We're Striving... 하이닉스반도체에는 시대를 앞서는 첨단기술로 우리의 풍요로운 미래를 개척하려는 열정이 살아 숨쉬고 있습니다. 그러한 열정이 강한 경쟁력을 만들고 다시금 세계적인 반도체 전문 기업으로 우뚝 설 수 있는 기반을 마련하게 될 것입니다.

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Transcription

1 H y n i x A n n u a l R e p o r t

2 We're Striving... 하이닉스반도체에는 시대를 앞서는 첨단기술로 우리의 풍요로운 미래를 개척하려는 열정이 살아 숨쉬고 있습니다. 그러한 열정이 강한 경쟁력을 만들고 다시금 세계적인 반도체 전문 기업으로 우뚝 설 수 있는 기반을 마련하게 될 것입니다.

3 본 애뉴얼 리포트는 2002년 ㄜ하이닉스반도체(이하 '당사' 또는 '하이닉스')의 재무상태, 영업실적, 향후전망 및 사업전략 등에 관한 내용을 포함 하고 있습니다. 당사는 이러한 내용을 서술함에 있어 최대한 객관적인 사실에 기초 하였으나, 현 시점에서 제시한 당사의 계획, 추정, 예상 등을 포함하는 미래에 관한 사항들은 실제 결과와 다르게 나타날 수 있습니다. 따라서 당사는 미래에 관한 서술에 있어 직접적으로 표현되거나 또는 함축되어 있는 제반 정보에 대해 그 정확성과 완전함을 보장할 수 없습니다. 본문에 나오는 모든 수치는 하이닉스 개별 자료를 근거로 하였으며 한국 기업회계 기준에 따른 재무제표를 근거로 하고 있습니다.

4 We're Striving... >> 목차 (5) (8) (12) (14) (18) (34) (38) (44) (58) (59) (60) 04 Hynix Annual Report

5 회사소개 하 이닉스는 1949년 10월 15일 설립되어 1996년 12월에 한국증권거래소에 주식을 상장한 공개법인입니다. 그 후 1999년 10월 13일 LG반도체(주)와 합병하였고, 2001년 3월에 '현대전자산업 주식회사'에서 '주식회사 하이닉스반도체'로 상호를 변경하였 으며, 2001년 8월에 현대그룹으로부터 계열분리를 하였습니다. 한편, 당사는 종전에 반도체소자와 함께 LCD, 통신, 전장부문 등으로 사업 을 구성하고 있었으나 반도체분야에 경영역량을 집중하기 위하여 구조조정을 실행하고 2001년까지 LCD부문을 포함한 비 반도체 부문들의 분사를 단행함으로써 반도체 전문회사가 되었습니다. 당사는 경기도 이천 본사와 서울 사무소를 두고 있으며, 경기도 이천과 충청북도 청주, 경상북도 구미 및 미국 오레곤주에 생산공장을 가동하고 있습니다. 2002년 12월 31일 현재 당사의 자본금은 26조2천1백8십억원이며 발행주식수는 5,243,500,334주입니다. 당사의 정관에 의하면 주주에 게 배당할 이익으로 주식을 소각할 수 있는 바, 2002년 12월 31일 현재까지 이익 소각된 보통주식수는 3,528,045주입니다. 2002년 6월 채권단의 출자전환으로 인하여 최대주주가 된 (주)한국외환은행은 2002년 말 현재 1,028,015,536주(전체 주식의 19.6%)를 보유하고 있으며 (주)한국외환은행을 포함한 채권단 보유 주식 3,506,744,346주(전체 주식의 66.9%)는 2006년 12월 31일까지 원칙적으로 매각이 제한되어 있습니다. Hynix Annual Report 05

6 A passion for challenge 06 Hynix Annual Report

7 { 암을 극복하고 세계 최고 권위의 도로 싸이클 대회인 투르 드 프랑스(Tour de France)에서 4연패를 달성한 랜스 암스트롱, 불치의 병도 그의 강한 도전정신 앞에 결국 무릎을 꿇었습니다. 지금의 시련이 있기에 이를 극복하려는 하이닉스의 단합된 의지와 열정은 더욱 빛을 발하게 될 것입니다. 지난 한 해 어려운 경영환경 속에서도 최선을 다한 하이닉스의 지치지 않는 노력은 앞으로도 멈추지 않을 것입니다. Hynix Annual Report 07

8 A passion for challenge... CEO 인사말 2002 Highlights 1월 서초사옥 매각 계약 체결 현대시스콤 지분 양도 2월 대만 VIA사로 부터 메인 메모리용 128Mbit 및 256Mbit DDR333 SDRAM 공식 인증 획득

9 친애하는 주주 및 고객 여러분, 지난 2002년은 지속적인 DRAM 경기의 부진으로 인한 회사의 정상화 지연으로 많은 어려움을 겪은 한 해였습니다. 당사는 2000년 이후 다각적으로 경영정상화 노력을 경주해 왔음에도 불구하고 2001년에 이어 2002년에도 대규모 손실을 기록하게된 점에 대하여 대단히 송구스럽게 생각하고 있습니다. 그러나 이러한 어려운 상황속에서도 자신의 자리에서 묵묵히 최선을 다하고 있는 당사 임직원들의 노력과 주주, 고객 및 협력업체 여러분의 변함없는 애정으로 당사는 메모리 반도체 시장에서 세계 상위의 시장 점유율을 꾸준히 유지해 오고 있습니다. 특히, DRAM 사업에서는 세계 유수의 컨설팅 회사들도 인정하였듯이 블루칩(0.15μm), 프라임칩(0.13μm), 골든칩(0.10μm)으로 이어지는 경쟁력 높은 제품들을 성공적으로 개발함으로써 세계 수준의 기술 및 원가 경쟁력을 확보하였습니다. 또한 지난해 12월 도이치은행이 제안한 기업구조조정 방안 및 채무 구조조정 방안이 채권단의 전폭적인 신뢰와 협조속에 승인됨에 따라 당사의 재무구조는 현저히 개선되었으며 이를 바탕으로 회사의 경영정상화를 조속히 추진할 수 있게 되었습니다. 2002년 실적 2002년 전반에 걸친 반도체 경기 하락과 더불어 당사 매출은 전년도에 비해 25% 감소한 3조원을 기록하였으며, 영업 손실은 9천4백억원을 기록 하였습니다. 이러한 매출의 감소는 주로 TFTLCD, 통신 사업 등 비반도체 부문의 분사와 DRAM 수요회복 지연에 따른 판매가격 하락이 주요인 이었으며, 2001년 하반기 공장 업그레이드를 위해 가동이 일시적으로 중단되었던 미국 생산공장(HSMA)의 재가동으로 인한 추가적 비용인식등 으로 실적이 저조하였습니다. 그럼에도 불구하고 당사는 기술 및 원가 경쟁력 측면에서 세계적인 경쟁력을 유지 강화하였으며 구조조정 또한 지속적으로 추진하여 최근에는 하이디스(TFTLCD)를 중국 BOE사에 매각하는 등 재무구조 개선과 반도체 전문 기업화에 최선의 노력을 다하였습니다. 지난해 12월, 채권단은 보유 무담보 채권의 50%에 해당하는 1조8천억원 이상의 차입금을 CB(전환사채)로 전환하고 잔여 여신 약 3조원을 만기 연장 하는 것을 골자로 하는 채무조정 계획을 승인하였습니다. 이에 따라 재무 측면에서도 지난 2년간 지속된 유동성 위기에서 탈피하여 조속한 경영 정상화의 발판이 마련되었습니다. 4월 마이크론사와 메모리사업 매각을 위한 조건부 MOU 체결 마이크론사와의 조건부 MOU 이사회서 부결 3월 1Gbit DDR SDRAM 모듈 출시 휴대 단말기용 마이크로 카메라 모듈 개발 5월 박종섭 사장 사임 박상호 사장 CEO에 선임 임원 30% 감축 등 강도 높은 구조조정 방안 확정 시러스로직사와 파운드리 전략적 장기 공급 계약 체결

10 2003년 전망 세계 경기 침체에 기인한 IT 경기 불황은 2003년 상반기까지도 지속될 것으로 예상되어, 2003년 한 해도 반도체 업계 사업 환경은 많은 변화와 어려움이 있을 것으로 생각됩니다. 그러나 2003년 하반기부터는 경기 회복과 함께 그동안 지연되었던 IT 투자도 활성화되고 PC 교체 수요의증가 도 예상되는 만큼 DRAM에 대한 수요도 점진적으로 회복될 것으로 전망됩니다. 공급 측면에서 보더라도, 주요 DRAM 업체들이 제한된 투자 재원과 낮은 경제성으로 인하여 12인치 신규공장 건설 등 시설 투자를 과감하게 추진 하기 곤란한 형편에 있고, 공정 기술의 고도화에 따른 생산성 증가 역시 한계가 있어 공급 증가율이 제한적일 수 밖에 없는 상황은 DRAM 사업 환경 개선에 대한 긍정적인 기대를 뒷받침하고 있습니다. 이러한 시장 회복기에 대비하여 당사는 지속적인 사업 구조 조정과 기술 및 원가 경쟁력 등 내부 역량 강화에 매진코자 합니다. 사업 구조 조정 DRAM 산업은 수년간 지속된 경기침체로 인해 대부분 업체들의 수익성이 크게 악화된 결과 2003년에도 기술 경쟁력 및 시장점유율이 상대적으로 낮은 업체를 중심으로 전략적 제휴 및 사업전환 등의 구조조정이 계속될 전망입니다. 당사 또한 이러한 추세에 능동적으로 대응하여 위기를 기회로 만드는 전화위복의 계기를 만들고자 현재 유수의 반도체 회사들과 다양한 방법으로 제휴를 추진하고 있으며 특히 비메모리 분야는 전략적 파트너와의 제휴를 통하여 현재보다 더욱 경쟁력 있고 독립적인 사업 구조를 갖추고자 합니다. 기술 및 원가 경쟁력 강화 현재 당사는 업계 상위 수준의 원가 및 기술 경쟁력을 보유하고 있습니다. 하지만 당사는 이에 만족하지 않고 지속적인 기술 개발과 원가 절감 노력을 통하여 업계 최고의 경쟁력을 확보하고자 합니다. 특히 금년에는 2000년 이후 의욕적으로 추진해온 저비용, 고효율 기술 기반인 블루칩 기술의 차세대인 0.13μm급 프라임 칩의 성공적 양산을 통하여 당사의 기술 및 원가 경쟁력을 더욱 공고히 하고 있으며 0.10μm급 골든칩 개발 및 양산에 주력하여 명실상부한 선도 반도체 업체가 될 것을 약속드립니다 Highlights 7월 Bluetooth 'Embedded Flash Baseband chip' 개발 우의제 사장 공동 CEO로 선임 및 이사회 개편 6월 고성능 정보 가전용 256Mbit( 32) SDRAM 최초 출시 채권금융기관 CB전환으로 인한 최대주주변경(현대상선ㄜ ㄜ한국외환은행) 8월 최대 350MHz의 초고속 그래픽용 256Mbit( 32) DDR SDRAM 최초 출시 10 Hynix Annual Report

11 존경하는 주주 및 고객 여러분, 저희는 남들이 안된다고 할 때 적극적인 의지와 강인한 추진력을 바탕으로 어려움을 돌파해온 훌륭한 기업문화를 가지고 있습니다. 저희 경영진을 포함한 하이닉스의 전 임직원들은 급변하는 사업환경 변화에 적응할 수 있는 명확한 경영 비전을 수립하고 효율성 증대 및 경쟁력 강화를 통하여 경영정상화 목표를 조기에 달성함으로써, 그동안 아낌없는 격려와 성원을 보내주신 주주와 고객 여러분의 성원에 조금이라도 보답 할 수 있도록 최선을 다하겠습니다. 끝으로, 하이닉스를 사랑하는 모든 분들에게 더욱 큰 발전이 있기를 진심으로 바라며, 여러분의 가정에 건강과 행운이 가득하시기를 기원합니다. 감사합니다 년 3 월 대표이사 우 의 제 10월 0.10μm급 512Mbit DDR SDRAM 개발 최대 500MHz의 초고속 그래픽용 128Mbit( 32) DDR SDRAM 11월 외부자문기관 (도이치은행) 하이닉스 구조조정방안 제출 12월 최초 출시 초고속 메인 메모리용 256Mbit DDR400 SDRAM(333) 출시 채권 금융기관 기업구조조정 방안 및 채무 재조정 결의 자회사 하이디스의 TFTLCD 사업부문 매각 본계약 체결 Hynix Annual Report 11

12 A passion for challenge... 이사회 우의제 대표이사 이사회 의장 및 인사위원회 위원, 상임이사 1967년부터 한국외환은행에서 영업 및 소매금융을 담당하였으며 2001년 하이닉스의 사외이사로 선임되기 전까지 한국외환은행 부행장 및 행장 대행을 역임 하였습니다. 전용욱 이사 감사위원회 위원장 및 인사위원회 위원, 사외이사 중앙대학교 경영대학에서 교수로 재직 중이며 외교통상부 전기전자 부문 통상교섭 전문위원과 미국 Monitor & Co. 경영 컨설팅 회사의 경영고문을 겸임하고 있습니다. 김수창 이사 감사위원회 위원, 사외이사 법무법인 Kim & Company의 대표변호사로 재직 중이며, 건설교통부 SOC 심의 위원회 전문위원과 채권금융기관 조정위원회 전문위원을 겸임하고 있습니다. 이선이사 감사위원회 위원, 사외이사 경희대학교 경제학과 교수로 재직 중이며 한국기술벤처재단 이사장을 겸임하고 있습니다. 한국개발연구원(KDI) 연구위원과 산업연구원 원장 등을 지낸 바 있습니다. 12 Hynix Annual Report

