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1 산업 Overweight 반도체 Analyst 박유악 yuak.pak@meritz.co.kr Investment Summary - 3D XPoint는고온에서 Data가삭제되는치명적단점보유. DRAM 보다속도가 5배느리며, 3D NAND 보다 Density가낮기때문에기존 DRAM/NAND 시장을대체할가능성없음 년 Vertical ReRAM이 NAND를대체할것으로예상되나, 3D NAND 와공정및구조가유사해기존업체의기술우위는지속될전망 Investment Point Top Picks 삼성전자 (005930) Buy, TP 1,900,000 원 SK 하이닉스 (000660) Buy, TP 55,000 원 1. 3D XPoint: Cross-Point Array & PRAM 사용, NAND 대체어려울것 Intel-Micron의 3D XPoint는 Cross-Point Array 구조 와 PRAM 을사용. Cross-Point Array는이미 3D NAND에밀린기술이고, PRAM 역시고온에서 Data가삭제되는치명적단점을보유. 3D XPoint의속도가 DRAM보다 5배나느리고, Density 역시 3D NAND 대비는현저히낮기때문에주요 DRAM/NAND 시장을대체할수는없을것 2. 삼성전자, SK하이닉스 : 3D NAND 이후기술로 ReRAM에관심집중삼성전자, SK하이닉스등도 New Memory에대한연구를수년간진행중. NAND의대체재로 ReRAM을거론하고있으며, PRAM과 Cross- Point Array에대해서는회의적. ReRAM은 1970년 IBM에의해개발된기술로활발한기술개발이진행되고있으나, PRAM은대체성격인 3D NAND가양산됨에따라시장내관심이급감했음 3. 3D NAND 이후 VRRAM 도입예상 : 기존업체경쟁우위지속될것 NAND업체는당분간 3D NAND의양산에집중하고, 2020년쯤 VRRAM (Vertical ReRAM) 을도입할전망. VRRAM은 1)3D NAND와구조 / 공정이유사해 Fab 전환이가능하며, 2)3D NAND 이후추가적인 Stack 증가가가능. VRRAM이도입되더라도, 기존업체의경쟁우위는지속될전망

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3 Contents 1 Investments Summary 4 1 3D XPoint의주요 NAND 시장대체가능성은없다 4 2 3D XPoint, 기존 DRAM과 NAND 시장대체할가능성없다 6 1 3D XPoint는 PRAM 사용 : DRAM과 NAND 사이, 어중간한 Positioning D XPoint의 Cross-Point 구조 : 이미 3D NAND에뒤쳐진기술 8 3 NAND: 3D NAND 이후 Vertical ReRAM 도입할전망 D Cross-Point: 주요메모리업체모두개발중. 시장확대는회의적 11 2 그나마 PRAM 대신 ReRAM 사용. 2020년양산계획 NAND Roadmap: 3D NAND 이후 20년 Vertical ReRAM 도입 13 4 DRAM Tech Roadmap: 18년 STT-RAM 도입예상 DRAM: QPT 및 STT-RAM 도입으로미세화지속 15 5 Top Picks 21 1 삼성전자 22 2 SK하이닉스 26 메리츠종금증권리서치센터 3

4 I. Investments Summary 1. 3D XPoint의주요 NAND 시장대체가능성은없다 Intel-Micron의 3D XPoint는 Cross-Point Array 구조와 PRAM 을사용한제품으로, 속도는 NAND 대비 1,000배빠르지만 DRAM 보다 5배느리며, Density 역시 DRAM 보다 8~10배높지만 3D NAND 대비는현저히낮다. 또한, Cross-Point Array 구조가이미 3D NAND에밀린기술이고, PRAM 역시고온에서 Data가삭제되는치명적단점을갖고있기때문에주요 NAND 시장을대체할수는없을것이라고판단한다. 삼성전자, SK하이닉스, Toshiba, SanDisk 등역시 New Memory에대한연구를수년간진행하고있다. NAND의대체재로 ReRAM을거론하고있으며, PRAM과 Cross-Point Array 구조에대해서는회의적인입장이다. ReRAM은 1970년 IBM에의해개발된기술인데, 최근삼성전자, SK하이닉스등에의해활발한기술개발이진행되고있다. 반면 PRAM은대체성격인 3D NAND가양산됨에따라시장내관심이급감한상태다. 주요 NAND 업체는당분간 3D NAND의 Stacks 수증가에집중하고, 2020년쯤 Vertical ReRAM(VRRAM) 을도입함으로써 10nm 이하의미세화를지속시킬것으로전망된다. Vertical ReRAM의도입가능성에무게를두는이유는 1)3D NAND와 Process가유사해기존 Fab을이용할수있고, 2)Transistor를사용하기때문에 Sneak Current 이슈가발생하지않으며, 3)Stack 수증가에따른 Density 향상이용이하기때문이다. [ 그림 1] 3D NAND 이후 Vertical ReRAM 도입예상. 3D XPoint 는없다! HVM Poly SION HIK Metal Gate FinFET III-V/Go channel? Gate All Around? Logic 28nm 20nm 14/16nm 10nm 7nm 5nm 3nm DRAM Working Memory 3xL 2xH 2xM 2xL 1xH 1xM 1xL MRAM 1xH 1xM 1xL Storage Memory Planar Floating Gate NAND 2xL 1xH 1xM 1xL 1xVL 3D NAND 5x x24 5x x32 5x x48 ~ x64 5x x96 Vertical ReRAM Production Development Research Roadmap 자료 : 메리츠종금증권리서치센터 [ 표 1] Meritz s Coverage ( 단위 : 십억원, 배, %) 매출액 영업이익 PER PBR EV/EBITDA ROE 시가총액 15E 16E 15E 16E 15E 16E 15E 16E 15E 16E 15E 16E 삼성전자 173, , ,354 27,373 29, SK 하이닉스 26,172 19,118 19,421 5,889 6, LG 디스플레이 7,979 27,868 26,564 1,852 1, OCI 머티리얼즈 1, 솔브레인 리노공업 디엔에프 자료 : 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 4

5 [ 표 2] 글로벌 IT 업체 Valuation Table ( 단위 : 십억달러, 배, %) Mkt Cap Rev OP P/E P/B EV/EBITDA ROE 2015E 2016E 2015E 2016E 2015E 2016E 2015E 2016E 2015E 2016E 2015E 2016E Memory Samsung SK Hynix Micron Toshiba Sandisk LSI Intel Qualcomm ARM TI Broadcom Mediatek Marvell Xilinx nvidia Freescale N/A N/A Maxim STMicro Novatek Foundry TSMC UMC SMIC Packaging ASE SPIL Chipbond Amkor Display LG Display AUO INX Sharp N/A JDI Equipment Wonik IPS SFA ASML AMAT KLA Tencor LAMResearch Materials OCI Materials Soulbrain Air Product ADEKA N/A N/A N/A N/A 7.7 N/A REC N/A N/A Kanto Denka N/A Set Apple Samsung HP Dell Nokia Sony Lenovo LGE Asus ZTE 주 : 삼성전자, SK 하이닉스, LG 디스플레이는당사추정치, 나머지는 Bloomberg Consensus 자료 : Bloomberg, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 5

