2016 년 3 월 31 일 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 비중확대 ( 유지 ) 다운사이클의정점을지나가는중 2016 년 DRAM 2.2% 공급초과, 업황상저하고예상 [ Analyst ] 김민지 책임연구원

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1 216 년 3 월 31 일 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 비중확대 ( 유지 ) 다운사이클의정점을지나가는중 216 년 DRAM 2.2% 공급초과, 업황상저하고예상 [ Analyst ] 김민지 책임연구원 minji.kim@shinhan.com 소현철 선임연구위원 johnsoh@shinhan.com 216년 DRAM 수요 Bit growth( 이하 B/G) 를 22%(215 년 2%) 로예상한다. DRAM 가격하락에따른탑재량증가와기저효과가있다. 신흥국통화가치하락이현재멈춘상태이므로신흥국수요도악화되지는않을전망이다. 다만상반기까지는재고소진이필요하다. 216 년공급 B/G는 215 년 23.5% 에서감소한 22.3% 로예상한다. 공급증가율은감소하나현재재고가넘어온상태이기때문에작년과마찬가지로 2.2% 의공급초과는지속된다. 업황이 215 년에는상고하저였지만 216 년은상저하고가될전망이다. 216년 NAND 1.8% 공급초과, 삼성주도의공급초과전망 215 년 SSD 수요 B/G가 73.1% 를기록하며 NAND 수요 (42% 차지 ) 를견인했다. SSD 탑재노트북비중은 25% 까지상승했다. 엔터프라이즈와데스크탑 PC의 SSD 침투율은아직 1% 미만이다. 가격하락으로 216 년 SSD 수요 B/G는 69.6% 로고성장을유지할전망이다. 2D NAND 공급증가가제한적인가운데삼성이 2D NAND 미세화와 3D NAND 양산을주도하고있다. 하반기에도시바 -샌디스크, 마이크론 -인텔, SK하이닉스가각각 3D NAND 15K 양산을시작한다. 삼성의 3D NAND 구조와기술이우월하기때문에격차는지속될전망이다. 216 년수요와공급 B/G는각각 4%, 39% 를전망한다. 217년 PER 상향의조건 217 년에는 DRAM 공급초과율이 1.3% 로개선될전망이다. 하지만 217 년에메모리업체의 PER Level up을위해서는 218 년소비자및서버향 DRAM 3% B/G 이상이필요하다. VR, OLED TV, IoT 등 ( 소비자향 ) 과빅데이터, 보안수요 ( 서버향 ) 의급증이전제조건이다. 3% 이상의 B/G가없다면수요의 36% 를차지하는모바일 DRAM B/G가 1% 미만으로하락함에따라구조적둔화가불가피하다. Top Picks 리서치센터 종목명 투자의견 현재주가 (3월 3일, 원 ) 목표주가 ( 원 ) 상승여력 (%) 케이씨텍 (2946)) 매수 14,75 2,( 신규 ) 35.6 SK 하이닉스 (66) 매수 28,65 38,( 유지 ) 32.6 리노공업 (5847) 매수 38,65 5,( 신규 ) 29.4 ISC (9534) 매수 25,5 32,( 신규 ) 27.7 디엔에프 (927) 매수 14,75 18,( 상향 ) 22. 삼성전자 (593) 매수 1,38, 1,5,( 유지 ) 14.7 자료 : 신한금융투자추정

2 Contents 3 Investment Summary 7 글로벌 PEER 분석 DRAM: 미국 Micron, 2분기흑자전환확인시 SK하이닉스주가 2분기동반반등예상 NAND: 3D NAND 후발업체협력강화되나삼성방식이우월 격차지속전망비메모리 : TSMC 애플물량회복, 중국 SMIC 의추격 삼성비메모리가동률하락예상 18 수급분석 : 216년 DRAM 2.2% 공급초과, 업황상저하고전망 DRAM 수요 : 가격하락에따른탑재량증가와기저효과로수요 Bit growth 22.2% 스마트폰 BOM Cost 메모리원가비중 2%, BOM Cost 하락으로탑재량증가기대 DRAM 공급 : Bit growth +22.3% 예상, 재고가있는상태이므로 2.2% 공급초과 22 수급분석 : 216년 NAND 1.8% 공급초과, 삼성주도의공급초과예상 NAND 수요 : Bit growth 39.7% 예상, SSD 성장률 69.6% 로수요견인지속 NAND 공급 : Bit growth 39.%, 1.8% 공급초과예상 삼성주도의공급초과예상 DRAM과 NAND 가격의하향안정화예상 26 이슈분석 : 미래먹거리와새로운반도체기술전장용반도체 218년모든신차 DRAM 8GB 탑재가정해도전체비중의 5% 에불과차세대반도체 : ReRAM 과 3D X point( 인텔 vs 삼성 ) 대체보다는보완차세대반도체기술 (Tunneling Transistor/Spin Transistor) 저전력이핵심 31 Company analysis SK하이닉스 (66) 매수 ( 유지 ), 목표주가 : 38, 원 ( 유지 ) 케이씨텍 (2946) 매수 ( 신규 ), 목표주가 : 2, 원 ( 신규 ) 리노공업 (5847) 매수 ( 신규 ), 목표주가 : 5, 원 ( 신규 ) ISC (9534) 매수 ( 신규 ), 목표주가 : 32, 원 ( 신규 ) 디엔에프 (927) 매수 ( 유지 ), 목표주가 : 18, 원 ( 상향 ) 삼성전자 (593) 매수 ( 유지 ), 목표주가 : 1,5, 원 ( 유지 )

3 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 Investment summary DRAM 재고로인해 216 년 2.2% 공급초과, 업황상저하고전망 216 년 DRAM 수요 B/G 22.2%, 공급 B/G 22.3% 로전망, 215년과마찬가지로 2.2% 공급초과지속되지만업황은상저하고예상 215 년공급초과의원인은예상밖의수요부진이다. 수요성장률둔화에대한시장의선형적인가정과달리신흥국통화가치하락이수요급락을초래했다. DRAM 업체는작년초 215 년수요 Bit growth 를 2% 중반으로예상했다. 실제로는 2% 에불과해공급초과가발생했다. 216 년에는 DRAM 수요 Bit growth 를 22.2% 로예상한다. DRAM 가격하락에따른탑재량증가효과와기저효과가있다. 4Gb PC DRAM 가격은고점대비 7% 이상하락했다. 신흥국통화가치하락세가진정되면서신흥국수요도더이상악화되지는않을전망이다. 다만현재재고가있는상태이기때문에상반기까지는재고소진이필요하다. 215 년 DRAM 시장공급 B/G 는 23.5% 로추정된다. 216 년공급 B/G 는 22.3% 로전망한다. SK 하이닉스 B/G 21%, 삼성전자 B/G 22%, 마이크론 B/G 27% 가예상된다. 재고가있는상태이기때문에 216 년공급 B/G 가 22% 에그치더라도작년과마찬가지로 2.2% 의공급초과는지속된다. 작년과다르게업황이 15 년에는상고하저, 16 년은상저하고가될전망이다. 글로벌 DRAM 수급추이및전망 ( 십억 Gb) 1 8 DEMAND ( 좌축 ) SUPPLY ( 좌축 ) Sufficiency ( 공급 / 수요, 우축 ) (%) 자료 : Gartner, 신한금융투자 F 217F 년서버 / 소비자 DRAM B/G 3% 이상예상될시 217 년 PER Level up 가능 자동차용반도체에대한관심이높아지고있다. 218 년연간자동차판매 8 천만대가전부 8GB DRAM 을탑재한다고가정해도 51.2 억 Gb 으로 DRAM 에서차지하는비중이최대 5% 에불과하다. DRAM 전체수요에서는한계가있다. 217 년에는 DRAM 공급초과율이 1% 로개선될전망이다. 하지만 217 년에메모리업체의 PER Level up 을위해서는 218 년소비자및서버향 DRAM 3% B/G 이상이필요하다. VR, OLED TV, IoT 등 ( 소비자향 ) 과빅데이터, 보안수요 ( 서버향 ) 의급증이전제조건이다. 3% 이상의 B/G 가없다면수요의 36% 를차지하는모바일 DRAM B/G 가 1% 미만으로하락함에따라구조적둔화가불가피하다. 3

4 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 Micron, 2 분기흑자전환시 SK 하이닉스주가 2 분기동반반등예상 마이크론의 1 분기영업적자 예상, 2 분기부터수요개선과 원가절감으로실적회복예상 마이크론은 215 년 4 분기 (215 년 9 월부터 11 월 ) 실적발표를통해 1 분기에영업적자 6, 만달러 ~ 2, 만달러를가이던스로제시했다. 2 분기부터는수요개선과 2nm Ramp up 으로인한원가절감효과를누리면서실적회복이예상된다. SK 하이닉스도마이크론처럼 2 분기부터 2nm ramp up 이본격적으로이루어질전망이다. SK 하이닉스와마이크론주가상관계수는과점화이후인 214 년.93, 215 년.94 로 1 에가까운높은양의상관관계를가졌다. 마이크론의 2 분기흑자전환이확인되면 2~3 분기까지마이크론과 SK 하이닉스주가가반등할가능성이높다. 216 년은과점화이후처음맞는다운사이클에서마이크론과 SK 하이닉스의지속가능한영업이익률을확인하는해가될전망이다. NAND 수요 Bit growth 39.7% 예상, SSD 성장률 69.6% 로수요견인지속 216년 SSD 성장률은 69.6% 로고성장을유지, NAND 수요 B/G 39.7%, 삼성주도의 2D NAND 미세화와 3D NAND 공급으로시장공급 B/G 39.% NAND 수요는 DRAM 과달리작년에도 B/G 42.5% 로견조했다. 특히 SSD 의수요 B/G 가 73.1% 를기록하며수요를견인했다. SSD 를탑재한노트북비중이 25% 까지상승했지만, 데이터센터향엔터프라이즈 SSD 와데스크탑의 PC 는침투율이아직 1% 미만이다. 216 년 256GB SSD 와 HDD 의가격차이는 3 달러이내로좁혀졌다. 낮은침투율과 SSD 가격하락지속으로 216 년 SSD 성장률은 69.6% 로고성장을유지할전망이다. 2D NAND 공급증가가제한적인가운데상반기까지는삼성과도시바만 3D NAND 를양산하고있다. 웨이퍼투입기준으로삼성 9K, 도시바 1K 규모이다. 하반기에는마이크론과인텔, SK 하이닉스가각각 3D NAND 로 15K 양산을시작할전망이다. 삼성은 2D NAND 미세화도진행하기때문에삼성의 NAND 공급 B/G 는 48% 가예상된다. 도시바와샌디스크, 마이크론과인텔은 3% 후반, SK 하이닉스는 21% 가예상된다. 시장공급 Bit growth 는 39% 를전망한다. 215 년 4 분기와 216 년 1 분기까지는재고로인해공급초과율이 13.4% 에이른후에 2 분기부터 11% 로하락할전망이다. 216 년에도공급초과가예상되나공급초과율이 215 년 2.6% 에서 216 년 1.8% 로하락이예상된다. 글로벌 NAND 수급추이및전망 ( 십억 GB) 4 34 수요 ( 좌축 ) 공급 ( 좌축 ) Sufficiency ( 공급 / 수요, 우축 ) (%) Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F 자료 : Gartner, 신한금융투자 99 4

