Contents I. 주가밸류에이션 3 II. 투자포인트 4 III. 주요제품 10 IV. 실적전망 19 V. 투자리스크 21

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1 원익 IPS (030530) 가장높이나는새가가장멀리본다 원익 IPS 커버리지개시. 투자의견매수, 목표주가 18,500 원제시 - 밸류에이션 : 2015 년 EPS 1,005 원에미국및일본경쟁사평균 P/E 18.5 배적용 화성, 시안, 평택의투자에따른최대수혜주로부각 - 최근반도체장비주에대한시장의시각이긍정적으로변화. 화성, 시안, 평택투자기대감때문 - 이와같은기대감을종합해보면다음과같은투자로드맵구상가능 (1) 화성 : 미세공정전환투자지속. 17라인 2단계비메모리 10나노투자 (2) 시안 : 2015년 2단계 NAND 투자. 적층수추가확대 (3) 평택 : 2015년기공식. 2016년장비입고. 빠르면 2017년연말양산 김경민 clairekim@daishin.com 투자의견 박기범 kbpark04@daishin.com BUY 투자포인트 : 근본적으로외형성장이지속되는구조 - 동사는전방산업신규증설에크게영향받지않고근본적으로외형성장가능 (1) 국내반도체장비국산화방향전환 ( 절연막용 PECVD 증착 다양한멀티레이어 CVD 증착 ) (2) 해외경쟁사보다빠른점유율확대 : 기술대응력과원가경쟁력 (3) 국내장비업체중 M&A에가장적극적인 DNA 보유 목표주가 18,500 신규 현재주가 ( ) 14,000 반도체업종 KOSDAQ 시가총액 1,127십억원 시가총액비중 0.59% 자본금 ( 보통주 ) 40십억원 52주최고 / 최저 15,100원 / 9,990원 120일평균거래대금 117억원 외국인지분율 25.95% 주요주주원익외 12 인 23.61% 주가수익률 (%) 1M 3M 6M 12M 절대수익률 상대수익률 ( 천원 ) 원익 IPS( 좌 ) Relative to KOSDAQ( 우 ) (%) (1) 국내반도체장비국산화방향의전환 : 절연막용 PECVD 다양한멀티레이어 CVD - 국산화초기에국내반도체장비는산화실리콘 (SiO 2) 와질화실리콘 (SiN) 절연막층을주로증착 - 하드마스크층, 금속층, 전류흐름을더잘제어하는층을증착하기시작 (2) 해외경쟁사보다빠른점유율확대 : 기술대응력과원가경쟁력 - 원익IPS 는 CVD 증착장비의핵심기술인 균일한박막증착 기술우위 - 증착장비의핵심부품을국내에서조달하여원가절감에빠르게대응 (3) 국내장비업체중 M&A에가장적극적인 DNA 보유 - 원익머트리얼즈분사이후아토와아이피에스합병. 반도체, 디스플레이종합장비업체로부각 년테라세미콘지분인수하며고온장비및플렉서블 OLED 장비로제품군다변화 - 중장기적으로 M&A를통한사업확장의지확고영업실적및투자지표 ( 연결기준 ) ( 단위 : 십억원, 원, %) 2013A 2014A 2015F 2016F 2017F 매출액 영업이익 세전순이익 총당기순이익 지배지분순이익 EPS ,005 1,256 1,383 PER BPS 3,976 4,434 5,435 6,688 8,069 PBR ROE 주 : EPS 와 BPS, ROE는지배지분기준으로산출 / 자료 : 원익IPS, 대신증권리서치센터 기업분석

2 Contents I. 주가밸류에이션 3 II. 투자포인트 4 III. 주요제품 10 IV. 실적전망 19 V. 투자리스크 21

3 DAISHIN SECURITIES Ⅰ. 주가밸류에이션 원익 IPS 커버리지개시. 투자의견매수, 목표주가 18,500 원제시 원익IPS에대해목표주가 18,500원을제시하며커버리지를개시한다. 목표주가는현재주가대비 32% 의상승여력이있다. 목표주가 18,500원은 2015년 EPS 1,005원에 P/E 18.5배를적용하였다. P/E 18.5배는원익IPS의미국및일본경쟁사 (AMAT, Lam Research, TEL) 의 2015년 P/E 평균이다. 원익IPS보다매출규모가큰글로벌경쟁사의 P/E 밸류에이션을그대로적용한이유는, 국내반도체장비국산화방향의변화로동사의장비적용처가절연막외에다양한층으로확대되어연평균두자릿수매출증가가가능할것으로전망되기때문이다. 특히, 신규장비의점유율확대를기반으로동사는해외경쟁사보다빠른속도로외형이확대될것으로예상된다. 표 1. 글로벌경쟁사의실적 기업 TICKER 결산월 2015F 2016F 2015F 2016F 2015F 2016F 매출액매출액영업이익영업이익 EPS EPS 원익 IPS KS 12 월 Applied Materials AMAT US 10 월 9,863 10,458 1,965 2, Lam Research LRCX US 6 월 5,240 5,798 1,022 1, TEL 8035 JT 3 월 5,053 5, 단위 : 백만달러, 달러 자료 : Bloomberg 컨센서스, 대신증권리서치센터 표 2. 글로벌경쟁사의주가 Valuation: 2015 년 P/E 평균 18.5 배 기업 TICKER 시가총액 2015F 2016F 2015F 2016F 2015F 2016F P/E P/E P/B P/B ROE ROE 원익 IPS KS 1, % 19.7% Applied Materials AMAT US 24, % 20.8% Lam Research LRCX US 12, % 18.3% TEL 8035 JT 11, % 12.1% 단위 : 배, % 자료 : Bloomberg 컨센서스, 대신증권리서치센터 그림 1. 원익 IPS 12 개월 FWD P/E 그림 2. 원익 IPS 12 개월 FWD P/B ('000) 30 ('000) x 15.5 x x x 10.5 x 8.0 x x 1.9 x 1.4 x x 자료 : QuantiWise, 원익 IPS, 대신증권리서치센터 자료 : QuantiWise, 원익 IPS, 대신증권리서치센터 3

