Polymer(Korea), Vol. 39, No. 4, pp. 662-667 (2015) http://dx.doi.org/10.7317/pk.2015.39.4.662 ISSN 0379-153X(Print) ISSN 2234-8077(Online) 전도성입자의형태가감광성실버페이스트의미세전극패턴형성에미치는영향 임호선 최학렬 * 김범준 * 박성대 전자부품연구원전자소재응용연구센터, *( 주 ) 휘닉스소재기술연구소 (2015 년 2 월 4 일접수, 2015 년 2 월 27 일수정, 2015 년 2 월 27 일채택 ) Effect of Conductive Filler Shape on Fine Electrode Pattern of Photosensitive Silver Pastes Ho Sun Lim, Hakryul Choi*, Bumjoon Kim*, and Sung-Dae Park Electronic Materials & Device Research Center, Korea Electronics Technology Institute, 25 Saenariro, Bundanggu, Seongnamsi, Gyeonggido 463-816, Korea *R&D Team, Phoenix Materials, 130 Gongdan-dong, Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 730-902, Korea (Received February 4, 2015; Revised February 27, 2015; Accepted February 27, 2015) 초록 : 전도성이우수한미세전극패턴을형성하기위해은분말을함유한감광성페이스트를구현하고입자의형태에따른전기적특성을평가하였다. 노볼락에폭시변성아크릴레이트올리고머, 아크릴레이트단량체, 광개시제를혼합하여광경화및알칼리현상이가능한수지조성을기반으로은분말을첨가하여감광성 Ag 페이스트를제조하였다. 구형은분말의함량이증가할수록전도성입자간밀집도가좋아져비저항 (volume resistance) 값은낮아졌으며, 88 wt% 의구형은분말을함유한페이스트는 1.14 10-4 Ω cm 의값을나타내었다. 구형과판상형은분말을 8:2 의비로혼합하였을때 84 wt% 로은분말의함량을줄였음에도불구하고비저항은 7.04 10-5 Ω cm 로가장우수한값을보였다. 이결과는판상형은분말이구형분말사이의전도성연결을개선하여전기가흐르기용이하도록만들어주었기때문이다. Abstract: Photosensitive silver pastes were developed using a mixture of spherical and flake-type silver particles for fine electrode patterns with high electrical conductivity, and the electrical characteristics were evaluated as a function of particle shape. The photosensitive silver pastes mixed up novolac epoxy-modified acrylate oligomer, acrylate monomer, and photoinitiator as a photocurable and alkali-developable binder resin composition, and silver spheres and flakes as conductive fillers. With a increase of silver loading amount the volume resistance decreased due to enhancement of packing density between the conductive fillers, where the conductive paste with 88 wt% silver sphere content showed 1.14 10-4 Ω cm. When the silver particles loading and sphere to flake ratio were 84 wt% and 8:2, the volume resistance exhibited 7.04 10-5 Ω cm. This result was attributed to improvement of electrical contacts between silver spheres by flakes. Keywords: photosensitive silver pastes, electrical conductivity, fine electrode pattern, particle shape effect. 