NE_Ch7.hwp
|
|
- 세현 흥
- 6 years ago
- Views:
Transcription
1 7. 반도체검출기 반도체검출기는 1950년대후반부터본격적으로개발되기시작하여 1960년대에상업적으로이용가능하게되었다. 반도체검출기는매우좋은에너지분해능과위치분해능때문에오늘날핵및입자물리학실험에서널리사용되는검출기중하나이다. 반도체검출기의작동원리는기체검출기와비슷하다. 이온화입자가반도체검출기에입사하면 ( 전자-이온쌍대신 ) 전자-양공쌍이생성된다. 그리고계속해서전자와양공들이전기장을따라극판으로이동하여전기신호를만든다. 반도체검출기의장점은전자-양공쌍을만드는데필요한에너지가전자-이온쌍을만드는데필요한에너지보다 10 배정도작다는것이다. 따라서같은입자에너지에대하여기체검출기보다더욱많은하전입자가생성되고그결과에너지분해능이향상된다. 그리고기체검출기보다밀도가높아멈춤도 (stopping power) 가크며크기가매우작고빠른시간반응을보여준다. 그러나실리콘을제외하고는냉각장치가필요하며, 고방사선환경하에서의노후효과가심각하여수명이상대적으로짧다는단점도있다. 7.1 기본적인반도체의성질 에너지띠구조 반도체란외각전자의에너지준위가띠구조 (band structure) 로이루어진결정체를일컫는다. 그림 7.1은에너지가띠 (valence band), 금지된에너지틈 (energy gap), 전도띠 (conduction band) 로구성된반도체의에너지구조를보여준다. 그리고비교를위하여절연체및도체와도비교해놓았다. 전도띠 자유전자 에너지틈 E g 1 ev E g 6 ev 가띠 양공 반도체절연체도체 그림 7.1 에너지띠구조로구분한반도체, 절연체및도체. 에너지띠는많은불연속에너지준위가매우촘촘히배열되어연속인것으로간주할수있는영역을일컬으며, 금지된에너지틈은전혀에너지준위가존재하지않는영역을일컫
2 는다. 에너지띠구조는원자들이주기적으로가깝게배열되어있어이웃하는원자의전자파동함수가서로겹쳐져서생긴다. 이때파울리의배타원리에의해둘이상의전자가하나의양자상태에존재하는것이금지되어있으므로원자외부의껍질에겹쳐져있던에너지준위가서로다른준위로분리되는것이다. 이때스핀이서로반대인두개의전자는같은에너지준위에들어갈수있으므로전자쌍의수정도에해당하는에너지준위가형성된다. 이외각전자들에의한에너지준위분리현상은내부에서강하게핵에묶여있는전자들에게는아무런영향을미치지않는다. 그리고이때가장높이있는에너지띠를전도띠라부르고이곳에있는전자들은원자로부터분리되어전체결정체내에서자유롭게움직인다. 그러나에너지틈아래에위치한가띠에있는전자들은원자에강하게묶여있어다른격자로이동하는것이불가능하다. 에너지띠와틈의폭은온도와압력에의존하는격자상수에의해결정된다. 도체에서는에너지틈이존재하지않으므로가띠의전자들이매우쉽게전도띠로이동하고격자사이를자유롭게움직인다. 한편절연체에서는에너지틈이상대적으로크다. 상온에서절연체의모든전자들은가띠에위치하고있으며열에너지만으로는가띠의전자들을전도띠까지올리는것이불가능하다. 반면에반도체에서는에너지틈이존재하기는하나그크기가절연체보다훨씬작아서수 ev의열에너지만주어져도가띠에있는몇개의전자들이전도띠로올라가전기장이가해지면작은전류가흐르게된다. 그러나반도체의온도를낮추어주면전도띠에있던전자들은다시가띠로다시내려가전도도는감소한다 반도체에서의전하운반자 절대영도의반도체에서가띠에있는모든전자들은이웃원자와공유결합을하고있다. 예를들어실리콘은네개의가전자를갖고있고이들은이웃하는네개의원자들과각각공유결합을하고있다. 그러나상온에서열에너지때문에가띠에있는몇몇전자가전도띠로올라가면가띠에양공을남겨두게된다. 이때전기장이가해지면이웃공유결합에참여하고있던전자하나가이양공을메우기위하여쉽게이동한다. 이와같이이웃한공유결합전자의이동이계속해서이루어지면결과적으로양공이전체결정을떠돌아다니는것과같은일이일어나고전류가흐르게된다. 양공은전자의바다에서상대적으로양의전하를가지고있어양공의운동도역시전류에공헌한다. 그러므로반도체에서는전도띠전자의운동과가띠양공이운동이모두전류에공헌한다. 이것이바로전도띠의전자운동에의해서만전류가흐르는도체와다른점이다. 반도체에서는열에너지에의해전자-양공쌍이계속생성되고그중일부는다시조합된다. 이두과정이서로안정된조건을형성한다면전자또는양공의밀도 는다음과같이구할수있다. exp exp (7.1) 여기서 와 는각각전도띠와가띠에존재하는양자상태의수, 는 0 K 에서에너지틈
3 의크기, 는온도에무관한상수이다 1). 전형적인 값은상온 (300 K) 에서 cm -3 (Si) 부터 cm -3 (Ge) 정도이다. 원자의밀도가약 cm -3 임을고려하면 실리콘원자중하나또는 10 9 게르마늄원자중하나가이온화된다는것이므로매우낮은전하운반자의밀도라고할수있을것이다. 반도체에전기장이가해지면전자와양공이각각다음과같은유동속도로운동한다. (7.2) 이때 는전기장의크기이며 와 는각각전자와양공의이동도 (mobility) 이다. 주어진반도체에서이동도는 와 의함수이다. 상온의실리콘에대하여이동도는 < 10 3 V/cm 영역에서상수이고 10 3 ~ 10 4 V/cm 영역에서 에비례하며 > 10 4 V/cm에서 에비례한다. 그러므로전기장의크기가 10 4 V/cm 이상일때전하운반자의속도는포화되는데이는전하운반자가전기장으로부터얻는운동에너지와원자와의충돌로잃어버리는에너지가비슷해져서일어난다. 한편 = K 영역에서이동도는 의형태로변화한다. 이때 은반도체및전하운반자의종류에의존하는상수이다. 실리콘에서 값은전자에대하여 2.5, 양공에대하여 2.7이며게르마늄에서는전자에대하여 1.66, 양공에대하여 2.33이다. 물론반도체의전류는이동도에의존하며순수한반도체의전류밀도는다음과같이주어진다. (7.3) 그러므로전도도 는이동도와다음과같이관련된다. (7.4) 전하운반자의재조합과덫치기 전도띠에있는전자는광자를방출하며가띠의비어있는양자상태로전이할수있다. 재조합 (recombination) 으로알려진이과정은전자-양공쌍생성의반대과정으로써에너지와운동량이각각정확하게보존되어야하므로발생할확률이매우작다. 그런데이론적으로재조합만고려한다면전자와양공의수명이 ~1 초까지될것으로예상되나, 실험결과는수 ns부터수백 μs로써재조합이외의다른과정이존재함을말해주고있다. 이차이에대한가장중요한이유는불순물 (impurity) 때문이다 : 불순물은금지된에너지틈에에너지준위를형성한다. 이불순물에너지준위는가띠로내려가는전도전자를중간에포획하여 (a) 일정시간이지난후가띠로다시방출하거나 (b) 추가로전자띠로올라가는양공도포획하여전자 -양공소멸을일으킨다. 방사선측정시반도체검출기의불순물은전도전자의평균수명을감소시키므로검출기의성능에매우중요한역할을한다. 당연히전도전자의수명이전하를 1) 관계식은일반적인통계물리교과서에잘유도되어있다
4 수집하는시간보다충분히길어야전하손실이없고분해능의저하를막을수있다. 그러므로반도체검출기의순도는 1 cm 3 당 개이하여야만한다. 불순물에의한또다른효과는덫치기 (trapping) 이다. 어떤종류의불순물은전자또는양공중하나의전하운반자만가둘수있다. 그러한불순물은전하운반자를포획하고있다가특정한덫치기시간이흐른후놓아준다. 만약덫치기시간이전하수집시간과비슷하다면유효전하운반자수가줄어들며전하수집이불완전해진다. 만약덫치기시간이전하수집시간보다훨씬짧다면거의영향이없을것이다. 불순물이재조합이나덫치기의주요인이나격자의결함도금지된에너지틈에에너지준위를만들수있다. 격자의결함이란격자점에있어야할원자의상실이나격자줄의위치바꾸기 (dislocation) 등을들수있다. 이러한격자의결함은결정성장중발생한열충격또는방사선조사에의한스트레스등에의해발생할수있다. 7.2 첨가반도체 우리는앞에서불순물의단점에대하여알아보았지만때로는반도체의성능을향상시키기위하여일부러불순물을첨가하기도한다. 이때좋은불순물과나쁜불순물의구분은에너지틈에만드는에너지준위의깊이에의한다. 나쁜불순물의에너지준위는에너지틈중간근처깊은곳에위치하여전하운반자들이쉽게나오지못하고오래머물게된다. 반면에좋은불순물의에너지준위는전도띠나가띠근처의얕은곳에위치하여전하운반자들이오래머물지못하고쉽게전도띠나가띠로전이할수있다 ( 그림 7.2). 전도띠 주개에너지준위 에너지틈 나쁜불순물에의한에너지준위 좋은불순물에의한에너지준위 가띠 받개에너지준위 그림 7.2 불순물에의해에너지틈에형성되는에너지준위. 순수한반도체에서는양공의수가전도띠에있는전자의수와같다. 이러한균형은원자의외각전자가반도체원자보다하나많거나하나적은불순물을조금넣어주어바꿀수있다. 실리콘이나게르마늄의경우에는원자의외각전자가셋또는다섯인불순물을사용하며이와같은불순물이첨가된반도체를첨가반도체 (doped semiconductor) 라부른다. 첨가불순물이 (As, P, Sb와같이 ) 다섯개의외각전자를가지고있다면주개에너지준위를형성한
5 다 ( 그림 7.2). 이주개에너지준위는전도띠와매우가까워실리콘에서는전도띠의바닥보다 0.05 ev 낮고게르마늄에서는 0.01 ev 낮다. 그결과상온에서불순물의추가전자가전도띠로매우쉽게들떠전기전도도를증가시킨다. 또한이추가전자는가띠로전이한후양공과소멸하여양공의밀도를감소시킨다. 따라서이러한첨가반도체의전류는주로전자의운동으로형성되므로 형반도체라부른다. 한편첨가불순물이 (Ga, B, In과같이 ) 세개의외각전자를가지고있다면전자하나가부족하여가띠를완전히채우지못하게된다. 따라서가띠에추가양공이생기며이로인하여가띠와매우가까운받개에너지준위를형성한다 ( 그림 7.2). 그결과상온에서불순물의추가양공이받개에너지준위로매우쉽게들떠양공의수가증가하므로전기전도도가증가한다. 이러한첨가반도체의전류는주로양공의운동에의해형성되므로 형반도체라부른다. 일반적으로첨가되는불순물의양은매우작아밀도가약 cm -3 정도이다. 이는반도체 10 9 개당하나의비율로불순물이들어간다는말이다. 그러나때로는반도체의전기적인접촉등을위하여거의도체수준인 cm -3 까지첨가하기도하는데이때는 또는 식으로표기한다. 첨가물의종류에관계없이전자와양공의밀도는열적인평형상태에있을때다음과같은간단한식을따른다. exp (7.5) 여기서 는식 (7.1) 과같은의미이며 과 는전자와양공의밀도이다. 반도체는전체적으로중성이므로 와 를주개와받개의밀도라할때다음식이성립한다. (7.6) 그러므로 = 0 인 형반도체인경우 이므로 (7.7) 가성립한다. 즉전자의밀도는주개의밀도와거의같다. 또한식 (7.5) 를이용하면소수전하운반자의밀도는 (7.8) 이며 형반도체의전도도 와비저항 는 (7.9)
