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1 In-Depth 반도체 (Overweight) 중국정부의반도체정책변화, 기회와위험은? Issue 2014년 6월, 중국정부의반도체정책발표. 중국반도체업체들의현황및중국정부정책변화검토를통한투자아이디어제시 반도체진성혜 May 2015 Companies on our radar 종목명 투자의견 목표가 Top-picks 삼성전자 BUY 180만원 SK하이닉스 BUY 6.2만원 동부하이텍 N/R Pitch 1) 중국메모리반도체업체들의현황및메모리반도체진입을위한시나리오를검토해본결과, 중국이단기간에메모리산업내에서경쟁력을갖출가능성은낮다고판단. 반도체업종에대한 Overweight, top pick으로삼성전자추천. 2) 중국이메모리산업에진출하는과정에서라인건설이수반될것으로예상. 국내반도체장비업체중장기적인모멘텀제공. 3) 중국 IC 지원펀드의인수합병대상이되는업체가수혜가능. 관심주는동부하이텍 Rationale 2014년 6월, 중국정부는공격적인반도체성장목표발표. 반도체산업성장률 CAGR (2014년 ~2020년 ) +20% (vs. 글로벌반도체산업성장률 CAGR (2014년 ~2020년 ) +3.9%) 및 2020년시장점유율 33% 달성계획 반도체관련무역적자규모가 2003년 224억달러에서 2013년 1,150억달러로대폭증가했기때문. 중국 IT 내수시장성장및로컬세트업체들의경쟁력강화로중국의반도체소비액이크게늘어난것이원인 이전정책과의가장큰차이점은 IC 지원펀드가조성되었다는것. 현재까지조달된펀드규모는약 275억달러, 중앙정부약 210억달러및지방정부약 65억달러 기회? 펀드에인수합병대상이되는반도체업체는투자자에게수익창출기회를제공할것. 펀드조성후스태츠칩팩, 옴니비젼, ISSI, Montage Technlogy 등 4개업체인수. 동부하이텍및 H3C 등은현재인수제안중 중국이메모리산업에단기간에진출하는것은어렵다고판단 1) 중국메모리업체는수가작을뿐아니라, 매출액규모도매우작음 2) 따라서해외메모리업체인수필요. 파산한엘피다혹은대만윈본드가대안이될수있음. 그러나양사기술력은선발업체대비최소 3년이상뒤쳐져있음. 따라서주류제품시장진출이단기에어려워보임 3) 메모리팹리스업체를인수하고생산은 SMIC 등의중국파운드리가맡는방법. 그러나다른회사간의프로세스가효율적으로통합되기어려운메모리산업의특성상기존메모리업체를인수하는방식대비더욱어려울것 중국의메모리반도체산업진출과정에서라인건설수반예상. 국내반도체장비업체들에게중장기적성장모멘텀. 관심주는원익IPS, PSK, 한미반도체

2 CONTENTS I. Summary & Key Chart II. 중국정부, 적극적인반도체지원정책수립 II 년 6 월, 공격적인성장목표제시 II-2. 왜반도체인가? 무역적자심화 II-3. 중국반도체산업 : 팹리스와후공정에집중된구조 III. 중국정부의반도체관련정책 III-1. 과거정책 (1990~2014) III 년 6 월중국정부의정책방안및상세목표 V. 중국정부정책변화, 기회와위험은? V-1. 기존정책과의가장큰차이점 : IC 산업투자펀드가조성되었다는점 V-2. 기회는? M&A 의대상이되는기업 V-3. 중국, 메모리산업진출가능한가? VI. 종목별투자의견삼성전자 (005930) _ Top-Pick SK 하이닉스 (000660) 동부하이텍 (000990)

3 In-Depth 반도체 I. Summary & Key Chart 지난 2014년 6월중국정부는자국반도체산업에대한정책, National Semiconductor Industry Development Guideline 를새롭게발표했다. 이정책을통해중국정부는반도체산업성장률 CAGR (2014년 ~2020년 ) +20% 및 2020년시장점유율 33% 달성을계획하고있음을밝혔다. WW 반도체산업성장률 +3.9%, 2014년중국반도체시장점유율이 14% 라는점을감안하면매우공격적인목표이다. 최근빈번하게중국반도체관련뉴스가흘러나오는이유이다. 중국정부가반도체산업에적극적인이유는너무나간단하다. 반도체관련무역적자규모가증가하고있기때문이다. 지난몇년간중국 IT 내수시장성장및로컬세트업체들의경쟁력강화로중국의반도체소비액은대폭증가했다. 로컬반도체업체들의성장도뒤따랐지만, 소비액증가를넘지못했다. 따라서중국의반도체관련적자규모는 2003년 224억달러에서 2013년 1,150억달러로증가했다. 1990년대부터중국정부의반도체산업에지원정책은꾸준히있어왔다. 1990년대후공정, 2000년대파운드리, 2010년이후팹리스산업이각각성장하는데정부의지원은밑거름이되었다. 이에따라중국반도체시장점유율은 2000년 2% 에서 2014년 14% 로상승했다. 다만정책의비효율성및시장비친화적인성격때문에우리의관심을크게끌지못했을뿐이다. 이전정책대비작년에발표된정책의가장두드러진차이점은 IC 지원펀드가조성되었다는것이다. 내부경쟁력강화만으로는위에서언급한공격적인성장목표를달성하기어렵다고판단한듯하다. 따라서풍부한유동성을바탕으로해외반도체업체들을인수합병하는방식, 즉외부성장기제를활용하기로결정한것이다. 펀드는중앙정부및지방정부가각각조성하고있다. 현재까지약 275억달러의자금이조달되었는데, 중앙정부약 210억달러북경과상해가각각약 48억달러, 약 16억달러를조달했다. 북경, 상해외에도심천, 우한, 안휘, 산동등의지방정부가추가로관련펀드를만들계획에있다. 중국 IC 지원펀드의인수합병대상이되는업체들은투자자들에게수익을창출할기회를제공할것으로판단한다. 국내업체중에는동부하이텍이예가될수있다. 중국의 IC 지원펀드조성이후, IC 지원펀드가주체가되어글로벌반도체업체들을인수합병하는것이자주목격되고있다. IC 지원펀드조성후약 11개월동안스태츠칩팩, 옴니비젼, ISSI, Montage Technology를인수했고동부하이텍과 H3C의인수제안을해놓은상태이다. 3 Page

4 In-Depth 반도체 우리의또다른관심사는중국이메모리반도체산업에진입할수있을지여부이다. 당사는단기에중국이메모리산업에진입하기어렵다고판단한다. 우선현재중국메모리반도체업체들의수는 8개, 그중에서 DRAM 및 NAND 사업을영위하는업체는 4개로그수가매우적다. 뿐만아니라메모리업체들의매출액규모도최대약 3,000억원을넘지못할정도로작다. 따라서중국이메모리산업에진입하기위해서는기존메모리업체를인수하는방법밖에없다. 기파산한엘피다가신규로설립하는회사혹은대만메모리업체인윈본드를인수할수있다. 그러나양사의기술력이선발업체대비최소 3년이상뒤처져있어주류제품시장진입에장시간이소요될예정이다. 메모리팹리스업체를인수하고 SMIC 등자국의파운드리를이용하는방법도있다. 그러나각기다른회사의프로세스가효율적으로통합되기어려운메모리산업의특성상이방법은기존메모리업체를인수하는방식대비더욱어려울것으로판단한다. 어떠한방식이든중국이메모리반도체산업에진출하기위해서는라인건설이필수적일것이다. 이과정에서국내반도체관련전공정및후공정업체들의수혜가예상된다. 중국이메모리산업에단기에진출하기어렵다고판단하여반도체업종에대해 Overweight 의견을유지한다. Top pick으로삼성전자를추천하고, DRAM 업황이 3분기부터회복될것으로전망하여 SK하이닉스에대해서긍정적으로접근하기를권한다. 4 Page

5 In-Depth 반도체 Figure 년 6 월중국정부공격적정책발표 : 반도체 CAGR (2014 년 ~2020 년 )+20% 및 2020 년 M/S 33% 목표 Figure 02 중국내수시장성장및로컬세트업체들경쟁력강화로반도체관련적자규모가확대되고있기때문 Source: CSIA, KTB 투자증권 Source: PWC, KTB 투자증권 Note: 중국내해외업체들의생산액포함 Figure 03 중국반도체산업은설계및후공정중심 Figure 04 IDM 경쟁력상대적으로약해. CPU 와메모리경쟁력이약하기때문 Source: Gartner, PWC, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 Figure 년중국정부의반도체지원정책 (1990 년 ~ 현재 ) 발표 정책 기관 내용 프로젝트 - 전자산업및반도체산업육성 프로젝트 - IC 산업을국가의최고중점육성산업으로지정 SW 및 IC 산업발전지원 국무원 - 세금혜택, 투자우대, 설비교체지원, 연구개발지원, 인력육성강화, 설비국산화장려, 지적재산권보호 IC 산업 11차 5개년발전계획 공업정보화부 - 반도체를주요육성산업으로지정 년까지 5년간 IC 매출액 CAGR +30% 년 IC 총생산량 800억개, 매출액 3,000억위안 SW 및 IC 산업발전지원 국무원 년수립한계획이 2010년말종료된후후속조치로마련된계획 - 조세보조금대상및보조범위, 관세, 기업소득세, 부가가치세등세후지원법세부규정제시 IC 산업 12차 5개년발전계획 공업정보화부 년 IC 매출의 CAGR 성장률 18% 년 IC 총생산량 1,500억개, 매출액 3,300억위안, 글로벌 IC 시장점유율 15% 국가전략적신흥산업발전계획 국무원 년 IC 설계산업생산비중 15% 향상 - 고성능 IC 자체개발능력제고, 독창적칩제조공정기술, 첨단후공정기술, 핵심설비, 소재기술확보를위한 R&D 강화 국가반도체산업발전추진요강 국무원 년까지중국반도체산업수준을세계수준으로발전 년부터 2020년까지 CAGR +20% 성장 Source: 산업경제연구원, KTB 투자증권 5 Page

6 In-Depth 반도체 Figure 년 6 월, National Semiconductor Industry Development Guideline 을통해반도체적극지원나서 μm μm Source: CSIA, KTB 투자증권 Figure 07 기존정책과가장큰차이는펀드가조성되었다는점, 현재까지조성된자금은약 275 억달러 Figure 08 CICIIF 요약 Source: CSIA, KTB 투자증권 Source: CSIA, KTB 투자증권 6 Page

7 In-Depth 반도체 Figure 09 펀드조성후, 중국펀드가중심이되어글로벌반도체업체를빈번하게인수하고있음 일자 내용 비교 IC 펀드조성전 2013/07 Tsinghua Unigroup, Spreadtrum 인수 중국업체간통합 2013/09 Huatien, Advanced packaging 자회사인수 중국업체간통합 2013/09 Tsinghua Unigroup, RDA 인수 중국업체간통합 2013/12 Tongfang Guoxin, Shenzhen State Microelectronics 인수 중국업체간통합 2014/02 SMIC, JCET 와 bumping 공정 J/V 중국업체간전략적제휴 IC 펀드조성후 2014/07 PDSTI 및 CEC, Montage Technology 인수 중국펀드, 나스닥상장된중국업체 M&A 2014/09 Intel, Tsinghua Unigroup 지분 20% 인수 해외업체, 중국업체에지분투자 2015/01 JCET 및 SMIC, 스태츠칩팩인수 중국펀드및업체, 해외업체 M&A 2015/03 SMIC, 동부하이텍인수제안 중국업체 ( 펀드 ), 해외업체 M&A 제안 2015/03 Summitview capital, ISSI 인수 중국펀드, 해외업체 M&A 2015/04 Tsinghua Unigroup, H3C 인수제안 중국펀드, 해외업체 M&A 제안 2015/04 동심반도체유한공사, Fidelix 지분인수 중국업체, 해외업체 M&A 2015/05 Hua Capital Management, Omnivision 인수 중국펀드, 해외업체 M&A Source: KTB 투자증권 Figure 10 매출비교 ( 중국파운드리업체들 vs. 동부하이텍 ) Figure 11 미세공정비교 ( 중국파운드리업체들 vs. 동부하이텍 ) Source: Industry data, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 Figure 12 중국메모리반도체관련업체는총 8 개, IDM 은없음 IDM Fabless Foundry X Giga Device Montage Technology WXIC SMIC Huahong Grace ISSI Fidelix Source: KTB 투자증권 7 Page

