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1 테라세미콘 (123100) 기업분석 디스플레이 2012 년 03 월 27 일 Analyst 어규진 매수 ( 신규 ) 차세대 AMOLED 기술과함께간다 목표주가 44,000원 현재가 (3/26) 30,200원 KOSDAQ (3/26) pt 시가총액 245십억원 발행주식수 8,101천주 액면가 500원 52주최고가 34,900원 최저가 23,300원 60 일일평균거래대금 8십억원 외국인지분율 1.4% 배당수익률 (10.12 월 ) 0.0% 주요제품매출비중 디스플레이장비 63.4% 반도체장비 31.6% 주주구성 장택용외 10 인 36.07% 국민연금공단 6.28% 주가상승률 1M 6M 12M 상대기준 -13% 0% 0% 절대기준 -10% 0% 0% 열처리기술기반의디스플레이및반도체장비공급 테라세미콘은열처리기술기반의장비업체로디스플레이의열처리장비, Curing 장비, SGS(Super Grain Silicon) 장비와반도체의열처리장비를공급하고있다 년 SMD A2 라인에 LTPS 열처리장비를독점공급하면서큰폭의매출성장을기록하였다. 또한반도체 LP-CVD(Low Pressure-Chemical Vapor Deposition) 장비를 2 분기부터삼성전자에신규공급할예정이다. Oxide TFT, Flexible 로장비적용범위확대 향후디스플레이기술의발전방향은 1) UD TV 구현을위한 Oxide TFT, 2) 얇고가벼운 Flexible 디스플레이개발이다. Oxide TFT 의 IGZO 박막과 Flexible 디스플레이의 Polyimide 박막을제조하기위해서는 Curing 장비를통한열처리공정이추가된다. 동사의 Curing 장비는 SMD A2-Phase3 라인에독점공급되고있으며, Oxide TFT LCD 용 Curing 장비도추가개발중이다. 이와같이동사는차세대디스플레이공정변화에맞춘신규장비군을개발하여장비적용범위를확대하고있다. 투자의견매수, 목표주가 44,000 원으로커버리지개시 테라세미콘에대해투자의견매수와목표주가 44,000 원으로커버리지를개시한다. 목표주가 44,000 원은 2012 년예상 EPS 3,678 원에목표 PER 12 배 (SMD AMOLED 관련장비공급업체평균 ) 를적용해산출하였다. 동사는 SMD A2 라인부터 AMOLED 공정에필수적인열처리장비를독점적으로공급하고, Flexible, Oxide TFT 같은차세대 AMOLED 기술에대응하는장비라인업을보유했다는점에서 PER 12 배적용은무리없는수준이라고판단한다. 테라세미콘주가추이 (P) KOSDAQ( 좌 ) 600 테라세미콘 ( 우 ) ( 원 ) 40,000 35,000 30,000 25,000 20,000 15,000 10,000 5,000 0 ( 단위 : 십억원, 배 ) P 2012F 2013F 매출액 영업이익 세전이익 당기순이익 EPS( 원 ) ,338 3,678 4,847 증가율 (%) , 영업이익률 (%) 순이익률 (%) ROE(%) PER PBR EV/EBITDA 자료 : Company data, IBK 투자증권예상 본조사분석자료는당사리서치센터에서신뢰할만한자료및정보를바탕으로작성한것이나당사는그정확성이나완전성을 보장할수없으며, 과거의자료를기초로한투자참고자료로서향후주가움직임은과거의패턴과다를수있습니다. 고객께서는자신의판단과책임하에종목선택이나투자시기에대해최종결정하시기바라며, 본자료는어떠한경우에도 고객의증권투자결과에대한법적책임소재의증빙자료로사용될수없습니다.

