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1 Overweight 가전전자부품 / 디스플레이 Analyst 지목현 [email protected] LG디스플레이 (034220) Buy, TP 40,000원아이씨디 (040910) Buy, TP 40,000원나노신소재 (121600) NR 비아트론 ( 상장예정 ) NR 결론 : Oxide( 산화물 ) TFT 는 OLED 및 LCD 모두에서확산이가속화될전망. Oxide TFT는 OLED TV 상용화에있어가격경쟁력강화와투자효율성을극대화하기위한최적의대안. LCD에서도모바일기기와 TV의고해상도고속화추세에따라적용이확대될전망. Top Pick은 LG디스플레이 (034220), 아이씨디 (040910), 나노신소재 (121600), 비아트론 ( 상장예정 ) 추천. 투자포인트 : Oxide TFT, OLED와 LCD 모두를아우르다! 1. Oxide TFT는 OLED TV 상용화에있어가격경쟁력강화와투자효율성극대화를위한최적의대안으로서공정적용이빠르게확대될전망. Oxide TFT는 1) LTPS 대비공정단계가단순하고 2) 기존 LCD용 TFT 생산라인의활용이가능 2. Oxide TFT는 OLED 뿐만아니라 LCD에도적용이확대될전망. 태블릿 PC는뉴아이패드출시와함께고해상도경쟁이심화되고있고, LCD TV 는 UD급초고해상도및 480Hz 이상고속화가빠르게진행중 3. Oxide TFT 확산은패널및소재와장비업체에게새로운성장기회제공. Oxide TFT는기존 a-si 또는 LTPS TFT 대비소재와공정방식이변화 Top Pick: LG디스플레이, 아이씨디, 나노신소재, 비아트론 ( 상장예정 ) 1. LG디스플레이 (Buy / TP 4만원 ) - Oxide TFT로 Cost와성능두마리토끼를잡다 2. 아이씨디 (Buy / TP 4만원 ) - Oxide TFT는새로운성장동력 3. 나노신소재 (NR) - IGZO로성장을꿈꾸다 4. 비아트론 (NR/ 상장예정 ) - Oxide TFT용열처리장비의숨은실력자

2 메리츠종금증권리서치센터 2

3 Contents 1 뉴아이패드, Oxide TFT 시대를열다 4 2 고해상도 LCD와 OLED TV에서 Oxide TFT 요구는커지는중 5 3 Oxide TFT는저비용고성능스위치 7 4 Oxide TFT는 LCD용 a-si TFT와동일구조 8 5 Oxide TFT의강점은기존 LCD 라인활용이가능하다는점 9 6 투자전략 - 소재및장비변화에주목! 13 7 Company Briefs 15 1 LG디스플레이 (034220): Oxide TFT로 Cost와성능두마리토끼를잡다 16 2 아이씨디 (040910): Oxide TFT는새로운성장동력 19 3 나노신소재 (121600): IGZO로성장을꿈꾸다 22 4 비아트론 ( 상장예정 ): Oxide TFT용열처리장비의숨은실력자 25 메리츠종금증권리서치센터 3

4 1. 뉴아이패드, Oxide TFT 시대를열다 뉴아이패드는고해상도장착 애플은최근고해상도디스플레이를장착한아이패드신모델 The New ipad 를출시하였다. 해상도는기존 1024*768에서 4배증가한 2048* 1536으로업그레이드되었다. 인치당픽셀수는기존 132ppi에서 264ppi로증가하였다. 해상도가 4배로향상되었다는것은기존아이패드에서보던사진을뉴아이패드에서는 4배확대해도영상의훼손이없다는의미이다. Oxide TFT 상용화모델최초적용. 향후적용업체확대예상 뉴아이패드용패널의 Backplane 기술에는기존 LCD에서사용되던 a-si과더불어 Oxide TFT가새롭게적용되었다. 상용화제품에 Oxide TFT가적용된것은애플의뉴아이패드가최초이다. 현재뉴아이패드용패널공급업체중 Oxide TFT 기술을사용하고있는곳은일본샤프이다. 초기에품질문제가있었으나정상화단계에있는것으로파악된다. 삼성전자와 LG디스플레이는기존 a-si TFT 기술을적용하고있다. 삼성전자는향후 Oxide TFT로전환할예정에있으며, LG디스플레이는 LCD보다 OLED TV에 Oxide TFT의연구개발을집중하고있는것으로파악된다. [ 그림 1] 뉴아이패드외관 [ 그림 2] 뉴아이패드와아이패드 2 해상도비교 [ 표 1] 모바일기기의디스플레이종류별적용 TFT 기술및해상도비교 구분방식 TFT 기술 화면크기 ( 대각선 ) 화면비율 배수 (x) 세로 (4x) 가로 (3x) 세로 ( 픽셀 ) 가로 ( 픽셀 ) 세로 (ppi) 가로 (ppi) 태블릿 뉴아이패드 LCD(IPS) Oxide, a-si 9.7 4: ,048 1, 아이패드2 LCD(IPS) a-si 9.7 4: , 스마트폰 아이폰4/4S LCD(IPS) LTPS : 아이폰3GS LCD(TN) a-si : 갤럭시S2 HD AMOLED LTPS :9(5.3:3) , 갤럭시S2 AMOLED LTPS :9(5:3) 메리츠종금증권리서치센터 4

