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1 In-Depth (Overweight) SSD = (3D - NAND) Sep Analyst sh.jin@ktb.co.kr R.A jmlee1st@ktb.co.kr Issue Pitch Coverage opinion Top-picks Rationale CAGR +19%, 2X Density 2X Write Speed 1/2 Power Consumption 10X Endurance

2 C. o. n. t. e. n. t. s 03 I. Summary 04 II. Key Chart & Table Ⅲ. SSD, NAND 수요의 다음 성장 동력 Ⅲ-1. NAND 수요의 차세대 killer application은 SSD Ⅲ-2. SSD 시장 성장 속도를 좌우하는 것은 가격 Ⅳ. 3D NAND 대중화 시 SSD 수요 큰 폭 성장 Ⅳ-1. 3D NAND 대중화 시 SSD 수요의 큰 폭 성장 가능할 것으로 전망 Ⅳ-2. 3D NAND란 무엇인가? Ⅳ-3. 3D NAND가 시장에 영향을 미치는 시기는 2015년 이후 24 Ⅴ. 컨트롤러, SSD 경쟁력을 좌우하는 또 다른 축 27 Ⅵ. SSD 시장 경쟁 구도 Ⅶ. 종목별 투자의견 삼성전자 (005930) SK하이닉스 (000660)

3 I. Summary 3D NAND는 SSD 수요 성장 견인 SSD 시장이 현재 시장 추정치의 2~3배까지 성장할 것으로 전망 3D NAND의 출현으로 SSD 성장이 가속화될 전망이다. SSD 제조원가의 약 80%를 차지하는 NAND 칩 원가가 크게 절감되는 한 편, 대용량화도 가능할 것이기 때문이다. 가트너는 SSD 시장은 2013년 110억달러에서 2017년 222억달러로 (CAGR +19%, 2013년~2017년) 성장할 것으로 전망하고 있다. 이는 3D NAND 제품 출현이 반영되지 않은 수치로 삼성전자는 3D NAND 출현과 함께 SSD 시장이 상기 수치의 2~3배 수준으로 성장할 것으로 전망하고 있다. V-NAND는 Planar NAND 대비 1 성능이 개선되었고 2 단위당 원가도 절감 3 대용량화도 가능 지난 8월 6일 삼성전자가 V-NAND (삼성전자의 3D NAND) 양산 제품을 시장에 발표하며 3D NAND 기술이 주목을 받고 있다. 3D NAND는 Planar NAND에서 수평으로 나열되어 있던 트랜 지스터를 수직으로 적층한 것이다. 3D NAND는 동일한 면적 위에 Planar NAND 대비 많은 수의 셀을 집적할 수 있기 때문에 원가 측면에서 우위를 지닌다. 또한 3D NAND는 회로 선폭을 현재 적용하고 있는 것보다 더 좁게 만들 필요가 없어 간섭 현상 및 대용량화의 한계 등 Planar NAND의 구조적인 문제 및 노광 장비 이슈에서 자유로울 수 있다는 장점도 지닌다. 삼성전자, 도시바/샌디스크가 3D NAND 기술경쟁력 우위 확보 2015년 이후 본격적으로 양산이 될 것으로 전망 3D NAND 기술 경쟁력을 살펴봄으로써 향후 SSD 시장 성장 시 수혜를 입을 수 있는 업체를 가려낼 수 있다. 3D NAND 경쟁력이 우수한 업체는 삼성전자와 도시바/샌디스크인 것으로 판단된다. 삼성전자는 2014년 상반기에 시안 공장에서 V-NAND 생산을 계획하고 있다. 삼성 전자의 V-NAND 양산 발표 후 도시바는 P-BiCS의 양산 시기를 기존 2015년 하반기에서 2014년 으로 앞당긴 것으로 추정된다. 마이크론과 SK하이닉스는 2016년에 대량 양산 가능할 전망이다. 컨트롤러도 SSD 성능을 좌우 3D NAND가 되어도 컨트롤러의 변화가 크지는 않음 삼성전자, 인텔, LSI가 컨트롤러에서 경쟁력이 강함 컨트롤러는 SSD 경쟁력을 판단하는 또 다른 중요 요인이다. SSD 성능을 좌우하기 때문이다. 3D NAND로 변경된다 하더라도 SSD 컨트롤러의 변화는 크지 않을 것으로 보인다. 컨트롤러 경쟁 력이 뛰어난 업체는 삼성전자, 인텔, LSI (Sandforce)이다. 삼성전자는 PC SSD 및 Enterprise SSD용 컨트롤러를 모두 자체 보유하고 있다. 특히 트리플코어 구조를 적용해 시장에서 성능이 뛰어나다는 평가를 받고 있다. 인텔은 Enterprise SSD용 컨트롤러만을, 도시바는 인텔과는 반대로 PC SSD용 컨트롤러만을 보유하고 있다. SK하이닉스는 2012년 LAMD를 인수해 컨트롤러 경쟁력을 강화하고 있다. 마이크론은 자체 컨트롤러를 보유하고 있지 않다. SSD 시장경쟁력은 삼성전자, 인텔 우위가 두드러짐 현재 SSD 시장에서는 삼성전자, 인텔의 경쟁 우위가 두드러진다. PC SSD 및 Enterprise SSD 시장에서 각각 두각을 나타내고 있는 도시바와 Fusion-io가 2중 구도를 이루고 있고, 마이크론, 샌디스크가 그 뒤를 잇고 있다. 그 외에는 다수의 군소 업체들이 난립해 있다. 삼성전자와 인텔은 NAND 칩 조달이 내재화되어 있고 컨트롤러 경쟁력이 강한 업체라는 공통점을 가지고 있다. 결론1. 삼성전자 수혜 결론2. 증착 및 식각 장비 업체 수혜 <결론> 1. 3D NAND의 출현, 그리고 이에 따른 SSD 시장 성장에 따라 삼성전자의 수혜가 예상 된다. 삼성전자는 V-NAND 기술력 및 경쟁력이 NAND 칩 제조업체들 중 가장 앞서있고, 컨트 롤러 기술 또한 뛰어나다. 특히 V-NAND를 기반으로 한 SSD 제품으로 Enterprise SSD 시장 경쟁력을 강화할 전략을 수립해 놓고 있어 향후 Enterprise SSD 시장 내 경쟁력 강화가 예상된다. SK하이닉스도 SSD 컨트롤러 회사 인수 등을 통해 SSD 경쟁력 강화 중인 것으로 보인다. 2. 3D NAND에서는 1) 노광 장비의 중요성이 축소되는 한 편, 2) 증착 및 식각 공정의 난이도 및 스텝수가 크게 증가한다. 국내 반도체 장비업체 중 테스 (095610), 원익 IPS (030530), 국제 엘렉트릭 (053740)등이 3D NAND 설비투자 확대에 따른 수혜가 가능할 전망이다. 3 Page

4 II. Key Chart & Table Fig. 01 SSD는 NAND 수요의 차세대 killer application Fig. 02 SSD 성능은 HDD 대비 뛰어나 Source: 언론자료, KTB투자증권 Fig. 03 SSD 가격은 HDD 가격 대비 높은 것이 단점 Fig. 04 3D NAND의 Net die수는 Planar NAND 대비 많아 Source: Industry Data, KTB투자증권 Source: Industry data, KTB투자증권 Fig. 05 V-NAND의 특성은 Planar NAND 대비 뛰어나 20nm Planar NAND 대비3Xnm V-NAND 성능 비교 Fig. 06 SSD 비교 (Planar NAND vs. V- NAND) 2X Density 2X Write Speed 1/2 Power Consumption 10X Endurance 22% Faster 20% Faster 27% Lower 45% Lower Source: 삼성전자, KTB투자증권 Source: 삼성전자, KTB투자증권 4 Page

5 Fig. 07 3D NAND는 평면 구조의 셀을 수직으로 쌓아 올린 구조적 특성을 지니고 있음 Fig. 08 Planar NAND에서 3D NAND로의 전환에 따라 증착 및 식각 공정의 난이도 및 스텝수가 크게 증가 PLANAR 3D NAND CD Definition and Scaling (<15nm) CD Definition and Scaling (~50nm) ETCH ETCH (+30 to +40%) DEPOSITION DEPOSITION (+50 to +60%) Source: 삼성전자, KTB투자증권 Source: AMAT, KTB투자증권 Fig. 09 NAND 업체별 3D NAND 양산 로드맵 Fig. 10 SSD 컨트롤러 업체별 경쟁력 Source: Intuitive Cognition Consulting, KTB투자증권 Source: IT brand, KTB투자증권 Fig. 11 SSD 제조 업체별 supply chain Fig. 12 업체별 PC SSD vs. Enterprise SSD M/S (2012년) 5 Page

