출력전력표 PB 동판면적 1 금속히트싱크 1 23VA ±15% 4 85~265VA 23VA ±15% 4 85~265VA 제품 5 제품어댑터 5 2 오픈프레임 3 어댑터 2 오픈프레임 3 어댑터 2 오픈프레임 3 어댑터 2 오픈프레임 3 TOP264VG 21W 34W 1

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1 TOPwitchJX 제품군 고효율파워서플라이를위한 Ecomart 기술을사용하는통합오프라인스위처 제품의주요특징 Ecomart 에너지효율성 1~245W 의애플리케이션에이상적 전체부하범위에서효율적인에너지소비 265VA 에서 1mW 미만의무부하소비전력 23VA 에서 1W 입력시경우최대 75mW 대기출력전력 A IN V OUT 저가형시스템용설계에높은유연성제공 멀티모드 PWM 컨트롤로모든부하에서효율극대화 132kHz 에서작동하므로트랜스포머및파워서플라이의크기감소 66kHz 시최대효율 정확한프로그래밍이가능한전류제한기능 라인리플제거를위해최적화된라인피드포워드 주파수지터링으로 EMI 필터비용절감 스타트업스트레스를최소화하기위한소프트스타트기능내장 725V 정격 MOFET 설계정격감소규격의준수용이 TOPwitchJX 그림 1. 일반적인플라이백애플리케이션. ONTROL X F PI 다양한보호기능 과부하로인하고장시오토 리스타트기능을통해전력공급을 <3% 로제한 출력단락보호 (P) 출력과전류보호 (OP) 출력과부하보호 (OPP) 출력과전압보호 (OVP) 히스테리시스 (Hysteresis)/ 래칭셧다운설정가능 간단하고빠른 A 리셋 1 차측센싱또는 2 차측센싱 입력저전압 (UV) 감지기능으로턴오프글리치방지 입력과전압 (OV) 셧다운기능으로라인서지내성확대 큰히스테리시스를갖는정확한써멀셧다운 (OTP) 기능 고급패키지옵션 eip 12 패키지 : PB/ 금속히트싱크사용시유니버셜입력에서각각 43W/117W 출력파워가능 초슬림설계를위한로우프로파일수평디스플레이 (horizontal orientation) PB 와히트싱크모두에열전달 선택형외부히트싱크의사용으로 TO22 와같은수준의써멀임피던스제공 eip 7 패키지 : 유니버셜입력에서 177W 출력파워가능 PB 풋프린트를최소화하기위한수직디스플레이 (vertical orientation) 클립을사용한간단한히트싱크장착으로 TO22 와같은수준의써멀임피던스제공 eop 12 패키지 : 유니버셜입력에서 66W 출력파워가능 초슬림설계를위한로우프로파일표면실장 노출패드와 OURE 핀을통해 PB 로열을전달 웨이브솔더링또는리플로우솔더링가능 eip7(e 패키지 ) 그림 2. 패키지옵션. RAIN 핀으로연면거리연장 낮은 EMI 를위해히트싱크를 OURE 으로연결 설명 TOPwitchJX 는 725V 파워 MOFET, 고전압스위칭전류소스, 멀티모드 PWM 컨트롤, 오실레이터, 써멀셧다운회로, 고장보호회로및기타컨트롤회로를모놀리식칩에경제적인비용으로통합시킨제품입니다. 일반애플리케이션 노트북또는랩톱어댑터 일반어댑터 프린터 L 모니터 셋톱박스 P 또는 L TV 대기전력 오디오앰플리파이어 출력전력정격다음페이지를참조하십시오. eop12(k 패키지 ) eip12(v 패키지 ) 211 년 1 월

2 출력전력표 PB 동판면적 1 금속히트싱크 1 23VA ±15% 4 85~265VA 23VA ±15% 4 85~265VA 제품 5 제품어댑터 5 2 오픈프레임 3 어댑터 2 오픈프레임 3 어댑터 2 오픈프레임 3 어댑터 2 오픈프레임 3 TOP264VG 21W 34W 12W 22.5W TOP264KG 3W 49W 16W 3W TOP265VG 22.5W 36W 15W 25W TOP265KG 33W 53W 2W 34W TOP266VG 24W 39W 17W 28.5W TOP266KG 36W 58W 23W 39W TOP267VG 27.5W 44W 19W 32W TOP267KG 4W 65W 26W 45W TOP268VG 3W 48W 21.5W 36W TOP268KG 46W 73W 3W 5W TOP269VG 32W 51W 22.5W 37.5W TOP269KG 5W 81W 33W 55W TOP27VG 34W 55W 24.5W 41W TOP27KG 56W 91W 36W 6W TOP271VG 36W 59W 26W 43W TOP271KG 63W 12W 4W 66W 표 1. 출력전력표. 참고 : 1. 자세한내용은주요애플리케이션고려사항섹션을참조하십시오. 2. 일반비환기밀폐구조 (nonventilated enclosed) 어댑터에서의최대연속전력은주변온도 5 에서측정. 3. 오픈프레임설계에서지속되는최소전력은주변온도 5 에서측정 VA 또는 11/115VA( 배전압포함 ). 5. 패키지 : E: eip7, V: eip12, K: eop12. 부품주문정보섹션을참조하십시오. TOP264EG/VG 3W 62W 2W 43W TOP265EG/VG 4W 81W 26W 57W TOP266EG/VG 6W 119W 4W 86W TOP267EG/VG 85W 137W 55W 13W TOP268EG/VG 15W 148W 7W 112W TOP269EG/VG 128W 162W 8W 12W TOP27EG/VG 147W 19W 93W 14W TOP271EG/VG 177W 244W 118W 177W 2

3 ONTROL () Z V 1 INTERNAL UPPLY RAIN () HUNT REGULATOR/ ERROR AMPLIFIER 5.8 V 4.8 V INTERNAL UV OMPARATOR VOLTAGE MONITOR (V) FREQUENY (F) OFT TART I FB 5.8 V K P(UPPER) V I (LIMIT) EXTERNAL URRENT LIMIT (X) URRENT LIMIT AJUT V BG V T 1 V ON/OFF V OVP OV/ UV LINE ENE MAX TOP LOGI MAX TOP OFT TART OILLATOR WITH JITTER 66k/132k F REUTION MAX LOK 16 HUTOWN/ AUTORETART HYTERETI THERMAL HUTOWN R Q K P(LOWER) URRENT LIMIT OMPARATOR ONTROLLE TURNON GATE RIVER OURE () LEAING EGE BLANKING F REUTION K P(UPPER) K P(LOWER) OFT TART I FB I P(UPPER) I P(LOWER) PWM OFF PI OURE () 그림 3. 기능블록다이어그램. 핀기능설명 RAIN() 핀 : 고전압파워 MOFET RAIN 핀. 내부스타트업바이어스전류는스위칭고전압전류소스를통해이핀에서흐릅니다. 드레인전류의내부전류제한센싱점입니다. ONTROL() 핀 : 듀티사이클제어를위한에러앰플리파이어및피드백입력전력핀입니다. 정상적인동작시내부바이어스전류를제공할수있도록내부션트레귤레이터를연결합니다. 공급바이패스및오토 리스타트 / 보정커패시터에대한연결지점으로도사용됩니다. EXTERNAL URRENT LIMIT(X) 핀 : 외부전류제한조정원격 ON/OFF 및장치리셋용입력핀입니다. OURE 핀에연결하면이핀의모든기능이작동하지않게됩니다. 이핀은플로우팅상태로두어서는안됩니다. VOLTAGE MONITOR(V) 핀 : OV, UV, MAX 감소기능이있는라인피드포워드, 출력 OVP( 과전압보호 ), 원격 ON/OFF 용입력핀입니다. OURE 핀에연결하면이핀의모든기능이작동하지않게됩니다. 이핀은플로우팅상태로두어서는안됩니다. FREQUENY(F) 핀 : OURE 핀에연결할경우에는스위칭주파수 132kHz 를선택하고 ONTROL 핀에연결할경우에는 66kHz 를선택할수있는입력핀입니다. 이핀은플로우팅상태로두어서는안됩니다. OURE() 핀 : 고전압전력리턴용출력 MOFET 소스연결핀. 1 차측컨트롤회로커먼및레퍼런스지점입니다. NO ONNETION(N) 핀 : 내부로연결되지않는플로우팅핀입니다. E 패키지 (eip7) V X F 7 Exposed Pad (Hidden) Internally onnected to OURE Pin Exposed Pad (On Bottom) Internally onnected to OURE Pin V 1 X 2 3 F 4 그림 4. 핀구성 ( 위쪽보기 ). 6 Exposed Pad Internally onnected to OURE Pin V 패키지 (eip12) 1 V 2 X 3 4 F K 패키지 (eop12) PI

4 Input Voltage R L X V 4MΩ ONTROL R IL 12kΩ V UV = I UV R L V V (I V = I UV ) V OV = I OV R L V V (I V = I OV ) For R L = 4MΩ V UV = 12.8 V V OV = 451 V V = 76% V = 41% For R IL = 12kΩ I LIMIT = 61% 다른저항값 (R IL ) 에대해서는그림 37 를참조하여다른 I LIMIT 값을선택하십시오. PI uty ycle (%) 78 AutoRestart lope = PWM Gain ONTROL urrent 그림 5. 패키지라인센싱및외부에서설정된전류제한. TOP 기능설명 TOPwitchHX 와마찬가지로 TOP 은고전압파워 MOFET 의오픈드레인출력지점에서제어입력지점의전류를듀티사이클로변환시키는고집적스위칭모드파워서플라이칩입니다. 정상적인작동중에는그림 6 에서보듯이 ONTROL 핀전류가증가함과동시에파워 MOFET 의듀티사이클이선형적으로감소합니다. rain Peak urrent To urrent Limit Ratio (%) Full Frequency Mode ONTROL urrent 고전압스타트업, 사이클별전류제한, 루프보상회로, 오토 리스타트및써멀셧다운과같은 3 단자 TOPwitch 기능외에도 TOP 에는시스템비용을줄이고전원공급성능및설계유연성을높이는여러가지추가기능이통합되었습니다. 디바이스의경제성을위해특허를받은고전압 MO 기술을통해고전압파워 MOFET 과저전압컨트롤회로를단일모놀리식칩에내장시켰습니다. FREQUENY, VOLTAGEMONITOR 및 EXTERNAL URRENT LIMIT 등 3 단자를사용하여몇가지새로운기능을구현하였습니다. 이러한단자를 OURE 핀에연결하면 TOPwitch 와유사한 3 단자모드에서 TOP 을작동할수있습니다. TOP 은외부부품을필요로하지않으면서도다음과같은여러가지우수한기능을제공합니다. 1. 고집적 17ms 소프트스타트는스타트업동안피크전류및전압을제한하기위해전류제한및주파수를모두낮은상태에서높은상태로변경하여대부분의애플리케이션에서최대출력오버슈트를크게줄이거나제거합니다. 2. 최대듀티사이클 ( MAX ) 이 78% 로설정되므로입력저장커패시터의크기와입력전압요구사항은감소하고출력전력성능은향상됩니다. 3. 멀티모드동작은전체부하범위에서전력공급효율성을최적화하고향상시키는한편다중출력서플라이에서우수한크로스레귤레이션을유지합니다. 4. 스위칭주파수가 132kHz 이면트랜스포머크기를줄일수있으며 EMI 에별다른영향을주지않습니다. 5. 주파수지터링은고부하상태에서최대주파수모드의 EMI 를줄입니다. 6. 히스테리시스과열셧다운으로써멀문제발생을방지합니다. 7. 핀이제거된패키지및리드포밍패키지는큰드레인연면거리를제공합니다. Frequency (khz) I 1 I B Jitter I 1 그림 6. ontrol 핀특성 ( 멀티모드동작 ). Variable Frequency Mode I 2 Low Frequency Mode Multiycle Modulation I I ONTROL 3 OFF urrent PI 오픈루프고장, 회로단락또는레귤레이션이되지않는경우에파워서플라이및부하보호를위하여오토 리스타트듀티사이클및주파수가감소됩니다. 9. I 2 f 파워계수, 전류제한감소, PWM 게인및써멀셧다운에대한오차허용범위가더타이트합니다. VOLTAGEMONITOR(V) 핀은일반적으로 4MΩ 저항을정류 고전압라인에연결하여입력과전압 (OV), 입력저전압 (UV) 및 MAX 감소기능이있는듀얼슬로프방식의라인피드포워드를구현하기위하여입력전압센싱에사용됩니다. 이모드에서는저항값이 OV/UV 기준값을결정하고 MAX 가듀얼슬로프에따라선형적으로감소되어라인리플제거기능이향상됩니다. 뿐만아니라이핀은래칭및히스테리시스 (Hysteresis) 출력과전압보호 (OVP) 를구현하는다른기준점도제공합니다. 이핀은 I UV 기준값을사용하여원격 ON/OFF 로사용할수도있습니다. 4