5 2. 고해상도 LCD 와 OLED TV 에서 Oxide TFT 요구는커지는중 고해상도 LCD 픽셀수증가 고속 TFT 요구 LCD에서고해상도화가진행될수록 TFT의성능은향상되어야한다. 해상도가높아지면단위면적당픽셀 ( 화소 ) 의크기는작아지고개수는많아진다. TFT의크기가작아지면전기적저항이증가하여전류의흐름이나빠지고전기신호의이동속도가느려져결국영상의속도저하로연결된다. 또한픽셀개수가많아지면그만큼 TFT의 on/off 속도가빨라져야영상의표현속도를유지할수있다. 따라서고해상도 LCD는기존 a-si 보다고속화된 Oxide TFT가필요하다. OLED TV도 Oxide TFT 적용확대추세 OLED TV에서도최근 Oxide TFT의니즈가커지고있다. OLED는현재모바일용패널에서는 LTPS 방식을사용하고있지만, TV 양산에있어서는공정비용이높은문제가있어 Oxide TFT로전환하려는노력이진행중이다. Oxide TFT는모바일용 OLED에적용은다소어렵지만 TV에서는구현이가능하다. 그이유는 TV는모바일보다픽셀사이즈가현저히크기때문이다. LG디스플레이는 OLED용 TFT로 Oxide 방식을채택하고있고, 삼성모바일디스플레이는현재검토중인것으로파악된다. [ 그림 3] 저해상도픽셀과 TFT 크기 [ 그림 4] 고해상도픽셀과 TFT 크기 TFT [ 표 2] 해상도에따른 Gate on time (240Hz 기준 ) 구분세로가로 Gate on time(us) 상대적소요시간 ( 배 ) 태블릿뉴아이패드 2,048 1, 아이패드 2 1, 스마트폰아이폰 4/4S 아이폰 3GS LCD TV UD 3,840 2, FHD 1,920 1, 주 ) Gate on time: TFT 에서 Gate 가켜지는시간간격 UD: ultra definition FHD: full high definition 메리츠종금증권리서치센터 5

6 [ 그림 5] 픽셀구조 메리츠종금증권리서치센터 6

7 3. Oxide TFT 는저비용고성능스위치 TFT는영상 on/off 스위치 TFT의기본적인기능은스위치이다. TFT는 AMOLED 또는 LCD와같은디스플레이에서영상을구성하는픽셀 ( 화소 ) 의 on/off를제어하는기능을담당하는소자이다. TFT는 AMOLED와 LCD 모두공통적으로필요한소자이며, 제조공정과정에서가장먼저유리기판위에형성된다. TFT 제조공정을 Backplane 공정이라고한다. LTPS는 OLED와고해상도 LCD에적용중 TFT의소재는현재주로 Si( 실리콘 ) 이사용된다. 비결정질실리콘인 a-si은기존 LCD 에사용되었고, 결정질소재인 Poly-Si(LTPS) 는 OLED와고해상도 ( 레티나 ) LCD에적용중이다. 플렉서블 OLED를위한잉크젯프린팅공정적용목적으로유기소재를사용한 O(organic)-TFT도개발중에있다. Oxide는저비용고성능 TFT 소재 TFT는스위치이기때문에전기흐름이중요하다. 전기흐름의원활한정도는전자이동도라는척도로표현된다. 일반적으로 TFT에서전자이동도는 a-si < Oxide < LTPS 순서이다. 상대적인전자이동도는 LTPS가 100, Oxide가 10~40, a-si은 1 이다. LTPS TFT는성능이가장뛰어나지만공정비용이높다. 따라서저비용으로성능개선이가능한 Oxide TFT의요구가높아지고있는것이다. [ 그림 6] TFT 구분 TFT Si( 실리콘 ) Oxide( 산화물 ) Organic( 유기물 ) OLED/ 고해상도 LCD( 레티나 ) a-si Poly-Si LCD HTPS LTPS OLED/ 고해상도 LCD( 레티나 ) [ 표 3] TFT 종류별비교 LTPS(Poly-Si) TFT Oxide TFT a-si TFT 반도체막 Polycrystalline Si Amorphous Si Amorphous IGZO TFT 균일도 중간 높음 높음 전자이동도 ~100 cm 2 /Vs 10~40 cm 2 /Vs 1 cm 2 /Vs 마스크공정단계수 5~8 4~6 4 공정온도 450~ ~ 메리츠종금증권리서치센터 7

8 4. Oxide TFT 는 LCD 용 a-si TFT 와동일구조 TFT는 Gate, Source, Drain, Acitve, 절연층으로구성 TFT는여러층의얇은막 ( 박막 ) 으로형성되며기본적으로게이트 (Gate), 소스 (Source), 드레인 (Drain) 으로구성된세개의금속단자와이들사이를전기적으로분리시켜주는절연층, 그리고전기가흐르는통로인반도체층이있다. 반도체층을다른용어로 Active 층이라고한다. TFT 구조 2가지 Bottom & Top gate TFT의구조는 Top gate 방식과 Bottom gate 방식이있다. 구조의차이는 Gate 전극의위치이다. 기존 LCD 에서는 Bottom gate 방식을사용한다. OLED에서는 Top gate 방식을사용한다. 제조난이도는 Bottom gate 방식이더쉽다. Oxide TFT도 a-si TFT와같은 Bottom gate 방식을사용한다. Gate는빛으로부터 Active층을보호하는곳에위치 OLED와 LCD가 Gate 위치가서로다른 TFT 구조를사용하는이유는 Active 층 ( 반도체층 ) 을빛의노출로부터막아누설전류를최소화하기위함이다. 즉 LCD는백라이트로부터나오는빛을차단하기위해 Gate가아래쪽에위치하고, 반대로 OLED는 TFT 위쪽에서빛이발생되므로위쪽에 Gate가위치하게된다. Oxide TFT는 Bottom gate 방식 Oxide TFT는 a-si TFT와같은 Bottom gate 구조를사용한다. 그이유는 Oxide 소재인 Active가빛에민감하기때문이다. 특히 LCD에서는백라이트에서나오는빛을차단하기위해반드시 Bottom gate 구조를사용해야한다. OLED에서도빛에노출되는문제는있으나공정비용을감안해서 Bottom gate 방식이사용된다. [ 그림 7] Top gate TFT 구조 (AMOLED) [ 그림 8] Bottom gate TFT 구조 (LCD) 메리츠종금증권리서치센터 8

