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서현 매
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1 Slit Photolithography 에의한 4 매 MASK 공정 1

2 TFT 수평구조 ( 휘도대응 ) 와액정모드 ( 시야각대응 ) 단면도 TFT 구조 고개구율구조 개구율 70% 이상 보통구조 % IPS 구조 40% 미만 고개구율구조보통구조 IPS 구조 액정 Mode VA Mode 시야각 140, 120 TN Mode 90, 40 IPS Mode 140,140 이상 VA Mode TN Mode IPS Mode 2

3 기술의핵심성 Timing controller Gate Driving IC control IC S/H Gate Driving IC Gate Driving IC a-si TFT-LCD p-si TFT-LCD x-si TFT-LCD Data Driving IC Control IC Data Driving IC a-si TFT poly-si TFT x-si TFT Mobility : 0.5 cm2 /Vs Highly Uniform TFTs Simple Process Mobility : 50~200 cm2 /Vs Integrated Driver 200 ppi High Resolution Mobility > 600 cm2 /Vs System on Glass Glass Semiconductor 3

4 LCD 기술 Trend (1985 년 ~2015 년 ) 4

5 Micro - Display 소자의표시기술 5

6 고온폴리실리콘 TFT LCD System 구성 입력신호 Leve Shift 입력신호의진폭전압구동전압으로승압수직구동회로화소 Tr On위한 Pluse 전송수평구동회로 HSW를순차 On Video 신호를신호선전송 Pre charge Uniformity 개선신호선을 Pre charge 6

7 TFT 특성비교 항목 a- Si TFT Poly- Si TFT ( 저온공정 ) Poly- Si TFT ( 고온공정 ) 제조공정 온도기판 Max. 350 Glass <450 Glass 1000 이상 Quartz Device 구조 구조소스 / 드레인 Bottom Gate 구조 Key align Top Gate 구조 Self align Top Gate 구조 Self align Transistor 특성 전자이동도 Driver 내장 0.5~1cm2/v.sec 불가능 10~ 500cm2/v.sec 적용 30~100cm2/v.sec 적용 TFT 특성안정성 / 균질성 O O 대형화 O 50 inch (?) 15 inch X 2inch 개구율 작음 큼 ( 트랜지스트작음 ) 큼 ( 트랜지스트작음 ) 7

8 고온폴리 TFT LCD 구조적특징 차광구조평탄화정전용량 Microlens Patterned Spacer 회로내장고내광성재료기술방진 Glass 구조색얼룩보정 IC 기술 8

9 고온폴리 TFT LCD 구조적특징 차광구조 광누설전류 (Photo Leakage current), 빛에의한누설전류 평탄화 Rubbing 균일성확보. 배향막코팅 / 액정배향균일성에악영향 정전용량 화소전압유지. 다층구조의정전용량기 Microlens 개구율값을높이기위함 Patterned Spacer Spacer 를산포 회로내장 - 원하는부분에화소결함 Spacer Gate 및 Data 구동회로기판위집적 고내광성재료기술 휘도가증가 - 광원의휘도를높임 - 고내광성이필요 방진 Glass 구조 부유먼지 defocusing 색얼룩보정 IC 기술 액정에걸리는전압 -Offset 9

10 고온폴리 TFT LCD 의 Application Front Projector Electric View Finder Rear Projection TV Head Mounted Display 10

11 저온폴리실리콘 CMOS 의개요도 LTPS TFT LCD 기판 Size 300*400mm2( 94) 600*700mm2 ( 99) 730*920mm2 ( 02) 11

12 TFTLCD 비교 (a-si/ltps/htps) 12

13 저온 Poly-Si TFT LCD 공정예 (Top Gate) 하지 SiO2 a-si(45nm) 탈수소처리 ELA Poly-si 의 P/L Gate 절연층 (SiO2) Sputter 막형성 Al 표면양극산화 Al 의 P/L 측면양극산화 ( 제 3 층양극산화 ) Gate 절연층 etching 측벽양극산화측벽제거 Ion Doping/Activat ion Sin Contact Hole Ti/Al/Ti 13

