<4D F736F F D20B5F0BDBAC7C3B7B9C0CCBBEABEF75F D4F4C4544BBEABEF72DBBEAC8ADB9B0B9DDB5B5C3BC5F2E646F63>

Transcription

1 자료공표일 23 May 2011 AMOLED Overweight( 신규 ) The New Revolution of Display!! - Oxide TFT 를적용한 AMOLED 디스플레이 반도체 / 디스플레이담당이정 Tel jeonglee@eugenefn.com 반도체 / 디스플레이담당곽민정 Tel mina@eugenefn.com Rating & Target Top Pick 투자의견 목표가 (12M) 제일모직 BUY 150,000 원 에스에프에이 BUY 80,000 원 덕산하이메탈 BUY 30,000 원 테크노세미켐 BUY 56,000 원 아바코 BUY 20,000 원 나노신소재 BUY 22,000 원 Oxide TFT가디스플레이산업영역을대폭확대시켜새로운성장국면으로견인!! 2011년디스플레이산업은 LCD-TV가정체국면에접어들면서차세대디스플레이인 AMOLED 와 3D-TV, 스마트 TV가주목을받으며새로운돌파구를모색하고있음. 당사는 Oxide TFT 를적용한 AMOLED 디스플레이가향후적용영역을다양하게넓히면서디스플레이산업을새로운성장국면으로견인시킬것으로예상함 Oxide TFT는 480Hz 이상의고속구동과 UD급고해상도 AMOLED를구현해무안경 3D-TV 성장을가속시킬것임. 또한, 상온공정이가능하여플렉서블디스플레이가상용화될수있고, 투명전극소재이어서투명디스플레이가현실화되어디스플레이산업의영역을대폭확대시킬것으로전망 Oxide TFT 기술이 8 세대 AMOLED backplane 에적용될전망 AMOLED 투자비중에서 TFT backplane 부분이 60~70% 에달하여 AMOLED 패널제조원가에가장결정적임. Oxide TFT 가 poly-si TFT 대비제조원가경쟁력이월등히뛰어나 8 세대이상대형라인에적용될것임. 그리고 a-si TFT 대비전자이동도가 10 배이상빨라고속구동과고해상도구현에절대적으로유리하기때문에, 차세대 TFT 기술이될것으로전망 삼성전자는 8 세대라인 TFT 공정에서는 Oxide TFT 를, 유기물증착공정에서는 LITI 방식을채택할가능성높음. LG 디스플레이는 Oxide TFT 와 White OLED 방식의조합을추진할것으로판단됨. 최근일본 Sharp 가 2011 년내에 Oxide TFT 를적용시킨라인을가동할것이라고발표하였으며, 삼성전자는 2012 년에 AMOLED-TV 를출시할예정인데, 당사는이때 Oxide TFT 기술이적용될수있을것으로예상함 Conviction Buy: 제일모직, 에스에프에이 Oxide TFT 디스플레이가본격적으로성장할경우, 핵심적재료인 Oxide 재료업체와투명플라스틱기판업체, 스퍼터와같은핵심장비업체들이크게수혜를받을것임. 당사는 Conviction Buy업체로 ' 제일모직 ' 과 ' 에스에프에이 ' 를선정함. 그리고 2011년부터 AMOLED산업이본격적으로성장함에따라, ' 덕산하이메탈 ' 과 ' 테크노세미켐 ', ' 아바코 ' 등을추천함 투명디스플레이 무안경 3D-TV Oxide TFT 를적용한 AMOLED 디스플레이 플렉서블디스플레이 고해상도 / 대면적디스플레이 자료 : 유진투자증권

2 Contents Summary I. The New Revolution of Display Oxide TFT 를적용한 AMOLED 디스플레이 1. Oxide TFT 를적용한디스플레이가디스플레이산업의신혁명주도!! 2. AMOLED 산업전망 3 18 II. AMOLED 산업성장의수혜업체 1. Oxide TFT 를적용한 AMOLED 디스플레이성장의수혜업체 72 기업분석 LG 디스플레이 ( KS) 제일모직 ( KS) 에스에프에이 ( KQ) 덕산하이메탈 ( KQ) 테크노세미켐 ( KQ) 아바코 ( KQ) 나노신소재 ( KQ)

3 Overview 자료 : Toshiba, 유진투자증권 자료 : 삼성전자, 유진투자증권 구분 poly-si TFT a-si TFT Oxide TFT 세대 4G 8G 8G 반도체 polycrystalline Si amorphous Si amorphous InGaZnO TFT uniformity Poor Good Good TFT Type PMOS(CMOS) NMOS NMOS 이동도 ~100cm2 /Vs 1cm2 /Vs >10cm2 /Vs 마스크수 5~11 4~5 4~5 제조비용 High Low Low 신뢰성 (10 5 hr) V th < 0.5V V th > 5.0V V th < 1.0V 회로내장 Yes No Yes Process Temperature 450~550 C 150~350 C 150~350 C Device Merits Process/Scalability Gen. 8 Gen. 4 High Uniformity Photolithography PECVD Sputter Dry Etcher ELA Low Shower Furnace Temp. Stability High Reliability Photolithography PECVD Sputter Dry Etcher 자료 : 산화물 TFT 기술및 AMOLED 응용 ( 인포메이션디스플레이 2009 년제 10 권 4 호 ), Displaybank, 유진투자증권 No Kink No hot carrier effect Low loff Photolithography PECVD Sputter Dry Etcher No Crystallization No ion doping (Ultra low cost)

4 Overview TFT Structure - Bottom Gate: Easy to reduce # of mask steps, Back channel control - Top Gate: High mobility, Complex Process steps Gate Insulator - Interface state generation - Low temperature durable insulator Semiconductor - Cation ratio control - Oxygen content control S/D Contact - Material Selection - Interface control - Adaptability of conventional process 자료 : Displaybank, 유진투자증권 1. Gate 2. Active 3. E/S - Gate : ITO (Sputter) - Patterning : Wet etch - Gate insulator : SiO2 (PECVD) - Channel : GIZO (Sputter) - Patterning : Wet etch 4. S/D - E/S(etch stop) layer : SiO2 (PECVD) - Patterning : Dry etch - Source/Drain : ITO (Sputter) - Patterning : Wet etch 5. Passivation - Passivation : SiO2 (PECVD) - Patterning : Wet etch 자료 : Displaybank, 유진투자증권 자료 : 시장자료, 유진투자증권

5 Overview LCD Electrophoretic OLED Merit Merit Merit 공정기술확보 박막형성용이 박막형성용이 Dynamic/ Memory 안정한구조 안정한구조 투과 / 반투과가능 Roll-to-Roll Process 빠른응답특성 Demerit Demerit Demerit 불안정구조 Dynamic type 불가 Memory type 불가 Back Light Color 구현어려움 전류구동 광학필름사용 높은구동전압 수명 자료 : 플렉서블액정디스플레이기술동향 (2010, 최윤석 ), 유진투자증권 (US$mn) 32,000 CAGR: 113% 28,000 24,000 20,000 16,000 12,000 8,000 4, F 2013F 2014F 2015F 2016F 2017F 2018F 2019F 2020F 자료 : Displaybank, 유진투자증권 1 See-Through Display Application 별로다른구동방식을채용 2 Information Window 3 Mobile UI Innovation 자료 : Displaybank, 유진투자증권 4 Design & Function Enhancement

6 Overview 구분세부사항 FPR SG 안경가격개당 1 만원개당 7~8 만원 무게및기타특징 18g( 클립형안경지원 ) 26g( 호환성없음 ) 해상도 Full HD 어두운장면에상대적으로해상도저하 어두운장면에도우수한해상도구현 깜박거림 (flicker) 현상조명환경과상관없이 Flicker 현상미미형광등환경에서 Flicker 현상두드러짐 화면겹침 (Crosstalk) 및시청위치자율성 근거리시청때상하위치에따라화면겹침현상두드러짐 시청각도를수평으로기울일수록 3D 영상구현이떨어지다, 수평에이르면검게변함 자료 : 시장자료, 유진투자증권 3D 디스플레이안경유무좌우영상분리방법 3D Technology 스테레오스코픽 (Stereoscopic) 안경식 공간분할 편광방식 시간분할 Shutter Glasses 무안경식 공간분할 Barrier Switchable Barrier 시간분할 Lenticular Switchable Lens 체적형 홀로그래피 자료 : 유진투자증권 L R L R L L L L L L L L L L L L R R R L L L R R R L R L R Patterned Retarder 분리된좌 / 우영상 R R R L L L L ( R R R R L L L Polarizer Glasses 자료 : 시장자료, 유진투자증권

7 Overview L L L L L L L L L L L L R R R R R R R R R R R R L L L L L L L L L L L L L R R R R R R R R R R R R L L L L L L L L L L L L R R R R R R R R R R R R L L L L L L L L L L L L R R R R R R R R R R R R R 고속구동 Panel L R L R Shutter Glasses (LC Panel) ( ( + = L R 3D ( ( ( ( ( ( 자료 : 시장자료, 유진투자증권 L R L R L R Lenticular Lens 자료 : 시장자료, 유진투자증권 LC Switchable Barrier Cell L R L R L R Voltage on Lens on 3D mode (Voltage off, 2D mode) 자료 : 시장자료, 유진투자증권

8 Overview 자료 : NICT, 유진투자증권 Anode Organic Cathode Cathode Electron Injection Layer (EIL) Electron Transport Layer (ETL) Emission Layer (EML) Hole Transport Layer (HTL) Light Hole Injection Layer (HIL) Anode Substrate [OLED 의동작원리 ] [OLED 의기본구조 ] 자료 : KISTI, 유진투자증권 Backplane OLED Encap.& scribing Module process Driving Circuit unit OLED panel Getter PCB Substrate Polarizer 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 Encapsulation Backplane OLED pixel

9 Overview AMOLED - 자발광디스플레이 - 고속응답특성 : 완벽한동영상구현가능 - 시야각이넓음 - 박형으로제조가가능 PMOLED - 저소비전력디스플레이의구현이가능 - 고해상도디스플레이구현이가능 - 고휘도의디스플레이구현이가능 - 다양한화면크기의디스플레이구현이가능 자료 : AMOLED 기술현황및전망 ( 순천향대학교문대규 ), 유진투자증권 TFT backplane Substrate OLED layer Substrate Sealing & Scribing Module Process Substrate R G B 자료 : KISTI, 유진투자증권 AMOLED TFT Array Organic EL Evaporation (R,G,B) Encapsulation Polarizer Circuit & D-IC AMLCD TFT Array C/F LC Filling Assembly Polarizer Circuit & D-IC BLU Assembly 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권

10 Overview 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 공정 ELA A-SPC SGS IGZO(Oxide) 저온 laser 이용결정화 급속고온 (600 C) 열처리결정화 이동성 100 cm2 /Vs 10~20 cm2 /Vs 10~40 cm2 /Vs 10 cm2 /Vs 이상 균일도낮음높음높음높음 안전성매우높음높음높음높음 Mask 사용개수 7~10 4~5 4~5 4~5 공정온도저온고온고온저온 비용높음낮음낮음낮음 공정복잡성높음낮음낮음낮음 대형화 5.5G 이하 6G 이하 8G 이상 8G 이상 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권

11 Overview 특성값 이동성균일도안정성 Mask 개수공정온도비용공정복잡성대형화여부 100 cm2 /Vs 낮음매우높음 7~10 저온높음높음 ~5.5G 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 특성값 이동성균일도안정성 Mask 개수공정온도비용공정복잡성대형화여부 9 cm2 /Vs 높음높음 4~5 저온낮음낮음 >8G 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 LTPS TFT LASER SPC ELA TB-SLS MIC-SGS OXIDE TFT Overlap 90% scan Overlap under 50% scan Fast Silicide crystallization Additional process for MO Grain Size : 0.1 ~ 0.5um Grain Size : 0~ um Low Temp process : <550 Mobility : 1 ~ 20 cm2 /Vs Mobility : 60~80 cm2 /Vs Mobility : 80~120 cm2 /Vs Mobility : ~ 50 cm2 /Vs Line Mura - Non uniformity Regular Grain Depend on direction of crystallization Design rule Good performance Need to compensate circuit Regular grain Moira mura Limit of device characteristics Done the verification of Mass Production 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 Need to modify process Need to compensate circuit Metal pollution Bad local uniformity Don't verification of Mass product Device Stability : Vth Shift by UV irradiation

12 Overview Substrate Substrate Substrate Substrate Substrate Mask Source R G B 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 자료 : SMD, 유진투자증권 OLED C/F B G R 자료 : Displaybank, 유진투자증권

13 Overview ITO patterning & Cleaning Red layer 형성 Bank 형성 / 표면처리 Green layer 형성 Buffer layer 형성 Nozzle 전극증착 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권

14 Overview 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 자료 : Displaysearch, 유진투자증권

15 Overview (US$mn) 18,000 16,000 14,000 AMOLED 매출액증가율 ( 우 ) (yoy,%) , ,000 8, , ,000 2, F 2012F 2013F 2014F 2015F 2016F 2017F 0 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 ( 천대 ) 600, ,000 AMOLED 출하량 증가율 ( 우 ) (yoy,%) , , , , F 2012F 2013F 2014F 2015F 2016F 2017F 0 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 ( 톤 ) 2,500 2,000 '08~'13 CAGR 16% 1,500 1, A 2009A 2010F 2011F 2012F 2013F 자료 : 나노신소재, 유진투자증권

16 Overview 자료 : 아바코, 유진투자증권 자료 : 제일모직, 유진투자증권 기업명제품투자의견목표주가 제일모직투명플라스틱기판 BUY 150,000 원 에스에프에이스퍼터장비 BUY 80,000 원 아바코스퍼터장비 BUY 20,000 원 나노신소재 Oxide 타겟, ITO 타겟 BUY 22,000 원 자료 : 유진투자증권

17 Overview Items Makers Trends Laser Crystallization AP 시스템 G4 and G5.5 PO Evaporation 에스에프에이 Developing Vertical evaporator SNU 주성엔지니어링 Developing Vertical evaporator Developing Horizontal evaporator Encapsulation 선익시스템 Developed Encapsulator, Pilot equipment PO 아바코 에스에프에이 Developed Encapsulator Developed Encapsulator Inspection NCB 네트웍스 G4 inspector PO, Developing G5.5 inspector 탑엔지니어링 Developing AMOLED Array inspector 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 자료 : Displaysearch, 유진투자증권

18 I. The New Revolution of Display Oxide TFT를적용한 AMOLED 디스플레이 1. Oxide TFT 를적용한디스플레이가디스플레이산업의신혁명주도!! 1) 2011 년디스플레이산업은새로운성장을준비하는과도기 2011년디스플레이산업은우려와희망이함께교차하면서혼란스러운한해가될것으로판단된다. LCD- TV의성장성이급격히약화되면서정체국면으로접어들고있는반면, TV세트업체들은시장수요를창출시키기위해스마트TV와 3D-TV 등을출시하며공격적인마케팅을펼치고있다. 그리고, AMOLED 산업에서 5.5 세대라인이본격적으로가동되면서중대형 AMOLED 디스플레이출시에대한기대감이팽배해있는동시에, Oxide TFT를적용한차세대디스플레이또한주요패널업체들이개발에나서고있다. 당사는 2011 년디스플레이산업은쇠퇴로접어들기보다는새로운성장을준비하는과도기이며, 이러한차세대디스플레이의방향성에대해언급하며투자전략을세우고자한다. 최근국내디스플레이시장에서는안경식 3D 기술을가지고삼성전자와 LG디스플레이가논쟁을격렬하게벌이며뜨거운반향을불러일으키고있다. 당사는 3D 기술이실감영상을구현한다는점에서향후디스플레이산업에서핵심적인기술중하나가될것으로예상한다. 하지만, 안경식 3D-TV 가부족한 3D 콘텐츠와안경의불편함, 다양한기술적난제등때문에쇠락하고있는 LCD-TV 시장을재차성장세로전환시키기어려울것이며, 무안경식 3D-TV 가개발되면수년내사라질것으로판단한다. 일본 Toshiba 는지난 2010년 12월무안경식 3D-TV(12인치 /20인치 ) 를출시한데이어, 2011년 1월 CES에 56인치 /65인치무안경식 3D-TV를선보였으며, 2011년내에 40인치대 /50인치대무안경 3D-TV를제품화하여내놓을것이라고발표하였다. 당사는 TV세트업체들이향후디스플레이시장에큰혁신을몰고올수있는무안경식 3D-TV 나 Oxide TFT 기술을적용시킨플렉서블디스플레이혹은투명디스플레이개발에더집중해야할것이며, 지금안경식 3D-TV 에대해과도하게논쟁을벌이고있는것으로판단한다. 도표 1 자료 : Toshiba, 유진투자증권 18_

19 시장이기대하는것과달리, 당사는안경식 3D-TV 가디스플레이산업을재차성장시킬수있을것으로보지않는다. 오히려현시점은 IT와 TV가대표적인디스플레이였던 TFT-LCD 산업이성장의정체기에진입함에따라, 다양한차세대디스플레이에대해논의하고준비해야하는시기로판단된다. 디스플레이산업이성장하기위해서는, 디스플레이산업이현재가지고있는고정적틀에서벗어날수있는, 새로운디스플레이출현이필요하다. 즉, 차세대디스플레이는지금까지의정형화된개념이아니라, 휘어지고, 투명하며, 화면전송속도가수십배빨라무안경 3D 기능이구현되는동시에, IT와 TV에서벗어나상업용대형디스플레이까지적용될수있어야할것이다. 그래서, 지금시장참여자들은 AMOLED 산업에열광하고있고, Oxide( 산화물반도체 ) TFT 적용디스플레이에주목하고있는것이다. 당사는대부분투자자들이 AMOLED 산업에대해깊은관심을갖고있지만, 상대적으로 Oxide TFT 를적용시킨디스플레이는덜알려져있는것으로판단한다. Oxide TFT 기술이적용된디스플레이가구현되면, 지금 FHD 보다 4배우수한 UD(Ultra Definition) 화질에전송속도가기존 LCD- TV 대비 10~40 배이상빨라환상적인무안경식 3D-TV 가이세상에출현할수있다. 최근, 일본 Sharp 가 2011년 4월 Oxide TFT를적용한패널을양산하겠다고발표하였고, 삼성전자역시 2010년부터공격적으로개발에박차를가하고있어 Oxide TFT가적용된패널이 2012년이후에양산될수있을것으로판단된다. 당사는이번보고서에서차세대디스플레이인 AMOLED 산업의높은성장성에대해언급할것이며, 특히디스플레이산업의정형화된틀을깨면서새로운성장기로이끌차세대기술인 Oxide TFT 기술을중심으로자세히논하고자한다. 도표 2 자료 : Displaybank, 유진투자증권 _19