9 5. Oxide TFT 의강점은기존 LCD 라인활용이가능하다는점 Oxide TFT는 LCD용 a-si TFT와유사공정 Oxide TFT의최대강점은기존 LCD에서사용하던 TFT 제조라인의일부분개조를통해활용이가능하다는점이다. Oxide TFT와 a-si TFT는 TFT 구조가동일하여공정단계가유사하기때문이다. 공정난이도는 LTPS > Oxide > a-si 순서 TFT 공정단계는 LTPS가가장복잡하고그다음이 Oxide, a-si 순서이다. Mask가사용되는포토리소그래피공정수는 LTPS가 8번, Oxide 6번또는 4번, a-si 4번이다. LTPS는 Active 결정화를위한 ELA 공정과이온주입공정등이포함되어단계가복잡하다. Oxide는 a-si 공정대비 Active 열처리공정이추가되며선택적으로 ESL(Etch stop layer) 공정이적용되는경우도있다. 또한 Oxide TFT는 Active 증착방식이 PECVD가아닌 Sputter 공정으로대체된다. [ 그림 9] TFT 종류별 Mask 수및공정단계비교 TFT 구분 Mask 수공정단계 a-si 4 1. Gate 전극 2. Active 3. 데이터전극 4. 보호막 5. 화소전극 Oxide 4 or 6 1. Gate 전극 2. Active( 열처리 ) 3. 데이터전극 4. 보호막 5. 화소전극 LTPS 8 1. Active(LTPS) 2. Gate 전극 3. 이온주입 4. 데이터전극 5. 보호막 6. 화소전극 [ 그림 10] a-si TFT 구조 [ 그림 11] Oxide TFT 구조 [ 그림 12] LTPS TFT 구조 메리츠종금증권리서치센터 9

10 [ 그림 13] a-si TFT 세부공정 1. Gate 전극 2. Active 3. 데이터전극 4. 보호막 5. 화소전극 Gate 전극증착 절연막증착 S/D 전극증착 보호막증착 화소전극증착 Gate 전극패터닝 (Mask 1) a-si 증착 a-si, S/D 패터닝 (Mask 2) Contact hole 형성 (Mask 3) 화소전극패터닝 (Mask 4) [ 그림 14] Oxide TFT 세부공정 1. Gate 전극 2. Active 3. 데이터전극 4. 보호막 5. 화소전극 Gate 전극증착 절연막증착 S/D 전극증착 보호막증착 화소전극증착 Gate 전극패터닝 (Mask 1) a-si 증착 a-si, S/D 패터닝 (Mask 4) Contact hole 형성 화소전극패터닝 (Mask 6) 열처리 IGZO 패터닝 (Mask 2) ESL 증착 ESL 패터닝 (Mask 3) [ 그림 15] LTPS TFT 세부공정 1. Active 2. Gate 전극 3. 이온주입 4. 데이터전극 5. 보호막 6. 화소전극 차단층 (SiO2) Gate 절연막증착 PMOS 이온주입 (Mask 3) 층간절연막증착 보호막증착 화소전극증착 a-si 증착 Gate 전극증착 NMOS 이온주입 (Mask 4) Contact hole 형성 (Mask 5) Contact hole 형성 (Mask 7) 화소전극패터닝 (Mask 8) 탈수소화 Gate 전극패터닝 (Mask 2) 이온활성화 (RTA) S/D 전극증착 LTPS 공정 S/D 전극패터닝 (Mask 6) Poly-Si 패터닝 (Mask 1) 메리츠종금증권리서치센터 10

11 [ 표 4] TFT 종류별공정단계, 소재, 장비요약 단계 세부단계 소재 장비 Mask 공정 1. Gate 전극 Gate 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter Gate 전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 1 2. Active Gate 절연막증착 SiN PECVD a-si 증착 a-si( 모노실란 ) PECVD a-si TFT 3. 데이터전극 Source/Drain 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter a-si, Source/Drain 패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 2 4. 보호막 보호막증착 SiN PECVD Contact hole 형성 Photo 장비, Dry etcher Mask 3 5. 화소전극 화소전극증착 ITO/IZO Sputter 화소전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 4 단계 세부단계 소재 장비 Mask 공정 1. Gate 전극 Gate 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter Gate 전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 1 2. Active Gate 절연막증착 SiN/SiO2 PECVD IGZO 증착 IGZO Sputter 열처리 (350도) 열처리장비 IGZO 패터닝 Photo 장비, Wet/Dry etcher Mask 2 Oxide TFT ESL 증착 SiO2 PECVD ESL 패터닝 Photo 장비, Dry etcher Mask 3 3. 데이터전극 Source/Drain 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter Source/Drain 패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 4 4. 보호막 보호막증착 SiO2 PECVD Contact hole 형성 Photo 장비, Dry etcher Mask 5 5. 화소전극 화소전극증착 ITO/IZO Sputter 화소전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 6 단계 세부단계 소재 장비 Mask 공정 1. Active 차단층증착 SiO2 PECVD a-si 증착 a-si( 모노실란 ) PECVD 탈수소화 (450도) 열처리장비 (Batch type) LTPS 공정 ELA/SGS Poly-Si 패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 1 2. Gate 전극 Gate 절연막증착 SiO2 PECVD Gate 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter Gate 전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 2 3. 이온주입 PMOS 이온주입 B Ion Implanter, Photo 장비, Dry etcher Mask 3 LTPS TFT NMOS 이온주입 P Ion Implanter, Photo 장비, Dry etcher Mask 4 이온활성화 RTA(Rapid Thermal Annealing) 4. 데이터전극 층간절연막증착 SiN, SiO2 PECVD Contact hole 형성 Photo 장비, Dry etcher Mask 5 Source/Drain 전극증착 Cu, Ti, Al, Mo Sputter Source/Drain 패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 6 5. 보호막 보호막증착 SiN PECVD 수소화 열처리장비 (Batch type) Contact hole 형성 Photo 장비, Wet etcher Mask 7 6. 화소전극 화소전극증착 ITO/IZO Sputter 화소전극패터닝 Photo 장비, Wet etcher Mask 8 메리츠종금증권리서치센터 11

