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4 CONTENTS 제 1 장서론 1 1. 연구의목적 3 2. 연구범위 4 3. 반도체 / 휴대폰분야주요 NPEs 선정 5 제 2 장우리기업과 NPEs 특허소송현황분석 9 1. 소송제기현황분석 소송진행현황및결과분석 20 제3장주요 NPEs 소송분석 23 제1절 BTG International Inc. v. 삼성전자 소송의개요 소송내용 소송경과및쟁점 ITC의조사와결과 최종결과및시사점 BTG International 의특허현황분석 41 제2절 Rambus Inc. v. 하이닉스반도체 소송의개요 소송의내용 소송경과및쟁점 법원의판단 최종결과및시사점 Rambus 의특허현황분석 77
5 CONTENTS 제3절 Klausner Technologies Inc. v. LG전자 소송의개요 소송경과및쟁점 최종결과및시사점 Klausner 특허현황분석 94 제 4 장결론 NPEs 특허분쟁동향 우리기업의 NPEs 분쟁동향 NPEs 특허공격에대한우리기업의대응 결어 106
6 표목차 < 표 2-1> 우리기업별피소현황 12 < 표 2-2> 주요우리기업별피소현황 13 < 표 2-3> NPEs별소제기현황 14 < 표 2-4> NPEs별소제기현황 16 < 표 2-5> 기술분야별우리기업의피소현황 19 < 표 2-6> 우리기업별소송결과 22 < 표 3-1> Top 15 US Patent Holder 29 < 표 3-2> Ranking of Operating Companies by Number of NPE Lawsuits 30 < 표 3-3> 소송특허리스트 31 < 표 3-4> 기술분류표 44 < 표 3-5> BTG International 특허소송현황 52 < 표 3-6> KR 공개특허 서지사항 79 < 표 3-7> Rambus 특허소송현황 85 < 표 3-8> 소송특허와관련피소기업 86 < 표 3-9> 침해주장특허의서지사항 90 < 표 3-10> Klausner 양도특허서지사항 97 < 표 3-11> Klausner 특허소송현황 98
7 그림목차 [ 그림 2-1] 연도별소제기현황 11 [ 그림 2-2] 우리기업별피소현황 12 [ 그림 2-3] 주요우리기업별피소현황 13 [ 그림 2-4] NPEs별소제기현황 14 [ 그림 2-5] 5건이상의소를제기한 NPEs별우리기업제소현황 17 [ 그림 2-6] 기술분야별소송건수 18 [ 그림 2-7] 기술분류별소제기현황 18 [ 그림 2-8] 기술분야별삼성전자, LG전자및현대자동차에대한 NPEs 제소현황 19 [ 그림 2-9] 기술분류별연도별소제기현황 20 [ 그림 2-10] 우리기업별소송진행및종결현황 21 [ 그림 2-11] 우리기업별소송결과 22 [ 그림 3-1] BTG International 특허국가별출원현황 42 [ 그림 3-2] BTG International 특허국가별출원현황 42 [ 그림 3-3] BTG International 특허연도별출원현황 43 [ 그림 3-4] BTG International 보유특허기술대분류별특허현황 44 [ 그림 3-5] BTG International 보유특허기술대분류별연도별출원현황 45 [ 그림 3-6] BTG International KR 특허대분류별발명자국적현황 46 [ 그림 3-7] BTG International 보유특허전기전자분야특허현황 47 [ 그림 3-8] BTG International KR 특허전기전자분야발명자국적현황 47 [ 그림 3-9] BTG International 보유특허섬유화학분야특허현황 48 [ 그림 3-10] BTG International 한국특허섬유 화학분야발명자국적현황 49 [ 그림 3-11] BTG International 양수특허연도별현황 50 [ 그림 3-12] BTG International 양수특허주요양도인현황 50 [ 그림 3-13] BTG International 양도특허연도별현황 51 [ 그림 3-16] Rambus 보유특허국가별출원현황 78 [ 그림 3-15] Rambus 사 KR 특허발명자국적현황 79 [ 그림 3-16] Rambus사보유특허연도별현황 80 [ 그림 3-17] Rambus 사의보유특허기술분야별특허현황 80
8 그림목차 [ 그림 3-18] Rambus 사의보유특허기술분야별연도별특허현황 81 [ 그림 3-19] Rambus KR특허기술분야별발명자국적현황 82 [ 그림 3-20] Rambus사양수특허연도별현황 83 [ 그림 3-21] Rambus 보유특허양도인현황 83 [ 그림 3-22] Rambus사양도특허연도별현황 84 [ 그림 3-23] 보이저폰 (VX1000) 91 [ 그림 3-24] 보이저폰 (VX1000)- 터치스크린 ( 좌 ) 및 ( 우 ) 93 [ 그림 3-25] Klausner Technologies 특허국가별출원현황 95 [ 그림 3-26] Klausner Technologies 특허연도별출원현황 95 [ 그림 3-27] Klausner Technologies 보유특허기술별특허현황 96
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10 우리 기업과의 분쟁 현황 보고서 제1장 서 론 1. 연구의 목적 3 2. 연구 범위 4 3. 반도체/휴대폰 분야 주요 NPEs 선정 5
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12 제 1 장 서론 3 제 1 장서론 1. 연구의목적 Non-Practicing Entities 1) ( 이하 NPEs로표기함 ) 의급증및특허비즈니스의증대로인하여국내제조기업들의분쟁가능성이증대하고있다. 이러한 NPEs의특허분쟁은그들이보유하고있는특허로제품을생산하거나자신이실시하지아니하므로제조업체들의경쟁업체로분류되지않고, 또한많은경우에주요특허로분류되지않기때문에제조업체들이이들의특허를간과하는경우가많아예측하지못하는경우가대부분이며, 이들은보유특허를조기에현금화시키기위해통상적인라이센싱협상대신에즉시특허침해소송을제기하여라이센스를압박하고있다. 그런데이들은특허비즈니스로수입을창출하는업체들이기때문에대기업뿐아니라그들의특허를주장할수있는모든업체들을찾아공격하는활동을업으로하기때문에, 우리기업활동, 특히미국수출의경우커다란특허리스크로부상되고있어국가산업적인측면에서 NPEs 특허분쟁에대한대응방안마련이요구되고있다. NPEs 특허분쟁대응을위해서는, 기업들이대부분간과하여예측하지못하는 NPEs 관련특허정보를조기에입수하여제공함으로써우리기업이자사와관련한 NPEs 분쟁을예측하고사전에대비 2) 하는것이필요하며 NPEs 특허분쟁의초기단계에서효과적인대응이필요하다. 따라서본보고서에서는 NPEs 특허분쟁에사전또는초기에효과적으로대응하기위해우리기업과 NPEs 소송에대한다양한측면에서의조사및분석을수행하고자한다. 1) NPEs라는용어는 Patent Troll 이라는속어를대체하는표현으로 2003년미국 FTC IP Report에서처음사용되었다. Wikipedia에서는 a patent owner who does not manufacture or use the patented invention, but rather than abandoning the right to exclude, an NPE seeks to enforce its right through the negotiation of licenses and litigation 라고정의하고있다. 2) 사전대비는기업마다제품과수출여부등상황이다르므로, 자사제품의침해여부판단, 해당특허의무효화가능성, 이에따른자사에맞는대응전략 ( 회피, 우회수출, 수출지역제한, 라이센스계약등 ) 을수립하여야할것이며, NPEs 대응의사전대비전략을일률적으로수립할수는없다.
13 4 우리기업과의분쟁현황보고서 2. 연구범위 가. 대상선정먼저우리기업과 NPEs 특허소송분쟁은 2004년부터 2011년 (7월 13일기준 ) 까지 157건으로 157건에대한소송현황에대한통계분석을수행하였다. 여기서 NPEs는앞서정의한바와같이특허를실시또는제품을생산하지않는업체로서, 미국에서제기된소송중이러한업체들이제조업체들을상대로소송한건들을추출한것이다. 다음으로주요 NPEs 소송분석과관련하여 157건에서 3개기술분야 ( 반도체 / 휴대폰, S/W & System, 통신 / 기타 ) 3) 에대하여, 각분야별로이슈가되는소송을선정하여분기별보고서를작성하였다. 이번분기에는반도체 / 휴대폰분야에대한 3건의소송을선정하여분석을수행하였다. 반도체 / 휴대폰기술분야는현재우리나라의핵심기술개발분야로서다른나라와의경쟁력이충분히확보되어있을정도로연구개발이진행되어있는분야이며, 수출주력산업으로우리산업경제에미치는영향이크기때문이다. 나. 통계분석소송제기현황과관련하여 NPEs와우리기업의소송건 157건에대하여연도별, 우리기업별, NPEs별, 기술분류별로분석을수행하였다. 또한소송진행현황과관련하여우리기업별소종결, 진행여부, 항소현황등을분석하고소송결과분석과관련하여우리기업별소송종결건에대한소송결과 ( 승소, 패소, 취하및합의등 ) 에대하여분석하였다. 다. 주요소송분석반도체 / 휴대폰분야에대한 3건의소송을선정하여각소송건마다업체현황, 특허분쟁현황, 특허포트폴리오현황및주요소송특허를분석하였다. 또한소송에서의쟁점및시각을분석하고우리산업에미치는영향과대응전략에대하여종합적인견해를제시하였다. 3) Patent Freedom 자료에따르면, 이 3 개분야에서의 NPEs 특허분쟁이전체의 90% 를차지하고있다. 이는 NPEs 가매입하는특허에대한고부가가치를창출하기위해서는산업규모가매우크고, 또한제품에수많은특허가적용되어어느 1 개기업이해당제품에관한모든특허를보유하기불가능한, 특허의덤블을이루고있는제품분야의특허를매입하여야특허권행사가용이하기때문에이 3 개분야의특허매입을선호하고이들분야를우선적으로수익실현의타겟으로하고있기때문이다.
14 제 1 장 서론 5 선정된반도체 / 휴대폰분야특허분쟁은 BTG International v. 삼성전자 4), Rambus v. 하이닉스의반도체 5), 그리고 Klausner Technologies v. LG전자의휴대폰분쟁 6) 이다. BTG International 은삼성전자의핵심사업인플래시메모리중낸드플래시메모리에대해특허침해소송을제기하였으며, 특허분쟁대응을강화하고있는삼성전자의해당분쟁에대한대응을검토하여향후분쟁방향을예측하고 NPEs 분쟁에대한대기업의대응을사례로서살펴보았다. 메모리업체의경우에는 BTG International 과의특허분쟁이발생하였을경우본소송에서의쟁점을파악하고대응방안을마련하는데직접적인도움이될수있으며, 다른분야의우리기업들도 BTG International 의소송전략을가늠하고, 한편으로는 NPEs 대응에관한대기업의전략을참조할수있을것이다. Rambus와하이닉스의반도체분쟁은하이닉스의적극적인대응으로인하여하이닉스가실질적으로승소한분쟁건으로서 NPEs와의분쟁시주로합의를하여분쟁을종결하고있는국내업체에시사하는바가크고, 또한표준특허의공지의무및소송에있어문서파기에관한중요한이슈가다루어지고있어, 미국에서표준특허분쟁및소송의증거개시절차 (Discovery) 관련하여우리기업들이반드시알아야할사항들을제공하여주고있다. 특히우리기업들이향후 NPEs와의분쟁에대한대응방향을수립하는데참조할만한중요한사건이다. Klausner Technologies와 LG 전자의분쟁과관련된기술인 Klausner Technologies의비주얼보이스메일기술은최근스마트폰의주요기능중하나로서향후에도 Klausner Technologies 에의해국내다른휴대폰업체에대한소송가능성이높고, 또한다른전자기기에도응용될수있으므로해당특허분쟁의쟁점들을파악하는것이향후이업체와의분쟁에사전대비할수있는시사점을제공하게될것이다. 3. 반도체 / 휴대폰분야주요 NPEs 특허분쟁선정 가. BTG international v. 삼성전자 연구개발및특허라이센싱을전문으로하는업체인 BTG International 은삼성전자와삼성전자의 낸드플래시메모리제품을사용하는업체인 Apple( 관련제품 : iphone, ipod, MacBook), RIM( 관 4) BTG International Inc v Samsung Electronics Co LTD et al, 2:2008cv00482 (EATx, Dec. 29, 2008) 5) Hynix Semiconductor Inc. v. Rambus Inc. 2011WL (Fed. Cir. May 13, 2011) 6) Klausner Technologies vs Verizon Wireless et al, 6:08-cv-341 (EDTx, Dec. 2, 2008)
15 6 우리기업과의분쟁현황보고서 련제품 : BlackBerry), Sony( 관련제품 : 바이오노트북 PC), Dell, Asustek, Lenovo 등을관련특허침해로 2008년미국동부텍사스연방지방법원에특허침해소송을제기하였다. 또한 2009년에는미국국제무역위원회 (ITC) 에제소하였으며삼성전자의멀티레벨셀 (MLC) 플래시메모리를사용한제품의미국내수입금지를 ITC에요청했다. BTG International 은영국회사로서원래제약및의학관련연구개발을하였던연구기관이었으나, 최근다른기술분야의특허기술등을매입하여주로미국에서특허분쟁을제기함으로써특허로열티등으로수입을올리고있는 NPEs에속하는업체이다. 이회사는의약관련하여자체상품도가지고있으나, 최근특허매입및라이센싱사업도활발하게전개하고있고, 특히반도체메모리분야와관련하여특허를매입하여관련제품및완제품업체들을상대로특허분쟁을제기하고있으며국내에선삼성전자의낸드플래시메모리를그대상으로하고있다. 특허분쟁발생분야인반도체기술분야는삼성전자의핵심사업중하나로서, 해당반도체사업으로인해매년높은수익을얻고있으며, 산업적으로반도체는모든전자제품 ( 완제품 ) 의핵심부품으로특히전자, 통신산업에지대한영향을미치고있다. 현재삼성전자는미국에서 IBM 다음으로특허등록건수가많을정도로특허포트폴리오를강화하고있는데, 이는삼성전자가글로벌최대의기업으로발전하기위한기반이되어사업의방어적측면에서크게기여하고있다. 즉선발기업들이특허공세로삼성전자의시장진출을저지또는방해하려고하더라도그들기업이상의특허포트폴리오를가지고있기때문에, 선발경쟁사의특허공세에대한삼성전자의강력한카운터반격이예상되므로쉽게공격을하기어려운것이다. 그러나 NPEs와의특허분쟁은그양상을달리하고있다. 그들은제조업을하지않으므로, 제조업체들이자신이보유한특허포트폴리오로카운터반격을할수없는것이다. 따라서 NPEs의특허분쟁은제조업체로서는커다란사업의위협요소로등장하고있다. 본특허분쟁에서 BTG International 은법원에소송을제기했을뿐아니라 ITC에도수입금지를제소함으로써비즈니스를압박하는한편, 반도체를공급받아완제품을제조하는업체들도소송및수입금지의대상에포함하고있어거래선까지도압박하고있다. 삼성전자는소송중에협상으로라이센스및합의를하여분쟁이종결되었으나, 본사건을통하여삼성전자가합의에이른배경을살펴봄으로써우리기업들이 BTG International 과의분쟁에대한대응전략수립에참조하고, 한편으로는어떠한상황에서 NPEs와소송을끝까지진행하지않고합의에이르는지에대한전략을이해할수있을것이다. 나. Rambus v. 하이닉스반도체 2005 년 1 월램버스는하이닉스반도체, Nanya Technology, Inotera Memories, Infineon 등 4 개
16 제 1 장 서론 7 의메모리칩생산업체들에대하여 DDR2, GDDR2, GDDR3 칩에관련한램버스의특허에대한침해를주장하며북부캘리포니아연방지방법원에소송을제기하였다. 하이닉스반도체는 2005년 1월부터 4년간에걸쳐진행된소송끝에 2009년 3월지방법원에서램버스사의복수개의미국특허를침해한것으로패소하여손해배상과경상로열티등 4억달러상당을지급하라는판결을받았으나, 이에대하여연방항소법원에항소하여 2011년 5월사실상승소판결을받았다. 아직램버스의대법원상고가남아있고, 항소법원의파기환송에따라지방법원의재심리가남아있기는하나, 하이닉스가매우유리한상황에서소송을진행할수있게되었다. NPEs와의분쟁에서제조업체들은대부분라이센스협상을통해조기종결을꾀하고있으나, 본사건은우리기업인하이닉스가적극적으로 NPEs 분쟁에대응하여성공함으로써앞서로열티를지불하고합의한업체들에귀감이되고있는사건이며그시사하는바가크다할것이다. 따라서램버스와하이닉스와의분쟁건을분석함으로써향후 NPEs와의특허분쟁에서우리기업들이대응전략을수립하는데참조할수있는사례가될것이며, 본사건에서결정적으로파기환송되었던사유인문서보존및미국소송에서의증거개시절차 (Discovery) 와관련하여기업의대응에서지침과교훈을제공하고있다. 다. Klausner Technologies v. LG전자 Klausner Technologies 는 2008년 8월 26일 LG전자등 9개업체를상대로영상음성메일관련자동응답시음성메시지를우선순위에따라정렬하거나선택적으로표시해주는기능에관한자사의특허 US 5,572,576 을침해한혐의로특허침해소송을제기했다. Klausner 는이특허의비주얼보이스메일기술은기존의이메일과같이 GUI로조작하는것으로, LG전자가최근미국버라이존 (Verizon) 사를통해출시한풀터치메시징폰 LG-VX9600 에이기술이탑재되었다고주장하였다. Klausner 는 PDA 발명가인유다클라우스너 (Judah Klausner) 에의해설립된뉴욕소재의특허라이센싱비즈니스를전문으로하는업체이다. Klausner 는 1992년취득한비주얼보이스메일기술관련특허를바탕으로무선서비스공급업체, 휴대전화제조업체, Cable/VOIP 공급자, 음성메시지서비스제공업체등을상대로특허침해소송을제기하여라이센스계약을체결하고있다. 비주얼보이스메일은최근터치스크린을장착한스마트폰시장에서주요기능중의하나로써 Klausner 가제기한이특허소송의결과가스마트폰시장에미치는영향은매우클것으로판단된다. 따라서이사건이종료되지는않았으나, Klausner 및 LG전자의향후행보가주목되는상황이므로, 이사건의진행현황을분석하는것은향후 Klausner 가다른관련제품또는기업에특허분쟁을제기하였을경우우리기업들이이에대한대응전략을수립하는데도움을제공할수있을것이다.
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18 우리 기업과의 분쟁 현황 보고서 제2장 우리기업과 NPEs 특허 소송 동향 분석 1. 소송 제기 현황 분석 소송 진행 현황 및 결과 분석 20
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20 제 2 장 우리기업과 NPEs 특허소송동향분석 11 제 2 장우리기업과 NPEs 특허소송동향분석 1. 소송제기현황분석 가. 연도별소제기현황우리기업과 NPEs의연도별소제기현황은 [ 그림 2-1] 과같다. 연도별소제기현황은 2004년부터 2011년 7월 13일까지의소송현황이며, NPEs로부터특허침해소송을제기당한피고 ( 우리기업 ) 를기준으로분석하였다. [ 그림 2-1] 연도별소제기현황 우리기업에대한 NPEs의연도별소제기현황을살펴보면, 2004년 3건으로부터 NPEs의우리기업에대한특허침해소송이본격화되었다고할수있다. 물론그이전에도 1980년대말부터개인발명가인 Lemelson, Refac, Hyatt, 그리고주로개인발명가들을대리하여특허권행사를위임받아특허침해소송을하였던 Gerald Hoiser, Raymond Niro 등의변호사들이우리대기업들을포함한특허침해소송을제기한적은있으나, 간헐적으로이루어졌던것이며, NPEs들이특허거래시장에뛰어들기시작한 2004년부터본격화가되고있다고할수있다. 매년꾸준히증가하다가 2008년 32건으로크게증가하였으며, 이후다소감소하는추세로나타나고있으나 2011년 40건으로증가한것을볼때감소되었던기간은일시적이며 NPEs의활동을지속되고있었다고보아야하며, 특히최근들
21 12 우리기업과의분쟁현황보고서 어 NPEs의특허분쟁은급증하고있는것으로판단된다. 또한소송직전에협상을통하여특허분쟁이종결되어특허침해소송까지가지는않았으나 NPEs의특허분쟁이발생한사례는외부에공개되지않아본통계에는반영되지않았다. 2011년도는이제상반기가겨우지났음에도불구하고이미 40건의소송이제기되고있어우리기업들에미치는 NPEs 특허분쟁의심각성을보여주고있다. 나. 우리기업별피소현황 우리기업별로 NPEs 와의특허침해소송현황은 < 표 2-1> 및 [ 그림 2-2] 와같다. < 표 2-1> 우리기업별피소현황 기업 삼성전자 LG전자 현대자동차 하이닉스반도체 팬텍 현대중공업 기아자동차 피소건수 기업 HyundaiIT KT프리텔 레인콤 대우전자 코원 EMLSI Fidelis 피소건수 [ 그림 2-2] 우리기업별피소현황
22 제 2 장 우리기업과 NPEs 특허소송동향분석 13 우리기업별피소건수현황을살펴보면, 주요피소업체는대기업들로서삼성전자가 68건으로전체의 43% 를차지하여 NPEs로부터가장많은소제기를당한것으로나타났다. 다음으로 LG전자가 49건으로전체의 31% 를차지하고있다. 이는 NPEs의타겟이시장규모가엄청나게커서기대할수있는특허로열티규모가크고특허침해가능성이많은 IT 분야에집중되고있다는점을나타내주고있다. 특히자사브랜드를가지고글로벌비즈니스를하고있어시장에쉽게노출되고있는삼성전자와 LG전자가 NPEs의주공격대상에포함될수밖에없는것이다. 다음으로현대자동차가 10건으로전체의 6% 에해당하는소제기를 NPEs로부터당하였는데, 이는자동차분야도 IT 부품이상당히적용되고있고현대자동차의미국시장점유율의급증에따라 NPEs의주공격대상으로부상하고있음을나타내주고있다. 기타업체로는하이닉스반도체가 8건, 팬텍이 7건및현대중공업이 3건의소제기를 NPEs로부터당했으며, 기아자동차, 현대 IT, KT프리텔및레인콤이 2건, 대우전자, 코원, EMLSI, 및 Fidelis 등이각각 1건으로, 이들모두 IT 분야와관련을가지고있으며, NPEs의특허공격은대기업뿐아니라중견기업까지도확산되고있음을보여준다. 삼성전자, LG전자및현대자동차의피소건수가전체의 80% 차지하고있는데, 이들업체의연도별피소건수는 < 표 2-2> 및 < 그림 2-3> 과같다. < 표 2-2> 주요우리기업별피소현황 년 도 삼성전자 LG전자 현대자동차 [ 그림 2-3] 주요우리기업별피소현황
23 14 우리기업과의분쟁현황보고서 다. NPEs 별소제기현황 (1) NPEs 별소제기현황 NPEs 별로우리기업에제기한소제기건수는 < 표 2-3> 및 [ 그림 2-4] 와같으며소제기건수는 2004 년부터 2011 년 7 월까지의소송건수에대하여통계를낸것이다. NPEs Intellectual Ventures Microunity systems Engineering Washington Research Foundation Ogma Technology Patents 소제기건수 NPEs Tsera Walker Digital Wi-LAN BTGInternational ClearWith Computers 소제기건수 NPEs Dicam Golden Bridge Technology Guardian Media Technologies Interdigital Communications Minerva Industries 소제기건수 NPEs OrionIP < 표 2-3> NPEs 별소제기현황 Schultze Agency Services 29 개기업 35 개기업 소제기건수 [ 그림 2-4] NPEs 별소제기현황 우리기업에특허침해소송을제기한주요 NPEs 현황을살펴보면인텔렉추얼벤처스 (Intellectual Ventures) 7) 가 6 건의소송을우리기업에제기하여가장많은소송을제기한것으로나타났는데, 인 7) Intellectual Ventures 는 2000 년 Microsoft, Nokia, Sony 사를포함한개별투자자로부터 3 억불의투자금을유치하여설립되었다. 이투자자들은투자에따른이익을할당받게되며, 한편으로는 Intellectual Ventures 의특허포트폴
24 제 2 장 우리기업과 NPEs 특허소송동향분석 15 텔렉추얼벤처스는 30,000 여건의특허를보유하면서 50개이상의자펀드등으로특허포트폴리오를분산시키고별도의라이센싱을계획하고있어, 향후에도전산업에걸쳐우리기업들을공격할가능성이매우높다. 다음으로는 MSE(MicroUnity Systems Engineering) 8) 및 WRF(Washington Research Foundation) 9) 이각각 5건의소송을우리기업에제기하였으며, Ogma LLC 10), Technology Patents LLC 11), Tsera LLC 12), Walker Digital LLC 13), Wi-LAN Inc. 14) 이 4건의소송을각각 리오를무상으로사용할수있으므로충분한투자가치가있는것이다. Nokia 등투자자들이자신들의특허를내놓았고, 또한다양한분야의특허를전문적으로매입하여특허를상품으로써거래하는것을비즈니스로하고있다. 현재는 50 억불의엄청난규모의특허펀드를조성하여전산업분야의하이테크기술중심으로특허를매입하고있으며, 약 30,000 여건의특허를보유하고있는것으로알려지고있다. 한편이업체는 50 여개이상의자펀드를조성하여각각특정기술분야의특허포트폴리오를구축해가고있다. 설립이후지난 7 년간이러한특허포트폴리오를구축하고계속적으로투자를유치하였고, 2008 년부터본격적으로특허포트폴리오라이센싱활동을시작하였으며, 국내삼성전자, LG 전자등에도수억불의특허로열티를요구하고있는것으로알려지고있다. 이업체는초기에자신들은 Patent Troll 과달리라이센싱을하되, 특허소송을하지않는다고하였으나, 자펀드의 Paper Company 를통하여특허침해소송을제기하기시작하였고, 이러한라이센싱과정중특허침해소송은불가피하게증가될것으로보인다. 8) MicroUnity Systems Engineering 은 1988 년 IBM 에서 RISC CPU 등을설계한 John Moussouris 에의해캘리포니아주에서설립된업체로서, TV, Set-top Bos, Mobile Computer, Cellphone 및기타 Digital Communication device 에적용되는 Media-processing engine 을연구개발하는것을사업으로하여, Microsoft, Hewlett-Packed, TCI, Motorola, Time Warner 등이펀딩하였다 년과 1999 년에사업을정리하고, 그들이축적한특허를가지고 2003 년부터라이센싱활동을시작하였다. Intel, Dell, Sony, AMD 등을 2005~2007 년에특허침해로제소하고이들과라이센스계약을체결하여상당한특허로열티수입을올리고있다. 9) Washington Research Foundation 은미국워싱톤주의대학및연구기관들에서발생하는다양한기술분야의 IP 에대하여 IP 의가치를강화하고상업화하고라이센싱하는역할을하고있는재단으로, 1981 년에설립되었다 년까지약 7,700 만달러의로열티수입을창출하였다. 현재진행하고있는주요라이센싱프로그램은 The Simplified Frequency Tuner' 기술관련한 4 건의특허 (USP 6,631,256; 6,427,068; 5,937,341; 7,116,963) 에관한라이센싱이다. 10) Ogma LLC 는거의알려져있지않은 NPEs 로서가전및통신분야에서특허를매입하고라이센싱을비즈니스로하는업체이다 년 1 월발명자 James Michael Shima 의특허 (USP 6,150,947; Prorgammable Motionsensitive Sound Effects Device) 에대한권리를양도받고, 또한 Medici Portfolio Acquisition, LLC 라는 NPEs 로부터 USP 5,825,427 특허 (Image display System) 를매입하여, 이 2 건의특허를가지고 2011 년 3 월 Dell, HP, HTC, Nokia, RIM, Motorola, Sony-Erricsson 등을동부텍사스연방지방법원에특허침해로제소하고 2011 년 4 월에는 ITC 에제소하였다. 11) Technology Patents LLC 는 Joseph A Rhoa 에의해메릴랜드에서설립되었고, 특허를매입하여상업화또는라이센싱을하는업체로서, 그린테크놀로지및모바일통신분야기술관련하여특허비즈니스를하고있다. 이업체는 2007 년 11 월미국특허 RE 39,870, USP6,646,542 특허로남부메릴랜드연방지방법원에 Deutsche Telekom, Motorola, 삼성전자, LG 전자등 131 개사를상대로특허침해소송을제기하였다. 12) Tsera LLC 는 2009 년텍사스주에서설립된특허라이센싱전문업체로서전형적인 Patent Troll 에속하는업체로볼수있다. 이회사는 Actiontec Electronics 라는회사에서근무하였던 Chung Li 라는발명자의특허 (USP 6,639,584; Controlling a Potable Electronic Device using a Touchpad)) 를매입하면서, 즉시 2009 년 7 월 Apple, Microsoft, Philips, LG 전자등 18 개사를특허침해로동부텍사스연방지방법원에제소하였다. 13) Walker Digital LLC 는 1994 년 Jay Walker 에의해설립된회사로서휴대전화와인터넷등의대규모네트워크와관련한디지털기술을연구개발하고특허권을확보하여, 상업화또는특허라이센싱을하는회사이다.
25 16 우리기업과의분쟁현황보고서 우리기업에제기하였다. NPEs의수는총 81개로써, 우리기업에특허공격을하는 NPEs의수가급증하였고, 이러한추세라면최근 NPEs 비즈니스및특허거래시장의확대에비추어향후에도크게늘어날것으로전망된다. 따라서우리기업활동에있어 NPEs의특허공격에대한리스크는심각한규모로증대되고있다. (2) NPEs 별우리기업의제소현황 NPEs 별우리기업의제소현황은 < 표 2-4> 와같으며이하 [ 그림 2-5] 는 NPEs 별로구체적인우 리기업의제소현황을나타낸다. NPEs 국내기업 Intellectual Ventures Microunity Systems Engineering Washington Research Foundation 삼성전자 LG 전자 현대자동차 하이닉스 Ogma 3 1 Technology Patents 펜텍현대중공업 기아자동차 Hyun daiit KT 프리텔레인콤 Tsera WalkerDigital 3 1 Wi-LAN 4 BTG International ClearWith Computers 3 Dicam 2 1 GoldenBridge Technology < 표 2-4> NPEs 별소제기현황 대우전자코원 EMLSI Fidel -is 14) Wi-LAN, Inc. 은 1992 년캐나다에서설립된무선통신관련 R&D 와제조를하는회사였으나, 지금은특허라이센싱에만전념하면서, 7,500 만불규모의특허펀드를조성하고다른특허들도매입하여현재 500 여건의특허를보유하고있으며, 수개의라이센싱프로그램과특허침해소송을통하여특허로열티수익 (2008 년 2,500 만불 ) 을올리고있다.
26 제 2 장 우리기업과 NPEs 특허소송동향분석 17 NPEs 국내기업 Guardian Media Technologies Interdigital Communications Minerva Industries 삼성전자 3 LG 전자 현대자동차 하이닉스 OrionIP 1 2 Schultze Agency Services 2 1 펜텍현대중공업 기아자동차 Hyun daiit KT 프리텔레인콤 2 1 대우전자코원 EMLSI Fidel -is 30 개기업 개기업 [ 그림 2-5] 5 건이상의소를제기한 NPEs 별우리기업제소현황 NPEs는우리기업중주로삼성전자및 LG전자에가장많은소송을제기하는것으로나타났으며, 이는앞서살펴본바와같이미국시장에서상당한규모의브랜드비즈니스를하고있기때문에 NPEs의타겟이되고있는것이다. 그런데여기서주목할만한것은 LG전자와삼성전자가반도체부문을제외하고는유사한제품사업을하고있기때문에 NPEs가특허공격을하는경우양글로벌대기업모두에게제기하고있는것으로추정되나, 실제특허침해소송은일치하지않는것으로나타나고있다. 이는반도체부문을제외하고양사의 NPEs에대한대응전략에차이가있음을암시하고있다. 즉 NPEs와의특허분쟁에서아직특허침해소송으로이어지않은경우, 그회사는 NPEs와화해전략을가지고적극적으로협상을진행한것으로추정된다.
27 18 우리기업과의분쟁현황보고서 라. 기술분류별소송현황 (1) 기술분류별소제기현황 NPEs와우리기업의특허침해소송현황을기술분류별로보면, [ 그림 2-6], [ 그림 2-7] 및 < 표 2-5> 에서와같이휴대폰기술분야가 64건으로전체의 41% 를차지하여가장많으며, 다음으로디지털기술분야가 54건으로전체의 34% 를차지하고, 기타반도체분야가 16건으로전체의 10%, 컴퓨터분야가 10건으로전체의 6%, LCD 분야가 7건으로전체의 5%, 자동차분야가 6건으로전체의 4% 를차지하는것으로나타났다. 이는이들분야를핵심사업으로하고있는삼성전자및 LG전자에대한 NPEs의소송건수가가장많은것과연관이있다. [ 그림 2-6] 기술분야별소송건수 [ 그림 2-7] 기술분류별소제기현황
28 제 2 장 우리기업과 NPEs 특허소송동향분석 19 < 표 2-5> 기술분야별우리기업의피소현황 기술분야우리기업 휴대폰 디지털 반도체 컴퓨터 자동차 LCD 삼 성 전 자 L G 전 자 현대자동차 6 4 하 이 닉 스 8 펜 텍 6 1 현대중공업 2 1 기아자동차 1 1 HynudaiIT 1 1 K T 프 리 텔 2 레 인 콤 2 대 우 전 자 1 코 원 1 E M L S I 1 F i d e l i s 1 [ 그림 2-8] 기술분야별삼성전자, LG 전자및현대자동차에대한 NPEs 제소현황 (2) 기술분류별연도별소제기현황 < 그림 2-9> 에서와같이휴대폰분야는 2005년에 4건을시작으로 2011년에는 26건으로급증하였다. 이는휴대폰분야에적용되는기술의다양해지고기술의융합화가이루어지면서 NPEs들이공격대상이되는특허기술이급증하였기때문으로볼수있다. 휴대폰분야와관련하여 2011년소송건수가증가한이유는 MSE, MyPort IP, Orinda Intellectual Properties USA Holding Group, Walker Digital, 및 WRF ( 워싱턴연구재단 ) 등이삼성전자및 LG전자양사에대하여소송을제기
29 20 우리기업과의분쟁현황보고서 하였으며, Klausner Technologies, Visual Interactive Phone Concepts, Internet Machines가삼성전자에대하여, 그리고 Golden Bridge Technologies, Imperium Holdings 및 Ogma가 LG전자에대하여소송을제기하는등, 과거보다많은다수의 NPEs가삼성전자및 LG전자의휴대폰기술분야에대해소송을제기하였기때문이다. 디지털분야도 2004년에 3건을시작으로하여 2008년에는 16건으로가장많은소송건수를보이고있으나, 이후는주춤하고있는추세이다. [ 그림 2-9] 기술분류별연도별소제기현황 2. 소송진행현황및결과분석 가. 우리기업별소송진행및종결현황우리기업들의 NPEs와의특허소송에대한소송진행및종결현황은 [ 그림 2-10] 에서와같다. 우리기업별 NPEs와의소송진행및종결현황을살펴보면, 소송건수가가장많은삼성전자는현재 42건의소송이진행중이며 25건의소송이종결된것으로나타났으며, LG전자는 36건이진행되고있고 14건이종결되었다. 이러한현황에서비교적최근에제기된 NPEs 소송은합의종결되기에는아직이르므로, 이를감안한다면삼성전자의경우소송에서 LG전자에비하여비교적빠르게합의종결하는것으로보여지고있는데, 이는비즈니스적인측면의전략적결정에따른것으로추정된다.
30 제 2 장 우리기업과 NPEs 특허소송동향분석 21 현대자동차는진행 5건종결 5건, 하이닉스반도체는진행 4건종결 4건, 팬텍은진행 3건종결 4건으로 NPEs 분쟁에서조기에합의종결하는경우가상당함을알수있다. 기타레인콤, 코원, EMLSI, 및 Fidelis 는각각 1건씩의소송이진행중이며, 현대 IT 및케이티프리텔은각각 2건대우전자및레인콤은각각 1건의소송이종결되었다. [ 그림 2-10] 우리기업별소송진행및종결현황 나. 소송의결과우리기업별 NPEs 소송이종결 ( 합의또는판결 ) 건은 < 표 2-6> 과 [ 그림 2-11] 에서와같이총 57 건으로, 이를분석하면총 52건 (91.2%) 의소송이판결까지이르지않고소송중에소가취하 ( 대부분합의취하로추정 ) 되었다. 합의취하된경우그금액은계약상비밀이므로확인할수는없으나, 조기에취하된경우 NPEs의로열티요구금액이크지않았기때문이라고볼수있으며, 판결까지간경우에는 NPEs 요구금액이컸던것으로추정된다. 5건은판결까지이르렀으며, 이중 2건은원고인 NPEs가승소하고피고인우리기업이항소하지않았으므로판결이후에상호합의한것으로추정되며, 3건은피고인우리기업이승소하고원고인 NPEs가항소하지않아사건이종결되었다. 판결까지이르렀지만우리기업인피고가패소한사건중 1건인 InterDigital v. 삼성전자사건은피고인삼성전자에서항소를하여소가진행중이다. 삼성전자는 InterDigital Communications LLC와의소송에서 2007년패소판결을받았고이에항소하였다. 또한우리기업인피고가패소한사건중 Rambus v. 하이닉스반도체사건은피고인하이닉스반도체가항소하였고항소법원이원심판결을파기환송하여계류되어있는상태이다.
31 22 우리기업과의분쟁현황보고서 이러한통계자료를바탕으로할때, NPEs 들은통상적으로알려지고있는바와같이, 실질적으로소송의판결에이르기보다는소송을제기한후적절한대응을하면서상대방기업들과라이센스협상을병행하여합의및라이센스계약을이끌어내기위하여특허침해소송이라는강력한수단을활용하고있고진정으로소송을끝까지진행할의사는몇몇 NPEs 를제외하고는별로없는것으로보인다. 그런데이러한 NPEs 소송이급증하고있고, 특허침해소송이발생하면우선우리기업측입장에서는소송비용및비즈니스에영향을주게되고, 또한만일소송을끝까지진행하는경우엄청난추가적인위험부담 ( 만일패소하는경우, 패소비용및손해배상비용 ) 을안고있기때문에원고와의합의에따른소취하를이끌어내는전략을취하는경우가많으며, 이러한 NPEs 특허분쟁의증가는우리기업의수출경쟁력을훼손시키는중대한문제가되고있다. < 표 2-6> 우리기업별소송결과 기업명 원고승소 / 피고패소 피고승소 / 원고패소 소송중취하 삼 성 전 자 L G 전 자 현대 자동차 1 1 ( 원고가항소하지않음 ) 3 하이닉스반도체 펜 텍 HyundaiIT 케이티프리텔 0 2 ( 원고가항소하지않음 ) 0 대 우 전 자 레 인 콤 [ 그림 2-11] 우리기업별소송결과 주 ) 원고승소 / 피고패소, 피고의비항소로종결 : A, 피고승소 / 원고패소, 원고의비항소로종결 : B, 소송중취하로종결 : C
32 우리기업과의분쟁현황보고서 제 3 장주요 NPEs 소송분석 제1절 BTG International Inc. v. 삼성전자 소송의개요 소송내용 소송경과및쟁점 ITC의조사와결과 최종결과및시사점 BTG International의특허현황분석 41 제2절 Rambus Inc. v. 하이닉스반도체 소송의개요 소송의내용 소송경과및쟁점 법원의판단 최종결과및시사점 Rambus의특허현황분석 77 제3절 Klausner Technologies Inc. v. LG전자 소송의개요 소송경과및쟁점 최종결과및시사점 Klausner 특허현황분석 94
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34 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 25 제 3 장주요 NPEs 소송분석 제 1 절 BTG International Inc. v. 삼성전자 1. 소송의개요 가. 배경 2008년 12월 BTG International Inc. 은미국동부텍사스연방지방법원에삼성전자의낸드플래시메모리와동칩을사용한제품들 (Mobile Phone, Camcorder, Computer, MP3 Player) 이자신의특허를침해하였다고주장하면서특허침해중지및손해배상을구하는소를제기하였으며, 2009 년 7월에는삼성전자의낸드플래시메모리제품을사용하는업체인 Apple, Asustek Computer, Dell, Lenovo Group, PNY Technologies, Sony Corporation, Transcend Information, RIM 등을상대로도특허침해소송을제기하였다. BTG International 은연구개발과라이센싱을하는업체로서, 특허침해소송부터제기하여라이센스를압박하는소위 Patent Troll들과는다른측면이있고, 본특허침해소송이제기되기전에삼성전자와수차협상을진행한것으로알려지고있다. 그러나삼성전자가메모리를공급하여완제품을생산하는업체들까지도소송에포함시킴으로써비즈니스를압박하고있다. 또한 BTG International 은 2009년 7월삼성전자와삼성전자의낸드플래시메모리제품을사용하는업체인 Apple(iPhone, ipod, MacBook), RIM(BlackBerry Storm), 소니 (Vaio Computer, Digital Camera, MP3 Player), Dell, Asustek, Lenovo 등을관련특허침해로미국국제무역위원회 (ITC) 에제소하였으며, 삼성전자의멀티레벨셀 (MLC) 플래시메모리를사용한제품의미국내수입금지를신청하였다. BTG의특허를침해하고있는이들제품들이미국밖 ( 한국, 대만, 중국, 홍콩, 캐나다등 ) 에서제조되어미국내수입되는것을금지시켜달라는신청이다. 특허침해소송은판결까지시간이많이걸리고 ( 평균 2~3년 ) 판매금지를효과적으로집행하기위해서는판매정보를입수해야하는등의번거로움이있으므로, 미국내수입금지라는원천적인비즈니스봉쇄라는압박과함께비교적조기 (18개월내 ) 에효과를볼수있는 ITC 제소를병행한것이다.
35 26 우리기업과의분쟁현황보고서 삼성전자는낸드플래시메모리분야에대한연구개발및제품을생산하고있으며, BTG 측은삼성전자의낸드플래시메모리가자사에서보유한 5개의특허 (U.S. Patent No. 5,394,362; 5,764,571; 5,872,735; 6,104,640; 6,118,692) 를침해했다고주장하였다. BTG가특허침해를주장하는메모리기술은낸드플래시에정보를처리하는과정에서더많은사진이나음악파일의용량을저장하고읽을수있는멀티레벨셀 (MLC) 관련기술이다. 멀티레벨셀기술은다양한레벨의전위차를이용하여메모리셀을 Read/ Write 할수있는기술로서종래의단위레벨전위차를이용한기술보다다양한정보를저장할수있으며같은메모리사이즈라도저장용량이큰장점이있다. 나. 소송현황 (1) 연방지방법원특허침해소송 소송 Title BTG International Inc. v. Samsung Electronics Co. Ltd. et al 사건번호 2:08-CV-00482, 2:09-CV ( 피고추가소송사건 ) 원고 BTG International Inc. 피 고 Samsung Electronics Co. Ltd. et. al ( 미국현지자회사포함 ) ( 추가 ) Apple, Asustek Computer, Dell, Lenovo Group, PNY Technologies, Sony Corporation, Transcend Information, RIM 관할법원 동부텍사스연방지방법원 제 소 일 자 피고추가제소 종 결 일 자 (2:08-CV-00482), (2:09-CV-00223) 소의종류 특허침해소송 관련특허 USP 5,764,571; 5,872,735; 6,104,640; 6,118,692 USP 5,394,362 ( 추가 ) 기술내용 an Electronically Alterable Non-Volatile Memory with N-Bits Per Memory Cell. 침해주장제품 삼성전자 : 낸드플래시메모리와동칩을적용한가전제품들 (MP3 Audio Products, Digital Camcorders, Mobile Phones and Solid State Drives) Apple 등 : ipod, iphone, MacBook Air, Dell D630 Laptop, ThinkPad Laptop, Cyber-Shot digital cameras, and various Flash memory sticks and cards. 진행상태 2010 년 12 월 28 일합의취하
36 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 27 (2) ITC 수입금지신청 사건번호 337-TA-683 원고 BTG International Inc. 피고삼성전자 (Samsung Electronics Co Ltd) et al. (Apple 등 ) 사건진행절차수리일 청구취지 소장제출 : ITC 조사결정 : 신청인 BTG는피고삼성전자등이미국내로수입하는제품들이원고의특허를침해하므로침해물품의수입금지를청구함 침해주장특허 USP 5,394,362; 5,764,571; 5,872,735; 6,104,640; 6,118,692 침해주장제품 최종진행현황 삼성전자 : 낸드플레시메모리및동칩을사용한전자제품 Apple : ipod, iphone, MacBook Air, BIM : BlackBerry Storm, Sony : Vaio Notebook PC, Dell, Asustek, Lenovo : 삼성전자의낸드플레시메모리를사용하는제품으로미국밖에서제조되고, 미국내로수입되는제품. ( 원산지는한국, 일본, 홍콩, 중국, 대만, 캐나다등임 ). 2010년 12월27 일, BTG와삼성이합의하여 ITC 조사신청철회, 2011년 1월 20일, 나머지피소자들과합의하여 ITC 조사신청철회하여종료됨. 다. 소송의당사자 (1) 원고 : BTG International Inc. BTG International은 1948년영국에서설립된 National Research Development Corporation이 1981년 National Enterprise Board와합병하여 British Technology Group이라불리게되었고, 1995년에런던증권거래소에상장되었으며 1998년에비로소 BTG(British Technology Group) 라는명칭을갖게되었다. 초기에는중대한질병, 암, 신경등에관한연구를담당하는역할을수행하였으며점차공공영역에서발생하는산업을사업화하거나이를라이센싱하는방향으로도활동하고있다. 초기에는제약및의학과관련된기술분야에초점을맞추어연구개발을중심으로하면서이를사업화하거나연구결과에대한기술이전을주된활동으로하고있었다. 1983년 MRI 관련사업권을취득한이후로는 General Electric, 필립스등의회사에이를라이센스하였으며, 최근에는특허기술사업화에참여하여보유특허를기업들에게제공하고특허기술로열티수입또는이에따른서비스수수료를챙기고있는특허관리전문기업으로변모하고있으며, 전자기술분야까지도확대하여특허를미국등에서매입하고이를활용하여특허분쟁및라이센싱활동을활발하게전개하고있다.
