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공정기술미세化 ( 반도체기술발전의원동력 ) SOC 化 ( 효율적인설계및검증능력요구됨 ) Solution 化 (SW 의비중과중요성이증가됨 )

반도체기술의국내역량 메이저반도체업체보유 삼성전자 / 하이닉스 / 동부전자 /LG 전자등 기타우수설계 / 시스템업체등 IT 제품에대한리더십및경험보유 CDMA, DTV, STB, MP3, 기타가전등 신기술적용에우수한국민성및 Infrastructure 등반도체제조를위한핵심기술보유 메모리, Scaling Technology 우수 원가경쟁력, 시장지배력보유장비 / 설계업체육성기반취약 적정사업성단위및사업화역량부족 Global 기업과의경쟁력취약핵심원천기술및표준화능력미약 R&D 자원열세및선행연구역량이부족 표준화를주도할기술이부족, 로열티부담 기술 / 시장장벽 Business 의기회 IT기술발전을주도 ( 국가경쟁력提高 ) 한국선도형시스템개발 시장활성화와제품주도력확보 새로운컨버전스시스템개발 ( 핵심 Core 기술획득 ) IT 기기용소자기술획득 신기술에의한제품개발 Business 의 Risk 전략 IP 구축실패 시장선점기회상실, 경쟁력약화

대 학 / 연 구 소 고 급 인 력 양 성 선 행 기 술 개 발 산 업 체 인 력 재 교 육 미 래 기 반 기 술 연 구 지 원 정 부 체 계 적 인 지 원 정 책 산 업 기 반 시 설 확 충 우수인력배출 / 채용연구협력 / 지원 S o C 분야세계선도 유기적협력 N e t w o r k 우 수 벤 처 육 성 업 계 활 성 화 대 기 업 신 제 품 개 발 주 도 세 계 시 장 개 척 / 선 도, M / S 확 대 기 술 협 력 / 역 할 분 담 W i n - W i n 벤 처 요 소 기 술 개 발 기 술 특 화

Technology S u b m ic ro n L o g ic Process Em bedded Mem ory Process SOC Design M ethodology Platform -Based Chip Design Static Tim ing Verification HW /SW Co-Design Digitalization In CMOS IP Cores Firm w are/softw are MPU, DSP DRAM,SRAM,Flash High Speed I/O Hard/Soft M acros Analog Cores Im plem entation Product/Test Engineering Packaging Technology Algorithm Real Tim e OS Device Drivers System Software A p p lic a tio n Software

촉진요인 Global Leading 제품창출의열쇠 퀼컴의칩셋하나로우리나라의 CDMA산업이창출 SoC의경쟁력확보가곧바로시스템의경쟁력으로직결 산업의중요성으로국가차원의경쟁이일반화 다양한기술의등장, 경쟁의글로벌화, 위해기술등의장기적인원천기술확보를위해미국, 일본, 대만, 중국등이반도체를주력품목으로채택 발전모습 세계 SoC 시장 영 향 고성장 10% 점유, 250 억불생산 IT, 자동차등시스템산업의경쟁력강화 새로운 Biz. 창출, 국가경쟁력강화 장애요인 진입시장에대한분석, 마케팅능력부족 국제표준, 지적재산권대응능력취약 선진기업간전략적제휴, 경쟁의격화 선발업체의시장블록화, 중국등개도국부상저성장 영 향 시스템산업이중국등에열세직면 신제품창출제약, 시장주도력약화 발전모습 세계 SoC 시장 2% 점유, 50 억불생산 현재 (SoC 점유율 1.6%) 2007 2012

SoC 연료전지차 [THS] 차 하이브리드기술 [D4 엔진 ] 자동차 천연가스자동차 천연가스자동차 린번 자동차 전기자동차 [VVT-i] 자동차 대체연료를사용하는차디젤엔진가솔린엔진전기모터

Mechatronics Infortronics Mechanics Electronics Information 2010 년

100% 75% 50% 공압부품 3% 유압부품 14% 기계부품 61% 공압부품 3% 유압부품 8% 기계부품 52% 25% 0% 전자부품전자부품 37% 22% 2000 2010

Motorola 12.9% Infineon Technologies A.G 7.9% 기타 38% 합계 : 108 억 6500 만 $ ST Microelectronics 社 6.5% Toshiba 6.5% Mitsubishi 2.8% Hitachi 4.4% TI 4.4% Robert Bosch 5.8% Philips 5.8% NEC 6.0%

반도체출하금액 ( 조 10 자동차 ( 조건 2) 8 PC 6 4 2 2008 년전후에역전 자동차 ( 조건 1) 0 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 시기 ( 년 )

Memory Revenue (M$) 45,000.0 40,000.0 35,000.0 30,000.0 25,000.0 20,000.0 DRAM NOR Flash 15,000.0 10,000.0 5,000.0-1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 Year

Year of Production 2004 2005 2006 2007 2010 2013 Gate Length (um) 40 10 1.5 1.5 0.5 EOT of High-k for Ge-CMOS(nm) 3.0 2.5 2.0 1.5 1.3 Transconductance of high-k/ge interface (Vs SiO 2 /Si) (%) - 70 80 85 90 Gate dielectric leakage (ma/cm 2 ) 0.0001 0.001 0.1 10 Ge wafer diameter (mm) 100 100 100 150 Defect number after cleaning (#/cm 2 ) 1 0.5 0.1 0.1 Ge-substrate * SiGe SiGe SiGe & GOS GOS & GOI 50 150 <0.1 Ge-bulk & GOI 0.1 1.0 90-95 100 150 <0.1 Ge-bulk

DDR2-400~800 200~400MHz, 3.2~6.4GB/s DDR400(PC3200) - 200MHz, 3.2GB/s DDR333(PC2700) - 167MHz, 2.7GB/s DDR266(PC2100) - 133MHz, 2.1GB/s DDR200(PC1600) - 100MHz, 1.6GB/s 99 00 01 02 03 04 05

1.2 100% 1.0 (9.5%) (6%) (5.5%) < 126% < 200% Same Speed Bin Drop < 20% PKG TEST Assembly Probe TEST (79%) About 5% Die Penalty FAB DDR1 DDR2

[ 부록 ] 산업기술혁신 5 개년계획 참여위원명단