5 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 3D NAND 후발업체협력강화되나삼성의방식이우월 격차지속전망 삼성과하이닉스의 CTF 방식은초기난이도가높지만집적도를높일수있기때문에지속적으로칩단위당원가절감가능 인텔 - 마이크론은중국다롄공장에 4 조원을투자하여조립공장을 3D NAND 공장으로전환할계획을발표했다. 218 년기준규모는도시바 - 샌디스크 3D NAND 와비슷한 6K 로예상된다. 매년 1.6 조의투자가들어갈것으로예상된다. 올해하반기부터 15K 생산이시작된다. 삼성과 SK 하이닉스의 3D NAND 는 CTF(Charge Trap Flash) 구조를, 인텔 / 마이크론은기존 NAND 구조인플로팅게이트 (Floating gate) 구조를적용했다. CTF 구조는게이트가하나 ( 컨트롤게이트만존재 ) 이기때문에낮은높이가가능하고, 부도체에전하를저장함으로써셀사이간섭을줄일수있다. 근본적으로삼성과하이닉스의 CTF 방식은인텔 - 마이크론의플로팅게이트구조보다집적도를높일수있기때문에지속적으로칩단위당원가를낮출수있다. 단점은기존 2D NAND 공정을활용할수없어초기난이도와투자비용이높다는점이다. 초기에는어렵지만시간이지날수록삼성의원가절감이다른방식에비해유리해질전망이다. 비메모리 : TSMC 재기, 중국 SMIC 의추격 삼성비메모리가동률하락예상 TSMC는애플물량회복으로주가전고점갱신, SMIC는설계업체성장과국산화로시장성장률상회, 삼성은올해비메모리가동률하락예상 TSMC 는 215 년삼성의 14nm 선제적전환으로애플물량의절반이상을뺏겼었다. 비메모리시장전반의수요둔화로시장규모도 -2.3% 감소하면서주가조정이있었다. 하지만최근에 1nm 로전환하고 16nm 공정을확장 (2 월 4K 3 월 8K) 하면서대부분의애플물량 (A1 칩 ) 을확보했다. 비메모리시장도작년대비기저효과로 3% 증가가예상된다. TSMC 의실적은업황둔화와애플물량감소에도불구하고 215 년에도전년대비매출액 5.6%, 영업이익 3.5% 증가하면서선방했다. 성장은둔화되었지만연속 5 년동안의성장을이어나갔다. 영업이익률은 38.2% 를기록하며작년수준인 38.9% 와비슷하게유지했다. 이러한실적의안정성이 TSMC 주가의장기적상승추세를이어나가게해주는중요한요소이다. SMIC 는국산화수요와중국팹리스성장에따라매출액이전년대비 13.5% 성장했다. 가동률상승으로영업이익률이 6.6% 에서 1.% 로상승하면서영업이익은전년대비 72.3% 증가했다. TSMC 보다월등한매출성장률과영업이익증가율을기록했다. 현재중국수입금액 1 위는비메모리반도체로 IC 칩수요의 9% 이상을수입하고있다. 215 년상반기에만 71 억달러수입 (-.1% YoY) 했다. 214 년중국 IC(Intergrated Circuit, 비메모리 ) 설계시장은 1,47 억위안으로전세계 IC 시장의 34.7% 를차지한다. 설계시장은전년대비 29.5% 성장했다. SMIC 의매출의 5% 는중국고객사로부터나온다. 향후에도설계업체성장과국산화수요로시장성장을상회할전망이다. 삼성은 14nm 애플확보로비메모리부문이 214 년 9,69 억원적자에서 215 년 6,94 억원으로흑자전환했었다. 퀄컴의신규칩 (Snapdragon 84) 은확보했지만 1 억개이상의애플 AP 물량을뺏기면서비메모리가동률하락이예상된다. 차세대반도체와새로운기술 보완재역할, 저전력이핵심 인텔과마이크론이 3D X point 를 3D NAND 다음양산목표로정하고있는가운데삼성도 3D X point 기술을개발했다. 3D X 포인트는 ReRAM 과 3 차원구조를결합한기술이다. 차세대반도체의특징은 DRAM 의고속성과 NAND 의고용량화를모두갖추고있다는점이다. 다만 DRAM 과 NAND 를대체할시장의니즈가충분치않고기존설비를바꿔야하며양산성이떨어진다. 메모리가격이지속적으로하락하고있는상황도대체를어렵게만든다. 삼성이양산에나서지않는이유다. 차세대반도체는 DRAM/NAND 를보완하는역할이될전망이다. 지난몇십년간반도체기술은 PPA(Performance/Power consumption/chip Area) 중에서도속도가빠르게발전했다. 최근에는속도개선보다는저전력이핵심이되어가고있다. Tunneling/Spin Transistor 과같은차세대반도체기술은터널링현상이나전자의회전방향을이용하여전력소비를최소화하기위한기술이다. 5

6 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 글로벌비메모리업체상대주가추이 (6/13=1) 삼성전자 15 TSMC SMIC /13 12/13 6/14 12/14 6/15 12/15 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 글로벌 DRAM 업체상대주가추이 (6/13=1) 3 삼성전자 SK하이닉스 Micron DRAM 산업과점화이후다운사이클로인한주가하락구간 2 1 6/13 12/13 6/14 12/14 6/15 12/15 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 글로벌 NAND 업체상대주가추이 (6/13=1) 삼성전자 18 인텔 샌디스크 15 도시바 /13 12/13 6/14 12/14 6/15 12/15 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 6

7 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 글로벌 PEER 분석 DRAM: 미국 Micron, 1 분기적전, 2 분기흑전예상 SK 하이닉스주가 2 분기동반반등예상 NAND: 3D NAND 삼성독주속후발업체협력강화, 삼성의 CTF 구조와 TANOS 기술이우월 비메모리 : TSMC 애플물량회복, 중국 SMIC 의추격 삼성비메모리가동률하락예상 마이크론 1분기실적부진이후 2분기부터 2nm ramp up으로인한원가절감효과로실적회복예상 마이크론은 215 년 4 분기 (215 년 9 월부터 11 월 ) 실적발표를통해 1 분기에영업적자 6, 만달러 ~ 2, 만달러를가이던스로제시했다. 1 분기실적부진의이유는 1) 계절적인비수, 2) 수요감소에따른가격하락이예상되기때문이다. 2 분기부터는수요개선과 2nm Ramp up 으로인한원가절감효과를누리면서실적회복이예상된다. 국내메모리업체도수요감소에따른가격하락으로 1 분기가부진하고이후개선될전망이다. 다만 Micron 과의마진차이 ( 삼성 DRAM 부문과영업이익률 27% 차이, SK 하이닉스 DRAM 부문과 16% 차이 ) 를고려했을때실적부진의정도는덜할전망이다. 마이크론은최근이노테라를인수했다. 기존에도계약을통해이노테라로부터 1% 공급받았었기때문에점유율과매출의큰차이는없다. 공급가격은전공정비용 + 이노테라마진 + 마이크론후공정비용 + ASP 의일정비율 ( 전분기 EBITDA 에연동 ) 로책정됐었다. 인수로인해달라진점은이노테라의 Cash Flow 를이용할수있고, 이노테라마진부분에서오는가격변동성리스크제거가가능하다는점 ( 마이크론마진개선가능성 ) 이다. 마이크론 216 년 1 분기 (215 년 9 월부터 11 월까지실적 ) 실적요약 ( 백만달러 ) 215 년 9~11 월 215 년 6~8 월 QoQ 214 년 9~11 월 YoY 컨센서스차이 매출 3,35 3,6 (6.9) 4,573 (26.7) 3,472 (3.5) 영업이익 (45.3) 1,9 (78.7) 285 (18.6) 영업이익률 순이익 (56.3) 1,3 (79.5) 213 (3.3) 자료 : Micron, Bloomberg Consensus, 신한금융투자 마이크론부문별실적추이 ( 백만달러, %) 12/14~2/15 3/15~5/15 6/15~8/15 9/15~11/ DRAM 매출 2,697 2,359 2,173 1,958 9,187 QoQ (13.3) (12.5) (7.9) (9.9) YoY (3.2) (13.6) (23.9) (37.) (2.) Bit growth (9) (2) (1) 2 (3) ASP 변동률 (5) (1) (7) (13) (17) 매출총이익률 NAND 매출 1,325. 1,359. 1,287. 1,232 5,23 QoQ (5.3) (4.3) YoY (5.4) 1.4 Bit growth 11 (2) (6) 5 27 ASP 변동률 (8) 6 (1) (7) (13) 매출총이익률 Others 매출 자료 : Micron, Bloomberg Consensus, 신한금융투자 7

8 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 마이크론웨이퍼투입기준으로 15K, SK하이닉스 12K 2nm 전환, 삼성의작년 3K 때보다영향은적을것 215 년말까지이노테라의 Fab. 12K 중 8% 가 25nm 에서 2nm 전환이끝난것으로추정된다. 웨이퍼투입기준으로 96K(K= 웨이퍼 1 장 ) 가 2nm 캐파로될전망이다. 이물량이시장으로파급되면서 DDR3 의공급초과를심화시킬전망이다. 마이크론의일본히로시마 Fab.( 예전엘피다 Fab.) 의 DRAM Capa. 11K 가현재 25nm 이기때문에 216 년에 2nm 로전환되면서올해 DRAM 공급증가에영향을줄것으로예상된다. 마이크론 ( 이노테라합병 ) 메모리 Capa 현황및예정 마이크론의목표대로 2nm 테크비중 ( 생산량기준 ) 이상반기까지 5% 로상승한다면총웨이퍼투입기준 15K( 캐파기준 4%) 가 2nm 로증가하게된다. SK 하이닉스와삼성전자의 2nm 와는 Net die( 실제생산된정상칩의개수 ) 가적어생산성수준으로보았을때는삼성과하이닉스의 25nm 수준이예상된다. SK 하이닉스도마이크론처럼 2 분기부터 2nm ramp up 이본격적으로이루어질전망이다. SK 하이닉스는올해 2nm 전환이웨이퍼투입기준으로 12K 가예상된다. 웨이퍼투입기준으로도작년의삼성전자 26K 의 2nm 전환때와는 Net die 수가적을것으로예상되기때문에공급증가율의완화가예상된다. 3Q15 위치초기생산현재캐파 ( 웨이퍼투입기준 ) 예정캐파현미세화예정미세화 회사 Fab. 명국가도시메모리종류 DRAM NAND Others Total 웨이퍼 nm nm Inotera Fab 1 Taiwan Taoyuan DRAM 1Q4 6, - - 6, 6, 2 - Fab 2 Taiwan Taoyuan DRAM 1Q7 6, - - 6, 6, 2 - Micron Taiwan Taichung Houli DRAM 2Q7 8, - - 8, 8, (DRAM) Fab-M Taiwan Kueishan, Taoyuan DRAM Fab 15 Japan Hiroshima-shi DRAM 4Q2 11, , 11, 25 2 (DRAM) Fab 6 U.S. Manassas DRAM/NAND 2Q3 45, 22, 3, 7, 7, 22 2 (NAND) Fab 1N Singapore - NAND 1Q11-1, - 1, 1, 16 (NAND) 16 (NAND) Fab 1X Singapore - NAND 2H , - - Fab 7 Singapore Woodlands NAND 4Q6-65, - 65, 65, 16(NAND) 16(NAND) Fab 13 Singapore Singapore NAND/NOR 21 3, 3, 65(NOR) 65(NOR) 자료 : Gartner, 신한금융투자 총합계 355, 187, 3, 575, 675, - 마이크론영업실적추이및전망 ( 백만달러, %) 12/14~ 2/15 3/15~ 5/15 6/15~ 8/15 9/15~ 11/15 12/15~ 2/16F 3/16~ 5/16F 6/16~ 8/16F 9/16~ 11/16F 12/14~ 11/15F 12/15~ 11/16F 12/16~ 11/17F 매출액 4,166 3,853 3,6 3,35 3,48 3,195 3,39 3,66 14,969 13,239 14,753 매출총이익률 영업이익 (39) , ,772 영업이익률 (1.1) 순이익 (19) , ,463 자료 : Bloomberg Consensus, 신한금융투자 8

