및 국내 블록세일 ) 2006. 09 300mm 연구소(R3 R&D Fab) 개소 2007. 03 김종갑 대표이사 외 이사 1인 신규 선임, 사외이사 8인(감사위원회 위원 4인 포함) 선 임 -. 이사 선임: 김종갑, 최진석 -. 사외이사 선임: 박종선, 김경한, 조동성, 김형준 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 황학중, 민형욱, 손방길, 손성호 우의제 대표이사 임기만료 퇴임 이사 1인(오춘식), 사외이사 4인(김범만, 김수창, 이선, 이준호) 임기만료 퇴임 2007. 04 청주 신규 M11(300mm) 공장 착공 2007. 07 공정거래 자율준수프로그램 도입 2007. 10 환경운동연합과 '환경경영검증위원회' 협약 체결 2007. 11 '일하는 이사회'를 위한 신( 新 )이사회 제도 도입 2008. 02 김경한 사외이사 중도 퇴임 2008. 03 사외이사 8인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 사외이사 선임: 박종선, 조동성, 김형준, 정홍원, 최장봉 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 손성호, 홍형표, 백경훈 사외이사 3인(황학중, 민형욱, 손방길) 임기만료 퇴임 2008. 06 정홍원 사외이사 중도 퇴임 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 8
2009. 03 권오철 이사 재선임 외 이사 1인 신규 선임, 사외이사 8인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 이사 선임: 권오철, 박성욱 -. 사외이사 선임: 박종선, 조동성, 김형준, 최장봉, 한부환 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 손성호, 홍형표, 백경훈 2009. 11 중국 후공정 합작사 HITECH 설립 2010. 03 최대주주 변경((주)한국외환은행 한국정책금융공사) 최대주주 변경(한국정책금융공사 미래에셋자산운용투자자문(주)) 권오철 대표이사외 이사 1인 신규 선임, 김종갑 이사 재선임 사외이사 9인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 이사 선임: 김종갑, 권오철, 김민철 -. 사외이사 선임: 박종선, 전인백, 한부환, 최장봉, 정병태, 김형준 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 백갑종, 송재용, 김창호 2010. 06 중국 후공정 합작공장 HITECH 준공 2010. 08 최대주주 변경(미래에셋자산운용투자자문(주) 한국정책금융공사) 2010. 10 최대주주 변경(한국정책금융공사 국민연금공단) 2011. 03 사외이사 9인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 사외이사 선임: 한부환, 전인백, 정병태, 이달곤, 김갑회, 정상환 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 백갑종, 송재용, 조현명 2011. 09 정상환 사외이사 중도 퇴임 2012. 02 최대주주 변경(국민연금공단 에스케이텔레콤(주)) 사외이사 5인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 이사 선임: 최태원, 하성민, 박성욱 -. 사외이사 선임: 김두경, 박영준, 윤세리, 김대일, 이창양 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 김두경, 김대일, 이창양 2012. 06 미 컨트롤러 업체 LAMD(Link_A_Media Devices) 인수 본계약 체결 2012. 09 플래시 솔루션 디자인 센터 설립 2013. 03 김준호 사내이사 1인 신규 선임 2014. 03 이사 2인(감사위원회 위원 1인 포함) 선임 -. 이사 선임: 임형규 -. 사외이사 선임: 최종원 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 최종원 2015. 03 이사 5인(감사위원회 위원 3인 포함) 선임 -. 이사 선임: 박성욱 -. 사외이사 선임: 김두경, 박영준, 김대일, 이창양 -. 감사위원회 위원이 되는 사외이사 선임: 김두경, 김대일, 이창양 (2) 종속회사의 주된 변동내용 1983. 03 미국 현지법인(HSA) 설립 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 9
1989. 03 독일 현지법인(HSD) 설립 1991. 08 싱가폴 현지법인(HSS) 설립 1995. 04 홍콩 현지법인(HSH) 설립 1995. 07 영국 현지법인(HSE) 설립 영국 현지판매법인(HSU) 설립 1995. 08 미국 생산법인(HSMA) 설립 1996. 07 대만 현지법인(HST) 설립 1996. 09 일본 현지법인(HSJ) 설립 2001. 05 사업지원 서비스부문 "(주)현대아스텍" 분사 2001. 07 LCD 사업부문 "(주)현대디스플레이테크놀로지"로 분사 2001. 08 중국 현지판매법인(HSCS) 설립 2001. 12 "에스알씨(주)" 분사 2002. 11 "(주)현대디스플레이테크놀로지" TFT-LCD 사업부문 매각 2005. 04 중국 합작법인(HSSL) 설립 에스알씨(주) (주)큐알티반도체 사명 변경 (주)현대아스텍 (주)아스텍 사명 변경 2006. 04 중국 현지생산법인(HSMC) 설립 2006. 10 중국 현지생산법인(HSMC) 준공 2007. 01 인도 현지법인(HSIS) 설립 2008. 03 (주)아스텍에서 (주)하이닉스인재개발원 분할 (주)아스텍에서 (주)하이스텍으로 분할 (주)아스텍에서 (주)하이로지텍으로 분할 (주)아스텍에서 (주)하이닉스엔지니어링으로 분할 2010. 01 (주)하이닉스엔지니어링에서 (주)아미파워로 분할 2010. 08 중국 현지판매법인(HSCW) 설립 2011. 09 "(주)현대디스플레이테크놀로지" 청산, 주요종속회사 제외 "프로모스엔에이치유한회사, 티와이프로주식회사, 외환은행특정금전신탁" 청산, 주요 종속회사 제외 2012. 06 낸드플래시 개발업체 아이디어플래시(Ideaflash S.r.l.) 인수, 이탈리아 기술센터(SK Hynix Italy S.r.l.) 전환 설립 2012. 10 (주)하이닉스엔지니어링, (주)큐알티반도체 흡수합병 (주)하이스텍, (주)하이로지텍/(주)하이닉스인재개발원 흡수합병 2012. 10 (주)하이닉스엔지니어링 에스케이하이이엔지(주) 사명 변경 (주)하이스텍 에스케이하이스텍(주) 사명 변경 2013. 09 아미파워(주) 청산, 주요종속회사 제외 2014. 04 에스케이하이이엔지(주) 에서 큐알티(주) 분할 설립 주식교환으로 실리콘화일(주) 인수 2014. 06 벨라루스 소재 연구개발법인 Softeq Flash Solutions LLC. 인수 2014. 07 SK hynix Europe Holding Ltd.(SKHYE) 청산, 종속기업 제외 2014. 09 큐알티(주) 지분 전량 매각 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 10
나. 상호의 변경 1983. 02 현대전자산업주식회사로 상호 변경 2001. 03 주식회사 하이닉스반도체로 상호 변경 2012. 03 에스케이하이닉스 주식회사로 상호 변경 다. 합병, 분할(합병), 포괄적 주식교환 이전, 중요한 영업의 양수 양도 등 1999. 10 현대반도체 (구, LG반도체) 흡수합병 2004. 10 비메모리 사업부문 영업양도 2011. 11 에스케이텔레콤, 하이닉스반도체 지분인수계약 2014. 01 실리콘화일과 포괄적 주식교환계약 라. 생산설비의 변동 2006. 10 중국 장쑤( 江 蘇 )성 우시( 無 錫 )시에 C2(300mm), C1(200mm)공장 준공 2008. 07 미국 유진 공장 E1(200mm) 가동 중단 2008. 08 청주 신규 NAND Flash 전용 M11공장(300mm) 준공 2008. 09 이천 M7(200mm) 및 청주 M9(200mm) 공장 가동 중단 2008. 12 중국 C1(200mm) 공장 가동 중단 2010. 06 중국 후공정 합작공장 HITECH 준공 2012. 06 청주 신규 NAND Flash 전용 M12공장(300mm) 준공 마. 경영활동과 관련된 중요한 사실의 발생 2005. 01 전력 소모 30% 줄인 서버용 메모리 모듈 개발 2005. 01 대만 프로모스 社 와 전략적 제휴를 위한 본계약 체결 2005. 07 2GB DDR2-667 노트북용 모듈 업계 최초 인텔 社 인증 획득 2005. 07 당사 출자전환 주식 공동관리 협의회와 '특별 약정' 체결 2005. 11 JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발 2005. 12 512Mb GDDR4 DRAM 개발 2006. 03 80나노 512Mb DDR2 DRAM 인텔 社 인증 획득 2006. 12 200Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800Mbps 모듈 개발 2007. 03 ECC회로 적용한 185Mbps 512Mb 모바일 DRAM 개발 2007. 04 퓨전메모리 제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산 2007. 05 80나노 DDR3 1Gb DRAM 단품 및 모듈 인텔 社 인증 획득 초박형(25μm) 20단 낸드플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발 2007. 08 200Mbps 1Gb 모바일 DRAM 개발 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 11