8 In-Depth 반도체 Figure 13 소규모라도 DRAM 과 NAND 를생산하는업체는 4 개밖에되지않음 Figure 14 중국메모리반도체업체들의매출액규모는매우작음. 가장큰업체연간매출액이약 3,000 억원 Source: Bloomberg, isuppli, Industry data, KTB 투자증권 Source: Bloomberg, isuppli, Industry data, KTB 투자증권 Figure 15 중국의메모리반도체산업진출 해외반도체업체인수가유일한길. 그러나기술격차가너무크다 Senario1 Senario2 Senario3 Source: KTB 투자증권 8 Page

9 In-Depth 반도체 II. 중국정부, 적극적인반도체지원정책수립 II 년 6월, 공격적인성장목표제시반도체산업육성을위한중국정부의행보가빨라지고있는듯하다. 연일중국반도체산업과관련된뉴스들이나오고있는걸보면말이다. 우리는지난 5~6년간중국정부의지원을등에업고중국 LCD 산업이빠른속도로성장하는것을이미지켜보았다. 중국정부의적극적반도체산업지원기조가기존의반도체업체들에게위협으로다가오는것은너무당연한일이다. 지난 2014년 6월중국정부는로컬반도체업체들에대한지원정책인 National guideline for the development and promotion of the IC industry 를발표했다. 중국정부는이정책을통해중국 IC 매출액을 2015년 575억달러에서 2020년 1,430억달러로, 2014년 ~2020년 CAGR +20% 성장시킬계획임을밝혔다. 같은기간 WW 반도체매출액성장률이 CAGR +3.9% 인것과비교하면매우공격적인수치임을알수있다. 중국정부가목표로한성장률을달성하게된다면중국반도체시장점유율은 2014년 14% 에서 2020년 33% 까지증가하게된다. 중국반도체에시선이집중되는이유다. Figure 16 중국반도체성장률 : CAGR (2014 년 ~2020 년 ) +20% Source: CSIA, KTB 투자증권 Figure 17 반도체시장 CAGR 성장률비교 ( 매출기준 ) Figure 18 중국반도체시장점유율목표 Source: CSIA, Gartner, KTB 투자증권 Source: CSIA, Gartner, KTB 투자증권 9 Page

10 In-Depth 반도체 II-2. 왜반도체인가? 무역적자심화 중국정부가반도체산업육성에적극적인이유는중국의반도체수입액이증가하고있기때문이다. 2013년반도체수입액은 1,150억달러로 2003년 224억달러대비무려약 5.2배수준으로늘어났다. 중국정부입장에서는달가울리없는일이다. ( 주. 반도체수입액 = 반도체소비액 반도체생산액, 반도체생산액은중국내반도체업체기준의생산액으로해외투자업체들의생산액을포함하고있음 ) IT 내수시장성장과로컬세트업체들의시장점유율증가로중국의반도체소비액은지속증가했다. 2013년중국반도체소비액은 1,808억달러로 2003년 307억달러대비 1,501억달러나증가했다. WW 내중국반도체소비비중도 2003년약 15% 에서 2013년약 59% 로대폭늘어났다. 다른산업도그렇겠지만지난몇년간중국 IT 산업은두드러진성장세를보였다. 내수소비시장성장은물론중국로컬 IT 업체들의경쟁력강화라는양쪽측면에서말이다. WW 내중국 PC 시장점유율은 2004년 10.2% 에서 2014년 20.8% 로, 중국로컬 PC 업체들의시장점유율은같은기간에 4.2% 에서 20.8% 로증가했다. 동일기간동안 WW 내중국핸드셋시장점유율은 12.7% 에서 24.2% 로, 중국로컬핸드셋업체들의시장점유율은 0.3% 에서 19.9% 로늘어났다. 서버도 PC 및핸드셋과유사하다. 물론중국의반도체도글로벌반도체산업성장률을상회하는성장률을시현했다. 중국의반도체산업 CAGR (2003년 ~2013년 ) 은 +25.3% 로 WW 반도체산업성장률인 +6.6% 를크게상회했다. 이에따라중국반도체소비액대비생산비중은 2003년 27% 에서 2013년 36% 로증가했다. 그러나규모면에서보면 2003년대비 2013년중국반도체생산액은 575억달러증가하며소비액규모증가인 1,501 억달러를크게밑돌았다. 10 Page

11 In-Depth 반도체 Figure 19 WW 및중국반도체시장규모및중국비중 Figure 20 중국반도체자급률 Source: PWC, KTB 투자증권 Source: PWC, KTB 투자증권 Note: 중국내해외업체들의생산액포함 Figure 21 중국반도체자급률 Figure 22 PC 시장점유율 Source: PWC, Wall street journal, KTB 투자증권 Figure 23 Handset 시장점유율 Source: IDC, KTB 투자증권 Figure 24 Server 시장점유율 Source: IDC, KTB투자증권 Source: IDC, KTB 투자증권 11 Page

12 In-Depth 반도체 II-3. 중국반도체산업 : 팹리스와후공정에집중된구조 중국의반도체산업경쟁력이강화되고있는추세이다. 중국반도체업체들의시장점유율은 2003년 3% 에서 2013년 13% 로지속증가했다. ( 주 : 중국에투자한해외업체매출액포함기준 ) 특히 2010년이후점유율증가가두드러지고있다. 스마트폰과태블릿 PC 등장후중국로컬휴대폰업체들의경쟁력강화와맞물려 Hisilicon, Spreadtrum, Allwinner등의 AP 팹리스업체들이빠르게성장했기때문인것으로추정된다. 중국반도체산업은주로팹리스와후공정에집중되어있는구조이다. WW와중국의 Biz. 구조별매출비중을비교해보면잘드러난다. 글로벌반도체산업은팹리스 26%, 제조 58%, 후공정 16% 의매출비중을가진다. 반면중국로컬업체들의매출비중은팹리스 32%, 제조 24%, 후공정 44% 이다. 글로벌대비중국로컬업체들의제조부문의매출비중이확연히낮은반면팹리스및후공정매출비중은높다. 중국팹리스및후공정업체들의시장점유율은각각 11% 및 8% 이다. 제조산업의비중이낮은것은 IDM 경쟁력이매우약하기때문인것으로분석된다. 2013년매출액기준으로 WW 내중국파운드리시장점유율은 9% 이다. 팹리스및후공정시장점유율과유사하다. 그러나 IDM 업체들의시장점유율은 1% 로상대적, 절대적으로매우낮다. IDM 방식으로생산하는대표적인반도체제품은 CPU와메모리이다. IDM 산업에서의점유율이낮다는것은 CPU와메모리부분에서의경쟁력이매우낮다는뜻이된다. 국가별로는미국은팹리스와 IDM, 대만은파운드리및후공정, 한국은 IDM에경쟁력을가지고있다. WW 내미국의팹리스및 IDM의시장점유율은 65% 및 47%, 대만의파운드리및후공정시장점유율은 72% 및 48%, 한국의 IDM 시장점유율은 21% 이다. Figure 25 중국내반도체업체들의시장점유율 2003 년 3% 에서 2013 년 13% 로증가 Source: Gartner, PWC, KTB 투자증권 12 Page

13 In-Depth 반도체 Figure 26 중국 Biz. 모델에따른반도체매출비중 (2013 년기준 ) Figure 27 국가별 Biz. 모델에따른반도체매출비중 (2013 년기준 ) Source: Gartner, PWC, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 중국팹리스업체 중국을대표하는팹리스업체들은주로통신칩관련업체들이다. 중국내팹리스 1위업체는 Hisilicon이다. 2013년매출기준 WW 내팹리스순위는 12위이다. Huawei의 100% 자회사로 2004년심천에설립되었고, 통신모뎀칩과스마트폰용 AP 등이주요제품이다. 중국팹리스 2위업체는 Spreadtrum이다. 중저가스마트폰용 AP를주로설계하고있는데 AP 시장경쟁력은 Spreadtrum이 Hisilicon 대비훨씬뛰어난것으로보인다. 2014년스마트폰 AP 시장내순위는 Spreadtrum이시장점유율 4.5% 로 4위, Hisilicon이시장점유율 2.0% 로 7위이다. 중국로컬스마트폰및태블릿PC 업체들의경쟁력강화가중국팹리스업체들의성장을견인한것으로분석된다. 앞서말한 Hisilicon과 Spreadtrum의팹리스산업내순위가지속상승하고있다. 또한 50 위권내에진입해있는팹리스업체가 2009년 1개에서 2014년에는 9개로증가했다. 이는중국로컬스마트폰및태블릿 PC 업체들이자국팹리스업체들의 AP를탑재하고있기때문이다. Figure 28 스마트폰용 AP 시장점유율 Figure 29 태블릿 PC 용 AP 시장점유율 Source: Industry data, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 13 Page

14 In-Depth 반도체 Figure 년팹리스업체순위 ( 단위 : mn$) Rank Company Headquarter Revenue M/S YoY Qualcomm 미국 7, % 31.0% 2 2 Broadcom 미국 8, % 5.0% 3 3 AMD 미국 5, % -2.0% 4 5 MediaTek 대만 4, % 36.0% 5 4 Nvidia 미국 3, % -2.0% 6 6 Marvell 미국 3, % 7.0% 7 7 LSI 미국 2, % -5.0% 8 8 Xilinx 미국 2, % 5.0% 9 9 Altera 미국 1, % -3.0% Avago 싱가포르 1, % 9.0% Novatek 대만 1, % 11.0% Hisilicon 중국 1, % 15.0% Mstar 대만 1, % -11.0% Spreadtrum 중국 1, % 48.0% CSR 유럽 % -6.0% Realtek 대만 % 14.0% Dialog 유럽 % 17.0% Cirrus logic 미국 % 8.0% Himax 대만 % 5.0% Silicon Labs 미국 % 3.0% Megachips 일본 % 4.0% Semetech 미국 % 7.0% PMC-Sierra 미국 % -4.0% IDT 미국 % -4.0% Microsemi 미국 % -4.0% Top 25 Total 56,459 78% 12% Other Total 15,650 22% -5% Total Fabless 72, % 8% Source: IC insights, KTB 투자증권 Figure 31 스마트폰용 AP 업체별가격비교 Figure 위팹리스업체내중국업체수증가 Source: Industry data, KTB 투자증권 Source: IC insights, KTB 투자증권 14 Page