6 II. 3D XPoint, 기존 DRAM 과 NAND 시장대체할가능성없다 1. 3D XPoint는 PRAM 사용 : DRAM과 NAND 사이, 어중간한 Positioning Intel-Micron이 16년신규 Memory칩인 3D XPoint(Cross-Point) 를 Ramp-up할것이라고공식발표했다. 3D XPoint는 Transistor를사용하지않는 Cross-Point Array 구조 로돼있고, Stacks수도높일수도있다. Intel-Micron의주장을기반으로하더라도 3D XPoint의속도는기존의 NAND 대비 1,000배빠르지만 DDR4 DRAM 보다 5배느리며, Density 역시 DRAM 보다는 8~10배크지만 3D NAND 대비는현저히작다. 좋게보면 DRAM과 NAND의특성이결합된혁신적인제품이지만, 나쁘게보면 DRAM과 NAND의중간에위치한어중간한제품이다. [ 그림 2] 3D XPoint: Cross-Point Array 구조, Selector 와 Memory Cell 로구성 자료 : Intel, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 3] Intel-Micron 의 3D XPoint: Transistor 대신 Diode 사용 자료 : Micron, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 6

7 3D XPoint 의 Memory Cell 로는 PRAM 이사용됐을것으로추정되는데, PRAM 은전압에따라결정구조가변하는물질을사용해 0 과 1 의 Data 를인식한다. PRAM 은결정구조를변화시킬때열에너지를사용하기때문에, 고온동작시 Data 가삭제되어버릴수있는치명적단점을갖고있으며, Speed(DRAM > PRAM > NAND) 와 Density(NAND > PRAM > DRAM) 특성모두 DRAM 과 NAND 의중간에위치해있어시장의 Major 제품으로부각될수없다. 이 PRAM 을사용하는 3D XPoint 역시 Server 용 Buffer Memory 와일부항공 / 군사용에만적합할뿐, 시장일각의주장처럼기존 NAND 시장을급격히대체할수있을것이라고는판단되지않는다. [ 그림 4] 3D XPoint 의 Memory Cell 로사용된 PRAM 특성 : DRAM 과 NAND 의중간 Increasing Speed & Endurance CPU SRAM DRAM NAND HDD MRAM PRAM ReRAM Increasing Density (Decreasing Cost) 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 5] Speed 는 DRAM > PRAM > NAND, Density 는 NAND > PRAM > DRAM Read Speed Write Speed SRAM MRAM Endurance Cost PRAM DRAM NAND Retention Power 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 6] ASML 의 Roadmap(2D NAND 3D NAND ReRAM) 에 PRAM 은없다 ($/GB) D-2D cost cross over ReRAM introduction 2D NAND 2D Greenfield 0.1 2D-3D upgrade 1 2 3D-NAND Depreciated 2D 3D Greenfield ReRAM Greenfield 자료 : ASML( ), 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 7

8 2. 3D XPoint의 Cross-Point 구조 : 이미 3D NAND에뒤쳐진기술 3D XPoint에적용된 Cross-Point Array 구조는당초 2D NAND의대체기술로개발되었지만, 1)Data Errors가발생할수 있을뿐만아니라 2)Density 향상에한계가존재 하기때문에 3D NAND에밀려입지가좁혀진상태다. 1) Cross-Point Array 구조 는교차하는상 / 하부의전극사이에 Memory Cell이배치되는데, Memory Cell로는 ReRAM(Resistive RAM), MRAM(Magnetoresistive RAM), PRAM (Phase Change RAM) 등이사용될수있다. Transistor를사용하지않아면적효율이좋지만, Cell의위치에따라인가전압이달라져 Data의 Error가발생할수있다. [ 그림 7] Cross-Point Array 구조 : 상부와하부전극사이에 Memory Cell 배치 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 8] 3D Cross-Point: Cross-Point 구조를적층한 Memory Cell 의집합체 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 9] 3D XPoint: Transistor 미사용 Sneak Current 에의한 Data Error 발생 자료 : FlashMemory Summit, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 8

9 2)Cross-Point Array 구조는 Density 향상에한계가존재한다. Cross-Point Array구조는한번에한개의 Layer만을형성하기때문에, Stack 수 (Layer의적층개수 ) 를높일수록필요한 Critical Mask의개수가급증한다. Critical Masks의증가는제품의원가상승으로직결되므로, Cost-Effective한 Stacks의개수는 4개로제한될것으로예상된다. Intel-Micron에서발표한 3D XPoint의 Stack 수가이미 2개인점을감안하면, 기술의발전가능성은상당히제한적이다. 이러한이유로대부분의 NAND 업체들은 2D NAND 의미세공정한계에대한돌파구로 3D Cross-Point 대신 3D NAND를선택하였으며, 2016년대량양산체제에들어갈전망이다. [ 그림 10] 3D XPoint: Stack 수증가에따라 Critical Masks 급증 Cost Effective 부족 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 11] 3D XPoint: 256Gb 제품생산이한계 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 9

10 [ 그림 12] SK 하이닉스 : Cross-Point 보다 3D NAND(Vertical NAND) 선택 : Cross-Point 의문제점은 Stack 증가 Critical Mask 증가 원가특성악화 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 13] 삼성전자 : Cross-Point 의구조적문제점제기 3D NAND 선택 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 14] ASML: Wafer Volume 은향후 3D NAND 에서급증할것으로전망 자료 : ASML, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 10

11 III. NAND: 3D NAND 이후 Vertical ReRAM 도입할전망 1. 3D Cross-Point: 주요메모리업체모두개발중. 시장확대는회의적앞서기술했던바와같이, 3D Cross-Point 기술은삼성전자, SK하이닉스, Toshiba, SanDisk 등의주요메모리업체로부터수년간연구개발되고있다. SanDisk와 Toshiba 는 2008년과 2013년에 3D XPoint의시제품을선보였으며, 삼성전자와 SK하이닉스도 2011년학회를통해 3D XPoint에대한연구성과를발표했었다. [ 그림 15] SK 하이닉스 : New Memory 공동개발현황 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 16] Toshiba 와 SanDisk 가 13 년에발표한 3D Cross-Point 제품 Density Cell Size Die Size Interface Page Size Read Latency Write Latency 32Gb 24nm ⅹ 24nm mm2 NAND-Compatible 2KB 40us 230us 자료 : ISSCC(2013), 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 11

12 2. 그나마 PRAM 대신 ReRAM 사용 년양산계획 삼성전자, SK 하이닉스등이 Intel-Micron 과다른점이라면, Memory Cell 로 ReRAM 을사 용하고있고시장확대에대해서는회의적이라는것이다. ReRAM은 1970년 IBM에의해개발된기술인데, 최근에는삼성전자, SK하이닉스, Toshiba, SanDisk 등의주요 NAND 업체들에의해활발한기술개발이진행되고있다. 삼성선자는 2006년 ReRAM에관심을표명한이후최근까지가장활발한활동을하고있으며, SK하이닉스역시 Hewlett Packard와의공동개발을통해기술확보에박차를가하고있다. 반면 PRAM은 2013년 3D NAND의양산과함께시장내관심이급감했으며, 고온에취약한단점으로인해차세대 Memory로자리매김하기어려울전망이다. [ 그림 17] New Memory 특허출원현황 : ReRAM 특허출원증가지속. PRAM 은급감 자료 : Knowmade( ), 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 18] SanDisk: 3D ReRAM 양산은 2020 년이후로예상 자료 : SanDisk( ), 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 19] ASML: 주요고객사의 3D XPoint 대량양산시점은 2020 년으로예상 HVM Poly SION HIK Metal Gate FinFET III-V/Go channel? Gate All Around? Logic 28nm 20nm 14/16nm 10nm 7nm 5nm 3nm DRAM Working Memory 3xL 2xH 2xM 2xL 1xH 1xM 1xL MRAM 1xH 1xM 1xL Storage Memory Planar Floating Gate NAND 2xL 1xH 1xM 1xL 1xVL 3D NAND 5x x24 5x x32 5x x48 ~ x64 5x x96 X-Point: ReRAM, CBRAM, PC-RAM 2x x8 1xM x8 1xL x8 Production Development Research Roadmap 자료 : ASML( ), 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 12