20 2) Oxide TFT 가 3D UD 디스플레이시대를주도한다! 삼성전자는지난 2010년 11월일본에서열린 'FPD 인터내셔널 2010' 에이어, 이번 2011년 5월미국에서 70인치산화물반도체 (Oxide Semiconductor) UD(Ultra Definition) 240Hz LCD 패널을선보였다. 특히이번제품은, 1) FHD 해상도보다 4배더선명한 800 만화소 UD 해상도에 2) 240Hz 고속구동을통해 3) 3D 영상을실감나게표현한특징을가지고있다. 당사가여기에서주목하고있는것은바로 Oxide Semiconductor( 산화물반도체 ) 를적용한 LCD 패널의우수성이다. 기존 a-si(amorphous Silicon) 기반의 TFT 기술은전자의이동속도가 0.5 cm2 /V sec 정도여서 60인치이상의초대형화면에서는고해상도, 고속구동실현이어려웠다. 하지만 Oxide TFT 를적용할경우, 기존 a-si 대비 10배이상의전자이동도가가능해초대형디스플레이에서도고해상도와고속구동이가능해지며, 이를통해 480Hz 이상의고속구동패널이개발될수있어향후무안경 3D 패널개발에매우중요한기폭제가될수있다는점이다. 즉, Oxide TFT를적용한디스플레이는 LCD의한계점을극복한차세대디스플레이성장을위한신기원 ( 新紀元 ) 인것이다. 도표 3 자료 : 삼성전자, 유진투자증권 20_

21 차세대디스플레이로가장주목받고있는 AMOLED 디스플레이는대형화에필수적인 TFT 기판기술이확보되지않아서주로소형모바일제품에제한적으로적용되고있다. 기판대형화의관점에서 LCD 기판기술인 a-si( 비정질실리콘 ) TFT 소자기술은이미 8세대양산이진행중이기때문에가장검증된기술일뿐만아니라제조비관점에서도가장유리하다. 그러나, a-si( 비정질실리콘 ) TFT 소자는낮은신뢰성때문에 AMOLED 디스플레이에적용되기가어렵다는단점이있다. 이는, LCD 의경우구동소자가단순히스위치기능만하는데비해, AMOLED 에서는안정적으로전류를공급하는드라이버기능도요구되기때문이다. 이를좀더자세히살펴보면, LCD 는스스로발광하지못하고, 백라이트의광원을통과시키는간접광원을가지고있다. 즉, 액정물질을셔터로이용하여셔터가완전히개방되면최대밝기가되고, 완전히닫히면최소밝기가되며, 이러한셔터의노출정도는양극과음극의전위차 ( 전압 ) 에따라결정되므로 LCD 는전압구동소자라한다. TFT-LCD 는 pixel 구동을위한트랜지스터가한개만있어도되는데, 이때트랜지스터는단순한스위치기능만한다. 반면, OLED 는스스로발광하는자발광물질인유기발광체가각각의화소에도포되어있는데, 이러한유기발광체의밝기는양극과음극간에도통되는전류량에비례한다. 즉, 화면의밝기가전류량에따라결정되는 OLED 는전류구동소자이다. AMOLED 는 TFT-LCD 와달리화소구동을위한트랜지스터가최소 2개이상있어야하고, 한개는스위치기능을, 다른한개는전류구동기능을한다. 현재 AMOLED 생산및개발에가장많이이용되고있는 poly-si TFT(LTPS TFT) backplane 은신뢰성이우수하고 TFT 특성이우수한장점이있다. 하지만, 제조공정이복잡하며유리기판크기가 4~5 세대에국한되어있어소형 AMOLED 에주로적용되고있다. 상술한기존실리콘기반의 TFT 기술의대안으로현재가장유력한기술은 ZnO 기반의 Oxide TFT 소자이다. Oxide TFT 소자는별도의결정화와도핑공정을필요로하지않기때문에기판대형화라는관점에서 poly-si 방식과비교했을때에매우유리하다. 현재까지 8세대이상의기판규격에서 Oxide TFT 소자기술의검증이완성된상태는아니지만, Oxide TFT 증착방법인 DC 혹은 AC 스퍼터링법의경우이론적으로 8세대이상이가능하다. TFT 소자특성중대표적인이동도의경우 Oxide TFT 소자는 a-si TFT 소자에비해 10배이상우수한약 10cm2 /Vs 수준을가지고있어, 노트북혹은 AMOLED-TV 의 backplane 으로사용되기에충분하다. Oxide TFT 소자는 a-si 과 poly-si TFT 소자의장점을동시에보유하고있는것이다. _21

22 도표 4 구분 poly-si TFT a-si TFT Oxide TFT 세대 4G 8G 8G 반도체 polycrystalline Si amorphous Si amorphous InGaZnO TFT uniformity Poor Good Good TFT Type PMOS(CMOS) NMOS NMOS 이동도 ~100cm2 /Vs 1cm2 /Vs >10 cm2 /Vs 마스크수 5~11 4~5 4~5 제조비용 High Low Low 신뢰성 (10 5 hr) V th < 0.5V V th > 5.0V V th < 1.0V 회로내장 Yes No Yes Process Temperature 450~550 C 150~350 C 150~350 C Device Merits Process/Scalability Gen. 8 Gen. 4 High Uniformity Photolithography PECVD Sputter Dry Etcher ELA Low Shower Furnace Temp. Stability High Reliability Photolithography PECVD Sputter Dry Etcher 자료 : 산화물 TFT 기술및 AMOLED 응용 ( 인포메이션디스플레이 2009 년제 10 권 4 호 ), Displaybank, 유진투자증권 No Kink No hot carrier effect Low loff Photolithography PECVD Sputter Dry Etcher No Crystallization No ion doping (Ultra low cost) 22_

23 3) Oxide TFT 의구조와제조공정과정 Oxide TFT 소자기술에대한연구및개발은일본동경대 Hosono 교수가 2004년 Nature지에비정질 IGZO(InGaZnO) 박막을이용한 TFT 소자제작을발표하고난이후이다. 특히, 비정질 IGZO 박막의경우에는 PLD(Pulsed Laser Deposition) 방법을이용하여상온에서증착이가능하기때문에플라스틱기판위에서도이동도 10cm2 /Vs, I on/off 비 106의우수한 TFT 특성을보여주면서디스플레이산업발전에획기적인전기를마련하였다. Hosono 교수의발표이후, 전세계적으로 Oxide TFT 연구는매우활발하게진행되고있다. 최근까지연구된내용은주로 Oxide TFT 의이동도, 게이트스윙, I on/off 비등의디바이스특성을개선하기위한방안이다. 이러한학계의연구가상용화에적용되기시작하여, 지난 2011년 4월 21일일본 Sharp는세계최초로중소형 LCD 라인에 Oxide TFT 기술을적용시켜 2011년내에본격가동할것이라고발표하였다. 삼성전자는 2010년 11월 70인치대형 Oxide TFT를적용한 LCD 패널을전시회에출시하며공격적으로기술개발에나서고있다. 도표 5 자료 : Displaybank, 유진투자증권 _23

24 Oxide( 산화물반도체 ) 물질로는 ZnO, InZnO, ZnSnO, InGaZno, ZrInZnO 등이연구되고있다. ZnO 는산화물반도체물질내에서도상대적으로높은이동도특성을보이고있으나, 상온에서도비교적쉽게결정화가이루어져대면적균일도특성확보에관한연구가더필요하다. InZnO 는증착조건을제어해서일반적으로나타나는전도체특성이아닌반도체특성의확보가가능하나, 아직전기적신뢰성특성의향상이요구된다. 이에반해, IGZO(InGaZnO) 는높은전자의이동성과우수한신뢰성등으로가장많이연구되고있다. 물론, In이희귀금속이고비싸다는단점이있지만, IGZO 의성능이우수해서삼성전자와 LG디스플레이가채택할가능성이높다고판단된다. 도표 6 자료 : Displaybank, 유진투자증권 Oxide TFT 의경우, TFT 구조및공정에따라산화물반도체 (Oxide) 막의전기적특성이변화하여소자구조에대한연구가중요하다. 우선적으로 Back channel etch 구조는현재상업화에사용되는 a-si TFT 의구조와동일하여기존의설계및공정을활용할수있다는장점이있다. 하지만, Source/Drain 전극의 patterning 시에산화물반도체 (Oxide) 물질의전기적특성이변하게되는단점을가지고있다. 이를방지하기위하여 wet etching 방법을사용할수있다. 그러나일반적으로 Source/Drain 으로사용되는금속을에칭 (etch) 하는 acid 용액에산화물반도체 (Oxide) 물질도같이에칭되는단점이있다. 이에반해 etch stopper 구조의경우, Source/Drain 형성및 passivation 공정시에 etch stopper 박막이산화물반도체 (Oxide) 박막을보호하고있어서상대적으로안정적인전기적특성확보가가능하다. 하지만추가 mask 가필요하다는단점이있다. 24_

25 도표 7 자료 : 산화물 TFT 기술및 AMOLED 응용 ( 인포메이션디스플레이 2009 년제 10 권 4 호 ), 유진투자증권 도표 8 TFT Structure - Bottom Gate: Easy to reduce # of mask steps, Back channel control - Top Gate: High mobility, Complex Process steps Gate Insulator - Interface state generation - Low temperature durable insulator Semiconductor - Cation ratio control - Oxygen content control S/D Contact - Material Selection - Interface control - Adaptability of conventional process 자료 : Displaybank, 유진투자증권 _25

26 Oxide TFT 가 backplane 에적용될경우, 공정상변화되는부분이스퍼터 (Sputter) 공정이늘어나는것이특징적이며, 기존 poly-si TFT 공정대비 Oxide TFT 의공정수가절반수준이어서원가경쟁력이높다. 그리고, 기존 TFT 공정에사용되는장비의활용도가매우높고, 신규설비투자규모를최소화할수있는점은가장큰장점으로판단된다. 도표 9 1. Gate 2. Active - Gate : ITO (Sputter) - Patterning : Wet etch 3. E/S - Gate insulator : SiO2 (PECVD) - Channel : GIZO (Sputter) - Patterning : Wet etch 4. S/D - E/S(etch stop) layer : SiO2 (PECVD) - Patterning : Dry etch - Source/Drain : ITO (Sputter) - Patterning : Wet etch 5. Passivation - Passivation : SiO2 (PECVD) - Patterning : Wet etch 자료 : Displaybank, 유진투자증권 26_

27 4) Oxide TFT 의장점 Oxide( 산화물반도체 ) TFT 가주목받고있는것은, 최근디스플레이산업전반에걸쳐일어나고있는변화와밀접한관계를가지고있다. 요즘 TV시장은스마트 TV와함께 3D-TV, AMOLED-TV 가중요한화두가되고있다. 영화 ' 아바타 ' 이후실감영상에대한시장의관심이매우높은상황속에서, 3D-TV 가제대로구현되기위해서는 480Hz(1초에 480장의화면을전송 ) 이상의고속구동기술이필요하다. 이를실현하기위해서는 LCD 를구동하는 TFT( 박막트랜지스터 ) 의소재와제조공정에획기적인변화가있어야한다. 그래서, 삼성전자는현재주력인 a-si( 비정질실리콘 ) 으로 TFT 를제조하는공정을 Oxide( 산화물반도체 ) 로대체하고자시도하고있다. 산화물반도체 (IGZO Oxide) 는 1) 전자이동도를 40배이상대폭향상시킬수있어 UD 화질 ( 고해상도 ) 구현이가능하여, 2) 무안경식 3D-TV 성장을가속시킬것이며, 3) Oxide( 산화물반도체 ) 는상온에서제작할수있기때문에기판을유리대신플라스틱으로할수있어플렉서블디스플레이를구현할수있고, 4) Oxide 물질이투명해서투명디스플레이가가능하며, 5) 실감영상 (3D) 을즐기기위해서는 60인치이상의대형 TV 가유리하기때문에 11세대라인투자가진행되면서디스플레이산업에새로운성장동력이제공될수있고, 6) 결국, 디스플레이시장영역이 DID 시장까지확대되어디스플레이산업이재차성장국면으로전환될수있는중요한기폭제를제공할것이다. 도표 10 구분 poly-si TFT a-si TFT Oxide TFT 세대 4G 8G 8G 반도체 polycrystalline Si amorphous Si amorphous InGaZnO TFT uniformity Poor Good Good TFT Type PMOS(CMOS) NMOS NMOS 이동도 ~100cm2 /Vs 1cm2 /Vs >10 cm2 /Vs 마스크수 5~11 4~5 4~5 제조비용 High Low Low 신뢰성 (10 5 hr) V th < 0.5V V th > 5.0V V th < 1.0V 회로내장 Yes No Yes Process Temperature 450~550 C 150~350 C 150~350 C Device Merits Process/Scalability Gen. 8 Gen. 4 High Uniformity Photolithography PECVD Sputter Dry Etcher ELA Low Shower Furnace Temp. Stability High Reliability Photolithography PECVD Sputter Dry Etcher 자료 : 산화물 TFT 기술및 AMOLED 응용 ( 인포메이션디스플레이 2009 년제 10 권 4 호 ), Displaybank, 유진투자증권 No Kink No hot carrier effect Low loff Photolithography PECVD Sputter Dry Etcher No Crystallization No ion doping (Ultra low cost) _27

28 AMLCD-TV 가발전함에따라이를구동하는 TFT 는속도증가가필수적이다. 해상도증가에따라주어진시간에구동해야하는 TFT 의개수가늘어서 1개의 TFT 가동작해야하는시간 (TFT turn-on-time) 이줄어들게된다. 또한구동속도가증가하게되면, 한화면을구성해야하는시간 (60Hz 의경우 16.6msec, 240Hz의경우 4.3msec) 이줄어들어, 이또한 TFT turn-on-time의감소를야기한다. 대형화의경우소자를연결하는배선의길이가길어져저항이증가하고이는회로속도지연 (RC delay) 의증가로이루어진다. 이러한 TFT turn-on-time 의감소는 TFT 의속도증가를필요로하게되고결국 TFT 이동도의증가가요구된다. 이러한점에서, Oxide TFT 는전자의이동도를 40배이상향상시켜고해상도를구현할수있는장점을가지고있다. 결국, 고해상도구현은무안경식 3D-TV 의기술적한계를일시에극복시키며디스플레이산업에새로운혁명을가져올것으로예상된다. 도표 11 자료 : 산화물 TFT 기술및 AMOLED 응용 ( 인포메이션디스플레이 2009 년제 10 권 4 호 ), 유진투자증권 28_

29 5) Oxide TFT 의응용처 Oxide TFT( 산화물반도체 ) 를적용한디스플레이는 `1) 중대형 AMOLED 와 2) 플렉서블디스플레이 (Flexible display), 3) 투명디스플레이 (Transparent display), 4) 고해상도 AMOLED, 5) 무안경식 3D-TV, 6) 초대형 TV시장및 DID 시장등에응용될수있을것이다. 첫째, 차세대디스플레이로주목받고있는 AMOLED 에서중대형으로구현되기위해서는, 이를구현하는 TFT가대면적균일도및전류신뢰도가동시에만족되어야한다. 현재소형 AMOLED 에서사용중인 poly-si TFT(LTPS) 의경우에는우수한전류신뢰도를보이고있으나, 대면적적용시균일도특성의향상이필요하다. 한편 a-si( 비정질 ) TFT 의경우에는대형 AMOLED 적용을통하여대면적균일도특성은검증되었으나, 전류신뢰도특성에문제점을가지고있다. 이에비해, Oxide TFT 는대면적균일도와전류신뢰도를동시에만족할수있어차세대중대형 AMOLED 에적용될것으로판단된다. 둘째, 플렉서블디스플레이 (Flexible display) 가구현되기위해서는, 열적내구성이유리기판대비열악한플라스틱기판상에 TFT 가구현되어야한다. 기존 a-si TFT 도플라스틱기판상에구현하는기술들이발표되었으나, a-si 반도체물질은특성상고온공정을적용할수록 TFT 소자의전기적특성및신뢰성특성이우수해진다. 이에반하여 Oxide 물질은우수한전기적특성을얻기위하여고온공정이아닌일반상온공정에서이루어진다. 결국, 플라스틱을기판으로활용해서제조할수있기때문에, 플렉서블디스플레이구현이가능하며, 디스플레이산업의영역을대폭확대시킬수있는획기적인계기를제공해줄것이다. 세번째응용처는투명디스플레이 (Transparent display) 이다. a-si 반도체물질은가시광영역을흡수하여불투명하지만, Oxide 물질은상대적으로높은 Bandgap 을이용해서투명한소자에적용이가능하다. 당사는투명디스플레이는플렉서블디스플레이와함께디스플레이시장영역을확대시키는중요한기폭제가될것으로판단한다. 넷째, 고해상도 AMOLED 를구현할수있다. 고품질의영상을구현하기위하여디스플레이의해상도가기존 FHD(Full High Definition) 에서 UD(Ultra Definition) 급이상으로발전해야되고, 동영상품질을향상시키기위하여구동속도역시 120Hz( 초당 120장의화면제공 ) 에서 240Hz 이상으로발전해야한다. 이러한고해상도와고속구동이진행됨에따라서 TFT 의구동속도역시증가되어야하고, 이를위해서는고이동도의 TFT 가필요하다. Oxide TFT 는기존 a-si TFT 대비높은이동도를보여고해상도 AMLCD 디스플레이구동소자로적용이가능하다. 다섯째, Oxide TFT 가고해상도와고속구동을구현시켜줌에따라, 무안경식 3D-TV 의성장이가속될것으로예상된다. 무안경식 3D-TV 의기술은오래전에세상에나왔지만. 해상도문제에직면하여성장하지못했다. 하지만, 고해상도문제가해결되면, 무안경식 3D-TV 가본격적으로성장할수있는중요한기폭제가될전망이다. 여섯번째, 실감영상 (3D) 을제대로즐기기위해서는 60인치이상의초대형 TV가유리하다. 따라서, 무안경식 3D-TV 와플렉서블디스플레이, 투명디스플레이성장은 DID 시장과결부되어초대형디스플레이시장을형성시킬것이며, 결국패널업체들이 11세대라인투자에나서면서디스플레이산업이또한번대폭성장할수있는중요한계기가될것으로예상된다. _29

