Sector. 반도체 TSMC (2330.TW) China Center( 中國中心 ) AT A GLRANCE ( 기준 ) 현재가 (TWD) 시가총액 ( 억TWD) 45,249 발행주식수 ( 백만 )

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1 TSMC (233.TW) China Center( 中國中心 ) china.center@samsung.com AT A GLRANCE ( 기준 ) 현재가 (TWD) 시가총액 ( 억TWD) 45,249 발행주식수 ( 백만 ) 주최저 / 최고 (TWD) 112.5/177.5 현지증권사의견 HSBC 평가 매수 목표가 191 CITI 평가 매수 목표가 189 JP Morgan 년실적 216년상반기매출은 4,253억TWD(yoy-.5%) 를기록. 동사산하의 8인치웨이퍼전문기업인뱅가드 (Vanguard) 는 21억TWD(yoy+ 8.9%) 를기록하며대만반도체업체 3사 (TSMC, UMC, Vanguard) 중유일한플러스성장세를기록. 216년실적전망하반기출시예정인신형아이폰7의애플리케이션프로세서 (AP) 인 A1에제품을단독공급하기로함에따라 3분기매출은전분기대비 2% 증가할것으로예상. 내년에나올 A11 에도단독공급이유력함. 이외에대량공급에힘입어올해 14nm과 16nm공정제품시장점유율이 7% 까지상승할전망. 평가중립목표가 175 기업개요 - 글로벌최대반도체파운드리기업으로반도체 ODM/OEM 이전체매출의 55% 이상을차지 ( 삼성전자는 5%). - 애플의주요공급업체이며, 퀄컴등약 47 개글로벌 IT 기업 ( 중국기업약 개 ) 고객을확보하고있음. - 대만시장시가총액 1 위기업으로전체시총의 17% 를차지. 주요사업 - 반도체파운드리가전문사업 ( 삼성전자는메모리 + 시스템LSI 반도체 + 파운드리사업영위 ). 228종웨이퍼제조공정기술을보유하고있으며 8,941종제품을생산. - 현재 16nm 핀펫공정기반제품을양산중 ( 삼성전자는 14nm로우위 ), 216년하반기부터 1nm 양산을계획하고있음. 매출구성 재무제표 반도체장치 5% 반도체칩 95% E 매출액 ( 백만TWD) 7,628 8,434 9,24 증감 (%) 순이익 ( 백만TWD) 2,639 3,66 3,157 증감 (%) ROE (%) EPS (TWD) P/E ( 배 ) P/B ( 배 ) 본자료는당사의제휴증권사인대만 KGI 증권리포트를참고하여작성하였습니다. 1

2 주요공시및뉴스 216년 3월 29일 : 남경에반도체웨이퍼공장건설투자를결정남경시와 3억달러규모의반도체공장건설투자 MOU를체결. 218년하반기부터월 2만장규모의 12인치웨이퍼로반도체칩을생산. 16nm 공정을적용해제품을생산할계획이라고공시 (6월부터양산 ). 216년 8월 2일 : 선진형제조공정에 1,224억TWD 투자를결정선진형제조공정 Capa 확대에 1,224억TWD(257 억위안 ) 을투입할것을결정. 동사의 216년자본지출가능금액을기존 9억달러에서 95억달러로상향조정. 산업현황및전망 년반도체재료시장 * 매출은 443 억달러이며, 이중대만매출이 96 억달러로 5 년연속반도체재료시장매출 1 위를유지. 216 년글로벌평균반도체산업성장률은 2% 로예상되지만, 대만반도체산업은파운드리성장에힘입어 4% 성장할전망. - 반도체밸류체인중파운드리는영업이익률이높은편. 글로벌파운드리매출상위 TOP5 는 TSMC, 글로벌파운드리 ( 미국 ), UMC( 대만 ), 삼성전자, SMIC( 중국 ). - 반도체패키징분야글로벌 M/S 4 대기업은 ASE( 대만 ), Amkor( 미국 ), SPIL( 대만 ), 강소장전테크놀로지 ( 중국 ). * 반도체사업은 IDM/ 팹리스 / 파운드리 / 패키징 & 테스트로구분. IDM: 전과정 ( 설계 ~ 생산 ) 을책임지는종합반도체회사 / 팹리스 : 반도체설계전문화 / 파운드리 : 종합반도체회사혹은팹리스회사에서위탁받아반도체생산만을전문적으로함 / 패키징 & 테스트 : 반도체원판조립등후공정을전문으로영위 관련기업 삼성전자 (593), 삼성전기 (915), UMC(233.TW), SMIC(981.HK) 그림1. 중국반도체소비량 그림2. 중국반도체산업매출규모 ( 십억위안 ) ( 억달러 ) (%) 연평균성장률 2% 중국반도체소비량 ( 좌측 ) 글로벌소비차지비중 ( 우측 ) E 자료 : Gartner, CSIA 자료 : Gartner 2

