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1 219 산업별투자전략 반도체 세가지가능성을확인하는 219 년 김영건 2)

2 Contents I. DRAM 전망 4 II. NAND 전망 19 III. Foundry 25 IV. Global Peer Group (Valuation) 26 V. Top Picks 27 SK하이닉스 (66/ 매수 )

3 [ 요약 ] 세가지가능성을확인하는 219 년 DRAM 공급을통한가격조절가능여부확인 NAND 가격하락을통한수요탄력성확인 Foundry 22 년고객확보를위한기술력확인 1Q14 1Q15 1Q16 1Q17 1Q18 1Q19F 산업별투자전략

4 P 134 PC DRAM : 7 년만의성장기회 PC 출하량추이 2Q18 글로벌 PC 분기출하량은 YoY +2.1% 성장하며 7 년만에연간성장가능성보였으나, 3Q18 Intel CPU 공급부족의영향으로 YoY Flat 기록하며성장추세약화 반면, Intel 이외의 CPU 를사용하는 PC 의경우동기간지속적출하량성장기조유지하며 3Q18 YoY +9.2% 의출하량성장기록 Gaming 수요호조및교체수요도래등으로 PC 시장성장기임에도불구, 일시적추세약화 PC 출하량추이 (Non Intel CPU processor) ( 백만대 ) 1 8 Notebook Desktop Desktop YoY Notebook YoY Total YoY 6 Intel CPU shortage 4 ( 백만대 ) 2 16 Notebook Desktop Total YoY Desktop YoY Notebook YoY Q 1Q3 1Q6 1Q9 1Q12 1Q15 1Q18-4 1Q 1Q3 1Q6 1Q9 1Q12 1Q15 1Q18-8 자료 : IDC, 미래에셋대우리서치센터 자료 : IDC, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

5 PC DRAM : Set 업체들의재고정책 변화 PC DRAM 현물가격은연일하락지속중 : 1 월 DDR4 8Gb 고정거래가격이 MoM 1.7% 하락한이후에도현물프리미엄 -7.7% 형성 반면, 대만 PC ODM 업체들의월별매출액은 3 년래전고점기록중 : PC 수요는양호한상황으로추정 Intel CPU 공급에대한우려로 PC 업체들이 DRAM 재고의소진을우선하는것으로추정 DDR4 8Gb 1Gx8 2133/24MHz 가격및현물프리미엄 대만 PC ODM 업체월별실적추이 (US$) 12 9 Premium (R) Spot (L) Contract (L) 45 3 (NT$bn) Quanta MoM(R) (NT$bn) Wistron MoM(R) 자료 : DRAMeXchange, 미래에셋대우리서치센터 자료 : Quanta, Wistron, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

6 PC DRAM : CPU 공급부족해소효과발현 PC DRAM 대당탑재량추이 PC 의대당 DRAM 탑재량증가추세는성숙기도래 : 분기평균 6.6% 수준의대당탑재량증가 219 년 2 분기 Intel CPU 공급부족해소와함께연간.8% 의수량성장기대 : 상반기동안 12.6% 의수량감소, 3Q 이후 15.8% 의수량성장예상 219 년예상 PC DRAM 수요 bit growth: +7.7% 219 년 PC 수량전망 (Megabytes) 8, Desktop Laptop Desktop YoY Laptop YoY 12 ( 백만대 ) 8 PC 수량 YoY Intel CPU 공급부족해소 4 6, , 4 4 2, Q5 1Q7 1Q9 1Q11 1Q13 1Q15 1Q17 1Q19F -4 1Q17 3Q17 1Q18 3Q18 1Q19 3Q19-4 자료 : IDC, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