30 6) 플렉서블디스플레이 (Flexible Display) DID 시장영역으로확대되어디스플레이산업의새로운성장기를주도할전망!! Oxide TFT 가적용되는디스플레이가시장의주도권을장악하게될가장큰이유중하나가바로플렉서블디스플레이 (Flexible Display) 의구현이다. Oxide TFT 는상온혹은저온공정에서제조되기때문에, 유리대신플라스틱을기판으로사용할수있어혁신적인디스플레이인플렉서블디스플레이가상용화될수있다. 도표 12 자료 : 업계자료, 유진투자증권 30_

31 플렉서블디스플레이의상용화는디스플레이산업의영역을대폭확대시켜새로운성장국면으로전환할수있는획기적인계기가될것으로판단된다. 삼성전자는향후플렉서블 AMOLED 라인을투자할것으로알려져있으며, 제일모직이플라스틱기판을국책과제로개발하고있다. 도표 13 Inverted & Flexible OLED Thin Film Encapsulation Passivation Layer Cathode Organic Layers Anode TFT Thin & Flexible Module Substrate Barrier Low Temperature TFT Carrier Substrate Handling Technique Plastic Substrate - CTE: 3ppm/K (~Glass) Process 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 _31

32 플렉서블디스플레이의핵심기술은 1) 기판기술, 2) TFT( 구동소자 ) 기술, 3) 디스플레이모드 (mode) 기술, 4) 디스플레이용소재, 공정및장비기술이다. 플렉서블디스플레이를 ' 모드 ' 측면에서분류하면, LCD 와 OLED, 전기영동디스플레이 (EPD; Electrophoretic Display) 가있다. TFT 기술을고려해볼때, 당사는궁극적으로 Oxide TFT 를적용한플렉서블 OLED 와 EPD 가플렉서블디스플레이시장성장을주도할것으로예상한다. 도표 14 LCD Electrophoretic OLED Merit Merit Merit 공정기술확보 박막형성용이 박막형성용이 Dynamic/ Memory 안정한구조 안정한구조 투과 / 반투과가능 Roll-to-Roll Process 빠른응답특성 Demerit Demerit Demerit 불안정구조 Dynamic type 불가 Memory type 불가 Back Light Color 구현어려움 전류구동 광학필름사용 높은구동전압 수명 자료 : 플렉서블액정디스플레이기술동향 (2010, 최윤석 ), 유진투자증권 32_

33 플렉서블디스플레이시장은향후고성장을구현할수있을것이다. 2010년약 3,400만US 달러였던시장규모가 2015년 24억 US달러, 2020년 300억US 달러로급격히성장할것으로예상된다. 성장초기에는전자책및광고판중심으로소형디스플레이에적용되겠지만, 휴대폰을중심으로한중소형제품에서상업용디스플레이시장인 DID 시장으로까지지속적으로적용영역을확대시키며큰폭으로성장할전망이다. 도표 15 (US$mn) 32,000 CAGR: 113% 28,000 24,000 20,000 16,000 12,000 8,000 4, F 2013F 2014F 2015F 2016F 2017F 2018F 2019F 2020F 자료 : Displaybank, 유진투자증권 _33

34 7) 투명디스플레이 미래의디스플레이산업성장을주도할차세대디스플레이!! 투명디스플레이 (Transparent Display) 란디스플레이자체가일정정도의투과도를가지고있어서화면의뒷배경이보이는디스플레이를말한다. 건물이나차량의창문, 상가의쇼윈도에적용될수있으며, 고유의기능뿐아니라정보제공의형태로도활용가능한미래디스플레이중하나로주목받고있다. 뛰어난디자인과성능특성으로기존디스플레이시장의상당부분을대체하게될것으로예상된다. 특히건축용, 광고용, 공공용등그동안디스플레이를적용하지못했던제품에도보다유연하고새롭게적용되면서신규시장을창출시켜디스플레이시장규모가대폭확대될수있을것이다. 도표 16 1 See-Through Display 2 Information Window Application 별로다른구동방식을채용 3 Mobile UI Innovation 자료 : Displaybank, 유진투자증권 4 Design & Function Enhancement 34_

35 투명디스플레이가구현되기위해서는, 1) 전원이작동되지않을시, 유리수준의투명도를확보할수있는지와 2) 전원작동시 DID 수준의화질과휘도가시현될수있는지, 3) 장소적제약에서자유로울수있는지등에대한이슈가있다. 현재디스플레이시장에서주로사용하는 LCD 는편광필름 ( 투과도 1/2 감소 ) 과각종광학필름, 구동 TFT 의배선, 컬러필터등으로인해투과도 ( 약 6%) 가낮다. 또한자발광이아닌백라이트를사용하기때문에차세대디스플레이로적용되기에는단점으로작용한다. OLED 의경우유기발광층이투명하기때문에음극으로사용하는전극의두께를얇게해, 양쪽전극을투명하게하면투명디스플레이구현 ( 투과도 60~80%) 이가능하다. 특히, TFT 전극을형성함에있어, 투명물질인 Oxide 가기존의실리콘계열물질을대체하면투명디스플레이구현이앞당겨질수있다. 그래서, 당사는 Oxide TFT 를적용한디스플레이기술에대해크게주목하고있는것이다. 도표 Gate 2. Active - Gate : ITO (Sputter) - Patterning : Wet etch 3. E/S - Gate insulator : SiO2 (PECVD) - Channel : GIZO (Sputter) - Patterning : Wet etch 4. S/D - E/S(etch stop) layer : SiO2 (PECVD) - Patterning : Dry etch - Source/Drain : ITO (Sputter) - Patterning : Wet etch 5. Passivation - Passivation : SiO2 (PECVD) - Patterning : Wet etch 자료 : Displaybank, 유진투자증권 _35

36 도표 18 도표 19 자료 : Displaybank, 유진투자증권 CES( ) 19, 4K 자료 : Displaybank, 유진투자증권 한국전자전 TFT-LCD 36_

37 8) 무안경 3D-TV 진정한실감영상을즐기는시대를앞당긴다!! 2011년에는 3D-TV가시장의관심을크게받고있다. 삼성전자와 LG디스플레이가안경식 3D-TV 기술논쟁을벌이면서공격적인마케팅을실시함에따라, 시장의관심을크게끌고있는것이다. 삼성전자와 Sony 가주도하고있는 SG( 셔터글라스 ) 방식대비 FPR 3D 패널이분명장점이많은것으로판단된다. 깜박거림 (flicker) 현상이거의없고안경가격이저렴하며, 각각의 FPR 디스플레이제품을동일한안경으로볼수있다는장점이있다. 그러나, 3D-TV 방식에서 FPR 방식은대형크기로갈수록 FPR 용편광필름가격이비싸지고제조공정수율도크게낮아지는단점이있다. 이때문에 FPR 3D-TV 는대형사이즈에서가격경쟁력이약해질수있으며, 이에비해 SG방식은크기에관계없이구동회로와셔터글라스로구성되므로대면적패널일수록가격경쟁력을가질수있다. 그리고, 삼성전자와소니가주도하고있는 SG(Shutter Glass) 방식은세트업체의기술력에의존한 3D 구현방식이며, FPR 3D 패널은패널업체들의기술력에기반한방식이다. 그래서, 3D 구현에기술력이부족한중국업체들이 LG디스플레이의 FPR 3D 패널에크게호응하고있는것이다. 결국, 이부분에서 FPR 패널이가격프리미엄을누릴수있을지에대해의구심이든다. 과거 LED-TV 용패널은출시초기에기존 CCFL-TV 용패널대비높은가격프리미엄을향유했다. 그러나, 어려운 LCD 업황과약한고객기반등으로 FPR 3D 패널이가격프리미엄을누리기가쉽지않을전망이다. 따라서, 시장의실적예상치와패널업체실적과의괴리감이상당기간발생할수있을것이다. 도표 20 구분세부사항 FPR SG 안경가격개당 1 만원개당 7~8 만원 무게및기타특징 18g( 클립형안경지원 ) 26g( 호환성없음 ) 해상도 Full HD 어두운장면에상대적으로해상도저하어두운장면에도우수한해상도구현 깜박거림 (flicker) 현상조명환경과상관없이 Flicker 현상미미형광등환경에서 Flicker 현상두드러짐 화면겹침 (Crosstalk) 및시청위치자율성 자료 : 시장자료, 유진투자증권 근거리시청때상하위치에따라화면겹침현상두드러짐 시청각도를수평으로기울일수록 3D 영상구현이떨어지다, 수평에이르면검게변함 _37

38 지금당장 3D-TV 시장이폭발적으로성장하기에는, 1) 부족한 3D 콘텐츠와 2) 안경의불편함등으로쉽지않을것으로전망된다. 당사는현시점에서는 SG방식과 FPR 방식의기술논쟁보다는각국가와업체들이 3D 콘텐츠개발에적극적으로나서야하며, 동시에무안경식 3D-TV 개발에공격적으로나서야한다고판단한다. 앞에서상술한것처럼, Oxide TFT를적용한디스플레이가구현되어고해상도가실현되면, 무안경식 3D-TV 성장이본격화될수있을것이다. 특히 2H11 에 Toshiba 가출시할 40/50 인치급무안경 3D-TV가큰반향을불러일으키는동시에삼성전자가 2012년에 Oxide TFT를적용한 AMOLED-TV 를출시하면서무안경식 3D-TV 에대한획기적인기술발전을제공해준다면, 중장기적으로무안경식 3D-TV 가 TV 성장의대세를형성할수있을것으로예상된다. 3D 영상을재현하기위한디스플레이방식은스테레오스코픽 (Stereoscophic) 디스플레이와체적형디스플레이, 홀로그램등으로나눌수있다. 스테레오스코픽디스플레이는대부분 CRT, LCD, OLED, PDP 등을이용하여만들어지며, 양안시차를갖는 2장의 2D 영상을좌우의눈에따로따로분리, 제시하여화면의전후에깊이감있는공간을재현할수있다. 스테레오스코픽디스플레이방식에는특수한안경을필요로하는안경식과안경을필요로하지않는무안경식으로분류한다. 양안시차와폭주를이용하는스테레오스코픽디스플레이는양안시차에기인하여물체의전후정보만을재현시키는것이주된목적이기때문에당연히물체의측면정보를잃게되고, 측면에있어서는공간재현에있어부자연스러움이나타나는단점이있다. 도표 21 3D 디스플레이안경유무좌우영상분리방법 3D Technology 스테레오스코픽 (Stereoscopic) 안경식 공간분할 편광방식 시간분할 Shutter Glasses 무안경식 공간분할 Barrier Switchable Barrier 시간분할 Lenticular Switchable Lens 체적형 홀로그래피 자료 : 유진투자증권 38_

39 현재일반적으로개발되고있는 3D 디스플레이를구현하는방식에대해살펴보면, 우선 Patterned Retarder 방식이라고알려진편광안경방식은 Patterned Retarder Plate 를통해동시에분리된좌 / 우영상이좌 / 우편광이구분된안경을통해눈에각각전달되어양안시차를발생시키는방식이다. 현재 LG디스플레이가채택하고있는 FPR 방식은편광안경방식에서진보된기술이다. 편광안경방식은저비용으로구현가능하고, 고휘도이면서 3D 혼선에서우수하며, 세트업체들이단시간내제품화가가능하다는장점을가지고있는반면, 3D 상하시야각이협소하고수직해상도가저하되는단점을가지고있다. 도표 22 L R L R L L L L L L L L L L L L R R R L L L R R R L R L R Patterned Retarder 분리된좌 / 우영상 R R R L L L L ( R R R R L L L Polarizer Glasses 자료 : 시장자료, 유진투자증권 _39

40 둘째, 삼성전자와소니가채택하고있는 SG(Shutter Glasses) 방식은고속구동패널에서순차적으로표시되는각각의좌 / 우영상이전기적신호에따라눈에빛을투과및차단하는 shutter 안경을통해양쪽눈에각각전달되어양안시차를발생시키는방식이다. SG방식을이용하면가장낮은비용으로패널양산이가능하며, 2D/3D 패널에공용으로적용할수있고, 해상도저하없이 FHD 구현이가능하다는장점을가지고있는반면, 고비용의 Shutter 안경이필요하고, 화면외에주변환경관찰시깜박거림이발생하는단점을가지고있다. 도표 23 L L L L L L L L L L L L R R R R R R R R R R R R L L L L L L L L L L L L L R R R R R R R R R R R R L L L L L L L L L L L L R R R R R R R R R R R R L L L L L L L L L L L L R R R R R R R R R R R R R 고속구동 Panel L R L R Shutter Glasses (LC Panel) ( ( + = L R 3D ( ( ( ( ( ( 자료 : 시장자료, 유진투자증권 셋째, Lenticular Lens 방식은화면에부착된 Plastic Lens Plate 로좌 / 우영상이동시에표시되고, 정보가취합되는적정거리 ( 각도 ) 에서양안시차를발생시키는방식이다. Lenticular Lens 방식을이용하면낮은비용과안경을필요로하지않는다는장점을가지고있는반면, 2D와 3D 전환이불가능하고, 3D 해상도가떨어지며, Lens 부착기술이필요하다는단점을가지고있다. 도표 24 L R L R L R Lenticular Lens 자료 : 시장자료, 유진투자증권 40_

41 넷째, Switchable Barrier 방식은전기적신호에따라 Barrier 기능을 on/off 할수있는 Switchable Barrier Cell 을통해좌 / 우영상이동시에표시되고, 정보가취합되는적정거리 ( 각도 ) 에서양안시차를발생시키는방식이다. Switchable Barrier 방식을이용하면, 2D/3D 전환이가능하고안경을쓰지않는장점을가지고있는반면, 3D 휘도개선이불가능하고 3D 해상도가 1/2 저하되는단점을가지고있다. 도표 25 자료 : 시장자료, 유진투자증권 LC Switchable Barrier Cell L R L R L R Voltage on Lens on 3D mode (Voltage off, 2D mode) 물론, 차세대디스플레이의대세를형성하게될것으로예상하는무안경 3D-TV 는기술적으로몇가지난제를가지고있다. 1) 낮은해상도와 2) 느린화면전송속도때문에이미지가왜곡되어두통이유발되고, 3) 시야각이심하게흔들릴가능성이높다는점과같은기술적어려움때문에무안경식 3D-TV 에대한부정적시각이많다. 그러나, Oxide TFT 는고해상도디스플레이구현을가능하게할뿐만아니라, 지금의 a-si 방식의전송속도대비 10~40 배빠른특성을가지고있다. 따라서, Oxide TFT 를적용한디스플레이가출시되면, 무안경 3D-TV 시장이가파르게성장할수있는중요한계기가될것이다. 도표 26 자료 : NICT, 유진투자증권 _41

42 2. AMOLED 산업전망 1) OLED 의정의및분류 OLED(Organic Light Emitting Diode) 는양극과음극사이에기능성박막형태의유기물층이삽입되어있는구조로, 양극에서정공이주입되며음극에서전자가주입되어, 유기물층내에서이동하면서전자와정공이만나빛이발생되는발광소자이다. OLED 는소자의전기적인특성이 LED 와유사하며, 발광층으로유기물을사용하기때문에유기발광다이오드혹은유기발광소자 (Organic Light Emitting Device) 라고하기도하고, OLED 는소자의양단에전압을가하면유기물층에서전자와정공의재결합에의해발광이일어나기때문에유기 EL(Electro-Luminescence) 소자라고도한다. 도표 27 Anode Organic Cathode Cathode Electron Injection Layer (EIL) Electron Transport Layer (ETL) Emission Layer (EML) Light Hole Transport Layer (HTL) Hole Injection Layer (HIL) Anode Substrate [OLED 의동작원리 ] [OLED 의기본구조 ] 자료 : KISTI, 유진투자증권 OLED는 1997년일본의 Pioneer에의하여처음상용화된후그잠재적특성으로인해많은관심을받았다. 그러나, 재료, 공정, 디스플레이특성의모든면에서성능이제대로구현되지못하면서한동안침체기에빠져있었다. 그러나 2007년 SMD(Samsung Mobile Display) 가 AMOLED를본격적으로양산한이후, LCD 보다우수한화질때문에휴대폰을중심으로채택되면서시장의관심을크게받고있다. 현재 OLED 는삼성전자와삼성 SDI 의합작법인인 SMD 가전세계 AMOLED 제품의대부분을생산하고있다. OLED 는비록국내에서최초로상용화한기술은아니지만, 성장초기부터국내업체가세계시장을선도해나가고있어시장참여자들이크게주목하고있는것이다. 42_

43 OLED 의기본구조는정공주입층 (HIL, Hole Injection Layer) 과정공수송층 (HTL, Hole Transport Layer), 전자주입층 (EIL, Electron Transport Layer), 전자수송층 (ETL, Electron Transport Layer), 발광층 (EML, Emission Layer) 등의기능성유기물층으로구성되어효율및수명을향상시킨다. 정공주입층은정공의주입을용이하게하며, 정공수송층은주입된정공의이동을용이하게한다. 전자주입층과전자수송층은전자의주입과수송을용이하게한다. 주입된전자와정공은발광층에서재결합하도록소자가설계되며, 발광층에는미량의도판트 (Dopant) 를도핑하여효율의향상, 색의조정등을수행한다. 그리고 OLED 디스플레이는 OLED 패널과 Driving circuit 부분으로구성되어있으며, 이중 OLED 패널부분은기판, Backplane, OLED pixel, Encapsulation 으로이루어진다. 도표 28 Backplane OLED Encap.& scribing Module process Driving Circuit unit OLED panel Getter PCB Substrate Polarizer 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 Encapsulation Backplane OLED pixel OLED 는발광재료에따라고분자와저분자로나누어지며, 이에따라제조공정이달라진다. 저분자의경우는주로새도우마스크 (Shadow Mask) 를사용하는진공열증착 (Vacuum Thermal Evaporation) 방법으로성막하며, 효율및수명이좋고, 컬러구현이용이하여대부분 OLED 생산에적용되고있다. 고분자는통상 PLED(Polymer Light Emitting Diode) 라고하며, 주로잉크젯혹은스핀코팅등의용액공정에의해박막으로코팅되기때문에대면적화가유리한장점이있다. 유럽의일부기업에서잉크젯 (inkjet) 혹은 spin coating 방법을사용하여단색 OLED 생산에적용하고있으며, 고분자 OLED 의컬러구현을위해서는잉크젯코팅방법이주로사용되고있다. _43

