반도체장비산업 2020 년투자증가. 매수시점은 Now Industry Report 년메모리장비투자가크게늘어날전망. 장비업종주가는실적에 1 년선행. 최적의투자시점은현재. Top Picks: 원익 IPS, 테스, 케이씨텍 2020 년장비투자사

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1 2020 년투자증가. 매수시점은 Now Industry Report 년메모리장비투자가크게늘어날전망. 장비업종주가는실적에 1 년선행. 최적의투자시점은현재. Top Picks: 원익 IPS, 테스, 케이씨텍 2020 년장비투자사이클회복예상 2019 년크게둔화되는메모리반도체장비투자규모가 2020 년회복가능할전망. SEMI 주 1) 는투자규모를 2019 년 530 억달러 (-14% y-y), 2020 년 670 억달러 (+23% y-y) 로예상. 장비업종주가는실적에 1 년선행 년투자사이클회복을고려한다면최적의주식매수시점은현재. 관련수혜주는원익 IPS, 테스, 케이씨텍 년하반기반도체수급개선 : 현재메모리반도체가격이큰폭으로하락중. 공급이많고수요가부진. 이를타개하기위해메모리업체들이 2018 년하반기부터투자를급격히줄이고있음. 투자감소가공급감소로본격적으로반영되기시작하는시점이 3Q19. 공급감소로 3Q19 부터반도체수급개선전망. 반도체수급개선이후메모리업체가 2020 년투자를늘리는전략에대해검토하기시작할것 Positive ( 신규 ) PER( 배 ) PBR( 배 ) KOSPI Sector Sector Index Semiconductor KOSPI 70 '18.3 '18.6 '18.9 '18.12 '19.3 업종시가총액 359,286 십억원 (Market 비중 21.2%) 주 : KRX 업종분류기준 2. 평택, 시안, 청주신규팹가동 : 2020 년삼성전자평택 2 라인, 시안 2 라인본격적인투자시작. SK 하이닉스의청주 M15 와우시팹도 2020 년부터본격적인장비투자시작 년삼성전자 DRAM 50K, NAND 100K, SK 하이닉스 DRAM 40K, NAND 40K 투자예상. 장비업종수주크게늘어날수있음 3. EUV, CMP 등장비가모멘텀 : 2019 년은 EUV 양산적용원년. 장비출하 30 대예상. EUV 가도입되면팹구조, 노광, 마스크, 검사장비, 페리클, 포토레지스트, 증착등모든공정이변화. 새롭게개발된장비도대규모투자가필요함. EUV 양산도입이반도체장비업종전체에수혜로연결될전망. 코발트등신규재료도입으로 CMP 장비고성장도기대 Analyst 도현우 02) , hwdoh@nhqv.com 주 1) SEMI: 국제반도체장비재료협회 투자의견 / 투자지표 ( 단위 : 원, 배, %, 십억원 ) 코드 투자의견 목표주가 (12M) 현재가 PER PBR ROE 순차입금 2019E 2020F 2019E 2020F 2019E 2020F 2019E 2020F 케이씨텍 KS Buy( 신규 ) 25,000 원 ( 신규 ) 17,650 원 원익 IPS KQ Buy( 신규 ) 33,000 원 ( 신규 ) 24,600 원 테스 KQ Buy( 신규 ) 25,000 원 ( 신규 ) 18,000 원 SK 머티리얼즈 KQ Hold( 신규 ) 162,000 원 ( 신규 ) 172,000 원 주 : 2019 년 3 월 19 일종가기준 ; 자료 : NH 투자증권리서치본부전망

2 CONTENTS 년메모리반도체투자사이클회복 평택, 시안, 청주, 우시신규팹에투자집중 년이 EUV 양산도입원년 새로운재료의등장이 CMP 수요를자극 D 패키지등장이후공정장비수요에기여 [ 기업분석 ] 케이씨텍 [Buy, TP 25,000원 ]... 원익IPS [Buy, TP 33,000원 ]... 테스 [Buy, TP 25,000원 ]... SK머티리얼즈 [Hold, TP 162,000 원 ]

3 년메모리반도체투자사이클회복 현재반도체장비 업종주가는 2020 년 실적이좌우 당사는현재장비업종투자매력이높다고판단한다. 반도체장비업종은주가가이익에 1년을선행한다. 시장에이미많이알려진대로 2019년삼성전자, SK하이닉스등반도체업체들의투자규모가크게줄어든다. 이로인한 2019년장비업체실적부진은 2018년 50%~ 70% 에달하는주가하락에반영되었다. 2019년주가는 2020년이익규모에따라결정될것이다 년장비투자큰 폭감소 2019년삼성전자신규투자예상규모는 DRAM 0K, NAND 15K이다. 예년대비크게줄어든다. SK하이닉스투자규모도 DRAM 20K, NAND 15K에불과하다. SK 하이닉스는 2019년장비투자규모를 40% 이상줄이기로공식적으로언급한바있다. 메모리업체의투자축소는 2018년연말부터진행된메모리가격하락으로인한실적부진때문이다 년투자회복 예상 2020년투자는 2019년대비크게늘전망이다. 2018년연말부터줄이고있는투자로 2019년하반기부터메모리공급이부족해질것이다. 이를보완하기위해서 2020년에는투자를일부늘려야할필요성이높다. 메모리업체가 2020년투자를줄인다면 2020년에메모리대량공급부족사태로이어질가능성이높다. 최근삼성전자와 SK하이닉스도이를인지하고있고 2020년투자를늘리는방안에대해검토중이다 년삼성전자 DRAM 50K, NAND 100K 신규투자전망 2020년삼성전자신규투자규모는 DRAM 50K, NAND 100K가될가능성이높다. SK하이닉스투자규모는 DRAM 40K, NAND 40K로예상한다. 이정도규모만투자하더라도 2020년반도체장비업체실적이올해보다크게개선된다. 앞서언급했듯이반도체장비업종주가는실적에 1년을선행한다. 2020년투자확대를가정한다면장비업종투자적기는지금이다. EUV 와 CMP 가고성장 당사가특히주목하고있는장비는 EUV와 CMP다. EUV는 2018년 18대가출하되었고 2019년 30대가출하될계획이다. 2020년부터는 40대이상이출하될것이다. 2019년부터본격적으로 EUV가양산에도입된다. 업계가 10년이상을기다렸다. EUV 장비모멘텀은이제시작이다. 관련된해외업체 ASML, Lasertec, Hoya 등이주목된다. CMP: 케이씨텍 CMP는반도체공정에서중요도가점점올라가는장비다. 로직 10nm 공정부터일부재료가구리에서코발트로대체된다. 코발트는식각이힘들다. CMP를통한다마신공정으로구조형성이가능하다. 국내수혜주는케이씨텍이다. CMP 슬러리제조업체는케이씨텍, 솔브레인, 동진쎄미켐이다. 3

4 증착 : 원익 IPS, 테스 2020년캐파투자증가로증착장비업체도수혜가예상된다. 2018년주가하락이가장심했던테스와삼성전자향증착장비납품이가장안정적인원익IPS의양호한주가흐름을전망한다. 특히 DRAM 1ynm 이하, 로직 10nm 이하에서패터닝을 4번하는쿼드러플패터닝수요가크게늘어나는점이증착장비업계에긍정적이다. 로직 10nm에서핀공정에쿼드러플패터닝이도입된다. NAND에서도 92단 3D NAND 공정이확산되면서증착수요가늘어난다. 특히 SK하이닉스와마이크론이도입중인더블스태킹공정은싱글스태킹대비증착횟수가크게늘어난다. 2.5D 패키지가후공정 장비수요에기여 후공정장비수요도긍정적이다. 인텔이최근 Foveros 패키지를밀기시작했다. 엔비디아, 구글이이미고성능머신러닝반도체에각각다른반도체를 1개의패키지로만드는 2.5D 패키지를채택하고있다. 2.5D 패키지는비싸고빠르다. 그래서 AI 용반도체에주로사용한다. 인텔의 Foveros는 2.5D 패키지를저렴한가격으로대체할수있다. PC용반도체에도사용가능하다. 고성능패키지의대중화로후공정업체들에게수혜가기대된다. 2.5D 패키지제조에 TSV 공정장비가필수다. 국내에서는한미반도체가관련업체다. 그림 1. 반도체투자전망 자료 : Semi, NH 투자증권리서치본부 4