3 투자포인트 1. 첨단기술개발가속화 < 아이폰 7 시리즈에 A1 프로세서단독공급 > - 현재 1nm 핀펫공정적용을본격화할것. 아이폰 7 시리즈에적용예정인애플의차세대 A1 프 로세서는동사의 1nm 공정을기반으로생산되고올해하반기부터본격적으로출하될예정. 1nm 칩셋의성능은 11% 개선되고전력소모는 3% 이상줄어들것으로예상. 동사는 1nm 공정 선두자리를차지하기위해 capex 규모를 215 년 81 억달러에서 216 년 165 억달러 (yoy +17%) 로 확대. <7nm 공정시험생산예정 > - 7nm 공정제품은 217 년부터시험생산되고 218 년에양산될예정. 7nm 는 1nm 공정의장비를 95% 이상그대로사용하기때문에안정성이높음. 또한성능은 6% 향상되고전력소모는 4% 이상감소할것으로기대됨. 향후 22 년까지 5nm 공정을상용화할계획. 2. 자체패키징기술보유 - 기존외부전문기업에위탁하던후공정패키징을 215년말부터내부팹에서진행함. - 자체패키징 (Fan-out Wafer Level Package) 기술인 InFO(Integrated Fan Out)* 을보유하고있어반도체부피를줄여생산비용을절감할수있어수율과이익성을제고. * InFO(Integrated Fan Out): 전자기판이아닌여러칩을직접연결하는방식 - 하반기출시될아이폰7의 AP( 애플리케이션프로세서 ) 칩생산을삼성이아닌동사가맡은것은반도체패키징기술경쟁력이뛰어나기때문. 지난 21일, 삼성전기는 InFO 보다성능이뛰어난팬아웃패널레벨패키지 (FoPLP) 기술개발에 2,632억원규모투자를결정. 이기술은 AP뿐만아니라웨어러블등다양한패키징솔루션에적용이가능 그림 3. 매출및순이익증감률 그림 4. 중국국가 IC 산업투자기금의투자목록 4% 시기 기업명 투자금액 ( 십억위안 ) 세부내용 2% % -2% 매출액증감률 순이익증감률 강소장전테크 (6584.SH) SMIC (981.HK) 통부미전 (2156.SZ) 화천과학기술 (2185.SZ) 1.9 N.A N.A.5 산업기금, 심전반도체와합자회사를설립. 자회사를통해 7.8 억달러에스태츠칩팩지분 % 를인수. 중심국제와 Qualcomm 이공동으로 SMIC 에 2.8 억위안달러를투자. 현금지불방식 (3.7 억달러 ) 으로반도체칩생산업체인 AMD 산하의 AMD 수저우의지분 85%, AMD 페낭의지분 85% 를인수. 산업기금은 5 억위안을투자하여천수화천서안자회사의지분매입. 자료 : 회사공시 자료 : 회사공시 3