6 Ⅲ. SSD, NAND 수요의 다음 성장 동력 Ⅲ-1. NAND 수요의 차세대 killer application은 SSD SSD는 NAND 수요의 차세대 성장 동력 SSD향 NAND 수요 성장률은CAGR +55% ( 13년~ 17년) NAND 수요 성장을 견인할 차세대 killer application은 SSD일 것으로 전망한다. 시장조사 기관인 가트너는 SSD향 NAND 수요의 CAGR (2013년~2017년)은 +54%로 같은 기간동안 WW NAND 수요 성장률인 +43%를 크게 상회할 것으로 전망하고 있다. 이에 따라 전체 NAND 수요에서 SSD향 NAND가 차지하는 수요 비중은 2013년 29%에서 2017년 41%까지 증가할 것으로 추정된다. NAND의 Killer application :DSC, MP3 휴대폰 SSD NAND 수요는 디지털카메라 및 MP3 수요 확산과 함께 2005년부터 본격적으로 개화되기 시작했다. 2008년에 탑재량이 높은 스마트폰의 출현과 함께 휴대폰이 NAND 수요의 killer application으로 등극했다. 그러나 스마트폰 시장 성숙과 함께 휴대폰향 NAND 수요 성장은 2012년부터 둔화되기 시작했다. 이러한 NAND 수요 성장의 공백을 SSD가 메워줄 전망이다. 2013년부터 SSD의 GB당 원가가 소비자들의 심리적 저항선으로 인식되어 온 1달러 이하로 하락해 SSD 수요 성장 속도가 빨라질 것으로 예상된다. Fig. 13 Application별 NAND 수요 전망 Fig. 14 Application별 NAND 수요 비중 전망 Source: Gartner, SK하이닉스, KTB투자증권 Fig. 15 NAND 연간 bit growth 전망 Fig. 16 SSD의 $/GB 추이 및 전망 6 Page

7 SSD 시장 성장률 : CAGR +19% ( 13년~ 17년) 2013년 SSD 시장 규모는 110.4억달러 (+55% YoY)로 추정된다. 2017년 SSD 시장 규모는 222.1억달러로 CAGR +19% (2013년~2017년) 성장할 것으로 예상된다. 2013년 PC SSD 및 Enterprise SSD 시장 규모는 각각 67억달러 (+73% YoY) 및 43억달러 (+33% YoY)로, PC SSD 비중이 약 61%로 Enterprise SSD 비중인 39% 대비 높다. 그러나 향후에는 클라우딩컴퓨팅, 빅데이타 등의 영향으로 Enterprise SSD 성장률이 PC SSD 성장률을 상회할 것으로 전망된다. 이에 따라 2017년에는 Enterprise SSD 시장 규모 비중이 47%까지 증가할 것으로 예상된다. 2017년 PC SSD 및 Enterprise SSD 시장 규모는 각각 117억달러 (CAGR +15%, 2013년~2017년), 106억달러 (CAGR +25%, 2013년~2017년)로 추정된다. Fig. 17 SSD 시장규모 전망 Fig. 18 SSD 시장규모 비중 (PC SSD vs. Enterprise SSD) Fig. 19 SSD향 NAND 수요량 Fig. 20 NAND 수요 비중 ((PC SSD vs. Enterprise SSD) Fig. 21 SSD 출하량 전망 Fig. 22 SSD 출하량 비중 (PC SSD vs. Enterprise SSD) 7 Page

8 Ⅲ-2. SSD 시장 성장 속도를 좌우하는 것은 가격 SSD는 반도체로 만든 대용량 저장 장치 SSD는 Solid State Drive 혹은 Solid State Disk의 약자로, NAND 혹은 DRAM 등 반도체를 저장매체로 사용하는 대용량 저장 장치를 일컫는 말이다. HDD의 속도 저하 문제를 해결하기 위해 제시된 대안 SSD는 HDD (Harddisk)로 인해 발생하는 속도 저하 문제를 해결하기 위해 대안으로 제시된 장치이다. PC를 구성하고 있는 장치 중에서 성능을 좌우하는 핵심적인 3가지 요소는 CPU, RAM, HDD이다. 이 중 CPU와 RAM의 동작 속도는 빠르게 향상되고 있는 한 편, HDD의 동작 속도 향상은 느리게 진행되었다. CPU나 RAM은 반도체로 만들어지기 때문에 고속 동작이 가능 하지만 HDD는 Platter라고 하는 자기디스크를 물리적으로 회전시키기 때문에 속도가 느릴 수 밖에 없다. PC 장치간 데이터 전송 및 처리 시 HDD의 느린 처리 속도가 PC의 전반적인 성능 저하를 불러일으켰다. 이를 해결하기 위해 대안으로 제시된 것이 SSD이다. Fig. 23 컴퓨터의 구성 요소 Fig. 24 CPU, Memory, HDD의 처리 속도 발전 Source: 언론자료, KTB투자증권 Source: Henge, KTB투자증권 SSD는 인터페이스, 메모리 칩, 컨트롤러, 버퍼로 구성 SSD의 내부 구조는 1) PC와 SSD를 연결해주는 인터페이스, 2) 데이터 저장용 메모리 칩, 3) 인터 페이스와 메모리 사이에 데이터 교환을 제어하는 컨트롤러, 4) 외부 장치와 SSD간의 데이터 처리 속도 차이를 줄어주는 버퍼로 구성되어 있다. 메모리 칩은 SSD의 가격을 결정한다는 측면 에서, 컨트롤러는 각각 NAND 업체별로 다른 칩의 특성을 부각 혹은 단점을 보완함으로써 SSD의 성능을 향상시킨다는 측면에서 중요하다. Fig. 25 HDD 및 SSD의 구조 비교 Fig. 26 SSD의 상세 구조 SSD Logic Components Source: 언론자료, KTB투자증권 Source: 언론자료, KTB투자증권 8 Page

9 속도가 빠르고, 안정성이 높으며, 내구성이 강하다는 것이 장점 SSD는 HDD 대비 많은 장점을 가지고 있다. SSD는 기본적으로 자기디스크가 아닌 메모리에 데이터를 기록하기 때문에 처리 속도가 HDD 대비 월등히 빠르다. SSD의 입출력 횟수는 초당 6,000번인 반면 HDD는 400번으로 SSD가 약 15배 정도 빠르다. 또한 전력 소모 또한 적다. SSD의 전력 소모량은 2 & 5와트이고, HDD는 6 & 15와트이다. 더불어 물리적으로 움직이는 기계적인 장치가 없기 때문에 소음이 없고, 충격에도 강하다는 것도 장점이다. 단점은 가격이 비싸다는 것 SSD의 거의 유일한 단점은 가격이 비싸다는 점이다. 앞서 말했듯이 2013년 GB당 NAND 가격은 소비자들의 심리적 구매 기준인 1.0달러 미만인 약 0.9달러까지 하락할 것으로 추정된다. 그러나 HDD 대비 SSD 가격은 여전히 높은 수준인 것이 사실이다. SSD 가격도 하락하고 있지만, HDD 가격도 하락하고 있기 때문이다. 2013년 HDD의 GB당 가격은 약 0.08달러로, SSD는 HDD 대비 약 11배정도 비싼 것으로 추정된다. IT brand의 설문 조사에서 소비자들이 꼽은 SSD 구매 시 고려 요인으로 성능에 이어 가격을 2번째로 많이 것을 볼 수 있다. 그만큼 소비자들은 가격에 민감한 것이다. 또한 안정성에 중요한 영향을 미치는 NAND cell 구조에 신경을 쓰지 않는다고 대답한 소비자의 비중이 약 40% 수준에 이른다는 점도 이를 반증한다. Fig. 27 SSD vs. HDD 성능 비교 Fig. 28 SSD 가격은 HDD 가격 대비 높은 것이 단점 Source: 언론자료, KTB투자증권 Fig. 29 SSD를 선택할 때 고려 요인은? Fig. 30 SSD 구매 시 SLC/MLC/TLC의 차이가 있는지? Source: IT brand, KTB투자증권 Source: IT brand, KTB투자증권 9 Page

10 TLC의 경우를 살펴보면 수요의 가격 탄력성이 높은 것으로 보임 TLC 기반 SSD 시장이 2012년 하반기부터 빠른 속도로 증가하고 있다는 것을 통해서도 SSD가 수요의 가격 탄력성이 높다는 사실을 알 수 있다. NAND 셀 구조의 특성상 TLC는 MLC 대비 단위당 단가는 30~40% 정도 낮지만, 내구성 및 안정성을 포함한 성능이 MLC 대비 나쁘다. 그러나 삼성전자가 2012년 4분기에 컨트롤러 기술을 통해 TLC 기반의 SSD 제품의 안정성을 강화시켜 MLC 기반 SSD 대비 낮은 가격에 시장에 출시했다. 그러자 SSD 수요는 큰 폭의 성장 세를 시현했다. 삼성전자가 출시한 TLC 기반 SSD의 가격은 약 100달러, MLC 기반의 SSD 가격은 약 110~120달러(128GB 기준) 대비 약 10~20% 정도 싸다. Fig. 31 Technology별 SSD 비중 (출하량 기준) Fig. 32 Technology별 Client SSD 비중 (출하량 기준) Source: Industry Data, KTB투자증권 Source: Industry Data, KTB투자증권 Fig. 33 Technology별 Commercial SSD 비중 (출하량 기준) Fig. 34 Technology별 Enterprise SSD 비중 (출하량 기준) Source: Industry Data, KTB투자증권 Source: Industry Data, KTB투자증권 10 Page