13 3. NAND Roadmap: 3D NAND 이후 20년 Vertical ReRAM 도입 NAND 산업은당분간 3D NAND의 Stack수증가를통한 Density 증가에집중하고, 2020년에는 Vertical ReRAM(VRRAM) 를도입함으로써 10nm 이하의공정미세화를지속시킬것으로예상된다. [ 표 3] ReRAM 도입방안 : 3D Cross-Point vs. Vertical 3D Cross-point ReRAM Vertical ReRAM (VRRAM) Structure Pros Lateral scalability with selectors High cell efficiency Many layers formed at a time Vertical scalability Cons One layer formed at a time Tight design rules necessary Hard to embed selectors Process complexity 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 20] 다양하게발표되고있는 Vertical ReRAM 의구조 자료 : FlashMemory Summit, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 13

14 # of critical masks 반도체 Vertical ReRAM 의도입가능성에무게를두는이유는 1)3D NAND 와 Process 가유사해 기존 Fab 을이용할수있고, 2)Transistor 를사용하기때문에 Sneak Current 이슈가 발생하지않으며, 3)Stack 수증가에따른 Density 향상이용이하기때문이다. [ 그림 21] VRRAM 강점 : 1 V-NAND(3D NAND) 와구조유사. 기존 Fab 이용가능 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 22] VRRAM 강점 : 2 Transistor 사용 Sneak Current 이슈없음 자료 : Stanford, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 23] VRRAM 강점 : 3 Stacks 와 Critical Masks 수의상관성낮아, Density 향상용이 3D Cross-point Vertical ReRAM # of memory stacks 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 14

15 IV. DRAM Tech Roadmap: 18 년 STT-RAM 도입예상 1. DRAM: QPT 및 STT-RAM 도입으로미세화지속 20nm이하 DRAM은 1)QPT(Quadruple Patterning Technology) 또는 EUV(Extreme Ultra Violet) 장비도입, 2)New Memory(STT-RAM) 도입등을통해지속될것으로예상된다. DRAM 미세화공정내 1)Transistor의 Channel Length 감소의한계를넘기위한 Solution으로 EUV 장비 의도입이있다. EUV는극자외선을이용한노광기술로, 미국반도체컨소시엄인 SEMATECH과유럽반도체컨소시엄인 IMEC에서공동개발중이다. 그러나, EUV 장비내 Source의 Power 부족 과 노광시 Mask 결함 이슈가여전히존재하여, 실질적인대량양산은빨라도 2018년하반기에나가능할전망이다. [ 그림 24] DRAM 중장기 Tech Roadmap by 메리츠종금증권 35 (nm) Key Challenges 1) QPT 도입 2) STT-RAM 로변경 EUV 도입 11 1) EUV Multi-pattering 2) Mask 소재변경 자료 : ITRS, IMEC, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 25] EUV Timelines 빨라야 2018 년하반기 Mass Production 가능할전망 Foundry Suppliers Fabs Demo Tool Start Memory High Volume Manufacturing Logic Year Signals 1) Litho Timelines Published 2) Consortia/Semi Activities 3) Customer Announcements Pilot Lines Synchronized Transition 자료 : ASML( Updated), 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 15

16 EUV 장비의도입지연으로인해 2016 년부터 2018 년까지 3 년간 DRAM 공정미세화의공 백이발생하게되는데, 당사는해당기간 QPT(Quadruple Patterning Technology) 기술의 도입으로 Sub-20nm(under 20nm) 양산이진행될것으로예상하고있다. QPT 는현재 2xnm DRAM 공정에서사용되고있는 SaDPT(Self-Aligned Double Patterning Technology) 기술이반복되는공정으로, SaDPT 대비 1)Hardmask 증착과 2)Etch Back, 그리고 3)Hardmask Etching 공정이 1 회씩추가된다. [ 그림 26] DRAM Transistor 의 Channel Length 감소중장기 Roadmap 45 (nm) DRAM Transistor Tech Limit 돌파 QPT 도입 EUV 도입 EUV Multi-pattering DPT &High-K 도입으로한계돌파 자료 : 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 27] SaDPT vs. SaQPT 공정흐름도분석 DPT Process PR Litho 1st HM Etch DPT 소재 Depo Etch Back 2nd HM Etch Photo Resist Hardmask 1 Hardmask 1 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Film Film Film Film Film Film QPT Process PR Litho 1st HM Etch DPT 소재 Depo Etch Back 2nd HM Etch Photo Resist Hardmask 1 Hardmask 1 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Film Film Film Film Film Film 3rd HM Etch Etch Back Film Hardmask 3 Film Hardmask 3 Film 자료 : 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 16

17 DRAM 미세화공정내 Capacitor A/R(Aspect Ratio) 증가의한계를넘기위해 STT- RAM 이도입될전망이다. STT-RAM이 DRAM을대체할것으로판단하는첫번째이유는, 기존 DRAM과동일한공정을사용하여 Fab 전환에용이하기때문이다. STT-RAM의 Cell 구조는 1개의 Transistor와 1개의 MTJ(Magnetic Tunneling Junction) 로구성되어있으며, 이는 1개의 Transistor와 1개의 Capacitor로구성된 DRAM과비슷하다. 다시말해, STT-RAM은 Capacitor를 MTJ로변경하는것을제외하면 DRAM과그구조가동일하며, 제조역시 DRAM의 CMOS공정을사용하기때문에 DRAM STT-RAM의 Fab전환 이용이하다. STT-RAM 이 DRAM 을대체할것으로판단하는두번째이유는, Capacitor 대신 MTJ 를 사용하기때문에높아지고있는 DRAM Capacitor 의 A/R 이슈에서벗어날수있기때문 이다. [ 그림 28] DRAM Capacitor 의 A/R: 20nm 이하공정에서양산한계 5A ~3A 100 Tox 11A 9A 8A 7A A/R Tech node (nm) 20 0 자료 : 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 29] DRAM Capacitor: 20nm 이하제조어려울전망 [ 그림 30] STT-RAM MTJ: 10nm 이하제조가능예상 Capacitor Bit Line Bit Line MTJ Source Gate Silicon Substrate Drain Gate Source Drain Silicon Substrate 자료 : 메리츠종금증권리서치센터 자료 : 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 17