5 그림 2. 삼성전자반도체투자전망 ( 십억원 ) 3,000 2,500 2,000 1,500 1, '06 '07 '08 '09 '10 '11 '12 '13 '14 '15 '16 '17 '18 '19E'20F 자료 : NH투자증권리서치본부전망 그림 3. SK 하이닉스반도체투자전망 ( 십억원 ) 1,800 1,600 1,400 1,200 1, '06 '07 '08 '09 '10 '11 '12 '13 '14 '15 '16 '17 '18 '19E'20F 자료 : NH투자증권리서치본부전망 그림 4. DRAM 수급추정 그림 5. NAND 수급추정 6% 4% 2% 0% -2% -4% -6% -8% 자료 : NH투자증권리서치본부전망 8% 6% 4% 2% 0% -2% -4% -6% -8% 자료 : NH투자증권리서치본부전망 5

6 그림 6. DRAM 웨이퍼출하량 그림 7. NAND 웨이퍼출하량 ('000 wpm) 출하량 ( 좌 ) 증감율 ( 우 ) ('000 wpm) 출하량 ( 좌 ) 증감율 ( 우 ) 1,800 1,600 1,400 1,200 1, % 30% 25% 20% 15% 10% 5% 0% -5% -10% -15% -20% 2,500 2,000 1,500 1, % 30% 20% 10% 0% -10% -20% 자료 : NH 투자증권리서치본부전망 자료 : NH 투자증권리서치본부전망 그림 8. DRAM 출하량 그림 9. NAND 출하량 ('1Gb m) 40,000 출하량 ( 좌 ) 증감율 ( 우 ) 35,000 30,000 25,000 20,000 15,000 10,000 5, % 25% 20% 15% 10% 5% 0% -5% -10% -15% ('16Gb m) 출하량 ( 좌 ) 증감율 ( 우 ) 50,000 45,000 40,000 35,000 30,000 25,000 20,000 15,000 10,000 5, % 40% 30% 20% 10% 0% -10% 자료 : NH 투자증권리서치본부전망 자료 : NH 투자증권리서치본부전망 6

7 2. 평택, 시안, 청주, 우시신규팹에투자집중 2020 년장비투자 670 억달러 (+23% y-y) SEMI는 2019년반도체장비투자규모를 530억달러 (-14% y-y) 으로전망했다. 2020년투자규모는 670억달러 (+23% y-y) 으로예상했다. 2019년투자규모가크게감소하는이유는 2018년하반기부터발생한메모리수급불균형때문이다. 전체투자감소는메모리가주도한다. 비메모리투자는상대적으로양호하다. 2018년상반기투자확대로 2018년하반기 DRAM 공급증가 2017년메모리수급호황으로 2018년상반기삼성전자중심으로 DRAM 신규투자가크게늘었다. 삼성전자는예년대비 2배에가까운 100K 수준의 DRAM 투자를집행했다. 이로인해 2019년 DRAM 공급량이크게증가했다. 전년대비생산기준 24% 증가했다. 예년 DRAM 연간평균출하량증가폭은 20% 수준이다. 마침수요도둔화되기시작했다. 데이터센터업체들이서로간경쟁을통해 2018 년상반기실제수요보다과도하게재고를쌓았다. 이에대한영향으로 2018년하반기부터수요가감소하기시작했다. 4Q18부터 DRAM 가격이하락하기시작했다. 2019년상반기는 50% 가까운하락이예상된다. 수급불균형타개하기위해 2018년하반기부터메모리투자축소 메모리업체들이이러한수급불균형을타개하기위해 2018년하반기부터투자를줄이기시작했다. 2019년메모리투자규모는전년대비 40% 가까이줄어들전망이다. 장비반입스케줄을고려했을때신규투자를줄이기로계획한시점에서실제수급이영향을받는시점은 6개월후이다. 2018년하반기부터줄이기로계획한투자는 2019년하반기부터공급축소로이어질것이다. 공급축소로 2019 년 하반기메모리수급 개선예상 2019년하반기메모리공급축소로인해수급이개선될전망이다. 메모리수급이개선되면다시메모리업체들이과도하게줄여놓은투자계획을수정할가능성이높다. 2020년투자를늘릴것으로계획을정할것이고 2019년하반기장비발주가다시증가할가능성이높다. 당사의수급모델에의하면 2020년에도투자를줄인다면대규모메모리공급부족사태가발생할가능성이높다. 최근메모리업체들도이를인지하고있고 2020년투자규모에대해다시계획을수정하고있다. 메모리수급개선으로 2020 년투자사이클 회복전망 2019 년삼성전자가계획한메모리신규투자계획은 DRAM 0K, NAND 15K 에불 과하다. 예년 DRAM 50K, NAND 80K 이상투자한것에비해매우적은규모다. SK 하이닉스는 DRAM 15K, NAND 20K 다. 역시과거대비적다. 2020년당사추정은삼성전자 DRAM 50K, NAND 100K다. SK하이닉스 DRAM 40K, NAND 40K이다. 과거연평균투자규모와유사하다. 2019년연말삼성전자시안 2기팹이완공된다. 2020년중반에평택 2라인이완공된다. 2020년삼성전자신규투자는평택과시안신규팹에집중될전망이다. SK하이닉스신규팹청주 M15와우시2라인은 2019년상반기완공되었다. 완공된팹에실제장비투자는 2019년반도체수급악화로 2020년에본격적으로진행될것이다. 7

8 2020년투자확대감안했을때최적의장비업종매수시점은현재 메모리업체의투자확대로 2020년메모리장비업체실적은크게개선될가능성이높다. 분기별로보면 2019년하반기가상반기보다증가할것이다. 장비업체주가는발주시점보다 6개월, 매출인식시점보다 1년이상선행한다. 2020년투자회복을고려한다면장비업체투자적기는현재다. 그림 10. SK 하이닉스 M15 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치본부 그림 11. 삼성전자평택 2 라인 자료 : 언론, NH 투자증권리서치본부 8