13 박시룡 이사 사외이사 후보추천위원회 위원장, 사외이사 서울경제신문 논설위원으로 부국장 겸 정치경제부장 직을 맡고 있으며, 산업자원부 무역위원회 위원, 재정경제부 금융발전심의회 위원을 겸임하고 있습니다. 장윤종 이사 사외이사 후보추천위원회 위원, 사외이사 산업연구원(KIET) 부원장 겸 디지털 경제실장을 맡고 있으며 하이닉스반도체 기업 구조조정특별위원회 위원으로도 재직 중입니다. 정형량 이사 사외이사 후보추천위원회 위원, 상임이사 28년동안 한국외환은행에서 근무하면서 국외심사실장, New York 지점장과 여신심사부장을 지냈습니다. 김범만 이사 인사위원회 위원장, 사외이사 포항공대 전자전기공학과 교수와 국방부 지원 전자파특화연구센터 소장으로 재직 중이며, 1981년부터 1989년까지 Texas Instrument사의 중앙연구소 책임연구원 으로 근무하였습니다. Hynix Annual Report 13

14 A passion for challenge... 경영진 김병훈 전무 우의제 사장 정형량 전무 우의제 사장 Chairman & CEO 2001년 3월 당사의 사외이사로 선임되어 활동하였으며 2002년 7월부터 대표이사로 재직 중 입니다. 김병훈 전무 CAO 1990년부터 하이닉스의 인사 및 총무 담당 상무와 청주사업장 총괄 전무를 지냈으며 현재는 CAO로 재직중입니다. 정형량 전무 CFO 2002년 이후 한국외환은행의 심사부장으로 하이닉스 전담반 업무 자문 역할을 하였으며 2002년 7월부터 CFO로 재직 중 입니다. 14 Hynix Annual Report

15 허염 부사장 오춘식 전무 김대수 전무 허염 부사장 President of System IC Company 1995년 이래 하이닉스의 미국법인 기술총괄 및 사업개발 담당, Media 사업 본부장을 거쳐 1998년부터는 System IC 사업을 담당하고 있습니다. 오춘식 전무 COO 1986년부터 1988년까지 IBM사에서 연구원으로 활동하였으며 1988년 이후에는 하이닉스에서 메모리 생산본부 및 생산기술센터 담당과 메모리 연구소장으로 근무하였습니다. 현재 COO로 재직중입니다. 김대수 전무 메모리 영업본부장 1983년 입사 이래 반도체 영업 및 마케팅을 담당하였으며 현재는 HSA(Hynix Semiconductor America)의 법인장과 메모리 영업본부 본부장을 겸임하고 있습니다. Hynix Annual Report 15

16 Hynix's progress 16 Hynix Annual Report

17 { 국내 반도체 산업을 선도하며 쉼없이 달려온 하이닉스, 그 깊은 뿌리는 조금도 흔들리지 않았습니다. 또 한번의 힘찬 도약을 위해 하이닉스반도체 임직원 모두는 고객과 함께 호흡하며 오늘도 열심히 달리고 있습니다. Hynix Annual Report 17

18 Hynix's progress... 사업 현황 { 이닉스는 디지털 시대를 선도하는 핵심제품이며 당사가 세계적인 경쟁력을 확보하고 있는 DRAM 사업에 기업 역량을 집중하는 한편 하 DRAM에 비해 경기변동이 적고 기반기술 및 시설을 효과적으로 활용할 수 있는 System IC, SRAM, Flash 메모리 분야를 선택적으로 육성하여 안정적인 사업 포트폴리오 구축을 도모하고 있습니다. DRAM 사업은 2002년 초 블루칩(0.15μm) 기술을 적용하여 256Mbit DDR 제품을 생산할 수 있는 설비 업그레이드를 완료 가동하였으며, 2003년에는 블루칩 기술을 더욱 발전시킨 프라임칩(0.13μm)과 골든칩(0.10μm) 기술을 활용 하여 원가 경쟁력을 획기적으로 개선하고 시장 선도적 지위를 강화하고자 합니다. 18 Hynix Annual Report

19 또한 DRAM에 비해 진입장벽이 높고 판매가격 변동이 적은 SRAM, Flash 메모리, System IC 분야에서의 매출 확대를 위해 향후 성장 가능성이 높으며 당사가 가지고 있는 자원과 역량을 효율적으로 이용할 수 있는 제품군을 선택하여 집중적으로 육성하고 있습니다. 하이닉스는 2003년에 기술, 원가 경쟁력을 바탕으로 고부가가치 제품을 출시함으로써 수익성을 극대화하여 경영정상화의 기반을 확립하고자 합니다. Hynix Annual Report 19

20 DRAM 당사는 DRAM 시장 환경 변화에 능동적으로 대응하고자 블루칩 기술(0.15μm)의 다음 세대인 프라임칩 기술(0.13μm)을 2003년 상반기 중 적용 완료할 예정입니다. 하반기에는 프라임칩 기술을 더욱 미세화시킨 골든칩 기술(0.10μm) 적용을 통하여 생산 원가율을 대폭 절감토록 하여, DRAM 시장의 리더로서 그 위치를 더욱 확고히 다지겠습니다. 하이닉스는 0.15μm 회로선폭의 블루칩 기술을 적용한 제품 양산에 성공하였습니다. 이에 따라 하이닉스는 2002년 수량 기준으로 세계 DRAM 시장의 약 15%를 점유하여 Top 3 업체로서의 위치를 확고히 하였습니다. 2002년 DRAM 시장은 극한 불황을 보인 2001년에 비하면 다소 호전되었으나, 전반적으로 불황의 그늘에서 벗어나지는 못한 한 해였습니다. 동종 업체 중 기술력 및 원가 경쟁력이 낮은 업체들은 타 업체와의 제휴를 추진하거나, 또는 DRAM 사업을 다른 사업으로 전환하는 등 생존을 위한 한 해를 보냈습니다. DRAM 산업은 규모의 경제를 통한 원가절감, 공정기술 미세화 및 설계 기술력을 바탕으로 단위 웨이퍼 당 칩 생산량의 증가, 그리고 수율( ) 증대를 위한 생산 기술력의 축적 등이 생존의 주요 기반이 됩니다. 동 산업은 이런 특성으로 인하여 1989년에는 상위 10개 기업 들이 전체 DRAM 시장의 81%를 차지하였으나, 2001년에는 상위 5개 기업들이 시장의 79%를 차지하는 과점형태로 변화되었습니다. 당사는 어려운 환경 속에서도 효율적인 연구개발을 통하여 신규 투자를 대폭 줄이면서도 기술 업그레이드가 가능한 0.15μm 회로선폭의 블루칩 기술을 적용한 제품 양산에 성공하였습니다. 이에 따라 하이닉스는 2002년 수량 기준으로 세계 DRAM 시장의 약 15%를 점유하여 Top 3 업체로서의 위치를 확고히 하였습니다. DRAM 시장의 가장 큰 수요처인 PC 산업의 수요 제품 변화에 따라, 당사는 기존 싱크로너스 (Synchronous) DRAM보다 데이터 처리 속도가 두 배 가량 향상된 더블데이터레이트 (Double Data Rate) 싱크로너스 DRAM으로 주력 생산품을 교체하였습니다. 또한 서버, 20 Hynix Annual Report

21 2003년에는 급격한 수요증가가 예상되는 DDR400 제품의 생산확대를 통해 수익성을 증대시키는 한편 초고속 그래픽 시장에서도 리더십을 확고히 하겠습니다. 하이닉스는 급변하는 DRAM 시장속에서 지속적인 성장과 발전을 이룩하기 위해 올해에도 신흥시장 에서 영업 및 마케팅을 더욱 강화하겠습니다. 워크스테이션과 같은 고성능 컴퓨터 시장에서도 우수한 품질의 제품 을 안정적으로 공급함으로써 어려운 여건 속에서도 시장 주도 세력 으로서의 지위를 유지하였습니다. 당사는 급변하는 DRAM 시장 상황 속에서 지속적인 성장과 발전을 이룩하기 위해, 새로운 시장으로 부상하고 있는 중국, 인도, 호주 및 동유럽 지역에서의 영업 및 마케팅 활동을 더욱 강화하여 신흥시장 (Emerging Market)에서의 주도적인 위치를 구축하고 있습니다. 또한 향후 DRAM 시장의 새로운 수요처로 부각되고 있는 모바일 (Mobile) 및 디지털 가전 시장에 대한 마케팅을 강화하여 디지털 카메라(Digital Still Camera) 시장과 같이 성장성이 높은 분야에서 선두업체로서의 위치를 지켰으며, 지속적으로 점유율을 확대하고 있습니다. 당사는 2003년 DRAM 사업에서 매출과 수익성을 극대화하기 위해 다음과 같은 기본 전략을 수립하였습니다. 첫째, 0.13μm 회로선폭의 프라임칩 기술 및 0.10μm 골든칩 기술로의 신속한 양산체제 전환으로 업계 최고의 원가경쟁력을 확보할 것입니다. 둘째, 12인치 웨이퍼로의 생산시설 전환은 비용절감을 위해 투자 시점을 신중히 판단해 결정하겠습니다. 당사는 12인치 웨이퍼를 이용한 양산 기술을 1998년부터 준비해오고 있으며, DRAM 시장 상황에 따라 최적의 투자시기를 결정한 후 조기에 12인치 생산라인을 도입한 업체에서 생산성 검증이 완료된 장비를 선별적으로 도입함 으로써 적은 투자로 효율적인 대응을 할 계획입니다. 셋째, 우수한 연구개발력을 기반으로 적기에 신제품을 출시하고, 빠른 양산체제 구축 및 고부가가치 제품의 판매확대를 통해 매출 및 수익을 극대화할 계획입니다. 특히 급격한 수요증가가 예상되는 DDR400 제품의 생산확대를 통해 수익성을 증대 시키는 한편, 초고속 그래픽 시장에서도 리더십을 계속 유지, 강화시킬 것입니다. Hynix Annual Report 21

22 DRAM 넷째, 주요 고객에 대한 관리를 강화하여 고정거래 고객을 지속적으로 확대함으로써 안정적 매출 기반을 유지할 것입니다. 다섯째, 신흥시장에서의 영업력을 더욱 강화해 나아갈 것입니다. 이를 기반으로 DRAM 사업의 성장 기반을 강화하고, 향후 높은 성장이 예상되는 고성능 서버, 이동통신, 모바일, 디지털 가전 분야에 개발 및 마케팅 역량을 더욱 집중할 것입니다. 여섯째, 급변하는 시장 환경 속에서도 선도적 지위를 유지할 수 있도록 고부가가치 제품의 생산비중을 계속 확대하는 한편, 효율적이고 유연한 생산체제를 구축하는데 최선을 다할 것입니다. 현재 하이닉스는 DRAM 고객군을 "전략적 장기 계약 고객", "주요 시스템 생산 고객" 등 으로 분류, 최대한 고객의 요구에 맞게 제품을 공급하는 데 중점을 두고 있습니다. 전략적 장기 계약 고객은 다국적 기업 수준의 초대형 시스템 제조 업체로서 하이닉스와 전략적인 장기 공급관계를 맺고 있거나 사업상 협력 관계를 맺고 있는 업체를 가리키며, 주요 시스템 생산 고객에는 중대형 시스템 제조업체, 그래픽, 하드 디스크 드라이버, 네트워크, 디지털 가전 등과 관련된 시스템 업체와 신흥 개발 도상지역의 PC 제조업체 등이 포함됩니다. 당사는 향후에도 주요 고객의 집중 관리를 통하여 장기 계약 고객의 지속적인 확대와 고객이 필요로 하는 제품을 적기에 공급하는 토탈 솔루션 제공 업체로서의 위상을 더욱 강화 하겠습니다. 22 Hynix Annual Report