11 Ⅳ. 3D NAND 대중화 시 SSD 수요 큰 폭 성장 Ⅳ-1. 3D NAND 대중화 시 SSD 수요의 큰 폭 성장 가능할 것으로 전망 3D NAND 기술의 대중화는 SSD 수요의 성장을 견인할 전망 3D NAND 기술의 대중화와 함께 SSD 수요의 큰 폭 성장이 가능할 것으로 전망한다. 3D NAND 기술을 통해 칩의 대용량화 및 단위당 원가의 절감이 가능하다. 따라서 기존 SSD 수요 확산에 장 애 요인이었던 대용량화의 한계 및 가격이 비싸다는 문제를 한 번에 해결할 수 있어 보인다. 8월 6일, 삼성전자 업계 최초로 V-NAND (3D NAND) 양산 발표 지난 8월 6일 삼성전자는 V-NAND 기술을 적용한 양산 제품 (3Xnm급 MLC 24층 구조인 것으로 업계에서는 추정)을 업계 최초로 시장에 발표했다. V-NAND가 본격적으로 양산되는 경우 SSD 수요가 큰 폭으로 성장할 것으로 판단한다. 성능, 전력 소모, 내구성 등이 좋아지는 것은 물론 GB당 단가를 크게 감소시킬 수 있을 것으로 예상되기 때문이다. 그러나 V-NAND의 여러 가지 장점에도 불구하고 emmc 수요를 대체하는 데에는 다소 시간이 소요될 것으로 업계 관계자들은 전망하고 있다. 휴대폰이라는 제품 특성상 세트 업체도 많을 뿐 아니라 모델수도 다양하기 때문에 각 제품별로 Qual.을 완료하는 과정이 복잡하기 때문이다. V-NAND는 Planar NAND 대비 1 성능이 개선되었고 삼성전자의 발표 내용에 따르면 V-NAND는 Planar NAND (기존 NAND) 대비 성능이 개선 (쓰기 속도 2배 개선 및 읽기 속도도 개선)되었고, 소비 전력은 절반 이하로 줄었으며, 신뢰성도 10배 이상 높아졌다. V-NAND가 Planar 대비 좋은 이유는 구조적으로 셀의 크기를 줄이는 기술이 아니기 때문에 회로 미세화에 따라 필연적이었던 간섭 현상이 발생하지 않기 때문이다. 2 단위당 원가도 절감 V-NAND의 원가가 낮은 2가지 이유는 1) 수평으로 높여있던 셀을 수직으로 쌓아서 올리기 때문에 단위 면적당 집적할 수 있는 셀의 숫자가 증가해서 Net die 수가 늘어나고, 2) 회로 선폭이 3Xnm대이기 때문에 단가가 비싸고, 생산성이 떨어지는 EUV 장비 구매 없이 기존 보유하고 있던 노광 장비로 생산이 가능하기 때문이다. CVD 및 Etch 공정 수 증가에 따른 비용 상승분은 있지만 앞에서 설명한 2가지 요인으로 인한 원가 절감 영향이 더 크다. 3 대용량화도 가능 적층 구조를 사용하기 때문에 칩의 대용량화가 가능해짐에 따라 SSD의 대용량화도 가능해 질 전망이다. 회로 선폭을 축소시키지 않고 적층하는 단수를 늘려 칩의 밀도를 높일 수 있다. 앞서 말했듯이 삼성전자가 이번에 발표한 V-NAND는 24층인데 향후 72단 이상까지 층수를 늘릴 계 획을 가지고 있다. 이에 따라 1TB 칩도 생산할 수 있을 것으로 예상된다. 11 Page

12 Fig. 35 V-NAND의 특성은 Planar NAND 대비 뛰어나 20nm Planar NAND 대비3Xnm V-NAND 성능 비교 Fig. 36 3D NAND의 Net die수는 Planar NAND 대비 많아 2X Density 2X Write Speed 1/2 Power Consumption 10X Endurance Source: 삼성전자, KTB투자증권 Source: KTB투자증권 Fig. 37 V-NAND 구조 Fig 년, 1Tb 칩 생산 가능 Source: 삼성전자, KTB투자증권 Source: 삼성전자, KTB투자증권 12 Page

13 삼성전자, V-NAND 기반의 SSD 출시 Planar NAND 기반의 SSD 대비 성능 및 내구성 뛰어남 삼성전자는 연이어 8월 14일에 V-NAND 기반의 SSD (960GB 및 480GB 서버용 SM843T)도 소개했다. V-NAND와 SSD 성장 스토리가 궤를 같이 하고 있다는 것을 알 수 있는 대목이다. 삼성전자는 V-NAND 기반의 SSD는 Planar NAND 기반의 SSD 대비 성능이 좋고 전력 소모도 낮아진다고 설명했다. 연속쓰기 (Sequential Write) 속도는 Planar NAND SSD 대비 22% 향상 되었고, 임의쓰기 (Random Write) 속도는 20% 향상되었다. 한 편 전력 소모 측면에서는 평균 전력 (Average Power)은 27%, 첨두 전력 (Peak Power)은 45% 감소했다. 또한 SLC 기반의 SSD와 같은 내구성 구현도 가능하고, 신뢰성도 높아졌다고 말했다. Fig. 39 SSD 성능 및 전력 소모 비교 (Planar NAND vs. V-NAND) 22% Faster 20% Faster 27% Lower 45% Lower Source: 삼성전자, KTB투자증권 따라서 삼성전자는 향후 데이터 센터, 기업 서버 등 프리미엄 SSD 경쟁력 강화 목표 삼성전자는 V-NAND 기반 SSD 제품을 기반으로 대규모 데이터 센터와 기업 서버 등 고성능 대용량 프리미엄 SSD 시장 경쟁력을 강화할 계획임을 밝혔다. 삼성전자가 PC SSD보다는 Enterprise SSD 시장에 집중하는 이유는 V-NAND가 성능 및 내구성이 뛰어날 뿐 아니라 대용량 화의 한계도 극복할 수 있는 기술이기 때문이다. 이를 통해 경쟁력이 상대적으로 낮은 Enterprise SSD 경쟁력을 강화할 전망이다. (2012년 삼성전자의 Enterprise SSD M/S 9% (3위), PC SSD M/S 35% (1위)이다.) 삼성전자는 V-NAND 양산과 함께 SSD 시장은 현재 시장조사 기관의 예상치 대비 2배~3배 더 큰 규모로 성장할 것으로 예상하고 있다. Fig. 40 삼성전자는 3D NAND로 인해 SSD 시장 전망치가 2~3배 이상 증가할 것으로 추정 Source: 삼성전자, KTB투자증권 13 Page

14 Ⅳ-2. 3D NAND란 무엇인가? 1. 3D NAND 개념 및 개발 배경 3D NAND는 셀을 수직으로 적층한 구조, Planar NAND 대비 원가가 싸고, 성능이 우수한 것이 장점 3D NAND는 Planar NAND에서 수평으로 나열되어 있던 트랜지스터를 수직으로 적층한 것이다. 비유해서 설명하자면 Planar NAND는 단독 주택이고, 3D NAND는 아파트의 개념이다. 동일한 면적에서 단독 주택보다는 아파트에 더 많은 사람이 살 수 있듯이 3D NAND는 동일한 웨이퍼 면적 위에 Planar NAND 대비 많은 수의 셀을 집적할 수 있기 때문에 원가 측면에서 우위를 지닌다. 올해 삼성전자 발표한 3D NAND는 24층으로 향후 72층까지 적층할 것으로 예상되는데 층수가 높을수록 집적되는 셀 수가 증가하기 때문에 원가 절감폭이 커진다. 또한 회로 선폭 축소에서 비교적 자유로워 3D NAND는 Planar NAND에서 구조적으로 발생하는 문제를 해결할 수 있기 때문에 차세대 기술로 각광받고 있다. 3D NAND는 반도체 산업이 직면한 공정 전환 한계 극복을 위해 개발 회로 선폭이 축소되며 1) 간섭 현상에 따른 성능 저하 및 2) 노광 장비 관련 이슈 발생 3D NAND의 개발 배경을 설명하기 위해서는 우선 현재 반도체 산업이 가지는 한계점에 대해서 설명할 필요가 있다. 메모리는 미세 공정 전환에 한계를 드러내고 있다. 회로 선폭이 좁아질수록 셀 간의 간섭 현상이 발생해 칩의 성능이 저하된다. 이와 같은 구조적인 한계 외에도 노광 장비 관련 이슈로 인해 제조 공정에서도 문제가 발생하고 있다. 메모리의 경우 DRAM은 2Znm, NAND는 1Ynm보다 미세한 선폭을 패터닝하기 위해서는 EUV 장비가 필요하다. 그러나 현재 ASML의 EUV 장비는 개발이 지연되고 있을 뿐 아니라 생산 효율성도 좋지 않은 것으로 파악된다. EUV 자체 기술은 13.5mm 패터닝이 가능할 정도로 발전했다. 하지만 광학 렌즈 및 반사 거울의 양산화에 어려움을 겪으며 시간당 웨이퍼 처리량, 즉 스루풋이 현저히 떨어져 양산 장비로는 활용하지 못하고 있다. 현재 소자 업체들은 패터닝을 여러 번 반복 (DPT, QPT)하거나 혹은 3D NAND, FInFET 등과 같은 구조 변경을 통해 EUV 장비 개발 지연에 대처하고 있다. 올해 EUV 장비 처리 속도는 시간당 약 30장 수준인데, ASML은 이를 2014년에는 70장, 2016년에는 125장 수준 으로 증가시킬 계획이다. 시간당 100장 이상 처리해야 양산에 사용 가능하다는 점을 감안하는 경우 빨라야 2015년에야 EUV 장비 도입이 가능할 것으로 전망된다. 노광 장비 이슈가 발생했다는 것은 원가 절감에 문제가 생겼다는 의미로 해석이 가능하다. 반도체 업체들은 회로 선폭을 줄여 단위 면적당 집적되는 셀의 수를 증가시킴으로써 원가 절감을 지속해 왔다. (반도체 기술 발전을 대표하는 너무나도 유명한, 단일 소자에 집적할 수 있는 트랜지스터의 수가 18개월마다 2배씩 증가한다는 법칙인 무어의 법칙은 원가 측면에서 뒤집어 보면 18개월마다 원가가 절반으로 줄어왔다는 말이다. ) 노광 장비 관련한 문제가 발생하는 경우 회로 선폭 축소, 다시 말해 미세 공정 전환이 불가능해지며 원가를 절감할 수 없게 된다. NAND 구조가 단순하기 때문에 3D 구조로 변경 가능 상기 문제를 2차원에서 3차원으로 메모리 구조를 변경하여 해결한 것이 3D NAND이다. 3D NAND가 가능한 이유는 NAND 구조가 비교적 단순하기 때문이다. 디램은 1개의 트랜지스터와 1개의 캐퍼시터로 구성되어 있는 한 편, NAND는 트랜지스터 1개로 구성되어 있다. 14 Page