18 Capacity (bits) 반도체 [ 그림 31] DRAM 3xnm 공정 Capacitor 의 A/R = 25 [ 그림 32] Dubai Burj Khalifa 의 A/R = 6 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 33] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage = 1 [ 그림 34] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage =0 BL 1T HDD MTJ MTJ SL WL WL 3F 3F STT-RAM unit cell: 3F x 2F = 6F² 100G Data Storage NAND 10G DRAM 1G STT-RAM NOR PRAM 100M Working Memory Code Storage SRAM 10M MRAM RRAM 1M FeRAM Write Cycle Time(ns) 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 35] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage = 1 [ 그림 36] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage =0 Parallel spin state (Low resistance) Anti-parallel spin state (High Resistance) Top Electrode Top Electrode Stage = "1" Ferromognetic (Free Loyer) Stage = "0" Ferromognetic (Free Loyer) Tunnel borrier (MgO) Tunnel borrier (MgO) Current Sensing m Ferromognetic (Pinned Loyer) Current Sensing m Ferromognetic (Pinned Loyer) Bottom Electrode Bottom Electrode 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 18

19 STT-RAM의본격양산시 Tech node는 1xnm, 시점은 2018년전 / 후가될것으로예상한다. 현재 STT-RAM의 DRAM 대비뛰어난성능에도불구하고 DRAM을대체하기위한추가적인원가개선이선행되어야한다. 당사는수율개선이예상되는 2018년을전 / 후로하여본격적으로양산이시작될것으로예상한다. STT-RAM의원천기술을보유하고있는 Grandis는 STT-RAM의 Tech Node가 2013년 32nm에서 2016년 18nm, 2020년에는 10nm까지개발될것으로전망하고있으며, 유럽최대나노및반도체기술연구소인 IMEC 은 2017~2018년 STT-RAM의양산을예상하고있다.[ 표 2 및표 3 참조 ] [ 그림 37] 주요 Memory 제품원가비교 DRAM NAND STT-RAM ReRAM PCRAM 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 [ 표 4] DRAM 2017년 STT-RAM으로대체전망 Year of Production Dram 1/2 pitch (nm) Flash 1/2 pitch (nm) STT-RAM node (nm) Cell size (F2) STT-RAM Application DRAM DRAM DRAM DRAM 자료 : Grandis, 메리츠종금증권리서치센터 [ 표 5] 2017년이후 DRAM STT-RAM으로구조변경예상 Early production 2011~ ~ ~ ~ ~ DRAM 38-32nm 32-28nm 26-22nm 18-15nm 12-10nm Memory MIMEOT 0.6 MIMEOT 0.4 MIMEOT 0.3 STT-RAM STT-RAM Density 2Gb 4Gb 8Gb 8Gb 16Gb Array 6F 2 6F 2 6F 2 6F 2 6F 2 Gate Poly/SiO₂ HKMG HKMG HKMG HKMG Vdd(V) 자료 : IMEC, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 19

20 삼성전자는 2011년 STT-RAM의원천기술을보유한 Grandis를인수 ( 직원및 200여개특허포함 ) 했으며, 2013년에는전세계대학으로부터 STT-RAM의요소기술개발을위탁하는 SGMI(Samsung Global MRAM Innovation) 프로그램을운용하며적극적인행보를보이고있다. Grandis 는 2002 년에설립된회사로미국캘리포니아에위치해있으며, 인수후삼성전 자의 R&D 파트에서차세대메모리를개발중에있는것으로파악된다. SK 하이닉스는 Toshiba 와특허 Cross Licensing 을체결하며공동개발중에있다. [ 표 6] 삼성전자 SGMI Research Themes & Subjects: MTJ 개발에집중됨 ( 총 32개 Item 중 53% 차지 ) Research Category Research Title No. I. Magnetic Materials for MTJ 1. High ipma High Hex SAF Structure Bulk PMA Material for Low Switching Current Magnetostriction & Mechanical Stress Effect 1.5 II. MTJ Integration & MgO 1. MgO Crystallinity & Interface Epitaxy Damage-free MTJ Etch Etch Residue Removal (Cleaning) Post Treatment & Encapsulation 2.4 III. MTJ Characteristics 1. high TMR 3.1 (Read/Write & reliability) 2. Low Switching Current MTJ Write Error Rate MTJ Thermal Stability MTJ Switching Back (Back Hopping) MTJ Endurance 3.6 IV. MTJ Analysis (Modeling) 1. Micro Magnetic Simulator Material Development Simulator 4.2 V. Packaging 1. Magnetic Shielding 5.1 VI. Transistor 1. Straing Engineering Gate Wrok Function Engineering 6.2 VII. Circuit Design 1. Resistive Memory Architecture Read Sensing Circuits Write programming Circuits Design for Test Redundancy and ECC 7.5 VIII. Application (H/W, S/W) 1. H/W and S/W Techniques to Hide Weaknesses of STT-MRAM Techniques to Protect STT-MRAM Systems against Attacks and Power Failures Novel Applications on STT-MRAM Systems Exploiting New Design Trade-offs 8.4 IX. Emerging Technology 1. Materials and Designs Exploiting Spin-Orbit Effects for Memory Switching Materials and Designs Exploiting Voltage-Controlled Anisotropy for Memory Switching MLC and 3D STT-MRAM Technology 9.3 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 20

21 Top Picks 1 삼성전자 Buy TP 1,900,000 원 22p 2 SK 하이닉스 Buy TP 55,000 원 26p 메리츠종금증권리서치센터 21

22 삼성전자 (005930) Buy (Maintain) TP 1,900,000 원 NAND 경쟁력우위지속 투자의견 매수, 목표주가 190만원유지 - 3D NAND 이후 VRRAM을도입하며시장내기술리더쉽지속할전망. 2H15 3D NAND와 Foudnry의실적개선예상. 주가는역사적최저점인 T12M P/B 1.2배에불과. 비중확대추천함 3D NAND 이후 VRRAM 도입예상 - NAND는 3D NAND 이후 VRRAM(Vertical ReRAM) 으로진화할전망. VRRAM은 1)3D NAND와구조 / 공정이유사해 Fab 전환이가능할뿐만아니라, 2)3D NAND에이어추가적인 Stacks 수증가가가능 - 삼성전자는인텔의 XPoint 대신 3D NAND를도입함으로써 2020 년이후의기술영속성을확보. 산업내기술리더쉽지속될것 3Q15 영업이익 7.1조원전망, 분기실적성장세지속 - 3Q15 매출액 51.1조원 (+5%QoQ), 영업이익 7.1조원 (+3%QoQ) 으로실적개선예상. 반도체가사상최대실적기록하며실적견인할전망 - IM 부문은강도높은구조조정과원가개선영향으로영업이익 2.6 조원 (-5%QoQ) 기록예상. 반도체부문은 DRAM, NAND, AP, BP, PMIC의판매증가효과반영되며, 영업이익 3.9조원 (+15%QoQ) 으로큰폭성장할전망 업종 : 반도체 / Analyst 박유악 ( / yuak.pak@meritz.co.kr) Rating & Target Price New : Buy 종가 (8/3) Market Data KOSPI KOSDAQ 시가총액 발행주식수 1,900,000 원 1,175,000 원 2,008.49pt pt 1,730,767 억원 14,730 만주 외국인지분율 51.60% DPS(2014) 20,000 원 배당수익률 (2014) 1.5% Company Data 주요주주이건희 ( 외 10 인 ) 17.6% Bloomberg Price Range(52 주 ) 국민연금관리공단 8.0% 삼성생명 7.5% KS 1,083,000~1,503,000 원 60 일평균거래량 222,513 주 60 일평균거래대금 2,846.2 억원 ( 십억원, 원, 배,%) E 2016E 2017E 매출액 206, , , ,845 영업이익 25,025 27,373 29,257 30,177 순이익 23,082 21,666 23,124 23,956 EPS 176, , , ,950 증감율 (%) BPS 925,138 1,016,462 1,125,671 1,238,870 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 시장대비상대강도 : 1개월 (0.94), 3개월 (0.90), 6개월 (0.84) 000'S SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. FROM 1/8/14 TO 3/8/15 DAILY 0.0 Aug Aug Sep Oct Nov Dec Jan Feb Mar Apr May Jun Jul PRICE HIGH /03/15, LOW /10/14, LAST PRICE REL. TO KOREA SE COMPOSITE(KOSPI) 메리츠종금증권리서치센터 22

