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212/11/27( 화 ) Analyst 최도연 2)6923-7336 doyeon@ligstock.com 반도체 ( 비중확대 ) 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 `공급측면에서 213년메모리반도체업황의개선방향성은뚜렷해보입니다. 현재는반도체공급증가율이기존대비크게둔화되는패러다임변화의초입국면입니다.

1 212/11/27( 화 ) Analyst 최도연 2) doyeon@ligstock.com 반도체 ( 비중확대 ) 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 `공급측면에서 213년메모리반도체업황의개선방향성은뚜렷해보입니다. 현재는반도체공급증가율이기존대비크게둔화되는패러다임변화의초입국면입니다. EUV 장비개발이슈와미세공정마진축소로반도체공정개발속도가지연되고있으며, 향후더심화될것입니다. 또한 DPT, ALD 등의공정이확산되면서반도체생산성저하이슈가발생할것으로전망합니다. 반도체업체들이미세공정전환을통해공급을효율적으로증가시켜왔던방법이무색해질전망입니다. DRAM은 213년하반기공급부족, NAND는 213년고성장 / 고성장기조전망합니다. 반도체업종비중확대의견유지하며, 최선호주 SK하이닉스, 차선호주삼성전자유지합니다.

2 C o n t e n t s 반도체공급증가율, 크게둔화될것 공급측면에의한반도체산업의패러다임변화 4 4 (1) 공정개발속도지연공정마진축소로개발기간길어질것 5 5 (2) 반도체생산성저하향후생산성크게감소할전망 8 8 (3) 제한적인 CAPEX 메모리업체들의 213년 CAPEX 제한적일것 Compliance 본조사자료는고객의투자에정보를제공할목적으로작성되었으며, 어떠한경우에도무단복제및배포될수없습니다. 또한본자료에수록된내용은당사가신뢰할만한자료및정보로얻어진것이나, 그정확성이나완전성을보장할수없으므로투자자자신의판단과책임하에최종결정을하시기바랍니다. 따라서어떠한경우에도본자료는고객의주식투자의결과에대한법적책임소재의증빙자료로사용될수없습니다.

3 LIG Research Center Industry Analysis 212/11/27 Analyst 최도연ㆍ 2) ㆍ 반도체 ( 비중확대 ) 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 - 반도체공급증가율이기존대비크게둔화되는패러다임변화의초입국면 - (1) 반도체공정개발속도지연, (2) 반도체생산성저하, (3) 반도체업체들의보수적인 CAPEX 등의이유로 213 년반도체업황개선방향성뚜렷할전망. 반도체업종비중확대의견유지 향후메모리반도체공급측면의변화에주목. 반도체업황개선방향성뚜렷할것 미세공정전환을통한공급증가율이향후크게둔화될전망 메모리산업수익 Cycle의주기가길어지고진폭이커지는효과를발생시킬것 213년반도체업황개선방향성뚜렷할것이며, 213년하반기 DRAM 공급부족전망 (1) 공정마진축소로반도체공정개발속도지연 DRAM 2nm 초반, NAND 1nm 중반공정개발을위해서 EUV 장비개발선행이필요 그러나, 그이전세대부터공정개발속도현저히느려지고있는상황 미세공정마진축소가기존보다빠르게발생하고있으며, 이러한경향은더욱심화될전망 (2) DPT, ALD 등의공정확산으로반도체생산성저하 공정난이도증가로공정진행에더많은시간이필요할전망. 이는반도체생산성저하로연결 특히 DPT와 ALD 공정은기존공정대비훨씬더많은시간이소요 향후미세선폭이좁아질수록, DPT와 ALD 공정의적용범위는크게확대될전망 (3) 반도체업체들의보수적인 CAPEX 계획 미세공정전환에의한공급증가방법이어려워질경우, 반도체업체들이공급을증가시키기위해서는기존대비더많은돈과시간이필요 현상황에서메모리반도체업체들의 213년 CAPEX 계획은보수적인것으로파악 반도체업종비중확대의견유지. SK 하이닉스최선호주, 삼성전자차선호주유지 주요기업투자의견 ( 단위 : 원, %, 배, 십억원 ) 기업명투자의견목표주가현재주가상승여력 213E EPS PER PBR ROE 순차입금 SK 하이닉스 Buy 33, 25, , ,459 삼성전자 Buy 1,7, 1,44, , ,723 자료 : LIG 투자증권