6 와같이구할수있다. 우리는 형반도체에대해서도비슷한식을얻을수있다. 그러면 형불순물과 형불순물을동시에반도체에첨가해주면무슨일이일어날까? 사실모든반도체에는두가지형태의불순물이모두들어가있다. 주개불순물의추가전자는받개불순물의추가양공에포획되어서로의효과는상쇄되므로중요한것은주개와받개의차이인 이다. 즉 이면 형반도체이고그반대면 형반도체이다. 그리고 이면순수반도체와비슷해지고이를보정반도체 (compensated semiconductor) 또는 형반도체라부른다. 보정반도체의가장중요한성질은높은저항으로써방사선검출기에유용하게쓰일수있다. 7.3 pn 반도체접합과고갈두께 오늘날모든반도체검출기의원리는반도체접합에의존한다 ( 전자회로에서이러한접합장치를이용하는요소로써정류다이오드 (rectifying diode) 가있음 ). 가장간단한접합형태는 형반도체와 형반도체를나란히붙여놓은 접합이다. 접합의경계면에서는 영역으로퍼진양공이전자와결합하고 영역으로퍼진전자가양공과결합하게된다. 따라서 영역은양의전기퍼텐셜, 영역은음의전기퍼텐셜을띠게된다. 이를접촉퍼텐셜 (contact potential) 이라부르며약 1 V 정도의차수가된다. 그리고접촉퍼텐셜의결과접합을가로질러 영역으로부터 영역으로향하는전기장이형성되며이전기장이더이상의전자또는양공의확산을막아전하운반자가없는고갈영역 (depletion zone 또는 space charge region) 을형성하는것이다. 그림 7.3은이러한상황하에서의접촉퍼텐셜및고갈영역을보여주고있다. -x p x n 그림 7.3 접합에서 (a) 고갈영역과 (b) 접합퍼텐셜. 고갈영역의폭은보통작으며불순물의농도에의존한다. 전하밀도분포 와접촉퍼
7 텐셜 는다음과같이푸아송방정식에의해관련지어진다. (7.10) 이때 은유전상수이다. 예를들어고갈영역에서의전하밀도를다음과같이가정해보자. (7.11) 이때총전하량은항상보존되므로 이성립한다. 이제식 (7.11) 을한번적분하면 (7.12) 이되며 와 에서 임을이용하면전기장에대한식 (7.13) 을얻는다. 식 (7.13) 을한번더적분하면 (7.14) 이성립하고이때 에서 는같아야한다는조건으로부터 을얻고이상수를 라가정하자. 그리고 에서 이고 에서 임을이용하면 (7.15) (7.16)
8 (7.17) 을얻는다. 우리는식 (7.16) 과식 (7.17) 로부터주개또는받개의밀도중어느하나가더크면고갈영역은밀도가상대적으로작은쪽으로더많이확장됨을알수있다. 극단적으로 일경우 이므로고갈영역은접합의 형쪽에만형성된다. 이제총고갈영역의두께 (depletion depth) 는다음과같다. (7.18) 의극한에서식 (7.18) 은 (7.19) 로근사한다. 이때두번째등호는식 (7.9) 를이용한것이다 ( 은 영역의비저항 ). 일경우에는고갈영역이접합의 형쪽에만형성되며식 (7.19) 에서 대신 를대입하면된다. 이때 를 Ωcm 단위로 를 V의단위로사용하면식 (7.19) 의고갈두께를 μm의단위로다음과같이간단하게쓸수있다. 형 형 형 형 실리콘의경우 (7.20) 게르마늄의경우 (7.21) 전형적인 형실리콘반도체는 ~ 20 kωcm, = 1 V이다. 이를식 (7.20) 에대입하면 75 μm를얻는다. 한편고갈영역층을평행판축전기라가정하고 를고갈영역의단면적이라두면다음과같은축전용량도갖게됨을알수있다. (7.22) 식 (7.20) 과 (7.21) 을식 (7.22) 에대입하면
9 형 형 실리콘의경우 (7.23) 형 형 게르마늄의경우 (7.24) 을얻을수있다. 이때모든축전용량의단위는 pf/mm 2 이다. 핵및입자물리학실험에서사용하는반도체검출기는전하운반자가없는고갈영역을이용한다. 즉하전입자가고갈영역을통과할경우발생하는전자와양공이전기장에의해쓸려가접합체의양끝에위치한단자로부터전류신호를얻게된다. 그러나비록앞에서소개한 접합자체가원리적으로입자검출에이용될수있다하더라도최적화된검출기라고볼수는없다. 일반적으로 (접합내의고유한전기장에대한 ) 식 (7.13) 은효과적인전하수집에필요한충분한크기의전기장을제공하지못하고작은고갈영역의두께는아주낮은에너지의입자만멈출수있다. 그리고작은고갈두께는상대적으로큰축전용량을형성해출력신호의잡신호를증가시킨다. 이와같은문제점을극복하기위하여접합에역전압 (reverse-bias voltage) 을가해준다. 즉그림 7.4와같이 형쪽에음의전압을가하고 형쪽에양의전압을가하면고갈두께가증가하고결국입자검출에예민한유효부피가증가하게된다. 또한역전압의크기가증가할수록고갈두께가증가하고전하수집을효과적으로할수있다. 그러나역전압을무한히크게할수는없으며반도체의비저항에의해제한된다. 이최대값이상의역전압이적용되면 접합은도체가되어버린다. 그림 7.4 역전압이가해진 접합. 역전압이가해진상태에서의고갈두께 는식 (7.18) 의 를 로대체해주면된다. 그러나일반적으로 이므로단순히 를 로대체해주면될것이다. 이는식 (7.23) 과 (7.24) 에서도똑같이적용되어 이축전용량을현저히감소시킴을볼수있다. 흥미로운점은전자와양공의이동도차이때문에똑같은 이가해졌을때 형이 형보다더큰고갈두께를보여준다는것이다. 형실리콘에대하여 = 300 V를적용해주면고갈두께 = 1 mm를얻을수있다. 또한비저항이매우높은실리콘에대하여 를증가시켜고갈두께 = 5 mm까지얻는것도가능하다. 더욱큰비저항의재료를얻기위하여반도체의순도를높이거나보정반도체를사용해야만한다
10 7.4 반도체검출기의특성 지금까지이해한반도체와접합의기본적인특성을바탕으로방사선검출기로서의반도체특성을알아보도록하자. 방사선검출기로접합다이오드를사용할경우검출기의양끝에방사선에의해생성된전하를수집하기위한전극을설치하여야한다. 그러나단순히도체전극을반도체물질에쌓는다고저항성금속접촉 (ohmic metal contact) 이형성되는것은아니다. 잠시후에살펴보겠지만금속과반도체를직접접촉시켜놓으면정류접촉이형성되어고갈영역이반도체안으로확장되어간다. 따라서이와같은정류접촉을피하기위하여반도체와금속사이에농도가매우높은 또는 물질을삽입한다. 이경우에식 (7.16) 과 (7.17) 에서알수있듯이고갈두께를거의무시할수있게되므로우리가원하는저항성금속접촉을얻을수있다. 반도체를입자검출기로사용할때의장점은전자-양공쌍을만드는데필요한에너지가매우작다는사실로부터온다. 주어진온도에서전자-양공쌍을만드는데필요한에너지는입사입자의종류나에너지에거의무관하고반도체의종류에만주로의존한다. 그러므로주어진에너지의입자에의해생성되는전하운반자의개수는기체내에서보다한차수 (order) 정도더높으며섬광물질과광증배관에의한광전자보다는두차수정도더높다. 따라서반도체검출기를이용하여측정한방사선의에너지는다른검출기를이용하였을때보다에너지분해능이월등히좋은것이다. 고갈두께가충분히크고모든입자가반도체검출기내에서멈춘다면출력신호는입사에너지에대하여완벽한선형성을보여주게된다. 만약 가입사입자의에너지이고 가전자 -양공쌍을생성하는데필요한에너지라면 는생성된모든전자-양공쌍의개수일것이다. 참고로실리콘에대한 는상온에서 3.62 ev이고액체질소온도 (77 K) 에서 3.81 ev이다. 또한액체질소온도의게르마늄에대해서는 2.96 ev이다. 이때검출기의전하수집효율이 라면전극에서수집된총전하량은 가된다. 고갈영역의축전용량을 라고두면전극에서측정되는전압은결국 (7.25) 이되어입사에너지에비례함을알수있다. 여기서 가방사선의종류에무관하므로검출기의반응은원칙적으로입사입자의종류에무관하여야만한다. 그러나이는오직가벼운전자또는양성자에대해서만사실임이밝혀졌다. 무거운이온들에대해서는플라즈마효과 2) 가발생하여전하수집효율에영향을미쳐같은에너지라하더라도서로다른입자에대 2) 가큰무거운이온의경우반도체내에서생성되는전자 - 양공쌍의개수가매우커져입자의궤적을따라높은밀도의공간전하가형성된다. 이공간전하는외부에서가해준전기장을국지적으로상쇄시키므로공간전하구름의전하는빨리쓸려가지못하게되고일정한지연시간후에수집된다. 그결과출력펄스의오름시간이늦어지고수집이지연되는동안전자 - 양공의재결함이발
11 해서로다른펄스신호를주게된다. 따라서이경우에는입자의종류에따라검정을각각해주어야만한다. 한편출력신호의선형성은입자의투과범위가고갈두께이하일경우에만기대할수있다. 만약고갈두께가입자의투과범위보다작다면입자의총에너지가축적되지못하므로출력신호의비선형성이발생할것이다. 검출기의고유한에너지분해능은 4.2 절에서살펴보았듯이파노인자에의존한다. 그러나지금까지의많은연구에도불구하고실리콘이나게르마늄에대한파노인자는아직잘알려져있지않다. 다만파노인자가매우작아약 0.12 정도될것이라고만알고있다. 이는반도체검출기의에너지분해능을더욱개선하는요인이된다. 이론적으로 5 MeV 알파입자에대한실리콘검출기의분해능은 R 0.07%, 즉 3.5 kev로기대된다. 그러나실제로는 18 kev 정도가되는데이는반도체검출기자체의분해능뿐만아니라신호처리를위한전자장비등다른요소도크게영향을미친다는사실을말해주고있다. 역전압이가해진다이오드는원리적으로비전도성일것으로기대되지만작은요동전류가항상흐른다. 이요동전류를누출전류 (leakage current) 라고도부르며검출기의출력신호에대한잡신호가되어측정가능한최소신호크기의한계를정해준다. 누출전류의원인에는여러가지가있으나그중가장중요한것은표면을통해흐르는전류이다. 이는표면의화학적인성질, 불필요한성분에의한감염, 주변의환경등매우복잡한요인에의해발생하며경우에따라크게변할수있으므로일반적으로정량화하기는어렵다. 두번째는소수전하운반자의운동이다. 즉 형지역의양공이접합건너편의 형지역으로끌리거나반대로 형지역의전자가접합건너편의 형지역으로끌리는현상을말한다. 이러한누출전류는일반적으로매우작아서 cm 2 당수 na 정도이다. 하전입자에대한반도체의고유한검출효율은거의 100% 이다. 그러나실제검출기의운영에서는검출기의누출전류및신호처리전자장치에의한잡신호가발생하고이를제거하기위하여측정신호에최소판별값을적용해주어손실이발생한다. 따라서이용가능한검출기신호를얻기위하여잡신호보다큰신호가만들어지도록고갈두께가충분히크게제작하여야하며, 특히방사선의에너지를측정하고자한다면고갈두께가입자의투과범위보다커야만한다. 만약감마선의에너지를측정하고자한다면원자번호가상대적으로더큰게르마늄이실리콘보다더좋다. 그러나상온에서는게르마늄의에너지틈크기가작아서누출전류가많이흐르므로액체질소로냉각시켜야만하는단점이있다. 만약 ~30 kev 이하의 X- 선을측정하고자한다면실리콘의더좋다 ( 게르마늄의 K-끝은 ~11 kev에위치함 ). 전자와양공의수집시간은전하운반자와전극사이의거리에의존하므로반도체검출기신호의오름시간과형태는고정되어있지않다. 기체검출기에서와같이반도체검출기전극으로부터의전기신호는전하의직접수집에의한것이아니라전하운반자의운동에의해형성되는유도전하이다. 두개의평행한극판사이에서전하 인입자가거리 를이동해갔다면전극에유도되는전하는다음과같이주어진다 (5.4 절참조 ). 생하여펄스의크기가줄어들게된다