23 [ 표 1] 삼성전자연결실적추이및전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15E E 2016E 매출액 53,675 52,353 47,447 52,730 47,118 48,538 51,066 54, , , ,354 %QoQ/%YoY -9% -2% -9% 11% -11% 3% 5% 7% -10% -2% 1% IT & Mobile 32,442 28,452 24,577 26,293 25,887 26,061 25,802 26, , ,144 99,209 무선사업부 31,360 27,510 23,520 25,022 24,991 25,451 24,982 25, , ,720 95,717 네트워크 / 기타 1, ,057 1, ,097 4,353 3,424 3,492 Semiconductor 9,394 9,784 9,890 10,662 10,267 11,288 13,030 13,339 39,730 47,924 53,682 Memory 6,294 6,921 7,930 8,178 8,324 8,491 9,535 9,334 29,323 35,684 38,897 System LSI 2,897 2,612 1,910 2,338 1,892 2,542 3,330 3,716 9,757 11,480 14,784 Display Panel 6,097 6,329 6,255 7,047 6,852 6,620 6,878 6,877 25,727 27,227 24,975 Large Panel 3,060 3,259 3,676 3,952 3,604 3,401 3,701 3,505 13,948 14,212 14,021 Mobile & Tablet 3,131 2,779 2,600 3,098 3,248 3,219 3,177 3,373 11,608 13,017 10,955 Consumer Electronics 11,316 13,003 11,596 14,267 10,257 11,201 10,598 13,658 50,183 45,714 49,237 VD 7,390 8,060 7,210 9,790 6,220 6,662 6,341 9,066 32,450 28,289 31,637 매출원가 32,050 31,672 30,711 33,846 28,959 28,958 30,990 33, , , ,493 매출원가율 60% 60% 65% 64% 61% 60% 61% 61% 62% 61% 61% 매출총이익 21,626 20,681 16,736 18,884 18,159 19,580 20,076 21,225 77,927 79,039 79,861 판매비와관리비 13,137 13,490 12,675 13,600 12,180 12,682 12,967 13,837 52,902 51,666 50,604 영업이익 8,489 7,187 4,061 5,288 5,979 6,898 7,109 7,388 25,025 27,374 29,257 %QoQ/%YoY 2% -15% -44% 30% 13% 15% 3% 4% -32% 9% 7% IT & Mobile 6,429 4,422 1,751 1,961 2,743 2,758 2,626 2,481 14,563 10,608 9,213 %QoQ/%YoY 18% -31% -60% 12% 40% 1% -5% -6% -42% -27% -13% Semiconductor 1,949 1,861 2,263 2,707 2,933 3,398 3,913 4,324 8,781 14,568 17,635 %QoQ/%YoY -2% -5% 22% 20% 8% 16% 15% 11% 27% 66% 21% Display Panel ,938 1,790 %QoQ/%YoY 적전 흑전 -75% 757% 11% 3% -15% -10% -78% 194% -8% Consumer Electronics , %QoQ/%YoY -71% 300% -94% 289% -179% -248% -47% 52% -29% -71% 79% 영업이익률 16% 14% 9% 10% 13% 14% 14% 14% 12% 14% 14% IT & Mobile 20% 16% 7% 7% 11% 11% 10% 9% 13% 10% 9% Semiconductor 21% 19% 23% 25% 29% 30% 30% 32% 22% 30% 33% Display Panel -1% 3% 1% 7% 8% 8% 7% 6% 3% 7% 7% Consumer Electronics 2% 6% 0% 1% -1% 2% 1% 1% 2% 1% 1% 법인세차감전순이익 9,649 7,785 4,847 5,594 6,219 7,626 7,649 7,986 27,875 29,479 31,462 법인세비용 2,075 1, ,593 1,876 1,882 1,964 4,481 7,315 7,807 당기순이익 7,574 6,251 4,222 5,347 4,626 5,750 5,767 6,021 23,394 22,164 23,655 당기순이익률 14% 12% 9% 10% 10% 12% 11% 11% 11% 11% 12% 총포괄손익 7,617 3,929 4,049 5,806 3,806 5,514 5,531 5,774 21,401 20,624 22,011 지배주주지분 7,508 3,915 3,977 5,590 3,685 5,439 5,445 5,664 20,991 20,233 21,595 KRW/USD 1,070 1,029 1,035 1,085 1,096 1,092 1,116 1,095 1,055 1,102 1,090 자료 : 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 23

24 [ 표 2] 삼성전자연결실적추이및전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15E E 2016E 매출액 53,675 52,353 47,447 52,730 47,118 48,538 51,066 54, , , ,354 %QoQ/%YoY -9% -2% -9% 11% -11% 3% 5% 7% -10% -2% 1% Semiconductor 9,394 9,784 9,890 10,662 10,267 11,288 13,030 13,339 39,730 47,924 53,682 Memory 6,294 6,921 7,930 8,178 8,324 8,491 9,535 9,334 29,323 35,684 38,897 DRAM 3,788 4,370 5,194 5,445 5,487 5,539 6,182 5,973 18,798 23,180 25,224 NAND 2,306 2,458 2,616 2,603 2,707 2,952 3,353 3,361 9,982 12,374 13,673 System LSI 2,897 2,612 1,910 2,338 1,892 2,542 3,330 3,716 9,757 11,480 14,784 Display Panel 6,097 6,329 6,255 7,047 6,852 6,620 6,878 6,877 25,727 27,227 24,975 Large Panel 3,060 3,259 3,676 3,952 3,604 3,401 3,701 3,505 13,948 14,212 14,021 Mobile & Tablet 3,131 2,779 2,600 3,098 3,248 3,219 3,177 3,373 11,608 13,017 10,955 IT&Mobile 32,442 28,452 24,577 26,293 25,887 26,061 25,802 26, , ,144 99,209 무선사업부 31,360 27,510 23,520 25,022 24,991 25,451 24,982 25, , ,720 95,717 네트워크 / 기타 1, ,057 1, ,097 4,353 3,424 3,492 Consumer Electronics 11,316 13,003 11,596 14,267 10,257 11,201 10,598 13,658 50,183 45,714 49,237 VD 7,390 8,060 7,210 9,790 6,220 6,662 6,341 9,066 32,450 28,289 31,637 영업이익 8,489 7,187 4,061 5,288 5,979 6,898 7,109 7,388 25,025 27,374 29,257 %QoQ/%YoY 2% -15% -44% 30% 13% 15% 3% 4% -32% 9% 7% Semiconductor 1,949 1,861 2,263 2,707 2,933 3,398 3,913 4,324 8,781 14,568 17,635 Memory 1,886 2,190 2,626 2,924 2,991 3,196 3,574 3,630 9,626 13,391 15,211 DRAM 1,402 1,713 2,182 2,559 2,656 2,700 2,982 2,955 7,856 11,293 12,144 NAND ,770 2,098 3,066 System LSI , ,425 Display Panel ,938 1,790 LCD OLED ,046 IT&Mobile 6,429 4,422 1,751 1,961 2,743 2,758 2,626 2,481 14,563 10,608 9,213 Consumer Electronics , 영업이익률 16% 14% 9% 10% 13% 14% 14% 14% 12% 14% 14% Semiconductor 21% 19% 23% 25% 29% 30% 30% 32% 22% 30% 33% Memory 30% 32% 33% 36% 36% 38% 37% 39% 33% 38% 39% DRAM 37% 39% 42% 47% 48% 49% 48% 49% 42% 49% 48% NAND 21% 19% 17% 14% 12% 17% 18% 20% 18% 17% 22% System LSI -1% -11% -25% -15% -8% 4% 8% 15% -12% 7% 16% Display Panel -1% 3% 1% 7% 8% 8% 7% 6% 3% 7% 7% IT&Mobile 20% 16% 7% 7% 11% 11% 10% 9% 13% 10% 9% Consumer Electronics 2% 6% 0% 1% -2% 2% 1% 2% 2% 1% 2% 자료 : 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 24

