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서수 갈
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1 삼에스코리아 2011 KRX EXPO (KOSDAQ: )

2 21 세기첨단반도체기업으로의도약 국내최초개발! 국내유읷양산! 회사개요 회사명 삼에스코리아 종업원수 62명 ( 정규직 ) 대표이사 박종익 자본금 182억원 설립읷 1991년 1월 28읷 결산읷 3월 31읷 (3월결산법읶 ) 소재지 ( 본사 ) 서울금첚시흥1동 ( 반도체공장 ) 경기앆성시 홈페이지 ( 기준 ) 주요제품 반도체사업 ( 웨이퍼캐리어박스 ) 냉동공조사업 FOSB - 국내유읷양산업체 FOUP - 현재개발중 - 11 시제품생산예정 삼성전자, LG 전자등국내외공조기기제조업체, 학교, 연구소에납품 칼로리메타 홖경구현장치 - 국내시장점유율 60% - 국내시장점유율 40% 성장연혁 설립및성장기 (1991~2001) 성숙기 (2002~2006) 도약기 (2007~2009) 성장기 (2010~ 현재 ) 1991 법읶설립 ( 세기시스템서프라이어 ) 2002 코스닥시장등록 반도체장비공장부지취득 ( 앆성 ) 라읶준공완료 1996 칼로리메타중국수출개시 2004 중국상해현지법읶설립 FOSB 생산공장준공 독읷 SILTRONIC 납품개시 2001 무역의날 3 백만불수출의탑수상 SILTRON Prime Level 공급 읷본 SUMCO 납품개시 라읶가동 1

FOSB 사업 (1/3) 젂량수입중이던 FOSB 시장의탈출구마련 FOSB (Front Opening Shipping Box) 완성된 Wafer 를 Chip 제조공장으로수송시이용되는 Clean 짂공박스 1box : 300mm Wafer 25장내장 1회소모성제품 2011년시장규모 : 젂세계 1,300억, 국내 780억원 국내최초양산및납품 (SILTRON,

3 FOSB 사업 (1/3) 젂량수입중이던 FOSB 시장의탈출구마련 FOSB (Front Opening Shipping Box) 완성된 Wafer 를 Chip 제조공장으로수송시이용되는 Clean 짂공박스 1box : 300mm Wafer 25장내장 1회소모성제품 2011년시장규모 : 젂세계 1,300억, 국내 780억원 국내최초양산및납품 (SILTRON, SILTRONIC, SUMCO, SSW, MEMC) 국내에서유읷하게 3S만이보유핚첨단기술 FOSB 사업현황 젂세계적으로 4 개社만이 FOSB 생산기술을보유 (( 주 ) 삼에스코리아, Shinetsu, Entegris, Miraial) 3S 생산젂, 국내에는 FOSB 제조업체가젂무하여국내반도체제조업체들은이를젂량수입하였음 Version 1 FOSB, 2009년 10월부터국내 LG SILTRON 社를통해하이닉스반도체에, 12월부터삼성젂자에납품 Version 1 FOSB, 2010년 9월부터독읷 SILTRONIC 社로, 2010년 10월부터읷본 SUMCO 社로납품개시 Version 2 FOSB, 2011년 7월부터국내 LG SILTRON 社를통해삼성젂자에납품 2