4 원익 IPS(030530) II. 투자포인트 화성, 시안, 평택의투자에따른최대수혜주로부각 최근반도체장비주에대한시장의시각이급격하게긍정적으로변화하고있다. 2018년까지화성, 시안, 평택지역에서의투자기대감때문이다. 이와같은기대감을종합해보면다음과같은투자로드맵을구상할수있다. (1) 화성 : 미세공정전환투자지속. 17라인 2단계비메모리 10나노투자 (2) 시안 : 2015년 2단계 NAND 투자. 적층수추가확대 (3) 평택 : 2015년기공식. 2016년장비입고. 빠르면 2017년연말양산이에따라단기간에원익IPS의주가도급등했다. 동사주가는 2015년 4월 22일단기바닥수준인 9,990원을기록한이후한달동안 45% 상승했다. 동사가경쟁사대비시장의주목을크게받았던이유는반도체전공정장비업체를대표하고있기때문이다. 투자포인트 : 근본적으로외형성장이가능한사업구조 지금까지주식시장에서는동사가전방산업증설에따른수혜주로서부각되어왔으나, 향후동사의본질적인사업구조변화에주목해야할것으로판단된다. 동사는전방산업신규증설에크게영향받지않고근본적으로외형성장이가능한사업구조를확보했다. 동사의투자포인트를요약하면다음과같다. (1) 국내반도체장비국산화방향의전환 ( 절연막용 PECVD 증착장비 다양한멀티레이어 CVD 증착장비 ) (2) 해외경쟁사보다빠른점유율확대 : 기술대응력과원가경쟁력 (3) 국내장비업체중 M&A에가장적극적인 DNA 보유 4

5 DAISHIN SECURITIES (1) 국내반도체장비국산화방향의전환 ( 절연막용 PECVD 다양한 CVD) 원익IPS는반도체장비국산화의최우선수혜기업으로서고객사의국산화의지에따라반도체공정내에서새로적용되는장비수를늘리며점유율을확대할것으로전망된다. 2014년까지동사의장비는주로절연막을증착하는데사용되었다. 절연막은전압이인가되었을때전류가흐르지않는막이다. 1990년대초부터반도체전공정장비가국산화된이래로, 국내전공정장비업체는대부분웨이퍼의절연막을증착하는 CVD(Chemical Vapor Deposition: 화학증착 ) 장비를공급했다. 주로산화실리콘 (SiO 2 ) 와질화실리콘 (SiN) 소재로이루어진절연막을증착하는데사용되었다. 원익IPS의 PECVD 장비도절연막을증착하는데주로사용되었다. 2014년부터동사의장비는절연막이아닌다른층을증착하는데사용되고있다. 이와같은흐름은국내의다른 CVD 장비업체들의수주변화에서찾아볼수있다. 절연막외에다양한층 ( 하드마스크층, 금속층, 기존절연막보다전류흐름을더잘제어하는층 ) 을증착하는데점차적용되고있다. (2) 해외경쟁사보다빠른점유율확대 : 균일한증착과원가경쟁력 동사는미국과일본의경쟁사보다고객사내점유율을빠르게확대하고있다. 이는적용처가빠르게확장되고있기때문이다. 동사의반도체장비는주로 DRAM에만적용되었으나, NAND와비메모리까지영역이확장되었다. 아울러동사는디스플레이식각장비 (Dry Etcher: 화학약품을사용하지않고플라즈마의반응을이용한건식식각장비 ) 국산화에기여했다. 따라서, 고객사내의점유율은 2015년 1분기현재반도체장비기준 35~40%, 디스플레이장비기준 30% 까지확대되었다. 특히기존에주로적용되던절연막외에신규 Layer에적용되는반도체 CVD 장비의점유율은 50% 이상인것으로추정된다. 동사가빠르게점유율을확대할수있는근거는동사장비의균일한증착능력과원가경쟁력때문이다. 특히 CVD 장비의경우웨이퍼의넓은면적에균일하게막을형성하는것이중요한데, 동사의장비는이러한점에서해외경쟁사대비앞서있고, 원가경쟁력확보요구에도빠르게대응하고있다. 특히증착장비내에서필수적으로사용되는부품을원재료공급업체와동시에개발하여고객사의요구에신속하게대응하고있으며, 70% 이상을국산화하여물류비용및외환리스크를절감하였다. CVD 장비에서대표적으로사용되는부품은 EFEM(Equipment Front End Module: 진공상태가아닌대기 (Atmosphere) 상태에서웨이퍼를반송하는이송장치 ), Vacuum Robot( 진공상태에서웨이퍼를이송시키는장치 ), Heater 등이있다. 5

6 원익 IPS(030530) (3) M&A 에적극적인 DNA 보유하여장기적외형성장가능 원익IPS를한마디로정의하면 반도체장비업체같지않은장비업체 이다. 장비업체의사업은전통적으로천수답식구조에가까웠다. 장비수주에따라외형성장이좌우되어, 고객사의대규모투자유무에따라울고웃는경우가많았다. 원익IPS는적극적 M&A로제품군을다변화하여장비업체의전형적인천수답식실적구조를극복했다. 국내반도체장비업체로서는보기드물게인수합병을여러번경험하여, 강력한 M&A의유전자를갖고있다. 동사는 2006년원익머트리얼즈의분할, 2010 년 아토와 아이피에스의합병, 2014년테라세미콘지분인수등국내장비업체로서는보기드물게 M&A를통한구조개선과외형확장을전개했다. 향후에도관련산업내에서 M&A를통한사업확장의지가확고하다. (3-1) M&A: 2006 년특수가스사업부문물적분할로원익머트리얼즈설립 원익머트리얼즈는 2006년 12월원익IPS( 구. 아토 ) 의특수가스사업부문이물적분할하여설립되었다. 원익머트리얼즈는반도체용특수가스및일반산업용가스의충전, 제조, 정제및판매사업을영위하고있다. 원익머트리얼즈는 2003년 PH 3 등반도체공정용특수가스를국산화하여삼성전자를비롯한국내대부분의반도체회사에공급하기시작했다. 또한 OLED 디스플레이공정에필요한 N 2 O, NH 3 를비롯해 10여종의공정용특수가스를공급하고있다. 주요제품은 NH 3 ( 암모니아 : 모노실란 (SiH 4 ) 과결합하여실리콘나이트라이드 (Si 3 N 4 ) 절연막을증착시키는데사용 ), NO( 산화질소 : 열처리공정을통해 SiON 형성 ), N 2 O( 아산화질소 : 모노실란 (SiH 4 ) 과결합하여실리콘옥사이드 (SiO 2 ) 형성 ), Laser Mix( 레이저믹스 : OLED 제조과정중 Amorphous Silicon 을 Poly Silicon으로변환시키는열처리 (Annealing) 공정에서사용 ) 등이다. 6