4 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 반도체공급증가율, 크게둔화될것 공급측면에의한반도체산업의패러다임변화 메모리산업의수익주기길어지고진폭은커질것 공급증가율이둔화될것으로보는이유공급측면에의한패러다임변화초입국면에진입 반도체업체들은미세선폭을축소시키는방법을통해생산원가를개선시켜왔다. 단일칩의크기를줄여웨이퍼당칩생산개수를늘리는방법으로, 가장싸고빠르게원가개선이가능하다. 그러나 (1) 최근미세공정개발속도가현저히느려지고있다. 또한, 향후반도체미세공정난이도가높아지면서 (2) 공정 step 수는증가할것이고, step 당소요시간은길어질것이다. 이러한국면에서 (3) 반도체업체들의 213 년 CAPEX 계획은보수적이다. 이는미세공정전환을통해공급을증가시켜오던메모리반도체업체들의핵심공식이무너지는것이며, 향후메모리공급증가율은크게둔화될수밖에없다는것을의미한다. 공급부족발생시공급을증가시켜균형을맞추는데더많은돈과시간이소요될것이다. 따라서향후메모리산업의수익 Cycle 의주기가길어지고진폭은커질것으로전망한다. 현재는 DRAM, NAND 등메모리반도체의공급증가율이기존대비크게둔화되는패러다임변화의초입국면이다. 메모리업황의바닥을확인하고있는현재시점에서, 당사가반도체산업의회복을전망하는이유이다. 메모리산업 Cycle 변화 ( 기존 vs 향후 ) 자료 : LIG 투자증권 4 LIG Research Center ㆍ

LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 (1) 공정개발속도지연 공정마진축소로개발기간길어질것 EUV 광원개발되어야만 DRAM 2nm 초반, NAND 1nm 중반가능 EUV 광원개발, 반드시필요 반도체미세공정개발이한단계성숙하기위해반드시넘어야할벽은 EUV 광원개발이다.

5 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 (1) 공정개발속도지연 공정마진축소로개발기간길어질것 EUV 광원개발되어야만 DRAM 2nm 초반, NAND 1nm 중반가능 EUV 광원개발, 반드시필요 반도체미세공정개발이한단계성숙하기위해반드시넘어야할벽은 EUV 광원개발이다. 현재반도체노광 (Photo) 공정에서사용되고있는 ArF 광원으로는 DRAM 2nm 초반, NAND 1nm 중반공정구현이어렵기때문이다. 인텔, TSMC, 삼성전자, SK 하이닉스등반도체공정선두업체들모두가 ASML 의 EUV 광원개발을기다리고있을수밖에없는상황이다. 최근반도체미세공정마진축소경향심화 EUV보다먼저해결해야할것이공정마진확보 그런데이보다더욱중요한것은 EUV 를사용해야할선폭에도달하기이전세대부터공정개발속도가이미현저히느려지고있다는점이다. 최근반도체선폭이좁아지면서공정마진이크게줄어들고있고, 향후반도체업체들은이를제어하기위한공정개발에더많은시간을투입해야만한다. 미세공정전환에대한이슈는항상제기되어왔었던것이사실이다. 그러나, 지금은기존과는차원이전혀다른상황이다. 미세선폭과 Photo 광원추이 DRAM 업체별 CAPEX 추이 ( 백만 $) 25, 2, 삼성 ( 좌 ) 하이닉스 ( 좌 ) (%) 마이크론 ( 좌 ) 엘피다 ( 좌 ) 5 기타 ( 좌 ) 삼성전자비중 ( 우 ) 하이닉스비중 ( 우 ) 4 15, 3 1, 2 5, E 자료 : SEMATECH, LIG 투자증권 자료 : DRAMeXchange, LIG 투자증권 LIG Research Center ㆍ 5