9 년이 EUV 양산도입원년 2019 년 EUV 노광장비 30 대출하계획 2019년이 EUV 양산적용원년이다. 삼성전자, TSMC가 7nm+ 공정부터 EUV를적용하기시작할계획이다. 2019년 EUV 노광장비 30대가출하될것으로예상된다. 2018년 18대대비크게증가한다. DRAM에도과거계획보다빠르게 EUV가적용될전망이다. 일부업체에서 1znm부터다수레이어에 EUV를적용할계획이다. EUV 장비의여러가지 문제점도최근해결 중 EUV 장비의여러가지문제점도최근해결되고있다. 2월미국에서 SPIE Advanced Lithography Conference가개최되었다. 여기서여러장비업체들이 EUV 장비개선에대해발표했다. 포토레지스트도아직업계가해결못한 EUV 문제점중하나다. Imec이포토레지스트결함을 SIS라는기술로해결가능하다고밝힘 EUV 빛은 ArF보다같은단위에서 14배적은광자를가지고있다. 다른방식의감광이필요하다. 현재방식과같은레지스트에서는 Photon Shot Noise나 Light Blur 등으로인한 Stochastics 결함등여러가지문제가생긴다. 20mJ/cm 2 레지스터가개발되어야문제가해결된다. 근본적으로 CAR을대체할 PS(Photo-Sensitized) CAR이나금속산화물레지스트등을개발중이다. 처음양산과정에서는 30mJ/cm 2 에서 40mJ/cm 2 사이의레지스트가사용될계획이다. SPIE 회의에서 imec은 SIS(Sequential Infiltration Synthesis) 라는기술로 EUV 포토레지스트문제점일부를해결할수있다고밝혔다. SIS는 EUV 포토레지스트에무기원소를침투시켜강도를강화하고패터닝효율을향상하는기술이다. TiN( 질화티타늄 ) 층에 SIS를적용시키면 LCDU(Local Critical Dimention Uniformity, 패턴임계치수균일도 ) 가 60%, LER(Line Edge Roughness, 패턴폭거칠기 ) 가 10% 향상되었다고말했다. EUV 페리클문제는삼성전자, TSMC 가일단오픈페리클로양산을진행하기로결정 업계에서 EUV에페리클적용여부에대해서도관심이많다. 최근이에대한해답도어느정도나왔다. 삼성전자와 TSMC 모두페리클없이 EUV를일단양산에투입하기로결정했다. 현재개발중인페리클은아직효율이낮다. 삼성전자, TSMC 는일단페리클없이도일정수준이상수율이나온다고판단했다. 업계가연구중인탄소나노튜브페리클등은아직시간이필요하다. EUV 장비는반도체 장비전반에변화를 불러올것 EUV 장비는마스크, 페리클, 설계시스템, 포토레지스트등대규모부품과재료가과거대비변화한다. 심지어장비가들어가는팹층고도높아져야한다. EUV로인한많은부분변화는새로운장비투자증가로이어진다. EUV 장비양산본격화는장비업계에큰수혜로작용할것이다. EUV 장비모멘텀은주로해외업체들에게집중될전망이다. EUV 장비를제조하는 ASML, 마스크를제조하는 Hoya, 마스크검사장비를제조하는 Lasertec, 마스크라이터를제조하는 Veeco 등에수혜가예상된다. 9

10 표 nm 부터공정재료가일부변경 28nm 20nm 16nm 10nm 7nm 5nm 3.5nm Year Transistor Planar Planar FinFET FinFET FinFET FinFET HNW Channel (NMOS/PMOS) Si/Si Si/Si Si/Si Si/Si Si/Si Si/SiGe Si/Si Threshold Voltages Metal Layers Contact and Via- Interconnect W Cu/Ta/TaN W Cu/Ta/TaN W Cu/Ta/TaN W Cu/Ta/TaN Co Cu/Co/TaN Co Cu/Co/TaN Co Cu/Ru/TaN Strain DSL, esige, SM DSL, esige, SM esige esige esige esige esige CPP(nm) MMP(nm) 자료 : IC Knowledge, NH 투자증권리서치본부 그림 12. 7nm 칩의핀 1 개는원자 30 개층두께에불과. 공정난이도가극한에달하고있음 자료 : HAL, NH 투자증권리서치본부 그림 13. 삼성전자 EUV 로드맵 년 7nm LPP 공정에최초도입 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치본부 10

11 그림 14. 삼성전자가건설중인화성 EUV 라인 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치본부 그림 15. 삼성전자는 EUV 를적용했을때기존 ArF-I 대비 20% 수준원가절감이가능하다고말함 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치본부 11

12 그림 16. EUV 페리클. 아직개발중 자료 : ASML, NH 투자증권리서치본부 그림 17. EUV 마스크는 40 개층의복잡한형상. 쓰기시간을줄이기위해멀티빔마스크라이터필요 자료 : Nuflare, NH 투자증권리서치본부 12

13 그림 18. Stochastic Image. EUV 는레지스트에흡수되는광자수가적어문제확률이높아짐 자료 : Fractilia, NH 투자증권리서치본부 그림 19. 화학증폭형레지스트와금속산화물레지스트비교. EUV 는다른방식의레지스트가요구 자료 : Imec, NH 투자증권리서치본부 그림 20. Imec 이발표한 EUV 단일노출결과물 자료 : Imec, NH 투자증권리서치본부 13

14 그림 21. 노광에 SIS 적용후패턴변화 자료 : imec, NH 투자증권리서치본부 14

15 4. 새로운재료의등장이 CMP 수요를자극 CMP 장비고성장 지속 CMP 장비와슬러리수요도고성장을지속할것이다. 인텔이 10nm 공정에코발트를사용한다. 기존공정의주요재료는텅스텐 (W), 구리 (Cu), 알루미늄 (Al) 등이다. 1998년 IBM이처음으로낮은저항을위해알루미늄을구리로대체한이후 20년만에본격적재료의변화다. 코발트가새로운 재료로사용 코발트로구리를대체해서사용하는이유는실리콘 / 탄탈륨나이트라이드와산화물등라이너의두께를구리보다훨씬얇게만들어도되기때문이다. 구리는일렉트로마이그레이션과확산등의문제로라이너의두께를두껍게만들어야한다. 이러한장점이코발트가구리보다저항이크다는단점보다크다. 인텔이 10nm 공정에 코발트도입 인텔은 10nm 공정에서코발트재료를인터커넥트, 메탈0, 메탈1 등에사용한다. 텅스텐콘택트도코발트로대체한다. 게이트는기존텅스텐을그대로사용하고 11 개층에사용되는 Low-K 절연층은 CDO( 탄소도핑옥사이드 ) 를기존처럼사용한다. 코발트도입은 CMP 에 수혜 코발트확대적용은새로운장비수요증가로연결된다. 특히 CMP 장비수요에긍정적이다. 코발트는텅스텐과마찬가지로식각공정이어렵다. CMP를통한다마신공정으로원하는구조를만들어야한다. 이는 CMP 장비와슬러리등재료수요증가로이어질전망이다. CMP 슬러리관련 업체 : 케이씨텍, 동진쎄미켐, 솔브레인 최근일부로직일부레이어레이아웃이양방향에서단뱡향으로바뀌는점도 CMP 에수혜이다. 이변화는 SAQP(Self Aligned Quad Patterning) 공정에서라인을패터닝하고절단하기위한 Etch-Fill-CMP 공정이필요하다. imec은 SAGC(Self Aligned Gate Contact) 기법이셀트랙높이를 15% 감소시킬수있고이는유전체캡재료의선택적식각및 CMP 공정을통해구현가능하다고주장한다. 국내 CMP 관련업체로는케이씨텍, 동진세미켐, 솔브레인등이있다. 코발트는큰결정사이즈를얻기위한어닐링공정이추가된다. 코발트와 TiN 사 이의접착문제를발견하기위한새로운 TEM(Transmission Electron Microscopy) 장비도필요하다. 15

16 그림 22. CMP 공정 자료 : Fuji Film, NH 투자증권리서치본부 그림 23. 코발트 (Co) 일부특성이현재주로사용되는텅스텐 (W) 보다좋음 자료 : AMAT, NH 투자증권리서치본부 16

17 그림 24. 구리레이어에코발트라이너를삽입하면성능이크게향상 자료 : AMAT, NH 투자증권리서치본부 그림 25. 구리레이어에코발트라이너를삽입하면성능이크게향상 자료 : AMAT, NH 투자증권리서치본부 17

18 그림 nm 이하공정에서코발트수요가크게늘어날것으로예상 자료 : AMAT, NH 투자증권리서치본부 그림 nm 이하공정에서코발트수요가크게늘어날것으로예상 자료 : AMAT, NH 투자증권리서치본부 18

19 그림 28. 새로운재료의사용은 CMP 등장비수요에긍정적 자료 : AMAT, NH 투자증권리서치본부 그림 29. CMP 를활용한 gate cut last 공정을통해소자성능을향상 자료 : Global Foundries, NH 투자증권리서치본부 19