이노베이티브 실리콘 社 와 신개념 메모리 'ZRAM' 라이선스계약 체결 2007. 09 초박형(25μm) 24단 낸드플래시 MCP(Multi-chip Package)개발 2007. 10 오보닉스 社 와 차세대 메모리 'PRAM' 기술 라이선스 계약 체결 2007. 11 1Gb GDDR5 개발 50나노급 1Gb DDR2 DRAM 인텔 社 인증 획득 실리콘화일 社 와 CMOS 이미지 센서(CIS) 사업 추진을 위한 협력 계약 체결 2008. 01 50나노급 1GB/2GB DDR2 모듈 인텔 社 인증 획득 2008. 03 피델릭스 社 와 전략적 제휴를 위한 협력계약 체결 2008. 04 그란디스 社 와 'STT-RAM' 라이선스 및 공동개발계약 체결 2008. 05 프로모스 社 와 포괄적 제휴 협력 계약 체결 2008. 06 파이슨 社 와 낸드플래시 응용제품 기술에 대한 사업협력계약 체결 실리콘화일 社 지분취득 결정 및 기존 파운드리 계약범위 확대 3중셀(X3) 기술 기반 32Gb 낸드플래시 개발 2008. 07 씨엔에스테크놀로지 社 와 시스템반도체 공동개발 및 파운드리 협력계약 체결 2008. 08 뉴모닉스 社 와 낸드플래시 기술 및 제품 공동 개발 협력계약 체결 16GB 서버용 모듈 개발 2008. 12 8단 적층 낸드플래시 개발 50나노급 2Gb 고용량 모바일 DRAM 개발 2009. 01 DDR3 서버용 모듈 4GB ECC UDIMM 인텔 社 인증 획득 2009. 02 40나노급 DDR3 DRAM 개발 2009. 05 뉴모닉스 社 및 파이슨 社 와 낸드플래시 응용제품용 컨트롤러 3자 공동개발 계약 체결 중국 장쑤( 江 蘇 )성 우시( 無 錫 )시에 무석산업발전집단유한공사와 합작 반도체 후공정 전문회사 설립을 위한 본계약 체결 2009. 06 4GB 1333Mbps 노트북용 모듈 외 10건 인텔 社 DDR3 전용 플래폼 인증획득 2009. 07 대만 프로모스 社 와 전략적 제휴 협력계약 종결 2009. 08 50나노급 4Gb 모바일 DRAM 인텔 社 인증 획득 2009. 10 2세대 1Gb DDR3 개발 2009. 12 40나노급 2Gb GDDR5 개발 2010. 01 40나노급 2Gb 모바일 DRAM 개발 2010. 02 20나노급 64Gb 낸드플래시 개발 2010. 09 휴렛팩커드(HP) 社 와 Re램 공동개발 계약 체결 2010. 12 30나노급 4Gb DDR3 개발 2011. 03 30나노급 2Gb DDR4 개발 2011. 07 도시바 社 와 STT-MRAM 공동개발 및 합작사 설립을 위한 공동생산 계약 체결 2012. 03 30나노급 2Gb DDR3 저탄소제품 인증 획득 2012. 04 스팬션 社 와 특허사용 크로스라이선스 및 SLC낸드플래시 공급계약 체결 2012. 06 IBM 社 와 PC램 공동개발 및 기술 라이선스 계약 체결 2012. 08 20나노급 64Gb 낸드플래시 저탄소제품 인증 획득 2012. 09 20나노급 4Gb 그래픽 DDR3 개발 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 12
2013. 06 20나노급 8Gb LPDDR3 개발 램버스 社 와 포괄적 특허 라이선스 계약 체결 2013.07 삼성전자와 반도체 특허 크로스라이선스 계약 체결 2013.10 20나노급 6Gb LPDDR3 개발 2013.12 20나노급 8Gb LPDDR4 개발 2014.04 20나노급 8Gb DDR4기반 128GB 모듈 개발 2014.05 20나노급 모바일 D램 저탄소 제품 인증 획득 2014.09 차세대 와이드 IO2 모바일 D램 개발 2014.10 최대용량 비휘발성 하이브리드 D램 모듈 개발 2015. 02 도시바와 NIL 기술 공동 개발 계약 체결 2015. 02 사업연속성경영시스템(ISO22301) 인증 획득 3. 자본금 변동사항 가. 증자(감자)현황 (기준일 : 2015년 03월 31일 ) (단위 : 원, 주) 발행(감소)한 주식의 내용 주식발행 발행(감소) 주당 주당발행 (감소)일자 형태 주식의 종류 수량 액면가액 (감소)가액 비고 2010년 01월 04일 전환권행사 보통주 28,608 5,000 23,328 2010.01.04~2010.03.22 2010년 04월 01일 전환권행사 보통주 565,120 5,000 23,328 2010.04.01~2010.06.25 2010년 07월 08일 전환권행사 보통주 44,150 5,000 23,328 2010.07.08~2010.09.01 2010년 10월 29일 전환권행사 보통주 115 5,000 23,328 2010.10.29~2010.11.16 2011년 01월 13일 전환권행사 보통주 434,385 5,000 23,328 2011.01.13~2011.03.25 2011년 04월 01일 전환권행사 보통주 1,460,643 5,000 23,328 2011.04.01~2011.06.10 2012년 01월 27일 전환권행사 보통주 855 5,000 23,328 2012.01.27~2012.02.13 2012년 02월 14일 유상증자(제3자 배정) 보통주 101,850,000 5,000 23,000 2012년 02월 15일 전환권행사 보통주 4,159 5,000 23,328 2012.02.15~2012.02.23 2012년 04월 06일 전환권행사 보통주 3,000 5,000 23,328 2012년 05월 02일 주식매수선택권 행사 보통주 93,500 5,000 22,800 우리사주매수선택권행사 2012년 05월 04일 전환권행사 보통주 428 5,000 23,328 2012년 08월 20일 전환권행사 보통주 21 5,000 23,328 2012년 10월 30일 주식매수선택권 행사 보통주 30,300 5,000 22,800 우리사주매수선택권행사 2012년 12월 07일 전환권행사 보통주 3,016 5,000 23,328 2012.12.07~2012.12.18 2013년 02월 13일 전환권행사 보통주 9,527 5,000 23,328 2013.02.13~2013.03.28 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 13
2013년 04월 01일 전환권행사 보통주 551,689 5,000 23,328 2013.04.01~2013.06.27 2013년 07월 02일 전환권행사 보통주 15,483,908 5,000 23,328 2013.07.02~2013.08.05 2014년 04월 22일 - 보통주 1,358,537 5,000 - 주식교환 2014년 05월 27일 전환권행사 보통주 4,562,354 5,000 34,394 2014.05.27~2014.06.26 2014년 07월 01일 전환권행사 보통주 10,285,078 5,000 34,394 2014.07.01~2014.09.29 2014년 10월 01일 전환권행사 보통주 1,595,505 5,000 34,394 2014.10.01~2014.10.06 4. 주식의 총수 등 가. 주식의 총수 2015년 3월 31일 본 보고서 작성기준일 현재 당사의 발행할 주식의 총수는 9,000,000,000주이며, 발행한 주식의 총수는 보통주 5,721,980,209주입니다. 보통주 이외에 발행한 다른 종류의 주식은 없습니다. 당기말 현재의 유통주식수는 보통주 728,001,795주 입니다. (기준일 : 2015년 03월 31일 ) (단위 : 주) 구 분 주식의 종류 보통주 우선주 합계 비고 Ⅰ. 발행할 주식의 총수 9,000,000,000-9,000,000,000 - Ⅱ. 현재까지 발행한 주식의 총수 5,721,980,209-5,721,980,209 - Ⅲ. 현재까지 감소한 주식의 총수 4,993,977,844-4,993,977,844-1. 감자 4,990,449,799-4,990,449,799 2003.03.31, 주식병합(21:1) 2. 이익소각 3,528,045-3,528,045 2000.03.31, 이익소각 3. 상환주식의 상환 - - - - 4. 기타 - - - - Ⅳ. 발행주식의 총수 (Ⅱ-Ⅲ) 728,002,365-728,002,365 - Ⅴ. 자기주식수 570-570 2014.04.22 주식교환 Ⅵ. 유통주식수 (Ⅳ-Ⅴ) 728,001,795-728,001,795 - 나. 자기주식 취득 및 처분 현황 (기준일 : 2015년 03월 31일 ) (단위 : 주) 취득방법 주식의 종류 기초수량 변동 수량 취득(+) 처분(-) 소각(-) 기말수량 비고 배당 가능 이익 직접 취득 장내 보통주 - - - - - - 직접 취득 우선주 - - - - - - 장외 보통주 - - - - - - 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 14
직접 취득 우선주 - - - - - - 공개매수 보통주 - - - - - - 우선주 - - - - - - 범위 소계(a) 보통주 - - - - - - 우선주 - - - - - - 이내 취득 신탁 수탁자 보유물량 보통주 - - - - - - 우선주 - - - - - - 계약에 의한 현물보유물량 보통주 - - - - - - 우선주 - - - - - - 취득 소계(b) 보통주 - - - - - - 우선주 - - - - - - 기타 취득(c) 총 계(a+b+c) 보통주 - 570 - - 570 주식교환 우선주 - - - - - - 보통주 - 570 - - 570 - 우선주 - - - - - - 5. 의결권 현황 (기준일 : 2015년 03월 31일 ) (단위 : 주) 구 분 주식의 종류 주식수 비고 발행주식총수(A) 의결권없는 주식수(B) 정관에 의하여 의결권 행사가 배제된 주식수(C) 기타 법률에 의하여 의결권 행사가 제한된 주식수(D) 의결권이 부활된 주식수(E) 의결권을 행사할 수 있는 주식수 (F = A - B - C - D + E) 보통주 728,002,365 - 우선주 - - 보통주 570 - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 - - 우선주 - - 보통주 728,001,795 - 우선주 - - 6. 배당에 관한 사항 등 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 15
가. 배당에 관한 사항 정관에 의거한 배당에 관한 당사의 중요한 정책은 다음과 같습니다. (1) 제52조(이익배당) 1 이익의 배당은 금전, 주식 및 기타의 재산으로 할 수 있다. 2 제1항의 배당은 매 결산기말 현재의 주주명부에 기재된 주주 또는 등록된 질권자에게 지급한다. 3 이익의 배당을 주식으로 하는 경우 회사가 종류주식을 발행한 때에는 주주총회 결의로 그와 다른 종류의 주식으로 배당 할 수 있다. (2) 제54조(중간배당) 1 회사는 7월 1일 0시 현재의 주주에게 상법의 규정에 의한 중간배당을 금전, 주식 및 기타의 재산 으로 할 수 있다. 2 제1항의 중간배당은 이사회의 결의로 하되, 중간배당의 구체적인 방법, 한도 등에 대해서는 상법 등 관련 법령에서 정하는 바에 따른다. 3 사업년도 개시일 이후 제1항의 기준일 이전에 신주를 발행한 경우(준비금의 자본전입, 주식배당, 전환사채의 전환청구, 신주인수권부사채의 신주인수권행사를 포함한다) 중간배당에 관해서는 당해 신주는 직전 사업년도 말에 발행된 것으로 본다. 4 중간배당을 할 때에는 종류주식에 대하여도 보통주식과 동일한 배당률을 적용한다. 5 제53조(배당금 지급청구권의 소멸시효)는 중간배당의 경우에 준용한다. 나. 최근 3사업연도 배당에 관한 사항 구 분 주식의 종류 제68기 1분기 제67기 제66기 주당액면가액 (원) 5,000 5,000 5,000 (연결)당기순이익(백만원) 1,295,730 4,195,456 2,872,857 주당순이익 (원) 1,780 5,842 4,045 현금배당금총액 (백만원) - 218,401 - 주식배당금총액 (백만원) - - - (연결)현금배당성향(%) - 5.2 - 현금배당수익률 (%) 주식배당수익률 (%) 주당 현금배당금 (원) 주당 주식배당 (주) 보통주 - 0.6 - 우선주 - - - 보통주 - - - 우선주 - - - 보통주 - 300 - 우선주 - - - 보통주 - - - 우선주 - - - 상기 금액은 연결 재무제표 기준이며, 당기순이익, 현금배당성향은 지배기업소유주지분 귀속 당기순이익을 사용함. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 16