7 P 135 모바일 DRAM : 삼성전자중저가확대 효과 애플 : 219 년 iphone 차기모델의 DRAM 탑재량증가가능성은높지않음 고용량모델의비중확대에따른평균탑재량증가 : YoY +19.4% 추정 삼성전자 : 중저가라인인 Galaxy M(DRAM 탑재량 3GB 예상 ) 전환고려 : 기존 Galaxy C( 평균 4.3GB), Galaxy J( 평균 2.2GB), Galaxy On( 평균 2.4GB) 전환시기존성장대비약 6%pt 의탑재량증가효과기대 : YoY +31.6% 추정 iphone 출하량및 DRAM 대당탑재량추이 삼성전자 Galaxy M 전환고려시 DRAM 탑재량변화 ( 백만대 ) 1 8 iphone 출하량 대당탑재량 iphone 6S 2GB 채택 iphone 7+ 3GB 채택 (GB) 신규모델 5GB 탑재가능성低 iphone XS 4GB 채택 4. ( 백만대 ) Galaxy M Galaxy On series 4 Galaxy J series Galaxy C series Others 삼성스마트폰평균탑재량 Galaxy M 전환효과고려시 % (GB) iphone 5 1GB 채택 % Q11 1Q13 1Q15 1Q17 1Q19F F 219F. 자료 : Apple, 미래에셋대우리서치센터 자료 : IDC, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

8 P 135 모바일 DRAM : 듀얼카메라적용확대 스마트폰듀얼카메라채용비중증가중 (3Q18 현재약 47%) 특히, 삼성전자의듀얼카메라비중은시장평균보다낮으며중저가라인강화정책에의해비중확대예상 듀얼카메라적용모델의경우전체평균보다약 42% 많은모바일 DRAM 탑재 듀얼카메라적용기조가높아지는한 DRAM 탑재량상향가능성높음 스마트폰제조사별듀얼카메라비중추이 듀얼카메라적용여부와 DRAM 탑재량의관계 4Q16 평균 (GB) Google 4Q17 평균 3Q18 평균 5. 전체 DRAM 탑재량평균 듀얼카메라모델 DRAM 탑재량평균 Samsung 3 4Q19F 평균 % Apple 47 Xiaomi 5 3. OPPO Vivo 67 Huawei OnePlus 자료 : Counterpoint, IDC, 미래에셋대우리서치센터. 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15 1Q16 3Q16 1Q17 3Q17 1Q18 자료 : IDC, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

9 모바일 DRAM 삼성전자 (21.5%), 애플 (13.6%) 의수량점유율을고려한 bit growth 는각 2.6%, 8.2% 삼성전자의중저가모델 DRAM 탑재량증가추세로인한경쟁모델탑재량자극가능성 + 듀얼카메라적용확대기조 대부분의스마트폰 DRAM 탑재량은전년도이상유지예상 219 년스마트폰연간수량증가율전망 : 3.7% 가정 219 년예상모바일 DRAM 수요 bit growth: +28.1% 모바일 DRAM (GB) 5 대당탑재량 대당탑재량 YoY 삼성전자 +31.6% 애플 +19.4% 기타 +21.7% F 자료 : IDC, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

10 P 134 서버 DRAM : 대당탑재량증가에의존 219 년글로벌 ISP(Internet Service Provider) 11 개사의 Capex 전망치증가폭축소우려 218 년대비 +11.3% 증가할것으로예상되며올해성장률대비 24.1%pt 감소 글로벌 ISP 의 Capex 가유일하게역성장한 29 년의서버 DRAM 대당탑재량성장률은 17.6% 서버 Unit growth 는보수적접근 (YoY Flat) 219 년서버 DRAM 예상대당탑재량은 28.5% 219 년예상서버 DRAM 수요 bit growth: +28.5% 글로벌 ISP(Internet Service Provider) Capex 추이 서버 DRAM 탑재량추이 (US$bn) Salesforce SAP Oracle Alibaba IBM Google Apple Netflix Facebook Microsoft Amazon Total YoY (GBbn) 6, 4,5 3, 서버 DRAM 총량대당탑재량서버 DRAM 총량 YoY 대당탑재량 YoY 서대대수 YoY ,5 "Maginot line" F 자료 : Factset, 미래에셋대우리서치센터 F 자료 : IDC, Gartner, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