15 Fig. 41 3D NAND 개발 배경 및 구조 Source: 삼성전자, KTB투자증권 Fig. 42 NAND 구조의 변화 Fig. 43 셀 구조 비교 (planar NAND vs. 3D NAND) Source: 삼성전자, KTB투자증권 Source: 삼성전자, KTB투자증권 Fig. 44 무어의 법칙 Fig. 45 노광 공정 광원 개발 추이 Source: 언론자료, KTB투자증권 Source: 삼성전자, KTB투자증권 15 Page

16 2. 업체별 3D 구조 및 개발 현황 2007년, 도시바가 BiCS 개념을 VLIS에 소개 2007년 도시바가 BiCS (Bit Cost Scalable)이라는 이름으로 반도체 학회인 VLIS에서 최초로 3D NAND 컨셉을 발표했다. 2006년 이미 삼성전자가 3D 구조를 소개하기는 했으나, 수평으로 집적한 셀들을 수직으로 쌓는 스택 방식으로 현재 NAND 업체들이 개발하고 있는 3D 방식과는 차이가 난다. NAND 업체들의 3D NAND: 삼성전자 TCAT 도시바 P-BiCS SK하이닉스 SMArT 마이크론? 도시바는 2007년 소개한 BiCS를 P-BiCS (Pipe type-bics)로 발전시켰다. 삼성전자는 도시바가 제시한 BiCS 구조의 개념을 활용해 TCAT (Terabit Cell Array Transistor)를 개발했고, 지난 8월 세계 최초로 제품 양산에 성공했다. SK하이닉스는 기존에 floating gate 방식의 3D FG를 개발 하고 있었으나, 2012년 12월부터 charge trap 방식을 적용한 SMArT (Stacked Memory Array Transistor) 구조로 로드맵을 변경했다. 마이크론의 3D NAND는 시장에서 특별히 불리우는 이름은 없다. Fig. 46 3D NAND 개발 History Toshiba Toshiba Samsung Samsung Samsung Source: Intuitive Cognition Consulting, KTB투자증권 16 Page

17 도시바는 GF, 나머지 업체들은 GL 방식 Planar NAND에서는 모든 업체들이 Gate Last 구조를 채택하고 있다. 그러나 3D NAND에서는 업체별로 각기 다른 구조를 선택하고 있다. 삼성전자의 TCAT는 Gate를 나중에 만드는 Gate Last 구조이고, 도시바의 P-BiCS는 Gate를 먼저 만드는 Gate First 구조이다. Gate Last 구조는 공정이 다소 복잡하기는 하지만, 메탈에 의한 오염에서 자유롭다는 장점이 있다. 반면 Gate First 구조는 공정은 단순하지만 Gate를 먼저 형성하는 과정에서 메탈 오염이 발생한다는 문제점이 있다. 3D NAND에서는 Gate의 재료로 텅스턴 등과 같은 메탈을 사용하는 데 오염이 심한 물질이기 때문에 공정을 초기에 진행하게 되는 경우 수율이 낮아진다. 마이크론과 SK하이닉스도 Gate Last 방식의 3D NAND를 개발 중인 것으로 파악된다. 모든 NAND 업체들이 CTF 선택 3D NAND에서는 모든 업체들이 Charge trap 구조를 선택하고 있다. Planar NAND에서는 삼성 전자만 Charge trap을 적용했고, 나머지 업체들은 Floating gate를 사용하고 있다. Charge trap은 삼성전자가 개발한 방식으로 Floating gate 대비 오작동 가능성이 낮아 안정성이 뛰어나고, 구조가 단순해서 원가가 싸고, 수명이 길다는 장점이 있다. 또한 워드라인의 disturb에 강해 NAND 컨트 롤러가 단순해 질 수 있다는 것이 Charge trap 방식의 또 다른 장점이다. Fig. 47 업체별 3D NAND 구조 Source: Intuitive Cognition Consulting, KTB투자증권 17 Page

18 3. 3D NAND 제조 공정상의 특성 3D NAND 제조 공정은 Planar NAND 제조 공정 대비 Planar NAND와 비교하여 3D NAND의 제조 공정에서 달라지는 점은 다음과 같은 2가지로 요약 가능하다. 첫째, 노광 공정이 더 이상 제조를 하는데 있어 한계점 역할을 하지 않고, 둘째, 증착 및 식각 공정의 난이도 및 스텝수가 크게 증가한다. 1) 노광 장비 공정 수 감소되고 노후 장비 사용 가능 3D NAND는 수직으로 적층하는 단의 수를 늘림으로써 칩의 용량을 증가시킬 수 있기 때문에 회로 선폭을 추가로 축소시키지 않아도 된다. 3D NAND에는 3Xnm 정도의 선폭을 형성할 수 있으면 된다는 것이다. 따라서 EUV 장비를 사용하는 공정 수가 줄어들고, 노후 장비를 그대로 사용 가능 하기 때문에 추가 설비투자에 대한 부담이 적다. 2) 식각 및 증착 공정, 공정 난이도 및 스텝수 증가 3D NAND는 최소 24단 이상의 층을 쌓아 올리기 때문에 증착 공정의 스텝수가 Planar 대비 2~3배 정도 증가할 것으로 예상된다. 또한 복잡하게 식각되어 있는 패턴이나, 가늘고 깊에 파인 홀의 아랫 부분까지 골고루 증착을 해야 하기 때문에 증착 공정의 난이도도 증가한다. 식각 공정의 난이도 또한 증가할 것이다. 3D NAND의 구조적인 특성 상 여러 층으로 쌓인 구조에 홀을 형성 해야 하는데, 가늘고 긴 홀을 형성하는 것은 상당히 어렵다. 또한 높게 쌓인 층을 파내야 하기 때문에 식각 공정의 스텝수도 증가한다. AMAT는 3D NAND 전환에 따라 증착 장비 및 식각 장비 시장규모는 각각 50~60% 및 30~40% 커질 것으로 전망하고 있다. Lam research도 유사한 수준의 시장 성장을 예상하고 있다. Fig. 48 Planar NAND에서 3D NAND로 전환에 따른 공정 변화 PLANAR 3D NAND CD Definition and Scaling (<15nm) CD Definition and Scaling (~50nm) ETCH ETCH (+30 to +40%) DEPOSITION DEPOSITION (+50 to +60%) Source: AMAT, KTB투자증권 Fig. 49 AMAT가 생각하는 3D NAND로의 전환에 따른 공정의 변화 Source: AMAT, KTB투자증권 18 Page

19 Fig. 50 Lam research가 생각하는 3D NAND로의 전환에 따른 공정의 변화 Source: Lam research, KTB투자증권 Fig. 51 WW 증착 장비 M/S (2012년 기준) Fig. 52 WW Wet Etcher 장비 M/S (2012년) Fig. 53 WW Dry Etcher 장비 M/S Fig. 54 WW 반도체 장비업체들 주가 흐름 Source: Bloomberg, KTB투자증권 19 Page