9 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 SK하이닉스와마이크론의주가상관계수.94, 실적이개선되는 2분기시점부터주가동반반등예상 마이크론의 216 년가이던스는 DRAM 시장수요 Bit growth 25%, 공급 Bit growth 25% 미만이다. 대부분의 Bit growth 가하반기에발생할것으로전망했다. 긍정적인점은마이크론은 DDR3 가 2nm 생산으로나오게되고, 삼성과하이닉스는수요가양호한 DDR4 생산을늘리는데집중한다는점이다. SK 하이닉스와마이크론주가상관계수는과점화이후인 214 년.93, 215 년.94 로 1 에가까운높은양의상관관계를가졌다.( 상관계수가 이면 SK 하이닉스와마이크론주가간의상관관계가전혀없고, 1 이면완전한양의상관관계가있음 ). 마이크론의 2 분기흑자전환이확인되면 2~3 분기까지마이크론과 SK 하이닉스주가가반등이지속될가능성이높다. 216 년은과점화이후처음맞는다운사이클에서마이크론과 SK 하이닉스의지속가능한영업이익률을확인하는해가될전망이다. 마이크론영업이익, 영업이익률추이및전망 ( 백만달러 ) 1, 8 영업이익 ( 좌축 ) 영업이익률 ( 우축 ) (%) (2) 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F 자료 : Bloomberg consensus, 신한금융투자 (5) SK 하이닉스와마이크론주가상관계수추이 (.2) 자료 : Bloomberg consensus, 신한금융투자 SK하이닉스와 Micron 의연도별주가상관계수 상관계수 (.13) 자료 : 신한금융투자 9

10 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 마이크론과 SK 하이닉스상대주가추이 (1/14= 1) SK 하이닉스 마이크론 /14 7/14 1/15 7/15 1/16 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 SK 하이닉스, 마이크론주가추이 ( 원 ) SK하이닉스 55, 마이크론 45, 35, 25, ( 달러 ) SK 하이닉스, 마이크론시장 (Kospi, Nasdaq) 대비초과수익률추이 (%) SK하이닉스 4 마이크론 , 1/14 7/14 1/15 7/15 1/16 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 (1) 1/13 7/13 1/14 7/14 1/15 7/15 1/16 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 SK 하이닉스, PER 밴드 SK 하이닉스, PBR 밴드 ( 원 ) 6, ( 원 ) 6, 1.9x 1.6x 45, 3, 12.x 1.x 8.x 45, 3, 1.4x 1.2x.8x 15, 6.x 4.x 15, 자료 : QuantiWise, 신한금융투자 자료 : QuantiWise 신한금융투자 1

11 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 NAND: 3D NAND 후발업체협력강화되나삼성 CTF 구조와 TANOS 방식이우월 샌디스크와도시바생산라인 공동운영및 3D NAND 48 단 공동개발, 5 조원, 6k 투자예상 215 년 1 월 HDD(Hard Disk Drive) 업체인웨스턴디지털이 NAND 업체인샌디스크를 19 억달러에인수했다. PC 의 HDD 가노트북을중심으로 SSD(Solid States Drive) 로대체되고있기때문에이번인수는웨스턴디지털입장에서는최선의선택이었다. 샌디스크의경우에도주요응용제품인 USB 의성장세가꺽이면서어려움을겪고있던와중에투자자본을얻을수있는기회였다. 서로의생존을위한것이었지만배후에는중국칭화유니의입김도있었다. 칭화유니는 215 년 9 월웨스턴디지털의지분 15% 를 38 억달러에인수하며최대주주로등극했다. 칭화홀딩스회장은반도체파트너들과조성할펀드의규모가 1 억위안으로최대 2 억위안 ( 약 36 조원 ) 에달할것으로예상했다. 대만후공정업체파워텍 (SPIL 과 ChipMOS 도 25% 지분획득 ), 대만 AP(Application Processor) 설계업체미디어텍까지인수한이후중국에 1.7 조를투자해메모리반도체공장을짓는다고발표했었다. 다만최근웨스턴디지털이샌디스크를인수하는데필요한자금을칭화유니가지원을철회했다. 미국의대외투자심의위원회에서는심의를세밀하게진행할예정이다. 샌디스크는도시바와 NAND 생산라인 3 개를 5:5 으로공동투자해운영중이다. 3D NAND 48 단도함께개발및생산하고있다. 요카이치공장내신규팹에장비설치를시작했으며 216 년 1 분기부터생산에들어간다. 도시바는 215 년 4 조원가량의적자를기록했음에도불구하고 3D NAND 증설을위해 4 조원을투자하기로결정했다. 투자금액으로미루어보아 218 년까지 6K 규모의캐파증설이예상된다. 도시바는현재 3D NAND 32 단으로생산한 SSD 를공급하고있다. 218 년 64 단 3D NAND 생산목표, 219 년 3 월대량생산이목표이기때문에매년 2 조원에가까운투자금액이필요하다. 이를위해서는자금조달을위한방안이필요한상태이다. 글로벌 NAND 시장점유율추이 (%) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15 Samsung Toshiba SanDisk Micron SK Hynix Intel Total 자료 : Dramexchange, 신한금융투자 중국칭화유니, 미국 Western digital 과 Sandisk, 일본 Toshiba, 한국 SK 하이닉스의관계도 칭화홀딩스 SK 하이닉스 칭화유니 협력가능성증대 Western Digital JV(Joint Venture) Sandisk Toshiba 자료 : 신한금융투자 11

12 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 도시바와샌디스크는 3D NAND 를 SONOS Cell로, 삼성전자는 TANOS Cell로구성, 삼성의기술이우월 도시바의 215 년 3 분기 (215 년 9~12 월 ) NAND 실적은 ASP 가 15% 감소하였고, 13% 의영업이익률 ( 삼성전자 12%) 을기록했다. 도시바의다른사업부문대비가장수익성이좋은 NAND 사업을공격적으로확장하는전략으로보인다. 도시바와샌디스크의 3D NAND BiCS 는 SONOS(Si/Oxide/Nitride/Oxide/Si) Cell 로구성되어있다. 반면삼성전자의 3D NAND 는 TANOS(Ta/AIO/Nitride/Oxide/Si) Cell 로구성된다. TANOS 와 SONOS 모두 Floating Gate 구조대비공정과정이적고면적이작아칩크기와원가를감소시킬수있다. 하지만 TANOS 는 SONOS 의후속기술로 SONOS 의실리콘 (Si) 대신탄탈 (Ta) 을적용하여쓰기 / 지우기특성을대폭향상시킨기술이다. 기술의유무와적층정도를배제하더라도삼성전자의 3D NAND 기술이태생적으로도시바와샌디스크의기술대비우위에있다. 이미 3D NAND 48 단 (217 년 64 단예상 ) 을대량생산을하고있는삼성이 2 년앞서있는가운데이격차는계속유지될전망이다. NAND 경쟁력이취약한 SK 하이닉스는칭화유니의지분투자제안을거절했지만일본도시바와의협력가능성은열려있다. 최근도시바가재무적어려움에처하면서 Capex 투자를감당할수있을지에대한우려가있다. SK 하이닉스입장에서는, NAND 경쟁력을강화할수있고도시바의입장에서는 SK 하이닉스의자본을활용할수있다. 마이크론이인텔과 3D NAND 를공동개발하며협력을강화하고있기때문에 SK 하이닉스도전략적협력이필요한상태이다. 삼성과도시바의 3D NAND 구조비교 도시바사업부문별영업실적추이및전망 ( 백만달러, %) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15 4Q F 217F 매출 19,82 13,848 16,353 14,83 16,218 11,126 13,288 11,935 52,567 48,853 51,764 YoY.5 (.3).6 (8.8) (15.) (19.7) (18.7) (15.2) (17.) (7.1) 6. Power and Social Infrastructure 5,794 3,671 4,628 3,714 5,75 3,62 4,232 3,555 15,924 YoY (3.7) (12.4) (16.6) (8.6) (4.3) (1.6) Electronic Devices( 반도체및 LCD 사업 ) 3,889 3,554 4,22 3,881 3,699 3,41 3,573 3,222 13,535 YoY (5.) (6.1) 1.1 (4.9) (12.8) Community and Solution 4,127 2,823 3,169 2,756 3,554 2,393 2,879 2,781 11,67 YoY (8.6) (13.9) (15.2) (9.1).9 (3.4) (9.8) Life Style( 가전제품사업 ) 3,2 2,668 2,72 2,528 2,194 1,611 1,828 1,725 7,358 YoY - (13.5) (26.4) (31.4) (39.6) (32.8) (31.8) (5.6) (33.8) Other 2,73 1,132 1,634 1,24 1,697 1, ,144 영업이익 1, (263) (9) (651) (1,145) (2,149) (1,692) 1,67 영입이익률 (1.6) (.8) (4.9) (9.6) (4.1) (3.5) 3.1 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 12