5 저항을통해 OURE 핀에연결하여외부에서전류제한값을작동피크전류에가까운값으로줄이는데 EXTERNAL URRENT LIMIT(X) 핀을사용할수있습니다. 이핀은원격 ON/OFF 입력으로사용할수도있습니다. FREQUENY(F) 핀은 OURE 핀에연결된경우에풀주파수 PWM 모드에서스위칭주파수를기본값인 132kHz 로설정합니다. 이핀을대신 ONTROL 핀에연결하면 1/2 주파수옵션인 66kHz 를선택할수있습니다. 이핀은오픈상태로두지않는것을권장합니다. ONTROL() 핀작동공급전류와피드백전류가결합되어있는전류를수신할수있는낮은임피던스노드입니다. 정상상태에서는션트레귤레이터가피드백신호와공급전류를분리합니다. ONTROL 핀전압 V 는 MOFET 게이트드라이버를포함한컨트롤회로용공급전압입니다. 외부바이패스커패시터는 ONTROL 핀과 OURE 핀사이에가깝게연결되어있어서게이트구동전류를즉시공급할수있습니다. 또한이핀에연결된총커패시턴스는컨트롤루프보상뿐만아니라오토 리스타트타이밍을결정합니다. 초기에 MOFET 이 OFF 되어있는상태에서스타트업을하게되면정류된 전압이 RAIN 핀에인가되고 RAIN 핀과 ONTROL 핀사이에내부로연결된고전압전류소스를통해 ONTROL 핀커패시터를충전합니다. ONTROL 핀전압 V 가약 5.8V 에도달하면컨트롤회로가동작하고소프트스타트가시작됩니다. 소프트스타트회로는 17ms 동안에 MOFET 의듀티싸이클을 에서부터최대값까지점차적으로증가시킵니다. 소프트스타트가끝날때까지외부피드백 / 공급전류가 ONTROL 핀으로유입되지않으면고전압전류소스는 OFF 되고컨트롤회로에서발생된공급전류로 ONTROL 핀은방전을시작합니다. 파워서플라이가적절히설계되었고오픈루프또는출력쇼트등의고장상태가없다면피드백루프는 ONTROL 핀전압이약 4.8V( 내부공급저전압록아웃기준값 ) 의하한기준값으로방전하기전에외부에서 ONTROL 핀에전류를공급하는폐회로가됩니다. 외부에서공급되는전류가 ONTROL 핀을 5.8V 의션트레귤레이터전압까지충전하면칩소비량을초과하는전류가그림 3 에서보듯이 NMO 전류미러을통해 OURE 핀으로션트됩니다. 이 NMO 전류미러의출력전류는파워 MOFET 의듀티사이클을제어하여클로즈루프레귤레이션을제공합니다. 1 차피드백구성에서사용될경우션트레귤레이터는에러앰플리파이어의게인을설정하는한정된저출력임피던스 Z 를갖습니다. ONTROL 핀의동적임피던스 Z 는외부 ONTROL 핀커패시턴스와함께컨트롤루프의주극점을설정합니다. 오픈루프또는출력쇼트등의고장상태로인해 ONTROL 핀으로의외부전류의흐름이방해되는경우에는 ONTROL 핀에있는커패시터는 4.8V 까지방전됩니다. 4.8V 에도달하면오토 리스타트가동작하여출력 MOFET 를 OFF 시키고컨트롤회로를저전류대기모드로전환시킵니다. 그러면고전압전류소스는켜지고외부커패시턴스를다시충전합니다. 그러면히스테리시스 (Hysteresis) 를가진내부공급저전압비교기가그림 8 에서보듯이고전압전류소스를 ON, OFF 시켜서 V 를 4.8~5.8V 이내의범위로유지시킵니다. 오토 리스타트회로는 16 진카운터를가지고있기때문에 16 번의방전 / 충전사이클이이루어지기전에 MOFET 이다시 ON 되는것을방지합니다. 이는 16 진카운터가풀카운트 (15) 에도달했을경우에만출력 MOFET 이동작함으로써구현됩니다. 이카운터는오토 리스타트듀티사이클을일반적으로 2% 로감소시켜 TOP 이소비하는전력을효과적으로제한합니다. 오토 리스타트모드는피드백루프가폐루프가되어출력전압레귤레이션이다시적용될때까지계속됩니다. 오실레이터및스위칭주파수내부오실레이터는 PWM(Pulse Width Modulator) 에사용될삼각파를생성하기위해내부커패시턴스를 2 개의전압사이에서선형적으로충전하고방전합니다. 이오실레이터는각사이클의시작점에서 PWM/ 전류제한래칭을설정합니다. 기본적인 EMI 주파수를 15kHz 미만으로유지하면서트랜스포머크기를최소화하기위해풀스위칭주파수 132kHz 를선정했습니다. ONTROL 핀에단락이발생하면 FREQUENY 핀은전스위칭주파수를 66kHz(1/2 주파수 ) 로낮춥니다. 1/2 주파수는노이즈에민감한비디오애플리케이션이나고효율대기모드에적합합니다. 그렇지않고기본 132kHz 를유지하려면 FREQUENY 핀을 OURE 핀에연결해야합니다. 그림 7 에서보듯이스위칭주파수는 25Hz( 기본값 ) 의비율로지터링 ( 주파수변조 ) 되는데 66kHz 의경우에는약 ±2.5kHz, 132kHz 의경우에는 ±5kHz 로지터링되어 EMI 노이즈를크게감소시킵니다. 시스템이피크드레인전류가고정된상태로가변주파수모드로진입하면점차적으로지터링이 OFF 됩니다. PWM PWM(Pulse Width Modulator, 펄스폭변조 ) 은칩의내부공급전류의초과분이출력 MOFET 을구동함으로써멀티모드컨트롤을실행하는데, 이 MOFET 의듀티싸이클은 ONTROL 핀에흐르는전류에반비례합니다 ( 그림 6 참조 ). 초과전류의형태인피드백오차신호는일반적으로코너주파수가 7kHz 인 R 네트워크로필터링되어 MOFET 게이트드라이버에의해생성된칩공급전류의스위칭노이즈를감소시킵니다. 파워서플라이의효율성을최적화하기위해네가지컨트롤모드가구현됩니다. 최대부하에서는모듈레이터가풀주파수 PWM 모드로동작합니다. 부하가감소하면모듈레이터가처음에는가변주파수 PWM 모드로, 그다음에는저주파 PWM 모드로자동으로전환됩니다. 경부하시에는 PWM 컨트롤에서멀티사이클변조제어로변화하고모듈레이터는멀티사이클모듈레이션으로동작합니다. 모드간에원활하게전환되도록여러모드가다르게작동하지만그림 6 에서보듯이세가지 PWM 모드전체에서듀티사이클과 ONTROL 핀초과전류사이에단순한관계가유지됩니다. 각모드의동작및모드간이동에대한자세한내용은다음섹션을참조하십시오. 풀주파수 PWM 모드 : ONTROL 핀전류 (I ) 가 I B 에도달하면 PWM 모듈레이터는풀주파수 PWM 모드로진입합니다. 이모드에서는평균스위칭주파수가 f O ( 핀선택형 132kHz 또는 66kHz) 으로일정하게유지됩니다. I 가 I B 를초과하여증가하게되면온 타임이감소하기때문에듀티사이클이 MAX 에서부터감소합니다. 이동작은다른모든 TOPwitch 제품군의 PWM 컨트롤과동일합니다. TOP 은사이클별피크드레인전류가 k P(UPPER) I LIMIT ( 설정 ) 이상으로유지되는경우이모드로만동작합니다. 여기서 k P(UPPER) 는 55%( 일반 ) 이고 I LIMIT ( 설정 ) 은 X 핀을통해외부에서설정된전류제한값입니다. 가변주파수 PWM 모드 : 파워서플라이부하가감소하여피크드레인전류가 k P(UPPER) I LIMIT 으로낮아지게되면 PWM 모듈레이터는주파수가변 PWM 모드를시작하고주파수지터링은점차적으로 OFF 됩니다. 이모드에서는스위칭주파수가초기 f O 풀주파수 (132kHz 또는 66kHz) 에서최소주파수인 f MM(MIN) ( 일반적으로 3kHz) 으로떨어지는동안, 피크드레인전류는 k P(UPPER) I LIMIT ( 설정 ) 으로일정하게유지됩니다. 듀티사이클감소는오프타임을증가시킴으로서구현됩니다. 5

6 witching Frequency V RAIN f O f O 4 ms 그림 7. 스위칭주파수지터 ( 이상적인 V RAIN 파형 ). Time 저주파수 PWM 모드 : 스위칭주파수가 f MM(MIN) ( 일반적으로 3kHz) 에도달하면 PWM 모듈레이터는저주파수모드로변화합니다. 이모드에서는스위칭주파수가 f MM(MIN) 에서일정한값으로고정되고온타임이감소하기때문에듀티사이클이풀주파수 PWM 모드와비슷하게감소합니다. 초기값인 k P(UPPER) I LIMIT ( 설정 ) 에서최소값인 k P(LOWER) I LIMIT ( 설정 ) 로감소됩니다. 여기서 k P(LOWER) 는 25%( 기준 ) 이고 I LIMIT ( 설정 ) 는 X 핀을통해외부에서설정된전류제한값입니다. 멀티사이클모듈레이션모드 : 피크드레인전류가 k P(LOWER) I LIMIT ( 설정 ) 로낮아지면모듈레이터는멀티사이클모듈레이션모드로전환됩니다. 이모드에서는, 모듈레이터는스위칭주파수 f MM(MIN) (3kHz 에서 4 또는 5 개의연속펄스 ) 에서각각턴 온될때마다 T MM(MIN) 주기동안 k P(LOWER) I LIMIT ( 설정 ) 의피크드레인전류값까지스위칭을하고 ONTROL 핀전류가 I (OFF) 이하로떨어질때까지오프상태를유지합니다. 이작동모드는피크드레인전류를낮게유지시킬뿐만아니라 6~3kHz 사이의고조파주파수도최소화합니다. 이러한방법으로트랜스포머공진주파수를피하면잠재적인모든트랜스포머의가청노이즈를크게감소시킵니다. 최대듀티사이클최대듀티사이클인 MAX 는기본적으로최대값인 78%( 기준 ) 로설정되어있습니다. 그러나적절한값의저항 ( 일반적으로 4MΩ) 을사용하여 VOLTAGEMONITOR 와정류된 고전압버스를연결하면, 입력전압이 88V 에서 38V 로증가할때듀얼게인슬로프로최대듀티사이클을 78% 에서 4%( 기준 ) 까지줄일수있습니다. 에러앰플리파이어션트레귤레이터는 1 차측피드백애플리케이션에서에러앰플리파이어의역할을수행할수도있습니다. 션트레귤레이터전압은온도가보상된밴드갭레퍼런스로부터정확하게발생됩니다. 에러앰플리파이어의게인은 ONTROL 핀의동적임피던스 Z 에의해설정합니다. ONTROL 핀은외부신호를 V 전압레벨로클램핑합니다. 공급전류를초과하는 ONTROL 핀전류는션트레귤레이터에의해분리되고 PWM 용피드백전류 I FB 로바뀝니다. PI 외부에서프로그래밍가능한온칩 (Onhip) 전류제한사이클별피크드레인전류제한회로는출력 MOFET ON 저항을센싱저항으로사용합니다. 전류제한비교기는출력 MOFET ON 상태의드레인소스간전압 V (ON) 과기준값을비교합니다. 높은드레인전류는기준값을초과하는 V (ON) 을발생시켜서다음클럭사이클이시작될때까지출력 MOFET 를 OFF 시킵니다. 전류제한비교기의기준전압은온도보상이되어있어온도변화에의하여출력 MOFET 의 R (ON) 이변하고이에따라전류제한값이변하는것을최소화합니다. TOP 의기본전류제한값은내부에미리설정되어있습니다. 그러나 EXTERNAL URRENT OURE 핀사이에저항을연결하여전류제한값을기본값의 3~1% 범위내에서더낮은수준으로외부에서프로그래밍할수있습니다. 전류제한을낮게설정하여필요한출력용량보다더큰 TOP 을사용하면 R (ON) 이낮아더높은효율을얻고더작은방열판으로구현이가능하다는이점를이용할수있습니다. EXTERNAL URRENT LIMIT(X) 핀과정류 전압사이에두번째저항을연결하면입력전압이증가함에따라전류제한값이감소되어입력전압에변동이있어도출력파워의제한이잘실행될수있도록합니다. R 클램프를사용하면파워제한기술은높은입력전압에서최대클램프전압을줄입니다. 이는더높은 VOR 의설계가가능하며클램프손실도줄일수있습니다. 리딩엣지블랭킹회로는출력 MOFET 가턴온된후짧은시간동안전류제한비교기를동작시키지않습니다. 파워서플라이가적절히설계되었다면 1 차측커패시턴스와 2 차측다이오드의역회복시간으로인해발생하는전류스파이크에따라스위칭펄스가조기종료되지않도록하기위하여리딩엣지블랭킹시간이설정되어있습니다. 리딩엣지블랭킹시간이후의짧은구간동안은전류제한값이정상값보다더낮습니다. 이것은 MOFET 의동적특성때문입니다. 스타트업및고장상태에서는컨트롤러가스위칭주파수를감소시켜드레인전류가초과되는것을방지합니다. 입력저전압탐지 (UV) 스타트업할때, 입력전압이저전압기준값에도달할때까지 UV 기능이 TOP 을계속해서오프상태로유지합니다. 파워다운시에는출력이레귤레이션을벗어난후에 UV 기능이오토 리스타트를못하도록합니다. 이는보조전원과같은애플리케이션처럼파워다운시에대용량입력저장커패시터의느린방전으로인한글리치현상을방지합니다. VOLTAGEMONITOR 핀과정류 전압사이에저항을연결하여파워업하는동안사용되는 UV 기준값을설정할수있습니다. 파워서플라이를켜면 UV 기준값이초기 UV 기준값의 44% 까지낮아져입력전압에대한동작범위 ( 낮은 UV 기준값 ) 가넓어집니다. 파워서플라이가레귤레이션이유지하면서동작하는중에낮은 UV 기준값에도달하면디바이스는 OFF 되고 UV( 높은기준값 ) 에다시도달할때까지계속오프상태를유지합니다. 낮은 UV 기준값에도달하기전에파워서플라이가레귤레이션을유지하지못하면디바이스는오토 리스타트에진입합니다. 각오토 리스타트사이클 (15) 의마지막에서 UV 비교기가동작됩니다. 높은 UV 기준값을초과하지못하면다음사이클까지 MOFET 이동작하지않습니다 ( 그림 8 참조 ). UV 기능을 OV 기능과별도로사용하지않도록설정할수있습니다. 6