14 저온 Poly-Si TFT LCD 공정예 Al 전극형성과 P/L Al전극의 P/L Al 표면양극산화 Gate 절연층 /a-si 연속형성 ELA a-si 층형성 a-si/p-si etching CVD막형성 Cr/Al 연속 Sputter Cr/Al etching N+ SiNx 전극 etching (Bottom Gate) 14

15 저온 Poly-Si TFT Top gate / bottom gate 원리적소자구조확립 top gate는특성이안정화 bottom gate는외부광에대한우려없음 bottom gate가 a-si TFT 라인의전용이용이레이저어닐통한 Poly-si 형성 top gate 는 Poly-si 를형성후, 인과 boron을이온주입 bottom gate 는이온주입후레이저어닐 PECVD로직접, 불순물을혼입한 a-si를 deposition하는방법은사용되지않음 Poly-si TFT 제조장치의 Key PECVD laser anneal 장치이온주입장치 15

16 저온 Poly-Si TFT 의요소기술 1 a-si 형성 a-si 를형성하여어닐을통해 Poly-Si 막을얻음 PECVD 를통해 a-si 막형성 탈수소처리 PECVD 를통해 a-si 막형성 약 10% 의수소가포함 Si 막박리 > 배치방식에의한탈수소처리 : 430 도 2 시간열처리 > 엑시머레이저에의한탈수소처리 : 저 _ 고출력어닐 > 최초수소농도 2% 이하의 a-si 막형성 : Rf power 를낮춤 >a-si 막형성을진공층착 다결정화 200w 엑시머레이저구동회로부만 Poly-Si 화하는방식 _ YAG 레이저 16

17 저온 Poly-Si TFT 의요소기술 2 Ioff 전류의저감대책 > 구동회로부만저온 Poly-Si TFT 화 >Multi transistor 구조 : NMOS 를두개이상직렬배열 _ Ioff 전류의저감 >offset 구조 : source drain 과 gate 전극직하의채널부와의사이에고저항영역을설치 >LDD 구조 (lightly doped drain) : > Wing 구조 : gate 전극상에절연층을사이로, 서브 gate 전극을이용 gate 가 on 시에는큰 drain 전류가 off 시에는리크전류를낮게억제 역치전압 (Vth) 제어 a-si 형성시에 boron 을홉입시켜, Vth 제어 17

18 유기박막트랜지스터 유기반도체를이용한응용연구의영역확장 전자파차폐막, 캐패시터, 유기 EL 디스플레이, 유기박막트랜지스터, 태양전지, 다광자흡수현상을이용한메모리소자. 유기트랜지스터의응용분야 18

19 유기트랜지스터의구조및동작원리 S D I G (a) S D I G (a) (b) S I G _ D (c) 19

20 유기물반도체와유전체종류 / 성능 (FET) 20

21 유기트랜지스터의기술 유기반도체재료소자의성능을나타낼정도의높은전하이동도 >Pentacene - 약 2.7cm2/Vs, 비정질보단우수, 다결정보단저조 구조적으로반도체결합을유지, 폴라론형성않도록반도체의설계 / 합성또는도핑을응용함으로써전하이동도증가 유기반도체재료에따른트랜지스터의특성변화 21

22 유기트랜지스터의기술 유전체낮은온도에서박막형성, 유전율 / 절연특성이크거나좋아야함. 일정정도의구부림에균열발생이없어야함. 유기유전체의물리적특성 무기유전체의물리적특성 22

23 유기트랜지스터의기술 Contacts 고분자막과금박막사이의접착력이불량하여부가적인저항이작용 >> 소자의특성저하전도특성이좋고일함수가높고유기물과접착력이우수한재료 / 공정 예 ) 금과 Pentacene ohmic contact 이형성되지않음. p-type 의경우일함수가비슷하여 contact 문제만해결 n-type 의경우일함수차이가크기때문에금속일함수 shift 기술필요 >> 금속표면에유기단분자막을자기조립법으로제작후유기반도체를증착하는방법이시도. 23