2 Contents I. Valuation...3 투자의견매수, 목표주가 44,000 원제시... 3 II. 기업개요...4 열처리기술기반의디스플레이및반도체장비업체... 4 III. 투자포인트 SMD에 LTPS 열처리장비독점적공급 Flexible Curing장비독점공급 Oxide TFT에도열처리장비필요 SGS장비의가능성은 Plus Alpha 반도체, 안정적인열처리장비 + LPCVD 신규진입 CIGS용셀렌화 Furnace는미래성장동력... 9 IV. 리스크요인 Oxide 시장의빠른개화 세대 LTPS 공정 ELA 독점, 경쟁사진입...10 V 년연간실적전망

3 I. Valuation 투자의견매수, 목표주가 44,000 원제시 테라세미콘매수 ( 신규 ), TP 44,000원목표주가 44,000원은 2012년 EPS 3,678원에 PER 12배를적용한값 테라세미콘에대해투자의견매수와목표주가 44,000 원을신규제시한다. 투자의견매수를제시하는이유는 1) SMD A3 라인신규증설에따른열처리장비의매출증가, 2) Flexible AMOLED 개발에따른 Curing 장비의적용범위확대, 3) Oxide TFT 제조를위한산화고온열처리장비의추가, 4) 신규 LPCVD 장비양산으로반도체장비매출성장이기대되기때문이다. 목표주가는 2012 년예상 EPS 인 3,678 원에 SMD AMOLED 관련장비업체들의 2012 년평균 PER 12 배를적용하여산출했다. 동사는 1) 향후 AMOLED 기술변화에큰영향없는필수적인열처리장비를공급하고, 2) SMD A2 라인에독점공급한경험이있으며, 3) Flexible, Oxide TFT 같은차세대 AMOLED 기술에대응하는장비라인업을보유했다는점에서동종업계평균 PER 적용은무리없는수준이라고판단한다. 표 1. 테라세미콘목표주가산출 ( 단위 : 원, 배, %) 구분 적정가치 비고 EPS 3, 년예상 EPS 적용 PER 12.0 OLED 관련장비업체평균 PER 적정가치 44,132 목표주가 44,000 현주가 30,200 3/26일종가기준 상승여력 45.7% 투자의견매수 자료 : IBK 투자증권 그림 1. 테라세미콘주가및 PER band 차트 ( 천원 ) Price 자료 : Quantiwise, IBK 투자증권 그림 2. 테라세미콘주가및 PBR band 차트 ( 천원 ) Price 자료 : Quantiwise, IBK 투자증권 3

4 II. 기업개요 열처리기술기반의디스플레이및반도체장비업체 디스플레이및반도체열처리장비메인공급업체삼성전자, SMD 라인증설로가파른실적성장전망 테라세미콘은열처리기술기반의디스플레이및반도체장비업체로디스플레이의열처리장비, Curing 장비, SGS(Super Grain Silicon) 장비와반도체의열처리장비를공급하고있다. 또한반도체 LP-CVD(Low Pressure-Chemical Vapor Deposition) 장비를 2 분기부터삼성전자에신규공급할예정이다. 신사업으로고효율박막태양전지방식인 CIGS(Copper Indium Gallium Selenide) 의 Selenization 장비를삼성 SDI 에공급하기위하여개발진행중이다 년동사매출의 72.3% 를반도체장비가담당하였다. 하지만 2011 년이후 SMD 의 A2 라인에열처리장비를대규모공급하면서현재는디스플레이장비가동사의주요매출을차지하고있다. 주요고객별비중은 SMD 향디스플레이장비공급비중이 60% 이상으로가장많고, 삼성전자반도체장비매출비중이 20% 수준으로삼성그룹이전체매출의대부분을차지하고있다. 향후 SMD 의 AMOLED 신규라인증설과삼성전자의비메모리및 NAND 투자로삼성그룹의성장과함께큰폭의매출증가가이루어질전망이다. 표 2. 테라세미콘제품및매출현황 ( 단위 : 십억원 ) 사업부문 품목 제품설명 생산개시일 2010년 상반기매출액 ( 비중 ) 매출액 ( 비중 ) 열처리장비 LTPS 공정의수소화, 탈수소화, Activation 공정열처리담당 디스플레이장비 Curing 장비 Flexible Polyimide 증착후 Multi-step 열처리로고체화진행 (27.6%) 52.9(63.4%) 결정화장비 a-si 을 p-si 으로전환하기위한 non-laser annealing 장비 반도체장비 열처리장비박막을형성하기위한확산공정의고온열처리장비 (72.3%) 24.4(31.6%) LPCVD 저압상태에서화학적으로박막을형성하는증착장비 H - - 기타매출 0.04(0.08%) 0.03(0.05%) 총계 자료 : 테라세미콘, IBK 투자증권 그림 3. 매출처별매출비중추이 ( 십억원 ) 90 삼성반도체삼성오스틴 LGD 삼성 LCD SMD H 자료 : 테라세미콘, IBK 투자증권 4