23 이외에도 하이닉스는 공정, 디자인, 생산 면에서 여러 업체들과 협력 및 제휴 관계를 맺고 있으며 전세계 DRAM 생산량의 63%를 담당하는 세계 3대 DRAM 업체 중 하나로서 이미 확보한 입지를 계속 유지하는 한편 고객과 하이닉스 양쪽 모두가 최대 이익을 실현할 수 있도록 협력과 제휴 관계를 계속 확대해 나가겠습니다. DRAM 산업은 시장규모가 60% 이상 감소했던 2001년을 기점으로 회복기로 전환하고 있으며 향후 2~3년 동안 매년 30~40% 수준의 지속적인 성장이 전망됩니다. WSTS(세계 반도체 통계기구, World Semiconductor Trade Statistics)는 DRAM 시장규모가 1995년 408억 달러를 정점으로 감소하다가 2001년 112억 달러, 2002년 153억 달러, 2003년에는 190억 달러로 증가할 것으로 예측하고 있습니다. 이러한 수요 증가의 배경으로는 지난 1999년과 2000년 당시 밀레니엄 버그 문제로 PC를 교체했던 기업들이 3~4년이 지난 금년부터 PC를 교체하기 시작할 것으로 예상되고, 특히 미국 S&P 500 기업들의 수익이 하반기로 갈수록 호전됨에 따라 DRAM의 수요가 증가할 것으로 예측되기 때문입니다. 이밖에도 PC외에 2.5세대 및 3세대 휴대폰과 디지털TV, 자동차용 네비게이션, 게임기 등 최첨단 디지털기기 시장의 급성장 및 통신, 그래픽, 가전 등의 기능이 통합된 새로운 제품의 출현으로 인하여 수요 회복과 함께 지속적인 성장이 예상되므로 DRAM 수요는 중장기적으로 증가할 것으로 보입니다. 반면 공급측면은 다음의 몇 가지 요인들로 인해 공급증가율이 제한될 것으로 전망됩니다. 1998년 이후 주요 생산업체들의 제한적인 투자는 공급에 직접적으로 영향을 미칠 수 있습니다. 막대한 투자액을 요구하는 12인치 웨이퍼 생산설비는 장비 및 생산기술의 성숙도가 낮아 아직 8인치 생산설비에 비해 생산성과 경제성이 떨어지기 때문에 수율이 제한적일 수 밖에 없습니다. 또한 공정기술이 고도화 됨에 따라 업그레이드에 따른 생산성 증가에 많은 업체들이 어려움을 겪고 있습니다. 일본 업체들의 사업철수 및 합병으로 생산업체 수는 감소하고 있으며 투자금액 의 규모와 공정기술의 난이도가 높아짐에 따라 신규업체의 진입은 더욱 어려워진 상황입니다. 한편, 미국 인텔사가 개발하여 2003년 2사분기에 출시할 예정인 Springdale 칩셋의 영향으로 데스크탑 PC 메인 메모리 등으로 사용될 DDR400 SDRAM의 수요가 급격히 증가할 것으로 전망됩니다. 이러한 수요 증가를 예상하고 개발한 DDR400 제품의 조기 양산에 성공하였던 하이닉스는 256Mbit DDR SDRAM 단품 및 모듈 제품에서 DDR400에 필요한 테스트를 통과했다는 제품인증(Validation)을 2003년 초 인텔사로부터 획득함으로써 제품의 신뢰도에 대한 국제적인 공신력과 초고속 DRAM에서의 확고한 기술경쟁력을 입증했으며 512Mbit 제품에 대한 DDR400 제품인증도 곧 획득할 것으로 예상하고 있습니다. 또한, 2004년 이후 증가할 것으로 전망하고 있는 DDR II 제품에 대한 개발에도 박차를 가해 적기에 최고의 제품을 공급할 수 있도록 노력하겠습니다. Hynix Annual Report 23

24 SRAM 당사는 향후 높은 성장이 예상되는 Mobile 시장에 준비하고자 2.5세대/3세대 이동통신 단말기, 스마트폰 등에 내장되는 Pseudo SRAM, Handy RAM 등 저전력 제품군의 개발 및 생산을 강화하여 Mobile 시장에 필요한 메모리 분야의 토탈 솔루션 제공 업체가 될 것입니다. 당사는 2002년도에 0.16μm 기 술 을FCMOS(Full CMOS) SRAM에 적용하여 안정적인 양산체제로 전환하는데 성공하였으며 차세대 Mobile용 메모리인 Pseudo SRAM 양산에도 성공하여 대형 이동통신 단말기 업체로 의 판매가 점차 증가하고 있습니다. 2002년 SRAM 시장은 2001년의 38억 달러 대비 32% 감소한 26억 달러로 2000년도의 64억 달러에 비하면 크게 감소한 것입니다. 2000년도의 시장 활황 이후 주요 이동통신 단말기 생산업체들은 단말기 생산량을 늘렸으며 이에 따라 SRAM의 수요도 증가하였습 니다. 이러한 공급 증가에 비해 2001년과 2002년의 수요는 기대에 미치지 못하였고, 그 결과로 인한 가격 하락이 시장 상황 악화의 주요 원인이라고 할 수 있습니다. 2002년 2사분기부터는 시장이 점차 회복 추세이기는 하나 현재까지는 미약한 성장을 보여주고 있습니다. 당사는 Slow SRAM 시장에서 2000년 이후 지속적으로 약 7.5%의 시장점유율을 기록 하여 세계 2~3위 수준을 유지하고 있습니다. 전체 SRAM 시장의 점유율 측면에서는 일본을 포함한 아시아 태평양 지역과 유럽에서 높은 점유율을 보이고 있으나 Fast/Sync SRAM 비중이 높은 미주지역에서는 상대적으로 낮은 시장 점유율을 보이고 있습니다. 이는 하이닉스가 2000년 이후 Slow SRAM을 위주로 한 제품 포트폴리오를 구성하여 특히 Mobile 시장의 버퍼 메모리 분야에 초점을 맞추고 있기 때문입니다. 당사는 2002년도에 0.16μm기술을 FCMOS(Full CMOS) SRAM에 적용하여 안정적인 양산체제로 전환하는데 성공하였으며 차세대 Mobile용 메모리인 Pseudo SRAM 양산에도 성공하여 대형 이동통신 단말기 업체로의 판매가 점차 증가하고 있습니다. 또한 0.12μm급 24 Hynix Annual Report

25 2002년 하반기부터 세계적으로 컬러폰, 카메라폰 등이 큰 인기를 끌면서 대체 수요를 촉발하여 연평균 10% 이상의 고성장이 예상되고 있으며, 당사는 이러한 세계적인 움직임 에 발맞추어 Mobile향 제품군을 한층 더 강화한다는 전략을 가지고 있습니다. 하이닉스는 지역별 전략고객 수를 단계적으로 증대 시켜 매출이 매년 20% 이상 성장하는 안정적인 사업 구조를 이루겠다는 목표를 갖고 있습니다. 기술을 적용하는 차세대 제품에 대한 개발도 이미 진행 중에 있습니다. 당사의 SRAM 제품으로는 크게 Standard SRAM과 Pseudo SRAM의 두 가지로 나눌 수 있습니다. Standard SRAM 중 256Kbit, 1Mbit, 2Mbit와 같이 집적도가 낮은 제품은 주로 게임기, POS(Point Of Sales), 무선랜카드 등과 같은 NonMobile 응용 분야에, 4Mbit 이상의 집적도를 갖는 제품은 주로 Mobile 응용 분야에 사용되고 있습니다. 특히, Pseudo SRAM은 현재 업계에서 Standard SRAM과 가장 호환성이 큰 제품으로 고객들로부터 호평 을 받고 있으며 2002년 4사분기 영업만으로도 5%의 시장점유율을 보이는 등 적극적인 마케팅으로 소기의 성과를 거두었습니다. 당사는 현재 16Mbit, 32Mbit Pseudo SRAM을 공급하고 있습니다. SRAM의 주요 응용 분야인 이동통신 단말기 시장은 2000년도까지 연평균 30% 이상의 급격한 성장을 하다가 2000년 4억1천3백만대, 2001년 4억대, 2002년 4억1천만대로 현재 조정기를 거치고 있습 니다. 그러나 2002년 하반기부터 세계적으로 컬러폰, 카메라폰 등 이 큰 인기를 끌면서 대체 수요를 촉발하여 연평균 10% 이상의 고성장이 예상되고 있습니다. 당사는 이러한 세계적인 움직임에 발맞추어 Mobile향 제품군을 한층 더 강화한다는 전략을 가지고 있습니다. 저전력 제품군을 강화 하고 지역별로 서로 상이한 고객 욕구를 철저히 분석하여 고객별 최적의 제품을 공급하는 한편, 2.5세대/3세대 이동통신 단말기 및 스마트폰 등에 내장되는 Pseudo SRAM, Handy RAM에 대한 개발 및 생산을 강화하여 모바일 시장에 필요한 메모리 분야의 토탈 솔루션 제공 업체가 될 것입니다. 당사는 이미 블루칩 기술을 이용하여 2세대 16Mbit/32Mbit Pseudo SRAM, 128M Handy SDRAM 제품을 생산하고 있으며, 차세대 프라임칩 기술을 이용한 16Mbit/32Mbit/64Mbit Pseudo SRAM, 128Mbit/256Mbit 저전력 Handy RAM 제품도 개발 완료 단계에 있어 2003년 매출 증대에 크게 기여할 수 있을 것으로 전망하고 있습니다. Hynix Annual Report 25

26 SRAM 당사는 지역별로 주요 전략고객을 선정하여 정기적인 기술교류, 영업 및 경영층 회의 등을 통하여 상호 유대를 강화함으로써 고객 요구에 호응하는 제품을 적기에 공급하고 있습니다. 이러한 주요 고객군은 당사 전략에 걸맞게 주로 이동통신 단말기 제조업체와 Mobile향 MCP(MultiChip Package)를 제공하는 MCP 제조업체이며 이외에 게임기, POS 및 최근 빠르게 성장하고 있는 시장인 무선랜카드 등의 제조업체에 대해서도 적극적으로 판매 확대를 추진하고 있습니다. 또한 2001년과 2002년의 시장 침체 속에서도 당사는 SRAM 의 선두업체가 되기 위하여 주요 제조업체는 물론 세계적으로 유명한 초대형 대리점들과도 긴밀한 관계를 유지하여 매출에 기여하고 있습니다. 하이닉스는 지역별 전략고객 수를 단계적으로 증대시켜 매출이 매년 20% 이상 성장하는 안정적인 사업 구조를 이루겠다는 목표를 갖고 있으며, 최근 급성장하고 있는 중국지역의 이동통신 단말기 생산 기지들을 중심으로 영업활동을 강화하고 있습니다. 또한 중국에 이어 이동통신 단말기 생산 기지로 발전하고 있는 대만에 대한 사업도 이미 시작하여 제1의 공급 업체로서의 위치를 확보해 나가고 있으며 MCP 업체나 Mobile 업체와의 공동 마케팅을 통한 윈윈 전략을 추진중에 있습니다. 26 Hynix Annual Report

27 2003년 이동통신 단말기 시장을 한마디로 이야기하면 재도약의 첫걸음이라고 할 수 있습 니다. 2000년부터 2002년까지 연간 4억대~4억1천만대로 제자리 걸음이었던 단말기 출하량은 2003년 4억4천만대 정도로 약 7%의 성장을 할 것으로 전망됩니다. 중국의 이동통신 시장은 2000년도 가입자수 8천5백만명에서 2001년 1억4천5백만명, 2002년에는 2억1천만명으로 폭발적인 증가세를 보이고 있으며, 이러한 추세는 계속될 것으로 보입니다. 한국과 일본을 중심으로는 컬러폰, 카메라폰으로의 지속적인 대체수요가 있을 것이고, 유럽, 중국 등에서는 GPRS(General Packet Radio Service)가 본격적인 성장궤도에 오를 것으로 예상됩니다. 미주지역에서는 1위와 4위 통신 사업자는 CDMA(Code Division Multiple Access) 계열의 CDMA2000 1x를, 2위와 3위 통신 사업자는 GSM(Global System for Mobile Telecommunication) 계열의 GPRS를 추진 중에 있어 경쟁이 심화될 우려가 있으나, 다른 이동통신 선진국 대비 낮은 가입율을 보이고 있어 추가 성장의 기회가 있습니다. 또한 한국과 일본의 경우 2.5세대 제품은 이미 활성화되었고 2002년에 출시된 3세대 제품의 수요 증가로 인해 2003년에는 고성능 이동 통신 단말기의 시장 확대가 예상됩니다. 당사는 이러한 근본적인 시장 흐름에 부응하여 Mobile 분야의 토탈 메모리 솔루션 제공에 집중하고 있습니다. 2003년에는 특히 이동통신 단말기에 MCP 채용 비중이 지속적으로 증대됨에 따라 당사는 MCP를 채용하는 단말기 제조업체로의 판매를 확대하여 시장점유율을 극대화 할 방침입니다. 또한 2002년부터 시작한 Pseudo SRAM을 향후 중점 사업으로 선정하여 당사의 주력 제품으로 발전시킴으로써 SRAM 사업에서의 선도적 위상을 더욱 강화시킬 계획입니다. 2002년 0.16μm기술을 성공적으로 양산에 적용한 하이닉스는 2003년에도 공정의 미세화를 지속적으로 추진하여 기술경쟁력 뿐만 아니라 가격경쟁력에서도 앞서 나갈 것입니다. 아울러 주요 고객의 요구에 대한 적극적인 지원으로 고객과의 관계를 보다 더 강화할 계획 입니다. 제품별로는 1Mbit SRAM 이하 제품에 대해서는 현재 20% 이상의 시장점유율을 차지하고 있으며, 2Mbit과 4Mbit SRAM은 무선랜카드와 이동통신 단말기 시장, 8Mbit 이상 SRAM과 Pseudo SRAM 제품은 고용량 버퍼 메모리가 필요한 2.5세대 이상의 고성능 이동통신 단말기 시장을 주요 수요처로 하여 이들 고객들에 대한 마케팅 활동 강화 및 판매 확대를 추진하고 있습니다. 또한 고집적, 고속 및 저전압 사양을 요구하는 3세대 이동통신 단말기, 스마트폰, PDA 시장을 겨냥하여 Page/Burst 기능을 갖춘 고성능 Pseudo SRAM과 PASR(Partial Array Self Refresh), AutoTCSR(Temperature Compensated Self Refresh) 기능을 갖춘 저전력 SDRAM(Low Power SDRAM) 제품을 출시 할 예정입니다. Hynix Annual Report 27