37 28 우리기업과의분쟁현황보고서 이러한라이센싱활동과정에서매입한특허를활용하여소송까지도제기하는성향으로변화하고있다. 영국을기반으로하는특허라이센싱전문회사로서아마존닷컴을상대로소송을미국에서제기하기도하였다. 이회사의 2010 회계연도총수입은 1억1,100 만파운드로서, 이중에서 6,610만파운드가특허료수입이므로특허라이센싱사업이중심이되고있는것을알수있다. 15) BTG International 그룹은 BTG PLC, BTG International Ltd., Provensis Ltd., BTG Management Services Ltd., Protherics Medicines Development Ltd., Enact Pharma Ltd., BTG Investment (Holdings) Ltd., BTG International Inc. 등의계열사들로구성된다. 이중 BTG International Inc. 는대표적인 NPEs로볼수있으며, 자체적인연구개발로서구체적인상품을생산하지아니하고, 대신주요특허를매입하거나매각하여특허비즈니스로수입을올리고있다. 16) 17) 주요특허를매입하여관련기업들에게특허침해소송을제기하여손해배상을청구하거나해당특허를기업들에제공하여특허기술로열티수입을올리는것을주된사업으로하고있다. (2) 피고 : 삼성전자주식회사 (Samsung Electronics Co. Ltd.) 등삼성전자는대한민국소재의전자 통신 반도체등의제품을생산 판매하는글로벌기업이다. 이회사는 Digital Media, Semiconductors, LCDs, Digital Appliances, Telecomunication Networks 등의 5개부분을주요핵심사업으로하고있다. 삼성전자의외국인지분율은 2011년 5월 27일기록으로 51.06% 이다. 삼성전자는세계전자업계서열에서상위에랭크되어있으며세계시장점유에있어 LCD TV, LED TV 는 1위, 반도체는세계 2위이며, 세계 LCD 패널시장에서는 9년연속시장점유율 1위를기록하고있다. 18) 또한세계어디에서나 TV와휴대폰, 컴퓨터는물론각종전자제품에는삼성전자의메모리반도체가사용되고있다. 이회사는이러한글로벌시장에서의경쟁력을확보하기위하여강력한특허포트폴리오를구축하고있고, 미국특허보유건수에서세계 2위를점유하고있으며, 이러한특허포트폴리오는이회사가글로벌시장점유를확보하는발판이되어, 선발기업들의특허공세에카운터반격으로방어하는데결정적인기여를한것으로평가할수있다. 15) BTG International Ltd., 2010 Annual Report, August 참조 16) 17) 18)
38 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 IPO Rank 08 IPO Rank < 표 3-1> Top 15 US Patent Holder 19) 특허보유자 특허수 1 1 IBM Corp. 4, Samsung Electronics Co. Ltd. 3, Microsoft Corp. 2, Canon K.K. 2, Hitachi, Ltd. 2, Panasonic Corp. 1, Toshiba Corp. 1, Sony Corp. 1, Fujitsu Ltd. 1, Intel Corp. 1, General Electic Co. 1, Seiko Epson Corp. 1, Siemens AG. 1, Hewlett-Packard Co. 1, LG Electronics Inc. 1,035 그러나근래에들어 NPEs들의특허공격의타겟이되고있고, NPEs는제조를하지않으므로삼성전자의강력한특허포트폴리오로방어를할수없으며, 이러한 NPEs의특허공격이급증하고있어 NPEs 특허분쟁은사업의위협적요소로부각되고있다. Patent Freedom 이조사한바에따르면, < 표 3-2> 에서와같이 2006년부터 2010년까지 5년간삼성전자가 NPEs 업체로부터당한피소건수는 51건으로세계에서일곱번째로많은피소를당한것으로나타나고있다. 20) 19) IPO Releases List of Top 300 Patent Holders for )
39 30 우리기업과의분쟁현황보고서 < 표 3-2> Ranking of Operating Companies by Number of NPE Lawsuits 21) No. 회 사 계 1 Hewlett-Packard Apple AT&T Sony Microsoft Dell Samsung Motorola LG Verizon 소송내용 가. 소송현황 BTG International 은 2008년 12월29일삼성전자를상대로삼성전자의낸드플래시메모리와이를적용한제품들이자사의특허를침해한다는이유로동부텍사스연방지방법원에제소하면서특허침해금지및손해배상을청구하였다. 그리고 2009년 07월20일, BTG International 은 Apple 를포함하여 8개업체를추가하여삼성전자의동메모리칩을사용하는제품들이특허침해라는취지로같은법원에특허침해금지및손해배상을청구하는소송을제기하였다. 한편 2009년 7월29일에는삼성전자와 Apple 등 8개업체에대하여, 삼성전자의낸드플래시메모리와이를적용한제품들이 BTG의특허들 (5건) 을침해하는특허침해물품이므로미국관세법 22) 제 337조에위반하는불공정무역행위에해당하고, 동물품관련미국내산업이존재 23) 하여산업적피해를주고있다는취지로 ITC에침해물품의배제명령과수입금지명령을구하는신청을하였다. 21) 출처 : 22) The Tariff Act of 1930, amended 19 U.S.C ) 19 U.S.C (a) (2)
40 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 31 나. 소송특허 BTG가삼성전자등에침해를주장하는특허는미국특허 (USP) 번호 5,764,571; 5,872,735; 6,104,640; 6,118,692 등 4건으로아래 < 표 3-3> 에서와같으며, 이후 USP 5,394,363 특허를추가하였고, 삼성전자의낸드플래시메모리칩을적용한가전제품들 (MP3 Audio Products, Digital Camcorders, Mobile Phones and Solid State Drives) 이이들특허를침해한다고주장하였다. 또한 Apple 등을추가한소송에서는삼성전자의낸드플래시메모리칩을적용한이들회사의전자 통신제품들에대하여특허침해를주장하였다. 법원에제소한소송특허와 ITC에제소한침해주장특허는동일하다. < 표 3-3> 소송특허리스트 특허번호 등록일 발명의명칭 5,394, an Electronically Alterable Non-Volatile Memory with N-Bits Per Cell 5,764, an Electronically Alterable Non-Volatile Memory with N-Bits Per Cell 5,872, an Electronically Alterable Non-Volatile Memory with N-Bits Per Cell 6,104, Electronically Alterable Non-Volatile Memory with N-Bits Per Cell 6,118, a Memory Apparatus Including Programmable Non-Volatile Multi-Bit Memory Cell 구체적으로특허침해를주장하는청구항은아래와같다. USP 5,394,362의 Claim 1 USP 5,764,571의 Claim 1~47 USP 5,872,735의 Claim 29~42 USP 6,104,640의 Claim 1, 2, 5~8, 11~14, 17~21, 24~27, 29, 31~33, 35, 37~38 USP 6,118,692의 Claim 43, 64 다. 청구내용법원소송에서원고 BTG International 은피고들에대하여특허침해로인한금전적손해배상과고의침해에따른 3배배상및이자, 소송비용, 변호사비용, 침해금지등기타구제를청구하였다. ITC 제소에서는제소자 BTG International 은피소자들의제품에대하여미국내수입배제명령 (Exclusion Order) 및침해중지명령 (Cease and Desist Order) 을신청하였다. ITC는준사법적
41 32 우리기업과의분쟁현황보고서 행정기관이므로손해배상을다루지않으며, 미국내산업보호측면에서불공정무역행위를중지시 키는행정적권한을가지고있다. 3. 소송경과및쟁점 가. 소송경과 1) 2008년 12월 29일, BTG International 은동부텍사스연방지방법원에삼성전자의낸드플래시메모리및이를적용한제품들이자사의특허 USP 5,764,571; 5,872,735; 6,104,640; 6,118,692 의 4건의특허를침해했다며침해금지및손해배상을청구하였다. 2009년 1월23일법원은삼성의답변기한을 2009년 3월23일까지로연장을허락하였고, 동일자로삼성전자가답변서를제출하였다. 2) 2009년 7월 21일, BTG International 은텍사스동부지방법원에삼성전자의낸드플래시메모리제품을사용하는업체인 Apple, Asustek Computer, Dell, Lenovo Group, PNY Technologies, Sony Corporation, Transcend Information, RIM 등을상대로특허침해금지및손해배상을청구하면서 USP 5,394,362 특허를소송특허에추가하였다. 3) 2009년 7월 29일, BTG International 은삼성전자와삼성전자의낸드플래시메모리제품을사용하는업체인 Apple, Asustek Computer, Dell 등을포함한 8개업체를관련특허침해로관세법제337조를위반하였다고주장하면서미국국제무역위원회 (ITC; International Trade Commission) 에제소하고, 삼성전자의멀티레벨셀 (MLC) 플래시메모리를사용한제품의미국내수입금지를청구하였다. 4) 2009년 8월 27일, ITC는 BTG International 의삼성전자등에대한특허침해물품의수입금지신청에대한조사를승인하였다. 5) 2009년 8월 27일, BTG International의삼성전자에대한소송 ( 사건번호 :08CV00482) 에대하여연방지방법원은 ITC의 337-TA-683 에대한판결이나올때까지소송절차진행을유예 (Stay) 시켰다. 6) 2009년 9월 18일, BTG International의 Apple, Asustek Computer, Dell 등을포함한 8개업체에대한소송 ( 사건번호 :09CV00223) 에대하여도연방지방법원은 ITC의 337-TA-683 에대한판결이나올때까지소송절차의진행을유예 (Stay) 시켰다.
42 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 33 7) 2010년 2월 10일, BTG International이 ITC에 3건의특허 (USP 5,872,735; 6,104,640; 6,118,692) 에대한조사의철회신청을받아들여동 3건의특허에대한조사는종료되었다. 8) 2010년 10월 28일, BTG International 과삼성전자는낸드플래시메모리관련특허에대한라이센스및합의하는계약을체결하고 ITC 제소를취하하기로합의하였다. 이에따른라이센스로열티및합의금은밝혀지지않고있다. 9) 2010년 12월 27일, 양측의합의에따라 BTG International 은연방지방법원에계류되어있는삼성전자와의소송을취하하여사건이종결되었다. 10) 2010년 12월 28일, BTG International 은삼성전자와의합의에따라 Apple, Asustek Computer, Dell 등을포함한 8개업체에대한연방지방법원의소송도취하하여본건관련한일련의사건이완전히종결되었다. 나. 소송및 ITC의쟁점앞서진행경과에서살펴본바와같이 BTG International 이 2009년 8월 27일삼성전자등을 ITC 에제소함에따라, 삼성전자등이연방지방법원에소송절차의진행을유예시켜달라는신청 (Motion for Stay) 을제출하였고법원이이를받아들여연방지방법원에서의특허침해소송은더이상진행되지않았기때문에소송의쟁점이부각되지않았으므로, 이하 ITC에서의쟁점을중심으로살펴본다. ITC에서의쟁점은아래두가지로요약될수있으며, 이에대한 ITC의조사가행하여졌다. 1) 삼성전자의낸드플래시메모리가 BTG International 의 5건의특허를침해하고있는침해물품인지? 여기서 ITC는원칙적으로특허의유효성여부에대하여는조사하지않는다는것이다. 2) 특허침해물품이미국내수입, 수입을위한판매또는수입후미국내판매되고있는지의여부 24), 즉불공정무역행위의여부가있었는지? 3) 대상물품에관련된미국내산업의존재여부이다. 이는앞서언급한바와같이 ITC가행정기관이기때문에미국내산업보호라는관점에서필요한조치를하기때문이다. 2009년 8월 27일 ITC의관세법제337조위반에관한조사결정이내려진이후, ITC는삼성전자를비롯해 Apple, Dell, Asustek, Sony, RIM 등에대해서도 BTG에서멀티레벨셀 (MLC) 플래시메모리와관련된 5개자사특허를침해했다는주장에대하여조사를실시하였다. 24) 19 U.S.C (a)(1)(b)
43 34 우리기업과의분쟁현황보고서 플래시메모리관련특허를둘러싼이들업체간공방은미국업체의지식재산권을침해한제품에대해수입을금지한 1930년미관세법 337조를토대로진행되었다. 따라서미관세법 337조에대당하는지가핵심쟁점이될것이며, 이조항에해당하기위해서는 Section 337에반하는불공정무역행위에해당하여야하고, ITC 제소대상관련물품에관계되는 미국내산업 이존재할것을요건으로한다. 미관세법 337조는최근기술업체들이자사의특허권을보다강력히주장하고피소업체들을압박하기위한방안으로많이활용되고있지만상당수조사가최종적으로수입금지로이어지지는않고있는것으로보인다. 25) 4. ITC 의조사와결정 가. 미국관세법제337조개요관세법제337조는불공정무역행위에의한수입으로미국산업에악영향을미치는경우에이것을배제하려고하는취지의규정이다. 불공정무역행위에는지적재산권침해, 부정경쟁행위, 독점금지법위반행위로크게나눌수있으며, 이중가장큰비중을차지하는것이특허권침해이다. 이에대한조사업무는 ITC(International Trade Commission) 가담당한다. 미국 ITC는준사법적기관으로서권한을가지고엄격하게그위반여부를판정하고조치한다. 나. 관세법제337조의변천 1922년개정된관세법제316조에근거하여미국관세위원회 (Tariff Commission) 가불공정무역행위의조사업무를담당하는것으로처음출발하였으며, 1930년관세법제337조로변경되어운영하여오다가, 1974년통상법에서 1930년관세법제337조를상당부분개정하는조항을추가하여대폭강화개정되었다. 동개정에서는종전의관세위원회를국제무역위원회 (ITC) 로개칭하면서, ITC로하여금불공정무역관행사건에대한조사를수행하고그위반여부를결정하며그에대한구제조치를부과할수있는권한을부여하였고, ITC 절차는행정절차법 (Administrative Procedure Act) 에따르도록하였으며그결정에있어서는공판절차에서와같은청문을거치도록함으로써, 연방법원이나연방거래위원회 (Federal Trade Commission : FTC) 의절차와유사하게하였다. 또한 ITC로하여금수입중지명령을발동할수있게하고 ITC 결정에대하여는공익을고려할수있도록하였으며, ITC의결정에 25) 머니투데이 / 전자신문 / NEWSPIM 참조
44 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 35 대통령이최종검토할수있게한것등이주요한개정내용이다. 미국법원은전통적으로미국의특허권이외국에서의생산에의해침해되지않는다는입장을견지해왔으며, 따라서수입후미국내에서판매행위가있어야하기때문에지적재산권권리자는수입항에서개개의수입업자들이침해된물품이수입되는지를일일이추적해야만하며개별업자를상대로한다수의대인소송을제기하여야권리를구제받을수있다. 반면에관세법제337조에의한대물 ( 對物 ) 소송에의해승소할경우침해물품이모든세관에서반입이금지되는반입배제명령을발동하기때문에그효과가크고비용부담이적기때문에관세법제337조에의한구제를선호하고있다고볼수있다. 불공정무역행위에대한제337조의해석범위가 1930년관세법개정이후 ITC의판정등을거치면서그범위가확대되어왔고광범위하게적용되고있다. 즉가격고정 (Price fixing), 단체불매, 허위적가격책정, 무역의제한과독점을위한공모, 독점의시도, 약탈적가격책정및거래거부등다양한형태의행위가포함되어있으며, 지적재산권의침해행위는미국산업의피해요건을별도로요구하지아니하고침해그자체가불법에해당되어제재조치하고있다. 다. 불공정범위및발동요건미국관세법제337조 (a)(1)(a) 조에서 불공정경쟁및수입행위 (Unfair methods of competition and unfair acts in the importation of articles) 관련물품의미국으로의수입행위는물론, 수입후미국내에서의판매행위도조사범위에포함하고있다. 이러한불공정한경쟁방법이나불공정행위에대한발동요건으로는그행위자체만으로는부족하며다음과같은요건을요구한다. ⅰ) 미국내산업을파괴또는실질적으로피해를입혀야한다. ⅱ) 그러한산업의확립을방해하여야한다. ⅲ) 미국내교역이나통상을억제또는독점하려고하는것중하나의결과를초래하거나이를초래할우려가있어야한다. 그러나 337(a)(2) 조에서지적재산권의침해의경우에는위와같은별도의발동요건을요구하고있지않다. 지적재산권침해의경우에단순히지적재산권으로보호되는관련산업이미국내에존재 26) 하거나설립중임을요구하고있다. 26) Domestic Industry 에해당하는경우로는다음의 4 가지형태가있다. 1 미국내에서제조가있는경우, 2 특허라이센스를받은기업들이미국내에서활동하는경우, 3 미국에서엔지니어링또는연구개발활동이일어나고있는경우, 4 국내산업 의기준은국적이아니라미국내에서의상당한투자와상당수의고용등실질적인미국내활동을중시하므로외국기업이라도제소가가능하다.
45 36 우리기업과의분쟁현황보고서 미국의불공정행위에대한해석은입법당시부터 모든형태의불공정한행위를예방하기에족할정도로광범위한것 이라고언급하고있으며, 여기에는원산지허위표시, 무역의제한과독점을위한공모, 타인을기망하거나오인시킬우려가있는광고및선전물, 영업비밀 (Trade secrets) 의부정사용, 영업상의중상모략 (Trade Libel), 제품의비난, 계약관계의불법적방해, 가격고정 (Price fixing), 허위적가격책정, 거래거부, 단체불매운동 (Group boycotts) 등을포괄하는것으로넓게해석하고있다. 라. 조사절차및제재수단 (1) 조사절차 1) 제소 ( 신청 ) 단계불공정무역행위의신고는업계의제소또는 ITC의자체발의에의해가능하나 ITC 자체발의에의한조사는실제로거의없는것으로알려지고있다. 특허권자 ( 신청자, Complainant) 가 ITC Action 을신청할수있는요건은, ⅰ) 특허권침해와같은불공정무역행위가있어야하며, ⅱ) 수입제품과관련된미국내산업의존재 (Existence of Domestic Industry) 를입증하여야한다. 이를입증하지못하거나불충분한경우에는조사가행해지지않으며, 침해피의자또는수입업자는이요건을만족하는지여부를철저히조사하여이를 ITC Action 에대응하여야한다. 다만 ITC는특허의무효를다루지않고일단유효한것으로추정하고사건을진행하므로피소자 (Respondent) 에게는불리한측면이있다. 따라서 ITC Action 대응시특히중요한전략에는 Domestic Industry 가존재하지않는다는것을입증하는것이며, 또한가지는대상이되는문제특허를회피하는것이다. 만일 ITC 소송에서패소하더라도 27) 수입금지조치의대상이되는것은특허침해제품에만해당되는것이기때문이다. 28) 제소자 (Complainant) 는제소전에초안을가지고 ITC와사전에협의하는것이일반적이며, 이는비공식절차로서이단계에서 ITC의업무관행에맞게소장을수정하고내용도보강하게된다. 제소자가소장 (Complaint) 을제출함으로써절차가개시되고, 행정절차이므로민사소송절차에따르지않으며, 제소자의통지또는관보, ITC 사이트를통하여제소사실이확인될수있다. 27) 여기서는제한적수입배제명령 (Limited Exclusion Order) 을받은경우로가정한다. 28) 극히예외적이기는하나경우에따라, 일반적수입배제명령 (General Exclusion Order) 이내려질수도있으므로이경우에는회피설계여부를불문하고전면적으로해당제품은수입이금지된다.
46 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 37 2) 조사개시단계 ITC는신청서 ( 소장 ) 접수후 30일이내에, ITC의불공정무역조사관실의조사관이신고된사항이법적요건을충족하고있는지여부등에대한예비조사 (Preliminary Inquiry) 를완료하고, 그결과를 ITC 위원회에보고하여투표로조사개시 (Notice of Institution) 여부를결정한다. ITC와사전협의를거친경우에는거의조사결정이내려지고, 피소자 (Respondent) 는이과정에참여하지못하며, 조사개시가결정되면관보 (Federal Register) 에게재되며, 당사자에게소장사본이송달되고, 해외피소자의경우해당대사관에통지된다. 조사개시에의하여사건의담당은 ITC에서임명하는행정판사 (ALJ : Administrative Law Judge) 가전담하게된다. 피소자는소장접수일로부터 20일내에답변서 (Response) 를제출하여야하며통상 10일간연장가능하다. ITC는조사개시일로부터 45일이내에조사일정 (Target Date) 을설정하며, 통상 12~15 개월사이에서정해진다. 3) Discovery 단계 ITC에서의증거개시절차 (Discovery) 는법원소송의 Discovery 절차와거의유사하다. 통상제소후 6~8개월내에이루어진다. 임시구제명령 (Temporary Relief) 이신청된경우, 보통제소일로부터 3~5개월내에임시수입배제명령여부가결정되며, 또한중간에당사자들은 Summary Determination 에대한신청을제기할수있다. 4) 공판및결정단계행정판사 (ALJ) 는처리기한 (Target date) 을설정 공표하고공청회및관련증거자료를근거로예비판정 (ID : Initial Determination) 을하여야한다. 제소후 7~10 개월경에공판 (Hearing) 이열리고, 이후양당사자들은최종의견서 (Brief) 를제출한다. 행정판사 (ALJ) 는조사결과에대하여예비판정을내리고, 이사건의처분방향에대한권고안 (Recommendation Determination) 을첨부하며, 이에는수입배제명령 (Exclusion Order) 의종류와, 이와병행하여침해수입품의미국내판매, 유통등을금지하는명령 (Cease and Desist Order) 등을권고할수있다. ALJ의예비판정에불복하는경우 10일내에위원회 (Commission) 에 Petition for Review 를제출하여야하고, 위원회는예비판정일로부터 45일내에최종결정을하며, 재조사결정을하지않는한예비판정은확정된다. 위원회는그구제조치가공익에미치는영향을검토한다. ITC의결정은관보에게재함과동시에대통령에게최종결정내용을보고하고, 대통령은결정통지수령후 60일내 정책적판단 에근거하여거부권을행사할수있다. 대통령이거부권을행사하지않거나 ITC의결정을추인하는경우 ITC의결정은최종적인효력을가진다.
47 38 우리기업과의분쟁현황보고서 (2) 판정 제재및이의제기 ITC의결정에따른제재조치수단으로는압류 (Seizure) 몰수 (Forfeiture) 반입배제명령 (Exclusion Order : 對物 ) 및수입중지명령 (Cease & Desist Order : 對人 ) 이있으며, 일정한경우에는압류조치를행할수있다. 이러한명령에위반하는경우에는매일당 10만달러또는국내반입 판매가격의 2배중큰금액한도내에서벌금 (Civil Penalty) 을부과할수있도록하고있다. 수입배제명령에는모든제품의수입을금지하는일반적수입배제명령 (General Exclusion Order) 과특정인의수입품에대하여만내리는제한적수입배제명령 (Limited Exclusion Order) 이있다. 이러한 ITC의결정에대하여이의가있을때에는연방항소법원 (Court of Appeals for the Federal Circuit : CAFC) 에항고할수있도록되어있으나, 연방항소법원은단지 ITC의결정이실질적증거등에의해뒷받침되지않은경우에한하여이를번복할수있도록하고있어 ITC의전문성과권위를인정하고있다. ITC의최종결정은법원의 1심판결과같이취급되어불복하는경우 CAFC에 60일내에항고할수있다. 행정심판에대한불복이므로당사자는불복하는자와 ITC가되며, 승소자는재판에참여할수있다. 마. 해당사안에대한 ITC의판단 ITC는 BTG International 의삼성전자에대한특허침해주장에대해우선제337조에반하는불공정행위에해당하고, ITC 제소대상관련물품에관계되는 국내산업 이존재하여야한다는요건을대체로만족하는것으로판단하였다. 물론판정전에라이센스및합의로사건이종결되어판정결과를예측하기는어려우나, 이러한전후과정을볼때다음과같이정리할수있겠다. 먼저삼성전자의낸드플래시메모리가 BTG International 의 5건의특허에대한침해물품인지여부에관한문제인데, 여기서 ITC는원칙적으로특허의유효성여부에대하여는조사하지않기때문에피소자인삼성전자는비침해를주장하는데중점을두어야하며, 그러한점에서피소자가불리한지위에서방어에치중할수밖에없다. 그러나피소자로서는비침해주장과더불어특허무효의주장도병행했을것으로추정되며, 이는무효가명백할경우에는 ITC가이를고려할수도있기때문이다. 본사건에서조사개시결정이 2009 년 8월에내려졌고, 2010 년 9월에예비판정을앞두고있었으므로, 양당사자가이부분에대하여상당한공방을하였을것이며, 결과는알수없으나피소자인삼성전자가판정결과에미치는엄청난비즈니스적인영향을고려하여합의조정에임한것으로보인다.
48 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 39 다음으로그러한특허침해물품이미국내수입, 수입을위한판매또는수입후미국내판매되고있는지의여부인데, 이와관련하여서는사실관계에관한문제로서수입행위가있었음은명백하므로근본적인다툼의소지는거의없다. 다만피소자가지명한특정물품이미국내수입행위가있었는지에대한입증관련한다툼은있었을것으로추정된다. 마지막으로대상물품에관련된미국내산업이존재하고있는지에대한여부이다. 제소자인 BTG International 은제품을직접생산하지않고다른기업에특허라이센싱을전문으로하는업체여서제소요건이문제될수있으나, ITC의제소자자격요건중국내라이센싱을하고있는기업은 ITC 제소가가능하다. 이러한이유로 BTG International 의제소요건은문제가되지않으며이로인해 NPEs의 ITC 제도이용이활발해지고있다. ITC의위와같은판단이후 ITC는삼성전자의조정신청을받아들여당초 2010년 9월 28일자로예정되어있던판결을 30일간연장한것으로보아상호협의도출을통한해결방안을허용하였다. 이는 ITC 판정결과에따른당사자및산업적피해를최소화하기위한 ITC의정책적판단에따른것으로보인다. 5. 최종결과및시사점 본사건은 ITC의예비판정이전에양당사자가합의하여라이센스및합의계약서를포함한소취하서 (ITC 조사절차중지 ) 를제출함으로써 ITC는이사건을판정없이종결하였고, 이에따라연방지방법원사건에서도양당사자가소를취하함으로써최종판결없이소송도종결되었다. 따라서 ITC의판정또는법원의판결을예측할수는없으나, 전반적으로는피소자또는피고인삼성전자가 ITC 판정에대하여리스크가있다고보고협상의방법을선택한것으로보인다. 이러한판단에서삼성전자는예비판정을앞두고 ITC에조정신청을하여판결을연장하고, 라이센스및합의를위한협상에들어갔으며최종합의에이른것이다. 최근들어실제로연구개발및제품을생산하지않으면서관련특허를매입하여해당제조업체를상대로특허분쟁을야기함으로써수익을얻고있는 NPEs가문제가되고있다. 현재이러한 NPEs들과국내주요업체들간의분쟁이지속적으로증가하고있는추세이다. 본사건은전형적인 NPEs 사례로서 BTG International 은주로반도체메모리관련기술의특허를매입하여관련제조업체에특허분쟁을일으키고있다. BTG International 은 1차로보유특허인낸드플래시메모리관련기술을이용하여삼성전자에
49 40 우리기업과의분쟁현황보고서 특허침해소송을제기하고, 이후 2차적으로삼성전자의낸드플래시메모리제품을사용하는애플등의 8개업체를대상으로특허소송을제기하였다. 또한, 삼성전자및삼성제품을사용하는 8개업체를대상으로미국 ITC에제소하여삼성전자의멀티레벨셀 (MLC) 낸드플래시메모리를사용한제품의미국내수입금지를요청하였다. 이사건을통해서 NPEs들의특허권행사의방법을살펴볼수있다. 첫째는특허침해소송을제기하여라이센스협상의유리한지위를확보하거나, 라이센스를압박하는수단으로특허침해소송을활용하고있다는점이다. 물론 NPEs 마다약간의차이는있으나, 대부분라이센스협상이원활히진행되지않으면즉시특허침해소송을제기하는것이다. 둘째는궁극적인협상당사자외에당사자의거래선까지도공격하여라이센스를압박한다는점이다. 거래선의경우다른제품 (OEM의경우 ) 또는부품업체로부터도제품또는부품을구매할수있으므로, 특허침해소송에휘말려있는제품또는부품을구매하는것을피할수있으며, 또한특허침해부품을적용한완제품도특허침해의책임을피할수없으므로거래선의비즈니스에영향을우려하여특허분쟁을해결하지않으면거래를보류또는단절하겠다는위협을할수있는것이다. 이는피소자에게는비즈니스에엄청난큰타격을줄수있는것이므로피소자가협상에응하도록하는강력한압박수단이될수있다. 또한구매선들은공급하는제품또는부품업체로부터특허침해에대한보증 (Indemnification) 을받는것이일반적이므로, 특허분쟁의조기해결을피소자에게요구하고, 거래선들이이로인하여발생하는손실에대한보전을요구할수있기때문에제품또는부품을공급하는피소자로서는큰압박이될수밖에없다. 셋째는 NPEs들이특허권행사를통하여가장강하게압박하는수단으로 ITC 소송을활용하는경향이증가하고있다. ITC는해당사안이 Section 337에반하는불공정행위에해당하고, ITC 제소대상관련물품에관계되는 국내산업 이존재하여야한다는요건을만족하여야하는데 ITC의원고자격요건중국내라이센싱을하고있는기업은제소당사자가가능하다고하고있어미국내산업으로보기때문에 NPEs의제소자격요건도문제되지않는다. 또한 ITC의절차상통상 1년내지 1 년 6개월정도면결정이나고, 침해결정이나는경우수입금지명령을내릴수있어미국이외의어느나라에서제조된제품이라도미국특허나기타지적재산권을침해하는경우원천적으로미국내유입을저지할수있기때문에피소자의비즈니스에주는타격은가장클수있으며신속하고강력한효과를나타낸다. 이러한효과로인해 ITC를이용한제소건수가날로증가하고있는실정이다. 이러한일련의소송과정들을살펴보면 BTG International 의의도는삼성전자및삼성전자의제품을사용하는업체에소송을제기하고 ITC에제소함으로써삼성전자를단계적이고지속적으로압박해협상을유도한것으로판단된다. 물론법원소송및 ITC 제소이전에양당사자는라이센스에관
50 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 41 한협상을수차하였을것이나, 양측의제안에격차가커서합의에이르지못하고소송까지이르게된것으로보인다. 하지만, 이사건소송및 ITC 제소를통하여그러한격차가누구에게유리한방향으로근접하게되었는지는알수없으나때에따라서는격차가큰경우소송을진행하면서양측의법적인포지션을확인하며협상을하는것이격차를좁힐수있는방법이될수있다. 본사안에서양당사자의 ITC 사건이예비판정전까지약 1년이상상호공방하면서진행되었다는것은삼성전자의포지션이그렇게약하지않았으며나름의항변사유들이많았던것으로추정된다. 또한 BTG International 의경우도판정의결과가반드시자신들에게유리하다고단정할수는없었을것이며, 이는상호공방하는과정에서자신들의약점도노출되었기때문에리스크가있었고, 이에따라적극적으로협상하여 30일내에타결된것으로추정할수있다. 현재삼성전자는특허분쟁대응을강화하고있으나대부분의 NPEs 분쟁사안의경우합의에의해소송을종결시키고있으며, 본사안의경우에도궁극적으로최종판결보다는합의에의한소송종결을선택한것으로보인다. 즉, 본사안은소송의장기화에따른보다더큰피해를줄이기위한전략으로써삼성전자가 BTG International 과협상을통해분쟁의신속한해결을꾀하고비즈니스의방해요소를제거한전략적의사결정의사례라고볼수있다. 6. BTG International 의특허현황분석 가. BTG International 특허포트폴리오 (1) BTG International 보유특허 BTG International 의보유특허현황은총 679 건으로검색되었으며, 해당보유특허리스트는부 록에별도로첨부하였다. (2) BTG International 보유특허국가별출원현황 BTG International 의보유특허에대한국가별출원현황은 [ 그림 3-1] 과같다.
51 42 우리기업과의분쟁현황보고서 [ 그림 3-1] BTG International 특허국가별출원현황 BTG International 의특허국가별출원현황을살펴보면미국이 304건으로가장많은출원건수를보이고있으며전체의 45% 를차지하는것으로나타났다. 다음으로유럽이 291건으로전체의 43% 를차지하고있으며, 기타한국 67건으로 10%, 일본 17건으로 2% 를차지하는것으로나타났다. BTG International 은영국에본사를두고있는기업으로대부분의출원은미국및유럽에서진행되는것으로보인다. (3) BTG International 의한국특허발명자국적현황 BTG International 의한국특허발명자국적현황은 [ 그림 3-2] 와같다. 발명자는단독인경우도 있으나대부분공동발명자들이며대표발명자의국적을기준으로하였다. [ 그림 3-2] BTG International 특허국가별출원현황 BTG International 의한국특허에서발명자국적현황을살펴보면영국 (GB) 이 41 건으로전체의 63% 를차지하였다. 이는 BTG International 이영국에본사를두고있는기업이기때문인것으로판 단된다. 다음으로는미국 (US) 및스웨덴 (SE) 이각각 6 건으로전체의 9% 를각각차지하는것으로나
52 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 43 타났으며일본 (JP), 남아공 (ZA) 및그리스 (GR) 가각각 2건으로전체의 3% 를차지하는것으로나타났다. 기타캐나다 (CN), 독일 (DE), 핀란드 (FI), 헝거리 (HU), 네덜란드 (NL) 폴란그 (PL) 등이각각 1 건으로조사되었다. 분석결과 BTG International 이보유한한국특허중한국발명자는없는것으로나타났다. 따라서 BTG International 이보유한한국특허중한국발명자로부터매입한특허는없는것으로보인다. (4) BTG International 의보유특허연도별출원현황 BTG International 의보유특허에대한연도별출원현황은 [ 그림 3-3] 과같다. [ 그림 3-3] BTG International 특허연도별출원현황 BTG International 의특허연도별출원현황을살펴보면 1980년도에는 5건이하의특허출원건수를보이고있으며, 1990년대들어점차적으로증가하는추세이다가 1997년급격히출원건수가증가하였고 1998년에 68건으로가장많은출원건수를보이고있다. 이후 1997년부터 2006년까지 30 건이상 70건이하의출원건수를보이고있어출원건수가집중되고있는것을볼수있다. 이러한결과는 [ 그림 3-5] 기술대분류별연도별출원현황을참조하면전기 전자분야및섬유 화학분야의출원이 1997년급증하였고 2006년까지출원건수가집중되어있기때문인것으로판단된다. 2007년이후로는출원건수가다소감소하는추세이나 2010년의경우아직공개되지않은출원건이있으므로검색되지않은출원을감안한다면현재출원이감소하는추세라고판단하기는이르다.
53 44 우리기업과의분쟁현황보고서 (5) BTG International 의보유특허기술분야별특허현황 BTG International 보유특허에대한기술분류표는 < 표 3-4> 와같으며기술분류표를기준으로 BTG International 보유특허에대한기술별특허현황에대한분석을실시하였다. < 표 3-4> 기술분류표 대분류 전기전자 정보통신 기계 섬유화학 디스플레이 통신기기 자동차 화학 반도체 프로그램 선박 약품 가전기기 컴퓨터 정밀기계 섬유 사무기기 기타 에너지 / 환경 식품 영상 / 음향기기 로봇 / 자동화 바이오 중분류 의료기기 기타 기타 전자부품게임기이미지장치계측기기기타 1) BTG International 의보유특허기술대분류별보유현황 BTG International 의보유특허기술대분류별특허현황은 [ 그림 3-4] 와같다. [ 그림 3-4] BTG International 보유특허기술대분류별특허현황 BTG International 의보유특허에대한기술대분류별특허현황을살펴보면섬유 화학분야가 351 건으로전체의 52% 를차지함으로써가장많은특허를보유하고있는것으로나타났다. 이는
54 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 45 BTG International 이원래제약분야전문기업이므로섬유 화학분야의약품에대한특허출원건수가많았기때문이다. 다음으로는전기 전자분야가 246건으로전체의 36% 를차지하는것으로나타났다. BTG International 의홈페이지 29) 에서제공된정보를참조하면 BTG International 은제약및의학분야전문기업으로서전기 전자분야 ( 예를들면반도체및계측기기분야 ) 와관련된분야는대부분연구개발을하지않는것으로보인다. 즉전기 전자분야와관련된특허를보유하고있는것은 BTG International 이 NPEs로서해당기술분야에대한특허를매입하고있기때문으로분석된다. 기타정보통신분야가 63건으로전체의 9% 를차지하였으며, 기계분야가 19건으로전체의 3% 를차지하는것으로나타났다. 2) BTG International 보유특허기술대분류별연도별출원현황 [ 그림 3-5] 는 BTG International 보유특허의기술대분류별연도별출원현황을보인것이다. [ 그림 3-5] BTG International 보유특허기술대분류별연도별출원현황 BTG International 의보유특허기술대분류별연도별출원현황을살펴보면전기 전자분야는 1986년 1건의출원을시작으로하여출원건수가증가하다 1993년 8건의출원이후다소감소하는추세였으나, 1997년출원건수가 29건으로급증하였으며 2005년까지높은출원건수를기록하고있다. 이후출원건수는다소감소하는추세이다. 정보 통신분야의경우 1992년 2건의출원건수를시작으로 1998년 13건으로정점에이르고이후출원건수는감소하는추세이다. 기계분야의경우는 1993년부터 2004년까지출원건수가존재하며, 출원건수가 10건미만으로다소적은편이다. 섬유 화학의경우 1985년 1건의출원을시작으로하여 1992년부터 1996년까지 10건내외의출원 29)
55 46 우리기업과의분쟁현황보고서 건수를기록하고있으며 1997 년에 25 건으로출원건수가급증하였다. 이후 2006 년까지 20~30 건의 높은출원건수를기록하다가 2007 년이후부터출원건수가다소감소하였다. 3) BTG International KR 특허대분류별발명자국적현황 BTG International 의한국특허대분류별발명자국적현황은 [ 그림 3-6] 과같다. 발명자는단독 인경우도있으나대부분공동발명자들이며대표발명자의국적을기준으로하였다. [ 그림 3-6] BTG International KR 특허대분류별발명자국적현황 BTG International 의한국특허대분류별국적현황을살펴보면영국 (GB) 의경우전기 전자분야 8건, 정보통신분야 4건, 기계분야 2건및섬유 화학분야 27건으로섬유 화학분야가가장많은것으로나타났다. 미국 (US) 의경우전기 전자분야 1건, 정보통신분야 2건및섬유 화학분야 3건으로나타났으며, 스웨덴 (SE) 의경우전기 전자및섬유 화학분야에서각각 3건을나타내고있다. 일본 (JP) 의경우섬유 화학분야에서 2건을나타내고있으며기타국가의경우기계분야를제외하고섬유 화학, 전기 전자및정보통신분야순서로출원건이분포되어있다. 앞서검토한바와같이 BTG International 이보유한한국특허중한국발명자는없는것으로나타났다. 4) 전기전자중분류 BTG International 의보유특허중전기 전자분야기술중분류별특허현황은 [ 그림 3-7] 과 같다.
56 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 47 [ 그림 3-7] BTG International 보유특허전기전자분야특허현황 BTG International 의보유특허에대한전기전자분야의특허현황을살펴보면의료기기분야가 92건으로전체의 37% 를차지하여가장많은특허를보유한것으로나타났다. 다음으로계측기기분야가 37건으로전체의 15% 를차지하는것으로나타났다. 계측기기는 Nuclear Quadrupole Resonance(NQR: 핵사극자공명 ) 테스트기기에관련된특허이다. 반도체분야및계측기기분야는전체의 44% 를차지하고있으며반도체분야및계측기기관련특허를보유하고있는것은 BTG International 이 NPEs로서해당기술분야에대한특허를매입했기때문이다. 기타영상 / 음향기기가 23건으로전체의 10%, 이미지장치가 5건으로전체의 2%, 그리고기타분야가 18건으로전체의 7% 를차지하는것으로나타났다. 5) BTG International 의한국특허전기 전자분야발명자국적현황 BTG International 의한국특허전기 전자분야발명자국적현황은 [ 그림 3-8] 과같다. 발명자 는단독인경우도있으나대부분공동발명자들이며대표발명자의국적을기준으로하였다. [ 그림 3-8] BTG International KR 특허전기전자분야발명자국적현황
57 48 우리기업과의분쟁현황보고서 영국 (GB) 의경우반도체 5건, 의료기기 1건및기타 2건으로나타났으며, 스웨덴 (SE) 의경우반도체 2건및의료기기 1건으로나타났다. 미국 (US), 헝거리 (HU), 캐나다 (CN) 및그리스 (GR) 는각각반도체 1건, 그리고남아공 (ZA) 의경우기타분야에서 1건으로나타났다. 한국특허중이미지장치, 영상 / 음향기기및계측기기분야는없는것으로조사되었다. 앞서검토한바와같이 BTG International 이보유한한국특허중한국발명자는없는것으로나타났다. 6) 섬유 화학중분류 BTG International 의보유특허중섬유 화학분야기술중분류별특허현황은 [ 그림 3-9] 과같다. BTG International 보유특허에대한섬유 화학분야에대한특허현황을살펴보면약품분야가 267건으로전체의 76% 를차지하여가장많은특허를보유한것으로나타났다. 다음으로는화학분야가 68건으로전체의 19% 를차지하는것으로나타났다. 기타바이오분야가 9건으로전체의 3% 를차지하였고기타분야가 7건으로전체의 2% 를차지하는것으로나타났다. [ 그림 3-9] BTG International 보유특허섬유화학분야특허현황
58 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 49 7) BTG International 의한국특허섬유 화학분야발명자국적현황 BTG International 의한국특허섬유 화학분야발명자국적현황은 [ 그림 3-10] 과같다. [ 그림 3-10] BTG International 한국특허섬유 화학분야발명자국적현황 영국 (GB) 의경우약품 21건, 화학 5건및기타 1건으로나타났으며, 미국 (US) 의경우약품 3건으로나타났다. 스웨덴 (SE) 의경우약품 2건및화학 1건으로나타났으며, 일본 (JP) 의경우약품 2건으로나타났다. 남아공 (ZA), 그리스 (GR), 네덜란드 (NL) 등은각각약품 1건으로나타났다. 한국특허중바이오분야는없는것으로조사되었다. 앞서검토한바와같이 BTG International 이보유한한국특허중한국발명자는없는것으로나타났다. 다. BTG International의양수특허 (1) BTG International의양수특허 BTG International 의양수특허는 307건으로조사되었으며, BTG International 양수특허리스트는부록에별도로첨부하였다.
59 50 우리기업과의분쟁현황보고서 (2) BTG International 의양수특허연도별현황 BTG International 의양수특허연도별현황은 [ 그림 3-11] 과같다. [ 그림 3-11] BTG International 양수특허연도별현황 BTG International 의양수특허연도별현황을살펴보면 1996년부터 1999년까지꾸준히증가하다가이후부터는증가와감소세를반복하고있다. 1990년대는 1999년에 24건으로가장많은양수건수를보이고있으며 2000년대는 2006년에 40건으로가장많은양수건수를보이고있다. 2011년은현재까지 14건의양수건수를보이고있다. BTG International 의양수특허중한국특허및한국발명자는없는것으로조사되었다. (3) BTG International 의양수특허주요양도인현황 [ 그림 3-12] BTG International 양수특허주요양도인현황
60 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 51 BTG International 의양수특허주요양도인은 14건의특허를양도한 Teleshuttle Technologies, 13건의특허를양도한 Super Sensor (Proprietary) 및 Simon Fraser University, 10건의특허를양도한 Bionaut Pharmaceuticals, 8건의특허를양도한 Harman, Anthony David 등으로나타났다. 이외에도 Ward Ian M, Samuelson Lars Ivar, Osman Tariq, Intelligence-At-Large, Infonautics Corporation 등이 7건의특허를 BTG International 에양도했으며 Wright David, Dakin Iorwerth, Kings College London, Ketocytonyx, Harbige Laurence, Chibber Rakesh 등이 6건의특허를 BTG International 에양도했다. 라. BTG International의양도특허 (1) BTG International 양도도특허리스트 BTG International 의양도특허는 214건으로조사되었으며 BTG International 의양도특허리스트는부록에별도로첨부하였다. (2) BTG International 의양도특허연도별현황 BTG International 의양도특허연도별현황은 [ 그림 3-13] 과같다. [ 그림 3-13] BTG International 양도특허연도별현황 BTG International 의양도특허연도별현황을살펴보면 1998 년부터 2003 년까지는 10 건미만으 로적은양도건수를보이다가 2004 년도에 21 건으로급격한증가세를보이고있다. 이후 2006 년 43 건을정점으로 2007 년 2008 년에 14 건으로감소하였다가 2009 년에다시 38 건으로급격한증가세를
61 52 우리기업과의분쟁현황보고서 보이고있으며 2010 년에 30 건의양도건수를보이고있다 년도에는현재까지 7 건의양도건수 를보이고있다. 마. BTG International 의타소송현황 < 표 3-5> BTG International 특허소송현황 30)31)32) NO 소송 Title 사건번호관할법원제소일진행상태 BTG International Inc v Samsung Electronics Co LTD et al Teleshuttle Technologies, L.L.C. et al v. Microsoft Corporation Teleshuttle Technologies, L.L.C. et al v. Microsoft Corporation et al BTG Intl Inc. v. Amazon.com Inc., et al BTG International Inc. v. Apple Inc. et al BTG Intl Limited v. Zimmer Holdings Inc., et al 2:2008-cv :2004-cv :2004-cv :2004-cv :2009-cv :2004-cv Intervet Inc. v. Merial Limited 1:2005-cv Weyerhaeuser Company v. Dow Chemical Company et al ZYMOGENETICS, INCORPORATED v. BRITISH TECHNOLOGY GROUP, LTD et al BTG INTERNATIONAL, INC. v. ZYMOGENETICS, INCORPORATED et al 1:2007-cv :2001-cv :2001-cv Texas Eastern District Court California Northern District Court California Northern District Court Delaware District Court Texas Eastern District Court Delaware District Court Delaware District Court Delaware District Court District Of Columbia District Court District Of Columbia District Court 소취하 소취하 소취하 소취하 소취하 소취하 소취하 소취하 소취하 소취하 30) 31) 32)
62 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 53 제 2 절 Rambus Inc. v. 하이닉스반도체 1. 소송의개요 가. 분쟁의배경 1990년대초램버스는국제반도체표준화기구인 JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council) 에참여하라는권고를받았으며, 1992년 2월에 JEDEC의멤버가되었다. 당시램버스는메모리제조업체들에게램버스의메모리인터페이스기술에대한라이센싱을제안하고있었으며, 여러회사들이램버스의기술자료를검토하기위해비밀유지계약 (NDA; Non-disclosure Agreement) 에서명하였다. 램버스는메모리제조업체들과협상을하면서, 언젠가모든컴퓨터가이방법을채택하게될것이지만램버스로지불되는로열티는없게될수도있을것이라고하였고, 로열티를받지않거나매우낮게하는방안에대하여전략적인협상을계속해왔었다. 램버스는 JEDEC의표준화활동에계속참여하면서, 표준에해당되는특허의소유자는 합리적이고비차별적 (RAND; Reasonable and Non-discriminatory) 인조건으로표준특허기술을라이센스하는데동의하도록요구하는 JEDEC의특허정책 33) 에는합의하지않고있었으며, 1995년램버스는 JEDEC을탈퇴하였다. 램버스에의하면, 램버스는쟁점이되고있는 SDRAM 의특성을가지는기술에관한새로운특허의출원을준비하고있었는데, 그기술은 JEDEC에서공지되었지만 34) 공개되지않은기술로서램버스는합법적으로특허등록을받았다. 그러나첫번째 Infineon v. Rambus 사건의공판에서배심원들은이를특허취득에대한악의가있다고인정하였다. 연방항소법원은첫번째공판에서 Infineon 이제기한사취에의한특허취득이라는악의적취득이론을파기하였다. JEDEC은서로다른제조업체들이생산하는제품들의상호호환성을증진시키기위해컴퓨터메모리인터페이스를포함한반도체제품의표준을개발하는개방형국제표준화기구이다. JEDEC 위원회의멤버들은 1년에수차례회의를가지는데, 표준화에포함될특성에대한제안을하면서다른멤버들에게발표하고다른멤버들의발표를듣게된다. 그리고멤버들은표준화에포함될특성을투표로결정한다. 램버스측의대표는 JEDEC에서표준화에포함될기술특성에대하여청취하게되었으며, 그는그발명에대하여대리인변호사와협의를하였고대리인변호사들이그러한특성을커버하기위하여램 33) JEDEC 매뉴얼 (JM21-L) 8:2에따르면, 표준특허의라이센스는표준기술을채택하기를원하는업체들에게무상또는합리적인조건과비차별적으로공정하게허용되어야한다고규정하고있다. 34) JEDEC의회의는비밀유지를하는것으로간주되지않았다.