12 [ 표 5] TFT 종류별주요장비 Capex ( 단위 : 대 ) 장비명 처리능력 단가 (8G 기준 ) 100K 기준소요대수 장비 Capex a-si TFT Dry etcher ,400 Wet etcher Sputter ,400 PECVD ,400 Photo 장비 ,500 Total 15,500 Oxide TFT Dry etcher ,400 Wet etcher Sputter ,400 PECVD ,400 Photo 장비 ,500 열처리장비 ,667 Total 18,167 LTPS TFT Dry etcher ,400 Wet etcher Sputter ,400 PECVD ,400 Photo 장비 ,500 ELA ,333 열처리장비 ( 탈수소화 ) ,000 열처리장비 ( 수소화 ) ,000 열처리장비 ( 이온활성화 ) ,000 Ion implanter ,500 Total 23,333 [ 표 6] 장비사용빈도 ( 단위 : 회 ) a-si TFT Oxide TFT LTPS TFT Sputter PECVD Dry etcher Wet etcher Photo 장비 열처리장비 (Batch) 열처리장비 (RTA) Ion implanter ELA 메리츠종금증권리서치센터 12

13 6. 투자전략 소재및장비변화에주목! 1. 패널 LG디스플레이 LG디스플레이는 OLED TV 상용화를위한 Backplane 기술로 Oxide TFT를채택하고있다. 2012년 CES를통해기술력을검증받았고현재양산을위한준비를진행중이다. Oxide TFT는 LTPS에비해성능은다소떨어져서모바일용 OLED 패널에는적용이어렵지만 TV용 OLED 패널에서는구현이가능하다. LG디스플레이는 Oxide TFT 적용을통한가격경쟁력확보로 OLED TV 시장선점에유리한위치를차지할것으로예상된다. 2. 소재 IGZO: 나노신소재 Oxide TFT 적용확대시소재변화에주목해야한다. Oxide TFT는 Active 물질로 IGZO(In-Ga-Zn-O) 를사용한다. IGZO는타겟형태로 Sputter 장비내부에장착된다. IGZO Sputter 타겟의형태는판상와로터리 ( 원통형 ) 형태가있으며최근에는공정효율향상을위해로터리타겟으로전환하는추세이다. 스퍼터용타겟의주요공급업체는삼성코닝정밀유리, Nikko( 일본 ), 미쓰이 ( 일본 ), 희성금속등이다. 나노신소재는국내에서유일한 Oxide TFT용 IGZO 타겟제조업체이며향후 Oxide TFT 확산에따라큰폭의성장이예상된다. 3. 장비 (1) 열처리장비 : 테라세미콘, 비아트론 ( 상장예정 ) Oxide TFT는 IGZO 증착후열처리공정이필요하다. 이공정은 LCD용 a-si TFT에는없는공정이다. 열처리온도는대략 350~370도이다. 열처리방식은주로 Batch 형태가사용된다. 열처리시간이길게소요되기때문에장비수량도많이필요하다. 국내에열처리장비전문업체는테라세미콘과비아트론 ( 상장예정 ) 이있다. 두업체모두 Batch type 장비를보유하고있으며, 인라인장비인급속열처리기 (RTA) 는비아트론이독점적으로공급하고있다. 현재 SMD의 LTPS 공정에서탈수소화는테라세미콘이, 이온주입이후활성화공정은비아트론이각각담당하고있다. 향후 OLED TV 상용화및고해상도 LCD 대응를위한 Oxide TFT 투자시 Oxide용열처리장비에강점이있는비아트론의수혜가커질것으로전망된다. (2) 식각장비 : 아이씨디 Oxide TFT는 Gate 절연막소재로산화물인 SiO2( 실리콘옥사이드 ) 를사용한다. 기존 a- Si TFT에서는 SiN( 실리콘나이트라이드 ) 를사용한다. SiO2는 SiN에비해조직이치밀하고딱딱해식각 (Etching) 이어렵다. 일반적으로 SiO2는 SiN에비해식각공정에소요되는시간이 4배길다. 따라서공정시간을단축하여생산성을높이기위해서는식각장비 (Dry etcher) 를업그레이드해야한다. 아이씨디는고속식각장비인 HDP etcher를생산하는국내에서유일한업체로서향후 Oxide TFT 투자에대한수혜가예상된다. (3) Sputter Oxide TFT는 IGZO 증착방식으로 Sputter 장비를사용한다. 기존 a-si TFT는 a-si 증착을위해 PECVD 방식을사용하였다. 따라서 Oxide TFT 적용확대시 Sputter 장비의신규수요가증가할것으로예상된다. 일부장비업체는 IGZO 증착방식으로 CVD를적용하려는연구가진행되고있다. CVD 방식은 Sputter 방식에비해유지보수측면에서이점이있으나아직까지양산성에대한검증이필요한상황으로파악된다. 관련업체로는아바코, 이루자 ( 비상장 ) 등이있다. 메리츠종금증권리서치센터 13

14 [ 표 7] Oxide TFT 에서소재및장비변화내용과관련업체요약 구분 a-si TFT Oxide TFT Oxide TFT 에서변화내용관련업체및내용 소재 Active 층소재 Si IGZO Active 층소재로 IGZO(In-Ga-Zn-O) 사용나노신소재 Sputter 공정용 IGZO 타겟소재 장비 Active 층열처리없음 370 도열처리 IGZO 증착후 370 도에서열처리필요 테라세미콘비아트론 IGZO 박막열처리장비 Gate 절연막증착및식각 SiN SiN + SiO2 누설전류방지를위해 SiO2 추가증착. 아이씨디 SiO2 식각을위한 ICP type 의 HDP etcher ESL(Etch Stop Layer) 증착없음 SiO2 ESL(SiO2) 은 IGZO 층을에칭공정으로부터보호. 선택적추가 ESL 사용시단점은 TFT 크기가커져고해상도구현이어려움공정비용절감을위해 ESL 층을제거하는방향으로연구개발진행중 아이씨디 SiO2 식각을위한 ICP type 의 HDP etcher Active 층증착 PECVD Sputter IGZO 증착은 Sputtering 방식적용. 일부업체에서 CVD 방식도개발중. 아바코, 이루자 IGZO 증착을위한 Sputter 장비 메리츠종금증권리서치센터 14

15 Company Briefs 1 LG 디스플레이 (034220) Buy TP 40,000 원 16p 2 아이씨디 (040910) Buy TP 40,000 원 19p 3 나노신소재 (121600) N/R 22p 4 비아트론 ( 상장예정 ) N/R 25p 메리츠종금증권리서치센터 15