7 DAISHIN SECURITIES 원익머트리얼즈, 노바켐지분확보하며반도체프리커서분야로사업확대 원익머트리얼즈는 2014년 9월노바켐주식 76,000주 ( 지분율 50.67%) 를 171억 5670만원에취득하기로결정했고, 2015년 5월주요종속회사로편입했다. 노바켐은 2012년프로켐에서분할된회사로, 반도체프리커서 ( 전구체, 前驅體 : 특정한화합물을합성하기위해필요한소재 ) 사업을영위하고있다. 주요제품은저온증착용 Si 3 N 4 와고품질산화막 (SiO 2 ) 증착용프리커서이다. 프리커서는반도체공정소재중에서웨이퍼위에특정한층 (Layer) 을쌓을때사용되는소재를뜻한다. 특히, 원자증착 (ALD: Atomic Layer Deposition) 또는화학증착 (CVD: Chemical Vapor Deposition) 과정의원료가된다. ALD 장비는 Atomic 이라는단어를통해추론할수있는것처럼아주얇은원자층단위로박막을형성한다. 따라서증착속도가 1 Cycle당 0.5A ~2A ( 옹스트롬 ) 으로매우느리다. 2A ( 옹스트롬 ) 이면 0.2 나노미터수준으로매우얇다. 반면, CVD 장비는수백옹스트롬두께의박막을형성한다. 원익머트리얼즈가합작사설립을통해프리커서사업에진출한이유는자체개발을통해프리커서사업을전개하는과정에서신제품개발진입장벽이높고, 관련인원확보가어렵기때문이다. 개발인력뿐만아니라생산인력의경우에도 4~5개월의교육을마쳐야생산라인근무가가능하다. 따라서프리커서매출이연간기준으로 300억원수준에도달할때까지상당한기간이걸린다. 그러나프리커서신제품공급이성공적으로이루어지는경우영업이익률 30~40% 시현이가능하기때문에, 노바켐지분인수는특수가스위주로이루어진원익머트리얼즈의제품다변화를위해필요한전략적의사결정이었다고판단된다. 원익머트리얼즈, 원익 IPS 실적에연결기준으로합산 원익머트리얼즈의최대주주는원익IPS이며 46.7%( 주식수기준 2,880,000주 ) 를보유하고있다. 따라서원익머트리얼즈의실적은원익IPS의연결실적으로합산된다. 원익머트리얼즈는 2014년매출 1,451억원, 영업이익 273억원, 순이익 200억원을기록했다. 7

8 원익 IPS(030530) (3-2) M&A: 원익 IPS, 2010 년 아토와 아이피에스합병으로탄생 원익IPS는 2010년 아토가 아이피에스를합병하며생겨났다. 아토는반도체용 PECVD( 플라즈마화학증착 ) 장비를공급해왔고, 아이피에스는디스플레이용식각장비를공급해왔다. 양사가합병한이유는제품다변화를통해규모의경제를달성하고, 고객사와의공동연구개발로비용을절감하여효율성을극대화할수있었기때문이다. 양사의합병으로원익IPS는반도체장비, 디스플레이장비, 태양광장비를동시에공급할수있는능력을갖추게되었다. 2010년합병이후즉각적인외형성장이기대되었으나 2011년, 2012년실적은부진했다. 별도기준매출은 2011년 2,505억원, 2011년 2,388억원을기록했고, 연결기준매출은 2011년 3,403억원, 2012년 3,487억원을기록하며정체되었다. 이는당시원익IPS의전방산업수요가 DRAM 투자와맞물려있었는데, 2011년부터 2012년까지주요고객사의 DRAM 투자가전년대비지속적으로감소했기때문이다. 이후 2013년은원익IPS에게중요한해가되었다. 주요고객사의 DRAM 투자가정상수준을회복했고, NAND 구조가 2D에서 3D로변경되면서신규투자가이루어졌기때문이다. 이와같은변화에힘입어 2013년원익IPS의별도기준매출은 2,933억원을시현하며, 전년대비 23% 증가세를기록했다. 원익 IPS, 꾸준한이익시현으로 1Q15 이익잉여금이자본잉여금상회하기시작 동사는 2010년합병이후 2011년부터 2014년까지매년꾸준한이익을시현하여이익잉여금규모가 2배 ( 연결기준 2011년 845억원 1,640억원, 별도기준 2011년 681억원 1,257억원 ) 증가했다. 또한 2015년 1분기, 이익잉여금이자본잉여금규모를처음으로상회하기시작했다. ( 연결기준이익잉여금 1,825억원 vs 자본잉여금 1,698억원 ) 그림 3. 원익 IPS 장비 : 반도체, 디스플레이, 태양광까지적용처확대 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 8