63 54 우리기업과의분쟁현황보고서 버스의특허출원절차를수행하도록지시하였다. 램버스는공개된 JEDEC 회의에서논의된것에기초하여자신의출원중인특허청구항들을변경하였다. JEDEC 의표준화정책하에서멤버들은공정성과제한없는참여를보장할 JEDEC 의정책과절차하에서 신의 를가지고참여하는데동의하였다. 램버스의 IP 담당부사장 (Joel Karp) 은, 만일 신의 라는것이 JEDEC SDRAM 의개방형표준화를목표한다는목적을가지고참여하는것이라면, 신의를가지고 JEDEC 에참여하지않았다는사실을숨기지않았다. JEDEC 의몇가지규정들, 예컨대매뉴얼 21-1 은멤버들의행동을규정하고있으며, JEDEC 의정책은멤버들이위원화의표준화작업에관련한특허및출원특허를공개할것을요구했다. 램버스는 1993년 USP 5,243,703 특허 1건을공개했다. 이특허는소송특허와발명의상세한설명이매우유사하고단지청구항만차이가있다. 램버스가 JEDEC의멤버로있는동안, JEDEC은 SDRAM 의표준을채택하였고, 그표준에는 Programmable CAS latency, Programmable burst length, Externally supplied reference voltage, Two-bank design 과같은특성들이포함되어있다. 램버스는 1995년 12월회의에마지막으로참가하였고, 공식적으로는 1996년 6월에탈퇴하였다. 이후 1996년까지 JEDEC은 SDRAM, DDR SDRAM 의후속작업에박차를가했다. DDR SDRAM 은 Source-synchronous clocking, Low-voltage swing signaling, Dual edging, On-chip delay licked loop 등을규정하였다. 램버스가공식적으로탈퇴한이후에도램버스측의대표는적어도 1997년 12월까지 JEDEC 위원회의진행과관련하여일정한조건하에리포트를계속받았다. 2000년, 램버스는그들이등록받은 SDRAM 과 DDR 기술에관한특허를가지고대형메모리업체들에대하여동부버지니아연방지방법원에특허침해소송을제기하였다. 삼성전자를포함한 7개업체가즉시램버스에게동특허들에대한로열티를지불하는데합의하였다. 그러나 Infineon 등일부피고업체는소송을계속하였고, 2001년배심공판에서램버스가 SDRAM 및 DDR 기술에대한소유권주장하는것은기망에해당한다는평결이나왔으며, 특허침해주장은기각되었다. 2003년, 연방항소법원은소송특허들에대한새로운청구항해석을내놓으면서동배심평결을뒤집고, 침해에관하여재공판을명하고사건을파기환송하였다. 즉원고램버스가승소하였다고할수있다. 이에대하여 Infineon 등은연방대법원에상고허가 (Certiorari) 를신청하였으나, 2003년 10월연방대법원은상고허가를거절함에따라, 동사건은연방항소법원의명령에따라동부버지니아연방지방법원으로환송되었다.
64 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 년 1월램버스는하이닉스반도체, Nanya Technology, Inotera Memories, Infineon등 4개의메모리칩생산업체들에대하여 DDR2, GDDR2, GDDR3 칩에관련한램버스특허침해를주장하며캘리포니아연방지방법원에소송을제기하였다. Intel, 삼성전자, Toshiba 등여러 DRAM 및메모리컨트롤러제조업체들이라이센스계약을체결하였으나, Infineon 은램버스와다투고있었으며, Micron, 하이닉스반도체는라이센스계약을체결하지않고 Infineon 과공조하면서기망적특허취득을주장하며맞서자램버스가특허침해소송을제기한것이다. 나. 소송개요 램버스는자사가보유한 SDRAM, DDR SDRAM 상용화기술에대한 18 건의강력한미국특허를 바탕으로 2005 년 1 월북부캘리포니아연방지방법원에특허침해소송을제기하였다. 소송 Title Rambus Inc.,v.Hynix Semiconductor Inc. et al 사건번호 5:2005-cv 원고 Rambus Inc 피 고 Hynix Semiconductor Inc.(KR), Infineon Technologies AG.(GE), Nanya Technologies Corp.(TW), Inotera Memories, Inc.(TW) Samsung Electonics Co. Ltd. ( 추가 ) 관할법원 북부캘리포니아연방지방법원 제 소 일 자 종 결 일 자 진행중 소의종류 특허침해소송 관련특허 USP 6,182,184; 6,260,097; 6,266,285; 6,314,051; 6,493,789; 6,496,897; 6,546,446; 6,564,281; 6,584,037; 6,697,295; 6,701,446; 6,715,020; 6,751,696; 6,807,598 ( 모든피고해당 ) USP 6,324,120; 6,378,020; 6,426,916; 6,452,863 (Nanya, Inotera 해당 ) 기술내용 SDRAM, DDR SDRAM 제품기술 진행상태지방법원 : 원고승소 => 연방항소법원 : 원고패소판결 하이닉스반도체는 2005 년 1 월부터 4 년간에걸쳐진행된소송끝에 2009 년 3 월지방법원에서램 버스사의복수개의미국특허를침해한것으로패소하여손해배상과경상로열티등 4 억달러상당
65 56 우리기업과의분쟁현황보고서 을지급하라는판결을받았으나, 이에대하여연방항소법원에항소하여 2011년 5월사실상승소한것이다. 아직램버스의대법원상고가남아있으나, 법률전문가들은램버스가대법원에상고해도미국사법제도관례상, 대법원에서받아들여질가능성이낮은것으로전망하여, 이번판결이최종확정될여지가높은것으로분석하고있다. 또한연방항소법원은지방법원에파기환송하였으므로, 최종결과가확정되기까지는다소시간이더걸릴것으로예상되나, 연방항소법원의법률판단에기초하여판결하여야하므로다른결론이나올가능성은매우적다. 다. 소송의당사자 (1) 원고 : Rambus Inc. 1) 기업현황램버스는 1990년에설립된회사로캘리포니아주에주소를두고있다. 램버스 (Rambus, 나스닥상장명 : RMBS) 는고속칩아키텍처의개발및설계를전문으로하는세계적인기술라이센싱기업으로, 생산시설이없으며기술개발과표준화작업을통해기술의활용이된때에특허소송을제기하여이를이용한수익을창출하는전략을사용하고있어 NPEs(Non-Practicing Entities) 에속하는업체이다. 캘리포니아의로스알토스 (Los Altos) 에본사를둔램버스는노스캐롤라이나, 인도, 독일, 일본, 대만에도지사를두고있다. 1990년설립이후다양한라이센싱, 혁신적인기술, 시스템레벨의부품통합 (System Integration) 전문기술을통해업계선두의칩및시스템기업들이시장에우수한제품을출시할수있도록기여하고있다. 램버스의기술과제품은고객이직면하는가장복잡한칩및시스템레벨의인터페이스문제를해결함으로써컴퓨팅, 통신, 소비자가전애플리케이션에서전례없는성능을구현할수있도록한다. 램버스는세계적인수준의라이센싱포트폴리오뿐아니라고유제품군또는업계표준인터페이스제품군에대한라이센스도제공하고있다. 2006년부터는특허라이센싱을중심으로사업을전환하였고, 이후대부분의수입은특허로열티가차지하고있다. 현재까지특허라이센스를체결한회사는 AMD, Elpida, Infineon, Intel, Matsushita, NECEL, Qimonda, Renesas, Sony, Toshiba 등이다.
66 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 57 Rambus 회사정보 본사 주소 1050 Enterprise Way, Suite 700 Sunnyvale, CA 한국지사주소 30th Floor, ASEM Tower 159-1, Samsung-dong, Gangnam-gu, Seoul, Korea 홈페이지주소 전 화 번 호 팩 스 ) 사업내용 ⅰ) 특허출원업무 : 모바일, 게임및그래픽, HDTV, 컴퓨팅, 조명, 디스플레이분야 ⅱ) 솔루션 : XDR, XDR2, Mobile XDR, DDR3, FlexIO, Advanced Lighting, RDRAM ⅲ) 기술개발및라이센싱 - 반도체, 전자시스템을위한획기적인기술을개발하고라이센싱을함. - 컴퓨터, HDTV, 게임시스템및조명을위한업계최고의회사들에게라이센싱하고광범위한특허포트폴리오를구축함. (2) 피고 : 하이닉스반도체 (Hynix Semiconductor Inc.) 1) 기업개요하이닉스반도체는 D램과낸드플래시와같은메모리반도체제품을기반하고있으며, 상기핵심사업분야에서상당한경쟁력을확보하고, 시장변화에따른마케팅과 R&D 중심의미래역량을확충해나가고있다. 세계최대반도체시장인중국을비롯한여러지역에서선도적회사중의하나이며, 재무구조개선및체계적위험관리를통한내실경영강화로지속성장의경영기반을구축하고있다. 2) 사업영역 ⅰ) DRAM 하이닉스반도체는공정기술혁신을통하여세계최고의생산능력을갖추고최상의품질주의를추구함으로써, 세계반도체시장에서미래형 DRAM 기술선도기업으로나타나고있다. 차세대제품의연구및개발에대한장기적이고전략적인투자를통해, 고용량, 초소형, 초전력의다양한 DRAM 제품군을개발및제공하여세계 DRAM 시장에서주도적입지를구축하고있고, DDR, DDR2, DDR3 인터페이스를지원하는다양한제품군을개발중에있다.
67 58 우리기업과의분쟁현황보고서 주요제품군은데스크탑, 노트북, 서버에사용되는컴퓨팅메모리뿐아니라, 다양한스펙의그패 픽스메모리와최근이동통신의발달에따라모바일메모리도제공하여최신기술개발과더불어, 글 로벌생산기지와조직적인영업망을갖추고있다. ⅱ) NAND Flash 2004년첫낸드플래시시장에진입하여, 지속적제품개발과공격적마케팅으로 NAND Flash Memory 시장선구그룹에오르고있다. Hynix NAND Flash는 Memory Stick, MMC, SD, CF, xd Picture Card, USB Flash, 노트북및데스크탑컴퓨터, 휴대폰등다양한디지털어플리케이션에 NAND 단품은물론 MCP, DOC(Disk on Chip), Embedded Flash Drive 등기술을통한메모리토널솔루션을제공한다. 현재, SLC와 MLC Chip을모두생산하고있고, 128Mb-64Gb 용량의폭넓은제품군을보유중에있다. 또한, TSOP, USOP를비롯하여 FBGA, LGA등다양한 Package 제품양산으로고객의다양한 Demand를충족하고있다. ⅲ) CIS 2007년말부터비메모리분야에재진출하여포트폴리오강화에나서고있으며, 그첫사업으로 CIS(CMOS Image Sensor) 사업을시작하였고, 향후카메라폰, 웹카메라, 의학용소형촬영장비등에공급할예정이다. 2. 소송의내용 가. 소송현황 2005년 1월램버스는하이닉스반도체, Nanya Technology, Inotera Memories, Infineon등 4개의메모리칩생산업체들에대하여 DDR2, GDDR2, GDDR3 칩에관련한램버스특허침해를주장하며캘리포니아법원에소송을제기하였다. 램버스 (Rambus Inc.) 는 2005년 1월25일미국캘리포니아북부연방지방법원에하이닉스반도체, Infineon Technologies AG.( 독일 ), Nanya Technologies Corp.( 대만 ), Inotera Memories, Inc. ( 대만 ) 등을특허침해로제소하였다. ( 사건번호 : C:05-cv EDL) 그리고 2005년 6월 6일수정소장을제출하면서삼성전자를피고에추가하였다.
68 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 년 3월램버스는 Infineon 에대한소송을취하하였다. 램버스는법원의심문에앞서핵심문서들을파기했다는혐의가있었는데, 이때문에램버스가 Infineon 과협상하게되었고, 협상결과 Infineon 이분기당 590만불의로열티지불에합의하면서양사가제기하고있는모든소송을취하하기로한것이다. 동라이센스계약은 2005년 11월부터 2년간유효하며, 그이후에는만일램버스가다른업체들과도계약을체결하게되면, 그때 Infineon 이 1억불을일시불 (Paid-up) 로추가지급하도록되어있다. 현재다른피고업체들은합의하였고하이닉스와 Micron 만이소송에계류되어있다. 2005년 6월에는램버스가세계최대의메모리제조업체인삼성전자를추가로제소하면서, 삼성전자와의기존라이센스계약을종료시켰다. 삼성전자는램버스의 RDRAM 을향상시켰고, 현재는램버스의 XDR에대하여만라이센스를맺고있다. 램버스는동소송에서특허침해확인을청구하고, 피고들의고의적침해 (Willful Infringement) 를주장하면서 3배의손해배상과변호사비용및영구침해금지명령 (Permanent Injunction) 을청구했다. 나. 소송특허램버스가하이닉스반도체와삼성전자등에침해를주장하는특허는미국특허 (USP) 번호 6,182,184; 6,260,097; 6,266,285; 6,314,051; 6,493,789; 6,496,897; 6,546,446; 6,564,281; 6,584,037; 6,697,295; 6,701,446; 6,715,020; 6,751,696; 6,807,598 등 14건으로 Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM, Single Data Rate(SDR) Synchronous DRAM 과모듈및컨트롤러등이특허침해라고주장하였다. 램버스는추가로 USP 6,324,120; 6,378,020; 6,426,916; 6,452,863 특허에대하여는 Nanya와 Inotera가특허침해를하고있다고주장하였다. 소장에서침해를주장하는특허는아래표에서와같이 18건이었으나, 이후 5건을추가하였다. 특허번호등록일발명의명칭 6,182, Method of Operating a Memory Device Having a Variable Data Input Length 6,260, Methode and Apparatus for Controlling a Synchronous Memory Device 6,266, Method of Operating a Memory Device Having Write Latency 6,314, Memory Device Having Write Latency 6,324, Memory Device Having a Variable Data Output Length 6,378, System Having Double Data Transfer Rate and Integrated Circuit Therefor
69 60 우리기업과의분쟁현황보고서 특허번호등록일발명의명칭 6,426, Memory Device Having a Variable Data Output Length and a Programmable Register 6,452, Method of Operating Memory Device Having a Variable Data Input Length 6,493, Memory Device Which Receives Write Masking and Automatic Precharge Information 6,496, Semiconductor Memory Device Which Receives Masking Information 6,546, Synchronous Memory Device Having Automatic Precharge 6,564, Synchronous Memory Device Having Automatic Precharge 6,584, Memory Device Which Samples Data After an Amount of Time Transpires 6,697, Memory Device Having a Programmable Resister 6,701, Power Control System for Synchronous Memory Device 6,715, Synchronous Integrated Circuit Device 6,751,696, Memory Device Having a Programmable Register 6,807, Integrated Circuit Device Having Double Data Rate Capability 램버스의특허는 SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory) 와 DDR(Double Data Rate) SDRAM 관련기술로서 1990년대부터대부분의컴퓨터에사용되는표준에해당된다. 연방지방법원은청구항해석절차 (Claim Construction) 를거쳐원고램버스의다른주장특허들에대하여는무효또는비침해로판단하였고, 아래특허의청구항에대하여는침해로판단하였으므로이들특허를중심으로청구항을분석하였다. 청구항분석내용은부록에첨부하였다. 아래미국등록특허들은모두 Rambus 사가자체출원의형태로특허를취득한것들이다. 특허번호출원일자명칭침해주장 Claim US 5,915, US 6,034, Integrated circuit I/O using a high performance bus interface Method of operating a memory having a variable data output length and a programmable register US 6,324, Memory device having a variable data output length 33 US 6,378, US 6,426, US 6,452, System having double data transfer rate and intergrated circuit therefor Memory device having a variable data output length and a programmable register Method of operating a memory device having a variable data input length 34 24, 33 32, 36 9, 28, 40 16
70 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 소송경과및쟁점 가. 소송경과 1999년 Rambus 는하이닉스반도체에대하여특허침해를주장하는서신을보냈고, 2000년 8월에하이닉스가 Rambus 에대해특허무효및비침해확인을구하는소를구함으로써선제공격을행하였다. 동사건이진행중에 2005년 1월 Rambus는자사의특허를하이닉스반도체가침해하였다는이유로다시소송을제기한사건이다. 2009년 3월북부캘리포니아연방지방법원에서는하이닉스에대한패소판결을하였지만, 한편으로 2009년 1월델라웨어주에서 Rambus 가진행하였던 Micron 과의소송에서는 Rambus가소송에불리한증거자료를불법파기하였다는것을이유로 Rambus 가패소하는상반된판결이있었다. 이에하이닉스는연방항소법원에항소하고, 델라웨어에서는 Rambus가항소하여연방항소법원에서병합심리하게되었고, 결국하이닉스반도체의손을들어준사건이다. 1) 2000년 8월, 하이닉스는캘리포니아연방지방법원에 Rambus 를상대로반도체메모리 (SDRAM, DDR SDRAM 제품 ) 관련특허비침해및무효확인소송을제기하였다. 2) 2001년 2월, Rambus 는하이닉스를상대로반도체메모리에관한 DRAM 칩디자인특허및 SDR SDRAM, DDR SDRAM 메모리장치, DDR, DDR2, DDR3, GDDR, GDDR2, GDDR3 SDRAM 장치및 DDR SGRAM 장치에관한특허침해를주장하는반소를제기하였다. 3) 2001년 11월, 캘리포니아연방지방법원은하이닉스에대해 11건의특허중 10건에대해비침해확인의약식판결및나머지 1건에대한잠정중지를결정하였다. 4) 2004년 5월, Rambus 가하이닉스, 삼성전자, Micron 을대상으로반독점소송을제기하였다. Rambus는 2000년대초반하이닉스, 삼성전자, Micron 사의가격을담합해 Rambus DRAM 제품을경쟁제품인 DDR보다고가에판매함으로써 Rambus DRAM이 DDR에게메인메모리시장을빼앗기게됐다고주장하였고, 이사건은 2011년 6월현재진행중에있다. 5) 2005년 1월 25일, Rambus 가하이닉스를피고로하여특허침해를주장하면서소장을북부캘리포니아연방지방법원에제출하였다. 한편 2005년 3월 Rambus 와 Infineon 은합의하여관련소를취하 (with Prejudice) 하였다. 6) 2005년 5월 10일, Rambus 는피고들에게소장을송달함으로써, 소송이본격적으로진행되기시작하였다. 한편 2005년 9월 Rambus는 Inotera Memories에대해합의하고이에대한소를취하 (without Prejudice) 하였다.
71 62 우리기업과의분쟁현황보고서 7) 2007년 9월 25일, 피고하이닉스가신청하였던 Equitable Estoppel Defense 에대한중간판결에서법원은하이닉스의신청을거절하는결정을하였다. 8) 2008년 7월 10일, 법원의 Claim Construction 과피고하이닉스가신청한특허무효에관하여중간판결에서법원은특허유효의결정을하였다. 9) 2009년 1월 9일, 본사건과유사한 Rambus v. Micron 사건에서델라웨어연방지방법원은 Rambus가소송에불리한증거를불법으로파기하였으므로, 특허침해주장은이유가없고특허권행사를할수없다 (Unenforceable) 고판결한바있다. 10) 2009년 3월, 북부캘리포니아연방지방법원은하이닉스의특허침해를인정함으로써하이닉스의패소를판결하였다. 하이닉스의 SDR(Single Data Rate) D램및 DDR(Double Data Rate) D램제품이램버스의특허를침해하였으므로램버스에게약 3억 9,700만달러를지불하라고판결하였으며, 2009년 1월 31일부터 2010년 4월 18일까지발생하는 SDR SDRAM 순매출의 1% 와 DDR SDRAM 메모리장치순매출 4.25% 를로열티로램버스에지불하라고명령하였다. 11) 2009년 4월, 하이닉스는연방항소법원에항소를제기하였으며, 미국연방항소법원 (CAFC) 은 Hynix v. Rambus 사건 ( ) 과 Ramus v. Micron 사건 ( ) 을병합하여심리를진행하였다. 12) 2011년 5월 13일, 연방항소법원 (CAFC) 은 Rambus 가소송에불리한증거를불법으로파기하였으므로, 특허권행사를할수없다 (Unenforceable) 고하고, 원심을파기환송하였다. 본소송과정에서 Rambus 는 2005년 3월 Infineon 에대한소송을취하하였다. Rambus 는법원의심문에앞서핵심문서들을파기했다는혐의가있었는데, 이때문에 Rambus가 Infineon 과협상하게되었고, 협상결과 Infineon 이분기당 590만불의로열티지불에합의하면서양사가제기하고있는모든소송을취하하기로한것이다. 동라이센스계약은 2005년 11월부터 2년간유효하며, 그이후에는만일 Rambus가다른업체들과도계약을체결하게되면, 그때 Infineon 이 1억불을일시불 (Paid-up) 로추가지급하도록되어있다. 현재다른피고업체들은합의하였고하이닉스와 Micron 과의소송만이계류되어있다. 한편 2005년 6월에는 Rambus 가세계최대의메모리제조업체인삼성전자를추가로제소하면서, 삼성전자와의기존라이센스계약을종료시켰다. 삼성전자는 Rambus의 RDRAM을향상시켰고, 현재는램버스의 XDR에대하여만라이센스를맺고있다. 그러나삼성전자도 2010년 Rambus 와합의함으로써소송이취하되었다.
72 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 63 나. 소송의쟁점 (1) 특허청구항의해석특허청구항해석에관하여, 1996년 Markman 사건 35) 에서항소법원은전원합의체판결을통해 Claim의해석은법률적문제 (as a matter of law) 이므로판사만이할수있으며, 지방법원의해석은항소심에서다시심리할수있다 고판시하였고 36), 연방대법원도 CAFC 판결을지지하였다. 37) 이에따라 Claim 해석은판사의권한에속하게되었고, 특허소송에있어 Markman Hearing 이라는절차를통해법원에의한 Claim 해석이 Trial 이전에이루어지고있다. 본사건에있어, 2008년 7월 10일북부캘리포니아연방지방법원은 Rambus 의특허청구항에대한청구항해석 (Claim Construction) 을아래와같이내놓았다. Claim Term : Construction : address information automatically precharged block size information bus clock alignment circuit control information coupled to data delay lock(ed) loop device external clock signal input receiver(s) circuitry integrated circuit device One or more bits that indicate a storage location. Precharged without an additional command. Information that specifies the total amount of data that is to be transferred on the bus in response to a transaction request A set of signal lines to which a number of devices are connected, and over which information is transferred between devices. A circuit for adjusting the timing relationship between a clock signal and another signal. Information used to control operation. Electrically (or otherwise) connected to allow transfer of signals. One or more bits written to/read from the memory array. Circuitry on the device, including a variable delay line, that uses feedback to adjust the amount of delay of the variable delay line and to generate a signal having a controlled timing relationship relative to another signal. [No separate construction.] A periodic signal from a source external to the device to provide timing information. Circuitry on the device to receive one or more signals from an external source. A circuit constructed on a single monolithic substrate, commonly called a chip. 35) Markman v. Westview Instruments, Inc.. 53 F.3d 967 (Fed. Cir. 1995) (Markman Ⅰ) 36) 소수의견으로 Newman 항소법원판사는 Claim 해석에는법률문제와사실문제가혼재되어있다고하고, 법원이 Claim해석에있어사실적인판단을필요로하는부분이있다고지적함. 37) Markman v. Westview Instruments, Inc U.S. 370 (1996) (Markman Ⅱ)
73 64 우리기업과의분쟁현황보고서 Claim Term : Construction : internal clock signal memory device operation code output driver(s) circuitry precharge information precharged automatically read request read operation request for a write operation sample/samples/sampling set register request synchronize synchronous memory device synchronously with respect to transaction request write request write operation A periodic or gated periodic signal generated in a device to provide timing information for internal operation. A device in which information can be stored and retrieved electronically. One or more bits to specify a type of action. Circuitry that outputs information from the device. One or more bits indicating whether the sens amplifiers and/or bits lines (or a portion of the sense amplifiers and/or lines) should be precharged. Precharged without an additional command. A series of bits used to request a read of data from a memory device where the request identifies that type or read to perform. Reading data from the memory array as specified in the read request. A series of bits used to request a write of data to a memory device where the request identifies what type of write to perform. To obtain at a discrete point in time; obtains at discrete points in time; and obtaining at discrete points in time. One or more bits to specify that a value be stored in a programmable register. Establish a known timing relationship between. A memory device that receives an external clock signal which governs the timing of the response to a transaction request. Having a known timing relationship with respect to. A series of bits used to request performance of a transaction with a memory device. A series of bits used to request a write of data to a memory device. Writing data to the memory array as specified in the write request. (2) 문서파손문제램버스는 1997년 10월, IP 부서장으로 Joel Karp을영입하고비호환성의 DRAM에대하여자사의 IP에대한권리행사를하기시작했다. Karp의역할은 DRAM들에대하여램버스특허들의라이센스를준비하고협상하는것이었다. Karp 영입에대하여, 파트너들과경쟁사들은램버스의 IP 계획에의혹을제기하고있으나, 램버스는그들의파트너들과경쟁자들에게는 Karp은계약협상을돕기위하여고용되었다고미리연막을치고, 실제특허침해가있기전까지는전체적인특허침해및 IP 이슈를대단치않게생각하였다고주장하였다.
74 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 년 1월램버스의 CEO는 Karp에게라이센싱과소송전략을준비하여 1998년 3월이사회에보고할것을지시했다. Karp은대리인으로 Cooley Godward를선임하였고, Cooley는 램버스가로열티율을설정하고법원이특허유효를선언하도록하기위해서는누군가를소송할필요가있다 고제안하고, Karp가준비한로열티율을받기위해서는신속하게소송을제기하여야할것이라고강조했다. 또한특허전쟁에대한준비를완료하기위해서는문서보존정책을만들고, 특허청의심사경과파일과같게하기위해서는모든대리인과의회의록은지워버릴필요가있다고하였다. 1998년 3월 Karp은피고와소송지를먼저정하는소송전략을이사회에제안하면서, 잠재적인침해자들을조사한후 4~6개월내에법적조치를시작한다는일정계획을수립하였다. 또한비호환성의 RAM에대한로열티율을 5% 로정했으며, 이는램버스가협상에관심이없다는상황을설정하기위한것이었다. 그리고조기에소송을위해서문서보존정책과증거개사절차를위한데이터베이스를만들어야한다고강조했다. 1998년 4월램버스의 CEO는인텔과만났는데인텔은차세대 DRAM에서램버스와기본적으로경쟁하게될것이라고했다. 램버스의 CEO는 RDRAM 에서 SDRAM 으로넘어가는과정은램버스로하여금조기에 DRAM 제조업체에게 IP 분쟁이라는카드를실행에옮기도록할수있을것이다. Karp 은 1998년 5월문서보존정책을발표하면서, 서면으로그정책을논의하지않기를원한다고했다. 1998년 7월 CEO는 Karp에게 로현대 ( 하이닉스 ) 가아마도 1999년 1사분기에라이센싱을시작해야할대기업이될것이라고했다. 1998년 7월 Karp은기술자들에게문서보존정책에대하여발표하고, 향후발명의착상일관련하여자사에도움이될수있는문서들을포함하여지켜야할것을찾아야한다고말했다. 1998년 9월램버스는첫번째문서폐기일을시행하였고, Karp의문서보존정책에따라약 400 박스의문서들이폐기되었다. 1998년 10월 Karp은경영층에 Direct DRAM의사양화로수익성이없게될때, 아마도 2000년 1사분기까지는소송을강행하지않고지연할것을제안하였다. 한편으로는 Mosel사와 Nanya 사, 두제조업체가직접침해에해당한다고지적하면서 1999년 1사분기에소송을제기할준비가되어있다고보고했다. 1998년 12월 Karp는경영층에소송의목표대상, 일정계획, 침해에대한소송원인등을보고하고, 램버스가이미마이크론의비호환성 RAM 제품이특허침해를구성한다는상세한클레임챠트를만들어놓고있다고보고했다. 1999년 6월 105 특허가등록되었고, CEO 는 Karp에게첫번째라이센싱및소송목표대상기업을명확히하고정당화하도록지시하면서, 램버스가 1999년 10월에그들의전략을개시하는첫번째목표대상기업과의싸움을위한전략을보냈다. 이후 1999년 8월램버스는두번째문서폐기일을시행하고문서보존정책에따라 300여박스의문서들을폐기하였다. 모든문서폐기일동안에램
75 66 우리기업과의분쟁현황보고서 버스는어떤문서들이폐기되었는지에대한기록을남기지않았으며, 계약서, 라이센싱협상, 특허심사과정, JEDEC 참여, 이사회회의록, 램버스의재정관련일부문서들의폐기를승인했다. 1999년 9월이사회에램버스는공격적인 IP 권리주장을통하여특허의가치에대한산업계의인식을증대시켜야한다고하고, 마이크론과같은일부회사는끝까지싸우고화해협상을하지않을것으로전망하였으며, IP의신뢰도를높이는가장좋은방법은주요 DRAM 제조업체와의싸움에서승리하는것이라고했다. 램버스는하나의사례를만들기위해 DRAM 회사를소송할필요가있음에공감한다는 을 Karp에게보냈다. 1999년 10월 22일 Karp는 Hitachi 에게램버스특허를제안하면서 2000년 1월 18일 Hitachi를특허침해로제소했다. 한편 2000년마이크론은델라웨어법원에램버스에대한권리행사불능에관한확인의소 (Declaratory Judgment) 를제소했다. 여기서법원은램버스의두번째문서폐기일이전에이미합리적인소송의예측이있었기때문에램버스가보존할의무를위반하고문서들을폐기했다고판단하고, 이와관련특허권행사를할수없다고결정했다. 연방항소법원은문서폐기에대한지방법원의결정을확정했다. 램버스의직원들은 1998년과 1999년에생성된자사의 DRAM 마케팅, 특허및소송전략에관련된문서와 등을파기하였는데, 이회사는당시 DRAM 기술을채택한경쟁사들을조사하거나그들을특허침해로제소하려고하였던시기였다. 램버스와마이크론은델라웨어법원에서로에대하여제소한소송이계류되어있고, 판사는램버스가침해를주장하는 12건의 DRAM 관련특허들은마이크론에대하여권리행사를할수없다고판결하였다. 램버스는 3개월 유지정책을정하고, 특허침해소송의가능성을사무직원들이알았을때문서폐기일에관한 2 건의문서를유지하였다. 델라웨어연방지방법원판사는 Rambus 의악의는명확하고확신이있어야한다고결정문에서밝히고있다. 그러한문서파손은대규모로실행되었고, 그러한범위내에서램버스비즈니스의모든측면에관한무수한문서들의파기가있었다. 따라서법원은마이크론사에대해소송특허는권리행사불능으로선언하는제재가필요하다고결론을내렸다. 램버스는유사한특허소송을담당하였던캘리포니아판사가램버스가증거를파기하지않았다고결정하였다는점을지적하며항소하였다. 램버스가 Hynix, Micron, Nanya, Samsung에제기한캘리포니아사건은아직계류중이다. 델라웨어사건은본래 2000년 8월마이크론사가램버스에대하여제기한 확인의소 이었다. 램버스는 DRAM의성능을개선하기위한기술을개발하고특허화하였으며, 이회사는경쟁사들이그들의자체 DRAM 제품을제조할때자신의특허를위반하고있음에관심을두었다. 램버스는다른회사들이동기술에대해라이센스를받도록추진하였으나, 그들은종래램버스의고객이었던인텔이
76 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 년 10 월마이크론사의 DRAM 개발에 5 억달러를투자할것이라는발표를했을때, 램버스는큰 차질을겪을수있었던것이다. (3) 표준화과정의포기 (Waiver) 와금반언적용문제개방형표준화기구의멤버는표준적용제품들에대하여특허침해를주장할자신의권리를묵시적으로포기하였거나형평법적으로금반언이적용될수있다. 38) 표준화기구상황에서묵시적포기를주장하기위해서는, 주장하는당사자가 특허권자의행위가권리를행사할의도와불일치하여그의권리가포기된다는합리적인믿음을야기시켰다 는명확하고신뢰할수있는증거를보여주어야한다. 그러한행위가되기위해서는, 1 특허권자가표준화기구에공개의무를가지고있어야한다. 2 특허권자가그러한의무를위반하였어야한다. 형평법상의금반언이적용되기위해서는이를주장하는자가 특허권자를오인시킬수있는행위를통하여침해주장자에대하여자신의특허권을행사할의도가없음을합리적으로추론할수있도록유도하였다 는것을보여주어야한다. 39) 그러한행위에는특정한진술, 행위, 부작위, 말할의무가있음에도침묵하는것등을포함한다. 묵시적인포기의두가지요건은역시형평법상의금반언의입증에서도요구된다. 공개의무가없는데하이닉스는램버스가자신의특허권을행사할의도를가지지않았다는합리적인추론을한다는것이불가능한것이며, 그러한의무의위반없이램버스의비공개가오인을일으킬수있는행위가될수없기때문이다. 따라서연방항소법원은이두가지이론을함께적용하여논의하였다. 4. 법원의판단 가. 제 1 심법원의판결 (1) 문서파기에관하여지방법원은소송의결정은명확하거나임박하지않았고램버스가소송을진행하기전에발생해야하는여러가지조건하에있었던 1999년후반까지는문서파손에대하여합리적으로예측가능하지않았다고결정했다. 이러한조건들에는 RDRAM 표준으로제조업체들을가두어두어야하고, 비 38) Qualcomm Inc. v. Broadcom Corp., 548 F.3d 1027 (Fed Cir. 2008) 39) A.C. Aukerman v. R.I. Chaides Construction, 960 F.2d 1020 (Fed. Cir. 1992)
77 68 우리기업과의분쟁현황보고서 호환성물품을커버하는램버스특허들이등록되어야하고, 클레임차트를만들기위해서는침해제품의샘플을역분해하여특허적용여부를확인하여야하며, 그러한제조업체들과라이센싱협상을시작하고제조업체들이라이센스조건을거절하는경우램버스이사회로부터소송제기에대한승인을받아야하는등의조건들이있어야한다. 지방법원은램버스가소송의도를가졌는지를판단하는기준은 Karp의 1999년 9월 24일자 최근 IP 전략 으로, 여기에는램버스특허권들은산업계의유력한집단이나승리할법원에의하여검증되어야한다고적시되어있고, 다수의제조업체들이결코합의하지않을것이라는점을나타내고있다. 두번째문서폐기일은 최근 IP 전략 보다앞서시행되었기때문에법원은램버스의문서파기는허용될수있는비즈니스결정에속한다고결정했다. (2) 표준화과정의포기 (Waver) 와금반언적용에관하여지방법원은 JEDEC 의멤버들은 JEDEC 표준으로서채택되는것으로고려되는기술에관한특허출원또는특허출원의도에관하여멤버들이관련하여알고있는것을공개할것이며, 램버스가 JEDEC 탈퇴전에램버스의계류중인특허출원의어떤건도 JEDEC 표준을커버하지않는다는것에대한명확히정의된기대를공유하고있지않았다 는배심결정을수용하였다. (3) 특허침해여부법원은램버스가주장하는특허침해청구항에대하여당사자간의주장을심리하고청구항에대한해석을하였고, 그러한청구항해석에따라하이닉스는일부특허의비침해중간판결을신청하였으며, USP 6,032,214 특허의제15항, 제18항, 제25항및제26항, USP 5,915,105 특허의제36항, 제 40항, USP 6,035,365 특허의제1항과제4항, USP 6,101,152 특허제14항에대하여지방법원은비침해로판결하였다. 그리고최종판결에서 USP 6,324,120 특허의제33항, USP 6,378,020 특허의제32항과제36항, USP 6,426,916 특허의제9항, 제28항, 제40항, USP 6,452,863 특허의제 16항, USP 5,915,105 특허의제34항, USP 6,034,918 특허의제24항과제33항을침해하였고, 동특허들은유효하다고판결하였다. (4) 특허무효여부 하이닉스는명세서의기재요건불비및특허의비자명성요건에대한흠결을주장하며중간판결 을신청하였으나, 지방법원은이를부인하는판결을하였다.
78 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 69 (5) 판결결론북부캘리포니아연방지방법원은하이닉스가램버스의 USP 6,324,120 특허의제33항, USP 6,378,020 특허의제32항과제36항, USP 6,426,916 특허의제9항, 제28항, 제40항, USP 6,452,863 특허의제16항, USP 5,915,105 특허의제34항, USP 6,034,918 특허의제24항과제 33항을침해하였고, 동특허들은유효하다고판결하였다. 그리고손해배상액을 U$349,035,842 로정하고, 판결전이자와이후의침해제품에대한로열티 (DDR DRAM의경우 4.24%) 를램버스에지급할것을명하였다. (6) 연방항소법원에의항소하이닉스는아래사항에대하여연방항소법원에항소하였다. ⅰ) 램버스의문서파기로인한권리행사불능을이유로한하이닉스의기각신청을거절한지방법원의중간판결 40) ⅱ) 지방법원의청구항해석 41) ⅲ) 명세서기재요건관련법률판단또는새로운공판을신청한하이닉스의신청을거절한지방법원의중간판결 42) ⅳ) 자명성관련새로운공판을신청한하이닉스의신청을거절한지방법원의중간판결 43) ⅴ) 묵시적권리포기및형평법상의금반언을이유로하는권리행사불능의하이닉스항변을거절한지방법원의판결 44) 한편램버스도 USP 6,032,214 특허의제15항, 제18항, 제25항및제26항, USP 5,915,105 특허의제36항, 제 40항, USP 6,035,365 특허의제1항과제4항, USP 6,101,152 특허제14항을비침해로판결한지방법원의중간판결 45) 에대하여연방항소법원에항소하였다. 40) Hynix Semiconductor Inc. v. Rambus Inc., 591 F.Supp.2d 1038 (NDCa 2006) 41) Hynix Semiconductor Inc. v. Rambus Inc., No. 00-CV (NDCa Nov. 15, 2004) 42) Hynix Semiconductor Inc. v. Rambus Inc., No. 00-CV (NDCa Jan. 27, 2009) 43) Hynix Semiconductor Inc. v. Rambus Inc., No. 00-CV (NDCa Jan. 16, 2009) 44) Hynix Semiconductor Inc. v. Rambus Inc., No. 00-CV (NDCa Mar. 3, 2009) 45) Hynix Semiconductor Inc. v. Rambus Inc., No. 00-CV (NDCa Jan. 5, 2005)
79 70 우리기업과의분쟁현황보고서 나. 연방항소법원의판결 (1) 문서파손문서파손 (Spoliation) 이란파기또는증거의중요한변조, 또는계류중이거나예측되는소송에서상대방이증거로사용될문서의보존에실패하는것을말한다. 46) 이사건에서쟁점이되는것은증거보존이시작되는시점에관련한것이다. 이결정은진실을커버하지않는업무상작업문서라는확신을유지하기위해서법적절차의완전성을보존할필요성을포함하는일련의정책적고려에의하여이루어지고, 불필요한문서와데이터를제거하는적법한사업적이익과미국생활에있어소송은항상존재할수있다는실제성 47) 의균형을유지하여야한다. 하이닉스는합리적인예측가능성은소송의긴급성이요건이되어서는안된다고하고, 반면에램버스는합리적인예측가능성이되기위해서는소송이임박했어야하고, 적어도엄청난위기사태가어느정도는있을것이란의미로보아야한다고주장하였다. 연방항소법원은지방법원의문서파손관련결정을법적기준, 근본적사실에관한명백한실수, 구제수단의적정성에관한재량등 48) 을처음부터다시검토하였다. 연방항소법원은마이크론사건에서법적기준으로 상당한조건이없이소송의임박또는가능성은있다 고하는것은형식적인요건을필요로하지않는다고하였는데, 지방법원은그러한기준을충실하게적용했고이는다음 3가지이유에근거한다. 첫째, 지방법원은그러한조건은해결될것이라는가능성을고려하지않고, 단지소송을명확하게하거나임박하게만들지않는다수의조건들이현존하고있기때문에소송에대한합리적인예측가능성이없다고결정하였다. 그러나기록에의하면지방법원은각각의조건들의해결은합리적으로예측가능하다는것을인지하고있었다. 1998년 2월23일자 Cooley 의보고서에서는램버스가경쟁제품이시장에출시될때까지는라이센싱활동을하지않을것이라는기본적인추정이가능하다. 램버스는 DRAM 제조업체들이 RDRAM 의생산에묶이는시점에비로소라이센싱전략을시작하는것으로계획되어있다. 1998년 10월까지는, 그러한일정계획은 2000년초로예상했다. (Karp의보고서에서는램버스는수익성이없게되는시점까지는직접거래선에대하여는공격하지않는다고되어있다 ) 46) Silvestri v. Gen. Motors Corp., 271F.3d 583 (4th Cir. 2001) 47) Pittsburgh, PA v. Murray Sheet Metal Co., 967 F.2d ) Qualcomm Inc. v. Broadcom Corp., 548 F.3d 1004 (Fed. Cir. 2008)
80 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 71 여러조건들은램버스가소송을진행하기이전에발생된다. 고객샘플이시장에서적용될때, 램버스는라이센싱협상을위한클레임챠트를생산하기위하여역분해를추진할계획을가지고있었다. 램버스는일정한조건들이발생될때까지비호환성사용자에대한라이센싱협상을시작할의도가실제없었다. 그러한조건은 1999년까지발생하지않았다. 지방법원은이러한조건들이합리적으로예측가능한것이었지만, 그럼에도불구하고그것이소송자체는아니라고판단하였다. 이는소송의예측가능성을결정하는데있어이러한조건들의중요성에대한판단을유탈한것이다. 해결이합리적으로예측되는조건들은소송의합리적예측가능성이라는결론을배제하지않는다. 문서를파기하는당사자가충분히그러한조건들은해결될것이라고예상할때단지그러한조건들이존재하고있다는것때문에, 향후소송에서관련될것으로예상되는문서들을파기하는것을당사자에게허용한다는것은부적절하다. 49) 둘째, 그러한조건들외에도지방법원은소송이예측가능하지않다는증거로서, 1 램버스는 1999년 9월까지 DRAM 제조업체들에대한라이센스협상또는소송에대하여이사회의승인을받지않았다. 2 램버스는 1999년 6월까지소송에대한예산을잡아놓지않고있었다. 이러한사실들이소송이임박하지않았다는것을보여줄수있으나, 그것은소송의합리적예측가능성이없다는것을나타내지는않는다. 이러한사실들이램버스가 Hitachi 를소송한 2000년 1월에바뀌었다는기록상의어떤증거도없다. 마지막으로, 지방법원은예측가능성에대해너무경직된기준을적용하여문서보존의무는램버스의두번째문서파기일이후까지시작되지않았다고결정한유일한법원이다. 지방법원이적용하였던좁은기준은합리적인예측가능성검토를해치고있고, 문서파기에대해대부분을조정할수있고그로부터대부분을얻을수있는당사자에게문서를파기할수있는자유로운재량을허용하게된다. 이는잠재적으로손실을입을가능성이있는문서들을커버하지못함으로써상대방당사자와법원의이익을보호하지못하며, 증거발견에대한대립적인제도의취지하에서행해지는증거개시절차에의하여창출되는증거탐색영역의수준을약화시킨다. 합리적예측가능성의정확한기준을적용함으로써, 이러한검토는램버스의두번째문서파기일이전에소송이합리적으로예측가능하였음을발견하게한다. 더욱이램버스는사실관계에서나타나는어떠한차이점도 2건의사건에서달리결정되어서는안된다는데동의하고있다. 연방항소법원은소송의임박성과확실성에관하여요구되는합리적예측가능성의기준을너무좁게적용하는실수를하였고이는법률적용의일탈이라고결론을내렸다. 따라서지방법원이문서파 49) United States v. Kitsap Physicians Serv. 314 F.3d 995 (9th Cir. 2002)
81 72 우리기업과의분쟁현황보고서 손에근거하여제기한기각신청을거절함에있어서사실발견과법률판단을파기하고, 이사건과 동반된 Micron 사건에서정한합리적예측가능성의구성과항소법원의의견이일치하는추가적인 검토를위해지방법원에환송하였다. (2) 표준화과정의포기 (Waver) 와금반언 Infineon 사건에서연방항소법원은 JEDEC의참여는경쟁자나 JEDEC의다른멤버들이표준으로채택된기술을커버하는것으로합리적으로해석되는청구항을가지는특허출원및등록특허를공개할의무를부과한다고하였다. 이러한의무는공식적인침해분석을요구하지는않으나, 합리적인경쟁자가비공개된청구항하에서라이센스없이그표준기술을적용할것으로기대하지않을경우에적용된다. 공개의무가있고, 그범위는표준기술적용에합리적으로필요한모든출원중또는등록청구항으로확대되는것으로정의한결정은이사건에서간과되었고, 배심원에게결코제시되지않았다. 그러나연방항소법원이 Infineon 결정에서램버스가공개의무를위반하지않았다고한것은이사건에도역시적용되므로, 배심원에게동쟁점이제시되지않은실수가있더라도결론에영향을미치지않는다. 램버스가 JEDEC의멤버로있는동안램버스는 JEDEC에소송특허로서동일한발명의설명을가지는 898 특허의패밀리인 703 특허를공개하였다. Infeneon 사건에서항소법원은소송특허들은램버스가 1996년 JEDEC을탈퇴한이후에출원되었고, 이러한특허출원이 SDRAM 표준에서읽히는청구항들을가지고있다는것을확인할실질적인증거가지지되지않으므로, 램버스가주장한기술은 JEDEC의공개의무에해당되지않는다고판시한바있다. 하이닉스는램버스가공개의무를위반하지않았다는 Infneon 사건에서의연방항소법원결정은해당사건에만구속된다고항변하였다. 이는모든소송특허들은램버스의 JEDEC 참여기간중의계류중인특허를통하여 898 특허에대한우선권주장으로진행된것이기때문이라고하였다. 또한출원계류중이었던 646 특허, 961 특허, 490 특허, 657 특허는본소송에서쟁점이되고있는다섯가지기술에대한청구항을포함하고있으며, 따라서 Infineon 사건과는구별된다고주장하였다. 그러나연방항소법원은램버스가 JEDEC에있었던동안계류되어있었거나등록된특허청구항들은이러한출원들이 SDRAM 표준에읽히는청구항들을가지고있음을보여주는명백한증거로서지지되고있지않으므로, 표준기술의실행에반드시필요한것은아니라고판단하였다. 그러한소송특허의청구항들은램버스가 JEDEC 탈퇴후에진행된것들이다. 하이닉스는 646, 961, 490, 657 특허출원은 Infineon 사건의계류중출원건보다 SDRAM 표준기술의실행에있어더합리적으로필수적인것이라고주장하지않았다. 하이닉스는 Infeneon 사
82 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 73 건에서램버스가공개의무를파기하지않았다는항소법원의결정이왜적용되지않는지, 또는기망적인경우에서보다포기및금반언의경우에서파기의기준이왜다른지에대한설득력있는이유를제시하지못하였다. 따라서연방항소법원은램버스가자신의소송할권리를포기하지않았으며, 표준적용 DRAM에의한침해에대하여소송을하지않을것이라는형평법상의금반언이성립하지않는다는지방법원의결정을확정한다. (3) 기타사안 1) 변호사-고객간의특권의예외증거개시절차과정에서지방법원은범죄은폐 (Crime-fraud) 의예외규정을적용하여램버스의변호사-고객간의특권을허용치않았다. 연방항소법원은램버스가 DRAM 제조업체들에대한소송을준비하면서문서를파기한것은합리적으로범죄를구성할수있고, 지방법원이이에대하여범죄은폐예외규정을적용한것에하자가없다고판단하였다. 2) 청구항의해석관련연방항소법원은 Infineon 사건에서지방법원이다수의관련소송특허에서사용되는용어 bus' 에대하여다중방식의 bus로제한하여청구항을해석한결정을뒤집고사전적의미로넓게해석하였으며, 본사건에서도이결정에따르고하이닉스의항변을받아들이지않았다. 3) 명세서기재요건관련지방법원에서배심원은미국특허법제112조첫째단락에서규정하는명세서의기재요건불비를이유로하는특허무효주장을배척하였다. 하이닉스는이에대하여법률문제로서판결 (JMOL) 을신청하고, 또한선택적으로새로운공판을신청하였는데, 법원은이들모두를거절하였다. 명세서기재요건의검토는그출원의공개가출원일현재청구된발명의주제기술을소유한발명자가그기술분야에있는기술자에게합리적으로이전되었다고할수있는지에있다. 그리고특허유효성의추정을극복하기위해서는이를주장하는자가명확하고신뢰있는증거로서그청구항의기재요건불비를보여주어야한다. 하이닉스는배심평결이상당한증거에의하여지지되지못한다거나또는증거의명확한비중에반한다는설득력있는항변을제시하지못했다. 따라서항소법원은하이닉스의 JMOL을거절한지방법원의결정을확정하였다. 4) 자명성판단 지방법원은 918 특허의제 24 항과제 33 항, 120 특허의제 33 항, 916 특허의제 9 항, 제 28 항, 제
83 74 우리기업과의분쟁현황보고서 40항, 863 특허의제16항의자명성문제를배심원에게제기하였다. 배심원들은그청구항들이자명하지않다는평결을하였고, 하이닉스는새로운공판을신청하였으나지방법원은거절하였다. 이에대하여하이닉스는새로운공판을거절한지방법원의거절에대하여문제를제기하지는않았고다만지방법원의법률적용의실수로서궁극적으로비자명성에대한법률판단에대하여항고를했다. 그러나연방항소법원은하이닉스가지방법원의비자명성결론에어떠한법률적흠결을보여주지못하고있으므로, 자명하지않다는배심평결을확정하였다. 5) 침해여부지방법원은청구항해석에따라 US 6,032,214 특허의제15항, 제18항, 제25항및제26항, US 5,915,105 특허의제36항, 제 40항, US 6,035,365 특허의제1항과제4항, US 6,101,152 특허제 14항에대하여중간판결을통하여비침해로판결하였는데, 램버스는이에대하여항소를하였다. 연방항소법원은이에대하여지방법원의판결을지지하였다. (4) 판결결론문서파기에관한지방법원의사실판단과법적결론은파기하고, 지방법원의최종판결에의하며, 이는마이크론사건에서연방항소법원이설정한판단구조하에서재심리하도록지방법원으로환송하였다. 권리포기및금반언에관한지방법원의결정, 청구항해석, 그리고다른쟁점에관한하이닉스의신청을거절한지방법원의결정에대하여는확정하였다. 또한지방법원이중간판결에서하이닉스가신청한일부특허에대한비침해주장을승인한것에대하여도판결을확정하였다. 다. FTC의독점금지법위반사건검토 2002년 5월미국연방공정거래위원회 (FTC; Federal Trade Commission) 는램버스를독점금지법위반으로제소하였는데, 소장에서 FTC는램버스가특허연속출원과분할출원을통하여향후진화되는 SDRAM 표준화를포함할수있도록특허청구항의범위를확장시키는전략을실행하고있다고주장하였다. FTC의램버스에대한독점금지법위반주장은메모리제조업체들의청원에의해 FTC가 2002년 5월시작한조사결과이미램버스가반경쟁적행위를하고있다는심증을가진후인 2003년여름공판이진행되었다. 한편 2002년 5월미국연방공정거래위원회 (FTC; Federal Trade Commission) 는램버스를독점금지법위반으로제소하였는데, 소장에서 FTC는램버스가특허연속출원과분할출원을통하여향
84 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 75 후진화되는 SDRAM 표준화를포함할수있도록특허청구항의범위를확장시키는전략을실행하고있다고주장하였다. FTC의램버스에대한독점금지법위반주장은메모리제조업체들의청원에의해 FTC가 2002년 5월시작한조사결과이미램버스가반경쟁적행위를하고있다는심증을가진후인 2003년여름공판이진행되었다. FTC의주심행정재판관은 2004년메모리산업은램버스기술에대한다른선택을가지고있지않으며, 램버스특허권의잠재적범위를알고있었다고하면서램버스에대한독점금지법위반청구를기각했다. 이에대해 FTC 조사관들은항소장을제출하였다. 2006년 8월 FTC는셔먼독점금지법제2조하의메모리산업을불법적으로독점하였으며, 또한 FTC 법제5조를위반하는기망적행위를하였다며주심재판관의결정을뒤집었다. FTC는램버스에게 DRAM 특허를표준그룹에공개하지않은것에대하여불법적인독점에해당한다는책임을부과하였다. 2007년 2월 5일, 미국 FTC는램버스가 DRAM 제조업체들에게요구할수있는로열티의최대를제한하면서, 위원회의결정이나온날로부터 3년간 DDR SDRAM에대하여는최대 0.5%, 그이후에는 0 로가고, SDRAM의로열티는최대 0.25% 로정하였다. 위원회는 SDRAM에대하여는 DDR SDRAM의반으로한것은 DDR SDRAM에는 4개의램버스기술이이용되고있으나, SDRAM에는 2개만이용되기때문이라고주장하였다. 또한칩외에 SDRAM 과 DDR SDRAM 메모리컨트롤러또는다른비메모리칩부품에대하여도각각 0.5% 와 1.0% 의로열티를받을수있도록하였다. 그러나이결정에서는램버스가 (G)DDR2 SDRAM과다른 JEDEC 이후의 DDR 메모리표준에기초한제품의로열티를받는것에대하여는제재하지않았다. 램버스는 FTC의의견및구제에대하여항소하였고항소법원은램버스에대한 FTC 사건을파기하였으나, FTC는연방대법원에상고하였다. 5. 최종결과및시사점 본사건에서하이닉스반도체는끝까지다투어연방항소법원에서램버스의문서파기로특허권행사불능이라는판결을받아냄으로써사실상하이닉스가승소하였다고할수있다. 램버스의연방대법원상고가남아있으며, 미국연방대법원은상고허가제를운영하고있으나종래의판결을뒤집거나재해석할필요가있는사안이아니면상고허가를하지않으므로연방항소법원의판결이확정될가능성이높다. 이경우본사건은연방항소법원의파기환송에따라지방법원에서재심리를하게되나, 연방항소법원의판결에기초하여야하므로결론이바뀔가능성은거의없다.