5 III. 투자포인트 1. SMD 에 LTPS 열처리장비독점적공급 SMD A2라인열처리장비독점공급 LTPS 열처리장비, 4가지공정에적용중독보적인 Batch식열처리기술 A2라인공급경험으로 A3라인지속수주전망 동사는 SMD 의 A2 라인에열처리장비를독점적으로공급하면서 AMOLED 전공정주요장비공급업체로주목받기시작했다. 기존 a-si TFT 공정에서는열처리장비가중요하지않았으나 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 공정은 p-si TFT 적용에따른다양한열처리장비가필요하다. 중소형 AMOLED 패널구동을위해서는 150cm 2 /Vs 수준의 High Mobility 가필수적인구조이므로 SMD 에서도중소형 AMOLED 의 TFT Backplane 으로 LTPS 공정을양산에적용중이다. 동사는 SMD A2 라인에서수소화, 활성화, 탈수소화, Frit Sintering 의 4 가지공정에열처리장비를공급하고있다. 1) 수소화공정은 a-si 증착후결정화진행전실리콘의손상을방지하기위한열처리공정, 2) 활성화공정은 Ion Doping 후불안정한불순물을제어하기위한열처리공정, 3) 수소화공정은 Active layer 와금속막간의계면특성개선을위한열처리공정, 4) Frit Sintering 은 Glass 봉지공정에서 Frit 재료를 Laser 조사하기전에미리열처리진행하는공정이다. 동사가 SMD 에열처리장비를독점적으로공급하는이유는 Batch 식열처리장비에대한독보적인기술력을보유하고있기때문이다. Single 식열처리방식은고온에서 Glass 를 1 장씩빠르게진행되는데반해 Batch 식은상대적으로저온에서여러장의 Glass 를한번에진행하는공정이다. Glass 를기판으로사용하는디스플레이공정에서는저온의 Batch 식열처리장비가유리하다. 또한여러 Glass 를동시에진행하여생산성이우수한장점으로 SMD 는열처리장비로 Batch 방식을적용중이다. 기존 4.5 세대 AMOLED 패널의 Batch 식열처리장비는일본의 Koyo 와 MES 가독점하였었다. 하지만 5.5 세대로패널이커지면서대형 Chamber 의균일한온도제어에대한문제가부각되었다. 이를동사가구간별온도관리로 Chamber 내부의균일한온도를유지하면서열처리장비국산화에성공하였다. 향후증설예정인 SMD A3 라인에서도 A2 에서사용한 5.5 세대열처리장비가동일하게사용되므로대량양산경험이있는동사의지속적인수주가전망된다. 표 3. Batch 식과 Single 식열처리공정비교 Batch Single 기판처리방식 한번의공정에여러장의기판동시진행 한번의공정에한장의기판진행 생산성 높음 낮음 공정시간 긴시간 짧은시간 적용공정 열처리, CVD RTP, CVD, Photo, Etch 제조회사 TEL, HKE, Koyo, TERA AMAT, 원익IPS, 유진테크, 비아트론 자료 : 테라세미콘, IBK 투자증권 5

6 2. Flexible Curing 장비독점공급 Polyimide 고형화를위해 Flexible Curing장비필요 SMD A2-Phase3 라인독점공급중 SMD 는 A2-Phase3 라인을 Flexible AMOLED 대응공정으로증설중이다. Flexible 대응을위한 Polyimide 기판은우베코산과의합작법인을통해공급받는다. 현수준의 Flexible AMOLED 는원판 Glass 위에 Polyimide 용액물질을 Coating 한후 AMOLED 패널을형성하고마지막에 Glass 와 Polyimide 를분리하는방식이다. 이때용액상태의 Polyimide 를 Glass 위에 Coating 한후고형화시키는열처리공정이필요하고이공정을동사의 Curing 장비가담당하고있다. 동사의 Flexible Curing 장비는 SMD A2-Phase3 라인에독점으로공급중이다. Flexible Curing 장비는 Multi-Step 열처리방식으로일반열처리장비대비어려운기술이다. 