7 ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ TOP V LINE V V V V RAIN V V OUT V V UV V 4.8 V 참고 : 부터 15 는오토 리스타트카운터의출력상태입니다. PI 그림 8. (1) 파워업 (2) 정상작동 (3) 오토 리스타트 (4) 파워다운의일반적인파형. 입력과전압셧다운 (OV) UV 에사용되는저항과동일한저항이과전압기준값을설정합니다. 이과전압기준값을초과하면전류스위칭사이클이완료된후바로 TOP 은스위칭을중단합니다. 이상태가최소 1ms 동안지속되면 TOP 출력이강제로 OFF 됩니다. 노이즈로인하여트리거되는것을방지하기위하여 OV 기준값에약간의히스테리시스 (Hysteresis) 가제공되고입력전압이다시정상으로돌아오면, 상태기기 (state machine) 는 13 에설정하고다시스위칭을하기전에 TOP 이강제로전체오토 리스타트시퀀스를모두이행하도록합니다. OV 와 UV 기준값의비율은그림 9 에서보듯이 4.5 로미리설정되어있습니다. MOFET 이 OFF 되면드레인에 VOR 및누설스파이크전압이없어지기때문에정류된 전압서지내성은 MOFET 의정격전압 (725V) 까지증가합니다. OV 기능을 UV 기능과별도로사용하지않도록설정할수있습니다. TOP 의무부하소비전력을감소시키기위해 V 핀은매우낮은전류에서동작해야합니다. 따라서노이즈커플링을방지하도록 PB 를설계할때레이아웃을신중하게고려해야합니다. V 핀에연결된패턴과부품은스위칭전류가흐르는패턴과인접하지않아야합니다. 이러한패턴에는드레인, 클램프네트워크, 바이어스권선그라운드, 다른컨버터의파워패턴이있습니다. 입력전압센싱기능을사용하는경우센싱저항을 V 핀으로부터 1mm 이내에배치하여 V 핀노드영역을최소화해야합니다. 그런다음 전압을입력전압센싱저항으로라우팅해야합니다. 외부커패시턴스를 V 핀에연결하면 V 핀과관련된기능이오작동할수있으므로절대로연결하지않도록합니다. 래칭또는히스테리시스출력과전압보호 (OVP) 입력과전압기준값을트리거하여히스테리시스 (Hysteresis) 또는출력과전압보호 (OVP) 를감지합니다. V 핀전압은.5V 씩떨어지고, 전압이떨어진후에컨트롤러가외부에부속되어있는임피던스를측정합니다. I V 가 1ms 이상 I OV(L) ( 일반적으로 336mA) 를초과하면 TOP 이래칭 OVP 를하기위해오프상태를계속유지합니다. 이상태는 I X 가 I X(TH) = 27mA( 일반 ) 를초과하거나 V 가파워업리셋기준값 (V (REET) ) 이하로떨어졌다가다시정상으로돌아올경우에만리셋할수있습니다. I V 가 I OV(L) 를초과하지않거나 1ms 보다짧으면 TOP 은입력과전압및히스테리시스 (Hysteresis) 를갖는 OVP 를시작합니다. 이러한동작은이전섹션에자세히설명되어있는입력과전압셧다운 (OV) 과동일합니다. 피드백을받지못해서나타나는고장상태동안에는출력전압이정상전압이상으로빠르게상승합니다. 출력전압이상승하는것은바이어스권선출력의전압이증가하는원인이됩니다. 바이어스권선의출력단전압이바이어스권선출력과 V 핀사이에연결된제너다이오드의정격전압과 V 핀전압의합계를초과할경우 I V 를초과하는전류가 V 핀으로흐르게되어 OVP 기능이트리거됩니다. 7

8 오픈루프가발생한경우파워서플라이가과부하나낮은입력전압하에서동작되고있으면출력전압은급격히상승하지않습니다. 이러한상태에서는부하나라인상태가변하지않는한래칭셧다운이발생하지않습니다. 그럼에도불구하고 OVP 기능은라인이나부하상태가변경될경우에출력전압이크게상승하지않도록방지함으로써필요한보호기능을제공합니다. 일반적인애플리케이션에서는 TOP 의 1 차측 OVP 보호기능은오픈루프시 12V 출력이약 2V 이상상승하지않도록방지합니다. 정밀도가더높아야하는경우 2 차측센싱 OVP 회로를사용하는것을권장합니다. MAX 감소기능이있는라인피드포워드 UV 와 OV 에사용되는동일한저항으로라인피드포워드를구현하여출력라인리플을최소화하고파워서플라이의과도상태에대한출력민감도를감소시킵니다. 동일한 ONTROL 핀전류일경우입력전압이높을수록동작하는듀티사이클은더작아집니다. 추가된기능때문에최대듀티사이클 MAX UV 기준값보다조금낮은전압에서 78%( 기준값 ), OV 기준값에서는 36%( 기준값 ) 까지감소됩니다. 정상적인작동중에이기능이 TOP 의파워용량을제한하지않도록높은입력전압에서 MAX 는 36% 로지정되어있습니다. TOP 은 2 가지기울기로이상적인피드포워드를제공하는데더욱적합합니다 : 195V(4MΩ 라인임피던스에대해일반적 ) 미만의모든 전압의경우 μa 당 1% 이고 195V 를초과하는모든 전압의경우에는 μa 당.25% 입니다. 원격 ON/OFF VOLTAGEMONITOR 핀으로흐르는전류나 EXTERNAL URRENT LIMIT 핀에서나오는전류를컨트롤함으로써 TOP 을 ON 또는 OFF 합니다. 뿐만아니라 VOLTAGEMONITOR 핀에는입력에연결되어있는기준값 1V 의비교기가있습니다. 이전압기준값은원격 ON/OFF 컨트롤에사용됩니다. VOLTAGEMONITOR 핀또는 EXTERNAL URRENT LIMIT 핀에서신호를수신하여 OV, UV 및원격 ON/OFF 와같은핀기능중하나를통해출력을사용하지않도록설정하면 TOP 은출력이강제로해제되기전에항상전류스위칭사이클을완료합니다. 위에서보듯이원격 ON/OFF 기능은대기모드또는파워스위치로도사용하여 TOP 을오프시켜오랫동안매우낮은소비전력을유지할수있습니다. ONTROL 핀이내부공급저전압기준값인 4.8V 까지방전될수있을정도로오랫동안 (47µF ONTROL 핀커패시터의경우약 32ms) TOP 이원격 OFF 상태에있으면 ONTROL 핀이레귤레이션의히스테리시스 (Hysteresis) 모드로전환됩니다. 이모드에서 ONTROL 핀은 4.8V 와 5.8V 사이에서충전및방전사이클을반복하고 ( 앞서설명한 ONTROL 핀작동섹션참조 ) 입력전압은 OFF 가되어소비전력이매우낮아집니다 (X 핀을오픈하고 23VA 입력전압에서일반적으로 1mW 미만 ). 이모드로전환된후에 TOP 이원격으로턴온되면 ONTROL 핀이 5.8V 에도달한다음에소프트스타트를하는정상적인스타트업순서를시작하게됩니다. 최악의경우에는원격온에서스타트업까지의딜레이가 ONTROL 핀의전체방전 / 충전사이클시간 (ONTROL 핀에 47µF 의커패시터를사용한경우약 125ms) 과같아질수있습니다. 이와같이전력소비를줄이고원격 OFF 모드를사용하여값비싸고신뢰성없는기계스위치를제거할수있습니다. 또한이는잉크젯및프린터와같은애플리케이션에서요구되는마이크로프로세서제어 ON/OFF 시퀀스를가능하게합니다. Voltage Monitor 및 External urrent Limit 핀표 * 그림번호 단자작동 3 입력저전압 (UV) 입력과전압 (OV) 라인피드포워드 ( MAX ) 출력과전압보호 (OVP) 3 출력과부하보호 (OPP) 3 외부전류제한 원격 ON/OFF 디바이스리셋 빠른 A 리셋 3 A 브라운아웃 3 * 이표에는가능한여러가지 VOLTAGE MONITOR 및 EXTERNAL URRENT LIMIT 핀구성중일부만나와있습니다. 표 2. VOLTAGE MONITOR(V) 핀및 EXTERNAL URRENT LIMIT(X) 핀구성옵션 8

9 X Pin V Pin Output MOFET witching (Enabled) (isabled) I REM(N) I UV I OV I OV(L) (Nonlatching) (Latching) 서플라이출력이레귤레이션을벗어날경우동작하지않음 I I LIMIT (efault) urrent Limit I MAX (78%) Maximum uty ycle I Pin Voltage V BG I X and V Pins urrent (µa) 참고 : 이그림은일반적인성능값을사용한이상적인기능특성을보여줍니다. 측정데이터에대한자세한내용은데이터시트의파라미터표와일반성능특성섹션을참조하십시오. 각기능핀작동에대한자세한내용은데이터시트의기능설명섹션을참조하십시오. PI 그림 9. VOLTAGE MONITOR 및 EXTERNAL URRENT LIMIT 핀특성. 소프트스타트 17ms 소프트스타트는풀주파수모드로진입하기전에저주파 PWM 모드에서가변주파수모드로동작하여피크드레인전류및스위칭주파수를최소값부터최대값까지선형적으로증가시킵니다. 소프트스타트기능은스타트업뿐만아니라오토 리스타트중각리스타트시에동작하고, 원격 OFF 또는써멀셧다운으로인하여 ONTROL 핀전압 (V ) 의히스테리시스 (Hysteresis) 레귤레이션후다시시작하는경우에도동작합니다. 이기능은스타트업하는동안출력 MOFET, 클램프회로및출력다이오드가받는전류, 전압스트레스를효과적으로최소화시킵니다. 그리고스타트업하는동안출력오버슈트를최소화하고트랜스포머의포화를방지하는데에도도움이됩니다. 셧다운 / 오토 리스타트 (OP, P, OPP 의경우 ) 레귤레이션을벗어나는조건이지속될경우셧다운 / 오토 리스타트회로가전체듀티의 2% 의오토 리스타트듀티사이클로파워서플라이를온, 오프시켜, 과전류 (O), 단락회로 () 또는과전력 (OP) 와같은고장상태에서 TOP 의전력손실을최소화시킵니다. 레귤레이션을벗어나면외부전류가 ONTROL 핀으로흐르지못합니다. ONTROL 핀작동섹션에설명한것처럼 V 레귤레이션은션트모드에서히스테리시스 (Hysteresis) 가있는오토 리스타트모드로변경됩니다. 고장상태가제거되면파워의출력이정상으로되고 V 레귤레이션은다시션트모드로돌아가파워서플라이의정상작동이다시시작됩니다. 9

10 히스테리시스과열보호 (OTP) 정션온도가써멀셧다운온도 ( 일반적으로 142 ) 를초과할경우출력 MOFET 를 OFF 시키는정밀도아날로그회로에서과열보호기능을제공합니다. 정션온도가히스테리시스 (Hysteresis) 온도이하로냉각되면자동으로정상작동이다시시작됩니다. 75 ( 기본값 ) 의큰히스테리시스 (Hysteresis) 는고장상태가지속되어발생되는 PB 의과열을방지합니다. V 는히스테리시스 (Hysteresis) 모드로레귤레이션되고 ONTROL 핀에는 4.8~5.8V( 기본값 ) 사이의톱니파형이나타납니다. 밴드갭레퍼런스모든중요한 TOP 내부전압은온도가보상된밴드갭레퍼런스로부터얻어진것입니다. 이전압레퍼런스를사용하여다른모든내부전류레퍼런스를생성합니다. 이러한내부전류레퍼런스는스위칭주파수, MOFET 게이트구동전류, 전류제한및입력전압 OV/UV/OVP 기준값을정확하게설정하도록조정됩니다. TOP 은매우정밀한규격과온도허용오차내에서위의모든중요파라미터를유지하기위해서향상된회로를내재하고있습니다. 고전압바이어스전류소스전류소스는스타트업이나히스테리시스 (Hysteresis) 동작중에 RAIN 핀에서 TOP 을바이어스시키고 ONTROL 핀의외부커패시턴스를충전시킵니다. 히스테리시스 (Hysteresis) 는오토 리스타트, 원격오프, 써멀셧다운중에발생합니다. 이동작모드에서전류소스는약 35% 의유효듀티사이클을사용하여 ON/ OFF 합니다. 이듀티사이클은 ONTROL 핀충전전류 (I ) 와방전전류 (I 1 및 I 2 ) 의비율에의해결정됩니다. 이전류소스는출력 MOFET 이스위칭하는정상작동시에는 OFF 됩니다. 전류소스스위칭영향은 RAIN 전압파형에서작은변동으로나타나며이는정상입니다. 1