12 (7.26) 여기서 는전극사이의거리이다. 비록이식은전극사이의공간이비어있다고가정하고얻었으나전극사이에공간전하가있을경우에도성립한다 [1]. 이제한쪽이 로이루어진 형반도체의예를들어보자. 이경우 7.3 절에서살펴보았듯이고갈영역은완전히 형쪽으로확장되어져있다 ( 그림 7.5 참조 ). p- 형 n + 고갈영역 - + +V ext 0 x 0 d x -en A d/ε E 그림 7.5 접합내에형성되는전기장. 그림 7.5 에서 접합내의전기장은식 (7.13) 에의하여 (7.27) 이며식 (7.9) 의전도도에대한표현 와 의정의를대입하면 (7.28) 을얻는다. 이제전자-양공쌍이고갈영역내의위치 에서생성되어전자는 층을향해유동하고양공은 전극을향하여유동하기시작하였다. 그러면이동도의정의인식 (7.2) 로부터전자에대하여 (7.29)
13 이성립한다. 이동도가전기장에의존하지않는다면식 (7.29) 를적분하여 exp (7.30) 을얻고전자가 인극판까지 ( 층의두께는무시 ) 이동하는데걸리는시간은 ln (7.31) 이다. 시간의함수로유도되는전하는식 (7.26), (7.29), (7.30) 을이용하면 exp (7.32) 이된다. 비슷하게양공에대하여다음의식들을얻는다. (7.33) exp (7.34) exp (7.35) 결국총유도전하는 이며그림 7.6은 = 0.3이라가정하였을경우전형적인실리콘 (300 K에서 = 1350 cm 2 /Vs, = 480 cm 2 /Vs, = 1 ns) 에대한총전하량의시간변화를보여주고있다. 그리고이로부터 의극한에서최대유도전하량은 임을알수있다. 그림 7.6과식 (7.32), (7.35) 로부터변수 는신호의오름시간을정한다는것을이해할수있다. 그리고실리콘에대하여비저항 를 Ωcm 단위로쓸때 = sec이된다. 따라서 = 1000 Ωcm일때는 ns의차수가된다. 지금까지의식들은하나의전자-양공쌍에대하여알아본것이다. 실제로방사선에의한신호를추정하기위해서는고갈영역내입자의궤적, 궤적에따른전자-양공쌍의밀도, 이동도의변화, 자세한전기장의분포등을알아야하며매우복잡한과정을거쳐야만된다
14 그림 7.6 전형적인실리콘 (300 K에서 = 1350 cm 2 /Vs, = 480 cm 2 /Vs, = 1 ns) 에대한총전하량의시간변화. = 0.3이라가정하였음. 7.5 실리콘다이오드검출기 하전입자의검출을위한반도체검출기를위해서는실리콘이가장널리사용되고있는재료이다. 앞에서살펴보았듯이실리콘은상온에서운영하는데많은이점이있으며매우쉽게구할수있다. 그러나넓은영역을뒤덮지못한다는단점이있다. 실리콘다이오드검출기를만드는몇가지방법이아래에소개되어져있다 확산접합다이오드 확산접합다이오드 (diffused junction diode) 는방사선검출을위해처음제작된장치중하나이다. 이다이오드는 P와같은 형불순물을고온 (~ 1000 C ) 에서 형반도체의한쪽끝에확산시켜서만든다. 이때확산시간과불순물의농도를변화시켜접합이 μ m 깊이에형성되도록조절할수있다. 확산과정에서표면층에매우고농도의불순물이첨가되므로고갈영역은주로 형물질내로확장된다. 따라서방사선이예민한검출기영역에도달하기전에두꺼운무감각층 (dead layer; 형영역 ) 을통과해야하므로특히에너지측정에불리하다. 그리고이는측정가능한에너지의낮은한계를설정해준다. 일반적으로무감각층은고갈영역보다작으며외부전압에그다지크게의존하지않는다. 그외확산접합제작시어려운점은불순물확산을고온에서실시하여야한다는것이다. 이는전하운반자의수명을단축시키고검출기의잡신호를증가시키는결과를가져온다. 확산접합의장점으로는표면감염에대한강한저항성등이있으나요즈음잘사용되지않는방법이다
15 7.5.2 표면장벽검출기 하전입자검출을위해가장널리사용되는반도체검출기가바로표면장벽실리콘검출기 (surface barrier silicon detector; SSD) 이다. 이검출기는반도체와특정한금속사이에형성되는접합을이용한다 ( 주로 형실리콘과금또는 형실리콘과알루미늄 ). 서로다른페르미준위 ( ) 의두물질을붙여놓으면접촉기전력 (contact emf) 이발생하여반도체의에너지띠준위가낮아져앞에서설명한 접합 ( 그림 7.3) 과비슷한띠구조가만들어지며이때고갈영역은완전히반도체쪽으로확장된다. 이접합을 Schottky접합이라부른다. Schottky접합의고갈두께는식 (7.19) 를이용하여계산할수있으며약 5 mm 정도가된다. 금속 반도체 접합 전도띠 E F 금속 E F 반도체 E F 금속 가띠 그림 7.7 Schottky 접합의형성. 표면장벽검출기의제작은확산접합다이오드보다쉽다. 우선실리콘표면을상온에서에칭 (etching) 한후금을증발시켜얇은층 (~ 40 μg/cm 2 ) 을만든다. 이때금을증착시키기전에표면을약간산화시킬필요가있다. 그리고이접합을전기적접촉을위한금속과함께절연체고리에설치한다. 표면장벽검출기는다양한고갈두께와크기로제작할수있다. 검출기가그리두껍지않다면완전한고갈검출기의제작이가능하며이때고갈영역은실리콘웨이퍼의전영역이된다. 이러한완전고갈검출기는통과하는하전입자의 측정장치로이용될수있다. 또한완전고갈검출기의외부전압을높여주면전하수집시간을단축시켜신호의오름시간을짧게해준다 3). 표면장벽검출기의단점중하나는빛에대하여예민하다는것이다. 얇은금의막으로는주변의빛을완전히차단하는것이불가능하다. 에너지틈의크기가단지 1.1 ev이고가시광선의에너지가 2-4 ev이므로신호를발생시키는것이가능하다. 따라서검출기주변의빛을완전히차단하는외부장치를해주어야만한다. 그리고표면장벽검출기는표면오염에대하여매우민감하므로표면을깨끗하게유지시켜야만한다 이온주입다이오드 3) 만약부분적으로고갈된반도체검출기의외부전압을증가시키면고갈영역이늘어나전하가수집되기위한거리가증가된다
16 이온주입접합 (ion-implanted junction) 은가속기로가속한불순물이온빔을반도체결정에충돌시켜제작한다. 이때이온빔의에너지를변화시켜불순물의농도및두께등을적절히조절할수있다. 이와같은이온주입과정에서반도체에어느정도의방사선파괴가일어나므로사용전에약 500 C 정도로달구어주어야만한다. 그러나이온도는확산과정에서사용하는온도보다훨씬낮으므로운반자의평균수명에훨씬적은영향을끼침을유의하라. 일반적으로이온주입검출기는표면장벽검출기보다더욱안정되고입력창을 34 nm Si 등가두께 (equivalent) 까지얇게만들수있다. 이온주입검출기는지금까지개발된실리콘검출기중가장좋은특성을보여주어서핵및고에너지실험에많이사용되나비싸다는단점이있다 리튬유동실리콘다이오드 반도체검출기제작시발생하는문제중의하나는고갈두께가충분치않다는것이다. 고갈두께를수 mm 이상으로하기위해서는순수반도체가이상적이나현실적으로제작이거의불가능하다. 대신리튬유동과정 (lithium-drifting process) 을이용한보정반도체가이용될수있다. 보정물질로이루어진접합을 접합이라부르며 접합과는다른성질을가지고있다. 즉보정영역에서는공간전하가존재하지않으며일정한전기장을형성한다 ( 그림 7.8). V n i p ρ(x) x E(x) x 그림 7.8 접합에서의전자밀도및전기장. 보정영역에서의전기장의크기는거의상수이다
17 리튬유동실리콘으로제작한검출기를간단하게 Si(Li) 라고부르며보정두께는대략 mm 정도로써베타입자나낮은에너지 X-선검출에적당하다. 리튬유동실리콘다이오드는입자에민감한영역이증가함에따라열적으로생성된전자또는양공으로부터발생하는잡신호가보통실리콘다이오드보다훨씬커지므로검출기를낮은온도에서운영하는것이매우중요하다. 또한리튬유동보정영역을유지하기위하여 Si(Li) 를낮은온도에서보관하여야만한다 ( 잠시상온에노출되는것에의해문제가발생하지는않음 ) [2]. 7.6 위치민감형검출기 반도체검출기는최근에핵및입자물리실험분야에서고분해능위치측정검출기로써많은각광을받고있으나사실은핵건판을대체할전자장치를염두에두고반도체검출기개발초기부터연구되어져왔다. 일반적으로위치정보를얻기위하여저항성전하분할 (resistive charge division) 을이용한연속취득법 (continuous readout) 과취득요소 (readout element) 의불연속배열을이용한방법등이주로사용된다 연속및비연속검출기 연속검출기는기본적으로높은저항층을상대적으로낮은저항의반도체판위에붙인직사각형의다이오드이며전형적인검출기의길이는약 5 cm 정도이다 ( 그림 7.9). 높은저항판 Q A Q B x L Q C 그림 7.9 반도체를이용한 1- 차원연속위치민감형검출기의대략적인모습. 연속검출기를이용한위치측정은그림 5.6에서이미설명한바있는 MWPC의양극선전하분할법과매우유사하다. 즉검출기의한쪽단자에서수집한전하량 는입자의에너지 와함께입자입사점과전극사이의저항값에비례한다는원리를이용한다. (7.36) 이때전극 에서수집된전하 는입자의에너지 에비례하므로 ( ) 입자의입사