20 5. 3D 패키지등장이후공정장비수요에기여 최근후공정의중요성 증가 최근몇년간후공정패키지산업의고부가가치화가이루어졌다. 미세공정개발이어려워지며반도체업체들이후공정에서반도체성능개선과칩사이즈축소를도모했기때문이다. 모바일반도체에선 FO-WLP가대세였다. 전통적으로사용되던 PCB 기판대신배선을칩밖으로빼서패키지의두께를줄이고성능을높였다. 애플이아이폰에전격적으로 FO-WLP를채택했다. 이기술을높은수율로구현가능한기업이당시에대만 TSMC와 ASE 등후공정업체가유일했다. 결국애플아이폰 AP는 TSMC가독점적으로생산하게되었다. 서버반도체에서 2.5D 패키지가대세 서버반도체에서는 2.5D 패키지가대세다. 2.5D 패키지란 CPU와 DRAM을 1개의패키지로구성한제품이다. 칩간의물리적거리를줄여서로간의통신속도를올린다. 역시전통적 PCB 기판대신실리콘인터포저란고성능기판을사용한다. 여기에탑재되는 DRAM은다이를와이어본딩대신 TSV 공정을통해연결했다. 이를 HBM이라고부른다. 2.5D 패키지는이러한기술을통해성능이기존패키지대비 5배이상높고가격도 5배비싸다. 구글, 엔비디아등이가격보다는성능향상에주목해 2.5D 패키지를대거채택중이다. 제품이없어서못파는상황이다. HBM은대부분삼성전자에서제조한다. 인텔이 Foveros 3D 패키지를발표 이러한흐름에인텔이가세했다. 인텔은최근 Foveros라는차세대패키지를발표했다. Foveros는실리콘인터포저기반의 2.5D 패키지보다 3D에더가까워졌다. 인텔은전공정부터 3D 패키지를고려해서최적의프로세스로개발했다. 베이스로직다이위에메모리까지기본으로탑재하는것을고려해서설계하였다. 기존 2.5D 패키지보다유연성이뛰어나고비용도적게소요될것으로보인다. 인텔은최근행사를통해 Foveros를적용한하이브리드 x86 아키텍처를공개했다. 12*12*1mm의 Foveros 패키지에 10nm 로직프로세서와 22nm 프로세스기반의메모리다이를탑재했다. 이칩은큰코어 1개와작은코어 4개를탑재했다. 큰코어는 Sunny Cove 기반이고작은코어는 Tremont 아키텍처기반이다. 이러한배치는고성능과저전력두가지모두를잡겠다는의도다. 인텔은 Foveros 기술이유연성이뛰어나여러 IP를각종메모리및 I/O와결합하는것이가능하다고했다. 패키지고성능화는 후공정과관련장비 업체들에게수혜 향후 2.5D 패키지와 Foveros처럼이기종칩을 1개패키지로만드는것이반도체트렌드가될것이다. 특히 Foveros처럼저렴한패키지도등장하면서서버에서 PC, 모바일까지모두적용이가능해질전망이다. 시장규모가크게늘어날것으로보인다. 이기종칩통합패키지제조에중요한공정은 HBM 제조에필수적인 TSV 공정과실리콘인터포저기판제조기술이다. TSV 관련장비를제조하는업체는일본의도쿄일렉트론과국내의한미반도체다. 실리콘인터포저기판은 DNP, TSMC 등이제조한다. 후공정업체 ASE에도수혜가가능하다. 20

21 그림 30. HBM 와 2.5D 패키지 자료 : AMD, NH 투자증권리서치본부 그림 31. HBM 와 2.5D 패키지 자료 : AMD, NH 투자증권리서치본부 21

22 그림 32. 인텔 Foveros 패키지 자료 : Intel, NH 투자증권리서치본부 그림 33. 인텔의차세대패키지, Foveros 를적용한 x86 아키텍처 자료 : Intel, NH 투자증권리서치본부 22

23 그림 34. 인텔 Foveros 는유연성이높아다양한애플리케이션에적용가능 자료 : Intel, NH 투자증권리서치본부 그림 35. TSV 와실리콘인터포저 자료 : Semantic Scholar, NH 투자증권리서치본부 그림 36. 인텔이 Foveros 패키지를적용한프로세서를공개 자료 : Intel, NH 투자증권리서치본부 23

24 케이씨텍 ( KS) 새로운재료등장으로 CMP 고성장 Company Report 케이씨텍은국내독보적인 CMP 장비제조사. 최근반도체공정에서 CMP 장비중요도가올라가고있음 년메모리투자회복으로실적 크게개선될것으로전망 2020 년실적크게회복전망 케이씨텍은국내독보적인 CMP 주 1) 장비및슬러리주 2) 제조상장사. 최근반도체공정에서 CMP 장비의중요도가상승중. 이에대한수혜를케이씨텍이볼수있을것으로전망. 투자의견 BUY 와목표주가 25,000 원을제시하며커버리지개시 2019 년고객사메모리및디스플레이장비투자둔화로실적부진예상. 연간매출액 2,796 억원 (-22% y-y), 영업이익 454 억원 (-32% y-y) 추정. 최근업계에서반도체수급부진을타개하고자올해투자규모를크게축소중. 이에대한영향으로케이씨텍과같은전공정장비업체들의 2019 년실적이부진할것으로전망 년디스플레이투자는 LG 디스플레이광저우 OLED, 파주 10.5G, 중화권업체투자등이예정 부진한실적은 2020 년큰폭으로회복될전망. 케이씨텍 2020 년매출액 4,157 억원 (+49% y-y), 영업이익 787 억원 (+73% y-y) 예상 년삼성전자평택 2 라인, 시안 2 기공장완공으로투자규모회복될것으로보임 년삼성전자 DRAM 50K, NAND 100K 신규투자전망 년 DRAM 0K, NAND 15K 대비크게증가 CMP 장비및슬러리수요증가 반도체, 디스플레이장비업체주가는실적에 1 년선행하고발주에 6 개월가량선행함 년하반기반도체경기회복가정하면 2020 년투자가크게늘어날것이라고추정이가능. 실제메모리업체들이최근 2020 년투자확대계획에대해고려중 년실적회복에대한주가반영시점은현재라고판단 반도체공정트렌드에서 CMP 장비의중요도역시점점증가하고있음. 공정트렌드를주도하는인텔이최근 10nm 공정부터코발트를주요재료로쓰기로함. 코발트는라이너의두께를구리보다얇게만들수있음. 구리는일렉트로마이그레이션과확산등문제로라이너를두껍게만들어야함. 코발트는텅스텐과마찬가지로식각이어려움. CMP 를통한다마신공정으로원하는구조를제조가능. 이는 CMP 장비와슬러리재료수요에긍정적 Buy ( 신규 ) 목표주가 25,000 원 ( 신규 ) 현재가 ( 19/3/19) 17,650원 업종 반도체 KOSPI / KOSDAQ 2, / 시가총액 ( 보통주 ) 350.2십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 19.8백만주 52주최고가 ( 18/06/05) 25,000원 최저가 ( 19/01/04) 9,090원 평균거래대금 (60일) 2,221백만원 배당수익률 (2019E) 1.90% 외국인지분율 10.2% 주요주주 고석태외 5인 51.7% KB자산운용 13.4% 주가상승률 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 (%) 상대수익률 (%p) E 2020F 2021F 매출액 증감률 영업이익 증감률 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 2,741 1,850 3,205 3,518 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 단위 : 십억원, %, 원, 배주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분기준자료 : NH 투자증권리서치본부전망 주 1) CMP: Chemical Mechanical Polishing. 반도체표면을화학적 / 기계적방법으로평탄화하는공정 주 2) CMP 슬러리 : CMP 공정에사용하는연마재료 Analyst 도현우 02) , hwdoh@nhqv.com