11 DRAM 수요 bit growth = 2.% DRAM application 별 bit 비중및 219 bit growth 추정 - 서버 DRAM: 비중 34%, 219F bit growth 28.9% = 9.7% - 모바일 DRAM: 비중 34%, 219F bit growth 28.1% = 9.6% - PC DRAM: 비중 1%, 219F bit growth 7.7% =.8% 219 년예상 DRAM 수요 bit growth: +2.%( 기타부분제외, 최소수치 ) DRAM Application 비중 (Bit 기준 ) 219 년수요 bit growth 3 기타 22% PC 1% % 2 +2.% 스마트폰 34% % +9.6% 서버 34% PC 스마트폰서버 219F 산업별투자전략

12 P 136 DRAM 3 사과점체제 이후첫 Capex 역성장 219 년글로벌 DRAM Capex: 182 억달러 (YoY -3.2%) 216 년 DRAM 3 사과점체제구축이후첫역성장 과거 DRAM 산업의 Capex 역성장이일어난시기는 미국금융위기, 유럽재정위기 두번뿐 두차레의위기를통해 DRAM 산업은최종적으로 3 자독과점구조구축 글로벌 DRAM 산업 Capex 추이 DRAM Capex 역성장의역사 (US$mn) 29 년미국발금융위기 : -45.7% 212 년유럽재정위기 : -11.8% 219 년 DRAM 수요우려 : -3.2% 25, 미국발금융위기 유럽재정위기 217 後 DRAM 과점체제구축 15 Samsung SK hynix Micron 2, Quimonda 파산 Elpida 도산 Inotera 피인수 1 Nanya Inotera Elpida 15, 5 Others Total YoY Samsung YoY 1, 5, F -1 자료 : DRAMeXchange, IHS, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

13 P 136 적극적인삼성전자 Capex 전략 I: P1 운용 삼성전자평택 P1 2 층의 DRAM 투자전망은업황에맞춰하향중 P1 2 층의투자시기는이르면 2Q19 중에집행, wafer output 은 219 년말가능 P1 2 층신규투자보다화성 16 라인 NAND 의 DRAM 전환이선행될가능성시사 16 라인전환시 +2K, P1 2 층신규투자시 +25K 의 DRAM wafer capa 증가예상 : 총 +45K 증가 삼성전자 DRAM wafer capa 운용전략추정 ( 천장 / 월 ) 4Q18F 1Q19F 2Q19F 3Q19F 4Q19F 내용 삼성전자평택 P1 DRAM Wafer capa 전망변화추이 ( 천장 / 월 ) 1K Fab13 DRAM CIS DRAM CIS 라인전환 8K Fab15 DRAM NAND DRAM 1Ynm 공정미세화 6K 서편 2K 동편 4K Fab16 DRAM NAND(7K) DRAM(2K) NAND 라인전환 동편 4K 동편 25K P1 DRAM DRAM 25K 신규투자 NAND (P1 2층동편 ) 초기계획 (Design capa) 1Ynm 고려 (Capa loss) 실투자잔여공간추가투자예상 산업별투자전략

14 P 137 적극적인삼성전자 Capex 전략 II: 13 라인 218 년 9 월기준글로벌 CIS(CMOS Image sensor) 출하량은 5.47 억개 (YoY +41%) 월별출하량이월단위신고점기록중이며전년동월대비성장률은 5% 대전후 CIS 호황에따른 13 라인의 DRAM CIS 전환가능성존재 217 년초 11 라인 DRAM CIS 전환시기대비 CIS 시장출하량약 67% 증가 13 라인 CIS 15K 전환시총 3K 의 DRAM wafer capa loss 예상 삼성전자 DRAM wafer capa 운용전략추정 CIS(CMOS Image sensor) 월별출하량추이 ( 천장 / 월 ) 4Q18F 1Q19F 2Q19F 3Q19F 4Q19F 내용 ( 백만개 ) 6 2Q19F Fab 13 전환가능성 15 Fab13 DRAM CIS DRAM CIS 라인전환 45 1Q17 Fab 11 전환 1 Fab15 DRAM NAND DRAM 1Ynm 공정미세화 3 5 Fab16 DRAM NAND(7K) DRAM(2K) NAND 라인전환 15 P1 DRAM DRAM 25K 신규투자 NAND (P1 2층동편 ) 자료 : WSTS, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