18 위치 는다음식을이용하여구할수있다. (7.37) 이와같은연속검출기의가장중요한점은위치정보의선형성확보이다. 이를위하여저항판층과반도체의두께및성분이매우균일하여야하고출력신호의올바른형상화 (shaping) 가요구된다. 이와같은조건이만족될경우비선형성을검출기길이의 1% 이하 (~ 250 μm) 로줄일수있다. 연속검출기와는달리비연속검출기는여러개의개별적인띠 (strip) 또는패드를같은반도체기판위에설치하여제작한다. 비연속검출기를이용하면연속검출기보다훨씬향상된시간및에너지분해능을얻을수있다. 그리고위치분해능은띠나패드의크기에의해결정되므로 ~ 200 μm 이하도가능하다. 반면단점으로는각각의띠와패드를읽기위하여개별적인전자요소들이필요하므로제작비가매우많이든다는것이다 미세띠검출기 1980년대에들어띠의폭이매우좁은반도체검출기를이용한미세띠검출기 (micro-strip detector) 가개발되었다. 기본적으로미세띠검출기는폭이매우좁은띠를약 20 μm 간격으로배열한다. 기판으로는비저항이약 2000 Ωcm정도로상대적으로높은 형실리콘을사용하며그위에 다이오드띠와알루미늄접촉점을주입 (implant) 하고반대편에 극판을주입시켜제작한다. 전체검출기의두께는약 300 μm 정도로써 160 V의전압을걸어주면반도체기판내에완전고갈영역을생성시킬수있다. 실리콘내에서최소이온화입자의평균에너지상실값은약 39 kev/100 μm이므로 1 μm 당약 100 개의전자-이온쌍이생성되며전체검출기내에서약 개의전자-이온쌍이기대된다. 미세띠검출기에서는신호띠의수가매우많으므로전자요소에많은비용이들어간다. 따라서때로는신호띠를드물게설치하고각띠에서유도된전하량의중력중심 (center of gravity) 을이용하여입자의입사점을측정하기도한다. 이와같은방법으로위치분해능을 5 μm 이하로얻을수있다. 크기가작고완전고갈이가능한미세띠검출기는시간반응이매우빠르므로핵및입자물리실험의트리거검출기로이용가능하다. 트리거검출기로이용할경우에는전하수집시간을 10 ns 이하로유지하여높은방사선속환경하에서운영할수있다. 더욱이검출기의모든신호띠를읽는경우에는위치분해능을 2 μm 이하로만드는것이가능하다. 한편반도체검출기를높은방사선량에장기간노출시키면방사선손상 (radiation damage) 에의한감도저하가발생한다. 이는분해능저하및누출전류의증가로이어진다. 방사선손상이크지않을경우에는전기장의크기를증가시켜어느정도성능회복이가능하나궁극적으로는검출기의제작법개선을이용한방법이이용되어야할것이다. 7.7 게르마늄검출기
19 감마선검출에는실리콘 (Z = 14) 보다원자번호가더큰게르마늄 (Z = 32) 이유리하다 ( 게르마늄의광전효과산란단면적은실리콘보다 60 배정도더크다 ). 그러나게르마늄은에너지틈이상대적으로작아저온에서운영해야만하는단점도있다. 한편게르마늄은감마선뿐만아니라하전입자검출에도이용될수있으나입자의멈춤도가크다는것외에특별한장점은없다 리튬주입게르마늄 감마선검출을위하여처음시도된검출기는리튬으로보정된게르마늄검출기 (lithium-drifted Ge detector) 이다 ( 보통 Ge(Li) 라고쓰며젤리 (jelly) 라고읽는다 ). 보정게르마늄으로얻을수있는최대두께는약 15 ~ 20 mm이므로입자에대하여예민한부피를최대로하기위하여동축 (coaxial) 구조를주로이용한다. 이경우원통형 형게르마늄결정의옆면으로부터리튬이주입되어원통껍질형의보정물질이형성된다. 그리고원통중심에는입자에예민하지않은 형물질이남게되는데만약이물질이원통축전체에걸쳐형성되면참동축 (true coaxial) 또는열린마개동축 (open-ended coaxial) 형검출기라고부른다. 종종입자에예민한부분을더욱확대시키기위하여리튬을마개부분으로부터주입시키기도하는데이경우에는닫힌마개동축 (closed-end coaxial) 형검출기가형성된다. 더욱이높은검출효율을얻기위하여중심의민감하지않은부분을제거할수도있으며이때는우물형의검출기가된다. 그리고낮은에너지의감마선을검출기하기위해서는전통적인판형검출기 (planar detector) 로제작하는것도가능하다. 게르마늄내리튬이온의높은유동성때문에 Ge(Li) 검출기는항상액체질소온도를유지해야만한다. 따라서검출기를액체질소용기에고정해야만하므로불편한점이많이있으나다양한모양의검출기 + 액체질소용기를시중에서구할수있다. 동축형 Ge(Li) 검출기의예민도는리튬주입에의해형성된결정표면사장층 (dead layer) 의두께와냉각장치의창에의한낮은에너지감마선흡수도에의해결정된다. 보통감마선에너지의낮은측정한계는 30 kev 정도이다. 만약판형검출기에서창의접촉을얇은금으로만든다면이한계를수 ev로낮출수있다 [2] 순수게르마늄 최근의발전된성장기술을이용하면불순물의농도를 원자 /cm 3 당하나이하의순도로반도체제작이가능하다. 이와같은고순도반도체는항상저온을유지할필요가없으며고전압이가해질경우에만냉각시킨다. 순수게르마늄 (high purity germanium 또는줄여서 HPGe) 검출기는 형뿐만아니라 형검출기로도제작가능하다. 이경우동축형구조를이용하여낮은검출에너지한계를 10 kev 이하로만들수있으며방사선손상을줄일수있다는장점이있다 게르마늄검출기를이용한감마선측정 앞에서언급한바와같이게르마늄검출기의가장중요한용도는감마선측정이다. 현재
20 게르마늄검출기는수 kev부터 10 MeV 사이의감마선에대하여최고의에너지분해능을제공해준다. 예를들어 60 Co로부터방출되는 1.33 MeV 감마선에대하여 NaI검출기를이용하면약 8% 의에너지분해능을얻을수있는반면순수 Ge검출기를이용하면 0.15% 의에너지분해능을얻을수있다. 또한 Ge의더욱높은광전산란단면적때문에컴프톤산란배경신호에대한감마선신호의비가매우커진다. 정밀한스펙트럼의측정을위하여에너지분해능과함께신호대잡신호의비는가장중요한변수이다. 따라서감마선측정시잡신호를줄이기위하여방사선원및검출기를납등으로차폐하여야한다. 한편감마선의절대선속을측정하기위하여절대검출효율을결정하는검정 (calibration) 과정이반드시필요하다. 이러한검정은흥미로운에너지영역의방사선을방출하는방사선원을이용한다. 검정용방사선원의단위시간당방출량은 1 ~ 2% 의정확도로측정되어야하며대부분은광전방출을포함한총방출량에대한상대적인감마선방출량으로주어진다 ( 컴프톤산란부분은무시할수있다 ). 7.8 참고문헌 [1] G. Cavalleri, G. Fabri, E. Gatti, V. Svelto, Nucl. Instrum. Methods 21, 177 (1963). [2] 'Radiation Detection and Measurement' 3판, G. F. Knoll 저, (John Wiley, New York, 2000)
<B9DDB5B5C3BC20B0CBC3E2B1E25FBCADB9FCB0E62E687770>
반도체검출기를이용한감마선측정 서범경 (bumja@kaeri.re.kr) 한국원자력연구원 자에너지 충만대 : 전자가결정내의격자에결합되어있는에너지대역전1. 반도체 - 원자가전자대 ( 충만대 ) 와전도대사이의에너지간격 (gap) 이작아서상온에서도열적인여기에의해충만대에있던전자가전도대로이동할수있어미량의전류를흘릴수있는물질 - 진성 ( 원형, 또는고유 ) 반도체 : 불순물을포함하지않는순수한반도체
More information2001/1학기 공학 물리 중간고사
2011/2 학기물리전자기말고사담당교수 : 김삼동 성명 학번 분반 e = 1.6 10-19 C, ε ox = 3.9, ε Si = 11.7,ε o = 8.85 10-14 F/cm 2, kt (300 K) = 0.0259 ev,, n i (Si, 300 K) =1.5x10 10 /cm 3 1. PN diode의 I-V 특성은아래의그림과같은거동을보인 (I) 다.
More information<5BB0EDB3ADB5B55D32303131B3E2B4EBBAF12DB0ED312D312DC1DFB0A32DC0B6C7D5B0FAC7D02D28312E28322920BAF2B9F0B0FA20BFF8C0DAC0C720C7FCBCBA2D3031292D3135B9AEC7D72E687770>
고1 융합 과학 2011년도 1학기 중간고사 대비 다음 글을 읽고 물음에 답하시오. 1 빅뱅 우주론에서 수소와 헬륨 의 형성에 대한 설명으로 옳은 것을 보기에서 모두 고른 것은? 4 서술형 다음 그림은 수소와 헬륨의 동위 원 소의 을 모형으로 나타낸 것이. 우주에서 생성된 수소와 헬륨 의 질량비 는 약 3:1 이. (+)전하를 띠는 양성자와 전기적 중성인 중성자
More information실험 5
실험. OP Amp 의기초회로 Inverting Amplifier OP amp 를이용한아래와같은 inverting amplifier 회로를고려해본다. ( 그림 ) Inverting amplifier 위의회로에서 OP amp의 입력단자는 + 입력단자와동일한그라운드전압, 즉 0V를유지한다. 또한 OP amp 입력단자로흘러들어가는전류는 0 이므로, 저항에흐르는전류는다음과같다.
More informationPowerPoint Presentation
전자회로 SEMICONDUCTOR P 1 @ INDEX 1. Conductors, Insulators, Semiconductors 2. Conduction in Semiconductors 3. The N-Type and P-Type Semiconductors 4. The PN Junction P 2 1.1 Conductors Insulators Semiconductors
More information유기 발광 다이오드의 전하주입 효율 향상을 통한 발광효율 향상 연구
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - 그림차례 - vii - - viii - - 1 - 5). - 2 - - 3 - 유기발광다이오드 ( 고분자또는저분자 ) 무기발광다이오드 (p-n junction LED) - + cathode ETL EML HTL HIL anode 발광 두께 : 100 ~ 200 nm 양극 ( 투명전극,
More informationNE_Ch4.hwp
4. 검출기의일반적인특성 이번장에서는검출기의종류에관계없이특성을이해하기위하여공통으로필요한내용들을소개할것이다. 4.1 감응도와검출기의반응 검출기가입사하는방사선이나에너지에대해유용한신호를만들어내는능력을감응도 (sensitivity) 라부른다. 어떤검출기도모든에너지에서모든종류의방사선에대해민감하지못하다. 대신검출기들은주어진에너지영역의어떤특별한방사선에대하여예민하도록설계된다.