25 Income Statement Statement of Cash Flow ( 십억원 ) E 2016E 2017E ( 십억원 ) E 2016E 2017E 매출액 206, , , ,845 영업활동현금흐름 36,975 33,129 37,930 38,810 매출원가 128, , , ,697 당기순이익 ( 손실 ) 23,394 22,164 23,655 24,506 매출총이익 77,927 79,039 79,861 82,148 유형자산감가상각비 16,910 12,992 14,764 16,486 판매비와관리비 52,902 51,666 50,604 51,971 무형자산상각비 1,143 1,128 1,260 1,301 기타손익 4,963 5,009 3,357 3,394 운전자본의증감 -4,796-2,940-1,434-3,168 영업이익 25,025 27,373 29,257 30,177 투자활동현금흐름 -32,806-28,793-26,952-29,314 금융수익 유형자산의증가 (CAPEX) -22,043-24,420-24,600-24,600 종속 / 관계기업관련손익 투자자산의감소 ( 증가 ) -4, 기타영업외손익 1,542 1,000 1, 재무활동현금흐름 -3,057-3,468-3,114-2,778 세전계속사업이익 27,875 29,479 31,462 32,245 차입금증감 법인세비용 4,481 7,315 7,807 7,739 자본의증가 당기순이익 23,394 22,164 23,655 24,506 현금의증가 ,864 6,718 지배주주지분순이익 23,082 21,666 23,124 23,956 기초현금 16,285 16,841 17,709 25,573 기말현금 16,841 17,709 25,573 32,291 Balance Sheet Key Financial Data ( 십억원 ) E 2016E 2017E ( 원,%, 배 ) E 2016E 2017E 유동자산 115, , , ,722 주당데이터 ( 원 ) 현금및현금성자산 16,841 17,709 25,573 32,291 SPS 1,399,911 1,366,341 1,380,552 1,417,827 매출채권 24,695 25,219 23,507 24,142 EPS 176, , , ,950 재고자산 17,318 18,488 17,233 17,699 CFPS 310, , , ,642 비유동자산 115, , , ,970 EBITDAPS 292, , , ,624 유형자산 80,873 92, , ,036 BPS 925,138 1,016,462 1,125,671 1,238,870 무형자산 4,785 4,518 4,807 4,907 DPS 20,000 16,500 17,500 19,500 투자자산 17,900 18,514 17,896 18,379 배당수익률 (%) 자산총계 230, , , ,692 Valuation(Multiple) 유동부채 52,014 52,834 48,299 47,174 PER 매입채무 7,915 9,485 8,841 9,080 PCR 단기차입금 8,029 7,548 7,036 6,836 PSR 유동성장기부채 1,779 1,489 1,439 1,439 PBR 비유동부채 10,321 10,034 8,870 8,353 EBITDA 43,078 41,493 45,281 47,964 사채 1,356 1,212 1,129 1,160 EV/EBITDA 장기차입금 Key Financial Ratio(%) 부채총계 62,335 62,867 57,169 55,528 자기자본이익률 (ROE) 자본금 EBITDA이익률 자본잉여금 4,404 4,404 4,404 4,404 부채비율 기타포괄이익누계액 -4,154-5,694-7,338-9,026 금융비용부담률 이익잉여금 169, , , ,294 이자보상배율 (x) 비지배주주지분 5,906 6,404 6,935 7,485 매출채권회전율 (x) 자본총계 168, , , ,165 재고자산회전율 (x) 메리츠종금증권리서치센터 25

26 SK 하이닉스 (000660) Buy (Maintain) TP 55,000 원 New Memory 개발지속. 업계입지강화예상 투자의견 매수, 목표주가 55,000원유지 - HP와 ReRAM 공동개발중. 향후 Vertical ReRAM 상용화시 Micron과의기술격차확대예상. 3Q15 견조한실적이예상되나, 주가는역사적최저점불과. 비중확대추천함 HP와 ReRAM 공동개발중 - NAND는 3D NAND 이후 VRRAM(Vertical ReRAM) 으로진화할전망. VRRAM은 1)3D NAND와구조 / 공정이유사해 Fab 전환이가능할뿐만아니라, 2)3D NAND에이어추가적인 Stacks 수증가가가능 - SK하이닉스는 HP와 ReRAM 공동개발중. ReRAM은 DRAM과같은 CMOS 공정을사용하기때문에양산성이뛰어나며, PRAM 과같은고온에취약한단점이없음. 양산시 Micron과의기술격차확대될전망 3Q15 영업이익 1.4조원, 성장세지속전망 - 3Q15 매출액 4.8조원 (+4%QoQ), 영업이익 1.4조원 (+5%QoQ) 으로, 견조한흐름을이어갈전망. DRAM은스마트폰과 Server의 GB/Box 증가효과, NAND는 iphone 6S와 SSD 수요확대효과예상 - 사업부문별영업이익은 DRAM 1.3조원 (-1%QoQ), NAND 1,201억원 (+175%QoQ) 으로, NAND 수익성이큰폭개선될전망 업종 : 반도체 / Analyst 박유악 ( / yuak.pak@meritz.co.kr) Rating & Target Price New : Buy 55,000원 종가 (8/3) 35,950원 Market Data KOSPI 2,008.49pt KOSDAQ pt 시가총액 261,717억원 발행주식수 72,800만주 외국인지분율 51.27% DPS(2014) 300 원 배당수익률 (2014) 0.6% Company Data 주요주주 에스케이텔레콤 20.8% 국민연금관리공단 9.1% Bloomberg KS Price Range(52주 ) 34,500~51,200원 60일평균거래량 3,685,839주 60일평균거래대금 1,567.6억원 ( 십억원, 원, 배,%) E 2016E 2017E 매출액 17,126 19,118 19,421 20,042 영업이익 5,109 5,889 6,158 6,616 순이익 4,195 4,758 4,964 5,392 EPS 5,842 6,535 6,818 7,406 증감율 (%) BPS 22,939 28,510 34,254 40,130 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 시장대비상대강도 : 1개월 (0.90), 3개월 (0.82), 6개월 (0.75) 000'S SK hynix FROM 1/8/14 TO 3/8/15 DAILY 0.0 Aug Aug Sep Oct Nov Dec Jan Feb Mar Apr May Jun Jul PRICE HIGH /06/15, LOW /07/15, LAST PRICE REL. TO KOREA SE COMPOSITE(KOSPI) 메리츠종금증권리서치센터 26