44 OLED 는발광방식에따라형광 (Fluorescent) 및인광 (Phosphorescent) 방식으로구분된다. 형광 OLED 는재결합된여기자의 25% 만을발광에이용할수있기때문에, 내부양자효율 (Internal Quantum Efficiency - 주입된전하에대한소자내에서생성된광자의비율 ) 이 25% 이며, 외부양자효율 (External Quantum Efficiency - 주입된전하에대한소자외부로방출되는광자의비율 ) 이약 5% 이다. 인광 OLED 는재결합에의해형성된여기자를모두발광에이용할수있기때문에, 내부양자효율이 100% 이며, 외부양자효율이약 20% 로형광 OLED 에비해이론적효율이 4배나크기때문에최근각광받고있다. OLED 는발광방향에따라전면발광 (Top Emission), 배면발광 (Bottom Emission), 양면발광 (Both Side Emission) 방식으로나뉜다. 배면발광방식은발광층에서생성된빛이기판방향으로향하며, 단위소자및수동구동방식에서가장일반적으로채용되고있다. 전면발광방식은능동구동방식을채용할경우, TFT 및 capacitor, 배선등이차지하는면적이상당하여개구율 (Aperture Ratio: 픽셀면적에대한실제빛을내는부분의면적비 ) 이작아지기때문에, 빛을기판의반대방향으로향하게하여 TFT 등회로및배선부가차지하는면적에대한제한을적게하기위하여고안되었다. 일본 Sony 가전면발광을이용하여 13인치의 AMOLED 시제품을제작하여 OLED 을이용한대면적디스플레이의가능성을제시하였으며, 최근소형고해상도디스플레이에전면발광을채용한 AMOLED 개발이주로이루어지고있다. 양면발광방식은휴대폰등에서메인창및서브창을동시에표시하기위하여개발되었으며, 다양한분야에응용될것으로예상되고있다. OLED 는산소와수분에매우민감하여공기중에노출될경우소자의특성이저하되고수명이단축됨으로이를방지하기위한봉지공정이필요하며, 이는양산에있어서신뢰성을확보하기위하여매우중요하다. 44_

45 디스플레이로서의 OLED 는 1) 자발광특성을갖고있기때문에백라이트등의보조광원이불필요하며, 2) 시야각이넓고, 3) 응답속도가마이크로초이하로매우빨라동영상구현에적합하며, 4) 보조광원이불필요하기때문에아주얇은디스플레이구현이가능하고, 5) 구동전압이낮기때문에구동회로부분이간단하며, 6) 동작온도범위가넓어잠재응용범위가다양하고, 7) 플렉서블 (Flexible) 기판을사용할수있어차세대디스플레이인플렉서블디스플레이등에도대응이가능한장점을가지고있다. 도표 29 자료 : AMOLED 기술현황및전망 ( 순천향대학교문대규 ), 유진투자증권 _45

46 2) AMOLED 의특징과구성 OLED 는구동방식에따라 PMOLED(Passive Matrix OLED) 와 AMOLED(Active Matrix OLED) 로나누어진다. AMOLED 는각각의화소마다 TFT 및저장용량이있어, OLED 가가지고있는자발광, 고속응답, 광시야각및박형의특성에부가하여저소비전력및고해상도디스플레이의구현이가능하며, 소면적에서부터대면적에이르는다양한크기의디스플레이구현이가능하고고휘도의디스플레이구현이가능하여향후 TFT-LCD 를대체하거나새로운디스플레이시장을창출할수있는가장유력한차세대디스플레이로인식되고있다. AMOLED 는 1) 자발광으로시야각에제한이없는선명한화질을구현하며, 2) 고속응답이가능하여빠른동영상구현이가능하고, 3) 얇게만들수있을뿐만아니라, 4) 모바일디스플레이부터향후대형TV까지전응용제품에적용가능한장점이있다. 도표 30 AMOLED - 자발광디스플레이 - 고속응답특성 : 완벽한동영상구현가능 - 시야각이넓음 - 박형으로제조가가능 PMOLED - 저소비전력디스플레이의구현이가능 - 고해상도디스플레이구현이가능 - 고휘도의디스플레이구현이가능 - 다양한화면크기의디스플레이구현이가능 자료 : AMOLED 기술현황및전망 ( 순천향대학교문대규 ), 유진투자증권 46_

47 AMOLED 는 1) TFT 및저장용량으로구성된 backplane 부분과 2) 빛을발광하는 OLED 부분, 3) TFT backplane 및 OLED 를감싸는봉지부분으로구성되어있다. AMOLED 생산을위한투자비중에서 TFT backplane 투자비가 60~70% 이상으로 AMOLED 원가구성에있어서가장결정적인부분이며, TFT backplane 을제조하는기술이 OLED 재료와더불어 AMOLED 대형화에있어서중요한의미를갖는다. 2009년 SMD가소형 AMOLED의대량생산에성공하면서 4.5세대 AMOLED 생산기술은표준화되었다. ELA(Excimer Laser Annealing) 방식의 TFT공정, FMM(Fine Metal Mask) 방식의유기물증착공정 (Evaporation), 그리고유리기판을이용한봉지공정 (Encapsulation) 을사용하고있는것이다. 도표 31 TFT backplane Substrate OLED layer Substrate Sealing & Scribing Module Process Substrate R G B 자료 : KISTI, 유진투자증권 도표 32 자료 : 업계자료, 유진투자증권 _47

48 3) AMOLED 제조공정과정 AMOLED 디스플레이의제조공정은 AMLCD 와비교할때유사하면서도많은차이를보이고있다. AMOLED 와 AMLCD 모두유리기판에 TFT 를구동소자로사용하는 backplane 을가지고있으나, TFT 제조공정에서는최소 2개이상의 poly-si TFT 를사용하는 AMOLED 가좀더복잡한공정을갖는다. 반면이후공정에서는 AMOLED 가 LCD 에비하여더짧고간단하게구성된다. AMOLED 는 LCD 와비교할때액정공정, 상하판조립, BLU 조립공정이없어상대적으로단순하다는장점을가지고있으나, 컬러필터가아닌유기물을증착하여화소를만들어야하는특성을가지고있다. 도표 33 AMOLED TFT Array Organic EL Evaporation (R,G,B) Encapsulation Polarizer Circuit & D-IC AMLCD TFT Array C/F LC Filling Assembly Polarizer Circuit & D-IC BLU Assembly 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 도표 34 자료 : AMOLED 기술현황및전망 ( 순천향대학교문대규 ), 유진투자증권 48_

49 AMOLED 의제조원가및투자에가장결정적인영향을미치는 TFT backplane 은 a-si TFT 와 poly-si TFT(LTPS TFT), Oxide TFT backplane의 3가지로구분된다. a-si TFT backplane 은제조가격이낮고, 기존의 LCD 생산을위한라인에서별도의추가공정없이 backplane 생산이가능하며, 현재가동되고있는 8세대라인에서제조가가능한장점이있다. a-si TFT backplane 을이용하여 AMOLED 를생산할경우, 소형에서대형에이르는 AMOLED 를 TFT-LCD 보다저가로생산할수있다. 하지만, 낮은신뢰성으로아직까지 a-si TFT backplane 을 AMOLED 생산에이용하지못하고있다. 현재 AMOLED 생산및개발에가장많이이용되고있는 poly-si TFT(LTPS TFT) backplane 은신뢰성이우수하고 TFT 특성이우수한장점이있다. 하지만, 제조공정이복잡하며유리기판크기가 4~5 세대에국한되어있어소형 AMOLED 에주로적용되고있다. 그래서, 최근 Oxide TFT 가대형유리기판에적용이가능하고제조원가가뛰어날뿐만아니라, 전자와정공의속도가빨라고해상도구현에절대적으로유리해서크게주목을받고있으며차세대 TFT 기술로자리잡을것으로예상된다. 하지만, 최신기술로신뢰성이슈가아직남아있다. 도표 35 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 _49

50 AMOLED 패널의전체투자비중에서 TFT 기판제조부분이 60~70% 를차지하며, TFT 제조의기술방식에따라설비투자규모가크게달라질수있다. 설비투자규모의차이를가져오는가장큰이유는공정수이다. 일반적으로사용하는 a-si TFT 의마스크공정수가 4~5 회이며, 당사가가장주목하는 Oxide TFT 역시 4~5 회인반면, poly-si TFT(LTPS TFT) 의마스크공정수는 7~10 회에달하여제조원가가높다. 따라서, 8세대라인과같은대형라인에서는원가구조를고려했을때, poly-si TFT(LTPS TFT) 방식보다는 Oxide 가훨씬더유리하다. poly-si TFT(LTPS TFT) 방식으로대형라인투자가진행될경우대규모신규투자가필요한반면, Oxide TFT 의경우기존 LCD 라인에서사용하고있는장비대부분을활용할수있어설비투자규모를크게줄일수있는장점이있다. 도표 36 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 50_

51 따라서, 당사는 AMOLED 의제조원가및투자에가장결정적인영향을미치는 TFT backplane 기술을종합적으로검토해볼때, 앞서언급한것처럼 Oxide TFT 가대면적디스플레이에서는채택될것으로판단한다. AMOLED 산업이기존의 TFT-LCD 산업을대체하기위해서는 TV와 DID 시장에서주도권을잡아야하기때문에 8세대라인이상의대면적디스플레이구현이가능해야한다. 결국, 패널업체들이 8세대 AMOLED 라인을본격적으로투자하기시작하는 2012년이후에는 TFT backplane 에서는 Oxide TFT 가핵심적기술이될것으로예상된다. 도표 37 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 _51

52 AMOLED 는전류량에따라휘도가결정되는전류구동방식이기때문에구동 TFT 안에많은전류가흐른다. 따라서, a-si TFT 로는충분한전류를흘려주기어렵고또한많은전류로인하여 TFT 열화현상이발생하게된다. 그래서, 현재는 poly-si TFT 가상용화되고있다. Poly-Si TFT 를만들기위한방법은레이저또는열처리를하는등다양한방법이존재하지만, 현재양산에서는 Eximer laser 를이용한결정화방법이주로사용되고있다. 레이저를이용한결정화공정인 ELA(Eximer Laser Annealling) 방식은소자의불균일성으로공정수율이매우낮은단점이있다. ELA 공정으로만들어진 poly-si 은다양한크기와위치를갖는 grain 을형성하므로 TFT 의특성은각기다른특성을갖게된다. 이를보상하기위해서는결정화방식의개선과보상회로가사용된다. 하지만, 균일도보상회로방식은 TFT 의개수가많아개구율이작아질뿐아니라, 제조과정에서생길수있는 TFT 의불량가능성이더욱높다. 이러한불균일성은레이저결정화에의한 poly-si TFT 에서가장심하게나타난다. 도표 38 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 도표 39 ELA A-SPC SGS IGZO(Oxide) 공정 저온 laser 이용결정화 급속고온 (600 C) 열처리결정화 이동성 100cm2 /Vs 10~20cm2 /Vs 10~40cm2 /Vs 10 cm2 /Vs 이상 균일도 낮음 높음 높음 높음 안전성 매우높음 높음 높음 높음 Mask 사용개수 7~10 4~5 4~5 4~5 공정온도 저온 고온 고온 저온 비용 높음 낮음 낮음 낮음 공정복잡성 높음 낮음 낮음 낮음 대형화 5.5G 이하 6G 이하 8G 이상 8G 이상 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 52_

53 AMOLED 패널이 poly-si TFT 기판을필요로하는이유는 ' 높은전하이동속도 (carrier mobility)' 와 ' 낮은문턱전압 (threshold voltage, vth)' 의특성을가장잘구현할수있기때문이며, 다양한 poly-si TFT 결정 화공정중에서, ELA(Eximer Laser Annealling) 방식이가장뛰어나다. 다만, 5.5 세대가넘는대면적유리기판에는아직적용된바가없고, 공정수가많아설비투자비용이지나치게높아져원가부담이 Oxide TFT와 a-si TFT 대비높다는단점을가지고있다. 도표 40 특성값이동성 균일도 안정성 Mask 개수 공정온도 비용 공정복잡성 대형화여부 100 cm2 /Vs 낮음 매우높음 7~10 저온 높음 높음 ~5.5G 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 _53

54 SGS(Super Grain Silicon) 방식은 ELA 방식과달리 laser 를사용하지않고전체유리기판을높은열처리를통해 poly-si TFT 를형성하며, a-si 기판에극소량의금속촉매를도포한후열처리를통해 poly-si 을형성하는기술이다. ELA 대비공정이단순하고대면적기판처리에유리한점이있지만, 높은열에서기판을가공해야한다는단점과공정처리속도 ( 열처리공정 1시간소요 ) 가매우느리다는단점을가지고있다. ELA 방식으로형성된 TFT 소자대비전기적특성값은떨어지지만, 대형 AMOLED 패널을구동하는데에는문제가없기때문에 8세대 AMOLED TFT 기판제조방식으로검토되고있는것이다. 도표 41 특성값이동성 균일도 안정성 Mask 개수 공정온도 비용 공정복잡성 대형화여부 10~40cm2 /Vs 높음 높음 4~5 고온 낮음 낮음 >8G 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 54_

55 Oxide TFT(InGaZnO) 기술은전기적특성면에서는 ELA 방식이나 SGS 방식대비떨어지지만, 대형화에유리하고설비투자를최소화할수있다는장점이있다. ELA 방식대비 Oxide TFT 의경우공정수가절반수준이어서원가경쟁력이높고, 기존 TFT 공정에사용되는장비의활용도가매우높고신규설비투자규모를최소화할수있다. 그래서, 삼성전자나 LG디스플레이모두적극적으로검토하고있으며, 당사는 Oxide TFT 가 TFT backplane 의핵심적공정기술로자리잡을것으로판단한다. 도표 42 특성값이동성 균일도 안정성 Mask 개수 공정온도 비용 공정복잡성 대형화여부 9cm2 /Vs 높음 높음 4~5 저온 낮음 낮음 >8G 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 도표 43 LTPS TFT LASER SPC ELA TB-SLS MIC-SGS OXIDE TFT Overlap 90% scan Overlap under 50% scan Fast Silicide crystallization Additional process for MO Grain Size : 0.1 ~ 0.5um Grain Size : 0~ um Low Temp process : <550 Mobility : 1 ~ 20 cm2 /Vs Mobility : 60~80 cm2 /Vs Mobility : 80~120 cm2 /Vs Mobility : ~ 50 cm2 /Vs Line Mura - Non uniformity Regular Grain Depend on direction of crystallization Design rule Good performance Need to compensate circuit Regular grain Moira mura Limit of device characteristics Done the verification of Mass Production 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 Need to modify process Need to compensate circuit Metal pollution Bad local uniformity Don't verification of Mass product Device Stability : Vth Shift by UV irradiation _55

56 AMOLED 패널제조공정과정에서 TFT backplane 에 TFT 회로를만들고나면, 그다음핵심적공정이바로유기물증착공정이다. 현재사용하고있는유기물증착기술은 FMM(Fine Metal Mask) 방식이며, 이는유기물에열을가해기체화시켜기판위에증착하는방식이다. FMM 방식은현재양산에적용되고있어기술적으로도검증이되어있고, 이를위한재료및장비의개발도상당한완성도를보이고있다. 그러나 FMM 방식은대면적, 고해상도구현에있어서치명적인문제점을가지고있으며, 고가의장비를사용하기때문에원가절감이어렵다. FMM 방식은진공에서증착시 FMM 을이용하여특정영역에만유기물을증착하는방식이주로이루어지며, RGB 각픽셀의형성은 FMM 을사용하여색상별로증착하기때문에, 마스크의정밀도와마스크와기판사이의정렬 (alignment) 이중요하다. FMM 방식에서가장앞서있는기술을보유하고있는 SMD 는일본의 Hitachi 社와 5.5 세대용증착장비를개발중이지만, 5.5 세대 2단계까지는원판유리를 4분할하여기존의 3.5 세대증착장비를활용할것이다. 증착장비의대형화가매우어렵기때문에, 증착장비의 3단계투자가진행되는 2H11 에서나 5.5 세대증착장비가양산라인에적용될수있을것으로전망된다. 도표 44 세정표면처리 공통증 (HIL, HTL) Red Blue Green Cathode 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 56_

57 진공증착으로유기물과금속을증착하는방법은, 메탈마스크의종류에따라 FMM 을사용하는공정과공통마스크를사용하는공정으로나눌수있다. FMM 은화소를형성할때사용하며, 공통마스크는따로패턴이필요하지않은공통층, HIL, HTL, ETL, cathode 를형성할때사용한다. 공통마스크는미세패턴이없기때문에상대적으로대면적화에는큰어려움이없으나, FMM 의경우에는대면적화에큰어려움이있다. 도표 45 15~30um Glass Shadow mask 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 _57

58 메탈마스크는 SUS 등의금속을이용하여만들며화소크기를구현하기위하여 15~30um 의얇은금속막에수십 um정도의매우정교한화소패턴이뚫려진형태로되어있다. 아래쪽의유기물또는금속소스에서증발된물질들은 mask 를통과한부분에만증착하게된다. 이방식은현재양산에적용되고있는방식이지만여러문제점을가지고있다. 먼저고해상도의디스플레이화면을제작하기위해서는화소크기와화소간의간격이작아져야하지만, FMM 의최소두께에의하여화소크기가제한을받게된다. 둘째, 증발원을사용하여증착하다보니유리기판과마스크가위쪽에놓이고소스가아래쪽에위치하게되는데, 유리와마스크가얇고넓은면적을갖기때문에마스크휨문제가발생하게된다. 유리와마스크휨문제는기판크기가커질수록증가하며, 이로인해스크래치등의불량이나화소가정확히구현되지않는단점이발생하게된다. FMM 방식이 5.5 세대라인에서당분간사용되겠지만, 8세대에서는마스크휨문제를해결해야하고, 증착시유기재료로소모량이많아지기때문에 FMM 방식이그대로적용되기는어려울것이다. 도표 46 Mask Substrate Substrate Substrate Substrate Substrate Source R G B 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 58_