24 유기트랜지스터의기술 기판실리콘과유리 >>> 플라스틱유리전이온도가높은내열성플라스틱기판의개발필요. 표면거칠기가좋고기계적강도, 기판의투과도가좋아야함. 배면에산소와수분의투과를막아줄보호막의증착이필수적. 대표적플라스틱기판의물리적성질 24

25 유기트랜지스터의기술 기판의투습도및투산소도향상을위한다층박막코팅방법 Under coated layer (resin) Plastic (PES, PET, PE) Plastic (PES, PET, PE) Inorganic material Plastic (PES, PET, PE) Under coated layer (resin) Plastic (PES, PET, PE) Inorganic material Over coated layer (resin) 25

26 Water Vapor Permeability 25 C TARGET 유기트랜지스터의기술 플라스틱기판의내투습도및내산소도조건 Barrier Capability is function of: Substrate permeability Coating permeability Coating defects Typical permeability of 10-1 to 10-2 Marginal performance for LCD; unacceptable for OLED Inorganic Coating Organic Coating Plastic Substrate Inorganic coatings Improves 10X Organic coatings Improves 10X Plastic film and sheet 10 to 1000 gm/m2/day 26

27 유기트랜지스터의기술 TFT 소자제작시고려되는기판의특성 문제 Shrinkage Bending Strain delamination Crack Film peeling Long term fatigue 현상기판및박막이수축됨 ( 움츠러듬 ) 기판및박막이휘어짐기판및박막이늘어남기판엽렬 ( 수평으로금이가며쪼개짐 ) 기판및박막에금이감박막이벗겨짐시간이지날수록박막의특성열화 27

28 유기트랜지스터의기술 1) 광학적특성의저하 2) 정렬이상 각기판에최대공정온도초과시문제발생. 기판의수축 (shrink) 및변형 (deform) 에의한 optical property 가저하. 온도에의한기판의수축및팽창을고려. Photo- lithography 공정시 alignment 문제를야기. 3) Thermal stress 문제해결 증착하기전에미리열처리하는 Preshrink 처리를하여기판의변형에대한내구성을향상. 저온공정을통한온도의급격한변화방지하여 Thermal mismatch 문제를최소화. 4) Mechanical stress 5) 박막의 adhesion Device film 에서기계적인스트레스를고려. 유기물 (polymer) 에대한무기물 (SiO2, SiNx, a-si, Al 등 ) 의 접착도 (adhesion) 떨어지므로이를고려. 28

29 유기트랜지스터의기술 Crystallization bigger mobility > L, I, S, D, GB 는각각 phonon, impurity, surface, defect, grain boundary > 이동도요소중그값이가장작은것에주로지배. 따라서각항목의값을크게유지 _ 전체이동도를향상. Patterning > double-layer photoresist (Novalak/ PMMA) technique41, > 절단벽을사용하는방법, > 보호막형성후산소플라즈마로에칭하는방법 29

30 유기트랜지스터의기술 플라스틱유기 EL의 Thin Film Passivation 기술 1) 유기물을이용한 passivation 반응성모노머를 OLED에증착혹은도포후중합을통해경화된 passivation 박막을얻는방법반응이완료된고분자를증착을통해 OLED의 passivation 박막 [ 올레핀계고분자 (polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), Fluororesin, 폴리실록산 (polysiloxane) 2) 무기물을이용한 passivation Al_Ag, Li_In, Dielectric material (SiN, SiON, SiO), 게르마늄디옥사이드 (GeO2)) 3) 액상을이용한 passivation fluorocarbon liquid를사용 30

31 박막트랜지스터의응용 / 활용분야 NTPC (Notebook PC) TV & Monitor 31

32 박막트랜지스터의응용 / 활용분야 CNS(Car Navigation System) / Handheld Display 32

33 33

34 34

35 박막트랜지스터의응용 / 활용분야 X-ray 감지센서 디지털 X-ray 이미지센서의구조모식도및영상예 35

susceptible to chemicals nascent display and TFT fabrication technology Buffer layer Front surface : Protect thermal diffusion (