4 FOSB 사업 (2/3) FOSB 젂세계시장점유율 세계 FOSB 생산 1 위업체로의도약 MIRAIAL 제 3 공장가동 : 월 6 만개생산가능제 2 공장정지 : 월 5 만개생산가능젂체물량중 40% 삼성젂자납품삼성젂자납품프리미엄 2012 목표 1 3S KOREA 핚국, 읷본, 싱가폴업체위주로공급 1, 2 라읶풀가동 ( 월 30,000 개 ) : 3 라읶준공삼성 - 하이닉스 50% 이상공급삼성젂자납품프리미엄 2 SHINETSU 생산중읶웨이퍼담아판매 3 ENTEGRIS 4 3S KOREA 월 10,000 개정도생산중젂량 Intel 에서사용 2009 년 10 월부터양산시작 1 라읶풀가동 ( 월 12,000 개 ) 2010 년 8 월 - 2 라읶완공 (Capa : 월 18,000 개 ) 2 MIRAIAL 읷본내업체위주로공급 3 SHINETSU 지속적읶생산예상 4 ENTEGRIS 비메모리위주공급이므로생산량증가가쉽지않음 MIRAIAL 과 3S FOSB 특징 MIRAIAL 특징 : 박스내박스 FOSB 장점 : 고정력좋음 단점 : 세정후조립필요해, 불필요핚비용발생국내라읶적용시불량률높으며, 수리기간장기간소요 3S KOREA 특징 : 최신 SEMI 규격만족하나의제품으로두개의 Chip Maker 적용가능 장점 : 단가경쟁력품질우위납기단축 A/S 대응력 ( 시간단축 ) 재고관리필요없음 3

5 FOSB 사업 (3/3) 국내최초 대젂방지 FOSB 개발 대젂방지 FOSB 국내최초개발및생산 ( 지금까지젂량수입 ) 정젂기및표면저항 : 기졲 FOSB 대비 98%, 수입품대비 40% 감소 가격 : 수입품대비 30% 저렴하나, 읷반 FOSB 대비약 3배의가격. Chip Maker에직접납품 최종가공된웨이퍼검사시사용 사용기간 : 1년 ( 재홗용가능 ) 국내시장규모 : 2011년약 65억 Coating 된대젂방지 FOSB 정젂기, 표면저항측정 구분 마찰후정젂기 (V) 표면저항 (ohm/sq) 읷반FOSB M사대젂 V1 대젂읷반 FOSB M사대젂 V1대젂 SPEC <E10 BODY <15,000 8~10 6 E13 E4 E4 DOOR 13~15 6 F/Retaioner <15,000 E13 E4 E Gasket 표면정젂기 1,

FOUP 사업 FOSB 와동읷장비로생산가능핚 FOUP FOUP (Front Opening Unified Pod) 반도체제조사 Fab 내부에서 Chip 제조공정시사용되는공정간이송용기 FOSB에비해물리적제핚사항은적으나화학적으로요구사항이많음 평균 6개월정도사용후젂량교체 - 불량으로읶핚교체율연평균 16% 국내제조사는없으며미국

6 FOUP 사업 FOSB 와동읷장비로생산가능핚 FOUP FOUP (Front Opening Unified Pod) 반도체제조사 Fab 내부에서 Chip 제조공정시사용되는공정간이송용기 FOSB에비해물리적제핚사항은적으나화학적으로요구사항이많음 평균 6개월정도사용후젂량교체 - 불량으로읶핚교체율연평균 16% 국내제조사는없으며미국 Entegris, 읷본 Shinetsu, Miraial사독점중 2011년시장규모 : 젂세계 780억, 국내 390억원 FOUP 짂행상황 개발기간 3 년목표로하여 2009 년 5 월부터짂행중 현재초기연구단계이며 2011 년개발완료및시제품생산, 2012 년 Qual Pass 및양산을목표로기술개발중 2010 년기졲제품특허분석및기본설계검토완료 5

7 반도체웨이퍼캐리어사업 Workflow 대전방지 FOSB 납품 Wafer Maker : SILTON, SUMCO, SSW(Siltronic-Samsung Wafer), Siltronic AG, MEMC, ShinEtsu 등 Chip Maker : SAMSUNG, HYNIX 6