15 In-Depth 반도체 중국파운드리업체 중국의대표파운드리업체는 WW 파운드리 4위업체인 SMIC이다. 오랫동안중국정부의전폭적인지원을받아오고있다. 그러나정부의지원대비성과는아직미미한것으로보인다. WW 시장점유율이약 4% 에불과하다. SMIC 외에는작은파운드리업체들이다수난립해있다. 2위 HH Grace, 3위 CR- Micro, 4위 Huali, 5위 WXIC, 6위 ASMC 정도가 WW 파운드리산업내 10위권에이름을올리고있다. 중국파운드리산업은 2000년초반해외업체들과의협력관계를토대로발전하기시작했다. SMIC는 2002년부터인피니언과엘피다의 DRAM를위탁생산했다. ASMC는 2003년에필립스와 8인치라인을합작하여건설했고, GSMC (HH NEC에합병되어 HH Grace가됨 ) 는 2000년대만의포모사의지분투자를받아설립되었다. 2000년초반에는중국파운드리업체들의 DRAM 파운드리비중이높았다. 2000년초 DRAM 업체들이업황부진의여파로신규라인을지을재무적인여력이없어중국파운드리업체에위탁생산을맡기기시작했기때문이다. 그러나 2006년하반기부터다시 DRAM이다시불황기에진입하여키몬다 ( 인피니온에서분사된메모리업체 ) 및엘피다의파운드리부문적자가심해했다. 중국파운드리업체는 DRAM 파운드리를중단하기시작했고, 이에따라 2000년대중반을지나며메모리비중이감소했다. 2010년이후에는중국 AP 팹리스업체들의성장으로인해일부수혜를입었다. Logic 반도체매출비중및중국업체향매출비중증가가이를뒷받침한다. 그러나중국파운드리업체들의미세공정기술력이글로벌경쟁사대비뒤쳐져있었기때문에수혜범위는제한적이었던듯하다. 잘알려진것처럼 AP는가장선위공정으로생산하기때문이다. 중국파운드리업체들의매출액은 2011년부터성장하고있으나, 오히려시장점유율은 2007년 13.3% 를고점으로 2014년에는 8% 까지지속하락하고있다. Figure 년파운드리업체순위 Source: IC insights, KTB 투자증권 ( 단위 : mn$) Rank Company Headquarter 2014 Revenue M/S YoY 1 TSMC 대만 24,896 60% 25% 2 Globalfoundries 미국 4,365 10% 0% 3 UMC 대만 4,251 10% 9% 4 SMIC 중국 1,866 4% -4% 5 Powerchip Technologies 대만 980 2% 9% 6 TowerJazz Semiconductor 이스라엘 824 2% 63% 7 Vanguard 대만 793 2% 11% 8 Huahong Grace 중국 658 2% 13% 9 Dongbu HiTek 한국 529 1% 19% 10 LFoundry GmbH 이탈리아 399 1% 34% 11 X Fab 독일 345 1% 19% 12 China Resources Microelectronics 중국 318 1% 14% 13 Shanghai Huali 중국 296 1% 167% 14 System on Silicon Manufacturing (SSMC) 싱가포르 243 1% 8% 15 Altis Semiconductor 프랑스 214 1% -14% 16 Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Corporation 중국 174 0% 11% 17 Advanced Semiconductor Manufacturing Corporation (ASMC) 중국 132 0% 14% 18 Silterra 말레이시아 127 0% -2% 19 Episil 대만 90 0% -12% 20 Phenitec Semiconductor 일본 85 0% -12% 21 He Jian Technologies 중국 0% -100% Total Total 41, Page

16 In-Depth 반도체 Figure 34 중국업체들파운드리시장점유율 Figure 35 중국파운드리업체제품별매출액 (6 개사합계기준 ) Source: IC insights, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 Figure 36 중국파운드리, 해외업체와협력하며발전시작 Figure 37 중국파운드리제품별매출비중 (6 개사합계 ) Source: Industry data, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 Figure 38 중국파운드리 device 별매출비중 (6 개사합계 ) Figure 39 중국파운드리지역별매출비중 (6 개사합계 ) Source: Industry data, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 16 Page

17 In-Depth 반도체 중국후공정업체 2014년 WW 내중국후공정시장점유율은약 8% 이다. 우리가체감하는것대비중국후공정업체들의시장점유율이낮은이유는중국에다수의해외업체들이진출해있기때문이다. 후공정은전공정대비기술적난이도가낮고노무비가높은산업적특성을가지고있다. 상대적으로중국의임금수준이낮다는장점이해외업체들의진출을이끌었다. 중국에는전세계후공정공장의약 20% 가있다. 중국의후공정 1위업체는 JCET 이다. 2015년 1월중국후공정 1위, WW 후공정 6위업체인 JCET 는 WW 후공정 4위업체인 Stats chippac 인수에성공했다. 이로써 JCET 는 WW 후공정 3위업체로올라서게되었다. 이외에도 WW 후공정 13위업체인 Tianshui Huantian과 18위업체인 Nantong Fujitsu가있다. 양사는국내반도체후공정업체인 STS 반도체와유사한매출액규모를가지고있다. Figure 년후공정업체순위 Rank Company Headquarter 2013 Revenue (bn$) M/S 1 ASE 대만 % 2 Amkor 미국 % 3 SPIL 대만 2.3 9% 4 STATS ChipPAC (2014년 JCET 에피인수합병 ) 중국 1.6 6% 5 Powertech 대만 1.3 5% 6 Jiangsu Changjiang Electronics Technology 중국 0.9 3% 7 J-Device 일본 0.8 3% 8 UTAC 대만 0.8 3% 9 ChipMOS 대만 0.7 3% 10 Chipbond 대만 0.5 2% 11 STS Semiconductor 한국 0.5 2% 12 KYEC 대만 0.4 2% 13 Tianshui Huatian Microelectronics 중국 0.4 2% 14 Carsem Semiconductor 말레이시아 0.4 1% 15 Unisem 한국 0.3 1% 16 Formosa Advanced Technologies 대만 0.3 1% 17 Walton 미국 0.3 1% 18 Nantong Fujitsu Microelectonics 중국 0.3 1% 19 AOI Electronics 일본 0.3 1% 20 Signetics 한국 0.3 1% Others % Total % Source: IC insights, KTB 투자증권 Figure 41 중국후공정업체들시장점유율 Figure 42 해외후공정업체들이중국에다수진출해있음 Source: Gartner, KTB투자증권 Source: PWC, KTB 투자증권 17 Page

18 In-Depth 반도체 III. 중국정부의반도체관련정책 III-1. 과거정책 (1990~2014) 중국정부의반도체지원정책은과거부터있어왔다. 다만반도체가타산업대비진입이어렵다는특성상중국정부의지원정책이효율적으로작동하지않았을뿐이다. 지난해발표된중국정부의정책을이야기하기전에과거정책부터미리살펴보도록하겠다. 1970년대중국정부는철강산업을중점육성했던관계로반도체에대한지원은미미했다. 1980년대부터정부의지원은시작되었고, 가전용저가반도체및후공정산업에제한적으로이루어졌다. 1990년대에들어서면서중국정부가반도체산업에본격적인관심을기울이기시작했다. 1991년부터 1995년까지전자산업과반도체산업을육성하기위한국가프로젝트, 908프로젝트를진행했다. 연이어 1996년부터 2000년까지는직접회로 (IC) 산업을국가의최고중점육성산업으로두는 909프로젝트를진행했다. 이두개의프로젝트를통해 ASMC, Shougang NEC, HHNEC와같은파운드리업체들이설립되었고, 다수의해외업체들이중국에후공정라인을이전하는등의성과를거두었다. 그러나관료적인정책실행및반도체산업에대한경험미숙으로이렇다할큰성과를거두지는못했다는판단이다. 2000년이후최근까지중국정부의주요정책은다음과같다. 2000년에는 SW 및 IC 산업발전계획을수립했다. 세금혜택, 투자지원, 인력육성강화등의지원을골자로하고있다. 2006년에는제11차 5 개년계획을수립했는데반도체를주요산업으로지정하고, 2010년반도체총생산량은 800억개, 매출액 3,000억위안 ( 약 500억달러 ), CAGR (2006년 ~2010년 ) +30% 성장을목표로삼았다. 2011년에는 2000년시행했던 SW 및 IC 산업발전계획을보완한후속안을발표했다. 또한 2012년에는제12차 5개년계획을수립했다. CAGR (2010년 ~2015년 ) +18% 성장및 2015년시장점유율 15% 달성이주요목표였다. 2000년대에들어오며중국정부의반도체산업에대한정책은 1990년대와는달리시장논리에보다부합하는형태로바뀌었다. 1) 정부가투자한반도체업체를정부관료가아닌민간경영인이경영하게되었고, 2) 해외에서고급인력들을직접고용하는것을권장했고, 3) 정부예산및은행대출을통한지원에서정부및벤처캐피털이함께지분을투자하여합작법인을설립할수있도록자금지원범위가확대되었다. 또한 4) 목표로하는시장도내수에서해외로확대했다. 시장친화적인정책의결과로중국팹리스및파운드리산업이본격적으로시작되었다. 현재중국반도체산업의초석이다져진것이다. 2000년 98개이던팹리스업체수는 2001년 200개, 2002년 389개, 2003년 463개로급증했다. 2013년팹리스업체수는 583개에달하고있다. 또한 2000년초반에중국은파운드리산업에막대한투자를집행했다. 2002년부터 2004년까지 WW 반도체설비투자의약 30~35% 가중국파운드리업체들에의해이루어졌다. 18 Page

19 In-Depth 반도체 Figure 43 중국정부의반도체지원정책 (1990 년 ~ 현재 ) 발표 정책 기관 내용 프로젝트 - 전자산업및반도체산업육성 프로젝트 - IC 산업을국가의최고중점육성산업으로지정 SW 및 IC 산업발전지원 국무원 - 세금혜택, 투자우대, 설비교체지원, 연구개발지원, 인력육성강화, 설비국산화장려, 지적재산권보호 IC 산업 11차 5개년발전계획 공업정보화부 - 반도체를주요육성산업으로지정 년까지 5년간 IC 매출액 CAGR +30% 년 IC 총생산량 800억개, 매출액 3,000억위안 SW 및 IC 산업발전지원 국무원 년수립한계획이 2010년말종료된후후속조치로마련된계획 - 조세보조금대상및보조범위, 관세, 기업소득세, 부가가치세등세후지원법세부규정제시 IC 산업 12차 5개년발전계획 공업정보화부 년까지 5년간 IC 매출액 CAGR +18% 년 IC 총생산량 1,500억개, 매출액 3,300억위안, 글로벌 IC 시장점유율 15% 국가전략적신흥산업발전계획 국무원 년 IC 설계산업생산비중 15% 향상 - 고성능 IC 자체개발능력제고, 독창적칩제조공정기술, 첨단후공정기술, 핵심설비, 소재기술확보를위한 R&D 강화 국가반도체산업발전추진요강 국무원 년까지중국반도체산업수준을세계수준으로발전 년부터 2020년까지 CAGR +20% 성장 Source: 산업경제연구원, KTB 투자증권 Figure 년이후중국의반도체지원정책은시장친화적으로변화 정부주도의발전 (2000년이전 ) 시장주도의발전 (2000년이후 ) 전략 정부소유혹은정부가합작투자한회사에대해정부관료가 신규로설립된파운드리는기술자출신의전문경영인혹은 절대적인의사결정권보유 외부전문가가경영 인력양성 인력양성을위해해외합작사들에게의지 해외고급인력을직접고용내부에서인력을양성할수있는시스템구축 재무 정부예산정책혹은은행대출을통한지원 정부와벤처캐피탈이지분을투자한합작회사설립가능 시장 내수시장주력 해외시장주력 가전업체에주로사용되는 low-end 칩생산 해외업체들로부터기술이전 & 국내기술성숙을기다림 기술갭축소 해외합작사및경쟁사로부터기술이전받아개발 파운드리고객들로부터기술이전 IP 공급업체들로부터라이센싱받아자체개발 Source: Industry data, KTB 투자증권 Figure 45 중국팹리스업체수 Figure 46 반도체설비투자추이 Source: PWC, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 19 Page

