전자회로-07장
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- 예원 성
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1 Chapter BJT 7.2 MOSFET
2 4 6 IC IC IC IC BJT MOSFET IC IC IC IC 7 1 differential amplifier IC integrated circuit IC BJT MOSFET emitter coupled differential pair source coupled differential pair constant current source active load BJT BJT NPN Q Q I 360
3 RØ RØ= matched vˆ vˆ vç vç RÇ IC 7 2 a vçâ common mode voltage Q Q I i =i =I /2 v =vçâ-vı
4 Vı 0.7 V BJT bø =bø "1 i iç i iç vç =vç =VÇÇ-RÇI /2 7 2 vç -vç =0 7 3 v = b vˆ =v /2 vˆ =-v /2 differential mode voltage v =vˆ -vˆ Q Q vı >vı Q I iç I /2+ I Q I iç I /2- I I vç =VÇÇ- + I RÇ 7 4a 2 I vç =VÇÇ- - I RÇ 7 4b vç -vç =2 IRÇ DC Q Q 7 1 vˆ vˆ v iç =IÍe (vˆ -v )/Vˇ iç =IÍe (vˆ -v )/Vˇ 7 6a 7 6b 362
5 363
6 IÍ Vˇ Q Q I 1 I =i +i = (iç +iç ) 7 7 a IÍ = [e (vˆ -v )/Vˇ+e (vˆ -v )/Vˇ] a a iç a = I 1+e -v /Vˇ 7 8a iç a = I 7 8b v vˆ -vˆ iç = iç = 1+e v /Vˇ ai 1+e v /Vˇ 7 9a 7 9b 7 9 v =0 vˆ =vˆ iç =iç =ai /2 I Q Q 7 3 vç -vç =0 v >0 vˆ >vˆ iç >iç v <0 vˆ <vˆ iç <iç 7 5 v vø 7 9 DC 7 3 y iç iç I normalization x v Vˇ 7 3 ai 1+e -v /Vˇ 364
7 1 v =0 y iç =iç =ai /2 2 iç iç complementary 3-2Vˇ<v <2Vˇ v =0 4 v "2Vˇ I v "2Vˇ Q Q v :-2Vˇ Q Q emitter coupled logic DC 365
8 7-1 PSPICE 7 1 DC I =250 la, VÇÇ=10 V, RÇ=20 kx 7 1 vˆ =0-1 V vˆ 1 V 7 4 y I =250 la x v /Vˇ -2 Vˇ<v <2 Vˇ v =0 iç /I =iç /I = differential mode gain common mode gain common mode rejection ratio CMRR BJT MOSFET 366
9 v vø µ ratio 7 10 vø µ vç -vç A µ = 7 10 v v vçâ vç -vç =0 Q Q vø çµ vç -vç Açµ = 7 11 vçâ vçâ 7 12 CMRR db CMRR A µ CMRR 7 12a Açµ A µ CMRR ı 20log º 7 12b Açµ 7 5 a 7 13 R µ v i
10 7 5 b vçâ R çµ vçâ i
11 7 1 Q Q DC Iı =Iı MOSFET JFET pa bø +bø offset IØÍ DC IØÍ=»Iı -Iı» a 0 V VØ=0 V DC DC output DC offset voltage 7 6 b DC 0 V DC DC input DC offset voltage BJT mv lv æ mismatch vçâ 7 1 vçâ Q Q upper limit lower limit I
12 7 2 BJT BJT BJT BJT BJT 7 7 a vˆ =v /2 vˆ =-v /2 BJT Q Q -2Vˇ<v <2Vˇ 370
13 7 1 2 BJT bø"1 IÇ I vˆ =v /2 Q iç iç vˆ =-v /2 Q iç - iç IÇ I RØ V DC DC 7 7 b 7 7 b Q Q 7 7 c 7 7 c BJT rø= 7 7 d 7 7 d Q v iç=gµv p =gµ v vç =-RÇiç=- gµrç vç A = =-gµrç 7 18 v /2 vç -vç vç =-vç v =vˆ -vˆ vç -vç A µ= =gµrç 7 19 v Q single ended 7 18 vç gµrç A µ= = v 2 371
14 7 8 a vˆ =vˆ =vçâ RØ RØ Q iç Q iç iç IÇ I I RØ 2 iç V DC 2RØ iç 372
15 7 8 b 2RØ Q Q 7 8 b 7 8 c 373
16 7 8 c 2RØ vç -børç A = = 7 21 vçâ r p +2(bø+1)RØ vçâ vç =vç vç -børç arç -RÇ Açµ= = vçâ r p +2(bø+1)RØ 2RØ 2RØ r p :2(bø+1)RØ a=bø/(bø+1) RØ RØ vç =vç BJT A µ gµrç CMRR= = Açµ RÇ =2gµRØ 7 23a 2RØ gµrç A µ 2 CMRR= = Açµ RÇ =gµrø 7 23b 2RØ CMRR BJT gµ RØ RØ Açµ CMRR CMRR
17 vˆ vˆ v =vˆ -vˆ vçâ= vˆ +vˆ vˆ =vçâ+v /2 vˆ =vçâ-v /2 7 26a 7 26b 7 9 A µ vçâ vç =-A µvîâ+açµvçâ=- v CMRR A µ vçâ vç =A µvîâ+açµvçâ= v CMRR 375
18 vîâ=v / A µ vø=vç -vç =A µv =A µ(vˆ -vˆ ) vç A µ Açµ CMRR BJT bø =bø =100 rø =rø = RÇ=15 kx I =0.6 ma RØ=50 kx VÇÇ=V =10 V I IÇŒ I BJT IÇŒ= 2 gµ= Vˇ = 2Vˇ =11.5 ma V 7 20 gµrç 11.54_10 _15_10 A µ= = =86.55 V V 2 2 bø 100 a= bø+1 = = arç 0.99_15_10 Açµ - =- =-0.15 V V 2RØ 2_50_10 A µ CMRR 7 23 CMRR= Açµ = 0.15 =577 CMRR ı=20log º(577)=55.22 db A µ=86.55 CMRR ı=80 db RØæ0.87 MX vø=vç vˆ =0.01 sinxt mv vˆ =-0.01 sinxt mv v =0.02 sinxt mv vçâ=0 vˆ =0.12 sinxt mv vˆ =0.1 sinxt mv v =0.02 sinxt mv vçâ=0.11 sinxt mv vø=0.866 mv vø=0.874 mv 376
19 v 7 7 c d v /2 R = =r p 7 30 i v R µ= =2r p 7 31 i 7 8 c RØ vçâ R = =r p +(bø+1)[(2rø) rø] ( bø+1)[(2rø) rø] 7 32 i 7 10 R 7 33 RØ R çµ MX R rø R çµ= = (bø+1) RØ
20 VÅ=100 V bø=100 gµ=11.54 ma V bø 100 r p = gµ = 11.54_10 =8.67 kx 7 31 R µ=2r p =2_8.67_10 =17.34 kx VÅ VÅ 100 BJT rø= IÇŒ = I /2 = 0.3_10 = kx 7 33 R çµ=(bø+1) RØ rø =(100+1)( )_10 =3.88 MX RÇ RÇ IC active load 378