11 ONTROL () 2 µa EXTERNAL URRENT LIMIT (X) (Negative urrent ense ON/OFF, urrent Limit Adjustment, OVP Latch Reset) V BG V T VOLTAGE MONITOR (V) V REF 1 V (Voltage ense, ON/OFF) (Positive urrent ense Undervoltage, Overvoltage, ON/OFF, Maximum uty ycle Reduction, Output Overvoltage Protection) 4 µa PI 그림 1. VOLTAGE MONITOR(V) 핀및 EXTERNAL URRENT LIMIT(X) 핀의단순화된입력회로도. 11

12 FREQUENY(F) 핀의일반적인사용 Input Voltage ONTROL Input Voltage ONTROL F F PI PI 그림 11. 풀주파수작동 (132kHz). 그림 12. 1/2 주파수작동 (66kHz). 12

13 VOLTAGE MONITOR(V) 핀과 EXTERNAL URRENT LIMIT(X) 핀의일반적인사용 Input Voltage 그림 13. X V ONTROL E 패키지 (eip7) V X F F 3 단자작동 (VOLTAGE MONITOR 및 EXTERNAL URRENT LIMIT 기능이작동하지않음. FREQUENY 핀이 OURE 또는 ONTROL 핀에연결됨 ) V 2 X 3 4 F 6 V 패키지 (eip12) K 패키지 (eop12) 1 V 2 X 3 4 F PI Input Voltage R L V 4 MΩ ONTROL V UV = I UV R L V V (I V = I UV ) V OV = I OV R L V V (I V = I OV ) For R L = 4 MΩ V UV = 12.8 V V OV = 451 V V = 76% V = 41% 그림 14. 저전압, 과전압및라인피드포워드에대한입력전압센싱. PI R L V UV = I UV R L V V (I V = I UV ) V OV = I OV R L V V (I V = I OV ) For R L = 4 MΩ V UV = 12.8 V V OV = 451 V ense Output Voltage 4 MΩ 4 MΩ V UV = R L I UV V V (I V = I UV ) For Values hown V UV = 13.8 V R L Input Voltage VR OVP V R OVP 1 V = 76% 375 V = 41% Input Voltage V 4 kω ONTROL R OVP >3kΩ 6.2 V ONTROL PI PI 그림 15. 저전압, 과전압, 라인피드포워드및히스테리시스 (Hysteresis) 를갖고있는출력 OVP( 과전압보호 ) 에대한라인센싱. 그림 16. 저전압에대해서만라인센싱 ( 과전압은해제됨 ). R L V OV = I OV R L V V (I V = I OV ) 4 MΩ For Values hown V OV = V For R IL = 12kΩ I LIMIT = 61% For R IL = 19kΩ I LIMIT = 37% Input Voltage V 55 kω 1N4148 Input Voltage ONTROL 다른저항값 (R IL ) 에대해서는그림 37 참조. ONTROL X R IL PI PI 그림 17. 과전압에대해서만라인센싱 ( 저전압은해제됨 ). 최대값저전압에서최대듀티사이클이감소되고입력전압증가로인하여추가감소됨. 그림 18. 외부에서설정된전류제한. 13

14 VOLTAGE MONITOR(V) 핀과 EXTERNAL URRENT LIMIT(X) 핀의일반적인사용 ( 계속 ) R L 2.5 MΩ I LIMIT = 1 V I LIMIT = 3 V Q R 은옵토커플러또는수동스위치로교체할수도있음. Input Voltage ONTROL Input Voltage ONTROL X X R IL 6 kω QR 47KΩ ON/OFF PI PI 그림 19. 입력전압으로인한전류제한감소. 그림 2. Activeon( 자기보정기능 ) 원격 ON/OFF 및래칭리셋. Input Voltage ONTROL X Q R 은옵토커플러또는수동스위치로교체할수도있음. For R IL =12kΩ I LIMIT = 61% For R IL = 19kΩ I LIMIT = 37% Input Voltage RL X V 4MΩ ONTROL V UV = I UV R L V V (I V = I UV ) V OV = I OV R L V V (I V = I ov ) V = 76% V = 41% Q R 은옵토커플러또는수동스위치로교체할수도있음. For R IL =12kΩ I LIMIT = 61% R IL Q R 16kΩ ON/OFF R IL Q R 16kΩ ON/OFF PI PI 그림 21. 외부에서설정된전류제한이있는 Activeon Remote ON/OFF 및래치리셋. 그림 22. 라인센스및외부전류제한이있는 Activeon 원격 ON/OFF 및래칭리셋. Input Voltage R L 4MΩ V ONTROL X R IL 12kΩ V UV = I UV x R L V V (I V = I UV ) V OV = I OV x R L V V (I V = I ov ) For R L = 4 MΩ V UV = 12.8V V OV = 451V 1V = 76% 375V = 41% For R IL = 12kΩ I LIMIT = 61% 다른저항값 (R IL ) 에대해서는그림 37를참조하여다른 I LIMIT 값선택가능. PI Input Voltage 일반적인 65VA 브라운아웃기준값. <3s A 래칭리셋시간. 무부하입력전력이낮은경우 Q R 의게인이클수록 R1 은증가 /1 은감소. ONTROL X R IL Q R R1 4MΩ R2 39kΩ 1N47 A 1 Input 47nF PI 그림 23. 라인센싱및외부에서설정된전류제한. 그림 24. 외부에서설정된전류제한, 빠른 A 래칭리셋및전압저하. 14

15 애플리케이션예제 낮은무부하소비전력, 고효율, 65W, 유니버셜입력어댑터용파워서플라이 그림 25 에표시된회로는밀폐형어댑터형태로작동하도록설계된 9VA~265VA 입력, 19V, 3.42A 출력파워서플라이입니다. 이설계는최대부하시높은효율성, 최상의평균효율성 (25%, 5%, 75%, 1% 부하점의평균 ) 및무부하시매우낮은소비전력을목표로설계되었습니다. 추가적으로래칭출력과전압셧다운기능과안전기관 LP( 제한전원 ) 제한값준수도포함됩니다. 측정된효율과무부하시의성능은회로도에표시된표에요약되어있습니다. 이러한성능으로전류에너지효율성요구사항을용이하게만족시킵니다. 이러한설계목표를달성하기위해다음과같은주요설계사항이요구됩니다. PI 부품선택 전력공급의높은효율성을위해필요한용량보다큰디바이스선택 TOPwitchJX 의전류제한프로그래밍기능을통해전력전달에필요한것보다큰디바이스를선택할수있습니다. 이를통해과부하전력과트랜스포머등의부품은기존에사용했던작은사이즈를유지하면서도, MOFET 의전도성손실 (I RM 2 R (ON) ) 을줄여최대부하및저전압시의효율성을더높일수있습니다. 이설계를위해전력표에서권장한것처럼전력공급에필요한것보다한사이즈큰디바이스가선택되었습니다. 일반적으로이러한방식이가장높은효율을제공합니다. 디바이스크기를더키울경우대형 MOFET 과관련한스위칭손실이커져효율이동일하거나떨어지는결과를종종가져옵니다. 입력센싱저항값 입력센싱저항을 4MΩ 에서 1.2MΩ 으로늘려무부하입력전력손실을 16mW 로감소 입력센싱은 R3 및 R4 에의해이루어지며입력저전압 (UV) 및과전압기준값을설정합니다. 이러한저항을합한값이표준 4MΩ 에서 1.2MΩ 으로증가되었습니다. 이로인해저항손실이감소하므로무부하입력전력이 ~26mW 부터 ~1mW 까지감소됩니다. 그결과로인한 UV( 턴온 ) 기준값의변화를보상하기위해 ONTROL 핀과 VOLTAGEMONITOR 핀사이에저항 R2 이추가되었습니다. 이를통해서약 16µA 의전류가 V 핀으로흐르기때문에 V 핀의 UV( 턴온 ) 기준전류 25µA 에도달하기위해서는 R3 및 R4 를통해약 9µA 의전류만필요하고 UV 전압값은 95V 으로설정됩니다. 결과 OV 기준값이 ~45V 에서 ~98V 까지상승함에따라이기술은입력 OV 기능을효과적으로제한합니다. 그러나이설계에서는별다른영향을주지않습니다. 입력커패시턴스 (2) 의값이충분히커서 2 kv 보다큰라인서지전압에도피크드레인전압이 U1 의 BV 정격에도달하지않기때문입니다. R2 값에대한구체적인지침과자세한계산은 TOPwitchJX 애플리케이션노트 (AN47) 를참조하십시오. 클램프구성 RZ 와 R 비교 더높은경부하효율성및더낮은무부하소비전력을제공하기위해 R 클램프대신 RZ( 제너블리드 ) 선택 클램프네트워크는 VR2, 4, R5, R6, R11, R28, R29 및 2 로구성됩니다. 이네트워크는누설인덕턴스로인해발생하는피크드레인전압스파이크를 TOPwitchJX 내장 MOFET 의정격 BV 아래로제한합니다. 경부하시효율을높히고무부하시소비전력을향상시키기위해표준 R 클램프가아닌이구성을선택했습니다. L N L3 12 mh L4 2 µh F1 4 A VA Input Voltage (VA) Full Power Efficiency (%) Average Efficiency (%) Noload Input Power (mw) 57.7 R1 R2 2.2 MΩ 2.2 MΩ 1 33 nf 275 VA 1 GBU8J 6 V 2 12 µf 4 V R3 5.1 MΩ R4 5.1 MΩ R9 11 kω 1% R7 1 MΩ R8 1 MΩ R11 3 Ω nf 1 kv R Ω VR2 MAJ25A R5 3 Ω R29 3 Ω TOPwitchJX U1 TOP269EG 4 1 pf 63 V R6 15 Ω 2 R1K R28 3 Ω 3 BAV19W V ONTROL X R2 191 kω 1% F nf 25 V 11 1 nf 25 VA Q1 MMBT443 T1 RM1 FL1 6 1 nf 5 V FL2 5 4 BAV21W 4 7F R14 2 Ω R kω R25 2 Ω 1/8 W R Ω 1/8 W 7 47 µf 16 V 12 1 nf 1 V pf 5 V VR1 ZMM5244B7 R15 33 Ω 5 V µf 35 V R1 1 Ω U3B P251 1HA Q2 MMBT µf 47 µf 25 V 25 V R16 2 kω U3A P251 1HA 22 1 nf 5 V nf 5 V R kω nf 5 V R kω 1% R27 1 kω R19 2 kω U2 LMV431AIMF 1% 21 1 nf 5 V R18 1 kω 1% 19 V, 3.42 A RTN PI 그림 25. 무부하시전력소비가낮은고효율 19V, 65W, 유니버셜입력플라이백파워서플라이의회로도. 15

16 표준 R 클램프에서 4 는저항과직렬로연결된제너가아니라병렬로연결된저항에의해방전됩니다. R 클램프에서는저항값이선택되어최대부하및과부하상태의피크드레인전압을제한합니다. 그러나경부하또는무부하상태에서는누설인덕턴스에너지와스위칭주파수가모두한층더낮으므로이저항값은커패시터전압을방전시킵니다. 커패시터는각스위칭사이클에서 VOR 보다높게재충전해야하므로더낮은커패시터전압은낭비되는에너지를나타냅니다. 이것은마치파워서플라이의출력에연결된것처럼클램프손실을큰부하로보이게만드는효과가있습니다. RZ 배열은커패시터전체전압이최소값 (VR2 의정격전압으로정의된값 ) 아래로방전되지않도록방지하여경부하및무부하상태에서클램프손실을최소화하는방법으로이문제를해결합니다. 저항 R6 및 R28 은 EMI 를줄이기위해고주파수링잉의댐핑을제공합니다. VR2 와직렬로연결된저항을이용하여피크전류를제한하면 M 버전을사용할수있도록 TV 유형을선택했더라도 TV 유형보다표준전력제너를사용하여비용을절감할수있습니다. 역회복시간이 5ns 로더길기때문에일반적인정격 6V 가아닌 8V 를사용하도록다이오드 2 가선택되었습니다. 따라서다이오드의역회복시간동안클램프에너지중일부를복구할수있으므로효율성이향상됩니다. M 부품이사용되었으므로손실을분산시킬수있도록여러개의저항을병렬로사용하였습니다. 피드백구성 달링턴접속 옵토커플러트랜지스터와함께구성되어 2 차측피드백전류를줄이므로무부하입력전력감소 저전압, 저전류전압레퍼런스 I 2 차측에사용되어 2 차측피드백전류를줄이므로무부하시입력전력감소 바이어스권선전압 바이어스권선전압이무부하, 하이라인에서 ~9V 가되도록조정하여무부하입력전력감소 일반적으로하이라인에서 ONTROL 핀으로유입되는피드백전류는 ~3mA 입니다. 이전류는바이어스권선 (1 을통과하는전압 ) 에서공급되기도하고출력에서직접공급되기도합니다. 이러한두전력소스는모두파워서플라이출력의부하를나타냅니다. 무부하상태의바이어스권선에서손실을최소화하기위해 1 전체에최소전압인 ~9V 를공급하도록바이어스권선의턴수와 1 의값을조정했습니다. 이값은옵토커플러를바이어스상태로유지하는데필요한최소값입니다. 2 차측피드백회로의손실을최소화하기위해 Q2 를추가하여 U3B 와의달링턴형태를구성했습니다. 이를통해 2 차측의피드백전류가 ~1mA 로줄었습니다. 트랜지스터의 h FE 로인해증가된루프게인은 R16 값을늘리고 R25 값을추가하여보정했습니다. 표준 2.5V TL431 전압레퍼런스는 1.24V LMV431 로교체되어공급전류요구사항이 1mA 에서 1µA 로줄어들었습니다. 출력정류기선택 출력정류기용으로정격전류가높으면서 V F 는낮은쇼트키정류기다이오드선택 5 는 5A 에서 V F 값이.455V 인듀얼 15A, 1V 쇼트키정류기다이오드가선택되었습니다. 이는저항성순방향전압손실을줄여최대부하의효율과평균효율을모두향상시키는데에필요한것보다더높은정격전류입니다. 1V 쇼트키는트랜스포머 1 차측및 2 차측간의높은권선비 (V OR = 11V) 때문에사용할수있었습니다. 그리고이권선비는 TOPwitchJX 내장 MOFET 의높은정격전압으로인해가능했습니다. 증가된출력과전압셧다운감도 출력과전압셧다운감도를향상시키기위해트랜지스터 Q1 및 VR1 추가 오픈루프조건에서는출력이상승하고그에따라바이어스권선전압도상승합니다. 이전압이 VR1 의전압과 V BE 전압강하를더한값을초과하면 Q1 이켜지고 V 핀으로전류가공급됩니다. Q1 을추가하면파워서플라이가저전압에서동작하는경우출력전압오버슈트가상대적으로작기때문에출력이과부하상태가되더라도래칭셧다운기준값을초과할수있는충분한전류를 V 핀으로흐르게합니다. X 핀과 R7, R8 및 R9 의전류제한프로그래밍기능을통해출력과부하전력제한이제공됩니다. 저항 R8 및 R9 는대체로일정한과부하전력특성을제공하기위해입력전압을상승시키는기능인디바이스전류제한을 LP( 제한전원 ) 요구사항인 1VA 아래로줄입니다. 단일고장조건 ( 예 : R8 의오픈시 ) 에서도이요구사항을충족하기위해과부하상태에서발생하는바이어스전압의상승도래칭셧다운을트리거하는데사용됩니다. 매우낮은무부하소비전력, 고효율, 3W, 유니버셜입력, 오픈프레임, 파워서플라이 아래의그림 26 에표시된회로는 85VA~265VA 입력, 12V, 2.5A 출력파워서플라이를나타냅니다. 이설계는최대부하효율, 평균효율 (25%, 5%, 75%, 1% 부하점의평균 ) 을극대화시키면서무부하시소비전력을크게낮추도록설계되었습니다. 추가적으로래칭출력과전압셧다운기능과안전기관 LP( 제한전원 ) 제한값준수도포함됩니다. 실제효율및무부하시성능은회로도에표시된표에요약되어있고이성능은에너지효율요구사항을쉽게충족시키고있습니다. 이러한설계목표를달성하기위해다음과같은주요설계사항이요구됩니다. 16