85 76 우리기업과의분쟁현황보고서 하이닉스는소송전램버스의문서파기를이유로특허권행사불능의쟁점을제기하였고, 연방항소법원은지방법원의판결을뒤집고문서파기에따른특허권행사불능의판단기준을제시하여하이닉스의주장을받아들인것이다. 그러나특허침해여부에대한사실판단과관련하여서일부특허는침해로해석한지방법원판결을지지하였고, 또한하이닉스가쟁점으로제기한권리포기또는형평법상의금반언적용등에대하여는지방법원의판결을확정시켰다. 따라서파기환송된사건의쟁점은문서파기에따른권리행사불능여부에대한판단만남아있는셈이다. 이렇게볼때, 램버스의일부특허는표준과매칭되고특허의유효성은인정된다고할수있고, 법률적측면에서도 JEDEC 참여에따른부적절한행위도인정되지않은것이다. 다만소송전에관련문서를파기한것이증거개시절차에서사실발견을할수없게만들어권리행사불능의결과를초래한것이다. 또한사실상램버스가의도적으로문서를파기한것으로보여지고있다. 미국특허침해소송에서소송전관련문서의파기는권리행사불능을야기시킬수있다는중요한교훈을남기고있는사건이다. 문서파기에는램버스의대리인인 Cooley 의조언이작용하였는데, 미국변호사의조언을그대로이행하는것은바람직하지않으며문제가될것으로예상되는사안에대하여는객관적시각에서제3의의견을추가로받아의사결정을할필요가있는것이다. 램버스는 JEDEC 표준화에참여하면서연구개발을하고관련칩도일부제조하였으나, 2006년부터는완전히특허라이센싱회사로전환하였고대부분의매출이특허로열티수입에의존하고있는 NPEs에속한다. 표준특허를중심으로라이센싱을하고있어비침해를주장하기어려우므로, 이사건에서와같이법률적쟁점을가지고다투는것이유리할수있다. 램버스특허의권리행사불능이확정될경우, 기존에이미라이센스계약을체결한인텔, 소니, 삼성등라이센시들이과연어떻게대응할지는미지수이다. 이는특허권자체가무효가된것은아니고, 동특허권을사용하는것도사실이며, 단지타사건에서의권리행사불능을이유로계약을파기할수있는지는라이센스계약상의여러조건에구속될수있으므로, 계약불이행의문제가발생할가능성에대한신중한검토가필요하다. 이미일시불로 Paid-up 한경우에는환불받을수없겠으나, 경상로열티를지급하는경우에는이문제가제기될수있다. 이경우또하나고려해야할부분은계약이란당사자간의불확실한소송에대한리스크를분담하는타협의성격이있으므로, 그러한리스크가현실화되었다고계약을파기하는것이합리적인지는다툼의여지가있다. 하이닉스는이번항소법원의승소판결로인하여 4억달러의손해배상액지급과로열티지급의무에서벗어났다. 그리고특허권침해소송에대해서 4억달러이상의충당금을확보해놓은만큼충당금환입에따라순이익이증가할전망이다. 또, 향후로열티를지급하지않는만큼수익개선효과도명확하다. 또한, 이번 CAFC의판결로인하여, 하이닉스는램버스와의협상을보다유리한입장에서진행할수있는기반을마련하게되었다.
86 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 77 하이닉스와같이피소되었던삼성전자에도어느정도영향을미칠것으로보인다. 삼성전자의경우, 2010년 1월램버스의반도체전제품에대한특허기술계약을체결하고, 7억달러를지급했었다. 이번재판결과로향후라이센스재계약시, 유리한입장에서램버스와계약을진행할수있을것으로예상된다. 하이닉스와램버스의분쟁사안과같이국내기업들의특허전쟁승전보는앞으로기업들의큰성장원동력이될것같다. 삼성전자와하이닉스도차세대기술선점에주력하고있는만큼국내업체에불리하지않을것으로예상한다. 오히려후발업체들의추격에제약요인으로작용할것으로보인다. 6. Rambus 의특허현황분석 가. 특허분쟁및라이센싱현황램버스사는생산시설이없음에도 1990년초부터세계반도체표준화협회의표준제정과정에서자사의특허출원의사실을숨긴채표준활동을적극적으로참여한뒤 2000년하이닉스반도체, Infineon, 삼성전자및마이크론을포함한세계주요반도체업체를상대로로열티를요구하면서특허침해소송을제기하고있다. 2005년, 하이닉스, Nanya, Inotera, Infineon을상대로 DDR, GDDR2, GDDR3칩이자사특허를침해하였다는소송을제기하였으나 Infineon 의경우램버스가심리전중요한서류를파기하였음을주장하였고이에대하여램버스는 Infineon 과협상을통하여분기별로 590만달러의 License 비용을지급하는것으로합의하고소송은취하되었다. 2008년, 기술과 IPR을라이센싱함으로써 127,000,000 달러의수입을창출하였고, 2007년 154,000,000달러, 2006년 169,000,000달러의로열티수입이있었다. 2010년에는그래픽칩업체인 Nvidia 사를겨냥해제기한특허소송에서승소하고, 미국국제무역위원회 (ITC) 는 Nvidia 사가램버스특허권을침해했다고판결한뒤, Nvidia 칩을사용한일부제품에대한미국수입금지조치를내렸다. 본소송대상이된것은프로세서나칩셋의한부분인메모리콘트롤러와관련된부분이다. 램버스와우리기업과의특허분쟁에는 2000년이후하이닉스반도체와삼성전자에대한특허침해소송이있었다. 우리기업을대상으로한소송건은동일한특허기술을바탕으로한것으로서, 삼성전자의경우지방법원에서패소후항소를하지않고, 2010년 1월램버스의특허기술에대한포괄적라이센스를체결하면서, 지분투자 2억달러를포함한총 9억달러를지급하고화해한바있다.
87 78 우리기업과의분쟁현황보고서 반대로, 하이닉스반도체의경우는 2009 년 3 월지방법원에서패소하여손해배상과경상로열티 등 4 억달러상당을지급하라는판결을받았으나, 연방고등법원에항소하여 2011 년 5 월승소한상 황이다. 나. 특허포트폴리오분석 (1) Rambus 사특허현황 램버스사의특허보유현황은 1,221 건이검색되었으며램버스사보유특허리스트는부록에별도 로첨부하였다. (2) Rambus사의보유특허국가별현황램버스특허국가별출원현황을살펴보면 [ 그림 3-14] 에서와같이, 미국 (US) 이 971 건으로전체의 80% 를차지하였으며다음으로유럽특허청 (EP) 에의출원건수가 199건으로전체의 16% 를차지하는것으로나타났다. 기타한국 (KR) 은 33건으로전체의 3%, 일본 (JP) 은 18건으로전체의 1% 를차지하였다. [ 그림 3-16] Rambus 보유특허국가별출원현황 (3) Rambus사한국특허발명자국적현황램버스사보유특허중한국특허의발명자국적현황을살펴보면, [ 그림 3-15] 에서와같이한국 (KR) 특허 33건중 32건의발명자의국적은미국 (US) 이며 1건의발명자의국적이한국 (KR) 으로조사되었다. 발명자의국적이한국인해당건은한국공개특허 이며발명자는 이해창, 그리어토마스에이치 3세, 카이저제이드엠, 레이보위츠브라이언에스, 호로비츠마크에이 이다.
88 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 79 발명자는단독인경우도있으나대부분공동발명자들이며대표발명자의국적을기준으로하였다. [ 그림 3-15] Rambus 사 KR 특허발명자국적현황 5 명의공동발명자가발명한특허이며출원인은 램버스인코포레이티드 이다. 발명자이해창의국 적은한국이나거주지는미국캘리포니아주이다. 해당특허는램버스사의자체출원특허이며한국 발명자로부터양수한특허는아닌것으로조사되었다. < 표 3-6> KR 공개특허 서지사항 50) 국가 KR 출원번호 발명자 이해창, 그리어토마스에이치 3 세, 카이저제이드엠, 레이보위츠브라이언에스, 호로비츠마크에이 출원인 램버스인코포레이티드 우선권번호 US WIPS 패밀리 EP US A1 WO08/ Assignors Assignee Lee, Hae-Chang (Los Altos, CA, US) ; Greer, III, Thomas H. (Chapel Hill, NC, US) Kizer, Jade M. (Durham, NC, US) Leibowitz, Brian S. (San Francisco, CA, US) Horowitz, Mark A. (Menlo Park, CA, US) RAMBUS, INC. (Los Altos, CA, US) (4) Rambus 사의보유특허연도별출원현황 램버스사보유특허에대한연도별현황은 [ 그림 3-16] 과같다. 50)
89 80 우리기업과의분쟁현황보고서 [ 그림 3-16] Rambus 사보유특허연도별현황 램버스사의보유특허에대한연도별현황을살펴보면 1991년 12건을시작으로하여 1998년까지완만한증가세를보이고있다. 이후 2000년 93건을시작으로 2000년대에들어급격한증가세를보이고있으며이후출원건의증가및감소를반복하고있다. 2004년에 134건의출원을하여가장많은출원건수를기록하고있으며, 2008년이후로는출원건수가다소감소하는추세이나 2010년및 2011년의경우아직공개되지않은출원건이있으므로검색되지않은출원을감안한다면현재출원이감소하는추세라고판단하기는이르다. (5) Rambus 사의보유특허기술분야별특허현황 램버스사의기술분야별특허현황은 [ 그림 3-17] 와같다. 기술분야는반도체메모리, 통신기기, 디스플레이, 컴퓨터, 기타분야로설정하였다. [ 그림 3-17] Rambus 사의보유특허기술분야별특허현황
90 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 81 램버스사의보유특허를기술분야별로살펴보면반도체메모리기술분야가 702건으로전체의 58% 를차지하고있으며다음으로통신기기가 473건으로전체의 39% 를차지하는것으로나타났다. 기타분야로는디스플레이가 26건, 컴퓨터가 3건및기타분야가 17건을차지하는것으로나타났다. 반도체메모리기술분야가 50% 이상을차지하는것으로보아반도체메모리기술분야가주력임을알수있다. 램버스사가메모리기술분야의특허침해소송을진행해온것은메모리분야에대해구축하고있는강력한특허포트폴리오를기반으로하고있음을알수있다. (6) Rambus 사의보유특허기술분야별연도별특허현황 [ 그림 3-18] Rambus 사의보유특허기술분야별연도별특허현황 Rambus사의보유특허기술분야별연도별특허현황은 [ 그림 3-18] 에서와같이, 반도체메모리의경우 1991년 12건을시작으로하여 90년대중반다소출원건이감소하였으나 1997년부터꾸준히증가하여 2005년 81건으로가장많은출원건을기록하고있다. 2006년출원건이감소하다가 2008년까지다시증가하였으며이후다소감소하는추세이나 2010년및 2011년의경우아직공개되지않은출원건이있으므로검색되지않은출원을감안한다면현재출원이감소하는추세라고판단하기는이르다. 통신기기의경우 1992년 1건을시작으로하여 1996년 18건의출원까지증가하다가이후감소하는추세였으나 2000년대에들어다시증가세로돌아섰다. 2004년 46건으로정점에이르고이후감소와증가를반복하고있다. 그외에디스플레이, 컴퓨터및기타기술분야의출원건이있으나반도체메모리및통신기기에비하여매우적은편이다.
91 82 우리기업과의분쟁현황보고서 (7) Rambus 의한국특허기술분야별발명자국적현황 램버스사의한국특허기술분야별발명자국적현황은 [ 그림 3-19] 와같다. [ 그림 3-19] Rambus KR 특허기술분야별발명자국적현황 램버스사의 KR 특허기술분야별발명자국적현황을살펴보면, [ 그림 3-19] 에서와같이미국 (US) 의경우반도체메모리 19건, 통신기기 11건, 디스플레이 1건으로조사되었으며한국 (KR) 은통신기기에서 1건, 일본 (JP) 은반도체메모리에서 1건으로조사되었다. 한국특허중컴퓨터및기타기술분야의발명자는없는것으로조사되었다. 한국국적발명자의특허는통신기기분야가 1건으로서앞서조사한한국공개특허 이고발명자는이해창등이며, 해당특허는램버스사의자체출원특허이고한국발명자로부터양수한특허는아닌것으로조사되었다. 라. Rambus 양수특허 (1) Rambus 사의양수특허 램버스사양수특허는 263 건으로조사되었으며램버스사양수특허리스트는부록에별도로첨부 하였다.
92 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 83 (2) Rambus 사양수특허연도별현황 램버스사양수특허연도별현황은 [ 그림 3-20] 과같다. [ 그림 3-20] Rambus 사양수특허연도별현황 램버스사양수특허연도별현황을살펴보면 2003년, 2004년, 2006년의양수특허는 4건, 3건, 3건이다가 2009년 85건및 2010년 168건으로양수특허건수가급격히증가하고있다. 이러한결과로램버스사가자체출원만이아니라타사의권리이전에의한특허취득에도집중하기시작함을알수있다. 램버스사의양수특허중한국특허및한국발명자는없는것으로조사되었다. (3) Rambus 사양수특허양도인현황 Rambus 의양수특허의양도인현황은 [ 그림 3-21] 과같다. [ 그림 3-21] Rambus 보유특허양도인현황
93 84 우리기업과의분쟁현황보고서 램버스사가특허권을이전받은주요한양도인으로는 Tensorcomm이 47건의특허를램버스사에양도하여가장많은특허를양도한것으로나타났다. 다음으로 Clearspeed Technology 가 44건의특허를, Solid State Opto가 43건의특허를, Inapac Technology 가 30건의특허를, 그리고 Uni-Pixel Display 가 19건의특허를램버스사에양도한것으로나타났다. 이외에도 Cypress Semiconductor 및 Imagine Illumination 에서 14건의특허를, Luminus Devices 에서 12건의특허를, 그리고 G&H Nevada-Tek 에서 8건의특허를램버스사에양도하였으며, Clearspeed Technology에서 5건의특허를, Cadence Design Systems, Velio Communications, Ziai Syrus, Uni-Pixel 에서각각 4건의특허를램버스사에양도하였다. 기타 Philips 에서 3건의특허를 Liquid Design Systems, Renesas Technology, Trident Growth Fund에서각각 2건의특허를, 그리고 Interactive Ideas 및 Continental Typographics 에서각각 1건의특허를램버스사에양도하였다. 마. Rambus 양도특허 (1) Rambus 사의양도특허 램버스사의양도특허는 22 건으로조사되었으며램버스사양도특허리스트는부록에별도로첨부 하였다. (2) Rambus 사의양도특허연도별현황 램버스사의양도특허연도별현황은 [ 그림 3-22] 과같다. [ 그림 3-22] Rambus 사양도특허연도별현황
94 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 85 램버스사양도특허연도별현황을살펴보면 1999 년 4 건이었으며, 2001 년부터 2004 년까지 1 건의 특허를양도하였다. 이후 2005 년 2 건, 2007 년 3 건, 2008 년 1 건이었으며 2009 년에는 6 건으로가장 많은양도건수를보이고있다 년에는 2 건의양도건수를보이고있다. 바. Rambus 의타소송현황 < 표 3-7> 은램버스가진행한특허소송현황을나타낸것이다. < 표 3-7> Rambus 특허소송현황 51)52) NO 소송 Title 사건번호관할법원제소일진행상태 1 International Business Machines Corporation v. Rambus Inc 3:2010-cv California Northern District Court 진행중 2 Rambus Inc v. Micron Technology Inc. et al 5:2006-cv California Northern District Court 진행중 3 Rambus Inc v. Broadcom Corporation 3: 2010-cv California Northern District Court 진행중 4 Rambus Inc v. LSI Corporation 3: 2010-cv California Northern District Court 진행중 5 Rambus Inc. v. International Business Machines Corporation 3: 2010-cv California Northern District Court 진행중 6 Rambus Inc. v. Hitachi Ltd., et al 1:2000-cv Delaware District Court 소취하 7 Rambus Inc. v. Hitachi Ltd., et al 1:2000-cv Delaware District Court 소취하 8 Tessera, Inc v. Micron Technology Inc et al 2:2005-cv Texas Eastern District Court 소취하 9 Samsung Electronics Co. Ltd. v. Rambus Inc. 3:2005-cv Virginia Eastern District Court 소취하 10 Rambus Inc. v. Hitachi LTD, et al 4:2000-cv California Northern District Court 소취하 11 Rambus Inc. v. Hitachi LTD, et al 4:2000-cv California Northern District Court 소취하 12 Rambus, Inc. v. STMicroElectronics, N.V. et al 3:2010-cv California Northern District Court 진행중 51) 52)
95 86 우리기업과의분쟁현황보고서 NO 소송 Title 사건번호관할법원제소일진행상태 13 Alberta Telecommunications Research Centre v. Rambus, Inc. 5:2006-cv California Northern District Court 소취하 14 Rambus, Inc. v. Mediatek, Inc. 3:2010-cv California Northern District Court 진행중 15 Rambus, Inc. v. Nvidia Corporation 3:2010-cv California Northern District Court 진행중 16 Rambus, Inc., et al v. Infineon, et al 3:2000-cv Virginia Eastern District Court 소취하 17 Rambus Inc. v. Nvidia Corporation 3:2008-cv California Northern District Court 진행중 18 Rambus, Inc. v. Freescale Semiconductor, Inc. 3:2010-cv California Northern District Court 소취하 19 Rambus Inc., v. Hynix Semiconductor Inc. et al 5:2005-cv California Northern District Court 진행중 20 Rambus Inc., v. Samsung Electronics Co., Ltd. et al 5:2005-cv California Northern District Court 소취하 21 Alberta Telecommunications Research Centre v. Rambus, Inc. 3:2005-cv Virginia Eastern District Court 소취하 < 표 3-8> 소송특허와관련피소기업 소송특허 US , , , , , , , , , , , , , US , , , 6,452,861 하이닉스를제외하고제소된기업 Infineon Technologies AG.(GE), Nanya Technologies Corp.(TW), Inotera Memories, Inc.(TW), Samsung Electonics Co. Ltd. ( 추가 ) Nanya, Inotera 램버스는소송특허 US 6,182,184; 6,260,097; 6,266,285; 6,314,051; 6,493,789; 6,496,897; 6,546,446; 6,564,281; 6,584,037; 6,697,295; 6,701,446; 6,715,020; 6,751,696; 6,807,598 특허들을이용하여 Infenion, Nanya, Inotera Memories, 삼성전자등을상대로소송을제기하였다. 또한램버스는소송특허 US 6,324,120; 6,378,020; 6,426,916; 6,452,861 특허들을이용하여 Nanya, Inotera 등을상대로소송을제기하였다.
96 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 87 제 3 절 Klausner Technologies Inc. v. LG 전자 1. 소송의개요 가. 소송의배경 Klausner Technologies는 2008년 8월 26일 LG전자및 Google Inc., GrandCentral Communications Inc., PhoneFusion Inc., RingCentral Inc., Verizon Wireless, Verizon Data Services LLC, Bell Atlantic Communications Inc., Citrix Systems Inc., Comverse Inc., Cox Communications Inc., Embarq Communications Inc. 를상대로영상음성메일관련자동응답시음성메시지를우선순위에따라서정렬하거나선택적으로표시해주는기능에관한자사의특허 US 5,572,576 및 5,282,818 을침해한혐의로소송을제기했다. Klausner 는미국동부텍사스연방지방법원에소장을제출하였다. Klausner 는뉴욕주에소재한업체이지만, 소송은텍사스연방지방법원을주로소송지로하고있는데, 이는텍사스연방지방법원이특허침해소송에서특허권자의승소율이 70% 이상되는법원으로특허권자에게유리한소송판결을많이하는것으로알려져있기때문인것으로보인다. 문제가된비주얼보이스메일기술은기존의이메일과같이 GUI로조작하는것으로, Klausner 는 LG전자가최근미국 Verizon 사를통해출시한보이저폰에이기술이탑재되었다고주장하였다. 53) 한편이소송을예상한 Verizon Wireless 는 2주전인 2008년 8월 13일동부뉴욕연방지방법원에 Klausner 를역제소하고, 비주얼보이스메일특허의무효및비침해를구하는확인의소를제기하였다. Verizon Wireless 는비주얼보이스메일기능이탑재된 LG전자의휴대폰보이저를제공하고있다. 해당소송은 2008년 11월 17일화해에의해원고소취하로종결되었다. 해당특허기술은 Klausner 씨가지난 1992 년취득한비주얼보이스메일 ( 보이스메일을전자메일과같이그래픽인터페이스로조작할수있는것 ) 과관련한특허로, 많은국가에서소송을제기하고있다. Klausner 는 2010년 12월에도 Apple, AT&T, Comcast를포함한 7개업체를비주얼보이스메일특허침해혐의로제소하면서, 3억 6,000만달러의손해배상과특허사용료를요구했다. 이중 2011 년 6월, 3G iphone 에비주얼보이스메일을탑재한 Apple과 AT&T, Skype의모회사인 ebay가 Klausner Technologies 와화해했다. 또한 Time Warner 산하 AOL, Vonage로부터도라이센스계약을통하여특허로열티를받아냈으며, Comcast와는최근소송중화해로라이센스계약을체결했 53)
97 88 우리기업과의분쟁현황보고서 다. 이외에도이동통신업체인 Sprint Nextell 은 Klausner 씨가제소하지않는조건으로협상을진행하였고이에따라라이센스계약을체결하였다. 또한 2011년 5월에는 Panasonic 과라이센스계약을체결하는등현재 (2011년 6월말 ) 까지 30개이상의업체와계약을체결하고있다. 한편 2011년 5월에는삼성전자에대하여도특허침해소송을제기하는등전세계의전자 통신업체들을상대로특허침해소송을확대하면서화해로소를취하하는라이센싱비즈니스를하고있다. 한편이업체는 2006년 7월 Vonage Holdings를자사의 USP 5,572,576 특허의침해로동부텍사스연방지방법원에제소하였고 ( 사건번호 : 2:06-cv-275), 동소송은계속진행되어법원은 2007년 8월 7일특허청구항해석 (Claim Construction) 에관한결정을내렸다. 그이후 Vanage 는 Klausner와협상하여 2007년 10월합의에이르렀고동소송은취하되었다. 그러나그이후대부분의전자 통신제조기업들을순차적으로제소하였고, 이들소송은조기에협상으로합의취하되고있다. 56세의 Klausner 씨는 PDA 기술의개발자로명성이있으며, 1970년대부터 80년대에걸쳐일본가전메이커들에대하여자신이개발한전자수첩관련기술특허에대해성공적으로라이센싱을하여특허로열티수입을올린바가있다. 54) 그러나최근에는그의비주얼음성메일기능관련특허를가지고특허침해소송과라이센싱을전문으로하는소위 Patent Troll로평판이나있다. 나. 소송현황개요 사건 번호 6:08cv00341 원 고 Klausner Technologies Inc. 피 고 LG Electronics Mobilecomm USA Inc. et al. 소제기 일 : 소제기 : 소취하 소송 특허 USP 5,572,576; 5,282,818 청구 취지 손해배상및침해금지 분쟁 내용 최종진행현황 Klausner Technologies 는 LG전자가영상음성메일관련자동응답시영상을정렬하거나선택적으로표시해주는기능에관한자사의특허 US 5,572,576 을침해한혐의로소송을제기함. LG전자의 Voyager 휴대전화가사용자의휴대전화화면에서음성메시지를우선순위에따라정렬되거나, 혹은선택적으로볼수있도록하는자사의특허 US 5,572,576을침해했다고주장함. Klausner Technologies 는 LG전자와합의하에 2008년 12월 3일소를취하함 년 3월 10일 Klausner Technologies 는 LG전자와라이센스계약을체결함. 모든피고들과합의취하하여 2009년 8월11일사건은종료됨. 54)
98 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 89 다. 소송의당사자 (1) 원고 : Klausner Technologies Inc. Klausner 는 PDA 및전자수첩의발명자인 Judah Klausner 에의해 1994년뉴욕에서설립된개인회사로, 자신의특허를가지고특허침해소송및라이센싱을전문으로하는업체이다. 그는전세계적으로비주얼음성메일기능에관한 25건의특허를보유하고있다. Apple의 Newton 에사용된 PDA 기술및전자수첩관련기술특허를개발하여, 1970년대부터 80년대에걸쳐일본가전메이커들에대하여라이센싱한바있다. 이회사는직원이단 4명으로, 연간 44만달러의특허로열티수입을올리고있으며, 특허침해소송및라이센싱은 Greg Dovel & Liner라는 Law Firm에서담당하고있고, Peter Hopilsdurry 라는사람으로부터 Sales와마케팅을담당하며, 그의특허를담보로 Funding을받아운영하고있는것으로알려지고있다. Klausner 는 1992년음성메일을전자메일과같이그래픽인터페이스로조작할수있는비주얼음성메일관련특허를취득하였다. 비주얼음성메일은최근터치스크린휴대폰시장에서주요기능중하나이다. Klausner 는취득한비주얼음성메일특허를바탕으로무선서비스공급업체, 휴대폰제조업체, Cable/VOIP 공급자, 음성메시지서비스제공업체등다수의업체들을상대로특허침해소송을제기하여라이센싱을추진하고있고, 현재 33개의업체와라이센스계약을체결하고있다고공표하고있다. 이업체는전형적인 Patent Troll의비즈니스를하고있으며, 2011년에만전세계의수십개전자 통신회사들을특허침해로제소하고있다. (2) 피고 : LG Electronics Mobilecomm USA Inc. LG전자 (LG Electronics Inc.) 는전자 전기 통신기기를제조 판매하는글로벌기업이다. LG 전자는 DCC 플레이어, 와이드스크린 TV, 1994년 VOD, 멀티미디어 PC를개발하였으며 2004년지상파 DMB 폰을세계최초로개발하였다. 이외에도 IMT-2000 폰개발, 5세대디지털TV 수신칩을개발하였다. 1999년국내최초로한국형디지털 TV를개발하여판매하였다. 주요사업으로는, 디지털디스플레이사업본부에서 PDP TV/LCD TV, PDP 모듈, 모니터등을생산하고있으며, 디지털미디어사업본부는 DVD-ROM/CD-ROM 드라이버, 디지털A/V 등을생산하고있고, 디지털어플라이언스사업본부는에어컨, 냉장고, 전자레인지, 식기세척기, 진공청소기등을생산한다. 모바일커뮤니케이션즈사업본부에서는휴대폰을생산하고있으며 CDMA 단말기와 3G 단말기는세계시장점유율 1위와 2위를달성하였다. 55)
99 90 우리기업과의분쟁현황보고서 이회사는이러한글로벌시장에서의경쟁력을확보하기위하여강력한특허포트폴리오를구축하며, 미국특허보유건수에서 2009년 1,035건으로세계 15위를점유하고있으며 (< 표 3-1> 참조 ), 이러한특허포트폴리오를바탕으로선발기업들의특허공세에카운터반격으로방어하는데활용하면서, 한편으로는상당규모의특허로열티수입을올리고있는것으로알려져있다. 그러나또한편으로는 NPEs들의특허공격의타겟이되고있고, NPEs는제조를하지않으므로 LG전자의강력한특허포트폴리오로방어를할수없으며, 이러한 NPEs의특허공격이급증하고있어 NPEs 특허분쟁은사업의위협적요소로부각되고있다. Patent Freedom 이조사한바에따르면, < 표 3-2> 에서와같이 2006년부터 2010년까지 5년간삼성전자가 NPEs 기업으로부터당한피소건수는 46건으로세계에서아홉번째로많은피소를당한것으로나타나고있다. 56) 라. 소송특허 Klausner Technologies 가소장에서침해를주장하는특허는아래 < 표 3-9> 에서와같다. < 표 3-9> 침해주장특허의서지사항 특허번호등록일특허발명 US 5,572, US 5,283, Tlephone Answering Device Linking Displayed Data with Recorded Audio Message Telephone Answering Device Displayed Data with Recorded Audio Message 마. 청구내용원고 Klausner Technology Inc. 는피고 LG전자의보이저폰이자신의특허를 U.S. Patent 5,572,576 및 5,283,818 를침해했다는이유로 2008년 8월 26일피고를상대로동부텍사스연방지방법원에특허침해금지및손해배상, 판결전이자, 변호사비용, 기타정당한구제를청구하였다. 55) 56)
100 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 91 [ 그림 3-23] 보이저폰 (VX1000) 2. 소송경과및쟁점 가. 주요소송경과 1) 2008년 8월 26일, Klausner Technologies 는동부텍사스연방지방법원에자사의특허 US 5,572,576 와 5,283,818 특허를침해한혐의로 LG전자및 Google Inc, GrandCentral Communications Inc., PhoneFusion Inc., RingCentral Inc., Verizon Wireless, Verizon Data Services LLC, Bell Atlantic Communications Inc., Citrix Systems Inc., Comverse Inc., Cox Communications Inc., Embarq Communications Inc. 를상대로특허침해금지및손해배상을청구하는소송을제기하였다. 2) 2008년 10월 14일, Klausner Technologies 는 PhoneFusion Inc. 에대한소를취하하였고, 2008년 11월 14일에는 Verizon Wireless, Verizon Data Services LLC, Bell Atlantic Communications Inc. 에대한소를취하하였으며, 2008년 12월 1일에는 Cox Communications Inc. 에대한소를취하하였다. 3) 2008년 12월 3일, Klausner Technologies 는 LG 전자를상대로한소를취하하였다. 4) 2009년 3월 10일, Klausner Technologies 는 LG 전자와라이센스계약을체결하였다. 5) 2009년 3월 16일, Klausner Technologies는 Google Inc, GrandCentral Communications Inc., Citrix Systems Inc. 에대한소를취하하고, 연이어나머지피고들과도합의하여소를취하함으로써 2009년 8월 11일본소송은취하로최종종결되었다.
101 92 우리기업과의분쟁현황보고서 나. 소송의쟁점 (1) 특허청구항해석본사건은조기에협상으로종료되어법원의특허청구항해석까지는진행되지않았으나, 동일법원에서 2007년 8월 7일 USP 5,572,576 특허에대한청구항해석 (Claim Construction) 의결정이내려진바있으며, 당시침해를주장하였던청구항과본소송의침해주장청구항이다소다르므로, 추가적인청구항해석이소송의쟁점이될수있다. (2) 특허침해여부와특허의유효성법원의특허청구항해석에따라특허침해여부는달라질수있지만, 소송특허기술은비주얼음성메일관련기술로서영상음성메일관련자동응답시영상을정렬하거나선택적으로표시해준다. 즉휴대전화의화면에서음성메시지를우선순위에따라정렬하거나선택적으로볼수있도록한다. 특히쟁점이된사항은허가된사람의음성메시지만선택해듣는방법이다. US 5,572,576 의핵심적인특징을요약하면다음과같다. 통화자들을특정하여저장할수있으며각통화자에대응되는음성메시지및통화자리스트를미리결정된순서대로저장할수있음. 통화자들목록및음성메시지를디스플레이하여정렬하고특정통화자를검색하여선택적으로표시함. 통화자리스트및음성메시지정렬은우선순위에따라서정렬할수있으며유저의선택에따라서선택적으로표시할수있음. 선택된음성메시지만플레이할수있음. 이러한모든특징은휴대용전화기에적용될수있음. LG전자, 삼성전자및모토롤라의휴대폰에는상기기술내용과유사한기능이적용된것으로보인다. 기술적특성으로만보면 Klausner 가특허침해를주장할수있는여지는있어보이지만, 특허청구항의해석에따라결론을달라질수있다. 또한특허유효성여부도쟁점이될수있으며, 그결과에따라침해여부도달라질수있다. LG전자는 Klausner 와휴대폰에탑재한비주얼보이스메일관련기술에관한협상을통하여합의하였으며 Klausner 는 LG전자와합의하에 2008년 12월 3일소를취하하였다. 2009년 3월 10일 Klausner 는 LG전자와라이센스계약을체결하였다. 구체적인로열티규모는알려지지않았지만, 많은업체들이조기합의에이른것으로보아수만 ~ 수십만달러범위내에서합의하는것으로보인다.
102 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 93 이는이업체의 2010년총특허로열티수입이 44만달러에불과한것으로미루어추정이가능하다. 한편보이저폰은 LG전자가미국 Verizon Wireless 를통해 2007년 10월출시하여현재북미시장에서 200만대이상의판매고를기록중이다. 가로폴더형태로전면에터치스크린을적용했고내부에는쿼티자판을장착해다양한멀티서비스를쉽게사용할수있는장점이있다. [ 그림 3-24] 보이저폰 (VX1000)- 터치스크린 ( 좌 ) 및 ( 우 ) 3. 최종결과및시사점 본사건은소제기약 3개월만에협상을전제로 LG전자에대한소가취하되었으므로, 쟁점에대한구체적인논박이나법원절차의진행은없었으며, 다른피고들과도조기에협상이타결되어소송은합의취하되었다. Klausner 는자신이발명자로특허를받았으나, 실제로연구개발및제품을생산하지않으면서해당특허를가지고제조업체들에대하여무차별하게특허침해소송을제기하여라이센스를압박하고, 조기협상으로라이센스계약을타결하여특허로열티수입을올리는비즈니스를하고있는 NPEs에속한다. 이러한업체들은소송초기에는엄청난손해배상을요구 ( 예, Apple과의특허침해소송에서 Klausner 는손해배상으로 3억6,000만달러의지급을청구하였고, 다른글로벌대기업들과의특허침해소송에서도 2~3억달러의엄청난손해배상을청구하였다 ) 하지만, 실제협상에서는아주낮은금액 ( 수만 ~ 수십만달러로추정 ) 으로합의하고있는, 전형적인 Patent Troll의행동을하고있다. 이들글로벌대기업들은합의금액이소송비용에비하여훨씬낮으므로쉽게합의금을지불하고라이센스에합의하고있는것으로보이며, Klausner 는박리다매형전략으로수많은제조업체들을특허침해로제소하고조기에합의하면서로열티수입을올리고있다. 이미 33개업체와조기에라이센스계약을체결하였으며, 더많은업체들을계속적으로특허침해로제소하고있다.
103 94 우리기업과의분쟁현황보고서 본사건 LG전자와의특허침해소송에서도 Klausner 는 2008년 8월 26일소송을제기하고아직라이센스계약을체결하지않은상태에서 2008년 12월 3일협상을통한하의도출을전제로미리소를취하하였고, 실제로라이센스계약은 2009년 3월 10일에이루어졌다. 이를미루어볼때, Klausner 의특허침해제소의목적은소송의승소판결에있지않고소송을통한협상타결의압박용에불과하다고볼수있는것이다. Klausner 와 LG전자의소송에서 LG전자는위소송의쟁점을다투어소송을진행하는것보다 Klausner 에게정당한합의금을지불하고소송을종결시키는것이소송으로인한경제적측면과비즈니스적측면에서유익한것으로판단하여조기협상을통해분쟁의신속한해결을꾀한사례라고볼수있다. 휴대폰분야는기능의다양화및 Convergence, 단일제품의거대시장규모로인해 NPEs가특허매입및 Licensing 활동을하기에가장좋은기술적및시장적환경을제공하고있다. 이에따라향후에도휴대폰분야에서는이러한신규 NPEs의발생이계속증가될것으로예상되며, 특허침해소송도크게증가할것으로보인다. 그러나한편으로는휴대폰의글로벌시장규모가엄청나게크므로, 최근에는 Klausner 와같이 Patent Troll적인라이센싱을하는업체들의요구금액이커지고있다고한다. 즉과거에는수십만달러에서합의되었으나, 최근에는 1,000만달러수준에서합의를요구하는 NPEs가늘어나고있다는것이다. Klausner 는이미 33개의라이센시를확보하고이를통하여상당한특허로열티수입도올렸기때문에자신의특허기술이조금이라도활용될수있는분야및아직라이센스계약을체결하지않은모든업체들에까지라이센싱활동을적극전개할것으로예상된다. 4. Klausner Technologies 의특허현황 가. 특허포트폴리오분석 (1) Klausner Technologies 보유특허리스트 Klausner 명의의보유특허는 15건이검색되었다. 이중 US 5,572,576 및 US 5,390,236은 2005년에 Visual Access Technologies Inc. 으로소유권이양도되었으며상기두건을제외한 13건에대한리스트는부록에별도로첨부하였다.
104 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 95 (2) 국가별출원현황 Klausner 명의의보유특허에대한국가별출원현황은 [ 그림 3-25] 와같다. [ 그림 3-25] Klausner Technologies 특허국가별출원현황 보유특허국가별출원현황을살펴보면미국 (US) 이 4 건으로전체의 31% 를차지하고있으며, 다음 으로유럽 (EP) 이 3 건으로 23% 차지하고있다. 기타국가로는일본 (JP) 및한국 (KR) 이 1 건의출원건 을나타내고있으며국제공개건 (WO) 이 4 건을차지하는것으로나타났다. (3) 연도별출원현황 Klausner 명의의보유특허에대한연도별출원현황은 [ 그림 3-26] 과같다. [ 그림 3-26] Klausner Technologies 특허연도별출원현황 연도별출원현황을살펴보면 1979 년에 1 건의출원이있었으며이후 1989 년까지출원이없었다가 1990 년부터출원건이나타나고있다 년부터 1995 년까지 1~3 건의출원건이있다가다시
105 96 우리기업과의분쟁현황보고서 1996년부터 1999년까지출원건이없었다. 이후 2000년대들어다시출원건이있었으나 1~2건에그치고있다. 1990년부터 1994년에출원이집중되어있으며 < 그림 2-28> 클라우스너보유특허기술분야별연도별특허현황을참조하면영상 / 음향기기분야및휴대용측정시스템에대한출원이이시기에집중되어있다. (4) 기술분야별특허현황 Klausner 보유특허는주로영상 / 음향기기관련분야로서전화기와휴대폰에적용되는기술이다. 기타기술은여행자에게현재위치와시간을측정하여알려주는휴대용측정시스템에대한기술이다. Klausner 보유특허에대한기술별특허현황은 [ 그림 3-27] 과같다. [ 그림 3-27] Klausner Technologies 보유특허기술별특허현황 나. Klausner Technologies의특허양수도현황 Klausner 가보유하고있는특허는자체적으로연구개발에의해출원하여취득한특허들이다. 자체출원에의하여특허를취득하였으나특별히제품을생산하는것으로알려진바는없다. Klausner 에서양수한특허는없는것으로조사되었으며양도특허는 US 5,390,236 및 US 5,572,576 두건이있는것으로조사되었다. 양도특허리스트는부록에별도로첨부하였으며양도현황은 < 표 3-10> 과같다.
106 제 3 장 주요 NPEs 소송분석 97 < 표 3-10> Klausner 양도특허서지사항 57) PATENT US US Assignors : Assignee : KLAUSNER, JUDAH HOTTO, ROBERT KLAUSNER,JUDAH DBA KLAUSNER PATENT TECHNOLOGIES VISUAL ACCESS TECHNOLOGIES, INC FAIRFIELD POND LANE SACAPONACK, NEW YORK KLAUSNER, JUDAH HOTTO, ROBERT KLAUSNER,JUDAH DBA KLAUSNER PATENT TECHNOLOGIES VISUAL ACCESS TECHNOLOGIES, INC FAIRFIELD POND LANE SACAPONACK, NEW YORK Exec Dt 03/02/ /02/2005 Inventors JUDAH KLAUSNER, ROBERT HOTTO JUDAH KLAUSNER, ROBERT HOTTO 다. Klausner Technologies의타소송현황 Klausner 는본사건 LG전자등과의소송외에도, 2011년 5월 10일삼성전자를포함한다수의업체를상대로동부텍사스연방지방법원에비주얼음성메일기술과관련하여특허침해소송을제기하였다. 소송과관련된특허는 US 5,572,576 및 US 5,283,818 이다. 삼성전자는기업용음성메일제품 ( 삼성 OfficeServ SVMi-20E E-Message Delivery, 삼성 OfficeServ IP-UMS E-Message Delivery, 삼성 OfficeServ SVMi-20E MS Outlook Integration 및삼성 OfficeServ IP-UMS MS Outlook Integration) 을판매중에있다. Klausner 측은상기삼성전자의제품은사용자로하여금기업음성메일을선택적으로확인할수있도록하고있는데이러한점이자사의비주얼음성특허 2건을침해한다고주장했다. Klausner는최근자사의미국, 유럽, 및아시아특허에대해 33개업체에대해비주얼음성특허라이센스를체결했는데미국유럽의주요통신사, 국제적휴대전화제조업체, 및케이블 /VOIP 서비스업체가이에포함된다. 알카텔-루슨트, 알카텔-루슨트, 글로벌커뮤니케이션, 미텔네트워크, NEC, PAETEC, 프리머스텔레커뮤니케이션, 쇼텔, 시멘스, 도시바, 와인드스트림커뮤니케이션, XO 커뮤니케이션이삼성전자와함께제소된상태이다. Klausner 가타제조업체들에게제기한타소송현황은 < 표 3-11> 과같다. 57)
107 98 우리기업과의분쟁현황보고서 < 표 3-11> Klausner 특허소송현황 58)59)60) NO 소송 Title 사건번호관할법원제소일진행상태 1 Klausner Technologies Inc v. Verizon Wireless et al 6:2008-cv Texas Eastern District Court 소취하 2 Klausner Technologies Inc v. Apple Inc et al 2:2008-cv Texas Eastern District Court 소취하 3 Cellco Partnership et al v. Klausner Technologies, Inc 1:2008-cv New York Eastern District Court 소취하 4 Klausner Technologies, Inc. v. Vonage Holdings Corp. et al 2:2006-cv Texas Eastern District Court 소취하 5 Klausner Technologies, Inc. v. Apple Inc. et al 2:2007-cv Texas Eastern District Court 소취하 6 Klausner Technologies, Inc. v. Qwest Communications Corporation et al 6:2009-cv Texas Eastern District Court 진행중 7 Klausner Technologies, Inc. v. Research In Motion Corporation et al 6:2009-cv Texas Eastern District Court 진행중 8 Klausner Technologies, Inc. v. Alcatel-Lucent USA, Inc. et al 6:2011-cv Texas Eastern District Court 진행중 9 Klausner Technologies, Inc. v. America Online, Inc. et al 1: 2005-cv Virginia Eastern District Court 소취하 58) 59) 60)
108 우리 기업과의 분쟁 현황 보고서 제4장 결 론 1. NPEs 특허 분쟁 동향 우리 기업의 NPEs 분쟁 동향 NPEs 특허 공격에 대한 우리 기업의 대응 결어 106
109
110 제 4 장 결론 101 제 4 장결론 1. NPEs 의특허권행사동향 NPEs의특허비즈니스는다양한배경에서성장해왔다. 다시말해, 미국의 Pro-Patent 경향과일부 NPEs가특허권행사를통하여고부가가치의수익을창출하면서변호사들이라이센싱전문회사를설립하여시장에참여하였고, 최근에는 Invention Capital 이시장에투자를하고특허거래시장에다양한사업자들이참여하면서 NPEs의활동이활발해지고거래시장은급성장하게되었다. 또한미국의특허및소송제도환경이특허권자가권리행사를하기좋은장을제공하고있고, 이에따라피고의경우에는침해금지명령및고액의손해배상의리스크가있고특허무효의항변은쉽지않으므로대응하기가어렵다는측면에서특허침해소송을제기하는특허권자에게유리하며 NPEs에게우월적인협상력 (Bargaining Power) 을제공하고있다. 이러한환경에서 NPEs 특허비즈니스는크게증가하여, 2010년말약 330여개의 NPEs가활동하고있는것으로알려지고있다. 그리고미국의특허라이센싱시장은 1980년연간 30억불규모이었으나, 1999년에는연간약 1,200억불, 2006년에는약 1,500억불 61), 2009년에는약 1,800억달러 ( 약180조원 ) 까지급성장하고있는것으로추정되고있고, NPEs의특허침해소송은 2001년 100여건에서, 2008년 510건, 2010년약 450여건으로증가되었다. 62) NPEs의활동은특히 IT 분야에서두드러지고있는데, Patent Freedom 보고서에따르면, IT 분야의 NPEs는전체의 75% 를차지하고있고 63), 특허소송은 IT 분야가 90.8% 로대부분을차지하고있다. 64) 61) Brenda Sandbug, Trolling for Dollars, The RECORDER, ; Patent Licensing and The Emergence of A New Patent Market, Houston Business and Tax Journal, Vol , p449 62) 2010년 NPEs의특허침해소송건수는전년대비약간감소하였으나, 실제내용면에서살펴보면 NPRs가 1개의소송에서많은제조업체들을동시에피고로선정하고있어, NPEs에대한피소업체수는전년도 1,800여업체에서 2010년 2660개업체로급증하고있다. 63) NPEs 총 856개 ( 업종중복계산 ) 중 IT 분야 (Computing, Imaging, Software Application, System Infrastructure, Communication Apparatus, Wireless, Semiconductor, Communication Service 포함 ) 가 643 개로 75% 를차지한다. 64) NPEs 특허소송총 3,406건중 IT 분야는 3,094건으로전체의 90.8% 에해당한다.