27 [ 표 1] SK하이닉스연결실적추이및전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15E E 2016E DRAM 출하량 [ 백만개. 1Gb Eq] 2,846 3,230 3,440 4,044 3,862 4,034 4,413 4,854 13,561 17,163 21,712 %QoQ/%YoY 20% 13% 6% 18% -5% 4% 9% 10% 32% 27% 27% ASP/1Gb [USD] %QoQ/%YoY 0% -6% 1% -3% -5% -8% -9% -7% 1% -19% -14% Cost/1Gb [USD] %QoQ/%YoY -9% -9% -3% -7% -6% -2% -7% -7% -15% -20% -13% Operating Profits/1Gb [USD] OPm/1Gb 36% 38% 40% 42% 43% 39% 38% 38% 39% 40% 39% NAND 출하량 [ 백만개. 1Gb Eq] 1,162 1,789 2,254 2,920 2,908 3,152 3,625 3,770 8,125 13,455 20,586 %QoQ/%YoY -8% 54% 26% 30% 0% 8% 15% 4% 60% 66% 53% ASP/1Gb [USD] %QoQ/%YoY -14% -19% -3% -8% -7% -6% -5% -6% -35% -23% -21% Cost/1Gb [USD] %QoQ/%YoY 0% -17% -11% -10% -6% -8% -10% -8% -24% -30% -27% Operating Profits/1Gb [USD] OPm/1Gb -5% -7% 1% 2% 2% 4% 10% 12% -1% 7% 15% 매출액 3,743 3,923 4,312 5,148 4,818 4,639 4,845 4,816 17,126 19,118 19,421 %QoQ/%YoY 11% 5% 10% 19% -6% -4% 4% -1% 21% 12% 2% DRAM 2,985 3,060 3,271 3,922 3,593 3,458 3,515 3,550 13,238 14,116 13,946 NAND ,131 1,064 1,078 1,210 1,174 3,398 4,526 4,985 매출원가 2,110 2,246 2,377 2,729 2,530 2,523 2,699 2,627 9,462 10,379 10,293 매출원가율 56% 57% 55% 53% 53% 54% 56% 55% 55% 54% 53% 매출총이익 1,632 1,677 1,935 2,419 2,288 2,115 2,146 2,190 7,664 8,739 9,128 판매비와관리비 ,554 2,850 2,970 영업이익 1,057 1,084 1,301 1,667 1,589 1,375 1,439 1,487 5,109 5,889 6,158 %QoQ/%YoY 35% 3% 20% 28% -5% -13% 5% 3% 51% 15% 5% DRAM 1,075 1,163 1,308 1,647 1,538 1,363 1,343 1,350 5,193 5,594 5,429 NAND 영업이익률 28% 28% 30% 32% 33% 30% 30% 31% 30% 31% 32% DRAM 36% 38% 40% 42% 43% 39% 38% 38% 39% 40% 39% NAND -5% -7% 1% 2% 2% 4% 10% 12% -1% 7% 15% 법인세차감전손익 ,315 1,905 1,602 1,378 1,450 1,492 5,048 5,922 6,203 법인세비용 ( 이익 ) ,165 1,241 당기순이익 ,095 1,624 1,295 1,108 1,160 1,193 4,195 4,757 4,963 당기순이익률 21% 17% 25% 32% 27% 24% 24% 25% 24% 25% 26% KRW/USD 1,070 1,029 1,025 1,083 1,095 1,092 1,116 1,102 1,052 1,101 1,090 자료 : 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 27

28 Income Statement Statement of Cash Flow ( 십억원 ) E 2016E 2017E ( 십억원 ) E 2016E 2017E 매출액 17,126 19,118 19,421 20,042 영업활동현금흐름 5,867 8,779 8,739 9,334 매출원가 9,462 10,379 10,293 10,422 당기순이익 ( 손실 ) 4,195 4,757 4,963 5,390 매출총이익 7,664 8,739 9,128 9,620 유형자산감가상각비 3,270 3,646 3,824 4,033 판매비와관리비 2,554 2,850 2,970 3,005 무형자산상각비 기타손익 운전자본의증감 -2, 영업이익 5,109 5,889 6,158 6,616 투자활동현금흐름 -6,088-6,010-5,229-5,404 금융수익 유형자산의증가 (CAPEX) -4,801-5,470-5,103-5,132 종속 / 관계기업관련손익 투자자산의감소 ( 증가 ) 기타영업외손익 재무활동현금흐름 ,134 세전계속사업이익 5,048 5,922 6,203 6,738 차입금증감 법인세비용 853 1,165 1,241 1,348 자본의증가 당기순이익 4,195 4,757 4,963 5,390 현금의증가 ,026 2,612 2,797 지배주주지분순이익 4,195 4,758 4,964 5,392 기초현금 ,463 5,075 기말현금 437 2,463 5,075 7,872 Balance Sheet Key Financial Data ( 십억원 ) E 2016E 2017E ( 원,%, 배 ) E 2016E 2017E 유동자산 10,364 11,346 14,105 17,151 주당데이터 ( 원 ) 현금및현금성자산 437 2,463 5,075 7,872 SPS 23,848 26,261 26,677 27,531 매출채권 3,733 2,951 3,044 3,102 EPS 5,842 6,535 6,818 7,406 재고자산 1,498 1,480 1,497 1,546 CFPS 12,481 13,508 14,039 15,000 비유동자산 16,520 18,853 20,048 21,125 EBITDAPS 11,911 13,449 14,065 14,972 유형자산 14,090 16,225 17,504 18,603 BPS 22,939 28,510 34,254 40,130 무형자산 1,337 1,407 1,315 1,264 DPS ,200 1,600 투자자산 배당수익률 (%) 자산총계 26,883 30,199 34,152 38,276 Valuation(Multiple) 유동부채 5,765 5,097 5,106 5,182 PER 매입채무 PCR 단기차입금 PSR 유동성장기부채 1, PBR 비유동부채 3,082 2,941 2,796 2,619 EBITDA 8,553 9,791 10,239 10,900 사채 1, EV/EBITDA 장기차입금 1,263 2,235 2,085 1,885 Key Financial Ratio(%) 부채총계 8,847 8,038 7,903 7,801 자기자본이익률 (ROE) 자본금 3,658 3,680 3,680 3,680 EBITDA이익률 자본잉여금 4,144 4,277 4,277 4,277 부채비율 기타포괄이익누계액 금융비용부담률 이익잉여금 10,277 14,232 18,322 22,549 이자보상배율 (x) 비지배주주지분 매출채권회전율 (x) 자본총계 18,036 22,161 26,250 30,475 재고자산회전율 (x) 메리츠종금증권리서치센터 28