서 터치스크린 (touch screen panel, TSP) 기술이내장된스마트기기는 PDA, 내비게이션, 터치폰, 태블릿 PC 의순서로발전해왔으며, 점차태블릿겸용노트북 PC 인스마트 PC 와 all-in-one PC 등의중대형기기로확산되고있는추세이다. 이에따라 TSP 기술은대면적화, 높은선명성및투과율증대, 박막화및경량화, 고속 / 저전력구동, 긴내구성구현, 저 론 To whom correspondence should be addressed. E-mail: hslim@keti.re.kr 2015 The Polymer Society of Korea. All rights reserved. 비용등의기술적이슈에초점을맞추어개발되고있다. 1-10 특히 TSP 디스플레이의대면적화및고해상도구현을위해서는베젤 (bezel) 부분을최소화하는것이핵심이며, 수십 µm 미만의미세전극패턴형성을위한전극소재및공정기술의개발에대한관심이높아지고있다. 11 일반적으로필름타입의 TSP 모듈은좌우베젤부분을통해 TSP 하단으로배선이연결되는데, 주로실버페이스트를인쇄하여투명터치스크린필름의인듐주석산화물 (indium tin oxide, ITO) 전극패턴과연성회로기판 (flexible printed circuit board, FPCB) 을연결하기위한전극을형성하는데사용하였다. 11 특히현재의기술적관심은베젤전극부분의패턴선폭을점점작게만드는데집중되고있으며, 여러가지기술 662
전도성입자의형태가감광성실버페이스트의미세전극패턴형성에미치는영향 663 을활용하여베젤전극의선폭을감소시키는데많은노력을기울이고있다. 실제로 100 µm 선폭의베젤전극패턴을 30 µm 선폭으로감소시키면 4 inch 기준 TSP 에서베젤전극의총크기를 1.7 에서 0.51 mm 로감소시킬수있으며, 화면비율을 15:9 라고가정하였을때 4 inch 크기의화면이 4.16 inch 가되어사용자의시인성및편의성을크게향상시킬수있다. 11 현재 TSP 에서미세베젤전극을형성하기위해사용되는기존기술은전도성페이스트를스크린프린팅 (screen printing) 하여 8~12 µm 의두께로인쇄하는방법이주로사용되고있었다. 12,13 스크린인쇄용전도성페이스트는바인더수지내에금속입자를 90% 이상충전할수있어높은전기전도도를구현할수있는장점이있으나, 공정특성상 50 µm 미만선폭의미세전극패턴을형성하기가어려워베젤부의두께를줄이는데한계가있다. 또한미세선폭의한계를극복하기위한방법으로메탈증착, 포토리소그래피, 오프셋등을사용하고있으나, 대부분초기투자비대비효율이낮아광범위하게적용되지못하고있는실정이다. 14-18 특히포토공정을이용한다이렉트메탈전극패턴형성기술은 20 µm 미만선폭의베젤전극패턴구현이가능하지만고가의공정장비및전극재료가소요된다는단점이있어이기술이적용된일부스마트기기의가격을향상시키는주요원인이되고있다. 이를해소하기위하여간편한공정으로저렴하게미세전극패턴을형성하기위한대체기술에대한많은연구가진행되고있으며, 감광성실버페이스트기반의포토공정기술은미세선폭을구현할수있는유용한기술로많은관심을받고있다. 14 그러나포토공정기반의감광성페이스트는 20 µm 미만의미세전극패턴을형성하기에용이하지만전도성입자의충전되는양이제한적이라높은전도도를구현하기어렵고, 미세패턴선폭제어및기판과의부착력을높여주기위해전도성입자의크기, 형태와분산도에대한제어기술이필수적으로확보되어야한다. 본연구에서는전도성입자의형태가감광성실버페이스트의전기적특성에미치는영향을파악하기위한기초적실험으로써, 구형및판상형입자의비율및함량을달리하여저항값과광조사에따른전극패턴의해상도를평가하였다. 실 재료. 감광성고분자수지로는노볼락에폭시변성아크릴레이트올리고머 (PN2601), 6 관능아크릴단량체로 dipentaerythritol hexaacrylate(dpha) 을 ( 주 ) 폴리네트론으로부터공급받아사용하였다 (Scheme 1). 