높은기술장벽과양산경험으로 A3 라인에서도동사의 Flexible Curing 장비가지속공급될예정이다. 비록고온에민감한 Flexible 공정특성으로동사장비의적용범위축소 (Frit Sintering, SGS) 가예상되지만이는 Curing 장비매출로충분히보완될것이다. 결국 SMD 의 Flexible AMOLED 투자와함께동사의매출은큰폭으로성장할전망이다. 그림 4. 테라세미콘디스플레이장비적용공정 < a-si TFT > < p-si TFT AMOLED > <TERA 제품 > < Flexible AMOLED > Glass Substrate Glass Substrate PI + Glass Substrate Flexible Curing Gate Electrode Buffer Sio2 Glass위에 Polyimide를 Coating후 Flexible Curing Multi-Step 열처리공정으로고형화함 CVD Deposition a-si Deposition Buffer Sio2 (Sinx / a-si / n+a-si Dehydrogenation a-si Deposition Active Etch SGS 결정화장비 Crystallization a-si을 p-si으로변환시키기위하여 Dehydrogenation S/D Deposition 촉매증착후열처리결정화진행 Gate Insulator Crystallization S/D Etch Gate Electrode Gate Insulator N+ a-si Etch 열처리장비 Ion Doping(p+, n+, n-) 탈수소 : 결정화전 a-si 손상방지 Gate Electrode 활성화 : 도핑후불안정한불순물제어 Activation 수소화 : 계면특성개선을위한공정 Ion Doping(p+, n+, n-) Frit Sintering: Frit 재료열처리공정 Inter-layer Insulator Activation Hydrogenation Inter-layer Insulator S/D Electrode Oxide TFT Curing Hydrogenation IGZO 소재증착후 Curing 진행 Passivation Passivation 막의불균일및특성저하를개선시킴 S/D Electrode ITO ITO Passivation Frit Sintering ITO Thin Film Encap. 자료 : IBK 투자증권 6

7 3. Oxide TFT 에도열처리장비필요 Oxide TFT는저렴하고성능좋은미래기술 IGZO 산화물특성보완을위해 Curing 장비필요 Oxide TFT LCD의추가수주관점접근유효 Oxide TFT 는기존에적용하던 Si 계열의 TFT 반도체를사용하지않고 InGaZnO 기반의투명한산화물을적용하여 TFT 를설계하는기술이다. Oxide TFT 공정의가장큰장점은 a-si 제조수준의비용으로 p-si 에가까운성능 (Mobility) 을구현할수있다는점이다. 현재 Sharp 와 LG 디스플레이, 삼성전자중심으로 Oxide TFT 상용화를위한활발한기술개발이이루어지고있다. 향후 LCD 뿐만아니라대면적 AMOLED 에서도 TFT Backplane 의표준으로자리잡을전망이다. Oxide TFT 공정은 IGZO 산화물을 Sputtering 을이용하여 Active 막을형성하는데이때막의불균일및특성저하등의문제가존재한다. 이를해결하기위해동사의열처리장비로 Wet Annealing 공정을진행하여우수한 IGZO TFT 를제작하게된다. 또한 Oxide Contact 부 Annealing 공정에도동사의열처리장비가추가되게된다. 이에 Oxide TFT 공정의개발은동사의신규열처리의수요를창출할전망이다. Oxide TFT 공정에서는 LTPS TFT 공정에적용되던수소화및탈수소화고온열처리공정이빠지게된다. 이는동사가담당하는열처리공정의축소를의미한다. 하지만 Oxide TFT 는중소형모델대비 Mobility 민감도가낮은 TV 용대형 AMOLED 패널에적합한기술이다. 또한현재로서 SMD 8 세대 AMOLED 패널의첫양산은 LTPS TFT 바탕으로진행될가능성이높다. 