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II. 사업의 내용 1. 사업의 개요 가. 업계의 현황 (1) 산업의 특성 반도체는 모든 IT제품의 필수불가결한 핵심 부품으로서, 컴퓨터를 비롯해 통신장비 및 통신시스템, 자동차, 디 지털 가전제품, 산업기계 그리고 컨트롤 시스템 등 그 적용 분야가 매우 광범위 합니다. 시장조사기관인 가트너 (Gartner, 2015년 3월, 금액기준)에 따르면, 지난 2014년도 세계 반도체 시장규모는 US$ 3,403억에 이르렀으 며, 이중 메모리 제품은 US$803억의 시장규모를 기록하며 전체 반도체 시장의 약 24% 수준에 달하였습니다. 또한 메모리 반도체 시장에서 가장 큰 비중을 차지하는 DRAM은 지난 2014년 US$461억을 기록하며 전체 메모 리 시장의 약 57%를 차지하였고, 그 뒤를 이어 낸드플래시가 US$ 298억으로 37%, 노어플래시가 US$ 22억으 로 3%를 차지하였습니다. 아래 표에 나타낸 바와 같이 반도체 산업은 우리 나라 수출에 있어서 12.1%의 비중을 차지하는 매우 중요한 기 간 산업 중 하나입니다. 2014년 반도체 수출은 DRAM 시장 개편 및 수요 증가로 전년 대비 9.2% 증가하였습니 다. 전체 수출중 반도체 비중 (단위: 백만USD, %) 구분 2014 2013 2012 2011 2010 총수출 572,664 559,649 548,076 555,214 466,384 반도체 63,065 57,741 50,949 50,879 51,464 전년비 증감율 9.2 13.3 0.1-1.1 61.2 비중 12.1 10.3 9.3 9.2 11.0 출처 : 관세청, 2015년 2월 이러한 반도체는 메모리 반도체와 비메모리 반도체로 구분됩니다. 가) 메모리 반도체 정보를 저장하고 기억하는 기능을 하는 메모리 반도체는 일반적으로 '휘발성(Volatile)' 과 '비휘발성(Nonvolatile)'으로 분류됩니다. 휘발성 메모리 제품은 전원이 끊어지면 정보가 지워지는 반면, 비휘발성 제품은 휴 대전화에 전화번호가 저장되는 것처럼 전원이 끊겨도 저장된 정보가 계속 남아 있습니다. 당사는휘발성 메모리 인 DRAM과 비휘발성 메모리인 플래시메모리를 생산하고 있습니다. 메모리 반도체 산업은 제품 설계 기술, 공정 미세화 및 투자효율성 제고에 의한 원가 경쟁력 확보가 매우중요한 산업으로서 기술력 및 원가경쟁력을 갖춘 소수의 IDM (Integrated Device Manufacturer)업체 중심으로 과점화 되는 추세입니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 18
[DRAM(Dynamic Random Access Memory)] DRAM은 전원이 켜져 있는 동안에만 정보가 저장되는 휘발성(Volatile) 메모리로 주로 컴퓨터의 메인 메모리 (Main Memory), 동영상 및 3D 게임 구현을 위한 그래픽 메모리(Graphics Memory)로 사용되고 있으며, 가전 제품의 디지털화에 따라 스마트TV, 스마트 냉장고 그리고 프린터 등에도 사용이 확대되고 있습니다. 또한 각종 이동통신 기기의 폭발적 성장에 따라 스마트폰 및 태블릿PC 등에도 모바일용 DRAM의 채용량이 급증하고 있 습니다. [플래시메모리(Flash Memory)] 플래시메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리로 크게 노어 (NOR)형(Code저장형)과 낸드(NAND)형(Data저장형)으로 나눌 수 있습니다. 이중 당사가 생산하는 낸드플래 시는 순차적(Sequential) 정보 접근이 가능한 비휘발성 메모리 칩으로서, 디지털 비디오나 디지털 사진과 같은 대용량 정보를 저장하는데 매우 적합합니다. 낸드플래시 제품이 주로 적용되는 분야는 디지털 카메라, USB드라이브, MP3플레이어, 차량용 네비게이션, SSD(Solid State Drive), Flash Array 그리고 스마트폰, 태블릿PC와 같은 모바일 기기 등입니다. 한편, 최근 플 래시 메모리는 일반적인 범용 메모리 보다는 고객지향적인 제품의 수요가 늘어나고 있어 이런 추세에 부합하는 적극적인 응용 제품개발 및 철저한 고객대응의 중요성이 커지고 있습니다. 나) 비메모리 반도체 비메모리 반도체는 정보 처리를 목적으로 제작되는 반도체로 특성에 따라, 아날로그, 로직, 마이크로, 디스크리 트, 센서로 분리가 되며, 자사는 이중 CIS를 생산하고 있습니다. [CIS(CMOS Image Sensor)] 계산과 추론 등 정보처리기능을 담당하는 비메모리 반도체 중에서도, 이미지 센서는 빛 에너지를 감지하여 그 세기의 정도를 영상 데이터로 변환해 주는 반도체 소자로서 디지털 촬영 기기에서 필름 역할을 하고 있습니다. 이미지센서는 제조 과정과 신호를 읽는 방법에 따라 CCD(Charge Coupled Device)와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 두 가지 타입으로 나뉩니다. 최근 CMOS 이미지 센서의 기술이 크게 향상되고 디지털 촬영기기가 소형화됨에 따라, 크기가 작고 전력 소모가 적은 CMOS 이미지 센서의 활용 범위가 점차 확 대되고 있으며, 특히 CIS의 사용 분야 중 스마트폰과 태블릿PC향의 출하량과 매출 비중이 각각 50%를 넘어 고 성장 추세 입니다. (2) 산업의 성장성 반도체 산업을 둘러싼 환경은 디지털 기기가 모바일화, 스마트화되고 자동차, 의료기기, 산업기기 등이 인터넷 을 기반으로 발전함에 따라 우호적인 시장 여건이 지속되고 있습니다. 2011년과 2012년에는 저성장을 기록하 였으나 2014년에 전체 반도체는 전년 동기 대비 7.9%, 메모리 반도체 분야는 16.9%의 높은 성장을 기록하여 2년 연속 최대 매출을 기록하였습니다. 2015년 또한 DRAM수요는 PC 및 모바일에서 서버 영역으로, NAND 수 요는 모바일에서 PC와 Server 대용량 스토리지 영역으로 주요 수요처가 확대되며 지속적인 성장이 예상됩니다. 메모리 반도체 시장의 지속 성장 전망에 반해 생산(공급) 측면은 제한적인 증가가 예상됩니다. 공정 미세화 기 술은 한계에 다다르고 있으며, 생산 및 연구 개발을 위한 투자 비용이 급증하고 있는 반면, 고객들의 요구 성능 과 품질 수준은 더욱 다양화 및 고도화되고 있습니다. 이에 기존과 같은 외형 경쟁을 위한 무리한 공급 확대는 제한적일 것으로 전망됨에 따라, 향후 메모리 반도체 산업은 안정적 수요와 제한적인 공급으로 인해 메모리 시 장 성장의 기회가 더욱 증대할 것으로 예상됩니다. [DRAM] 시장 조사기관인 가트너(Gartner, 2015년 3월, 금액기준)에 따르면, DRAM 시장은 세계 경제의 점진적 회복 및 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 19
모바일 시장 확대, 수급 안정 등의 요인으로 2013년 $349억(+33%), 2014년 $461억(+32%)의 큰 폭의 매출 성 장을 기록하였습니다. 분야별로 살펴 보면, PC 시장은 경기 침체로 인한 저성장 기조가 유지되어 DRAM 수요 를 견인하는데 어려움을 겪고 있으나, 2014년 Windows XP의 서비스 종료를 전후로 노후 PC의 교체 수요가 회 복되었으며, 개인용 컴퓨터의 이동성(mobility)에 대한 요구가 증가함에 따라 울트라북 등 노트북 컴퓨터로의 교체 및 신규 수요가 확대될 전망입니다. 한편, 수요가 폭발적으로 증가하고 있는 모바일 기기는 DRAM 수요를 견인하는 주요 분야로서, 스마트폰과 태블릿 PC에서 채용하는 DRAM 용량은 2013년 각각 0.76GB와 0.90GB에서 2019년에는 2.96GB와 2.79GB 으로 증가될 것(Gartner, 2015년 3월)으로 예상됩니다, 또한, 고 화질의 콘텐츠 유통 증가와 주요 게임 콘솔의 출시에 따라 이를 빠르게 처리할 수 있는 그래픽 메모리의 수요도 증가할 전망입니다. 상기와 같이 디지털 기기의 증가에 따른 DRAM 수요 증가뿐만 아니라, 대용량 콘텐츠 처리 를 위한 기기당 탑재량 증가에 따라 DRAM 수요는 앞으로도 지속 증가할 것으로 예상됩니다. [낸드플래시(NAND Flash)] 낸드플래시는 디지털 미디어의 성장과 더불어 스마트폰, 태블릿 PC, 디지털 카메라, MP3 플레이어 그리고 기 타 멀티미디어 가전에 사용되는 플래시카드와 USB 드라이브, SSD와 같은 정보저장장치(Storage Devices) 등 에 널리 사용되고 있습니다. 가트너(Gartner, 2015년 3월, 금액기준)의 전망에 따르면 낸드플래시 시장은 모바일 및 SSD 등 스토리지 분야 적용 확대를 통해 2013년에는 23%($289억)의 고성장을 이루었으며, 2014년에도 3.1%($298억)의 성장을 기 록하였습니다. 이는 스마트폰, 태블릿 PC을 포함한 휴대용 기기 및 PC용 SSD, 기타 응용복합 제품 등 향후 낸 드플래시의 수요를 견인할 제품 시장의 지속적 성장 전망에 기반한 것입니다. 향후에는 Cloud Computing 및 IoT 시대가 전개되며 Data Center의 Storage 용량 확대와 실시간 정보처리의 필요성이 높아질 것이며, 이에 따라 Enterprise용 SSD가 일부 HDD를 대체하고 NAND 시장은 또한번의 도약을 할 것으로 예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지센서는 1990년대 중반 디지털 카메라에 장착되어 일반 소비자에게 선보인 이후 PC 카메라, 자동차 블랙 박스, 휴대폰카메라, 감시카메라 등 다양한 분야에 활용되어 시장 규모도 크게 증가하는 추세입니다. 특히 스마 트폰, 태블릿 PC의 카메라 시장의 수요 증가로 시장이 지속 성장할 것으로 보입니다. 가트너(Gartner, 2015년 3월, 금액기준)의 전망에 따르면 이미지센서 시장은 2013년 US$93억에서 2019년 US$133억 규모로 연평균 6.1%의 성장이 예상되며, 특히 당사가 생산중인 CMOS 이미지센서 시장은 다양한 응용기기로의 확대 적용과 수요 증가로 전체 이미지 센서 시장에서의 비중이 2013년 87%에서 2019년 95%까지 증가하며 연평균 7.5%의 성장이 전망됩니다. (3) 경기변동의 특성 세계 반도체 시장은 제품 수명 주기가 매우 짧으며, 새로운 제품의 생산을 위해서는 대규모 투자가 필요한 장치 산업의 특성을 가지고 있습니다. 아울러, 과거에는 실리콘 사이클의 순환에 따라 호황과 불황을 반복해 왔으며, 이는 주요 수요처인 미구주의 거시경제 순환 사이클(Business Cycle)과의 연관성이 매우 컸습니다. 그러나 최 근에는 중국 및 인도 등 신흥시장의 비중이 확대되고 경쟁력이 부족한 업체들이 일부 구조조정 되어 반도체 산 업 경기 변동 폭은 전과 비교하여 많이 줄었습니다. 실제로 메모리 반도체의 경우 미국와 유럽의 매출액 비중은 2013년 24%에서 2019년 22%로 축소가 예상되는 반면, 아시아 지역의 매출액 비중은 2013년 74%에서 2018년 78%로 지속 증가할 전망입니다.(Gartner, 2015년 3월, 금액기준) [DRAM] DRAM은 PC 수요에 상당 부분 의존하여 기업의 PC교체 사이클의 영향을 크게 받아왔습니다. 그러나 최근에는 스마트폰 및 태블릿 PC 등 모바일 기기의 폭발적 성장에 따라 DRAM의 주요 수요처가 PC에서 서버 및 모바일 로 분산되고 있어, 경기 변동성이 과거에 비해 약화되는 모습을 보이고 있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 20