광개시제로 Irgacure 907, 2,4,6- trimethylbenzoyl diphenylphosphine oxide(tpo) 를, 증감제로 Darocur ITX(isopropyl thioxanthone) 를, 분산제로 BYK-111 험 Scheme 1. Chemical structures of (a) novolac epoxy-modified acrylate oligomer (PN2601); (b) 6-functional acryl monomer (DPHA). 을추가적인정제과정없이사용하였다. 전도성입자로마이크로크기의은분말을 ( 주 ) 창성으로부터공급받았으며, 평균직경 1µm 의구형과 1.5 µm 의판상형은분말을사용하였다. 페이스트의점도조절을위한추가용매로삼전순약의 ethyl carbitol acetate(eca) 를사용하였다. 감광성페이스트제조. 150 ml 용기에일정량의아크릴레이트조성물과분산제를넣고고속페이스트믹서 (PDM-300, 대화테크 ) 를이용하여 2 분간혼합하여 vehicle 을제조하였다. 분산제의양은첨가될은분말대비 0.5 wt% 를투입하였다. 혼합된 vehicle 에은분말을 80~90 wt% 까지첨가량을달리하며투입하고 2 차고속믹싱을실행하였다. 고속믹싱전 ECA 를추가하여페이스트의점도를조절하였으며, EXAKT50 3-roll mill 을이용하여혼합물을분산시켜페이스트를제조후고속믹싱을 1 회추가실시하였다. 미세전극패턴형성. 제작된페이스트의현상성을평가하기위해 3 inch 알루미나기판위에스크린인쇄로 60 60 mm 2 면적에전면도포하고상온에서 10 분간레벨링후, 80 o C 에서 20 분간건조하였다. 다양한미세라인패턴을가지는크롬마스크와 Opto Finetech 사의 KP-1200 노광기를이용하여 200~500 mj/cm 2 의광량으로노광실험을진행하였다. 1 wt% Na 2 CO 3 수용액을분사하여미세라인현상및세척후, 패턴이형성된기판을오븐에넣어 130 o C 에서 1 시간동안경화시켰다. 분석. 전도성페이스트의미세전극패턴은광학현미경으로현상여부와선폭을측정하였고, 표면상태는 SEM 으로관찰하였다. 페이스트의전기적특성은 Loresta GP 를이용하 Polymer(Korea), Vol. 39, No. 4, 2015
임호선 최학렬 김범준 박성대 664 여 측정하였으며, 측정 시편은 페이스트를 3 inch 알루미나 기 판 위에 2.5 3.5 cm의 크기로 도포 후 광경화하여 제조하였다. 결과 및 토론 은 분말의 함량에 따른 미세라인 패턴 형성. 전도성 페이 스트 내 직경 1 µm 구형 은 분말의 첨가량을 달리하여 페이 스트의 미세패턴 형성을 위한 현상성 및 전기전도도의 변화 를 관찰하였다. 실험에 사용된 아크릴레이트 올리고머 PN2601 은 에폭시, 아크릴산, 산무수물을 기반으로 합성한 것으로 알 칼리성 수용액을 이용하여 용이하게 현상된다.19-22 노볼락 타 입 에폭시와 아크릴산의 반응을 통해 올리고머 분자 중에 하 이드록시기(-OH)를 형성시키고, tetrahydrophthalic anhydride 와 같은 산무수물을 반응시켜 올리고머 분자 중에 카르복실 기(-COOH)를 도입하였다. 이 노볼락 에폭시 변성 아크릴레 이트 올리고머는 알칼리성 수용액에서 카르복시기가 중화반 응을 하게 되어 물에 잘 녹을 수 있는 염(salt) 형태의 분자 구조를 가지게 되고, 이에 따라 노광이 되지 않은 영역에서 는 이 염 형태 아크릴레이트 올리고머의 용해도가 증가하게 되어 물에 씻겨 나가면서 페이스트 막이 제거, 현상이 진행된다. Figure 1은 은 분말을 80 wt% 함유한 실버 페이스트의 노 광 및 현상 공정 후 만들어진 30 µm 선폭 미세 전극 패턴의 광학현미경 사진이다. 노광되는 광량이 일정 수준 이상이 되 면 미세 라인의 선폭이 손상없이 현상되었다. 광량이 200부 터 300 mj/cm2로 증가함에 따라 미세 선폭의 크기가 32에서 35 µm로 증가하였으나, 400 및 500 mj/cm2로 광량을 증가시 킨 경우는 선폭의 크기에서 큰 차이를 보이지 않았다. 선폭 의 증가는 마이크로 크기의 은 분말이 투과되는 빛을 산란시 켜 빛에 반응하여 안정한 도막을 형성하는 페이스트 영역이 Figure 1. Optical images of micropattern for photosensitive silver paste with 80 wt% silver content as a function of light exposure dose: (a) 200 mj/cm2; (b) 300 mj/cm2; (c) 400 mj/cm2; (d) 500 mj/ cm2 (scale bar: 60 µm). 