28 Flash Memory 당사는 휴대폰, DVD 플레이어, PC, 셋톱박스, PDA, 하드 디스크 드라이버, 모뎀, 각종 통신, 네트워킹 장비 등 많은 응용분야에 사용되는 Flash 메모리를 생산, 판매하고 있습니다. 현재 제품은 4.5~5.5V, 2.7~3.6V, 1.8~2.2V의 동작전압을 가진 2~32Mbit Flash 메모리를 보유하고 있으며 단일 전원 공급 방식 Flash 메모리의 JEDEC 표준을 따르고 있습니다. 2002년에는 디지털 카메라 등에서의 저장 메모리로 사용 하고 있는 데이터 저장용 Flash 메모리 시장이 크게 성장 하여 전체 Flash 메모리 시장의 약 26%를 차지하였고 그 비중이 점차 확대되는 추세를 보이고 있습니다. 2002년 당사 Flash 메모리 매출액은 세계 IT 산업의 불황 등 시장 여건이 개선되지 않은 관계로 2001년 대비 약 40%가 하락하였습니다. 이는 수요 부진에 따른 고객들의 재고 부담 증가와 이에 따른 구매력 감소, 공급 업체들의 가격 경쟁 심화와 더불어 당사의 저조한 생산설비 업그레이드 투자의 결과입니다. Flash 메모리는 약 15년 전 ROM(Read Only Memory)과 EPROM(Electrically Programmable ROM)을 대체하여 전기적 재프로그램이 가능한 디바이스로 시장에 등장한 이래 급진적인 변화를 겪어왔으며 비휘발성 메모리 중에서 가장 광범위하게 사용되는 제품군입니다. Flash 메모리 시장은 지난 몇 년간 응용분야의 수와 그 사용량에 있어서 비약적으로 성장하였으며, 특히 2002년에는 디지털 카메라 등에서의 저장 메모리로 사용하고 있는 데이터 저장용 Flash 메모리 시장이 크게 성장하여 전체 Flash 메모리 시장의 약 26%를 차지하였고 그 비중이 점차 확대 되는 추세를 보이고 있습니다. 당사는 기존 생산설비를 효율적으로 사용하고 세계 최고 수준의 DRAM 제조 기술을 이용함으로써 경쟁사보다 낮은 원가 구조를 갖고 있으며 개발 기간을 최대한 단축할 수 있는 장점을 갖고 있습니다. 하이닉스는 이러한 장점들을 바탕으로 세계적 수준의 신제품을 적기에 시장에 공급할 수 있도록 최선 을 다 할 것입니다. 또한, 전략적 파트너쉽 구축을 통해 장기 공급 고객을 확보하고 신속한 고객 지원을 통해 고객만족을 이루어 안정적인 사업환경을 만들어 나가겠습니다. 28 Hynix Annual Report

29 기존 생산설비를 효율적으로 사용하고 세계 최고 수준의 DRAM 제조 기술을 이용함으로써 경쟁사보다 낮은 원가 구조를 갖고 있으며 개발 기간을 최대한 단축할 수 있는 장점을 갖고 있습니다. 기존의 디지털 가전 분야 뿐만 아니라 고성장을 지속하고 있는 휴대폰, PDA 등 휴대용 기기업체를 전략적 고객으로 삼아 안정적인 사업 추진을 목표 로 하고 있습니다. 지난 1999년 출범한 Flash 사업부를 통해 비교적 짧은 기간동안 많은 고객 발굴을 이루었으며 미주, 구주, 아시아, 국내를 중심으로 고객군을 형성하고 있습니다. 특히 안정적인 사업 진행을 위해 대형 전략적 고객들을 확보하려는 노력을 계속하고 있으며, 세계적인 주요 유통업체와의 밀접한 관계를 통해 매출 증대에 힘쓰고 있습니다. 2002년의 전체 Flash 메모리 시장은 78억 달러 수준으로 2001년 대비 4%의 성장을 보였으며, 그 중 데이터 저장용 Flash 메모리 시장은 23억 달러로 100% 이상의 큰 폭의 성장을 나타냈습니다. 특히 데이터 저장용 Flash 메모리 시장은 계속적으로 확대되어 시장 규모는 2003년 37억 달러, 2004년 51억 달러, 2005년 70억 달러, 2006년 76억 달러로 예상됩니다. 2003년은 512Mbit를 비롯하여 1Gbit 제품이 주종을 이루고 2004년은 1Gbit, 2Gbit 제품이 2005년, 2006년에는 4Gbit의 채용이 이루어 질 것입니다. 데이터 저장용 Flash 메모리 제품은 점진적인 가격 하락이 진행되고 있으나 이와 동시에 고용량에 대한 수요 증가가 큰 폭으로 이어져 전체적인 시장의 규모는 가파른 성장이 예상됩니다. 구체적인 적용 분야는 디지털 카메라를 비롯하여 MP3, PDA, 게임기, GPS, 음성 녹음기, USB 드라이버, 모바일폰 및 모바일 멀티미디어 등인데 이중에서 모바일 분야의 수요 성장세가 가장 두드러질 것으로 예상 되고 있습니다. 당사는 기존의 디지털 가전 분야 뿐만 아니라 고성장을 지속하고 있는 휴대폰, PDA 등 휴대용 기기업체를 전략적 고객으로 삼아 안정적인 사업 추진을 목표로 하고 있으며 시장 수요에 맞는 고집적, 고효율, 고성능 제품을 성공적으로 출시할 수 있도록 최선의 노력을 다할 것입니다. 이를 위해 올해에는 Flash 메모리 분야에 대한 보완 투자를 계획하고 있으며, 기존 코드 저장용 제품 뿐만 아니라 데이터 저장용 제품 개발도 검토하고 있습니다. Hynix Annual Report 29

30 System IC 당사의 System IC 사업은 SP(Standard Products) 사업과 SMS(Semiconductor Manufacturing Service, 파운드리) 사업으로 나누어 각각의 사업 특성에 적합한 전략 수립 및 운영으로 경기 변화에 보다 탄력적으로 대응하고 있습니다. 또한, 최소한의 투자로 기존의 메모리 생산라인을 시스템IC 생산라인으로 전환하여 경쟁사 대비 원가 경쟁력이 있는 월8만장 규모(8인치 환산 기준)의 생산능력을 갖추고 있습니다. 하이닉스의 SP사업은 LDI(LCD Driver IC), MCU(Micro Controller Unit), CIS(CMOS Image Sensor) 등 시장성 장성이 있고 내부역량을 효과적으로 발휘할 수 있는 분야를 선택하여 집중 육성하고 있습니다. SP(Standard Products) 사업 하이닉스의 SP사업은 LDI(LCD Driver IC), MCU(Micro Controller Unit), CIS(CMOS Image Sensor) 등 시장성장성이 있고 내부역량을 효과적으로 발휘할 수 있는 분야를 선택하여 집중 육성 하고 있습니다. 특히 대형 LDI 분야에서는 고부가가치 제품을 생산하여 수익성을 확보하고 소형 LDI 분야에서는 향후 컬러화의 진척이 빨라질 것에 대비하여 컬러 STN 및 TFT용 65K/260K 제품으로 라인업을 구성하였습니다. MCU 분야에서는 기존의 8bit 중심에서 고부가가치 제품인 Optical, SoC(SystemonChip) 등의 32bit 중심으로 사업을 재편하는 한 해였습니다. 특히 32bit / 8bit Core 중심의 AS(Application Specific) MCU 부문에서는 어려운 회사여건 속에서도 투자와 인력을 집중하여 2002년 말부터 가시적인 성과를 내기 시작하였습니다. 또한 기존 OTP(One Time Programmable)로만 대응되던 제품에 0.35μm급 Flash 메모리 기술을 적용함으로써 보다 경쟁력 있는 제품 구성이 가능하게 되었습니다. CIS 분야에서는 CIF, VGA급에 로직을 내장한 One Chip 제품을 개발하고, 이를 응용한 초소형 카메라 모듈도 성공적으로 개발하여 대량 생산체제를 구축하는 성과를 거두었습니다. 30 Hynix Annual Report

31 LDI 분야에서는 주요 고객들을 선정하고 디자인 단계 에서부터 이들과 긴밀히 협조하여 각 고객의 요구를 조기에 파악함으로써 고객에 맞는 제품 개발 및 최우선 적인 대응을 통한 장기 공급 계약을 유도하고 있습니다. SMS 사업은 고부가가치를 창출하는 고전압, Power IC 등의 공정 특화를 통해 전략 고객을 꾸준히 확대시킬 수 있었고 이를 통해 안정적 성장 기반을 갖추게 되었으며, 선진 파운드리 업체와 호환 가능한 0.25μm, 0.18μm 급 공정 기술을 제공하고 있습니다. SP(Standard Products)사업에서는 LDI, MCU, CIS 사업을 3대 전략 육성 분야로 선정하고 이들 핵심분야를 중심으로 제품 포트폴 리오를 구성하여 수익성 및 고부가가치 창출에 집중하고 있습니다. LDI 분야에서는 주요 고객들을 선정하고 디자인 단계에서부터 이들 과 긴밀히 협조하여 각 고객의 요구를 조기에 파악함으로써 고객에 맞는 제품 개발 및 최우선적인 대응을 통한 장기 공급 계약을 유도 하고 있습니다. MCU 분야에서는 8bit, Optical 중심의 주력 제품군과 MPDL(Merged Planar DRAM Logic), Flash MCU, Smart Card 중심의 고부가가치 제품군 및 SoC 중심의 리더십 제품군으로 포트폴리오를 구성하여 한국, 일본, 동남아 시장을 중심으로 판매 확대에 집중하고 있습니다. CIS 분야는 괄목할만한 성장세를 보이고 있는 Mobile 시장에 초점을 두고 있습니다. LDI 분야에서는 LG Phillips LCD, 하이디스 그리고 대만의 대형 LCD 제조 업체와 전세계적으로 Mobile 시장의 컬러화를 주도하고 있는 일본과 한국의 이동통신 단말기 제조 업체를 주요 고객으로 하고 있습니다. MCU 분야의 고객구조는 단순 아날로그 가전에서 DVD와 같은 고성능 디지털 가전 제품군으로 확대되었으며, 국내 고객 중심에서 해외 대형 가전 업체 등으로 판매처를 넓히고 있습니다. 아울러 MCU 자체 제품과 AS MCU의 적기 확보를 통해 국내외 지역의 중/대형 고객 발굴에 집중하고 있습니다. 특히, SoC 와 AS MCU 분야에서는 국내외 유수 업체들과 전략적 파트너쉽을 구축하여 기술협력을 지속함으로써 히트상품 발굴에 노력하고 있습니다. CIS 분야는 Mobile 제품들이 디지털 카메라를 내장하는 추세에 따라 이동통신 단말기 업체와 PDA 업체에서의 수요가 큰 폭으로 증가하고 있습니다. Hynix Annual Report 31

32 System IC LDI 분야에서는 핵심 주력 시장을 기존의 노트북 PC, 모니터용 대형 TFTLCD 위주에서 수익성이 좋고 성장 시장으로 각광 받고 있는 휴대용 게임기와 전자상거래(eCommerce)등에 활용될 고급 휴대폰 위주로 특화시켜 소형 TFTLCD 와 컬러 STNLCD를 LDI 분야의 주력 시장으로 정착시킴으로써 2003년 큰 폭의 매출성장을 기대하고 있습니다. MCU 분야에서는 부가가치를 높이기 위해 ARM 32bit Core를 기본으로 한 SoC 제품에 집중하고 MPDL, Smart Card 등의 시장 에서 매출을 더욱 확대할 예정이며, 0.25μm/0.18μm급 제품 개발의 확대로 수익성 기반을 한층 더 강화시킬 계획입니다. 또한 국내외 고객에 대한 지원을 위하여 Software House, Design Center 등 의 인프라를 보강하는 동시에 신규 고객, 신규 시장 확대에 집중할 것입니다. 제품 측면에서도 기존 EPROM 내장 중심에서 향후에는 Flash 메모리, EEPROM(Electrically Erasable PROM) 등 다양한 메모리 내장 제품 개발로 한층 성숙된 MCU 사업으로 육성해 나갈 방침입니다. CIS 분야는 범용 CIF, VGA 및 SVGA급을 중심으로 PC용 카메라와 보급형 디지털 카메라 등에 집중하는 한편, 주변 로직을 내장한 One Chip 제품의 응용 제품인 초소형 카메라 모듈과 Bluetooth, CMOS RF 제품을 가지고 Mobile 통신 시장에도 진입할 계획입니다. 위에서 언급한 3가지 핵심 사업 분야와 함께 그간 분산적으로 진행 되어 오던 SoC 관련사업을 축적된 기술력, 조직 및 역량을 결집하여 디지털 정보가전시대의 주력사업으로 삼아, 정보통신 시대의 고부가 가치 반도체 사업으로 집중 발전시킬 방침입니다. SMS(파운드리)사업 당사의 SMS 사업은 세계 최고수준의 공정기술 및 생산 기술력과 풍부한 생산능력을 바탕으로 단기간에 Top4 수준의 업체로 성장하 였습니다. SMS 사업은 고부가가치를 창출하는 고전압(High Voltage), Power IC 등의 공정 특화를 통해 전략 고객을 꾸준히 확대시킬 수 있었고 이를 통해 안정적 성장 기반을 갖추게 되었으며, 선진 파운드리 업체와 호환 가능한 0.25μm, 0.18μm급 공정 기술을 제공하고 있습니다. 32 Hynix Annual Report