25 케이씨텍 표 1. 케이씨텍실적전망 (IFRS 별도 ) ( 단위 : 십억원, 원, 배, %) E 2020F 2021F 매출액 영업이익 영업이익률 EBITDA ( 지배지분 ) 순이익 EPS 2,741 1,850 3,205 3,518 PER PBR EV/EBITDA ROE 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망 표 2. 케이씨텍 P/B 밸류에이션 ( 단위 : 십억원, 배, 원 ) 구분 자산가치 (a) 2019E 자본총계 290 항목 Target PBR 1.8 ( 최근 10 년간평균 PBR 1.6 배에향후 3 개년추정 ROE 17%, 2019 년이후장비투자성장률감안해서산정 ) 기업가치 (b) 507 발행주식수 ( 만주 ) (c) 1,984 목표주가 ( 원 ) (b/c) 25,000 자료 : NH 투자증권리서치본부전망 25

26 케이씨텍 표3. 케이씨텍연간실적전망 ( 단위 : 십억원, %) E 2020F 2021F 매출액 반도체향 디스플레이향 기타 영업이익 영업이익률 (%) 세전이익 지배지분순이익 자료 : 케이씨텍, NH 투자증권리서치본부전망 표4. 케이씨텍분기실적전망 ( 단위 : 십억원, %) 1Q18 2Q18 3Q18 4Q18 1Q19E 2Q19F 3Q19F 4Q19F 매출액 반도체향 디스플레이향 기타 영업이익 영업이익률 (%) 세전이익 지배지분순이익 자료 : 케이씨텍, NH 투자증권리서치본부전망 26

27 케이씨텍 STATEMENT OF COMPREHENSIVE INCOME Valuation / Profitability / Stability ( 십억원 ) 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F 매출액 PER( 배 ) 증감률 (%) PBR( 배 ) 매출원가 PCR( 배 ) 매출총이익 PSR( 배 ) Gross 마진 (%) EV/EBITDA( 배 ) 판매비와일반관리비 EV/EBIT( 배 ) 영업이익 EPS( 원 ) 2,741 1,850 3,205 3,518 증감률 (%) BPS( 원 ) 12,947 14,617 17,642 20,979 OP 마진 (%) SPS( 원 ) 18,008 14,093 20,956 24,177 EBITDA 자기자본이익률 (ROE, %) 영업외손익 총자산이익률 (ROA, %) 금융수익 ( 비용 ) 투하자본이익률 (ROIC, %) 기타영업외손익 배당수익률 (%) 종속, 관계기업관련손익 배당성향 (%) 세전계속사업이익 총현금배당금 ( 십억원 ) 법인세비용 보통주주당배당금 ( 원 ) 계속사업이익 순부채 ( 현금 )/ 자기자본 (%) 당기순이익 총부채 / 자기자본 (%) 증감률 (%) 이자발생부채 Net 마진 (%) 유동비율 (%) 지배주주지분순이익 총발행주식수 ( 백만주 ) 비지배주주지분순이익 액면가 ( 원 ) 기타포괄이익 주가 ( 원 ) 9,490 17,650 17,650 17,650 총포괄이익 시가총액 ( 십억원 ) STATEMENT OF FINANCIAL POSITION CASH FLOW STATEMENT ( 십억원 ) 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F ( 십억원 ) 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F 현금및현금성자산 영업활동현금흐름 매출채권 당기순이익 유동자산 유 / 무형자산상각비 유형자산 종속, 관계기업관련손익 투자자산 외화환산손실 ( 이익 ) 비유동자산 Gross Cash Flow 자산총계 운전자본의증가 ( 감소 ) 단기성부채 투자활동현금흐름 매입채무 유형자산감소 유동부채 유형자산증가 (CAPEX) 장기성부채 투자자산의매각 ( 취득 ) 장기충당부채 Free Cash Flow 비유동부채 Net Cash Flow 부채총계 재무활동현금흐름 자본금 자기자본증가 자본잉여금 부채증감 이익잉여금 현금의증가 비지배주주지분 기말현금및현금성자산 자본총계 기말순부채 ( 순현금 )

28 원익 IPS ( KQ) 장비간시너지효과기대 Company Report 원익 IPS 는국내최대종합반도체, 디스플레이장비회사. 테라세미콘합 병으로열처리장비등이포트폴리오에추가되며향후상호시너지효과 기대 2020 년실적크게회복전망 원익 IPS 는국내최대규모종합반도체, 디스플레이장비회사. PECVD 등증착장비가주력. 최근테라세미콘합병을통해열처리장비까지진출. 여러장비간시너지효과를통해어플라이드머티리얼즈와같은글로벌장비업체로진화할수있을것으로기대. 투자의견 BUY 와목표주가 33,000 원을제시하며커버리지개시 2019년고객사메모리장비투자둔화로실적부진예상. 연간매출액 6,060억원 (-7% y-y), 영업이익 762억원 (-28% y-y) 추정. 최근업계에서반도체수급부진을타개하고자올해투자규모를크게축소중. 이에대한영향으로원익IPS 같은전공정장비업체들의 2019년실적이부진할것으로전망. 2019년디스플레이투자는삼성디스플레이 QD OLED 주1) R&D, A3 보완투자가예정. 중국업체 LCD 및중소형플렉서블 OLED 투자도계획. 2019년원익IPS 디스플레이장비매출 1,988억원 (+63% y-y) 으로증가. 반도체장비매출하락을디스플레이장비로다소상쇄 둔화되는전사실적은 2020 년큰폭으로회복될전망 년매출액 8,792 억원 (+45% y-y), 영업이익 1,413 억원 (+86% y-y) 예상 년삼성전자평택 2 라인, 시안 2 기공장완공으로투자회복될것으로보임 년삼성전자 DRAM 50K, NAND 100K 신규투자전망 년 DRAM 0K, NAND 15K 대비크게증가 공정난이도증가로쿼드러플패터닝등수요증가 일부레이어에서만사용하고있던쿼드러플패터닝 (SAQP) 주 2) 수요가향후크게늘전망. 특히 10nm 이하에서비메모리반도체에도 SAQP 가본격적으로사용될계획. 소자업체가 SAQP 를핀공정에도입. NAND 에서도 92 단 3D NAND 공정이확산 Buy ( 유지 ) 목표주가 33,000 원 ( 신규 ) 현재가 ( 19/3/19) 24,600원 업종 반도체 KOSPI / KOSDAQ 2,177.62/ 시가총액 ( 보통주 ) 1,207.5십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 49.1백만주 52주최고가 ( 18/03/20) 35,600원 최저가 ( 19/01/04) 16,800원 평균거래대금 (60일) 10,140백만원 배당수익률 (2019E) 1.0% 외국인지분율 22.0% 주요주주 원익홀딩스외 2인 33.0% 삼성전자외 1인 7.5% 주가상승률 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 (%) 상대수익률 (%p) E 2020F 2021F 매출액 증감률 영업이익 증감률 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 2,105 1,220 2,220 2,288 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 단위 : 십억원, %, 원, 배주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분기준자료 : NH 투자증권리서치본부전망 NAND 층수가높아지면서막을얇게증착해서전체소자높이를낮추는기술이매우중요해짐. 이는고성능증착및식각장비를제조하는업체들에게수혜. 원익 IPS 가증착, 열처리, 디스플레이드라이에처등여러분야의장비를제조하며상호기술시너지효과를높일것으로예상 주 1) QD OLED: 양자점청색광원을활용한 QD 컬러필터를통해색재현력을높이는기술 주 2) SAQP: 회로패턴을만들때패터닝을 4 번에나눠서하는기법. 저해상도노광장비로작은 패턴을만들수있음 Analyst 도현우 02) , hwdoh@nhqv.com