13 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 인텔과마이크론 3D NAND 공동 개발해고객들에게샘플제공, 4 조원투입하여 6K 투자예상 인텔은중국다롄공장에 4 조원을투자하여조립공장을 3D NAND 공장으로전환할계획을발표했다. 218 년생산규모는도시바 - 샌디스크와비슷한 6K/ 월로예상된다. 매년 1.6 조의투자가필요하다. 올해하반기부터일부생산이시작된다. 인텔은 PC 시장침체속에매출비중의 5% 이상을차지하는 PC 향프로세서 ( 시장점유율 9% 이상 ) 판매가감소하면서 Client Computing Group(CCG) 매출이전년대비 8% 이상감소하고있다. 반도체사업을하고있는 Dater Center Group(DCG) 의성장은 1% 이상증가 ( 반도체산업성장률을상회 ) 하고있기때문에공격적확장이예상된다. 특히아직침투율이 7.8% 로낮은서버향 SSD 시장을노리고있는것으로보인다. 인텔과마이크론은 3D NAND 를공동개발해고객들에게샘플을제공한상태이다. MLC(Multi Level Cell) 256Gb, TLC(Tripple Level Cell) 384Gb 으로생산될예정이다. 삼성과 SK 하이닉스의 3D NAND 는 CTF(Charge Trap Flash) 구조를, 인텔 / 마이크론은기존 NAND 구조인플로팅게이트 (Floating gate) 구조를적용했다. CTF 구조는컨트롤게이트하나로구성되며, 기존플로팅게이트대신에부도체빈공간에전하를저장한다. 반면플로팅게이트구조는컨트롤게이트와플로팅게이트 2 개의게이트로구성되며, 플로팅게이트에전하를저장한다. CTF 구조는게이트가하나이기때문에상대적으로낮은높이가가능하고, 부도체에전하를저장함으로써셀사이간섭을줄일수있다. 삼성은 CTF 구조를원통형으로만들어 3 차원구조를 3D NAND 에적용했다. 이를통해셀간간격이좁아져간섭현상이심해지는문제를해결했다. 인텔과마이크론의 3D NAND 구조 자료 : Intel/Micron, 신한금융투자 인텔사업부문별영업실적추이및전망 ( 백만달러, %) 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15 4Q F 217F 매출 12,58 12,811 13,483 13,834 12,764 13,831 14,554 14,721 12,781 13,195 14,465 14,914 55,355 58,731 61,332 YoY (2.5) (5.1) (4.6) (.6) 1.3 (.9) Client Computing 8,54 8,16 8,44 8,616 8,97 8,718 9,191 8,866 7,42 7,537 8,56 8,756 32,219 YoY (4.7) (6.) (2.2) (8.4) (13.5) (7.5) (1.2) (.1) Data Center( 반도체사업 ) 2,777 2,944 3,178 3,262 3,87 3,59 3,7 4,91 3,679 3,85 4,14 4,38 15,977 YoY IoT ,298 Software and Services ,167 Other ,694 영업이익 2,519 2,719 3,54 3,549 2,51 3,844 4,54 4,453 2,615 2,896 4,192 4,299 14,2 15,348 16,912 영업이익률 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 13

14 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 삼성과하이닉스의 CTF 방식이인텔- 마이크론의플로팅게이트구조보다집적도를높일수있어칩단위당원가절감가능 마이크론은기존플로팅게이트구조를사용하지만 NAND 기본데이터저장단위인셀을구성하기위한수직적인게이트구조를만들었다. 워드라인과컨트롤게이트는 ONO 와 polysi 이수직으로교차적층, 플로팅게이트는 polysi 로이루어져있다. 수직적으로적층된구조에 Hole 을낸후 Tunnel-Oxide 와채널을구성한다. 근본적으로삼성과하이닉스의 CTF 방식은인텔 - 마이크론의플로팅게이트구조보다집적도를높일수있기때문에지속적으로칩단위당원가를낮출수있다. 단점으로는기존 2D NAND 공정을활용할수없다는점과 Leakage 이슈등이발생할수있다. 3D NAND 는 3-4nm 노광장비를사용할수있고적층수를늘려나가면서생산성을개선시킬수있기때문에 2D NAND 미세화의한계를극복가능하다. 다만종횡비증가로인한문제해결과추가공정으로장비 / 소재비용이증가한다. 원가를낮추면서집적도를높여 SSD 시장에서의경쟁력을높이는것이두업체의목표이다. 3D NAND 로드맵전망 F 217F 218F 219F 삼성 36단 MLC 36단 48단 64단 9단이상 128단 SK Hynix 36단샘플 48단 48단 7단이상 9단이상 도시바- 샌디스크 32단 48단 48단 64단 9단이상 인텔- 마이크론 32단샘플 32단 48단 64단 9단이상 자료 : 신한금융투자 글로벌 DRAM 업체 Peer Valuation 회사삼성전자하이닉스마이크론이노테라난야 시가총액 (US$ Bn) PER (x) F PBR (x) F EV/EBITDA (x) F ROE (%) F 자료 : Bloombergm, 신한금융투자 글로벌 NAND 업체 Peer Valuation 회사삼성전자인텔하이닉스샌디스크마이크론도시바 시가총액 (US$ Bn) PER (x) N/A 216F N/A PBR (x) F EV/EBITDA (x) F N/A ROE (%) F (14.7) 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 14

15 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 비메모리 : TSMC 재기, 중국 SMIC 의추격 삼성비메모리가동률하락예상 로우엔드급과레젼더리칩은 SMIC, 퀄컴의신규칩은삼성, 애플과나머지대만업체향은 TSMC로파운드리포지션형성 TSMC 는 215 년삼성의 14nm 선제적전환으로애플물량의절반이상을뺏겼었다. 비메모리시장전반의수요둔화로시장규모도 -2.3% 감소하면서주가조정이있었다. 하지만최근에 1nm 로전환하고 16nm 공정을확장 (2 월 4K 3 월 8K) 하면서대부분의애플물량 (A1 칩 ) 을확보했다. 2 분기부터는자체패키징방식인 In-FO(Integrated fan-out) 의대량생산을시작한다. 비메모리시장도작년대비기저효과로 3% 증가가예상이된다. TSMC 의주가는전고점을갱신했다. TSMC 의실적은업황둔화와애플물량감소에도불구하고 215 년에도전년대비매출액 5.6%, 영업이익 3.5% 증가하면서선방했다. 성장은둔화되었지만연속 5 년동안의성장을이어나갔다. 영업이익률은 38.2% 를기록하며작년수준인 38.9% 와비슷하게유지했다. 이러한실적의안정성이 TSMC 주가의장기적상승추세를이어나가게해주는중요한요소이다. 애플은 TSMC 에다시주문을주었지만퀄컴은 82 칩을삼성의 14nm 공정을통해생산했다. 퀄컴의 28nm 주문은 SMIC 와 UMC 로향했다. 대표적인로우엔드 AP 업체미디어텍이대만 IC RichtekTechnology 를인수하면서 TSMC 에주문을늘리고있다. 비메모리파운드리의포지션이명확해졌다. 로우엔드급과레젼더리칩은 SMIC, 퀄컴신규칩은삼성, 애플과대만계팹리스는 TSMC 로나눠진다. 삼성은 14nm 애플확보로비메모리부문이 214 년 9,69 억원적자에서 215 년 6,94 억원으로흑자전환했었다. 퀄컴의신규칩은확보했지만 1 억개이상의애플 AP 물량을뺏기면서삼성의비메모리가동률하락이예상된다. 글로벌비베모리시장규모추이및전망 ( 십억달러 ) 비메모리 ( 좌축 ) 4 성장률 ( 우축 ) (%) (1) 자료 : Gartner, 신한금융투자 F 217F 218F 219F (3) TSMC 영업실적추이및전망 ( 백만달러, %) F 217F 매출액 1,574 8,957 13,331 14,531 17,137 2,11 25,166 26,57 28,428 31,263 YoY 7.7 (15.3) 매출총이익 4,499 3,917 6,579 6,63 8,256 9,463 12,461 12,927 13,814 15,283 매출총이익률 YoY 3.8 (12.9) 영업이익 3,315 2,785 5,58 4,816 6,142 7,53 9,794 1,141 1,857 12,173 영업이익률 YoY (2.5) (16.) 81.6 (4.8) 당기순이익 3,172 2,72 5,135 4,566 5,624 6,337 8,76 9,657 9,666 1,671 매출순이익률 YoY (4.6) (14.8) 9. (11.1) 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 15

16 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 SMIC 국산화수요와중국팹리스성장에따라높은실적상승률기록 (TSMC 매출 5.6% 증가 < SMIC 13.6%) SMIC 는국산화수요와중국팹리스성장에따라매출액이전년대비 13.5% 성장했다. 가동률상승으로영업이익률이 6.6% 에서 1.% 로상승하면서영업이익은전년대비 72.3% 증가했다. TSMC 보다월등한매출성장률과영업이익증가율을기록했다. 현재중국수입금액 1 위는비메모리반도체로 IC 칩수요의 9% 이상을수입하고있다. 215 년상반기에만프로세서 / 컨트롤러 / 기타 IC 칩을 71 억달러수입 (-.1% YoY) 했다. 214 년중국 IC(Intergrated Circuit, 비메모리 ) 설계시장은 1,47 억위안으로전세계 IC 시장의 34.7% 를차지한다. 설계시장은전년대비 29.5% 성장했다. SMIC 매출의 5% 는중국고객사로부터나온다. SMIC 의단일고객사중에서가장매출비중을많이차지하는업체는화웨이이다. 화웨이는 215 년 1 억 8 만대의스마트폰을판매하며전세계점유율 9.9% 로 3 위에올라섰다. Baseband, PMIC(Power Management IC) 등다양한칩을 SMIC 의파운드리에맡기면서매출증가에기여했다. SMIC 는 28nm 로 4 분기부터퀄컴의 Snapdragon 41 칩생산예정이었으나지연이발생했다. 28nm Ramp up 은 216 년중반부터본격적으로될예정이다. 28nm 지연이부정적으로작용할여지는중국업체에대한신뢰도가하락할수있다는점이다. 지진으로인해 TSMC 는 Tainan 의 Fab. 이충격을받았다. Tainan Fab. 은웨이퍼투입기준으로전체캐파의 29% 를차지한다. 전체웨이퍼출하량의 1% 이상의손실이예상된다. SMIC 에게는기회요인이될전망이다. 다만정부승인과지진으로인해 TSMC 가중국에 Fab. 건설을서두르고있어경쟁이치열해질전망이다. 214 년글로벌비메모리파운드리점유율 (%) 자료 : Gartner, 신한금융투자 TSMC UMC 글로벌파운드리삼성전자 SMIC SMIC 영업실적추이및전망 ( 백만달러, %) F 217F 매출액 1,7 1,548 1,32 1,72 2,69 1,97 2,236 2,671 3,6 YoY (2.9) 44.6 (14.8) (4.8) 고객사지역별매출 유라시아 비중 중국 비중 북미 비중 영업이익 (555) 58 (18) 영업이익률 (51.9) 3.8 (13.6) 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 16