6 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 반도체공정마진축소, 이미현실화 수율확보에기존대비많은시간소요 통상적으로, DRAM 업체들은최신선폭공정양산을개시한이후약 6 개월만에 CUM 수율 8% 에도달하고, 수율안정화시점부터최신선폭공정비중을의미있게높이기시작하여, 1 년 ~1.5 년만에최신선폭공정비중을 5% 까지끌어올려왔다. 그러나, 이러한공식이최근에깨지기시작했다. DRAM 업체들의공정개발속도가크게둔화되고있기때문이다. 대표적으로, 가장먼저 DRAM 2Xnm 공정을양산한삼성전자는 28nm 를양산한지 1 년이되어서야수율 8% 를확보한것으로파악된다. 수율 8% 에도달하는데기존대비약 6 개월또는 2 배의시간이소요되었으며, 추가적인수율개선을통한생산성확대에도기존대비더많은시간이소요될것이분명하다. DRAM 미세선폭개발전개 ( 기존 vs 현재 ) 자료 : LIG 투자증권 6 LIG Research Center ㆍ

7 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 전환효율, 향후크게감소할것 DRAM 2nm 후반대다음공정은 2nm 중반대가될전망 DRAM 2Xnm (2nm 후반대 ) 이후는더막막하다. EUV 광원없이 DRAM 업체들이 2nm 초반대공정을확보하는것은불가능해보인다. 따라서, DRAM 업체들이 2nm 초반대공정으로진입하기위해서는 ASML 의 EUV 장비개발이선결되어야한다. 그러나, ASML 의 Photo 장비개발속도는반도체생산업체들의기대를충족시켜주지못하고있다. 또한, EUV 장비문제와는전혀별개로 DRAM 업체들이 2nm 초반대공정마진을확보하는것은매우어려운상황이다. 2nm 후반공정에서늦어진미세공정개발속도는선폭이좁아질수록더욱지연될수밖에없다. 따라서, 현재 ASML 과 DRAM 업체들의장비및공정개발속도로추정했을때, 대부분의 DRAM 업체들은 2nm 후반 2nm 중반 2nm 초반 ( 또는 1nm 후반 ) 순서대로공정개발을진행해야할것으로전망한다. 2Xnm에서 2Ynm 전환시공급증가율은 3% 에불과 이것은기존 DRAM 공정개발속도대비공급증가율이낮아진다는것을의미한다. DRAM 업체들은최신미세공정으로전환할경우, 약 6% 의공급증가 ( 웨이퍼내생산칩수증가 ), 3% 의비용증가 ( 스텝수증가및고급장비사용 ) 를통해약 3% 의원가개선효과 (+6%-3%) 를이루어왔다. 그러나, 향후 DRAM 업체들의미세공정선폭이 2nm 후반에서 2nm 중반으로진행될경우, 약 3% 의공급증가만이가능하다. 이경우 DRAM 업체들은공정스텝수증가와신규장비사용을제한하여비용증가를최소화할것이기때문에, 원가개선은충분히가능하다. 다만, 향후미세공정전환에의한공급증가율이현저히떨어질것은분명하다. 전환효율 : 전세대대비웨이퍼당생산량증가율 전환효율추정치추이 미세공정전환에따른비용개선효과 (%) 1 6F2 적용 삼성전자 SK 하이닉스 (%) 원가개선 8 전환효율 : 전세대대비칩증가율 비용증가 평균 6% 전환효율 6% 전환효율 3% 6Xnm 5Xnm 4Xnm 3Xnm 2Xnm 2Ynm 기존 2Ynm 자료 : LIG 투자증권 자료 : LIG 투자증권 LIG Research Center ㆍ 7

LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 (2) 반도체생산성저하 향후생산성크게감소할전망 DPT, ALD 적용공정 step 많아질것 각공정이더욱복잡해지고어려워지고있음 DPT와 ALD는생산성에부정적영향 DRAM 은전공정에서만 3 개이상의공정스텝이필요하다.