29 원익 IPS 표 1. 원익 IPS 실적전망 (IFRS 연결 ) ( 단위 : 십억원, 원, 배, %) E 2020F 2021F 매출액 영업이익 영업이익률 EBITDA ( 지배지분 ) 순이익 EPS 2,105 1,220 2,220 2,288 PER PBR EV/EBITDA ROE 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망 표 2. 원익 IPS P/B 밸류에이션 ( 단위 : 십억원, 배, 원 ) 구분 자산가치 (a) 2019E 자본총계 417 항목 Target PBR 3.9 ( 최근 10 년간평균 PBR 3.0 배에향후 3 개년추정 ROE 18% 감안해서산정 ) 기업가치 (b) 1,628 발행주식수 ( 만주 ) (c) 4,908 목표주가 ( 원 ) (b/c) 33,000 자료 : NH 투자증권리서치본부전망 29

30 원익 IPS 표3. 원익IPS 연간실적전망 ( 단위 : 십억원, %) E 2020F 2021F 매출액 반도체향 디스플레이향 기타 영업이익 영업이익률 (%) 세전이익 지배지분순이익 자료 : 원익 IPS, NH 투자증권리서치본부전망 표4. 원익IPS 분기실적전망 ( 단위 : 십억원, %) 1Q18 2Q18 3Q18 4Q18 1Q19E 2Q19F 3Q19F 4Q19F 매출액 반도체향 디스플레이향 기타 영업이익 영업이익률 (%) 세전이익 지배지분순이익 자료 : 원익 IPS, NH 투자증권리서치본부전망 30

31 원익 IPS STATEMENT OF COMPREHENSIVE INCOME Valuation / Profitability / Stability ( 십억원 ) 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F 매출액 PER( 배 ) 증감률 (%) PBR( 배 ) 매출원가 PCR( 배 ) 매출총이익 PSR( 배 ) Gross 마진 (%) EV/EBITDA( 배 ) 판매비와일반관리비 EV/EBIT( 배 ) 영업이익 EPS( 원 ) 2,105 1,220 2,220 2,288 증감률 (%) BPS( 원 ) 8,941 8,506 10,526 12,613 OP 마진 (%) SPS( 원 ) 15,732 12,515 17,912 18,494 EBITDA 자기자본이익률 (ROE, %) 영업외손익 총자산이익률 (ROA, %) 금융수익 ( 비용 ) 투하자본이익률 (ROIC, %) 기타영업외손익 배당수익률 (%) 종속, 관계기업관련손익 배당성향 (%) 세전계속사업이익 총현금배당금 ( 십억원 ) 법인세비용 보통주주당배당금 ( 원 ) 계속사업이익 순부채 ( 현금 )/ 자기자본 (%) 당기순이익 총부채 / 자기자본 (%) 증감률 (%) 이자발생부채 Net 마진 (%) 유동비율 (%) 지배주주지분순이익 총발행주식수 ( 백만주 ) 비지배주주지분순이익 액면가 ( 원 ) 기타포괄이익 주가 ( 원 ) 20,100 24,600 24,600 24,600 총포괄이익 시가총액 ( 십억원 ) 830 1,207 1,207 1,207 STATEMENT OF FINANCIAL POSITION CASH FLOW STATEMENT ( 십억원 ) 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F ( 십억원 ) 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F 현금및현금성자산 영업활동현금흐름 매출채권 당기순이익 유동자산 유 / 무형자산상각비 유형자산 종속, 관계기업관련손익 투자자산 외화환산손실 ( 이익 ) 비유동자산 Gross Cash Flow 자산총계 운전자본의증가 ( 감소 ) 단기성부채 투자활동현금흐름 매입채무 유형자산감소 유동부채 유형자산증가 (CAPEX) 장기성부채 투자자산의매각 ( 취득 ) 장기충당부채 Free Cash Flow 비유동부채 Net Cash Flow 부채총계 재무활동현금흐름 자본금 자기자본증가 자본잉여금 부채증감 이익잉여금 현금의증가 비지배주주지분 기말현금및현금성자산 자본총계 기말순부채 ( 순현금 )

32 테스 ( KQ) 업체간 3D NAND 기술력차이확대 Company Report 최근 3D NAND 공정에서업체간기술력차이가벌어지고있음. 홀에칭 이핵심. 이러한흐름은관련핵심장비를생산하는테스에수혜 2020 년실적크게회복전망 테스는 NAND 장비비중이높은메모리반도체전공정장비업체. 3D NAND 홀에칭하드마스크주 1) 증착장비등을주로생산. 향후고객사삼성전자의 NAND 시장점유율확대전략이유지될것으로예상. 관련장비를생산하는테스에수혜. 투자의견 BUY 와목표주가 25,000 원제시하며커버리지개시 2019 년고객사메모리장비투자둔화로실적부진예상. 삼성전자 2019 년신규투자 DRAM 0K, NAND 15K 전망. 예년대비크게감소 년하반기부터발생한반도체수급부진을타개하고자메모리업체들이투자를축소중 년반도체투자는미세공정전환위주투자가대부분. DRAM 1ynm, NAND 92 단전환투자. 테스 2019 년매출액 2,077 억원 (- 27% y-y), 영업이익 363 억원 (-37% y-y) 예상 둔화되는전사실적은 2020 년큰폭으로회복될전망 년매출액 3,761 억원 (+81% y-y), 영업이익 767 억원 (+111% y-y) 예상 년삼성전자평택 2 라인, 시안 2 기공장완공으로투자회복될것으로보임 년삼성전자 DRAM 50K, NAND 100K 신규투자전망 3D NAND 공정경쟁력격차확대 90 단이상 3D NAND 에서업체간공정기술력격차가확대되고있음. 64 단에서는격차가축소된바있음. 90 단이상에서기술력격차가확대되는이유는단수가증가하면서전체소자높이가높아져채널형성을위한홀에칭과막을얇게쌓는기술이극히어려워졌기때문 삼성전자를제외한타 NAND 업체들이이에한계를느껴 2 단계에걸쳐소자를형성하는더블스태킹기술을채택. 이는비용증가요인. 삼성전자는 128 단까지싱글스태킹기술을활용할전망. 기술격차로최근삼성전자와경쟁사간 NAND 영업마진차이는최소 20%p 에서 40%p 까지벌어짐 Buy ( 신규 ) 목표주가 25,000 원 ( 신규 )) 현재가 ( 19/3/19) 18,000원 업종 반도체 KOSPI / KOSDAQ 2, / 시가총액 ( 보통주 ) 355.8십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 19.8백만주 52주최고가 ( 18/03/19) 33,100원 최저가 ( 19/01/04) 10,450원 평균거래대금 (60일) 12,624백만원 배당수익률 (2019E) 3.29% 외국인지분율 7.4% 주요주주주숭일외 9 인 29.3% 주가상승률 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 (%) 상대수익률 (%p) E 2019F 2020F 매출액 증감률 영업이익 증감률 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 2,772 2,386 1,490 3,216 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 단위 : 십억원, %, 원, 배주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분기준자료 : NH 투자증권리서치본부전망 단수가올라갈수록홀에칭관련기술력이부족한업체들이도태될것으로예상. 이러한흐름은 3D NAND 의핵심공정인홀에칭시하드마스크증착장비를만드는테스에게수혜 주 1) 하드마스크 : 식각공정에서포토레지스트층을보완해서정교한식각을도와주는희생막 Analyst 도현우 02) , hwdoh@nhqv.com