결국 Oxide TFT 공정개발은 8 세대 AMOLED 패널의 Oxide TFT 적용리스크보다는 Oxide TFT LCD 적용에따른동사의열처리장비범위확대를의미한다. 표 4. TFT Backplane 소자별특성비교 a-si p-si Oxide 세대 10G 5.5G 10G 반도체 Amorphous Si Poly Si IGZO Mobility 0.5~1.0cm 2 /Vs 100~150cm 2 /Vs 5~30cm 2 /Vs Mask step 4~5 7~11 4~5 TFT uniformity Good Poor Good TFT 안정성 Poor Good Good 공정온도 150~ ~ ~350 제조비용 Low High Low 공정수율 High Low High SOG impossible possible possible 자료 : Displaybank, IBK 투자증권 7

8 4. SGS 장비의가능성은 Plus Alpha LTPS 대형화위해 A-ELA, SGS방식검토중 SGS결정화는대형패널을저렴하게제조가능 ELA vs SGS 기술대형패널선점을위한경쟁중 LCD 와달리높은전자이동도를요구하는 AMOLED 패널에서는 LTPS 공정이필수다. 현재 SMD 가적용중인 LTPS 공정은 a-si 을고온의레이저로녹인후 p-si 으로재결정화하는 ELA(Excimer Laser Annealing) 공정이다. ELA 공정은이미양산이검증된안정된기술이고, TFT 성능도우수하지만 8 세대패널에서는높은장비가격과레이저소스교체에따른유지보수비용발생문제가존재한다. 이에 Oxide TFT 공정과함께동사의고온열처리방식인 SGS 공정이검토중이다. 동사의 SGS(Super Grain Silicon) 결정화장비는고상의 a-si 에 Ni 촉매를입히고열을가하여 Grain 이큰 p-si 을제조하는방식이다. 즉 Laser 를사용하지않는방식으로기술 Concept 상대면적대응에용이하고장비가격이나유지보수비용이낮은장점이있다. 반면 Glass 전면에고온의열을가하므로균일도가낮고, Flexible 대응에는어려운단점이있다. 현재 SMD V1 Pilot 라인에 AP 시스템의 A-ELA 장비와동사의 SGS 장비가동시에납품되어 Test 진행중이다. 중소형 SMD 라인에독점공급되면서이미기득권을가진 ELA 장비와의경쟁이부담스럽지만가격민감도가큰 8 세대 AMOLED 패널에서는 SGS 의가격경쟁력이큰무기로작용될전망이다. 또한 AMOLED TV 는중소형패널만큼모델이다양하지않으므로 ELA 장비와 SGS 장비가동시에적용될가능성도존재한다. 결국 AMOLED 패널의대형화로동사의 SGS 장비수주가능성은높아질전망이다. 그림 5. ELA 공정 그림 6. SGS 공정 자료 : IBK 투자증권 자료 : IBK 투자증권 8

9 5. 반도체, 안정적인열처리장비 + LPCVD 신규진입 반도체용확산열처리장비삼성전자공급중 LPCVD 신규장비 2분기공급전망삼성전자반도체라인증설로안정적인성장전망 동사의반도체장비는확산공정에적용되는 Batch 식열처리장비로주요고객은삼성전자이다. 기존삼성전자 Batch 식열처리장비는 TEL 과 Hitachi 가양분했으나, 2009 년부터동사가본격적으로열처리장비를공급하였다 년이후삼성전자신규열처리장비에대한동사의공급점유율은 80% 수준을기록하고있다. LP-CVD(Low Pressure-Chemical Vapor Deposition) 는저압상태에서기체상의성분들이화학적으로반응하여안정된박막을형성시키는공정이다. 동사는열처리장비를통해축적된기술력을기반으로 LPCVD 를개발완료하였고, 2 분기부터삼성전자에공급할예정이다. 열처리장비처럼기존 TEL 과 Hitachi 가양분했던시장을동사의국산화장비가대체해나갈전망이다. 삼성전자는비메모리라인증설을위해기존 9 라인과 14 라인을비메모리라인으로전환하고있다. 또한 16 라인신규 NAND 투자가진행중이며, 중국 NAND 공장을증설할예정이다. 결국삼성전자의비메모리및 NAND 투자와함께동사의열처리및 LPCVD 장비의매출은안정적으로성장할전망이다. 6. CIGS 용셀렌화 Furnace 는미래성장동력 CIGS 시장개화에대비한 셀렌화장비개발진행중 박막형태양전지는유리, 금속기판에광흡수층물질을얇게입힌태양전지이다. 결정질실리콘전지대비원재료비비중이낮고대량생산이용이한구조로차세대태양전지로부각되고있다. CIGS(Copper Indium Gallium Selenide) 는박막형태양전지의광흡수층물질로구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄을이용하는방식으로동사는셀레늄주입을위한열처리장비를개발중이다. 현재태양광시장의부진으로태양전지부분이동사의올해매출에기여하지는못하지만, 향후삼성 SDI 의 CIGS 양산투자발생시큰폭의매출성장이기대되는미래의성장동력이다. 9