59 SMS 방식은유리기판크기보다작은마스크를여러번이동시키면서유기물질을증착하는방법이다. SMS 방식은기존 FMM 방식의대형마스크휨문제를해결할수있다는점에서 8세대라인에적용될수있을것이다. 하지만, 기판을이동시키면서유기물질을정밀하게증착시켜야한다는공정상의어려움이있어수율확보가쉽지않다는단점이있다. 도표 47 특성값 유기재료 증착정밀도 해상도 적용세대 장점 단점 저분자 ±15nm <240ppi >6G 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 대형화가능, 공정시간단축 기존 FMM 방식에추가장비필요 8G 이상에대한의문 _59

60 삼성이 8세대 pilot 라인에서검토하고있는또다른증착방식은 LITI(Laser Induced Thermal Imaging) 방식이다. LITI 방식은고분자필름이나유리기판등에이미성막시켜놓은유기막을레이저를통해원하는기판위에전사시키는방법으로높은정밀도를갖는장점이있다. LITI 방식은 FMM 을사용하지않고, 사용하는레이저빔의직경을작게하면아주작은화소패턴형성이가능하므로고해상도의디스플레이구현이가능하다는점때문에크게주목받고있다. LITI 방식은폴리에스터와같은고분자필름에유기물을진공증착또는스핀코팅방식에의해코팅한도너필름을제작하고이를레이저를사용하여전사시킨다. 이때도너필름에서유기물이잘떨어지도록하기위하여빛열변환층을코팅하며, 사용되는레이저는 YAG 레이저가주로사용된다. 도표 48 자료 : SMD, 유진투자증권 60_

61 하지만, 유기물을모기판으로코팅하고다시 TFT 어레이기판으로옮기므로유기물의효율과수명이저하 되는단점이있고, 고분자유기물질의개발이병행되어야한다는문제점도가지고있다. 그리고공정이복잡하고많아져안정적인수율확보에도어려움이있다. 도표 49 특성값 유기재료증착정밀도해상도적용세대장점단점 고분자 ±2.5nm >300ppi >6G 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 대형화용이, 증착정밀도향상 고분자재료의효율및수명문제 _61

62 최근 LG디스플레이가경쟁업체인 SMD에비해 AMOLED 산업경쟁에서뒤처지면서, AMOLED-TV 시장에서는공격적으로선점하기위해서적극적으로검토하면서부각되고있는방식이바로 White OLED 방식이다. White OLED 는색변환방식 (CCM; Color Change Media) 중의하나이며, 색변환방식은청색을이용하는방법과백색을이용하는방법이있다. 청색을이용하여적색과녹색을구현하는색변환방식은청색의낮은효율과수명으로인하여일반적으로연구가진행되고있지않으며, 가장대표적인색변환방식이 LCD 와유사하게 color filter 를적용하는방식인 White OLED 방식이다. LCD 에서는 BLU 로부터나온빛을적녹청의 filter 를통과시켜색을분리해내고각각의세기는액정으로부터제어하는방법을사용하며, OLED 에서는 BLU 대신 White OLED 를쓰고 color filter 는그대로사용하는방식이다. 도표 50 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 62_

63 LG디스플레이가의욕적으로제안하고있는 White OLED 방식은 BLU 와는달리 OLED 소자가각각개별구동을하기때문에액정부분이빠질수있어단순화된구조를얻을수있는장점이있다. 또한적녹청의화소를각각형성하지않아도되기때문에 FMM 을사용하지않으며, Color filter 기술은이미완성도가높은기술로거의불량이없고, 대면적, 고해상도구현도용이하다는장점이있다. 그러나, 색감에있어 OLED 의장점을잘살리지못한다는단점이있으며, LCD 에사용하는컬러필터보다고가의컬러필터를채용해야하기때문에원가가상승하고, color filter 를 TFT 위에바로올리는공정상의어려움이있다. 그리고빛의투과율이낮아효율이떨어져높은소비전력을보이고, White 수명향상및효율개선이시급이이루어져야할필요성이있다. 도표 51 OLED C/F B G R 자료 : Displaybank, 유진투자증권 _63

64 최근유기물을용액화시켜화소를인쇄시키는방법에대해서도많은연구가이루어지고있다. 대부분의인쇄공정은신문이나대형인쇄물에서보듯이대면적에비교적높은정밀도를가지고다양한색을혼합하여구현할수있기때문에, 인쇄공정을디스플레이에응용하는기술에대한연구가활발하게진행되고있다. 가장기대를많이받고있는방식은잉크젯프린팅 (Inkjet Printing) 방식이다. 잉크젯은그특성상원하는부분에잉크를직접인쇄하는것이가능하다. 잉크는발광또는전하수송의특성을갖는유기물을유기용매에녹인용액을이용하여제작하며디스플레이에특화된헤드를사용하여인쇄공정을진행한다. 잉크젯프린팅방식은원하는부분에만재료를형성시킬수있기때문에재료의이용효율이높은장점이있으며대형화에용이하다. 또한잉크젯프린터는포토마스크나 FMM 같은물리적인마스크가아니라인쇄될위치에대한도면만있으면, 작업이가능하여비용절감이가능하고다품종제작에매우유리하다. 도표 52 Nozzle Standoff Droplet Pixel Width 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 64_

65 잉크젯으로공정을하기위해서는디스플레이가고해상도와정교한패턴형성을요하기때문에, 정확한잉크방울의크기조절, 정확한위치의조절, 잉크젯프린팅에의해형성된막의두께및모양균일도등이중요하다. 잉크방울의크기는형성되는막의두께에영향을미친다. OLED 의경우두께에따라구동전압, 효율, 빛의밝기등이달라지므로잉크방울의크기는특히중요하다. 많은관심과연구가이루어지고있음에도불구하고, 잉크젯방법은아직까지는공정제어가어렵고, 다층구조의소자제작이어려우며, 우수한소재가개발되지않아상용화적용까지는상당한시간이걸릴것으로예상되고있다. 도표 53 ITO patterning & Cleaning Red layer 형성 Bank 형성 / 표면처리 Green layer 형성 Buffer layer 형성 Nozzle 전극증착 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 _65

66 용액을이용한공정중에서가장최근에주목을받는방식은 Roll printer 를이용한방식이다. 용액재료의공급과전사방식에따라그라비아, 옵셋등다양한방법이있을수있으며, 이러한방식은대부분인쇄용장비로부터차용하여온것이다. R2R 방식이플렉서블디스플레이에서채용될것으로전망되고있지만, R2R 방식으로기판이송시어떤방식으로패턴을만들어낼것인가에대한명확한해결책이제시되지못한채여전히다양한방법이논의되고있다. 현재이방법은정밀한화소를형성하기에는재료나 Roll 가공기술, 공정기술등이부족하여디스플레이보다는 OLED 조명쪽에서먼저적용될수있을것으로예상된다. 도표 54 자료 : 전자부품연구원, VTT, 유진투자증권 도표 55 구분 R,G,B Patterning RGB FMM Laser Pattern Solution Printing Printing (Fine Metal Mask) (LITI/LIPS) (Ink jet/nozzle) (Gravure off set) WOLED (white + C/F) Method Material Small Molecule Small Molecule Polymer Small Molecule Polymer Small Molecule Small Molecule Device Performance X Pattern Accuracy ±15 μm ±2.5 μm ±20 μm ±3 μm ±2.5 μm Development Level Equipment Cost Large Area 자료 : SMD, 유진투자증권 66_

67 AMOLED 패널에사용되는유기재료는공기중의산소및수분에노출될경우재료의수명이급격히단축되기때문에유기재료와외부의접촉을막기위한봉지 (Encapsulation) 공정이필수적이다. 현재적용되고있는봉지기술은봉지기판에흡습제를부착하고접착제를이용, TFT 기판에접착시키는흡습제방식이다. 현재소형 AMOLED 를양산하고있는 SMD 4.5 세대라인과 2Q11 부터양산체제를갖추는 5.5 세대 P1라인은이러한흡습제방식을적용하고봉지기판으로는유리기판을사용하고있다. 하지만, 봉지면적이증가함에따라산소및수분에대한노출민감도가높아지고, 외부충격에취약한유리기판의특성때문에유리기판흡습제방식은대형 AMOLED 에는적합하지않는것으로판단된다. 유리기판흡습제방식의이와같은약점을보완하기위해현재봉지기판과 TFT 기판사이에유기물을충진시키는충진봉지방식, 레이저로용융시킨유리원료 (frit) 를이용하여접착시키는 Frit 봉지방식, 다층의유기- 무기복합막으로소자를외부로부터보호하는 Film 봉지방식등이개발중이다. 향후사이즈의대형화와플렉서블 AMOLED, 투명 AMOLED 생산이본격화될경우, Film 봉지방식등이채택될것으로예상된다. 도표 56 자료 : Displaybank, 업계자료, 유진투자증권 도표 57 도표 58 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 _67

68 이상과같이 AMOLED 공정의다양한기술들을살펴보았다. 패널업체들은 AMOLED 산업주도권을놓고다양한공정기술경쟁을펼치고있다. 5.5 세대라인을처음으로상용화하여가장공격적으로투자하고있는 SMD 는 5.5 세대에서 poly-si TFT 를양산하는기술인 ELA 방식을적용하고있지만, 대면적디스플레이시장진출을위해서는향후 8세대라인에서는 Oxide TFT 를채택할것이며, 유기물증착에서 FMM 이아닌 LITI 방식으로진행될가능성이높다고판단된다. 한편, LTPS 에있어매우우수한기술력을확보하고있는 LG디스플레이역시 Oxide TFT 를적용할것이며, 유기물증착공정에서는투자비절감과원가경쟁력확보를위해 White OLED 방식을적극적으로검토하고있다. 도표 59 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 68_

69 4) AMOLED 산업의특성 AMOLED 산업을제대로이해하기위해서, 당사는 AMOLED 가 LCD 와경쟁하는차세대디스플레이라는점을가장먼저언급하고싶다. 디스플레이산업에서가장중요한것은, ' 자금력 ' 과 ' 고객기반 ' 이며, AMOLED 산업역시자금력과고객기반이무엇보다중요하다. 일본 Sharp 와대만업체들이 AMOLED 가차세대디스플레이라는점을인정하면서도공격적으로들어오기힘든것은이러한점때문인것으로판단된다. LG디스플레이가 White OLED 를찾는것도이러한점과일맥상통한다고볼수있다. LG디스플레이는경쟁업체인삼성전자대비고객기반이약하고자금력이약한상황에서합리적인투자를통해 AMOLED-TV 시장을선도적으로나서기위해최선의선택을찾고있는것이다. 이렇게볼때, 삼성전자와 LG디스플레이가차세대디스플레이인 AMOLED 산업을전개함에있어향후최대의경쟁자는중국업체로판단된다. 중국패널업체들은중국이라는세계최대의고객기반을가지고있으며, 세계최대부를축적하고있는중국정부를등에엎고 AMOLED 산업에공격적으로나설가능성이높다. 단지, 지금은 AMOLED 산업이성장초기국면이고 5.5 세대와 8세대라인의공정방식이표준화되어있지않기때문에, 중국패널업체들이적극적으로나서지못하고있는것이다. 그대신, LCD 8세대라인설립을통해공정기술축적에당분간집중할것으로예상된다. 둘째, AMOLED 와 LCD 의차이점은바로패널구조의차이에서알수있다. 패널구조의차이가원가구조의차이를가져오고있는데, AMOLED 는 LCD 패널대비재료비비중이낮고감가상각비비중이높아, DRAM 과비슷한원가구조를가지고있다. AMOLED 는 LCD 와달리부품산업이아니며, 패널업체가제조공정상의혁신을통해능동적으로원가를크게개선시킬수있다는것이다. 반면, TFT-LCD 패널에서부품이차지하는비중은 60~67% 에달하며부품산업의성격을가지고있어, 사실부품단가인하와핵심부품 / 재료의개선등에의존할수밖에없는상황이다. 따라서, AMOLED 산업은향후패널업체들이혁신적인공정개선을통해원가를추가적으로개선할여지가많으며, 8세대이상의공정이정착하게되면 LCD 패널대비우수한원가경쟁력을확보할것으로판단된다. 도표 60 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 _69

70 셋째, AMOLED 제조공정과정은 LCD 에비해상대적으로단순하다. 이러한단순한제조공정상의특성때문에, 장비업체가주도권을장악할가능성이높다. AMOLED 3.5 세대라인까지일본의 Tokki 社와 Hitachi 社가일괄수주방식으로장비산업에서의헤게모니를강화시켜왔다. 따라서, 삼성전자와 LG디스플레이는 5.5 세대와 8세대라인을가동하기앞서, 장비국산화가무엇보다시급하다고판단된다. 핵심공정에대한장비국산화가제대로이루어질경우, 해외경쟁업체들이 AMOLED 대형시장에진입하는시점이상당히걸릴수있을것이다. 그러나, 핵심공정장비를일본업체들에계속의존할경우, 삼성전자와 LG디스플레이가공정표준화에많은투자를하고, 그노력의결과물들을일본장비업체들이중국이나대만패널업체들에게판매할가능성이매우높다. 따라서, 당사는삼성전자와 LG디스플레이가핵심공정에대한국산화를가속시킬수밖에없으며, 에스에프에이와 AP시스템, 원익IPS, 아바코, 주성엔지니어링, 테스등이수혜를볼것으로예상한다. AMOLED 산업이점진적으로성장하는국면에서는재료업체들에대해관심이확대될것이다. 대면적이본격화되면, 사용되는재료사용량이기하급수적으로증가하기때문이다. 그래서중장기적으로제일모직과덕산하이메탈등과같은재료업체들이가장큰수혜를받으며성장할전망이다. 도표 61 AMOLED TFT Array Organic EL Evaporation (R,G,B) Encapsulation Polarizer Circuit & D-IC AMLCD TFT Array C/F LC Filling Assembly Polarizer Circuit & D-IC BLU Assembly 자료 : 전자부품연구원, 유진투자증권 70_

71 5) AMOLED 시장전망 AMOLED시장은 2009년휴대폰에채용되면서빠르게성장하고있으며, 2012년이후부터는 AMOLED- TV를중심으로큰폭으로성장할것으로예상된다. 2010년세계 AMOLED시장은 11.9억US 달러였으며, 2011년에는 260.1%yoy 증가한 42.8억US 달러, 2012년에는 76.7%yoy 증가한 65.6억US 달러에달할것으로전망된다. 그리고, 2010년 AMOLED 출하량은 4,542만대였으며, 이중대부분이휴대폰에적용되었다. 2011년 AMOLED 출하량은 193.1%yoy 증가한 1.33억대에이를것이며, 2012년이후부터는 AMOLED-TV가출시되면서성장을견인하여 72.9%yoy 증가한 2.30 억대에달할것으로예상된다. 도표 62 도표 63 (US$mn) 18,000 16,000 14,000 12,000 10,000 8,000 6,000 4,000 2,000 0 AMOLED 매출액증가율 ( 우 ) (yoy,%) ( 천대 ) 600, , , , , ,000 0 AMOLED 출하량 증가율 ( 우 ) (yoy,%) F 2012F 2013F 2014F 2015F 2016F 2017F F 2012F 2013F 2014F 2015F 2016F 2017F 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 AMOLED 대형라인이본격적으로가동되면서, AMOLED 재료시장의높은성장성이주목받고있다 년 AMOLED 재료시장이 1.5 억US 달러였지만, 2015 년에는 25억 US 달러에이를것으로예상된다. 성장초기국면이어서 AMOLED 재료가격이비싸고, Dow Chem 과 Idemitsu Kosan, Hodogaya 등의해외업체들이시장주도권을장악하고있지만, 덕산하이메탈과 LG화학등이시장에진출해서경쟁하고있으며, 중장기적으로는제일모직이 AMOLED 시장에서두각을나타낼것으로예상된다. 색상을구현하는 R/G/B 유기물질의수명문제가아직해결되어야할부분으로남아있다. 특히, 청색 (Blue) 의밝기와수명문제등이해결되어야할과제이며, 지금은 Dow Chem 과 UDC 가시장을장악하고있어국산화의필요성이크게부각되고있다. _71

72 II. AMOLED 산업성장의수혜업체 1. Oxide TFT 를적용한 AMOLED 디스플레이성장의수혜업체 1) Oxide TFT 를적용한 backplane 기술변화에따른수혜업체 당사는디스플레이산업의새로운성장기를이끌차세대디스플레이로 Oxide TFT 를적용한 AMOLED 디스플레이를가장먼저손꼽고싶다. 아마도 2012년삼성전자가 AMOLED-TV가본격적으로출시할때, 세상이꿈꾸고있는환상적인디스플레이를경험하게될지모른다. Oxide TFT 를적용한 AMOLED 디스플레이가구현하는미래디스플레이의황홀함을! Oxide TFT 를적용한디스플레이가구현되게되면, 최대수혜업체는당연히 Oxide 를만드는재료업체일것이다. 지금은삼성코닝과일본의 JX Nikko, Mitsui 금속과같은소수업체들이 TCO(Transparent Conducting Oxide) 타겟시장을과점하고있다. Oxide TFT 시장이성장하게되면국산화가가속될것이며, 국내업체중에서는나노신소재 ( KQ, BUY, TP 22,000원 /Analyst 최순호 / 변준호 ) 가기술적으로상당히높은위치에있는것으로판단된다. 도표 64 도표 65 ( 톤 ) 2,500 2,000 '08~'13 CAGR 16% 1,500 1, A 2009A 2010F 2011F 2012F 2013F 자료 : 나노신소재, 유진투자증권 자료 : 나노신소재, 유진투자증권 72_