17 PI 부품선택 주위온도가 4 이면전력표에지시된것보다한단계작은디바이스를사용가능 이디바이스는전력표 ( 표 1) 의 85~265VA, 오픈프레임, PB 히트싱크열에따라선택했습니다. 주위온도가 4 ( 전력표에는 5 로가정 ) 이고디바이스히트싱크를위해최적의 PB 면적및레이아웃때문에한단계작은디바이스를선택했습니다 (TOP266V 와 TOP267V 비교 ). 써멀및효율성데이터로성능을확인할수있습니다. 풀부하, 주위온도 4, 85VA, 47Hz 입력 ( 최악조건 ) 에서디바이스의최대온도는 17 이고평균효율은 ENERGY TAR 및 EuP Lot 2 에서요구하는 83% 를만족시킵니다. 트랜스포머코어선택 132kHz 스위칭주파수사용으로더작은코어를사용할수있게되어비용절감가능 마그네틱코어의크기는스위칭주파수와관련이있습니다. 높은스위칭주파수인 132kHz 를사용하면더작은코어를사용할수있습니다. TOPwitchJX 의설계에서는스위칭주파수가높아지더라도나쁜영향을끼치지않습니다. TOPwitchJX 의드레인소스간커패시턴스 ( O ) 가개별 MOFET 의 O 보다작기때문입니다. 입력센싱저항값 입력센싱저항을 4MΩ 에서 1.2MΩ 으로늘려무부하입력전력손실을 16mW 로감소 입력센싱은 R1 및 R2 에의해이루어지며입력저전압및과전압기준값을설정합니다. 이러한저항을합한값이표준 4MW 에서 1.2MW 으로증가되었습니다. 이로인해 V 핀으로흘러드는전압이감소하므로무부하입력전력이 ~26mW 부터 ~1mW 까지감소됩니다. 그결과로인한 UV 기준값의변화를보정하기위해 ONTROL 핀과 VOLTAGEMONITOR 핀사이에저항 R12 를추가하였습니다이를통해서약 16mA 의전류가 V 핀으로흐르기때문에 V 핀의 UV 기준전류 25mA 에도달하기위해서는 R1 과 R2 를통해약 9mA 의전류만필요하고 UV 전압값은 95V 로설정됩니다. 결과 OV 기준값이 ~45V 에서 ~98V 까지상승함에따라이기술은입력 OV 기능을효과적으로제한합니다. 그러나이설계에서는별다른영향을주지않습니다. 입력커패시턴스 (3) 의값이충분히커서 1 kv 보다큰라인서지전압에도피크드레인전압이 U1 의 BV 정격에도달하지않기때문입니다. R12 값에대한구체적인사항과자세한계산은 TOPwitchJX 애플리케이션노트를참조하십시오. 클램프구성 RZ 와 R 비교 경부하시효율을높히고무부하시소비전력을줄이기위해 R 대신 RZ( 제너블리드 ) 선택 클램프네트워크는 VR1, 4, R5 및 5 로구성됩니다. 이네트워크는누설인덕턴스로인해발생하는피크드레인전압스파이크를 TOPwitchJX 내장 MOFET 의정격 BV 아래로제한합니다. 경부하시효율을높히고무부하시소비전력을향상시키기위해표준 R 클램프가아닌이구성을선택했습니다. Input Voltage (VA) Full Load Efficiency (%) Average Efficiency (%) Noload Input Power (mw) VR1 P6KE18A nf 25 VA 7, nf 2 V R17 22 Ω µf 25 V µf 25 V L2 3.3 µh 16 1 µf 25 V 12 V, 2.5 A L1 14 mh 1 1N47 3 1N47 2 1N µf 4 V 4 1N47 R1 5.1 MΩ R2 5.1 MΩ R3 1 MΩ R4 1 MΩ R5 1 kω 1/2 W 5 FR17 6 BAV19W V nf 1 kv 4 R kω 1% N N T1 EF25 11, VR3 ZMM5245B7 7 BAV21W 7F 7 47 µf 25 V R9 1 Ω 8,9 B56 U2B LTV817 R18 11 Ω nf 5 V R19 47 Ω 1 LL4148 U2A LTV817 R kω 1% RTN L N F A VA 1 1 nf 275 VA R kω 1% TOPwitchJX U1 TOP266VG ONTROL X F 9 1 nf 5 V R Ω 1/8 W 1 47 µf 25 V 2 33 nf 5 V U3 LMV431A 1% R23 1 kω 1% PI 그림 26. 무부하시전력소비가매우낮은고효율 12V, 3W, 유니버셜입력플라이백파워서플라이의회로도. 17

18 표준 R 클램프에서 4 는저항과직렬로연결된제너가아니라병렬로연결된저항에의해방전됩니다. R 클램프에서는 R5 의저항값이선택되어최대부하및과부하상태에서피크드레인전압을제한합니다. 그러나경부하또는무부하상태에서는누설인덕턴스에너지와스위칭주파수가모두한층더낮으므로이저항값은커패시터전압을방전시킵니다. 커패시터는각스위칭사이클에서 VOR 보다높게재충전해야하므로더낮은커패시터전압은낭비되는에너지를나타냅니다. 이것은마치파워서플라이의출력에연결된것처럼클램프손실을큰부하로보이게만드는효과가있습니다. RZ 배열은커패시터전체전압이최소값 (VR1 의정격전압으로정의된값 ) 아래로방전되지않도록방지하여경부하및무부하상태에서클램프손실을최소화하는방법으로이문제를해결합니다. 제너 VR1 은피크손실용량이높은 TV 이지만피크전류가낮기때문에저렴한표준제너도사용할수있습니다. 많은설계에서 5W 미만의저항값을 4 와직렬로연결하여고주파링잉을댐핑하고 EMI 를향상시키기위해사용할수도있지만, 이경우에는그럴필요가없습니다. 피드백구성 높은 TR 의옵토커플러를사용하여 2 차측바이어스전류와무부하입력전력감소 저전압, 저전류전압레퍼런스 I 2 차측에사용되어 2 차측피드백전류를줄이므로무부하입력전력감소 바이어스권선전압 바이어스권선전압이무부하, 하이라인에서 ~9V 가되도록조정하여무부하입력전력감소 일반적으로하이라인에서 ONTROL 핀으로유입되는피드백전류는 ~3mA 입니다. 이전류는바이어스권선 (1 을통과하는전압 ) 에서공급되기도하고출력에서직접공급되기도합니다. 이러한두전력소스는모두파워서플라이출력의부하를나타냅니다. 무부하상태에서바이어스권선의손실을최소화하기위해서는 7 전체에최소전압인 ~9V 를공급하도록바이어스권선의권회수와 7 의값을조정했습니다. 이값은옵토커플러를바이어스상태로유지하고출력을레귤레이션상태로유지하는데필요한최소값입니다. 2 차측피드백회로의손실을최소화하기위해높은 TR(3~6% 의 TR) 을사용했습니다. 이는 2 차측옵토 LE 전류를 3mA 에서 1mA 미만으로줄이고, 그에따라출력의유효부하가감소하는효과가있습니다. 표준 2.5V TL431 전압레퍼런스 I 를 1.24V LMV431 로교체되어공급전류요구사항이 1mA 에서 1mA 로줄어들었습니다. 출력정류기선택 높은 V OR 사용으로 6V 쇼트키다이오드를사용할수있어효율을높일수있고비용도줄일수있음 TOPwitchJX 의높아진 BV 정격 725V( 일반적인파워 MOFET 의정격 6V 또는 65V 와비교했을때 ) 로인해트랜스포머 1 차와 2 차간의권선비 ( 권선비에의해발생된전압또는 V OR ) 를더높일수있었습니다. 이는출력다이오드의전압스트레스를감소시키고더효율적이고저렴한 6V 쇼트키다이오드 (8V 또는 1V 쇼트키다이오드에비해 ) 를사용할수있도록합니다. 전압정격이낮을수록순방향전압강하가낮기때문에효율이향상됩니다. 저렴하면서도높은효율을위해 Axial 타입의 5A, 6V 쇼트키다이오드 2 개를병렬로사용하였습니다. 따라서히트싱크를장착한단일고전류 TO22 패키지다이오드와비교했을때다이오드의방열을 PB 로하여더저렴하면서도높은효율을유지할수있습니다. 이때각각의다이오드의정격전류는출력전류의두배로지정하며다이오드들이히트싱크용커먼캐소드 PB 면적을공유하도록하는것을권장합니다. 그리고각다이오드의온도를모니터링함으로써실제다이오드전류가효과적으로공유되고있는것을확인할수있습니다. 출력인덕터포스트필터 (Post Filter) 소프트피니쉬 (oft Finish) 인덕터 L2 는출력소프트피니쉬를제공하고커패시터를제거 스타트업하는동안출력오버슈트를방지하기위해 L2 전체에나타나는전압을사용하여소프트피니쉬기능을제공합니다. L2 양단전압이 U2A 와 1 의순방향전압강하를초과하면전류가옵토커플러 LE 를통해흐르고 1 차에피드백을제공합니다. 이구성은레귤레이션에도달할때까지출력전압의상승률을제한하고, U3 양단에같은기능을구현하기위해일반적으로사용하는커패시터를제거시킬수있습니다. 주요애플리케이션고려사항 TOPwitchJX 와 TOPwitchHX 의비교 표 3 는 TOPwitchJX 와 TOPwitchHX 의특징및성능을비교한것입니다. 대부분의새기능은디스크리트부품을추가로필요로하지않습니다그밖의기능들은트랜스포머및다른파워부품에서비용을절감시켜주면서도설계의안정성을증가시킵니다. TOP 디자인고려사항 전력표데이터시트전력표 ( 표 1) 는다음조건하에서실제로지속되는최대출력전력을나타냅니다 V 출력. 2. 쇼트키또는고효율출력다이오드 V V OR 및효율예상 VA 일경우 1V 최소 버스, 23VA 일경우최소 25V. 5. 충분한방열판으로디바이스온도를 11 이하로유지. 6. 패키지디바이스에대한전력표에표시된파워레벨은인클로저어댑터인경우 61g/m 2 구리히트싱크 6.45cm 2 면적으로, 오픈프레임인경우 19.4cm 2 로가정. 제공된피크파워는각디바이스의전류제한에따라달라집니다. 18