9 DAISHIN SECURITIES (3-3) M&A: 테라세미콘인수. 고온장비및플렉서블 OLED 장비로다변화 2014년, 원익IPS는테라세미콘의지분 13.15% 를 273억원에인수했다. 이를통해제품포트폴리오가열처리장비로확대되었다. 원익IPS의테라세미콘지분인수는반도체장비업체와 OLED 장비업체의만남처럼해석되었지만, 사실상저온증착장비업체와열처리장비업체의만남이라고보는것이타당하다. 원익IPS의주력장비인 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: 플라즈마화학증착 ) 장비는저온증착장비이다. 여기서 저온 은 상대적으로저온 이라는의미이다. PECVD 장비내에서의공정온도는 350~400도로실온대비대단히높은수준이기때문이다. 반면테라세미콘의주력장비는열처리장비이다. 동사는 100~1,350도영역대의저온, 중온, 고온열처리장비를공급한다. 아울러동사는기존열처리장비보다기술적난이도가높은 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition: 저압화학증착 ) 장비및원자단위로서서히증착을전개하는 ALD(Atomic Layer Deposition) 장비까지개발했다. 또한, 반도체장비를통해확보한열처리기술을기반으로디스플레이의대형유리기판을변형없이열처리하는장비를개발했고, 플렉서블 OLED 디스플레이생산공정에서필수적으로사용되는 PI( 폴리이미드 ) Curing( 딱딱하게경화시키는공정 ) 장비도공급하고있다. 자회사와의사업연계를통해고객사요구에적극대응 2015년현재원익IPS는원익머트리얼즈와테라세미콘의지분을각각 46.7%, 13.0% 보유하고있다. 동사는자회사와의사업연계를통해주요고객사의요구에적극적으로대응하고있다. 예를들어원익머트리얼즈가가스를공급하는경우원익IPS는가스공급장치 (Gas Supply System) 를같이공급하고있다. 또한, 디스플레이장비공급시테라세미콘과적극적으로협업하고있다. 테라세미콘과시너지효과가발생하는분야는다음과같다. 1) ALD(Atomic Layer Deposition: 원자단위로천천히증착 ) 장비를공동개발하며, 2) 중국향디스플레이장비마케팅을공동수행하고있다. 테라세미콘의전임대표이사가현재원익IPS의디스플레이사업을총괄하며양사의장비마케팅을동시에담당하고있기때문이다. 적극적인 M&A 는결국원익 IPS 의실적안정과외형성장의기반 이와같은 M&A와협업을통해원익IPS의실적은국내반도체장비업체로서는보기드물게안정화되어있다. 동사가국내반도체장비업체중 M&A에가장적극적인태도를보여왔고, 향후에도관련산업내에서확장의지가뚜렷하다는점에주목해야할것으로판단된다. 9

10 원익 IPS(030530) III. 주요제품 원익 IPS 의주요제품 : 플라즈마를이용한 PECVD 증착장비 원익IPS의주력장비는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: 플라즈마화학증착 ) 장비이다. PECVD 장비는플라즈마 (Plasma) 를이용하여특정소재를웨이퍼에증착시키는장비이다. 플라즈마의힘을이용하기때문에비교적낮은온도에서물질을증착할수있다. PECVD 장비의작동과정은다음과같다. 1) PECVD 장비안에기체를주입한다. 2) 높은전압을수직방향으로가한다. 이는높은전압으로기체를플라즈마상태로바꾸기위해서이다. 기체가플라즈마상태로바뀌면분자상태에서이온상태로변한다. 좀더정확히표현하면, 양전하 (+) 를띈이온과음전하 (-) 를띈이온으로분리된다. 예를들어수증기 ( 기체화된물 : H 2 O) 에높은전압을가하면 2개의 H+ 이온과 O 2 - 이온으로상태가바뀐다. 3) 기체가플라즈마상태로이온화된후적정온도에서화학반응이일어난다. 화학반응을통해특정층 (Layer) 이웨이퍼에균일하게 ( 고르게 ) 증착되고, 나머지이온들은서로결합하여부산물이되어기체상태로배출된다. 원익 IPS 의 PECVD 장비는반도체절연막을증착하는데사용 PECVD 장비는주로절연막등의보호막을증착하는데사용된다. 절연막은반도체내에서전기의흐름을제어한다. 절연막에전압이인가되면전류가흐르지않는다. 동사의 PECVD 장비는 ARC, TEOS 프리커서로만들어진절연막을증착하는데사용된다. ARC(Anti-Reflective Coating: 반사방지용코팅 ) 프리커서로만들어진층은트랜지스터와트랜지스터사이를절연하는층이다. ARC 층이반사를방지하는이유는 ARC 프리커서의굴절률이비교적낮기때문이다. 동사는설립초기부터현재까지메모리반도체생산라인으로 ARC 증착용 PECVD 장비를공급하다가최근에는비메모리반도체생산라인을위해서도동장비를공급하기시작했다. 즉, 원익IPS의 PECVD 장비는 DRAM, 2D NAND, 3D NAND 뿐만아니라시스템LSI에도적용된다. TEOS(Tetraethyl Orthosilicate) 프리커서로만들어진층은 ARC 층처럼절연막기능을수행한다. TEOS 프리커서는화학적으로안정되어비교적취급하기쉬운소재이다. TEOS 층은금속층사이를절연하기때문에 IMD(Inter Metal Dialectric) 으로분류된다. TEOS 층의두께는 1,500A ( 옹스트롬 ) 수준이된다. TEOS 층을증착하는 PECVD 장비는다른층을증착하는 PECVD 장비보다범용장비에가깝다. 따라서향후동사가국내외로고객사를다변화하는데기반이될것으로전망된다. 국내에서원익IPS 외에테스도 PECVD 장비를공급하고있다. 테스의주력제품인 PECVD 장비는패터닝이잘이루어지도록지지해주는하드마스크용 ACL(Amorphous Carbon Layer) 층을증착하는데사용된다. 따라서테스와원익IPS의 PECVD와장비종류는동일하지만, 서로다른층에적용되기때문에상호경쟁관계라고보기는어렵다. 10