20 In-Depth 반도체 III 년 6 월중국정부의정책방안및상세목표 글로벌반도체시장참여자들의주목을끌고있는 2014년 6월발표된정책의상세방안및목표에대해서살펴보도록하겠다. 중국정부는 1) 투자펀드조성, 2) IPO 및채권발생등을통해자금지원, 3) 세제혜택, 4) IC 및소프트웨어강화를위한산업개발팀조성, 5) 혁신역량강화, 6) 전문가양성및영입, 7) 글로벌오픈마켓등의방안을수립하여 IC 산업의발전을도모하겠다고밝혔다. 1) IC 투자펀드조성 : IC 업체들을지원하는투자펀드를조성하는것인데, 펀드자금은민간기업, 금융기관, 사회보험사들로부터조달한다. 조달한자금은현재중국 IC 업체들의경쟁력강화및업체간의인수합병및통합에사용될것이다. 더불어지방정부의펀드설립도지원한다. 2) 금융지원 : 자금조달이필요한반도체업체들의국내, 국외상장을지원한다. 중앙은행과시중은행은차입금조달을원활하도록하기위한다양한상품을개발한다. 3) 세제혜택 : 1 0.8μm이하제품을생산하는업체들이흑자를내기시작한해로부터 2년동안세금을면제하고, 그후 3년간은세금의 50% 만납부 ( 2+3 ) 하고, μm이하제품을생산하거나전체투자금액이 13억달러를상회하는업체중영속기간이 15년이상된기업을대상으로흑자를내기시작한해로부터 5년간세금을면제하고그후 5년간세금의 50% 만납부 ( 5+5 ) 한다. 4) IC 및소프트웨어강화를위한개발팀조성 : 정책조사를통해산업발전지원. 국내외판매를위해안전하고신뢰할수있는 IC 및소프트웨어표준시스템마련 5) 혁신역량강화 : 혁신시스템개발및지원, 연구개발능력강화, 지적재산권보호 6) 전문가양성및영입 : IC 산업인력을교육하기위한대학시스템구축. 해외연구소와의협력강화지원책마련, 주식 / 인센티브등 IC 인재들에대한충분한보상안을마련함으로써인력 pool 확대 위의방안을통해이루고자하는각분야별상세목표는다음과같다. 전반적으로매우공격적이다. - 전체반도체매출액 : 2015년 57.5bn$, 2020년 143bn$, 6년간 (2014년 ~2020년 ) CAGR +20% - 제조공정 : 2015년 32/28나노공정시작, 2020년 16/14나노공정시작 - 설계 : 2015년일부기술 (Mobile terminal, network communication) 은 WW 1위, 그외제품들은 2020년까지글로벌선두업체수준 - 후공정 : 2015년 mid to high-end 제품비중 30%, 2020년글로벌선두수준기술보유 - 재료 : 2015년 12인치웨이퍼생산준비, 2020년글로벌반도체업체들에게납품 - 장비 : 2015년 65~45나노사용장비생산. 2020년글로벌반도체업체들에게납품 20 Page

21 In-Depth 반도체 Figure 년 6 월, National Semiconductor Industry Development Guideline μm μm Source: CSIA, KTB 투자증권 21 Page

22 In-Depth 반도체 V. 중국정부정책변화, 기회와위험은? V-1. 기존정책과의가장큰차이점 : IC 산업투자펀드가조성되었다는점작년에발표된정책이이전과가장두드러지게달라진점은바로반도체업체들의통합및인수합병에사용할계획으로 IC 산업투자펀드 (National IC industry Investment Fund) 를조성했다는점이다. 기존중국정부의정책이주로자금조달, 세제혜택등을통해반도체기업자체의경영을지원하는범위에그쳤다면, 이번정책은기존방식에인수, 합병등자본시장의기재가더해진것으로보인다. 그렇다면왜펀드를이용한반도체업체들간의통합및인수합병이라는방법을선택한것일까? 2가지이유때문인것으로추정된다. 첫째, 글로벌경쟁력을확보할수있을만큼큰규모를가진중국로컬반도체업체들을탄생시키고싶기때문이다. 둘째, 풍부한유동성을가진중국정부입장에서는자국의반도체시장점유율을가장효율적으로증가시킬수있는방법이기때문이다. 중국로컬반도체업체들의규모는글로벌반도체업체들대비작다. 상위 10개팹리스업체들의매출집중도를비교해보면, 중국팹리스상위 10개사가중국팹리스매출에서차지하는비중은 43% 로글로벌팹리스상위 10개사의 WW 팹리스매출내비중인 65% 대비낮은것을알수있다. 또한인원수가 100명이하의소규모팹리스업체비중이 52% 에이른다. 중국이반도체산업에서글로벌경쟁력을갖추기위해서는로컬반도체업체간통합을통한규모의경제달성이필수적으로선행되어야할것이다. 중국정부는이번정책의목표중하나로반도체시장점유율을 2014년 13% 에서 2020년 33% 로증가시키는것을내걸었다. 앞서보았듯이현재중국로컬반도체업체들의경쟁력은약하다. 따라서중국정부는자국반도체업체들에대한직접투자만으로는목표를이루기어렵다고판단하고, 성장률달성을위해직접투자를통한내부성장과인수합병과같은외부성장방식을동시에취한것으로보인다. Figure 48 중국팹리스업체들수 ( 인원수기준 ) Figure 49 상위팹리스 10 개업체매출비중 (2013 년기준 ) Source: PWC, KTB 투자증권 Source: PWC, KTB 투자증권 22 Page

23 In-Depth 반도체 반도체산업을지원하는펀드에대해알아보도록하겠다. IC 산업투자펀드는중앙정부펀드 (CICIIF, China Integrated Circuit Industry Investment Fund) 와지방정부펀드, 기타펀드로나뉘어져있다. 중앙정부펀드는지방정부의펀드를지원하기도한다. 현재까지조성된전체펀드자금규모는약 275억달러정도인것으로파악된다. 향후추가자금도조달될예정이다. 현재조달된펀드는매년약 70억달러씩 4년간에나누어집행될예정이다. 물론큰규모이긴하다. 그러나 2015년 WW 반도체설비투자금액은약 660억달러라는점을감안하면시장이우려할만큼또그렇게큰규모는아닐수도있다. 중앙정부펀드는 MIIT (Ministry of Industry and Information Technology) 의주도로 2014년 9월부터자금을모집하기시작하여현재까지약 210억달러를조달한것으로파악된다. 최초펀딩에는중국개발은행, 중국담배공사, 북경이타운국제투자개발, 차이나모바일, Shanghai Guosheng등이참여했다. 조달된자금은 2014년부터 2017년까지 4년에걸쳐 1) M&A 및 IP 취득과같은전략적인수합병, 2) 기업의 ( 일상적으로이루어지는 ) 설비투자지원, 3) R&D 투자프로젝트등에사용될계획이다. 산업별로는제조 40%, 설계 30%, 후공정 30% 로배분될예정이다. 지방정부중에는상해와북경이가장적극적인행보를취하고있다. 북경은 2014년 6월정부가정책을발표한후지방정부중가장먼저펀드를조성했다. Hua capital, CGP Investment, E-town international Industry Capital Mgt. 등이참여하여현재까지 48억달러규모의자금을모았다. 상해도 Summitview capital, PDSTI (Shanghai Pudong Science and Technology Investment) 를중심으로 16억달러의자금조성에성공했다. 이외에도심천, 우한, 안휘, 산동등의지방정부가향후 IC 산업투자펀드를만들계획을가지고있다. Figure 50 CICIIF 요약 Figure 년반도체설비투자금액은 660 억달러 Source: CSIA, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 23 Page

24 In-Depth 반도체 Figure 52 중국정부 ( 중앙정부및지방정부 ) 의반도체지원펀드 Source: CSIA, MIIT, KTB 투자증권 24 Page

25 In-Depth 반도체 V-2. 기회는? M&A 의대상이되는기업 IC 산업투자펀드조성후중국펀드가해외반도체업체들을인수합병 ( 혹은인수합병을제안 ) 하는것이자주눈에띈다. 펀드조성이전에는중국로컬업체들간에합병이주를이루었던것과차이를보인다. 향후에도중국은펀드자금을이용하여해외반도체업체를인수합병할것으로보인다. 이과정에서중국펀드의인수합병대상이되는기업들은투자자들에게수익창출기회를제공할것으로보인다. 지난 4월중국반도체업체에피인수된국내메모리팹리스업체인피델릭스처럼말이다. 기존에중국정부는로컬업체간의인수합병을장려했다. 글로벌경쟁력을갖출수있을만큼큰규모의업체를만들기위해서였다. 국영기업인칭화유니그룹 (Tsinghua Unigroup) 이 2013년 7월과 9월에각각팹리스업체인스프레드트럼과 RDA를인수한것이대표적인사례이다. 스프레드트럼은유니그룹에인수된후중국정부의지원을받으며빠르게성장하고있다. 이외에도소재업체인 Tongfang Guoxin electronics ( 이전 Tangshan Jingyuan Yufeng Electronics Co) 이팹리스업체인 Shenzhen State Microelectronics를합병하여사업영역을다각화하기도했다. 중국내후공정 2위인 Tianshui Huatien이 Kunshan 소재의 packging 회사를인수하여후공정시장점유율을확대한예도있다. 2014년 6월이후중국 IC 산업투자펀드가주축이되어해외반도체업체를인수하는경우가자주목격되고있다. 2014년 6월이전 1년동안 1건도발생하지않았으나, 이후 11개월간 5건이나발생했다. 인수합병은특정분야에국한되지않고팹리스, 파운드리, 후공정등전방위적으로진행되고있다. 2014년 8월에는북경지방펀드인 Hua capital은옴니비젼을 16.7억달러에인수하겠다는제안을했고, 2015년 5월 19.0억달러에인수를완료했다. 옴니비젼은나스닥에상장되어있는카메라이미지센서를설계하는팹리스업체로소니, 삼성전자를뒤이어업계 3위를차지하고있다. 2015년 1월에는 JCET 와중국반도체펀드, SMIC가각각 2.6억달러, 1.5억달러, 1억달러를투자해스태츠칩팩의지분 50%, 30%, 20% 를각각확보했다. JCET 과스태츠칩팩은글로벌후공정 6위및 4 위업체로합병후의 JCET 의시장점유율은 ASE, Amkor에이어 3위로훌쩍뛰어오른다. IC 산업투자펀드를구성후중앙정부펀드 (CICIIF) 가주도적으로해외업체를인수합병한첫번째케이스이다. 3월에는상해지역 IC 펀드인 Summitview capital 등이컨소시엄을구성해나스닥에상장되어있는 Specialty DRAM 설계업체인 ISSI를약 6.4억달러에인수했다. 컨소시엄에는 etown MemTek ( 파운드리 ), Hua Capital ( 북경지역 IC 펀드 ), Huaqing Jiye Investment Management가포함되어있다. 4월에는칭화유니그룹 (Tsinghua Unigroup) 은 HP의중국네트워크장비자회사 H3C테크놀로지인수를제안했다. H3C는 2003년화웨이와 3com이공동으로설립한네트워크장비회사로 2006년 3com으로소유권이넘어갔다. 이후 HP가 2010년 3Com을 27억달러에인수하면서 HP의자회사로편입되었다. 25 Page