33 SMS 사업은 고객 만족을 실현하기 위해 고객의 주문부터 제품 출하까지 전 과정에 걸쳐 세계적 수준의 품질과 서비스를 제공하는데 노력하고 있습니다. 향후에는 가격 경쟁력과 공정특화를 기반으로 고객의 부가가치를 높임으로써 매출과 수익성 확대를 동시에 실현하 고, 0.18μm급 생산라인을 포함한 공급 능력을 확충하여 TSMC, UMC, CSM에 이어 세계 4위권의 생산능력을 유지할 계획입니다. 또한 0.15μm급 기술을 비롯하여 향후 개발될 선진기술은 파운드리 업계 표준과 호환되도록 개발하여, 고객에게 신속하고 안정적인 공급이 가능하도록 하고, 일부 공정을 특화하여 고부가가치 산업에 주력하는데 힘쓸 것입니다. 또한, 시장 상황에 맞추어 좀 더 앞선 기술인 0.18μm 및 0.15μm급 중심의 파운드리 제품의 본격적인 생산체제를 갖춤과 동시에 고전압 (High Voltage)과 같은 당사가 가진 우수한 기술의 장점을 부각시키고 경쟁력을 증대시켜 매출확대와 더불어 성장기반을 다지는데 전력을 다 할 계획입니다. 파운드리 사업 전담조직과 효율적이고 체계적인 고객지원, 그리고 고객관리 인프라를 구축 하여 주로 Fabless 고객과 IDM(Integrated Device Manufacturer) 고객을 중심으로 매출을 확대하고 있습니다. 또한 SoC 지원을 위한 파트너쉽 확대와 함께 수준 높은 고객 서비스를 기반으로한 적극적인 마케팅 활동과 프로모션을 통해 신규 고객을 발굴하고 신제품을 개발함으로써 지속적으로 고객 기반을 확대할 계획입니다. 2003년 파운드리 시장은 회복세로 전환되어 향후 고성장할 것으로 예상되며 0.25μm, 0.18μm급 기술의 적용을 요구하는 파운드리 수요 증가와 더불어 0.35μm급 파운드리 시장도 고부가가치 제품을 중심으로 증가가 예상됩니다. 올해 당사 파운드리 사업은 시장 상황에 맞추어 0.18μm급 파운드리 제품의 생산체제에 돌입하고 아울러 고전압 (High Voltage), Power IC 등 특화 공정을 활용한 고부가가치 사업을 강화하여 차별화된 사업역량을 구축할 예정입니다. 또한 단기적으로는 사업목표 달성을 위해 기존 고객 제품의 매출 비중을 확대하고, 중장기 적인 성장기반 구축을 위해 신규고객을 중점적으로 발굴할 방침입니다. Hynix Annual Report 33

34 Hynix's progress 구조조정 Ⅰ. LG 반도체와의 통합과 시너지 과정(' ~ '00. 12) 하이닉스는 1999년 10월 세계 반도체 업계의 지각변동을 일으킨 LG반도체와의 통합을 이루었습니다. 통합을 통하여 양적인 면에서 세계 최대의 DRAM 생산 능력을 확보하였고, 질적인 면으로 연구개발 부문에서 양사의 우수한 인력과 노하우를 결합하고, 다양한 제품군을 확보, 공정 기술력의 장점을 최대한 활용할 수 있는 반도체 업체로서의 기반을 확보하였습니다. 이 기간 동안 영업활동으로 인한 현금 약 5조2천억원, 비핵심 자산 매각을 통하여 약 1조3천억원 이상을 조달하여 약 4조7천억원의 차입금을 상환하는 등 통합사의 출발은 순조로왔습니다. Ⅱ. 유동성 위기 직면과 사업구조조정 노력(' ~ '02. 12) 1. 반도체 시장 침체로 인한 유동성 위기 직면 (2001년) 그러나 2000년 하반기부터 몰아 닥친 세계 반도체시장의 침체로 인하여 하이닉스의 주력 제품인 DRAM 가격이 2000년 평균 대비 2001년 도에 무려 79%가 하락하여 손익구조의 급격한 악화를 초래하였습니다. 설상가상으로 과거 IMF 금융위기 시 당사가 발행한 회사채의 만기가 2000년과 2001년 단기간에 집중되어 유동성 위기에 직면하게 되었습니다. 이에 따라 하이닉스는 2000년 12월 8천억원의 신디케이트론을 발행하고, 2001년 5월 1조원의 회사채 발행 및 2001년 6월 국내외 투자자를 대상으로 12억5천만 달러의 해외주식예탁증서(GDR)를 성공적으로 발행하여 신규자금을 조달하였으며, 내부적으로는 비핵심 자산의 매각(약 8천억원) 및 분사 등의 사업구조조정을 단행하여 유동성 위기에 대처하였습니다. 그럼에도 불구하고 대부분의 경쟁사가 적자 행진을 지속했을 정도로 심각한 반도체 경기 하락으로 인해 유동성 위기에 계속 시달려야 했으며, 이에 따라 채권회수 가능성을 높이기 위한 채권단의 상업적 판단 하에 2001년 10월 31일 하이닉스 채권금융기관협의회 결의에 따라 약 3조원의 출자전환을 포함한 대규모의 채무조정을 단행하게 되었습니다. 이와 더불어 2001년 8월에는 현대그룹으로부터 계열분리를 통해 재벌 그룹으로부터의 지배구조 단절 및 투명경영의 토대를 마련하였습니다. 34 Hynix Annual Report

35 { 사업구조조정을 하이닉스 구조조정의 성과 및 추진 방향 하이닉스는 LG 반도체와의 통합 및 세 차례에 걸친 채무조정 과정, 현대그룹으로부터의 계열 분리, 비핵심 자산 매각 등의 통하여 반도체 전문회사로 나아가기 위한 구조조정의 길을 걸어왔습니다. 2. 재무구조 건전성 확보 및 도약발판 마련 (2002년) 2002년 초 일시적으로 회복되었던 DRAM 가격은 지속되는 세계경제 불안 및 IT 경기의 침체로 2사분기 이후 재차 하락하기 시작하였습니다. 이에 따라 반도체 경기변동을 충분히 고려한 회사 구조조정 방안의 필요성을 절감한 채권단의 요청으로 도이치은행을 실사기관으로 선정하여 하이닉스 종합구조조정 방안을 수립하도록 하였습니다. 이와같은 목적을 위해 작성된 실사보고서에서 도이치은행은 '하이닉스는 기술 및 원가, 사업 측면에서의 경쟁력을 확보하고 있으나 재무구조가 경쟁사 대비 매우 취약하다'고 지적하였습니다. 따라서 경기변동이 심한 반도체산업 환경에 사전 대비하여 회사가치 유지를 통한 채권단의 채권회수 가능성을 높이기 위해서는 추가적인 채무 조정이 필요하다고 제안하였습니다. 이에 따라 2002년 12월 제4차 하이닉스 채권금융기관 협의회 결의를 통해 1조8천억원의 출자전환과 잔여 차입금의 만기연장 및 이자 지급 조건 변경을 승인하였습니다. 이와 더불어 하이닉스는 지속적인 사업구조조정을 추진하여 비핵심 자산 매각을 통해 약 5천억원의 현금을 마련하였습니다. Ⅲ. 반도체 전문회사로의 성장 주력('03년 이후) 하이닉스는 기업 정상화 과정을 통하여 채무조정 후 본사 차입금 비율이 54% 수준으로 낮아지는 등 재무구조가 현저히 개선되었으며, 영업을 통한 현금 창출과 함께 지속적인 비핵심 자산 매각을 통하여 충분한 여유 자금을 확보함으로써 어떠한 시장 환경에서도 견딜 수 있도록 대비하고 있습니다. 당사는 장기간 지속되었던 경기 불황을 슬기롭게 극복하고 세계적인 반도체 전문회사로의 도약을 위해 모든 자원과 역량을 집중함과 동시에 2003년 초에 완료된 하이디스 매각과 같이 비핵심 자산 및 사업의 매각을 통해 지속적인 사업 구조조정을 추진할 것입니다. Hynix Annual Report 35

36 Above the competition 36 Hynix Annual Report

37 묵묵히 자신의 위치에서 최선을 다하며 달려온 길. 하이닉스 사람들은 저마다 조금씩 강인해지고 있음을 느낍니다. 세계 최고의 반도체 기업을 향해 내딛는 또 한번의 첫걸음. {2003년은 새로운 전략적 경영으로 세계적인 경쟁력을 갖춘 하이닉스의 모습으로 거듭나겠습니다. Hynix Annual Report 37

38 Above the competition 경영실적 분석 >> 반도체 제품별 매출 비중 (그림1) >> 반도체 지역별 매출 비중 (그림2) (단위:%) DRAM SRAM/Flash System IC (단위:%) 일본 아시아 유럽 북미 국내 '00 '01 '02 0 '00 '01 ' 년 vs. 2002년 실적 매출 2002년 당사의 총 매출은 2001년의 3조9천8백3십억원에 비해 25% 줄어든 3조원을 기록했습니다. 이러한 매출 감소의 주원인은 2001년 상반기 실적에 LCD와 통신부문의 분사 이전 매출이 반영되었으며, 또한 당사의 주력 품목인 DRAM 평균 판매 가격이 경제 회복 지연에 따른 수요 부진으로 하락하였기 때문입니다. 평균 판매 가격은 지난 1사분기 흑자를 기록한 이후 줄곧 하락하다가 4사분기 들어서 다소 상승하였으나 실적향상에 큰 영향을 주지 못했습 니다. 또한 3사분기와 4사분기 초에 DDR DRAM 제품의 가격이 강세를 보였으나 당사가 동 시기에 맞춰 제때 출하량을 늘리지 못한 것도 실적부진의 한가지 원인으로 지적할 수 있습니다. 매출 구성은 메모리 부문이 82%, 시스템 IC 부문이 18%를 차지하였습니다. DRAM은 전체 매출의 약 77%를 차지하여 지난해에 비해 그 비중이 다소 증가하였으나, SRAM과 Flash 메모리 제품의 비중은 다소 줄어들었습니다(그림1). 당사의 지역별 매출 비중은 전반적으로 2001년도와 비교해 큰 변화는 없습니다(그림2). 반도체 경기 침체 및 당사가 처한 어려운 여건에 비춰 볼 때 북미 및 유럽 시장 매출 비중에 별다른 변화가 없는 것은 다행이라 할 수 있겠습니다. 또한 새로이 떠오르는 중국, 인도 등의 신흥시장 에서 여전히 경쟁사에 비해 우위를 보이고 있다는 점은 주목할 만 합니다. 38 Hynix Annual Report

39 >> 감가상각 및 무형자산상각비 (그림3) >> 수익율 (그림4) (단위:십억원) (단위:십억원) (단위:%) 2,500 10, 매출액 매출총이익율 8, 영업이익율 2,000 6, , ,500 2, '00 '01 '02 0 '00 '01 '02 판매관리비 분사 및 매출감소에 따른 자연감소 등으로 인해 2002년 판매관리비는 전년도에 비해 14% 가량 줄어든 7천9백8십억원을 기록하였으나, 매출 감소에 따라 전체 매출에서 차지하는 비중은 다소 증가하였습니다. 감가상각 및 무형자산상각비 2002년도 감가상각 및 무형자산 상각 비용은 2001년도의 2조7십억원에 비해 23% 감소한 1조5천5백억원이며(그림3), 이러한 감소는 분사 및 설비투자 축소에 따른 유형자산의 감소가 주된 원인이라고 할 수 있습니다. 수익율 2002년도 매출총이익율은 마이너스 5%로 2001년도의 마이너스 9%에 비해 개선되었으나, 영업이익율은 마이너스 31%를 기록하여 2001 년의 마이너스 32%와 비교해볼 때 큰 차이가 없었습니다(그림4). 주력 제품인 DRAM 판매가격의 하락으로 인해 회사의 수익율은 2001년도 에 비해 크게 개선되지는 않았지만 EBITDA 마진율은 2001년 보다 다소 나아진 20%를 기록하였습니다. 원가절감의 노력에도 불구하고 제조 원가 미만에서 형성된 판매가격과 아울러 지난 해 미국 유진 공장의 재가동에 따른 비용의 증가를 수익율 부진의 주요 원인으로 들 수 있습니다. Hynix Annual Report 39

40 경영실적 분석 >> 순이자비용 (그림5) >> 재고자산평가손실 (그림6) (단위:십억원) 1,400 1,200 1, (단위:십억원) '00 '01 '02 0 '00 '01 '02 영업외수익 / 비용 2002년 중 영업외수익은 전년도의 3천8백억원에서 3천6백4십억원으로 4% 감소하였고, 영업외비용은 전년대비 73% 감소하였습니다. 전년 도에 5조3백9십억원이었던 영업외비용은 2002년 1조3천7백6십억원으로 감소하였는데, 이는 2001년의 개발비감액손실, 사업부문중단매각 손실 등 1조6천여억원에 이르는 일회성 비용이 대폭 감소하였기 때문이며, 전년도 말 대비 지분법 평가손실, 이자비용, 유형자산감액손실, 재고자산평가손실 등의 손실 폭이 축소된 것도 원인으로 볼 수 있습니다. 순이자비용 2001년도에 8천8백4십억원이었던 순이자비용은 2002년에 57% 감소한 3천7백9십억원을 기록하였습니다(그림5). 이는 2001년 10월말 채권단의 채무재조정으로 인하여 부채의 규모가 축소되고 이자율이 감소한 것이 주요 원인입니다. (차입금 규모 : 2000년 말 7조7천7십억원 2001년 말 4조3천2백7십억원) 영업권감액손실 당사는 1999년 LG반도체ㄜ와의 합병을 통해 발생한 영업권을 자산성, 즉 용역잠재력이 있다는 판단아래 무형자산으로 계상하고 있는 가운데, 현재 외부매각을 추진하고 있는 System IC 사업부문과 관련하여 발생될 것으로 추정되는 2천3십억원을 영업권감액손실로 반영하였습니다. 재고자산평가손실 2001년에 3천4백5십억원이었던 재고자산 평가손실은 2002년에 1천8백8십억원을 기록하였습니다(그림6). 이는 DRAM 평균 판매가격이 전년도에 비해 2001년에는 79%, 2002년에는 5% 하락함에 따라 회사가 보유하고 있던 재고자산 가치를 현실화시켜 반영했기 때문입니다. 지난 한해 동안의 재고수준은 매우 안정적이어서 적정 재고 수준인 약 2~4주를 유지하였고 하반기의 재고수준은 3주 미만이었습니다. 시장 상황이 좋지 않았음에도 안정적인 재고수준을 유지할 수 있었던 것은 20% 이상의 bit 성장률을 보이며 매출이 꾸준하게 이루어졌기 때문입니다. 40 Hynix Annual Report