한편, 수요의 계절성으로서는 미구주 지역의 신학기, 크리스마스 특수 등 하반기 수요 증가가 뚜렷했으나, 최근 에는 아시아 시장의 성장과 스마트폰 신제품 출시 시기의 분산으로 인한 판매시장의 다변화로 전통적인 수요의 계절성이 일부 약화되는 모습도 나타나고 있습니다. [낸드플래시(NAND Flash)] 낸드플래시는 과거 MP3 플레이어, 메모리카드 등의 수요증가에 힘입어 급속한 성장을 해왔습니다. 또한 최근 에는 IT 기기가 스마트화되고 고성능화 됨에 따라 낸드플래시의 주 소비형태가 Controller와 Raw NAND가 결합 되는 emmc와 SSD 등으로 바뀌고 있으며 보다 높은 부가가치를 가지게 되었습니다. 아울러, 이들 emmc와 SSD제품도 DRAM과 같이 스마트폰, 태블릿PC, 노트북, PC, Server, Storage, Flash Array 등의 다양한 제품에 장착되기 시작하며, 과거에 비해 경기변동성은 줄어들 것으로 예상됩니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] 이미지 센서 시장은 스마트폰, DSLR 등 전통적인 수요처의 강세가 지속되는 가운데, 자동차용 블랙박스, 후방 카메라, 스마트TV 등 다양한 산업군과의 Convergence를 통해 시장이 더욱 확대되고 있습니다. 또한 이미지 센 서 중 자사가 생산중인 CMOS 이미지센서는 휴대폰, 캠코더, PC 등 멀티미디어 기기 시장의 영향을 크게 받는 제품으로서 소비재의 특성상 경기변동과 기술변화에 민감할 뿐만 아니라 라이프 사이클이 짧은 특징을 가지고 있습니다. (4) 경쟁요소 반도체 사업의 핵심 경쟁력은 1. 기술 및 원가 경쟁력, 2. 시장 대응 능력(고객확보, 제품 포트폴리오) 3. 설비투 자 능력 등이 있습니다. 최근 대량생산이 용이한 표준제품 위주에서 응용분야가 점차 다양화, 융복합화 됨에 따 라 시설투자와 생산성 향상을 통한 원가경쟁력 중심에서 제품 가치 증대를 통한 수익성 중심으로 경쟁의 패러 다임이 빠르게 전환되고 있습니다. 지금까지는 적극적 투자에 의한 생산능력 확대와 생산원가 절감이 핵심 경쟁 요소 였지만, 공정 미세화의 난이 도 증가와 투자 대비 수익에 대한 불확실성 증대 등 사업환경이 변화함에 따라 앞으로는 생산기술의 고도화를 통한 투자 절감과 제품의 부가가치 증대를 위해 다양한 선행기술 및 응용기술 개발, 메모리 컨트롤러와 펌웨어 가 결합된 응용복합제품의 개발이 중요한 사업 경쟁력이 될 것입니다. 아울러 DRAM분야에서의 TSV(Through Silicon Via) 및 New Memory의 원활한 초기시장진입과 emmc나 SSD 제품의 시장확대를 위해서는 관련 기술 업체와의 협업과 더불어 고객 만족도가 중요해짐에 따라 마케팅 및 고객 지원 활동도 핵심 경쟁 요소로 부각되 고 있습니다. 이외에도 적기에 시장요구에 부합하는 제품을 출시(Time to Market)할 수 있는 시장 대응력 및 재 무 건전성 확보 등이 요구되고 있습니다. 나. 회사의 현황 (1) 영업개황 및 사업부문의 구분 (가) 영업개황 2015년 1분기는 계절적 수요 약세의 영향으로 인한 출하량과 가격이 소폭 하락한 가운데 당사는 미세공정 전 환을 가속화하고 고부가가치 제품 비중 확대를 통한 수익성 중심 경영에 주력하였습니다. 당사의 연결 기준 매출은 전년 동기 대비 약 29% 증가한 약 4조 8천 1백 8십 3억 원을 기록하였으며, 연결기준 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 21
영업이익은 전년 동기 대비 약 50% 증가한 약 1조 5천 8백 8십 5억 원을 기록하였습니다. 연결기준 당기순이 익은 전년 동기 대비 약 61% 증가한 약 1조 2천 9백 5십 5억 원을 기록하였습니다. (단위 : 백만원) 구 분 제68기 1분기 (2015.01.01~ 2015.03.31) 제67기 4분기 (2014.10.01~ 2014.12.31) 전분기 대비 증감 제67기 1분기 (2014.01.01~ 2014.03.31) 전년 동기 대비 증감 매출액 4,818,341 5,147,931-6.4% 3,742,690 28.7% 영업이익 1,588,530 1,667,158-4.7% 1,057,266 50.2% 당기순이익 1,295,456 1,624,084-20.2% 802,254 61.5% 한국채택국제회계기준에 따라 작성된 연결기준 실적입니다. (나) 공시대상 사업부문의 구분 [제68기 1분기 누계] 구 분 매출액 매출액 비중 (%) 주 요 제 품 반도체 부문 4,818,341 100.0% DRAM, NAND Flash, MCP 등 합계 4,818,341 100.0% 당사는 한국표준산업분류표상의 소분류에 의한 '반도체 및 기타 전자부품 제조업(분류번호: 321)'에 해당하며, 반도체부문의 매출액이 총매출액의 90%를 초과하므로 반도체부문으로 기재함. (2) 시장점유율 구 분 '14년 '13년 '12년 '11년 '10년 DRAM 27.1% 26.6% 24.7% 22.8% 21.8% NAND Flash 10.8% 10.7% 9.9% 11.7% 9.5% 출처: IDC, 2015년 3월, 매출액 기준 (3) 시장 경쟁요소 및 회사의 경쟁력 (가) 메모리반도체 사업 [DRAM] 컴퓨팅 메모리(Computing Memory) 사업의 경우 가격이 높고 품질의 신뢰성이 바탕이 되어야 하는 고용량 (High Density) 서버용 제품 비중과 이동성 확대에 따른 노트북(Notebook) 및 울트라북(Ultrabook) 제품의 비 중이 확대되고 있습니다. PC 출하량은 Tablet 등 Mobile Device 성장에 따라 2013년 큰 폭으로 감소하였으나, 전년 이후Tablet 성장세 둔화 등에 기인하여 감소폭은 크게 줄어들 것으로 예상됩니다. 2015년은 ULT(Ultra-Light and Thin) form 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 22
factor 및 Chromebook을 포함한 저가 PC 수요 증가로 Consumer PC 수요 회복이 전망되고 있습니다. 서버 메모리(Server Memory)는 클라우드 컴퓨팅(Cloud Computing)과 스마트 기기의 성장에 따른 인터넷 데 이터 트래픽의 폭발적인 증가로 인하여 지속적인 수요 증대가 전망됩니다. 특히 Google, Facebook, Microsoft와 같은 대형 인터넷 포털 업체의 데이터 센터는 서버 시스템 수요를 빠르게 증가시키고 있는 추세입 니다. 당사는 TCO(Total Cost of Ownership) 절감을 중요시하는 데이터 센터의 제품 효율성 요구 증대에 부응 하기 위해 저전력과 고속의 서버용 모듈(Module) 제품을 공급 하고 있습니다.한편 2014년 출시된 Intel Haswell-EP CPU로 인해 서버용 DDR4 메모리 수요가 점차 증대되는 추세이며 이는 2016년 Broadwell-EP CPU의 출시 이후 본격적인 시장 증대가 전망됩니다. 그래픽스 메모리(Graphics Memory)는 동영상 및 3D 그래픽 기술의 발전과 함께 꾸준한 성장세를 보이고 있습 니다. 당사는 주요 그래픽 칩셋 업체들과의 전략적 관계강화를 통하여 데스크탑, 노트북용, HPC용 등 PC 그래 픽 및 기존 Game외에 의료, 교육, Network Communication등 분야로 활용 영역을 넓히고 있는 차세대 게임콘 솔 분야에서도 주도적인 위치를 공고히 하고 있습니다. 컨수머 메모리(Consumer Memory) 시장은 스마트 디지털TV, 디지털 셋톱박스(Set-top Box), 블루레이 플레 이어(Blu-ray player) 등의 디지털 영상 가전제품, 프린터를 포함한 PC주변기기, 자동차용 네비게이션 제품 등 에 다양하게 사용됩니다. 또 당사는 클라우드 컴퓨팅 확대에 따른 네트워크 인프라 장비에 맞는 고용량, 고속의 첨단 컨수머 메모리를 개발하여 경쟁력 있는 제품을 시장에 공급하고 있으며, 고온 및 저온에도 견딜 수 있는 극한 환경에 특성화된 IT(Industrial Temperature) 제품과 AT(Automotive Temperature) 제품을 개발, 공급하는 등 고객의 다양한 요구에 적극적으로 대응하고 있습니다. 모바일 메모리(Mobile Memory)는 휴대전화뿐만 아니라 모바일 특성에 연산 기능이 향상된 태블릿PC, 울트라 북에도 사용되고 있으며, 디지털 카메라, 네비게이션, MP3 플레이어등과 같은 모바일 컨슈머 제품등에도 채용 이 확대되고 있습니다. 라이프 스타일 변화에 따른 IT 수요 증가 및 무선 통신 환경의 발전, 정보통신 융합 (Convergence)의 가속화로 현재 가장 성장성이 높은 제품입니다. 스마트폰과 테블릿의 성능 강화와 다양한 Wearable 기기 등장 그리고 신흥 시장의 스마트폰 보급률 확대 추세는 향후에도 모바일 메모리 제품의 수요를 견인할 것으로 예상됩니다. [낸드플래시(NAND Flash)] 낸드플래시는 데이터 저장 용도로 쓰이는 대표적인 메모리 반도체로서, 빠른 테크놀로지의 진화로 매년 높은 성장률을 기록하였습니다. 낸드플래시 시장이 이렇게 성장을 지속하는 이유는 최첨단 IT기기 및 다양한 소비자 가전에서 낸드플래시 채용률이 지속적으로 높아지고 있기 때문입니다. 과거에는 플래시카드, USB 드라이브, MP3 플레이어, PMP 등이 낸드플래시 메모리의 주요 수요처였으나, 최근 에는 스마트폰, 태블릿 PC 등의 모바일 분야에서 멀티 미디어 기능의 확대에 따른 채용량 증가로 낸드플래시 메모리에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 또한, 스마트TV, 스마트카 등의 신개념 도입으로 인하여 과거에 저 용량의 낸드플래시 메모리만 사용했던 분야에서도 고용량 낸드플래시 메모리에 대한 수요가 증가하고 있습니 다. 최근에는 SSD(Solid State Drive)와 같은 낸드플래시를 기반으로 한 다양한 형태의 Storage Solution이 노 트북은 물론이고 서버 시장에서도 주요 제품군으로 자리잡고 있어, 향후 낸드플래시 메모리시장의 지속적인 성 장을 견인할 것으로 전망되고 있습니다. 이와 같은 낸드플래시 시장에서 당사는 저용량부터 고용량까지 다양한 단품 및 응용 복합 제품을 기반으로 고 객의 수요에 보다 적극적으로 대응하고 있으며, 응용분야별 선택과 집중을 통하여 낸드플래시 경쟁력을 확보하 고 시장 지배력을 높여 가고 있습니다. 또한, 높은 기술력을 바탕으로 Floating Gate 방식의 10nm대 Planar 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 23