36 Display on flexible substrate Advantages of Polymer Compared to Glass Substrates more rugged lighter weight more compact conformal flexible roll-to-roll compatible Disadvantages much lower processing temperatures poor thermal stability surface roughness susceptible to chemicals nascent display and TFT fabrication technology Buffer layer Front surface : Protect thermal diffusion ( deposition or crystallization) Plastic substrate Back surface :Balance thermal stress ( from substrate heater) CVD or Sputtered SiN X, SiO 2 36

37 TFT 특허전체동향 37

38 TFT 구조및제조특허 --- 미국 38

39 TFT 구조및제조특허 --- 일본 39

40 공정단순화 저가격화 40

41 고개구율기술 TFT-LCD 고개구율화 저소비전력 TFT 성능향상 : 전계효과이동도향상 기생용량저감 : TFT 소형화, Self-aligned TFT 저저항 Bus line : 저저항금속재료, 평탄화된 thick line 배선의미세화 : B/M on Array, C/F on Array COA AOC 41

42 고개구율특허 [ ( 미국 ) OIS Inc.] [149311( 한국 ) 삼성전자 ] 층간절연체로는유전상수가적은물질 두꺼운절연층형성 화소전극과배선간의기생용량저감 42

Exposure) Fully Self-Aligned a-si TFT (Silicide/Ion

43 Self-Alignment Self-Alignment -- TFT 소형화 -- 개구율향상기생용량저감 -- 화질개선보조용량축소 -- 개구율향상 Semi Self-Aligned a-si TFT (Back-Side Exposure) Fully Self-Aligned a-si TFT (Silicide/Ion Doping) Fully Self-Aligned a-si TFT (Laser Annealed n+ Poly-Si) 43

44 Self-Alignment TFT 특허 Matsushita Electric Ind Co. 반도체층위에게이트전극과완전정렬되는보호절연층형성 기생용량을없애고 반도체층을빛에노출되지않게보호 44

45 TFT 구조 /Gate 전극 반도체층식각시기판쪽에서 UV 노광 게이트전극의귀퉁이경사도를유지 (Taper 구조 ) 누설전류저감 고 On/Off 전류비 절연막과활성화층의접합상태를개선 45

46 3-Mask TFT 공정 / 구조 반도체층성막 도핑된반도체층형성 금속층형성 첫번째마스크사용소스와드레인전극형성 절연막형성 금속층성막 두번째마스크사용게이트전극형성 투명전극전면증착 세번째마스크사용 [333180( 한국 ) 하이닉스반도체 ] 화소전극을구성한다. 46

47 Vapor Phase Polymerization ( 미국 ) Exxon Research and Engineering 유기고분자박막열적안정 Doping 없이 100~900(Ωcm -1 ) 전기전도도 Large Substrates, Webs Efficient Materials Use Low Source Cross-Contamination High Control of Doping Higher Throughput Vapor Phase Polymerization 47

유기 TFT 특허 1 Orientation Film 사용, 유기반도체층이일정한배향성유지유기반도체층의분자배향에따른이동도의이방성높은이동도를얻을수있다 [6326640( 미국

48 유기 TFT 특허 1 Orientation Film 사용, 유기반도체층이일정한배향성유지유기반도체층의분자배향에따른이동도의이방성높은이동도를얻을수있다 [ ( 미국 ) Motorola Inc.] 하부전극구조를사용, 그위에 Thiol Compound 처리하여성막되는유기반도체층을자기정렬 [ ( 미국 ) IBM Corp. ] 48

유기 TFT 특허 2 인가전압에따라 n-type 또는 p-type 특성의 TFT 15 nm 의 α-6t 와 40 nm 의 C60 사용 대기노출에의한반도체층의퇴화현상방지 : 40 nm 의 α-6t 막증착 [6278127( 미국

49 유기 TFT 특허 2 인가전압에따라 n-type 또는 p-type 특성의 TFT 15 nm 의 α-6t 와 40 nm 의 C60 사용 대기노출에의한반도체층의퇴화현상방지 : 40 nm 의 α-6t 막증착 [ ( 미국 ) Agere Systems Guardian Corp.] Organic-inorganic Hybrid 물질을반도체층으로사용 무기물에서의높은이동도, 유기물의성막이단순하며자기정렬 [ ( 미국 ) IBM Corp. ] 49