26 In-Depth 반도체 Figure 53 최근중국반도체업체관련 M&A 일자 내용 비교 IC 펀드조성전 2013/07 Tsinghua Unigroup, Spreadtrum 인수 중국업체간통합 2013/09 Huatien, Advanced packaging 자회사인수 중국업체간통합 2013/09 Tsinghua Unigroup, RDA 인수 중국업체간통합 2013/12 Tongfang Guoxin, Shenzhen State Microelectronics 인수 중국업체간통합 2014/02 SMIC, JCET 와 bumping 공정 J/V 중국업체간전략적제휴 IC 펀드조성후 2014/07 PDSTI 및 CEC, Montage Technology 인수 중국펀드, 나스닥상장된중국업체 M&A 2014/09 Intel, Tsinghua Unigroup 지분 20% 인수 해외업체, 중국업체에지분투자 2015/01 JCET 및 SMIC, 스태츠칩팩인수 중국펀드및업체, 해외업체 M&A 2015/03 SMIC, 동부하이텍인수제안 중국업체 ( 펀드 ), 해외업체 M&A 제안 2015/03 Summitview capital, ISSI 인수 중국펀드, 해외업체 M&A 2015/04 Tsinghua Unigroup, H3C 인수제안 중국펀드, 해외업체 M&A 제안 2015/04 동심반도체유한공사, Fidelix 지분인수 중국업체, 해외업체 M&A 2015/05 Hua Capital Management, Omnivision 인수 중국펀드, 해외업체 M&A Source: KTB 투자증권 중국은국내파운드리업체인동부하이텍에도관심을가지고있다. 지난해말동부하이텍인수우선협상대상자였던 IA/ 에스크배리타스자산운용컨소시엄은인수를포기했다. 이후 SMIC가매각측과협상을시작했다. 협상의진전이없자일각에서는 SMIC가인수를포기했다는관측이나오기도했다. 하지만최근 SMIC는자문사를다시선정하고인수의지를다지고있다. SMIC는중국정부및펀드의지원을받고있는대표업체이다. 따라서 SMIC의투자를중국정부의투자로해석하는것도가능하다. 그렇다면중국은왜동부하이텍에관심을가지는것일까? 동부하이텍의매출액및기술력이중국 2~3 위파운드리업체와비슷하기때문이다. 중국 2위및 3위파운드리업체인 HH Grace (Huahong Grace) 와 CRMicro (China Resources Microelectronics Limited) 의 2014년매출액은각각 6.6억달러및 3.2억달러이다. 같은기간동부하이텍의매출액은 5.3억달러를기록했다중국 3위파운드리업체보다매출규모가크다. 미세공정면에서도 3위업체인 CRMicro 대비앞서있다. 중국입장에서는한번쯤관심을가져볼만한회사인것이다. 인수자금은 7,000억원 ~8,000억원수준일것으로예상된다. Figure 년매출비교 ( 중국파운드리업체들 vs. 동부하이텍 ) Figure 55 미세공정비교 ( 중국파운드리업체들 vs. 동부하이텍 ) Source: Industry data, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 26 Page

27 In-Depth 반도체 V-3. 중국, 메모리산업진출가능한가? V-3-1. 중국이메모리산업에관심을가지는이유 지난 3월 Summitview Capital 컨소시엄이나스닥상장되어있는메모리업체인 ISSI를인수했다. 연이어 4월에는 LCD 업체인 BOE가중국정부의지원을받아메모리반도체시장에진출할것이라는소식도전해졌다. LCD, 자동차, 철강산업에서중국로컬업체들의빠른성장을경험한우리에게중국이메모리산업진출을타진하고있다는뉴스가우려로다가오는것은어쩌면너무나당연한일이다. 중국이메모리산업에진출하고싶은이유는메모리반도체관련적자규모가점점커지고있기때문이다. 스마트폰내메모리가차지하는 BOM cost 비중은 20% 로매우높다. 핸드셋내수시장성장및로컬스마트폰업체의경쟁력강화로중국의반도체소비액에서메모리가차지하는비중은 2003년 16% 에서 2013년 23% 로증가되었다. DRAMeXchange는 2014년중국의 DRAM 소비비중은 19.2%, NAND 소비비중은 20.6% 로추정하고있다. 그러나중국은메모리를전량수입에의존할수밖에없다. 잘알려져있는바와같이메모리시장은삼성전자, SK하이닉스, 도시바, 마이크론 4개업체가 95% 이상을점유하고있기때문이다. 스마트폰및태블릿 PC와같은모바일기기에서 BOM cost 비중이높은또하나의반도체는 AP이다. AP의 BOM cost 비중은약 10% 에달한다. AP는하이실리콘, 스프레드트럼, 올위너, 락칩등로컬팹리스업체들을통해상당부분자국화에성공했다. 27 Page

28 In-Depth 반도체 Figure 56 중국의반도체 device 별소비비중 (2003 vs. 2013) Figure 57 중국의반도체 application 별소비비중 (2003 vs. 2013) Source: PWC, KTB 투자증권 Source: PWC, KTB 투자증권 Figure 58 Device 별반도체소비비중 (WW vs. 중국 ) Figure 59 Application 별반도체소비비중 (WW vs. 중국 ) Source: PWC, KTB 투자증권 Source: PWC, KTB 투자증권 Figure 60 중국의 DRAM 소비비중 (2014 년매출비중 ) Figure 61 중국의 NAND 소비비중 (2014 년매출기준 ) Source: DRAMeXchange, KTB 투자증권 Source: DRAMeXchange, KTB 투자증권 28 Page

29 In-Depth 반도체 V-3-2. 중국메모리반도체업체들현황 중국의메모리반도체업체들은그수가많지않을뿐만아니라규모도매우작다. 중국메모리업체 ( 중국로컬업체혹은중국지분이높은해외업체모두포함 ) 수는 8개정도이다. 팹리스업체는산동화신반도체 (Shandong Huaxin semiconductor), GigaDevice, Montage Technology, ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.), Fidelix등이있다. 파운드리업체로는 SMIC, HH Grace, WXIC가있다. IDM은현재로써는없는듯하다. 그나마도 DRAM 및 NAND 관련업체는산동화신반도체 (SCS), ISSI, Fidelix, SMIC 등 4개업체밖에되지않는다. 중국메모리반도체업체들의매출규모도작다. 위업체중매출액이가장큰업체는 ISSI인데, 2013 년매출액이약 3.0억달러에불과하다. 그외나머지업체들의매출액은약 1.0~1.5억달러수준이다. 2013년메모리시장약 670억달러, 삼성전자및 SK하이닉스의매출액이각각약 217억달러및약 127억달러대비매우미미한규모이다. Figure 62 중국메모리반도체업체현황 IDM Fabless Foundry X Giga Device Montage Technology WXIC SMIC Huahong Grace ISSI Fidelix Source: KTB 투자증권 29 Page

30 In-Depth 반도체 Figure 63 중국메모리업체들주요제품정리 Figure 64 중국메모리업체들매출액규모 (2013 년기준 ) Source: Bloomberg, isuppli, Industry data, KTB 투자증권 Source: Bloomberg, isuppli, Industry data, KTB 투자증권 Figure 65 메모리업체순위, ISSI/GigaDevice/Fidelix 중국에인수됨 ( 단위 : mn$) Rank 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 국가 1 Samsung Electronics 4,719 5,079 5,738 6,137 5,882 6,718 한국 2 Micron Technology 3,118 3,514 3,660 3,829 3,838 3,974 미국 3 SK Hynix 2,471 3,416 3,576 3,065 3,389 3,717 한국 4 SanDisk 1,238 1,387 1,535 1,629 1,417 1,545 미국 5 Toshiba 1,239 1,455 1,686 1,264 1,357 1,075 일본 6 Intel 미국 7 Nanya Technology 대만 8 Winbond Electronics 대만 9 Spansion 미국, Cypress와합병 10 Macronix International 대만 11 Powerchip Technology 대만 12 Integrated Silicon Solution (ISSI) 미국, 중국펀드에인수 13 Cypress Semiconductor 미국 14 Elite Semiconductor Memory Technology 대만 15 STMicroelectronics 유럽 ( 스위스 ) 16 Etron Technology 대만 17 Renesas Electronics Corporation 일본 18 Atmel Corporation 미국 19 NXP 유럽 ( 네덜란드 ) 20 Microchip Technology 미국 21 GigaDevice Semiconductor 중국, 중국펀드에인수 22 Integrated Device Technology 미국 23 ROHM Semiconductor 일본 24 ON Semiconductor 미국 25 Fujitsu Semiconductor Limited 일본 26 Sitronics 동유럽 27 Fidelix 한국, 중국업체에인수 28 Zentel Electronics 대만 29 GSI Technology 캐나다 30 Eon Silicon Solution 대만 Total Semiconductor 14,789 17,131 18,506 18,270 18,147 19,347 Source: Isuppli, KTB 투자증권 30 Page

31 In-Depth 반도체 산동화신반도체 (Shandong Huaxin semiconductor) 는 2008년 3월 PC 및서버제조업체인 Inspur, handong High Technology Group, 그리고 Shandong Jinan High Technology Group 3사가 J/V로설립한회사이다. 2009년 2월독일 DRAM 업체인키몬다가파산한후키몬다의연구개발센터를인수하여기술진을유입함으로써 DRAM 설계를시작했다. 주요제품은컨슈머 DRAM인것으로파악된다. 2011년에는제난 (Jinan) 에패키지라인을투자하여현재는 DRAM 설계및후공정사업을영위하고있다. 현재기술수준은 45nm 수준인것으로파악된다. (2014년 9월, 45nm 1Gb DDR3 개발발표 ) 다만키몬다의 trench 기술을기반으로하고있어 45nm 이하공정으로전환이가능할지는의문이다. Figure 66 산동화신반도체역사 Figure 67 산동화신반도체생산및판매법인 Development history 2009 Succeeded in purchasing Qimonda's China R&D Center 2010 Developed the high-speed controller chip for Solid Storage 2011 Established a high-end IC packaging and testing production line 2012 IC Industrial Park construction began in Jinan CFTZ 2013 Launched the China First Large Size OGS Touch Panel 2014 World Class Production Base began construction Source: Shandong Huaxin semiconductor, KTB 투자증권 Source: Shandong Huaxin semiconductor, KTB 투자증권 GigaDevice 는 2005년에베이징에설립된메모리팹리스업체로, NOR 플래쉬를주력으로설계하고있다. 글로벌시장내 NOR 점유율은 14%, 중국시장내점유율은약 30% 정도로추정된다. 2013년 3 월부터는 SPI 기반의 NAND 제품을설계하기시작하여 2014년 NAND 매출액은약 700억으로성장했다. 시장점유율약 0.2% 에그치는미미한수준이긴하지만, 영업시작 2년만에기록한매출이라는것을감안하면무시하기어려운규모이기도하다. 2013년부터 ARM core를이용한 MCU 생산도시작했다. Figure 68 GigaDevice 역사 Figure 69 NOR flash 시장규모, 연간 2 조원초반 History GD32 MCU officially released The 1st 65nm product - 1.8V SPI NOR Flash in production The 1st WSON8 Package SPI NAND Flash product in the world in production GigaDevice named to Eetimes Silicon 60 list Awarded as "The Best Market Performance" by CSIP Awarded as "The Best Market Performance" by CSIP The 1st 1.8V product - 90nm SPI NOR Flash in production The 1st 90nm product - 3.0V SPI NOR Flash in production Awarded as "The Best Market Performance" by CSIP The 1st 130nm product - 3.0V SPI NOR Flash in production The 1st 180nm product - 3.0V SPI NOR Flash in production The 1st SPI NOR Flash product in China starting to sample SGS ISO9001 and ISO Certified Low power SRAM are in production The 1st low power 2T-SRAM was Silicon proven on SMIC platform GigaDevice Semiconductor(Beijing) Inc. is established in Beijing Source: GigaDevice, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 31 Page