17 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 TSMC 와삼성상대주가추이 (28=1) 3 삼성전자 TSMC 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 TSMC와 SMIC의 Capa. 현황 Foundry/IDM Fab 명칭 도시 국가 생산개시일 현재캐파 계획캐파 웨이퍼지름 최소선폭 ( 월웨이퍼투입기준 ) ( 월웨이퍼투입기준 ) (mm) (micron) TSMC Fab 2A Hsin-chu Taiwan ,15 47, Fab 2B Hsin-chu Taiwan ,15 47, Fab 3 Hsin-chu Taiwan , 1, 2.18 Fab 5 Hsin-chu Taiwan , 5, 2.18 WaferTech Camas U.S , 38, 2.18 Fab 8A Hsin-chu Taiwan , 46, 2.13 Fab 6 Tainan Taiwan 2 14, 14, 2.13 Fab 14 (Phase 2) Tainan Taiwan 25 5, 5, 3. Fab 8B Hsin-chu Taiwan 2 46, 46, 2.13 Fab 12 (Phase 1) Hsin-chu Taiwan 22 25, 25, 3.45 Fab 14 (Phase 1) Tainan Taiwan 24 5, 5, 3.45 TSMC China Shanghai China 24 15, 11, 2.18 Fab 12 (Phase 2) Hsin-chu Taiwan 25 25, 25, 3.45 Fab 12 (Phase 3) Hsin-chu Taiwan 26 25, 25, 3.45 Fab 12 (Phase 4) Hsin-chu Taiwan 29 15, 15, 3.32 Fab 15 (Phase 1) Taichung Taiwan , 25, 3.22 Fab 14 (Phase 3) Tainan Taiwan 28 5, 5, 3.45 Fab 14 (Phase 4) Tainan Taiwan 21 5, 5, 3.32 Fab 12 (Phase 5) Hsin-chu Taiwan 21 25, 25, 3.32 Fab 12 (Phase 6) Hsin-chu Taiwan 212 2, 25, 3.22 Fab 14 (Phase 5) Tainan Taiwan , 45, 3.22 Fab 14 (Phase 6) Tainan Taiwan 214 2, 2, 3.22 Fab 14 (Phase 7) Tainan Taiwan , 35, 3.22 Fab 12 (Phase 7) Hsin-chu Taiwan , 25, 3.1 Fab 15 (Phase 2) Taichung Taiwan , 25, 3.22 Fab 15 (Phase 3) Taichung Taiwan , 25, 3.22 Fab 15 (Phase 4) Taichung Taiwan , 25, 3.22 TSMC 합계 1,123,3 1,153,3 SMIC Fab 7 Tianjin China 23 39, 42, 2.13 S1 Pudong China 21 99, 1, 2.9 Fab 8 Pudong China 27 15, 15, 3.32 Beijing Megafab (Phase 1) Beijing China 24 43, 43, 3.32 Fab SZ1 PingShana China ,5 2, 2.13 SMIC 합계 213,5 22, 자료 : 신한금융투자 17

18 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 수급분석 : DRAM 2.2% 공급초과, 업황상저하고예상 216 년 DRAM 수요 : DRAM 가격하락에따른탑재량증가와기저효과로수요 Bit growth 22.2% 스마트폰 BOM Cost 메모리원가비중 1-2%, BOM Cost 하락으로탑재량증가기대 216 년 DRAM 공급 : Bit growth +22.3% 예상, 재고가있는상태이므로 2.2% 공급초과유지 215 년공급초과원인은신흥국통화가치하락에따른구매력감소로수요부진 (215 년초전망 25% 실제 2% 기록 ) 215 년공급초과의원인은수요가예상과달리부진했기때문이다. IT 수요부진은신흥국통화가치하락으로인한구매력감소가원인이다. DRAM 업체는작년초 215 년수요 Bit growth 를 2% 중반대로예상했다. 실제로는 2% 에불과해공급초과가발생했다. 특히수요가부진했던부분은 PC(Personal Computer) 이다. PC DRAM 수요 B/G 는 214 년 +1.9% 215 년 -11.6% 로급감했다. 태블릿용 DRAM 수요 B/G 는 214 년 55.1% 216 년 2.% 로급감했다. 소비자가전용 DRAM 수요 B/G 도 214 년 6.8% 215 년 25.9% 로급감했다. 수요성장률둔화에대한시장의선형적인가정과달리신흥국통화가치하락때문에신흥국수요의급락이발생했다. 글로벌 DRAM 수요추이및전망 기존수요예측에맞춰삼성은 DRAM 17 라인 ( 화성 ) 4K( 글로벌캐파의 3%) 신규증설도단행했다. 삼성은 DRAM 가격이하락해도원가절감을통해 DRAM 영업이익률을개선시킬수있었기때문에 25nm 에서 2nm 미세화도빠르게진행했다. 그나마 SK 하이닉스와마이크론 (215 년 Bit growth -3%) 의 2nm 전환지연이발생하여더욱심각한공급초과사태는피할수있었다. ( 백만 Gb, %) F 217F 데이터처리 21, , , , ,617. 4,532.8 YoY 서버 3,625 5,174 6,889 9,175 11,713 14,591 YoY PC( 데스크탑 + 노트북 ) 11,126 9,848 1,38 8,876 8,574 9,85 YoY (11.5) 1.9 (11.6) (3.4) 6. Ultramobile ,652 1,945 2,314 2,667 YoY 태블릿 79 1,545 2,396 2,444 2,655 2,665 YoY 기타 5, , , , , ,524.2 YoY 통신기기 ( 모바일 ) 4,67.9 7, , , ,62.6 3,657. YoY Smartphone 3, , , , , ,127.3 YoY 소비자가전 1,898 2,939 4,726 5,951 7,338 8,813 YoY TV, LCD 1,1 1,4 2,98 2,784 3,527 4,456 YoY 자동차용 산업용 1,588 2,44 2,234 2,541 3,24 4,3 군수및기반시설용 전체 DRAM 수요 29,975 36,841 47,985 57,593 7,375 85,32 수요 Bit growth 자료 : Gartner, 신한금융투자추정 18

19 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 DRAM 수요 : 가격하락에따른탑재량증가와기저효과로수요 Bit growth 22.2% DRAM 공급업체의기대치하락으로인한기저효과로 216년 DRAM 수요 Bit growth 22.2% 예상 216 년에는 DRAM 수요 Bit growth 를 22% 로예상한다. DRAM 가격하락에따른기저효과가있다. PC DRAM 은가격하락에따른탑재량증가로개선 (215P -11.6% 216F-3.4%) 될전망이다. 신흥국통화가치하락이멈춘상태이므로신흥국수요도더이상악화되지는않겠다. 다만 DRAM 재고가소자업체내에서는감소했다고하나, 고객사내에는재고가있는상태이기때문에상반기까지는재고소진이필요할전망이다. 서버 DRAM 은작년과마찬가지로 27% Bit growth 로 B2B 기반안정적인수요가기대된다. 가장우려되는부분은모바일 DRAM 의경착륙가능성이다. 모바일 DRAM 수요성장률이탑재량증가를통해 % 216F 35% 로연착륙해준다면연말로갈수록업황개선도가능하다. 215 년모바일 DRAM 은예상대로스마트폰탑재량증가효과로인해 52.2% 증가했다. 216 년글로벌스마트폰출하량은전년대비 5% 증가에그칠전망이다. DRAM 탑재량은 3% 증가가예상된다. 216 년전체모바일 DRAM Bit growth 를 35% 로전망한다. 215 년하이엔드스마트폰의평균탑재량은 1.8GB(Gartner 기준 ), 로우엔드스마트폰의평균탑재량은 1.5GB(Gartner 기준 ) 로파악된다. 216 년에는로우엔드스마트폰의평균탑재량이 1.9GB 로상향되고, 하이엔드폰의탑재량은 2.2GB 로상승할전망이다. 신흥국통화지수와달러지수추이 (p) 13 달러화지수 ( 좌축 ) 신흥국통화지수 ( 우축, 축반전 ) (p) 자료 : Bloomberg, 신한금융투자 12 신흥국통화지수와수입액추이 (p) 12 신흥국통화지수 ( 좌축 ) 신흥국수입액 ( 우축 ) (% YoY 3MMA) (15) 7 (3) 6 (45) 자료 : CPB, 신한금융투자 19

20 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 스마트폰 BOM Cost 메모리원가비중 1-2%, 가격하락으로탑재량증가기대 모바일 DRAM 과 NAND 가격 하락으로인한스마트폰탑재량 증가예상 Teardown 이조사한아이폰에서메모리가차지하는원가비중은 1%, 갤럭시 S 시리즈와 Note 에서는 15~17% 를차지한다. IHS 자료에의하면아이폰은 15%, 갤럭시 S 시리즈는 2% 에이른다. 1 월 LPDDR3 16GB 기준으로고정가격이 214 년 1 월대비 28% 하락했다. 올해모바일 DRAM 과 NAND 가격이추가적으로 2% 가까이떨어지면서하락폭만큼의탑재량의증가가예상된다. 미드엔드 2GB 3GB, 하이엔드 3GB 4GB 의상향이예상된다. 최근샤오미 Mi5 와삼성갤럭시 S7 은 4GB DRAM 을탑재했으며, Vivo 의경우세계최초로 6GB 램을탑재한 XPlay5 를출시했다. 스펙경쟁을마케팅포인트로잡으면서탑재량증가가지속될전망이다. 로우엔드 BOM Cost 는파악이쉽지않으나 3% 에이를것으로추정된다. 로우엔드스마트폰의경우스마트폰 BOM Cost 에서가장큰비중을차지하는디스플레이 LTPS LCD 2 월가격이전년동기대비 6% 하락하고중국의 LTPS LCD 전환이지속되고있다. LTPS LCD 전환을통해고해상도디스플레이가중국로우엔드스마트폰에채용되면서 DRAM 탑재량이증가할전망이다 ( 고해상도디스플레일수록높은 DRAM 탑재량이필요, 디스플레이원가하락으로 DRAM 탑재량을늘릴수있는원가여유도증가 ). Teardown 기준스마트폰 BOM Cost와메모리비중 Galaxy Galaxy Galaxy Galaxy Galaxy Galaxy Galaxy iphone4 iphone4s iphone5 iphone5s iphone6 iiphone6s ( 달러, %) S4 S5 S6 Note 2 note3 note 4 note 5 출시일 1/6/24 11/1/14 12/ /9/2 14/9/19 15/9/18 13/1/23 14/3/27 15/4/1 12/9/26 13/9/25 14/9/26 15/8/21 NAND 용량 16GB 16GB 16GB 16GB 16GB 32GB 16GB 16GB 32GB 16GB 32GB 32GB 32GB Total BOM Cost Display/Touchscreen 비중 Battery 비중 Camera 비중 Connectivity 비중 Memory 비중 Nand N/A N/A 비중 N/A N/A DRAM N/A N/A GB 1GB 1GB 1GB 1GB 1GB 2GB 2GB 2GB 3GB 2GB 2GB 3GB 4GB 비중 N/A N/A Processor+BB Processor 비중 BB+XCR 비중 Power Mgmt/Audio 비중 Non-Electric 비중 Supporting Materials 비중 other 비중 자료 : Teardown, 신한금융투자 2