11 DAISHIN SECURITIES 그림 4. 원익 IPS 반도체장비 MAHA : 절연막증착용 PECVD 주 : HP 는 High Performance, SP 는 Super Performance 를의미자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 그림 5. 원익 IPS 반도체장비 MAHA : 실제시연시소프트웨어화면구성 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 그림 6. PECVD: 증착공정을위해웨이퍼를이송하는모습 자료 : 업계자료, 대신증권리서치센터 11

12 원익 IPS(030530) 차세대 CVD: 절연막외에새로운층을증착하는데사용 원익IPS는절연막증착에국한된 PECVD 장비제품군을중장기적으로다변화하고자노력하고있다. 원익IPS의주요고객사는 PECVD 장비를 12개이상의 Step에적용하고있다. 동사의 PECVD 장비는그중에서 2개의절연막 Step을담당하고있다. 새로운스텝, 즉새로운층 (Layer) 에동사의장비가적용되는것은매우중요하다. 개발기간까지 2~3년이소요되어신규진입이쉽지않지만, 일단진입하고나면적어도 3년이상캐쉬카우로서실적에기여하기때문이다. 동사는 2015년부터기존에적용되지않던금속막층 (Layer) 을증착하는신제품 CVD 장비를공급할것으로예상된다. 기존제품, 즉절연막증착용 PECVD 장비는주로미국경쟁사의제품을대체하며동사의점유율을확장하는데기여했으며, 신제품 CVD 장비는일본경쟁사의제품을대체할것으로전망된다. 그림 7. 신제품반도체 CVD 장비 : 티타늄 (Ti) 소재등을증착하는데사용 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 표 3. 반도체용 CVD 장비의종류 CVD 장비종류명칭약자원리 Thermal CVD 열에너지로반응기체를분해하고박막을증착 반응에너지원에따른구분 PE CVD Plasma Enhanced 반응기내에전압을가해플라즈마상태를형성하여박막을증착. Thermal CVD 보다상대적으로저온에서박막을증착 HDP CVD High Density Plasma 고밀도의플라즈마상태를형성하여박막을증착 Photon CVD 레이저또는자외선의빛에너지를이용하여박막을증착 공정상의압력수준에따른구분 AP CVD Atmospheric Pressure 공정장비내압력이표준대기압수준 (760 Torr) 에서박막을증착 SA CVD Sub Atmospheric 공정장비내압력을감소시켜대기압대비낮은압력수준에서박막을증착 LP CVD Low Pressure AP CVD, SA CVD 보다더낮은압력수준에서박막을증착 원료물질에따른구분 MO CVD Metal Organic 반응원료는실온에서대부분액체상태. 기화과정을거쳐반응기에주입된후금속원자, 탄소, 산소등과결합하여유기물형성 주 1: Torr - 압력의단위. 표준대기압을 760 Torr 로정의. 760mm 의수은 (Hg) 기둥의높이를표준으로삼기때문. Torr 단위는진공상태또는저기압을표현하는데주로사용. 이탈리아의수학자겸물리학자인 Evangelista Torricelli 의이름을따라명명주 2: 1 Torr = 1 mmhg = Pa( 파스칼 ) 자료 : 대신증권리서치센터 12

13 DAISHIN SECURITIES TGS(Total Gas Solution): 꾸준한효자제품이자캐쉬카우 TGS(Total Gas Solution) 은전공정 장비 라기보다 장치 에가깝다. 반도체, 디스플레이공정에서사용되는초고순도, 고청정가스를공급하는장치이다. 동장치의핵심제품인 Gas Cabinet의공급업체는원익IPS, 케이씨텍, 한양이엔지이며, 3사의점유율이비교적안정적으로유지되고있다. 원익IPS 입장에서 TGS는연결자회사원익머트리얼즈와의시너지효과가발생하는제품이다. 원익머트리얼즈가특수가스를공급할때, 원익IPS가배관공사와함께일괄수주를받기때문이다. TGS는고객사의신규증설시에 CVD 증착장비보다먼저공급되는장치이다. 그러나신규증설뿐만아니라기존생산라인의보완투자에서도활발히적용되고있다. 이는최근국내고객사가반도체생산라인사고대비를위해안전관리와감독을강화하고있기때문이다. 따라서기존에이미완공된생산라인에서도가스공급장치를보완하는투자가꾸준히이루어지고있다. 이와같은추세에힘입어동사는 2013년부터 TGS 부문에서매년 600억원이상의매출을안정적으로기록하고있다. 그림 8. TGS(Total Gas Solution): Gas Cabinet 과 Gas Rack 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 그림 9. 가스장치를이용한배관공사조감도 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 13

14 원익 IPS(030530) 디스플레이장비 : LCD 및 OLED 용건식식각장비 원익IPS는디스플레이장비는 2010년 아토와 아이피에스합병이전에 아이피에스의주력제품이었다. 원익IPS의디스플레이장비는대부분건식식각 (Dry Etcher) 장비이다. 이장비는 TFT-LCD 패널을제조할때, 유리기판위에원하는대로패턴을형성하기위한핵심공정장비이다. 원익IPS는 LCD 분야에서 8세대유리기판 (2,200mm x 2,500mm) 용건식식각장비를국산화하는데크게기여했으며, 동제품은 OLED 분야의 5.5세대및 6세대생산라인에서도사용되고있다. 고객사내에서동사의건식식각장비점유율은 70% 이상으로매우높은편이다 그림 10. 디스플레이용건식식각장비 : LCD 공정용 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 그림 11. 디스플레이용건식식각장비 : OLED 공정용 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 14