21 7 11 RÇ BJT Q Q Q Q current mirror Q Q BJT bø bø"1 0 v =0 I Q Q 1 2 Q I /2 Q Q Q I /2 Q Q Q 0 v 7 7 d Q Q iç =gµ(v /2)=i iç =gµ(-v /2) 7 34a 7 34b Q Q i =iç 7 11 iø=i -iç =gµv 7 35 Q iç Q i Q iç iø iø=iç =gµv /2 vø=gµv Rø 7 36 Rø RÒ 7 36 Rø Rø RÒ Q Q Rø Rø =rø rø
22 gµrø vø=gµv (rø rø )= v rø =rø vø rø A µ= =gµ 7 39 v 2 gµ=içœ/vˇ rø=vå/içœ IÇŒ=I / A µ= VÅ 2Vˇ 7 40 VÅ BJT Early voltage Vˇ 380
23 7 12 R µ 7 31 Rø 7 37 Gµ=gµ Wilson Widlar cascode Q Q VÅ=100 V A µ=1,923 V V a Q Q DC VıˆÅÍ Q Q Q Q Q -Q Q -Q Q Q 7 13 b DC Q r a 1 381
24 current buffer Q iç =aiç =agµ 7 41 Rø R Q 7 13 c Q R 7 42 R =rø r p r p 7 42 v 2 382
25 Rø R r p Rø =R +rø (1+gµ R ) 7 43 =r p +rø (1+gµ r p ) rø (1+bø ) 7 11 ( bø +1) Q Q DC 3 BJT 1 2 coupling bypass IC IC IC constant current source BJT vç MOSFET vîí direct coupled DC IC 7 14 a 7 14 a RØ= 7 14 a 7 14 b 383
26 RØ 7 14 a BJT 7 15 current mirror Q Q Q Q Q Vı Q I Ï Q IØ 384
27 Q Q bø =bø bø Vı =Vı Vı I =I I Iı =Iı =I /(bø+1) 7 15 Q bø IÇ = I 7 44 bø+1 bø 2 bø+2 I Ï=IÇ +Iı +Iı = I + I = I 7 45 bø+1 bø+1 bø+1 bø IØ=IÇ = I 7 46 bø+1 IØ bø 1 = = I Ï bø+2 1+2/bø bø"2 IØ I Ï bø=100 2% 7 47 Q Q IØ Q Q Q 7 47 Q Q VØ IØ IØ VØ Q rø rø rø R VÇÇ-Vı I Ï= 7 48 R 385
28 bø"1 IØ VØ IØ=I Ï VØæVı Q IØ=0.2 ma R rø= bø=100 Vı 0.7 V VÇÇ=10 V rø= bø=100 IØ I Ï 7 48 VÇÇ-Vı R= = =46.5 kx I Ï 0.2_ Q VÇı<0.5 V Q Vı 0.7 V 1.2 V IC R 386
29 I Ï= VÇÇ+V - (Vı +Vı ) R 7 49 bø bø"1 Q Q Q Q I =I =I Ï 7 17 Q -Q PNP Q A current source NPN Q -Q Q B current sink Q -Q VÇ VÇÇ-Vı Q -Q VÇ æ-v +Vı A B Q -(Q Q Q ) BJT 3 (Q Q Q ) I =3I Ï C 387
30 7 15 Q Q Iı +Iı =2I /(bø+1) I Ï 7 46 IØ Q Q bø IØ=I Ï Q Q bø 7 18 Q Q Q Q bø Q I Iı +Iı Iı = = 7 50 bø +1 bø +1 bø =bø bø Vı =Vı Vı I =I I Iı =Iı =I /(bø+1) 7 50 bø 2 I Ï=IÇ +Iı = I + I 7 51 bø+1 ( bø +1)(bø+1) bøi 2 = [1+ ] bø+1 bø(bø +1) 7 46 IØ=IÇ =bøi /(bø+1) 7 51 I Ï IØ= I Ï bø(bø +1) 7 18 Q Q Q bø IØ 2/bø 2/[bø(bø +1)] 7 18 IØ 1 = I Ï 2 1+ bø(bø +1) I Ï= VÇÇ+V - (Vı +Vı ) R
31 IØ/I Ï Vı =0.7 V bø=100 R=5 kx VÇÇ=10 V V =0 V IØ I Ï bø 100 = = =0.98 bø IØ I Ï 1 1 = = = bø(bø +1) 100_ IØ=0.2 ma R rø= bø=100 Vı 0.7 V VÇÇ=10 V V =0 V R=43 kx 389
32 7 18 bø 7 19 Wilson 7 19 bø =bø =bø bø Iı =Iı Q 2IÇ bø+2 I =IÇ +2Iı =IÇ + = IÇ 7 55 bø bø bø bø+2 IÇ = I = IÇ 7 56 bø+1 bø+1 I Ï Q Q I Ï=IÇ +Iı =IÇ + IÇ bø 7 57 IÇ =IÇ 7 56 IÇ 7 57 bø+1 IÇ 2 I Ï= IÇ + =[1+ ]IÇ 7 58 bø+2 bø bø(bø+2) I Ï IØ=IÇ = 2 [1+ ] bø(bø+2) IØ 1 = I Ï 2 [1+ ] bø(bø+2) bø IØ 7 15 Q VÇ ævç ßå +Vı -V RØ børø
33 7 15 rø bø/2 Q Q RØ CMRR I Ï I Ï=0.2 ma R=46.5 kx IC 391
34 7 20 Widlar 7 15 Q R Vı <Vı Q I Ï IØ<I Ï R I Ï IØ Q Q bø"1 I Ï IÇ Vı I Ï IÇ =IÍe Vı /Vˇ 7 62 Vı IØ=IÇ =IÍe Vı /Vˇ Vı Vı I Ï Vı =Vˇln 7 64 IÍ IØ Vı =Vˇln 7 65 IÍ R V =R I R IØ I Ï =Vı -Vı =Vˇln{ } IØ R I Ï Vˇln{ } IØ R = IØ bø"1 Q VÇÇ-(-V )-Vı I Ï IÇ = R
35 RØ rø [1+gµ (r p R )] IØ=0.2 ma R R R=15 kx bø=100 Vı =0.7 V Vˇ=26 mv VÇÇ=V =10 V VÇÇ+V -Vı I Ï IÇ = = =1.29 ma R 15_10 I Ï 1.29_10 Vˇln 0.026_ln IØ 0.2_ R = = =0.24 kx IØ 0.2_ V R IØ=0.24_10 _0.2_10 =48 mv I Ï=0.6 ma IØ=50 la R R R Vı =0.7 V Vˇ=26 mv VÇÇ=5 V V =0 V R=7.17 kx R =1.29 kx V =64.5 mv 393
36 7 3 MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET NMOS M M source coupled matched IÍÍ RØ= RÎ IC 394
37 M M Vˇ«=Vˇ«Vˇ«gµ =gµ gµ K«=K«=K«body bias effect IÍÍ M M 1 iî = K«(v Í -Vˇ«) iî = K«(v Í -Vˇ«) K«=Cø l«(w/l) Cø l«w/l 'ßißÎ =æ K«(v Í -Vˇ«) 2 'ßßißÎ =æ K«(v Í -Vˇ«) 2 'åßißî -'ßßißÎ =æk«v v v Í -v Í MOSFET 0 IÍÍ iî +iî =IÍÍ 7 75 v Í =v Í V Í IÍÍ 1 iî =iî = = K«(V Í-Vˇ«) V Í IÍÍ/ V Í-Vˇ«=æ IÍÍ 7 77 K« iî iî