21 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 DRAM 공급 : Bit growth +22.3% 예상, 재고가있는상태이므로 2.2% 공급초과 SK하이닉스 DRAM 공급 B/G 21% 로시장소폭하회예상삼성전자공급 B/G 시장수준인 22%, 마이크론공급 B/G 시장상회하는 27~28% 예상 SK 하이닉스의 DRAM 공급 Bit growh 는 21% 로시장소폭하회가예상된다. 3 분기기준 SK 하이닉스의 DRAM 캐파는 27K( 웨이퍼투입기준월 27 만장 ) 이다. M1 Fab. 에 DRAM 13K 가있다. M1 캐파이전을위한신규 Fab M14 의최대수용캐파는 1K 이다. M1 Fab. 의일부라인은폐쇄하고, M14 에 5~6K 를장비입고기준으로상반기까지채울것으로예상된다. 수요부진으로올해안에 1K 를전부채우지는않을전망이다. 결론적으로 2nm 전환 12K 가예상된다. Ramp up 은 2~3 분기에본격적으로이뤄질전망이다. 삼성전자는시장수준인 22% 의공급 Bit growth 가예상된다. 18nm 생산비중은 1% 수준으로예상한다. 삼성은반도체 Capex 를 215 년 15 조에서 216 년 1 조로 3% 이상줄일계획이다. 마이크론은시장성장을상회하는수준 (27~28%) 이예상된다. 마이크론은올해상반기까지 2nm 생산비중을 5% 까지늘리는것이목표이다. 215 년 DRAM 시장공급 Bit growth 는 23.5% 로추정된다. 216 년공급 Bit growth 는 22.3% 로전망한다. SK 하이닉스 B/G 21%, 삼성전자 B/G 22%, 마이크론 27% 가예상된다. 재고가있는상태이기때문에 216 년공급 Bit growth 가 22% 에그치더라도작년과마찬가지로 2.2% 의공급초과는지속된다. 작년과다른점은업황이 215 년상고하저였다면 216 년상저하고가예상된다. 글로벌 DRAM 수급추이및전망 ( 백만 Gb, %) F 217F DEMAND 36,841 47,985 57,593 7,375 85,32 B/G (%) SUPPLY 36,93 47,64 58,835 71,956 86,419 B/G (%) Sufficiency( 공급 / 수요 ) 자료 : 신한금융투자추정 글로벌 DRAM 업체캐파현황과최대가능 Capa. 회사명라인명 DRAM/NAND 개시일 DRAM ( 장 / 월 ) NAND/Other ( 월 ) Tota ( 월 ) 최대가능 Capa. 마이크론합계 , 187,/3 575, 675, 난야합계 Fab 3A DRAM 4Q7 6, - 6, 6, 삼성전자 Line 17 DRAM 4Q14 4, - 4, 1, Fab 11-1 DRAM 4Q1 1, - 1, 1, Line 11-2 DRAM 2Q2 3, - 3, 3, Line 12-1 DRAM and NAND 2Q3 13, - 13, 13, Line 13 DRAM 2Q4 12, - 12, 12, Line 15 DRAM and NAND 2Q6 12, 1, 22, 22, Line 18 DRAM 3Q , China Line NAND 2Q14-7, 7, 15, Line 16 NAND 2Q11-2, 2, 2, 삼성전자합계 5, 37, 87, 1,7, SK 하이닉스 C2 DRAM 3Q6 13, - 13, 13, M1 DRAM 1Q5 13, - 13, 13, M14 DRAM 4Q , R3 DRAM 4Q6 1, - 1, 1, M12 NAND 2Q12-4,/45, 8, 12, M11 NAND 3Q8-14, 14, 14, SK 하이닉스합계 27, 18, 49, 63, 군소업체합계 47, 597,/121,5 765,5 951, 전체캐파 1,145, 1,334, 2,72,5 3,346, 자료 : Gartner, 신한금융투자 21

22 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 수급분석 : NAND 1.8% 공급초과, 삼성주도의공급초과 NAND 수요 Bit growth 39.7% 예상, SSD 성장률 69.6% 로수요견인지속 SSD 가 NAND 수요견인하면서 작년 NAND 수요 Bit growth 42.5% NAND 수요는 DRAM 과달리 215 년에도 Bit growth 42.5% 로견조했다. 특히 SSD 의수요 Bit growth 가 73.1% 를기록하며수요를견인했다. SSD 를탑재한노트북비중이 25% 까지상승했지만, 엔터프라이즈 SSD 와데스크탑의 PC 는침투율은각각 7.8%, 5.7% 에불과하다. 글로벌 NAND 수요추이및전망 215 년일반적인노트북의경우전년대비 1.8% 출하량이감소했고 216 년에도 9.4% 감소가예상됨에따라노트북업체들도 SSD 탑재노트북을늘릴전망이다. 동시에 128GB 에서 256GB 로탑재량증가가기대된다. 256GB SSD 과 HDD 가격차이는 3 달러이내로좁혀졌다. 데이터센터향의경우에도빅데이터트렌드와 SSD 가격하락으로 HDD 교체가빨라질전망이다. 216 년에 DRAMeXchange 에따르면 128GB SSD 와 5GB HDD 의가격차이는 3 달러이내로좁혀질전망이다. 아직까지침투율이낮고 SSD 가격하락이지속되고있기때문에 216 년 SSD 성장률은 69.6% 로고성장을유지할전망이다. 215 년통신 / 소비자향제품에서도일부제품고용량화진행으로 2% 의성장률을기록했다. NAND 가격이고점대비 64% 이상하락해탑재량증가로 216 년 29.2% 증가가예상된다. ( 백만 GB eqy, %) 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F F Communications Electronics 3,419 3,78 4,53 4,745 4,539 4,854 5,156 5,86 1,68 13,66 16,42 19,635 QoQ/YoY (15.1) (4.3) (1.4) Smart OS 3,383 3,62 4,392 4,56 4,496 4,837 5,18 5,36 1,54 13,444 15,955 19,477 QoQ/YoY(%) (15.1) (1.4) (1.4) Electronics Data Processing 13,595 15,49 16,752 18,826 2,654 22,547 24,584 26,47 29,639 43,46 64,222 94,192 QoQ/YoY Hard-Disk Drive QoQ/YoY (2.7) Other Data Processing , ,4.9 QoQ/YoY Ultramobile ,61.4 1, , ,113. 2, ,67.5 3, ,538.2 QoQ/YoY (6.4) (8.4) PC, Desk-Based QoQ/YoY (34.1) (3.9) 12.9 (54.1) (6.) (52.2) (38.1) RS3 Flash Cards 3,15.6 3, , , , ,92.3 3,8.9 4,91.9 8, , ,9.2 15,947.9 QoQ/YoY (8.6) (7.1) RS3 USB Flash Drives 1, ,54.8 1, , ,747. 1,798. 1, ,86.7 4,99.6 4, , ,29.8 QoQ/YoY (7.6) (6.7) Server QoQ/YoY (.4) (2.4) Solid-State Drives 7, , , , , ,974 17, , , , , ,363.7 QoQ/YoY Consumer Electronics 1,23.6 1, , , , , , ,37.6 4, , , ,66.3 QoQ/YoY (3.2) Portable Media Players , Automotive Electronics , ,58.2 Industrial Electronics Military/Civil Aerospace Total 18, , , , , , , , , ,2.2 9, ,83.4 Bit growth 자료 : Gartner, 신한금융투자추정 22

23 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 글로벌 PC 용 SSD 수요추이및전망 (1, PBs) PC SSD PBs( 좌축 ) (%) 성장률 ( 우축 ) F 217F 218F 219F 자료 : Gartner, 신한금융투자추정 글로벌엔터프라이즈용 SSD 수요추이및전망 (1, PBs) Enterprise SSD PBs( 좌축 ) 성장률 ( 우축 ) (%) F 217F 218F 219F 자료 : Gartner, 신한금융투자추정 3 글로벌데스크탑 PC 와엔터프라이즈향 SSD 침투율추이및전망 F 217F 218F 219F 데스크탑 PC ( 천대 ) 152, ,57 142, ,938 11,56 19,799 18,951 17,946 SSD 채용데스크탑 PC ( 천대 ) 1,421 2,339 4,262 6,417 9,844 16,835 29,921 47,342 데스크탑 PC SSD 침투율 (%) 엔터프라이즈향 HDD PBs( 페타바이트 ) 65,882 9, , , , , ,88 521,92 엔터프라이즈향 SSD PBs( 페타바이트 ) 1,258 3,266 6,92 15,321 3,349 49,73 79, ,595 엔터프라이즈향 SSD 침투율 (%) 자료 : Gartner, 신한금융투자 23

24 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 NAND 공급 : Bit growth 39.%, 1.8% 공급초과 삼성주도의공급초과예상 216 년 1 분기재고로인해 공급초과율 13.4% 전망, 4 분기 11% 로감소 2D NAND 공급증가가제한적인가운데상반기까지는삼성만 3D NAND 를대량양산하고있다. 웨이퍼투입기준으로 9K 규모이다. 하반기에는도시바와샌디스크, 마이크론과인텔, SK 하이닉스가각각 3D NAND 로 15K 씩양산을시작할예정이다. 삼성은 2D NAND 미세화도진행하기때문에삼성의 NAND 공급 B/G 는 48% 가예상된다. 도시바와샌디스크, 마이크론과인텔 3% 후반, SK 하이닉스 21% 로추정된다. 시장공급 Bit growth 는 39% 를전망한다. 글로벌 NAND 수급추이및전망 215 년 4 분기와 216 년 1 분기까지는재고로인해공급초과율이 13% 에이른후에 2 분기부터하락할전망이다. 재고가있는상태이기때문에 216 년에도소폭의공급초과가예상되나공급초과가 215 년 2.6% 에서 216 년 1.1% 로하락이예상된다. NAND 는 DRAM 과달리 SSD 덕분에수요가견조한상태라공급증가율이줄어들면공급초과의감소가가능하다. ( 백만 GB) 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F F 수요 18,988 21,15 23,675 26,256 27,751 3,467 32,673 34,939 45,76 63,2 9,69 125,83 QoQ/YoY (%) 재고 공급 19,61 21,385 24,34 26,871 28,642 3,854 32,863 35,265 45,541 64,231 92, ,14 QoQ/YoY (%) Sufficiency( 공급 / 수요 ) 자료 : Gartner, 신한금융투자추정 글로벌 NAND 캐파추이및전망 회사명 Fab. 명국가 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F 삼성 Fab12 한국 Fab16 한국 시안 중국 삼성 NAND Capa 합계 SK하이닉스 M11 한국 M12 한국 M14 한국 SK 하이닉스 NAND Capa 합계 도시바- 샌디스크 Yokkaichi Fab2(New) Japan Yokkaichi Fab3 Japan Yokkaichi Fab4 Japan Yokkaichi Fab5 Japan 도시바 - 샌디스크 NAND Capa 합계 마이크론-Intel Manassas USA Lehi USA Singapore Singapore JV-Tech Singapore DaLian China 마이크론 - 인텔 NAND Capa 합계 PSC Taiwan PSC NAND Capa 합계 전체 NAND 캐파 1,172 1,22 1,273 1,32 1,339 1,354 1,39 1,44 자료 : Dramexchange, 신한금융투자 24