50 유기 TFT 특허 3 US Dimitrakopoulos Gate Insulator 로 Ferroelectric 물질사용 50

51 유기 TFT-LCD 대면적에단순한방법으로 LCD 구동을위한 OTFT 제작 전체공정단순화 생산비절감효과 [ ( 미국 ) Mitsubishi Electric Corp. ] 51

Poly-Si 결정화기술 HTPS(High Temperature Poly-Silicon) LTPS(Low Temperature Poly-Silicon) As-deposited (LPCVD) SPC(Solid Phase Crystallization) ELA(Excimer Laser Annealing) RTA(Rapid Thermal Annealing)

52 Poly-Si 결정화기술 HTPS(High Temperature Poly-Silicon) LTPS(Low Temperature Poly-Silicon) As-deposited (LPCVD) SPC(Solid Phase Crystallization) ELA(Excimer Laser Annealing) RTA(Rapid Thermal Annealing) CGS(Contimuous Grain Silicon) SLG(Super-Lateral Growth) CW(Continuous Wave) Laser MIC(Metal Induced Crystallization) MILC(Metal Induced Lateral Crystallization) SLS(Sequential Lateral Solidification) AMFC(Alternative Magnetic Field Crystallization) FALC (Field Assisted Lateral Crystallization) 52

53 ELA 기술특허 활성층의측면을레이저광조사로어닐링활성층측면에패터닝때생긴결함집중결함에기인하여 Off 전류발생활성층측면의결정성향상, 결함감소, Off 전류감소. [ ( 일본 ) Semiconductor Energy Lab]. 레이저빔을끝부분이겹치게스캔하는방법 [269350( 한국 ) LG. 필립스 LCD] 53

54 SLS(Sequential Lateral Solidification) 특허 SLS 의연속적인이동경로 장치개략도 54

55 MIC 특허 1 [ ( 일본 ) Semiconductor Energy Lab Co.] 결정화촉진을위해니켈과같은금속박막을도포하여실리콘박막의측면에접촉시켜그영역에니켈의농도를높이고그영역으로부터채널이형성될 a-si 박막내부로결정이 결정립경계면은게이트전극에수직, 게이트전극의중앙부근에형성 결정립경계면은드레인과채널형성지역경계에더이상존재하지않게된다. 누설전류감소 55

56 MIC 특허 2 [ ( 일본 ) Semiconductor Energy Lab Co.] 촉매요소가 a-si 막에삽입되어 a-si 박막이일반적인 a-si 의결정화온도보다낮은온도에서어닐링하여 a-si 을선택적으로결정화 결정화된구역은구동회로로 TFT 로사용 비정질상태인부분은화소용 TFT 로사용 56

(111) peak intensity AMFC 개념도와결정화속도비교 300 B Glass A-Si film 250 200 150 AMFC SPC 100 50 AMFC : 430 o C 250G SPC : 600 o C 0 0 120 240 360

57 (111) peak intensity AMFC 개념도와결정화속도비교 300 B Glass A-Si film AMFC SPC AMFC : 430 o C 250G SPC : 600 o C External Heating Annealing Time (min.) Field-enhanced movement of charged defects Selective joule heating of amorphous Si films 57

58 누설전류저감기술 : LDD. 전형적인 LDD 구조 Sony LDD 구조 58

59 누설전류저감기술 : Off-set. 전형적인 Off-set 구조 Self-alignment 방식에의한 Sharp 사의 Off-set 구조 59

60 누설전류저감기술 : 기타 Semiconductor Layer, Source/Drain 끝단부분에절연막벽형성 Casio Computer Co. 60

61 저저항배선기술 61

62 저저항배선특허 Al, Ag, Cu 배선기술 Ag, Cu : 접착력 Ag : Electromigration Al : Hill-rock, Diffusion Al, Cu, Ag-based Alloy 주입된이온에의한 Al 복합층형성. Hillock 줄여줄수있으며, Al 복합층은낮은저항성을가진며, ITO 와직접연결가능 추가적인 Photolithography 공정을단순화가능 [208024( 한국 ) 삼성전자 ] 62