4 3. 남경에 3 억달러를투자해반도체공장건설 - 중국남경시와 3 억달러규모의 12 인치웨이퍼공장건설투자를결정. 팹리스반도체회사를 지원하는디자인서비스센터도설립할예정. 4. 정책수혜기대 - 대만정부는 iot 사업을적극적으로지원하고있어향후 5년간 iot 분야에 14억달러를투자할계획. 동사는미디어텍 ( 세계적인팹리스기업으로, UMC에서분사 ) 과협력하여저전력공정과특수공정을공동개발하여웨어러블디바이스에활용할예정. 중국반도체산업밸류체인및대표기업 웨이퍼증착 CMP 감광액노광식각공정 / 실리콘웨이퍼 CVD, PVD CMP 툴스핀코팅 Developer/ 소재제거 stepper Zing Beijing NMC CETC(CN) Kinsemi(CN) Etcher/ Wet bench/ Semi(CN) Sevenstar Hwatsing(CN) Kinsemi PR(Photo Clean Tools Waferworks (2371 CN) SMEE(CN) CMP Resist)/PR (6182 TW) Piotech(CN) AMAT 15% pad/slurry stripper litho GlobalWafers material Screen 1% 가스 Anji(CN) Anji(CN) (6488 TW) AMEC(CN) air product Kinik JSR Beijing NMC air liquid gas (156 TW) TOK Merck Mattson(CN) ACM Research(CN) Scientech (3583 TW) GPT(3131 TW) Csun (2647 TW) wet chemical Anji 도핑 / 서멀 내부전계이온주입 Beijing NMC Mattson Sevenstar ZKX(CN) CETC AIBT(TW) 가스 / 재료 konfoong materials(cn) Grinm advanced material (626 CN) Feedback tech(891 TW) 공정관리 검사계측 (Metrology and Inspection, MI) RSIC(CN) HMI (3658 TW) MA-Tek (3587 TW) 웨이퍼레벨패키지 redistribution/ ball mounting kinsemi GPT(3131 TW) SPI (Solder Paste Inspection) SMIC Alpha metal Sumitomo probing 절단와이어본딩패키징 / 테스터 tester/prober 절단장비 (Dicing saw) Chroma (236 TW) CETC(CN) Probe Card MPI(6223 TW) CHPT die bonder/ flip-chip bonder/ wire-bonder ASMPT 3% CETC GPM(5443 TW) (651 TW) substrate/leadframe/wire fastprint(cn) shennan circuits(cn) Kinsus (3189 TW) Unimicron (337 TW) molding/ marking/trim/ final testing Grand Tec(CN) GPM(5443 TW) E&R(827 TW) CSUN (2647 TW) Chroma (236 TW) attach/ mold materials KEHUA(CN) FOUP FOUP tracker automation/ system integration Entegris Gudeng Precision (368 TW) Difuku, Murata machi nery, shinko, brooks Murata machi nery Mirle (2464 TW) MIC(6196 TW) UIS(244TW) 4

5 TSMC(233.TW) 최근 3년주가추이 (TWD) 년 8월 14년 8월 15년 8월 16년 8월 자료 : Wind 최근 3년가권지수대비누적수익률 (%) (2) 13년 8월 14년 8월 15년 8월 16년 8월 TSMC 대만가권지수자료 : Wind 재무상태표 유동자산 (A) 124,39 129, , ,48 현금및현금등가물 42,945 4,88 43,859 45,35 재고자산 33,989 36,221 34,378 34,344 매출채권 2,417 19,81 2,914 2,95 기타 15,821 19,215 2,76 23,87 비유동자산 (B) 216,268 24,29 263,68 26,468 자산총계 (A+B) 34,577 37,23 399, ,948 유동부채 12,193 13, ,584 15,426 단기차입금 38,8 46,623 56,898 59,577 매입채무 3,563 3,93 3,778 3,6 기타유동부채 5,829 52,838 53,98 6,249 비유동부채 95,148 11,773 16,611 92,833 장기차입금 73,475 79,462 84,93 69,875 기타비유동부채 21,672 22,312 22,518 22,958 부채총계 215,34 232, , ,259 자본금및자본잉여금 49,114 52,32 55,73 57,259 이익잉여금및기타 29,344 34,176 36,937 39,78 소수주주이익 46,779 51,859 58,629 59,353 자본합계 125, ,67 15, ,69 3대주주 지분 (%) NATIONAL DEVELOP FUND EXEC YUAN 6.38 BLACKROCK 4.98 SAUDI ARABIAN MONETARY AGENCY 2.47 손익계산서 E 매출액 597,24 762,86 843,497 92,429 매출총이익 28, ,722 41, ,876 영업이익또는손실 29, , , ,63 세전이익 188, ,882 36, ,743 순이익 365, , , ,573 EBITDA EPS 597,24 762,86 843,497 92,429 주요재무비율 (%) E EBITDA margin 매출총이익률 영업이익률 순이익률 ROE ROA ROIC 배당성향 배당수익률 현금흐름표 영업활동현금흐름 5,284, , , ,879 투자활동현금흐름 -269, ,54-282, ,246 재무활동현금흐름 -15,77 32,956-23,268-18,475 잉여현금흐름 38,825 59, , ,363 참고 : 백만 TWD 5