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1 FUJITSU Semiconductor FUJITSU FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED

2 F : Ferroelectric Random Access Memory , 20 30,. IC,, RFID.

3 ,, , RFID LSI LSI., 2017 ET/IoT Technology IoT Technology.,.

4 Ferroelectric Random Access Memory SRAM., EEPROM,,. EEPROM FLASH SRAM 소 + 소 + 비휘발성 150ns 5ms 10µs 55ns 높은쓰기내성 높은보안 지 고속쓰기 저소비전력 2. SOP TSOP RFID LSI LSI LSI. RFID LSI,. LSI LSI., LSI. 단체메모리 탑재 LSI 시리얼메모리페러렐메모리 RFID용 LSI 인증용 LSI 커스텀 LSI Ferroelectric film. PZT. Zr Ti.., EEPROM. 0 Data 분극량 Pb( 납 ) PZT Zr( 지르코늄 ) 또는 Ti( 티탄 ) O( 산소 ) 하부전극전압 1 Data PZT 3

5 SPI 16K 4M, I 2 C 4K 1M. EEPROM 8 SOP, SON WL-CSP. SRAM, 256K 8M. 메모리용량 ( 비트 ) 8M MB85R8M2T 4M 양산 ES 제공중 MB85RQ4ML 1.7V-1.95V MB85RS4MT MB85R4M2T 2M 1M 512K MB85RC1MT MB85RC512T MB85RS2MTA MB85RS1MT MB85RS512T 256K MB85RC256V 2.7V-5.5V MB85RS256TY MB85RS256B MB85R256F 128K MB85RC128A MB85RS128TY MB85RS128B 64K MB85RC64TA MB85RC64V 3.0V-5.5V MB85RS64T/64TU MB85RS64 MB85RS64VY 2.7V-5.5V MB85RS64V 3.0V-5.5V 16K MB85RC16 MB85RC16V 3.0V-5.5V MB85RDP16LX(*) 1.65V-1.95V MB85RS16N 4K MB85RC04V 3.3V-5.5V *: 이진카운터내장품 I 2 C 1.8V I 2 C 3.3V I 2 C 5V SPI 1.8V SPI 3.3V SPI 5V 페러렐 1.8V 페러렐 3.3V 10,.,,,. 비 / 이터 산 CNC 러 IC 카 IC 터 트 RAID 품 4

6 Ferroelectric Random Access Memory SPI EEPROM 4M MB85RS4MT EEPROM 4M SPI. EEPROM,,. EEPROM 100 1,000 10, 5ms.,,. :,,,,, 이상전압저하발생 전원정지 당사제 10 조회에도달 전원! 범용 EEPROM 100 만회에도달 약 1.5 시간 1,600 년시간 조건 : 5ms 에 1 회의데이터쓰기를한경우의쓰기보증횟수로의도달시간 EEPROM 당사제 범용 EEPROM 쓰기시간 =200ns 쓰기시간 =5ms 전원정지까지데이터쓰기가완료 전원정지까지데이터쓰기가끝나지않음 조건 : EEPROM, 모두 1 바이트쓰기, 동작주파수 = 최대주파수 ( 카탈로그값 ) 로계산 EEPROM SRAM 8M MB85R8M2T SRAM 8M. SRAM, SRAM.,,,., SOP, FBGA. :,,, 18.42mm 8M 비트 SRAM+ 배터리 SRAM 44-pin TSOP SRAM 용배터리 8.00mm 8M 비트 실장면적을약 90% 삭감! 48-pin FBGA 25.26mm 6.00mm 배터리의삭감과 FBGA 패키지에의해실장면적을큰폭으로삭감 SRAM 기기의메모리부 SRAM+ 배터리 개발비용 ( 부품비용 ) 전체비용사용중운용비용 ( 유지보수 비용 ) 배터리교환비용, SRAM 배터리의 + 의비용비용 + 배터리재고확보, 유지보수비용등 의비용 + 배터리삭감에의해배터리관련비용이불필요 + 5

7 -55 64K MB85RS64TU K ,., EEPROM 8 SOP, mm 8 SON. :,,, / K MB85RS128TY 256K MB85RS256TY , AEC-Q100 *1 PPAP *2.,,. : -, ecall,,, TPMS - CNC,, *1 AEC Automotive Electronic Council *2 PPAP Production Part Approval Process Bit V Hz MB85RS256TY 256K M MB85RS128TY 128K M MB85RS64VY 64K M * * * * * *4 SOP-8 SOP-8 SOP-8 *3 +85,.. * Web Web Web. Web., Web. 6

8 Ferroelectric Random Access Memory I 2 C Bit V Hz *1 MB85RC1MT 1M M SOP-8 MB85RC512T 512K M SOP-8 MB85RC256V 256K M SOP-8 MB85RC128A 128K M SOP-8 MB85RC64TA 64K M SOP-8/SON-8 MB85RC64V 64K M SOP-8 MB85RC16 16K M SOP-8/SON-8 MB85RC16V 16K M SOP-8 MB85RC04V 4K M SOP-8 SPI Bit V Hz *1 MB85RS4MT 4M M SOP-8 MB85RQ4ML *2 4M M SOP-16 MB85RS2MTA 2M M SOP-8/DIP-8 MB85RS1MT 1M M SOP-8/WL-CSP MB85RS512T 512K M SOP-8 MB85RS256TY *3 256K M MB85RS256B 256K M SOP-8 MB85RS128TY *3 128K M MB85RS128B 128K M SOP-8 MB85RS64VY *3 64K M MB85RS64V 64K M SOP-8 MB85RS64 64K M SOP-8 MB85RS64T 64K M SOP-8/SON-8 MB85RS64TU 64K M SOP-8/SON-8 MB85RS16N 16K M SOP-8/SON-8 MB85RDP16LX *4 16K M * SON-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 7 *1+85,.. *2 SPI SPI. *3 AEC-Q *4. *5 Dual SPI 7.5MHz.