8 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 (2) 반도체생산성저하 향후생산성크게감소할전망 DPT, ALD 적용공정 step 많아질것 각공정이더욱복잡해지고어려워지고있음 DPT와 ALD는생산성에부정적영향 DRAM 은전공정에서만 3 개이상의공정스텝이필요하다. 미세선폭이축소될수록각각의공정이더복잡해지고어려워지고있는데, 그만큼각공정들을진행하는데필요한시간이더길어질전망이다. 이는향후반도체업체들의생산능력이떨어질수밖에없다는것을의미하며, 공급증가율둔화흐름에일조할것이다. 특히반도체공정의생산성저하에관련하여, 당사가주목하는공정은 DPT(Double Patterning Technology) 와 ALD(Atomic Layer Deposition) 이다. 반도체업체들은이미 DPT 와 ALD 를일부공정에적용하고있다. 향후공정이미세화될수록 DPT 와 ALD 공정적용이훨씬더많아질것으로보이는데, 문제는 DPT 와 ALD 모두반도체산업의생산성에부정적이라는점이다. 반도체생산성저하이슈는반도체산업에긍정적 자료 : LIG 투자증권 8 LIG Research Center ㆍ

LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 DPT 적용공정확대될것 DPT 적용확대는노광장비개발지연때문 DPT는반도체산업의생산성을저하시킬것 QPT 적용도검토중 DPT 적용공정이확대되고있는이유는 ASML 의 EUV 장비개발지연에서기인한다.

9 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 DPT 적용공정확대될것 DPT 적용확대는노광장비개발지연때문 DPT는반도체산업의생산성을저하시킬것 QPT 적용도검토중 DPT 적용공정이확대되고있는이유는 ASML 의 EUV 장비개발지연에서기인한다. 노광 (Photo) 공정은빛을이용하는데, 현재주력인 ArF 광원 (193nm) 으로는 2nm 대패터닝이어렵다. ArF 광원의부족한부분을노광공정에서 Immersion 기술로보완하고있지만, 완전하지못하기때문이다. 한번씩의증착 (1) 노광 (1) 식각 (1) 의순서가정상적인패터닝방법이라면, DPT 는증착 (1) 노광 (1) 식각 (1) 증착 (2) 식각 (2) 으로패터닝하는것이다. ArF 를통한노광공정으로원하는최소선폭구현이불가능하기때문에, 증착과식각공정을추가적으로거쳐원하는미세선폭으로패터닝하는것이다. ASML 의 EUV 장비개발이완료되어본격적으로양산에적용되기전까지는 DPT 공정이지속적으로확대될전망이다. 또한, EUV 개발이완료되더라도 EUV 장비가고가 (2, 억내외추정 ) 라는점을감안하면 2 nd tier 들은 EUV 장비도입대신 DPT 공정적용을선택할가능성높다. DPT 공정확대는반도체산업의생산성저하를야기시킬수밖에없으며, 향후메모리반도체공급증가율을제한시킬것이다. DPT 기술에이어최근에는 QPT(Quadruple Patterning Technology) 도입마저검토되고있는것으로파악된다. QPT 는 DPT 기술을중복진행하는것으로, 증착 (1) 노광 (1) 식각 (1) 증착 (2) 식각 (2) 증착 (3) 식각 (3) 의순서로패터닝하는것이다. DPT(Double Patterning Technology) 기술 생산성저하로연결 자료 : LIG 투자증권 LIG Research Center ㆍ 9

LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 ALD 적용공정확대될것 ALD는향후 CVD, PVD를빠르게대체할전망 반도체증착방식은 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition), ALD(Atomic Layer

10 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 ALD 적용공정확대될것 ALD는향후 CVD, PVD를빠르게대체할전망 반도체증착방식은 PVD(Physical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition), ALD(Atomic Layer Deposition) 등크게세가지로나눌수있다. 현재반도체증착공정에서가장많이적용되고있는방식은 CVD인데, 미세공정적용시 PVD 대비 Step Coverage( 굴곡있는부분에잘채워지는정도 ) 가좋기때문이다. 공정미세화로 1nm 이하의얇은증착두께를요구하는공정이많아지면서, CVD 방식으로도점차한계점에도달하고있다. 따라서, 가장우수한 Step Coverage 능력을보유한 ALD 공정의확대적용이본격적으로검토되고있다. ALD는 CVD에비해저온공정으로진행되기때문에, 열확산에의한반도체특성저하를막을수있다는장점도있다. ALD는반도체산업의생산성을저하시킬것 현재 ALD 는 Capacitor, Gate 등중요한공정에만적용되고있으나, 향후 SiO2 절연막등으로범위가크게확대될전망이다. 중요한점은 ALD 가박막성장속도가느리기때문에, ALD 공정이확대적용될수록반도체업체들의생산성은낮아질수밖에없다는것이다. ALD 공정확대또한메모리반도체의공급증가율을제한시킬것이다. 증착방식비교 (PVD / CVD / ALD) 장점 단점 PVD 저온증착가능. 불순물적음. 모든물질증착가능 Step Coverage 불량. 얇은두께조절불가 CVD 조성및두께조절유리. Step Coverage 우수 반응변수복잡. 유해가스사용 ALD Step Coverage 가장우수. 두께조절우수. 저온공정가능 생산성낮음 자료 : LIG투자증권 ALD(Atomic Layer Deposition) 증착방법 자료 : 물리학과첨단기술, LIG 투자증권 1 LIG Research Center ㆍ