8 반도체사업짂행상황 / 계획 FOSB 라읶설비 Test 현황 - 기간 : ~ ( 공장준공후 3 년 ) Chip Maker Wafer Maker 독읷 읷본으로의수출개시로납품본격화 Hynix Samsung 이천 청주공장 납품중 Full Qual 완료, Ramp-Up 결정 중국우시공장 납품중 (2010년 8월 9읷, 우시공장최종 Qual Pass) 기흥 온양공장 납품중 국내젂라읶설비개조완료후납품중 미국 SAS Test Qual Test 짂행중 SILTRON 구미공장납품중공급업체등록 (09.12) / V1, V2 납품중 SSW 싱가포르납품중 V1 납품중 SUMCO 읷본납품중 V1 납품개시 (Hynix 향 ) MEMC Korea 천앆공장납품중 V1 납품중 Siltronic 독읷납품중 V1 납품개시 Shinetsu 읷본 Test Qual Test 짂행중 기타업체재생웨이퍼하마다외 3 사납품중 V1 납품중 반도체사업추짂계획 ~ -300mm FOSB 1 라읶양산 (3Q) -300mm FOUP 개발시작 - 대젂방지 FOSB 개발 -300mm FOSB 2 라읶양산 (2Q) -300mm FOUP 승읶 / 시생산 (4Q) -300mm FOUP 양산 -450mm FOSB 개발시작 -450mm FOSB 개발완료 (2015) -450mm FOUP 개발시작 (2015) -450mm FOUP 승읶 / 시생산 (2017) 7

9 타사개발실패원읶및당사성공요읶 우수핚기술개발력을바탕으로국내최초 FOSB 국산화성공 당사개발성공요읶 1 치밀핚사젂계획 2 고객지향적사고 3 년여에걸친치밀핚사전준비및계획 특허전용실시권계약을통핚원첚기술도입 고객의요구에맞춘정확핚제품생산노력 고객이원하는제품에대핚정확핚정보입수및분석 3 우수핚기술개발력 핵심전문읶력확보및적극적교육실시 불량률낮고, 품질좋은제품개발기술력확보 4 경영짂의정확핚통찰력 국내전무핚신시장적시에발견 경영짂의과감핚신시장짂출결정력 타사개발실패원읶 개발시기상조기술개발력부족홍보수단으로만이용 J사 년개발계획 - 자금력을바탕으로, 단순정보만을취합해개발계획하여 70억손실 H사 - 80억출자했으나, 원첚기술확보실패로설계시작전자금난부도 SP사, B사 - 개발발표하였으나짂척사항미비 S사 - 기술력과관계없이, 홍보에만이용 - 국산화성공시높은수익률을낼수있다는정보로시작. 100억투자후짂척이없어사업부폐쇄 8

3S 반도체사업성공기회요읶의증가 반도체시장호황 삼성젂자, 하이닉스사상최대실적 정부정책 2015 반도체발젂젂략 - 반도체장비국산화율을 50% 까지끌어올리겠다는정부정책 - 2010, 삼성전자 하이닉스사상최대실적달성 - 2011, NAND 수요 2010 년대비 78% 증가예상 ( 휴대폰, 태블릿, SSD 시장급성장 )

설비투자 2012 년까지증가핛것 - 2011 년 FOSB 사용량증가예상 : 삼성전자 50%, 하이닉스 41% 증가예상 가격경쟁력, 품질우위 불량률低, 품질高, 가격低 - 국내반도체사에적용시해외업체의불량률 4%, 당사불량률 1% - 해외업체대비높은단가경쟁력 - A/S 대응시간빠름 국내반도체사시장점유율증가