NAND 및 3D NAND를 개발, 빠른 NAND 시장 변화에 발 맞추어 대응하고 있습니다. (나) 비메모리반도체 사업 회사는 지난 2007년 11월, 제품 포트폴리오를 더욱 다양화하고, 기존 메모리 사업 역량을 활용하여 안정적인 수익성과 높은 투자효율성이 기대되는 CIS 사업에 재진출하였습니다. [CIS (CMOS Image Sensor)] CIS는 모바일 폰, 노트북, 태블릿, 디지털 카메라 등 다양한 디지털 기기에서 필름 역할을 하는 반도체 소자이 며, 2011년부터 2017년까지 연평균 성장률 약 16%의 시장을 형성할 것이라고 예상되고 있습니다. (출처: Techno-Systems Research, 출하량 기준) 현재는 모바일 폰과 노트북, 태블릿에 가장 많이 쓰이고 있으나 최근 화질이 크게 향상되면서 의료 기기, DSLR 및 캠코더, 자동차, 보안 장비, 게임기, 가전 제품 등으로 응용 범위가 급속히 확대되고 있습니다. 전체 Application 중 수량 비중이 가장 큰 모바일 폰의 경우, 화상 통신이 가능한 전면부 카메라(Front Facing Camera)와 사진 촬영을 위한 후면부 카메라(Rear View Camera)용으로 두 개의 이미지 센서가 장착되고 있으 며 이러한 경향은 태블릿에도 반영되어 기기당 이미지 센서 탑재 비율 역시 늘어나는 추세입니다. 최근 Smartphone 시장과 Phablet 시장에서는 서브 카메라로 2M/5M 제품과 메인 카메라로 8M/13M가 보편화 되고 있으며, Flagship model에는 16M/21M와 같은 초 고사양 제품이 후면 카메라로 채용되고 있습니다. 한편, 노트북 용 이미지센서 시장은 HD, FHD가 주류를 이루고 있으며 일부 저가 model에는 VGA 제품으로 전환 되 는 경향을 보이고 있습니다. 나아가 태블릿 역시 VGA~5M의 제품이 전면 카메라와 후면 카메라에 채용되고 있 습니다. 당사는 센서 중 가장 많은 수량 비중을 점유하고 있는 모바일폰 응용시장과 이와 유사한 특징을 요구하고 있는 노트북 시장, 그리고 최근 급속한 성장세를 보이고 있는 Tablet과 Toy 시장에 집중하고 있으며, 고화소 시장으 로의 진입을 위해 5M/8M 나아가 13M 라인업 구축을 위해 노력하고 있습니다. 아울러 응용 시장 확대를 통해 신규 시장 및 지역, 고객을 발굴하여 매출의 안정성 강화와 사업 수익성을 개선하고 있으며, 새로운 시장 및 고 객을 창출하기 위해 IP개발과 신기술 확보를 통해 기술 및 가격 경쟁력을 보유한 제품 개발에도 주력하고 있습 니다. 2012년 4분기에는 BSI(Back-Side Illumination) 기술을 적용한 제품 개발이 완료되었으며, 2013년부터 BSI 기술을 적용한 8M, 5M, FHD, HD 제품의 안정적 생산과 효율적인 고객대응으로 마켓 포지션을 강화하고 있습 니다. 2014년 4분기에는 첫 13M 제품 출시를 통해 고화소 시장으로도 확대하고 있습니다. 시장의 니즈에 맞추어 제품을 개발하는 것 이외에도, Chipset, AP 업체 등과 협업을 통한 제품 기획과 판매가 최근 활발히 이루어지고 있으며, 최근 모바일 디바이스의 얇은 Bezel 특성을 맞추기 위해 두께를 낮추는 소형 화 추세에도 발맞추어 가고 있습니다. 그리고 고객과 시장 확대를 위하여 국내, 중국, 일본 뿐 아니라 미구주 지역 등에서도 다양한 마케팅 활동와 고 객 지원활동을 진행하고 있으며, 고객 확대와 애플리케이션 다양화로 CIS시장에서의 입지를 강화해 나갈 계획 입니다. (4) 조직도(제출일 기준) 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 24
다. 사업부문별 재무정보 당사는 반도체제조업부문의 매출액과 자산총액이 전체부문의 90%를 초과하는 지배적 단일사업부 문으로서 부문별 기재를 생략합니다. 2. 주요 제품, 서비스 등 가. 주요 제품 등의 현황 (단위 : 백만원) 사업부문 매출유형 품 목 구체적용도 주요상표등 매출액(비율) 반도체 부문 제품 외 DRAM, NAND Flash, MCP 등 산업용 전자기기 SK하이닉스 4,818,341 (100%) 합계 4,818,341 (100%) 나. 주요 제품 등의 가격변동추이 2014년 DRAM 가격은 우호적인 수급환경에 힘입어 PC DRAM 등 전 제품에 걸쳐 안정적 가격 환경 이 유지되었습니다. 2015년 1분기에는 계절적 수요 약세 영향으로 DRAM 가격 하락이 이루어졌습 니다. 또한 2014년 NAND 가격은 시장 공급 증가 및 원가 절감에 따라 가격 하락이 지속되었으며, 2015년 1분기에도 계절적 수요 약세에 따라 가격 하락이 계속되었습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 25
3. 주요 원재료에 관한 사항 당사의 메모리반도체 부문 생산공정에 투입되는 원재료는 크게 웨이퍼(Wafer), 리드프레임(Lead Frame) 및 섭스트레이트(Substrate), PCB(Printed Circuit Board) 그리고 기타 재료등으로 구성됩니 다. 웨이퍼는 집적회로(Integrated Circuit, IC)를 제작하기 위해 반도체 물질의 단결정을 성장시킨 기둥 모양의 규소(Ingot)를 얇게 절단하여 원판모양으로 만든 것으로서 반도체 소자를 만드는 데 사용되 는 핵심 재료입니다. Lead Frame은 반도체 IC를 구성하는 또 다른 주요 요소이며 반도체 칩과 PCB 기판간의 전기신호를 전달하면서 외부의 습기, 충격 등으로부터 칩을 보호하고 지지해주는 골격 역할을 하는 부품입니다. Substrate는 리드프레임과 같은 기능을 하지만 전기신호를 전달하는 역할을 하는 다리를 기존의 금 속 다리가 아닌 공(Ball) 모양의 연결부분을 이용한 부품입니다. PCB는 그 위에 저항, 콘덴서, 코일, 트랜지스터, 집적회로, 대규모 집접회로(Large-Scale Integration), 스위치 등의 부품을 장치하고 납땜하여 회로기능을 완성시키는 인쇄 배선판입니다. 그 외 가스 및 화학약품 등이 반도체 제조 공정에 투입되는 원재료로 소요됩니다. 가. 주요 원재료 등의 현황 (단위 : 백만원, %) 사업부문 매입유형 품 목 구체적용도 투입액 비율 비 고 Wafer F A B 97,400 11 - 반도체 부문 원재료 Lead Frame& Substrate P K G 52,084 6 - PCB M O D 38,474 4 - 기타 354,800 41 - 소계 542,757 62 - 저장품 S/P, 부재료 328,401 38 - 합 계 871,159 100 - 나. 주요 원재료의 매입처 및 원재료 공급시장과 공급의 안정성 당사는 일본, 독일, 미국, 한국 등에 생산시설을 보유한 5개사로부터 반도체 공정의 주요 원자재인 300mm 웨이퍼 완제품을 수입 하고 있습니다. 당사는 당사와 거래하는 매입처 등과 일상적인 영업 활동 이외의 특수한 관계를 갖고 있지 않습니다. 당사가 거래하고 있는 상기 5개사는 전체 300mm 웨이퍼 시장의 90% 이상을 차지하고 있습니다. 웨이퍼는 그 원재료가 되는 폴리 실리콘의 수급 동향에 따라 300mm 웨이퍼 완제품 가격이 큰 영향 을 받습니다. 특히, 폴리 실리콘은 웨이퍼 이외에도 태양전지(Solar Cell)의 원료로도 사용되기 때문 에 태양전지의 수요에 따라 폴리 실리콘의 일시적 부족현상이 발생하면 웨이퍼의 공급에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서, 당사는 주요 원재료인 웨이퍼의 원활한 확보를 위해 유가 및 폴리 실리콘 시장 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 26
의 가격동향은 물론, 동일한 원재료를 사용하는 태양전지 수급동향을 지속적으로 모니터링하고 있 습니다. 최근 반도체 공정에 사용되는 웨이퍼 수요 증가 추세에 따라 당사는 웨이퍼 시장의 수급동향을 지속 적으로 모니터링하고 있으며, 당사 주요 매입처와의 중장기적 협력 관계 강화를 통해 안정적 생산 지원 및 대응력을 강화해 나갈 것입니다. 4. 생산 및 설비에 관한 사항 가. 생산능력 및 생산능력의 산출근거 당사는 국내사업장 기준 4조 3교대로 운영되고 있으며, 휴일(공휴일 포함)을 포함하여 2015년 1분 기의 총 가동일은 90일로, 각 지역별 팹(Fab)의 가동인원 및 가동률을 고려하여 계산한 당사의 평균 가동시간은 월 12,163,680시간입니다. 생산능력은 "해당 분기까지의 최대생산일의 생산량ⅹ누적일수ⅹ평균원가"의 방법으로 산출하고 있 으며, 2015년 1분기 생산능력은 2,755,351백만원입니다. (1) 생산능력 (단위 : 백만원 ) 사업부문 제68기 1분기 제67기 연간 제66기 연간 반도체 부문 2,755,351 10,346,301 9,685,779 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다. 나. 생산실적 및 가동률 당사의 2015년 1분기 생산실적은 2,755,351백만원으로 집계되었으며, 동 기간 생산설비의 평균가 동률은 100%를 유지하였습니다. (1) 생산실적 (단위 : 백만원) 사업부문 제68기 1분기 제67기 연간 제66기 연간 반도체 부문 2,755,351 10,346,301 9,685,779 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다. (2) 가동률 (단위 :시간, %) 사업부문 가동가능시간 실제가동시간 평균가동률 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 27
반도체 부문 36,491,040 36,491,040 100 가동률은 각 지역별 팹(Fab)의 가동인원 및 수율을 고려하여 계산함. 다. 생산설비의 현황 당사의 시설 및 설비의 장부가액은 작성기준일 현재 15조 1,478억원이며, 상세 내역은 다음과 같습 니다. (단위 : 백만원) 구 분 토지 건물 구축물 기계장치 차량운반구 기타의유형자산 건설중인자산 합계 2015.01.01 취득원가 542,952 2,020,429 621,345 34,956,922 3,037 772,844 1,602,357 40,519,885 감가상각누계액 562,724 319,991 24,721,171 2,174 516,775 26,122,833 손상차손누계액 23,847 19,163 254,597 1,646 299,254 정부보조금 317 6,853 294 7,464 기초순장부금액 542,952 1,433,541 282,191 9,974,302 863 254,129 1,602,357 14,090,334 기중변동액 취득 42 13,799 2,334 1,905,406 1,921,581 처분 4 57 2,931 40 1,873 4,905 손상차손 2 2 감가상각 14,823 5,905 837,306 99 22,030 880,164 대체 23,908 5,243 5,949 935,379 568 45,578 1,007,074 935 환율변동 등 60 1,725 1,488 18,121 61 593 21,926 기말순장부금액 566,916 1,415,143 283,764 10,101,364 1,332 279,907 2,499,409 15,147,835 2015.03.31 취득원가 566,916 2,017,341 629,965 35,780,490 3,474 792,063 2,499,409 42,289,659 감가상각누계액 578,185 327,038 25,417,672 2,143 510,238 26,835,275 손상차손누계액 23,699 19,164 254,452 1,648 298,962 정부보조금 315 7,003 270 7,587 기말순장부금액 566,916 1,415,143 283,764 10,101,364 1,332 279,907 2,499,409 15,147,835 라. 투자계획 2015년 당사의 입고 기준 투자집행 실적은 다음과 같습니다. [입고기준] 구 분 투자대상자산 투자효과 투자 기간 기투자액 (제68기 누적) (단위 : 십억원) 비 고 보완투자 등 기계장치 외 생산능력증가 2015.01.01~ 2015.03.31 1,951 - 합 계 1,951-5. 매출에 관한 사항 가. 매출실적 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 28