19 TOPwitchHX 와 TOPwitchJX 의비교 기능 TOPwitchHX TOPwitchJX TOPwitchJX 의이점 듀티사이클이 % 일때의 ONTROL 전류 I (OFF) I (OFF) = I B 3.4mA (TOP256258) I B = 외부바이어스전류 I (OFF) = I B 1.6mA (TOP266268) 감소된 ONTROL 전류 무부하성능향상 (<.1W) 대기성능향상 eip12 / eop12 패키지 사용할수없음 사용가능 IP 스타일히트싱크없는설계을위한 66/132kHz 주파수옵션 IP8/M8 패키지보다증가된전력기능을위한써멀성능향상 항복전압 (Breakdown Min. 7 V at = 25 Min. 725 V at = 25 고객전력감소요구사항간소화 ( 예 : 8%) Voltage) BV 확대된라인서지내성 빠른 A 리셋 V 핀을사용한 3 회선외부트랜지스터회로 X 핀을사용한 1 회선외부트랜지스터회로 5 개의부품절약 표 3. TOPwitchHX 와 TOPwitchJX 의비교. TOP 선택필요한최대출력, 효율, 방열에대한제약, 시스템요구사항및비용을고려하여최적의 TOP 을선택합니다. 외부전류제한의감소로 TOP 를저전력애플리케이션에사용하여필요한것보다높은효율을내거나히트싱크를최소사이즈로만들수있습니다. 입력커패시터입력커패시터는최소입력전압과최대출력조건하에서 TOP 컨버터가레귤레이션을유지할수있는최소 전압을공급할수있게선택되어야합니다. TOP 은 MAX 가높고리플제거용라인피드포워드 2 중기울기를갖고있으므로더작은입력커패시터를사용할수있습니다. TOP 의경우, 트랜스포머가적절히설계되었다면유니버셜입력에서와트당 2μF 의커패시터가필요합니다. 1 차클램프및권선비에의해발생된전압 V OR 1 차측클램프는 TOP 드레인 소스간피크전압을제한하는데필요합니다. 제너클램프는필요한부품가적어 PB 공간을적게차지합니다. 효율성을높이려면클램프제너를적어도 V OR 의 1.5 배로선정하여야합니다. 그래야누설스파이크도통시간을짧게유지하기때문입니다. 유니버셜입력애플리케이션에제너클램프를사용할경우제너정격오차와온도변화를감안하여 V OR 는 135V 이하로하는것을권장합니다. 이는클램프회로를효율적으로동작시키고최대드레인전압을 TOP 의 MOFET 의항복전압 (Breakdown Voltage) 이하로유지시킵니다. 더넓어진 TOP 의 MAX 를최대한이용하려면 V OR 을높여야합니다. R( 또는 RZ) 클램프는제너클램프보다클램핑전압오차가더정밀하여 V OR 을 15V 까지높일수있습니다. R 클램프손실은입력전압에따라외부에서전류제한을조정하는기능으로최소화할수있습니다 ( 그림 19 참조 ). R 클램프는제너클램프보다경제적이지만설계시더많은주의가필요합니다 ( 디자인에관한빠른설계체크리스트참조 ). 출력다이오드출력다이오드는애플리케이션의역피크전압, 출력전류, 온도조건 ( 방열및공기순환조건포함 ) 을고려하여선택합니다. 적절한트랜스포머턴비에따라 TOP 의 MAX 가높아지면 15V 정도의출력에 8V 쇼트키다이오드를사용할수있어서효율을높일수있습니다. 바이어스권선커패시터무부하에서저주파수로동작하므로최소 1μF 의바이어스권선커패시턴스를사용하는것이좋습니다. 올바른작동및출력전압레귤레이션을위해무부하에서최소바이어스권선전압이 9V 가넘는지확인해야합니다. 소프트스타트일반적으로파워서플라이는피드백루프가레귤레이션되기전인스타트업할때최대스트레스를받습니다. 17ms 동안에온칩소프트스타트가드레인피크전류및스위칭주파수를스타트할때, 낮은값에서각각의최대값까지선형적으로증가시킵니다이는순차적으로출력전압을상승시켜피드백루프가듀티사이클을제어하도록합니다. TOP 의 MOFET, 클램프회로와출력다이오드 ( 들 ) 에대한스트레스를감소시켜스타트업시트랜스포머에포화가일어나지않도록합니다. 또한소프트스타트는출력전압오버슈트를제한하여많은애플리케이션에서소프트피니쉬커패시터를사용하지않아도됩니다. 17ms 의소프트스타트시간이끝나지않았더라도루프가닫히면바로소프트스타트기능이중단됩니다. EMI 주파수지터기능은기본스위칭주파수의고조파로인하여나타나는전도성 EMI 피크치를감소시키기위해좁은대역폭으로스위칭주파수를변조합니다. 이주파수지터는특히평균검출모드일때효과적입니다. 그림 27 및 28 에서보듯이주파수지터는주파수편차의증가로인해스위칭고조파의순서에따라증가합니다. FREQUENY 핀은 132kHz 또는 66kHz 의스위칭주파수옵션을제공합니다. 고주파방사노이즈를줄이기위해드레인단에큰스너버를필요로하는애플리케이션 ( 예 : VR, V, 모니터, TV 등과같이비디오노이즈에민감한애플리케이션 ) 에서는 66kHz 에서의동작이스너버손실을감소시켜효율성이향상됩니다. 또한트랜스포머크기가별로문제되지않는애플리케이션에서 66kHz 옵션을사용하면 EMI 가더낮아지고효율성이더향상됩니다. 66kHz 인 2 차고조파옵션은 15kHz 보다미만으로 15kHz 이상인경우전도성 EMI 규정이훨씬까다롭습니다. 1W 혹은그이하에서는 A 입력커먼모드초크대신간단한인덕터를사용하여도국제전도성 EMI 규정값을만족시킬수있습니다. 19

20 트랜스포머설계트랜스포머는최대전류제한에서최대동작자속밀도는 3 가우스, 피크자속밀도는 42 가우스에맞춰설계하는것이좋습니다. 턴비는권선비에의해발생한전압 (V OR ) 에맞게선택되는데제너클램프를사용할경우에는 VOR 이 135V 을넘지않도록하고, 입력전압에따라서전류제한을줄이는 R 클램프를사용할경우에는 15V( 최대 ) 이하로해야합니다 ( 과부하보호 ). 동작전류가기본전류제한값보다크게낮은설계에서는외부전류제한설정을이용하여동작피크전류에가깝게하여피크자속밀도와피크파워를줄이는것이좋습니다 ( 그림 18 참조 ). 대기모드시소비전력주파수감소기능은저부하또는무부하에서의파워손실을크게줄일수있습니다. 특히, 제너클램프를사용할경우에는더욱그렇습니다. 2 차측파워가매우적은경우에는피드백제어용으로 TL431 레귤레이터를사용하십시오. 일반적인 TOP 회로는무부하상태에서 MM 모드로그리고부하가작으면저주파모드로자동으로진입하여무부하또는대기상태에서손실이크게줄입니다. 고전력설계 TOP 제품군은최대 162W 까지공급할수있습니다. 고용량파워설계는특별한고려해야할사항이있습니다. 고용량파워설계에대한지침은 TOP264271(AN47) 설계안내서를참조하십시오. TOP 레이아웃고려사항 TOP 에는여러개의핀이있으며 TOP 은높은전력레벨에서작동합니다. 다음지침을주의깊게읽고따라주시기바랍니다. 1 차측연결 OURE 핀, 바이어스권선그라운드를입력필터커패시터의마이너스단자와연결하는단일그라운드포인트 (kelvin) 를사용하십시오. 이는서지전류를바이어스권선에서입력필터커패시터로직접리턴시켜서 I 의서지내성을향상시킵니다. ONTROL 핀바이패스커패시터는 OURE 및 ONTROL 핀과최대한가까이있어야하고 OURE 핀의패턴은메인 MOFET 스위칭전류가흐르는패턴과분리시켜야합니다. VOLTAGE MONITOR(V) 핀또는 EXTERNAL URRENT LIMIT(X) 핀에연결된부품들은각핀과 OURE 사이에최대한가까이있어야합니다. 다시한번강조하자면이러한부품들이 OURE 핀과연결된패턴은 MOFET 의전류가흐르는패턴부분을공유해서는안됩니다. OURE 스위칭전류가 ONTROL 핀, VOLTAGE MONITOR 핀또는 EXTERNAL EXTERNAL URRENT LIMIT 핀에연결된부품과패턴을공유하지않고각각독립된패턴을통해입력필터커패시터의마이너스단자로다시돌아오는사실은매우중요합니다. 이는 OURE 핀이컨트롤러그라운드기준핀이기때문입니다 V, X 또는 핀에연결된모든패턴길이는가능한짧게유지하면서 RAIN 패턴으로부터멀리떨어뜨려노이즈가커플링이되지않도록합니다. VOLTAGE MONITOR 저항 ( 그림 14, 15, 19, 22, 23, 26, 3 의 R L ) 및 1 차측 OVP 회로부품 ( 그림 29, 3 의 V ZOV /R OV ) 은 V 핀과가깝게위치시켜 V 핀측패턴의길이를최소화시켜야합니다. V 또는 X 핀에연결된저항은벌크커패시터의플러스단자에최대한가까이연결해야하는반면, 파워스위칭회로에서는멀리떨어져있어야합니다. 고주파바이패스커패시터 ( BP ) 와병렬로 47μF ONTROL 핀커패시터를추가하여노이즈에대한내성을개선시킬수있습니다. 피드백옵토커플러출력도 TOP 의 ONTROL 핀및 OURE 핀에가까이있어야하고드레인및클램프부품패턴과는떨어져있어야합니다. 1 차측클램프회로는트랜스포머끝 (RAIN 과공유됨 ) 의루프영역및클램프커패시터가최소화되는위치에있어야합니다. 바이어스권선리턴노드는전용패턴을통해 OURE 핀이아니라벌크커패시터에직접연결해야합니다. 이렇게해야 TOPwitchJX 의 OURE 핀에서멀리떨어져서서지전류를라우팅할수있습니다. Y 커패시터 Y 커패시터는트랜스포머의 1 차측 입력핀과 2 차측출력그라운드핀사이에가까이연결해야합니다. Y 커패시터가벌크커패시터의양극끝이아닌마이너스극끝으로되돌아가는경우에는전용패턴을사용하여연결해야합니다. 이것은커먼모드서지가발생하는경우 OURE 핀에서떨어지도록누설전류를 " 유도 " 하기위함입니다. Amplitude (dbµv) 그림 Frequency (MHz) 그림 27. 지터링이발생하지않은고정주파수동작. Amplitude (dbµv) TOPwitchJX (with jitter) EN5522B (QP) EN5522B (AV) 1 EN5522B (QP) EN5522B (AV) Frequency (MHz) 동일한회로및조건을사용한 TOPwitchJX 전체범위 EMI 스캔 (132kHz, 지터링발생 ). PI PI

21 히트싱크 E 패키지 (eip7), K 패키지 (eop12) 및 V 패키지 (eip12) 의탭은내부에서전기적으로 OURE 핀에연결되어있습니다. 전류가순환하는것을방지하기위해서탭과연결된히트싱크를 PB 상의 1 차측그라운드 / 소스와전기적으로연결하지않아야합니다. 양면 PB 일경우에는바이어스를통해 PB 의윗면과아랫면을연결하여히트싱크의유효면적을늘릴수있습니다. K 패키지노출패드를동판부위에직접납땜하여열전달을최적화할수도있습니다. 그리고열을방출하기위해출력다이오드의애노드와캐소드단자의구리면적이충분히있어야합니다그림 29 에서출력다이오드와출력필터커패시터사이에좁은패턴이보입니다. 이좁은패턴은다이오드와필터커패시터사이에서온도를완화시키는역할을담당하여커패시터가과열되지않도록해줍니다. 빠른설계체크리스트 TOP 설계시무부하소비전력을줄이기위해 V 핀은매우낮은전류로동작합니다. 따라서노이즈커플링을방지하도록 PB 를설계할때레이아웃을신중하게고려해야합니다. V 핀에연결된패턴과부품은스위칭전류가흐르는패턴과인접하지않아야합니다. 이러한패턴에는드레인, 클램프네트워크, 바이어스권선그라운드, 다른컨버터의파워패턴이있습니다. 입력전압센싱기능을사용하는경우센싱저항을 V 핀으로부터 1mm 이내에배치하여 V 핀노드영역을최소화해야합니다. 그런다음 전압을입력전압센싱저항으로라우팅해야합니다. 외부커패시턴스를 V 핀에연결하면 V 핀과관련된기능이오작동할수있으므로절대로연결하지않도록합니다. 어떤파워서플라이를설계하던지간에가장나쁜조건에서부품의정격을초과하지않는지를보증하기위해모든 TOP 디자인을검증해야합니다. 다음과같은최소한의테스트는반드시수행되어야합니다. 1. 최대드레인전압 최대입력전압및최대과부하출력파워시피크 V 가 675V 를초과하지않는지확인합니다. 파워서플라이가오토 리스타트 ( 레귤레이션을벗어났을때 ) 로진입하기직전에출력이과부하상태가되고이때가최대과부하출력상태입니다. 2. 최대드레인전류 최대동작온도, 최대입력전압및최대출력부하상태에서스타트업할때드레인전류파형이트랜스포머포화될징후가있는지, 과도한리딩엣지전류스파이크의징후가보이는지확인합니다. TOP 은 22ns 의리딩엣지블랭킹시간이있기때문에온사이클 (Oncycle) 의조기종료를방지합니다. 22ns 블랭킹시간이끝나는지점에서드레인전류파형의리딩엣지전류스파이크가전류제한엔벨로프허용치 ( 그림 34 참조 ) 미만인지확인합니다. 3. 온도확인 최대출력, 최소입력전압및최대주위온도상태에서 TOP264271, 트랜스포머, 출력다이오드및출력커패시터의온도가지정된온도사양이하인지확인합니다. 데이터시트에규정되어있듯이 TOP 의 R (ON) 이제품마다오차가있기때문에온도마진이충분히확보되어야합니다. 필요한마진을계산하거나 RAIN 핀과외부에서직렬로연결하고테스트시에측정한디바이스의 R (ON) 과가장좋지않은경우인최대규격에서측정한디바이스의 R(ON) 차이만큼의저항값을가진방열판을부착하여계산할수도있습니다. 설계도구 설계도구에대한최신정보는 Power Integrations 웹사이트 () 를참조하십시오. 21