32 In-Depth 반도체 ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.) 는나스닥에상장된반도체설계업체로 2015년 3월에 Summitview Capital이약 6.4억달러에인수했다. 동사는 1988년에대만계창업자들에의해설립되었다. 설립당시 PC DRAM용 cache 메모리를주로생산했다. 이후몇몇 DRAM 설계업체들을인수합병함으로써사업범위를 DRAM으로확했다. 2005년및 2006년에 ICSI 및 Alliance semi를인수했고, 2009 년에는 mobile DRAM 시장진입을위해 Enable를추가로인수했다. 2012년에는 Chingis를인수하며 NOR Flash 사업도시작했다. 2014년매출액은약 3.3억달러로, 주요제품은 Specialty DRAM이다. 2014년제품별매출비중은 SRAM 26%, Specialty DRAM 64%, NOR flash 9%, 기타 2% 의비중을차지하고있다. Device별매출비중은 Auto용 47%, Industrial용 23%, Communication용 15%, Comsumer용 15% 이다. 국내메모리업체와는제품믹스측면에서확연히차이를드러내고있다. Figure 70 ISSI, application 별제품매출액 Figure 71 ISSI, device 별제품매출비중 Auto 47% Industrial 23% Comm s 15% Consumer 15% Source: ISSI, KTB 투자증권 Source: ISSI, KTB 투자증권 Figure 72 ISSI 역사 : IPO 2005: Acquired ICSI to expand DRAM line 2009: Acquired Enable Semi to expand Mobile DRAM : ISSI founded Targeted PC cashe Solution 1998: Spun off ISCS and Flash Division 2006: Acquired Alliance Semi to expand Sync SRAM 2012: Acquired Chingis to enter Flash markets Source: ISSI, KTB 투자증권 32 Page

33 In-Depth 반도체 Montage Technology 는셋탑박스용반도체및메모리인터페이스반도체를설계하는팹리스업체이다. 2004년에중국계자본을기반으로설립되었다. 2013년나스닥에상장되었다. 2014년 6월에중국지방정부가주도하는펀드인 PSDTI가 6.9억달러에인수했다. 주력제품은메모리인터페이스로 2006년에처음시장에진입했다. 2008년부터삼성전자에납품을시작했고현재는인텔의주요공급처 2곳중하나라는점을통해기술경쟁력측면에서는우위를가지고있다는판단이가능하다. 동사메모리인터페이스매출액은 2013년 1,200만달러에서 2014년약 4,500만달러 (3분기까지는 3,210 만달러 ) 로대폭증가하며성장세를이어가고있는것으로추정된다. 메모리인터페이스시장규모는연간약 1.5~2.0억달러시장으로동사의시장점유율은약 20%~30% 내외로추정된다. Figure 73 Montage Technology 역사 Source: Montage Technology, KTB 투자증권 Figure 74 Montage Technology 매출액 Figure 75 Montage Technology 분기별손익실적 Source: Montage Technology, KTB 투자증권 Source: Bloomberg, KTB 투자증권 33 Page

34 In-Depth 반도체 SMIC, HH Grace, WXIC는메모리파운드리업체이다. 중국파운드리매출액중메모리반도체파운드리비중은 2007년을기점으로감소하고있다. 2000년초반 30%~40% 였던메모리파운드리매출비중이 2007년 26% 로하락한후 2008년이후는 10% 초반에그치고있다. WXIC의매출액증가에도불구하고 SMIC와 HH Grace의매출액이크게감소했기때문이다. 양사의파운드리사업은 2000년초반인피니언 ( 키몬다의전신 ) 과 NEC ( 엘피다의전신 ) 의메모리를생산함으로써시작되었다. 2008년메모리업황부진으로메모리파운드리를중단하기시작하며매출액이대폭감소했다. 이후 2009년 2월과 2012년 2월에키몬다와엘피다가각각파산하며파운드리물량이더욱줄어든것으로보인다. SMIC는 2002년키몬다의전신인인피니온의칩을위탁생산하며 DRAM 파운드리를시작했다 년에는일본업체인엘피다및도시바와연이어 DRAM 및 SRAM 생산계약을체결하며고객군을확대했다. 그러나 2008년세계경기침체로 DRAM 업황부진으로관련사업의적자가확대되자그해키몬다 ( 인피니언에서메모리사업부만분사 ) 와의 DRAM 파운드리사업을중단했다. 이에따라 SMIC의메모리향파운드리매출액및매출비중은 2008년부터대폭감소했다. DRAM과마찬가지로 NAND 사업도인피니언과함께였다. 인피니언과이스라엘회사인 Saifun과공동으로설립한인피니언테크놀러지플래시는 2004년 NAND 개발에성공했다. SMIC는 2007년에 90 나노공정을이용하여인피니언테크놀러지가개발한 NAND 제품을파운드리를했다. 물론인피니언의파산으로큰성과는없었다. 2014년에는 SMIC가독자적으로 38나노 NAND 공정을독자적으로개발에성공했다. 2014년 10월이기술을기반으로피델릭스 (2015년 4월중국동심반도체유한공사에피인수합병 ) 의파운드리를시작하며 SMIC의메모리파운드리매출액은다시증가추세로돌아섰다. HH Grace는 2012년에 HH NEC와 Grace 반도체가합병한회사이다. HH NEC 는 1998년중국업체인 Huahong과일본업체인 NEC 가합작해서설립한회사이다. 1999년팹가동을시작했는데처음으로생산한제품은 NEC 의 64Mb DRAM 제품이었다. 1999년기준 NEC 는 DRAM 시장내 5위업체로시장점유율은약 7% 였다. 2003년 NEC는히다치와합병하여엘피다가되었다. 합병을위한사전통합기간동안 NEC와히다치의시장점유율은지속하락했는데이는 HH NEC 매출액에부정적인영향을미쳤다. 1999년양사합계기준으로 11.5% 였던시장점유율은 2003년에는 4% 로떨어졌다. 현재는 0.13μm및 0.11μm미세공정으로 envm (embedded Non Volatile Memory) 를생산하고있다. WXIC는 NOR 플래쉬메모리를주로생산하고있다. 2006년에설립된회사로 Wuhan 시정부가출자한정부계펀드기업이다. 주요고객사는스펜션으로 65/45nm에이어 32nm급 NOR 플래쉬 (2013년 8월계약, 2014년 6월생산시작 ) 도생산하고있다. 이외에도 GigaDevice가설계한 NOR 플래쉬도생산하고있는것으로파악된다. NOR 시장성장정체로 WXIC의매출성장도정체되어있다. 최근에는스펜션과전략적인제휴를맺고 3D NAND 공정개발을위해힘쓰고있다. 34 Page

35 In-Depth 반도체 Figure 76 중국주요파운드리업체들매출액추이 Figure 77 중국주요파운드리업체들매출비중 Source: Industry data, KTB 투자증권 Note: ASMC, CRMicro, HH Grace, Huali, SMIC, WXIC 합계기준 Source: Industry data, KTB 투자증권 Note: ASMC, CRMicro, HH Grace, Huali, SMIC, WXIC 합계기준 Figure 년 ~2005 년신규메모리 fab Manufacturer Samsung Fab9 Fab10 Fab11 Fab12 Fab13 Fab14 Hynix M9(C8) Nanya Fab2 Inotera1 PowerChip Fab12A Fab12B ProMOS Fab2 Fab3 SMIC FAB1, Fab2 Fab4/5 Winbond Fab5 Fab6 Micron MTV Flashvision Qimonda(Infineon) Fab2 White Oak Mitsubishi Saijo A wing NEC Shanghai Elpida E300 Area1 E300 Area2 Toshiba Flashvision Source: IDC, KTB투자증권 35 Page

36 In-Depth 반도체 Figure 79 중국주요파운드리업체들 Fab 현황 Fab Name Facility Technology Wafer size K/month Comments SMIC Fab 1 Shanghai, China micron 8" 49,000 Fab 2 Shanghai, China micron 8" 47,000 Fab 3 Shanghai, China Interconnects (Al, Cu) 8" Backend facility and mask shop Fab 8 Shanghai, China 0.045, 0.040, micron 12" 14,000 Entered production 4Q12 Fab 7 Tianjin, China micron 8" 39,000 Will continue to expand this fabs capacity in 2015 Fab B1 Beijing, China micron 12" 23,000 Logic CMOS Fab B1 Beijing, China micron 12" 12,000 Logic CMOS Fab B2 Beijing, China & micron 12" 1,000 Logic CMOS Under construction will enter production in 2014 (JV with government) Shenzhen 9 Shenzhen, China 0.18, 0.13, 0.11-micron 8" 10,000 Initial equipment obtained 10K capacity by the end of 2014, production in 2015 Shenzhen 10 Shenzhen, China TBD 12" Construction has not started Hua hong Fab 3 Shanghai, China 0.25, 0.22, 0.18, 0.13, 8" 40,000 (Grace) The original shell was built to 0.11-micron Logic manufacture this capacity Fab 1 Shanghai, China CMOS micron 8" 50,000 (HHNEC) Fab 2 Shanghai, China CMOS micron 8" 40,000 (HHNEC) WXIC Fab 1 A Wuhan, China 0.090, 0.065, NOR Flash 12" 20,000 Crmicro Fab 1 Wuxi, China CMOS > 0.5-micron 6" 60,000 Converted to 6-inch wafers in 2003, now part of Fab 5 Fab 5 Wuxi, China 0.5, micron 6" 50,000 Fab 2 Wuxi, China , 0.18-micron 8" 42,000 Production started in 2009 Huali Fab 1 Shanghai, China 0.11, 0.65, 0.055, 0.40-micron12" 28,000 Tools installed. Pilot production 1Q12 ASMC Fab 1 Shanghai, China 1.5 micron 5" 20,000 Fab 2 Shanghai, China 0.5-micron 6" 130,000 Fab 3 Shanghai, China 0.35, 0.25-micron 6" 70,000 Source: Industry data, KTB 투자증권 36 Page

37 In-Depth 반도체 Figure 80 SMIC 제품별매출액 Figure 81 SMIC 제품별매출비중 Source: Industry data, KTB투자증권 Source: Industry data, KTB투자증권 Figure 82 HH Grace 제품별매출액 Figure 83 HH Grace 제품별매출비중 Source: Industry data, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 Figure 84 WXIC 제품별매출액 Figure 85 WXIC 제품별매출비중 Source: Industry data, KTB 투자증권 Source: Industry data, KTB 투자증권 37 Page