(단위 : 백만원) 사업부문 매출유형 품 목 제68기 1분기 제67기 제66기 반도체 부문 제품 외 DRAM, 낸드플래시, MCP 등 4,818,341 17,125,566 14,165,102 매출실적은 연결기준입니다. 합 계 4,818,341 17,125,566 14,165,102 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다. 나. 판매경로 및 판매방법 등 (1) 판매조직 국내에서는 마케팅부문 내 AP영업팀 관할 하에 대리점 8개사를 운영하고 있습니다. 해외 판매법인 은 미국, 독일, 영국, 일본, 싱가포르, 인도, 대만, 중국 등에 10개 법인이 소재하고 있으며 산하에 18개의 사무소 및 9개 대리점을 두고 있습니다. (2) 판매경로 당사의 판매 경로는 크게 직판 거래와 대리점 거래로 나눌 수 있습니다. 직판 거래는 당사에서 일반 기업체 등 실 수요자에게 직접 판매를 하는 것이고, 대리점 거래는 당사가 대리점을통해서 일반 기 업체 등의 실 수요자에게 판매하는 것입니다. (3) 판매방법 및 조건 내수 판매는 국내 대리점 등의 수주 현황에 의거하여 현금 또는 어음 결제조건으로 거래하고 있으며, 수출은 MASTER L/C 및 LOCAL L/C에 의거하여 신용장 또는 D/A, D/P 조건 등으로 거래하고 있 습니다. (4) 판매전략 당사 판매 전략은 '비즈니스 포트폴리오 최적화', '수익 구조 개선', '고객 관계 유지', '지역별 포지셔 닝 유지' 등 4가지를 근간으로 하고 있습니다. 비즈니스 안정성을 위해서 포트폴리오의 최적화를 추진하고 있으며 서버, 그래픽, 모바일,컨수머 등 응용분야의 매출 확대를 위해 제품 구성을 다양화 하고 있습니다. 수익 구조 개선을 위해서 고부가가치 제품 판매를 확대하고 시장 통찰 능력을 강화하여 미래시장 발 굴을 추진하고 있습니다. 고객 관계 유지를 위해서 고객 가치 제안 활동을 강화하고 특화된 제품을 제공하여 고객 만족 제고 를 추진하고 있습니다. 지역별 특성을 고려하여 차별화된 제품 전략으로 지역별 전략 고객 매출 확대를 추진하고 있습니다. (5) 주요 매출처 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 29
반도체는 IT 컨수머 제품 전체에 걸쳐 그 수요처가 다양하며, 당사는 세계 유수의 Computing 관련 전자 업체와 모바일 디바이스 제조업체, 대용량 저장장치와 메모리 카드 생산 업체 등에 제품을 공 급하고 있습니다. 6. 수주상황 당사는 주요 고객사들과 월별/분기별 상호 합의에 따른 공급 물량 및 가격을 결정하고 있으며, 장기 공급 계약에 따른 수주 현황은 없습니다. 7. 시장위험과 위험관리 가. 시장위험 (1) 환율변동위험 연결실체는 국제적으로 영업활동을 영위하고 있어 외환위험, 특히 주로 달러화, 유로화 및 엔화와 관련된 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 외환위험은 미래예상거래, 인식된 자산과 부채 및 해외 사업장에 대한 순투자가 기능통화 외의 통화로 표시될 때 발생합니다. 당분기말 현재 연결실체의 화폐성 외화자산 및 외화부채의 내역은 다음과 같습니다. (원화단위: 백만원, 외화단위: 외화 백만단위) 구 분 자 산 부 채 현지통화 원화환산 현지통화 원화환산 USD 4,541 5,017,357 3,894 4,303,129 EUR 2 2,425 118 141,040 JPY 9,542 87,807 39,052 359,383 당분기말 현재 각 외화에 대한 기능통화의 환율 10% 변동시 환율변동이 법인세비용차감전순이익에 미치는 영향은 다음과 같습니다. 구 분 10% 상승시 10% 하락시 USD 71,423 (71,423) EUR (13,862) 13,862 JPY (27,158) 27,158 (2) 가격위험 연결실체는 당분기말 현재 공정가치로 평가하는 매도가능지분상품을 보유하고 있지 않습니다. 따라 서 연결실체는 재무상태표상 매도가능금융자산으로 분류되는 보유 지분증권의 가격위험에 노출되 어 있지 않습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 30
(3) 이자율 위험 연결실체의 이자율위험은 미래의 시장이자율 변동에 따라 차입금에서 발생하는 이자비용이 변동될 위험으로서 이는 주로 변동금리부 조건의 차입금에서 발생하고 있습니다. 변동이자율로 발행된 차 입금으로 인하여 연결실체는 이자율위험에 노출되어 있으며 동 이자율위험의 일부는 변동이자부 현 금성자산으로부터의 이자율위험과 상쇄됩니다. 연결실체는 이자율위험을 변동이자수취/고정이자지급 스왑을 이용하여 관리하고 있습니다. 이러한 이자율 스왑은 변동이자부 차입금을 고정이자부 차입금으로 바꾸는 경제적 효과가 있습니다. 일반 적으로, 연결실체는 변동이자율로 차입금을 발생시킨 후 고정이자율로 스왑을 하게 됩니다. 스왑계 약에 따라 연결실체는 거래상대방과 특정기간(주로 분기)마다, 합의된 원금에 따라 계산된 고정이자 와 변동이자의 차이를 결제하게 됩니다. 연결실체는 당분기말 현재 이자율 변동에 따라 순이자비용이 변동할 위험에 일부 노출되어 있습니 다. 당분기말 현재 다른 모든 변수가 일정하고 이자율이 100bp 하락 또는 상승시 향후 3개월간 연결 실체의 변동금리부 차입금 및 금융자산으로부터의 이자비용과 이자수익으로 인한 법인세비용차감 전순이익은 4,002백만원 만큼 증가 또는 감소하였을 것입니다. 나. 회사의 위험관리 정책 (1) 위험관리의 일반적 전략 [위험관리규정] 당사는 보다 체계적이고 효율적인 환리스크 관리를 위하여 환위험 관리규정 제정, 외환관리위원회 구성 및 환리스크 관리를 위한 별도의 전담 인원을 배정하여 운영하고 있으며, 그주요 내용은 1외 환거래는 환 리스크를 회피하고 안정적 경영 수익을 확보하기 위해 실행되어야 하며, 2실수요와 공 급에 의한 거래를 원칙으로 하고, 3환위험 관리의 정책은 자연적 헤지(Natural Hedge)를 기본으로 하되 필요시 선물환 등 외부적 관리기법을 일부 시행하고, 4회사의 환위험 관리는 주관부서에서 집 중하여 관리하며, 주관부서는 환포지션을 파악하여 외환관리위원회가 설정한 지침에 따라 관리하고 있습니다. [파생상품계약 운용] 현재 환위험 헤지 목적의 파생상품 운용은 없습니다. (2) 위험관리조직 및 운영 현황 당사는 외환관리에 관한 의사결정기구로서 외환관리위원회를 운영하고 있으며, 외환관리위원회의 주요 업무는 다음과 같습니다. 1 외환 관리 정책, 전략 심의 및 의결 2 외환 관리 규정의 제정 및 개정 3 외환관리 목표와 허용 손실한도의 설정 4 외환위험 헤지 범위 및 헤지 비율, 관리수단 등의 조정 5 외환포지션, 환율 변동 영향, 환율 전망 등 환관련 정보의 공유 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 31
다. 위험관리 관련 추진사항 당사는 영업상의 환율 변동 영향을 축소하기 위해 파생상품 거래를 체결하고 있습니다. 파생상품 거 래를 매매목적의 거래로 분류하여 회계처리 하고 있으며, 발생된 손익은 기업회계기준에 따라 당기 손익으로 인식하고 있습니다. 파생상품의 공정가액은 거래은행이 제공한 평가내역을 이용하고 있습 니다. 8. 파생상품 거래현황 연결실체는 이자율 스왑 등을 통하여 이자율위험 등을 관리하고 있습니다. 또한, 내재파생상품인 해 외전환사채에 내재되어 있는 전환권옵션을 분리하여 공정가치로 평가하여 당기손익으로 인식하였 습니다. 당분기말과 전기말 현재 기타금융부채로 계상되어 있는 파생금융부채의 내역은 아래와 같습니다. 구 분 당분기말 전기말 유 동: 이자율스왑 - 30 비유동: 이자율스왑 956 708 합 계 956 738 당분기와 전분기 중 파생상품 거래와 관련하여 금융수익 및 금융비용으로 인식한평가손익 및 거래 손익은 다음과 같습니다. 1 당분기 구 분 평가이익 평가손실 거래이익 거래손실 이자율스왑 - 247 560 638 2 전분기 구 분 평가이익 평가손실 거래이익 거래손실 이자율스왑 200 115 322 237 내재파생상 품 15,627 - - - 합 계 15,827 115 322 237 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 32
9. 경영상의 주요계약 등 계약 상대방 항목 내용 비고 계약 유형 특허 크로스 라이선스 계약 계약 기간 2013년 6월 1일~ 삼성전자 목적 및 내용 삼성전자가 보유하고있는 반도체 관련 모든 특허에 대한 사용 권을 확보하여 향후 잠재적 분쟁 가능성 원천적 해소 기타 주요내용 - Rambus Inc. 계약 유형 계약 기간 목적 및 내용 기타 주요내용 계약 유형 특허 크로스 라이선스 계약 2013년 7월 1일~2018년 6월 30일 라이선스 계약을 통해 반도체 전 제품 기술 관련 램버스 보유 특허에 대한 사용권한을 확보하여 향후 분쟁 가능성 해소 특허 및 반독점 소송 등 램버스와 진행중인 모든 소송 취하 주식교환계약 계약 기간 2014년 1월 28일 계약 체결일 주식의 포괄적 교환을 통해 실리콘화일을 완전자회사로 편입 실리콘화일 Softeq Flash Solutions LLC 목적 및 내용 기타 주요내용 계약 유형 계약 기간 목적 및 내용 하여 CIS 사업의 경영 효율성 증대 주식교환일: 2014년 4월 22일 주식교환비율: 에스케이하이닉스 보통주 : 실리콘화일 보통주 =1 : 0.2232438 주식 인수 2014년 5월 15일 NAND Flash 개발 역량 향상을 위해 인수 기타 주요내용 - Violin Memory Toshiba 계약 유형 계약 기간 목적 및 내용 기타 주요내용 계약 유형 계약 기간 목적 및 내용 자산 인수 2014년 5월 29일 NAND 솔루션 역량 강화를 위해, Violin사의 PCIe Card 부문 자산 및 인력을 인수 PCIe Card 관련 특허에 대한 Cross-License 체결 공동 개발 계약 2015년 02월 05일 차세대 노광기술(Nano Imprint Lithography) 개발 기타 주요내용 - 10. 연구개발활동 가. 연구개발 담당조직 당사는 보고서 제출일 현재, 미래기술부문 및 미래기술연구원과 DRAM개발부문(DRAM기술본부, DRAM제품본부), NAND개발부문(NAND개발본부, NAND Solution개발본부)에서 연구개발 활동에 주력하고 있습니다. 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 33