11 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 (3) 제한적인 CAPEX 메모리업체들의 213 년 CAPEX 제한적일것 반도체업체들에게 CAPEX 부담이높아질전망 앞으로공급증가를위해서는더많은돈과시간이필요할것 미세공정전환속도가늦어지고칩생산성이낮아진다는것이메모리반도체업황에미치는영향은매우크다. 메모리업체들이공급을증가시키는효율이크게감소할수밖에없기때문이다. 반도체업체들이공급을증가시킬수있는방법은 1) 미세공정전환, 2) 캐파증설, 3) 웨이퍼크기확대등크게세가지다. 2) 캐파증설과 3) 웨이퍼크기확대방법은모두 1) 미세공정전환대비더많은돈과시간이필요하다. 메모리업체들은 213 년 CAPEX 를보수적으로운영할전망 메모리반도체산업은본격적인회복국면에돌입할전망 공정마진축소와생산성저하가본격화되는초입국면인현재상황에서, 메모리반도체업체들은 213 년 CAPEX 계획을보수적으로집행할계획이다. 213 년에메모리반도체, 특히 DRAM 의공급증가율이제한적일수밖에없는이유이다. 삼성전자는 213 년반도체캐파투자를 212 년대비보수적으로집행할계획인것으로파악되며, 메모리보다는비메모리에, DRAM 보다는 NAND 에투자를집중할것으로보인다. SK 하이닉스도 212 년대비축소된 213 년 CAPEX 를계획하고있는것으로파악되며, 마이크론은엘피다인수자금때문에 CAPEX 를보수적으로운영할수밖에없는상황이다. 즉, 213 년에메모리반도체업체들은모두물량 (Q) 보다수익성 (P) 위주의정책을펼칠전망이며, 메모리반도체산업은공급증가율둔화로본격적인회복국면에돌입할것이다. LIG Research Center ㆍ 11

12 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 삼성전자비메모리확장, 메모리투자보다우선인것당연 삼성의비메모리집중은메모리업황에긍정적 메모리업계의 1 위업체인삼성전자입장에서메모리캐파증설에대한우선순위는비메모리에비해늦다. 삼성전자는비메모리시장에서메모리산업의성공스토리를다시쓰고있다. 스마트폰시장의양대산맥인삼성전자와애플의 AP 를독점으로공급하고있으며, TSMC 와대등한공정기술을확보하며파운드리사업을추가확장하려고하고있다. 애플과의 AP 비즈니스이슈가불확실성으로제기되고있지만, 비메모리캐파확장이삼성전자반도체 CAPEX 투자의최우선순위임에분명하다. 이는메모리업황에긍정적영향을끼칠것임에분명하다. 마이크론, 엘피다인수로투자여력감소 WF 투입량증가제한적일것 마이크론은엘피다인수로승자의저주에빠질가능성이분명히있다. 그러나극단적가정을하지않더라도, 향후엘피다인수에필요한 3, 억엔이상의자금집행이계획되어있어, 향후물리적으로 WF 투입량을크게증가시키는속도에한계가있을것으로판단된다. 마이크론의투자여력감소는 213 년에만국한된문제가아닐수있다. 삼성전자비메모리라인캐파현황및향후예상 212 년 /213 년 CAPEX 전망 (K/ 월 ) 화성신규 ( 백만 $) 삼성전자 SK 하이닉스마이크론 3 9L, 8L, 오스틴 라인증설 1, 도시바 엘피다 25 낸드라인전환 8, L 전환 6, 4, 2, 211년말 14L 전환 기흥, 오스틴 전환 17L 신규 DRAM NAND DRAM NAND 212E 213F 자료 : LIG 투자증권 자료 : DRAMeXchange, LIG 투자증권 12 LIG Research Center ㆍ