111 102 우리기업과의분쟁현황보고서 이러한배경에는, IT 기술은다양화, 고도화, 융합화 (Convergence) 로수많은특허들의덤블 (Thicket) 이형성되고있어, 한제품에는수천개이상의특허기술들이복합되어있기때문에단지몇건의특허기술로구성되는다른제품분야와는달리특허분쟁의잠재성이항상내재하고있는지뢰밭과같은분야이다. 특정기업이이들모든특허기술들을보유할수없고, 타인의특허사용을의도하지않더라도또는불가피하게타인의특허를사용할수밖에없는상황이내재하고있는것이다. 그러나한편으로 IT 분야는산업의가장큰축을이루고있으면서전세계적으로엄청난수요의글로벌시장을형성하고있어많은기업들, 그리고창조적인혁신적기술을가지고뛰어든벤처기업들이각축을벌이고있다. 또한기업들의끊임없는연구개발과생산설비등에대한투자가일어나고, 기업은급격한시장수요의변화에대응하면서변화를주도해나간다. 급변하는시장변화에대응하기위해서 IT 기업들은신제품출시경쟁을벌이고있고이에대한많은투자가이루어지는데, 제품에는수많은특허기술이복합되어특허분쟁의리스크를안고서출발하게된다. 이러한커다란리스크로부터사업을보호하기위해 IT 대기업들은방어적측면에서다량의특허출원또는특허매입을통하여특허포트폴리오를구축하고, 경쟁사가나타나특허분쟁을제기한다면카운터공격으로크로스라이센스를가능케함으로써보험적으로다량의특허권을확보한다. 그러나앞서살펴본삼성전자및 LG전자에서와같이사업관련강력한특허포트폴리오를구축하고있어도 NPEs의공격을막을수는없다는것이다. 이들은제조를하지않으므로, 대기업들이보유하고있는막강한특허포트폴리오를 NPEs에게활용하여분쟁에대응할수없다는것이다. NPEs는직접특허실시를하지않으므로카운터반격을받지않아특허포트폴리오를잘구축하고있는 PPEs(Patent Practicing Entities) 까지도공격이가능하다. PPEs는일방적으로방어만을해야하는상황이며, NPEs는특허를보유하고있다가제조기업들이해당특허기술을상용화하고시설투자가일어나어쩔수없는상황에서, 즉제조기업들이이미많은투자를하여침해금지명령을받는다면치명적인타격을받을수있는상태에서특허권을행사함으로써로열티수익의극대화를도모하고있다. IT 분야는시장규모가크므로이에비례하여이미판매한제품에대한손해배상및향후판매할제품에대한특허라이센스로열티의규모가상당한것이다. 그러나제조기업들이사전에상용화되는제품에적용되는모든특허를파악하기어렵다는측면이있다. 특히 IT 분야는특허덤블을형성하고있어수많은특허가양산되어존재하고있으며, 한제품에수많은기술들이복합되어있어특허침해의가능성은상존하고있는데, 이러한모든특허들을조사 분석하여특허침해의개연성이높은특허에대해회피하거나출시전에선라이센스계약을체결한다는것은사실상불가능하며, 또한이러한분석과정에서비침해로판단하거나애매한경우, 그리고특허적가치가낮아검토하지않은특허들도 NPEs에의해특허분쟁으로나타나는것을예측하기란불가능하다는것이다.
112 제 4 장 결론 103 또한 IT 분야의급속한기술발전에따른경쟁환경에서특허제도상 1년 6개월이지난이후에특허가공개되는데미공개상태의특허를사전에파악하기가제도적으로어려운상황도발생하며, 어떤미공개의특허출원이존재하는지도모르는상태에서공개될때까지제품출시를지연할수도없다. 한편으로특허의질적인측면을보면, 자명성관련특허심사의관대화로특허등록이쉬우며, 해당특허기술이시장에서상용화되는과정을지켜보면서이에맞추어연속 (Continuation) 출원을통하여특허의권리범위를확대하거나특허심사를지연시키다가특허등록을추진하는경우도있고, 상대방제품을역분해 (Reverse Engineering) 하여상용화기술에일치하도록특허청구항을보정하거나재등록 (Re-issue) 하여특허침해상황 65) 을만드는경우도있는데, 이에대하여사전에예측하기가현실적으로어려운것이다. 이러한 IT 분야의특성과특허제도상의문제점은 IT 분야에서수많은특허라이센스를유발시키고 NPEs를크게증가시키게하고있으며, IT 제조기업들의기술개발에장애및투자에대한불확실성을증대시키고있다. 그러므로 IT 분야의모든기술에대한표준화 66) 와 Patent Pool을구성하여불확실성을해소할필요가있다는주장도제기되고있다. 67) 2. 우리기업의 NPEs 분쟁동향 위와같은동향에따라 NPEs의특허권행사활동이급증하고있는가운데, NPEs는국내글로벌기업들을타겟으로특허공격을지속하고있으며, 최근들어국내중견기업들에게까지특허공격을확대하고있다. 이에따라우리기업들은이들 NPEs로부터특허침해소송을당하여상당한특허로열티또는손해배상을지불하고있는실정이다. 우리기업에대한 NPEs의특허공격은 NPEs들이특허거래시장에뛰어들기시작한 2004년부터본격화가되기시작하여 (3건), 매년꾸준히증가하여 2008년 32건, 2011년상반기만 40건으로증가하고있어우리기업들에미치는 NPEs 특허분쟁의심각성을보여주고있다. NPEs의우리기업공격을살펴보면삼성전자가 68건으로우리기업전체의 43% 를차지하고, 전 65) 다만미국특허법제252조에서는재등록된특허에대하여, 원특허에있었던청구항의권리를침해하지는않으나재등록청구항에의하여특허침해가성립되는경우에는, 그재등록이전에업으로서실시한행위에대하여법원은계속사용의권한 (Intervening rights) 을허여할수있다고규정하고있다. 66) Lemley, Mark A., Intellectual Property Rights and Standard-Setting Organizations (April 2002). California Law Review, Vol. 90, p 1889, Lemley Draft p 참조 67) Opening Statement of Stephen P. Fox, FTC/DOJ Hearings on Competition and Intellectual Property Law and Policy in the Knowledge-Based Economy (Feb. 2002), p 7-9
113 104 우리기업과의분쟁현황보고서 세계적으로일곱번째로많은특허침해소송을당하고있으며, LG전자가 49건으로우리기업전체의 31% 를차지하여전세계적으로아홉번째로많은 NPEs 특허침해소송을하고있다. 특히자사브랜드를가지고글로벌비즈니스를하고있어시장에쉽게노출되고있는삼성전자와 LG전자가 NPEs의주공격대상에포함될수밖에없는것이다. 현대자동차도 10건으로우리기업전체의 6% 에해당하는특허침해소송을 NPEs로부터제소당하였고, 기타하이닉스반도체, 팬텍, 현대중공업, 기아자동차, 현대 IT, KT프리텔, 레인콤, 대우전자, 코원, EMLSI, 및 Fidelis 등도특허공격을당하고있어 NPEs의특허공격은대기업뿐아니라중견기업까지도확산되고있음을보여주고있다. NPEs의속성이대기업들부터우선공격하여자신들의특허에대한가치실현을하여특허로열티수입을올리면, 나머지기업들은따라올것이기때문에 2차적인타겟은중견기업및중소기업들도대상이될것이다. 이러한측면에서 NPEs의우리기업에대한특허공격은앞으로도다양하게늘어날것으로전망된다. 3. NPEs 특허공격에대한우리기업의대응 NPEs 의특허공격에대한해법은사실상없다. 그들이자신의특허권을가지고정당하게특허권을행사하는한일반적인특허분쟁과다르게특별한대응방법이존재하는것도아니다. 또한부당한특허권행사인지의여부도판결에이르기까지는확정할수없고, 또한판결에서 NPEs 가패소하였다고하더라도이를곧바로부당한특허권행사라고단정할수도없다. 다만 NPEs 가부당하게특허권행사를할수없도록법 제도적환경을개선할필요가있는것이며, 반면에특허권행사를제한하는것은발명및기술혁신을위축시키는결과를초래하기때문에일정한한계를가지고접근해야한다. 한편기업의대응측면에서보면, 본보고서의사례에서살펴보았듯이 NPEs의특성, 특허권의강도, 기업의비즈니스측면및협상전략적인측면에서다양한대응방법이행하여지고있으며, 어떤대응이최선의대응이었느냐를일률적으로말하기는어렵다. 사례에서보면, BTG International 은자체적인연구개발에상당한투자를하고있으며특허를매입하기도하나, 대체적으로특허포트폴리오가강한것으로판단되고, 라이센싱활동도비교적통상적인특허분쟁과유사하게진행하고있다. 즉특허침해소송을제기하기전에일정한협상과정을거치고협상의결렬에따라소송등을제기한다는것이다. 그러나이회사도특허권행사비즈니스에적극참여하고있고, 권리행사의방법에있어서도거래선을공격하고 ITC 수입금지까지제기하면서역시거래선까지도피소자에포함시키는것은다분히라이센싱을압박하는수단으로소송및 ITC, 그리고거래선압력을활용하고있다고판단된다. Rambus도 BTG International 과유사한 NPEs의
114 제 4 장 결론 105 부류에속한다. 다만 Rambus가표준특허를취득하고특허침해소송을제기하는과정에서비신사적인행위를하였다는점에서차이가있다. Klausner 는개인발명가로서자신의특허를가지고특허권행사를한다는점에서타인의특허를매입하고특허권행사를하는 NPEs와는구별되나, 특허권행사의방법은전형적인 Patent Troll의행위를하고있다. 특허기술측면에서도현대의기술발전측면에서본다면특허권도애매한측면이있는것으로판단되고, 특허침해소송과저렴한특허로열티요구는부당한특허권행사의측면이많다고보인다. 이에대한우리기업들의대응전략을보면, BTG International 의경우협상과정에서 BTG International 이요구하는금액이컸던것으로보이며, 이에따라삼성전자는특허침해소송및소송비용은감수하되소송과정에서 BTG International 의특허를공격하여삼성전자의법적포지션을강화하고상대측의소송에대한리스크를인식시켜소송중화해로특허로열티를최소화하려는전략을구사한것으로보인다. 그러나 BTG International 이거래선까지공격하고, 특허의유효성을다루지않으면서비즈니스에타격을줄수있는 ITC 수입금지를제소함에따라비즈니스적상황은더악화되었고, ITC 조사절차를진행하면서협상타결의필요성을느꼈을것으로판단된다. 이에따라 ITC의예비판정직전에라이센스및합의에이르렀다. 즉 BTG International 과의분쟁의막바지까지진행하고그러한단계에서합의한것이다. 그러한합의금액이과연소송비용을포함하여, 소송전에 BTG International 이요구하였던금액보다적은지는알수없으나, 이러한전략은상대방이과도한요구를하는경우에사용될수있는전략임은분명하다. Rambus의경우에도협상과정에서 Rambus 가상당한특허로열티를요구했던것으로알려지고있으며, 특허침해여부에대하여는표준특허들이기때문에 Rambus의포지션이강한것으로판단되나, 하이닉스는 Rambus 특허취득및권리과정에대한법적대응이가능하다는판단을한것으로보인다. 이에따라소송비용을감수하고라도다투어서특허로열티지불을최소화하려는전략을구사한것으로추정된다. 이에반하여삼성전자등다수의반도체업체들이 Rambus 와라이센스계약을체결하면서소가취하되고있는상황에서하이닉스는소송을끝까지진행해야하는고민에처했을것으로예상되며, 그래도 Rambus 가요구하는금액이과도하다고판단되어합의점을찾지못하고 1심판결에까지이르렀고여기서패소하고, 3억 6,000만달러의엄청난손해배상까지감수하여야하는위기에처하게되었다. 일반적으로판결후에도협상으로타결하고항소하지않는경우가많으나, 하이닉스는 Micron 의선결례에대한확신을가지고항소까지진행하여결국승소하게되었다. 하이닉스는그야말로강공전략을구사하였고, 항소법원의파기환송에따른지방법원의판결이남아있지만특허분쟁대응에성공하고피해를최소화할수있을것으로보인다. 삼성과하이닉스의상반된전략에는각사의비즈니스전략이배경이되었을것으로판단되며, 강공전략또는협상전략의어느방법이궁극적으로자기기업의이익을위한것인지는단정하기어렵다.
115 106 우리기업과의분쟁현황보고서 Klausner의경우는박리다매형특허라이센싱비즈니스를하는업체로서, 특허권도애매한측면이있고많은금액의특허로열티를요구하지도않으므로대부분의피소된제조업체들이조기에적은금액으로합의하고있는것으로보이며, LG전자의경우에도소송경제적측면및비즈니스의영향을고려하여적은금액으로조기에합의종결시키는전약을구사한것으로판단된다. 그러나이러한특허라이센싱비즈니스를하는 NPEs 및소위 Patent Troll이라부를수있는업체들이계속증가하고있고, 적은특허로열티라도이것이누적되면적지않은로열티가될것이며, 또한그러한부당한요구에언제까지응해야하는지는업계공통의과제가될수있다. 이를방지하기위해서는피소또는피소가예상되는관련업체들이공동으로대응하여특허무효화를추진하는방법이바람직하나, 업체들의협력이현실적으로잘안되고있는것으로보인다. 한편으로 Klausner는자신의특허기술과관련이있으면, 국내다른제품분야의업체들에게도동일한방식으로특허분쟁을제기할가능성이많다. 4. 결어 NPEs에대한우리기업들의대응방안및전략은앞서말한바와같이 NPEs의성격과특허의강약에따라다르고, 기업의비즈니스및협상전략에따라판단되어야할문제이지만, 위사례들을통하여보는교훈과대기업들의전략및결과를참조하여해당기업의사정을고려한대응방안및전략이요구될것이다. 한편으로는 Klausner 와같은 NPEs 에대하여특허제도의본래의목적에부합할수있도록 NPEs 의특허권에대한검증을위한업계의공동대응이필요할것이다. 이는소위방어적 NPEs 라는업체들이그러한특허를멤버기업들을위하여구매하고이를멤버들에게라이센스하고있으나, 바람직하기로는특허제도의목적을달성하고특허거래시장의공정성을유지하기위하여업계공동대응또는관련비즈니스업체의출현이필요할수있다. 또한정당한특허권행사를위한법 제도적보완과함께특허분쟁대상업체들이 NPEs 특허분쟁시를대비하여분쟁이발생할수있는기술분야를사전에예측하고분쟁발생시대응할수있는정책및제도적지원방안이필요할것이다.
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118 CONTENTS 제1장최근 NPEs의동향 1 제1절 NPEs의특허매입동향 3 1. 기술분야별특허이전동향 3 2. 최근 NPEs 특허이전동향 4 3. 주요 NPEs 권리이전동향 5 제 2 절 NPEs 의분쟁동향 7 1. 최근 NPEs 소송현황 7 2. 최근 NPEs 라이센스현황 8 제 3 절결론 10 제2장주요 NPEs 활동분석 11 제1절모사이드테크놀러지 (Mosaid Technology) 업체현황 특허포트폴리오분석 특허소송및분쟁현황 대응전략및시사점 주요소송특허분석 43 제2절 Wi-LAN 업체현황 특허포트폴리오분석 특허소송및분쟁현황 대응전략및시사점 주요 ( 소송 ) 특허분석 86
119 CONTENTS 제3절테세라 (Tessera) 업체현황 특허포트폴리오분석 특허소송및분쟁현황 대응전략및시사점 주요 ( 소송 ) 특허분석 124
120 표목차 < 표 1-1> 2011 년 3, 4, 5 월주요 NPEs 의특허이전동향 4 < 표 2-1-1> 권리양도현황표 25 < 표 2-1-2> 양수인현황 25 < 표 2-1-3> 마이크론과삼성전자의이전현황 27 < 표 2-1-4> 이전특허의소송사용현황 28 < 표 2-1-5> 소송현황 29 < 표 2-1-6> 소송에사용된특허현황 30 < 표 2-1-7> 소송특허의위험성분석 37 < 표 2-1-8> 소송특허의한국패밀리현황 40 < 표 2-2-1> Wi-LAN의특허소송리스트 72 < 표 2-2-2> 소송에사용된특허리스트 74 < 표 2-2-3> 양도와소송과의관계 78 < 표 2-2-4> 와이랜소송특허위험성분석테이블 83 < 표 2-2-5> 소송특허의한국패밀리현황 84 < 표 2-3-1> 테세라 (Tessera) 의특허소송리스트 117 < 표 2-3-2> 소송에사용된특허리스트 118 < 표 2-3-3> 양도와소송과의관계 119
121 그림목차 [ 그림 1-1] 기술분야별 NPEs 특허권리이전동향 3 [ 그림 1-2] 모사이드의권리이전현황 6 [ 그림 1-3] Intellectual Ventures 사의권리이전현황 6 [ 그림 1-4] NPEs의최근분쟁현황 7 [ 그림 1-5] NPEs의최근라이센스현황 8 [ 그림 1-6] 기술분야별라이센스현황 8 [ 그림 2-1-1] 모사이드의라이센싱수입 14 [ 그림 2-1-2] 연도별특허보유현황 22 [ 그림 2-1-3] 연도별출원현황 23 [ 그림 2-1-4] 국가별출원현황 23 [ 그림 2-1-5] 분야별특허건수 24 [ 그림 2-1-6] 국가별분야별특허건수 24 [ 그림 2-1-7] 분야별출원현황 24 [ 그림 2-1-8] 연도별기술이전현황 26 [ 그림 2-1-9] 연도별 / 기술분야별이전현황 26 [ 그림 ] 분야별이전건수 26 [ 그림 ] 양도인분류별이전현황 27 [ 그림 ] 양도인순위및건수 28 [ 그림 ] 소송특허의권리취득 33 [ 그림 2-2-1] 와이랜의조직도 68 [ 그림 2-2-2] 와이랜의연도별출원현황 69 [ 그림 2-2-3] 와이랜의국가별현황 69 [ 그림 2-2-4] 기술분야별특허건수 70 [ 그림 2-2-5] 연도별양수현황 71 [ 그림 2-2-6] 양도업체현황 71 [ 그림 2-2-7] 양도업체의양도건수 72
122 그림목차 [ 그림 2-3-1] 테세라 (Tessera) 의연도별특허포트폴리오 113 [ 그림 2-3-2] 테세라 (Tessera) 의연도별, 국가별출원현황 114 [ 그림 2-3-3] 테세라 (Tessera) 의기술분야별출원현황 114 [ 그림 2-3-4] 테세라 (Tessera) 의기술분야별연도별출원현황 115 [ 그림 2-3-5] 연도별양수 / 양도현황 115 [ 그림 2-3-6] 양도인별비중현황 116 [ 그림 2-3-7] 양도인성격현황 116
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124 주요 NPEs 분석 제1장 최근 NPEs의 동향 제1절 NPEs의 특허 매입 동향 3 제2절 NPEs의 분쟁 동향 7 제3절 결 론 10
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126 제 1 장 최근 NPEs 의동향 3 제 1 장최근 NPEs 의동향 제 1 절 NPEs 의특허매입동향 1. 기술분야별특허이전동향 데이터처리장치 의료기기 통신기기 정보저장기기 [ 그림 1-1] 기술분야별 NPEs 특허권리이전동향 2010 년 5 월이후 NPEs 의누적이전현황이가장많은분야는데이터처리장치, 통신기기, 정보저 장기기및의료기기분야로서, 이중의료기기를제외한세분야는 NPEs 가꾸준하게특허를양수하 여포트폴리오를구축하고있다.
127 4 주요 NPEs 분석 의료기기분야는 NPEs가양수한특허보다양도한특허가더많아누적현황이 (-) 인상황이다. NPEs는특허를양수하고그특허를기반으로수익을창출하는것을비즈니스모델로하고있는데, NPEs가특허를양도하는경우는대부분자회사로양도하는경우이다. 5월달양도를살펴보면, 아카시아 (Acacia) 는 Body Science 로 6건의특허를양도하였는데 1), Body Science 또한 NPEs로관련분야의소송발생가능성이높을것으로추측된다. 실제로지난 5월 27일 Body Science 는상기양수한 6건의특허중일부를침해한다는이유로필립스, Boston Scientific Corporation 등을상대로소송을제기한바있다. 2) 2. 최근 NPEs 특허이전동향 < 표 1-1> 2011 년 3, 4, 5 월주요 NPEs 의특허이전동향 NPEs 3 월 4 월 5 월합계 Acacia Open Invention Network Innovative Sonic Teleflex BTG International Clear with computers Glory Licensing Intellectual Ventures Tessera 양도 양수 양도 양수 양도 양수 양도 양수 양도 양수 양도 양수 양도 양수 양도 양수 양도 양수 ) 2)
128 제 1 장 최근 NPEs 의동향 5 MOSAID Technologies Rambus Pinpoint searete Wi-Lan NPEs 3월 4월 5월 합계 양도 양수 양도 양수 양도 양수 양도 양수 양도 양수 최근 3개월동안의권리이전동향을살펴보면, 모사이드, Intellectual Ventures, 램버스 (Rambus) 의권리이전이활발하다. 모사이드는이기간동안총 33건의특허를매입하여꾸준하게포트폴리오를구축하였으며, Intellectual Ventures는 53건, 램버스는 26건의특허를매입하였다. Wi-Lan 은타 NPEs 에비해권리이전이활발하지는않지만 5월에통신기기관련기술을 1건양수하였으며, 테세라 (Tessera) 는 5월에이미지 & 옵틱스관련기술을 1건양수하였다. 그외에도오픈인벤션네트워크 (Often Invention Network), 이노베이티브소닉 (Innovative sonic), BTG international, 글로리라이센싱 (Glory licensing) 및핀포인트 (Pinpoint) 에서도소수특허를권리이전하여포트폴리오를구축하였다. Teleflex 와 Searete 는양도된권리이전이더많은것으로파악되었다. 3. 주요 NPEs 권리이전동향 가. 모사이드모사이드는 4월에 13건및 5월에 20건의특허를이전받아권리이전을가장활발히하는 NPE인것으로파악되었다. 2006년이후다수의특허매입을통해특허포트폴리오를구축하고있으며, 2011년 4월에는통신기기관련 11건과컴퓨터관련특허 2건을매입하였으며, 5월에는통신기기관련특허 18건과컴퓨터관련특허 2건을매입하였다. 2006년이후총누적된권리는 1,077건이었으며 2009년 617건및 2010년 237건의특허보유증가를보였다.
129 6 주요 NPEs 분석 [ 그림 1-2] 모사이드의권리이전현황 Intellectual Ventures 사는 3월에 29건, 4월에 8건및 5월에 20건의특허를이전받아권리이전을가장활발히하는 NPE인것으로파악되었다. 기술분야는대부분반도체, 통신기기, 전자부품, 이미지장치, 계측기기, 영상 / 음향기기등다양한분야에걸쳐있었으며, 특히반도체와전자부품분야의특허매입이많은것으로조사되었다. 2006년이후총누적된권리현황은 850여건 3) 인것으로파악되었으며, 특히 2010년에만 444건의특허보유증가를보였다. [ 그림 1-3] Intellectual Ventures 사의권리이전현황 3) I.V 사의포트폴리오는약 30,000 건으로알려져있으나이는자회사가보유한특허를포함한수치이고, 본보고서의경우 Intellectual Ventures 자체의권리이전현황만을파악하였음.
130 제 1 장 최근 NPEs 의동향 7 제 2 절 NPEs 의분쟁동향 1. 소송현황 [ 그림 1-4] NPEs 의최근분쟁현황 2011년 3월에서 5월까지의 NPEs의신규소송현황을살펴보면 3월 35건, 4월 32건, 5월 30건으로조금씩감소하고있으나의미있는감소는아니다. 30여건이상일정한규모로소송이꾸준히발생하고있는것으로볼수있다. 국내업체를상대로한소송도꾸준히발생하고있음을확인할수있다. 국내업체를상대로한소송은 4월달의소송발생건수가 12건으로다른달보다현저하게높은데, 워커디지털 (Waker Digital) 과워싱턴리서치파운데이션 (Washington Research Foundation) 의소송이각각 4건이있었다. 2011년도상반기 NPEs별소송현황을살펴보면, 어라이벌스타 (Arrivalstar S.A) 가 26건으로가장많은소송을제기하였으며, 네트워크시그너처 (Network Signatures Inc.) 가 4건을제기하였다. 나머지 NPEs는대부분 3건이하의소송을제기하였다. 소송건수는많지않지만주목할만한업체로와이랜 (Wi-LAN) 과테세라 (Tessera) 의소송이있었다. 와이랜은 Calix, HTC, LG전자를상대로소송을제기하는등최근 3건의소송을제기하여활동을강화하고있다. 특히최근스마트폰의폭발적인시장증가로인해 HTC와의소송이업계로부터많은주목을받고있다. 테세라는 1건의소송을진행하고있으며, 이사건은테세라가인수한 LSI Logic의특허들을사용한소를제기하여주목받고있다.
131 8 주요 NPEs 분석 특히, 최근 5 월한달동안데일리동향모니터링을통해 NPEs 의소송동향을살펴본결과 Linex Technologies 의소송건수가 10 건으로가장많았고다음으로 Visual Interactive Phone Concept 의소송건수가 5 건, Mosaid Technologies 의소송건수가 3 건을기록했다. 2. 라이센스현황 [ 그림 1-5] NPEs 의최근라이센스현황 [ 그림 1-6] 기술분야별라이센스현황 최근 NPEs의라이센스체결현황을살펴보면, 3월 12건, 4월 15건및 5월 10건으로꾸준히발생하고있고, 국내업체와의라이센스계약도 4건이있었다. 기술분야별로살펴보면정보통신분야가 19 건으로가장많고, 전기전자가 8건으로그뒤를있고있다. 주요 NPEs별로살펴보면아래표와같다. 아카시아 (Acacia) 가 20건으로가장많으며, 그뒤로클라우스너 (Klausner) 및모사이드가각각 4 건및 3건이발생하여적극적으로라이센스활동을진행하고있다. 테세라 (Tessera) 와와이랜도각각 2건과 1건의라이센스를체결하였다. 여기서, 테세라는국내기업인삼성전자와카메라기술에대한라이센스계약을체결한것이주목할만한사건이다. 한편, 와이랜은 1건의라이센스만을체결하였으나, 주목할만한점이라이센스파트너쉽을통해기술을획득한계약이란점이다. 최근와이랜은포트폴리오강화전략에있어서이전과같이매입또는합병을통한특허를취득한것이아니라라이센스파트너쉽계약을통해특허기술을다각화하고있는것으로조사되었다.
132 제 1 장 최근 NPEs 의동향 9 NPEs 라이센스체결현황 Acacia Research Corporation 20 General Patent Corporation(GPC) 2 Intellectual Ventures 2 Klausner Technologies, Inc. 4 MOSAID Technologies Inc. 3 Rambus 1 Sisvel US 1 St. Clair Intellectual Property Consultants, Inc. 1 Tessera Technologies, Inc. 2 Wi-LAN Inc. 1 Patriot Scientific Corporation 1 총합계 38
133 10 주요 NPEs 분석 제 3 절결론 앞서살펴본바와같이최근 3월, 4월, 5월의분쟁동향및권리이전동향을살펴본결과모사이드 (Mosaid), 테세라 (Tessera), 와이랜 (Wi-LAN) 3사를주요 NPEs 로선정하였다. 모사이드는권리이전, 소송및라이센스 3가지모두의영역에서두각을나타냄에비해테세라와와이랜은상대적으로모사이드에비해서는활발하지않지만, 모두라이센스, 분쟁, 권리이전모두어느정도의실적을나타내고포트폴리오도지속적으로확장 4) 하고있어분석의필요성이있는것으로판단된다. 이들외에도아카시아나 IV사의경우권리이전, 소송, 라이센스등모든영역에서활동을활발히하고있지만, 워낙유명한 NPEs에해당하고이미이들회사에대한분석자료가많으므로선정하지않았다. 따라서본보고서에서는상기 3사, 모사이드, 테세라및와이랜에대한회사소개, 분쟁정보, 포트폴리오현황, 권리이전현황등을상세히살펴보기로한다. 4) 2 장 2 절, 3 절의특허포트폴리오분석편참조
134 주요 NPEs 분석 제2장 주요 NPEs 활동 분석 제1절 모사이드 테크놀러지(Mosaid Technology) 13 제2절 Wi-LAN 68 제3절 테세라(Tessera) 112
135
136 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 13 제 2 장주요 NPEs 활동분석 제 1 절모사이드테크놀러지 (Mosaid Technology) 1. 업체현황 가. 설립및연혁모사이드는리차드포스 (Rechard Foss) 와로버트하랜드 (Robert Harland) 에의해 1975년캐나다온타리오에설립되었다. 반도체기술리더쉽의오랜전통이있으며, 30년넘는연구개발로반도체제품의품질, 안정성및기능을개선하기위한세계적인반도체회사로성장하였다. 회사의핵심사업은혁신적인반도체메모리기술의발달에의해특허된반도체및유무선통신특허의라이센싱사업이다. 또한, 모사이드는특허라이센싱 (Patent Licensing), 특허획득 (Patent Acquisition), 특허경영 (Patent Administration) 및 R&D와같은다양한방법을통해특허포트폴리오를확장해가고있다. 특히모사이드는반도체분야의상당한기술력을가지고있으며 DRAM에사용되는핵심회로기술을개발하였다. 1980년대초에엔지니어링응용프로그램에전용되는최초의상용메모리테스터시스템을만들었고상당한반도체 IP와관련한광범위한포트폴리오를구축하였다. 1990년후반, 장기의 IP 라이센싱프로그램을개시하고곧 DRAM의제조업체와자사최초의포괄적특허라이센스계약을체결하였다. 1999년 1월 14일기사에의하면, 일본의후지츠 (Fujitsu) 사가모사이드와최초로라이센스계약을체결하였다. 장기계약이라고하지만계약기간과금액은구체적으로공개되지않았다. 5) 오늘날 16개의반도체회사와특허라이센스계약을체결하였고최근무선특허를포함하는무선특허기술분야의자사특허포트폴리오를확장하고있다. 5)
137 14 주요 NPEs 분석 나. 조직및매출 (1) 조직 2010년회계연도기준으로연초에는 34명의풀타임및정규직파트타임직원이있었으나, 연말에는 42명으로증가하였다. 부서는라이센스부서, 특허매입부서, 특허관리부서및기술 R&D 부서로이루어져있다. 라이센스부서는타사와라이센스계약을체결하여포트폴리오자산을수익화하고라이센싱이나다른자산수익을창출할수있도록마이닝 (mining) 활동을선도하며, 특허매입부서는특허를평가하고매입하며, 특허관리부서는특허출원, 또는분쟁특허의처리및유지를하고기술 R&D 부서는기술을개발한다. (2) 매출모사이드의특허라이센싱수입을살펴보면, 2005년도에는 $26,800,000 에불과했으나해마다 20% 이상증가하여 5년후인 2010년도에는 3배이상증가한 $71,100,000 이상의라이센싱수입이발생했다. 6) [ 그림 2-1-1] 모사이드의라이센싱수입 * Excludes one-time revenue of $8.9million related to patent sales ** Excludes one-time revenue of $1.9million related to patent sales *** Excludes one-time revenue of $200,000 related to patent sales 특허라이센싱수입은특허매각으로인한수입은제외한것으로, 2007 년 $8,900,000, 2008 년 $1,900,000, 2009 년 $200,000 의매각수입을제외한것이다 년도에 2 건, 2008 년도에 47 건 의특허매각이있었으나 2009 년도에는특허매각이없는것으로조사되었다 년도특허매각 6) 2010 년연간보고서
138 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 15 대금이월등히많은데이는시놉시스 (synopsys) 에반도체관련 IP와자산을매각한것과관련이있는것으로판단된다. 7) 2009년도에특허매각이없었음에도수익이발생한이유는정확히알수없으나계약체결만하고미국특허청에등록을하지않았거나전년도매각대금이회계상 2010년도에반영된것일수도있을것으로추정된다. 다. 핵심비즈니스및전략 (1) 핵심비즈니스모사이드는반도체라이센싱프로그램및통신라이센싱프로그램을통해수익발생을도모하고있다. 반도체라이센싱프로그램은메모리포트폴리오및마이크로컴포넌트특허포트폴리오에초점을맞춘다. 반도체라이센싱프로그램하에서, DRAM(Dynamic Random Access Memory), 플래시메모리및 PSRAM(Flash Memory and Pseudo Static Random Access Memory) 을포함하는다양한메모리타입에관계된특허들에대해라이센스를체결한다. 반도체라이센싱프로그램은디지털신호처리 (DSP), 마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러, 어플리케이션특화집적회로 (ASIC, Application Specific Integrated Circuits), 어플리케이션특화표준제품 (ASSP, Specific Standard Products), FPGA 및다른반도체메모리와프로세싱기술에적용되는특허로구성된마이크로컴포넌트특허포트폴리오를라이센스한다. 통신라이센싱프로그램은 IEEE and 표준에기초한무선포트폴리오에초점을맞추고있다. 통신특허포트폴리오는 PoE(Power of Ethernet), VOIP(Voice over Internet Protocol), IP-PBX(IP Private Branch Exchanges), WAP(wireless access points), IP-DSLAM(IP Digital Subscriber Line Access Multiplexers), 케이블모뎀, 및 ADSL(Asynchronous DSL) 모뎀과같은기술에적용된다. (2) 전략모사이드는 2010년사업보고서에서매출증가, 이익증가및주식가치증가를위해다음과같은전략을사용함을발표하였다. 1) 메모리특허포트폴리오와연계된라이센싱계약의갱신 7) 시놉시스에반도체자산을 US$15,300,000 에매각하였다 년연차보고서참조
139 16 주요 NPEs 분석 2) 마이크로컴포넌트, 무선및통신라이센스의지속 3) 추가라이센싱과특허매각을포함한다른모네타이징기회를위한자산평가 (valuation) 및발굴 (mining) 4) 반도체와통신시장의새로운부분을개척하거나현재의포트폴리오를강화하고활력있게하기위한추가특허포트폴리오의확보 5) 세계수준의 R&D 활동을수행하고반도체와무선기술부분에서최적의 R&D 펀딩, 표준활동에참가하는방법등에의해주요기술의시장채용을독려함. 그리고현재의특허포트폴리오계약을갱신하고새로운계약을통해특허자산의포트폴리오를강화하고넓히는데주력하며, 이를위해다음과같은세가지전력을사용함을발표하였다. 새로운특허를창출하기위해내부적으로개발된기술에서특허를개발하고출원함. (IP R&D 및 IP Incubation) 반도체및통신기술을보충할수있는기술영역에서새로운특허권을선택적으로획득함. (IP Transaction activity) 새로운라이센싱연합에진입하거나현재의연합을확장하여기술적및지리적으로라이센싱프로그램을확장함. (Patent Pool activity) 2010년도에모사이드는회사의전략에따라몇몇특허들을매입하였다. 반도체분야에서가장두드러진특허획득은삼성전자로부터의특허매입이다. 그리고 DRAM, 전력제어및메모리관리에대한특허포트폴리오도획득하였다. 통신분야에있어서는인지무선 (cognitive radio) 과관계된배타적라이센싱 (exclusive licensing) 계약을체결했다. 라. 라이센시현황 반도체특허프로그램라이센시 1. Fujitsu Limited( 일본 ) 2. NEC Limited( 일본 ) 3. Toshiba Corporation( 일본 ) 4. Hitachi Ltd.( 일본 ) 5. Mitsubishi Electric Corporation( 일본 ) 6. Oki Electric Industry Co., Ltd.( 일본 ) 7. Matsushita (Panasonic)( 일본 )
140 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 Winbond Electronics Corporation( 대만 ) 9. Sony Corporation( 일본 ) 10. Royal Philips Electronics( 네덜란드 ) 11. Samsung Electronics( 대한민국 ) 8) 12. Hynix Semiconductor( 대한민국 ) 9) 13. Taiwanese Semiconductor Manufacturer( 대만 ) 14. PortalPlayer( 미국 ) 15. Infineon Technologies( 독일 ) 16. Etron Technology Inc.( 대만 ) 17. Winbond Electronics Corporation( 대만 ) 18. ProMOS Technology Inc( 대만 ) 19. Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) ( 대만 ) 20. Powerchip Semiconductor( 대만 ) 21. Micron( 미국 ) 22. NXP BV( 네덜란드 ) 23. Oki Semiconductor Co. Ltd.( 일본 ) 24. Elite Semiconductor Memory Technology Inc.( 대만 ) 25. Samsung Electronics( 대한민국 ) 10) 26. IBM Corporation( 미국 ) 27. Hynix Semiconductor( 하이닉스 ) 11) 무선특허프로그램 (Wireless Patent Program Licensee) 1. Matsushita (Panasonic) ( 일본 ) 2. Buffalo Inc.( 미국 ) 3. ATEN Technology, Inc. (IOGEAR) ( 대만 ) 4. Sena Technologies, Inc. ( 미국 ) 5. Nokia Corporation( 필란드 ) 6. U.S. wireless networking equipment company ( 미국 ) 8) 2001년모사이드가삼성을상대로소송을제기하였고, 2005년 1월, 5년기간의라이센스계약체결. 9) 2005년 1월, 6년기간의라이센스계약체결. 10) 2010년 1월, NAND 플래시기술에대해 5년간의라이센스계약체결. 11) 2011년 3월모사이드는하이닉스로부터 2건의특허
141 18 주요 NPEs 분석 7. U.S. wireless networking equipment company ( 미국 ) 8. Samsung Electronics( 대한민국 ) 12) 9. Grace Digital, Inc. ( 미국 ) 10. Xirrus, Inc. ( 미국 ) 11. U.S. wireless networking company ( 미국 ) 12. Sony Corporation ( 일본 ) 13. Vocera Communications Inc. ( 미국 ) 14. Sharp Corporation ( 일본 ) 15. U.S. semiconductor company ( 미국 ) 마이크로컴포넌트프로그램 (Microcompnent Patent Program Licensees) 1. Panasonic Corporation ( 일본 ) 2. LG Electronics Inc. ( 대한민국 ) 13) 3. MediaTek Inc. ( 대만 ) 통신특허프로그램 (Communications Patent Program Licensees) 1. U.S. internet telephony company ( 미국 ) 2. Asoka USA, Inc. ( 미국 ) 마. 자회사 (1) Synopsys 2007년 7월 30일, 모사이드는반도체지적재산권제품개발사업관련자산의일부를시놉시스 (synopsys, Inc) 에매각한다고발표했다. 시놉시스는모사이드의상기자산과 DDR(MemoryizeTM) 메모리컨트롤러와 PLL(Mastro TM) 제품패밀리와관련된 IP를구매하였다. website : 12) 2008 년 11 월 15 일, 디지털미디어, Wi-Fi 를포함하는통신관련제품에관한리이센스계약체결 13) 2011 년 3 월, 8 년기간의라이센스계약체결
142 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 19 (2) EPM 테스트 2007년 3월 28일모사이드는시스템자동테스트장치 (APE, autometic test equipment) 관련자산을테라다인 (Teradyne) 에 2000만달러에매각하였고, 2007년 4월 30일까지일부남아있는 APE 사업을철수하였다. 한편, 모사이드는 EPM 테스트 와모사이드테스트시스템장착을위한지속적인판매, 지원및서비스를제공하기로계약하였다. EPM 테스트는모사이드시스템의전고객기술지원책임자였던알타프파담시 (Altaf Padamshi) 와모사이드시스템의영업담당부사장 (Vice President of Sales) 이었던로버터에반스 (Robert Evans) 에의해설립된새로운회사이다. 2. 특허포트폴리오분석 가. 특허포트폴리오 14) (1) 무선특허포트폴리오 2007년 2월, 모사이드는가장빠르고크게성장하고있는기술인 Wi-Fi 및 WiMax 특허포트폴리오를매입하였다. 특허포트폴리오는 WLAN( 또는 Wi-Fi) 의표준중하나인 과 WiMAX 표준패밀리인 에관한특허를포함한다. 대부분의노트북컴퓨터, 컴퓨터, 게임기, 핸드헬드게임기, 비디오게임콘솔, Wi-Fi 를가능하게하는핸드셋및다른무선제품 / 시스템들은이러한표준을따르고있다. 모사이드의무선포트폴리오는미국, 일본, 독일, 프랑스, 영국및캐나다에서등록된 20개의등록특허와미국및유럽에서출원중인 3건의출원특허로구성되어있다. (2) 의사 (Pseudo) SRAM 특허포트폴리오 PSRAM(Pseudo-Static Random Access Memory) 장치는고밀도 (high density), 저전력메모리칩을필요로하는핸드폰과같은모바일제품에주로사용된다. PSRM 메모리칩은 DRAM과 SRAM을결합한것이다. 핸드폰은 PSAM과멀티칩패키지로결합된플래시메모리칩을사용한다. 14) 모사이드의홈페이지를참조한것으로, 모사이드의의견이므로사실과다를수있음.
143 20 주요 NPEs 분석 모사이드의 PSRAM 특허포트폴리오는세개의미국특허, 3 개의대만특허및 3 개의대한민국특 허로구성되어있다. (3) DRAM 기반특허 (DRAM-based Patents) 처음모사이드의특허그룹은 1980년대후반 1M DRAM 디자인에서시작된다. 이러한 1M DRAM 디자인에서 3개의특허패밀리로진화했다. 3개의특허패밀리는워드라인드라이버특허, Vpp 전압펌프특허및비트라인절연제어특허에관한것이다. 이러한특허들은레귤레이트된 (regulated) 고저압공급으로비트라인절연장치를제어하는것뿐만아니라레귤레이트된 (regulated) 고전압공급에의해전력이공급되는안정적인워드라인드라이빙기술이다. 이러한새로운접근은 DRAM 사업에의해채용되었으며 NMOS 다이나믹승압 (boosted) 워드라인접근을대체했다. 이러한발명은 1980년대에처음인식되었다. 현재몇몇관련특허들이미국과일본에등록특허로존재한다. (4) SDRAM 기반특허 (SRAM-based Patents) DRAM 디자인을바탕으로계속적인연구를수행한결과, 1990년대초반두번째발명으로 SDRAM 기반의특허그룹을출원할수있었다. 이는, DLL 특허와데이터출력레이턴시제어에관련된특허이다. 이러한특허들과함께모사이드는 DLL회로의사용과동기 DRAM에서선택적인레이턴시를지원하는유연한방법을개척하는선구자가되었다. 이러한특허들은중국, 미국, 유럽, 일본, 한국에등록및출원중이다. (5) 멀티레벨 DRAM 특허모사이드는 DRAM cell 마다원비트이상저장하는가능성에대해연구하였고멀터레벨 DRAM 의진화에중요한역할을하였다. 멀티레벨 DRAM 특허그룹은원비트이상의정보를 DRAM 셀에저장하고억세스하는 proven-in-silcicon 개념을포함한다. 모사이드는 DRAM 사업에서이러한개념을개척하였고, 반면에인텔은최근에플래시메모리에이러한개념을소개했다.
144 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 21 (6) 마이크로컴포넌트특허모사이드는 50개의미국특허와이들의외국특허의주요특허포트폴리오에대한배타적라이센싱권리를가지고있다. 마이크로컴포넌트특허포르폴리오는다음과같은장치에적용된다. Digital Signal Processors (DSPs) Microcontrollers (MCUs) and microprocessors (MPUs) Application Specific Integrated Circuits (ASICs) System-on-Chip (SoC) devices Field Programmable Gate Arrays (FPGAs) Embedded memories (7) 컴퓨테이셔널메모리및그래픽특허 (conputational memory and graphics patents) 모사이드는항상제 3의혁신이나현재의포트폴리오를강화하거나보충하는특허에관심이있었다. 그결과모사이드는 C-RAM(computational RAM) 특허에대한권리를획득하였다. 이러한특허그룹은대량병렬프로세싱을수행하는메모리칩내에서내장되어멀티플프로세서와같은개념을포함한다. 모사이드는이러한개념과관계된그래픽가속기특허에대한권리도획득하였다. (8) 내장형 (embedded) DRAM 특허표준로직프로세스에서내장된 DRAM 셀을장착하는것뿐만아니라내장형메모리어플리케이션에서워드라인을드라이빙하는내장형메모리리던던시를다루는특허를개발하였다. 광역데이터버스아키텍쳐특허는이러한내장형 DRAM 혁신의하나를나타내는것이다. 이러한새로운접근은내장형 DRAM SoC 어플리케이션에서병렬로대량의데이터를전송할수있도록한다. 내장형 DRAM은라우팅, 스위칭및분류기를포함하는많은네트워킹어플리케이션에중요한역할을할것이다. (9) 네트워킹특허모사이드는스위칭, 부호화 (encryption) 및분류 (classification) 와같은다양한분야의네트워킹관련특허를가지고있다. 이들영역에는 DRAM 기반셀, 저전력회로기술, 및고속파이프라인아키텍쳐를포함하는 CAM(Content Addressable Memory) 과관련된다수의기본특허들이있다.
145 22 주요 NPEs 분석 나. 보유특허현황모사이드의홈페이지및기업공개정보를참조하면 2010년기준모사이드는 2001건의특허를보유하고있는것으로조사되었다. 아래그래프는모사이드의전체보유건수를나타낸도표이다. 공개된특허검색결과모사이드가직접출원한특허가 841건, 권리이전을통해획득한특허가 927건, 총 1,768건의특허가조사되었다. [ 그림 2-1-2] 연도별특허보유현황 모사이드가공개한특허건수와차이가있는데, 이는출원후미공개건과양도절차가완료되지않은특허는누락 15) 되었기때문인것으로판단된다. 이하에서는자체개발하여출원한특허를먼저살펴보고목차를달리하여권리이전을통해획득한특허를살펴보기로한다. 15) 미국출원은발명자가직접출원한후양도절차를통해회사가권리를양수하는절차를거친다. 따라서미등록공개특허의경우모사이드로검색을하더라도누락될가능성이높다.