15 P 137 SK 하이닉스 Wuxi 1Xnm 에 all in SK 하이닉스 DRAM 투자의대부분은 Wuxi 확장라인에투입예정 현재 Wuxi C2 Fab 의 Tech node 는 2Ynm 와 2Znm 각 6:4 수준으로추정 신규 Fab 인 C2 Extention 은기존 Fab 의공정미세화에따르는 Capa loss 의보완투자에투입 Wuxi 의전체 Wafer capa 는현재와유사한수준 (14K) 로유지될것으로예상 단, 일부공정미세과정의경우 2 개 node(2ynm 1Xnm) 극복필요 SK 하이닉스 DRAM wafer capa 및 bit growth 추이 SK 하이닉스 Tech node 비중 ( 천장 / 월 ) 4 C2-Extention C2 M1 M14 1% 1Ynm 1Xnm 2Znm 2Ynm % 5% 2Znm 1Xnm Wuxi C2 Extension 1Xnm 33% Mainly in M Ynm 1Xnm direct Wuxi C2 Extension 1 25% Q18 2Q18 3Q18 4Q18F 1Q19F 2Q19F 3Q19F 4Q19F % 1Q17 3Q17 1Q18 3Q18F 1Q19F 3Q19F 1Q2F 3Q2F 산업별투자전략

16 DRAM 공급 bit growth = 17.9 ~ 18.6% 시나리오 I: 평택 P1 2 층 25K 투자 + 16L 전환 + 13L CIS 미전환 19.6% 시나리오 II: 평택미투자 + 16L 전환 + 13L CIS 미전환 18.8% 시나리오 III: 평택 P1 2 층 25K 투자 + 16L 전환 + 13L CIS 전환 18.7% 시나리오 IV: 평택미투자 + 16L 전환선행 + 13L CIS 전환 17.9% 시나리오 V: Only 1Ynm 공정전환 (15Line, 17Line) 18.3% 219 년예상 DRAM 공급 bit growth: 17.9 ~ 19.6% 219 년공급 bit growth 시나리오 Company Fab Name 1Q18 2Q18 3Q18F 4Q18F 1Q19F 2Q19F 3Q19F 4Q19F 시나리오I 시나리오II 시나리오III 시나리오IV 시나리오V Line Line %.% -4.3% -4.3%.% Samsung Line % 4.5% 4.5% 4.5% 4.5% Line % 4.9% 4.9% 4.9%.% Line % 16.4% 16.4% 16.4% 16.4% P %.% 6.1%.%.% % 18.8% 18.7% 17.9% 18.3% SK Hynix Micron M M C C2 Extention 완공 Dominion Fab Fab7(Tech) Fab11 (Inotera) Fab15(Elpida) Fab16(Rexchip) %.% 45.% 18.5%.%.% 15.% 22.1% 2.% 17.3% 18.6% 18.3% 18.2% 17.9% 18.1% 산업별투자전략

17 공급과잉장기화가능성低 219 년수요 bit growth 3 시나리오 I: 평택 P1 2 층 25K 투자 + 16L 전환 + 13L CIS 미전환 19.6% 시나리오 II: 평택미투자 + 16L 전환 + 13L CIS 미전환 18.8% 시나리오 III: 평택 P1 2 층 25K 투자 + 16L 전환 + 13L CIS 전환 18.7% 시나리오 IV: 평택미투자 + 16L 전환선행 + 13L CIS 전환 17.9% 시나리오 V: Only 1Ynm 공정전환 (15Line, 17Line) 18.3% 219 년예상 DRAM 공급 bit growth: 17.9 ~ 19.6% 219 년공급 bit growth % % 2 +2.% 수급 Tightness 2 지속 ~ 19.6% +5.4% % +9.6% ~ 8.1% PC 스마트폰서버 219F 219F 마이크론 SK 하이닉스삼성전자 산업별투자전략

18 1Q19 2Q19 3Q19 4Q19 GalaxyM 출시및비중확대 수요 Event Intel CPU 공급확대 iphone 신제품출시 공급 Event SK 하이닉스 Wuxi II 삼성전자 13Line CIS 전환 삼성전자 P1 2 층 25K 삼성전자 P1 2 층 25K 산업별투자전략