38 IÍÍ IÍÍ v iî = v /2 + æ1-2 =IÎŒ+i V Í-Vˇ«2 V Í-Vˇ«IÍÍ IÍÍ v iî = v /2 - æ1-2 =IÎŒ+i V Í-Vˇ«2 V Í-Vˇ« IÍÍ/2 DC IÎŒ M i M i v i v /2:V Í-Vˇ« IÍÍ IÍÍ v iî V Í-Vˇ«2 IÍÍ IÍÍ v iî V Í-Vˇ« IÍÍ v iî +øπk«iµíí =IÎŒ+i IÍÍ v iî -øπk«iµíí =IÎŒ+i IÎŒ=IÍÍ/ i gµ =øπk«iµíí =øπ2k«iµîœ 7 84 v /2 æ æ v :2 (V Í-Vˇ «) i =gµ v v i iî =IÍÍ iî =0 iî =0 iî =IÍÍ v µå v µå ( V Í-Vˇ«)=æ IÍÍ 7 86 K«396
39 v iî iî x v /(V Í-Vˇ«) y iî/iíí v =0 iî =iî =IÍÍ/2 v M M v M M 7 86 v µå iî =IÍÍ iî =0 iî =0 iî =IÍÍ 7 23 a vˆ =v /2 vˆ = -v /2 vˆ =v /2 M i gµv /2 vˆ =-v /2 M i -gµv /2 MOSFET 0 DC 7 23 b 7 23 b M M 7 23 c 397
40 7 23 c rø= 7 23 d 7 87 i =gµv ß=gµ v gµrî v =-RÎi =- v 7.88) 2 398
41 v A = =-gµrî 7 89 v /2 v -v v v -v A µ= =gµrî=øπk«iµíí RÎ 7 90 v M M single ended 7 89 v gµrî øπk«iµíí A µ= =- =- RÎ 7 91 v 2 2 MOSFET BJT gµ MOSFET 7 2 BJT 7 24 a vˆ =vˆ =vçâ RØ M iî M iî iî MOSFET 0 IÍÍ RØ 2 iî VÍ DC 2RØ iî 7 24 b 2RØ M M 7 24 b 7 24 c 7 24 c 2RØ
42 v -gµrî Açµ= = 7 92 vçâ 1+2gµRØ 7 92 MOSFET RØ BJT RØ vçâ v -v =
43 A µ gµrî CMRR= = Açµ gµrî =1+2gµRØ 7 93a 1+2gµRØ gµrî A µ 1+2gµRØ CMRR= = 2 = Açµ gµrî b 1+2gµRØ CMRR MOSFET gµ RØ RØ Açµ 0 CMRR CMRR MOSFET v A µ Açµ CMRR MOSFET K«=K«=0.5 ma V Vˇ«=Vˇ«=1 V rø =rø = RÎ=15 kx IÍÍ=0.5 ma RØ=150 kx MOSFET gµ=øπk«iµíí =ø0π.5_π10 π _0.π5_1µ0µ =0.5 ma V 7 91 gµrî 0.5_10 _15_10 A µ=- =- =-3.75 V V gµrî 0.5_10 _15_10 Açµ= =- =-49.67_10 V V 1+2gµRØ 1+2_0.5_10 _150_10 A µ 3.75 CMRR CMRR= = =75.50 Açµ 49.67_10 CMRR ı=20log º(75.5)=37.56 db 401
44 A µ=-3.75 CMRR ı=80 db RØæ20 MX MOSFET MOSFET BJT R =2r p kx RÎ RÎ IC 7 25 a RÎ N MOSFET M M P MOSFET M M M M MOSFET v =0 IÍÍ M M 1 2 M IÍÍ/2 M M M IÍÍ/2 M M M 0 v M M IÍÍ IÍÍ v iî = +i = +gµ 7 94a
45 IÍÍ IÍÍ v iî = +i = -gµ 7 94b MOSFET 0 iî =iî M M iî =iî a iî =iî =iî b v v iø=i -i =gµ -{-gµ }=gµv M i M i M i iø iø=-i =gµv / c 7 25 d M M vø=gµv Rø 7 97 Rø RÒ 7 97 Rø Rø RÒ M M Rø Rø =rø rø vø=gµ(rø rø )v 7 99 MOSFET gµ=øπk«iµíí rø=1/(kiîœ) IÎŒ=IÍÍ/ vø 2 A µ= =gµ(rø rø )= æ IÍÍ v k +k K«403
46 M M
47 MOSFET MOSFET K«=0.5 ma V k =0.01 V k =0.015 V IÍÍ=0.5 ma A µ=80 V V MOSFET M M DC IÍÍ BJT IC MOSFET 7 26 MOSFET M M V Í M I Ï M IØ M M Vˇ«=Vˇ«=Vˇ«k=0 M 1 IÎ = K«(V Í-Vˇ«) =I Ï K«=(Cø l«)(w/l) (W/L) M ratio Cø l«iø M 1 IØ=IÎ = K«(V Í-Vˇ«) K«=(Cø l«)(w/l) (W/L) M M M V Í=Vˇ«+æ 2I Ï æ K«
48 K«(W/L) IØ= I Ï= I Ï K«(W/L) I Ï M M IØ K«(W/L) = = I Ï K«(W/L) M M Cø (W/L) =(W/L) IØ=I Ï k =k k MOSFET IÎ =I Ï= K«(V Í-Vˇ«) (1+kVÎÍ ) IÎ =IØ= K«(V Í-Vˇ«) (1+kVÎÍ ) IØ K«(W/L) (1+kVÎÍ ) = = I Ï K«(W/L) (1+kVÎÍ ) 7 26 diø 1 RØ={ }- 1 = =rø dvîí kiø M 7 26 M VØæ( V Í-Vˇ«)-VÍÍ
49 I Ï 7 27 M I Ï=0.2 ma IØ=0.1 ma M VÎÍ ßå =0.8 V W/L Vˇ«=1 V k=0 k'«=60 la V VÎÎ=5 V VÍÍ=0 V K«=k'«(W/L) VÎÍ ßå =V Í-Vˇ«M M V Í=VÎÍ ßå +Vˇ«=0.8+1=1.8 V 1 W IØ=IÎ = k'«{ }@( V Í-Vˇ«) 2 L W 2IØ 2_0.1_10 { }@= = =5.21 L k'«(v Í-Vˇ «) 60_10 fl _(1.8-1) 1 W I Ï=IÎ = k'«{ }!( V Í-Vˇ«) 2 L W 2I Ï 2_0.2_10 { }!= = =10.42 L k'«(v Í-Vˇ «) 60_10 fl _(1.8-1) 1 W V Í =VÎÎ-V Í=5-1.8=3.2 V I Ï= k'«{ }#( V Í -Vˇ«) 2 L W 2I Ï 2_0.2_10 { }#= = =1.38 L k'«(v Í -Vˇ«) 60_10 fl _(3.2-1) 407
50 k =0.01 V IØ=0.1 ma RØ=1 MX RØ RØ 7 28 a 7 26 M M I Ï I Ï 7 27 MOSFET 7 28 a M M DC 7 28 b 7 28 c M rø M M KCL V -(-V ß ) I =gµ V ß rø V ß =-rø I
51 V RØ= =rø +rø (1+gµ rø ) gµ rø rø I gµ rø " rø gµ rø
52 V Í M V =2V Í-VÍÍ M M V Í VØæ( 2V Í-Vˇ«)-VÍÍ k =k =0.01 V gµ =0.5 ma V IØ=0.1 ma RØ=502 MX MOSFET 7 29 a Wilson 410
53 7 28 a 7 29 a M M VÎÍ k IØ/I Ï 7 29 b M M M M 7 29 a CE CC CB BJT CS CD CG MOSFET CE CC CD 1 CB CG cascade multi stage CE CS 411
54 R a CE 2 rø= 7 31 b Q r V p = p Vß RÍ+r p Q Q -bø RÒ V p =-gµ V p RÒ = Vß RÍ+r p Q RÒ =RÇ R =RÇ r p bø =gµ r p R'Ò=RÇ RÒ -bø RÒ Vø=-gµ V p R'Ò= (-gµ R'Ò)Vß RÍ+r p 412
55 7 118 Vø -bø RÒ A = = (-gµ R'Ò)=A A Vß RÍ+r p 1 A =-bø RÒ /(RÍ+r p ) RÒ =RÇ r p 2 r p 413