20 Fig. 55 삼성전자 3D NAND 구조 및 제조 공정 Source: 언론자료, KTB투자증권 Fig. 56 도시바 3D NAND 구조 및 제조 공정 Source: 언론자료, KTB투자증권 20 Page

21 4. 3D NAND 제조 공정상의 변화에 따른 국내 수혜 업체 국내 장비업체 중 테스, 원익 IPS, 국제엘렉트릭 수혜 예상 3D NAND는 planar NAND 대비 증착 및 식각 공정 난이도가 증가할 뿐만 아니라 스텝수도 증가 하게 된다. 따라서 국내 일부 반도체 장비주의 수혜가 예상된다. 테스 (095610, N/R), 원익 IPS (030530, N/R), 국제엘렉트릭 (053740, N/R) 등이 여기에 포함된다. Fig. 57 3D NAND 공정상의 변화에 따른 국내 수혜 업체 Source: KTB투자증권 Fig. 58 테스 매출액 및 영업이익 Fig. 59 원익 IPS 매출액 및 영업이익 Source: Dataguide, KTB투자증권 Source: Dataguide, KTB투자증권 Fig. 60 국제엘렉트릭 매출액 및 영업이익 Fig. 61 NAND 설비투자금액 전망 Source: Dataguide, KTB투자증권 Source: Industry data, KTB투자증권 21 Page

22 Ⅳ-3. 3D NAND가 시장에 영향을 미치는 시기는 2015년 이후 3D NAND, 본격 양산 시점은 빠르면 15년 삼성전자가 V-NAND 제품 양산을 발표한 후 NAND 업체들은 앞다투어 3D NAND 관련 로드 맵을 발표하고 있다. 이를 통해 판단해 보면 3D NAND는 최소 2015년 이후 대량 양산이 가능할 것으로 보인다. 다시 말해 3D NAND가 SSD 수요 성장에 크게 영향을 미치는 시기는 2015년 이 후일 가능성이 높다. NAND 업체별로 3D NAND 로드맵은 다음과 같다. 시장 초기라는 특성상 각 업체들의 3D NAND에 대한 전망, 전략 그리고 준비 정도에서 많은 차이가 난다. 삼성전자, 14년 양산 시작 초기 캐파는 50K/월 내외 삼성전자는 2014년 상반기부터 중국 시안 팹에서 V-NAND를 양산할 계획이다. NAND 업체들 중에서는 최초로 3D NAND의 대량 양산을 시작하는 것이다. 중국 시안 팹의 디자인 캐파는 100 천장/월로 2013년 연말 캐파는 약 40~50천장/월 수준인 것으로 파악된다. V-NAND 양산 수율이 안정화되는 경우 Ramp up 속도가 빨라질 것으로 전망된다. 도시바/샌디스크, 14년 양산 시작 계획 밝힘, 기존 계획 대비 빠른 시점에 양산 최근 도시바/샌디스크는 2014년 하반기 Fab5 extention라인에서 P-BiCS 양산을 시작할 계획임 을 밝혔다. 기존 도시바/샌디스크가 2015년 하반기부터 P-BiCS를 양산할 계획이었다는 것을 감안하면 양산 시기가 앞당겨진 것이다. 도시바는 3D NAND에 대해 삼성전자 대비 기술적인 자신 감을 보이고 있다. 도시바는 Gen1 제품의 Net die가 경쟁사 (삼성전자로 추정됨)의 Gen3 제품의 Net die와 유사한 수준일 것으로 추정하고 있다. 마이크론, 16년 이후 3D NAND 양산 시작 마이크론은 16nm planar NAND 이후에 3D NAND로의 전환을 고려하고 있다. 마이크론의 Planar NAND는 2014년 상반기부터 전환할 예정이다. 3분기 실적 발표를 통해 2015년까지는 의미 있는 수준으로 3D NAND를 생산할 계획을 없다고 밝혔다. 이 두 가지 사실을 조합해 보면 마이 크론의 3D NAND 대량 양산은 2016년 이후에 시작될 것으로 판단한다. SK하이닉스, 15년 양산 체계 갖출 것임을 시사 계획보다는 다소 늦어질 듯 SK하이닉스는 지난 2분기 실적 발표를 통해 2013년 연말까지 3D NAND 기술 개발을 완료한 후, 2015년에는 양산 체계를 갖출 계획임을 시사했다. 다만 업계에서는 SK하이닉스가 밝히고 있는 것보다 실제 SK하이닉스의 3D NAND 양산 시기는 다소 늦을 것이라고 전망하고 있다. Fig. 62 NAND 업체별 3D NAND 양산 로드맵 Source: Intuitive Cognition Consulting, KTB투자증권 22 Page

23 Fig. 63 삼성전자 3D NAND 로드맵 Fig. 64 도시바/샌디스크 3D NAND 로드맵 Source: 삼성전자, KTB투자증권 Source: 샌디스크, KTB투자증권 Fig. 65 도시바/샌디스크의 Gen1은 경쟁사의 Gen3 제품의 Net die와 유사할 것으로 전망 Fig. 66 마이크론 3D NAND 로드맵 Source: 샌디스크, KTB투자증권 Source: 마이크론, KTB투자증권 23 Page

24 Ⅴ. 컨트롤러, SSD 경쟁력을 좌우하는 또 다른 축 컨트롤러, SSD 성능을 결정하는 중요 부품 컨트롤러는 SSD를 구성하는 중요한 부품 중 하나로 NAND에 저장되는 데이터를 제어하는 역할 을 하는 반도체이다. 컨트롤러 성능에 따라 SSD의 성능이 크게 좌우되기 때문에 컨트롤러는 SSD 경쟁력을 좌우하는 중요한 요인 중 하나로 볼 수 있다. 컨트롤러는 주요 기능은 1) 에러를 수정해 주는 ECC, 2) 제품 수명 연장을 위한 wear leveling, 3) 불량 섹터를 보정해 주는 bad block management, 4) 셀 간의 간섭 현상에 따른 문제를 처리해 주는 signal processing이다. 3D NAND 기반의 SSD향 컨트롤러 Planar NAND 기반 SSD향보다 단순해질 수도 있을 듯 SSD에 사용되는 NAND가 Planar NAND에서 3D NAND로 변경된다 하더라도 SSD 컨트롤러의 변화는 크지 않을 것으로 보인다. 3D NAND 기반의 SSD에 쓰이는 컨트롤러는 3D NAND의 셀 신뢰도가 좋아 버퍼의 사이즈가 작아지고, 소프트웨어가 단순화되는 등 planar NAND 대비 단순해질 가능성도 있다. LSI, 인텔, 삼성전자의 컨트롤러 경쟁력 우위 SSD 컨트롤러의 경쟁력을 살펴보도록 하겠다. 컨트롤러는 NAND 업체가 직접 생산하기도 하고, 컨트롤러 전문회사 (반도체회사)가 따로 생산하기도 한다. NAND 업체 중 삼성전자, 도시바, 인텔, SK하이닉스는 자체 SSD 컨트롤러를 Captive로 보유하고 있고, 마이크론은 자체 SSD 컨트롤러 를 생산하지 않고 있다. 전체 NAND 업체들 중에서는 삼성전자와 인텔의 SSD 컨트롤러 기술력 및 경쟁력이 경쟁사 대비 뛰어난 것으로 조사된다. 컨트롤러만을 생산하는 업체들 중에서는 LSI 제품 품질이 우수한 것으로 시장은 평가하고 있다. Fig. 67 SSD 컨트롤러 업체별 경쟁력 Source: IT brand, KTB투자증권 24 Page