73 그리고, Oxide 물질을패널에부착하기위해스퍼터장비가중요하게부각될것이다. Oxide TFT 가 backplane 공정에적용되면, 기존의 PE-CVD 장비는소폭줄어들고, 스퍼터장비가증가하는것으로알려져있다. 국내의대표적인스퍼터장비업체인아바코 ( KQ, BUY, TP 20,000원 ) 와에스에프에이 ( KQ, BUY, TP 80,000원 ) 가 Oxide TFT시장성장의대표적인수혜업체로전망된다. 도표 66 자료 : 아바코, 유진투자증권 또한 Oxide TFT 디스플레이가구현되면, 투명디스플레이와플렉서블디스플레이가실현된다. 따라서, 당사는투명디스플레이 / 플렉서블디스플레이가구현되면, 디스플레이시장영역이 DID 시장으로접목되어크게확대될수있을것이며, 플라스틱기판업체가중장기적으로유리기판을대신하며 ' 미래의코닝 ' 으로성장하게될것으로예상한다. 현재국책과제로투명플라스틱기판국산화과제를하고있는업체가바로제일모직 ( KS, BUY, TP 150,000원 ) 이다. 제일모직은향후차세대디스플레이 AMOLED 재료뿐만아니라중장기적으로투명플라스틱기판사업을통해크게성장할것으로전망된다. _73

74 도표 67 도표 68 ( 십억원 ) 16,000 14,000 12,000 10,000 8,000 6,000 4,000 2,000 자료 : 제일모직, 유진투자증권 0 자료 : 지식경제부, 유진투자증권 Oxide TFT 를적용한 AMOLED 디스플레이는향후디스플레이시장성장을크게주도할것이며, 특히 AMOLED 산업이한국업체들을중심으로성장하기때문에관련된장비업체와재료업체들에대해서는중장기적으로크게주목해야할것이다. 앞으로수년뒤 AMOLED 시장에서는한국과중국업체간경쟁이본격적으로진행될것으로예상한다. 그때, 중국패널업체들에게장비와재료를판매할업체들은일본업체가아니라바로한국업체일것이며, 한국의장비 / 재료업체가중장기적으로크게도약할것으로판단된다. 도표 69 기업명 제품 투자의견 목표주가 제일모직 투명플라스틱기판 BUY 150,000 원 에스에프에이 스퍼터장비 BUY 80,000원 아바코 스퍼터장비 BUY 20,000 원 나노신소재 Oxide 타겟, ITO 타겟 BUY 22,000원 자료 : 유진투자증권 74_

75 2) AMOLED 산업성장의수혜업체 AMOLED 산업성장초기국면에서는장비업체가가장큰수혜를받을것이다. 특히, 앞에서도언급했듯이, AMOLED 산업은제조공정의특성상장비업체들의중요성이성장초기국면에서크게부각될것이며, 국산화가빠르게가속될것이다. 당사는에스에프에이 ( KQ, BUY, TP 80,000원 ) 와 AP시스템, 아바코 ( KQ, BUY, TP 20,000원 ), 주성엔지니어링, 원익IPS, 테스, 탑엔지니어링등을수혜업체로추천한다. 도표 70 Items Makers Trends Laser Crystallization AP 시스템 G4 and G5.5 PO Evaporation 에스에프에이 Developing Vertical evaporator SNU Developing Vertical evaporator 주성엔지니어링 Developing Horizontal evaporator Encapsulation 선익시스템 Developed Encapsulator, Pilot equipment PO 아바코 Developed Encapsulator 에스에프에이 Developed Encapsulator Inspection NCB 네트웍스 G4 inspector PO, Developing G5.5 inspector 탑엔지니어링 Developing AMOLED Array inspector 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 성장국면에서는재료업체를주목해야할것이다. 당사는 5.5 세대가본격적으로가동되는 2Q11 이후부터는재료업체들의실적개선이두드러질것으로예상한다. 향후수혜를크게보게될대표적인 AMOLED 재료업체로제일모직 ( KS, BUY, TP 150,000원 ) 과덕산하이메탈 ( KQ, BUY, TP 30,000원 ), 대주전자재료등을선정한다. 도표 71 자료 : Displaysearch, 유진투자증권 _75

76 기업분석 LG 디스플레이 ( KS) HOLD( 유지 ) / TP 40,000 원 ( 유지 ) 새로운도약을준비해야하는시기!! 제일모직 ( KS) BUY( 유지 ) / TP 150,000 원 ( 유지 ) 세계적인전자재료업체로도약! 에스에프에이 ( KQ) BUY( 유지 ) / TP 80,000 원 ( 유지 ) 세계적인전공정장비업체로도약!! 덕산하이메탈 ( KQ) BUY( 신규 ) / TP 30,000 원 ( 신규 ) AMOLED 산업에서의핵심적재료업체!! 테크노세미켐 ( KQ) BUY( 유지 ) / TP 56,000 원 ( 유지 ) 반도체 / 디스플레이의핵심적전자재료업체!! 아바코 ( KQ) BUY( 신규 ) / TP 20,000 원 ( 신규 ) AMOLED 핵심공정장비업체로성장! 나노신소재 ( KQ) BUY( 유지 ) / TP 22,000 원 ( 유지 ) 차세대디스플레이전극소재채택을꿈꾸다! 76_

77 LG 디스플레이 ( KS) 새로운도약을준비해야할시기!! 목표주가 40,000원 및투자의견 HOLD 유지당사는세계적인 TFT-LCD 업체인 'LG 디스플레이 ' 에대해목표주가 '40,000 원과투자의견 'HOLD' 를유지한다. 목표주가 '40,000 원 ' 은 2011년및 2012년예상 EPS대비각각 19.6배, 23.7배이며, 이는현주가대비 6.1% 의상승여력이있어투자의견 'HOLD' 를유지한다. LCD-TV 시장의성숙단계진입, 구조적인공급과잉확대, 업체들의수익성악화등에주목 보수적인투자전략권고당사는 1) LCD-TV시장의성숙단계진입과 2) 2011년이후구조적인공급과잉국면확대, 3) 떨어지고있는패널업체들의수익성, 4) 예상보다약한 2011 년패널가격및패널가격증가율 (yoy) 모멘텀등으로동사에대해중장기적으로보수적인의견을제시한다. 특히, 동사는 TFT-LCD 산업의성장을주도하였지만, 차세대디스플레이인 AMOLED 산업에서 'Market Leadership' 을지속적으로유지할수있을지에대해확인할필요가있을것이다 매출액및영업이익각각 0.4%yoy, 45.1%yoy 감소예상 LG디스플레이의 2011년실적은신규 CAPA 증설효과와 FPR 비중증가, 업황개선에따른패널가격반등등에도불구하고, 예상보다낮은패널가격상승폭과 2H11 약한수요회복등으로부진할것으로판단된다. 2011년매출액및영업이익은각각 0.4%yoy, 45.1%yoy 감소한 조원, 7,198 억원에그칠것으로예상된다. Financial Data (IFRS 연결기준 ) 결산기 (12월) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 매출액 ( 십억원 ) 20, , , , ,397.1 영업이익 ( 십억원 ) 1, , 세전계속사업손익 ( 십억원 ) , 당기순이익 ( 십억원 ) 1, , EPS( 원 ) 2,969 3,232 2,043 1,689 2,126 증감률 (%) PER( 배 ) ROE(%) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 자료 : 유진투자증권 반도체 / 디스플레이담당이정 Tel / jeonglee@eugenefn.com 반도체 / 디스플레이담당곽민정 Tel / mina@eugenefn.com HOLD( 유지 ) 현재주가 (5/20) 목표주가 (12M, 유지 ) 37,700원 40,000원 Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) 2,111.5 KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 5,000 시가총액 ( 십억원 ) 13, 주최고 / 최저 ( 원 ) 45,300 / 33,250 52주일간 Beta 1.01 발행주식수 ( 천주 ) 357,816 평균거래량 (3M, 천주 ) 3,118 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 116,119 배당수익률 (11F, %) 1.3 외국인지분율 (%) 31.8 주요주주지분율 (%) LG 전자외 1인 37.9 국민연금공단 6.5 Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 KOSPI 대비상대수익률 Company vs KOSPI composite 50, , , , , , , , ,000 5,000 주가 ( 좌, 원 ) KOSPI지수대비 ( 우, p) _77

78 LG 디스플레이 ( KS) 재무제표 대차대조표 (IFRS 연결기준 ) 손익계산서 (IFRS 연결기준 ) ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 유동자산 8,210 8,840 8,571 8,446 8,749 매출액 20,614 25,512 25,418 27,325 27,397 현금성자산 3,362 3,169 2,217 2,222 2,333 증가율 (%) 매출채권 2,939 3,233 3,677 3,598 3,712 매출총이익 2,299 3,731 3,398 3,608 3,996 재고자산 1,705 2,215 2,451 2,398 2,474 매출총이익율 (%) 비유동자산 11,329 15,017 16,994 18,713 20,108 판매비와관리비 1,232 2,042 2,678 2,941 3,148 투자자산 1,391 1,662 1,729 1,800 1,873 증가율 (%) 유형자산 9,672 12,815 14,570 16,106 17,347 영업이익 1,067 1, 무형자산 증가율 (%) 자산총계 19,538 23,858 25,565 27,158 28,856 EBITDA 3,905 4,614 4,168 4,583 5,103 유동부채 6,214 8,882 9,519 9,641 9,711 증가율 (%) 매입채무 1,969 2,962 3,218 3,298 3,325 영업외손익 단기차입금 1,865 2,101 2,101 2,101 2,101 이자수익 비유동부채 3,108 3,915 4,458 5,503 6,550 이자비용 사채및장기차입금 2,076 2,543 3,043 4,043 5,043 외화관련손익 기타비유동부채 667 1,065 1,109 1,154 1,201 지분법손익 부채총계 9,322 12,797 13,977 15,145 16,261 기타영업외손익 자본금 1,789 1,789 1,789 1,789 1,789 세전계속사업손익 944 1, 자본잉여금 2,311 2,251 2,251 2,251 2,251 법인세비용 자본조정 중단사업이익 자기주식 당기순이익 1,084 1, 이익잉여금 5,886 7,031 7,583 8,009 8,590 증가율 (%) 자본총계 10,216 11,061 11,588 12,013 12,595 당기순이익률 (%) 총차입금 3,941 4,644 5,144 6,144 7,144 EPS 2,969 3,232 2,043 1,689 2,126 순차입금 ( 순현금 ) 579 1,474 2,927 3,922 4,811 증가율 (%) 투하자본 10,483 12,167 14,131 15,537 16,991 완전희석EPS 2,043 1,689 2,126 증가율 (%) 현금흐름표 (IFRS 연결기준 ) 주요투자지표 (IFRS 연결기준 ) ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 영업활동현금흐름 4,096 4,884 4,074 4,743 4,864 주당지표 ( 원 ) 당기순이익 1,084 1, EPS 2,969 3,232 2,043 1,689 2,126 유무형자산상각비 2,838 2,925 3,449 3,916 4,256 BPS 27,540 29,334 30,374 31,250 32,649 기타비현금손익가감 DPS 운전자본의변동 밸류에이션 ( 배,%) 매출채권감소 ( 증가 ) PER 재고자산감소 ( 증가 ) PBR 매입채무증가 ( 감소 ) PCR 기타 EV/ EBITDA 투자활동현금흐름 -4,504-4,515-4,601-5,592-5,608 배당수익율 단기투자자산처분 ( 취득 ) 수익성 (%) 장기투자증권처분 ( 취득 ) 영업이익율 설비투자 -3,807-4,942-4,985-5,192-5,205 EBITDA이익율 유형자산처분 순이익율 무형자산감소 ( 증가 ) ROE 재무활동현금흐름 ROIC 차입금증가 ( 감소 ) ,000 1,000 안정성 (%, 배 ) 자본증가 ( 감소 ) 순차입금 / 자기자본 배당금지급 유동비율 현금의증가 ( 감소 ) 이자보상배율 기초현금 1, ,631 1,425 1,397 활동성 ( 회 ) 기말현금 862 1,631 1,425 1,397 1,475 총자산회전율 Gross cash flow 4,207 4,825 4,120 4,491 4,986 매출채권회전율 Gross investment 4,171 4,213 5,393 5,307 5,697 재고자산회전율 Free cash flow , 매입채무회전율 자료 : 유진투자증권 78_

79 제일모직 ( KS) 2011 년세계적인전자재료업체로도약!! 목표주가 150,000 원 및투자의견 BUY 유지당사는패션업체에서반도체 / 디스플레이용전자재료전문업체로도약하고있는 ' 제일모직 ' 에대해목표주가 '150,000원' 과투자의견 'BUY' 를유지한다. 목표주가 '150,000원' 은 2011년및 2012년예상 EPS대비각각 21.4배, 19.4배이며, 이는현주가대비 20.0% 의상승여력이있어투자의견 'BUY' 를유지한다. AMOLED 용재료를중심으로한신규사업본격화와지속되는시장지배력강화등에주목 중장기적인관점에서지속적으로매수전략권고당사는중장기적인관점에서 1) 차세대디스플레이인 AMOLED 용재료를중심으로한신규사업의높은성장성과 2) 전자재료사업부중심으로기업경쟁력강화, 3) 상대적으로높은실적의안정성등에주목하여현시점부터는 2011 년에대비해서매수해야할것으로판단한다. 특히, 2011년에는신규사업실적이본격화되면서 Valuation 이한단계레벨업될것으로전망된다 년매출액및영업이익각각 21.9%yoy, 33.2%yoy 증가예상제일모직의 2011년실적은 1) TV용편광필름본격적인납품과반도체재료공급증가등에따른전자재료사업부실적호조와 2) AMOLED 용재료와태양광용재료등과같은신규사업실적본격화, 3) 케미칼사업부실적개선등으로성장세를지속할것으로판단된다. 2011년매출액및영업이익은각각 21.9%yoy, 33.2%yoy 증가한 6조1,172억원, 4,450억원을기록할것으로예상된다. 반도체 / 디스플레이담당이정 Tel / jeonglee@eugenefn.com 반도체 / 디스플레이담당곽민정 Tel / mina@eugenefn.com BUY( 유지 ) 현재주가 (5/20) 목표주가 (12M, 유지 ) 125,000원 150,000원 Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) 2,111.5 KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 5,000 시가총액 ( 십억원 ) 6, 주최고 / 최저 ( 원 ) 127,500 / 77,700 52주일간 Beta 1.11 발행주식수 ( 천주 ) 50,000 평균거래량 (3M, 천주 ) 546 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 64,488 배당수익률 (11F, %) 0.6 외국인지분율 (%) 26.2 주요주주지분율 (%) 미래에셋자산외 7인 8.6 국민연금공단 7.7 Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 KOSPI 대비상대수익률 Company vs KOSPI composite 140, , , Financial Data(IFRS 연결기준 ) 결산기 (12월) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 매출액 ( 십억원 ) 4, , , , ,701.3 영업이익 ( 십억원 ) 세전계속사업손익 ( 십억원 ) 당기순이익 ( 십억원 ) EPS( 원 ) 2,540 5,174 7,007 7,726 9,015 증감률 (%) PER( 배 ) ROE(%) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 자료 : 유진투자증권 80, , , ,000 주가 ( 좌, 원 ) 70 KOSPI지수대비 ( 우, p) _79

80 제일모직 ( KS) 재무제표 대차대조표 (IFRS 연결기준 ) 손익계산서 (IFRS 연결기준 ) ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 유동자산 1,146 1,200 1,379 1,479 1,670 매출액 4,261 5,019 6,117 6,815 7,701 현금성자산 증가율 (%) 매출채권 매출총이익 1,244 1,484 1,630 1,762 1,915 재고자산 매출총이익율 (%) 비유동자산 1,972 2,815 3,141 3,438 3,699 판매비와관리비 980 1,150 1,185 1,258 1,335 투자자산 923 1,682 1,750 1,821 1,895 증가율 (%) 유형자산 988 1,104 1,353 1,571 1,751 영업이익 무형자산 증가율 (%) 자산총계 3,119 4,015 4,520 4,918 5,369 EBITDA 유동부채 증가율 (%) 매입채무 영업외손익 단기차입금 이자수익 유동성장기부채 이자비용 비유동부채 외화관련손익 사채및장기차입금 지분법손익 기타비유동부채 기타영업외손익 부채총계 1,149 1,253 1,443 1,491 1,527 세전계속사업손익 자본금 법인세비용 자본잉여금 중단사업이익 자본조정 당기순이익 자기주식 증가율 (%) 이익잉여금 926 1,149 1,463 1,814 2,229 당기순이익률 (%) 자본총계 1,970 2,761 3,077 3,427 3,842 EPS 2,540 5,174 7,007 7,726 9,015 총차입금 증가율 (%) 순차입금 ( 순현금 ) 완전희석EPS 7,007 7,726 9,015 투하자본 1,571 1,467 1,778 2,169 2,396 증가율 (%) 현금흐름표 (IFRS 연결기준 ) 주요투자지표 (IFRS 연결기준 ) ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 영업활동현금흐름 주당지표 ( 원 ) 당기순이익 EPS 2,540 5,174 7,007 7,726 9,015 유무형자산상각비 BPS 38,168 54,643 60,763 67,619 75,791 기타비현금손익가감 DPS 운전자본의변동 밸류에이션 ( 배,%) 매출채권감소 ( 증가 ) PER 재고자산감소 ( 증가 ) PBR 매입채무증가 ( 감소 ) PCR 기타 EV/ EBITDA 투자활동현금흐름 배당수익율 단기투자자산처분 ( 취득 ) 수익성 (%) 장기투자증권처분 ( 취득 ) 영업이익율 설비투자 EBITDA이익율 유형자산처분 순이익율 무형자산감소 ( 증가 ) ROE 재무활동현금흐름 ROIC 차입금증가 ( 감소 ) 안정성 (%, 배 ) 자본증가 ( 감소 ) 순차입금 / 자기자본 배당금지급 유동비율 현금의증가 ( 감소 ) 이자보상배율 기초현금 활동성 ( 회 ) 기말현금 총자산회전율 Gross cash flow 매출채권회전율 Gross investment 재고자산회전율 Free cash flow 매입채무회전율 자료 : 유진투자증권 80_