10 IV. 리스크요인 1. Oxide 시장의빠른개화 Oxide TFT, MOCVD 개발은동사담당공정축소의미 Oxide TFT LCD 시장의확대가더큰의미 앞서언급한대로 Oxide TFT 공정에서는 LTPS TFT 공정에적용되던수소화및탈수소화고온열처리공정이빠지게된다. 즉동사가담당하는열처리공정이축소된다. Oxide TFT 기술양산에있어가장큰어려움은 In, Ga, Zn 소재를일정비율로유지하면서증착하는것이다. 현재이부분의양산수율을높이기위한개발이활발히진행되고있으며, 조기목표수율달성시 Oxide TFT 의 AMOLED 진출시기가빨라질수있다. 또한 IGZO 소재를 Sputter 가아닌 MOCVD 를통해증착할경우산화물 Curing 공정 Skip 이가능하다. 결국 Oxide TFT 기술개발속도와 MOCVD 적용여부는동사의산화물 Curing 장비수주에리스크요인으로작용한다. 하지만 Oxide TFT 공정개발은동사열처리장비의 LCD 패널로의진출기회로적용될수있다. 즉 Oxide AMOLED 패널에서 LTPS 공정대비빠지는공정보다는 LCD 패널로진입하는공정이더의미가있을것으로판단된다. 또한 8 세대급 MOCVD 는아직개발완료와양산을논하기에는시기상조라고판단된다 세대 LTPS 공정 ELA 독점, 경쟁사진입 ELA 대비가격경쟁력우위는 긍정적요인 SMD 8 세대 AMOLED 가 LTPS TFT 로적용되더라도기득권을가진 A-ELA 의표준화가능성도존재한다. 또한 SGS 장비의경쟁사진입도무시할수없는사항이다. 그래서 SGS 장비에대한동하우스의의견은앞서제목처럼 Plus Alpha 의관점에서접근하자는점이다. 다만 SGS 가가격경쟁력에서 ELA 대비우수한장점은확실한경쟁력으로 8 세대수주가능성은높다고판단된다. 또한동사는 2 월 13 일 SMD 를대상으로 259 억원의전환사채를발행하면서경쟁사와의경쟁에서유리한위치를차지했다. 결국 SGS 장비진입에대한우려보다는 Plus Alpha 의관점에서수주가능성을열어두는전략이필요해보인다. 10

11 V 년연간실적전망 2012년연간매출 1,992억원영업이익 346억원전망 2011 년테라세미콘의연간실적은매출액 1,397 억원 (+198%, YoY), 영업이익 114 억원 (+8.2%, YoY) 의큰폭의성장을기록하였다. SMD A2 Phase2 라인증설로고온열처리장비의수주가증가하였기때문이다 년연간실적은매출액 1,992 억원 (+42.6%, YoY), 영업이익 346 억원 (+203%, YoY) 의성장을이어갈전망이다. 본전망은 SMD A2 Phase3 라인수주잔고와 A3 Phase1 라인장비반입만을고려한수치이다. A3 라인열처리장비수주에서경쟁사의진입은고려하지않았다. 또한 SGS 장비의공급과 V2 대형라인의수주는발생하지않는다고가정하였다. 전년도 SMD 초도물량관련연구개발비와양산검증비용증가로 1 회성비용이증가하였으나 A2 라인양산경험으로 1 회성비용은안정화되면서올해영업이익률은 17.4% 로정상화될전망이다. Oxide TFT 와해외업체에대한본격적인장비공급은가정하지않았지만삼성전자의 Oxide TFT LCD 투자와해외업체의 AMOLED 및 LTPS LCD 라인증설에대한열처리장비수요로추가적인실적성장도가능할전망이다. 표 5. 테라세미콘분기별실적전망 (IFRS 개별기준 ) ( 단위 : 십억원 ) 2011P 2012F 2013F 1Q(F) 2Q(F) 3Q(F) 4Q(F) 연간F 1Q(F) 2Q(F) 3Q(F) 4Q(F) 연간F 디스플레이장비 부문별반도체장비 매출액기타 매출액 영업이익 전체 영업이익률 7% 17% 15% 19% 19% 17% 18% 16% 19% 19% 18% 법인세차감전순이익 순이익 자료 : IBK 투자증권 손익계산서 재무상태표 11