25 NAND 업체별 컨트롤러 내재화 범위 및 경쟁력 NAND 칩 제조업체들 중 삼성전자의 컨트롤러 경쟁력 우위가 뚜렷하다. 각 NAND 업체들의 컨 트롤러 내재화 범위 및 경쟁력은 다음과 같다. 삼성전자, 트리플코어 컨트롤러 기술 뛰어난 것으로 평가받고 있으며, PC 및 Enterprise SSD 컨트롤러 자체 보유 우선 삼성전자는 PC SSD 및 Enterprise SSD용 컨트롤러를 모두 captive로 보유하고 있다. 삼성 전자가 TLC 기반 PC SSD 출시와 함께 2012년 시장점유율을 빠르게 확대시킬 수 있었던 것은 컨트롤러 기술 경쟁력이 타 업체 대비 매우 강하기 때문이다. 같은 이유로 올해에는 인텔로부터 Enterprise SSD 시장점유율을 빼앗아 오고 있다. 삼성전자 컨트롤러는 트리플 코어 구조를 가진 다. 트리플 코어 중 하나는 읽기 전용으로, 다른 하나는 쓰기 전용으로, 나머지 하나는 최적화 작 업을 하기 때문에 여러 가지 명령을 한 번에 실행 가능하다. 이에 따라 SSD의 수명 및 성능이 개 선된다는 장점을 가지고 있다. 인텔, PC SSD 컨트롤러 전량 외부 조달 Enterprise SSD는 일부 자체 제작 인텔 (마이크론과의 전략적 제휴 관계를 통해 NAND 칩 조달)은 PC SSD용 컨트롤러는 100% 외 부 조달하고 있다. 한 편 Enterprise SSD용 컨트롤러의 경우 일부 자체 생산 제품을 사용하는 한 편, Marvell과 LSI (Sandforce)의 컨트롤러를 사용한다. 삼성만큼은 아니지만 인텔의 컨트롤러 기 술도 뛰어난 것으로 평가되고 있다. 최근에는 오버클럭을 통해 데이터 처리량을 높이는 한 편, 전 력 사용량 제한을 풀어 전력 소모를 줄일 수 있는 신규 컨트롤러를 소개했다. 도시바, PC SSD 컨트롤러 보유 Enterprise SSD 컨트롤로는 없음 도시바도 자체 컨트롤러를 보유하고 있다. 이는 PC SSD용 컨트롤러로, Enterprise SSD용 자체 컨트롤러를 가지고 있지는 않다. 그러나 도시바의 자체 컨트롤러 탑재 비중은 높지 않은 것으로 파악되며 물량의 대부분을 Marvell과 LSI (Sandforce)에게서 구매해 오고 있다. SK하이닉스, SSD 컨트롤러 회사인 LAMD 인수하여 경쟁력 강화 중 SK하이닉스는 지난 2012년 6월 미국 컨트롤러 회사인 LAMD를 인수하며 SSD 컨트롤러 경쟁력 을 강화하고 있다. 이어 2013년 4월 자체 컨트롤러 칩셋 개발에 성공했고, 6월에는 자체 컨트롤 러를 탑재한 SSD 제품을 신규로 출시했다. Fig. 68 SSD 제조 업체별 supply chain 25 Page

26 Fig. 69 PC SSD 컨트롤러 M/S (2012년 기준) Fig. 70 Enterprise SSD 컨트롤러 M/S (2012년 기준) Fig. 71 Card, USB 컨트롤러 M/S (2012년 기준) Fig. 72 emmc 컨트롤러 M/S (2012년 기준) Fig. 73 컨트롤러 시장 규모 전망 Fig. 74 단위당 컨트롤러 가격 전망 26 Page

27 Ⅵ. SSD 시장 경쟁 구도 SSD 시장은 60개 이상의 제조업체가 난립 SSD 시장은 시장 형성 단계의 특성을 보이고 있다. 약 60개 이상의 SSD 제조업체들이 있다. 그 러나 몇 개 업체를 제외하고는 규모가 큰 업체 없이 다수의 규모가 작은 업체들이 경쟁하고 있다. 삼성전자, 인텔 2강 도시바, Fusion-io 2중 마이크론, 샌디스크가 그 다음 SSD의 경쟁구도는 2강 2중으로 요약 가능하다. 삼성전자, 인텔이 2강을 이루고 있고, PC SSD 및 Enterprise SSD 시장에서 각각 두각을 나타내고 있는 도시바와 Fusion-io가 2중이다. 이 뒤를 마 이크론과 샌디스크가 잇고 있다. 삼성전자와 인텔, SSD 시장 경쟁력이 우수한 양 사는 모두 NAND 조달이 자유롭고 컨트롤러 경쟁력이 강한 업체이다. 삼성전자와 인텔을 제외하는 경우 PC SSD와 Enterprise SSD 시장 모두에서 시장점유율이 높은 업체는 없다. PC SSD의 강자는 NAND 칩을 captive로 가지고 있는 칩 업체들 ( 가격이 중요한 결정 요인) PC SSD 시장점유율이 높은 업체는 삼성, 인텔, 도시바, 마이크론과 같이 NAND 칩을 제조하는 업체이다. 삼성전자, 인텔, 도시바, 마이크론 4개사 합산 기준의 2012년 PC SSD 시장점유율은 70%이다. PC SSD 시장은 안정성보다는 가격이 경쟁력에 더욱 중요한 요인이기 때문인 것으로 추정된다. SSD 제조원가 중 NAND 칩의 비중이 약 80% 정도를 차지한다. OCZ는 PC SSD 시장 에서 소비자들에게 좋은 평가를 받고 있었으나, Sandforce 컨트롤러 문제로 2012년에는 시장점 유율이 큰 폭 하락했다. Enterprise SSD의 경쟁우위 요소는 컨트롤러 및 소프트웨어 ( 내구성 및 안정성이 중요) Enterprise SSD 제품은 PC SSD 대비 안정성 및 신뢰도가 높아야 한다. 따라서 NAND 칩의 안정 성만큼이나 컨트롤러 및 소프트웨어의 경쟁력도 중요하다는 뜻이다. 그래서 삼성전자, 인텔을 제외하면 PC SSD 시장 경쟁력이 높은 업체가 Enterprise SSD 시장에서도 경쟁 우위를 보이는 경우가 없다. Fig. 75 업체별 PC SSD vs. Enterprise SSD M/S (2012년) 27 Page

28 Fig. 76 업체별 SSD M/S (2012년) Fig. 77 업체별 PC SSD M/S (2011년 및 2012년) 자료: Gartner, KTB투자증권 자료: Gartner, KTB투자증권 Fig. 78 업체별 Enterprise SSD M/S (2011년 및 2012년) Fig. 79 업체별 SSD M/S 추이 자료: Gartner, KTB투자증권 자료: Gartner, KTB투자증권 Fig. 80 업체별 PC SSD M/S 추이 Fig. 81 업체별 Enterprise SSD M/S 추이 자료: Gartner, KTB투자증권 자료: Gartner, KTB투자증권 28 Page

29 Ⅶ. 종목별 투자의견 종목 투자의견 목표주가(원) 삼성전자 (005930) BUY 1,900,000 SK하이닉스 (000660) BUY 41, Page

30 삼성전자 (005930) 꿩 먹고 알 먹고 BUY Issue 투자의견 현재 직전 변동 BUY 유지 지난 8월 6일 삼성전자는 업계 최초로 V-NAND (3D NAND)제품 양산을 시장에 발표함 Pitch 목표주가 1,900,000 유지 V-NAND 양산으로 SSD 수요 성장률은 현재 시장의 기대치를 상회할 것으로 전망. Earnings 유지 동사는 V-NAND 기반의 SSD 제품으로 상대적으로 경쟁력이 약한 Enteprise SSD 시장 Stock Information 현재가(9/5) 예상 주가상승률 시가총액 비중(KOSPI내) 발행주식수 52주 최저가/최고가 3개월 일평균거래대금 외국인 지분율 주요주주지분율(%) 이건희외 10인 국민연금공단 1,365,000원 39.2% 2,010,636억원 17.62% 147,299천주 1,196,000-1,576,000원 3,828억원 48.1% 지배력 확대를 계획하고 있음. 이에 따라 향후 삼성전자의 SSD 시장 경쟁력이 강화될 것으로 전망. 삼성전자에 대해 투자의견 BUY, 목표주가 190만원 유지 Rationale - 지난 8월 6일 업계 최초로 V-NAND 양산 제품을 시장에 소개. V-NAND는 Planar NAND 대비 성능이 개선 (쓰기 속도가 2배 개선 및 읽기 속도도 개선)되었고, 소비 전력은 절반 이하로 줄었으며, 신뢰성도 10배 이상 높아짐 - 삼성전자는 3D NAND에서 경쟁 우위를 확보하고 있는 것으로 판단됨. 업계 최초로 양산 제품을 발표한 것에 이어, 2014년 상반기를 목표로 V-NAND의 대량 양산을 계획 중임. 경쟁사 대비 6개월에서 2년 이상 빠른 시기에 양산을 시작하는 것임 Valuation wide PER PBR EV/EBITDA 배당수익률 Performance E 2014E SSD 성능을 좌우하는 또 다른 부품인 컨트롤러의 경쟁력도 뛰어남. 삼성전자는 PC SSD 및 Enterprise SSD용 컨트롤러를 모두 자체 생산해서 사용하고 있음. 특히 트리플 코어 구조를 적용한 자체 컨트롤러는 성능이 우월하다는 평가를 받고 있음 - 삼성전자는 SSD 시장점유율 1위 업체. Enterprise SSD 경쟁력 (M/S 9%의 3위 업체, 2012년 기준)은 PC SSD 경쟁력 (M/S 35%의 1위 업체, 2012년 기준) 대비 약함. V-NAND가 Planar NAND 대비 성능 및 원가측면에서 뛰어나기 때문에 V-NAND 기반의 SSD 제품을 통해 Enterprise SSD 시장 경쟁력을 강화하려는 삼성전자의 전략은 유효할 것으로 판단 1M 6M 12M YTD 주가상승률 7.1 (11.9) 14.8 (10.3) KOSPI대비 상대수익률(%) 5.3 (8.7) 10.7 (8.0) Earnings Forecasts (단위: 십억원,원,%,배) Price Trend 30 Page E 2014E 2015E 2016E 2017E 매출액 165, , , , , , ,160 영업이익 15,644 29,049 38,893 40,638 44,552 46,012 47,244 EBITDA 29,236 44,671 57,966 64,258 71,470 77,213 81,565 순이익 13,759 23,845 32,576 34,027 37,290 38,702 39,896 자산총계 155, , , , , , ,228 자본총계 101, , , , , , ,232 순차입금 (12,231) (22,553) (43,608) (70,199) (99,883) (135,404) (167,818) 매출액증가율 영업이익률 순이익률 EPS증가율 (15.3) ROE Note: K-IFRS 연결 기준 / Source: FnGuide, KTB투자증권