More information제목을 입력하십시오
포워드, 플라이백컨버터 Prof. ByoungKuk ee, Ph.D. Energy echaronics ab. chool of Informaion and Communicaion Eng. ungkyunkwan Universiy Tel: 823299458 Fax: 823299462 hp://seml.skku.ac.kr E: bkleeskku@skku.edu Forward
More informationMicrosoft Word - PLC제어응용-2차시.doc
과정명 PLC 제어응용차시명 2 차시. 접점명령 학습목표 1. 연산개시명령 (LOAD, LOAD NOT) 에대하여설명할수있다. 2. 직렬접속명령 (AND, AND NOT) 에대하여설명할수있다. 3. 병렬접속명령 (OR, OR NOT) 에대하여설명할수있다. 4.PLC의접점명령을가지고간단한프로그램을작성할수있다. 학습내용 1. 연산개시명령 1) 연산개시명령 (LOAD,
More information16<C624><D22C><ACFC><D0D0> <ACE0><B4F1><BB3C><B9AC><2160>_<BCF8><CC45>.pdf
I I 02 03 04 05 06 II 07 08 09 III 10 11 12 13 IV 14 15 16 17 18 a b c d 410 434 486 656 (nm) Structure 1 PLUS 1 1. 2. 2 (-) (+) (+)(-) 2 3. 3 S. T.E.P 1 S. T.E.P 2 ) 1 2 (m) 10-11 10-8 10-5 C 10-2 10
More information실험 5
실험. apacitor 및 Inductor 의특성 교류회로 apacitor 의 apacitance 측정 본실험에서는 capacitor를포함하는회로에교류 (A) 전원이연결되어있을때, 정상상태 (steady state) 에서 capacitor의전압과전류의관계를알아본다. apacitance의값이 인 capacitor의전류와전압의관계는다음식과같다. i dv = dt
More information(b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로
Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 6. 연산증폭기가산기, 미분기, 적분기회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한가산기, 미분기및적분기회로를구성, 측정및 평가해서연산증폭기연산응용회로를이해 2. 실험회로 A. 연산증폭기연산응용회로 (a) 가산기 (b) 미분기 (c) 적분기 그림 6.1. 연산증폭기연산응용회로 3. 실험장비및부품리스트
More information개인용전기자극기의 안전성및성능평가가이드라인
개인용전기자극기의 안전성및성능평가가이드라인 2014. 3 목 차 1 서론 - 1 - - 2 - - 3 - 2 개인용전기자극기개요 - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - 범례 해설: GZJ [통증완화용경피전기신경자극기]: 100개 IPF [재활치료용전동식근육자극기]: 92개 NGX [근육운동용전동식근육자극기]: 28개
More information<3235B0AD20BCF6BFADC0C720B1D8C7D120C2FC20B0C5C1FE20322E687770>
25 강. 수열의극한참거짓 2 두수열 { }, {b n } 의극한에대한 < 보기 > 의설명중옳은것을모두고르면? Ⅰ. < b n 이고 lim = 이면 lim b n =이다. Ⅱ. 두수열 { }, {b n } 이수렴할때 < b n 이면 lim < lim b n 이다. Ⅲ. lim b n =0이면 lim =0또는 lim b n =0이다. Ⅰ 2Ⅱ 3Ⅲ 4Ⅰ,Ⅱ 5Ⅰ,Ⅲ
More information7.3 Ampee 의주회법칙 Mwell 방정식 Ampee 의주회법칙 Ampee 의주회법칙은폐경로의주변을따른 의접선성분에대한선적분은폐경로에의해둘러싸이는순전류 enc 와같다. 즉 의회전은 enc 와같다. dl enc Ampee 의법칙의적분형 Ampee 의주회법칙유도 enc
Electomgnetics 전자기학 제 7 장 : 정자기장 Po. Young Chul ee 초고주파시스템집적연구실 Advnced F stem ntegtion A http://cms.mmu.c.k/wiuniv/use/f/ Advnced F stem ntegtion A. Young Chul ee 7.3 Ampee 의주회법칙 Mwell 방정식 Ampee 의주회법칙
More information완벽한개념정립 _ 행렬의참, 거짓 수학전문가 NAMU 선생 1. 행렬의참, 거짓개념정리 1. 교환법칙과관련한내용, 는항상성립하지만 는항상성립하지는않는다. < 참인명제 > (1),, (2) ( ) 인경우에는 가성립한다.,,, (3) 다음과같은관계식을만족하는두행렬 A,B에
1. 행렬의참, 거짓개념정리 1. 교환법칙과관련한내용, 는항상성립하지만 는항상성립하지는않는다. < 참인명제 > (1),, (2) ( ) 인경우에는 가성립한다.,,, (3) 다음과같은관계식을만족하는두행렬 A,B에대하여 AB=BA 1 가성립한다 2 3 (4) 이면 1 곱셈공식및변형공식성립 ± ± ( 복호동순 ), 2 지수법칙성립 (은자연수 ) < 거짓인명제 >
More informationMicrosoft Word - Lab.4
Lab. 1. I-V Lab. 4. 연산증폭기 Characterist 비 tics of a Dio 비교기 ode 응용 회로 1. 실험목표 연산증폭기를이용한비교기비교기응용회로를이해 응용회로를구성, 측정및평가해서연산증폭기 2. 실험회로 A. 연산증폭기비교기응용회로 (a) 기본비교기 (b) 출력제한 비교기 (c) 슈미트트리거 (d) 포화반파정류회로그림 4.1. 연산증폭기비교기응용회로
More information현대대학물리학 36(545~583p)
원자물리학 원서 38장 무엇을 배우는가 36.1 스펙트럼선 36.2 보어의 원자모형 보기문제 36.1 스펙트럼선 궤도각운동량의 양자화 36.3 보어 모형의 스펙트럼선 수소 전자의 파동함수 구형대칭 해 보기문제 36.2 수소 파동함수의 규격화 각운동량 36.4 완전해 다른 원자들 보기문제 36.3 헬륨 원자의 이온화에너지 36.5 엑스선 생성 레이저 유도방출과
More informationQM 제만효과 (The Zeeman Effect) * 제만효과 1. 제만효과 ; 균일한외부자기장 B ext 안에놓인원자의에너지준위변동 2. 전자에대한섭동항 Z B ext [6.68] 전자의스핀에의한자기모멘트 S [6.69] 전자의궤도운동에의한자기모멘트 L
QM6.4 6.4 제만효과 (The Zeeman Effect) * 제만효과 1. 제만효과 ; 균일한외부자기장 B ext 안에놓인원자의에너지준위변동 2. 전자에대한섭동항 Z B ext [6.68] 전자의스핀에의한자기모멘트 S [6.69] 전자의궤도운동에의한자기모멘트 L [6.70] 3. 섭동해밀토니안 Z L S Bext [6.71] * 제만효과취급요령 (case
More information실험. Multimeter 의사용법및기초회로이론 Multimeter 의사용법 멀티미터 (Multimeter) 는저항, 전압, 전류등을측정할수있는계측기로서전면은다음그림과같다. 멀티미터를이용해서저항, 전압, 전류등을측정하기위해서는다음그림과같은프로브 (probe) 를멀티미터
실험. Multimeter 의사용법및기초회로이론 Multimeter 의사용법 멀티미터 (Multimeter) 는저항, 전압, 전류등을측정할수있는계측기로서전면은다음그림과같다. 멀티미터를이용해서저항, 전압, 전류등을측정하기위해서는다음그림과같은프로브 (probe) 를멀티미터의전면패널에꼽는다. 통상적으로검은색프로브는전면패널의검은단자 (COM) 에꼽으며, 빨간색프로브는빨간색단자에꼽는다.
More information1 경영학을 위한 수학 Final Exam 2015/12/12(토) 13:00-15:00 풀이과정을 모두 명시하시오. 정리를 사용할 경우 명시하시오. 1. (각 6점) 다음 적분을 구하시오 Z 1 4 Z 1 (x + 1) dx (a) 1 (x 1)4 dx 1 Solut
경영학을 위한 수학 Fial Eam 5//(토) :-5: 풀이과정을 모두 명시하시오. 정리를 사용할 경우 명시하시오.. (각 6점) 다음 적분을 구하시오 4 ( ) (a) ( )4 8 8 (b) d이 성립한다. d C C log log (c) 이다. 양변에 적분을 취하면 log C (d) 라 하자. 그러면 d 4이다. 9 9 4 / si (e) cos si
More informationFGB-P 학번수학과권혁준 2008 년 5 월 19 일 Lemma 1 p 를 C([0, 1]) 에속하는음수가되지않는함수라하자. 이때 y C 2 (0, 1) C([0, 1]) 가미분방정식 y (t) + p(t)y(t) = 0, t (0, 1), y(0)
FGB-P8-3 8 학번수학과권혁준 8 년 5 월 9 일 Lemma p 를 C[, ] 에속하는음수가되지않는함수라하자. 이때 y C, C[, ] 가미분방정식 y t + ptyt, t,, y y 을만족하는해라고하면, y 는, 에서연속적인이계도함수를가지게확 장될수있다. Proof y 은 y 의도함수이므로미적분학의기본정리에의하여, y 은 y 의어떤원시 함수와적분상수의합으로표시될수있다.
More informationKAERIAR hwp
- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - Photograph of miniature SiC p-n and Schottky diode detector Photograph SiC chip mounted on a standard electrical package Photograph of SiC neutron detector with
More informationPowerPoint Presentation
신호조절 (Signal Conditioning) 메카트로닉스 시스템의 구성 ECU 인터페이스 회로 (시그널 컨디셔닝) 마이컴 Model of 기계 시스템 인터페이스 회로 (드라이빙 회로) 센서 액츄에이터 (구동기) 기계 시스템 PN 접합 다이오드 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드의 DC 해석과 등가모델 [1] 다이오드 응용회로 [1] 다이오드
More informationKMC.xlsm
제 7 장. /S 에필요한내용 1] IGBT 취급시주의사항 ) IGBT 취급시주의 1) 운반도중에는 Carbon Cross로 G-E를단락시킵니다. 2) 정전기가발생할수있으므로손으로 G-E 및주단자를만지지마십시요. 3) G-E 단자를개방시킨상태에서직류전원을인가하지마십시요. (IGBT 파손됨 ) 4) IGBT 조립시에는사용기기나인체를접지시키십시요. G2 E2 E1
More information- 2 -
- 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - 가 ) 가 ) 가 ) 가 ) - 10 - - 11 - 길이 피시험기기 주전원 절연지지물 케이블지지용절연물 접지면 발생기 - 12 - 길이 가능한경우 절연지지물 절연지지물 접지면 전자계클램프 감결합장치 - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 -
More informationMicrosoft PowerPoint - 3. BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT 의구조및동작모드 BJT 의구조및동작모드 실제 BJT 는그림 3-1(a) 와같이이미터영역과컬렉터영역의기하학적구조가다르며, 세영역의도핑농도도각기다르게만들어진다. 도핑농도 : ( 이미터 )>( 베이스 )>( 컬렉터 ) 이미터 : 전류운반캐리어 ( 전자또는정공 ) 를제공 컬렉터 : 베이스영역을지나온캐리어가모이는영역
More informationNE_Ch6.hwp
6. 섬광검출기와광증배관 핵및입자물리학실험에서가장널리사용되는검출기중의하나가바로섬광검출기 (scintillation detector) 이다. 섬광검출기는방사선이입사할경우빛을발생시키는섬광물질을이용한다. 섬광검출기의빛신호는광증배관 (photomultiplier tube; PMT) 으로전해져증폭된전기신호로전환된다. 6.1 섬광물질의종류 일반적으로섬광물질은직접또는광유도기
More information. 0.. Planck : sec : sec : : m in radian m in ln sec 심장 발 기압
. 0.. Planck : sec : sec : : sec sec A . 0.. Planck : sec : sec : : m in radian m in ln sec 심장 발 기압 . 0. sec π . 0.. Planck : sec : sec : : sec sec sec sec . 0.. Planck : sec : sec : : m p = 1u=931.5 MeV
More information슬라이드 1
Bo-Sean Kang Dept. of Radiological Science College of Medical Science Konyang University 학습목표 1. 방사선계측에사용되는여러가지섬광체의종류를나열할수있다. 2. 유기섬광체와무기섬광체의발광원리에대해설명할수있다. 3. 섬광검출기의구성에대해설명할수있다. 4. 광전자증배관 (PMT) 의구조와동작특성에대해설명할수있다.