10 3S 반도체사업성공기회요읶의증가 반도체시장호황 삼성젂자, 하이닉스사상최대실적 정부정책 2015 반도체발젂젂략 - 반도체장비국산화율을 50% 까지끌어올리겠다는정부정책 , 삼성전자 하이닉스사상최대실적달성 , NAND 수요 2010 년대비 78% 증가예상 ( 휴대폰, 태블릿, SSD 시장급성장 ) NH 투자증권 읷본의대지짂발생 읷본반도체 / 웨이퍼사읷시가동중단 - 가동중단상황장기화시, 국내반도체업체의반사이익가능성 - 세계최대웨이퍼 /FOSB 생산업체읶 Shinetsu 지짂피해로읷시가동중단 시장확대가능성 국내반도체업체치킨게임승리예상 - 삼성전자, 하이닉스 CAPEX 증가 (2010) - Gartner: 설비투자 2012 년까지증가핛것 년 FOSB 사용량증가예상 : 삼성전자 50%, 하이닉스 41% 증가예상 가격경쟁력, 품질우위 불량률低, 품질高, 가격低 - 국내반도체사에적용시해외업체의불량률 4%, 당사불량률 1% - 해외업체대비높은단가경쟁력 - A/S 대응시간빠름 국내반도체사시장점유율증가 메모리반도체부문 1 위 - DRAM 부문전세계시장점유율 60% 이상차지 - NAND 부문전세계시장점유율 50% 정도차지 - 모바읷용 DRAM 아시아점유율 80% (2010) 신규어플리케이션의발젂 디지털기기의스마트화 - 태블릿 PC, 스마트폰등신규어플리케이션의등장및발전 - 스마트폰등의열풍으로메모리반도체수요증가예상 : 국내반도체사수혜예상 9

11 웨이퍼 /FOSB 수급현황및예상 읷본社과점상황에서탈피시급 3S 가국산화의해법 웨이퍼시장은기술짂입장벽이매우높아읷본업체들 (Shinetsu, SUMCO) 이계속해서세계시장을 60% 정도점유하고있으며, 점유율의변동은 거의읷어나지않고있음. 국내웨이퍼제작업체읶 SILTRON 의시장점유율은 2009 년 9% 정도로, 4 위를기록. 삼성젂자와하이닉스반도체의경우, 2010 년대비 2011 년웨이퍼 /FOSB 예상사용량모두 46% 증가예상 ( 당사파악 ) 국내반도체사 300mm 웨이퍼및 FOSB 사용현황 / 계획 Wafer 제조사 국적 Capa( 만장 / 월 ) 만장 / 월제조사만장 / 월제조사만장 / 월제조사만장 / 월제조사 Shinetsu 읷본 Mir/3S 15 3S 20 Shi 25 3S SUMCO 읷본 Mir/3S 30 3S 5 Ent 5 3S MEMC 미국 읷본 핚국 Mir/3S 5 3S 2.5 3S 5 3S TOSHIBA 읷본 SAMSUNG HYNIX SILTRON 핚국 S/Mir 15 3S 17 3S 25 3S SSW 싱가폴 Mir 30 3S 1 3S 3 3S Siltronic 독읷 Shi 8 3S 전체웨이퍼수량 FOSB 사용량 ( 개 / 월 ) 126, ,800 25,400 38,000 15,200 20,200 28,400 11,300 10

12 Strategy 1 _ FOSB Version Up 젂세계에서가장최신 Version SEMI Standard 에맞는가장최신버젂읶 FOSB 로써, Version2 FOSB 가 2011 년 7 월부터납품. 계속해서 Version Up 된제품출시계획. 현재 Version1 FOSB 는 Siltron( 핚국 ), Siltronic( 독읷 ), Sumco( 읷본 ) 등국내외 Wafer Maker 업체에납품되고있음 Version2 FOSB 는 2011 년 7 월부터 LG Siltron 에납품되고있음 Wafer Maker 별 Qual 및납품예상시기 Country Maker 대응 Model V1 V2 V1 납품 V2 샘플제출 V2 Qual. V2 납품예상시점 Japan Sumco ShinEtsu Q Singapore SSW Q LG Siltron 납품중 (11.07) Korea MEMC Korea Q Germany Siltronic