9 Bit V ns *1 MB85R8M2T 8M 512K FBGA-48 MB85R4M2T 4M 256K TSOP-44 MB85R256F 256K 32K TSOP-28/SOP-28 *1+85,.. LSI IC, LSI. LSI MB94R330. MB94R V I 2 C 400kHz SON-8 MB94R330 &.,., LSI. MB94R330 Logic ( 키 & 데이터 ) 암호 IP (AES 등 ) 암호통신 I 2 C, SPI, RF 등 본체. 인증대상품 LSI x mm mm x mm mm WL-CSP FBGA SON SOP SOP SOP TSOP TSOP

10 Ferroelectric Random Access Memory RFID RFID LSI RFID LSI., ID., EEPROM., RFID LSI., SPI 2 SPI,. RFID LSI., 1. ISO15693, ISO , 6 I/F SPI UHF MHz 3m * Byte 2KByte 8KByte MB97R8130 8KB MB97R8110 8KB Non SPI UHF MHz 3m MB97Rxxxx 64B EPC memory: 128bit MB97R8050 EPC memory: 128bit HF13.56MHz 50cm MB89R119B 256B MB97R8120 8KB MB89R118C 2KB MB89R112A 8KB *1. RFID LSI / 9

11 MB97R8110 SPI 2 LSI. MB97R8110.,,,,, MB97R8110. RFID LSI *1 I/F MB97R8110 UHF MHz 8KB ISO/IEC EPC C1G2 Ver SPI Master SPI Slave GPIO Key Matrix Scan *1. MB97R8110 UHF 리더 / 라이터 모니터에연결 MB97R8110 탑재모듈 키보드에내장 무선급전에의해동작 ( 배터리는불필요 ) 무선에의한전력공급 ( 무선급전 ) 모니터 리더 / 라이터를경유하여키보드에서입력한데이터를화면에표시 무선에의한데이터의송수신 ( 무선통신 ) 키보드 MB97R8110 경유로데이터를송신 보안 ( 인증 ) 시스템제어단말, 컨트롤러전자페이퍼 &RFID... Web URL 10

12 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Shin-Yokohama Chuo Bldg., , Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa, Japan All Rights Reserved. FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED, its subsidiaries and affiliates (collectively, "FUJITSU SEMICONDUCTOR") reserves the right to make changes to the information contained in this document without notice. Please contact your FUJITSU SEMICONDUCTOR sales representatives before order of FUJITSU SEMICONDUCTOR device. Information contained in this document, such as descriptions of function and application circuit examples is presented solely for reference to examples of operations and uses of FUJITSU SEMICONDUCTOR device. FUJITSU SEMICONDUCTOR disclaims any and all warranties of any kind, whether express or implied, related to such information, including, without limitation, quality, accuracy, performance, proper operation of the device or non-infringement. If you develop equipment or product incorporating the FUJITSU SEMICONDUCTOR device based on such information, you must assume any responsibility or liability arising out of or in connection with such information or any use thereof. FUJITSU SEMICONDUCTOR assumes no responsibility or liability for any damages whatsoever arising out of or in connection with such information or any use thereof. Nothing contained in this document shall be construed as granting or conferring any right under any patents, copyrights, or any other intellectual property rights of FUJITSU SEMICONDUCTOR or any third party by license or otherwise, express or implied. FUJITSU SEMICONDUCTOR assumes no responsibility or liability for any infringement of any intellectual property rights or other rights of third parties resulting from or in connection with the information contained herein or use thereof. The products described in this document are designed, developed and manufactured as contemplated for general use including without limitation, ordinary industrial use, general office use, personal use, and household use, but are not designed, developed and manufactured as contemplated (1) for use accompanying fatal risks or dangers that, unless extremely high levels of safety is secured, could lead directly to death, personal injury, severe physical damage or other loss (including, without limitation, use in nuclear facility, aircraft flight control system, air traffic control system, mass transport control system, medical life support system and military application), or (2) for use requiring extremely high level of reliability (including, without limitation, submersible repeater and artificial satellite). FUJITSU SEMICONDUCTOR shall not be liable for you and/or any third party for any claims or damages arising out of or in connection with above-mentioned uses of the products. Any semiconductor devices fail or malfunction with some probability. You are responsible for providing adequate designs and safeguards against injury, damage or loss from such failures or malfunctions, by incorporating safety design measures into your facility, equipments and products such as redundancy, fire protection, and prevention of overcurrent levels and other abnormal operating conditions. The products and technical information described in this document are subject to the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Law of Japan, and may be subject to export or import laws or regulations in U.S. or other countries. You are responsible for ensuring compliance with such laws and regulations relating to export or re-export of the products and technical information described herein. All company names, brand names and trademarks herein are property of their respective owners FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Printed in Japan AD K December 2018 Edited: System Memory Company

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AD K FUJITSU Semiconductor FRAM FUJITSU FRAM FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED FRAM 1969 47. FRAM FRAM Ferroelectric Random Access Memory. FRAM 1995, 18. 45, 200. FRAM IC,,, RFID.,., FRAM.,,. Ferroelectric Random

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