56 7 118 Vø bø A = = [gµ (RÇ r p )R'Ò] Vß RÍ+r p -bø RÇ -bø R'Ò = =A' A' RÍ+r p RÇ +r p A' =-bø RÇ /(RÍ+r p ) 1 A' =-bø R'Ò/(RÇ +r p ) A A A' A' A' A' Rø =RÇ R =r p Rø=RÇ RÍ=0.2 kx RÇ =1 kx RÇ =2 kx RÒ=6 kx bø =bø =100 r p =r p =1.0 kx A =6,250 V V a CE CB cascode rø= 7 32 b Q KCL 1 bø +1 gµ V p ={gµ + }V p = V p r p r p 414
57 7 122 Q V p =Vß gµ r V p = p gµ r V p = p Vß bø +1 bø +1 Vø=-gµ V p R'Ò
58 R'Ò=RÇ RÒ Vø bø A = =-gµ { }R'Ò -gµ R'Ò Vß bø R'Ò CE CE CB CE 7 32 a CE CB CB 1 CE R =r p CE CE CB R =r CE RÇ CE CE a CS CG MOSFET CG M 7 33 b Vø=-gµ V ß RÎ=-gµ V ß RÎ V ß =Vß CS Vø A = =-gµ RÎ V CS CG BJT CS 416
59 MOSFET M IÎŒ =IÎŒ =0.4 ma K«=K«=1 ma V k =k =0 RÎ=3 kx gµ =0.89 ma V A =-2.67 V V 417
60 BJT RÇ=7.5 kx RÒ=2 kx bø =bø =100 gµ =gµ =20 ma V rø =rø = A = V V CC CC Darlington pair 7 34 Q Q Q Q compound transistor I BJT Q i =(bø +1)iı i =iı Q iç =bø iı =bø (bø +1)iı iç=iç +iç =[bø +bø (bø +1)]iı iç bî = =bø +(bø +1)bø bø bø iı bø =bø bø bø"1 bî b ø
61 7 35 CC CE 4 CC 1 CC CE A =A A A A 1 CE CC A CE CC CE CC R =(R R ) [r p +(bø +1)R ] CE r p CC CE CE CE CC CC CE CE Rø=RÇ 419
62 7 36 CE CC CC 1 CE CE CC A =A A A A CC CE A 1 CC CE CC CE R =(R R ) r p CC Rø= RÇ +r p bø CE CE CC 420
63 7 37 a CS M CD M MOSFET R R M M M 7 37 b Vø=gµ V ß (RÍ RÒ ) M V ß =-gµ V ß RÎ -Vø R'Ò=RÍ RÒ (gµ RÎ )(gµ R'Ò) Vø=- V ß gµ R'Ò M R =R R R V ß = Vß RÍ +R
64 Vø Vß R RÍ +R gµ R'Ò 1+gµ R'Ò A = =(-gµ RÎ ){ }{ } A =gµ R'Ò/(1+gµ R'Ò) CS CD CS CD CD RØ= RÍ gµ gµ CS CD 422
65 BJT Q Q Q Q R Widlar Q Q Q Q Q Q Q Qª 7 35 CC CE Q Q º R CC CE Q Q push pull RÒ CC Q Qª CC CE 3 423
66 7 5 8 X 0.1 W 7 39 CC CE CE 8 X CC 10 mv RÍ=10 kx 7 6 difference emitter coupled differential pair source coupled differential pair constant current source active load v =0 0 v =0 424
67 iç iç complementary -2Vˇ<v <2Vˇ v =0 v "2Vˇ differential mode gain common mode gain common mode rejection ratio CMRR A µ A µ CMRR CMRR ı 20log º Açµ Açµ vçâ 0 V DC vç -vç A µ= =gµrç v vç gµrç A µ= = v 2 arç Açµ 2RØ A µ CMRR= =gµrø Açµ RØ RØ CMRR R µ=2r p 425
68 v -v A µ= =gµrî=øπk«iµíí RÎ v v gµrî øπk«iµíí A µ= =- =- RÎ v 2 2 v -gµrî Açµ= = vçâ 1+2gµRØ A µ 1+2gµRØ 1 CMRR= = = (1+2RØøπK«IµÍÍ ) Açµ 2 2 RØ RØ CMRR active load CE CB CS CG IC cascade loading effect 426
69 Chapter_ a I =1.2 ma a A µ b Açµ c CMRR I RØ=40 kx RÇ=12 kx BJT bø=100 VÅ= 7 7 a vˆ =vˆ =vçâ=10 sinxt mv I a RØ=40 kx b RØ=200 kx RØ A µ=50 CMRR=70 db vˆ =200 lv vˆ =160 lv Açµ> R µ R çµ R =38.6 kx bø=100 VÅ=100 V Vı [ø«]=0.7 V VÇÇ=V =10 V 427
70 I Chapter_ R a A µ b R µ 7 41 a R =0.5 kx b R =0 A µ R µ R I =1.2 ma I RØ=40 kx RÇ=12 kx BJT bø=100 VÅ= 428
71 IT COOKBOOK I 7 42 RÇ R mismatch vø=vç -vç A µ Açµ BJT VÅ= 7 42 R RÇ 1% a vø=vç -vç A µ Açµ CMRR b R=0 R BJT bø=100 Vı [ø«]=0.7 V VÅ= RÇ=50 kx R =75 kx VÇÇ=V =10 V 429
72 I Chapter_ BJT gµ gµ mismatch vø=vç -vç A µ Açµ BJT VÅ= 7 43 gµ gµ 1% a vø=vç -vç A µ Açµ CMRR b gµ=0 gµ BJT bø=100 Vı [ø«]=0.7 V VÅ= RÇ=50 kx R =75 kx VÇÇ=V =10 V 430
73 IT COOKBOOK I 7 44 RÇ=40 kx VÇÇ=V =10 V a I =0.5 ma IŒ=200 la R R b IŒ Açµ R µ Q Q VÅ= Q Q VÅ=100 V bø= a b RÒ=1 MX I =100 la BJT bø=120 VÅ=150 V 431
74 I Chapter_ a b vø/v I =100 la BJT bø=100 VÅ=100 V 7 17 I Ï=200 la R I I I VÇÇ=V =5 V BJT Vı [ø«]=v ı[ø«]=0.7 V 7 19 Rø bø rø /2 BJT r p r r gµr 1 432
75 IT COOKBOOK I 7 20 RØ rø [1+gµ (r p R )] Q Rø r p gµ"1/rø 7 46 RÎ R mismatch vø=vî -vî A µ Açµ MOSFET k= R RÎ 1% a vø=vî -vî A µ Açµ CMRR b R=0 R MOSFET K«=0.2 ma V k=0 Vˇ«=1 V RÎ=50 kx RÍ=60 kx VÎÎ=VÍÍ=10 V 433
76 I Chapter_ MOSFET gµ gµ mismatch vø=vî -vî A µ Açµ MOSFET k= gµ gµ 1% a vø=vî -vî A µ Açµ CMRR b gµ=0 gµ MOSFET K«=0.2 ma V k=0 Vˇ«=1 V RÎ=50 kx RÍ=60 kx VÎÎ=VÍÍ=10 V 7 24 a M M vçâ IÍÍ=0.5 ma RÎ=7.5 kx VÎÎ=VÍÍ=10 V MOSFET Vˇ«=0.8 V K«=0.2 ma V k=0 434