19 II. NAND 219 년신규양산개시 wafer capa 규모 : 135K/ 월 219 년글로벌 NAND 업체예상 Capex 는 228 억달러로 218 년대비 7.2% 감소전망 219 년말기준글로벌 NAND wafer capa 규모는 1,557K 로 2% 증가규모 신규 Fab 양산가동규모는총 135K 로 218 년기준 capa 대비 8.8% 증가 신규 Fab 은모두 3D NAND Fab 으로공급량증가에미치는영향유의미 글로벌 NAND 업체 Capex 글로벌 NAND 업체 219 년신규 wafer capa (US$mn) 32, 24, Intel Micron Toshiba/SanDisk SK Hynix Samsung Capex total YoY (R) ( 천장 / 월 ) , , E 219F 자료 : DRAMeXchange, 미래에셋대우리서치센터 -4 Samsung SK Hynix Toshiba/SanDisk Micron/Intel 산업별투자전략

20 II. NAND SK 하이닉스 / 도시바 wafer capa 증설주도 특히, SK 하이닉스의높지않은시장점유율, 도시바의늦어진투자시기등을지연고려하면 219 년양사의 NAND wafer capa 투자는업황과독립적으로진행될가능성높음 3Q18 기준 SK 하이닉스의시장점유율은 11%, 219 년말기준도시바의예상 3D NAND wafer capa 비중은 33.7% 에불과 SK 하이닉스 NAND Flash M/S(3Q18) 글로벌 NAND 업체 wafer capa( 상 ) 및 Capex( 하 ) 전망 ( 천장 / 월 ) 1. 6 Total NAND wafer capa 1 3D NAND capa 11% 6% 36% Samsung Toshiba 45 3D NAND 비중 % Western Digital Micron % SK Hynix Intel % Samsung SK Hynix Toshiba Micron 자료 : DRAMeXchange, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

21 II. NAND QLC 삼성전자 /Micron Wafer capa 투자가상대적으로적은삼성전자와 Micron 은 QLC 적용으로일부 bit growth 보완 Capa 증설없이컨트롤러기술만으로저장효율성 3% 증대 가격경쟁력과직결 삼성전자 QLC QLC 는단위셀당 4 비트의용량저장가능 (TLC 대비 33% 증가 ) 1% 9% 8% 7% QLC 6% 5% TLC 4% 3% MLC 2% 1% % 1Q14 1Q15 1Q16 1Q17 1Q18 1Q19F 자료 : IHS, 미래에셋대우리서치센터 자료 : Micron, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

22 II. NAND 메모리산업에서 다수의경쟁사례 수요공급외에도 NAND 는경쟁강도가높음 27 년 Global DRAM 업체영업이익률추이 4 Samsung DRAM(DDR2 512Mb 64Mx8) 고정가격추이 (US$) 8. Hynix Micron 6. Qimonda -4 Elpida ProMOS Powerchip Nanya 2. Inotera -12 1Q7 2Q7 3Q7 4Q7 자료 : DRAMeXchange, 미래에셋대우리서치센터 자료 : DRAMeXchange, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

23 II. NAND P 138 지속적인 NAND 가격 하락은 HDD 대체가격 조기도달촉진 일반적으로 SSD 의 ASP/GB 가 HDD 의 3 배수준이내로들어오는순간이전환수요촉진시점 지속적인 NAND 가격하락으로 Mission-Critical HDD 의전환지속중 NAND 가격하락가속화될경우 PC HDD 대체가격에조기도달예상 219 년은 NAND 수요의가격탄력성을증명하는기간이될것으로기대 서버 DRAM 탑재량추이 (ASP, US$/GB) ,rpm Mission-Critical HDD 대체가격도달 1,rpm Mission-Critical HDD 대체가격도달 Mission-Critical HDD 대체가속화 PC HDD 대체가격조기도달예상 PC HDD Business-Critical HDD Mission-Critical HDD NAND Flash NAND Flash' 7,2rpm Business-Critical HDD 대체가격도달예상 자료 : Gartner, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