폴리머, 제39권 제4호, 2015년 넓어졌기 때문으로 판단된다. 200과 300 mj/cm2이 노광된 시 료의 표면 SEM 사진은 Figure 2에 나타내었다. SEM 사진에 서 관찰된 것처럼 두 시료의 경우 모두 미세 라인 패턴이 직 선으로 곧게 잘 뻗어 있는 것을 관찰하였으며, 200에서 300 mj/cm2로 노광량을 증가시키면 미세 라인의 선폭이 광학 현미경 사진과 동일하게 증가한다는 것을 확인하였다. 은 분말의 함량을 80에서 88 wt%까지 달리하여 미세 패턴 을 제조하였다. Figure 3은 은 분말의 함량을 달리하되, 노광 량이 증가하여도 더 이상 선폭이 증가하지 않는 300 mj/cm2 의 광량으로 노광시킨 미세패턴의 광학현미경 사진이다. Figure 3에서 보는 것과 같이 첨가된 은 분말의 함량에 상관없이 유 사한 선폭의 곧게 뻗은 미세라인 패턴이 형성되었다. 그러나 페이스트의 전도도를 높이기 위해 은 분말의 함량을 높이게 되면 바인더 수지가 입자를 효과적으로 잡아 주지 못해 패턴 노광 후 알칼리 용액 현상 시 페이스트가 기판에서 쉽게 분 리가 되어 미세 패턴 형성이 불가능하였다. 은 분말의 함량이 전기적 특성에 미치는 영향. 미세라인 패턴이 형성된 전도성 페이스트에서 구형 은 분말의 함량에 Figure 2. SEM images of micropattern for photosensitive silver paste with 80 wt% silver content as a function of light exposure dose: (a) 200 mj/cm2; (b) 300 mj/cm2 (scale bar: 100 µm). Figure 3. Optical images of micropattern for photosensitive silver paste with 300 mj/cm2 light exposure as a function of silver content: (a) 82.5 wt%; (b) 85 wt%; (c) 87 wt%; (d) 88 wt% (scale bar: 60 µm).
전도성 입자의 형태가 감광성 실버 페이스트의 미세 전극 패턴 형성에 미치는 영향 Figure 4. Resistance of conductive pastes as a function of spherical silver particle contents. 따른 전기적 특성을 비교 평가하였다(Figure 4와 Table 1). 80 wt% 은 분말을 함유한 페이스트는 0.534 Ω cm의 비저항 (volume resistance) 값을 보였으며, 은 분말의 함량이 증가할 수록 비저항은 점점 낮아지는 경향을 보였다. 은 분말이 82.5, 85, 87, 그리고 88 wt%로 증가함에 따라 비저항은 각각 0.067, 1.93 10-4, 1.34 10-4, 그리고 1.14 10-4 Ω cm의 값을 보였다. 이는 은 분말의 양이 증가함에 따라 입자간 접속이 좋아져서 전기가 더 잘 흐를 수 있는 전기 전달 통로가 형성되었기 때 문이다. Figure 5는 은 분말의 함량 증가에 따른 전도성 페이 스트의 SEM 사진이다. SEM 결과에서 볼 수 있는 것처럼 은 분말의 함량이 80 wt%일 때는 입자들 사이 사이에 유기물 바 인더가 들어가 있는 영역이 많은 것으로 관찰되지만, 은 분 말의 함량이 82.5, 85, 88 wt%로 증가할수록 입자들 사이에 유기물 성분이 차지하는 비율이 점점 감소하는 경향을 보였 다. 또한 은 분말의 함량이 80에서 85 wt%로 증가할 때 페이 스트의 전도도는 급격히 증가하였으나 85 wt% 이상의 은 분 말을 함유 시에는 전도도의 증가 폭은 크지 않았다. 이 결과 는 80 wt%의 은 분말을 함유한 페이스트의 경우 입자간 사 이에 낮은 전기 전도도를 보이는 바인더 수지가 전기의 흐름 을 방해하여 비교적 높은 비저항을 보인데 반해 은 함량이 증가할수록 상대적으로 은 분말간의 간격이 조밀해져서 전기 의 흐름이 좋아졌기 때문이다(Figure 5). 