15 DAISHIN SECURITIES 동사의주요고객사가글로벌반도체설비투자주도 동사의삼성전자향매출비중은연평균 70~80% 수준이다. 주요매출처가 1곳이라는점은동사의단점이자, 강점이다. 주요고객사인삼성전자가글로벌반도체설비투자의속도를좌지우지하고있기때문이다. 특히메모리반도체 (DRAM, NAND) 뿐만아니라비메모리반도체투자를적극전개하고있다. 비메모리반도체의 Foundry 부문에서전세계적으로대규모투자를집행할수있는회사는삼성전자외에미국 Intel, 대만 TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) 뿐이라고해도과언이아니다. 따라서삼성전자가투자를계속하는한동사의외형성장기회는지속적으로확대될것으로예상된다. 동사의성장동력은주요고객사의국산화의지 동사의성장동력은삼성전자의대규모투자이지만, 좀더본질적인성장동력은삼성전자의장비국산화의지이다. PECVD 장비는반도체공정내에서 12개이상의층 (Layer) 증착에적용된다. PECVD 장비가국산화되기이전에이와같은층은모두외국산 PECVD 장비로증착이이루어졌으나, 원익IPS의 CVD 장비는그중에 2개층을증착하고있으며, 2015년에는적용층수를늘리기위해장비를개발하고있다. 외국산장비와동사장비의점유율은 7:3 수준이지만, 향후다른층을증착할때에동사 PECVD 장비가추가로사용된다면, 동사의점유율은점점더증가할것으로전망된다. 삼성전자의장비국산화의지가강하고, 특히시안 2단계투자및평택투자시국산화장비의적용이빨라진다는점을고려해볼때, 원익IPS의외형성장은적어도 3년이상지속될전망이다. 15

16 원익 IPS(030530) SK 하이닉스등공급처다변화노력중 동사는비록소규모이긴하지만 2014년에 SK하이닉스에 2D NAND 생산라인용 PECVD 장비를공급하였으며, 2015년에는 DRAM 생산용으로 Metal CVD(Chemical Vapor Deposition: 금속소재의화학적증착 ) 장비및 ALD(Atomic Layer Deposition: 원자단위로천천히증착 ) 장비를공급하기위해준비중이다. 연구개발을중시하는회사분위기 동사는연간 KPI(Key Performance Index) 에연구개발실적이포함되어있을정도로연구개발을매우중시한다. 매년매출의 10% 를연구개발에투자하고있으며 ( 별도기준 ), 이는반도체장비업체평균 7~8% 대비매우높은수준이다. 동사는연구개발비의 80% 를비용으로처리하고있으며, 20% 는상각처리한다. 연구개발인력은동사의전체임직원 652명중 50% 이상을구성하고있다. 동사가업계최고수준으로엔지니어를우대하고있어, 동사핵심인력이외부로유출될가능성은매우낮다. 그림 12. 원익 IPS 연구개발로드맵 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 16

17 DAISHIN SECURITIES 특허권등록 423 건, 출원 453 건으로풍부한지적재산권보유 동사는창사이후현재까지특허권중 423건을등록했고, 453건을출원했다. 이는국내반도체장비업체상장사중에서최고수준이라고보아도과언이아니다. 2015년 1분기에도 7건의특허권을신규로등록했다. 주요내용은다음과같다. 1) 진공처리장치의운송및조립방법 2) 박막증착방법 3) 인라인반도체제조시스템 4) 진공처리장치 5) 기판처리장치 6) 반송장치와반송챔버등을포함하는진공처리시스템 7) 박막증착장치및동장치의세장방법 현재생산능력으로매출 1 조원가능. 증설보다신제품연구개발에주력 동사는 2015년현재보유하고있는생산능력을기준으로연간매출 1조원까지달성가능하다. 2014년기준동사의별도기준매출이 4,133억원이라는점을고려한다면, 향후동사매출이연평균 20% 성장하더라도적어도 2017년까지신규설비증설없이매출 1조원규모의고객사수주에대응가능하다. 따라서당분간동사는설비증설보다신제품연구개발에주력할것으로전망된다. 동사는평택시진위면과지제동등에사업장을보유하고있으며, 2014년연말기준으로진위사업장과지제동사업장의생산능력은각각 180 시스템, 1,440 시스템이다. 진위사업장에서는반도체용 CVD( 화학증착 ) 장비, 디스플레이용식각장비등이생산되고있으며, 평택사업장에서는 Gas Cabinet( 반도체클린룸내에서가스공급 ) 장치가생산되고있다. 그림 13. 평택시진위면사업장 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 17

18 원익 IPS(030530) 그림 14. 평택시지제동사업장 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 18

19 DAISHIN SECURITIES IV. 실적전망 2015 년실적전망 : 별도기준으로 4,941 억원, 885 억원전망 2015년원익IPS 매출및영업이익은연결기준 6,666억원, 1,176억원으로전망되며, 별도기준 4,941억원, 885억원으로전망된다. 영업이익률은전년대비 2%p 개선된 18% 로예상된다. 2015년동사실적의견인차는 (1) 주요고객사의 DRAM 신규증설및미세공정전환투자, (2) 차세대 NAND 신규증설및적층수확대투자이다. 그외에반도체장비용부품 (Part) 매출과가스공급장치등 TGS(Total Gas Solution) 매출도전년대비증가할것으로전망된다. 따라서반도체장비부문에서 60% 이상의실적기여가예상된다. 반도체장비가외형성장기여 : 고객사신규증설에따른수주 + Cash Cow 반도체장비부문매출만따로살펴보면동사는 2013년 1,509억원, 2014년 2,671억원, 2015년 3,000억원 ( 추정 ) 을기록하며연간 1,500억원을크게상회하는매출을꾸준히시현하며뚜렷한외형성장을보여주고있다. 이와같은대규모매출을시현하는전공정장비업체는피에스케이, 케이씨텍등소수의업체에불과하다. 반도체장비는 1대당가격이 30~50억원수준이기때문에연간 30~50대장비를꾸준히수주해야 1,500억원이상의매출시현이가능하다. 원익IPS가반도체장비만으로이와같은대규모매출을시현하는이유는신규증설뿐만아니라 (1) 미세공정전환, (2) 기존에공급했던장비의부품 (Part) 및서비스매출등유지보수부문에서도꾸준하게매출이발생하고있기때문이다. 글로벌 1위반도체장비업체인미국 AMAT(Applied Materials: 어플라이드머티리얼즈 ) 는부품및서비스매출을 AGS(Applied Global Services) 라고부르며별개사업부문으로구분하고있다. 이는다양한고객사의서비스수요를기반으로부품및서비스매출이꾸준히발생하고있기때문이다. AMAT의 AGS 사업의매출기여도는 20~25% 로추정된다. 원익IPS의부품 (Part) 및서비스사업도기존매출기여도는한자릿수수준에불과했지만조만간 10% 이상을상회하며동사의 Cash Cow로자리매김할것으로전망된다. 19