13 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 반도체주요 Data DRAM 가격추이 (DDR3 2Gb, 과거 1 년 ) ($) Spread ( 우 ) Spot ( 좌 ) Contract ( 좌 ) Spread 축소 (%) Spread 축소후가격반등 자료 : LIG 투자증권 NAND 가격추이 (MLC 32Gb, 과거 1 년 ) ($) Spread ( 우 ) Spot ( 좌 ) Contract ( 좌 ) (%) 자료 : LIG 투자증권 LIG Research Center ㆍ 13

14 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 Book to Bill ratio 추이 BB Ratio( 좌 ) m-m( 우 ) y-y( 우 ) (%) 자료 : Bloomberg, LIG 투자증권 ISM 제조업지수추이 ISM 제조업지수 ( 좌 ) m-m( 우 ) y-y( 우 ) (%) 자료 : Bloomberg, LIG 투자증권 반도체지수추이 5 45 필라델피아반도체지수 ( 좌 ) DRAMeXchange 지수 ( 우 ) 3,5 3,3 4 3,1 35 2,9 3 2, ,5 자료 : Bloomberg, LIG 투자증권 14 LIG Research Center ㆍ

15 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 삼성전자 ROE vs PBR 추이 ( 과거 5 년 ) 삼성전자 Global Peer 밸류에이션비교 (213 년 ) (%) ROE( 좌 ) PBR( 우 ) ( 배 ) ROE(%) 삼성전자 Micron Intel TSMC Nokia ZTE SK하이닉스 Toshiba IBM HTC RIM PBR( 배 ) 자료 : Bloomberg, LIG 투자증권 자료 : Bloomberg, LIG 투자증권 삼성전자매출액 vs 시가총액추이 ( 과거 5 년 ) 삼성전자영업이익 vs 시가총액추이 ( 과거 5 년 ) ( 조원 ) 6 매출액 ( 좌 ) 시가총액 ( 우 ) ( 조원 ) 3 ( 십억원 ) 1, 영업이익 ( 좌 ) 시가총액 ( 우 ) ( 조원 ) , , , , , 자료 : DataGuide, LIG 투자증권 자료 : DataGuide, LIG 투자증권 삼성전자 Global Peer 주가추이 반도체 ( 과거 1 년 ) 삼성전자 Global Peer 주가추이 휴대폰 ( 과거 1 년 ) 삼성전자 SK 하이닉스 Micron Toshiba Intel IBM TSMC 2 15 삼성전자 Apple HTC Nokia RIM ZTE 자료 : Bloomberg, LIG 투자증권 자료 : Bloomberg, LIG 투자증권 LIG Research Center ㆍ 15

16 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 SK 하이닉스 ROE vs PBR 추이 ( 과거 5 년 ) SK 하이닉스 Global Peer 밸류에이션비교 (213 년 ) (%) 1 ROE( 좌 ) PBR( 우 ) ( 배 ) 4 ROE(%) SK하이닉스 삼성전자 Micron Toshiba Intel IBM TSMC Inotera PBR( 배 ) 자료 : Bloomberg, LIG 투자증권 자료 : Bloomberg, LIG 투자증권 SK 하이닉스매출액 vs 시가총액추이 ( 과거 5 년 ) SK 하이닉스영업이익 vs 시가총액추이 ( 과거 5 년 ) ( 십억원 ) 매출액 ( 좌 ) 시가총액 ( 우 ) 4, ( 조원 ) 24 ( 십억원 ) 1,5 영업이익 ( 좌 ) 시가총액 ( 우 ) ( 조원 ) 3 3, 18 1, , , , , 자료 : DataGuide, LIG 투자증권 자료 : DataGuide, LIG 투자증권 SK 하이닉스 Global Peer 주가추이 ( 과거 1 년 ) SK 하이닉스기관 / 외인매매동향 (5 년전 으로기준 ) 25 2 SK하이닉스 삼성전자 Micron Toshiba Intel IBM TSMC PowerChip Inotera ( 십억원 ) 기관 ( 좌 ) 연기금 ( 좌 ) 3, 외국인 ( 좌 ) 시가총액 ( 우 ) 2, ( 조원 ) , , , 자료 : Bloomberg, LIG 투자증권 자료 : DataGuide, LIG 투자증권 16 LIG Research Center ㆍ