16 LG 디스플레이 (034220) Buy ( 유지 ) TP 40,000 원 Oxide TFT 로 Cost 와성능두마리토끼를잡다 투자의견 Buy 및목표주가 4만원유지 LG디스플레이에대해투자의견 Buy 및목표주가 4만원유지. 1분기는신제품공급차질관련 1회성비용으로전분기대비적자지속. 2 분기는제품믹스개선과특수수요에의한재고재축적효과로흑자전환예상. 하반기 OLED TV 양산으로 FPR 3D와함께제품차별화는가속화될것 투자포인트 : 제품차별화 + OLED 기술경쟁력확보 1. 백색OLED + Oxide TFT OLED TV는시장선점과고객다변화에유리백색OLED 방식은경쟁사의 RGB 방식대비대면적 8세대양산에있어유리한방식. 특히산화물TFT는기존 LCD라인활용이가능하기때문에 Capex 부담을최소화하여투자효율성이높음. 결과적으로 Cost 경쟁력이높은공정기술을기반으로 OLED TV 시장초기경쟁에서시장선점과고객다변화에유리할것으로판단 2. 3D와 OLED로제품차별화가속화 FPR 3D는중국및북미시장에서점유율이꾸준히확대추세이며 3D 기술경쟁에서확실한주도권을확보할것. 하반기 OLED TV 패널양산으로동사의제품차별화는가속화될전망 3. 1Q 실적부진. 2Q는흑자전환예상 LG디스플레이 1분기매출액은전분기대비 0.4% 감소한 6.6조원, 영업적자는 1,498억원으로적자지속. 춘절이후중국수요둔화와신제품관련 1회성비용이주요원인. 2분기는흑자전환예상 업종 : 전기, 전자 / Analyst 지목현 ( / [email protected]) Rating & Target Price New : Buy 40,000원 종가 (3/21) 29,650원 Market Data KOSPI 2,027.23pt KOSDAQ pt 시가총액 106,092억원 발행주식수 35,782만주 외국인지분율 30.68% DPS(2010) 500 원 배당수익률 (2010) 1.3% Company Data 매출구성 LCD 100% 주요주주 LG전자 37.9% 국민연금 6.0% Bloomberg KS Price Range(52주 ) 17,500~40,900원 60일평균거래량 2,456,927주 60일평균거래대금 689.8억원 ( 억원, 원, 배,%) E 2013E 매출액 255, , , ,115 영업이익 13,105-9,243 1,002 2,454 조정영업이익 16,886-5,560 5,681 6,934 순이익 11,592-7,879 2,083 3,301 EPS 3,232-2, 증감율 (%) BPS 29,334 26,630 26,968 27,523 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 시장대비상대강도 : 1개월 (1.03), 3개월 (1.18), 6개월 (1.25) 000'S LG Display Co., Ltd FROM 21/3/11 TO 21/3/12 DAILY Mar Apr May Jun Jul Aug Sep Oct Nov Dec Jan Feb PRICE HIGH /04/11, LOW /09/11, LAST PRICE REL. TO KOREA SE COMPOSITE(KOSPI) 메리츠종금증권리서치센터 16

17 [ 표 1] LG디스플레이분기별실적전망 ( 단위 : 억원 ) IFRS 연결기준 11.1Q 11.2Q 11.3Q 11.4Q 12.1QF 12.2QF 12.3QF 12.4QF 11 12F 매출액 53,655 60,470 62,695 66,100 65,845 68,580 71,156 69, , ,323 영업이익 -2, ,921-1,448-1, ,301 1,016-9,243 1,002 영업이익률 -4.5% -0.8% -7.8% -2.2% -2.3% 0.3% 1.8% 1.5% -3.8% 0.4% EBITDA 5,770 8,450 4,560 7,118 7,580 9,260 10,379 10,094 23,807 37,314 EBITDA이익률 10.8% 14.0% 7.3% 10.8% 11.5% 13.5% 14.6% 14.5% 9.8% 13.6% 세전이익 -2, ,951-1,332-1, ,663 1,377-10,812 2,451 순이익 -1, , ,413 1,170-7,879 2,083 Shipment area(k m2) 6,728 7,454 8,099 8,414 8,341 8,576 8,881 8,740 30,695 34,538 QoQ % ASP/m2 (USD) QoQ % 메리츠종금증권리서치센터 17