20 원익 IPS(030530) 분기별전망 : 2 분기가바닥으로예상되나주가영향은제한적일전망 각분기별매출을추정해보면, 2분기에바닥확인후 3분기와 4분기에각각 1,400억원을상회하는매출을시현할것으로예상된다. 이는주요고객사의 DRAM 신규증설용장비매출이 1분기에대부분마무리되기때문이다. 차세대 NAND 신규증설및적층수확대투자는하반기동사실적에주로기여하게될것으로전망된다. 과거에는분기실적이저점을기록하는경우주가가선행적으로조정받는경우가있었으나, 이번에는주가조정가능성이낮을것으로전망된다. 하반기고객사의투자로드맵에대한가시성이높기때문이다. 표 4. 원익 IPS 연결실적추정 ( 단위 : 십억원, %) 매출 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15F 3Q15F 4Q15F 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F F 2016F 연결매출 원익 IPS( 별도 ) 원익머트리얼즈 연결영업이익 원익 IPS( 별도 ) 원익머트리얼즈 영업이익률 % 20% 11% 14% 18% 19% 16% 18% 18% 17% 19% 19% 19% 13% 16% 18% 19% 원익 IPS( 별도 ) 21% 2% 12% 18% 20% 15% 18% 18% 17% 16% 20% 20% 10% 16% 18% 18% 원익머트리얼즈 19% 23% 21% 19% 15% 19% 16% 17% 19% 22% 17% 19% 20% 20% 17% 19% 자료 : 각사, 대신증권리서치센터 표 5. 원익 IPS 장비제품별매출비중 : 반도체중심 1Q12 2Q12 3Q12 4Q12 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 반도체 62% 66% 46% 57% 39% 31% 30% 73% 71% 83% 48% 63% 81% 디스플레이 6% 2% 35% 15% 34% 41% 36% 7% 17% 3% 16% 12% 0% 태양광 2% 3% 0% 5% 0% 1% 8% 0% 1% 0% 0% 1% 0% 가스장치등 31% 29% 18% 23% 27% 27% 26% 20% 10% 14% 36% 24% 18% 자료 : 원익 IPS, 대신증권리서치센터 20

21 DAISHIN SECURITIES V. 투자리스크 리스크와그에대한평가 : (1) 고객사의투자속도둔화 실적이아니라주가모멘텀이라는관점에서, 원익IPS의가장큰리스크는고객사의투자속도둔화이다. 그러나만약에속도가둔화되더라도, 실적에는별다른영향이없을것으로예상된다. 앞서언급한바와같이동사의외형성장동력은설비증설이라기보다고객사의국산화의지이기때문이다. 동사의주력제품인 PECVD 장비는최초에공정내에서 2개스텝 (Step) 에서만적용되었지만향후적용되는스텝수가확대될전망이다. 따라서동사의신규 CVD 장비는미국및일본장비를대체하며, 동사의지속적인외형성장을주도할것으로예상된다. 리스크와그에대한평가 : (2) EUV 노광장비도입가능성 원익IPS의리스크중하나는주요고객사의 EUV(Extra Ultra Violet: 극자외선 ) 노광장비도입가능성이다. EUV 노광장비가도입되면더블패터닝 (Double Patterning: 미세한회로를만들기위해같은위치에노광공정을 2번진행하는방식 ) 또는쿼드러플패터닝 (Quadruple Patterning: 더블패터닝공정적용시보다더욱미세한회로를만들기위해같은위치에노광공정을 4번진행하는방식 ) 이필요없다. 따라서반도체전공정스텝 (Step) 수가감소되어, 증착장비의쓰임새가줄어들가능성이있다. 예를들어정교한식각을돕는하드마스크 (Hardmask) 층을증착하는 PECVD 장비는 EUV 도입과관계없이지속적으로필요하지만, 절연막의일종인 ARC 층을증착하는 PECVD 장비는소요량이감소할수있다. 이와같은우려감이있긴하지만, 적어도 2018년까지 EUV 노광장비로인한리스크에대해크게고려하지않아도될것으로전망된다. 이는 EUV 노광장비가양산에도입되더라도미세공정속도가빠른비메모리반도체분야에먼저적용될것으로예상되고, 비메모리반도체양산적용이후에도 DRAM에적용되기까지 1~2년이상소요되기때문이다. 아울러 EUV를독점생산하는네덜란드 ASML사의장비공급속도가빠르지않다. 2015년 4월 22일미국종합반도체회사 Intel이 ASML에 EUV 노광장비를 15대주문했지만, ASML은 4세대신제품 NXE: 3350B를 2015년연말까지 2대출하하는것을목표로하고있다. 이는 EUV 노광장비의효율성이낮아, 아직까지 1일 (24시간) 동안에웨이퍼 1,000장을처리하는수준이며, 전공정내에서사용되는다른장비와보조를맞추려면최소한 1,500장이상의처리속도를구현해야하기때문이다. 또한, 국내종합반도체업체가 EUV 노광장비를도입하더라도, 동장비를노광공정에 100% 적용하지않을것으로전망된다. Critical Layer 등에일부적용하고, 원가절감을위해 EUV 장비와기존의더블패터닝및쿼드러플패터닝장비를병행하여사용할것으로예상된다. 21