17 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 LIG Research Center ㆍ 17

18 LIG Industry Analysis 212/11/27 반도체 공급측면에서 213 년이기대되는 3 가지이유 18 LIG Research Center ㆍ

19 LIG Research 투자전략센터 Analyst 내선번호 리서치본부장안수웅 기술적분석 ( 센터장 / 총괄 ) 지기호 khchi@ligstock.com 투자전략 최운선 run4u@ligstock.com 시황 / 글로벌마켓 박해성 hhspark@ligstock.com 이코노미스트 김유겸 yukyum@ligstock.com 계량분석 염동찬 dongchan@ligstock.com 투자전략 RA 유선웅 carpelife@ligstock.com 이코노미스트 RA 윤기현 yun15@ligstock.com 기업분석팀 Analyst 내선번호 정유 / 화학 ( 총괄 ) 박영훈 houn715@ligstock.com 철강 / 금속 김윤상 yoonsang.kim@ligstock.com 조선 / 기계 최광식 gs.choie@ligstock.com 은행 손준범 jbsohn@ligstock.com 반도체 / 디스플레이 최도연 doyeon@ligstock.com 전기전자 김기영 kykim@ligstock.com 유통 / 종합상사 이지영 jy.lee@ligstock.com 건설 채상욱 swchae@ligstock.com 자동차 / 부품 / 타이어 박인우 inwoo.park@ligstock.com IT부품 / 지주회사 강봉우 bwkang@ligstock.com 섬유의복 / 화장품 손효주 sonoju@ligstock.com 인터넷 / 게임 정대호 dh.jeong@ligstock.com 정유 / 화학 ( 중소형 ) 서영화 donaldseo@ligstock.com 운송 / 유틸리티 주혜미 hmjoo@ligstock.com 엔터테인먼트 / 레져 지인해 emalee89@ligstock.com 자동차 / 부품 ( 중소형 ) 김경근 flytojk@ligstock.com 조선 / 기계 ( 중소형 ) 김기태 kt.kim@ligstock.com 철강 / 금속 RA 김기룡 krkim@ligstock.com IT RA 유동규 dongkyu.yu@ligstock.com 지주회사 RA 곽희상 taenk21@ligstock.com 섬유의복 / 화장품 / 유통 RA 송아영 kakisay@ligstock.com Ratings System 구분대상기간투자의견비고 [ 기업분석 ] 12 개월 BUY(15% 초과 ) ㆍ HOLD(%~15%) ㆍ REDUCE(% 미만 ) [ 산업분석 ] 12 개월 Overweight ㆍ Neutral ㆍ Underweight * 단, 산업및기업에대한최종분석이전에는긍정, 중립, 부정으로표시할수있음. Compliance 본조사자료는고객의투자에정보를제공할목적으로작성되었으며, 어떠한경우에도무단복제및배포될수없습니다. 또한본자료에수록된내용은당사가신뢰할만한자료및정보로얻어진것이나, 그정확성이나완전성을보장할수없으므로투자자자신의판단과책임하에최종결정을하시기바랍니다. 따라서어떠한경우에도본자료는고객의주식투자의결과에대한법적책임소재의증빙자료로사용될수없습니다.

Microsoft Word - Full_Company_SamsungSDI_ doc

Microsoft Word - Full_Company_SamsungSDI_ doc 212/11/13( 화 ) Analyst 최도연 2)6923-7336 doyeon@ligstock.com 삼성 SDI (64KS) 밸류에이션매력에실적모멘텀까지 Buy( 유지 ) TP 2, 원 ( 유지 ) 삼성SDI의주가상승을견인할모멘텀은 1)2차전지실적개선과 2)LCD 업황개선에의한지분법이익증가입니다. 삼성전자태블릿PC 급성장, Windows8 적용제품침투,