또한 일정 수준 이 상 은 분말을 함유하게 되면 구형 분말의 충전이 어느 정도 665 Figure 5. SEM images of photosensitive silver pastes as a function of silver content: (a) 80 wt%; (b) 82.5 wt%; (c) 85 wt%; (d) 88 wt% (scale bar: 5 µm). 포화 상태에 도달하기 때문에 더 이상 두드러진 증가는 관찰 되지 않는 것으로 판단된다. 은 분말의 형태에 따른 페이스트의 특성 변화. 구형 은 분 말과 판상형 은 분말을 일정비로 혼합하여 페이스트의 전기 적 특성을 평가하고 미세라인 패턴을 구현하였다. 구형의 은 분말을 사용하였을 때 88 wt%까지 함량을 증가시켜도 10-4 Ω cm 수준의 저항값이 최소였으나, 판상형 은 분말을 80 wt% 만 함유하여도 저항값이 반으로 낮아지는 결과(~5 10-5 Ω cm) 가 관찰되었다. 그러나 판상형 은 분말만 함유한 페이스트의 경우 노광 현상 후 은 분말이 기판에 강하게 접착하여 패 턴이 형성되지 않아 우수한 전기적 특성을 보임에도 불구하 고 미세라인 패턴을 형성하는 데 부적합하였다. 따라서 본 실 험에서는 미세라인 패턴의 현상이 가능하면서 우수한 전기적 특성을 보이는 최적의 조합을 찾기 위하여 은 분말 85 wt% 함량을 기준으로 구형과 판상형의 은 분말의 비를 달리하여 비저항 값을 측정하였다. 은 분말의 함량 및 구형과 판상형 은 분말의 비에 따른 비 저항 값의 변화는 Figure 6과 Table 2에 나타내었다. 순수한 구형 은 분말 85 wt%로 구성된 페이스트의 비저항은 1.93 10-4 Ω cm의 값을 보인 반면에 구형과 판상형을 9:1의 비로 혼합한 페이스트는 1.19 10-4 Ω cm의 값으로 구형 은 분말 Table 1. Electrical Characteristics of the Conductive Pastes with Silver Loading Contents Silver content (wt%) Resistance (Ω) Sheet resistance (Ω/sq) Volume resistance (Ω cm) Conductivity (S/cm) 80 1.263E+02 5.567E+02 5.348E-01 9.873E+00 82.5 2.057E+01 5.617E+01 6.689E-02 2.736E+02 85 3.733E-02 1.645E-01 1.938E-04 5.248E+03 87 3.158E-02 1.392E-01 1.340E-04 7.492E+03 88 1.809E-02 7.972E-02 1.148E-04 8.710E+03 Polymer(Korea), Vol. 39, No. 4, 2015
666 임호선 최학렬 김범준 박성대 Figure 6. Resistance of conductive pastes as a function of loding contents and sphere to flake ratio of silver particles. 88 wt% 를함유한페이스트와유사한값을보였다. 이결과로부터판상형은분말의소량첨가가전도성페이스트의전기적특성을개선하는데효과적이라는것을알수있다. 23 이는판상형은분말이인접한구형은분말사이의연결을좋게하여전기가흐를수있는경로를좋게만들어주기때문으로추정된다. 한편, 8:2 의비로혼합한페이스트는미세라인패턴이형성되지않았다. 구형과판상형은분말을 9:1 의비로혼합하여 86 wt% 의은분말을함유한페이스트는 1.03 10-4 Ω cm 의값으로조금더낮아지는결과를보였으나동일조합 87 wt% 에서는현상이되지않아비저항값을낮추는데한계를보였다. 더낮은비저항을보이는페이스트를구현하기위하여첨가되는은분말의함량을낮추면서전기전달경로를좋게만드는판상형은분말의함량을증가시켜전기적특성을평가하였다. 구형과판상형은분말이 9:1 의비로 84 wt% 혼합된페이스트의비저항은 1.31 10-4 Ω cm 의값을보여구형은분말 87 wt% 를함유했을때와유사한결과를보였다. 구형과판상형은분말 8:2 의비로혼합한페이스트의경우 7.04 10-5 Ω cm 으로가장낮은비저항치를보이는것을관찰하였다. 이는판상형은분말이구형은분말사이의접속을용이하게하기때문에나타나는결과이다. Figure 7 에서보이는것처럼판상형은분말의함량이많을수록판상형은분말이 Figure 7. SEM images of conductive pastes with 84 wt% silver content as a function of spherical/flake ratio of silver particle: (a) 9:1; (b) 8:2. The red dotted circles indicate flake-shaped silver particles (scale bar: 5 µm). 