22 원익 IPS(030530) 리스크와그에대한평가 : (3) 대주주관점에서다소취약한지분구조 원익IPS의최대주주는원익그룹의모기업인 원익이며 10.2% 의지분을보유하고있다. 그외에원익그룹의이용한회장, 원익QnC, 삼성전자, 삼성디스플레이, Applied Materials Korea가각각 6.8%, 5.5%, 4.5%, 4.5%, 3.6% 의지분을보유하고있다. 한편 2010년원익과아이피에스의합병에따라자기주식을보유하게되었고, 2005년 3월및 2015년 2월에일부처분한이후에도, 6.2%( 주식수기준 5,010,088주 ) 의자기주식을보유하고있다. 일반적으로대주주의단독지분이 20~30% 를상회하는코스닥기업에비해지분구조가다소취약해보이지만, 원익, 원익QnC, 이용한회장의합산지분이 23% 이고, 동사와주요고객사와의우호적관계를고려한다면실질적인주요주주지분은 31% 인것으로파악된다. 한편자기주식및 Applied Materials Korea의보유지분 (6.2%, 3.6%) 이언젠가는시장에출회될가능성이있으나, 원익IPS가과거수년간기업가치를극대화하는방향으로사업구조개편및인수합병을전개했고, 중장기적으로두자릿수외형성장이가능하다는점을고려한다면, 단기적으로자기주식과 Applied Materials Korea의보유지분출회로인한기업가치감소가능성은낮을것으로전망된다. 22

23 DAISHIN SECURITIES 재무제표 포괄손익계산서 ( 단위 : 십억원 ) 재무상태표 ( 단위 : 십억원 ) 2013A 2014A 2015F 2016F 2017F 2013A 2014A 2015F 2016F 2017F 매출액 유동자산 매출원가 현금및현금성자산 매출총이익 매출채권및기타채권 판매비와관리비 재고자산 영업이익 기타유동자산 영업이익률 비유동자산 EBITDA 유형자산 영업외손익 관계기업투자금 관계기업손익 기타비유동자산 금융수익 자산총계 ,085 외환관련이익 유동부채 금융비용 매입채무및기타채무 외환관련손실 차입금 기타 유동성채무 법인세비용차감전순손익 기타유동부채 법인세비용 비유동부채 계속사업순손익 차입금 중단사업순손익 전환증권 당기순이익 기타비유동부채 당기순이익률 부채총계 비지배지분순이익 지배지분 지배지분순이익 자본금 매도가능금융자산평가 자본잉여금 기타포괄이익 이익잉여금 포괄순이익 기타자본변동 비지배지분포괄이익 비지배지분 지배지분포괄이익 자본총계 순차입금 Valuation 지표 ( 단위 : 원, 배, %) 현금흐름표 ( 단위 : 십억원 ) 2013A 2014A 2015F 2016F 2017F 2013A 2014A 2015F 2016F 2017F EPS ,005 1,256 1,383 영업활동현금흐름 PER 당기순이익 BPS 3,976 4,434 5,435 6,688 8,069 비현금항목의가감 PBR 감가상각비 EBITDAPS 983 1,408 1,739 2,100 2,292 외환손익 EV/EBITDA 지분법평가손익 SPS 5,757 6,922 8,280 9,692 10,662 기타 PSR 자산부채의증감 CFPS 1,083 1,492 1,828 2,176 2,356 기타현금흐름 DPS 투자활동현금흐름 투자자산 재무비율 ( 단위 : 원, 배, %) 유형자산 A 2014A 2015F 2016F 2017F 기타 성장성 재무활동현금흐름 매출액증가율 단기차입금 영업이익증가율 사채 순이익증가율 장기차입금 수익성 유상증자 ROIC 현금배당 ROA 기타 ROE 현금의증감 안정성 기초현금 부채비율 기말현금 순차입금비율 NOPLAT 이자보상배율 FCF 자료 : 원익IPS, 대신증권리서치센터 23

24 원익 IPS(030530) [Compliance Notice] 금융투자업규정 4-20조 1항5호사목에따라작성일현재사전고지와관련한사항이없으며, 당사의금융투자분석사는자료작성일현재본자료에관련하여재산적이해관계가없습니다. 당사는동자료에언급된종목과계열회사의관계가없으며당사의금융투자분석사는본자료의작성과관련하여외부부당한압력이나간섭을받지않고본인의의견을정확하게반영하였습니다. ( 담당자 : 김경민, CFA) 본자료는투자자들의투자판단에참고가되는정보제공을목적으로배포되는자료입니다. 본자료에수록된내용은당사리서치센터의추정치로서오차가발생할수있으며정확성이나완벽성은보장하지않습니다. 본자료를이용하시는분은동자료와관련한투자의최종결정은자신의판단으로하시기바랍니다. [ 투자의견및목표주가변경내용 ] 원익 IPS(030530) 투자의견및목표주가변경내용 투자등급관련사항 ( 원 ) 20,000 15,000 10,000 5,000 Adj. Price Adj. Target Price 산업투자의견 - Overweight( 비중확대 ) : 향후 6 개월간업종지수상승률이시장수익률대비초과상승예상 - Neutral( 중립 ) : 향후 6 개월간업종지수상승률이시장수익률과유사한수준예상 - Underweight( 비중축소 ) : 향후 6 개월간업종지수상승률이시장수익률대비하회예상 제시일자 투자의견 Buy 목표주가 18,500 제시일자투자의견목표주가제시일자투자의견목표주가제시일자투자의견목표주가 기업투자의견 - Buy( 매수 ) : 향후 6개월간시장수익률대비 10%p 이상주가상승예상 - Marketperform( 시장수익률 ): : 향후 6개월간시장수익률대비 -10%p~10%p 주가변동예상 - Underperform( 시장수익률하회 ) : 향후 6개월간시장수익률대비 10%p 이상주가하락예상 24