38 In-Depth 반도체 V-3-3. 중국은메모리산업진입가능한가? No 중국이메모리산업에진입하는것이가능할까? 중국이메모리산업에진입하기위한시나리오를검토해보면짧은시간내에중국이메모리시장에서경쟁력을갖출가능성은매우낮다고판단한다. 물론풍부한유동성을바탕으로해서투자를지속했을때발생할수있는장기적인위험성에대해서는어느정도동의할수밖에없다. 현재메모리를내부적인기술만을가지고독자적으로개발한다는것은거의불가능에가깝다. 선발메모리업체인삼성전자, SK하이닉스등도미세공정전환에어려움을겪고있는것이현실이다. 따라서중국은메모리업체들을인수합병함으로써메모리산업에진입할것으로예상된다. 그러나중국이메모리업체들을인수하여메모리시장에진입한다고하더라도주류시장에진입할수있을기술경쟁력을단기에확보하기어려울것으로판단한다. 파산한키몬다의연구개발인력을흡수하여 2009년부터 DRAM 사업을시작한산동화신반도체의경쟁력이여전히미미하다는사실에서이미한번확인했듯이말이다. 메모리산업에진입하기위해가장효율적인방법은 IDM 업체를인수하는방법이다. DRAM의경우파산한엘피다혹은프로모스를인수하는것이가능손쉬운방법이다. 그러나우리는엘피다와프로모스가파산하게된결정적인이유가기술적인한계에부딪혔기때문이라는사실에주목해야한다. 더욱이파산후몇년간기술개발이진행되지않아삼성전자, SK하이닉스와같은선발업체와의기술갭은더욱확대되어있을것이다. 따라서주류 DRAM 시장에진입하기위해서는인수후기술격차해소를위해다년간의노력이수반되어야할것이다. NAND의경우는인수가능한, 기파산한 IDM 업체가아예없다. 혹은메모리반도체팹리스업체를인수하여메모리팹리스업체가제품을설계하고 SMIC 등과같은중국로컬파운드리업체가생산을하는방법이있다. 그러나이방식은파산한메모리업체를인수하는방식대비성공할가능성이낮다고판단한다. 메모리는소품종대량생산의구조를가지고있다. 따라서팹리스와파운드리가각각독립적으로존재하는사업모델은설계단계부터설계와공정이유기적으로움직이는 IDM 대비비효율적일수밖에없다. 하물며 IDM 업체들간의통합도쉽지않아 1+1<2 의법칙이메모리에서는상식에가까운법칙으로통하고있다. 물론메모리팹리스업체를 SMIC가인수한후 SMIC가메모리 IDM으로전환할수는있지만이또한쉽지않다는판단이다. 중장기적으로는국내반도체장비업체들의수혜가예상된다. 중국이메모리반도체산업진입을위해서는라인건설이필연적이다. 국내반도체장비업체들은삼성전자와 SK하이닉스에장비를납품한풍부한경험을가지고있다. 관심주로는원익 IPS, PSK, 한미반도체등이있다. 38 Page

39 In-Depth 반도체 Figure 86 중국의메모리반도체산업진출 해외반도체업체인수가유일한길. 그러나기술격차가너무크다 Senario1 Senario2 Senario3 Source: KTB 투자증권 Senario 1. 중국펀드및중국 IT 업체, 파산한엘피다인력흡수이시나리오는시장에서이미한번이야기된적이있다. 지난 4월중국 LCD 업체인 BOE가중국정부의지원을받아메모리반도체산업에진입할계획이라는뉴스보도가있었다. BOE는 LCD 업체다. LCD가반도체와그나마가장유사한특성을가지고있기때문에메모리산업진출에거론된것으로보인다. BOE가내부에반도체사업부를신설한것은맞으나, 이는메모리가아닌디스플레이용반도체의일종인 DDI 관련부서인것으로당사는파악하고있다. 그러나 BOE가향후중국 IT 업체는중국정부의지원 ( 중국 IC 산업펀드포함 ) 을받아파산한엘피다의인력들을흡수함으로써 DRAM 산업에진입할가능성은충분하다고생각한다. 앞서중국메모리반도체업체들의현황을살펴보면서우리는이미 2000년초반중국이엘피다와메모리사업을함께했었다는것을확인했다. 유이치사카모토전엘피다회장이 BOE의메모리산업진입에참여하고있다고거론되는이유이기도하다. 특히엘피다가모바일 DRAM 경쟁력을가지고있다는점은중국에게매력적인것으로보인다. 중국로컬스마트폰업체들향모바일 DRAM 판매가가능하기때문이다. BOE는하이디스를인수하여 LCD 산업에진출한성공한경험을가지고있다. 이경험을엘피다인수및메모리산업진출에그대로적용할수있다. 그러나 LCD 대비메모리는설계는물론공정난이도가매우높기때문에 LCD 진입때와는다른양상을보일것으로예상한다. LCD 생산일수가 2주인데비해메모리반도체생산일수는약 8주정도로길다. 단순한수치계산법으로접근하더라도메모리생산공정에서문제가발생하는경우의수가최소 LCD의 8배에이른다. 제품생산을위해해결해야할문제가그만큼많다는뜻이다. 공정이이정도이니설계는말할필요도없을것이다. 39 Page

40 In-Depth 반도체 Senario 2. 중국펀드, 대만메모리업체인수중국펀드가대만에있는메모리업체를인수하는방법이있다. 현재대만에있는메모리업체중인수가능한업체는윈본드일것으로추정한다. 이노테라와렉스칩은사실상마이크론의지배를받고있어매각가능성이높지않다는판단이다. 윈본드는 DRAM과 NAND 사업부를모두가지고있다. DRAM에서는일찌감치주류 DRAM 경쟁에서빠져나와컨슈머 DRAM을중심으로하여니치마켓플레이어로자리잡았다. 46nm 미세공정기술로 DRAM과 NAND를모두생산하고있다. 물론선발업체대비미세공정기술력이선발업체대비 DRAM은 4년, NAND는 5년이상뒤쳐져있다. 난야는 30nm 미세공정기술을기반으로주로컨슈머 DRAM을생산하고있는업체이다. 난야의인수는가능하지만마이크론의기술을이전받고있기때문에향후특허소송등에휘말릴가능성이높다. 파워칩도난야와마찬가지로기술관련소송에휘말릴수있는가능성이큰것으로판단한다. 파워칩은기존엘피다의기술을공여받아 DRAM을생산하고있기때문에마이크론이소송을제기할수있다. 파워칩은실적부진으로 2012년에 DRAM 사업에서철수했다. 현재는 NAND IDM, DRAM 파운드리, 비메모리파운드리사업을하고있다. 주요공정은 40나노대인것으로파악된다. Senario 3. SMIC 파운드리 + 팹리스업체인수 (ex. 피델릭스 ) 하여설계 NAND는파산한 IDM 업체가없기때문에팹리스업체를인수하여설계를맡기고, 설계된제품을중국파운드리를이용하여생산하는방식을취할가능성이높다. 얼마전중국동심반도체유한공사는국내메모리설계업체인피델릭스지분 15.9% 를약 85억원에인수했다. 피델릭스는버퍼 DRAM, NAND, NOR 플래시설계업체이다. 향후 SMIC가동심반도체유한공사가인수한피델릭스의지분을재인수하거나혹은동심반도체유한공사와 SMIC가합작회사를설립하게되는경우중국은 NAND IDM 업체를보유하게된다. 피델릭스는핸드셋등에버퍼메모리로사용되는 PSRAM(Pseudo SRAM) 및 LP-SDRAM(Low Power SDRAM)/DDR(Double Data Rate) 제품과핸드셋, ODD, Blue Ray 디스크등에사용되는 NOR 플래쉬를주로생산하고있다. 2014년 10월부터는자체기술력으로개발한 NAND 1Gb 제품을대량양산하기시작했다. SMIC가자체개발한 38nm 공정기술로피델릭스의파운드리를담당하고있다. 피델릭스는 38nm 1Gb 제품에이어 20nm 2Gb 및 4Gb 제품개발을계획하고있다. 40 Page

41 In-Depth 반도체 Figure 87 윈본드제품비중 Figure 88 윈본드미세공정비중 Source: DRAMeXchange, KTB 투자증권 Figure 89 파워칩 CAPA (12 Eq. 기준 ) Source: DRAMeXchange, KTB 투자증권 Figure 90 난야제품별매출비중 Source: IDC, KTB 투자증권 Source: Nanya, KTB 투자증권 Figure 91 업체별메모리 IP 보유현황 Company No. of IP Assets Micron 5,279 Samsung 4,740 Toshiba 3,514 IBM 3,372 Intel 2,912 Renesas 2,902 SK Hynix 2,148 SanDisk 1,857 Texas Instruments 1,771 Fujitsu 1,267 Qimonda 1,242 Taiwan Semiconductor 1,200 Round Rock Research 1,115 Sony 1,021 ST Microelectronics 993 Total 35,333 Source: irunway, KTB 투자증권 Figure 92 공정별메모리 IP 현황 IP number Volatile Memory SRAM DRAM Others Front-end of Line 1,411 5, Manufacturing Back-end of Line Assembly&Testing 1,903 3, Latency 7,116 10, Design Cell Size 5,080 5, Parameters Bit Density 1,125 3, Power Management 4,411 4, Endurance Total 21,829 34,873 1,739 Source: irunway, KTB 투자증권 41 Page

42 In-Depth 반도체 이페이지는편집상공백입니다. 42 Page

43 In-Depth 반도체 VI. 종목별투자의견 삼성전자 (005930) _ Top-Pick SK하이닉스 (000660) 동부하이텍 (000990) 43 Page

44 Top-Pick 삼성전자 (005930) 삼각편대를가진종합반도체업체 투자의견 목표주가 Earnings Stock Information 현재가 (5/8) 예상주가상승률시가총액비중 (KOSPI 내 ) 발행주식수 52 주최저가 / 최고가 3 개월일평균거래대금외국인지분율주요주주지분율이건희외 11 인국민연금공단 Valuation wide PER( 배 ) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 배당수익률 (%) Performance Price Trend BUY BUY 1,800,000 원 1,338,000 원 34.5% 1,970,865 억원 15.17% 147,299 천주 1,083,000/1,503,000 원 3,234 억원 51.6% 현재직전변동 유지 유지 유지 17.6% 7.8% E 2016E M 6M 12M YTD 주가상승률 (%) (9.5) 10.9 (0.9) 0.8 KOSPI대비상대수익률 (%) (10.8) 3.4 (7.8) (8.0) 44 Page Issue 중국반도체업체들현황및중국정부정책변화검토를통한투자의견점검 Pitch 중국메모리반도체업체들의현황및메모리반도체진입을위한시나리오를검토해본결과, 중국이단기간에메모리산업내에서경쟁력을갖출가능성은낮다고판단. 보수적으로중국이메모리산업에진입하더라도동사의경쟁자가될수없을것. 동사는 DRAM, NAND, AP, 기타비메모리제품등다양한제품을동시에보유하고있기때문. 삼성전자에대해서투자의견 BUY 및목표주가 180만원유지 Rationale 중국이메모리산업에단기간에진출하는것은어렵다고판단. 삼성전자의 DRAM 산업내경쟁력은지속될것으로판단 1) 중국메모리업체는수가적을뿐아니라, 매출액규모도매우작음 2) 따라서해외메모리업체인수필요. 파산한엘피다혹은대만윈본드가대안이될수있음. 그러나양사기술력은선발업체대비최소 3년이상뒤쳐져있음. 따라서주류제품시장진출이단기에어려워보임 3) 메모리팹리스업체를인수하고생산은 SMIC 등의중국파운드리가맡는방법. 그러나다른회사간의프로세스가효율적으로통합되기어려운메모리산업의특성상기존메모리업체를인수하는방식대비더욱어려울것 V-NAND에도경쟁력을가지고있음. 업계최초로 V-NAND를대량으로생산하기시작함. 최근 48단 MLC 제품수율개선중. V-NAND 기반으로 SSD 시장을독식할것으로전망 AP 경쟁력회복중. 스냅드래곤 810 발열이슈로인해 Exynos 7420의내부탑재비중대폭증가중. 14nm FF 기술을기반으로파운드리경쟁력도강화중 Earnings Forecasts ( 단위 : 십억원, %) E 2016E 2017E 2018E 매출액 201, , , , , , ,487 영업이익 29,049 36,785 25,025 28,955 31,725 33,217 34,700 EBITDA 44,671 53,230 43,078 49,391 51,611 55,092 57,887 순이익 23,845 30,475 23,394 24,806 28,184 29,927 31,699 순차입금 (22,553) (43,335) (50,552) (60,374) (74,858) (92,687) (109,579) 매출액증가율 (9.8) 영업이익률 순이익률 EPS증가율 (22.6) ROE Source: K-IFRS 연결기준, KTB 투자증권