41 >> 지분법평가손실 (그림7) >> 외환 및 외화환산이익 (그림8) (단위:십억원) (단위:십억원) '00 '01 ' '00 '01 '02 지분법평가손실 회계상 지분법을 적용한 데 따른 손실은 2001년에 8천6백9십억원을 기록한 데 이어, 2002년에는 79% 감소한 1천8백1십억원을 나타냈습 니다(그림7). 2001년에는 해외법인에 추가로 출자된 금액이 평가손실로 반영되어 손실의 규모가 커졌으나, 2002년에는 손실 규모가 크게 줄어들었습니다. 2002년의 손실 중 대부분은 ㄜ하이디스와 현대정보기술ㄜ와 같은 국내 자회사의 경영손실로 인한 것입니다. 유형자산감액손실 등 2001년도에 4천3십억원이었던 유형자산감액손실은 2002년에 8백억원으로 크게 손실폭이 축소되었습니다. 이러한 감소는 2001년에유휴 불용장비의 장부가액을 이미 반영 하였기 때문에 2002년에는 그 규모가 축소되었습니다. 2002년의 손실은 하이디스 매각과 관련한 건물 매각에 따른 감액과 유휴장비 감액이 대부분을 차지하고 있습니다. 한편, 당사는 생산 중단된 라인(이천 Fab III/IV)의 유휴자산에 대한 감가상각비는 운휴자산감가상각비로 처리하고 있습니다. 외환차익 및 외화환산이익 2001년 말 1달러당 1,326원이었던 원화가치가 2002년 말 1,200원으로 상승함에 따라, 당사는 6백8십억 원의 순외화환산이익을 기록하였 습니다(그림8). 반면, 외환차익과 외환차손은 큰 차이가 없어 손익에 미치는 영향이 적었습니다. 유형자산처분손실 등 당사는 자구계획의 일환으로 반도체 사업부문을 제외한 기타 사업부문과 비핵심자산의 매각을 추진해 왔으며, 2002년에는 서초사옥, 천안 산업단지 토지매각 등의 부동산 매각과 유휴자산 처분에 따른 결과로 5백9십억원의 손실을 기록하였습니다. 또한, 현대네트웍스의 매각에 따른 관련 채권을 처분함에 따라 1백6십억원의 처분손실을 기록하여 채권처분손실로 처리하였습니다. Hynix Annual Report 41

42 경영실적 분석 >> 파생상품 평가손실 (그림9) >> 발행주식수 (그림10) (단위:십억원) 300 (단위:백만주) 6,000 5, ,000 3, ,000 1,000 0 '00 '01 '02 0 '00 '01 '02 투자유가증권감액손실 당사는 순자산지분가액이 단기간 내에 회복될 수 없을 것으로 판단되는 Globalstar, L.P., Anhui Wanyan Electronics System Inc. 등의 시장성 없는 투자주식은 취득원가와 순자산지분가액의 차이를 투자유가증권감액손실로 인식하였습니다. 또한, 투자채권 중 후순위사채의 경우에는 회수가능가액이 취득원가에 미달할 것으로 판단되어 투자유가증권감액손실로 인식하였습니다. 2002년 투자유가증권 감액손실은 2백6십억원입니다. 파생상품평가손실 당사는 2000년 중 매각한 32,133,310주의 자기주식과 한국통신프리텔ㄜ 발행 보통주식 2,496,900주 및 ㄜ하나로통신 발행 보통주식 17,516,299주와 관련하여 매각대상 주식을 기초자산으로 하여 기준가격과 약정된 방식에 의해 산정된 만기시점의 시장가치와의 차액을 반대 결제하는 형식으로 총 11건의 파생상품계약을 체결하고 있습니다. 당사는 Equity Option 계약 등의 잔액에 대해 계약 대상 주식들의주가 변동성을 산출하여 BlackScholes 가격결정 모형을 적용하여 산정된 공정가액을 비교하여 영업외손익으로 계상하고 있습니다. 2002년에는 2백4십억원의 파생상품 평가손실을 기록하였습니다(그림9). 특별이익 당사는 2001년 1조6천1백2십억원, 2002년 5십억원의 특별이익을 기록하였습니다. 2002년의 특별이익은 2002년 12월 채무재조정에 대해 채권매수청구권을 행사한 채권금융기관의 채권금액과 채권매수가격의 차이를 채무면제이익으로 계상한 것입니다. 당기순이익 / 발행주식수 2001년에 5조7백4십억원이었던 당기순손실은 2002년 1조9천4백8십억 원으로 손실 폭이 대폭 축소되었습니다. 2001년에 약 10억 주였던 당사의 보통 주식수는 2002년에 약 52억주를 넘어섰습니다(그림10). 이는 2002년 6월 채권단의 출자전환으로 약 42억 주가 증가하였기 때문으로 2002년 말 현재 채권단의 보유지분율은 67%이며, 유통주식의 비율은 33%입니다. 채권단의 보유주식은 당초 2002년 말까지 매각이 제한되어 있었으나, 2002년 12월 30일 '제4차 채권금융기관 협의회'의 결의에 의하여 당사의 경영정상화 이행 기간까지 매각제한이 연장되었습니다. 42 Hynix Annual Report

43 >> 현금 및 현금 등가물 (그림11) >> 차입금 현황 (그림12) (단위:십억원) 80 (단위:십억원) 8, , , ,000 0 '00 '01 '02 0 '00 '01 '02 자산 현금 및 현금등가물 2002년 말 기준으로 당사의 현금 및 현금등가물은 총 6백6십억원에 달했습니다(그림11). 이는 2001년 말의 2백6십억원에 비해 증가한수치 이나, 영업 및 투자 활동에 의한 현금흐름이 크게 개선된 것은 아닙니다. 기타 유동자산 2002년 재고자산은 2001년도의 3천8십억원에 비해 31% 증가한 4천2십억원이었으며, 이러한 증가는 HSMA의 재가동에 따른 제품및 재공품의 증가가 주요 원인입니다. 매출채권은 2001년 말 2천5백7십억원에서 92% 증가하여 2002년 말에는 4천9백5십억원 수준입니다. 고정자산 2002년 말 회사의 고정자산은 2001년 말의 10조9천3백1십억원보다 22% 가량 줄어든 8조5천5백9십억원으로 집계되었는데, 이는 1조5천 억원에 이르는 유형자산의 감가상각, 자구계획 실현에 따른 분사 및 일부 자산매각으로 인한 6천억원 가량의 유형자산 및 투자자산의 감소, 3천여억원의 영업권감액손실과 영업권상각에 기인합니다. 이로서 2002년 말 총자산은 9조6천3백7십억원으로 이는 전년도의 12조4십억원 에 비해 20% 가량 감소한 것입니다. 부채 차입금 2002년 말 부채 총계는 2001년 말의 6조7천6백2십억원에 비해 33% 가량 줄어든 4조5천1백3십억원을 기록하였으며(그림12), 총 차입금은 2002년 12월 채권단의 채무재조정에 따라 2001년 대비 36% 가량 감소하였습니다. 채권단은 2002년 12월 30일 채권금융기관협의회를 통해 당사에 대한 무담보 채권 금액의 50% 출자전환과 잔여채무에 대한 2006년 12월 31일로의 만기연장, 그리고 적용금리조건의 변경 및 이자 지급시기 변경을 주요 내용으로 하는 채무조정안을 승인하였습니다. 이에 따라, 차입금은 2001년 말 4조3천억원으로부터 2002년 말 현재 2조8천억원으로 감소되었습니다. 채무보증 2002년 말 현재 당사의 보증채무는 총 1천여억원입니다. 이는 대부분 해외 현지법인과 관련한 채무보증입니다. Hynix Annual Report 43

44 Above the competition 감사보고서 ( ~ )

45 주식회사 하이닉스반도체 주주 및 이사회 귀중 2003년 1월 22일 본 감사인은 주식회사 하이닉스반도체의 2002년 12월 31일과 2001년 12월 31일 현재의 대차대조표와 동일로 종료되는 양회계연도의 손익 계산서, 결손금처리계산서 및 현금흐름표를 감사하였습니다. 이 재무제표를 적정하게 작성할 책임은 회사 경영자에게 있으며 본 감사인의 책임은 동 재무제표에 대하여 감사를 실시하고 이를 근거로 이 재무제표에 대하여 의견을 표명하는 것입니다. 본 감사인은 한국의 회계감사기준에 따라 감사를 실시하였습니다. 이 기준은 본 감사인이 재무제표가 중대하게 왜곡표시되지 아니하였다는 것을 합리적으로 확신하도록 감사를 계획하고 실시할 것을 요구하고 있습니다. 감사는 재무제표상의 금액과공시내용을 뒷받침하는 감사 증거에 대하여 시사의 방법을 적용하여 검증하는 것을 포함하고 있습니다. 또한 감사는 재무제표의 전반적인 표시내용에 대한 평가 뿐만 아니라 회사가 적용한 회계원칙과 경영자에 의한 중요한 추정에 대해 평가하는 것을 포함하고 있습니다. 본 감사인이 실시한 감사가 감사의견 표명을 위한 합리적인 근거를 제공하고 있다고 본 감사인은 믿습니다. 본 감사인의 의견으로는 위 재무 제표는 주식회사 하이닉스반도체의 2002년 12월 31일과 2001년 12월 31일 현재의 재무상태와 동일로 종료되는 양회계연도의 경영성과 그리고 결손금의 변동과 현금흐름의 내용을 한국의 기업회계기준에 따라 중요성의 관점에서 적정하게 표시하고 있습니다. 다음은 본 감사인의 의견에는 영향이 없지만 감사보고서 이용자의 합리적인 의사 결정에 참고가 되는 사항입니다. (1) 유동성 위기에 따른 채무재조정 및 자구계획의 추진 회사는 2000년 하반기부터 전세계적으로 장기침체상태에 들어간 반도체 가격과 5조 7천억원에 달하는 부채의 만기가 단기에 도래함에 따라 심각한 유동성 위기를 겪게 되었습니다. 이에 회사는 2001년 중에 발효된 구조조정촉진법에 따라 채권금융기관협의회의 공동관리하에 편입되 었으며, 거액의 부채 탕감과 출자전환 및 만기일 연장 등을 포함한 대규모의 채무재조정을 수혜받았습니다. 아울러 당기 중에도 약 1조 8,568 억원에 이르는 차입금의 출자전환 및 잔여차입금의 만기 연장, 이자지급시기의 조정 등의 추가적인 채무재조정을 수혜받았습니다. 동시에 회사도 비반도체 사업부문의 분사와 보유투자유가증권 및 부동산의 매각 등을 포함한 여러가지 자구계획을 추진한 바, 당기 중에 자회사인 ㄜ현대디스플레이테크놀로지의 TFTLCD 사업부문을 중국의 BOE Technology Group Co., Ltd.("BOE")에 약 US$ 380백만으로 매각 하는 거래를 성사시켰습니다. 그외 System IC 사업부 등,회사의 기타 사업부문의 매각협상도 진행 중에 있습니다. 상기 채권금융기관협의회의 채무재조정과 회사의 자산매각 등의 결과로 대차대조표일 현재 1년이내 상환하여야 할 회사의 유동부채는 약 1조 4,438억원으로써 전기말의 약 2조 3,349억원에 비하여 현저하게 감소한 상태이며, 나머지 고정부채 약 3조원중에 약 2조 5천억원도 2006 년까지 만기가 연장되었으므로 회사의 유동성위기는 상당히 완화된 상태입니다. 아울러 채권금융기관협의회가 의사결정에 참고하기 위하여 전문기관에 의뢰하여 작성된 중장기 영업예측보고서에 따르면 회사의 경영실적은 향후 개선되는 것으로 추정되고 있습니다. Hynix Annual Report 45