구형은분말사이의연결을좋게하여전기전도도가좋아지는것으로보여진다. 그러나판상형은분말의함량을일정량이상증가시켜도판상형은분말이기판에붙으려는성향때문에미세라인패턴의현상이깔끔하게되지않았으며, 전도도또한크게증가하지않았다. Figure 8 은구형과판상형은분말을 8:2 의비로 84 wt% 함량으로제조한페이스트의미세라인패턴광학현미경사진이다. 구형은분말만사용했을때와유사하게노광량이 200 에서 300 mj/cm 2 로증가할수록패턴의선폭이 33 에서 35 µm 로증가하였으며, 400, 500 mj/cm 2 을노광하였을때는변화가없었다. 이는혼합되어있는마이크로크기의구형과판상형은분말이노광되는빛을산란시키기때문이다. 한편, Table 2. Electrical Characteristics of the Conductive Pastes as a Function of Loading Contents and Sphere to Flake Ratio of Silver Particles Silver content (wt%) Sphere to flake ratio Resistance (Ω) Sheet Resistance (Ω/sq) Volume Resistance (Ω cm) Conductivity (S/cm) 84 8:2 1.632E+00 5.871E-02 7.044E-05 1.432E+04 84 9:1 2.689E-02 1.240E-01 1.318E-04 7.651E+03 85 9:1 2.514E-02 1.116E-01 1.192E-04 8.501E+03 86 9:1 2.012E-02 8.867E-02 1.035E-04 1.006E+04 폴리머, 제 39 권제 4 호, 2015 년
전도성입자의형태가감광성실버페이스트의미세전극패턴형성에미치는영향 667 이는은분말의입자크기가마이크로수준이라노출되는 UV 를산란시키기때문으로판단되며, 입자의크기가마이크로보다작고입자분산도가균일할수록패턴의정확도가증가할것으로기대된다. 감사의글 : 본연구는 ( 주 ) 휘닉스소재의연구비지원으로수행되었음. 참고문헌 Figure 8. Optical images of micropattern for photosensitive silver paste with 84 wt% silver content and 8:2 sphere:flake ratio as a function of light exposure dose: (a) 200 mj/cm 2 ; (b) 300 mj/cm 2 ; (c) 400 mj/cm 2 ; (d) 500 mj/cm 2 (Scale bar: 60 µm). 미세라인패턴의모양은곧게직선으로잘뻗어있는것을관찰하였다. 결 미세전극패턴의선폭을줄여디스플레이베젤부를최소화하기위한감광성실버페이스트를제조하였다. 특히페이스트의전도성에핵심역할을하는은분말의형상이전기전도도및미세패턴현상성에미치는영향을관찰하였다. 은분말의함량이증가함에따라전도성페이스트의전기전도도는크게향상되었다. 80 으로부터 88 wt% 까지구형은분말의함량을증가시킴에따라비저항은 0.534 Ω cm 로부터 1.14 10-4 Ω cm 로낮아졌다. 이는은분말의첨가량이증가함에따라전기가흐를수있는경로가좋아졌기때문이다. 구형과판상형의은분말을혼합하여제조한전도성페이스트는판상형은분말이구형은분말사이의연결을돕기때문에구형은분말만으로구성된페이스트보다우수한전기전도도를보였다. 구형과판상형은분말이 9:1 의비로혼합된 85 wt% 분말함량의페이스트는 1.19 10-4 Ω cm 의비저항값을보여 88 wt% 의구형은분말로만구성된페이스트와유사한값을보였다. 판상형은분말의첨가에의한전기전도도개선효과는은분말의사용을줄여페이스트의가격을낮출가능성이있을것으로추정된다. 또한 8:2 의비로혼합된 84 wt% 은분말함량의페이스트에서 7.04 10-5 Ω cm 의가장낮은비저항값을구현하였다. 감광성실버페이스트를이용하여미세전극패턴을제조하였을때노광되는광량이 300 mj/cm 2 까지증가함에따라선폭이증가하였으나이후는큰차이가없었으며, 입자형태와관계없이 35 µm 까지선폭이증가하는것을관찰하였다. 