31 대차대조표 (단위:십억원) E 2014E 2015E (단위:십억원) E 2014E 2015E 유동자산 현금성자산 매출채권 재고자산 비유동자산 투자자산 유형자산 무형자산 자산총계 유동부채 매입채무 유동성이자부채 비유동부채 비유동이자부채 부채총계 자본금 자본잉여금 이익잉여금 자본조정 자기주식 자본총계 투하자본 순차입금 ROA ROE ROIC 현금흐름표 (단위:십억원) E 2014E 2015E (단위:원,배) E 2014E 2015E 영업현금 당기순이익 자산상각비 운전자본증감 매출채권감소(증가) 재고자산감소(증가) 매입채무증가(감소) 투자현금 단기투자자산감소 장기투자증권감소 설비투자 유무형자산감소 재무현금 차입금증가 자본증가 배당금지급 현금 증감 총현금흐름(Gross CF) (-) 운전자본증가(감소) (-) 설비투자 (+) 자산매각 Free Cash Flow (-) 기타투자 잉여현금 Note: K-IFRS 연결 기준 Source: KTB투자증권 71,502 87, , , ,816 26,878 37,448 55,412 81, ,060 24,153 26,675 31,955 34,461 37,605 15,717 17,747 22,668 25,178 28,300 84,298 93, , , ,670 18,899 21,588 24,818 25,826 26,875 62,044 68,485 74,262 77,890 80,846 3,355 3,730 4,034 3,987 3, , , , , ,486 44,319 46,933 54,066 56,702 59,924 18,509 16,889 21,651 24,049 27,031 9,684 9,443 8,607 8,607 8,607 10,168 12,658 11,228 11,402 11,174 4,963 5,452 3,197 3,089 2,569 54,487 59,591 65,294 68,103 71, ,404 4,404 4,404 4,404 4,404 97, , , , ,331 (5,834) (8,193) (6,996) (6,996) (6,996) (7,540) (7,351) (7,340) (7,340) (7,340) 101, , , , ,388 76,655 84,912 96, , ,134 (12,231) (22,553) (43,608) (70,199) (99,883) ,918 37,973 47,063 55,125 61,038 13,759 23,845 32,576 34,027 37,290 13,592 15,622 19,074 23,620 26,918 (4,057) (5,778) (7,745) (2,550) (3,218) (2,197) (2,568) (4,729) (2,505) (3,145) (3,920) (4,012) (4,686) (2,511) (3,122) 1,126 (882) 2,771 2,398 2,982 (21,113) (31,322) (33,020) (28,120) (30,726) 594 (6,555) (6,584) (1,034) (1,076) (5) (764) (832) (21,966) (22,965) (23,288) (26,356) (28,992) (274) 55 (858) (844) (844) 3,110 (1,865) (3,257) (1,557) (2,224) 3, (3,242) (108) (520) (714) (1,177) (79) (1,448) (1,704) 875 1, ,448 1,704 4,900 4,100 11,151 25,449 28,088 30,210 46,605 55,170 57,675 64,256 1,458 2,341 5,341 2,550 3,218 21,966 22,965 23,288 26,356 28,992 (274) 55 (858) (844) (844) 6,512 21,353 25,683 27,925 31, (471) (557) 6,507 20,589 24,851 28,396 31,759 재무제표 (삼성전자) 손익계산서 매출액 증가율 (Y-Y,%) 영업이익 증가율 (Y-Y,%) EBITDA 영업외손익 순이자수익 외화관련손익 지분법손익 세전계속사업손익 당기순이익 지배기업당기순이익 증가율 (Y-Y,%) NOPLAT (+) Dep (-) 운전자본투자 (-) Capex OpFCF 3 Yr CAGR & Margins 매출액증가율(3Yr) 영업이익증가율(3Yr) EBITDA증가율(3Yr) 순이익증가율(3Yr) 영업이익률(%) EBITDA마진(%) 순이익률 (%) 주요투자지표 Per share Data EPS BPS DPS Multiples(x,%) PER PBR EV/EBITDA 배당수익율 PCR PSR 재무건전성(%) 부채비율 Net debt/equity Net debt/ebitda 유동비율 이자보상배율 이자비용/매출액 자산구조 투하자본(%) 현금+투자자산(%) 자본구조 차입금(%) 자기자본(%) 165, , , , , ,644 29,049 38,893 40,638 44,552 (9.6) ,236 44,671 57,966 64,258 71,470 1, ,383 1,713 1, (665) (144) (73) (200) (200) 1, ,122 1,235 17,192 29,915 40,276 42,351 46,501 13,759 23,845 32,576 34,027 37,290 13,383 23,185 31,749 33,159 36,339 (14.8) ,520 23,155 31,457 32,650 35,728 13,592 15,622 19,074 23,620 26,918 1,458 2,341 5,341 2,550 3,218 21,966 22,965 23,288 26,356 28,992 2,689 13,471 21,901 27,364 30, , , , , , , , ,846 1,046,612 1,256,005 5,500 8,000 8,500 10,000 12, n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a Page

32 SK하이닉스 (000660) Step by step BUY 현재 직전 변동 Issue 지난 8월 6일 삼성전자는 업계 최초로 V-NAND (3D NAND)제품 양산을 시장에 발표함. V-NAND 발표가 관련 산업 및 SK하이닉스에 미치는 영향을 알아보고자 함 투자의견 BUY 목표주가 41,000 Earnings Stock Information 현재가(9/5) 예상 주가상승률 시가총액 비중(KOSPI내) 발행주식수 52주 최저가/최고가 3개월 일평균거래대금 외국인 지분율 주요주주지분율(%) 에스케이텔레콤(주) 국민연금공단 Valuation wide PER PBR EV/EBITDA 배당수익률 유지 유지 유지 28,150원 45.6% 199,922억원 1.75% 710,201천주 20,900-32,650원 1,709억원 33.7% E 2014E Pitch V-NAND 양산으로 SSD 수요 성장률은 현재 시장의 기대치를 상회할 것으로 전망. 동사의 3D NAND 기술력은 경쟁사 대비 약한 것으로 평가됨. SSD 경쟁력도 열위에 있음. 그러나 2012년 1) SMArT 구조의 3D NAND 개발을 시작했고, 2) LAMD 인수를 통해 컨트롤러 기술을 내재화 하며 SSD 경쟁력 제고에 노력을 기울이고 있음. NAND 및 SSD 시장 경쟁력은 조금씩 개선되고 있음. 투자의견 BUY, 목표주가 4.1만원 유지 Rationale - V-NAND는 planar NAND 대비 1 성능 개선, 2 단위당 원가 절감, 3 대용량화 가능 하다는 장점 보유. 따라서 가격이 비싸고, 대용량화에 한계가 있다는 SSD의 약점을 보완할 수 있는 기술인 것으로 보임 - 동사는 SMArT (Stacked Memory Array Transistor) 구조로 3D NAND 개발 중임. 2013년 연말까지 3D NAND 기술 개발을 완료한 후, 2015년에는 양산 체계를 갖출 계획임을 시사. 양산은 NAND 선발 업체인 삼성전자 및 도시바/샌디스크 대비 1년 6개월 정도 늦은 시점에 시작될 것으로 추정됨 년 6월 미국 SSD 컨트롤러 회사인 LAMD를 인수하여 컨트롤러를 내재화함. 2013년 상반기에는 자체 컨트롤러를 탑재한 SSD를 시장에 출시하여 경쟁력 강화에 힘쓰고 있는 것으로 보임 Performance 주가상승률 KOSPI대비 상대수익률(%) 1M 6M 12M YTD 다만 SSD 시장 경쟁력은 아직까지는 열위인 것으로 파악됨. 2012년 기준으로 SSD 시 장점유율은 10위권 내에 들어가지 못하고 있음. 그러나 칩과 컨트롤러를 모두 내재화 하고 있다는 것이 장점으로 작용하며 경쟁력 강화될 것으로 전망 Earnings Forecasts (단위: 십억원,원,%,배) Price Trend 32 Page E 2014E 2015E 2016E 2017E 매출액 10,396 10,162 15,084 16,028 16,144 18,513 18,853 영업이익 369 (227) 3,678 3,752 2,709 3,564 3,868 EBITDA 3,836 2,976 6,973 7,796 7,976 7,978 8,420 순이익 (56) (159) 3,183 3,066 2,227 3,016 3,342 자산총계 17,238 18,649 21,867 24,093 25,341 26,926 28,739 자본총계 7,875 9,739 13,142 16,208 18,518 21,534 24,876 순차입금 4,941 4,704 1,429 (1,071) (3,810) (6,761) (9,905) 매출액증가율 (14.1) (2.2) 영업이익률 3.6 (2.2) 순이익률 (0.5) (1.6) EPS증가율 적전 적지 흑전 (6.2) (27.4) ROE (0.7) (1.8) Note: K-IFRS 연결 기준 / Source: FnGuide, KTB투자증권