33 테스 표 1. 테스실적전망 (IFRS 연결 ) ( 단위 : 십억원, 원, 배, %) E 2019F 2020F 매출액 영업이익 영업이익률 EBITDA ( 지배지분 ) 순이익 EPS 2,772 2,386 1,490 3,216 PER PBR EV/EBITDA ROE 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망 표 2. 테스 P/B 밸류에이션 ( 단위 : 십억원, 배, 원 ) 구분 자산가치 (a) 2019E 자본총계 251 항목 Target PBR 2.0 ( 최근 10 년간평균 PBR 2.0 배에향후 3 개년추정 ROE 17%, 2019 년이후장비투자성장률감안해서산정 ) 기업가치 (b) 502 발행주식수 ( 만주 ) (c) 1,977 목표주가 ( 원 ) (b/c) 25,000 자료 : NH 투자증권리서치본부전망 33

34 테스 표3. 테스연간실적전망 ( 단위 : 십억원, %) E 2019F 2020F 매출액 반도체 / 디스플레이 기타 영업이익 영업이익률 (%) 세전이익 지배지분순이익 자료 : 테스, NH 투자증권리서치본부전망 표4. 테스분기실적전망 ( 단위 : 십억원, %) 1Q18 2Q18 3Q18 4Q18E 1Q19F 2Q19F 3Q19F 4Q19F 매출액 반도체 / 디스플레이 기타 영업이익 영업이익률 (%) 세전이익 지배지분순이익 자료 : 테스, NH 투자증권리서치본부전망 34

35 테스 STATEMENT OF COMPREHENSIVE INCOME Valuation / Profitability / Stability ( 십억원 ) 2017/12A 2018/12E 2019/12F 2020/12F 2017/12A 2018/12E 2019/12F 2020/12F 매출액 PER( 배 ) 증감률 (%) PBR( 배 ) 매출원가 PCR( 배 ) 매출총이익 PSR( 배 ) Gross 마진 (%) EV/EBITDA( 배 ) 판매비와일반관리비 EV/EBIT( 배 ) 영업이익 EPS( 원 ) 2,772 2,386 1,490 3,216 증감률 (%) BPS( 원 ) 9,592 11,590 12,691 15,519 OP 마진 (%) SPS( 원 ) 14,074 14,446 10,505 19,027 EBITDA 자기자본이익률 (ROE, %) 영업외손익 총자산이익률 (ROA, %) 금융수익 ( 비용 ) 투하자본이익률 (ROIC, %) 기타영업외손익 배당수익률 (%) 종속, 관계기업관련손익 배당성향 (%) 세전계속사업이익 총현금배당금 ( 십억원 ) 법인세비용 보통주주당배당금 ( 원 ) 계속사업이익 순부채 ( 현금 )/ 자기자본 (%) 당기순이익 총부채 / 자기자본 (%) 증감률 (%) 이자발생부채 Net 마진 (%) 유동비율 (%) 지배주주지분순이익 총발행주식수 ( 백만주 ) 비지배주주지분순이익 액면가 ( 원 ) 기타포괄이익 주가 ( 원 ) 38,200 12,150 18,000 18,000 총포괄이익 시가총액 ( 십억원 ) STATEMENT OF FINANCIAL POSITION CASH FLOW STATEMENT ( 십억원 ) 2017/12A 2018/12E 2019/12F 2020/12F ( 십억원 ) 2017/12A 2018/12E 2019/12F 2020/12F 현금및현금성자산 영업활동현금흐름 매출채권 당기순이익 유동자산 유 / 무형자산상각비 유형자산 종속, 관계기업관련손익 투자자산 외화환산손실 ( 이익 ) 비유동자산 Gross Cash Flow 자산총계 운전자본의증가 ( 감소 ) 단기성부채 투자활동현금흐름 매입채무 유형자산감소 유동부채 유형자산증가 (CAPEX) 장기성부채 투자자산의매각 ( 취득 ) 장기충당부채 Free Cash Flow 비유동부채 Net Cash Flow 부채총계 재무활동현금흐름 자본금 자기자본증가 자본잉여금 부채증감 이익잉여금 현금의증가 비지배주주지분 기말현금및현금성자산 자본총계 기말순부채 ( 순현금 )

36 SK 머티리얼즈 ( KQ) 하반기실적개선세둔화 Company Report 소재업체실적은반도체업체실적에후행해 2019 년하반기증가세가 둔화될가능성이높음 년기준 PER 15 배. 국내타반도체관련업 체대비다소높게밸류에이션형성 국내최대종합반도체, 디스플레이가스업체 SK 머티리얼즈는 NF3 를주력품목으로최근산업가스, 반도체프리커서로제품을다변화한종합반도체, 디스플레이소재업체. 투자의견 HOLD 및목표주가 162,000 원을제시하며커버리지개시 최근반도체업황부진으로삼성전자, SK 하이닉스등고객사가 2018 년하반기부터투자를크게줄이고있음. 이로인한반도체생산량증가세둔화가 2019 년하반기에본격화될것으로예상 SK 머티리얼즈등소재업체들의 2019 년실적은소자업체실적에후행해서하반기증가세가둔화될가능성이높다고판단 년삼성전자신규투자 DRAM 0K, NAND 15K. SK 하이닉스신규투자 DRAM 20K, NAND 15K 에불과 년하반기부터고객사투자회복으로인한메모리반도체출하량증가재개는 2020 년중반이후예상 SK 머티리얼즈 2019 년매출액 7,703 억원 (+12% y-y), 영업이익 2,012 억원 (+10% y-y) 예상 년기준 PER 15 배, PBR 3.9 배. 국내타반도체관련업체대비다소높게형성 자회사통한장기성장성확보 회사의장기성장성은매우양호. 자회사 SK 에어가스가 SK 하이닉스신규팹투자로인한질소, 아르곤공급시설투자를강화중. SK 에어가스영업이익률이 20% 중반을상회 전구체부문성장성도밝음. 최근반도체미세공정난이도증가로전구체수요량이크게늘고있음. 특히 DRAM 1ynm 이하, 로직 10nm 이하공정에서쿼드러플패터닝수요증가가긍정적 HOLD ( 신규 ) 목표주가 162,000 원 ( 신규 ) 현재가 ( 19/3/19) 172,000원 업종 반도체 KOSPI / KOSDAQ 2, / 시가총액 ( 보통주 ) 1,814.2십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 10.5백만주 52주최고가 ( 18/09/14) 193,800원 최저가 ( 19/01/04) 135,600원 평균거래대금 (60일) 6,127백만원 배당수익률 (2019E) 2.18% 외국인지분율 13.7% 주요주주 SK 외 1 인 49.1% 주가상승률 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 (%) 상대수익률 (%p) E 2020F 2021F 매출액 증감률 영업이익 증감률 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 10,682 11,744 11,635 11,685 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 단위 : 십억원, %, 원, 배주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분기준자료 : NH 투자증권리서치본부전망 SK 머티리얼즈자회사 SK 트리켐이주로지르코늄계주 1) 전구체를생산하고있음 년부터수익이크게증가. SK 쇼와덴코도 2019 년부터매출이본격화될것으로전망. 회사가향후인산계열식각액사업도시작할계획 주 1) 지르코늄 : 원소기호 Zr. 반도체에서 ZrO2 등으로활용. DRAM 커패시터유전막재료로활용 Analyst 도현우 02) , hwdoh@nhqv.com

37 SK 머티리얼즈 표 1. SK 머티리얼즈실적전망 (IFRS 연결 ) ( 단위 : 십억원, 원, 배, %) E 2020F 2021F 매출액 영업이익 영업이익률 EBITDA ( 지배지분 ) 순이익 EPS 10,682 11,744 11,635 11,685 PER PBR EV/EBITDA ROE 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망 표2. SK머티리얼즈 P/B 밸류에이션 ( 단위 : 십억원, 배, 원 ) 구분 항목 자산가치 (a) 2019E 자본총계 503 Target PBR 3.4 ( 최근 10년간평균 PBR 3.0배에향후 3개년추정 ROE 25% 감안해서산정 ) 기업가치 (b) 1,712 발행주식수 ( 만주 ) (c) 1,055 목표주가 ( 원 ) (b/c) 162,000 자료 : NH투자증권리서치본부전망 37