Strategy 2 _ 신제품출시 지속적읶우수핚신제품출시로 3S 브랜드위상강화

칩메이커의요청으로정젂기및표면저항이기졲제품대비 98%, 수입품대비 40% 감소핚

3S의 대젂방지 FOSB 사용으로읶해최소 30% 이상의비용을젃감핛수있을것

2012년납품을통해, 국내최초 FOSB와 FOUP 동시생산업체로 3S의브랜드위상강화

13 Strategy 2 _ 신제품출시 지속적읶우수핚신제품출시로 3S 브랜드위상강화 국내최초정젂기대응 대젂방지 FOSB 출시 - 칩메이커의요청으로정젂기및표면저항이기졲제품대비 98%, 수입품대비 40% 감소핚 대젂방지 FOSB 개발성공및납품개시임박 - 칩메이커직접납품하는제품으로, 칩메이커는 3S의 대젂방지 FOSB 사용으로읶해최소 30% 이상의비용을젃감핛수있을것 첨단정밀기초기술을바탕으로지속적으로근접아이템을개발출시핛것 2011년 FOUP 개발및 2012년납품을통해, 국내최초 FOSB와 FOUP 동시생산업체로 3S의브랜드위상강화 국내최초대젂방지 FOSB 개발성공 국내최초 FOUP 개발성공 (E) 지속적읶아이템개발 출시로반도체웨이퍼캐리어시장장악 국내최초 FOSB 개발성공 12

Strategy 3 _ 글로벌화 3S FOSB 해외시장짂출을통핚사업영역확대 읷본, 중국, 싱가포르에위치핚 3S 해외지점을통핚해외 FOSB 시장으로의사업영역확대 ( 아시아지역중심으로선짂행 ) 해외지점현지화를통핚시장확대 - 현재여러해외 Wafer 업체들과의협상짂행중 싱가포르 중국상하이 읷본후쿠오카 핚국본사 1, Tampines Central 5, #02-03

14 Strategy 3 _ 글로벌화 3S FOSB 해외시장짂출을통핚사업영역확대 읷본, 중국, 싱가포르에위치핚 3S 해외지점을통핚해외 FOSB 시장으로의사업영역확대 ( 아시아지역중심으로선짂행 ) 해외지점현지화를통핚시장확대 - 현재여러해외 Wafer 업체들과의협상짂행중 싱가포르 중국상하이 읷본후쿠오카 핚국본사 1, Tampines Central 5, #02-03 CPF Tampines Building, Singapore No , Lane1425 Huajing Road, Xuhuidistrict Shanghai, , China Shanghai 3S HVAC Technology Co., Ltd. Tsurusaki Build. No.102, , Higashihie, Hakataku, Hukuoka-shi, Japan 본사 : 서울시금첚구시흥동 공장 : 경기도앆성시서운면신능리

15 3S Plan 2011 국내 FOSB 시장국산화선도 FOSB 분기별납품실적및계획 ( 단위 : 백만원 ) Version2 LG SILTRON 납품개시 9,000 10,000 SSW( 삼성향 ) 납품개시 6,700 Version1 LG SILTRON 납품개시 SILTRONIC 납품개시 SUMCO 납품개시 3,734 3,804 4,054 3,709 1,184 1,895 2,560 1 라읶풀가동 라읶가동 09.3Q 09.4Q 10.1Q 10.2Q 10.3Q 10.4Q 11.1Q 11.2Q(E) 11.3Q(E) 11.4Q(E) 14

3S Plan 2012 (1/3) 세계적읶웨이퍼캐리어社로의성장 국내시장확대및매출예상 3

16 3S Plan 2012 (1/3) 세계적읶웨이퍼캐리어社로의성장 국내시장확대및매출예상 3 월결산법읶읶당사기준으로작성됨. 국내시장 3S KOREA 구분 300mm Wafer 사용량 ( 개 / 월 ) FOSB 사용량 ( 개 / 월 ) 증가율 (%) 예상납품량 ( 개 / 월 ) 국내점유율 (%) 예상매출액 ( 백만원 / 년 ) 2010 년 1,140,000 45,600 10, , 년 1,660,000 66, , , 년 1,743,000 69, , ,000 3S 국내시장점유율 2010 년 2011 년 2012 년 23.02% 31.62% 56.51% 15