63 향후전망 평판디스플레이기술 새로운개념의미래형정보디스플레이개발필요. 대화면, 고화질, 고밀도, 고정세, 저전력, 신기능디스플레이개발요구 유기물의고유한장점이용한경량, 박형, 초절전표시장치필요. 63

64 TFT 기술발전 Roamap 64

65 Challenges of TFT Research and Developments Interface * Crystallinity/Directionality control * Low interface state density * High mobility Gate Insulator Structure * High Gate Capacitance(High-K) * Low leakage * High breakdown voltage Contact * Ohmic * Low contact resistance Source Drain Organic Semiconductor Gate Organic Gate Insulator Device Structure Annealing Process 65

66 SOD 구현을위한기술과제및 TFT 특성 66

67 SOD 기술의 Roadmap 67

68 TFTs in Active Matrix Displays Supply V D V DD V G Select Storage Capacitor Switching TFT C S Driving TFT OEL Diode Signal (Data) 68

scan1 data T2 T1 GND Threshold Mismatch Threshold

69 AMOEL TFT 의문제점 Cstg VDD TFT-1 TFT-2 Scan Line OEL Sony 13 총천연색유기 EL 디스플레이 Data Line VCOM TFT-2 소자특성이패널화질특성결정 scan1 data T2 T1 GND Threshold Mismatch Threshold Voltage Shift 최소화필요균일한특성필요 scan2 T4 T3 전류미러형 pixel 구조 -VCC OEL 69

70 고화질 AMOELD Driving TFT 의 Vth 보상 (Uniform Threshold Voltage) Driving TFT 의 μ 보상 (Uniform Mobility) Driving TFT 의 Isat 보상 (Uniform Saturation Current) Pixel 의 Vdd 보상 (Uniform Power Supply) Pre-Charging 방법의최적화 모든계조에 Program Current 와 Pixel Current Matching 70

71 유기반도체및소자 Road Map of Organic Semiconductors Molecular Future Technology Under Development Technology Existing Technology Organic Electrode Polymer Electrolyte Organic Lighting Organic Laser Wearable Information Device Organic Interface Device Organic Solar Battery Organic IC Arithmetic Device Plastic Capacitor Conductivity Conduct Electricity Organic EL Light Emission Convert Electricity to Photo Organic Optical Sensor Photo Electric Effect Convert Photo to Electricity Organic Transistor Current Control Manipulate Electricity Nonlinear Optics Manipulate Photo 71

비정질박막트랜지스터 a-si TFT: NPC, Monitor, TV 시장확대 핵심과제 : 제조원가절감 : CRT 수준 대형장비개발 : 대량생산, 대화면화 제조원가절감 Mask 수감소, 소재의국산화, 소재사용량의감소, Robot 개선및장비설계변경 신규장비개발 Metal 성장 : sputtering Spin on metal,

72 비정질박막트랜지스터 a-si TFT: NPC, Monitor, TV 시장확대 핵심과제 : 제조원가절감 : CRT 수준 대형장비개발 : 대량생산, 대화면화 제조원가절감 Mask 수감소, 소재의국산화, 소재사용량의감소, Robot 개선및장비설계변경 신규장비개발 Metal 성장 : sputtering Spin on metal, Metal printing, Hollow cathode CVD, 27.56MHz 의사용 Metal etching: Wet etching Dry etching, 공정단순화 Glass 의대형화 : 1,100x1,250 mm ( 제 5 세대라인 ) 2002 년하반기 1,500x1,800mm ( 제 6 세대라인 ) 2004 년예정 72

73 고온폴리실리콘박막트랜지스터 주요응용제품 : 데이터 Projector 핵심과제 : 고휘도화, 소형저가격화 고개구율화 높은화소용량, 좁은 gap 의 cell 조립 강력한입사광 소자의차광구조진화 Panel 의온도상승 냉각시스템개선 저가격화 Panel size 의 down sizing 화 0.7 inch module PJ : $2000 장래 $1000 등장예상 73