나. 연구개발비용 (단위 : 백만원) 과 목 제68기 1분기 제67기 제66기 비 고 원 재 료 비 15,190 50,849 44,940 - 인 건 비 160,058 573,698 440,289 - 감 가 상 각 비 50,719 157,476 129,047 - 위 탁 용 역 비 51,726 153,570 101,378 - 기 타 148,808 488,147 428,824 - 연구개발비용 계 426,501 1,423,739 1,144,477 - 판매비와 관리비 346,719 1,242,363 954,206 - 회계처리 제조경비 - - - - 개발비(무형자산) 79,782 181,376 190,271 - 연구개발비 / 매출액 비율 [연구개발비용계 당기매출액 100] 8.9% 8.3% 8.1% - 한국채택국제회계기준에 따라 작성되었습니다. 다. 연구개발 실적 구 분 연구과제명 기대효과 제68기 1) 2y나노급 6Gb LPDDR3 2) 1x나노급 64Gb TLC 미세공정 전환를 통한 수익성 개선 제품으로 High-end Smartphone & Tablet 向 3GB LPDDR3 제품 개발을 통한 매 출 확대에 기여할 것으로 예상 3 bit cell 기술을 기반으로 개발된 저가 시장 대응용 제품임, 우 수한 원가 경쟁력을 바탕으로 USB, Card 시장부터 Mobile시장 까지 진입할 예정임 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 34
3) 1x나노급 1st PCIe Client SSD 4) 1x나노급 2nd emmc5.0 5) 2M, 1/5" (130nm, 1.75um,, Raw Sensor) 1x나노급 NAND를 채용한 PCIe 컨트롤러 탑재 1st Client SSD 제품으로 SATA에 이은 PCIe SSD 시장 진출 기반을 마련하였 고, SSD 라인업이 보강되어 고객 확대에 기여할 것으로 예상됨. 1x나노급 NAND를 채용한 emmc 5.0 2nd 제품 개발 완료. 1st 제품 대비 Sequential Write(연속 쓰기)와 Sustain Performance를 개선하였으며, 차세대 emmc5.1 기능 일부를 추가 반영하여 Mid-high 시장의 수익성 개선에 기여 할 것으로 예상됨. 기존 2M SoC Sensor에서 Image Signal Processor를 제외한 Raw Sensor 제품으로서 보급형 스마트폰 시장의 Low Cost Solution 요구를 만족시킴으로서 2M SOC 시장을 대체해 갈 것 으로 예상됨. 구 분 연구과제명 기대효과 제67기 1) 2x나노급 Enterprise향 SSD 2) 4G LPDDR2 3)5M 1/4" (90nm, 1.40um pixel, FSI) 4)5M 1/4" (90nm, 1.40um pixel, BSI) 5) 5M 1/5" (90nm, 1.12um pixel, BSI) 6) 1x나노급 Client SSD 7) 1.0M 1/6" (90nm, 1.75um Pixel, BSI) 8) 2ynm 4Gb DDR3(x16) 자체 개발한 컨트롤러 및 펌웨어를 채용한 자사 최초 2x나노급 Enterprise향 SSD 제품으로, Power Loss Protection 기능을 탑재하여 순간적으로 전원이 차단되어도 모든 데이터를 안전하 게 보호할 수 있으며, 어떠한 환경에서도 지속적인 성능 및 Latency를 유지하도록 하여 서버 시스템에 최적화 되어 있음. 향후 지속적인 성장이 예상되는 데이터 센터에 사용하는 솔루 션으로 자사 SSD 사업 확대를 통한 매출 및 수익성 확보에 기 여할 것으로 기대됨. 모바일 2y나노 기술로 개발된 제품으로서 2x나노 Tech 모바일 DRAM이 사용되고 있는 시장의 Tech migration을 통한 Low cost 전략 제품임. 기존 대비 Net die 70% 증가로 매출 증대와 수익성 향상에 기여할 것으로 예상됨. 중국 시장에서 판매되고 있는 기존 제품 대비 수익성 증대를 위 해 Net die를 11% 증가시킨 제품으로 원가 절감을 통한 제품 경쟁력 향상으로 매출과 수익성 확대에 기여할 것으로 보임. 중국 및 한국 시장의 중저가 스마트폰향으로 전면 및 후면카메 라에 5M 제품의 채용이 확대되고 있어 중저가폰의 고화질 제 품으로의 판매 확대가 예상됨 5M 제품의 픽셀 크기 축소되는 추세에 맞추어 이를 적용한 제 품으로서 향후 매출과 수익성 확대에 기여할 것으로 예상됨. 자사 SSD 제품에 10나노급 NAND를 채용하여 기존 20나노급 SSD 제품 대비 원가 경쟁력을 확보함으로써 수익성 향상에 기 여할 것으로 기대됨. Notebook향 기존 제품의 원가를 개선한 제품으로 90나노 BSI Tech을 적용하여 기존 제품 대비 감도를 향상하였고 생산 효율 성을 개선함으로써 향후 수익성 향상에 기여할 것으로 예상됨. 2014년 이후 4Gb 시장 수요 수익 창출을 위한 Embedded 향 제품 개발. 원가 경쟁력 확보하였으며 고객 Sample 조기 대응 으로 Consumer, Graphics, Computing 등으로 응용처 확대가 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 35
예상되어 매출과 수익성 확대에 기여할 것으로 예상됨. 9) 2ynm 4Gb GDDR5 10) 2ynm 8Gb LPDDR4 11) 2xnm 2Gb HBM 12) 5M, 1/4" (90nm, 1.40um Pixel, SoC) 13) 2ynm 6Gb LPDDR4 14) 2ynm 4Gb LPDDR3 15) 2ynm 8Gb DDR4 16) 2ynm 4Gb DDR4 17) 1xnm 64Gb MLC 18) 1xnm 128Gb TLC 19) 1xnm 2nd Client SSD 20) 3D 1st 128Gb MLC DRAM 2y나노기술을 적용한 Graphic 제품으로, 2014년 4분기 이후 Graphics 시장이 2Gb에서 4Gb로 전환되는 상황에서 생 산 효율화를 통한 수익성 향상에 기여할 것으로 예상됨. Mobile 2y나노기술로 개발된 차세대 Mobile DRAM 제품으로 서 고사양 smartphone 및 tablet 시장의 12.8GB/s 이상 High bandwidth를 요구하는 제품에 채용 예정임. Mobile 외 Computing향 제품에 채용될 것으로 예상되는 제품 으로 향후 매출 및 수익성 확보에 기여할 것으로 예상됨 TSV 기술 이용한 제품으로 Graphics에서 Post GDDR5 대체하 는 신규 제품을 세계 최초로 개발 완료하였으며, 업계 최초 1.2V 동작 전압에서 초당 128GB 데이타 처리 가능한 고성능 제품임. 향후 HPC, Network 등 다양한 응용처로 확장되어 매 출과 수익성 확대에 기여 할 것으로 보임. 5M SoC 첫 제품으로서 보급형 스마트폰 시장을 목표로 개발된 제품으로 삼성 및 중국 시장에 진입 매출 확대에 기여할 것으로 기대됨. Mobile 2y나노 기술로 개발된 차세대 Mobile DRAM 제품으로 고사양 스마트폰 및 태블릿향 제품 중 3GB를 요구하는 제품에 채용될 것으로 예정으로 LPDDR4 초기 시장 진입에 기여할 것 으로 예상됨 미세공정전환을 통한 수익성 개선 제품으로 mid-end 급 SmartPhone 向 위주로 Buisiness 전개 예상 됨. 8Gb Base로 개발된 DRAM 2ynm DDR4 제품으로 Premium Server 시장 선도를 위해 전략적으로 개발되었으며 TSV 및 3DS 패키징 기술력을 바탕으로 주요 고객사에 인증이 완료되 었음. DRAM 2y나노 기술로 개발된 DDR4 제품으로 Intel Broadwell System 기반 DDR4 Server 수요 증가 및 고객 채용을 예상하며 15년 이후 DDR4 초기 시장을 선점하여 DRAM 매출 및 수익성 확보에 기여할것으로 예상됨. 기존 1x나노 제품의 원가경쟁력을 강화한 제품으로 Wafer 1장 당 얻을 수 있는 Chip수를 개선하였음에도 불구하고 특성과 신 뢰성이 개선하여 매출증대에 큰 기여를 할 것으로 예상됨 자사 최초의 TLC 제품으로 1x나노 기술을 기반으로 개발됨. 동 일 Cell에 3bit를 저장하는 방식으로 기존의 2bit를 저장하던 MLC 대비 높은 Bit growth를 실현한 제품으로 원가경쟁력 향 상에 크게 기여할 것으로 기대됨. 1x나노급 NAND를 채용한 자사 SATA Controller 탑재 SSD 제 품으로 고용량 NAND를 채용하여 1T이상의 SSD 시장 대응이 가능하며, 주요 OEM 고객 인증으로 매출 및 수익성 확보에 기 여 할 것으로 예상됨 공정 미세화 한계 극복하고자 3차원 구조로 Cell 적층하는 기술 적용한 자사 첫 제품이며, 기존 2차원 구조 대비 높은 신뢰성과 특성을 가진 3D 시장진입의 교두보 확보할 수 있는 기술을 확 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 36
보하였다는 의미가 있음. 구 분 연구과제명 기대효과 1) 4Gb GDDR5 GDDR5 제품중 20나노급 공정 기술을 적용한 첫 고용량 제품 으로서 그래픽 시장의 프레임 버퍼(Frame Buffer) Size 증가 요 구를 반영한 제품임. 저전력 고성능 구현으로 그래픽 시장을 리 드할 것으로 기대되는 프리미엄 제품으로, 하이브리드 설계구 조 적용으로 원가 경쟁력을 위한 와이어 본딩/8Gbps 솔루션으 로 Flip Chip 동시 지원 가능. 지난해 인수한 SKHMS와의 시너지를 통한 첫 자체 2y나노 SSD(mSATA) 제품으로 기존 2x나노 SSD 제품 대비 우수한 성 2) 32/64/128/256GB msata 능과 원가 경쟁력을 가지고 있음. OEM향 노트북, 태블릿 시장 SSD 에서 다양한 고객 요구에 대응할 수 있는 제품을 확보함에 따라 매출과 수익성 확대에 크게 기여할 것으로 기대됨. 2y나노 emmc4.5 제품으로 기존 2y나노 emmc4.41 제품 대비 3) 4/16/32/64GB e- 2배 이상 향상된 성능을 통해 Ci-MCP와 고용량 emmc 제품의 NAND(eMMC4.5) 매출 증대와 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨. 중국 시장에서 저가형 스마트폰의 메인 카메라로 2M 제품 채용 4) 2M 1/5"(130nm, 1.75um pixel, Hi-257) 이 확대되고 있는 시점에서 Net Die를 기존 제품 대비 40% 증 가시킨 제품으로서 당사의 시장점유율을 확고히 하는데 기여할 것으로 기대됨. 