29 Compliance Notice 동자료는작성일현재사전고지와관련한사항이없습니다. 당사는동자료에언급된종목과계열회사의관계가없으며 2015년 8월 4일현재동자료에언급된종목의유가증권 (DR, CB, IPO, 시장조성등 ) 발행관련하여지난 6개월간주간사로참여하지않았습니다. 당사는 2015년 8월 4일현재동자료에언급된종목의지분을 1% 이상보유하고있지않습니다. 당사의조사분석담당자는 2015년 8월 4일현재동자료에언급된종목의지분을보유하고있지않습니다. 본자료에게재된내용들은본인의의견을정확하게반영하고있으며, 외부의부당한압력이나간섭없이작성되었음을확인합니다. ( 작성자 : 박유악 ) 동자료는투자자들의투자판단에참고가되는정보제공을목적으로배포되는자료입니다. 동자료에수록된내용은당사리서치센터의추정치로서오차가발 생할수있으며정확성이나완벽성은보장하지않습니다. 동자료를이용하시는분은동자료와관련한투자의최종결정은자신의판단으로하시기바랍니다. 투자등급관련사항 1. 종목추천관련투자등급 ( 추천기준일종가대비 4등급 ) 아래종목투자의견은향후 6개월간추천기준일종가대비추천종목의예상목표수익률을의미함. ㆍStrong Buy : 추천기준일종가대비 +50% 이상. ㆍBuy : 추천기준일종가대비 +15% 이상 ~ +50% 미만. ㆍHold : 추천기준일종가대비 +5% 이상 ~ +15% 미만. ㆍReduce : 추천기준일종가대비 +5% 미만. 투자의견비율 구분 투자의견비율 (%) 매수 81.0 중립 16.8 매도 산업추천관련투자등급 ( 추천기준일시장지수대비 3 등급 ) 아래산업투자의견은시가총액기준산업별시장비중대비보유비중의변화를추천하는것. ㆍ비중확대 / 중립 (Neutral) / 비중축소 (Underweight) 메리츠종금증권리서치센터 29

30 삼성전자 (005930) 의투자등급변경내용 추천확정일자자료형식투자의견목표주가담당자주가및목표주가변동추이 산업분석 Buy 1,900,000 박유악 기업브리프 Buy 1,900,000 박유악 산업브리프 Buy 1,900,000 박유악 기업브리프 Buy 1,800,000 박유악 산업브리프 Buy 1,800,000 박유악 기업브리프 Buy 1,800,000 박유악 산업브리프 Buy 1,800,000 박유악 산업브리프 Buy 1,800,000 박유악 산업분석 Buy 1,800,000 박유악 산업분석 Buy 1,800,000 박유악 기업브리프 Buy 1,700,000 박유악 산업브리프 Buy 1,700,000 박유악 산업브리프 Buy 1,700,000 박유악 기업브리프 Buy 1,700,000 박유악 산업브리프 Buy 1,700,000 박유악 산업브리프 Buy 1,700,000 박유악 기업브리프 Buy 1,700,000 박유악 산업분석 Buy 1,700,000 박유악 산업분석 Buy 1,700,000 박유악 기업브리프 Buy 1,700,000 박유악 기업브리프 Buy 1,700,000 박유악 산업브리프 Buy 1,700,000 박유악 기업브리프 Buy 1,700,000 박유악 기업브리프 Buy 1,700,000 박유악 기업브리프 Buy 1,700,000 박유악 기업브리프 Buy 1,700,000 박유악 산업분석 Buy 1,700,000 박유악 기업브리프 Buy 1,600,000 박유악 산업분석 Buy 1,600,000 박유악 기업브리프 Buy 1,600,000 박유악 산업분석 Buy 1,600,000 박유악 기업분석 Buy 1,600,000 박유악 기업분석 Buy 1,600,000 박유악 기업브리프 Buy 1,600,000 박유악 산업분석 Buy 1,600,000 박유악 산업분석 Buy 1,600,000 박유악 기업분석 Buy 1,600,000 박유악 산업분석 Buy 1,600,000 박유악 산업분석 Buy 1,600,000 박유악 기업브리프 Buy 1,600,000 박유악 기업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 기업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업분석 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업분석 Buy 1,750,000 박유악 기업브리프 Buy 1,750,000 박유악 기업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 기업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업분석 Buy 1,750,000 박유악 산업분석 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업분석 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 산업브리프 Buy 1,750,000 박유악 기업브리프 Buy 1,900,000 박유악 산업브리프 Buy 1,900,000 박유악 산업분석 Buy 1,900,000 박유악 산업브리프 Buy 1,900,000 박유악 기업브리프 Buy 1,900,000 박유악 기업브리프 Buy 1,900,000 박유악 산업브리프 Buy 1,900,000 박유악 산업분석 Buy 1,900,000 박유악 산업브리프 Buy 1,900,000 박유악 기업브리프 Buy 1,900,000 박유악 산업분석 Buy 1,900,000 박유악 2,500,000 2,000,000 주가 목표주가 1,500,000 1,000, , 메리츠종금증권리서치센터 30

31 SK 하이닉스 (000660) 의투자등급변경내용 추천확정일자자료형식투자의견목표주가담당자주가및목표주가변동추이 산업분석 Buy 39,000 박유악 산업브리프 Buy 39,000 박유악 산업브리프 Buy 39,000 박유악 기업브리프 Buy 39,000 박유악 산업브리프 Buy 39,000 박유악 기업브리프 Buy 41,000 박유악 산업브리프 Buy 41,000 박유악 산업브리프 Buy 41,000 박유악 기업브리프 Buy 46,000 박유악 산업분석 Buy 46,000 박유악 기업브리프 Buy 53,000 박유악 기업브리프 Buy 53,000 박유악 기업브리프 Buy 53,000 박유악 산업브리프 Buy 53,000 박유악 산업분석 Buy 53,000 박유악 산업브리프 Buy 53,000 박유악 산업브리프 Buy 53,000 박유악 산업분석 Buy 53,000 박유악 기업브리프 Buy 53,000 박유악 기업브리프 Buy 53,000 박유악 산업브리프 Buy 53,000 박유악 산업분석 Buy 53,000 박유악 산업브리프 Buy 53,000 박유악 산업브리프 Buy 53,000 박유악 기업브리프 Buy 53,000 박유악 산업브리프 Buy 53,000 박유악 기업브리프 Buy 62,000 박유악 산업분석 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업분석 Buy 62,000 박유악 기업브리프 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업분석 Buy 62,000 박유악 기업브리프 Buy 62,000 박유악 산업분석 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업분석 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 기업브리프 Buy 62,000 박유악 산업분석 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업브리프 Buy 62,000 박유악 산업분석 Buy 55,000 박유악 기업브리프 Buy 55,000 박유악 산업브리프 Buy 55,000 박유악 산업분석 Buy 55,000 박유악 70,000 주가 목표주가 60,000 50,000 40,000 30,000 20,000 10, 메리츠종금증권리서치센터 31