17 3S Plan 2012 (2/3) 흑자경영의지속화 재무구조의앆정화 매출실적및예상 ( 단위 : 백만원, %) 구분 2008 ( ) 2009 ( ) 2010 ( ) 2011(E) ( ) 2012(E) ( ) 매출액 9,293 10,231 25,371 42,000 70,000 - 냉동공조 9,293 7,152 11,219 11,000 13,000 -FOSB+FOUP 0 3,079 14,152 31,000 57,000 매출원가 7,219 8,320 18,826 30,450 51,900 매출총이익 2,073 1,911 6,545 11,550 18,100 판관비 4,173 4,087 3,845 4,950 6,860 영업이익 -2,100-2,176 2,699 6,600 11,240 당기숚이익 -3,581-2,834 1,346 5,600 9,980 FOSB 매출비중 영업이익률 당기순이익률 부채비율 Q ( ) 6,313 2,604 3,709 4,552 1, 년 1 분기부터핚국채택국제회계기준 (K-IFRS) 도입 년 10 월부터 Version1 FOSB 매출발생 : LG 실트롞, 독읷실트로닉, 읷본섬코등을통해하이닉스반도체, 삼성전자에납품 년, 반도체사업의홗성화에힘입어 흑자전홖 실현 년 7 월부터 Version2 FOSB 매출발생 : LG 실트롞을통해삼성전자에납품개시 16

18 3S Plan 2012 (3/3) 웨이퍼캐리어시장선도자로자리매김 2010 흑자젂홖실현 2011 FOSB 시장장악초석다지기 2012 웨이퍼캐리어시장의선도자 FOSB 국내시장 23% 점유 FOSB 국내시장납품본격화 FOSB 국내시장 32% 장악 해외 Wafer 사로의납품본격화 FOSB 국내시장 57% 차지 FOUP 납품개시 1. FOSB 1라읶풀가동 2. 국내반도체사의국내외전공정 Qual Test Pass 3. FOSB 신제품출시 4. 해외 Wafer사납품개시 1. FOSB 2라읶양산시작 2. 해외 Wafer사납품본격화 3. 대전방지 FOSB 납품본격화 4. FOUP 개발완료 / 시생산 1. FOUP 납품개시 2. FOUP 사업홗성화 - 홗성화시간단축가능 - 기졲 FOSB사용처로의납품 3. FOSB 국내외시장확대 17

19 감사합니다. 삼에스코리아 자료문의 유형원차장 / 정준길주임 / stock@3sref.com 본자료는회사의자체추정자료가포함되어있으며, 이로읶해발생되는투자손실에대해법적책임을지지않습니다.

3S KOREA (KOSDAQ: ) Investor Relations 2010 Contents 1. 회사개요 2. 반도체사업개요 3. 시장전망 4. 실적전망 5. Summary 본자료에서제시한향후전망은미래사안과영업성과에대한당사의현재의견을반영하는것으로, 특정위

3S KOREA (KOSDAQ: ) Investor Relations 2010 Contents 1. 회사개요 2. 반도체사업개요 3. 시장전망 4. 실적전망 5. Summary 본자료에서제시한향후전망은미래사안과영업성과에대한당사의현재의견을반영하는것으로, 특정위 Investor Relations 2010 삼에스코리아 2010.08.17 (KOSDAQ: 060310) 1/29 3S KOREA (KOSDAQ: 060310) Investor Relations 2010 Contents 1. 회사개요 2. 반도체사업개요 3. 시장전망 4. 실적전망 5. Summary 본자료에서제시한향후전망은미래사안과영업성과에대한당사의현재의견을반영하는것으로,