46 (2) 전환사채의 출자전환 및 대주주의 변동 회사는 전기 중에 대규모의 채무재조정의 일환으로 기존 차입금의 출자전환과 관련하여 주식으로의 전환이 의무화되어 있는 전환사채를 채권 금융기관 등에 발행한 바, 동 전환사채가 당기 중에 회사의 보통주식으로 전환됨에 따라 약 4,229백만주의 보통주식이 주당 708원의 가액 으로 발행되었습니다. 그 결과 회사의 자본금과 주식할인발행차금이 각각 21,143,581백만원과 13,001,480백만원 만큼 증가하였으며, (주)한국외환은행을 포함한 채권금융기관들이 회사의 새로운 대주주가 되었습니다. (3) Offtake Agreement와 Group Support Agreement 아울러 JPMC는 현대중공업ㄜ과 현대상선ㄜ 및 현대종합상사ㄜ에게 회사의 Offtake Agreement의 이행과 관련된 그룹지원약정(Group Support Agreement)을 요청한 바, 상기 회사들은 동 약정서에 서명한 바 있습니다. 상기 HSMA와 JPMC간의 차입약정서는 회사의 Wafer 구매계약의 이행상태와 회사 및 Support를 약정한 관련 3사의 재무상태에 따라 JPMC가 HSMA에 대하여 차입금의 조기상환요구를할수있는권리를규정하고 있는 바, 감사보고서일 현재 회사와 현대중공업(주) 및 현대 상선(주) 등의 재무상태와 그에 대한 국내 금융기관의 지원등이동조기상환권과 어떻게 관련되며, 이에 따라 회사의 궁극적으로 미칠 영향이 어떠한 것인지는 회사와 Support를 약정한 관련 3사를 둘러싼 다양한 경영환경의 변수에 따라 매우 복잡한 법률적 상황에 속하므로 쉽게 판단될 수가 없습니다. 따라서 회사의 재무제표는 이러한 불확실성과 관련하여 발생가능한 조정사항을 반영하고 있지 않습니다. 한편, 감사 보고서일 현재 현대상선(주)의 재무상태가 상기 JPMC의 조기 상환권을 촉발할 수 있다는 우려가 있습니다. 이에 대해 회사는 JPMC와의 상당기간 접촉을 통한 경험과 입장의 이해 및 실익 여부에 대한 분석과 법률적 해석 등을 통해 그 가능성이 매우 낮다고 판단하고 있습니다. 그러나 비록 그 가능성이 낮다 하더라도 만약의 경우 JPMC가 조기상환권을 발동하고 그 행위가 법률적으로도 인정된다면 JPMC의 요구 내용에 따라 향후 회사와 제반 이해관계자에게 상당한 재무적 영향을 미치게 됩니다. (4) 영업권의 자산성 회사는 1999년 당시 정부의 경제정책의 일환으로 추진된 이른바 "빅딜정책"에 의해 LG반도체(주)를 흡수합병 함으로서 발생한 영업권을 무형자산에 계상하고 상각해오던 중, 당기말 현재 외부매각을 추진하고 있는 System IC 사업부문과 관련하여 발생될 것이라고 예측되는 2,029억원을 영업권감액손실의 계정과목으로 당기에 추가로 비용처리 하였습니다. 이에 따라 나머지 잔액 1조 5,416억원이 영업권으로서 무형자산에 계상되어 있는 바, 본 감사인이 자산으로서의 내재된 미래의 경제적 효익 여부를 한국의 기업회계기준을 적용하되 구체적 평가 방법이 상술되어 있는 미국회계원칙을 원용하여 검토해 본 결과, 그 타당성이 인정됩니다. 본 평가를 위해서 채권금융기관협의회가 회사에 대한 의사결정에 참고할 목적으로 6개 전문기관이 참여하여 공동으로 작성한 회사의 중장기 영업예측에 관한 보고서가 사용되었습니다. 동 보고서는 반도체시장에 대한 전망과 가격추이 및 이와 관련한 회사의 영업과 기술역량 등을 종합적으로 조사하여 회사의 중장기 영업 성과를 최선의 방식으로 예측한 것입니다. 그러나 상기 영업권의 자산성이 인정된다는 것은 대차대조표일 현재 동 영업권에 장래수익을 창출할 수 있는 용역잠재력이 있다는 전문기관의 최선의 예측이 있으며 이를 바탕으로 관련회계기준에 의해 그 회계처리의 타당성이 인정된다는 의미이지, 금전적인 자산으로서 측면에서 46 Hynix Annual Report

47 본다면 재산권이 보장되어 있는 다른 투자자산이나 유형자산 보다는 보장성과 환급성이 떨어집니다. 왜냐하면 영업권은 그 속성상 향후반도체 산업의 변화에 따라 회사의 장래 영업성과에 대한 전문기관의 예측이 달라질경우 그에 따라 자산으로서 용역잠재력이 언제든지 인정받지 못할 수도 있으므로, 회사의 자산에 대한 물권적 지배권이나 청구권이 인정되어 있는 여타 자산과는 다르기때문입니다. 따라서 향후 회계연도에 반도체 산업의 계속적인 침체와 기대에 못미치는 회사의 영업실적 및 이에 따른 전문기관의 미래에 대한 예측변화에 따라 거액의영업권감액 손실이 회사에 발생할 가능성이 있습니다. (5) 주요 소송사건 등 회사는 대차대조표일 현재 Rambus사가 제기한 회사의 일부 제품에 대한 특허권 침해소송, 독일의 Infineon사 및 미국의 Micron사가 제소한 한국산 DRAM제품의 유럽 및 미국지역 상계관세 제소, 미국 법무부의 반독점법 위반조사 등 다수의 분쟁에 대응하고 있습니다. 이러한 분쟁의 최종결과는 감사보고서일 현재 예측될 수 없으며 회사의 재무제표는 이러한 불확실성으로 인하여 발생가능한 조정사항을 반영하지 않고 있습니다. (6) 특수관계자 거래 회사는 당기 중 특수관계자인 Hynix Semiconductor America Inc. 등 주로 해외 종속회사를 통해 판매와 매입활동을 한 바, 동 거래로 인한 매출액과 매입액은 각각 2,671,638백만원과 837,226백만원이며, 당기말 현재 관련채권과 채무의 잔액은 각각 709,427백만원과 428,123 백만원입니다. (7) 경제위기에 따른 불확실성 1997년 말 외환위기로 한국과 아시아지역 여러나라의 경제상황이 악화된 바 있습니다. 그간 이를 극복하기 위하여 금융 및 경제전반의 구조 조정 등 다각적인 노력으로 인해 경제상황이 다소 호전되어 왔으나, 최근 구조조정의 지연 및 금융시장의 불안 등으로 인하여 한국의 경제는 또 다시 어려움을 겪고 있습니다. 이러한 경제불안요인은 반도체 가격의 향후 동향과 함께 회사의 영업이나 재무 및 자구계획의 실현가능성, 채권금융기관의 지속적인 지원여부 등에 중대한 영향을 미칠 수도 있습니다. 본 재무제표는 이러한 불확실성으로 인하여 발생가능한 영향을 반영하고 있지 않습니다. 삼일회계법인 대 표 이 사 공인회계사의 감사보고서 중 감사의견만을 게재한 것으로서 감사의 대상이었던 완전한 재무제표(주석포함)가 첨부된 공인회계사의 감사보고서는 회사가 별도로 비치하고 있습니다. Hynix Annual Report 47

48 제 55기 : 2002년 12월 31일 현재 제 54기 : 2001년 12월 31일 현재 주식회사 하이닉스반도체 (단위 : 천원) 과 자 산 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 Ⅰ. 유 동 자 산 1,078,124,964 1,073,607,971 (1) 당 좌자산 1. 현금및현금등가물 2. 단기금융상품 3. 매출채권 대손충당금 4. 단기대여금 대손충당금 5. 미 수 금 대손충당금 6. 선 급 금 대손충당금 7. 미수수익 대손충당금 8. 선급비용 9. 미수파생상품 10. 보 증예치금 (2) 재 고자산 1. 상 품 2. 제 품 3. 재 공 품 4. 원 재 료 5. 저 장 품 6. 미 착 품 507,517,041 ()12,568, ,204 ()7,502 99,704,325 ()86,186,973 30,453,529 ()2,234 7,148,884 ()347, ,104,424 65,754,730 8,080, ,948, ,702 13,517,352 30,451,295 6,801,586 54,882, , , ,020,540 3,583, ,750, ,703,108 16,418,805 17,909,469 15,654, ,673,659 ()14,283,711 1,373,259 ()13, ,848,331 ()140,046,052 50,643,269 ()506, ,673,878 25,547,210 6,152, ,389,948 1,359, ,802,279 50,136, ,157 58,841, ,313 2,800, ,934,093 6,790,718 68,874, ,857,621 8,082,767 19,901,426 11,426,733 Ⅱ. 고 정 자 산 8,558,689,080 10,930,673,586 (1) 투 자자산 1. 장기금융상품 2. 투자유가증권 3. 장기대여금 대손충당금 4. 보 증 금 대손충당금 5. 장기선급금 6. 장기미수금 현재가치할인차금 대손충당금 7. 장기미수파생상품 8. 장기미수수익 대손충당금 9. 기타예치금 (2) 유 형자산 2,598,010 ()25,980 12,790,239 ()6,310, ,905,526 ()14,138,225 1,186,849 ()1,186,849 1,608,328,887 22,388, ,429,926 2,572,030 6,479, ,078, ,767,301 3,871,102 11,742,165 5,329,259,155 5,577,349 ()55,773 10,393,136 ()6,202, ,616,159 ()7,415,547 ()980,711 29,274,549 2,348,195,062 26,346,270 1,085,104,120 5,521,576 4,190, ,621, ,219,901 16,611,394 29,274,549 17,304,934 6,654,086, Hynix Annual Report

49 제 55기 : 2002년 12월 31일 현재 제 54기 : 2001년 12월 31일 현재 주식회사 하이닉스반도체 (단위 : 천원) 과 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 1. 토 지 2. 건 물 감가상각누계액 3. 구 축 물 감가상각누계액 4. 기계장치 감가상각누계액 5. 차량운반구 감가상각누계액 6. 기타의유형자산 감가상각누계액 7. 건설중인자산 (3) 무 형자산 1. 영 업 권 2. 산업재산권 1,329,190,902 ()219,720, ,116,157 ()138,959,012 11,798,896,941 ()8,534,476,765 1,537,419 ()1,367, ,616,826 ()258,694, ,945,018 1,109,470, ,157,145 3,264,420, , ,921, ,174,349 1,621,101,038 1,541,645,771 79,455,267 1,382,032,350 ()132,509, ,966,376 ()111,360,644 11,586,349,272 ()7,282,761,595 1,892,608 ()1,565, ,197,458 ()406,550, ,668,941 1,249,522, ,605,732 4,303,587, , ,647, ,727,088 1,928,392,137 1,848,708,587 79,683,550 자 산 총 계 9,636,814,044 12,004,281,557 부 채 Ⅰ. 유 동 부 채 1,443,816,454 2,334,853, 매입채무 2. 단기차입금 3. 미지급금 현재가치할인차금 4. 선 수 금 5. 예 수 금 6. 보증예수금 7. 미지급파생상품 8. 미지급비용 9. 유동성장기부채 사채할인발행차금 10. 선 수수익 353,293,916 ()47,424,686 11,099, ,445, ,382, ,869,230 8,618,056 35,751,886 18,153 65,317, ,314,359 11,099,088 1,097,319,474 ()58,201, ,240,576 ()248, ,705, ,496,702 1,039,117,928 12,563,538 9,781,461 37, ,113, ,992,552 44,694 Ⅱ. 고 정 부 채 3,069,575,990 4,426,993, 사 채 사채할인발행차금 현재가치할인차금 2. 장기차입금 현재가치할인차금 3. 장기미지급금 현재가치할인차금 1,122,579,695 ()929,678 ()34,518,593 1,393,400,337 ()7,560, ,555,327 ()225,046,335 1,087,131,424 1,385,840, ,508,992 2,403,209,060 ()2,260,062 ()124,428,647 1,417,684,482 ()11,014, ,281,899 ()272,671,501 2,276,520,351 1,406,670, ,610,398 Hynix Annual Report 49

50 제 55기 : 2002년 12월 31일 현재 제 54기 : 2001년 12월 31일 현재 주식회사 하이닉스반도체 (단위 : 천원) 과 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 4. 임대보증금 5. 장기예수금 6. 장기미지급파생상품 7. 퇴직급여충당금 국민연금전환금 퇴직보험예치금 8. 장기미지급비용 171,545,516 ()8,819,831 ()6,314,331 61,628,546 9,215, ,411, , ,669,795 ()10,513,522 ()6,766,649 70,225,931 8,060,401 53,516, ,389,624 부 채 총 계 4,513,392,444 6,761,847,303 자 본 Ⅰ. 자 본 금 1. 보통주자본금 Ⅱ. 자 본 잉 여 금 1. 주식발행초과금 2. 재평가적립금 3. 기타자본잉여금 Ⅲ. 결 손 금 1. 이익준비금 2. 기업합리화적립금 3. 재무구조개선적립금 4. 기업발전적립금 5. 임의적립금 6. 차기이월결손금 (당기순손실 당기: 1,947,865,254천원 전기: 5,073,591,284천원) 26,217,501,670 26,217,501, ,503, ,946,634 33,557,289 9,205,947, ,040, ,523,761 7,200, ,226, ,870,445 ()9,898,809,171 5,073,921,205 5,073,921,205 5,406,968,097 5,148,464, ,946,634 33,557,290 7,261,170, ,040, ,523,761 7,200, ,226, ,870,444 ()7,954,031,698 Ⅳ. 자 본 조 정 1. 투자유가증권평가이익 2. 주식매입선택권 3. 자기주식처분손실 4. 출자전환채무 5. 주식할인발행차금 자 본 총 계 부 채 와 자 본 총 계 ()12,146,636,147 33,743,401 1,994,235 ()999,196,513 1,818,302,764 ()13,001,480,034 5,123,421,600 9,636,814,044 2,022,715,326 27,847, ,289 ()999,196,513 2,993,931,000 5,242,434,254 12,004,281, Hynix Annual Report