24 II. NAND PC HDD 교체가격 시나리오 시나리오결과 219 년 NAND 가격 44% 하락시 219 년말 PC 용 HDD 교체가격도래가능 219 년가격하락가정및 HDD 교체가격도래시나리오 (256Gb 1x32GB TLC 기준 ) (US$/GB) 년 NAND 가격 25% 하락가정 219 년 NAND 가격 3% 하락가정 219 년 NAND 가격 44% 하락가정 년 2.5" PC HDD 예상가격의 3 배 (.92$/GB).6 22 년 2.5" PC HDD 예상가격의 3 배 (.79$/GB). 1Q16 1Q17 1Q18 1Q19F 자료 : Gartner, IHS, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

25 III. Foundry 22 년 M/S 확보를 가늠할수있는해 217 년기준글로벌 Foundry 산업점유율은 TSMC 가압도적인 1 위 ( 약 54.2%) TSMC 의주요고객은 Apple, Huawei, Nvidia, Qualcomm, AMD 등 향후삼성전자의유의미한 M/S 확대는 TSMC 의 M/S 를흡수하는것이유일한상황 219 년 7nm tech 에대한완성도구축이후, 22 년 5nm 에서고객확보가능여부결정 217 년 Foundry 점유율현황 Foundry tech road map 1% 9% % 7% 6.9% 7.5% Others TSMC 1nm 7nm 5nm 6% 8.6% 8.9% SMIC Samsung Electronics 5% UMC Samsung 1nm 7nm 5nm 4% GLOBALFOUNDRIES 3% 54.5% 54.2% TSMC 2% GF 14nm 7nm 포기 1% % 산업별투자전략

26 IV. Global Peer Group (Valuation) P 139 글로벌동종업체 Valuation ( 십억원, %, 배 ) 시가총액 매출액영업이익순이익 ROE PER PBR EV/EBITDA 18F 19F 18F 19F 18F 19F 18F 19F 18F 19F 18F 19F 18F 19F SK하이닉스 48,776 41,624 4,478 22,246 19,56 16,476 14, 삼성전자 263, , ,845 64,416 63,292 48,232 47, Micron 45,831 34,978 34,988 15,918 14,963 14,55 12, Intel 238,17 78,839 83,84 25,454 27,839 24,4 22, WDC 14,638 2,23 2,749 3,339 3,65 1,14 1, Nanya 5,255 3,366 3,219 1,589 1,298 1,561 1, 메모리평균 글로벌메모리업체 PBR-ROE 그래프 글로벌메모리업체 EV/EBITDA-EBITDA growth 그래프 (PBR, x) (EV/EBITDA, x) SEC WDC Nanya Micron SK hynix (ROE, %) Intel 6. WDC 3. Nanya Micron SK hynix SEC (EBITDA growth, %) 산업별투자전략

27 SK 하이닉스 (66) P 년은단단해질기회다 (Maintain) 목표주가 ( 원,12M) 현재주가 (18/11/16, 원 ) 매수 86, 7,1 투자포인트 219 년매출액과영업이익은각 4.5 조원 (YoY -3%), 19. 조원 (YoY -14%) 로역성장예상 DRAM 가격 17% 하락, NAND 가격 29% 하락가정 219 년 DRAM 시장의공급량조절로인한가격회복가능성과 NAND 수요의가격탄력성을증명 22 년성장기조회복기대 상승여력 23% 영업이익 (18F, 십억원 ) 22,246 Consensus 영업이익 (18F, 십억원 ) 22,432 EPS 성장률 (18F,%) 54.8 MKT EPS 성장률 (18F,%) 1.7 P/E(18F,x) 3.1 MKT P/E(18F,x) 8.5 KOSPI 2,92.4 Risk 요인 미중간무역분쟁으로인한글로벌 IT set 수요부진가능성 시가총액 ( 십억원 ) 51,33 13 결산기 (12월) 12/15 12/16 12/17 12/18F 12/19F 12/2F 발행주식수 ( 백만주 ) 728 SK하이닉스 KOSPI 12 매출액 ( 십억원 ) 18,798 17,198 3,19 41,624 4,478 45,919 유동주식비율 73.9 영업이익 ( 십억원 ) 5,336 3,277 13,721 22,246 19,56 22,736 외국인보유비중 영업이익률 베타 (12M) 일간수익률 순이익 ( 십억원 ) 4,322 2,954 1,642 16,476 14,227 16,994 52주최저가 ( 원 ) 64,7 EPS ( 원 ) 5,937 4,57 14,617 22,632 19,543 23,344 52주최고가 ( 원 ) 95,3 9 ROE 주가상승률 1개월 6개월 12개월 8 P/E ( 배 ) 절대주가 P/B ( 배 ) 상대주가 배당수익률 주 : K-IFRS 연결기준, 순이익은지배주주귀속순이익 자료 : SK하이닉스, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략