146 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 23 (1) 연도별및국가별특허현황 [ 그림 2-1-3] 연도별출원현황 [ 그림 2-1-4] 국가별출원현황 전체출원건수는 841건으로조사되었다. 출원은꾸준히증가하는추세에있으며, 2001년도에 66 건출원이후 2004년까지일시적으로감소하여 31건을출원하는것에그쳤으나 2008년도에는 138 건으로급격히증가하였다. 2008년도특허출원건수가급격히증가한것은회사의출원포트폴리오강화전략과관계가있는것으로보인다. 16) 2009년은 66건, 2010년 58건, 2011년은 12건으로 2008년이후출원수가급격히감소하였는데, 2010년이후출원은아직공개가되지않은결과이다. 2009년도출원수가전년도에비해급감한원인은정확히알수없으나출원건수가 2009년도에는자체출원보다특허매입을통한포트폴리오구축전략에더집중한영향으로추측된다. 17) 또한전체의 64% 인 541건이미국 (US) 에출원되었으며, 유럽특허청 (EP) 과한국 (KR) 이비슷한비율을차지하고있다. 16) 특허포트폴리오강화를위해, 신규특허를창출하는전략을구사하였으며이를위하여내부적으로개발된기술에서특허를개발하고출원을강화하였음. 2008년연간보고서참조. 17) 2008년도와 2009년도모두 신규특허창출 과 라이센싱을위한현존하는특허포트폴리오의평가또는발굴 (mine) 이라는동일한전략을가지고있었음. 2008년, 2009년연간보고서참조
147 24 주요 NPEs 분석 (2) 기술분야별특허건수 [ 그림 2-1-5] 분야별특허건수 [ 그림 2-1-6] 국가별분야별특허건수 전체 841건의특허중 74% 인 626건이반도체분야의특허이고나머지 215건이통신분야의특허이다. 각국가별등록현황역시반도체분야의특허가통신분야의특허보다 3배정도많은것을확인할수있다. 다만유럽의경우반도체특허가 93건이고통신특허가 45건인데다른국가에비해통신분야의특허비중이높다. 유럽의경우많은국가들이밀집되어있고국가별로도이체텔레콤, 프랑스텔레콤, KPN, 브리티시텔레콤, 텔레포니카등의통신사들의비중이타국가들에비해높은영향인것으로추정된다. 아래그래프는각각의기술분야에대한연도별출원을표시한것이다. 앞서살펴본전체출원동향과비슷하게 2004년도에일시감소후 2008년도까지급격히증가하는것을확인할수있다 년도출원이급격히증가하는것은앞서살펴본이유와같다. [ 그림 2-1-7] 분야별출원현황
148 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 25 다. 권리이전현황모사이드는현재까지 927건의특허를양수받고 55건의특허를양도한것으로조사되었다. 특허양도는자산활용이라는측면에서이루어진것으로판단되며 2007년도 47건이이루어졌다. 아래표는연도별양도건수와양수인별건수를나타낸것이다. < 표 2-1-1> 권리양도현황표 년도 반도체 통신 총합계 총합계 < 표 2-1-2> 양수인현황 양수인 반도체 통신 총합계 FUJITSU LIMITED 4 4 NVIDIA CORPORATION 1 1 PORTALPLAYER, INC PRATT HOLCO KG LIMITED LIABILITY COMPANY SATECH GROUP A.B. LIMITED LIABILITY COMPANY 총합계 특허양수는양도에비해매우활발하게이루어지고있으므로아래에서상세히살펴보기로한다.
149 26 주요 NPEs 분석 (1) 연도별및기술분야별양수현황 해마다십여건미만의권리이전이있었는데 2008 년도에 160 건, 2009년도에 431건, 2010년도에 200건등최근 3년동안급격히증가한것을확인할수있다. 이는회사의포트폴리오확장전략과맥을같이하는것으로판단된다. [ 그림 2-1-8] 연도별기술이전현황 [ 그림 2-1-9] 연도별 / 기술분야별이전현황 [ 그림 ] 분야별이전건수 반도체분야의양수건수는총 843 건으로전체의 91% 를차지한다. 연도별이전현황을보면 2007 년도부터반도체분야의이전건수가급격히증가하는것을확인할수있다. (2) 양도인분류양도인중기업이차지하는비중이 53% 인 492건으로가장많은비중을차지하고다음으로개인, 투자회사및대학이뒤를잇고있다. 양도기업중에는마이크론테크놀러지가 305건으로압도적으로많았고다음으로삼성전자와세르코넷 (Serconet) 이각각 94건과 23건의양도가있었다. 마이크론과삼성전자의이전현황을연도별로살펴보면마이크론이 2009년도에 285건의특허를양도하였으며삼성전자가 2010년 94건의특허를양도하였다.
150 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 27 [ 그림 ] 양도인분류별이전현황 마이크론은 2009 년도에모사이드와의소송을합의취하하였는데특허이전과무관해보이지않는 다. 기사 18) 에의하면모사이드는마이크론에모사이드의특허포트폴리오에대한라이센스를허여하 고마이크론의특허 400 개 19) 를획득했다고한다. 20) < 표 2-1-3> 마이크론과삼성전자의이전현황 이전년도 마이크론 삼성전자 총합계 총합계 (3) 양도인랭킹양도인성격을구분하지않고보더라도마이크론과삼성전자가 1, 2위를차지하였고다음으로개인발명가로보이는편홍범 (Pyeon HongBoem), 피터길링함 (Gillingham, Peter) 이각각 59건, 52건의양도건수를보이고있다. 개인양도인중피터길링함 (Gillingham, Peter) 은모사이드의부회장이 18) 19) 미등록건및미공개건에대한데이터가반영되지않아본보고서의수치와차이가나는것으로추정 20) 구체적인금액은공개되지않음.
151 28 주요 NPEs 분석 자 CTO(chief Technology Officer) 이고, 김진기 (Kim, Jin-Ki) 는모사이드의 R&D 를총괄하는부 회장이다. [ 그림 ] 양도인순위및건수 (4) 소송에사용된특허마이크론과삼성전자가많은특허를이전하였지만아래표에서보는바와같이실제소송에서사용된특허는많지않았고, 세로코넷사의특허가 11건으로소송에서가장빈번히사용된것으로조사되었다. < 표 2-1-4> 이전특허의소송사용현황 양도인구분 양도인 요약 합계 FOSS, RICHARD 5 GILLINGHAM, PETER 8 개인 기업 LINES, VALERIE L. 5 MILLAR, BRUCE, MR. 2 VLADESCU, MICHAEL 1 AGERE SYSTEMS INC. 7 MICRON TECHNOLOGY 4 SERCONET LTD. 11 VIRTUAL SILICON TECHNOLOGY 3 합 계
152 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 특허소송및분쟁현황 가. 소송현황 < 표 2-1-5> 소송현황 순번소송당사자관할법원사건번호제소일소송종료일 1 MOSAID TECHNOLOGIES v. SAMSUNG ELECTRONICS, et al 텍사스동부지법 2:2001-cv Infineon Technologies North America Corporation v. Mosaid Technologies Incorporated 텍사스동부지법 5:2002-cv In Re: INFINEON TECHNOLOGIE v. MOSAID TECHNOLOGIES, et al 텍사스동부지법 2:2003-cv Mosaid Technologies Inc. v. Hynix Semiconductor Inc. et al Mosaid Technologies Inc. v. Infineon Technologies North America Corp et al 텍사스동부지법 텍사스동부지법 6:2005-cv :2005-cv SercoNet LTD v. Asoka USA Inc. et al 텍사스동부지법 5:2005-cv Micron Technology, Inc. v. Mosaid Technologies Incorporated 텍사스동부지법 5:2006-cv Mosaid Technologies Inc. v. Micron Technology, Inc. et al 텍사스동부지법 2:2006-cv ProMOS Technologies Inc. v. Mosaid Technologies, Incorporated 텍사스동부지법 5:2006-cv Mosaid Technologies Inc. v. Micron Technology, Inc. et al 텍사스동부지법 5:2008-cv Mosaid Technologies Inc. v. Shoretel Inc. 델라웨어지방법원 1:2009-cv Mosaid Technologies Inc. v. International Business Machines Corporation 델라웨어지방법원 1:2009-cv MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED v. DOLL 콜롬비아지방법원 1:2009-cv MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED v. KAPPOS 콜롬비아지방법원 1:2009-cv MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED v. KAPPOS 콜롬비아지방법원 1:2009-cv MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED v. KAPPOS 콜롬비아지방법원 1:2009-cv Cisco Systems Inc. v. Mosaid Technologies Inc. 델라웨어지방법원 1:2010-cv
153 30 주요 NPEs 분석 순번소송당사자관할법원사건번호제소일소송종료일 18 MOSAID Technologies Incorporated v. Dell, Inc. et al 텍사스동부지법 2:2011-cv Mosaid Technologies Inc. v. Freescale Semiconductor, Inc. et al 텍사스동부지법 6:2011-cv MOSAID Technologies, Inc. v. Elpida Memory, Inc. et al 텍사스동부지법 6:2011-cv 상기표에서보는바와같이대부분의소송은소송제기 1, 2 년이내에종료되는것을확인할수 있는데, 이는조기에라이센스계약이이루어지기때문인것으로추정된다. 나. 소송에사용된특허 < 표 2-1-6> 소송에사용된특허현황 순번 소송특허 발명의명칭 소송횟수 매입 Dynamic memory word line driver scheme 3회 Dynamic memory word line driver 6회 Dynamic memory word line driver scheme 7회 Dynamic memory word line driver scheme 7회 High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM Dynamic memory word line driver scheme 3 회 Dynamic memory word line driver scheme 7 회 Dynamic memory word line driver 6 회 Dynamic memory word line driver scheme 7 회 High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM Dynamic memory word line driver scheme 7 회 Dynamic memory word line driver scheme 7 회 Dynamic memory word line driver scheme 5 회 O 5 회 4 회 3 회 5 회 4 회 3 회
154 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 31 순번소송특허발명의명칭소송횟수매입 High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM 4회 Boosted voltage supply 2회 O RE37641 Delayed locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory Dynamic random access memory using imperfect isolating transistors Regulated DRAM cell plate and precharge voltage generator Network combining wired and non-wired segments O Dynamic memory word line driver scheme 3 회 Dynamic memory word line driver 6 회 Dynamic memory word line driver scheme 7 회 Dynamic memory word line driver scheme 7 회 High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM Delayed locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory Delay locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory 3회 O Dynamic memory word line driver 6회 Dynamic memory word line driver scheme 7 회 Dynamic memory word line driver scheme 7 회 Dynamic memory word line driver scheme 5 회 O Dynamic memory word line driver scheme 4 회 O Dynamic memory word line driver scheme 7회 Dynamic memory word line driver 6회 Dynamic memory word line driver scheme 7회 Dynamic memory word line driver scheme 5회 O Dynamic memory word line driver scheme 4회 O High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM 5 회 3 회 5 회 4 회 3 회 3 회 5 회
155 32 주요 NPEs 분석 순번소송특허발명의명칭소송횟수매입 Delayed locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory Delay locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory 3회 O Dynamic memory word line driver 6회 Dynamic memory word line driver scheme 7 회 Dynamic memory word line driver scheme 7 회 Dynamic memory word line driver scheme 5 회 O Dynamic memory word line driver scheme 4 회 O Distributed serial control system 2 회 O Networks for telephony and data communication O Network for telephony and data communication 2 회 O Local area network of serial intelligent cells O Local area network of serial intelligent cells O Dynamic memory word line driver scheme 5 회 O Dynamic memory word line driver scheme 4 회 O Dynamic memory word line driver scheme O Boosted voltage supply 2 회 O DRAM boosted voltage supply O Wide databus architecture O Telephone communication system and method over local area network wiring Network for telephony and data communication 2 회 O Distributed serial control system 2 회 O Local area network of serial intelligent cells O Network combining wired and non-wired segments O Local area network of serial intelligent cells O Local area network of serial intelligent cells O Network combining wired and non-wired segments O Carrier detection for a wireless local area network O Radio LAN station with improved frame delimiter detection in a spread spectrum environment O Medium access protocol for wireless local area network O Multirate wireless data communication system O 독점 Stackable pushcart 실시권 Frequency division multiplexing system with selectable rate O 3 회 O
156 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 33 순번소송특허발명의명칭소송횟수매입 Managing power on integrated circuits using power islands O Power managers for an integrated circuit O Apparatus and method for computer processing using an enhanced Harvard architecture utilizing dual memory buses and the arbitration for data/instruction fetch 독점실시권 Apparatus and method for real-time program monitoring via a serial interface Circuit for arbitrating interrupts with programmable priority levels Power reduction in a multiprocessor digital signal processor based on processor load Shared datapath processor utilizing stack-based and register-based storage spaces 독점실시권 독점실시권 독점실시권 독점실시권 Field effect transistor O Delay locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory 3 회 O Delay locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory O Digital delay locked loop O Synchronous DRAM with selectable internal prefetch size O Synchronous DRAM with selectable internal prefetch size O 20 건의소송중, 총 90 건의특허가소송에서사용되었고, 중복을제외하면순수하게 47 건의특허 가소송에서사용되었다. 이중권리이전을받은건이 30 건, 독점적실시권을가진특허가 6 건, 모사 이드가자체적으로출원한건이 11 건으로조사되었다. [ 그림 ] 소송특허의권리취득
157 34 주요 NPEs 분석 다. 개별분쟁현황상기소송 20건중 KAPPOS(14, 15, 16) 와의소송은개인을상대로한건으로, KAPPOS가보유한특허의효력을다투는것이어서분석대상에서제외하고, 나머지 17 건에서다음과같은이유로 5건의주요소송을선정하였다. 4번소송은우리기업과의소송에해당하여분석의필요성이있는것으로판단되어선정하였다. 다만, 삼성전자와의소송도 2001년도에있었으나 10여년이지난사건이라기술의발전도를고려할때중요도가떨어진다고판단된다. 순번 4 사건번호 6:2005-cv 원고 Mosaid Technologies Inc. 피고 Hynix Semiconductor Inc. et al 관할법원 텍사스동부지법 제소일 소의종류 Patent Infringement 관련특허 5,822,253 6,278,640 6,603,703 5,828,620 6,055,201 6,580,654 기술내용 사건요약 DRAM반도체집적회로제품을위한특정특허 원고가피고에대해특허침해소송제기 하이닉스가모사이드와라이센스계약 양자간합의에따라모사이드가소취하 라이센스계약 6년연장 10 번소송은마이크론과의소송으로, 마이크론은반도체분야의세계적인회사이고모사이드에가 장많은특허권을양도한회사이기도한점에서분석의필요성이있다고판단된다. 특히많은특허양 도가이루어진시점이소송발생시점과비슷하다는점을고려할때더욱그러하다. 순번 10 사건번호 5:2008-cv 원고 Mosaid Technologies Inc. 피고 관할법원 Micron Technology, Inc., Powership Semiconductor Corporation, ProMOS Technologies 캘리포니아북부지법
158 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 35 제소일 소의종류관련특허기술내용사건요약 Patent Infringement 6,657,919, 6,992,950, 5,751,643, 5,822,253, 6,278,640, 6,603,703, 7,038,937, 5,828,620, 6,980,448 DRAM반도체집적회로제품을위한특정특허 원고가피고에대해특허침해소송제기 파워칩과프로모스가먼저라이센스계약체결그후에마이크론도라이센스계약체결 소각하명령 12 번소송은 IBM 과의소송으로, IBM 은세계적인기업일뿐만아니라특허포트폴리오가강한 기업인점을고려할때분석의필요성이있다고판단된다. 순번 12 사건번호 1:2009-cv 원고 Mosaid Technologies Inc. v. 피고 International Business Machines Corporation 관할법원 델라웨어지방법원 제소일 소의종류 Patent Infringement 관련특허 6,603,703, 7,038,937, 7,535,749, 6,580,654, 6,980,448, 7,486,580 기술내용 사건요약 DRAM반도체집적회로제품을위한특정특허 원고가피고에대해특허침해소송제기 모사이드와 IBM간라이센스계약체결 양자간합의에따라모사이드가소취하 17 번소송은시스코 (CISCO) 가비침해및무효확인의소를제기한것으로, 다른소송들은모사이 드 (MOSAID) 가제기한특허침해소송이라는점에서분석의필요성이있는것으로판단된다. 순번 17 사건번호 1:2010-cv 원고 Cisco Systems Inc. 피고 Mosaid Technologies Inc.
159 36 주요 NPEs 분석 관할법원 델라웨어지방법원 제소일 소의종류관련특허기술내용사건요약 비침해및무효확인의소 (Declaratory Judgment) 7,483,524, 5,841,360, 7,187,695, 7,636,373, 7,035,280, 7,016,368, 7,633,966, 6,841,459, 7,292,600 무선네트워크및통신 2010년 8월 13일, 원고가피고들대해비침해및무효확인의소를델라웨어지방법원에제출함. ( 소장비공개, SEALED) 2010년 12월 2일, 수정소장을제출함. 2010년 12월 15일, 소장에대한답변서를제출하고 2011년 1월 10일카운터클레임에대한답변서제출. 2011년 6월 14일, 6. 시스코가 TRO(Temporary Restraining Order) 및가처분 (Preliminary Injunction) 신청서제출 18 번소송은델을비롯한 15 개사를피고로제소한것으로업계에미치는영향이클것으로판단 된다. 순번 18 사건번호 2:2011-cv 원고 Mosaid Technologies Inc. 피고 관할법원 AsusTek, Atheros, Canon USA, Dell, Digi International, Huawei, Intel, Lexmark, Marvell, Murata Manufacturing, Ralink Technology Corporation, Realtek Semiconductor, Research in Motion, Wasp Barcode Technologies, Wistron Corporation and Venture Research.(15개사 ) 텍사스동부지법 제소일 소의종류 Patent Infringement 관련특허 5,131,006, 5,151,920, 5,422,887, 5,706,428, 6,536,786, 6,992,972 기술내용 사건요약 무선네트워크및통신 2011년 3월 16일, 원고가피고들에대해자사의특허들을침해하였다며텍사스동부지방법원에소송을제기하였다. 2011년 5월 25일부터피고들은소장에대한답변서를제출하기시작했음. 2011년 6월 20일원고는카운터클레임에대한답변서를제출하였음.
160 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 37 라. Mosaid 소송특허의위험성분석 < 표 2-1-7> 소송특허의위험성분석 통합번호 소송이력 표준기술특허 ( /O/X) 21) 표준기술특허 (Citation) US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 USRE X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 NPEs 위험도 우리기업제소 회
161 38 주요 NPEs 분석 통합번호 소송이력 표준기술특허 ( /O/X) 21) 표준기술특허 (Citation) US X 2 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 2 US X 0 NPEs 위험도 우리기업제소 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 10 US X 4 US X 4 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 9 US X 10 US X 회
162 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 39 통합번호 소송이력 표준기술특허 ( /O/X) 21) 표준기술특허 (Citation) US X 4 US X 6 US X 4 US X 4 US X 12 US X 0 US O 1 US O 1 US O 0 US X 0 US O 1 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 0 US X 1 US X 0 US X 2 US X 2 US X 0 US X 0 US X 0 NPEs 위험도 우리기업제소 회 상기테이블에서소송이력은해당특허가소송에활용된횟수, 표준기술특허 (citation) 는표준특허를인용한특허수, NPEs 위험도는전년대비금년의특허권리행사정도를지수화하여나타낸위험도 ( 총 548개의대상 NPEs를기준으로위험도를산출, Mosaid Technologies 는 NPEs 위험도에서전체중 7위 ) 를의미한다. 상기소송특허중한국에패밀리출원이되어있는특허는 13건으로조사되었다. 구체적인번호는아래와같다. 21) 는 claim Essenciality 가 value 된특허, O 는주요표준화기구에등재된특허, X 는해당없음을의미
163 40 주요 NPEs 분석 순번특허번호한국패밀리 KR B KR B KR B KR B KR B KR B KR B < 표 2-1-8> 소송특허의한국패밀리현황 KR B1 KR B1 KR B1 KR A KR A KR B1 KR B1 KR A KR A KR A KR A KR B1 KR B1 KR A KR A KR A KR A KR B1 KR B1 KR B1 KR B1 KR A KR A KR B1 KR B1 KR B1 KR A KR A KR B1 KR B1 KR B1 KR A KR A 4. 대응전략및시사점 가. 모니터링모사이드는반도체및통신분야에서상당한특허포트폴리오를구축하고라이센스및특허소송을활발히진행하고있다. 따라서이에대응하기위해서는포트폴리오및소송에대한꾸준한모니터링이필요하다. 2010년 7월 20일, 모사이드는난야 (Nanya Technology, 대만 ) 와 7년기간의로열티계약을체결했다고발표했다. 기존계약이 2010년 9월 30일종료함에따라 2010년 10월 1일부터발효하는새로운계약을체결한것이다. 새계약에따라난야는 DRAM 제품과다른반도체메모리제품에사용되는모사이드의메모리특허에대한월드와이드 (worldwide) 라이센스를획득했다.
164 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 년 7월 28일, 모사이드는하이퍼링크낸드 (HyperLink NAND, HLNAND TM ) 플래시아키텍쳐및인터페이스를사용하는 SSD(Solid State Drive) 프로토타입을소개했다. HLNAND TM SS D 22) 는전통적인낸드플래시인터페이스에기초한 SSD보다입력 / 출력대역폭에서더우수한것이입증되었다고한다. 모사이드는 375개의플래시메모리특허를출원하였으며이중 19개는미국에서등록되었다. 그리고 2011년 2월 24일, 모사이드는 HLNAND2 를공개했다. HLNAND2 는기업데이터센터및고효율컴퓨팅어플리케이션을포함해서대량저장어플리케이션에최적화되었고, SSD가초당기가바이트퍼포먼스와테라바이트급저장용량이가능하도록하는최초의낸드플래시인터페이스라고소개했다. 나. 모사이드의포트폴리오강화전략에따른대응모사이드는반도체분야와통신분야의포트폴리오구축강화를통해기존라이센스계약은갱신을하고새로운라이센시 (licensee) 발굴을통해회사의수익을창출한다는전략을가지고있다. 이를위해새로운특허발굴 (mining) 활동을꾸준히하고있다. 모사이드는 2011년 1분기기준으로 2,050개의특허및출원을가지고있다고발표했다. 이는 1년전의 1,788건에비해 15% 증가한수치 23) 이다. 그리고앞서살펴본바와같이삼성전자로부터많은특허를매입하였는데선택작업이완료되는대로반도체특허포트폴리오에추가될것으로보인다. 삼성전자와모사이드의특허매입의구체적인조건은알수없으나기본적으로매각특허로삼성전자를공격하지는않을것이며, 매각특허가모사이드의반도체포트폴리오에편입될경우삼성전자에게도그에상응하는혜택- 모사이드의다른특허포트폴리오라이센스계약에서유리한조건-이있을것으로사료된다. NPEs로부터소송을당하는경우, 자사의특허로 NPEs를직접공격할수없어소송진행이나협상에많은어려움을겪는경우가많은데, 삼성전자의특허매각은좋은대응전략중하나로보인다. 즉, 직접 NPEs를공격할수는없더라도다른경쟁업체를공격할만한특허가있는경우에는이들특허를 NPEs에이전하는등의방법을통해협상을유리하게이끌어갈수있을것이다. 22) 한국의인디링스 (www. indilinx.com) 와공동개발 23) 2011년 1분기보고서참조
165 42 주요 NPEs 분석 따라서우리기업은자사의실시기술에대한권리화뿐만아니라경쟁업체의침해가예상되는기술 에대한특허권확보에보다많은노력을기울여야할것이다. 다. 소송대응전략앞서살펴본바와같이동일특허가여러소송에서사용되고있으므로- 일부특허 (US5,822,253, US6,278,640) 의경우일곱차례사용- 동종산업경쟁자들의소송동향을모니터링하고소송특허를미리분석하고대비할필요가있는것으로판단된다. 만약경고장을받은경우라면비침해확인의소나무효확인의소를제기하는등의방법으로적극적인대응도필요해보인다. 특히, NPEs는특허권자에게유리한실제마이크론판결을많이내리는법원 (Texas 등 ) 이나소송의진행이빠른법원 (E.D Virginia) 또는자신의 Home Court에서소송을제기할가능성이매우높으므로, 제조기업은신속한선행기술조사를진행하고제3의법원에먼저비침해, 무효, 또는권리행사불능에관한확인의소를제기할수있다. 실제모사이드의경우대부분의소송을텍사스에서제기하고있다. 종전에는 Actual Controversy, Reasonable Apprehension of Suit가있을것을요건으로하였으나, 샌디스크 (Sandisk) 사건에서경고장을보내고청구항차트 (Claim Chart) 를만들어증거를제시하는등의구체적인침해주장이있는것만으로도확인의이익이있다고판시하였다. 따라서제조기업은먼저적극적으로소송비용을감수하고전략적인측면에서 DJ Action 을청구할필요가있다. 어차피 Patent Troll이소송을제기할것이므로기왕에제기될소송이라면소송에서주도권을잡을필요가있는것이다.
166 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 주요소송특허분석 가. US (1) 서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Mosaid Technologies 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Mosaid Technologies Dynamic memory word line driver scheme G11C-008/00, 반도체 1. A dynamic random access memory (DRAM) comprising: (a) word lines, (b) memory cells, each comprising a charge storage capacitor and a series pass transistor for storing a V dd logic level on the storage capacitor, the series pass transistor having an enable input connected to a word line, (c) means for receiving word line decoding signals for providing a select signal at V dd logic levels, the V dd logic levels having a V dd voltage difference between logic levels, (d) a high voltage power supply V xx which supplies a voltage for a V xx voltage difference between logic levels which exceeds V dd, (e) translating means connected to said receiving means and supply V xx for translating said select signals at said V dd logic levels to said V xx logic levels and for applying V xx logic levels to said word lines for application to said enable inputs, the translating means being set and reset only by V dd logic level signals and being devoid of voltage boost capacitor. 대표도면
167 44 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A dynamic random access memory (DRAM) comprising : 다음을구성하는 DRAM ; (a) word lines, (a) 워드라인 (b) memory cells, each comprising a charge storage capacitor and a series pass transistor for storing a V dd logic level on the storage capacitor, the series pass transistor having an enable input connected to a word line, (b) 메모리셀 ; - 커패시터와 Vdd 레벨을저장하기위한시리즈패스 TR로구성 - 시리즈패스 TR은워드라인에연결되어입력을인에이블함. 1 (c) means for receiving word line decoding signals for providing a select signal at V dd logic levels, the V dd logic levels having a V dd voltage difference between logic levels, (d) a high voltage power supply V xx which supplies a voltage for a V xx voltage difference between logic levels which exceeds V dd, (e) translating means connected to said receiving means and supply V xx for translating said select signals at said V dd logic levels to said V xx logic levels and for applying V xx logic levels to said word lines for application to said enable inputs, - the translating means being set and reset only by V dd logic level signals and being devoid of voltage boost capacitor. (c) 워드라인디코딩신호를수신하는수단 - 디코딩신호는 V dd 로직레벨에선택신호를제공 - V dd 로직레벨은로직레벨간의 V dd 전압차이를가짐 (d) 고전압전원공급 V xx는 - V dd를초과하는로직레벨간 - V xx 전압차이를위한전압을공급 (e) 수신수단과공급 V xx에연결된전송수단 - Vdd 로직레벨에서선택신호를 Vxx 로직레벨에전송 - Vxx 로직레벨을워드라인에입력
168 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 45 나. US (1) 서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Mosaid Technologies 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Mosaid Technologies Dynamic memory word line driver scheme G11C-007/00, 반도체 1. A dynamic random access memory (DRAM) comprising: bit lines and word lines; memory cells connected to the bit lines and word lines, each memory cell being comprised of an access field effect transistor (FET) having its source-drain circuit connected between a bit line and a high logic level voltage Vdd bit charge storage capacitor, the FET having a gate connected to a corresponding word line; a high voltage supply which supplies a controlled high voltage Vpp which is in excess of the high logic level voltage Vdd but less than a transistor damaging voltage; applying circuitry applying the controlled high voltage Vpp to the word line through the source-drain circuit of a pass FET, the applying circuitry including a level shifter with latching which receives word line selection signals only at Vdd logic levels to drive and latch word line control signals at Vpp voltage levels. 대표도면
169 46 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A dynamic random access memory (DRAM) comprising: 다음을구성하는 DRAM; bit lines and word lines; 비트라인과워드라인 ; memory cells connected to the bit lines and word lines, each memory cell being comprised of an access field effect transistor (FET) having its source-drain circuit connected between a bit line and a high logic level voltage Vdd bit charge storage capacitor, 메모리셀 ; 비트라인과워드라인에연결 - 각메모리셀은 FET로구성, 상기 FET는비트라인과 Vdd 비트전하커패시터사이에연결된소스-드레인회로를가짐. 1 the FET having a gate connected to a corresponding word line; a high voltage supply which supplies a controlled high voltage Vpp which is in excess of the high logic level voltage Vdd but less than a transistor damaging voltage; 게이트가대응워드라인에연결된 FET; 고전압공급 ; - 고전압로직레벨전압 Vdd는초과하지만트랜지스터를손상시키지않는레벨로제어되는고전압 Vpp를제공함 applying circuitry applying the controlled high voltage Vpp to the word line through the source-drain circuit of a pass FET, the applying circuitry including a level shifter with latching which receives word line selection signals only at Vdd logic levels to drive and latch word line control signals at Vpp voltage levels. 입력회로 ; - 제어되는고전압 Vpp를워드라인에입력 - 레벨쉬트터를포함함.
170 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 47 다. US (1) 서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Mosaid Technologies 권리취득형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Mosaid Technologies Dynamic memory word line driver scheme G11C-008/00, 반도체 1. A method of selecting a word line in a dynamic random access memory to store a V dd logic level in a memory cell comprising: applying a controlled supply voltage V pp greater than V dd to a level shifter circuit; applying only V dd logic level signals to the level shifter circuit to produce a logic signal having a state at the V pp voltage; and applying the logic signal having the state at the V pp voltage to the word line. 대표도면
171 48 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A method of selecting a word line in a dynamic random access memory to store a V dd logic level in a memory cell comprising: 메모리셀에서 Vdd 로직레벨을저장하기위해 DRM에서워드라인을선택하기위한방법 ; 1 applying a controlled supply voltage V pp greater than V dd to a level shifter circuit; applying only V dd logic level signals to the level shifter circuit to produce a logic signal having a state at the V pp voltage; Vdd 보다큰제어되는공급전압 Vpp를레벨쉬프터에공급 ; 단지 Vdd 로직레벨신호를상기레벨쉬프터회로에공급 ; - Vpp 전압에서스테이트를가지는로직신호를생성하기위한것임 and applying the logic signal having the state at the V pp voltage to the word line. 상기스테이트를가지는로직신호를공급 ; - Vpp 전압에서워드라인으로공급
172 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 49 라. US (1) 서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 MOSAID Technologies 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 MOSAID Technologies High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM G11C-007/00, 반도체 1. A random access memory comprising: DC voltage supply providing plural voltage levels; a boosting capacitor having first and second terminals; switching circuit including a first switch between one level of the voltage supply and the first terminal of the boosting capacitor and a second switch between the first terminal of the boosting capacitor and a capacitive load, the first and second switches being driven by clock signals, the switching circuit alternately connecting the first terminal of the boosting capacitor to the voltage supply and to the capacitive load while alternating the level of the voltage supply connected to the second terminal of the boosting capacitor to pump the voltage on the capacitive load to a boosted voltage level greater than and of the same polarity as the DC voltage supply; a feedback loop responsive to the boosted voltage level to control the switching circuit to regulate the boosted voltage to a substantially static value greater in magnitude than the voltage levels of the DC voltage supply and of a correct level required to turn on a selected memory cell access transistor; and a decoder circuit supplying the regulated boosted voltage to a word line and the gate of the memory cell access transistor to store a voltage on a storage capacitor of the memory. 대표도면
173 50 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A random access memory comprising: DC voltage supply providing plural voltage levels; a boosting capacitor having first and second terminals; switching circuit including a first switch between one level of the voltage supply and the first terminal of the boosting capacitor and a second switch between the first terminal of the boosting capacitor and a capacitive load, the first and second switches being driven by clock signals, 다음을포함하는랜덤억세서메모리 ; DC 전압서플라이 ; - 다수의레벨을가짐 부스터커페시터 ; - 제 1 및제 2 터미널을가짐 스위치회로 ; - 상기전압서플라이와제 1 터미널사이의제 1 스위치와제 2 터미널과커패시터로드사이의제 2 스위치를포함 - 제 1, 2 스위치는클럭신호에의해구동됨. - 스위치회로는교대로제 1 터미널에연결 1 the switching circuit alternately connecting the first terminal of the boosting capacitor to the voltage supply and to the capacitive load while alternating the level of the voltage supply connected to the second terminal of the boosting capacitor to pump the voltage on the capacitive load to a boosted voltage level greater than and of the same polarity as the DC voltage supply; a feedback loop responsive to the boosted voltage level to control the switching circuit to regulate the boosted voltage to a substantially static value greater in magnitude than the voltage levels of the DC voltage supply and of a correct level required to turn on a selected memory cell access transistor; and a decoder circuit supplying the regulated boosted voltage to a word line and the gate of the memory cell access transistor to store a voltage on a storage capacitor of the memory. 부스트된전압레벨에응답하는피드백루프 ; - 실질적으로안정된값으로부스트된전압을레귤레이터하기위한스위칭회로를제어 - 안정된값은진폭에있어서 DC 전압서플라이보다큰값 디코더회로 ; - 레귤레이트된부스터전압을워드라인과메모리의게이트에공급 - 메모리의저장커패시터에전압을저장하기위함.
174 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 51 마. US (1) 서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Mosaid Technologies 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Mosaid Technologies High voltage boosted word line supply charge pump and regulator for DRAM G11C-007/00, 반도체 1. A dynamic random access memory (DRAM) boosted voltage word line supply comprising: DC voltage supply providing plural voltage levels; a boosting capacitor having first and second terminals; switching means including a first switch between one level of the voltage supply and the first terminal of the boosting capacitor and a second switch between the first terminal of the boosting capacitor and a capacitive load, the first and second switches being driven by clock signals, the switching means alternately connecting the first terminal of the boosting capacitor to the voltage supply and to the capacitive load while alternating the level of the voltage supply connected to the second terminal of the boosting capacitor to pump the voltage on the capacitive load to a boosted voltage level greater than and of the same polarity as the DC voltage supply to provide a boosted voltage supply; a memory cell access transistor connecting a memory cell capacitor to a bit line and having a gate connected to a word line; and a word line decoder which selectively couples the boosted voltage supply to a selected word line. 대표도면
175 52 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A dynamic random access memory (DRAM) boosted voltage word line supply comprising: DC voltage supply providing plural voltage levels; a boosting capacitor having first and second terminals; switching means including a first switch between one level of the voltage supply and the first terminal of the boosting capacitor and a second switch between the first terminal of the boosting capacitor and a capacitive load, the first and second switches being driven by clock signals, 워드라인에부스트된 ( 상승된 ) 전압을제공하는 DRAM; DC 전압서플라이 ; - 다수의전압레벨을가짐 부스팅커패시터 ; - 제 1, 제 2 터미널을가짐 스위칭수단 - 제 1 스위치와제 2 스위치를가짐 - 제 1 스위치는전압서플라이의하나의레벨와부스팅커패시터의제 1 터미널사이 - 제 2 스위치는부스팅커패시터의제 1 터미널과커패시터로드사이 - 제 1, 2 스위치는클럭신호에의해구동 1 the switching means alternately connecting the first terminal of the boosting capacitor to the voltage supply and to the capacitive load while alternating the level of the voltage supply connected to the second terminal of the boosting capacitor to pump the voltage on the capacitive load to a boosted voltage level greater than and of the same polarity as the DC voltage supply to provide a boosted voltage supply; a memory cell access transistor connecting a memory cell capacitor to a bit line and having a gate connected to a word line; and a word line decoder which selectively couples the boosted voltage supply to a selected word line. 메모리셀억세스트랜지스터 ; - 메모리셀커패시터에연결 - 워드라인에연결된게이트를가짐 워드라인디코드 ; - 부스트된전압서플라이에선택적으로결합
176 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 53 바. US (1) 서지적사항 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Mosaid Technologies 권리취득형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Mosaid Technologies Boosted voltage supply G11C-008/00, 반도체 1. A dynamic random access memory (DRAM) boosted voltage word line supply comprising: DC voltage supply; a boosting capacitor having first and second terminals; and a switching circuit including a first switch between the voltage supply and the first terminal of the boosting capacitor and a second switch between the first terminal of the boosting capacitor and a capacitive load, the first switch and the second switch being driven by clock signals, the switching circuit alternately connecting the first terminal of the boosting capacitor to a first voltage level and to the capacitive load while alternating the level of voltage applied to the second terminal of the boosting capacitor to pump the voltage on the capacitive load to a boosted voltage level greater than and of the same polarity as the DC voltage supply, the second switch being enabled to substantially eliminate a threshold voltage reduction of boosted voltage; and a word line decoder which selectively couples the boosted voltage level to a selected DRAM word line. 대표도면
177 54 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A dynamic random access memory (DRAM) boosted voltage word line supply comprising: DC voltage supply; 부스트된전압을워드라인에공급하는 DRAM: DC 전압서플라이 ; a boosting capacitor having first and second terminals; 부스팅커패시터 ; - 제 1, 제 2 터미널을가짐 1 and a switching circuit including a first switch between the voltage supply and the first terminal of the boosting capacitor and a second switch between the first terminal of the boosting capacitor and a capacitive load, the first switch and the second switch being driven by clock signals, the switching circuit alternately connecting the first terminal of the boosting capacitor to a first voltage level and to the capacitive load while alternating the level of voltage applied to the second terminal of the boosting capacitor to pump the voltage on the capacitive load to a boosted voltage level greater than and of the same polarity as the DC voltage supply, 스위칭회로 - 제 1 스위치와제 2 스위치를가짐 - 제 1 스위치는전압서플라이의하나의레벨와부스팅커패시터의제 1 터미널사이 - 제 2 스위치는부스팅커패시터의제 1 터미널과커패시터로드사이 - 제 1, 2 스위치는클럭신호에의해구동 - 스위칭회로는제 2 터미널에입력되는전압레벨을대체하는동안대안적으로제 1 터미널에연결되어제 1 전압레벨과커패시터로드에연결 the second switch being enabled to substantially eliminate a threshold voltage reduction of boosted voltage; 제 2 스위치 ; - 부스트된전압의문턱전압감소를제거하기위해인에이블됨. and a word line decoder which selectively couples the boosted voltage level to a selected DRAM word line. 워드라인디코더 - 선택적으로부스트된저압레벨과선택된 DRAM 워드라인에연결
178 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 55 사 (1) 서지적사항 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Mosaid Technologies 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Mosaid Technologies Delayed locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory G11C-008/00, 반도체 1. A synchronous memory comprising: a clock input signal; an adjustable delay line for generating a data output driving clock signal from the clock input signal; and a data output buffer enabled by the driving clock signal for outputting data to an output terminal, the data being output to the output terminal at the same time as or a minimum time following an edge of the clock input signal. 대표도면
179 56 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1. A synchronous memory comprising: 동기화메모리 ; a clock input signal; 클럭입력신호 ; 1 an adjustable delay line for generating a data output driving clock signal from the clock input signal; and a data output buffer enabled by the driving clock signal for outputting data to an output terminal, 적응적지연라인 ; - 클럭입력신호로부터데이터출력구동클럭신호를생성데이터출력버퍼 - 출력터미널에데이터를출력하기위한구동클럭신호에의해인에이블됨. the data being output to the output terminal at the same time as or a minimum time following an edge of the clock input signal. 데이터 - 동일한시간또는클럭입력신호의에지를따라가는최소시간에출력터미널에출력됨.
180 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 57 아. US (1) 서지적사항 특 허 번 호 등록일자 출 원 번 호 출원일자 출 원 인 Mosaid Technologies 권리취득형태 최종권리자 발명의명칭 기술분류 대표청구항 Delay locked loop implementation in a synchronous dynamic random access memory G11C-008/00, 반도체 1. A method of providing a clock to a synchronous memory comprising: generating a driving clock signal with a delay locked loop (DLL); buffering a clock input signal to provide a buffered clock signal; providing the driving clock signal to a portion of the synchronous memory when the DLL is enabled; and providing the buffered clock signal to said portion of the synchronous memory when the DLL is disabled. 대표도면
181 58 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1 A method of providing a clock to a synchronous memory comprising: generating a driving clock signal with a delay locked loop (DLL); buffering a clock input signal to provide a buffered clock signal; providing the driving clock signal to a portion of the synchronous memory when the DLL is enabled; and providing the buffered clock signal to said portion of the synchronous memory when the DLL is disabled. 클럭을동기화메모리에제공하는방법 ; DLL을가진드라이빙클럭신호를생성 ; 클럭입력신호를버퍼링 ; - 버퍼된클럭신호에제공동기메모리의한부분에드라이빙클럭신호를제공 ; - DLL이인에이블될때버터된클럭신호를상기동기화메모리의상기부분에제공 ; - DLL이디스에이블될때
182 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 59 자. US (1) 서지적사항 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Mosaid Technologies Incorporated 권리취득형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 MOSAID Technologies Incorporated Dynamic memory word line driver G11C-007/00, 반도체 1. A random access memory comprising: word lines; dynamic memory cells, each comprising a charge storage capacitor for storing a V dd logic level through an access transistor, the access transistors having enable inputs connected to the word lines; a high voltage supply which supplies a controlled high voltage V pp greater than V dd ; and a word line driver circuit, including a level shifter with latching, which receives word line selection signals at V dd logic levels to drive and latch first and second word line control signals at V pp logic levels, each control signal in a respective latch state being pulled down to a low level through an N-channel transistor as the other control signal is latched high through a P-channel pull-up transistor, the control signals being set and reset by pull-down transistors gated only by V dd level signals, the word line driver circuit applying the controlled high voltage from the high voltage supply to a word line. 대표도면
183 60 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A random access memory comprising: word lines; 다음을포함하는랜덤억세서메모리 ; 워드라인들 ; dynamic memory cells, each comprising a charge storage capacitor for storing a V dd logic level through an access transistor, 다음을포함하는다이나믹메모리셀, - 전하저장커패시터 the access transistors having enable inputs connected to the word lines; - 억세서트랜지스터 a high voltage supply which supplies a controlled high voltage V pp greater than V dd; - 고전압서플라이 1 and a word line driver circuit, including a level shifter with latching, which receives word line selection signals at V dd logic levels to drive and latch first and second word line control signals at V pp logic levels, - 워드라인드라이버회로래칭을가지는레벨쉬프터포함 Vdd 로직레벨에서워드라인선택신호와 Vpp 로직레벨에서래치 1, 2 워드라인제어신호를수신 each control signal in a respective latch state being pulled down to a low level through an N-channel transistor as the other control signal is latched high through a P-channel pull-up transistor, - 각제어신호는 N 채널트랜지스터를통해로우레벨로풀다운. 다른제어신호를 P 채널을풀업트랜지스터를통해래치됨. the control signals being set and reset by pull-down transistors gated only by V dd level signals, - 제어신호는풀다운트랜지스터에의해셋및리셋됨. the word line driver circuit applying the controlled high voltage from the high voltage supply to a word line. 워드라인드라인회로 - 고전압서플라이로부터워드라인에제어되는고전압을입력함.
184 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 61 차. US (1) 서지적사항 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Mosaid Technologies 권리취득형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Mosaid Technologies Dynamic memory word line driver scheme G11C-011/00, 반도체 1. A method of selecting a word line in a dynamic random access memory to store a voltage level in a memory cell comprising: coupling a controlled high supply voltage level that is greater than the voltage level stored in the memory cell to a level shifter circuit, the level shifter circuit comprising a pair of cross-coupled transistors connected drain-to-gate and having respective sources coupled to the controlled high supply voltage; coupling a logic signal having only logic levels that are less than the controlled high supply voltage level to the level shifter circuit to produce a control signal having a logic state at the controlled high supply voltage level; and driving a selected word line to the controlled high supply voltage level in response to the control signal. 대표도면
185 62 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A method of selecting a word line in a dynamic random access memory to store a voltage level in a memory cell comprising: 메모리셀에전압레벨을저장하기위한 DRAM에워드라인을선택하는방법 ; 1 coupling a controlled high supply voltage level that is greater than the voltage level stored in the memory cell to a level shifter circuit, the level shifter circuit comprising a pair of cross-coupled transistors connected drain-to-gate and having respective sources coupled to the controlled high supply voltage; 제어되는고전압공급레벨을커플링 ; - 상기저압레벨은메모리셀에서레벨쉬프터회로에저장된전압보다큼. - 레벨쉬프터회로는몇몇교차결합된트랜지스터에연결된드레인 게이트를포함하고제어되는고저압공급에결합되는각각의소스들을가짐. coupling a logic signal having only logic levels that are less than the controlled high supply voltage level to the level shifter circuit to produce a control signal having a logic state at the controlled high supply voltage level; 단지로직레벨을가지는로직신호를커플링 ; - 로직신호레벨은제어되는고전압서플라이보다적음. - 레벨쉬프터회로는제어되는고저압레벨에서로직스테이트를가지는제어신호를생성함. and driving a selected word line to the controlled high supply voltage level in response to the control signal. 상기제어신호에응답하여선택된워드라인을제어되는고전압서플라이레벨에드라이빙 ;
186 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 63 카. US (1) 서지적사항 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Serconet, Ltd 권리취득형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 MOSAID Network for telephony and data communication H04M-011/00, 통신 1. A device for coupling a data unit to a digital data signal and for coupling a service unit to an analog service signal, for use with a service wire pair installed in walls of a building, the service wire pair concurrently carrying a bi-directional digital data signal and an analog service signal carried over a service signal frequency band, using frequency division multiplexing, wherein the digital data signal is carried over a frequency band distinct from the service signal frequency band, wherein said device comprises a single enclosure and, within said single enclosure: a wiring connector for connecting to the service wire pair, a first filter coupled to the wiring connector for passing only the analog service signal, a standard service connector coupled to the first filter and connectable to the service unit for coupling the service unit to the analog service signal, a second filter coupled to the wiring connector for passing only the digital data signal, a modem coupled to the second filter for transmitting the digital data signal to the service wire pair and for receiving the digital data signal from the service wire pair, a standard data connector connectable to the data unit, a transceiver coupled to the standard data connector for coupling packet-based bi-directional digital data to the data unit, a multiport device consisting of one of a bridge, a router and a gateway coupled to pass data between said modem and said transceiver for coupling the digital data carried by the digital data signal and the packet based digital data, and a power supply coupled to the modem and the transceiver for powering the modem and the transceiver.
187 64 주요 NPEs 분석 대표도면 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1. A device for coupling a data unit to a digital data signal and for coupling a service unit to an analog service signal, 서비스유닛을아날로그서비스신호에커플링 하기위해데이터유닛을디지털데이터신호 에커플링하는장치 for use with a service wire pair installed in walls of a building, 건물의벽에설치되는서비스와이어페어를 가지는사용하기위한것으로, 1 the service wire pair concurrently carrying a bi-directional digital data signal and an analog service signal carried over a service signal frequency band, using frequency division multiplexing, 상기서비스와이어페어는양방향디지털데 이터신호와아날로그서비스신호를운반함. 주파수분할멀티플렉싱을사용 wherein the digital data signal is carried over a frequency band distinct from the service signal frequency band, 디지털데이터신호는서비스신호주파수밴 드로부터주파수밴드거리에서운반됨. wherein said device comprises a single enclosure and, 상기장치는인클로저내에서다음을포함함. within said single enclosure: 하나의인클로저 a wiring connector for connecting to the service wire pair, 서비스와이어페어에연결하기위한와이어링 커넥터
188 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 65 No. 청구항구성요소및한정요소 a first filter coupled to the wiring connector for passing only the analog service signal, 단지아날로그서비스신호를패싱하기위한와이어링커넥터에연결된제 1 필터. a standard service connector coupled to the first filter and connectable to the service unit for coupling the service unit to the analog service signal, 제 1 필터에연결서비스아날로그서비스신호에서비스유닛을결합하기위한서비스유닛에연결가능한표준서비스커넥터 a second filter coupled to the wiring connector for passing only the digital data signal, 단지디지털데이터신호만을패싱시키기위한와이어링커텍터에결합되는제 2 필터 a modem coupled to the second filter for transmitting the digital data signal to the service wire pair and for receiving the digital data signal from the service wire pair, 디지털데이터신호를서비스와이어페어로전송하고디지털데이터신호를와이어서버페어로부터수신하도록결합되는모뎀 a standard data connector connectable to the data unit, 표준데이터커넥터 a transceiver coupled to the standard data connector for coupling packet-based bi-directional digital data to the data unit, 표준데이터커넥터에결합된트랜지서브리지, 라우터및게이트웨이중하나로구성된멀티포트 a multiport device consisting of one of a bridge, a router and a gateway coupled to pass data between said modem and said transceiver for coupling the digital data carried by the digital data signal and the packet based digital data, and a power supply coupled to the modem and the transceiver for powering the modem and the transceiver. 모뎀및트랜시버에결합된파워서플라이
189 66 주요 NPEs 분석 파. US (1) 서지적사항 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인권리취득형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 MOSAID Distributed serial control system G06F-015/46, 반도체 1. A network topology allowing distributed sensing, control and communication, comprising: a power source, a plurality of line-powered, Serially connected Intelligent Cells (PSICs) coupled to the power source and to each other via respective communication channels each allowing mutually independent communication in either or both directions and comprising at least two electrical conductors, addressing means for uniquely referencing each of said PSICs, and at least one payload element coupled to one of the PSICs for operating in accordance with control logic embedded in or fed to said one of the PSICs. 대표도면
190 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 67 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A network topology allowing distributed sensing, control and communication, comprising: 분산센싱, 제어및통신을허용하는네트워크토폴로지 a power source, 파워소스 a plurality of line-powered, 다수의라인파워드 1 Serially connected Intelligent Cells (PSICs) coupled to the power source and to each other via respective communication channels each allowing mutually independent communication in either or both directions and comprising at least two electrical conductors, 파워소스에결하된 PSIC - 각각의통신채널을통해각자상호독립적으로하나혹은양방향통신을허여함. addressing means for uniquely referencing each of said PSICs, PSIC 의레퍼런싱을위한어드레싱수단 and at least one payload element coupled to one of the PSICs for operating in accordance with control logic embedded in or fed to said one of the PSICs. 적어도하나의플레이로드요소는 PSIC에임베디드되거나페드된제어신호에따른동작을위한 PSIC 중하나에결합되어있음.