22 TOP Maximize opper Area for Optimum Heat inking OUT RPL1 RL1 ROV B U2 U3 J2 U1 RPL2 RIL BP RL2 B VZOV R12 R16 T1 Output Filter apacitors HF L PostFilter 1 Transformer L2 J1 Output Rectifiers 17 8 IN R5 VR1 11 Y apacitor 9 Input Filter apacitor lamp ircuit PI 그림 29. V 패키지를사용하여 132kHz 에서작동시 TOPwitchJX 의레이아웃고려사항. Maximize opper Area for Optimum Heat inking OUT U1 RPL1 RIL RL1 RPL2 RIL BP RL2 ROV B VZOV R12 BP R16 B U2 T1 U3 Output Filter apacitors J HF L PostFilter 1 Transformer L2 J1 Output Rectifiers 17 8 IN R5 VR1 11 Y apacitor 9 Input Filter apacitor lamp ircuit PI 그림 3. K 패키지를사용하여 132kHz 에서작동시 TOPwitchJX 의레이아웃고려사항. 22

23 lamp ircuit Isolation Barrier HV Input Filter apacitor J1 4 H1 R6 5 6 R7 T1 Y apacitor 8 16 R12 H2 Output Rectifier BP RL2 RL1 RPL1 ROV V U1 F X RPL2 9 R8 VZOV VR1 RIL B R9 B R1 JP2 Transformer U2 U4 21 R17 R13 R15 R R2 L3 19 J2 Output Filter apacitors HF L PostFilter OUT PI 그림 31. E 패키지를사용하여 132kHz 에서작동시 TOPwitchJX 의레이아웃고려사항. 23

24 최대정격절대값 (2) RAIN 핀피크전압 ~725V RAIN 핀피크전류 : TOP A RAIN 핀피크전류 : TOP A RAIN 핀피크전류 : TOP A RAIN 핀피크전류 : TOP A RAIN 핀피크전류 : TOP A RAIN 핀피크전류 : TOP A RAIN 핀피크전류 : TOP A RAIN 핀피크전류 : TOP A ONTROL 핀전압....3~9V ONTROL 핀전류... 1mA VOLTAGE MONITOR 핀전압....3~9V URRENT LIMIT 핀전압....3~4.5V FREQUENY 핀전압 ~9V 보관온도 ~15 작동정션온도... 4~15 리드온도 (1)...26 참고 : 1. 케이스에서 1/16 인치거리를두고 5 초동안측정한값입니다. 2. 지정된최대정격은제품에영구적인손상을초래하지않는한도내에서일회적으로측정된결과입니다. 지정된시간보다오랫동안최대정격절대값에노출하면제품안정성에영향을줄수있습니다. 열저항 열저항 : E 패키지 (q JA ) /W (1) (q J ) /W (2) V 패키지 (q JA ) /W (3), 58 /W (4) (q J ) /W (2) K 패키지 (q JA ) /W (3), 38 /W (4) (q J ) /W (2) 참고 : 1. 히트싱크가없는형태입니다. 2. 탭의뒷면에서측정됩니다 sq 인치 (232mm 2 ), 2 oz. (61 g/m 2 ) 동판의히트싱크면적이있는일반적인애플리케이션 PB 에납땜 (K 패키지노출패드포함 ). 4. 1sq 인치 (645mm 2 ), 2 oz. (61 g/m 2 ) 동판의히트싱크면적이있는일반적인애플리케이션 PB 에납땜 (K 패키지노출패드포함 ). 컨트롤기능 파라미터 풀주파수모드 ( 평균 ) 의스위칭주파수 주파수지터편차 기호 f O = 25 f 조건 OURE = V; = 4~125 그림 35 참조 ( 특별히지정되지않은경우 ) 최소일반최대단위 FREQUENY 핀 OURE에연결 FREQUENY 핀 OURE에연결 kHz 작동 ±5 66kHz 작동 ±2.5 khz khz 주파수지터변조율 f M 25 Hz 최대듀티사이클 MAX I = I 1 V V = V I V I V() I V = 95mA 소프트스타트시간 t OFT = ms PWM 게인 PWM 게인온도드리프트 REG = 25 I B < I < I 1 참고 참조 = 25 I I 1 참고 A 참조 외부바이어스전류 I B 66kHz 작동 TOP TOP TOP TOP TOP TOP % %/ma 참고 B 참조.1 %/ma/ TOP TOP TOP ma 24

25 파라미터 기호 조건 OURE = V; = 4~125 ( 특별히지정되지않은경우 ) 최소일반최대단위 제어기능 ( 계속 ) 외부바이어스전류 I B 132kHz 작동 듀티사이클이 % 일때의 ONTROL 전류 I (OFF) 66kHz 작동 132kHz 작동 TOP TOP TOP TOP TOP TOP TOP TOP TOP 동적임피던스 Z I = 2.5mA, = 25, 그림 33 참조 W ma ma 동적임피던스온도드리프트 ONTROL 핀내부필터극점 전류제한비율을설정할상위피크전류 전류제한비율을설정할하위피크전류 k P(UPPER) = 25 참고 참조 k P(LOWER) = 25 참고 참조.18 %/ 7 khz % 25 % 멀티사이클변조스위칭주파수 최소멀티사이클변조모드설정기간 f MM(MIN) = 25 3 khz T MM(MIN) = ms 셧다운 / 오토 리스타트 ONTROL 핀충전전류 I (H) = 25 V = V V = 5 V ma 충전전류온도드리프트참고 B 참조.5 %/ 오토 리스타트상위기준전압 V (AR)U 5.8 V 오토 리스타트하위기준전압 Voltage Monitor(V) 및 External urrent Limit(X) 입력 V (AR)L V 오토 리스타트히스테리시스 (Hysteresis) 전압 오토 리스타트듀티사이클 V (AR)HYT.8 1. V AR 2 4 % 오토 리스타트주파수 f AR.5 Hz 입력저전압 (UV) 기준전류및히스테리시스 (Hysteresis)(V 핀 ) 라인과전압기준전류및히스테리시스 (Hysteresis)(V 핀 ) I UV = 25 I OV = 25 기준값 ma 히스테리시스 (Hysteresis) 14 ma 기준값 ma 히스테리시스 (Hysteresis) 4 ma 25

26 파라미터 기호 조건 OURE = V; = 4~125 ( 특별히지정되지않은경우 ) 최소일반최대단위 Voltage Monitor(V) 및 External urrent Limit(X) 입력 ( 계속 ) 출력과전압래칭셧다운기준전류 I OV(L) = ma V 핀원격 ON/OFF 전압 V V(TH) = V X 핀원격 ON/OFF 및래칭리셋마이너스기준전류및히스테리시스 (Hysteresis) I REM(N) = 25 기준값 히스테리시스 (Hysteresis) 5 ma V 핀단락회로전류 I V() = 25 V V = V ma X 핀단락회로전류 I X() V X = V 정상모드 오토 리스타트모드 ma V 핀전압 ( 양극전류 ) V V I V = I OV TOP264TOP V V 핀전압히스테리시스 (Hysteresis)( 플러스전류 ) V V(HYT) I V = I OV.2.5 V I X = 5μA X 핀전압 ( 마이너스전류 ) V X I X = 15μA V 최대듀티사이클감소개시기준전류 I V() I I B, = ma 최대듀티사이클감소슬로프 = 25 I V() < I V < 48μA 1. I V 48μA.25 %/ma 원격 OFF RAIN 공급전류 I (RMT) V RAIN = 15V 원격 ON 지연 t R(ON) 원격 ON 에서드레인으로턴온참고 참조 X 또는 V 핀플로우팅.6 1. ONTROL 에서 V 핀단락 66kHz kHz ma ms 원격 OFF 설정시간 t R(OFF) 인턴온전의최소시간 사이클을해제하기위한드레 참고 참조 주파수입력 FREQUENY 핀기준전압 FREQUENY 핀입력전류 66kHz kHz 1.5 V F 참고 B 참조 2.9 V I F = 25 V F = V ma ms 26

27 파라미터 기호 조건 OURE = V; = 4~125 ( 특별히지정되지않은경우 ) 최소일반최대단위 회로보호 TOP264 = 25 di/dt = 27mA/ms TOP265 = 25 di/dt = 35mA/ms TOP266 = 25 di/dt = 53mA/ms 자체보호회로제한 ( 참고 참조 ) I LIMIT TOP267 = 25 TOP268 = 25 di/dt = 625mA/ms di/dt = 675mA/ms A TOP269 = 25 di/dt = 72mA/ms TOP27 = 25 di/dt = 87mA/ms TOP271 = 25 di/dt = 1,65mA/ms 초기전류제한 I INIT 참고 참조.7 I LIMIT(MIN) A 전력계수 P OEFF = 25, 참고 E 참조 I X 165mA.9 I 2 f I 2 f 1.2 I 2 f I X 117mA.9 I 2 f I 2 f 1.2 I 2 f A 2 khz 리딩엣지블랭킹시간 t LEB = 25, 그림 34 참조 22 ns 전류제한지연 t IL() 1 ns 써멀셧다운온도 써멀셧다운히스테리시스 (Hysteresis) 75 파워업리셋기준전압 V (REET) 그림 35(1 오픈조건 ) V 27

28 파라미터 기호 조건 OURE = V; = 4~125 ( 특별히지정되지않은경우 ) 최소일반최대단위 출력 ON 상태저항 R (ON) TOP264 I = 15mA TOP265 I = 2mA TOP266 I = 3mA TOP267 I = 4mA TOP268 I = 5mA TOP269 I = 6mA TOP27 I = 7mA TOP271 I = 8mA = = = = = = = = = = = = = = = = W 드레인공급전압 85, 참고 F 참조 V OFF 상태드레인누설전류 항복전압 (Breakdown Voltage) I V V = 플로우팅상태, 디바이스스위칭안함, V = 58V, = 125 BV V V = 플로우팅상태, 디바이스스위칭안함, = 25, 참고 G 참조 47 ma 725 V 상승시간 t R 일반플라이백컨버터 1 ns 하강시간 t F 애플리케이션으로측정 5 ns 공급전압특성 공급 / 방전전류제어 I 1 I 2 출력 MOFET 사용 V X, V V = V 66kHz 작동 132kHz 작동 출력 MOFET 해제 V X, V V = V TOP TOP TOP TOP TOP TOP ma 28

29 참고 : A. 132kHz 에서파라미터 MAX, I B 와 I (OFF) 로테스트하는동안파생된값입니다. B. 마이너스값으로지정된스펙의경우마이너스온도계수는온도가증가할수록크기가증가한것에해당하고플러스온도계수는온도가증가할수록크기가감소한것에해당합니다.. 특성화를통해보증하며생산과정에서테스트되지않았습니다.. 외부에서전류제한값을조절하는경우일반성능특성섹션내의그림 36 및 37( 전류제한과외부전류제한저항비교 ) 를참조하십시오. 표시된오차는최대전류제한에서만유효합니다. E. I 2 f 계산은 I LIMIT 및 f O, 기준값즉 I LIMIT(TYP)2 f O 값을근거로계산됩니다. 여기서 F 핀의연결여부에따라 f O 은 66kHz 또는 132kHz 입니다. 자세한내용은 f O 사양을참조하십시오. F. 본디바이스는드레인전압이 18V 부터스타트됩니다. 전해커패시턴스의커패시턴스는 미만의온도에서매우작아집니다. 온도가 보다낮은상태에서도 18V 에서안정적으로시작할수있도록설계자들은회로의커패시터가권장커패시턴스값을만족하는지확인해야합니다. G. RAIN 핀전압 BV 최소값을초과하지않는범위내에서최대한증가시켜항복전압을확인할수도있습니다. 29

30 t 2 HV 9% t 1 9% RAIN VOLTAGE = t 1 t 2 V 1% ONTROL Pin urrent (ma) 그림 32. 듀티사이클측정. ynamic 1 Impedance = lope ONTROL Pin Voltage (V) PI PI 그림 33. ONTROL 핀 IV 특성. 그림 34. 드레인전류작동엔벨로프. RAIN urrent (normalized) t LEB (Blanking Time) I INIT(MIN) Time (µs) PI (X and V Pins) 1 47 Ω 5 W 3 kω 55 V 4 V V 15 V 47 Ω 2 47 µf.1 µf 4 ONTROL F X 3 6 kω 1. 그림 35. TOPwitchJX 일반테스트회로. 3

31 일반적성능특성 PI Maximum.9 Normalized urrent Limit Minimum Normalized.3 urrent Limit Notes:.2 1. Maximum and Minimum levels are based on characterization = O to 125 O. Typical Normalized di/dt t I X ( µa) 그림 36. 일반적인전류제한과 X 핀전류비교. Normalized urrent Limit Normalized.3 urrent Limit (A) Maximum Typical Notes: 1. Maximum and Minimum levels are based on characterization. 2. = O to 125 O. 3. Includes the variation of X pin voltage. PI Normalized di/dt s µ N Minimum R IL ( kω ) 그림 37. 일반적인전류제한과외부전류제한저항비교. 31