45 In-Depth 반도체 재무제표 ( 삼성전자 ) 대차대조표 손익계산서 ( 단위 : 십억원 ) 유동자산현금성자산매출채권재고자산비유동자산투자자산유형자산무형자산자산총계유동부채매입채무유동성이자부채비유동부채비유동이자부채부채총계자본금자본잉여금이익잉여금자본조정자기주식자본총계투하자본순차입금 ROA ROE ROIC E 2016E 2017E 110, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,716.6 (9,459.1) (12,649.3) (12,649.3) (12,649.3) (12,649.3) (7,323.4) (8,429.3) (8,429.3) (8,429.3) (8,429.3) 150, , , , , , , , , ,362.4 (43,335.5) (50,551.8) (60,374.0) (74,858.1) (92,687.1) ( 단위 : 십억원 ) 매출액증가율 (Y-Y,%) 영업이익증가율 (Y-Y,%) EBITDA 영업외손익순이자수익외화관련손익지분법손익세전계속사업손익당기순이익지배기업당기순이익증가율 (Y-Y,%) NOPLAT (+) Dep (-) 운전자본투자 (-) Capex OpFCF 3 Yr CAGR & Margins 매출액증가율 (3Yr) 영업이익증가율 (3Yr) EBITDA증가율 (3Yr) 순이익증가율 (3Yr) 영업이익률 (%) EBITDA마진 (%) 순이익률 (%) E 2016E 2017E 228, , , , , (9.8) , , , , , (32.0) , , , , , , , , , , , , , ,144.4 (330.1) (250.1) (80.0) (80.0) (80.0) , , , , , , , , , , , , , , , (23.2) , , , , , , , , , , ,482.7 (2,690.5) 3, , , , , , , , , , , , (0.9) (0.1) (4.8) (1.0) (2.6) 현금흐름표 ( 단위 : 십억원 ) 영업현금당기순이익자산상각비 , , , , , , E 40, , , E 46, , , E 51, , ,874.5 운전자본증감 (1,313.2) (3,837.1) (3,473.5) (1,894.3) (621.8) 매출채권감소 ( 증가 ) 재고자산감소 ( 증가 ) (1,801.7) (3,097.8) (879.4) (2,453.9) (1,445.3) (2,016.9) (664.6) (451.9) 매입채무증가 ( 감소 ) ,176.7 (81.7) 투자현금 (44,747.0) (32,806.4) (30,369.7) (30,385.8) (31,791.1) 단기투자자산감소 (19,358.0) (1,824.3) (1,826.2) (1,900.4) (1,977.5) 장기투자증권감소 (6,009.2) (527.6) (537.2) (546.0) 설비투자 (23,157.6) (22,042.9) (26,048.3) (25,961.3) (27,260.4) 유무형자산감소 (552.7) (907.0) (1,491.8) (1,491.8) (1,491.8) 재무현금 (4,137.0) (3,057.1) (2,350.3) (4,338.8) (3,982.0) 차입금증가 (3,203.3) (108.2) (764.9) (67.8) 자본증가 (1,215.3) (2,206.3) (2,242.1) (3,573.9) (3,914.2) 배당금지급현금증감총현금흐름 (Gross CF) 1,249.7 (2,506.7) 54, , , , , , , , , , , ,178.6 (-) 운전자본증가 ( 감소 ) (-) 설비투자 (+) 자산매각 Free Cash Flow (-) 기타투자잉여현금 Source: K-IFRS 연결기준, KTB 투자증권 1,482.7 (2,690.5) 3, , , , , , ,260.4 (552.7) (907.0) (1,491.8) (1,491.8) (1,491.8) 29, , , , ,804.5 (160.1) 6, , , , , ,258.5 주요투자지표 ( 단위 : 원, 배 ) Per share Data EPS BPS DPS Multiples(x,%) PER PBR EV/EBITDA 배당수익율 PCR PSR 재무건전성 (%) 부채비율 Net debt/equity Net debt/ebitda 유동비율이자보상배율이자비용 / 매출액자산구조투하자본 (%) 현금 + 투자자산 (%) 자본구조차입금 (%) 자기자본 (%) E 2015E 2016E 202, , , , , , ,138 1,056,525 1,200,053 1,352,074 14,300 20,000 21,000 23,000 24, n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a Page

46 In-Depth SK 하이닉스 (000660) 승자독식지속전망 투자의견 목표주가 Earnings Stock Information BUY 현재가 (5/8) 예상주가상승률시가총액비중 (KOSPI 내 ) 발행주식수 52 주최저가 / 최고가 3 개월일평균거래대금외국인지분율주요주주지분율에스케이텔레콤 ( 주 ) 외 4 인국민연금공단 Valuation wide PER( 배 ) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 배당수익률 (%) Performance 주가상승률 (%) KOSPI 대비상대수익률 (%) Price Trend BUY 62,000 원 46 Page 현재직전변동 유지 유지 유지 45,950 원 34.9% 334,517 억원 2.57% 728,002 천주 40,900 / 51,900 원 1,328 억원 52.1% 20.1% 9.2% E 2016E M 6M 12M YTD 7.9 (3.1) 13.0 (3.8) 6.6 (10.6) 6.1 (12.6) Issue 중국반도체업체들현황및중국정부정책변화검토를통한투자의견점검 Pitch 중국메모리반도체업체들의현황및메모리반도체진입을위한시나리오를검토해본결과, 중국이단기간에메모리산업내에서경쟁력을갖출가능성은낮다고판단. SK하이닉스에대해서투자의견 BUY 및목표주가 6.2만원유지 Rationale 중국이메모리산업에단기간에진출하는것은어렵다고판단. SK하이닉스의 DRAM 산업내경쟁력은지속될것으로판단 1) 중국메모리업체는수가적을뿐아니라, 매출액규모도매우작음 2) 따라서해외메모리업체인수필요. 파산한엘피다혹은대만윈본드가대안이될수있음. 그러나양사기술력은선발업체대비최소 3년이상뒤쳐져있음. 따라서주류제품시장진출이단기에어려워보임 3) 메모리팹리스업체를인수하고생산은 SMIC 등의중국파운드리가맡는방법. 그러나다른회사간의프로세스가효율적으로통합되기어려운메모리산업의특성상기존메모리업체를인수하는방식대비더욱어려울것 NAND 경쟁력강화는필요할것으로판단. TLC 제품라인업을이제막갖추기시작했다는점은긍정적으로평가할수있음. 그러나선발업체대비 3D NAND 기술력이뒤쳐져있음은아쉬운점 2분기실적은기존당사추정치를소폭하회할것으로전망. 원 / 달러환율이예상을하회하여하락하고있기때문. 2분기 PC DRAM 가격하락폭은예상대비큰 15% 내외. 그러나이부분은이미당사추정치에반영되어있음 Earnings Forecasts ( 단위 : 십억원, %) E 2016E 2017E 2018E 매출액 10,162 14,165 17,126 19,428 19,824 21,031 23,550 영업이익 (227) 3,380 5,109 6,245 5,984 5,962 5,684 EBITDA 2,976 6,458 8,553 10,143 10,358 10,770 10,505 순이익 (159) 2,873 4,195 5,042 4,856 4,878 4,698 순차입금 4,704 1, (3,103) (5,370) (7,922) (11,798) 매출액증가율 (2.2) 영업이익률 (2.2) 순이익률 (1.6) EPS증가율 적지 흑전 (3.7) 0.4 (3.7) ROE (1.8) Source: K-IFRS 연결기준, KTB 투자증권

47 In-Depth 반도체 재무제표 (SK 하이닉스 ) 대차대조표 손익계산서 ( 단위 : 십억원 ) 유동자산현금성자산매출채권재고자산비유동자산투자자산유형자산무형자산자산총계유동부채매입채무유동성이자부채비유동부채비유동이자부채부채총계자본금자본잉여금이익잉여금자본조정자기주식자본총계투하자본순차입금 ROA ROE ROIC E 2016E 2017E 6, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,281.2 (108.8) (41.8) (0.0) (0.0) (0.0) (0.0) 13, , , , , , , , , , , (3,103.1) (5,370.5) (7,922.1) ( 단위 : 십억원 ) 매출액증가율 (Y-Y,%) 영업이익증가율 (Y-Y,%) EBITDA 영업외손익순이자수익외화관련손익지분법손익세전계속사업손익당기순이익지배기업당기순이익증가율 (Y-Y,%) NOPLAT (+) Dep (-) 운전자본투자 (-) Capex OpFCF 3 Yr CAGR & Margins 매출액증가율 (3Yr) 영업이익증가율 (3Yr) EBITDA증가율 (3Yr) 순이익증가율 (3Yr) 영업이익률 (%) EBITDA마진 (%) 순이익률 (%) E 2016E 2017E 14, , , , , , , , , ,961.7 흑전 (4.2) (0.4) 6, , , , ,770.2 (304.9) (61.8) (9.5) (187.8) (117.0) (40.0) , , , , , , , , , , , , , , ,878.6 흑전 (3.7) 0.4 3, , , , , , , , , ,808.5 (409.6) (791.1) , , , , , , , , , , n/a n/a n/a 현금흐름표 ( 단위 : 십억원 ) 영업현금당기순이익자산상각비운전자본증감매출채권감소 ( 증가 ) 재고자산감소 ( 증가 ) 매입채무증가 ( 감소 ) 투자현금단기투자자산감소장기투자증권감소설비투자유무형자산감소재무현금차입금증가자본증가배당금지급현금증감총현금흐름 (Gross CF) (-) 운전자본증가 ( 감소 ) (-) 설비투자 (+) 자산매각 Free Cash Flow (-) 기타투자잉여현금 Source: K-IFRS 연결기준, KTB 투자증권 E 2016E 2017E 6, , , , , , , , , , , , , , ,808.5 (68.8) (2,657.5) (392.4) (134.0) (278.1) (1,628.7) (22.0) (337.6) (314.5) (0.4) (353.9) (36.7) (53.8) (16.4) (4,892.1) (6,087.8) (6,641.8) (6,335.5) (6,737.7) (1,028.6) (1,407.8) (36.2) (115.2) 27.2 (9.1) (9.5) (9.9) (3,205.8) (4,800.7) (5,800.0) (5,800.0) (6,200.0) (285.8) (137.0) (526.8) (479.8) (479.8) (1,500.0) 28.3 (687.6) (262.1) (1,500.0) 28.4 (641.0) (46.6) (262.1) (291.2) (26.5) (195.1) 2, , , , , , , ,915.7 (409.6) (791.1) , , , , ,200.0 (285.8) (137.0) (526.8) (479.8) (479.8) 3, , , , , (27.2) , , , , ,092.1 주요투자지표 ( 단위 : 원, 배 ) Per share Data EPS BPS DPS Multiples(x,%) PER PBR EV/EBITDA 배당수익율 PCR PSR 재무건전성 (%) 부채비율 Net debt/equity Net debt/ebitda 유동비율이자보상배율이자비용 / 매출액자산구조투하자본 (%) 현금 + 투자자산 (%) 자본구조차입금 (%) 자기자본 (%) E 2016E 2017E 4,102 5,849 6,927 6,672 6,701 16,836 22,939 29,360 35,346 41, n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a n/a Page