191 68 주요 NPEs 분석 제 2 절 Wi-LAN 1. 업체현황 가. 설립및연혁와이랜 (Wi-LAN, Inc) 은 1992년캐나다하팀자글룰 (Hatim Zaghloul) 과사예드아므르엘하맘시 (Sayed-Amr El-Hamamsy) 가공동창립했으며 CEO는사예드아므르엘하맘시이다. 광역무선기술을개발하고디자인하는기업으로서, 그의특허포트폴리오는 CDMA 휴대전화, 무선노트북, 무선라우터, 게임콘솔, 디지털 TV, 셋톱박스, 디지털비디오레코더등커뮤니케이션을위한기술및소비자전자제품에광범위하게적용되고있다. 나. 조직및규모 와이랜은 2010 년기준으로직원은 35 명이며, 이사는 7 명으로구성되어있다. [ 그림 2-2-1] 와이랜의조직도 매출부분에서와이랜은 2010년 50.7백만달러의매출을기록하여, 2009년대비 43% 신장하였다. 와이랜의포트폴리오는기본적으로무선, 유선, V-Chip 기술로구분되며현재까지 900여개의특허를보유하고있다. 현재사업을다각화하기위해통신, 비디오칩기술이외에 4G, 블루투스, 센서네트워크의특허를추가로개발및매입하고있는상황이다. 24) 24) 와이랜 2010 연간보고서참조
192 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 69 다. 비즈니스모델와이랜은초창기통신기술개발업체로시작하여현재는통신분야에그치지않고꾸준히특허매입활동을하여, 2006년부터제품생산보다라이센스업무에주력하게되었다. 2007년부터본격적으로소송을제기하기시작하여로얄티수입을거둬들이고있다. 현재까지애플, 브로드컴, 휴렛-패커드, 인텔, 소니, 도시바등 22개업체를대상으로소송을제기하는등앞으로도더많은활동을할것으로예상되는업체이다. 최근와이랜의공시자료에의하면, 특허소송및라이센스분야를강화하기위해매트파솔카 (Matt Pasulka) 를부사장으로고용하였다. 그는 14년간합병및 IP분야에법률전문가로서, 특허소송및라이센스분야를지원할것으로언급하였다. 이에따라와이랜은향후더욱더특허권권리행사를강화시킬것으로예상된다. 25) 2. 특허포트폴리오분석 가. 보유특허현황와이랜의홈페이지및기업공개정보를참조하여현재 900여건의특허를보유하고있는것으로조사되었다. 그러나자체적으로검색한결과와이랜의출원인으로검색된결과와양수, 양도현황을살펴본바로는 412건으로나타났다. 이는출원인기준검색은권리이전관계가반영되지않으며, USPTO 에미등록경우가있기때문에상이한것으로추정된다. (1) 연도별및국가별특허현황 [ 그림 2-2-2] 와이랜의연도별출원현황 [ 그림 2-2-3] 와이랜의국가별현황 25)
193 70 주요 NPEs 분석 출원은꾸준히증가하다 2000년부터 2005년까지감소한후, 2006년부터증가하여 2008년에는 50건, 2009년에는 36건의출원을기록했다. 이러한출원동향을볼때기술개발및포트폴리오를강화하고있는것으로추정된다. 2010년도이후출원은아직공개되지않아통계상반영되지않았다. 국가별출원현황을살펴보면, 미국이 351건으로대다수를차지하고있으며, 유럽 41건, 한국 15 건, 일본 4건순으로분포되었다. (2) 기술분야별특허건수 [ 그림 2-2-4] 기술분야별특허건수 와이랜은기본적으로 Wi-Fi 및 OFDM등의통신기술및 V-Chip 비디오기술로부터시작된 NPE 이다. 이를반영하듯포트폴리오전체 412건의특허중 81% 인 375건이통신기술분야의특허이며, 그중 301건이무선통신분야의특허이이다. 나머지기술은비디오기술및기타센서네트워크등의기술을보유하고있다. 다만사업의다각화를추진하고있어비디오및기타전자분야의매입이증가할것으로예상된다. 나. 권리이전현황와이랜은현재까지 338건의특허를양수받고 5건의특허를양도한것으로조사되었다. 특허양도는자산활용이라는측면에서이루어진것으로판단되며 2006 년시스코테크놀러지 (CISCO TECHNOLOGY, INC.) 사에 3건, 2010 년위스트론코퍼레이션 (WISTRON CORPORATION) 에 2건을양도한전례가있다. 26) 특허양수는양도에비해매우활발하게이루어지고있으므로아래에서상세히살펴보기로한다. 26) USPTO 권리이전검색사이트참조 (
194 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 71 (1) 연도별및기술분야별양수현황 [ 그림 2-2-5] 연도별양수현황 2006 년도부터급격히증가하는추세인것을확인할수있는데이는와이랜이 2007 년부터적극적 으로소송을진행하기시작한시기와일치함을알수있다. (2) 양도인분류 [ 그림 2-2-6] 양도업체현황 양도인중기업이차지하는비중이대부분기업또는개인이며, 기업은 84% 인 285 건으로가장많 은비중을차지하고개인은 16% 인 52 건을차지하였다. 나머지는대학으로 1 건으로나타났다.
195 72 주요 NPEs 분석 [ 그림 2-2-7] 양도업체의양도건수 양도업체중에는와이맥스네트워크장비제조업체인넥스트웨이브브로드밴드 (Nextwave Broadband Inc) 사가 52건으로가장많았으며, 이외에는엔젬블커뮤니케이션 (Ensemble Communication), 인피니언테크놀러지 (Infineon Technologies), 노키아 (Nokia) 가각각 43건, 36건, 35건으로양도가있었다. 나머지기업들은골고루분포된모습으로특정회사에치우지지는않았다. 3. 특허소송및분쟁현황 가. 소송현황 - 전체리스트 ( 표 ) 27) < 표 2-2-1> Wi-LAN 의특허소송리스트 NO 소송 Title 사건번호제소일관할법원 WI-Lan, Inc. v. Acer, Inc. et al WI-Lan, Inc. v. Westell Technologies, Inc et al Marvell Semiconductor, Inc. v. Wi-Lan, Inc. WI-Lan, Inc. v. Research In Motion Corporation et al 2:2007-cv :2007-cv :2007-cv :2008-cv 텍사스동부지방법원 텍사스동부지방법원 캘리포니아북부지방법원 텍사스동부지방법원 소의종류 종료일 특허침해 특허침해 특허피침해 특허침해 ) PACER 참조 (
196 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 73 NO 소송 Title 사건번호제소일관할법원 소의종류 종료일 5 Intel Corporation v. Wi-Lan, Inc. 5:2008-cv 캘리포니아북부지방법원 특허피침해 Marvell Semiconductor Inc. et al v. WI-Lan, Inc., 5:2008-cv 캘리포니아북부지방법원 특허피침해 Broadcom Corporation et al v. WI-Lan, Inc., 5:2008-cv 캘리포니아북부지방법원 특허피침해 Acer America Corp. et al v. WI-Lan, Inc., 5:2008-cv 캘리포니아북부지방법원 특허피침해 Sony Computer Entertainment America Inc. et al v. WI-Lan, Inc., 5:2008-cv 캘리포니아북부지방법원 특허피침해 Intel Corporation v. Wi-Lan, Inc. 2:2009-cv 텍사스동부지방법원 특허피침해 진행중 11 WI-LAN Inc. v. Conexant Systems, Inc. 2:2009-cv 텍사스동부지방법원 특허침해 Broadcom Corporation et al v. WI-Lan, Inc., 2:2009-cv 텍사스동부지방법원 특허피침해 Marvell Semiconductor Inc. et al v. WI-Lan, Inc., 2:2009-cv 텍사스동부지방법원 특허피침해 Acer America Corp. et al v. WI-Lan, Inc., 2:2009-cv 텍사스동부지방법원 특허피침해 Calix Networks, Inc. v Wi-Lan, Inc. 3:2009-cv 캘리포니아북부지방법원 특허피침해 Wi-Lan Inc. v. LG Electronics, Inc. et al 1:2010-cv 뉴욕남부지방법원 특허침해 진행중 17 WI-LAN Inc. v. Calix, Inc. 2:2010-cv 텍사스동부지방법원 특허침해 WI-LAN Inc. v. Acer, Inc. et al 2:2010-cv 텍사스동부지방법원 특허침해 진행중 19 Aliphcom v. Wi-Lan, Inc. 5:2010-cv 캘리포니아북부지방법원 특허침해 WI-LAN Inc. v. Alcatel- Lucent USA Inc. et al 2:2010-cv 텍사스동부지방법원 특허침해 WI-LAN Inc. v. Alcatel- Lucent USA Inc. et al 6:2010-cv 텍사스동부지방법원 특허침해 진행중 22 Aliphcom v. Wi-Lan, Inc. 2:2010-cv 텍사스동부지방법원 특허피침해
197 74 주요 NPEs 분석 NO 소송 Title 사건번호제소일관할법원 소의종류 종료일 23 WI-LAN Inc. v. Time Warner Cable, Inc. et al 6:2010-cv 텍사스동부지방법원 특허침해 진행중 24 WI-LAN Inc. v. Calix, Inc. 3:2011-cv WI-LAN Inc. v. HTC Corporation et al 2:2011-cv 캘리포니아북부지방법원 텍사스동부지방법원 특허침해 특허침해 진행중 나. 소송에사용된특허 28) < 표 2-2-2> 소송에사용된특허리스트 순번특허번호발명의명칭매입여부 US Method and apparatus for multiple access between transceivers in wireless communications using OFDM spread spectrum USRE37802 Multicode direct sequence spread spectrum US Method and apparatus for multiple access between transceivers in wireless communications using OFDM spread spectrum USRE37802 Multicode direct sequence spread spectrum US Power conservation for pots and modulated data transmission US Multicode direct sequence spread spectrum US Multicode spread spectrum communications system US Multicode spread spectrum communications system US Method and apparatus for multiple access between transceivers in wireless communications using OFDM spread spectrum US Method and apparatus for multiple access between transceivers in wireless communications using OFDM spread spectrum USRE37802 Multicode direct sequence spread spectrum US US US US Method and apparatus for implementing a MAC coprocessor in a communication system Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Failure redundancy between modem interface cards and outdoor units in a wireless communication system Method and apparatus for data transportation and synchronization between MAC and physical layers in a wireless communication system 28) PACER 참조 ( IPAS 참조 (
198 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 75 순번특허번호발명의명칭매입여부 US Method for allocating fractional bandwidth in a fixed-frame communication system US Scalable wireless network topology systems and methods US US Frame structure for an adaptive modulation wireless communication system Optical recording medium as well as method and device for recording and reading same US Synchronizing clocks across a communication link 5 US Method and apparatus for allocating bandwidth in a wireless communication system US OFDM receiver with adaptive equalizer US Method and system for adaptively obtaining bandwidth allocation requests US Adaptive call admission control for use in a wireless communication system US Framing for an adaptive modulation communication system US Adaptive call control for use in a wireless communication system US Method of assigning radio channels in wireless network US Framing for an adaptive modulation communication system 6 US US US US US US US US Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Method and apparatus for implementing a MAC coprocessor in a communication system Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Failure redundancy between modem interface cards and outdoor units in a wireless communication system Method and apparatus for data transportation and synchronization between MAC and physical layers in a wireless communication system US Method for allocating fractional bandwidth in a fixed-frame communication system US Scalable wireless network topology systems and methods
199 76 주요 NPEs 분석 순번특허번호발명의명칭매입여부 10 US Frame structure for an adaptive modulation wireless communication system US Method and apparatus for allocating bandwidth in a wireless communication system US Synchronizing clocks across a communication link US Method and apparatus for allocating bandwidth in a wireless communication system US OFDM receiver with adaptive equalizer US US Method and system for adaptively obtaining bandwidth allocation requests Adaptive call admission control for use in a wireless communication system US Method and system for reducing channel interference in a frame-synchronized wireless communication system US Framing for an adaptive modulation communication system US Adaptive call control for use in a wireless communication system US Method of assigning radio channels in wireless network US Framing for an adaptive modulation communication system 11 US Power conservation for pots and modulated data transmission 12 US US US Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system 15 US Power conservation for pots and modulated data transmission US US Method and system for authenticated fast channel change of media provided over a DSL connection Method and apparatus for selectively blocking audio and video signals US Power conservation for pots and modulated data transmission US US US US Method and system for authenticated fast channel change of media provided over a DSL connection Method for frequency sharing and frequency punchout in frequency hopping communications network Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Method for frequency sharing and frequency punchout in frequency hopping communications network
200 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 77 순번특허번호발명의명칭매입여부 19 US US US US US US US US US US US Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Processing data transmitted and received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system Controlling interference in a cell of a wireless telecommunications system Processing data transmitted and received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system Processing data transmitted and received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system Controlling interference in a cell of a wireless telecommunications system Processing data transmitted and received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system Processing data transmitted and received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system Method for frequency sharing and frequency punchout in frequency hopping communications network Asymmetric adaptive modulation in a wireless communication system Hybrid multichannel data transmission system utilizing a broadcast medium US Power conservation for pots and modulated data transmission US Method and system for authenticated fast channel change of media provided over a DSL connection US Method and apparatus for multiple access between transceivers in wireless communications using OFDM spread spectrum USRE37802 Multicode direct sequence spread spectrum 와이랜이제기한소송에사용된특허는모두 35건이며, 이중, 자체출원건은 3건 (US , US , US ) 만이사용되었으며, 대부분양수받은사건이다. 아래테이블은와이랜이양도받은특허가최초소송까지걸리는기간을나타내었다. 기준은양수받은후 1년이내에소송을제기한경우는 A, 1년에서 2년까지 B, 2년이상된경우를 C로구분하였다.
201 78 주요 NPEs 분석 < 표 2-2-3> 양도와소송과의관계 특허번호 양수일 최초소송일 최초소송까지의기간 ( 달 ) A RE B A C B C C C C C C C C C C C C B B C C C C A B B B B C 평균적으로양수후첫소송일까지기간은 2 년 10 개월로서, 대체적으로 C 등급이많은것을알수 있다. 이는양수된건을바로소송으로진행하지는않은것으로파악되었다.
202 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 79 다. 개별분쟁현황상기소송 25건의최근사건중이슈가될수있는 5건을선정하였으며, 그이유는다음과같다. 참고로개별분쟁소송현황은미국소송관련사이트인 PACER 를참조하였다. 18번. 와이랜은에이서, 애플, 델등세계적인 PC 및휴대폰제조업체를상대로블루투스기술관련특허를근거로처음으로특허침해소송을제기하였다. 이에대한결과, 업계에파급효과가클것으로예상되어선정하였다. 순번 18 사건번호 2:2010-cv 원고 WI-LAN Inc. 피고 관할법원 Acer, Apple Inc., Atheros, Belkin international, Broadcom Corporation, D-Link, Dell Inc., Gateway Inc., Hewlett-Packard Company, Intel, LG Electronics Marvell Semiconductor, Inc., Motorola, Personal Comunications devices, Sony Corporation, Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation, Utstarcom,inc AliphCom, CSR plc, SiRF Technology, Inc. 텍사스동부지방법원 제소일 소의종류관련특허기술내용진행상태사건요약 특허침해 US , US 블루투스기술진행중 원고인와이랜은피고들의컴퓨터및무선관련제품이블루투스표준에부합하는자사특허1건을침해하고있음을주장하면서이에대한손해배상및침해금지를주장하는소송을제기함 ( ) 와이랜은침해특허에 369특허이외에 759특허를추가하였으며, 피고 (AliphCom, CSR plc, SiRF Technology, Inc.) 를추가한보정된소장을제출함 ( ) D-Link사는합의후소취하됨 ( ) Apple Inc. 및일부피고들이반소를제기하는답변서제출함 ( ) 21 번. 이사건또한피소업체가세계최대의통신장비업체이며, 우리기업이 LG 전자가포함되어 있어업계파급효과가상당할것으로예상되어선정하였다.
203 80 주요 NPEs 분석 순번 21 사건번호 6:2010-cv 원고 WI-LAN Inc. 피고 관할법원 ALCATEL-LUCENT USA INC. Ericsson Inc. Sony Ericsson Mobile Communications (USA) Inc. HTC Corporation LG ELECTRONICS U.S.A. 텍사스동부지방법원 제소일 소의종류관련특허기술내용진행상태사건요약 특허침해 US ; US ; US ; US GPP 표준에따른무선통신제품소취하 원고인와이랜은피고들의통신제품이 3GPP 표준에부합하는자사특허4건을침해하고있음을주장하면서이에대한손해배상및침해금지를주장하는소송을제기함 ( ) 소니에릭슨 (Sony Ericsson) 이소장에대한답변서제출함 ( ) 소니에릭슨이반소를제기하는답변서제출함 ( ) LG 전자는 2010년 12.23에와이랜과합의후소취하함 ( ) 앨카텔루슨트 (Alcatel-Lucent) 가반소를제기하는답변서제출함 ( ) HTC 및엑스데아 (Exedea Inc.) 는답변서제출함 ( ) HTC사는캘리포니아남부지법으로이송요청 ( ) 와이랜은피고의반소에대한답변서제출함 ( ) 법원은 6월9일컨퍼런스에서 2013년 4월에 Jury Selection 및 Trial을개시할것을예고함 ( ) 23 번, 와이랜은이전에소송에사용되지않았던특허를근거로케이블통신장비업체에제소하였 다. 이번사건을계기로향후어떤방향으로진행될지관심있게지켜봐야할사건이므로판단되어선 정하였다.
204 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 81 순번 23 사건번호 6:2010-cv 원고 WI-LAN Inc. 피고 관할법원 TIME WARNER CABLE, INC. COMCAST CORPORATION CHARTER COMMUNICATIONS, INC. 텍사스동부지방법원 제소일 소의종류관련특허기술내용진행상태사건요약 특허침해 US 케이블모뎀진행중 원고인와이랜은피고들의케이블모뎀이자사특허1건을침해하고있음을주장하면서이에대한손해배상및침해금지를주장하는소송을제기함 ( ) 피고의답변대기중 24 번. 이번사건은와이랜과칼릭스 (Calix) 사의소송으로, 칼릭스사는금번소송이외에도비침해소 송등 2 건이관련되어있어, 관심있게지켜봐야할사안으로결정되어선정하였다. 순번 24 사건번호 3:2011-cv 원고 WI-LAN Inc. 피고 Calix, Inc. 관할법원 캘리포니아북부지방법원 제소일 소의종류관련특허기술내용진행상태사건요약 특허침해 US ; US DSL 기술소취하 원고인와이랜은텍사스동부지법에 Calix, Inc. 의 DSL 제품이자사특허2건을침해하고있음을주장하면서이에대한손해배상및침해금지를주장하는소송을제기함 ( ) 칼릭스 (Calix, Inc.) 사는반소를제기하는답변서제출함 ( )
205 82 주요 NPEs 분석 사건요약 와이랜은재판관할법원을변경해줄것을요청함 ( ) 법원은본사건 (2:10-cv-00117) 을캘리포니아북부지법으로이송결정함 (3:2011-cv-00004)( ) 와이랜은칼릭스사의반소에대한답변서제출함 ( ) 칼릭스사가관련사건2건 (CV CRB and Case No. C EMC) 에병합심리할것을요청함 ( ) 법원은병합심리를허여함 ( ) 당사자간의합의후소취하 ( ) 25 번. 이번사건은가장최근의사건으로, 와이랜이처음으로소송에사용된특허를근거로 HTC 및그의자회사를상대로소를제기하였다. 향후 HTC 의대응이주목되는사건이므로선정하였다. 순번 25 사건번호 2:2011-cv 원고 WI-LAN Inc. 피고 관할법원 HTC CORPORATION, HTC AMERICA, INC. EXEDEA, INC. 텍사스동부지방법원 제소일 소의종류관련특허기술내용진행상태사건요약 특허침해 RE37802; US Wi-Fi, CDMA 진행중 원고인와이랜은 HTC 및 HTC의자회사인엑스디아 (EXEDEA, INC) 의휴대폰이자사특허2건을침해하고있음을주장하면서이에대한손해배상및침해금지를주장하는소송을제기함 ( ) HTC 및엑스디아는현재답변서제출연장을요청하여법원의허가를받은상태임
206 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 83 라. 와이랜소송특허의위험성분석 < 표 2-2-4> 와이랜소송특허위험성분석테이블 통합번호소송이력표준기술특허 표준기술특허 (Citattion) US O 1 USRE X 16 US X 0 US O 2 US O 3 US O 2 US O 1 US O 3 US X 0 US O 6 US O 2 US O 2 US X 1 US O 2 US O 3 US O 2 US O 3 US X 0 US O 2 US O 5 US O 2 US X 0 US X 0 US X 0 US X 2 US X 0 US X 1 US X 2 US X 0 NPEs 위험도 우리기업제소 회
207 84 주요 NPEs 분석 상기테이블에서소송이력은해당특허가소송에활용된횟수, 표준기술특허인용 (citation) 은인용특허중표준특허의개수, NPEs 위험도는전년대비금년의특허권리행사정도를지수화하여나타낸위험도 ( 총 548개의대상 NPEs를기준으로위험도를산출, 와이랜은 NPEs 위험도에서 8위 ) 를의미한다. 상기소송특허중한국에패밀리출원이되어있는특허는 6건으로조사되었다. 구체적인번호는아래와같다. < 표 2-2-5> 소송특허의한국패밀리현황 순번 특허번호 한국패밀리 KR B1 KR B KR B1 KR B KR B1 KR B1 KR B KR B KR B1 KR B KR B1 4. 대응전략및시사점 가. 모니터링와이랜은통신및그래픽기술분야에서상당한특허포트폴리오를구축하고라이센스및특허소송을활발히진행하고있다. 따라서이에대응하기위해서는포트폴리오및소송에대한꾸준한모니터링이필요하다. 최근 2011년 1분기와이랜은브로드컴코퍼레이션 (Broadcom Corporation), 인텔코퍼레이션 (Intel Corporation), 마블테크놀러지그룹 (Marvell Technology Group Ltd.) 등 9개업체와라이센싱계약을체결하여현재 249개업체와라이센싱계약을체결중에있다. 1분기계약체결건중대부분소송중합의하에라이센싱계약을이끌어낸것이다. 한편, 와이랜은통신및그래픽분야이외에포트폴리오구축강화를시도하고있다. 일례로 2011 년 1분기와이랜은인터넷광고에관련된포인트코퍼레이션 (Poynt Corporation) 사의특허를사용할수있는라이센싱파트너쉽계약을체결하였다. 이외에도원격접속기술과관련된특허를보유하고있는 01 커뮤니크 (01 Communique Laboratory Inc.) 사와도파트너쉽계약을체결하였다. 이는
208 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 85 매입만으로포트폴리오를강화하는것으로한정하지않고다양한방법을통해포트폴리오강화를시도하고있음을알수있다. 나. 와이랜의포트폴리오강화전략에따른대응와이랜은앞서와같이통신및그래픽기술분야이외에도다양한방법으로포트폴리오구축강화를시도하고있다. 기본적으로와이랜을포함한 NPE는포트폴리오구축강화를통해기존라이센스계약은갱신을하고새로운라이센시 (licensee) 발굴을통해회사의수익을창출한다는전략을가지고있다. 이를위해새로운특허발굴 (mining) 활동을꾸준히하고있는것이다. 와이랜의소송현황을살펴보면, 2007년을시작으로꾸준하게연간 6~7건정도를진행하고있으며, 지속적으로특허포트폴리오를강화하고있어, 올하반기에도소송을진행할가능성이높다고판단된다. 특히, 와이랜이 1분기에라이센스파트너쉽계약을체결한기술에대해향후상당히공격적으로라이센스체결을유도할것으로판단됨. 새로운기술분야는무선으로호스트 PC에접속하는기기나소프트웨어기술과스마트폰에적용될수있는인터넷광고기술등으로, IT 제조업체와상당히관련이높을것으로판단되어미리분쟁에대비할필요가있을것이다.
209 86 주요 NPEs 분석 5. 주요 ( 소송 ) 특허분석 가. US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Metricom, Inc. 권리이전형태양수 최종권리자 발명의명칭 Wi-LAN INC. Method for frequency sharing and frequency punchout in frequency hopping communications network 기술분류블루투스기술 (H04J-001/14) 대표청구항 1.In a communications network having a plurality of channel-agile nodes each node capable of transmitting and receiving data over a plurality of shared channels, said shared channels having a first order, a method for enabling a first node and a second node to follow a shared randomized channel-hopping band plan for transmissions to said first node while avoiding channels containing interference, comprising the steps of: a) assigning to each node a unique seed value that can be used by a pseudo-random number generator to generate a list of channels in pseudo-random order; b) determining a channel punchout mask for each node, said channel mask indicating in said first order those channels on which that node experiences interference; c) at said first node, applying said first node's channel mask to a first ordered channel list to eliminate channels on which said first node experiences interference thereby deriving a masked channel list for said first node; d) at said first node, determining a channel-hopping band plan for receiving transmissions to said first node by ordering the channels in said first node's channel list according to a sequence generated by a pseudo-random number generator seeded with said first node's seed value; e) transmitting from said first node to said second node an acquisition packet, said acquisition packet including said first node's seed value and said first node's channel mask;
210 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 87 대표청구항 f) at said second node, applying said transmitted channel mask from said first node to said first ordered channel list to eliminate channels on which said first node experiences interference to obtain a masked channel list for said first node at said second node; g) at said second node, determining a channel-hopping band plan for transmissions to said first node by ordering the channels in said first node's channel list according to a sequence generated by a pseudo-random number generator seeded with said first node's transmitted seed value; and h) thereafter transmitting data to said first node from said second node according to said first node's channel-hopping band plan. 대표도면
211 88 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 In a communications network having a plurality of channel-agile nodes each node capable of transmitting and receiving data over a plurality of shared channels, said shared channels having a first order, a method for enabling a first node and a second node to follow a shared randomized channel-hopping band plan for transmissions to said first node while avoiding channels containing interference, comprising the steps of: a) assigning to each node a unique seed value that can be used by a pseudorandom number generator to generate a list of channels in pseudo-random order; < 기술범주 > 복수의공유채널을통해데이터를송수신할수있는다수의채널노드를갖으며, 상기공유채널은제1 오더를포함하는네트워크에서제1 노드와제2 노드가간섭을회피할수있는설정방법 < 구성요소 > a) 랜덤명령에서채널리스트를생성하기위해각노드에랜덤불생기에의해생성된랜덤유일시드값을각노드에할당하는과정 1 b) determining a channel punchout mask for each node, said channel mask indicating in said first order those channels on which that node experiences interference; b) 각노드에대한채널펀치아웃마스크를결정하며, 상기채널마스크는상기제1 명령을나타냄. c) at said first node, applying said first node's channel mask to a first ordered channel list to eliminate channels on which said first node experiences interference thereby deriving a masked channel list for said first node; c) 상기제1 노드에서, 상기제1 노드경험간섭을제거함으로써상기제1 노드에대한마스크채널리스트를이끌어내기위해, 첫번째코드채널마스크를첫번째명령된채널리스트에적용하는과정 d) at said first node, determining a channel-hopping band plan for receiving transmissions to said first node by ordering the channels in said first node's channel list according to a sequence d) 상기제1 노드의시드값을갖는램덤생성기에의해생성된시퀀스에따른상기제1 노드의채널리스트에서의채널에명령함에따라상기제1 노드에서상기제1 노드의전송채널호핑밴드플랜을결정하는과정
212 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 89 No. 청구항 구성요소및한정요소 generated by a pseudo-random number generator seeded with said first node's seed value; e) transmitting from said first node to said second node an acquisition packet, said acquisition packet including said first node's seed value and said first node's channel mask; e) 상기제1 노드에서상기제2 노드로획득패킷을전송하는과정, 여기서상기획득패킷은상기제1노드의시드값과채널마스크를포함함 f) at said second node, applying said transmitted channel mask from said first node to said first ordered channel list to eliminate channels on which said first node experiences interference to obtain a masked channel list for said first node at said second node; f) 상기제2 노드에서, 상기제1 노드의간섭채널을제거하기위해상기제1 노드로부터전송된상기채널마스크를적용하는과정 g) at said second node, determining a channel-hopping band plan for transmissions to said first node by ordering the channels in said first node's channel list according to a sequence generated by a pseudo-random number generator seeded with said first node's transmitted seed value; and g) 제2 노드에서, 상기제1 노드의채널리스트의채널오더에의해상기제1 노드로의전송에대한채널호핑밴드플랜을결정하는과정여기서상기제1 노드의채널리스트는상기제1 노드의전송된시드값을갖는랜덤생성기에의해생성된시퀀스임 h) thereafter transmitting data to said first node from said second node according to said first node's channel-hopping band plan. h) 상기제1 노드의채널호핑밴드플랜에따라상기제2 노드에서상기제1 노드로데이터를전송하는과정
213 90 주요 NPEs 분석 나. US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Airspan Communications Corporation 권리이전형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Wi-LAN INC. Processing data transmitted and received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system 3GPP 표준에따른무선통신제품 (H04J-011/00) 1. A reception controller for processing data items received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system, a single frequency channel being employed for transmitting data items pertaining to a plurality of wireless links, and `m` orthogonal channels being provided within the single frequency channel, the receiver controller comprising: an orthogonal code generator for providing an orthogonal code from a set of `m` orthogonal codes used to create said `m` orthogonal channels within the single frequency channel; a first decoder for applying, to signals received on the single frequency channel, the orthogonal code provided by the orthogonal code generator, in order to isolate data items transmitted within the corresponding orthogonal channel; and a TDM decoder arranged to extract a data item from a predetermined time slot within said orthogonal channel, a plurality of data items relating to different wireless links being transmitted within the same orthogonal channel during a predetermined frame period. 대표도면
214 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 91 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A transmission controller for processing data items to be transmitted over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system, a single frequency channel being employed for transmitting data items pertaining to a plurality of wireless links, the transmission controller comprising: a) an orthogonal code generator for providing an orthogonal code from a set of `m` orthogonal codes used to create `m` orthogonal channels within the single frequency channel; < 기술범주 > 데이터아이템을전송하는싱글주파수채널을무선통신시스템에서중앙터미널과가입자터미널을연결하는무선링크를통해데이터아이템을처리하는전송제어치. < 구성요소 > a) 상기싱글주파수내에 m' 직교코드채널을생성하기위해사용되는 m 직교코드세트로부터직교코드를생성하는직교코드생성기 1 b) a first encoder for combining a data item to be transmitted on the single frequency channel with said orthogonal code from the orthogonal code generator, the orthogonal code determining the orthogonal channel over which the data item is transmitted, whereby data items pertaining to different wireless links may be transmitted simultaneously within different orthogonal channels of said single frequency channel; and b) 상기직교코드생성기로부터상기직교코드를갖는싱글주파수채널에전송된데이터아이템을결합하는제1 인코더, 여기서상기직교코드는데이터아이템에전송될직교채널을결정하며, 상기다른무선링크에관련된데이터아이템은동시에상기싱글주파수채널의다른직교채널로전송됨. c) a TDM encoder arranged to apply time division multiplexing (TDM) techniques to the data item in order to insert the data item within a time slot of the orthogonal channel, whereby a plurality of data items relating to different wireless links may be transmitted within the same orthogonal channel during a predetermined frame period. c) 상기직교채널의타임슬롯내에상기데이터아이템을삽입하기위해상기데이터아이템에 TDM 기술을배열하는 TDM 인코더. 여기서다른무선링크와관련된다수의데이터아이템은미리결정된프레임기간동안동일직교채널내에전송됨
215 92 주요 NPEs 분석 다. US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Airspan Networks, Inc. 권리이전형태 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Wi-LAN INC. Controlling interference in a cell of a wireless telecommunications system 3GPP 표준에따른무선통신제품 (H04J-011/00) 1. An interference controller for limiting in one cell the effect of interference generated by other cells of a wireless telecommunications system, each cell of the wireless telecommunications system having a central terminal and a plurality of subscriber terminals, communication between a central terminal and a subscriber terminal being arranged to occur over a wireless link, a plurality of code division multiplexed channels being provided within a single frequency channel to enable data items pertaining to a plurality of wireless links to be transmitted simultaneously within different code division multiplexed channels of said single frequency channel, the interference controller comprising: a channel controller arranged to allocate a number of said plurality of code division multiplexed channels as a channel pool of code division multiplexed channels available for the establishment of said wireless links; an analyzer for receiving parameters pertaining to a wireless link within the cell indicative of whether that wireless link is subject to interference from signals generated by said other cells, the analyzer being arranged to compare those parameters with predetermined criteria and to generate an output signal dependent on the comparison; a channel controller being responsive to the output signal from the analyser, to selectively reduce the number of code division multiplexed channels in the channel pool in order to reduce the effect of the interference from said other cells.
216 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 93 대표도면 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1 1. An interference controller for limiting in one cell the effect of interference generated by other cells of a wireless telecommunications system, each cell of the wireless telecommunications system having a central terminal and a plurality of subscriber terminals, communication between a central terminal and a subscriber terminal being arranged to occur over a wireless link, a plurality of code division multiplexed channels being provided within a single frequency channel to enable data items pertaining to a plurality of wireless links to be transmitted simultaneously within different code division multiplexed channels of said single frequency channel, the interference controller comprising: < 기술범주 > 무선통신시스템의다른셀에의해발생되는간섭효과를제한하는간섭제어장치. 여기서중앙터미널과다수의가입자터미널을갖는무선통신시스템의각셀은중앙터미널과가입자터미널간을통신하며, 다수의코드분할다중채널은하나의싱글채널의다른코드분할다중채널내에동시적으로전송할수있는다수의무선링크를존재하는데이터아이템을가능하도록싱글주파수채널내에공급함.
217 94 주요 NPEs 분석 No. 청구항구성요소및한정요소 a) a channel controller arranged to allocate a number of said plurality of code division multiplexed channels as a channel pool of code division multiplexed channels available for the establishment of said wireless links; < 구성요소 > a) 상기무선링크의설정가능한코드분할다중채널의채널풀로서복수의코드분할다중채널을할당하는채널제어기 b) an analyzer for receiving parameters pertaining to a wireless link within the cell indicative of whether that wireless link is subject to interference from signals generated by said other cells, the analyzer being arranged to compare those parameters with predetermined criteria and to generate an output signal dependent on the comparison; b) 무선링크가상기다른셀로부터발생되는신호로간섭되는지알려주는셀내의무선링크에관련되는파라메터를수신하는분석기. 여기서상기분석기는상기파라미터들과미리결정된기준과비교하고, 상기비교에의해종속되는출력신호를생성함. c) a channel controller being responsive to the output signal from the analyser, to selectively reduce the number of code division multiplexed channels in the channel pool in order to reduce the effect of the interference from said other cells. c) 상기다른셀로부터간섭효과를감소하기위해채널풀에코드분할다중채널의수를선택적으로감소시키기위해상기분석기로부터출력된신호에응답하는채널제어기
218 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 95 라. US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Airspan Networks, Inc. 권리이전형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Wi-LAN INC. Processing data transmitted and received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system 3GPP 표준에따른무선통신제품 (H04J-011/00) 1. A transmission controller for processing data items to be transmitted over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system, a single frequency channel being employed for transmitting data items pertaining to a plurality of wireless links, the transmission controller comprising: an orthogonal code generator for providing an orthogonal code from a set of `m` orthogonal codes used to create `m` orthogonal channels within the single frequency channel, wherein `m` is a positive integer; a first encoder for combining a data item to be transmitted on the single frequency channel with said orthogonal code from the orthogonal code generator, the orthogonal code determining the orthogonal channel over which the data item is transmitted, whereby data items pertaining to different wireless links may be transmitted simultaneously within different orthogonal channels of said single frequency channel; an overlay code generator for providing an overlay code from a first set of `n` overlay codes which are orthogonal to each other, wherein `n` is a positive integer; and a second encoder arranged to apply the overlay code from the overlay code generator to said data item, whereby `n` data items pertaining to different wireless links may be transmitted simultaneously within the same orthogonal channel.
219 96 주요 NPEs 분석 대표도면 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1 1. A transmission controller for processing data items to be transmitted over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system, a single frequency channel being employed for transmitting data items pertaining to a plurality of wireless links, the transmission controller comprising: a) an orthogonal code generator for providing an orthogonal code from a set of `m` orthogonal codes used to create `m` orthogonal channels within the single frequency channel, wherein `m` is a positive integer; < 기술범주 > 중앙터미널과가입자터미널을무선링크로연결하는무선통신시스템에서, 다수의무선링크에관련된데이터아이템을전송하는싱글주파수채널무선링크를통해전송된데이터아이템을처리하는전송제어장치 < 구성요소 > a) 싱글주파수채널에서 m 직교채널을생성하기위해사용되는 m 직교코드의세트로부터직교코드를공급하는직교코드생성기. 여기서, 상기 m 은양의정수임. b) a first encoder for combining a data item to be transmitted on the single frequency channel with said orthogonal code from the orthogonal code generator, the orthogonal code determining the orthogonal channel over which the data item is transmitted, whereby data items b) 직교코드생성기로부터전송된데이터아이템과상기직교코드생성기로부터전송된직교코드와결합하는제1 인코더. 여기서상기직교코드는상기데이터아이템이전송되는직교채널을결정하며, 이로인해다른무선링크와관련된데이터아이템이싱글주파수채널내다른직교채널을통해동시에전송됨.
220 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 97 No. 청구항 구성요소및한정요소 pertaining to different wireless links may be transmitted simultaneously within different orthogonal channels of said single frequency channel; 1 c)an overlay code generator for providing an overlay code from a first set of `n` overlay codes which are orthogonal to each other, wherein `n` is a positive integer; and c) 각각직교성을갖는 n 오버레이코드의첫번째세트로부터오버레이코드를제공하는오버레이코드생성기. 여기서, 상기 n 은양의정수임. d) a second encoder arranged to apply the overlay code from the overlay code generator to said data item, whereby `n` data items pertaining to different wireless links may be transmitted simultaneously within the same orthogonal channel. d) 상기오버레이코드생성기로부터전송된오버레이코드를상기데이터아이템에적용하도록배열하여, 다른무선링크에연결된 'n' 데이터아이템이상기동일직교채널에서동시에전송되는제2 인코더
221 98 주요 NPEs 분석 마. US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Airspan Networks, Inc. 권리이전형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Wi-LAN INC. Processing data transmitted and received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system 3GPP 표준에따른무선통신제품 (H04J-011/00) 1. A reception controller for processing data items received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system, a single frequency channel being employed for transmitting data items pertaining to a plurality of wireless links, and `m` orthogonal channels being provided within the single frequency channel, the receiver controller comprising: an orthogonal code generator for providing an orthogonal code from a set of `m` orthogonal codes used to create said `m` orthogonal channels within the single frequency channel; a first decoder for applying, to signals received on the single frequency channel, the orthogonal code provided by the orthogonal code generator, in order to isolate data items transmitted within the corresponding orthogonal channel; and a TDM decoder arranged to extract a data item from a predetermined time slot within said orthogonal channel, a plurality of data items relating to different wireless links being transmitted within the same orthogonal channel during a predetermined frame period. 대표도면
222 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 99 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1 1. A reception controller for processing data items received over a wireless link connecting a central terminal and a subscriber terminal of a wireless telecommunications system, a single frequency channel being employed for transmitting data items pertaining to a plurality of wireless links, and `m` orthogonal channels being provided within the single frequency channel, the receiver controller comprising: a) an orthogonal code generator for providing an orthogonal code from a set of `m` orthogonal codes used to create said `m` orthogonal channels within the single frequency channel; < 기술범주 > 중앙터미널과가입자터미널이무선링크로데이터아이템을수신하며, 싱글주파수채널은다수의무선링크와연결하여데이터아이템을전송하고, 상기싱글주파수내에 m' 직교채널을사용하는무선통신시스템에서의수신제어장치 < 구성요소 > a) 상기싱글주파수채널내에상기 'm' 직교채널을생성하기위해 m' 직교코드의세트로부터직교코드를제공하는직교코드생성기 b) a first decoder for applying, to signals received on the single frequency channel, the orthogonal code provided by the orthogonal code generator, in order to isolate data items transmitted within the corresponding orthogonal channel; and b) 상기해당직교채널내에데이터아이템을고립화하기위해상기직교코드생성기로부터제공되는직교코드를상기싱글주파수채널로부터수신된신호에적용하는제1 디코더 c) a TDM decoder arranged to extract a data item from a predetermined time slot within said orthogonal channel, a plurality of data items relating to different wireless links being transmitted within the same orthogonal channel during a predetermined frame period. c) 상기데이터아이템은미리결정된프레임기간동안동일직교채널내에다른무선링크에관련된다수의데이터가전송된상태에서, 상기직교채널에서미리결정된타임슬롯으로부터데이터아이템을추출하는 TDM 디코드
223 100 주요 NPEs 분석 바. US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Wagner DSP Technologies 권리이전형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Wi-LAN INC. Hybrid multichannel data transmission system utilizing a broadcast medium 케이블모뎀 (H04H-011/00) 1. A data transmission system, comprising: a plurality of clients at remote locations; transmission means for transmitting broadcast signals in at least one broadcast channel to said remote locations; distribution control means for controlling the distribution of downstream data to said clients; inserter means responsive to said distribution control means for inserting said downstream data in said at least one broadcast channel; router means for routing said downstream data received from remote systems and addressed to particular ones of said plurality of clients, said router routes said downstream data to said distribution control means; first communications linking means for coupling said router means and said distribution control means; and a plurality of receiving means for receiving said downstream data from said broadcasting signals, each one of said plurality of receiving means being associated with one of said plurality of clients; wherein said distribution control means transmits receiving instructions to said plurality of receiving means, said receiving instructions instruct said plurality of receiving means how to receive said downstream data addressed to said plurality of clients.
224 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 101 대표도면 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1. A data transmission system, comprising: a) a plurality of clients at remote locations; < 기술범주 > 데이터전송시스템 < 구성요소 > a) 원격지역에서의다수의가입자 1 b) transmission means for transmitting broadcast signals in at least one broadcast channel to said remote locations; b) 원격지역으로적어도하나의채널로방송 신호를전송하는전송수단 c) distribution control means for controlling the distribution of downstream data to said clients; c) 상기가입자들에게다운스트림을분배하는 분배제어수단
225 102 주요 NPEs 분석 No. 청구항구성요소및한정요소 d) inserter means responsive to said distribution control means for inserting said downstream data in said at least one broadcast channel; d) 적어도하나의방송채널에서상기다운스트림데이터를삽입하는상기분배제어수단에응답하는인서터수단 e) router means for routing said downstream data received from remote systems and addressed to particular ones of said plurality of clients, said router routes said downstream data to said distribution control means; e) 복수의가입자중특정가입자상기원격지역으로부터특정가입자에게상기다운스트림데이터를라우팅하는라우터. 상기라우터는상기다운스트림데이터를상기제어분배수단으로전송함. f) first communications linking means for coupling said router means and said distribution control means; and f) 상기라우터및상기분배제어수단을연결하는제1 통신링크수단 g) a plurality of receiving means for receiving said downstream data from said broadcasting signals, each one of said plurality of receiving means being associated with one of said plurality of clients; g) 방송채널을통해상기데이터스트림데이터를수신하는다수의수신수단상기복수의수신수단각각은상기복수의가입자에게관련됨. h) wherein said distribution control means transmits receiving instructions to said plurality of receiving means, said receiving instructions instruct said plurality of receiving means how to receive said downstream data addressed to said plurality of clients. h) 상기방송분배제어수단은상기다수의수신장치들에게수신정보를전송함.
226 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 103 사. US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Nokia High Speed Access Products Inc. 권리이전형태양수 최종권리자 Wi-LAN INC. 발명의명칭 Power conservation for pots and modulated data transmission 기술분류 대표청구항 DSL 기술 (H04M-011/00) 1. A method of conserving power in a terminal unit having a transmitter and receiver for modulated data communication over a communications loop, comprising: monitoring the loop to detect a shut-down condition; reducing power consumption of demodulation circuitry in the terminal unit upon detection of a shut-down condition; monitoring the loop with a monitoring circuit to detect a resume signal that is not a modulated data signal and that is outside the voiceband frequency range on the loop; and activating demodulation circuitry when the resume signal is detected. 대표도면
227 104 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1. A method of conserving power in a terminal unit having a transmitter and receiver for modulated data communication over a communications loop, comprising: < 기술범주 > 통신루프를통해변조데이터통신이가능한송수신장치를갖는터미널유닛에서전력보호방법 a) monitoring the loop to detect a shut-down condition; < 구성요소 > a) 셧다운조건을검출하기위해루프를감시하는과정 1 b) reducing power consumption of demodulation circuitry in the terminal unit upon detection of a shut-down condition; b) 셧다운조건을검출하는터미널에서복조회로에서의전력소비를감소시키는과정 c) monitoring the loop with a monitoring circuit to detect a resume signal that is not a modulated data signal and that is outside the voiceband frequency range on the loop; and c) 변조되지않고음성가역주파수를벗어나는 resume 신호를검출하기위해감시회로를갖는루프를감시하는과정 d) activating demodulation circuitry when the resume signal is detected. d) 상기 resume 신호가검출될때복조회로를활성화시키는과정
228 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 105 아. US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Nokia Corporation 권리이전형태양수 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Wi-LAN INC. Method and system for authenticated fast channel change of media provided over a DSL connection DSL 기술 (H04L-012/66) 1. A method for enabling fast access to at least one channel over an xdsl connection, comprising: (a) employing at least one multicast enabled Digital Subscriber Line Access and Multiplexer (DSLAM) configured to authenticate at least one subscriber locally and to enable access to at least one channel on a core network, wherein the subscriber is coupled to the core network by the xdsl connection; (b) at a multicast enabled DSLAM, receiving a request for at least one channel from the subscriber, wherein the receiving DSLAM locally serves the xdsl connection for the subscriber; (c) employing information stored at the receiving DSLAM to determine locally whether the subscriber is authorized to access the requested channel; and(d) if the subscriber is determined to be authorized to access the requested channel, employing the DSLAM to provide access locally to the requested channel on the core network, wherein the core network establishes a single instance of each channel in advance of selection by at least one of the subscribers. 대표도면
229 106 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1. A method for enabling fast access to at least one channel over an xdsl connection, comprising: < 기술범주 > xdsl 통신을통해채널을빠르게접속하는방법 a) employing at least one multicast enabled Digital Subscriber Line Access and Multiplexer (DSLAM) configured to authenticate at least one subscriber locally and to enable access to at least one channel on a core network, wherein the subscriber is coupled to the core network by the xdsl connection; < 구성요소 > a) 적어도하나의가입자가인증할수있으며, 적어도하나의채널이코어네트워크에접속이가능하도록멀티캐스트가능한 DSLAM 을적용하는과정여기서상기가입자는 xdsl 연결에의해상기코어네트워크에접속됨. 1 b) at a multicast enabled DSLAM, receiving a request for at least one channel from the subscriber, wherein the receiving DSLAM locally serves the xdsl connection for the subscriber; b) 멀티캐스트가능한 DSLAM에서가입자로부터적어도하나의채널요청하는신호를수신하는과정 c) employing information stored at the receiving DSLAM to determine locally whether the subscriber is authorized to access the requested channel; and c) 지역적으로가입자의인증여부를결정하기위해상기수신된 DSLAM에서정보를적용하는과정 d) if the subscriber is determined to be authorized to access the requested channel, employing the DSLAM to provide access locally to the requested channel on the core network, wherein the core network establishes a single instance of each channel in advance of selection by at least one of the subscribers. d) 가입자가상기요청채널에인증되면상기코어네트워크에지역적으로상기요청채널에접속하도록상기 DSLAM 을적용하는과정여기서상기코어네트워크는적어도가입자중하나의가입자의선택이전에각채널의싱글인스턴스로설정됨.