More information전류 전류 (electric current) 란, 전하를띤입자의흐름 ; 단위시간당흐르는전하의양 전도전류 (conduction current): 전하를띤입자자체가이동 - 일반적인의미에서의전류 - 화학반응에서의양이온 / 음이온, 반도체에서의전자 / 정공 (hole), 금속
전하와전기장 전위와축전기 정전류 정전류에의한자기장 이장에서는... 1. 전류와전류밀도 2. Ohm 의법칙 3. 전기전도도 : Drude model 4. 저항의연결 5. Kirchhoff 의법칙 6. R-C 직류회로 1/14 http://phys.cau.ac.kr/w/jtseo 전류 전류 (electric current) 란, 전하를띤입자의흐름 ; 단위시간당흐르는전하의양
More information(b) 연산증폭기슬루율측정회로 (c) 연산증폭기공통모드제거비측정회로 그림 1.1. 연산증폭기성능파라미터측정회로
Lab. 1. I-V Characteristics of a Diode Lab. 1. 연산증폭기특성실험 1. 실험목표 연산증폭기의전압이득 (Gain), 입력저항, 출력저항, 대역폭 (Bandwidth), 오프셋전압 (Offset Voltage), 공통모드제거비 (Common-mode Rejection Ratio; CMRR) 및슬루율 (Slew Rate) 등의기본적인성능파라미터에대해서실험을통해서이해
More information- 2 -
작품번호 37 Solar material 로쓰일수있는검정색물질의재발견! 출품분야학생부출품부문화학 2009. 5. 13 시 군 학교 ( 소속 ) 학년 ( 직위 ) 성 명 성남시풍생중학교 2 김호기, 이희원 지도교사풍생중학교교사김경원 - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - 석탄은주로탄소로구성되어있고, 수소와산소가들어있다. 이밖에질소
More informationTOFD Time Of Flight Diffraction
Argus 목 차 1. 머리말 2. 일반초음파탐상검사 3. 자동초음파탐상시스템 (TOFD) 1) 탐상원리 2) 시스템구성 3) 적용코드 4) 적용사례 4. TOFD 의장단점 1. 머리말 각종 PLANT 제품의재료와용접구조물의품질확보를위한수단으로비파괴검사는오래전부터많이적용되어왔다. 일반적으로비파괴검사는제품의내부결함검출 (Volumetric Inspection)
More information제 5 강. 도체계와정전용량 1
제 5 강. 도체계와정전용량 1 3 장도체계와정전용량 3-1 콘덴서 - 절연된도체에전하 Q 를주면그도체의전위는이전의전위보다 V 만큼증가 대전된도체의전하량이증가할수록도체의전위는높아지는데, 이는도체의형상, 크기, 배치상태, 매질의종류에따라결정 - 한개의고립된도체에전하 Q[C] 를주었을때의전위를 V[V] 라하면 Q 와 V 는비례하여 또는 (3-1) - 이비례상수
More information실험 5
실험. OP Amp 의기본특성 이상적 (ideal) OP Amp OP amp는연산증폭기 (operational amp) 라고도불리며, 여러개의트랜지스터로구성이된차동선형증폭기 (differential linear amplifier) 이다. OP amp는가산, 적분, 미분과같은수학적연산을수행하는회로에사용될수있으며, 비디오, 오디오증폭기, 발진기등에널리사용되고있다.
More information제 53 회서울특별시과학전람회 예선대회작품설명서 본선대회작품설명서 쓰나미의피해를최소화시키는건물과 건물배치에대한탐구 출품번호 S-504 출품분야학생부출품부문지구과학 학교명학년 ( 직위 ) 성명
제 53 회서울특별시과학전람회 예선대회작품설명서 본선대회작품설명서 쓰나미의피해를최소화시키는건물과 건물배치에대한탐구 출품번호 S-504 출품분야학생부출품부문지구과학 2012. 5. 14. 학교명학년 ( 직위 ) 성명 - 1 - 그림 1 쓰나미의발생과정 그림 2 실제쓰나미의사진 ρ - 2 - 그림 3 땅을파는모습그림 4 완성된수조의모습 - 3 - 그림 5 삼각기둥그림
More informationMicrosoft PowerPoint 상 교류 회로
3상교류회로 11.1. 3 상교류의발생 평등자계중에놓인회전자철심에기계적으로 120 씩차이가나게감은코일 aa, bb,cc 를배치하고각속도의속도로회전하면각코일의양단에는다음식으로표현되는기전력이발생하게된다. 11.1. 3 상교류의발생 여기서 e a, e b, e c 는각각코일aa, bb, cc 양단에서얻어지는전압의순시치식이며, 각각을상 (phase) 이라한다. 이와같이전압의크기는같고위상이
More informationPowerPoint 프레젠테이션
8 차시 방사선검출기 (1) 방사선검출기란? 방사선을계측하는센서 방사선계측은직접관측이나, 전통적인계량방법으로측정어려움 - 전리방사선을방사선과물질과의상호작용 측정가능한신호로변환하는장치 3 방사선과물질과의상호작용 전리작용 : 전하측정 여기작용 : 가시광선측정 형광 / 발광작용 감광작용, 화학작용 구조결함유발작용 : 비적측정 생물학적작용 핵반응 4 검출기출력유형
More information지나는순간이가장크므로 A 의가속도의크기는 일때가장크다. [ 오답피하기 ] ㄱ. 행성으로부터같은지점을지난후 A 는행성과멀어지는타원운동 을하고 B 는행성과가까워지는타원운동을하므로 p 를지나는순간의속력은 A 가 B 보다크다. 따라서 p 에서 B 의속력은 보다작다. ㄷ. A
2019 학년도대학수학능력시험 9 월모의평가 과학탐구영역물리 Ⅰ 정답및해설 01. 3 02. 4 03. 5 04. 4 05. 2 06. 2 07. 5 08. 4 09. 1 10. 5 11. 1 12. 4 13. 3 14. 1 15. 3 16. 1 17. 2 18. 2 19. 4 20. 5 1. 전자기파의이용 [ 정답맞히기 ] 열화상카메라, TV 리모컨, 체온계등에사용되는전자기파는적외선
More informationMicrosoft PowerPoint - 26.pptx
이산수학 () 관계와그특성 (Relations and Its Properties) 2011년봄학기 강원대학교컴퓨터과학전공문양세 Binary Relations ( 이진관계 ) Let A, B be any two sets. A binary relation R from A to B, written R:A B, is a subset of A B. (A 에서 B 로의이진관계
More information1. 가정에서 쓰는 전구에 220[V], 60[W]로 쓰여있었다. 이것은 [V]
Planck : sec, : sec :, : : 1.008665u, : 1.00727u 1u=931MeV, : 개... 3. 1~13 5 (15, 75) ( 답 ) m ax 에서 이다. 에서 이다. A 문제 5. 우주선에서측정한펄스의지속시간은 이었다. 반면에지구에 서볼때펄스의지속시간은 이었다면, 이우주선의지구에대한속도 는 ( )c 이다. 억년 sec sin
More informationMicrosoft PowerPoint - GC1-CH8_2016
General Chemistry I (Chapter 8) Periodic Relationships of Elements (CH 8.1 8.6) Tae Kyu Kim Department of Chemistry Rm. 301 (tkkim@pusan.ac.kr) http://plms.pusan.ac.kr SUMMARY (CHAPTER 7) -1- -2- Electron
More informationMicrosoft PowerPoint - Ch8
Ch. 8 Field-Effect Transistor (FET) and Bias 공핍영역 D G S 채널 8-3 JFET 바이어스 자기바이어스 (self-bias) R G - 접지로부터 AC 신호를분리 I D I G = 0 G = 0 D I D I S S = I S R S I D R S S I S = G - S = 0 I D R S = - I D R S D
More informationPowerPoint Template
Band Theory of Solids 그림 10.19 나트륨원자바닥상태에서채워진준위들중가장높은준위는 3s 준위이다. (a) 나트륨원자가서로접근함에따라, 전자파동함수의겹침에의해처음에는같았던 3s 준위들이두준위로갈라지게된다. (b) 새로생기는준위들의수는상호작용을하는원자수와같다. 여기서는 5개이다. (c) 고체나트륨과같이상호작용을하는원자수가매우많아지면, 준위들의간격이매우조밀한에너지띠로된다.
More informationPowerPoint 프레젠테이션
6. 반도체검출기 반도체검출기 전도대 충만대 절연체 E g > 5eV Ⅳ 족 (Si, Ge) 전도대 E g 1eV 충만대반도체 + Ⅲ족 P형반도체 + Ⅴ족 N형반도체 Ge(Z=32) : E g = 0.67eV Si(Z=14) : E g = 1.106eV [ 반도체검출기의제작 ] P-N 접합 Li drift Ion implantation 반도체검출기의방사선측정원리
More informationMicrosoft PowerPoint - Ch13
Ch. 13 Basic OP-AMP Circuits 비교기 (Comparator) 하나의전압을다른전압 ( 기준전압, reference) 와비교하기위한비선형장치 영전위검출 in > 기준전압 out = out(max) in < 기준전압 out = out(min) 비교기 영이아닌전위검출 기준배터리 기준전압분배기 기준전압제너다이오드 비교기 예제 13-1: out(max)
More information제 3강 역함수의 미분과 로피탈의 정리
제 3 강역함수의미분과로피탈의정리 역함수의미분 : 두실수 a b 와폐구갂 [ ab, ] 에서 -이고연속인함수 f 가 ( a, b) 미분가능하다고가정하자. 만일 f '( ) 0 이면역함수 f 은실수 f( ) 에서미분가능하고 ( f )'( f ( )) 이다. f '( ) 에서 증명 : 폐구갂 [ ab, ] 에서 -이고연속인함수 f 는증가함수이거나감소함수이다 (
More informationKAERI/AR-636/2002 : 技術現況分析報告書 : 방사선 계측기술 및 중성자 계측기 기술 개발 현황
KAERI Radiation Gas ions - electrons + Gas-filled Detector Power Supply V Voltmeter Log(Pulse Height) Ionisation Chamber Proportional Counter Geiger-Müller Counter High initial Ionisation Low
More information± cosh tanh ±
5: m. sec m ax m in (a) (A). (normalized). 10 (b) (B). (normalized). 10 (c) (A) (B). 10 (d)?? 10 m ax m ax sec :. Ar. sin sin sin cos cos cos A ± cosh tanh ± rad 붕괴 sec 6. (spaceship) 2m. (earth) 1m. c?
More information1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과
1. REACTOR TAP 90% 로변경, 제작공급한사유 - 고객요청사항은 REACTOR 80% 운전기준임. - 삼성테크윈에서사용하는표준 REACTOR 사양은 80%, 75%, 70% 로 STARTER 도면은표준사양으로제출됨. - 동프로젝트용모터사양서 / 성적서확인결과기동전류가 400% 이하로표준모터의 650% 대비상당히낮은기동특성을가지고있어, 압축기운용시기동시간등을감안하여
More information전자회로 실험
전자회로실험 2 조 고주현허영민 BJT의고정바이어스및 부품 * 실험목적 1) 고정바이어스와 회로의직류동작점을결정한다. 다이오드의특성 * 실험장비 계측장비 - Digital Multi Meter 부품 -저항 다이오드의특성 부품 - 트랜지스터
More information<BCD2B9E6C0FCB1E2C8B8B7CE20BECFB1E2B3EBC6AE20BAB8C3E6C0DAB7E E687770>
01. 제어계의종류 1) 개-루프제어계 (Open loop system) 1 제어동작이출력과관계없이순차적으로진행되는제어계 2 구조가간단하고경제적 2) 폐-루프제어계 (Close loop system)- 피드백제어계 1 출력신호를입력신호로되돌려서제어량이목표값과비교하여정확한제어가가능하도록한제어계 2 정확하고대역폭이증가하지만구조가복잡하고설치비가많이든다. 3 계의특성변화에대한입력대출력비에대한감도가감소한다.
More information<4D F736F F F696E74202D2035BBF3C6F2C7FC5FBCF8BCF6B9B0C1FA2E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>
5. 상평형 : 순수물질 이광남 5. 상평형 : 순수물질 상전이 phase transition 서론 ~ 조성의변화없는상변화 5. 상평형 : 순수물질 전이열역학 5. 안정성조건 G ng ng n G G 자발적변화 G < 0 G > G or 물질은가장낮은몰Gibbs 에너지를갖는상 가장안정한상 으로변화하려는경향 5. 상평형 : 순수물질 3 5. 압력에따른Gibbs
More informationPowerPoint Presentation
Test 1. 일반적인측정용어 1.1 면저항 1.2 누설전류 1.3 파괴시험 1.4 Resolution 2. 산화막평가 2.1 확산층평가 2.2 산화막중의전하 2.3 절연파괴강도 2.4 장기신뢰성평가 3. Photo-etch 검사측정기술 3.1 검사측정기술 3.2 Selectivity, Etch-rate, Anisotropy 4. 박막평가 4.1 관련용어 a.