77 IT COOKBOOK I 7 48 a IŒ b A µ c Açµ d CMRR RÎ=15 kx R =30 kx MOSFET Vˇ«=1.0 V K«=K«=0.3 ma V K«=K«= 0.4 ma V k =k =k =0 k =0.01 V VÎÎ=10 V 7 25 a MOSFET IÍÍ=200 la a A µ b Rø MOSFET K«=Kπ=1 ma V k =k =0.02 V VÎÎ=5 V 435
78 I Chapter_ I Ï IØ VÎÍ ßå MOSFET Vˇ«=0.5 V K«=1.0 ma V k=0 R=12 kx VÎÎ=3.3 V 7 50 RØ 7 28 a MOSFET k=0.01 V gµ=0.5 ma V IØ I Ï=0.4 ma 7 35 CC CE a Q A b Q A c A =A A R =400 kx R =600 kx R =155 kx R =15 kx R =5 kx RÇ =2.0 kx Rß=0 VÇÇ=10 V BJT bø =bø =180 Vı [ø«]=vı [ø«]=0.7 V VÅ =VÅ = 436
79 IT COOKBOOK I 7 36 CE CC a Q A b Q A c A =A A R =600 kx R =100 kx R =50 kx R =70 kx RÇ =10 kx R =1 kx R =1.5 kx Rß=0 VÇÇ=12 V BJT bø =bø =180 Vı [ø«]=vı [ø«] =0.7 V VÅ =VÅ = 7 37 a CS CD MOSFET IÎ =0.25 ma IÎ =0.6 ma Vˇ«=Vˇ«=1.0 V K«=0.5 ma V K«=0.3 ma V k =k =0 R =380 kx R =120 kx RÎ =16 kx RÍ =3.3 kx RÍ =8 kx RÒ=5 kx Rß =2 kx VÎÎ=-VÍÍ=5 V 7 51 a Q Q IÇ IÇ VÇ VÇ b A =vø/vß R =620 kx R =280 kx RÇ=2.2 kx R =1 kx VÇÇ=10 V BJT bø =100 bø =160 Vı [ø«]=vı [ø«]=0.7 V VÅ = VÅ = 437
80 I Chapter_ a vˆ =vˆ =0 BJT IÇ VÇ b BJT r p gµ c vø=a vˆ +A vˆ A A d e I =1 ma VÇÇ=V =5 V RÇ=10 kx R =2 kx BJT Q Q bø=
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A p p e n d i x Notation hapter_ i i 8 // // 8 8 J i 9K i? 9 i > A i A i 8 8 KW i i i W hapter_ a x y x y x y a /()/()=[W] b a b // // // x x L A r L A A L L A G // // // // // // // 8 b hapter_ hapter_
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THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2019 Sep.; 30(9), 712 717. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2019.30.9.712 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) MOS
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- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - - vii - 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54
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저작물의 공정이용에 관한 가이드라인(안) 2010. 12. - 3 - - 4 - [머리말] 저작권법은 저작자의 권리와 이에 인접하는 권리를 보호하고 저작물의 공정한 이용을 도모함으로써 문화 및 관련 산업의 향상발전에 이바지함을 목적으로 하고 있다(제1조). 이러한 저작권법의 목적에 비추어 보면, 저작권 등의 권리 보호와 공정이용의 도모는 결국 '문화 및 관련
,,,,,, (41) ( e f f e c t ), ( c u r r e n t ) ( p o t e n t i a l difference),, ( r e s i s t a n c e ) 2,,,,,,,, (41), (42) (42) ( 41) (Ohm s law),
1, 2, 3, 4, 5, 6 7 8 PSpice EWB,, ,,,,,, (41) ( e f f e c t ), ( c u r r e n t ) ( p o t e n t i a l difference),, ( r e s i s t a n c e ) 2,,,,,,,, (41), (42) (42) ( 41) (Ohm s law), ( ),,,, (43) 94 (44)
2장
. Operatnal Amplfers (, p amp) analg,, ( transstr, ), 960 C p amp (µa 709), C p amp C p amp : ().(p amp ) () (deal) >C p amp p amp buldng blck,. (C p amp: transstr,, capactr.) Op amp 9 . deal( ) p amp..
고주파의 이해
1,,,,, UHF ( 300MHz, 1m ),?, 1MHz 300m FR-4 137m cm, 1MHz,, 1GHz? 1MHz 1/1000 30cm, FR-4 137cm cm,,,, W, dbm(0dbm=1mw) 2 S Parameter(Scattering Parameter), Y Parameter, Smith Chart S Parameter S21 S11
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ISODNU 1 ISO DNU/DNUL DNU DNUL 32 40 50 63 80 Gx G G Gy Gy G M10x1.25 M12x1.25 M16x1.5 M16x1.5 M20x1.5 M20x1.5 [mm] 19 21 23 23 30 30 4 [MPa] 1.2 [ C] 20 80 0.6MPa [N] 482 753 1178 1870 3015 4712 415 633
시작하기 시작할 준비가 되었으면 다음 설명에 따라 설문조사를 실시한다. 1단계: 허락받기 클럽을 떠나는 회원에게 에 응해 줄 것인지 물어본다. 이 설문 조사는 클럽의 문제점을 보완해 향후 같은 이유로 이탈하는 회원들이 없도록 하기 위한 것이며, 응답 내용은 대외비로 처
떠나는 이유 알아보기 왜 클럽을 떠나는가? 이는 클럽을 떠나기로 결심한 동료들에게 반드시 물어봐야 할 질문이다. 그리고 그 답이 무엇이든 다시는 같은 이유로 클럽을 떠나는 회원이 없도록 개선책을 마련해야 한다. 를 사용해 왜 회원들이 클럽을 떠나는지, 그리고 앞으로 회원들의 이탈을 막으려면 어떻게 해야 할 것인지 논의를 시작한다. 클럽 회원위원회는 이 설문조사를
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제 5 장 신호의 검출 측정하고자 하는 신호원에서 발생하는 신호를 검출(detect)하는 것은 물리측정의 시작이자 가장 중요한 일이라고 할 수가 있습니다. 그 이유로는 신호의 검출여부가 측정의 성패와 동의어가 될 정도로 밀접한 관계가 있기 때문입니다. 물론 신호를 검출한 경우라도 제대로 검출을 해야만 바른 측정을 할 수가 있습니다. 여기서 신호의 검출을 제대로