제66기 5) 4Gb DDR4 20나노급 공정 기술을 적용한 세계 최초의 DDR4 양산 제품으 로 인텔 하스웰(Haswell) 시스템 개발 초기부터 참여하여 PMO(Platform Memory Organization) 샘플 대응을 통해 시스 템과 모듈간 Align을 진행. 자사 최초로 인텔 CDC(Columbia Design Center) FlugFest에 참석하여 Green Light 획득. DDR4 시장의 선도적 진입 및 리더십 확보를 위한 교두보를 마 련하였음. 6) 2Gb GDDR5 20나노급 공정 기술을 적용한 제품으로 기존 30나노급 대비생 산성 향상에 기여. 기존 제품 대비 퍼포먼스(저전력 및 고속 동 작 지원)가 향상되어 그래픽 메모리 시장을 선도하며, 2Gb 제 품의 주력 생산이 될 제품. High-end PC향 그래픽 및 서버 등 에도 채용을 추진중으로 신규 시장 창출이 기대됨. 7) 2Gb SLC NAND 30나노급 기술을 적용한 4bit ECC 지원 제품으로 모바일향으 로 개발되었으며, 기존 40nm급 대비 생산성이 29% 향상됨. 공 정 미세화를 통한 수율과 품질을 확보하여 가격 경쟁력 확보 및 수익성 향상이 예상되며, 당사의 시장점유율을 높이는데 기여 할 것으로 기대됨. 8) 64Gb MLC NAND 세계 최초 1x나노 공정을 적용한 핵심제품으로서 기존 고용량 20nm 64Gb 제품 대비 생산성이 크게 향상되어 원가 경쟁력을 확보하였으며, 최근 크게 수요가 증가되고 있는 모바일향 emmc 및 PPN, 스토리지향 SSD 등 솔루션 제품 수익성 향상 에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 기대됨. 9) 64/128/256/512GB STD2.5" SSD, 64/128/256GB M.2 SSD 자체 개발한 컨트롤러를 채용한 2y나노 2.5인치 스탠다드SSD 및 M.2 SSD 제품으로 기존2y나노SSD 제품 대비 우수한 성능 과 원가 경쟁력을 확보함으로써 향후 높은 성장성과수익성이 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 37
10) 4Gb LPDDR3 11) 1Gb/512Mb DDR2 12) 8Gb LPDDR3 13) 16/32/64GB e- NAND(eMMC4.5) 14) 128,256GB M.2 2260 SSD 15) 4Gb DDR3 16) 1G LPDDR2 17)6G LPDDR3 18) 64G MLC B-die 19) 128G MLC 예상되는 PC OEM 시장 집중 및 고객 다변화로 SSD 매출 및 수익성 향상에 기여할 것으로 기대됨. 모바일 2x나노 기술로 개발된 제품으로 모바일 기기의 High performance 요구와 울트라북의 Low Power 제품 채용에 따른 모바일 DRAM 매출 확대에 기여할 것으로 예상됨. 4x나노에서 2x나노로 전환한 컨수머향 DDR2 제품으로 nvidia 社 Automotive향 Biz 진입을 통해 지속적으로수익을 창 출하는 제품으로 자리잡을 것으로 기대됨. 또한 Half Chip 설계 기술 적용으로 512Mb Density 시장에 대해서도 전략적 대응이 가능. 모바일 2y나노 기술로 세계 최초 개발된 8Gb LPDDR3 제품으 로 최근 요구되고 있는 모바일 기기의 High Performance 와 저 전력 특성을 확보하였으며, 두께에 민감한 제품 수요에 대응할 수 있어 모바일 DRAM 매출 확대에 기여할 것으로 예상됨. 1x나노 공정의 NAND 제품을 적용한 모바일 솔루션 제품으로 기존 2Ynm emmc4.5 제품 대비 원가 경쟁력을 확보하였으며, Small PKG 고용량 제품 라인업 완성으로 자사 모바일 제품 경 쟁력을 확보하여 매출 증대와 수익성 향상에 기여할 것으로 기 대됨. 자사 2y나노 Tech NAND를 적용한 울트라북용 SSD 제품으로 차세대 Formfactor를 지원함으로써 신규 시장의 주요 OEM 고 객 매출 확대에 기여할 것으로 기대됨. Main Memory 2y나노급 세계 최소 Cell Size 제품 개발로 원가 경쟁력 확보하였으며 R/H Free 대응으로 품질 경쟁력 확보 및 고용량 제품에 대한 지속적인 수요 대응으로 PC 및Server시장 매출 확대에 기여 할 것으로 예상. Modem 통신 방식이 3G에서 LTE로 진화함에 따라 LPDDR1에 서 LPDDR2 Migration이 발생하고, 이에 대한 SOC 업체의 SIP 대응을 위한 KGD 제품 개발로 매출 향상에 기여할 것으로 예상. PKG Height로 인해 8G LPDDR3로 대응이 불가능한 3GB Solution 대응을 위해 개발 추진. Time to Market을 위해 개발 기간 단축 달성 및 세계 최초 6Gb LPDDR3 개발. 자사의 개발 역량 표출 및 3GB Solution에서 시장선점과 매출 향상에 기여 할 것으로 예상. 세계 최소의 1x나노 공정을 적용한 핵심제품으로써 기존 1x나 노 64G MLC 대비 Net Die 개선을 통해 원가 경쟁력 향상에 기 여하였으며, 이를 통해 최근 크게 수요가 증가되고 있는 Mobile향 emmc 및 PPN과 Storage향 SSD 등 Solution제품 수 익성 향상에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 기대됨. 세계 최소의 1x나노 공정이 적용된 자사 최초 128G High Density 제품임. SSD 적용 시 적층을 통해 1TB까지 지원이 가 능하여 대용량 Storage 시장 공략을 위한 NAND Line Up을구 축. 20) 32G MLC 기존 2x나노 32G MLC 대비 세계 최소 1x나노 공정 적용을 통 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 38
한 Net Die 개선으로 원가 경쟁력 향상을 이끌어내었으며, 이를 통하여 emmc 및 CiMCP에 적용되어 제품 수익성 향상에 큰 기 여를 할 수 있을 것으로 기대됨. 21) 8/16/32GB e- NAND(eMMC5.0) 22) 32/64GB M.2 2242 SSD 23) 2M 1/5"(130nm, 1.75um pixel) 24) 1.7M 1/6"(90nm, 1.75um pixel) 25) 8M 1/4"(90nm, 1.12um BSI pixel) 차세대 고성능 emmc 인터페이스 규격을 지원하는 1x나노 emmc5.0 제품 출시를 통해 emmc 시장에서 원가 및 성능 경 쟁력을 확보하였으며, 기존 OEM 고객 외에도 중국 등의 신규 고객 확보를 통한 매출 증대와 수익성 향상에 기여할 것으로 기 대됨. 2x나노 Tech NAND와 Amber Controller를 적용하여 만든 Cache 용 SSD 제품으로 인텔의 차세대 SSD 규격인 M.2 2242를 지원하고, 최근 Trend인 Dual Driver(SSD Cache+HDD Main Storage) Ultrabook 시장 진입을 통해 매출 확대에 기여할 것으로 기대됨. 2M MIPI I/F를 지원하는 Hi-256의 수익성을 개선한 제품으로 중국향 Low-cost 버전인 Hi-257을 기반으로 MIPI I/F를 추가 하여 Net die를 Hi-256 대비 증가시켜 수익성 개선에 크게 기 여함과 동시에 중국 시장의 MIPI I/F 채용 확대로 시장 점유율 확대에도 기여할 것으로 보임. 이미지 센싱 기능 외에 근접센서/조도센서/Motion detection/face Recognition 등의 부가 기능을 one-chip화 함 으로써 부가 가치를 창출하고 틈새 시장에 진출하여 매출에 기 여할 것으로 기대됨. BSI 1.12um Pixel을 적용한 첫 제품으로 모바일폰에서 가장 많 은 점유율과 성장률이 예상되는 8M 제품 개발을 완료함으로써 향후 CIS 매출에 많은 기여를 할 것으로 기대됨. 11. 기타 투자의사결정에 필요한 사항 가. 최근 3년간 신용등급 [국내] 평가일 평가대상 유가증권등 평가대상 유 가증권의 신용등급 평가회사 신용평가등 급범위 평가구분 13.06.20 회사채(정기평가) A+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 13.06.20 회사채(정기평가) A+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 13.06.27 회사채(정기평가) A+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가 13.06.20 기업어음(본평가) A2+ 한기평 A1~D 본평가 13.06.20 기업어음(본평가) A2+ 한신평 A1~D 본평가 13.06.27 기업어음(본평가) A2+ NICE신평 A1~D 본평가 14.05.30 회사채(정기평가) A+ 한기평 AAA ~ D 정기평가 14.06.18 회사채(정기평가) A+ 한신평 AAA ~ D 정기평가 14.06.20 회사채(정기평가) A+ NICE신평 AAA ~ D 정기평가 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 39
14.06.19 기업어음(본평가) A1 한기평 A1~D 본평가 14.06.18 기업어음(본평가) A1 한신평 A1~D 본평가 14.06.20 기업어음(본평가) A1 NICE신평 A1~D 본평가 14.12.12 기업어음(정기평가) A1 한기평 A1~D 본평가 14.12.18 기업어음(정기평가) A1 한신평 A1~D 본평가 14.11.13 기업어음(정기평가) A1 NICE신평 A1~D 본평가 [해외] 평가일 평가대상 유가증권등 평가대상 유 가증권의 신용등급 평가회사 신용평가등 급범위 평가구분 13.02.22 발행회사 BB S & P AAA ~ D 수시평가 13.08.20 발행회사 Ba2 Moody's Aaa ~ C 수시평가 13.12.05 발행회사 BB+ S & P AAA ~ D 수시평가 14.11.21 발행회사 BB+ S & P AAA ~ D 수시평가 14.12.12 발행회사 Ba1 Moody's Aaa ~ C 수시평가 상기 S&P 및 Moody's의 본점 소재지는 미국임. [참고] 국내 신용평가사(NICE신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가) 등급정의 신용등급 등급의 정의 AAA AA A BBB BB B CCC CC C D 원리금 지급확실성이 최고 수준임 원리금 지급확실성이 매우 높지만, AAA등급에 비하여 다소 낮은 요소가 있음 원리금 지급확실성이 높지만, 장래의 환경변화에 따라 다소 영향을 받을 가능성이 있 음 원리금 지급확실성이 있지만, 장래의 환경변화에 따라 저하될 가능성이 내포되어 있음 원리금 지급능력에 당면문제는 없으나, 장래의 안정성면에서는 투기적인 요소가 내포 되어 있음 원리금 지급능력이 부족하여 투기적임 원리금의 채무불이행이 발생할 위험요소가 내포되어 있음 원리금의 채무불이행이 발생할 가능성이 높음 원리금의 채무불이행이 발생할 가능성이 지극히 높음 현재 채무불이행 상태에 있음 AA ~ B등급까지는 상대적 우열에 따라 "+" 또는 "-"기호를 부여함. [참고] 국내 신용평가사(NICE신용평가, 한국기업평가, 한국신용평가) 기업어음의 등급정의 신용등급 등급의 정의 전자공시시스템 dart.fss.or.kr Page 40