25 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 DRAM 과 NAND 가격하향안정화예상 DRAM 가격 IT 비수기와재고 로인해 2 분기까지추가하락 예상, 3 분기부터하향안정화 가장최근 4Gb DRAM 고정가격저점은 212 년 11 월 1.59 달러였다. 12 월 DRAM 고정가격은 1.47 달러로지난하락사이클저점을갱신했다. 213 년 12 월최고점 3.94 달러대비 63% 하락한수치이다. IT 비수기와고객사내재고로인해 2 분기까지추가적하락이예상되고, 3 분기부터는다소안정화가예상된다. 현물가격은 1.57 달러로 214 년 7 월최고점 4.36 달러대비 64% 하락했다. 마이크론과 SK 하이닉스의 2nm ramp up 이진행되고있기때문에원가가하락하는한가격하락은당연하다. 가격반등보다는하향안정화가예상된다. NAND 고정가격은 212 년말잠깐의상승이있었지만 213 년하반기부터는지속적으로하락했다. 2 월 2.3 달러로 212 년 1 월최고점 5.52 달러대비 63% 하락했다. 최근 IT 제품의전반적인수요약세가가장큰원인이다. 다만공급측면에서 2D NAND 미세화가한계에봉착한가운데 3D NAND 생산이제한적인상태이다. 이로인해 NAND 현물가격은 215 년 9 월최저점 2.32 달러대비 15.5% 반등했다. 삼성이다소공격적으로 2D NAND 미세화와 3D NAND 48 단생산이동시에진행하고있기때문에고정가격은하향안정화가예상된다. 4Gb DDR3 512Mx8 DRAM 가격추이 ( 달러 ) 5 현물가격 고정가격 /12 1/13 7/13 1/14 7/14 1/15 7/15 1/16 자료 : Dramexchange, 신한금융투자 64Gb 8Gx8 MLC NAND 가격추이 ( 달러 ) 9 현물가격 고정가격 /12 1/13 7/13 1/14 7/14 1/15 7/15 1/16 자료 : Dramexchange, 신한금융투자 25

26 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 이슈분석 : 미래먹거리와새로운반도체기술 전장용반도체 218 년모든신차 DRAM 탑재한다해도 DRAM 에서차지하는비중 5% 에불과 차세대반도체 : ReRAM 과 3D X point( 인텔 vs 삼성 ) 기술 기존 DRAM/NAND 대체보다는보완 새로운반도체기술 (Tunneling Transistor/Spin Transistor) 저전력이속도보다우선 자동차인포테인먼트 ( 스마트카 ) 확산시디스플레이 / 반도체 / 전장 부품수요증가기대 최근 IT 수요의약화의원인은거시경제적요인과구조적요인으로나눌수있다. 구조적원인은스마트폰이후에그만한수요를창출할수있는 IT 응용제품이없다는점이다.( 웨어러블디바이스로는부족해보인다.) 핸드폰 /TV 가스마트폰 / 스마트 TV 로발전했지만아직도발전가능한제품은바로자동차이다. 인포테인먼트 라함은 Information 과 Entertainment 가결합된단어이다. 자동차와 IT 가결합하여자동차가정보 / 문화 / 생활공간이된다. 현재도사용되고있는내비게이션과오디오 /AV 시스템등이인포테인먼트시스템이라고볼수있다. 향후에는자동차의인포테인먼트화 ( 전장화 ) 가극대화될전망이다. 예를들면첨단주행보조시스템, Head-up Display( 차량전면유리에디스플레이적용하여일부정보표시 ), 타이어 / 배터리모니터링시스템, 야간주행버전적용등이대표적이다. 자동차인포테인먼트 ( 스마트카 ) 가대중적으로확산되면디스플레이 / 반도체 / 각종전장부품등의수요가늘어날수있다. 214 년차량용반도체시장은 29 억달러 (+1.3% YoY) 였으며, 22 년에는 4 억달러에달할것으로전망된다. 215 년차량용디스플레이규모는약 54 억달러 (+23.8% YoY) 가예상된다. 차량용카메라모듈시장은 212 년 14 억달러에서 215 년 35 억달러로증가가기대된다. 차량용 LED 시장은 211 년부터연평균 15.9% 증가하여 215 년 14 억달러에이를전망이다. 차량용 IT 단일품목중에서는차량용반도체가가장큰시장규모를가지고있다. 스마트카가되기위해서는차량용반도체가필요하다. 1) 각종기능을작동하기위한비메모리, 2) 데이터를처리하기위한일시저장용 DRAM, 3) 영구적으로데이터를저장하기위한 NAND 가있다. 글로벌 Top 7 차량용반도체공급업체의차량용반도체매출액 / 성장률 / 시장점유율 순위공급업체 213 ( 백만달러 ) 214 ( 백만달러 ) 214 성장률 (%) 214 점유율 (%) 1 Renesas Electronics 3,176 3,133 (1.4) Infineon Technologies 2,31 2, STMicroelectronics 2,22 2, Freescale 1,835 2, NXP Semiconductors 1,574 1, Texas Instruments 1,495 1, Robert Bosch 1,415 1, 자료 : Gartner, 신한금융투자 국내차량용반도체관련기업정리 기업명코드시가총액내용 삼성전자 ,35. 아직은틈새시장으로매우미미하나차량용반도체시장이커지면서공급비중확대예상 SK하이닉스 66 22,568.1 아직은틈새시장으로매우미미하나차량용반도체시장이커지면서공급비중확대예상 동부하이텍 현대차와현대모비스및 15개이상의차량용반도체회사의제품을위탁생산하고있음 아이에이 차량용반도체전문설계업체, ASIC( 주문형반도체 )/ 모듈 / 전장시스템등의설계및개발 자료 : 신한금융투자주 : 시가총액은십억원기준 26

27 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 * Image sensors: 차량용카메라등에사용되며입력받은영상정보를전기신호로변환하는장치 * ASSPs (Application-Specific Standard Product): 특정분야를대상으로기능을특화시킨범용비메모리 * Analog ICs(Integrated Circuit): 아날로그양을증폭하거나제어하는전자회로를집적화한소자, 음의강도나온도와같이연속적으로변화하는신호를다루는칩 1) 비메모리의경우제품종류가다양하다. Image sensors/assps/analog ICs 등이대표적이다. ASSPs 가 27% 로가장큰비중을차지하고, Analog ICs 가 19% 를차지한다. 차량용반도체 Top 25 개의회사중메모리업체인마이크론과도시바를제외하고는대부분비메모리업체이다. Top 7 이 5.6% 의시장을점유하고있다. 1 위업체인 Renesas( 일본 ) 의차량용반도체매출은 1.4% 소폭감소했지만 214 년 2 위에서 7 위업체의성장률이 1.3% 였다. 2 위 Infineon( 독일 ) 의성장이제일컸다. 국내관련업체로는차량용반도체설계업체 (Fabless) 인아이에이가있다. 올해 2 분기부터흑자전환하여 3 분기기준으로차량용반도체매출비중이 96.6% 에이른다. 동부하이텍은현대차및 15 개이상의회사제품을위탁생산 (Foundry) 하고있다. 삼성전자의시스템반도체사업부도올해부터본격적으로전장용반도체사업확장이예상된다. 2) 전장용으로소비되는 DRAM 은 214 년 1.97 억 Gb 로전년대비 31.3% 성장했다. 215 년은 2.36 억 Gb(+16.5% YoY), 216 년 2.86 억 Gb(+21.1% YoY) 가예상된다. 전체 DRAM 에서차지하는비중은.4% 에불과하지만전장화가빠르게진행될수록급격히성장할여지가있다. 최근까지차량용 DRAM 를주로공급하던회사는마이크론이였다. 지금은차량용디스플레이의해상도가낮고, 데이터처리용량이적어캐시메모리등이사용됨에따라 DRAM 의탑재가미미하다. 차량용디스플레이가고해상도화되고, 처리하는데이터가커질수록 DRAM 의탑재가증가할전망이다. 시장이커질것으로예상됨에따라삼성전자와 SK 하이닉스도본격적으로나서고있다. 차량용 DRAM/NAND 수요 Bit growth 추이및전망 (%) 6 5 DRAM NAND F 217F 218F 219F 자료 : Gartner, 신한금융투자추정 자동차용 DRAM 시장규모추이및전망 (Millions of GB) 수요 ( 좌축 ) (%) 8 성장률 ( 우축 ) 6 자동차용 NAND 시장규모추이및전망 (Millions of GB) 수요 ( 좌축 ) (%) 5 성장률 ( 우축 ) F 217F 218F 219F F 217F 218F 219F 1 자료 : Gartner, 신한금융투자추정 자료 : Gartner, 신한금융투자추정 27

28 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 모든신차 8GB DRAM 탑재시최대비중 5% 까지가능 빅데이터, IoT, VR, 전장화등을포함한베스트시나리오가정시 218년수요 B/G 2% 유지 3) 전장용 NAND 소비는 214 년.92 억 GB(47.5% YoY), 215 년 1.25 억 GB(+35.1% YoY) 로증가했다. 216 년 1.58 억 GB(+26.5% YoY) 수요가예상된다. 전체 NAND 에서차지하는비중은 1.4% 이다. 전장용 NAND 를공급및향후확대가능한회사는도시바, 삼성전자, SK 하이닉스등이있다. DRAM 이스마트폰원가에서차지하는비중은 15~25% 이지만자동차의전장화가이루어진다면자동차원가비중은.5% 미만으로미미하기때문에탑재량이클수있다. 218 년연간자동차판매 8 천만대가전부 8GB DRAM 탑재가정시 51.2 억 Gb 으로 DRAM 에서차지하는비중이최대 5% 에불과하다. DRAM 전체수요에서는한계가있다. 고해상도디스플레이가쓰이는 VR( 가상현실 ), OLED TV 와빅데이터, 보안수요등으로소비자향및서버향에서 218 년에 3% 이상의 Bit growth 가발생하면메모리업체의 218 년 PER Level up 이가능하겠지만그렇지않다면구조적성장둔화는불가피해 PER 상향이어려울전망이다. 218 년 BEST 시나리오반영시 DRAM 수요추이및전망 베스트시나리오로빅데이터 / 보안수요로 218 년에서버 DRAM B/G 32.2%, IoT/VR 수요로소비자향 B/G 34.8%, 자동차 B/G 82.1%( 비중.7%) 가정시수요 B/G 를 2% 대를유지할수있게된다. 그렇지않다면모바일 B/G 가 1% 로감소함에따라 17% 로하락이예상된다. ( 백만 Gb, %) F 217F 218F 데이터처리 21, , , , ,617. 4, ,489.1 YoY 서버 3,625 5,174 6,889 9,175 11,713 14,591 19,29 YoY 비중 PC( 데스크탑 + 노트북 ) 11,126 9,848 1,38 8,876 8,574 9,85 8,995 YoY (11.5) 1.9 (11.6) (3.4) 6. (1.) Ultramobile ,652 1,945 2,314 2,667 2,977 YoY 태블릿 79 1,545 2,396 2,444 2,655 2,665 2,896 YoY 기타 5, , , , , , ,331.1 YoY 통신기기 ( 모바일 ) 4,67.9 7, , , ,62.6 3, ,475.5 YoY Smartphone 3, , , , , , ,163.3 YoY 비중 소비자가전 1,898 2,939 4,726 5,951 7,338 8,813 11,88 YoY 비중 자동차용 YoY 비중 산업용 1,588 2,44 2,234 2,541 3,24 4,3 6,395 군수및기반시설용 전체 3,4 36,89 48,17 57,613 7,394 85,41 12,932 Bit growth 자료 : Gartner, 신한금융투자추정 28