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1 SV - ih.. 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 - - - 23 24 R S T G U V W P1 P2 N R S T G U V W P1 P2 N R S T G U V W P1 P2 N 25 26 DC REACTOR(OPTION) DB UNIT(OPTION) 3 φ 220/440 V 50/60
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Chapter 1 Chapter 1 Chapter 1 Chapter 2 Chapter 2 Chapter 2 Chapter 2 Chapter 2 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 3 Chapter 4 Chapter 4
(291)본문7
2 Chapter 46 47 Chapter 2. 48 49 Chapter 2. 50 51 Chapter 2. 52 53 54 55 Chapter 2. 56 57 Chapter 2. 58 59 Chapter 2. 60 61 62 63 Chapter 2. 64 65 Chapter 2. 66 67 Chapter 2. 68 69 Chapter 2. 70 71 Chapter
01....b74........62
4 5 CHAPTER 1 CHAPTER 2 CHAPTER 3 6 CHAPTER 4 CHAPTER 5 CHAPTER 6 7 1 CHAPTER 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
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양성자가속기연구센터 양성자가속기 개발 및 운영현황 DOI: 10.3938/PhiT.25.001 권혁중 김한성 Development and Operational Status of the Proton Linear Accelerator at the KOMAC Hyeok-Jung KWON and Han-Sung KIM A 100-MeV proton linear accelerator
fl 2
1 fl 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69
6 강남구 청담지구 청담동 46, 삼성동 52 일대 46,592-46,592 7 강남구 대치지구 대치동 922번지 일대 58,440-58,440 8 강남구 개포지구 개포동 157일대 20,070-20,070 9 강남구 개포지구중심 포이동 238 일대 25,070-25,
서울특별시시 제2014-77호 도시관리계획[성내지구 지구단위계획구역 등 176개 구역 (민간부문 운영시행지침)] 결정(변경) 시 서울특별시 성내지구 등 176개소 지구단위계획구역 민간부문 운영시행지침 에 대하여 국토의 계획 및 이용에 관한 법률 제30조 및 같은법 시행령 제25조 규정에 따라 도시관리 계획결정(변경) 사항을 다음과 같이 시합니다. 2014년
27집최종10.22
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PFA/PFW Series PFA Series PFW Series PF00 Series Alphabet Index 8 A COM B COM DCV GND F.G. R.S. HOLD COM BANK BANK COUNT PRESET FUNC. AC00~0VCOM OUTOUTOUTOUTOUTS.STOP RD SD SG RS-C PFA/PFW Series, N M/C
2 A A Cs A C C A A B A B 15 A C 30 A B A C B. 1m 1m A. 1 C.1m P k A B u k GPS GPS GPS GPS 4 2
www.ebsi.co.kr 2 A A 1 133 Cs 1 11 1 A C C A A B A B 15 A C 30 A B A C B. 1m 1m A. 1 C.1m P k A B u k GPS GPS GPS GPS 4 2 www.ebsi.co.kr A B t B A ;2!;t v v= = (3_t)+(6_0.5t) v=4 m/s t+0.5t 3 m/s 6 m/s
활성화 학습 표시(DYN 및 WND) 버튼 DYN 및 WND 꺼짐 2 점세팅, 라이트세팅, 다크세팅 모드 중 하나 선택됨(기본 세팅으로 2 점 세팅 설정됨) DYN / WND 점멸 티칭 모드로 전환됨. DYN 켜짐 다이나믹 세팅 모드 선택됨 WND 켜짐 대칭 창 임계값
빠른 시작 가이드 바이폴라( PNP 및 NPN) 출력을 제공하는 Laser Expert 확산 센서. 특허 출원 중. 이 가이드는 Q3X 센서의 설정과 설치를 지원할 수 있도록 마련되었습니다. 프로그래밍, 성능, 문제 해결, 규격, 액세서리 등에 대한 자세한 정보는 www.bannerengineering.com 에서 제공하는 안내 매뉴얼을 참고하십시오. 매뉴얼을
제 호 년 제67차 정기이사회, 고문 자문위원 추대 총동창회 집행부 임원 이사에게 임명장 수여 월 일(일) 년 월 일(일) 제 역대 최고액 모교 위해 더 확충해야 강조 고 문:고달익( 1) 김병찬( 1) 김지훈( 1) 강보성( 2) 홍경식( 2) 현임종( 3) 김한주( 4) 부삼환( 5) 양후림( 5) 문종채( 6) 김봉오( 7) 신상순( 8) 강근수(10)
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IT법률컨설팅 강의교안 (상) 영문계약의 이해 소프트웨어 자산관리기법 영문계약의 이해 - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - - 19 - - 20 - - 21 - - 22 - - 23 -
第 1 節 組 織 11 第 1 章 檢 察 의 組 織 人 事 制 度 등 第 1 項 大 檢 察 廳 第 1 節 組 대검찰청은 대법원에 대응하여 수도인 서울에 위치 한다(검찰청법 제2조,제3조,대검찰청의 위치와 각급 검찰청의명칭및위치에관한규정 제2조). 대검찰청에 검찰총장,대
第 1 章 檢 察 의 組 織 人 事 制 度 등 第 1 節 組 織 11 第 1 章 檢 察 의 組 織 人 事 制 度 등 第 1 項 大 檢 察 廳 第 1 節 組 대검찰청은 대법원에 대응하여 수도인 서울에 위치 한다(검찰청법 제2조,제3조,대검찰청의 위치와 각급 검찰청의명칭및위치에관한규정 제2조). 대검찰청에 검찰총장,대검찰청 차장검사,대검찰청 검사,검찰연구관,부
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제출문 문화체육관광부 장관 귀하 본 보고서를 문화체육관광부 아시아문화중심도시추진단 아시아문화중심도시 투자진흥지구 지원기준 및 평가방법 연구 연구용역의 최종보고서로 제출합니다. 2011년 12월 한국문화관광연구원 원장 직무대리 정광렬 연구책임자 옥성수 한국문화관광연구원 책임연구원 공동연구자 나주몽 전남대학교 경제학부 교수 임채성 건국대학교 경영학과 교수 김홍규
Microsoft Word - FS_ZigBee_Manual_V1.3.docx
FirmSYS Zigbee etworks Kit User Manual FS-ZK500 Rev. 2008/05 Page 1 of 26 Version 1.3 목 차 1. 제품구성... 3 2. 개요... 4 3. 네트워크 설명... 5 4. 호스트/노드 설명... 6 네트워크 구성... 6 5. 모바일 태그 설명... 8 6. 프로토콜 설명... 9 프로토콜 목록...