81 에스에프에이 ( KQ) 세계적인전공정장비업체로도약!! 목표주가 80,000원 및투자의견 BUY 유지당사는디스플레이용장비전문업체에서반도체및태양전지산업으로시장영역을확대할뿐만아니라, LCD 및 AMOLED 용핵심적전공정장비를공급하며세계적인종합장비전문업체로도약하고있는 ' 에스에프에이 ' 에대해목표주가 '80,000 원 ' 과투자의견 'BUY' 를유지한다. 목표주가 '80,000원' 은 2011년및 2012년예상EPS대비각각 15.2배, 11.6배이며, 이는현주가대비 36.1% 의상승여력이있어투자의견 'BUY' 를유지한다. 급격히증가하는신규수주와 2011 년 AMOLED 용핵심장비공급, 반도체장비시장진입등에주목 중장기적인관점에서지속적인매수권고당사는 1) 삼성전자와의높은시너지효과와 2) 2011년강한실적개선, 3) 삼성전자의반도체및디스플레이산업에대한공격적인투자수혜, 4) 차세대디스플레이인 AMOLED 장비및태양전지용장비공급에따른중장기적높은성장성확보, 5) 반도체장비시장진입, 6) 뛰어난재무적안정성등에주목하여중장기적인관점에서지속적으로매수할것을권고한다 년매출액및영업이익각각 91.9%yoy, 194.4%yoy 증가예상에스에프에이의 2011년실적은삼성전자와의높은시너지효과에의한 2010년기수주와 AMOLED 장비공급, 반도체장비시장진입등으로크게개선될것으로판단된다. 2011년매출액및영업이익각각 91.9%yoy, 194.4%yoy 증가한 8,115억원, 1,112억원에달할것으로예상된다. Financial Data(IFRS 연결기준 ) 결산기 (12월) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 매출액 ( 십억원 ) ,203.2 영업이익 ( 십억원 ) 세전계속사업손익 ( 십억원 ) 당기순이익 ( 십억원 ) EPS( 원 ) 1,004 2,192 5,255 6,904 8,475 증감률 (%) PER( 배 ) ROE(%) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 자료 : 유진투자증권 반도체 / 디스플레이담당이정 Tel / jeonglee@eugenefn.com 반도체 / 디스플레이담당곽민정 Tel / mina@eugenefn.com BUY( 유지 ) 현재주가 (5/20) 목표주가 (12M, 유지 ) 58,800원 80,000원 Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) 2,111.5 KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 500 시가총액 ( 십억원 ) 1, 주최고 / 최저 ( 원 ) 70,200 / 28,499 52주일간 Beta 0.99 발행주식수 ( 천주 ) 17,954 평균거래량 (3M, 천주 ) 218 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 13,694 배당수익률 (11F, %) 0.9 외국인지분율 (%) 18.1 주요주주지분율 (%) 디와이에셋외 4인 36.8 삼성전자 10.2 Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 KOSPI 대비상대수익률 Company vs KOSPI composite 80, , , , , ,000 20, ,000 주가 ( 좌, 원 ) KOSPI지수대비 ( 우, p) _81

82 에스에프에이 ( KQ) 재무제표 대차대조표 (IFRS 연결기준 ) 손익계산서 (IFRS 연결기준 ) ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 유동자산 매출액 ,203 현금성자산 증가율 (%) 매출채권 매출총이익 재고자산 매출총이익율 (%) 비유동자산 판매비와관리비 투자자산 증가율 (%) 유형자산 영업이익 무형자산 증가율 (%) 자산총계 ,024 EBITDA 유동부채 증가율 (%) 매입채무 영업외손익 단기차입금 이자수익 비유동부채 이자비용 사채및장기차입금 외화관련손익 기타비유동부채 지분법손익 부채총계 기타영업외손익 자본금 세전계속사업손익 자본잉여금 법인세비용 자본조정 중단사업이익 자기주식 당기순이익 이익잉여금 증가율 (%) 자본총계 당기순이익률 (%) 총차입금 EPS 1,004 2,192 5,255 6,904 8,475 순차입금 ( 순현금 ) 증가율 (%) 투하자본 완전희석EPS 5,255 6,904 8,475 증가율 (%) 현금흐름표 (IFRS 연결기준 ) 주요투자지표 (IFRS 연결기준 ) ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 영업활동현금흐름 주당지표 ( 원 ) 당기순이익 EPS 1,004 2,192 5,255 6,904 8,475 유무형자산상각비 BPS 12,715 14,674 18,497 24,904 32,882 기타비현금손익가감 DPS 운전자본의변동 밸류에이션 ( 배,%) 매출채권감소 ( 증가 ) PER 재고자산감소 ( 증가 ) PBR 매입채무증가 ( 감소 ) PCR 기타 EV/ EBITDA 투자활동현금흐름 배당수익율 단기투자자산처분 ( 취득 ) 수익성 (%) 장기투자증권처분 ( 취득 ) 영업이익율 설비투자 EBITDA이익율 유형자산처분 순이익율 무형자산감소 ( 증가 ) ROE 재무활동현금흐름 ROIC 차입금증가 ( 감소 ) 안정성 (%, 배 ) 자본증가 ( 감소 ) 순차입금 / 자기자본 배당금지급 유동비율 현금의증가 ( 감소 ) 이자보상배율 기초현금 활동성 ( 회 ) 기말현금 총자산회전율 Gross cash flow 매출채권회전율 Gross investment 재고자산회전율 Free cash flow 매입채무회전율 자료 : 유진투자증권 82_

83 덕산하이메탈 ( KQ) AMOLED 산업에서의핵심적재료업체! 목표주가 30,000원 및투자의견 BUY 제시당사는 AMOLED 의핵심적유기재료업체인 ' 덕산하이메탈 ' 에대해목표주가 '30,000 원 ' 과투자의견 'BUY' 를제시한다. 목표주가 '30,000원' 은 1) 2011년예상 EPS(1,024원 ) 에과거 6년간최고가평균 P/E 45.7배수준을적용한것과 2) 2011년예상 BPS(3,269 원 ) 에과거 6년간최고가평균 4.4 배를적용한것의평균값이며, 이는현주가대비 38.9% 의상승여력이있어투자의견 'BUY' 를제시한다. AMOLED 재료사업부의높은성장성에주목 중장기적으로매수해야할시점당사는 1) AMOLED 산업이초기성장국면에있기때문에비록경쟁업체가진입하더라도높은실적성장세를지속적으로달성할수있으며, 2) 공정재료산업의특성상시장진입장벽이높고, 3) 동사의 AMOLED 재료사업부의수익성이대단히높아향후높은실적달성이예상되어 Valuation 에대한부담감이크게감소될것이기때문에중장기적인관점에서매수해야할것으로판단한다 년매출액및영업이익각각 79.3%yoy, 174.5%yoy 증가예상동사의 2011년실적은 AMOLED 공정재료의급격한실적성장과솔더볼사업부의지속적인실적호조세로높은성장세를시현할것으로판단된다. 2011년매출액및영업이익은기존추정치대비각각 79.3%yoy, 174.5%yoy 증가한 1,300억원, 360억원에달할것으로예상된다. 반도체 / 디스플레이담당이정 Tel / jeonglee@eugenefn.com 반도체 / 디스플레이담당곽민정 Tel / mina@eugenefn.com BUY( 신규 ) 현재주가 (5/20) 목표주가 (12M, 신규 ) 21,600원 30,000원 Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) 2,111.5 KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 200 시가총액 ( 십억원 ) 주최고 / 최저 ( 원 ) 27,350 / 15,750 52주일간 Beta 1.50 발행주식수 ( 천주 ) 29,360 평균거래량 (3M, 천주 ) 450 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 10,893 배당수익률 (11F, %) n.a 외국인지분율 (%) 18.6 주요주주지분율 (%) 이준호외 10 인 42.6 덕산하이메탈 17.1 Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 KOSPI 대비상대수익률 Company vs KOSPI composite 30, Financial Data 결산기 (12월) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 매출액 ( 십억원 ) 영업이익 ( 십억원 ) 세전계속사업손익 ( 십억원 ) 당기순이익 ( 십억원 ) EPS( 원 ) ,024 3,105 3,715 증감률 (%) 흑전 PER( 배 ) ROE(%) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 자료 : 유진투자증권 25, , , , ,000 주가 ( 좌, 원 ) 70 KOSPI지수대비 ( 우, p) _83

84 I. AMOLED 산업성장의핵심적수혜업체! 1. Valuation 및투자전략 1) 목표주가 30,000 원 및투자의견 BUY 제시 당사는 AMOLED 의핵심적유기재료업체인 ' 덕산하이메탈 ' 에대해목표주가 '30,000 원 ' 과투자의견 'BUY' 를제시한다. 목표주가 '30,000원' 은 1) 2011년예상 EPS(1,024원 ) 에과거 6년간최고가평균 P/E 45.7배수준을적용한것과 2) 2011년예상 BPS(3,269원 ) 에과거 6년간최고가평균 4.4배를적용한것의평균값이며, 이는현주가대비 38.9% 의상승여력이있어투자의견 'BUY' 를제시한다. 동사주가는최근삼성전자의공격적인 AMOLED 라인투자와양호한실적달성등에도불구하고 1) 새로운경쟁업체의시장진입에대한우려와 2) 기관들의차익매물등으로박스권에서횡보세를보이고있다. 그러나, 당사는 1) AMOLED 산업이초기성장국면에있기때문에비록경쟁업체가진입하더라도높은실적성장세를지속적으로달성할수있으며, 2) 공정재료산업의특성상신규업체가시장에진입하기어렵고, 3) 동사의 AMOLED 재료사업부의수익성이대단히높아향후높은실적달성이예상되어 Valuation 에대한부담감이크게감소되기때문에중장기적인관점에서매수해야할것으로판단한다. 도표 AVG P/E( 배 ) High Low Average P/B( 배 ) High Low Average EV/EBITDA( 배 ) High Low Average 영업이익률 (%) ROE(%) 자료 : 유진투자증권 84_

85 2) 투자포인트세가지 동사에대한투자포인트를다음과같이제시한다. 첫째, 삼성전자의 AMOLED 라인에대한공격적인투자가진행되고있으며, 2Q11 부터 5.5 세대라인이본격적으로가동됨에따라향후 AMOLED 재료시장이높은성장성을시현할것으로예상된다. 둘째, 동사의 2011년및 2012년높은실적성장세를달성할것으로전망되는점이다. 동사는현재 AMOLED 공정재료중 HTL 을 SMD 에독점공급하고있으며, 경쟁업체진입이예상됨에도불구하고. 2011년및 2012년매출액은각각 79.3%yoy, 152.2%yoy 증가한 1,300억원, 3,278억원에달할것으로전망된다. 셋째, 동사의기존주력사업부인솔더볼사업부실적역시안정세를지속할것으로예상되어, 향후 cashcow 역할을하며실적의안정판이될것으로판단된다. 세계시장점유율 18% 를차지하고있는동사의솔더볼사업부는일본센츄메탈에이어세계 2위업체이며, 국내시장에서는삼성전자와하이닉스등주요반도체업체들에게공급하고있고국내시장점유율이 70~80% 에달한다. 특히, 삼성전자는매년신규라인을증설하고있어패키징물량이지속적으로증가함에따라동사의수혜가가속될것으로전망된다. 도표 73 ( 십억원 ) 매출액 (%) 영업이익률 F 2012F 2013F 자료 : 유진투자증권 _85

86 2. 실적전망 1) 2011 년매출액및영업이익각각 79.3%yoy, 174.5%yoy 증가예상 동사의 2011년실적은 AMOLED 공정재료의급격한실적성장과솔더볼사업부의지속적인실적호조세로높은성장세를시현할것으로판단된다. 2011년매출액및영업이익은기존추정치대비각각 79.3%yoy, 174.5%yoy 증가한 1,300억원, 360억원에달할것으로예상된다. 동사의 2Q11 실적은 SMD 의 5.5 세대라인가동효과에따른 AMOLED 공정재료공급증가와솔더볼사업부의호조등으로개선될것으로판단된다. 2Q11 매출액및영업이익은각각 19.8%qoq, 28.1%qoq 증가한 279억원, 72억원을기록할것으로전망된다. 도표 Q10 2Q10 3Q10 4Q Q11 2Q11F 3Q11F 4Q11F 2011F 1Q12F 2Q12F 3Q12F 4Q12F 2012F 2013F 실적 ( 십억원 ) 매출액 영업이익 세전이익 순이익 수익성 (%) 영업이익률 세전이익률 순이익률 사업부별비중 (%) 반도체사업부 AMOLED재료사업부 자료 : 유진투자증권 86_

87 덕산하이메탈 ( KQ) 재무제표 대차대조표 손익계산서 ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 유동자산 매출액 현금성자산 증가율 (%) 매출채권 매출총이익 재고자산 매출총이익율 (%) 비유동자산 판매비와관리비 투자자산 증가율 (%) 유형자산 영업이익 무형자산 증가율 (%) 자산총계 EBITDA 유동부채 증가율 (%) 매입채무 영업외손익 단기차입금 이자수익 유동성장기부채 이자비용 비유동부채 외화관련손익 사채및장기차입금 지분법손익 기타비유동부채 기타영업외손익 부채총계 세전계속사업손익 자본금 법인세비용 자본잉여금 중단사업이익 자본조정 당기순이익 자기주식 증가율 (%) 흑전 이익잉여금 당기순이익률 (%) 자본총계 EPS ,024 3,105 3,715 총차입금 증가율 (%) 흑전 순차입금 ( 순현금 ) 완전희석EPS 1,024 3,105 3,715 투하자본 증가율 (%) 현금흐름표 주요투자지표 ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 영업활동현금흐름 주당지표 ( 원 ) 당기순이익 EPS ,024 3,105 3,715 유무형자산상각비 BPS 1,664 2,291 3,269 6,301 9,961 기타비현금손익가감 DPS 운전자본의변동 밸류에이션 ( 배,%) 매출채권감소 ( 증가 ) PER 재고자산감소 ( 증가 ) PBR 매입채무증가 ( 감소 ) PCR 기타 EV/ EBITDA 투자활동현금흐름 배당수익율 na na na 단기투자자산처분 ( 취득 ) 수익성 (%) 장기투자증권처분 ( 취득 ) 영업이익율 설비투자 EBITDA이익율 유형자산처분 순이익율 무형자산감소 ( 증가 ) ROE 재무활동현금흐름 ROIC 차입금증가 ( 감소 ) 안정성 (%, 배 ) 자본증가 ( 감소 ) 순차입금 / 자기자본 배당금지급 유동비율 현금의증가 ( 감소 ) 이자보상배율 기초현금 활동성 ( 회 ) 기말현금 총자산회전율 Gross cash flow 매출채권회전율 Gross investment 재고자산회전율 Free cash flow 매입채무회전율 자료 : 유진투자증권 _87

88 테크노세미켐 ( KQ) 반도체 / 디스플레이의핵심적전자재료업체!! 목표주가 '56,000 원 ' 및투자의견 'BUY' 유지 당사는반도체 /LCD 의핵심적재료업체인 ' 테크노세미켐 ' 에대해목표주가 '56,000 원 ' 과투자의견 'BUY' 를유지한다. 목표주가 '56,000원' 은 2011년및 2012년예상EPS대비각각 17.0배, 13.4배이며, 이는현주가대비 17.2% 의상승여력이있다. 반도체 /LCD 용전자재료의안정적실적성장지속 2011 년 Thin Glass 및전해질부문실적성장에주목 당사는반도체 /LCD 용전자재료를공급하고있는동사의실적이안정적으로성장할뿐만아니라, 2011년부터는 LCD/OLED용 Thin Glass사업부와전해액사업부실적이대폭성장하면서새로운성장동력으로작용할것이며, 특히일본지진이후중장기적으로핵심적재료부문에대한국산화가가속화되면서동사가그수혜를크게받을것으로판단됨에따라, 중장기적인관점에서지속적으로매수할것을권고한다 년매출액및영업이익각각 37.3%yoy, 35.3%yoy 증가예상동사의 2011년실적은 LCD용전자재료의안정적실적성장속에서반도체용전자재료사업부실적호조와 Thin Glass 및전해질부문실적성장등으로개선될것으로판단된다. 2011년매출액및영업이익은각각 37.3%yoy, 35.3%yoy 증가한 4,786억원, 666억원을기록할것으로예상된다. 반도체 / 디스플레이담당이정 Tel / jeonglee@eugenefn.com 반도체 / 디스플레이담당곽민정 Tel / mina@eugenefn.com BUY( 유지 ) 현재주가 (5/20) 목표주가 (12M, 유지 ) 47,800원 56,000원 Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) 2,111.5 KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 500 시가총액 ( 십억원 ) 주최고 / 최저 ( 원 ) 48,200 / 19,850 52주일간 Beta 1.42 발행주식수 ( 천주 ) 14,687 평균거래량 (3M, 천주 ) 119 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 4,827 배당수익률 (11F, %) 0.6 외국인지분율 (%) 18.3 주요주주지분율 (%) 정지완외 10 인 52.2 알리안츠자산운용 6.4 Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 KOSPI 대비상대수익률 Company vs KOSPI composite 60, Financial Data 결산기 (12월) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 매출액 ( 십억원 ) 영업이익 ( 십억원 ) 세전계속사업손익 ( 십억원 ) 당기순이익 ( 십억원 ) EPS( 원 ) 1,733 2,245 3,287 4,168 4,593 증감률 (%) PER( 배 ) ROE(%) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 자료 : 유진투자증권 50, , , , ,000 주가 ( 좌, 원 ) 80 KOSPI지수대비 ( 우, p) _

89 테크노세미켐 ( KQ) 재무제표 대차대조표 손익계산서 ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 유동자산 매출액 현금성자산 증가율 (%) 매출채권 매출총이익 재고자산 매출총이익율 (%) 비유동자산 판매비와관리비 투자자산 증가율 (%) 유형자산 영업이익 무형자산 증가율 (%) 자산총계 EBITDA 유동부채 증가율 (%) 매입채무 영업외손익 단기차입금 이자수익 유동성장기부채 이자비용 비유동부채 외화관련손익 사채및장기차입금 지분법손익 기타비유동부채 기타영업외손익 부채총계 세전계속사업손익 자본금 법인세비용 자본잉여금 중단사업이익 자본조정 당기순이익 자기주식 증가율 (%) 이익잉여금 당기순이익률 (%) 자본총계 EPS 1,733 2,245 3,287 4,168 4,593 총차입금 증가율 (%) 순차입금 ( 순현금 ) 완전희석EPS 3,287 4,168 4,593 투하자본 증가율 (%) 현금흐름표 주요투자지표 ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 영업활동현금흐름 주당지표 ( 원 ) 당기순이익 EPS 1,733 2,245 3,287 4,168 4,593 유무형자산상각비 BPS 12,349 14,361 17,370 21,247 25,546 기타비현금손익가감 DPS 운전자본의변동 밸류에이션 ( 배,%) 매출채권감소 ( 증가 ) PER 재고자산감소 ( 증가 ) PBR 매입채무증가 ( 감소 ) PCR 기타 EV/ EBITDA 투자활동현금흐름 배당수익율 단기투자자산처분 ( 취득 ) 수익성 (%) 장기투자증권처분 ( 취득 ) 영업이익율 설비투자 EBITDA이익율 유형자산처분 순이익율 무형자산감소 ( 증가 ) ROE 재무활동현금흐름 ROIC 차입금증가 ( 감소 ) 안정성 (%, 배 ) 자본증가 ( 감소 ) 순차입금 / 자기자본 배당금지급 유동비율 현금의증가 ( 감소 ) 이자보상배율 기초현금 활동성 ( 회 ) 기말현금 총자산회전율 Gross cash flow 매출채권회전율 Gross investment 재고자산회전율 Free cash flow 매입채무회전율 자료 : 유진투자증권 _89