32 일반적성능특성 ( 계속 ) Breakdown Voltage (Normalized to 25 ) PI176B331 Output Frequency (Normalized to 25 ) PI Junction Temperature ( ) 그림 38. 항복전압과온도비교. 그림 39. 주파수와온도비교 Junction Temperature ( ) urrent Limit (Normalized to 25 ) PI urrent Limit (Normalized to 25 ) PI Junction Temperature ( ) Junction Temperature ( ) 그림 4. 내부전류제한과온도비교. 그림 41. R IL = 1.5kW을사용하여외부전류제한과온도비교. Overvoltage Threshold (Normalized to 25 ) PI Undervoltage Threshold (Normalized to 25 ) PI Junction Temperature ( ) Junction Temperature ( ) 그림 42. 과전압기준값과온도비교. 그림 43. 저전압기준값과온도비교. 32

33 일반적성능특성 ( 계속 ) VOLTAGE MONITOR Pin Voltage (V) VOLTAGEMONITOR Pin urrent (µa) 그림 44. VOLTAGEMONITOR 핀과전류비교. PI EXTERNAL URRENT LIMIT Pin Voltage (V) V X = I X (I X ) 2 with 18 µa < I X < 25 µa EXTERNAL URRENT LIMIT Pin urrent (µa) 그림 45. EXTERNAL URRENT LIMIT 핀전압과전류비교. PI ONTROL urrent (Normalized to 25 ) PI Onset Threshold urrent (Normalized to 25 ) PI Junction Temperature ( ) Junction Temperature ( ) 그림 46. 듀티사이클이 % 일경우의전류출력제어와온도비교. 그림 47. 최대듀티사이클감소개시기준값전류와온도비교. RAIN urrent (A) 그림 48. 출력특성. T AE = 25 T AE = rain Voltage (V) caling Factors: TOP TOP TOP TOP TOP TOP TOP TOP PI ONTROL Pin urrent (ma) 1 V = 5 V 그림 49. I 와 RAIN 전압비교. rain Pin Voltage (V) PI

34 일반적성능특성 ( 계속 ) RAIN apacitance (pf) caling Factors: TOP TOP TOP TOP TOP TOP TOP TOP PI Power (mw) caling Factors: TOP TOP TOP TOP TOP TOP TOP TOP khz 66 khz PI rain Pin Voltage (V) 그림 5. oss 와 RAIN 전압비교. 그림 51. RAIN 커패시턴스전력 rain Pin Voltage (V) Remote OFF RAIN upply urrent (Normalized to 25 ) Junction Temperature ( ) PI 그림 52. 원격 OFF RAIN 공급전류와온도비교. 34

35 eip7(e 패키지 ) B A 2.43 (1.24).397 (1.8).81 (2.6).77 (1.96).264 (6.7) (8.25).32 (8.13) etail A.29 (7.37).519 (13.18).198 (5.4) Pin #.1 I...14 (3.56).12 (3.5).16 (.41).27 (5.26).187 (4.75).5 (1.27) FRONT VIEW.7 (1.78) 3.16 (.41) 6.11 (.28).2 M.51 M IE VIEW.47 (1.19).118 (3.).1 (2.54) (.84) 6.28 (.71).1 M.25 M A B BAK VIEW 1 All Around.1 (2.54).21 (.53).19 (.48).6 (1.52).2 (.5) PIN 1.5 (1.27).5 (1.27).378 (9.6).48 (1.22).46 (1.17).19 (.48) EN VIEW 참고 : 1. AME Y14.5M1994당치수및공차입니다.. 2. 표시된치수는몰드플래시 (Mold Flash), 타이바버 (Tie Bar Burr), 게이트버 (Gate Burr), 인터리드플래시 (Interlead Flash) 를포함하지않는플라스틱본체의가장외부의치수이지만플라스틱본체의위, 아래의불일치한요소가포함됩니다. 최대몰드돌출은측면당.7[.18] 입니다. 3. 표시된치수에는도금두께가포함됩니다. 4. 인터리드플래시 (Interlead Flash) 또는돌출이 포함되지않습니다. 5. 제어치수단위는인치 (Inch) 이며밀리미터 (mm) 치수는괄호안에표시하였습니다. ETAIL A.27 (.7).23 (.58).59 (1.5).1 (2.54).1 (2.54) MOUNTING HOLE PATTERN (not to scale).155 (3.93) PIN 7.59 (1.5) PI

36 eip12b(v 패키지 ).4 [.1] A Pin #1 I.. (Laser Marked) 2X.4 [.1] B.325 [8.26] Max [3.5] eating Plane.1 [.25].16 [.41].11 [.28] [1.16] 1 A.59 [1.5] Ref, typ [8.89].225 [5.72] Max [1.46].36 [7.77] 7.4 [1.16] [11.8].46 [1.32].59 [1.5] Ref, typ. B etail A.23 [.58] 5 ± [.46] TOP VIEW.14 [2.65].1 [.25] M A B EN VIEW BOTTOM VIEW.19 [.48].356 [9.4].92 [2.34].86 [2.18].49 [1.23].46 [1.16].22 [.56] H.31 [.8].28 [.72].7 [1.78].192 [4.87].2 [.51].28 [.71] IE VIEW.7 [1.78].3 [.76] Mounting Hole Pattern imensions.4 [1.16] ETAIL A (cale = 9X) rill Hole.3 [.76] Round Pad.5 [1.27] older Mask.56 [1.42] 참고 : 1. AME Y14.5M1994당치수및공차입니다. 2. 표시된치수는몰드플래시 (Mold Flash), 타이바버 (Tie Bar Burr), 게이트버 (Gate Burr), 인터리드플래시 (Interlead Flash) 를포함하지않는플라스틱본체의치수이지만플라스틱본체의윗면과아랫면의불일치한요소를포함합니다. 최대몰드돌출은측면당.7[.18] 입니다. 3. 표시된치수에는도금두께가포함됩니다. 4. 인터리드플래시 (Interlead Flash) 또는돌출은포함되지않습니다. 5. 제어치수단위는인치 (Inch) 이며밀리미터 (mm) 는괄호 [ ] 안에표시됩니다. 6. 기준점 A와 B는기준점 H에서결정됩니다. 7. 기준점 에수직이되도록고정된리드로측정한결과입니다. 8. 고정되지않은리드로측정한결과입니다. 9. JEE PP12에대한리드번호입니다. 1. 노출된패드는일반적으로기준점 A와 B의중심선에있습니다. 표시된 " 최대 " 치수에는크기및위치오차가모두포함됩니다. PI5556a

37 eop12b(k 패키지 ) Pin #1 I.. (Laser Marked) 2.4 [1.16].4 [.1] A 2X 2X.4 [.1] B.356 [9.4].325 [8.26] Max [1.4].1 [.25].1 [.25] H Gauge Plane.46 [11.68].59 [1.5] Ref, Typ.59 [1.5] Ref, Typ 2.35 [8.89].225 [5.72] Max. 7 8 eating Plane.34 [.85].26 [.65] ETAIL A(cale = 9X).8 [.2] 2X, 5/6 Lead Tips B [.58].12 [3.5] Ref [.46].7 [1.78].1 (.25) M A B.28 [.71].49 [1.23].46 [1.16].98 [2.49].86 [2.18].6 [.15]. [.] eating plane to package bottom standoff TOP VIEW.4 [.1] IE VIEW.32 [.8].29 [.72] eating Plane etail A.92 [2.34].86 [2.18] BOTTOM VIEW.36 [7.77] EN VIEW 3.16 [.41].11 [.28] 11.2 [.51].19 [.48].22 [.56].28 [.71].67 [1.7] Land Pattern.217 [5.51] imensions [8.15] [1.9] 참고 : 1. AME Y14.5M1994당치수및공차입니다. 2. 표시된치수는몰드플래시 (Mold Flash), 타이바버 (Tie Bar Burr), 게이트버 (Gate Burr), 인터리드플래시 (Interlead Flash) 를포함하지않는플라스틱본체의치수이지만플라스틱본체의윗면과아랫면의불일치한요소가포함됩니다. 최대몰드돌출은측면당.7[.18] 입니다. 3. 표시된치수에는도금두께가포함됩니다. 4. 인터리드플래시 (Interlead Flash) 또는돌출은포함되지않습니다. 5. 제어치수단위는인치 (Inch) 이며밀리미터 (mm) 는괄호 [ ] 안에표시됩니다. 6. 기준점 A와 B는기준점 H에서결정됩니다. 7. 노출된패드는일반적으로기준점 A와 B의중심선에있습니다. 표시된 " 최대 " 치수에는크기및위치오차가모두포함됩니다. PI5748a

38 부품주문정보 TOP 264 E G TL TOPwitch 제품군 JX 시리즈번호 패키지식별자 E 플라스틱 eip7 V 플라스틱 eip12 K 플라스틱 eop12 핀마감 G 할로겐프리 (Halogen Free) 및 RoH(Restriction of Hazardous ubstances irective) 준수 테이프 / 릴및기타옵션공백표준구성 38

39 개정참고일자 A 데이터시트출시 1/1 B eip 부품추가 1/1 B 4페이지의 래칭 이 히스테리시스 로변경, 표 3 업데이트 3/1 B 입력센싱저항값 섹션의문장업데이트 7/1 K 패키지부품추가 11/1 K 및 V 패키지도면업데이트 6/11 E eip12b 및 eop12b 패키지추가, eip12 및 eop12 패키지삭제 1/11 39

40 최신업데이트에대한자세한내용은당사웹사이트를참조하십시오. Power Integrations 는안정성또는생산성향상을위하여언제든지당사제품을변경할수있는권한이있습니다. Power Integrations 는여기서설명하는장치나회로사용으로인해발생하는어떠한책임도지지않습니다. Power Integrations 는어떠한보증도제공하지않으며모든보증 ( 상품성에대한묵시적보증, 특정목적에의적합성및타사권리의비침해를포함하되이에제한되지않음 ) 을명백하게부인합니다. 특허정보여기에설명한제품및애플리케이션 ( 제품외부트랜스포머구성및회로포함 ) 은하나이상의미국및해외특허를포함하거나또는 Power Integrations 에서출원중인미국및해외특허를포함할수있습니다. Power Integrations 의전체특허목록은 에서확인할수있습니다. Power Integrations 는고객에게 에명시된특정특허권에따른라이센스를부여합니다. 수명유지장치사용정책 POWER INTEGRATION 의제품은 POWER INTEGRATION 사장의명백한문서상의허가가없는한수명유지장치또는시스템의핵심부품으로사용할수없습니다. 다음과같이사용되는경우 : 1. 수명유지장치또는시스템이란 (i) 신체에외과적이식을목적으로하거나, (ii) 수명지원또는유지및 (iii) 사용지침에따라올바로사용하는경우에도동작의실패가사용자의상당한부상또는사망을초래할수있는장치또는시스템입니다. 2. 핵심부품이란부품의동작실패가수명유지장치또는시스템의동작실패를초래하거나, 해당장치또는시스템의안전성및효율성에영향을줄수있는수명유지장치또는시스템에사용되는모든부품입니다. PI 로고, TOPwitch, Tinywitch, Linkwitch, PAwitch, Peakwitch, APZero, ENZero, LinkZero, HiperPF, HiperTF, HiperL, Qspeed, Ecomart, lampless, Ehield, Filterfuse, takfet, PI Expert 및 PI FAT 는 Power Integrations, Inc 의상표입니다. 다른상표는각회사고유의자산입니다. 211, Power Integrations, Inc. Power Integrations 전세계판매지원지역 세계본사 5245 Hellyer Avenue an Jose, A 95138, UA. 본사전화 : 고객서비스 : 전화 : 팩스 : 전자메일 : usasales@powerint.com 중국 ( 상하이 ) Room 161/161, Tower 1, Kerry Everbright ity No. 218 Tianmu Road West, hanghai, P.R.. 27 전화 : 팩스 : 전자메일 : chinasales@powerint.com 중국 ( 센젠 ) 3rd Floor, Block A, Zhongtou International Business enter, No. 161, Xiang Mei Rd, FuTian istrict, henzhen, hina, 5184 전화 : 팩스 : 전자메일 : chinasales@powerint.com.. 독일 Rueckertstrasse , Munich Germay 전화 : 팩스 : 전자메일 : eurosales@powerint.com 인도 #1, 14th Main Road Vasanthanagar Bangalore5652 India 전화 : 팩스 : 전자메일 : indiasales@powerint.com 이탈리아 Via e Amicis Bresso MI Italy 전화 : 팩스 : 전자메일 : eurosales@powerint.com 일본 Kosei ai3 Bldg , hinyokomana, Kohokuku Yokohamashi Kanagwan Japan 전화 : 팩스 : 전자메일 : japansales@powerint.com 한국대한민국서울특별시강남구삼성동도심공항터미널빌딩 층 RM 62, 우편번호 : 전화 : 팩스 : 전자메일 : koreasales@powerint.com 싱가포르 51 Newton Road #158/1 Goldhill Plaza ingapore, 389 전화 : 팩스 : 전자메일 : singaporesales@powerint.com 대만 5F, No. 318, Nei Hu Rd., ec. 1 Nei Hu ist. Taipei, Taiwan 114, R.O.. 전화 : 팩스 : 전자메일 : taiwansales@powerint.com 유럽본사 1st Floor, t. James s House East treet, Farnham urrey GU9 7TJ United Kingdom 전화 : 44 () 팩스 : 44 () 전자메일 : eurosales@powerint.com 애플리케이션문의전화전세계 애플리케이션문의팩스전세계