Microsoft PowerPoint - ICCAD_Analog_lec01.ppt [호환 모드]
![Microsoft PowerPoint - ICCAD_Analog_lec01.ppt [호환 모드]](/thumbs/96/129131938.jpg "Microsoft PowerPoint - ICCAD_Analog_lec01.ppt [호환 모드]")
Chapter 1. Hspice IC CAD 실험 Analog part 1 Digital circuit design 2 Layout? MOSFET! Symbol Layout Physical structure 3 Digital circuit design Verilog 를이용한 coding 및 function 확인 Computer 가알아서해주는 gate level
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www.ebsi.co.kr 01 THEME 005 ABC abcd C A b 20~30 km HR HR 10 6 10 5 10 4 10 3 10 2 (=1) 10 1 10 _1 10 _2 10 _3 10 _4 10 7 30000 10000 6000 3000 (K) 11111111 11111111 10 8 10M 6M 10 9 3M 10 10 1M 10 11
SURGE PROTECTIVE DEVICE 전원 전원 전원 +E +E +N+E
전원 전원 전원 +E +E +N+E Use of spd +E 변전소 (Substation) (Application) 배전반주분전반 (Distributing board) 분전반 (Cabinet panel board) 설비 (Facilities) 중부하기기 (Heavy loading machine) 경부하기기 (ight loading machine) 106 권장
歯02-BooleanFunction.PDF
2Boolean Algebra and Logic Gates 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 IC Chapter 2 Boolean Algebra & Logic Gates 1 Boolean Algebra 1854 George Boole Chapter 2 Boolean Algebra & Logic Gates 2 Duality Principle
Getting Started
b Compaq Notebook Series Ñ è Ý : 266551-AD1 2002 4,, Compaq.. 2002 Compaq Information Technologies Group, L.P. Compaq, Compaq, Evo Presario Compaq Information Technologies Group, L.P.. Microsoft Windows
07 최운성.hwp
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2013 Nov.; 24(11), 1081 1090. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2013.24.11.1081 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online)
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경제통상 내지.PS
CONTENTS I 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 II 38 39 40 41 42 43 III 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 IV 62 63 64 65 66 67 68 69 V
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CONTENTS I 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 II 38 39 40 41 42 43 III 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 IV 62 63 64 65 66 67 68 69 V
우루과이 내지-1
U R U G U A Y U r u g u a y 1. 2 Part I Part II Part III Part IV Part V Part VI Part VII Part VIII 3 U r u g u a y 2. 4 Part I Part II Part III Part IV Part V Part VI Part VII Part VIII 5 U r u g u a
EP-B-P407 [변환됨].eps
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IZD10/IZE11 Series 20kV50mm 0.4kV25mm 1 5V( 100Ω). IZD10 Series 2(1 5V, 4 20mA) 0.001kV(±0.4kV ), 0.1kV(±20kV ) ±0.5 F.S. ±1digit (1mm ) 2 (±0.4kV, ±20kV) IZE11 Series Alphabet Index 695 IZD10 Series IZD10
(Transer Function) X(w) Y(w) H(w) Y(w) X(w) H ( w) φ H(w) H(w) X(w) Y(w). Vo ( w) H v ( w) V ( w) I o( w) H i ( w) I ( w) V ( w) H z ( w) I ( w) I ( w
4 Bode plot( ) Pspice The McGraw-Hill Copanies, Inc.,? A(j) db A db. A 3 db,, ΘG(), L 9 o 8. o L H H (rad/s) (rad/s) : 3 3 : 35~ The McGraw-Hill Copanies, Inc., (Transer Function) X(w) Y(w) H(w) Y(w) X(w)
세계 비지니스 정보
- i - ii - iii - iv - v - vi - vii - viii - ix - 1 - 2 - 3 - - - - - - - - - - 4 - - - - - - 5 - - - - - - - - - - - 6 - - - - - - - - - 7 - - - - 8 - 9 - 10 - - - - - - - - - - - - 11 - - - 12 - 13 -
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아날로그및파워 IC 워크샵 저전력아날로그 IC 설계기술 서강대학교전자공학과안길초 Contents 2 1 2 Introduction Low-Power Design Techniques 3 Conclusions 1. Introduction 3 Why Low-Power? (1) 4 Increasing demand for mobile applications Longer
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歯전기전자공학개론
Part I 1Chapter 2 Introduction V E amperes a m p s Example, SELF-TEST R, (electron) 4,,, ( ) [ j o u l s / s e c ] 1-1, 107 (element) (atom), 107,,, 1-1 - 1, (particle) 1 10 12, (white fuzzy ball) 1913
#수Ⅱ지도서-4단( )
IV 4 3 4 5 5 exponent 3 3 Archimedes B.C. 87~B.C. Diophantos?00~?84 a m _a n =a m+n (mn=0y) Stifel M. 487~567 Arithmetica integra y-3--03y y ;8!; ;4!; ;!; 48y Stevin S. 548~60 xx x ()()(3) x ;!; x ;3!;
Precipitation prediction of numerical analysis for Mg-Al alloys
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슬라이드 1
Chapter 3. Bipolar Junction Transistor Golden ule : Bipolar Junction Transistor C mitter : 화살표표시, forward bias V C C V Near Zero : Large C Bias : F ~ infinite C = h F B = C + B V F V C - h F 값은많이변하기때문에,
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ACB/ATS/SPD Air Circuit Breaker / Automatic Transfer Switch / Surge Protective Device Moving Forward into the World 02_03 World Class Brand ACB/ATS/SPD Air Circuit Breaker / Automatic Transfer Switch /
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Back Metal 면이 Drain 인 Vertical channel MOSFET 의 Wafer Test 에서 Chuck 을사용하지않는 RDSON 측정방법 동부하이텍검사팀김여황 I RDSON II Conventional Method III New Method IV Verification (Rdson) V Normal Test Item VI Conclusion
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9 PC 뷰어 9 PC 뷰어 재생 목록 전/후방 캡쳐 KV100 뷰어의 창 조정 버튼 중 전/후방 영상 버튼 을 누르면 나타납니다. 정지된 영상의 일부를 확대하거나 선명하게 보거나 파일로 저장, 인쇄 등을 할 수 있습니다. 창 크기 조절 우측 하단을 좌측 마우스 버튼을 누른채 늘이면 많은 양의 목록을 볼 수 있음 항목 39 명 칭 설 명 불러온 파일의 유형을
EP-B-P002 [변환됨].eps
![EP-B-P002 [변환됨].eps](/thumbs/90/103109058.jpg "EP-B-P002 [변환됨].eps")
2 ZSE30A(F)/ISE30A Series 10 RoHS 1 2 3 0 0-101kPa 1MPa -0.1MPa -100kPa Push Push 0.0 101.0kPa 0.1001.000MPa 2 NPNPNP2 NPNPNP1 15V 420mA Alphabet Index 3 4 A B/C B C 2m,. 4 4 0.5MPa ZSE30A 0.0-101.0kPa
. 서론,, [1]., PLL.,., SiGe, CMOS SiGe CMOS [2],[3].,,. CMOS,.. 동적주파수분할기동작조건분석 3, Miller injection-locked, static. injection-locked static [4]., 1/n 그림
![. 서론,, [1]., PLL.,., SiGe, CMOS SiGe CMOS [2],[3].,,. CMOS,.. 동적주파수분할기동작조건분석 3, Miller injection-locked, static. injection-locked static [4]., 1/n 그림](/thumbs/87/96061008.jpg ". 서론,, [1]., PLL.,., SiGe, CMOS SiGe CMOS [2],[3].,,. CMOS,.. 동적주파수분할기동작조건분석 3, Miller injection-locked, static. injection-locked static [4]., 1/n 그림")