18 Income Statement Statement of Cash Flow ( 억원 ) E 2013E ( 억원 ) E 2013E 매출액 255, , , ,115 영업활동현금흐름 48,835 40,118 46,961 49,691 매출원가 217, , , ,106 당기순이익 ( 손실 ) 11,592-7,879 2,083 3,301 매출총이익 37,307 16,372 30,025 32,009 유형자산감가상각비 27,565 35,671 38,369 40,508 판매비와관리비 20,421 21,933 24,344 25,074 무형자산상각비 1,688 4,772 3,923 3,481 기타손익 2,079 1,980 2,244 2,405 운전자본의증감 3,027 6, 영업이익 13,105-9,243 1,002 2,454 투자활동현금흐름 -45,152-50,859-57,997-55,747 조정영업이익 16,886-5,560 5,681 6,934 유형자산의증가 (CAPEX) -49,424-56,500-53,460-51,925 금융수익 투자자산의감소 ( 증가 ) 378-1, 종속 / 관계기업관련손익 재무활동현금흐름 4,081 18,410 10,616 9,824 기타영업외손익 ,310 1,894 1,884 차입금증감 5,604 20,200 12,405 11,613 세전계속사업이익 12,656-10,812 2,451 3,883 자본의증가 법인세비용 1,063-2, 현금의증가 8,130 7, ,767 당기순이익 11,592-7,879 2,083 3,301 기초현금 8,180 16,310 23,980 23,560 지배주주지분순이익 11,563-7,860 2,078 3,293 기말현금 16,310 23,980 23,560 27,327 Balance Sheet Key Financial Data ( 억원 ) E 2013E ( 원,%, 배 ) E 2013E 유동자산 88,404 79,200 86,145 94,412 주당데이터 ( 원 ) 현금및현금성자산 16,310 23,980 23,560 27,327 SPS 71,298 67,890 76,945 82,477 매출채권 30,007 25,000 28,335 30,372 EPS 3,232-2, 재고자산 22,152 23,170 26,261 28,148 CFPS 13,484 8,788 13,393 14,209 비유동자산 150, , , ,309 EBITDAPS 11,838 8,720 12,099 12,979 유형자산 128, , , ,309 BPS 29,334 26,630 26,968 27,523 무형자산 5,399 5,427 4,504 4,023 DPS 투자자산 4,088 5,350 6,064 6,500 배당수익률 (%) 자산총계 238, , , ,721 Valuation(Multiple) 유동부채 88,818 99, , ,390 PER 매입채무 29,620 32,000 32,320 32,643 PCR 단기차입금 12,135 15,135 15,135 15,135 PSR 유동성장기부채 8,866 15,866 17,866 18,866 PBR 비유동부채 39,149 51,219 63,703 75,585 EBITDA 42,359 31,201 43,294 46,442 사채 16,285 16,285 16,285 16,285 EV/EBITDA 장기차입금 8,301 18,501 28,905 39,517 Key Financial Ratio(%) 부채총계 127, , , ,974 자기자본이익률 (ROE) 자본금 17,891 17,891 17,891 17,891 EBITDA이익률 자본잉여금 22,511 22,511 22,511 22,511 부채비율 기타포괄이익누계액 금융비용부담률 이익잉여금 70,312 60,663 60,952 62,455 이자보상배율 (x) 비지배주주지분 매출채권회전율 (x) 자본총계 110, , , ,747 재고자산회전율 (x) 메리츠종금증권리서치센터 18

19 아이씨디 (040910) Buy ( 하향 ) TP 40,000 원 Oxide TFT 는새로운성장동력 투자의견 Buy 및목표주가 4만원으로하향아이씨디에대해투자의견은 Buy로하향. 목표주가는 100% 무상증자와수익추정변경을반영하여 4만원으로하향. HDP Etcher는독점적지위가유지되고있으며향후 LCD와 OLED에서 Oxide TFT 공정적용확대는새로운성장동력이될전망 업종 : 반도체 / Analyst 지목현 ( / [email protected]) Rating & Target Price Buy 40,000 원 투자포인트 : Oxide TFT 적용확대로신규성장동력확보 1. Oxide TFT는새로운성장모멘텀주력제품인 HDP Etcher는 Oxide TFT의 Gate 절연막과 Active 층식각에필수적인장비. Oxide TFT는레티나디스플레이와같은고해상도모바일용 LCD 및 OLED TV용패널에공정적용이확대될전망 2. OLED 공정변화에무관하게안정적성장예상 HDP Etcher는 OLED 공정의세대진화에따른기술변화에관계없이필수적으로사용되는식각장비. OLED TV 상용화를위한 8세대양산투자에따른수혜지속전망 종가 (3/21) 27,900원 Market Data KOSPI 2,027.23pt KOSDAQ pt 시가총액 4,327억원 발행주식수 1,551만주 외국인지분율 12.99% DPS(2010) 0 원 배당수익률 (2010) 0.0% Company Data 매출구성 AMOLED 전공정장비 98.7% 12F 매출액 1,792억원, 영업이익 474억원예상아이씨디 12F 매출액은전년대비 25.2% 증가한 1,792억원, 영업이익은 45.6% 증가한 474억원예상. 5.5세대추가증설과 8세대신규투자에대한수주는안정적인흐름이예상되며, 고해상도 LCD 패널공급을위한기존 LCD 라인의 Oxide TFT 전환으로 HDP etcher의신규수요지속증가전망 주요주주 피델리티인베스트먼트 2.2% Bloomberg KS Price Range(52주 ) 27,850~78,800원 60일평균거래량 210,682주 60일평균거래대금 103.4억원 ( 억원, 원, 배,%) E 2013E 매출액 355 1,431 1,792 2,436 영업이익 조정영업이익 순이익 EPS 252 2,057 2,430 3,281 증감율 (%) BPS 365 5,393 7,793 11,074 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 'S 90.0 ICD Co.,Ltd FROM 21/3/11 TO 21/3/12 DAILY Mar Apr May Jun Jul Aug Sep Oct Nov Dec Jan Feb PRICE HIGH /08/11, LOW /03/12, LAST PRICE REL. TO KOSDAQ COMPOSITE - PRICE INDEX 시장대비상대강도 : 1 개월 (0.93), 3 개월 (0.98), 6 개월 (0.73) 메리츠종금증권리서치센터 19

20 [ 표 1] 아이씨디분기별실적전망 ( 단위 : 억원 ) FY11.1Q FY 11.2Q FY 11.3Q FY 11.4Q FY 12.1QF FY 12.2QF FY 12.3QF FY 12.4QF FY 11 FY 12F 매출액 ,431 1,792 AMOLED ,361 1,771 HDP Etcher ,216 1,443 Asher 및기타 기타 영업이익 영업이익률 14.6% 22.8% 22.4% 25.1% 25.5% 26.0% 26.5% 27.0% 22.7% 26.4% 세전이익 순이익 메리츠종금증권리서치센터 20