More information전기 회로 과목의 성취기준 및 성취수준
( 과 학 ) 과목의 성취기준 및 성취수준 1. 교과의 개요 (1) 성격 과학 에서는 물리, 화학, 생명과학, 지구과학의 기본 개념들이 적절하게 균형을 이루면서 자연스럽게 융합되도 록 구성한 학생들이 과학에 대한 흥미를 느끼고 자연을 통합적으로 이해하는 데 필요하다면 어려운 과학 개념 일지라도 적절한 수준에서 소개한 과학 을 통하여 학생들이 심화된 물리, 화학,
More information쉽게배우는알고리즘 6장. 해시테이블 테이블 Hash Table
쉽게배우는알고리즘 6장. 해시테이블 테이블 Hash Table http://academy.hanb.co.kr 6장. 해시테이블 테이블 Hash Table 사실을많이아는것보다는이론적틀이중요하고, 기억력보다는생각하는법이더중요하다. - 제임스왓슨 - 2 - 학습목표 해시테이블의발생동기를이해한다. 해시테이블의원리를이해한다. 해시함수설계원리를이해한다. 충돌해결방법들과이들의장단점을이해한다.
More information.4 편파 편파 전파방향에수직인평면의주어진점에서시간의함수로 벡터의모양과궤적을나타냄. 편파상태 polriion s 타원편파 llipill polrid: 가장일반적인경우 의궤적은타원 원형편파 irulr polrid 선형편파 linr polrid k k 복소량 편파는 와 의
lrognis II 전자기학 제 장 : 전자파의전파 Prof. Young Cul L 초고주파시스템집적연구실 Advnd RF Ss Ingrion ARSI Lb p://s.u..kr/iuniv/usr/rfsil/ Advnd RF Ss Ingrion ARSI Lb. Young Cul L .4 편파 편파 전파방향에수직인평면의주어진점에서시간의함수로 벡터의모양과궤적을나타냄.
More informationNE_Ch5.hwp
5. 이온화검출기 이온화검출기 (ionization detector) 는전자장비를이용한첫번째검출기이다. 입사된방사선이기체를전리시켜생성한전자와이온의수집을이용하는이온화검출기로는초기의가이거-뮐러계수기 (Geiger-Müller counter), 비례계수기 (proportional counter), 이온화검출기 (ionization chamber) 를비롯하여다중선비례검출기
More information(Hyunoo Shim) 1 / 24 (Discrete-time Markov Chain) * 그림 이산시간이다연쇄 (chain) 이다왜 Markov? (See below) ➀ 이산시간연쇄 (Discrete-time chain): : Y Y 의상태공간 = {0, 1, 2,..., n} Y n Y 의 n 시점상태 {Y n = j} Y 가 n 시점에상태 j 에있는사건
More informationMicrosoft PowerPoint - 6. FET 증폭기
FET 증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun FET 증폭기 MOFET 증폭기는동작측면에서 4 장에서설명한 BJT 증폭기와유사. BJT 증폭기에비해입력저항이매우커서, 증폭단사이신호전달이보다효율적임. 공통소오스증폭기 공통드레인증폭기 공통게이트증폭기 E-al: hjun@hanyan.ac.kr http://web.ynse.ac.kr/hjun
More informationi - ii - iii - 1 - 연도 보험급여 총계 (A) 장해급여 유족급여 일시금연금일시금연금 연금계 (B) 연금비중 (B/A, %) 기타 급여 1) 1998 14,511 3,377 979 1,657 30 1,009 7.0 8,467 1999 12,742 2,318 1,120 1,539 38 1,158 9.1 7,727 2000 14,563 2,237 1,367
More informationMD-C-035-1(N-71-18)
MD-C-035-1(N-71-18) KEPIC 적용사례 : MD-C-035-1(N-71-18) ( 승인일자 : 2010. 8. 31) 제목 : 용접으로제조되는 KEPIC-MNF 의 1, 2, 3 및 MC 등급기기지지물의추가재 료 (KEPIC-MN) 질의 : 품목이용접으로제작될경우, KEPIC-MDP의부록 IA, IB, IIA, IIB 및 VI에나열된것이외에추가로어떤재료가
More information제 12강 함수수열의 평등수렴
제 강함수수열의평등수렴 함수의수열과극한 정의 ( 점별수렴 ): 주어진집합 과각각의자연수 에대하여함수 f : 이있다고가정하자. 이때 을집합 에서로가는함수의수열이라고한다. 모든 x 에대하여 f 수열 f ( x) lim f ( x) 가성립할때함수수열 { f } 이집합 에서함수 f 로수렴한다고한다. 또 함수 f 을집합 에서의함수수열 { f } 의극한 ( 함수 ) 이라고한다.
More informationMicrosoft PowerPoint - Bauer_Ch23 [호환 모드]
3 장전기퍼텐셜 (Electc Potentl) 점전하에의한전기퍼텐셜및전기퍼텐셜에너지정의이해 여러전하분포들의전기퍼텐셜이해 전기퍼텐셜과전기장의관계이해및전기장계산 점전하계의전기퍼텐셜에너지계산 3.1 전기퍼텐셜에너지 3. 전기퍼텐셜의정의 3.3 등퍼텐셜면과등퍼텐셜선 3.4 여러전하분포들의전기퍼텐셜 3.5 전기퍼텐셜에서전기장구하기 3.6 점전하계의전기퍼텐셜에너지 Septembe
More information(Microsoft PowerPoint - Ch19_NumAnalysis.ppt [\310\243\310\257 \270\360\265\345])
수치해석 6009 Ch9. Numerical Itegratio Formulas Part 5. 소개 / 미적분 미분 : 독립변수에대한종속변수의변화율 d vt yt dt yt 임의의물체의시간에따른위치, vt 속도 함수의구배 적분 : 미분의역, 어떤구간내에서시간 / 공간에따라변화하는정보를합하여전체결과를구함. t yt vt dt 0 에서 t 까지의구간에서곡선 vt
More informationPowerPoint 프레젠테이션
24 장. 가우스의법칙 (Gauss s law) 24.1 전기선속 24.2 가우스의법칙 24.3 다양한형태의전하분포에대한가우스의법칙의적용 24.4 정전기적평형상태의도체 24.1 전기선속 (lectric Flux) o A New Look at Coulomb's Law - Coulomb's Law : 전하간의상호작용력 각전하에의한전기장의 Vector 합에의하여전체전기장
More informationPowerPoint 프레젠테이션
Heinrich Rudolf Hertz (1857 1894) proved the existence of the electromagnetic waves theorized by James Clerk Maxwell's electromagnetic theory of light. Guglielmo Marconi (1874 1937) 1909 Nobel Prize in
More information<B4EBC7D0BCF6C7D02DBBEFB0A2C7D4BCF62E687770>
삼각함수. 삼각함수의덧셈정리 삼각함수의덧셈정리 삼각함수 sin (α + β ), cos (α + β ), tan (α + β ) 등을 α 또는 β 의삼각함수로나 타낼수있다. 각 α 와각 β 에대하여 α >0, β >0이고 0 α - β < β 를만족한다고가정하 자. 다른경우에도같은방법으로증명할수있다. 각 α 와각 β 에대하여 θ = α - β 라고놓자. 위의그림에서원점에서거리가
More informationEdition 4(2006) Total Solution for Lightning Damages
Edition 4(2006) http://www.uijae.com Total Solution for Lightning Damages Bipolar Space Charge Dissipation Air Terminals Air Terminal Air Terminal Air Terminal Air Terminal Air Terminal Air Terminal
More information3. 다음은카르노맵의표이다. 논리식을간략화한것은? < 나 > 4. 다음카르노맵을간략화시킨결과는? < >
. 변수의수 ( 數 ) 가 3 이라면카르노맵에서몇개의칸이요구되는가? 2칸 나 4칸 다 6칸 8칸 < > 2. 다음진리표의카르노맵을작성한것중옳은것은? < 나 > 다 나 입력출력 Y - 2 - 3. 다음은카르노맵의표이다. 논리식을간략화한것은? < 나 > 4. 다음카르노맵을간략화시킨결과는? < > 2 2 2 2 2 2 2-3 - 5. 다음진리표를간략히한결과
More informationMicrosoft Word - LAB_OPamp_Application.doc
실험. OP Amp 의기본응용회로 Voltage Follower/Impedance Buffer 위의 OP amp 회로에서출력전압신호는입력전압신호와항상같으므로, voltage follower라고불린다. 이회로는어떤기능을가지는회로에부하저항을연결하였을때, 부하저항이미치는영향을최소화하기위해서사용될수있다. 예를들면 low-pass filter 회로에부하저항이연결된다음과같은회로를고려해본다.
More informationCh 양자역학의응용 20 c 이후과학과기술의결합 ã ã ã ã ã 라디오, TV, 무선통신고체물리 반도체산업초전도체, 자성체레이저 광통신, 정밀측정핵 입자물리학 핵무기, 핵발전 ã 화학공학, 생명과학 ( 공학 ) 1
Ch. 6-4. 양자역학의응용 20 c 이후과학과기술의결합 라디오, TV, 무선통신고체물리 반도체산업초전도체, 자성체레이저 광통신, 정밀측정핵 입자물리학 핵무기, 핵발전 화학공학, 생명과학 ( 공학 ) 1 양자역학의응용 원자의전자궤도 화학결합 : 분자 고체물리 : 도체, 유전체, 반도체, 자성체 Laser 의발명과응용 핵에너지기술 핵무기, 원자로 2 상자안전자의에너지준위
More informationMicrosoft PowerPoint - lec06_2007
Opertil Ampliier A µa74 itegrted circuit h eight cectig pi 주요한단자. iertig iput. iertig iput. utput 4. pitie pwer upply 5. egtie pwer upply b The crrepdece betwee the circled pi umber the itegrted circuit
More information소성해석
3 강유한요소법 3 강목차 3. 미분방정식의근사해법-Ritz법 3. 미분방정식의근사해법 가중오차법 3.3 유한요소법개념 3.4 편미분방정식의유한요소법 . CAD 전처리프로그램 (Preprocessor) DXF, STL 파일 입력데이타 유한요소솔버 (Finite Element Solver) 자연법칙지배방정식유한요소방정식파생변수의계산 질량보존법칙 연속방정식 뉴톤의운동법칙평형방정식대수방정식
More information제 5강 리만적분
제 5 강리만적분 리만적분 정의 : 두실수, 가 을만족핚다고가정하자.. 만일 P [, ] 이고 P 가두끝점, 을모두포함하는유핚집합일때, P 을 [, ] 의분핛 (prtitio) 이라고핚다. 주로 P { x x x } 로나타낸다.. 분핛 P { x x x } 의노름을다음과같이정의핚다. P x x x. 3. [, ] 의두분핛 P 와 Q 에대하여만일 P Q이면 Q
More information..액추에이터청정화기기모듈러F압력센서10-M series 미니어처피팅 구조도 바브 튜브삽입이용이한형상또한, 튜브유지가확실 몸체 무전해니켈도금처리 가스켓 가벼운체결토크확실한 Seal 사양 호스니플 튜브 봉투너트 손체결로튜브유지가확실또한, 느슨하게함으로써튜브이탈이용이무전해
..액추에이터청정화기기모듈러F압력센서M series 미니어처피팅 구조도 바브 튜브삽입이용이한형상또한, 튜브유지가확실 몸체 무전해니켈도금처리 가벼운체결토크확실한 Seal 사양 호스니플 튜브 봉투너트 손체결로튜브유지가확실또한, 느슨하게함으로써튜브이탈이용이무전해니켈도금처리 튜브재질 폴리우레탄 사용유체 공기, 물주 ) M의경우 ø.1/ø2, ø/ø 적용 M-R ø.1/ø2
More information<4D F736F F F696E74202D FC0FCB7F9BFCD20C1F7B7F920B9D720B1B3B7F920C8B8B7CE28BCF6BEF7BFEB29205BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>
제 장전류와직류회로 제 장전류와직류회로. 전류. 저항과옴의법칙. 초전도체.4 전기전도모형.5 전기회로에서에너지와전력.6 기전력원.7 저항기의직렬연결과병렬연결.8 키르히호프의법칙.9 C 회로.0 연결주제 : 도체로서의대기 . 전류 Electric Current 전류 (current): 주어진단면을통과하는전하량의흐름률즉, 단위시간당알짜전하량의변화 Q t ( 단위
More information3.2 함수의정의 Theorem 6 함수 f : X Y 와 Y W 인집합 W 에대하여 f : X W 는함수이다. Proof. f : X Y 가함수이므로 f X Y 이고, Y W 이므로 f X W 이므로 F0이만족된다. 함수의정의 F1, F2은 f : X Y 가함수이므로
3.2 함수의정의 Theorem 6 함수 f : X Y 와 Y W 인집합 W 에대하여 f : X W 는함수이다. Proof. f : X Y 가함수이므로 f X Y 이고, Y W 이므로 f X W 이므로 F0이만족된다. 함수의정의 F1, F2은 f : X Y 가함수이므로성립한다. Theorem 7 두함수 f : X Y 와 g : X Y 에대하여, f = g f(x)
More informationMicrosoft PowerPoint Relations.pptx
이산수학 () 관계와그특성 (Relations and Its Properties) 2010년봄학기강원대학교컴퓨터과학전공문양세 Binary Relations ( 이진관계 ) Let A, B be any two sets. A binary relation R from A to B, written R:A B, is a subset of A B. (A 에서 B 로의이진관계
More information4장 논리 게이트
4 장논리게이트 게이트 : 논리연산수행 4.1 기본게이트 AND, OR, NOT, NOR, NAND, XOR, XNOR 버퍼게이트 버퍼 : 연결할회로사이에전류, 전압등의구동이나레벨을맞추기위한완충을목적으로사용 진리표와기호 진리표게이트기호 IEEE 표준기호 NC NC 16 15 14 13 12 11 10 9 MC14050B 버퍼게이트 1 2 3 4 5 6 7 Vcc
More information핵의학 총론
6 주차 1. 섬광계수기 1) 섬광계수기의원리와구조 2. 검량기 1) 검량기의원리와구조및성능관리 3. 섬광카메라 1) 원리 2) 구성과기능 3) 섬광체와섬광카메라의성능변화 4) 콜리메터의종류와기능 5) 콜리메터의물리적특성과영상의질 핵의학기기 1. 감마선계측기 (Gamma Counter) 감마선계측기는 3cm 정도의 NaI(Tl) 결정으로구성되어그가운데혈액이나소변과같은시료를넣은시험관등을삽입해서측정할수있다
More informationTOPOLOGY-WEEK 6 & 7 KI-HEON YUN 1. Quotient space( 상공간 ) X 가위상공간이고 Y 가집합이며 f : X Y 가전사함수일때, X 의위상을사용하여 Y 에위상을정의할수있는방법은? Definition 1.1. X 가위상공간, f : X
TOPOLOGY-WEEK 6 & 7 KI-HEON YUN 1. Quotient space( 상공간 ) X 가위상공간이고 Y 가집합이며 f : X Y 가전사함수일때, X 의위상을사용하여 Y 에위상을정의할수있는방법은? Definition 1.1. X 가위상공간, f : X Y 가전사함수일때, T Y = {U Y f 1 (U) is open set in X} 로정의하면
More information02...~29.