28 SK 하이닉스 (66) P 14 예상포괄손익계산서 ( 요약 ) 예상재무상태표 ( 요약 ) 예상주당가치및 valuation ( 요약 ) ( 십억원 ) 12/17 12/18F 12/19F 12/2F ( 십억원 ) 12/17 12/18F 12/19F 12/2F 12/17 12/18F 12/19F 12/2F 매출액 3,19 41,624 4,478 45,919 유동자산 17,31 26,935 35,9 48,443 P/E (x) 매출원가 12,72 15,7 17,151 18,327 현금및현금성자산 2,95 16,156 25,56 36,325 P/CF (x) 매출총이익 17,47 26,617 23,327 27,592 매출채권및기타채권 5,564 6,851 6,893 7,73 P/B (x) 판매비와관리비 3,686 4,371 4,271 4,855 재고자산 2,64 3,252 3,271 3,656 EV/EBITDA (x) 조정영업이익 13,721 22,246 19,56 22,736 기타유동자산 6, EPS ( 원 ) 14,617 22,632 19,543 23,344 영업이익 13,721 22,246 19,56 22,736 비유동자산 28,18 37,2 41,632 46,474 CFPS ( 원 ) 25,499 39,515 36,776 43,96 비영업손익 관계기업투자등 BPS ( 원 ) 47,51 68,881 87,485 19,889 금융손익 유형자산 24,63 32,941 37,978 43,93 DPS ( 원 ) 1, 1, 1, 1, 관계기업등투자손익 무형자산 2,247 2,168 1,758 1,425 배당성향 세전계속사업손익 13,44 22,474 19,371 23,13 자산총계 45,418 63,937 77,532 94,917 배당수익률 계속사업법인세비용 2,797 6,1 5,149 6,141 유동부채 8,116 1,881 1,936 12,5 매출액증가율 계속사업이익 1,642 16,473 14,223 16,989 매입채무및기타채무 3,483 4,289 4,315 4,822 EBITDA증가율 중단사업이익 단기금융부채 774 1,839 1,839 1,839 조정영업이익증가율 당기순이익 1,642 16,473 14,223 16,989 기타유동부채 3,859 4,753 4,782 5,344 EPS증가율 지배주주 1,642 16,476 14,227 16,994 비유동부채 3,481 3,679 3,68 3,692 매출채권회전율 ( 회 ) 비지배주주 장기금융부채 3,397 3,576 3,576 3,576 재고자산회전율 ( 회 ) 총포괄이익 1,22 16,685 14,223 16,989 기타비유동부채 매입채무회전율 ( 회 ) 지배주주 1,221 16,686 14,225 16,991 부채총계 11,598 14,56 14,616 15,697 ROA 비지배주주 지배주주지분 33,815 49,374 62,918 79,228 ROE EBITDA 18,748 28,643 26,623 31,245 자본금 3,658 3,658 3,658 3,658 ROIC FCF 5,562 7,925 9,579 12,6 자본잉여금 4,144 4,144 4,144 4,144 부채비율 EBITDA 마진율 이익잉여금 27,287 42,69 56,152 72,463 유동비율 영업이익률 비지배주주지분 순차입금 / 자기자본 지배주주귀속순이익률 자본총계 33,821 49,377 62,916 79,221 조정영업이익 / 금융비용 (x) 자료 : SK하이닉스, 미래에셋대우리서치센터 산업별투자전략