21 Income Statement Statement of Cash Flow ( 억원 ) E 2013E ( 억원 ) E 2013E 매출액 355 1,431 1,792 2,436 영업활동현금흐름 매출원가 ,134 1,547 당기순이익 ( 손실 ) 매출총이익 유형자산감가상각비 판매비와관리비 무형자산상각비 기타손익 운전자본의증감 영업이익 투자활동현금흐름 조정영업이익 유형자산의증가 (CAPEX) 금융수익 투자자산의감소 ( 증가 ) 종속 / 관계기업관련손익 재무활동현금흐름 기타영업외손익 차입금증감 세전계속사업이익 자본의증가 법인세비용 현금의증가 당기순이익 기초현금 지배주주지분순이익 기말현금 Balance Sheet Key Financial Data ( 억원 ) E 2013E ( 원,%, 배 ) E 2013E 유동자산 281 1,086 1,443 1,957 주당데이터 ( 원 ) 현금및현금성자산 SPS 3,160 11,477 11,551 15,706 매출채권 EPS 252 2,057 2,430 3,281 재고자산 CFPS 1,641 6,209 3,532 4,570 비유동자산 EBITDAPS 521 2,782 3,530 4,570 유형자산 BPS 365 5,393 7,793 11,074 무형자산 DPS 투자자산 배당수익률 (%) 자산총계 472 1,436 1,824 2,353 Valuation(Multiple) 유동부채 PER 매입채무 PCR 단기차입금 PSR 유동성장기부채 PBR 비유동부채 EBITDA 사채 EV/EBITDA 장기차입금 Key Financial Ratio(%) 부채총계 자기자본이익률 (ROE) 자본금 EBITDA이익률 자본잉여금 부채비율 기타포괄이익누계액 금융비용부담률 이익잉여금 ,206 이자보상배율 (x) 비지배주주지분 매출채권회전율 (x) 자본총계 ,274 1,783 재고자산회전율 (x) 메리츠종금증권리서치센터 21

22 나노신소재 (121600) Not Rated IGZO 로성장을꿈꾸다 Oxide TFT 적용확대에따른 IGZO 소재사업성장가속화나노신소재는 Sputter용타겟소재전문업체로서 Oxide TFT 증착용 IGZO 타겟소재사업성장가속화예상. Oxide TFT는뉴아이패드출시로상용화가시작되었으며향후공정적용이빠르게확대될전망 투자포인트 : IGZO 고성장성 + 제품차별화 1. IGZO 타겟소재의고성장성 IGZO 타겟은 Oxide TFT 증착용소재. Oxide TFT는고해상도 LCD 및 OLED용 TFT 기술로향후적용이빠르게확대될전망. 나노신소재는국내유일의 IGZO타겟제조업체이며나노분말제조기술이핵심경쟁력 2. 차별화제품인로터리타겟으로시장지배력확대로터리타겟은사용효율이높아향후신규라인투자시수요증가예상. 로터리타겟은일반판상형태타겟보다사용기간이 2배이상길어사용효율이높고유지보수비용의절감이가능. 동사는로터리타겟의선발업체로서향후시장지배력확대예상 12F 매출액 441억원, 영업이익 112억원예상나노신소재 12F 매출액은전년대비 31.6% 증가한 441억원, 영업이익은 148.9% 증가한 112억원예상. 디스플레이용타겟부문은 Oxide TFT용 IGZO 타겟고객사확보시큰폭의매출성장예상. 태양전지부문은부진이지속되나반도체부문은안정적성장예상 업종 : 화학 / Analyst 지목현 ( / [email protected]) Rating & Target Price N/R 종가 (3/21) 21,900원 Market Data KOSPI 2,027.23pt KOSDAQ pt 시가총액 1,584억원 발행주식수 723만주 외국인지분율 0.80% DPS(2010) 0 원 배당수익률 (2010) 0.0% Company Data 매출구성 디스플레이소재 31.1% 태양전지소재 27.3% 반도체소재 15.9% 주요주주 박장우 24.8% 알리안츠자산운용 11.7% Bloomberg KS Price Range(52주 ) 9,300~28,000원 60일평균거래량 119,162주 60일평균거래대금 28.2억원 ( 억원, 원, 배,%) E 2013E 매출액 영업이익 조정영업이익 순이익 EPS 1, ,209 1,860 증감율 (%) BPS 4,676 3,938 5,185 7,078 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 시장대비상대강도 : 1개월 (0.83), 3개월 (1.06), 6개월 (1.72) 000'S 30.0 Advanced Nano Products Co., Ltd. FROM 21/3/11 TO 21/3/12 DAILY Mar Apr May Jun Jul Aug Sep Oct Nov Dec Jan Feb PRICE HIGH /02/12, LOW /09/11, LAST PRICE REL. TO KOSDAQ COMPOSITE - PRICE INDEX 메리츠종금증권리서치센터 22

23 [ 표 1] 나노신소재분기별실적전망 ( 단위 : 억원 ) 11.1Q 11.2Q 11.3Q 11.4Q 12.1QF 12.2QF 12.3QF 12.4QF 11 12F 매출액 태양전지 디스플레이 반도체 기타 영업이익 영업이익률 26.0% 24.6% -15.2% 33.9% 25.0% 25.0% 26.0% 25.0% 13.5% 25.3% 세전이익 순이익 메리츠종금증권리서치센터 23

24 Income Statement Statement of Cash Flow ( 억원 ) E 2013E ( 억원 ) E 2013E 매출액 영업활동현금흐름 매출원가 당기순이익 ( 손실 ) 매출총이익 유형자산감가상각비 판매비와관리비 무형자산상각비 기타손익 운전자본의증감 영업이익 투자활동현금흐름 조정영업이익 유형자산의증가 (CAPEX) 금융수익 투자자산의감소 ( 증가 ) 종속 / 관계기업관련손익 재무활동현금흐름 기타영업외손익 차입금증감 세전계속사업이익 자본의증가 법인세비용 현금의증가 당기순이익 기초현금 지배주주지분순이익 기말현금 Balance Sheet Key Financial Data ( 억원 ) E 2013E ( 원,%, 배 ) E 2013E 유동자산 주당데이터 ( 원 ) 현금및현금성자산 SPS 5,294 4,749 6,098 10,364 매출채권 EPS 1, ,209 1,860 재고자산 CFPS 1,738 1,079 1,890 2,749 비유동자산 EBITDAPS 1,920 1,220 2,156 3,009 유형자산 BPS 4,676 3,938 5,185 7,078 무형자산 DPS 투자자산 배당수익률 (%) 자산총계 Valuation(Multiple) 유동부채 PER 매입채무 PCR 단기차입금 PSR 유동성장기부채 PBR 비유동부채 EBITDA 사채 EV/EBITDA 장기차입금 Key Financial Ratio(%) 부채총계 자기자본이익률 (ROE) 자본금 EBITDA이익률 자본잉여금 부채비율 기타포괄이익누계액 금융비용부담률 이익잉여금 이자보상배율 (x) 비지배주주지분 매출채권회전율 (x) 자본총계 재고자산회전율 (x) 메리츠종금증권리서치센터 24