51 제 55기 : 2002년 1월 1일부터 2002년 12월 31일까지 제 54기 : 2001년 1월 1일부터 2001년 12월 31일까지 주식회사 하이닉스반도체 (단위 : 천원) 과 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 Ⅰ. 매 출 액 3,000,070,061 3,983,461, 국내매출액 2. 수 출 액 220,327,959 2,779,742, ,532,418 3,472,928,950 Ⅱ. 매 출 원 가 3,142,218,756 4,346,770, 기초상품 및 제품재고액 2. 당기상품매입 및 제품제조원가 3. 타계정으로 대체액 4. 기말상품 및 제품재고액 75,665,546 3,535,166,337 ()349,278,967 ()119,334, ,261,496 5,135,151,455 ()950,977,355 ()75,665,546 Ⅲ. 매 출 총 손 실 Ⅳ. 판매비와관리비 142,148, ,206, ,308, ,819, 급 여 2. 퇴직급여 3. 복리후생비 4. 임 차 료 5. 접 대 비 6. 감가상각비 7. 무형자산상각비 8. 세금과공과 9. 광고선전비 10. 통 신 비 11. 수 도광열비 12. 운 반보관비 13. 여 비교통비 14. 차 량유지비 15. 지 급수수료 16. 사 무용품비 17. 소 모품비 18. 수 선 비 19. 도 서 비 20. 교 육훈련비 21. 보 험 료 22. 수 출 비 23. 해외시장개척비 24. 판 매수수료 25. 판 매촉진비 26. 판 매수리비 27. 송 무 비 28. 경 상개발비 29. 주식보상비용 45,843,335 5,924,143 10,720,475 7,228, ,974 62,678, ,627,368 2,310,639 1,093,976 2,120,490 1,601,363 1,550,385 2,294,284 1,727,653 69,337, ,279 2,490,158 22,528, ,516 2,636,337 1,668,011 6,649, ,225 2,772,228 4,095,606 5,352,300 8,293, ,868,935 1,860,945 65,968,134 9,230,141 13,051,006 7,060,433 1,283,998 62,667, ,445,343 6,007,773 7,418,277 3,113,230 6,731,770 1,353,906 4,699,462 2,523,241 95,069, ,880 3,344,331 15,815, ,870 2,824,657 1,646,820 22,930,990 3,085,698 8,790,434 6,427,707 51,051,104 34,291, ,716,710 Hynix Annual Report 51

52 제 55기 : 2002년 1월 1일부터 2002년 12월 31일까지 제 54기 : 2001년 1월 1일부터 2001년 12월 31일까지 주식회사 하이닉스반도체 (단위 : 천원) 과 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 Ⅴ. 영 업 손 실 Ⅵ. 영 업 외 수 익 940,355, ,704,312 1,292,128, ,701, 이자수익 2. 배당금수익 3. 임 대 료 4. 외환차익 5. 외화환산이익 6. 기 술 료 7. 대손충당금환입 8. 투자자산처분이익 9. 유형자산처분이익 10. 무형자산처분이익 11. 파생상품평가이익 12. 사업부문중단매각이익 13. 잡 이 익 44,512,127 6,071,300 45,907,370 73,901,320 90,288, ,508 9,474,253 16,508,761 2,452,844 2,417 74,214,224 56,180, ,600 26,176, ,088,894 68,463,095 1,310,687 4,737,995 22,106,247 11,944,770 7,262 4,152,955 5,151,817 69,205,685 Ⅶ. 영 업 외 비 용 1,375,949,419 5,039,360, 이자비용 2. 지급보증료 3. 기타의대손상각비 4. 외환차손 5. 외화환산손실 6. 기 부 금 7. 재고자산평가손실 8. 지분법평가손실 9. 투자유가증권감액손실 10. 유형자산감액손실 11. 산업재산권감액손실 12. 영업권감액손실 13. 개발비감액손실 14. 파생상품평가손실 15. 투자자산처분손실 16. 유형자산처분손실 17. 무형자산처분손실 18. 사 채상환손실 19. 채 권처분손실 20. 운휴자산감가상각비 21. 사업부문중단매각손실 22. 잡 손 실 423,324,802 11,259,407 74,835,604 22,256,829 1,113, ,968, ,112,126 25,876,133 80,364,884 3,193, ,889,446 24,258,998 10,094,926 58,909, ,025 2,323,483 16,093,768 11,052,894 38,746, ,448,955 7,229, ,070, ,815,308 77,610, , ,502, ,834,989 91,123, ,624,547 1,019,276,865 36,083,095 34,272,305 64,419, ,548 4,486, ,262, ,996,333 Ⅷ. 경 상 손 실 1,952,600,260 5,951,788, Hynix Annual Report

53 제 55기 : 2002년 1월 1일부터 2002년 12월 31일까지 제 54기 : 2001년 1월 1일부터 2001년 12월 31일까지 주식회사 하이닉스반도체 (단위 : 천원) 과 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 Ⅸ. 특 별 이 익 4,735,006 1,611,640, 자산수증이익 2. 채무면제이익 4,735,006 24,971,218 1,586,668,790 Ⅹ. 특 별 손 실 XI. 법인세비용차감전순손실 XⅡ. 법 인 세 비 용 XⅢ. 당 기 순 손 실 1,947,865,254 1,947,865,254 4,340,148, ,443,090 5,073,591,284 주식회사 하이닉스반도체 제 55기 : 2002년 1월 1일부터 2002년 12월 31일까지 제 54기 : 2001년 1월 1일부터 2001년 12월 31일까지 처리확정일 : 2003년 2월 25일 처리확정일 : 2002년 3월 28일 (단위 : 천원) 과 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 Ⅰ. 처 리 전 결 손 금 9,898,809,171 7,954,031, 전기이월이익잉여금(결손금) 2. 지분법평가에따른효과 3. 당기순손실 ()7,954,031,698 3,087,781 ()1,947,865,254 ()2,447,079,128 ()433,361,286 ()5,073,591,284 Ⅱ. 결 손 금 처 리 액 Ⅲ. 차기이월결손금(ⅠⅡ) 9,898,809,171 7,954,031,698 Hynix Annual Report 53

54 제55기 : 2002년 1월 1일부터 2002년 12월 31일까지 제54기 : 2001년 1월 1일부터 2001년 12월 31일까지 주식회사 하이닉스반도체 (단위 : 천원) 과 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 Ⅰ. 영업활동으로 인 한 현금흐름 ()43,506,424 ()1,007,995, 당기순손실 ()1,947,865,254 ()5,073,591, 현금의 유출이 없는 비용등의 가산 2,638,467,002 6,232,543,504 가. 퇴직급여 나. 감가상각비 다. 무형자산상각비 라. 주식보상비용 마. 경상개발비 바. 외화환산손실 사. 외환차손 아. 이자비용 자. 기타의대손상각비 차. 재고자산평가손실 카. 지분법평가손실 타. 투자유가증권감액손실 파. 투자자산처분손실 하. 유형자산처분손실 거. 유형자산감액손실 너. 개발비감액손실 더. 무형자산처분손실 러. 산업재산권감액손실 머. 영업권감액손실 버. 운휴자산감가상각비 서. 채권처분손실 어. 파생상품평가손실 저. 사업부문중단매각손실 처. 사채상환손실 커. 잡 손 실 3. 현금의 유입이 없는 수익등의 차감 29,839,183 1,431,685, ,627,368 1,860, ,221,177 22,256,829 71,127 64,763,337 11,259, ,968, ,112,126 25,876,133 10,094,926 58,909,505 80,364, ,025 3,193, ,889,446 11,052,894 16,093,768 24,258,998 2,323,483 5,468,537 ()124,524,040 31,974,986 1,825,618, ,445, ,752,387 77,610, ,317, ,070, ,502, ,834,989 91,123,164 34,272,305 64,419, ,624,547 1,019,276, ,548 36,083, ,262,927 4,486, ,670,802 ()1,730,551,295 가. 이자수익 나. 외화환산이익 다. 대손충당금환입 라. 유형자산처분이익 711,483 90,288,188 9,474,253 2,452,844 1,649,992 68,463,095 4,737,995 11,944, Hynix Annual Report

55 제55기 : 2002년 1월 1일부터 2002년 12월 31일까지 제54기 : 2001년 1월 1일부터 2001년 12월 31일까지 주식회사 하이닉스반도체 (단위 : 천원) 과 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 마. 무형자산처분익 바. 투자자산처분이익 사. 파생상품평가이익 아. 사업부문중단매각이익 자. 자산수증이익 차. 채무면제이익 카. 잡 이 익 4. 영업활동으로 인한 자산부채의 변동 가. 매출채권의 감소(증가) 나. 미수금의 감소(증가) 다. 선급금의 감소(증가) 라. 미수수익의 감소(증가) 마. 선급비용의 감소(증가) 바. 보증예치금의 감소(증가) 사. 재고자산의 감소(증가) 아. 보증금의 감소(증가) 자. 단체퇴직보험예치금의 감소(증가) 차. 장기선급금의 감소(증가) 카. 이연법인세차의 감소(증가) 타. 장기미수수익의 감소(증가) 파. 기타예치금의 감소(증가) 하. 매입채무의 증가(감소) 거. 미지급금의 증가(감소) 너. 선수금의 증가(감소) 더. 예수금의 증가(감소) 러. 보증예수금의 증가(감소) 머. 미지급비용의 증가(감소) 버. 선수수익의 증가(감소) 서. 임대보증금의 증가(감소) 어. 장기예수금의 증가(감소) 저. 장기미지급금의 증가(감소) 처. 장기미지급비용의 증가(감소) 커. 국민연금전환금의 감소(증가) 터. 퇴직보험예치금의 감소(증가) 퍼. 퇴직금의 지급 2,417 16,508,761 4,735, ,088 ()609,584,132 ()117,787, ,663,931 20,189,740 ()6,610,728 ()46,071,911 2,136,455 ()287,417,279 ()2,397,103 95,542,801 28,087,700 4,834, ,186,513 ()789,931,080 ()3,945,481 25,970,425 ()19,000 ()150,302,006 ()44,694 ()6,175,508 1,154,665 ()10,004,266 1,091,680 1,693, ,318 ()31,881,453 7,262 22,106,247 4,152,955 5,151,817 24,971,218 1,586,668, ,154 ()436,395, ,759,851 ()63,115,967 4,247,868 7,147,634 15,807,166 ()2,789, ,160,417 10,740,008 59,162,246 ()300,122, ,443,089 ()28,087,700 18,219,683 ()533,729,636 ()698,659,126 ()83,634,006 ()6,890,856 17,795 ()391,886,509 24,504 ()10,103,737 ()2,478, ,520,030 6,298,423 ()6,766,649 ()98,680,421 Hynix Annual Report 55

56 제55기 : 2002년 1월 1일부터 2002년 12월 31일까지 제54기 : 2001년 1월 1일부터 2001년 12월 31일까지 주식회사 하이닉스반도체 (단위 : 천원) 과 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 Ⅱ. 투자활동으로 인 한 현금흐름 ()40,267,623 ()65,054, 투자활동으로 인한 현금유입액 455,687,930 2,436,817,364 가. 단기금융상품의 감소 나. 단기대여금의 감소 다. 장기금융상품의 감소 라. 투자유가증권의 처분 마. 장기대여금의 감소 바. 장기미수금의 감소 사. 토지의 처분 아. 건물의 처분 자. 구축물의 처분 차. 기계장치의 처분 카. 차량운반구의 처분 타. 기타의유형자산의 처분 파. 건설중인자산의 처분 하. 산업재산권의 처분 2. 투자활동으로 인한 현금유출액 3,989,972 1,373,259 3,958, ,283,168 2,229, ,855,206 43,650,478 13,460,244 83,042 5,655,755 71, ,332 98, ,348 ()495,955, ,557,693 6,744, ,311, ,534,670 9,123,588 79,895,570 47,426, ,192, ,863, ,344, ,794 41,114,020 48,165,527 4,856,714 ()2,501,871,511 가. 단기금융상품의 증가 다. 장기금융상품의 증가 다. 투자유가증권의 증가 라. 장기대여금의 증가 마. 장기미수금의 증가 바. 토지의 취득 사. 건물의 취득 아. 구축물의 취득 자. 기계장치의 취득 차. 차량운반구의 취득 카. 기타의유형자산의 취득 타. 건설중인자산의 취득 파. 산업재산권의 취득 하. 개발비의 발생 거. 장기미수파생상품의 증가 너. 미지급파생상품의 감소 5,918,015 59,712, ,580 24,344 3,772, ,660,954 11,848,686 40,730,487 17,922, ,986,811 69,002, ,509, , ,924, ,668 1,034,879 1,117, ,773, ,836 18,827, ,313,290 19,968, ,740,354 26,272, , Hynix Annual Report

57 제55기 : 2002년 1월 1일부터 2002년 12월 31일까지 제54기 : 2001년 1월 1일부터 2001년 12월 31일까지 주식회사 하이닉스반도체 (단위 : 천원) 과 목 제 55 (당) 기 제 54 (전) 기 금 액 금 액 Ⅲ. 재무활동으로 인 한 현금흐름 123,981,567 1,088,397, 재무활동으로 인한 현금유입액 496,884,513 4,513,205,753 가. 단기차입금의 차입 나. 사채의 발행 다. 장기차입금의 차입 라. 유 상 증 자 마. 자기주식의 처분 2. 재무활동으로 인한 현금유출액 29,930, ,954,263 ()372,902, ,446,743 2,198,789, ,123,688 1,537,863,495 31,982,630 ()3,424,808,242 가. 단기차입금의 상환 나. 유동성장기부채의 상환 다. 사채의 상환 라. 장기차입금의 상환 마. 출자전환으로 인한 주식발행비 96,040, ,602,177 22,906,826 58, , ,700,000 3,190,313,136 13,787,747 27,007,359 Ⅳ. 현 금 의 증 가(Ⅰ+Ⅱ+Ⅲ) Ⅴ.기 초 의 현 금 Ⅵ. 기 말 의 현 금 40,207,520 25,547,210 65,754,730 15,348,342 10,198,868 25,547,210 Hynix Annual Report 57

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