38 SK 머티리얼즈 표3. SK머티리얼즈연간실적전망 ( 단위 : 십억원, %) E 2020F 2021F 매출액 NF3, SiH4, WF6, Si2H O2, N2, Ar Precursor 조정 영업이익 영업이익률 (%) 세전이익 지배지분순이익 자료 : SK 머티리얼즈, NH 투자증권리서치본부전망 표4. SK머티리얼즈분기실적전망 ( 단위 : 십억원, %) 1Q18 2Q18 3Q18 4Q18 1Q19E 2Q19F 3Q19F 4Q19F 매출액 NF3, SiH4, WF6, Si2H O2, N2, Ar Precursor 조정 영업이익 영업이익률 (%) 세전이익 순이익 자료 : SK 머티리얼즈, NH 투자증권리서치본부전망 38

39 SK 머티리얼즈 STATEMENT OF COMPREHENSIVE INCOME Valuation / Profitability / Stability ( 십억원 ) 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F 매출액 PER( 배 ) 증감률 (%) PBR( 배 ) 매출원가 PCR( 배 ) 매출총이익 PSR( 배 ) Gross 마진 (%) EV/EBITDA( 배 ) 판매비와일반관리비 EV/EBIT( 배 ) 영업이익 EPS( 원 ) 10,682 11,744 11,635 11,685 증감률 (%) BPS( 원 ) 35,670 44,040 52,302 60,614 OP 마진 (%) SPS( 원 ) 65,157 73,028 71,910 73,744 EBITDA 자기자본이익률 (ROE, %) 영업외손익 총자산이익률 (ROA, %) 금융수익 ( 비용 ) 투하자본이익률 (ROIC, %) 기타영업외손익 배당수익률 (%) 종속, 관계기업관련손익 배당성향 (%) 세전계속사업이익 총현금배당금 ( 십억원 ) 법인세비용 보통주주당배당금 ( 원 ) 3,750 3,750 3,750 3,750 계속사업이익 순부채 ( 현금 )/ 자기자본 (%) 당기순이익 총부채 / 자기자본 (%) 증감률 (%) 이자발생부채 Net 마진 (%) 유동비율 (%) 지배주주지분순이익 총발행주식수 ( 백만주 ) 비지배주주지분순이익 액면가 ( 원 ) 기타포괄이익 주가 ( 원 ) 151, , , ,000 총포괄이익 시가총액 ( 십억원 ) 1,593 1,814 1,814 1,814 STATEMENT OF FINANCIAL POSITION CASH FLOW STATEMENT ( 십억원 ) 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F ( 십억원 ) 2018/12A 2019/12E 2020/12F 2021/12F 현금및현금성자산 영업활동현금흐름 매출채권 당기순이익 유동자산 유 / 무형자산상각비 유형자산 1,106 1,219 1,306 1,379 + 종속, 관계기업관련손익 투자자산 외화환산손실 ( 이익 ) 비유동자산 1,135 1,246 1,335 1,409 Gross Cash Flow 자산총계 1,398 1,526 1,641 1,762 - 운전자본의증가 ( 감소 ) 단기성부채 투자활동현금흐름 매입채무 유형자산감소 유동부채 유형자산증가 (CAPEX) 장기성부채 투자자산의매각 ( 취득 ) 장기충당부채 Free Cash Flow 비유동부채 Net Cash Flow 부채총계 995 1,022 1,039 1,060 재무활동현금흐름 자본금 자기자본증가 자본잉여금 부채증감 이익잉여금 현금의증가 비지배주주지분 기말현금및현금성자산 자본총계 기말순부채 ( 순현금 )

40 투자의견및목표주가변경내역괴리율 (%) 제시일자투자의견목표가평균최저 / 최고 Buy 25,000원 (12개월) - - 케이씨텍 ( KS) ( 원 ) 30,000 24,000 18,000 12,000 종가 6,000 목표주가 (12M) 0 '17.3 '17.7 '17.11 '18.3 '18.7 '18.11 '19.3 제시일자 투자의견 목표가 괴리율 (%) 평균최저 / 최고 Buy 33,000원 (12개월) 담당 Analyst 변경 조사분석대상제외 Buy 45,000원 (12개월) -24.3% -10.8% Buy 37,000원 (12개월) -19.5% -11.5% 원익IPS ( KQ) ( 원 ) 50,000 40,000 30,000 20,000 10,000 종가 목표주가 (12M) 0 '17.3 '17.7 '17.11 '18.3 '18.7 '18.11 '19.3 제시일자 투자의견 목표가 괴리율 (%) 평균최저 / 최고 Buy 25,000원 (12개월) 담당 Analyst 변경 조사분석대상제외 Buy 43,000원 (12개월) -19.6% 1.6% Buy 38,000원 (12개월) -24.8% -16.8% 테스 ( KQ) ( 원 ) 50,000 40,000 30,000 20,000 10,000 종가 목표주가 (12M) 0 '17.3 '17.7 '17.11 '18.3 '18.7 '18.11 '19.3 제시일자 투자의견 목표가 괴리율 (%) 평균최저 / 최고 Hold 162,000원 (12개월) 담당 Analyst 변경 Buy 240,000원 (12개월) -32.0% -19.4% Buy 220,000원 (12개월) -18.3% -11.9% Buy 200,000원 (12개월) -14.4% -9.2% SK머티리얼즈 ( KQ) ( 원 ) 300, , , ,000 60,000 종가 목표주가 (12M) 0 '17.3 '17.7 '17.11 '18.3 '18.7 '18.11 '

41 종목투자등급 (Stock Ratings) 및투자등급분포고지 1. 투자등급 (Ratings): 목표주가제시일현재가기준으로향후 12 개월간종목의목표수익률에따라 Buy: 15% 초과 Hold: -15% ~ 15% Sell: -15% 미만 2. 당사의한국내상장기업에대한투자의견분포는다음과같습니다. (2019 년 3 월 15 일기준 ) 투자의견분포 Buy Hold Sell 76.8% 23.2% 0.0% - 당사의개별기업에대한투자의견은변경되는주기가정해져있지않습니다. 당사는투자의견비율을주간단위로집계하여기재하고있으니참조하시기바랍니다. Compliance Notice 당사는자료작성일현재동자료상에언급된기업들의발행주식등을 1% 이상보유하고있지않습니다. 당사는동자료를기관투자가또는제3자에게사전제공한사실이없습니다. 동자료의금융투자분석사와배우자는자료작성일현재동자료상에언급된기업들의금융투자상품및권리를보유하고있지않습니다. 동자료에게시된내용들은본인의의견을정확하게반영하고있으며, 외부의부당한압력이나간섭없이작성되었음을확인합니다. 고지사항 본조사분석자료에수록된내용은당사리서치본부의금융투자분석사가신뢰할만한자료및정보를바탕으로최선을다해분석한결과이나그정확성이나완전성을보장할수없습니다. 따라서투자자의투자판단을위해작성된것이며어떠한경우에도주식등금융투자상품투자의결과에대한법적책임소재를판단하기위한증빙자료로사용될수없습니다. 본조사분석자료는당사의저작물로서모든지적재산권은당사에귀속되며당사의동의없이복제, 배포, 전송, 변형, 대여할수없습니다. 동사에대한조사분석자료의작성및공표가중단되는경우, 당사홈페이지 () 에서이를조회하실수있습니다. 41