25 비아트론 (NR/ 상장예정 ) Oxide TFT 용열처리장비의숨은실력자 Oxide TFT용열처리장비에강점보유비아트론은열처리장비전문업체로서 Oxide TFT 투자확대에따라외형성장가속화예상. 현재 Oxide TFT용열처리장비시장점유율 90% 이상으로독보적위치. Oxide TFT용열처리장비는일반적인건식방식이아닌습식방식으로서특수한형태의열처리방식적용 투자포인트 : Oxide TFT 확대에따른열처리장비시장성장수혜 1. Batch와 In-Line 장비를모두보유한열처리장비전문업체비아트론은 Batch와 In-Line 장비를모두보유한디스플레용열처리장비전문업체. 특히 LTPS 공정에필수적인 In-Line 장비인 RTA( 급속열처리장비 ) 는 SMD에독점공급중 업종 : 디스플레이 / Analyst 지목현 ( / [email protected]) Company Data 매출구성 AMOLED 38.0% LTPS(LCD) 26.3% Oxide TFT 24.4% 주요주주 김형준 19.3% Newton Capital 16.5% SVIC 23.1% 2. Oxide TFT 공정전환은열처리장비시장확대에긍정적 Oxide TFT 공정은기존 LCD용 a-si TFT 공정에서없는열처리공정이추가. Oxide 열처리방식은 Batch 형태로서공정시간단축을위해서는다수의열처리장비필요. 결국 Oxide TFT 공정적용확대에따라열처리장비시장성장수혜예상 12F 가이던스매출액 1,000억원, 영업이익 240억원비아트론의 12F 가이던스는매출액은 1,000억원, 영업이익은 240억원. 2011년매출액과영업이익은각각 471억원, 105억원. 2011년기준부문별매출비중은 AMOLED 38%, LTPS(LCD) 26%, Oxide TFT 24%. 향후 Oxide TFT 부분에서큰폭의성장전망 ( 단위 : 억원, %) 매출액 영업이익 영업이익률 순이익 순이익률 메리츠종금증권리서치센터 25

26 [ 표 1] 비아트론매출구성 [ 그림 1] 부문별매출비중 (2011 년 ) ( 단위 : 억원 ) 매출액 AMOLED LTPS-LCD Oxide TFT Flexible 0 42 기타 5 11 Total 100% 100% AMOLED 57.3% 38.0% LTPS-LCD 9.2% 26.3% Oxide TFT 31.2% 24.4% Flexible 0.0% 8.9% 기타 2.3% 2.3% Oxide TFT, 24.4% 기타, Flexible, 2.3% 8.9% 부문별매출비중 (2011 년 ) LTPS- LCD, 26.3% AMOLED, 38.0% 메리츠종금증권리서치센터 26

27 Compliance Notice 동자료는작성일현재사전고지와관련한사항이없습니다. 당사는동자료에언급된종목과계열회사의관계가없으며 2012년 3월 22일현재동자료에언급된종목의유가증권 (DR, CB, IPO, 시장조성등 ) 발행관련하여지난 6개월간주간사로참여하지않았습니다. 당사는 2012년 3월 22일현재동자료에언급된종목의지분을 1% 이상보유하고있지않습니다. 당사의조사분석담당자는 2012년 3월 22일현재동자료에언급된종목의지분을보유하고있지않습니다. 본자료에게재된내용들은본인의의견을정확하게반영하고있으며, 외부의부당한압력이나간섭없이작성되었음을확인합니다. ( 작성자 : 지목현 ) 동자료는투자자들의투자판단에참고가되는정보제공을목적으로배포되는자료입니다. 동자료에수록된내용은당사리서치센터의추정치로서오차가발생할수있으며정확성이나완벽성은보장하지않습니다. 동자료를이용하시는분은동자료와관련한투자의최종결정은자신의판단으로하시기바랍니다. 투자등급관련사항 1. 종목추천관련투자등급 ( 추천기준일종가대비 4등급 ) 아래종목투자의견은향후 6개월간추천기준일종가대비추천종목의예상목표수익률을의미함. ㆍStrong Buy : 추천기준일종가대비 +50% 이상. ㆍBuy : 추천기준일종가대비 +15% 이상 ~ +50% 미만. ㆍHold : 추천기준일종가대비 +5% 이상 ~ +15% 미만. ㆍReduce : 추천기준일종가대비 +5% 미만. 2. 산업추천관련투자등급 ( 추천기준일시장지수대비 3등급 ) 아래산업투자의견은시가총액기준산업별시장비중대비보유비중의변화를추천하는것. ㆍ비중확대 / 중립 (Neutral) / 비중축소 (Underweight) LG디스플레이 (034220) 의투자등급변경내용추천확정일자자료의형식투자의견목표주가담당자주가및목표주가변동추이 산업브리프 Buy 48,000 문현식 ( 원 ) 주가 목표주가 기업분석 Buy 52,000 문현식 기업브리프 Buy 52,000 문현식 담당애널리스트변경 기업분석 Buy 50,000 지목현 산업분석 Buy 50,000 지목현 산업분석 Buy 50,000 지목현 산업분석 Buy 50,000 지목현 산업브리프 Buy 50,000 지목현 산업분석 Buy 50,000 지목현 산업분석 Buy 40,000 지목현 기업브리프 Buy 40,000 지목현 기업브리프 Buy 32,000 지목현 산업분석 Buy 32,000 지목현 기업브리프 Buy 40,000 지목현 산업분석 Buy 40,000 지목현 산업분석 Buy 40,000 지목현 아이씨디 (040910) 의투자등급변경내용추천확정일자자료의형식투자의견목표주가담당자주가및목표주가변동추이 산업분석 Strong Buy 120,000 지목현 ( 원 ) 주가 산업분석 Strong Buy 120,000 지목현 산업분석 Buy 40,000 지목현 목표주가 메리츠종금증권리서치센터 27