33 대차대조표 (단위:십억원) E 2014E 2015E (단위:십억원) E 2014E 2015E 유동자산 현금성자산 매출채권 재고자산 비유동자산 투자자산 유형자산 무형자산 자산총계 유동부채 매입채무 유동성이자부채 비유동부채 비유동이자부채 부채총계 자본금 자본잉여금 이익잉여금 자본조정 자기주식 자본총계 투하자본 순차입금 ROA ROE ROIC 현금흐름표 (단위:십억원) E 2014E 2015E (단위:원,배) E 2014E 2015E 영업현금 당기순이익 자산상각비 운전자본증감 매출채권감소(증가) 재고자산감소(증가) 매입채무증가(감소) 투자현금 단기투자자산감소 장기투자증권감소 설비투자 유무형자산감소 재무현금 차입금증가 자본증가 배당금지급 현금 증감 총현금흐름(Gross CF) (-) 운전자본증가(감소) (-) 설비투자 (+) 자산매각 Free Cash Flow (-) 기타투자 잉여현금 Note: K-IFRS 연결 기준 Source: ktb투자증권 4, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , (115.4) , , , , , , , , , , , , ,429.3 (1,071.3) (3,809.6) (0.3) (0.9) (0.7) (1.8) (3.7) (1.2) , , , , , (199.3) 3, , , , , , , ,266.7 (812.5) (761.8) (1,107.8) 45.1 (84.3) (322.1) (815.2) 40.0 (79.7) 99.7 (335.6) (43.0) 22.5 (44.9) (230.4) (0.4) (19.3) 38.5 (3,389.3) (4,698.4) (3,314.8) (4,697.5) (4,798.9) (497.2) (83.8) (7.9) (3,568.2) (3,772.9) (2,847.5) (4,400.0) (4,500.0) (147.8) (122.0) (268.3) (278.1) (278.1) ,917.1 (343.3) (82.8) (411.5) (82.2) (82.8) (88.5) 2, (9.4) (585.4) 2, , , , , , , , (45.1) , , , , ,500.0 (147.8) (122.0) (268.3) (278.1) (278.1) (552.4) (1,427.9) 2, , , (7.6) (5.1) (7.6) (7.3) (560.3) (1,420.3) 2, , ,318.4 재무제표 (SK하이닉스) 손익계산서 매출액 증가율 (Y-Y,%) 영업이익 증가율 (Y-Y,%) EBITDA 영업외손익 순이자수익 외화관련손익 지분법손익 세전계속사업손익 당기순이익 지배기업당기순이익 증가율 (Y-Y,%) NOPLAT (+) Dep (-) 운전자본투자 (-) Capex OpFCF 3 Yr CAGR & Margins 매출액증가율(3Yr) 영업이익증가율(3Yr) EBITDA증가율(3Yr) 순이익증가율(3Yr) 영업이익률(%) EBITDA마진(%) 순이익률 (%) 주요투자지표 Per share Data EPS BPS DPS Multiples(x,%) PER PBR EV/EBITDA 배당수익율 PCR PSR 재무건전성(%) 부채비율 Net debt/equity Net debt/ebitda 유동비율 이자보상배율 이자비용/매출액 자산구조 투하자본(%) 현금+투자자산(%) 자본구조 차입금(%) 자기자본(%) 10, , , , ,144.0 (14.1) (2.2) (227.3) 3, , ,709.2 (88.7) 적전 흑전 2.0 (27.8) 3, , , , ,975.9 (323.9) 28.0 (256.5) (144.7) (88.7) (253.9) (237.6) (196.0) (136.5) (78.7) (19.1) (24.2) (8.2) (199.3) 3, , ,620.5 (56.0) (158.8) 3, , ,227.4 (56.6) (158.9) 3, , ,224.9 적전 적지 흑전 (3.7) (27.4) (457.6) (164.8) 3, , , , , , , , (45.1) , , , , ,500.0 (1,287.6) (1,449.8) 2, , , n/a n/a n/a 56.2 (0.1) n/a n/a 6.2 n/a n/a 3.6 (2.2) (0.5) (1.6) (96) (234) 4,580 4,295 3,120 12,105 12,615 16,886 21,048 23, n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a Page

34 >> Compliance Notice 당사는 본 자료를 기관투자가 등 제 3자에게 사전 제공한 사실이 없습니다. 당 사는 자료작성일 현재 본 자료에서 추천한 종목의 지분을 1% 이상 보유하고 있지 않습니다. 본 자료의 조사분석담당자는 자료작성일 현재 본 자료에서 추천한 종목과 관련된 재산적 이해관계가 없습니다. 본 자료의 조사분석담당자는 어떠한 외부 압력이나 간섭 없이 본인의 의견을 정확하게 반영하여 작성하였습니다. 당 사는 동 종목에 대해 자료작성일 기준 유가증권 발행(DR, CB, IPO, 시장조성 등)과 관련하여 지난6개월 주간사로 참여하지 않았습니다. >> 종목추천관련 투자등급 아래 종목투자의견은 향후 12개월간 추천기준일 종가대비 추천종목의 예상 목표수익률을 의미함. ㆍSTRONG BUY : 추천기준일 종가대비 +50%이상. ㆍHOLD: 추천기준일 종가대비 +5%이상 +15%미만. ㆍBUY: 추천기준일 종가대비 +15%이상~+50%미만. ㆍREDUCE: 추천기준일 종가대비 +5%미만. ㆍSUSPENDED: 기업가치 전망에 불확실성이 일시적으로 커졌을 경우 잠정적으로 분석 중단. 목표가는 미제시. 투자 의견이 시장 상황에 따라 투자등급 기준과 일시적으로 다를 수 있음. 동 조사분석자료에서 제시된 업종 투자의견은 시장 대비 업종의 초과수익률 수준에 근거한 것으로, 개별 종목에 대한 투자의견과 다를 수 있음. ㆍOverweight: 해당 업종 수익률이 향후 12개월 동안 KOSPI 수익률을 상회할 것으로 예상하는 경우 ㆍNeutral: 해당 업종 수익률이 향후 12개월 동안 KOSPI 수익률과 유사할 것으로 예상하는 경우 ㆍUnderweight: 해당 업종 수익률이 향후 12개월 동안 KOSPI 수익률을 하회할 것으로 예상되는 경우 주) 업종 수익률은 위험을 감안한 수치 >> 최근 2년간 투자등급 및 목표주가 변경내용 삼성전자 (005930) 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY Not Rated 애널리스트 목표주가 1,100,000원 1,100,000원 1,100,000원 1,300,000원 변경 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY Not Rated 목표주가 1,500,000원 1,500,000원 1,500,000원 1,700,000원 1,700,000원 일자 투자의견 애널리스트 BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 변경 1,700,000원 1,650,000원 1,650,000원 1,650,000원 1,650,000원 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 1,650,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 2,100,000원 2,100,000원 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 2,100,000원 2,100,000원 2,100,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 1,900,000원 34 Page

35 SK하이닉스 (000660) 일자 투자의견 BUY BUY Not Rated 애널리스트 BUY BUY 목표주가 40,000원 36,000원 변경 36,000원 36,000원 일자 투자의견 BUY Not Rated 애널리스트 BUY BUY BUY 목표주가 36,000원 변경 27,000원 27,000원 30,000원 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 30,000원 30,000원 30,000원 30,000원 30,000원 30,000원 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 30,000원 33,000원 33,000원 33,000원 35,000원 35,000원 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 35,000원 35,000원 39,000원 39,000원 39,000원 39,000원 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 일자 투자의견 BUY BUY BUY BUY BUY BUY 목표주가 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 41,000원 일자 투자의견 BUY BUY 목표주가 41,000원 41,000원 삼성전자(005930) SK하이닉스(000660) 본 자료는 고객의 투자 판단을 돕기 위한 정보제공을 목적으로 작성된 참고용 자료입니다. 본 자료는 조사분석 담당자가 신뢰할 수 있는 자료 및 정보를 토대로 작성한 것이나, 제공되는 정보의 완전성이나 정확성을 당 사가 보장하지 않습니다. 모든 투자의사결정은 투자자 자신의 판단과 책임하에 하시기 바라며, 본 자료는 투자 결과와 관련한 어떠한 법적 분쟁의 증거로 사용될 수 없습니다. 본 자료는 당사의 저작물 로서 모든 저작권은당사에 있으며, 당사의 동의 없이 본 자료를 무단으로 배포, 복제, 인용, 변형할 수 없습니다. Securities 35 Page

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37 Memo 이 페이지는 편집상 공백입니다. 37 Page

38 Memo 이 페이지는 편집상 공백입니다. 38 Page

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