230 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 107 자. USRE37802 (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 RE37802 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Wi-LAN INC. 권리이전형태 양수 최종권리자 Wi-LAN INC. 발명의명칭 Multicode direct sequence spread spectrum 기술분류 Wi-Fi, CDMA(H04B-001/707 ) 대표청구항 17. A transceiver for transmitting a first stream of data symbols and receiving a second stream of data symbols, the transceiver comprising: a converter for converting the first stream of data symbols into plural sets of N data symbols each; first computing means for operating on the plural sets of N data symbols to produce sets of modulated data symbols corresponding to an invertible randomized spreading of each set of N data symbols over moore than one and up to M direct sequence spread spectrum codes; means to combine the modulated data symbols for transmission; means for receiving a sequence of modulated data symbols, the modulated data symbols having been generated by an invertible randomized spreading of a second stream of data symbols over more than one and up to M direct sequence spread spectrum codes; second computing means for operating on the sequence of modulated data symbols to produce an estimate of the second stream of data symbols; and means to combine output from the second computing means. 대표도면
231 108 주요 NPEs 분석 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 A transceiver for transmitting a first stream of data symbols and receiving a second stream of data symbols, the transceiver comprising: a) a converter for converting the first stream of data symbols into plural sets of N data symbols each; < 기술범주 > 데이터심볼의제1 데이터를송신하고데이터심볼의제2 데이터를수신하는송수신기 < 구성요소 > a) 제1 데이터를 N데이터심볼의복수세트로변환하는컨버터 b) first computing means for operating on the plural sets of N data symbols to produce sets of modulated data symbols corresponding to an invertible randomized spreading of each set of N data symbols over moore than one and up to M direct sequence spread spectrum codes; b) N 데이터심볼의각세트의역랜덤스프레 딩에따라다수의세트를동작시키는제 1 연산 수단 17 c) means to combine the modulated data symbols for transmission; c) 변조데이터심볼을결합하는수단 d) means for receiving a sequence of modulated data symbols, the modulated data symbols having been generated by an invertible randomized spreading of a second stream of data symbols over more than one and up to M direct sequence spread spectrum codes; d) 변조된데이터심볼시퀀스를수신하는수단상기변조된심볼은 1에서 M까지직접시퀀스스프레드스펙드럼코드보다데이터심볼의제 2 스트림의역랜덤스프레딩에의해생산됨. e) second computing means for operating on the sequence of modulated data symbols to produce an estimate of the second stream of data symbols; and e) 데이터심볼의제 2 스트림을추정하기위해 상기변조된시퀀스를동작시키는제 2 연산수단 f) means to combine output from the second computing means. f) 제 2 연산수단으로부터출력을결합하는 수단
232 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 109 카. US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인권리취득형태 최종권리자 발명의명칭 Wi-LAN INC. Method and apparatus for multiple access between transceivers in wireless communications using OFDM spread spectrum 기술분류 Wi-Fi, CDMA(H04B-001/707 ) 대표청구항 1. A transceiver including a transmitter for transmitting electromagnetic signals and a receiver for receiving electromagnetic signals having amplitude and phase differential characteristics, the transmitter comprising: an encoder for encoding information; a wideband frequency division multiplexer or multiplexing the information onto wideband frequency channels; a low pass filter; a local oscillator for upconverting the multiplexed information for transmission; a processor for applying a fourier transform to the multiplexed information to bring the information into the time domain for transmission; further including, in the receiver of the transceiver; a bandpass filter for filtering the received electromagnetic signals; a local oscillator for downconverting the received electromagnetic signals to produce output; a sampler for sampling the output of the local oscillator to produce sampled signals to the channel estimator; a channel estimator for estimating one or both of the amplitude and the phase differential of the received signals to produce as output one or both of an estimated amplitude and an estimated phase differential respectively; and a decoder for producing signals from the sampled signals and the output from the channel estimator.
233 110 주요 NPEs 분석 대표도면 (2) 청구항분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1. A transceiver including a transmitter for transmitting electromagnetic signals and a receiver for receiving electromagnetic signals having amplitude and phase differential characteristics, the transmitter comprising: a) an encoder for encoding information; < 기술범주 > 진폭및위상차동특성을갖는전자파신호를송수신하는송수신기 < 구성요소 > a) 정보를인코딩하는인코더 1 b) a wideband frequency division multiplexer or multiplexing the information onto wideband frequency channels; b) 광대역주파수분할다중화기 또는정보를광대역주파수채널에다중화함. c) a low pass filter; c) 저대역통과필터 d) a local oscillator for upconverting the multiplexed information for transmission; d) 상기다중화된정보를업컨버팅시키는로컬 오실레이터 e) a processor for applying a fourier transform to the multiplexed information to bring the information into the time domain for transmission; further including, in the receiver of the transceiver; e) 상기정보를시간도메인으로변화하기위해상기다중화된정보를퓨리에트랜스폼시키는프로세서여기서, 상기송수신기의수신기는다음한정요소를더포함함.
234 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 111 f) a bandpass filter for filtering the received electromagnetic signals; f) 상기수신된전자파를필터링하는대역통과필터 g) a local oscillator for downconverting the received electromagnetic signals to produce output; g) 상기수신된전자파를다운컨버팅시키는로컬오실레이터 h) a sampler for sampling the output of the local oscillator to produce sampled signals to the channel estimator; h) 상기채널추정기에서샘플링신호를생성하기위해상기로컬오실레이터로부터출력된신호를샘플링하는샘플러 j) a channel estimator for estimating one or both of the amplitude and the phase differential of the received signals to produce as output one or both of an estimated amplitude and an estimated phase differential respectively; and i) 추정된크기및위상을모두추정하는위상채널추정기 j) a decoder for producing signals from the sampled signals and the output from the channel estimator. j) 샘플링된신호와채널추정기의출력으로부터신호를생성하는디코더
235 112 주요 NPEs 분석 제 3 절테세라 (Tessera) 1. 업체현황 가. 설립및연혁본사는미국캘리포니아주산호세에있다. 1990년설립이후, 변형된 Tessera Compliant Chip (TCC) chip-scale packaging (CSP) 기술과함께집적회로의선두주자가되었다. 널리반도체산업에의해채택된혁신기술은 IC 패키징을 IC 자체와같은크기로가능하게하였으며, 최근에는 3차원플립칩, 패키지 - 패키지기술, 고밀도기판, 사일런트공기냉각기술에전문적인독특한포장을적용하면서이분야에서획기적인솔루션의개발을지속적으로하고있다. 2005년, 영상및음성으로이미지센서의웨이퍼레벨 CSP 솔루션에투자하여자사의 CSP전문지식을확장하고있고, 지난 5년동안영상및음성이미징과광학시장에서입지를확대시키며, 전략적인수와발전을하였다. 나. 조직및규모직원수는 2011년 2월현재전세계에 480명이고, 9명의매니저및 Chief로구성되어있다. 2009년매출은 3억달러, 2010년매출은 3억 1백4십만달러로서보합세였으나매출은꾸준히증가하는추세라고밝히고있으며, 2010년기준으로 $74.1M 을 R&D에투자하여매출대비 25% 정도를연구 / 개발에투자하였다. 2010년 12월 31일기준으로현금, 현금등가물로 4억 7500만달러를보유하고있으며, 7천6백만달러의잉여현금흐름이발생하였다. 다. 핵심비즈니스및전략테세라 (Tessera) 의큰두가지비즈니스는마이크로일렉트로닉스및이미지 & 옵틱스 ( 광학 ) 로나뉜다. 두가지비즈니스그룹을함께가져가면서공통관심을갖는것이모바일, 스마트폰분야다. 특히아주작은스마트폰은크기면에서매우작은데, 그럼에도 20년전과는비교되지않는강력한프로세싱파워를가지고있어야한다. 여기에테세라의어드밴스패키징, 마이크로칩모듈, DRAM 기술등이접목되어작은제품에서강력한성능이나올수있다. 테세라 (Tessera) 는 10년전부터 IC 패키징혁신을위해상당한투자를진척시켜, CSP(Chip Scale
236 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 113 Package) 기술을주요아이템으로확보했다. CSP 기술은고성능, 신뢰성이높은기술로아주조그만한패키징을가능하게해준다. CSP 채택트렌드는지난 15년동안끊임없이상승해왔으며, 계속고도화되고있다. 테세라에서는앞으로도몇십년동안지속적으로채택될것으로보고있다. 여기에 DDR, 플래시메모리등에서도여러기술들이 CSP를가능하게하는기술들로요즘나오는핸드폰에계속적용되고있다. 또소형화애플리케이션은고도화된패키징기술을요구하므로, CSP가지속적으로채택될것으로예상되고있다. 테세라 (Tessera) 는제품아이디어를취합하고, R&D 역량에기반해제품노하우를집적하는형태로비즈니스를진행한다. 이때차세대신기술을개발하는데에는두가지경로가있다. 하나는파일럿생산으로이를통해파트너와가치사슬을구축하는것이고, 다른하나는기술발명후에직접생산에들어가는것인데, 마이크로옵틱스와 MEMS 기술기반옵틱스제품들이팹등을통해일부지원을받고있다. 테세라 (Tessera) 는 2006년이전에는특허매입을하지않고자체기술개발을통해포트폴리오를확보하여라이센싱하는전략을사용하였으나, 최근에는기업의인수 합병을통해우수기술력을가진기업의특허를확보하는전략을병행하고있다. 29) 2. 특허포트폴리오분석 가. 보유특허현황 [ 그림 2-3-1] 테세라 (Tessera) 의연도별특허포트폴리오 29) 2008 년 5 월 FOTONATION 사를인수하여이미지 & 옵틱스분야의특허를확보하였고, 2007 년 4 월 LSI CORPORATION 사를인수하여마이크로일렉트로닉스분야의특허를확보하였음
237 114 주요 NPEs 분석 테세라 (Tessera) 의발표자료에의하면 2011년현재세계각국에서마이크로일렉트로닉스및이미지 & 옵틱스 ( 광학 ) 분야에 2천2백건이넘는특허를보유하고있으며, 2006년에는마이크로일렉트로닉스분야의특허가대부분이었으나 2008년이후로이미지 & 옵틱스분야의특허가크게증가하고있다. 자체적인검색결과는 892건으로서, 출원인검색기준은권리이전관계의미반영, USPTO 미등록, 미국선발명주의로인한발명자의출원인에대한미양도경우가있기때문에상이한것으로추정된다. (1) 연도별및국가별특허현황 [ 그림 2-3-2] 테세라 (Tessera) 의연도별, 국가별출원현황 테세라 (Tessera) 의 1991년 ~2011년각국별출원동향을살펴보면미국이 85% 인 752건으로가장많고, 유럽 65건, 한국 47건및일본28건을출원하고있다. 연도별출원건수를살펴보면 2000년이후지속적으로증가하고있으며매해 30~60 건에이르는출원을하고있어꾸준하게신기술을개발하고있는것으로판단된다. (2) 기술분야별특허건수 [ 그림 2-3-3] 테세라 (Tessera) 의기술분야별출원현황
238 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 115 전체 892건의특허중 86% 인 766건이 Micro-electronics 분야의특허이고나머지 126건이 Imaging & Optics 분야의특허이다. 미국, 일본유럽은 Micro-electronics 분야의특허비중이월등히높으나유럽의경우다른국가에비해 Imaging & Optics 분야의특허비중이높다. 아래그래프는각각의기술분야에대한연도별출원을표시한것이다. Micro-electronic 분야의경우 1990년대초반부터출원이꾸준하게증가함을알수있으며, Imaging & Optics 의경우 2000 년대중반이후로조금씩출원되고있음을알수있다. [ 그림 2-3-4] 테세라 (Tessera) 의기술분야별연도별출원현황 나. 권리이전현황 (1) 연도별및기술분야별양수 / 양도현황 [ 그림 2-3-5] 연도별양수 / 양도현황
239 116 주요 NPEs 분석 Tessera 사는핵심비즈니스가자체기술개발및라이센싱이기때문에구축해놓은특허에서양도는거의없다. (2006년및 2008년각 1건 ) Tessera 사의현재까지의연도별양수상황을살펴보면, 1999년 2건의특허를양수한이후, 2006 년 17건, 2007년 9건, 2008년 19건, 2009년 80건, 2010년 311건및 2011년현재 45건을양수하고있다. 총양수된특허는 483건이나, 108건은회사내부의발명자로부터양수되었기때문에실제타기관에서양수받은특허는 375건이다. (2) 양도인분류 [ 그림 2-3-6] 양도인별비중현황 [ 그림 2-3-7] 양도인성격현황 양도인중기업이차지하는비중이 338건 (91%) 로가장많은비중을차지하며, 개인23건 (6%), 투자회사12건 (3%) 순이며, 대학에서는양수한특허가없었다. 기업중에는포토네이션비젼 (Fotonation Vision) 이 135건 (36%) 로가장많았으며, 다음으로 IBM 68건 (18%), LSI Corporation 42건 (11%) 순이었다.
240 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 특허소송및분쟁현황 가. 소송현황 < 표 2-3-1> 테세라 (Tessera) 의특허소송리스트 순번소송 Title 사건번호제소일관할법원소의종류소송종료일 1 Texas Instruments, et al v. Tessera Inc. 8:2000-cv /01/2000 캘리포니아북부지법 열람불능 06/02/ Tessera Inc. v. Sharp Corporation, et al 5:2000-cv /28/2000 캘리포니아북부지법 열람불능 02/11/ Texas Instruments v. Tessera Inc. 4:2000-cv /14/2000 캘리포니아북부지법 열람불능 01/09/ Samsung Electronics Co., Ltd v. Tessera Technologies, Inc. et al 4:2002-cv /16/2002 캘리포니아북부지법 열람불능 11/17/ Tessera, Inc. v. Micron Technology Inc. et al 2:2005-cv /01/2005 텍사스동부지법 특허침해 08/31/ Micron Technology, Inc. vs TESSERA, Inc. 2:2005-cv /14/2005 텍사스동부지법 특허피침해 08/11/ Tessera, Inc. v. Advanced Micro Devices, Inc. et al 4:2005-cv /07/2005 캘리포니아북부지법 특허침해 진행중 8 Tessera, Inc. v. Motorola, Inc. et al 2:2007-cv /17/2007 텍사스동부지법 특허침해 진행중 9 Tessera, Inc. v. A-DATA Technology Co., Ltd. et al 2:2007-cv /07/2007 텍사스동부지법 특허침해 진행중 10 Siliconware Precision Industries Co, Ltd et al v. Tessera, Inc. 4:2008-cv /31/2008 캘리포니아북부지법 특허피침해 진행중 11 Advanced Semiconductor Engineering Inc. et al v. Tessera Inc. 4:2008-cv /04/2008 캘리포니아북부지법 특허피침해 진행중 12 Chipmos Technologies Inc. et al v. Tessera, Inc. 4:2008-cv /11/2008 캘리포니아북부지법 특허피침해 진행중 13 Powertech Technology Inc. v. Tessera Inc. 4:2010-cy /05/2010 캘리포니아북부지법 특허피침해 06/01/ Tessera Inc. v. Sony Electronics Inc. et al 1:2010-cv /01/2010 델라웨어지방법원 특허침해 진행중 15 Invensas Corporation v. Renesas Electronics Corporation 1:2011-cv /23/2011 델라웨어지방법원 특허침해 진행중
241 118 주요 NPEs 분석 나. 소송에사용된특허 순번특허번호발명의명칭매입여부 US Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same US Face-up semiconductor chip assembly US Semiconductor chip package with center contacts US Face-up semiconductor chip assemblies US Stacked chip assembly US Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same US Face-up semiconductor chip assembly US Semiconductor chip package with center contacts US Face-up semiconductor chip assemblies US Stacked chip assembly US Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same US Face-up semiconductor chip assembly US Face-up semiconductor chip assemblies US Stacked chip assembly US Face-up semiconductor chip assembly US Face-up semiconductor chip assemblies US Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same US Semiconductor chip package with center contacts US Methods of encapsulating die and chip carrier US Method for providing void free layer for semiconductor assemblies 10 US Methods of encapsulating die and chip carrier 11 US Methods of encapsulating die and chip carrier 12 US Methods of encapsulating die and chip carrier 13 US Methods of encapsulating die and chip carrier 14 US Stacked microelectronic assemblies and methods of making same 15 < 표 2-3-2> 소송에사용된특허리스트 US Integrated circuit package substrate with multiple voltage supplies US PBGA electrical noise isolation of signal traces US PBGA electrical noise isolation of signal traces US Single reference plane plastic ball grid array package
242 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 119 Tessera가제기한소송에사용된특허는모두 12건이며, 이중자체출원건은 6건 (US , US , US , US , US , US ) 이고, 양수받은특허도 6건이다. 아래테이블은 Tessera 가양도받은특허가최초소송까지걸리는기간을나타내었다. 기준은양수받은후 1년이내에소송을제기한경우는 A, 1년에서 2년까지 B, 2년이상된경우를 C로구분하였다. < 표 2-3-3> 양도와소송과의관계 특허번호 양수일 최초소송일 최초소송까지의기간 ( 달 ) C C A B B B 대체적으로 B 등급과 C 등급이많은것을알수있다. 하지만전체적으로자체출원특허수및양수 받은특허수에비해서소송으로진행된특허는많지않으며, 이는 Tessera 의라이센싱전략과도일 치한다. 제품에대한감시는하되, 소송은라이센스를맺기위한방법으로활용하고있다. 다. 개별분쟁현황상기소송 15건중최근사건중이슈가될수있는 5건을선정하였으며, 그이유는다음과같다. 9번. Tessera 사는 A-DATA, Acer, Elpida Memory 등세계적인반도체제조업체를상대로특허침해소송을제기하였다. 이에대한결과가업계에미치는파급효과가클것으로예상되어선정하였다. 순번 9 사건번호 2:07-cv TJW 원고 Tessera, Inc., 피고 A-DATA Technology Co., Ltd., et al 관할법원 텍사스동부지방법원 제소일 소의종류 관련특허 Patent Infringement US , US , US , US
243 120 주요 NPEs 분석 기술내용 사건요약 반도체패키지기술 2007년 12월 7일, 원고가피고들에대해자사의특허들을침해하였다며델라웨어지방법원에소송을제기하였다. 10 번. 대만의 Siliconware Precision 사가 Tessera 를상대로특허피침해를주장하며반소를제 기하였다. 이사건의결과에따라반도체 ( 마이크로일렉트로닉스 ) 기술에대한 Tessera 의라이센싱전 략이달라질것으로예상되기때문에선정하였다. 순 번 10 사건번호 1:08-cv CW 원 고 Siliconware Precision Industries Co., Ltd., et al 피 고 Tessera, Inc 관할법원 캘리포니아북부지방법원 제소일 소의종류 Patent Infringement 관련특허 US 기술내용 칩캐리어와 DIE의캡슐화방법 사건요약 2008년 7월 31일, 원고들은피고에대해피고의특허를침해하지않았으며, 관련특허는무효라며캘리포니아북부지방법원에소송을제기하였다. 12 번, 10 번과마찬가지로같은특허 (US ) 에대해 Chipmos Technologies Inc. 에서피침 해를주장하였다. 순번 12 사건번호 1:08-cv CW 원고 ChipMOS TECHNOLOGIES Inc., et al 피고 Tessera, Inc 관할법원 캘리포니아북부지방법원 제소일 소의종류 Patent Infringement 관련특허 US 기술내용 사건요약 칩캐리어와 DIE 의캡슐화방법 2008년 8월 11일, 원고들은피고에대해피고의특허를침해하지않았으며, 관련특허는무효라며캘리포니아북부지방법원에소송을제기하였다.
244 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 번. Tessera 사가 Sony와 Renesas 를상대로반도체기술에대해소송을제기하였고, 권리기간이얼마남지않은 US 대신에 US 특허로침해주장을함으로써반도체및마이크로일렉트로닉스분야에대한입지를계속다지고자하였다. 이에대한결과가 Tessera 사의전략및타기업에영향을줄것으로판단하여선정하였다. 순번 14 사건번호 1:10-cv RMB-KW 원고 Tessera Inc. 피고 Sony Electronics Inc. et al 관할법원 델라웨어지방법원 제소일 소의종류 Patent Infringement 관련특허 US 기술내용 사건요약 Multi-die 반도체패키지기술 2010년 10월 1일, 원고가피고들에대해자사의특허들을침해하였다며델라웨어법원에소송을제기하였다. 15 번. 이번사건은가장최근의사건으로, Tessera 사가인수한 LSI Logic 의특허들을사용하여소 를제기하였으며, Renasas 사의대응이주목되는사건이므로선정하였다. 순번 15 사건번호 1:11-cv GMS 원고 INVENSAS CORPORATION 피고 RENESAS ELECTORONICS CORPORATION 관할법원 델라웨어지방법원 제소일 소의종류관련특허기술내용사건요약 Patent Infringement US , US , US , US 반도체패키지기술 2011년 5월 3일, 원고가피고에대해자사의특허들을침해하였다며델라웨어지방법원에소송을제기하였다.
245 122 주요 NPEs 분석 4. 대응전략및시사점 가. 모니터링테세라 (Tessera) 사는마이크로일렉트로닉스와이미지 & 옵틱스 ( 광학 ) 분야의포트폴리오구축을통해라이센스및특허소송을진행하고있다. 테세라 (Tessera) 사의소송성향으로볼때중기업과대기업을위주로소를제기하고있으며, 중기업이상을대상으로라이센싱전략을가져가고있는것으로보인다. 보통라이센싱조건이제품기반으로이루어지게되므로많은이익이창출되는중기업과대기업을대상으로하는것은당연한것으로보인다. 다만, 특허포트폴리오에비하여보유개수와비교하여보았을때, 소를많이제기하는편은아니므로현재까지소가제기되었던특허들과소송대상이되었던제품및자사의제품을검토하여분쟁을대비하면될것으로판단된다. 마이크로일렉트로닉스분야는 1990년대초반부터회사자체로기술개발을하여다수의특허를출원하였으며, 2006년이후 LSI사의합병을통해관련특허를좀더확보하였다. 2011년 1분기기준으로 1300여개의특허를보유하고있는것으로발표하였다. 2010년에 Multi-die 반도체기술과관련하여 2건의소송을제기하였고 2011년반도체패키지관련하여 1건의소송을제기하는등소송이많지는않으나라이센싱을위한소송은꾸준하게제기하는것으로보인다. 반면, 이미지 & 옵틱스 ( 광학 ) 분야는 2000년대중반이후로기술개발및특허출원을하고있으며, 포토네이션비젼 (Fotonation Vision) 등적극적인인수 합병으로포트폴리오를구축하고있다. 이미지 & 옵틱스 ( 광학 ) 는 2011년 1분기기준으로 1000여개의특허를보유하고있으며, 최근삼성전자와고화질줌기능카메라기술에대한라이센스를체결하는등 2010년동기간에비해 2011년 1분기의이익이 8백 5십만달러에서천 4백만달러로 66% 증가하였다. 2011년 3월테세라는이미지 & 옵틱스 ( 광학 ) 분야에서테세라의 OptiML TM Zoom 이미지향상솔루션에대해삼성전자와라이센스를체결하였다고발표하였다. 이기술은소형카메라에서고화질 3X-Zoom 기능을제공할수있다. 이기술을채용한카메라모듈은휴대폰, 포터블비디오레코더와같은모바일카메라장비에서고화질의줌기능을제공할수있다. 나. 포트폴리오강화전략에따른대응테세라 (Tessera) 사는마이크로일렉트로닉스분야와이미지 & 옵틱스 ( 광학 ) 분야의포트폴리오구축을통해기존라이센스계약은갱신을하고새로운라이센시 (licensee) 발굴을통해회사의수익을창출한다는전략을가지고있으며, 이를위해새로운특허발굴 (mining) 활동을꾸준히하고있다. 2011년 1분기기준으로약 2,300개의특허및출원을가지고있다고발표했으며, 이는 1년전의약
246 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 123 1,800건에비해 27% 증가한수치 30) 이다. 발표자료를통해스마트폰과관련된 350개이상의이미지 & 옵틱스관련특허및 400개이상의마이크로일렉트로닉스관련특허를보유하고있다는것을알렸으며, 메모리분야와무선기기의집적회로관련특허의패키징가능기술등자사의특허포트폴리오구축현황에대해알림으로써관련업계의라이센싱을유도하는방법을사용하였다. 31) 살펴본바와같이, 테세라는특허포트폴리오를꾸준히강화하고있으며그에따른라이센스도강화하고있다. 늘어나는포트폴리오전부를파악하는것은물리적으로도한계가있고효율도떨어지므로홈페이지나기사검색등을통해최근라이센싱동향등을모니터링하고관련특허들을파악하고분석을통해대응책을마련할필요가있다. 예를들어, 최근삼성전자와라이센스된기술분야및특허를분석하고자사의기술과관련이있는지, 있다면침해가능성은있는지검토하고, 자사의개발역량을투입하여개량기술을개발할가능성이있는지등을검토할필요가있다. 테세라도최근특허매입을강화하고있으므로개량기술개발이이루어진다면라이센스체결에서매우유리한위치를차지할수있을것이다. 다. 소송대응전략앞서살펴본바와같이동일특허가여러소송에서사용되고있으므로- 일부특허 (US5,663,106) 의경우네차례사용- 동종산업의경쟁자들의소송동향을모니터링하고소송특허를미리분석하고대비할필요가있다. 테세라 (Tessera) 가소송을다수제기하였던특허들을보면모두반도체 (microelectronics) 관련기술로서 US5,663,106 특허는다이및칩캐리어를밀봉하는반도체관련기술이다. Powertech Technology, Chipmos Technologies, Advanced Semiconductor Engineerging, Siliconware Precision Industries 등이침해소송을받은후피침해소송을제기한상태이다. 또한 2011년 5월 25일테세라는소니를상대로계약을위반하였다며캘리포니아지방법원에소송을제기하였다. 32) 소니가로열티를성실하게납부하지않았다는게, 그이유이다. 이렇듯테세라는특허침해소송뿐만아니라라이센스계약의불성실한이행으로도소송을제기하는등적극적인권리행사를하고있다. 30) 2011 년 1 분기보고서참조 31) 2011 년 3 월테세라발표자료참조 32)
247 124 주요 NPEs 분석 앞서살펴본소송에사용된특허, 특히 2 회이상사용된주요특허의경우에는침해여부를미리검 토하고대응책을마련해야한다. 경고장을받을경우라면적극적으로비침해및무효확인의소를제 기하는방법도생각해볼수있다. 5. 주요 ( 소송 ) 특허분석 가. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Tessera, Inc. 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Tessera, Inc. Stacked microelectonic assemblies and methods of making same 반도체장치 (H01L-023/48) A microelectronic assembly comprising:(a) a dielectric element having an upwardly-facing first surface and a downwardly-facing second surface and having terminals exposed at said second surface;(b) a first microelectronic element overlying said first surface of said dielectric element; and(c) a second microelectronic element overlying said first microelectronic element,said first and second microelectronic elements being electrically connected with said terminals, said terminals being movable with respect to said first microelectronic element, said assembly having a thickness above said terminals of less than 1.2 mm. 대표도면
248 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 125 (2) Claim chart No. 청구항구성요소및한정요소 A microelectronic assembly comprising: a) a dielectric element having an upwardly-facing first surface and a downwardly-facing second surface and having terminals exposed at said second surface < 기술범주 > 마이크로-일렉트릭어셈블리 < 구성요소 > a) 제1표면, 제2표면및제2표면에서확장된단말부분을갖는유전체요소 1 b) a first microelectronic element overlying said first surface of said dielectric element; and b) 유전체요소의제1표면에가로놓인제1 마이크로일렉트릭요소 c) a second microelectronic element overlying said first microelectronic element, said first and second microelectronic elements being electrically connected with said terminals, said terminals being movable with respect to said first microelectronic element, said assembly having a thickness above said terminals of less than 1.2 mm. c) 제1 마이크로일렉트릭요소에가로놓인제2 마이크로일렉트릭요소 < 한정요소 > 제1 및제2 마이크로일렉트릭요소는단말과전기적으로연결되고, 단말은제1 마이크로일렉트릭요소에관계하여움직이며, 어셈블리는 1.2mm보다작은두께를가짐.
249 126 주요 NPEs 분석 나. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Tessera, Inc. 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Tessera, Inc. Method of encapsulating die and chip carrier 반도체장치 (H01L-023/04) A method of encapsulating a semiconductor chip assembly having a top layer with an array of exposed terminals thereon, the terminals being electrically connected to the chip, said method comprising the steps of: placing an encapsulant barrier adjacent the semiconductor chip assembly, said encapsulant barrier at least partially defining an encapsulation area; providing a protective barrier in contact with said top layer for protecting the terminals on the top layer from an encapsulation material; and introducing an encapsulation material into at least a portion of the encapsulation area so that the encapsulation material flows to fill the encapsulation area and then cures to a substantially solid condition, the protective barrier preventing the encapsulation material from contacting the terminals on the top layer. 대표도면
250 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 127 (2) Claim chart No. 청구항구성요소및한정요소 A method of encapsulating a semiconductor chip assembly having a top layer with an array of exposed terminals thereon, the terminals being electrically connected to the chip, said method comprising the steps of: placing an encapsulant barrier adjacent the semiconductor chip assembly, said encapsulant barrier at least partially defining an encapsulation area; < 기술범주 > 반도체칩의캡슐화방법 < 구성요소 > a) 반도체칩어셈블리에인접하여캡슐배리어를위치시킴. 1 providing a protective barrier in contact with said top layer for protecting the terminals on the top layer from an encapsulation material; and b) 상층과접촉하는보호배리어를제공 introducing an encapsulation material into at least a portion of the encapsulation area so that the encapsulation material flows to fill the encapsulation area and then cures to a substantially solid condition, the protective barrier preventing the encapsulation material from contacting the terminals on the top layer. c) 캡슐화재료를캡슐화지역에주입시킴
251 128 주요 NPEs 분석 다. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 LSI Logic Corporation 권리취득형태이전 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Tessera, Inc. Single reference plane plastic ball grid array package 반도체장치 (H01L-023/12) A semiconductor package, comprising: a substrate having a top surface with traces thereon and a bottom surface with solder balls thereon, the substrate comprising first, second and third material layers and first, second, third and fourth metal layers, wherein traces on the third metal layer are wider than traces on the first metal layer, and wherein the second metal layer is dielectrically spaced between the first and third metal layers absent any intervening conductive layers such that the second metal layer serves as a reference to traces on routing metal layers associated with the first and third metal layers; a semiconductor die mounted on the substrate; and bonding wires that electrically connect the semiconductor die to the traces on the top surface of the substrate, wherein the traces comprising the first metal layer are routed underneath the die, wherein the traces comprising the first metal layer are connected by vias to the traces comprising the third metal layer, and wherein the traces comprising the third metal layer are connected by vias to the solder balls. 대표도면
252 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 129 (2) Claim chart No. 청구항구성요소및한정요소 1 A semiconductor package, comprising: a substrate having a top surface with traces thereon and a bottom surface with solder balls thereon, the substrate comprising first, second and third material layers and first, second, third and fourth metal layers, wherein traces on the third metal layer are wider than traces on the first metal layer, and wherein the second metal layer is dielectrically spaced between the first and third metal layers absent any intervening conductive layers such that the second metal layer serves as a reference to traces on routing metal layers associated with the first and third metal layers; < 기술범주 > 반도체패키지 < 구성요소 > a) trace를포함하는상층표면및솔더볼을포함하는하층표면을갖는기판 a semiconductor die mounted on the substrate; and b) 기판위에실장된반도체다이 bonding wires that electrically connect the semiconductor die to the traces on the top surface of the substrate, wherein the traces comprising the first metal layer are routed underneath the die, wherein the traces comprising the first metal layer are connected by vias to the traces comprising the third metal layer, and wherein the traces comprising the third metal layer are connected by vias to the solder balls. c) 반도체다이와전기적으로연결된본딩와이어 < 한정요소 > 제1 금속층을구성하는 trace는다이아래에길을내고있고, 제1 금속층을구성하는 trace 는바이어스에의해제3 금속층을구성하는 trace와연결되어있으며, 제3금속층을구성하는 trace는솔더볼과바이어스에의해연결되어있음.
253 130 주요 NPEs 분석 라. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 LSI Logic Corporation 권리취득형태이전 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Tessera, Inc. PBGA electrical noise isolation of signal traces 반도체장치 (H01L-021/44) A method for fabricating a semiconductor package, the method including the steps of: (a) providing a 2-layer semiconductor substrate, the 2-layer substrate including a top layer and a bottom layer wherein the bottom layer includes an array of solder balls; (b) patterning signal traces on the top layer; (c) identifying groups of signal traces to isolate; (d) patterning a grounded isolation trace adjacent to one of the groups of traces to isolate the signal traces and thereby provide noise shielding; (e) identifying a row of solder balls to be grounded, and (f) connecting the row of solder balls together and to ground to create a bottom-layer isolating ground trace. 대표도면
254 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 131 (2) Claim chart No. 청구항구성요소및한정요소 A method for fabricating a semiconductor package, the method including the steps of: a) providing a 2-layer semiconductor substrate, the 2-layer substrate including a top layer and a bottom layer wherein the bottom layer includes an array of solder balls; < 기술범주 > 반도체패키지제조방법 < 구성요소 > a) 상층과하층을포함하는 2층반도체기판을공급 b) patterning signal traces on the top layer; b) 상층에신호자국을패터닝 1 c) identifying groups of signal traces to isolate; c) 신호자국의그룹을식별 d) patterning a grounded isolation trace adjacent to one of the groups of traces to isolate the signal traces and thereby provide noise shielding; d) 그라운드된구분자국을패터닝 e) identifying a row of solder balls to be grounded, and e) 그라운드시킬솔더볼의열을식별 f) connecting the row of solder balls together and to ground to create a bottom-layer isolating ground trace. f) 솔더볼의열을서로연결
255 132 주요 NPEs 분석 마. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특 허 번 호 등록일자 출 원 번 호 출원일자 출 원 인 LSI Logic Corporation 권리취득형태 이전 최종권리자 Tessera, Inc. 발명의명칭 PBGA electrical noise isolation of signal traces 기술분류 반도체장치 (H01L-023/04) 대표청구항 A package substrate having noise control, comprising:at most two layers;a plurality of signal traces on a first layer;at least one isolating ground trace on the first layer between two signal traces to provide noise shielding; andan array of solder balls on a second layer such that at least one row of solder balls is connected together and to around to create a second-layer isolating ground trace. 대표도면
256 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 133 (2) Claim chart No. 청구항구성요소및한정요소 A package substrate having noise control, comprising: at most two layers; < 기술범주 > 노이즈제어기능을갖는패키지기판 < 구성요소 > a) 최대 2개의층 a plurality of signal traces on a first layer; b) 제 1 층에형성된다수의신호 trace 1 at least one isolating ground trace on the first layer between two signal traces to provide noise shielding; and c) 최소한하나의격리된접지 trace an array of solder balls on a second layer such that at least one row of solder balls is connected together and to around to create a second-layer isolating ground trace. d) 제 2 층에형성된솔더볼어레이
257 134 주요 NPEs 분석 바. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 LSI Logic Corporation 권리취득형태이전 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Tessera, Inc. Integrated circuit package substrate with multiple voltage supplies 반도체장치 (H01L-023/48) A semiconductor substrate, comprising:a signal voltage power ring formed on an upper surface of the substrate and spaced from an area adapted to receive an integrated circuit, wherein the signal voltage power ring is separated into segmented voltage supply connections laterally spaced across the upper surface;a voltage supply plane formed within the substrate, wherein the voltage supply plane is separated into segmented planes, and wherein vias electrically connect the segmented voltage supply connections to the segmented planes;a first row of signal bonding pads spaced across the upper surface along a first line and spaced farther from the area than the signal voltage power ring; anda second row of signal bonding pads spaced across the upper surface along a second line parallel to the first line and spaced farther from the area than the signal voltage power ring, wherein the first row of signal bonding pads is spaced farther from the area than the second row of signal bonding pads. 대표도면
258 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 135 (2) Claim chart No. 청구항구성요소및한정요소 A semiconductor substrate, comprising: a signal voltage power ring formed on an upper surface of the substrate and spaced from an area adapted to receive an integrated circuit, wherein the signal voltage power ring is separated into segmented voltage supply connections laterally spaced across the upper surface; < 기술범주 > 반도체기판 < 구성요소 > a) 기판의윗면에형성된신호전압전력링 1 a voltage supply plane formed within the substrate, wherein the voltage supply plane is separated into segmented planes, and wherein vias electrically connect the segmented voltage supply connections to the segmented planes; b) 기판안에형성된전압공급면 a first row of signal bonding pads spaced across the upper surface along a first line and spaced farther from the area than the signal voltage power ring; and c) 첫번째 line을통해윗면을가로질러위치하는패드를결속하는신호의첫번째열 a second row of signal bonding pads spaced across the upper surface along a second line parallel to the first line and spaced farther from the area than the signal voltage power ring, wherein the first row of signal bonding pads is spaced farther from the area than the second row of signal bonding pads. d) 두번째 line을통해윗면을가로질러위치하는패드를결속하는신호의두번째열 < 한정요소 > C가 D보다 area로부터더먼곳에위치
259 136 주요 NPEs 분석 사. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Tessera, Inc. 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Tessera, Inc. Method for providing void free layer for semiconductor assemblies 반도체장치 (H01L-021/44) A method of providing a substantially void free underfill for a flip chip assembly, comprising: electrically connecting a plurality of contact pads on a surface of a semiconductor chip to corresponding bond pads on a circuitized substrate such that the connections create a gap between the chip and the substrate, wherein the substrate is rigid; sealing the gap between the chip and the substrate with a fluid, curable encapsulant so that there is a void therebetween; applying pressure to the assembly causing the encapsulant to flow into the gap and around the connections; and applying energy to the assembly in order to cure the encapsulant. 대표도면
260 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 137 (2) Claim chart No. 청구항구성요소및한정요소 1 A method of providing a substantially void free underfill for a flip chip assembly, comprising: electrically connecting a plurality of contact pads on a surface of a semiconductor chip to corresponding bond pads on a circuitized substrate such that the connections create a gap between the chip and the substrate, wherein the substrate is rigid; sealing the gap between the chip and the substrate with a fluid, curable encapsulant so that there is a void therebetween; < 기술범주 > 플립칩어셈블리제조방법 < 구성요소 > a) 다수의접촉패드를반도체칩표면에전기적으로연결 b) 칩과기판사이의간극을밀봉 applying pressure to the assembly causing the encapsulant to flow into the gap and around the connections; and c) 캡슐화를위해어셈블리에압력을가함. applying energy to the assembly in order to cure the encapsulant. d) 어셈블리에에너지를가함.
261 138 주요 NPEs 분석 아. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Tessera, Inc. 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Tessera, Inc. Stacked chip assembly 반도체장치 (H01L-023/48) A semiconductor chip assembly, comprising: a) a first semiconductor chip having a front surface, a rear surface and contacts on said front surface; b) a second semiconductor chip having a front surface, a rear surface and contacts on said front surface, said rear surface of said second semiconductor chip being juxtaposed with said front surface of said first semiconductor chip; c) a first backing element having electrically conductive first terminals, said first backing element being juxtaposed with said rear surface of said first semiconductor chip so that at least some of said terminals overlie said rear surface of said first semiconductor chip, at least some of said contacts on said first and said second semiconductor chips being electrically connected to at least some of said terminals; and d) a substrate having contact pads thereon, said first terminals being connected to said contact pads of said substrate, said substrate being adapted to connect the assembly with other elements of a circuit, at least some of said first terminals overlying said rear surface of said first semiconductor chip. 대표도면
262 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 139 (2) Claim chart No. 청구항구성요소및한정요소 A semiconductor chip assembly, comprising: a) a first semiconductor chip having a front surface, a rear surface and contacts on said front surface; < 기술범주 > 반도체칩어셈블리 < 구성요소 > a) 전면, 측면및전면에접촉부를갖는첫번째반도체칩 b) a second semiconductor chip having a front surface, a rear surface and contacts on said front surface, said rear surface of said second semiconductor chip being juxtaposed with said front surface of said first semiconductor chip; b) 전면, 측면및전면에접촉부를갖는두번째반도체칩 1 c) a first backing element having electrically conductive first terminals, said first backing element being juxtaposed with said rear surface of said first semiconductor chip so that at least some of said terminals overlie said rear surface of said first semiconductor chip, at least some of said contacts on said first and said second semiconductor chips being electrically connected to at least some of said terminals; and c) 첫번째단말을전기적으로전도하는첫번째받침요소 d) a substrate having contact pads thereon, said first terminals being connected to said contact pads of said substrate, said substrate being adapted to connect the assembly with other elements of a circuit, at least some of said first terminals overlying said rear surface of said first semiconductor chip. d) 접촉패드를갖는기판
263 140 주요 NPEs 분석 자. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Tessera, Inc. 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Tessera, Inc. Face-up semiconductor chip assemblies 반도체장치 (H01L-023/053) A semiconductor assembly comprising: a) a semiconductor chip having a front surface, a rear surface and contacts on said front surface, said semiconductor chip having a coefficient of thermal expansion; b) a substrate adapted to physically support the chip and electrically interconnect the chip with other elements of a circuit, said substrate having a set of contact pads thereon, said substrate having a coefficient of thermal expansion, said semiconductor chip overlying said substrate so that said chip overlies at least some of said contact pads of said set and so that said rear surface of said chip faces toward said substrate and said contact pads; c) a backing element having electrically conductive terminals and electrically conductive lead portions electrically connected to said terminals and to said contacts on said chip, said backing element having a central region aligned with said chip and disposed between said rear surface of said chip and said substrate, said terminals of said backing element being bonded to said contact pads on said substrate, at least some of said terminals of said backing element being disposed in said central region of said backing element and being movable with respect to the chip to compensate for differential thermal expansion of the chip and substrate.
264 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 141 대표도면 (2) Claim chart No. 청구항구성요소및한정요소 A semiconductor assembly comprising: a) a semiconductor chip having a front surface, a rear surface and contacts on said front surface, said semiconductor chip having a coefficient of thermal expansion; < 기술범주 > 반도체어셈블리 < 구성요소 > a) 전면, 측면및전면에접촉부를갖는첫번째반도체칩 1 b) a substrate adapted to physically support the chip and electrically interconnect the chip with other elements of a circuit, said substrate having a set of contact pads thereon, said substrate having a coefficient of thermal expansion, said semiconductor chip overlying said substrate so that said chip overlies at least some of said contact pads of said set and so that said rear surface of said chip faces toward said substrate and said contact pads; b) 물리적으로칩을지원하고전기적으로칩과 다른요소를연결하는데적절한기판
265 142 주요 NPEs 분석 No. 청구항구성요소및한정요소 1 c) a backing element having electrically conductive terminals and electrically conductive lead portions electrically connected to said terminals and to said contacts on said chip, said backing element having a central region aligned with said chip and disposed between said rear surface of said chip and said substrate, said terminals of said backing element being bonded to said contact pads on said substrate, at least some of said terminals of said backing element being disposed in said central region of said backing element and being movable with respect to the chip to compensate for differential thermal expansion of the chip and substrate. c) 전기전도단말및전기전도리드를갖는받침요소
266 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 143 차. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Tessera, Inc. 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Tessera, Inc. Semiconductor chip package with center contacts 반도체장치 (H01L-023/48) A semiconductor chip assembly comprising: (a) a semiconductor chip having a front surface defining the top of the chip, said front surface including a central region and a peripheral region surrounding said central region, whereby said central region is disposed inwardly of said peripheral region, said chip having central contacts disposed in said central region of said front surface; (b) a dielectric element overlying said chip front surface, said dielectric element having a first surface facing toward said chip and a second surface facing away from said chip, said dielectric element having a hole encompassing said central contacts and an edge bounding said hole; (c) a plurality of terminals disposed on said dielectric element for interconnection to a substrate and overlying said chip front surface; and (d) a plurality of central contact leads extending between at least some of said central contacts and at least some of said terminals, each said central contact lead having a terminal end connected to one of said terminals and a contact end extending to one of said central contacts, said terminals being movable with respect to said central contacts so as to compensate for thermal expansion of said chip. 대표도면
267 144 주요 NPEs 분석 (2) Claim chart No. 청구항구성요소및한정요소 A semiconductor chip assembly comprising: (a) a semiconductor chip having a front surface defining the top of the chip, said front surface including a central region and a peripheral region surrounding said central region, whereby said central region is disposed inwardly of said peripheral region, said chip having central contacts disposed in said central region of said front surface; < 기술범주 > 반도체칩어셈블리 < 구성요소 > a) 칩의상부의경계를짓는전면을갖는반도체칩 1 (b) a dielectric element overlying said chip front surface, said dielectric element having a first surface facing toward said chip and a second surface facing away from said chip, said dielectric element having a hole encompassing said central contacts and an edge bounding said hole; b) 칩전면에가로놓인유전체요소 (c) a plurality of terminals disposed on said dielectric element for interconnection to a substrate and overlying said chip front surface; and c) 기판과가로놓인칩전편을연결하기위해유전체요소에구성된다수의단말 (d) a plurality of central contact leads extending between at least some of said central contacts and at least some of said terminals, each said central contact lead having a terminal end connected to one of said terminals and a contact end extending to one of said central contacts, said terminals being movable with respect to said central contacts so as to compensate for thermal expansion of said chip. d) 다수의중앙접촉리드
268 제 2 장 주요 NPEs 활동분석 145 카. 특허번호 US (1) 주요 ( 소송 ) 특허의서지적정보 특허번호 등록일자 출원번호 출원일자 출원인 Tessera, Inc. 권리취득형태자체출원 최종권리자발명의명칭기술분류대표청구항 Tessera, Inc. Face-up semiconductor chip assembly 반도체장치 (H01L-023/48) A semiconductor assembly comprising: a semiconductor chip having oppositely facing front and rear surfaces and edges extending between said front and rear surfaces, said chip further having contacts on a peripheral region of said front surface; a backing element having electrically conductive terminals and lead portions thereon, wherein said lead portions are connected to said terminals, said backing element overlying said rear surface of said semiconductor chip such that at least some of said terminals overlie said rear surface of said chip; bonding wires connected to said contacts on said front surface of said chip, said bonding wires extending downwardly alongside said edges of said chip and being connected to the lead portions on the backing element; wherein said terminals are movable with respect to said chip. 대표도면
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2 40) 1. 172 2. 174 2.1 174 2.2 175 2.3 D 178 3. 181 3.1 181 3.2 182 3.3 182 184 1.., D. DPC (main memory). D, CPU S, ROM,.,.. D *, (02) 570 4192, jerrypak@kisdi.re.kr 172 . D.. (Digital Signal Processor),
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