12 ( 십억원 ) P 2012F 2013F ( 십억원 ) P 2012F 2013F 매출액 비유동자산 매출원가 유형자산 매출총이익 무형자산 매출총이익률 (%) 투자자산 판관비 투자부동산 판관비율 (%) 기타비유동자산 조정영업이익 유동자산 조정영업이익률 (%) 재고자산 기타영업손익 유가증권 이자손익 매출채권 외환손익 기타유동자산 기타 현금및현금성자산 영업이익 기타금융업자산 영업이익률 (%) 자산총계 EBITDA 비유동부채 EBITDA 마진율 (%) 사채 순금융손익 장기차입금 이자손익 금융리스부채 기타 기타비유동부채 기타영업외손익 유동부채 외환거래손익 단기차입금 기타 매입채무및기타채무 종속, 공동지배및관계기업관련손익 유동성장기부채 세전이익 기타유동부채 법인세 기타금융업부채 계속사업이익 부채총계 중단사업손익 지배주주지분 당기순이익 자본금 당기순이익률 (%) 자본잉여금 지배주주당기순이익 자본조정등 비지배주주당기순이익 기타포괄이익누계액 기타포괄이익 이익잉여금 총포괄이익 비지배주주지분 총포괄이익률 (%) 자본총계 투자지표 현금흐름표 (12월결산 ) P 2012F 2013F ( 십억원 ) P 2012F 2013F Valuation 영업활동으로인한현금흐름 EPS 1 ( 원 ) ,338 3,678 4,847 당기순이익 EPS 2 ( 원 ) ,338 3,678 4,847 현금유출이없는비용및수익 BPS 1 ( 원 ) 1,234 2,200 4,580 8,257 13,104 유형자산감가상각비 CPS ( 원 ) 123 1,206 1,338 3,678 4,847 무형자산상각비 DPS ( 원 ) 외환손익 PER 1 ( 배 ) 유형자산처분손실 ( 이익 ) PBR 1 ( 배 ) 이자비용 ( 수익 ) PCR( 배 ) 기타 EV/EBITDA( 배 ) 영업활동으로인한자산부채변동 배당수익률 (%) 매출채권및기타채권의감소 성장성 재고자산의감소 매출액증가율 (%) 매입채무및기타채무의증가 영업이익증가율 (%) , 기타 EBITDA 증가율 (%) 영업관련이자, 배당, 법인세및중단현금흐름 순이익증가율 (%) , 투자활동으로인한현금흐름 EPS 1 증가율 (%) , 투자자산의감소 ( 증가 ) 수익성 유형자산의감소 ROE 1 (%) 유형자산의증가 (CAPEX) ROA (%) 무형자산의감소 ( 증가 ) ROIC (%) 기타 안정성 투자관련이자, 배당, 법인세및중단현금흐름 유동비율 (%) 재무활동으로인한현금흐름 부채비율 (%) 장기차입금의증가 ( 감소 ) 차입금 /EBITDA( 배 ) 사채의증가 ( 감소 ) 이자보상배율 ( 배 ) 자본의증가 활동성 기타 매출채권회전율 ( 배 ) 재무관련이자, 배당, 법인세및중단현금흐름 재고자산회전율 ( 배 ) 현금의증가 매입채무회전율 ( 배 ) 기초현금 총자산회전율 ( 배 ) 기말현금 주 : 1 지배주주기준, 2 지배및비지배기준자료 : Company data, IBK 투자증권예상 12

13 Compliance Notice 동자료에게재된내용들은외부의압력이나부당한간섭없이본인의의견을정확하게반영하여작성되었음을확인합니다. 동자료는기관투자가또는제3자에게사전제공한사실이없습니다. 동자료는조사분석자료작성에참여한외부인 ( 계열회사및그임직원등 ) 이없습니다. 조사분석담당자및배우자는해당종목과재산적이해관계가없습니다. 동자료언급된종목의유가증권발행과관련하여지난 1년간주간사로참여하지않았습니다. 동자료에언급된종목의지분율 1% 이상보유하고있지않습니다. 종목명 담당자 담당자보유여부 수량취득가취득일 1% 이상보유여부 유가증권발행관련 계열사관계여부 공개매수사무취급 I PO 회사채지급보증 중대한이해관계 M&A 관련 해당사항없음 Not Rated 적극매수 매수 중립 비중축소 테라세미콘주가및목표주가추이 ( 원 ) 50,000 45,000 40,000 35,000 30,000 25,000 20,000 15,000 10,000 5, 과거투자의견및목표주가변동내역추천일자투자의견목표주가추천일자투자의견목표주가 매수 44,000 원 투자의견안내 종목투자의견 ( 절대수익률기준 ) 업종투자의견 ( 상대수익률기준 ) 투자기간 적극매수매수중립비중축소 40% ~ 15% ~ -15% ~ 15% ~ -15% 비중확대중립비중축소 +10% ~ -10% ~ +10% ~ -10% 12 개월 13