29 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 차세대반도체와새로운반도체기술 인텔과마이크론 3D NAND 다음으로 3D X point 양산목표, 삼성도시장상황대응위해기술개발, ReRAM + 3차원기술 인텔과마이크론이 3D X point 를 3D NAND 다음양산목표로정하고있는가운데삼성도 3D X point 기술을개발했다. 3D X 포인트는 ReRAM 과 3 차원구조를결합한기술이다. ReRAM 은차세대비휘발성메모리로빠른속도 (1, 배 ) 와저전력이강점인반면기존 NAND 대비고용량이어렵고데이터손상의위험성이크다. 마이크론과소니는오류를 8% 이상줄이고 3 차원구조로고용량이가능하게해 ReRAM 을이용한 SSD 상용화에도나서고있다. SMIC 도 Crossbar 와파트너쉽을체결하며 4nm CMOS 제조프로세스기반으로상용화에나섰다. 마이크론과인텔의 3D X Point 는 1,28 억개의고밀도패킹메모리셀이수직전도체로연결되게했다. 하이닉스가개발한초고대역메모리 (HBM) 과유사하다. 삼성의방식은워드라인과비트라인의교차점마다 과 1 의신호 ( 일종의주소 ) 를담아셀을구성하는구조이다. 이를통해셀의수명도 1 배증가한다. 삼성은인텔과마이크론과달리아직상용화할계획은없지만향후시장상황에대응하기위한개발로보인다. 차세대반도체는 DRAM/NAND 를보완하는역할을전망 차세대반도체의공통된특징은 DRAM 의고속성과 NAND 의고용량화를모두갖추고있다는점이다. 다만현재까지 DRAM 과 NAND 를대체할시장의니즈가충분치않고기존설비를바꿔야하며양산성이떨어진다. DRAM 과 NAND 가격이지속적으로하락하고있는상황도대체를어렵게만든다. 삼성이기술은있지만당장상용화에나서지않는이유이다. 차세대반도체는 DRAM/NAND 를보완하는역할이될전망이다. 삼성과인텔의 3D X 포인트구조 (216 년 ) 자료 : Intel, 신한금융투자추정 3D ReRAM(212 년 ) 구조 추정 29

30 SECTOR REPORT 반도체 / 소재부품 216 년 3 월 31 일 최근반도체기술 속도개선 보다는 저전력 이핵심차세대반도체기술인 Tunneling/Spin Transistor 도전력소비최소화와연관 지난몇십년간반도체기술은 PPA(Performance/Power consumption/chip Area) 중에서도속도가빠르게발전했다. 최근에는 속도개선 보다는 저전력 이핵심이되어가고있다. 디스플레이에서도 TFT 기판을 LTPS 에서 Oxide 로전환하는주요이유가저전력인것과같은방향이다. 최근 5 년동안반도체의속도는 2.5 배, 전력소모는 1/4, 칩사이즈는 3% 개선됐다. 향후추가적으로전력소모를줄이는것이점차어려워지고있다. Tunneling/Spin Transistor 과같은차세대반도체기술도전력소비최소화 / 배터리수명연장와연관이있다. 기존 Silicon transistor 의 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field- Effect) 구조는 Gate 의전압을조정해 Source 에서 Drain 으로의전류를통제한다. Tunneling Transistor 는전압을조절하지않고도터널링현상을이용해전자의확률분포를조절하여전자를이동시킨다. 여기서말하는확률분포란전자가일정자리에존재할확률의분포를말한다. 미세화로인해 Transistor 가작아지고 Transistor 사이의거리가가까워지면서터널링현상이발생하는문제가생겼다. 터널링현상이란전자가배리어로침투하는현상을말한다. 배리어가얇을수록전자가채널을건널확률이증가한다. Tunneling Transistor 는이러한터널링현상을역이용한다. 전압을조절하지않기때문에에너지가덜필요해전력소모를획기적으로줄일수있다. 도시바는 214 년에장기목표로 Tunnel FET 를 2 배까지늘리겠다고발표했었다. Spin Transistor 는 Gate 에전류를흘려보내지않고도 Drain 의강자성전극의방향과일치하는스핀전자만을받아들여전류를제어하게된다. 전하의양뿐만아니라전하의회전방향도구분하기때문에이용하는전자의수를줄일수있어저전력이가능하다. 도시바에서는 29 년 12 월에 Spin Transistor 를개발했다고발표한바있다. 최근에는인텔이차세대반도체에적극적으로앞장서면서 Tunneling/Spin Transistor 기술을응용해나가고자하고있다. Spin Transistor 구조 자료 : Semiconductorportal, 신한금융투자 터널링현상으로인한이슈 자료 : 인텔, 신한금융투자 3

31 SECTOR REPORT SK 하이닉스 216 년 3 월 31 일 SK 하이닉스 (66) 매수 ( 유지 ) 현재주가 (3 월 3 일 ) 28,65 원 목표주가 38, 원 ( 유지 ) 상승여력 32.6% 김민지 소현철 (2) (2) minji.kim@shinhan.com johnsoh@shinhan.com KOSPI 2,2.14p KOSDAQ p 시가총액 2,857.3 십억원 액면가 5, 원 발행주식수 728. 백만주 유동주식수 백만주 (76.2%) 52 주최고가 / 최저가 51,2 원 /26,6 원 일평균거래량 (6 일 ) 3,27,554 주 일평균거래액 (6 일 ) 88,6 백만원 외국인지분율 47.82% 주요주주 SK 텔레콤외 4 인 2.77% 국민연금 8.1% 절대수익률 3 개월 -6.8% 6 개월 -14.6% 12 개월 -37.% KOSPI 대비 3 개월 -8.7% 상대수익률 6 개월 -16.3% 12 개월 -36.2% 주가차트 ( 원 ) 55, 45, 35, 종합주가지수 =1 (3/15=1) , 9 3/15 7/15 11/15 3/16 SK 하이닉스주가 ( 좌축 ) KOSPI 지수대비상대지수 ( 우축 ) 95 오매불망 1분기매출액 3.88조원 (-12.% QoQ), 영업이익 6,154 억원 (-37.8% QoQ) 예상 1분기실적은예상보다더저조할전망이다. 매출액 3.88 조원 (-12.% QoQ, -19.3% YoY), 영업이익 6,154 억원 (-37.8% QoQ, -61.3% YoY) 이예상된다. 통상 2월춘절이후부터수요개선이나타나는데 1월과마찬가지로부진했다. 1분기 DRAM bit growth -1.5%, ASP 변동률 -11.% 가전망된다. 긍정적인점은모바일 DRAM 탑재량증가, 216년모바일 DRAM B/G 35% 예상 2분기 DRAM bit growth +9.9%, ASP변동률 -7.2% 로개선이예상되나달러약세전환으로실적은감소할전망이다. 2분기매출액 3.94 조 (+1.3% QoQ, -15.1% YoY), 영업이익 5,392 억원 (-12.4% QoQ, -6.8% YoY) 이예상된다. 긍정적인점은모바일 DRAM 탑재량증가가나타나고있다는점이다. 하이엔드스마트폰의경우 BOM Cost 에서메모리가차지하는비중 2% 내에서스펙경쟁으로인한탑재량증가가예상된다. 샤오미 Mi5와삼성갤럭시S7은 4GB DRAM 을탑재했으며, 비보는최초로 6GB램을탑재한 XPlay5 를출시했다. BOM Cost 에서가장큰비중을차지하는것은디스플레이다. 스마트폰패널시장에서 34.6% 를점유하는 LTPS LCD의 2월가격이전년동기대비 6% 하락했다. 중국의 LTPS TFT 전환이지속되고있어미드- 로우엔드스마트폰에고해상도디스플레이채용과원가하락으로인한 DRAM 탑재량증가가예상된다. 목표주가 38, 원, 투자의견 매수 유지목표주가 38, 원, 투자의견 매수 를유지한다. 2분기영업이익예상최저값이 4, 억후반까지나온상황임에도주가는 1월이후하락하지않고있다. 상반기실적에대한우려는주가에충분히반영된것으로판단된다. 지금부터는 2, 3분기수요개선징후를확인하는것이더중요하다. 올해는과점화이후처음맞는다운사이클에서지속가능한하이닉스의영업이익률을확인하는해가될전망이다. 2분기 3위업체마이크론의흑자전환도같은맥락에서중요하다. 12 월결산매출액영업이익세전이익순이익 EPS 증가율 BPS PER EV/EBITDA PBR ROE 순부채비율 ( 십억원 ) ( 십억원 ) ( 십억원 ) ( 십억원 ) ( 원 ) (%) ( 원 ) ( 배 ) ( 배 ) ( 배 ) (%) (%) , ,19.5 5,47.7 4, , , ,798. 5, , , , , (4.6) 216F 16, ,44.6 2, ,84.8 2,864 (51.8) 31, (1.8) 217F 16,85. 2, , , , , (4.8) 218F 16, ,119. 3, , , , (7.3) 31

32 SECTOR REPORT SK 하이닉스 216 년 3 월 31 일 1 분기실적요약 ( 십억원 ) 1Q16F 4Q15 % QoQ 1Q15 % YoY 컨센서스차이 (%) 매출액 3,888 4,416 (12.) 4,818 (19.3) 3,963 (1.9) 영업이익 (37.8) 1,589 (61.3) 674 (8.7) 순이익 (38.7) 1,296 (58.8) 영업이익률 (%) 순이익률 (%) 추정 실적추정변경사항 216F 217F ( 십억원 ) 변경전변경후변경률 (%) 변경전변경후변경률 (%) 매출액 16,846 16,385 (3.6) 17,471 16,85 (3.6) 영업이익 3,619 2,441 (13.6) 3,964 2,731 (13.6) 순이익 2,918 2,77 (13.7) 3,191 2,293 (13.7) EBITDA 7,694 6,516 (7.3) 8,364 7,131 (7.3) 영업이익률 (%) 순이익률 (%) EBITDA 률 (%) 부문별매출액 DRAM 12,711 12,329 (3.) 12,72 12,415 (2.4) NAND 3,728 2,778 (25.5) 4,312 3,995 (7.4) 부문별영업이익 DRAM 3,728 2,778 (25.5) 3,89 2,161 (43.3) NAND (183) (411) 적확 49 (226) 적전 부문별영업이익률 (%) DRAM NAND (4.9) (14.8) 1.1 (5.7) 추정 메모리 Peer Group Valuation 회사삼성전자하이닉스샌디스크마이크론도시바이노테라난야 시가총액 ( 십억달러 ) PER (x) 216F N/A F PBR (x) 216F F EV/EBITDA (x) 216F N/A F ROE (%) 216F (19.6) F 자료 : Bloomberg consensus, 신한금융투자 * Long-Short Pair: SK 하이닉스 Long/ 도시바 Short, 도시바의경우 215 년적자 4 조원을기록한이후에도매년 2 조원의 NAND 추가투자를계획중, 이에따라재무적리스크확대, 반면 SK 하이닉스는 215 년순현금전환으로재무적안정성확보, NAND 투자로인한재무적부담은적음, 217F PER 기준도시바 16.8 배, SK 하이닉스 7.6 배로도시바가하이닉스대비고평가된상태 32