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2016 Feb.; 27(2), 170175. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2016.27.2.170 ISSN 1226-3133 (Print)ISSN 2288-226X (Online) Analysis
*통신1510_01-도비라및목차1~12
ISSN 5-693 15. 11 15. 11 1 13 1 15. 1.5..3.1.6 3.9 -.8 -.3.9 1. 1.6.1 1. 1.7 1.6 -.1-1.1 1.3.5-1. 7.7 7.7 7.3 7. 7. 7. 7. 8 6 8 6 i 3 1-1 3 1-1 5 5 3 3 1 1 ii 1 8 5 3.5 3.5 3. 3..5.5.. 1.5 1.5
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PowerPoint Presentation
신호조절 (Signal Conditioning) 메카트로닉스 시스템의 구성 ECU 인터페이스 회로 (시그널 컨디셔닝) 마이컴 Model of 기계 시스템 인터페이스 회로 (드라이빙 회로) 센서 액츄에이터 (구동기) 기계 시스템 PN 접합 다이오드 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드 응용회로 [1] 다이오드
Microsoft PowerPoint - ch25ysk.pptx
Dynamic Analog ircuits (h. 5) 김영석 충북대학교전자정보대학 0.3.. Email: kimys@cbu.ac.kr 전자정보대학김영석 5- ontents 5. The MOSFET Switch 5. Fully Differential ircuits 5.3 Switched-apacitor ircuit 전자정보대학김영석 5- 5. The MOSFET
Microsoft Word - SRA-Series Manual.doc
사 용 설 명 서 SRA Series Professional Power Amplifier MODEL No : SRA-500, SRA-900, SRA-1300 차 례 차 례 ---------------------------------------------------------------------- 2 안전지침 / 주의사항 -----------------------------------------------------------
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CONTENTS.HWP
i ii iii iv v vi vii viii ix x xi - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - - 19 - - 20 - - 21 - - 22 - - 23 - - 24 - - 25 -
INDUS-8.HWP
i iii iv v vi vii viii ix x xi 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64
Microsoft Word - APEM_joystick.doc
9000 시리즈 - 무접점 조이스틱 초저 높이 1 2 3축 방식 다양한 핸들 EMC 프리 보증기간 18개월 무한 해상도 무접점 센싱 일관된 성능 IP65 상판 패널 중앙 과 내부 오류 감지(옵션) 긴 수명 제품 개요 일반 개요 9000 시리즈는 패널 밑 높이가 가장 낮으면서 비례 제어가 필요한 응용 분야에 이상적이다. 검증된 7000 시리즈를 바탕으 로 개발되어,
전기정보 11월(내지).qxp
463-835 경기도 성남시 분당구 야탑로 338(야탑동 191) T.(031) 724-6100(代) 등록일자 1976년 3월 18일 등록번호 서울 라 11267 www.kemc.co.kr 11 2014 통권474 Power Tech AC 직결형 LED 구동회로 설계 스마트 리뉴어블(Smart Renewable) EMS 운영 결과 분석 발전기 온라인 통합 감시진단
24 GHz 1Tx 2Rx FMCW ADAS(Advanced Driver Assistance System).,,,. 24 GHz,, [1] [4]. 65-nm CMOS FMCW 24 GHz FMCW.. 송수신기설계 1 1Tx 2Rx FMCW (Local Oscillat
![24 GHz 1Tx 2Rx FMCW ADAS(Advanced Driver Assistance System).,,,. 24 GHz,, [1] [4]. 65-nm CMOS FMCW 24 GHz FMCW.. 송수신기설계 1 1Tx 2Rx FMCW (Local Oscillat](/thumbs/91/106074132.jpg "24 GHz 1Tx 2Rx FMCW ADAS(Advanced Driver Assistance System).,,,. 24 GHz,, [1] [4]. 65-nm CMOS FMCW 24 GHz FMCW.. 송수신기설계 1 1Tx 2Rx FMCW (Local Oscillat")
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Oct.; 29(10), 758 765. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.10.758 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) 24
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태양광 모듈 효율 실증 테스트 시스템 National Instrument Korea 전략마케팅 / 팀장 윤 동 원 1 회사 소개 소재: 미국 텍사스 오스틴 설립일: 1976년 지사 및 직원: 40여 개국의 지사, 4,300명의 직원 2007년 매출: $740M R&D 투자: 1) 사업비의 16% R&D 투자 2) 1,400명 이상의 R&D인력 대표 제품: LabVIEW,
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE Jun.; 29(6),
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2018 Jun.; 29(6), 415423. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2018.29.6.415 ISSN 1226-3133 (Print)ISSN 2288-226X (Online) Analysis
歯AG-MX70P한글매뉴얼.PDF
120 V AC, 50/60 Hz : 52 W (with no optional accessories installed), indicates safety information. 70 W (with all optional accessories installed) : : (WxHxD) : : 41 F to 104 F (+ 5 C to + 40 C) Less than
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농어촌여름휴가페스티벌(1-112)
좋아유~보은!여러가지 체험으로자연을누려보세요 보은군 농촌체험산업협의회 맑은물 맑은공기비단강숲마을 영동군 비단강 숲마을 보은군은 전국 어디서나 찾아오기 쉬우며, 비단강 숲마을은 자연 그대로가 마을 곳곳에 녹아 잘 보존된 깨끗한 자연환경과 천년의 신비를 간직 흐르는 곳이다. 푸르른 들녘과 알록달록 익어 가는 과일, 한 속리산과 법주사, 장안면 아흔아홉간집, 서원계
Microsoft PowerPoint - Ch8
Ch. 8 Field-Effect Transistor (FET) and Bias 공핍영역 D G S 채널 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) R G - 접지로부터 AC 신호를분리 I D I G = 0 G = 0 D I D I S S = I S R S I D R S S I S = G - S = 0 I D R S = - I D R S D
Dual- Gate FET T he Analysis and Applications of Nonlinear Characteris tics of Dual- Gate FET 1999 12
Dual- Gate FET T he A naly s is and A pplication of Nonlinear Characteris tics of Dual- Gate FET 199 9 Dual- Gate FET T he Analysis and Applications of Nonlinear Characteris tics of Dual- Gate FET 1999
4. 교과목표 Course Objectives 전자회로 -I 에서는 MOSFET 소자와이를이용한아날로그증폭기회로설계에대한지식습득을목표 로합니다. 5. 학습평가방식 Evaluation System 중간고사 (2 회 ) Midterm Exam 기말고사 Final Exam
2017 학년도 1 학기강의계획안 교과목명 Course Title 전자회로 -I 학수번호 Course No. 35328-01 개설전공 Department/Major 전자공학 학점 Credit 3 수업시간 / 강의실 Class Time/ Classroom 아산공학관 107 호 담당교원 Instructor 성명 : 박성민 Name 소속 : 전자공학과 Department
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 26, no. 9, Sep GHz 10 W Doherty. [4]. Doherty. Doherty, C
![THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 26, no. 9, Sep GHz 10 W Doherty. [4]. Doherty. Doherty, C](/thumbs/90/104285493.jpg "THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. vol. 26, no. 9, Sep GHz 10 W Doherty. [4]. Doherty. Doherty, C")
THE JOURNAL OF KOREAN INSTITUTE OF ELECTROMAGNETIC ENGINEERING AND SCIENCE. 2015 Sep.; 26(9), 783 789. http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2015.26.9.783 ISSN 1226-3133 (Print) ISSN 2288-226X (Online) GaN-HEMT
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CONTENTS C U B A I C U B A 8 Part I Part II Part III Part IV Part V Part VI Part VII Part VIII Part IX 9 C U B A 10 Part I Part II Part III Part IV Part V Part VI Part VII Part VIII Part IX 11 C U B
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VP7-6 Series VP7-6-FPG-D- (FG-S) (FG-D) (YZ-S) (YZ-D) Closed center (FHG-D) Exhaust center (FJG-D) (FPG-D) Pressure center(fig-d) VP7-6-FHG-D- VP7-6-FG-S- VP7-6-FG-D- (V) (A) ) (A) ) (V) ) 0.15~0.9{1.5~9.}