74 저온폴리실리콘박막트랜지스터 I Toshiba Supplies small and to large area ELA Sanyo Small Mid-size display P-Si Low Temp. p-si ST-LCD Small Mid-size display Below 600 G Glass substrate CGS Sharp Lateral T.I.T Next Generation Columbia Developmen t in Progress Fujitsu Lab. 74

75 저온폴리실리콘박막트랜지스터 II 저온폴리실리콘 TFT 의목표 시스템 display 구현 Display 뿐만아니라 CPU, 메모리등을유리기판상에집적 1) LTPS TFT 고성능화 ( 단결정 Si 박막과양호한 MIS 구조 ) 2) 설계 rule 미세화 (1μm- sub μm) 3) 신뢰성향상 (short 채널효과해결 ) 75

76 저온폴리실리콘박막트랜지스터 III LTPS 기술 Roadmap 76

77 저온폴리실리콘박막트랜지스터 III ELA( 엑시머레이저용융, 재결정화법 ) 1) Mazumura : ELA lateral 성장법, 위상제어 ELA(PMELA) 2) Columbia Univ. : SLS법 461cm 2 /V s 엑시머레이저 양산장치로완성도가낮다 DPSS (diode pumped solid state) CW 레이저 (10W, 532nm) : 연속발진고체레이저 n-ch : 566 cm 2 /V s, 0.4V/dec, V th = -0.1V p-ch : 200 cm 2 /V s, 0.23V/dec, V th = 0.1V 77

78 저온폴리실리콘박막트랜지스터 IV 2002 SID new technology 1) TFT 선택결정화 2) 레이저 beam 분할을이용한 beam 수증대기술 3) 다수 beam 동시조사기술 2005 년경 PDA 에서 CPU 이외 DC-DC Converter 6Bit DAC, Memory 등의집적예상 78

79 시스템 Display 예 SEL-Sharp CGS 기술이용 8bit CPU 실장글래스기판발표 ( ) 13,000 개 TR cf: P4:5,500 만개 79

80 유기박막트랜지스터 응용분야의확대 : 스마트카드, 플라스틱 LCD, 유기 EL 디스플레이의능동구동회로 핵심과제 분야 핵심요구사항 반도체재료 - 고이동도, 순도, 점별비, 내화학성, 내열성 절연체재료 - 고유전율, 저누설전류, patternable, 내화학성, 내열성 계면 - 유기 / 무기박막간의 contact 및 adhesion OTFT 수명 - RT 공정가능한 device passivation 기술 - 내구성, 내화학성 기판 - 내열성, 내화학성, 고광투과도, 저투습 ( 산소 ) 도, 80

81 박막트랜지스터의응용 모니터용 15, $10/inch 에접근 ( 삼성전자 500 만대 / 연달성 ) TFT-LCD TV 고성능화, 시야각특성, 응답속도, 고화질, 저전력화 2002 년 10 월 LG 전자 42 모듈발표 WXGA(1280x728), 12msec, 수퍼 IPS 176 도, 500cd/m2, 600:1, 색재현성 72%, 삼성전자 46 모듈발표 2003 년초 WXGA (1280x720), 12msec, PVA 170 도시야각, 500cd/m2, 800:1, 색재현성 72% 50 급모듈개발예상 81

82 박막트랜지스터의응용 세계최대 52 TV module 발표 ( ) LG-Philips LCD 1920x1080, Super-IPS 176도 가격하락으로급격한시장확대예상 올해 130 만대 (Sharp 48.4%, LG 35.5%, TM 6.8%, 삼성 6.8%) 2006 년 1610 만대, 연평균 92% 성장예상 A-Si, poly-si TFT 를이용한 CCD 이미지센서, X-ray 검출기의시장확대예상 82

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Microsoft PowerPoint - 전자물리특강-OLED-Driving Changhee Lee School of Electrical Engineering and Computer Science Seoul National Univ. chlee7@snu.ac.kr PMOLED and AMOLED 김기용박사 ( 엘리아텍 ) 1 PMOLED vs. AMOLED PMOLED 공통전극 (Cathode) AMOLED Scan Line Data