90 아바코 ( KQ) AMOLED 핵심공정장비업체로성장! 목표주가 20,000원 및투자의견 BUY 제시당사는 LG디스플레이의핵심적 LCD장비업체인동시에최근 AMOLED 전공정장비업체로성장하고있는 ' 아바코 ' 에대해목표주가 '20,000원' 과투자의견 'BUY' 를제시한다. 목표주가 '20,000원' 은 2011년예상 EPS(1,553원 ) 에 P/B 13배수준을적용한것이며, 이는현주가대비 38.4% 의상승여력이있어투자의견 'BUY' 를제시한다. LG디스플레이와의높은시너지효과극대화 대규모수주와 AMOLED/ 태양광핵심장비시장진입을통한중장기성장성확보등에주목당사는 LG디스플레이가 2대주주로참여하고있는동사가높은시너지효과를발휘하면서대규모수주가지속되고있을뿐만아니라, AMOLED 용전공정핵심장비와태양광장비시장에진출하여중장기성장동력을확보하고있는점에주목하여긍정적인관점에서접근할것을권고한다 년매출액및영업이익각각 37.2%yoy, 33.6%yoy 증가예상아바코의 2011 년실적은 LG디스플레이 P9과 AMOLED 투자, BOE 8세대라인투자가본격적으로진행되면서대규모수주가예상됨에따라큰폭으로성장할것으로판단된다. 2011년매출액및영업이익은각각 37.2%yoy, 33.6%yoy 증가한 3,128억원, 218억원에이를것으로예상된다. 반도체 / 디스플레이담당이정 Tel / jeonglee@eugenefn.com 반도체 / 디스플레이담당곽민정 Tel / mina@eugenefn.com BUY( 신규 ) 현재주가 (5/20) 목표주가 (12M, 신규 ) 14,450원 20,000원 Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) 2,111.5 KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 500 시가총액 ( 십억원 ) 주최고 / 최저 ( 원 ) 19,200 / 8,500 52주일간 Beta 1.78 발행주식수 ( 천주 ) 10,237 평균거래량 (3M, 천주 ) 227 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 3,907 배당수익률 (11F, %) 1.2 외국인지분율 (%) 2.3 주요주주지분율 (%) 위재곤외 5인 30.9 엘지디스플레이 19.9 Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 KOSPI 대비상대수익률 Company vs KOSPI composite Financial Data 결산기 (12월) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 매출액 ( 십억원 ) 영업이익 ( 십억원 ) 세전계속사업손익 ( 십억원 ) 당기순이익 ( 십억원 ) EPS( 원 ) 1,102 1,426 1,553 2,070 2,449 증감률 (%) PER( 배 ) ROE(%) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 자료 : 유진투자증권 25, , , , ,000 주가 ( 좌, 원 ) KOSPI지수대비 ( 우, p) _

91 I. AMOLED 핵심공정장비업체로성장! 1. Valuation 및투자전략 1) 목표주가 20,000 원 및투자의견 BUY 제시 당사는 LG디스플레이의핵심적 LCD 장비업체인동시에최근 AMOLED 전공정장비업체로성장하고있는 ' 아바코 ' 에대해목표주가 '20,000 원 ' 과투자의견 'BUY' 를제시한다. 목표주가 '20,000원' 은 2011년예상 EPS(1,553 원 ) 에 P/E 13배수준을적용한것이며, 이는현주가대비 38.4% 의상승여력이있어투자의견 'BUY' 를제시한다. 동사주가는최근 1) 기관들의차익매물출회와 2) LG디스플레이의 AMOLED 산업에대한다소보수적인투자전략등으로단기적으로조정을받고있다. 당사는 LG디스플레이가 2대주주로참여하고있는동사가높은시너지효과를발휘하면서대규모수주가지속되고있을뿐만아니라, AMOLED 용전공정핵심장비와태양광장비시장에진출하여중장기성장동력을확보하고있는점에주목하여긍정적인관점에서접근할것을권고한다. 도표 AVG P/E( 배 ) High Low Average P/B( 배 ) High Low Average EV/EBITDA( 배 ) High Low Average 영업이익률 (%) ROE(%) 자료 : 유진투자증권 _91

92 2) 투자포인트네가지 동사에대한투자포인트를다음과같이제시한다. 첫째, 2008년부터 LG디스플레이가 2대주주로참여하고있는동사가 LG디스플레이와의시너지효과를발휘하면서높은성장세를시현하고있다. 스퍼터장비뿐만아니라, 물류장비를공급하고있고, AMOLED 용핵심공정장비를공동으로개발하여중장기적으로높은성장세를확보하고있다. 게다가태양광장비시장도진출하여중장기성장동력을지속적으로확보하고있는점은높게평가할만하다. 둘째, LG디스플레이가 2011년에 P98 투자를실시함에따라, 1Q11 중에 1,000 억원상당의 LCD 장비를수주할뿐만아니라, 2H11에도 P9의두번째라인인 7.5세대라인수주도이어짐에따라 2011년에도 LG 디스플레이 LCD 라인에약 2,000 억원의수주가기대되는점이다. 셋째, 2012년에는 LG디스플레이의중국라인인광저우 8세대수주를받을것으로예상되며, 규모의경제를이루기위해아바코의수주규모는국내라인보다더커질전망이다. 당사는스퍼터, 물류, 모듈장비수주가약 1,500억원에이를것이며, 특히스퍼터의점유율이 70~80% 에달할것으로예상된다. 이와같이 2012 년에도대규모수주가지속됨에따라중장기적으로지속적으로외형성장을달성할수있을것으로전망된다. 넷째, 아바코는 LG디스플레이에 3.5 세대 OLED 봉지장비를공급하여, 향후고객사의 AMOLED 라인투자시추가적으로봉지장비를수주받을것으로예상되며, 또한스퍼터를생산하면서진공장비기술을축적하고있어 LG디스플레이가진행하고있는 AMOLED 증착기국산화프로젝트가성공할경우아바코가중장기적으로공급할수있을것으로전망된다. 즉, 아바코는장기적으로 LG디스플레이의핵심적 AMOLED 장비업체로도약하며지속적으로성장할것으로예상된다. 92_

93 2. 실적전망 1) 2011 년매출액및영업이익각각 37.2%yoy, 33.6%yoy 증가예상 아바코의 2011년실적은 LG디스플레이 P9과 AMOLED 투자, BOE 8세대라인투자가본격적으로진행되면서대규모수주가예상됨에따라큰폭으로성장할것으로판단된다. 2011년매출액및영업이익은각각 37.2%yoy, 33.6%yoy 증가한 3,128 억원, 218 억원에이를것으로예상된다. 동사의 2Q11 실적은 P9 수주가진행되면서증가할것으로예상된다. 2Q11 매출액및영업이익은 P9라인수주와스퍼터공급증가등으로각각 1.3%qoq, 108.1%qoq 증가한 736억원, 52억원에달할것으로전망된다. 도표 Q10 2Q10 3Q10 4Q Q11 2Q11F 3Q11F 4Q11F 2011F 1Q12F 2Q12F 3Q12F 4Q12F 2012F 2013F 실적 ( 십억원 ) 매출액 영업이익 세전이익 순이익 수익성 (%) 영업이익률 세전이익률 순이익률 사업부별비중 (%) 반송장비 진공장비 전용기 자료 : 유진투자증권 _93

94 아바코 ( KQ) 재무제표 대차대조표 손익계산서 ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 유동자산 매출액 현금성자산 증가율 (%) 매출채권 매출총이익 재고자산 매출총이익율 (%) 비유동자산 판매비와관리비 투자자산 증가율 (%) 유형자산 영업이익 무형자산 증가율 (%) 자산총계 EBITDA 유동부채 증가율 (%) 매입채무 영업외손익 단기차입금 이자수익 유동성장기부채 이자비용 비유동부채 외화관련손익 사채및장기차입금 지분법손익 기타비유동부채 기타영업외손익 부채총계 세전계속사업손익 자본금 법인세비용 자본잉여금 중단사업이익 자본조정 당기순이익 자기주식 증가율 (%) 이익잉여금 당기순이익률 (%) 자본총계 EPS 1,102 1,426 1,553 2,070 2,449 총차입금 증가율 (%) 순차입금 ( 순현금 ) 완전희석EPS 1,553 2,070 2,449 투하자본 증가율 (%) 현금흐름표 주요투자지표 ( 단위 : 십억원 ) 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 2009A 2010A 2011F 2012F 2013F 영업활동현금흐름 주당지표 ( 원 ) 당기순이익 EPS 1,102 1,426 1,553 2,070 2,449 유무형자산상각비 BPS 4,882 6,290 7,688 9,602 11,889 기타비현금손익가감 DPS 운전자본의변동 밸류에이션 ( 배,%) 매출채권감소 ( 증가 ) PER 재고자산감소 ( 증가 ) PBR 매입채무증가 ( 감소 ) PCR 기타 EV/ EBITDA 투자활동현금흐름 배당수익율 단기투자자산처분 ( 취득 ) 수익성 (%) 장기투자증권처분 ( 취득 ) 영업이익율 설비투자 EBITDA이익율 유형자산처분 순이익율 무형자산감소 ( 증가 ) ROE 재무활동현금흐름 ROIC 차입금증가 ( 감소 ) 안정성 (%, 배 ) 자본증가 ( 감소 ) 순차입금 / 자기자본 배당금지급 유동비율 현금의증가 ( 감소 ) 이자보상배율 기초현금 활동성 ( 회 ) 기말현금 총자산회전율 Gross cash flow 매출채권회전율 Gross investment 재고자산회전율 Free cash flow 매입채무회전율 자료 : 유진투자증권 94_

95 나노신소재 ( KQ) 차세대디스플레이전극소재채택을꿈꾸다! 목표주가 22,000원 및투자의견 BUY 유지태양광 / 디스플레이전문소재기업 ' 나노신소재 ' 에대해목표주가 '22,000원' 과투자의견 'BUY' 를유지한다. 목표주가는 2011년과 2012년예상EPS 대비각각 11.7배, 8.3배이다. 현주가대비 23.2% 의상승여력을보유중이며, 코스닥화학업종평균 PER(17.6 배 ) 대비여전히 34% 낮은수준으로 Valuation 매력을보유하고있다. 일본지진관련수혜와차세대디스플레이신규진입가능성에주목 1Q11 기준태양전지용 TCO 매출비중은 34.8% 로감소하고 ('10 년 56%), 디스플레이비중은 17.2% 로증가하고있다 ('10 년 14%). 이는, 일본대지진영향으로소재수급이어려워짐에따라동사의디스플레이소재매출이증가하고있기때문이다. 또한동사는 TCO 시장의 90% 를차지하는 LCD 와향후차세대디스플레이인 AMOLED 시장에신규진입할가능성이높다. 현재디스플레이 TCO 시장은대기업계열사들이과점하고있어동사는 LED 와터치관련매출만가능하다. 그러나향후차세대산화물반도체가채택될경우, 동사의디스플레이부문매출은크게성장할기회를갖게될것이다 년매출액및영업이익각각 36.4%yoy, 33.3%yoy 증가할전망 2011년매출액및영업이익은각각 36.4%yoy, 33.3%yoy 증가한 379억원, 115억원을기록할전망이다. 2H11 에는대만, 중국등신규거래처확보와태양전지용실버페이스트신규매출이발생하여연간매출액달성가능성이높은상황이다. 한편, 2Q11 매출액은 90억원으로분기사상최대실적을기록할전망이다. Financial Data 결산기 (12월) 2008A 2009A 2010A 2011F 2012F 매출액 ( 십억원 ) 영업이익 ( 십억원 ) 세전계속사업손익 ( 십억원 ) 당기순이익 ( 십억원 ) EPS( 원 ) ,311 1,526 2,143 증감률 (%) PER( 배 ) na na na ROE(%) PBR( 배 ) na na na EV/EBITDA( 배 ) 자료 : 유진투자증권 Small-Cap 담당최순호 Tel / soonho@eugenefn.com Small-Cap 담당변준호 Tel / juno.byun@eugenefn.com BUY( 유지 ) 현재주가 (5/20) 목표주가 (12M, 유지 ) 17,850원 22,000원 Key Data ( 기준일 : ) KOSPI(pt) 2,111.5 KOSDAQ(pt) 액면가 ( 원 ) 500 시가총액 ( 십억원 ) 주최고 / 최저 ( 원 ) 21,700 / 13,700 52주일간 Beta 1.17 발행주식수 ( 천주 ) 7,232 평균거래량 (3M, 천주 ) 268 평균거래대금 (3M, 백만원 ) 4,729 배당수익률 (11F, %) 0.0 외국인지분율 (%) 0.9 주요주주지분율 (%) 박장우외 9인 60.7 Company Performance 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 NA NA KOSPI 대비상대수익률 NA NA Company vs KOSPI composite 25,000 20,000 15,000 10,000 5,000 주가 ( 좌, 원 ) KOSPI지수대비 ( 우, p) _95

96 나노신소재 ( KQ) 재무제표 대차대조표 손익계산서 ( 단위 : 십억원 ) 2008A 2009A 2010A 2011F 2012F ( 단위 : 십억원 ) 2008A 2009A 2010A 2011F 2012F 유동자산 매출액 현금성자산 증가율 (%) 매출채권 매출총이익 재고자산 매출총이익율 (%) 비유동자산 판매비와관리비 투자자산 증가율 (%) 유형자산 영업이익 무형자산 증가율 (%) 자산총계 EBITDA 유동부채 증가율 (%) 매입채무 영업외손익 단기차입금 이자수익 유동성장기부채 이자비용 비유동부채 외화관련손익 사채및장기차입금 지분법손익 기타비유동부채 기타영업외손익 부채총계 세전계속사업손익 자본금 법인세비용 자본잉여금 중단사업이익 자본조정 당기순이익 자기주식 증가율 (%) 이익잉여금 당기순이익률 (%) 자본총계 EPS ,311 1,526 2,143 총차입금 증가율 (%) 순차입금 ( 순현금 ) 완전희석EPS 0 1,526 2,143 투하자본 증가율 (%) na 40 현금흐름표 주요투자지표 ( 단위 : 십억원 ) 2008A 2009A 2010A 2011F 2012F 2008A 2009A 2010A 2011F 2012F 영업활동현금흐름 주당지표 ( 원 ) 당기순이익 EPS ,311 1,526 2,143 유무형자산상각비 BPS 2,313 3,231 4,676 9,015 10,983 기타비현금손익가감 DPS 운전자본의변동 밸류에이션 ( 배,%) 매출채권감소 ( 증가 ) PER na na na 재고자산감소 ( 증가 ) PBR na na na 매입채무증가 ( 감소 ) PCR na na na 기타 EV/ EBITDA 투자활동현금흐름 배당수익율 단기투자자산처분 ( 취득 ) 수익성 (%) 장기투자증권처분 ( 취득 ) 영업이익율 설비투자 EBITDA이익율 유형자산처분 순이익율 무형자산감소 ( 증가 ) ROE 재무활동현금흐름 ROIC 차입금증가 ( 감소 ) 안정성 (%, 배 ) 자본증가 ( 감소 ) 순차입금 / 자기자본 배당금지급 유동비율 현금의증가 ( 감소 ) 이자보상배율 기초현금 활동성 ( 회 ) 기말현금 총자산회전율 Gross cash flow 매출채권회전율 Gross investment 재고자산회전율 Free cash flow 매입채무회전율 자료 : 유진투자증권 96_

97 Compliance Notice 당사는자료작성일기준으로지난 3개월간해당종목에대해서유가증권발행에참여한적이없습니다당사는본자료발간일을기준으로해당종목의주식을 1% 이상보유하고있지않습니다당사는동자료를기관투자가또는제3 자에게사전제공한사실이없습니다조사분석담당자는자료작성일현재동종목과관련하여재산적이해관계가없습니다동자료에게재된내용들은조사분석담당자본인의의견을정확하게반영하고있으며, 외부의부당한압력이나간섭없이작성되었음을확인합니다 투자기간및투자등급 종목추천및업종추천투자기간 : 12 개월 ( 추천기준일종가대비추천종목의예상목표수익률을의미함 ) 상기투자등급은 3월 3일부터변경적용함 변경후ㆍSTRONG BUY : 추천기준일종가대비 +50% 이상ㆍBUY: 추천기준일종가대비 +20% 이상 ~ +50% 미만ㆍHOLD: 추천기준일종가대비 0% 이상 +20% 미만ㆍREDUCE: 추천기준일종가대비 0% 미만 변경전ㆍSTRONG BUY : 추천기준일종가대비 +50% 이상ㆍBUY: 추천기준일종가대비 +15% 이상 ~ +50% 미만ㆍHOLD: 추천기준일종가대비 +5% 이상 +15% 미만ㆍREDUCE: 추천기준일종가대비 +5% 미만 과거 2 년간투자의견및목표주가변동내역 추천일자투자의견목표가 ( 원 ) BUY 40, BUY 40, BUY 44, BUY 44, BUY 44, BUY 44, BUY 44, BUY 44, BUY 49, BUY 49, BUY 50, BUY 50, BUY 50, BUY 50, BUY 50, BUY 50, BUY 50, BUY 50, BUY 45, HOLD 40, HOLD 40, HOLD 40,000 LG 디스플레이 ( KS) 주가및목표주가추이 LG디스플레이 애널리스트변경 60,000 목표주가 50,000 40,000 30,000 20,000 10, /05 09/08 09/11 10/02 10/05 10/08 10/11 11/02 11/05 _97