론 1. R. G. Gordon, MRS Bull., 25, 52 (2000). 2. J. Wang, M. Liang, Y. Pang, T. Qiu, J. Zhang, and L. Zhi, Adv. Mater., 24, 2874 (2012). 3. J. Lee, P. Lee, H. Lee, D. Lee, S. S. Lee, and S. H. Ko, Nanoscale, 4, 6408 (2012). 4. A. Elschner and W. Lövenich, MRS Bull., 36, 794 (2011). 5. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J.-H. Ahn, P. Kim, J.-Y. Choi, and B. H. Hong, Nature, 457, 706 (2009). 6. J. van de Groep, P. Spinelli, and A. Polman, Nano Lett., 12, 3138 (2012). 7. L. Hu, H. S. Kim, J.-Y, Lee, P. Peumans, and Y. Cui, ACS Nano, 4, 2955 (2010). 8. J.-Y. Lee, S. T. Connor, Y. Cui, and P. Peumans, Nano Lett., 8, 689 (2008). 9. J. H. Lee, P. Lee, D. Lee, S. S. Lee, and S. H. Ko, Cryst. Growth Des., 12, 5598 (2012). 10. S. H. Ko, H. Pan, C. P. Grigoropoulos, C. K. Luscombe, J. M. J. Frechet, and D. Poulikakos, Nanotechnology, 18, 345202 (2007). 11. E. Y. Heo, Display Focus, 22, 22 (2012). 12. S. E. Shaheen, R. Radspinner, N. Peyghambarian, and G. E. Jabbour, Appl. Phys. Lett., 79, 2996 (2001). 13. D. A. Pardo, G. E. Jabbour, and N. Peyghambarian, Adv. Mater., 12, 1249 (2000). 14. S.-J. Kim, J. M. Lee, W.-J. Lee, S. Kim, C. P. Park, B. Park, and I. In, Chem. Lett., 43, 1855 (2014). 15. D.-Y. Shin, J. W. Han, and S. Chun, Nanoscale, 6, 630 (2014). 16. M. Tredinnick, P. Barnwell, and D. Malanga, Proc. 34th International Symposium on Microelectronics, 676 (2001). 17. M. Skurski, M. Smith, R. Draudt, D. Amey, S. Horowitz, and M. Champ, Int. J. Microcirc. Electron. Pack., 21, 355 (1998). 18. S. D. Park, Y. S. Lee, H. M. Cho, W. S. Lee, and J. C. Park, J. Microelectron. Packag. Soc., 8, 69 (2001). 19. S. D. Park, N. M. Kang, J. K. Lim, D. K. Kim, N. K. Kang, and J. C. Park, J. Kor. Ceram. Soc., 41, 313 (2004). 20. D. K. Kim, J. K. Lim, W. G. Kim, and J. R. Haw, Polym. Korea, 28, 531 (2004). 21. D. K. Kim, J. K. Lim, W. G. Kim, and J. L. Heo, Polym. Korea, 29, 237 (2005). 22. S. S. Baek, S. W. Lee, and S. H. Hwang, Polym. Korea, 37, 121 (2013). 23. H. S. Lim, S.-N. Kim, J. A. Lim, and S. D. Park, J. Mater. Chem., 22, 20529 (2012). Polymer(Korea), Vol. 39, No. 4, 2015