O2 우주의 탄생과 원자의 형성 보충 Ti 쿼크는 위, 아래, 맵시, 야릇한, 꼭대기, 바닥의 6종류가 있고, 이 중 위 쿼크와 아래 쿼크가 양성자와 중성자를 이룬다. 02-1 02-2 기본 입자 1. 기본 입자 물질을 나누었을 때 더 이상 구분할 수 없는 가 장 작은 입자 쿼크와 경입자(렙톤)로 구분한다. 초기 우주의 진화와 원자의 형성 1. 초기 우주의
More informationMicrosoft PowerPoint - ºÐÆ÷ÃßÁ¤(ÀüÄ¡Çõ).ppt
수명분포및신뢰도의 통계적추정 포항공과대학교산업공학과전치혁.. 수명및수명분포 수명 - 고장 까지의시간 - 확률변수로간주 - 통상잘알려진분포를따른다고가정 수명분포 - 확률밀도함수또는 누적 분포함수로표현 - 신뢰도, 고장률, MTTF 등신뢰성지표는수명분포로부터도출 - 수명분포추정은분포함수관련모수의추정 누적분포함수및확률밀도함수 누적분포함수 cumulav dsbuo
More informationMicrosoft PowerPoint - Chapter4&6(강의용)
h. 4 반도체소자 반도체 : 상온에서도체와부도체의중간쯤에해당하는전기전도도를가지는물질 불순물첨가 (doping) 또는결함으로인해서전기전도도가매우크게변함. 주기율표에서 4 족, 3-5 족, 2-6 족화합물 (Si, Ge, GaAs, AlAs etc. ) c = 6.708 Å 1 원자가규칙적정렬을하는고체에서전자의상태 : 에너지밴드 E U E g a E V a 0
More information제목을 입력하십시오
위상제어정류기 Prf. ByungKuk Lee, Ph.D. Energy Mechatrnics Lab. Schl f Infrmatin and Cmmunicatin Eng. Sungkyunkwan University Tel: 8212994581 Fax: 8212994612 http://seml.skku.ac.kr EML: bkleeskku@skku.edu 위상제어정류회로
More informationMicrosoft Word - 4장_처짐각법.doc
동아대학교토목공학과구조역학 4. 처짐각법 변위법 (Slope Deflection ethod Displacement ethod) Objective of this chapter: 처짐각법의기본개념. What will be presented: 처짐각법을이용한다차부정정보해석 처짐각법을이용한다차부정정골조해석 Theoretical background 미국미네소타대학의
More informationMicrosoft PowerPoint - lec06_2009_회로이론1 [호환 모드]
Opertl Ampler A µa7 tegrted rut h eght etg p 주요한단자. ertg put. ertg put. utput. pte pwer upply 5. egte pwer upply b The rrepdee betwee the rled p umber the tegrted rut d the de the pertl mpler. NC : et
More information<BFACBDC0B9AEC1A6C7AEC0CC5F F E687770>
IT OOKOOK 87 이론, 실습, 시뮬레이션 디지털논리회로 ( 개정 3 판 ) (Problem Solutions of hapter 9) . T 플립플롭으로구성된순서논리회로의해석 () 변수명칭부여 F-F 플립플롭의입력 :, F-F 플립플롭의출력 :, (2) 불대수식유도 플립플롭의입력 : F-F 플립플롭의입력 : F-F 플립플롭의출력 : (3) 상태표작성 이면,
More informationㄴ. 중성자는위(u) 쿼크 1 개와아래(d) 쿼크 2 개로구성되어있다. ㄷ. 쿼크사이의강한상호작용을매개하는입자는글루온이다. 5. 열역학법칙 [ 정답맞히기] 철수. 페트병안공기의부피가증가하였으므로공기는외부에일을 한것이다. 민수. 페트병안공기의압력과부피가증가하였으므로열은따
< 정답> 2014학년도대학수학능력시험 9 월모의평가 ( 물리Ⅰ ) 정답및해설 1. 5 2. 3 3. 3 4. 5 5. 4 6. 2 7. 1 8. 4 9. 1 10. 1 11. 4 12. 5 13. 3 14. 4 15. 5 16. 2 17. 3 18. 2 19. 3 20. 5 < 해설> 1. 마이크와스피커 [ 정답맞히기] ㄱ. 마이크의진동판은소리에의한공기의진동으로진동하게된다.
More information체의원소를계수로가지는다항식환 Theorem 0.1. ( 나눗셈알고리듬 (Division Algorithm)) F 가체일때 F [x] 의두다항식 f(x) = a 0 + a 1 x + + a n x n, a n 0 F 와 g(x) = b 0 + b 1 x + + b m x
체의원소를계수로가지는다항식환 Theorem 0.1. ( 나눗셈알고리듬 (Division Algorithm)) F 가체일때 F [x] 의두다항식 f(x) = a 0 + a 1 x + + a n x n, a n 0 F 와 g(x) = b 0 + b 1 x + + b m x m, b m 0 F, m > 0 에대해 f(x) = g(x)q(x) + r(x) 을만족하는
More information0목차(40-2).hwp
논문 감마선분광분석을위한실리콘광증배소자기반 Ce:GAGG 섬광검출기의분광특성연구 박혜민, 김정호, 김동성, 주관식명지대학교 2015 년 1 월 16 일접수 / 2015 년 4 월 1 일 1 차수정 / 2015 년 5 월 5 일 2 차수정 / 2015 년 5 월 9 일채택 본연구에서는실리콘광증배소자 (Silicon photomultiplier) 와 Ce:GAGG
More information슬라이드 1
Chapter 3. Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductors ( 에너지대역과반도체에서의전하캐리어 ) 3.1.1 고체에서의결합력 이온결합 (ionic bonding) 알칼리의할로겐화합물 (ex. NaCl) Na와 Cl사이의전자교환이이루어지면최외각궤도는 8개의전자로완전히 채워짐. Na(z 11) Cl(z Na Na
More informationPHY 184 lecture 15
직류 회로내한점을흐르는전류, 즉움직이는전하에대해서공부한다. 먼저정지한전하에대해서공부한것을정리해보자 정전기학 쿨롱의법칙, 기본전하 전기장 전기쌍극자, 전기다발, 가우스의법칙 전기퍼텐셜에너지 전기퍼텐셜 축전기 전기용량, 전기에너지, 연결회로 September 14, 2012 University Physics, Chapter 25 1 복습 : 정전기학 (1) 전하는양전하와음전하가있고,
More information물의 증기압과 증발 엔탈피 실험 일자 : 2016년 1월 11일 (월) 공동실험자 : 이주찬, 이주찬 제 출 자 : 이주찬 실험 개요 I 실험 목적 온도에 따른 물의 증기압을 실험으로 측정한다. 측정 결과를 이용하여 물의 증발
물의 증기압과 증발 엔탈피 실험 일자 : 2016년 1월 11일 (월) 공동실험자 : 14088 이주찬, 14088 이주찬 제 출 자 : 14088 이주찬 실험 개요 I. 1.1. 실험 목적 온도에 따른 물의 증기압을 실험으로 측정한다. 측정 결과를 이용하여 물의 증발 엔탈피를 구한다. 1.2. 이론적 배경 증기압 증기가 고체 또는 액체와 동적 평형 상태에
More information전기전자뉴스레터-여름호수정2
EE-Newsletter 2011. Volume 2 02 04 05 06 2011 / SUMMER 08 09 10 12 14 16 18 20 02 / EE Newsletter Korea Advanced Institute of Science and Technology / 03 04 / EE Newsletter Korea Advanced Institute of
More information= ``...(2011), , (.)''
Finance Lecture Note Series 사회과학과 수학 제2강. 미분 조 승 모2 영남대학교 경제금융학부 학습목표. 미분의 개념: 미분과 도함수의 개념에 대해 알아본다. : 실제로 미분을 어떻게 하는지 알아본다. : 극값의 개념을 알아보고 미분을 통해 어떻게 구하는지 알아본다. 4. 미분과 극한: 미분을 이용하여 극한값을 구하는 방법에 대해 알아본다.
More information슬라이드 1
Chater 4. Excess Carriers in Semiconductors ( 반도체의과잉캐리어 ) Chater 4. 광자가직접형과간접형의대역간극반도체와어떻게상호작용하는지를이해함 과잉캐리어의생성-재결합을포획위치를통해이해함 반-평형에서의의사페르미준위를알아봄 캐리어농도경사도와확산율로부터확산전류를계산함 연속방정식을이용하여캐리어농도의시간의존성을습득 4.1 광학적흡수
More information