특허청구의범위청구항 1 a) 반응기내로 1개이상의기판을제공하는단계 ; b) 1종이상의유기금속화합물을상기반응기내로도입하는단계, 여기서 1종이상의유기금속화합물은비스 (2,6,6-트리메틸시클로헥사디에닐 ) 루테늄이고 ; c) 100 이상의온도로설정된상기반응기내에서상기 1종이
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- 효림 비
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1 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C07F 15/00 ( ) C23C 16/08 ( ) (21) 출원번호 (22) 출원일자 ( 국제 ) 2007 년 12 월 20 일 심사청구일자 2012 년 10 월 04 일 (85) 번역문제출일자 2009 년 06 월 19 일 (65) 공개번호 (43) 공개일자 2009 년 08 월 31 일 (86) 국제출원번호 PCT/IB2007/ (87) 국제공개번호 WO 2008/ 국제공개일자 (30) 우선권주장 2008 년 07 월 03 일 년 12 월 22 일유럽특허청 (EPO)(EP) (56) 선행기술조사문헌 KR A* * 는심사관에의하여인용된문헌 (45) 공고일자 2014년12월03일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2014년11월26일 (73) 특허권자 레르리키드쏘시에떼아노님뿌르레뜌드에렉스뿔라따시옹데프로세데조르즈클로드 프랑스파리 ( 우편번호 75007) 께도르세 75 번지 (72) 발명자 가티노, 줄리앙 일본 이바라끼껭츠꾸바시하나바따께메루모 # 두사랫, 크리스티앙 미국 델라웨어주윌밍톤헌터코트 108 (74) 대리인 양영준, 김영 전체청구항수 : 총 5 항심사관 : 이연주 (54) 발명의명칭루테늄함유필름의증착방법 (57) 요약 본발명은하기화학식 I 의유기금속화합물을개시한다 : < 화학식 I> L - Ru - X 상기식에서, L 은, 치환또는비치환된, 시클릭탄소수가 6 이상인비 ( 非 ) 방향족시클릭불포화탄화수소리간드 (L) 이고 ; X 는, 치환또는비치환된, 상기 L 과동일하거나상이한, 시클릭탄소수가 6 이상인비방향족시클릭불포화탄화수소리간드, 또는치환또는비치환된탄소수 5 내지 10 의시클릭또는비시클릭공액알카디에닐탄화수소리간드이다. 본발명은또한, 루테늄기재필름코팅된금속전극을제조하기위한루테늄전구체로서의용도에관한것이다
2 특허청구의범위청구항 1 a) 반응기내로 1개이상의기판을제공하는단계 ; b) 1종이상의유기금속화합물을상기반응기내로도입하는단계, 여기서 1종이상의유기금속화합물은비스 (2,6,6-트리메틸시클로헥사디에닐 ) 루테늄이고 ; c) 100 이상의온도로설정된상기반응기내에서상기 1종이상의유기금속화합물을기판 ( 들 ) 상에분해또는흡착시키는단계 ; 및 d) 루테늄함유필름을상기 1개이상의기판상에증착시키는단계를포함하는, 루테늄함유필름을기판상에증착시키는방법. 청구항 2 제1항에있어서, 1종이상의환원성유체를상기 1종이상의유기금속화합물과함께또는별도로반응기내로제공하는단계 e) 를더포함하는방법. 청구항 3 제2항에있어서, 상기환원성유체가 H 2, NH 3, SiH 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, 수소함유유체또는이들의혼합물인방법. 청구항 4 제1항에있어서, 1종이상의산소함유유체를상기 1종이상의유기금속화합물과함께또는별도로반응기내로제공하는단계 f) 를더포함하는방법. 청구항 5 제4항에있어서, 상기산소함유유체가 O 2, O 3, H 2 O, H 2 O 2, 산소함유라디칼, 또는이들의혼합물인방법. 청구항 6 삭제청구항 7 삭제청구항 8 삭제청구항 9 삭제청구항 10 삭제청구항 11 삭제청구항 12 삭제청구항
3 삭제 청구항 14 삭제 명세서 [0001] 기술분야 본발명은루테늄을기재로하는유기금속화합물, 기판상에의그의증착방법및반도체산업등에서의그의 용도에관한것이다. [0002] 배경기술루테늄 (Ru) 은앞으로수년내에많은적용을위해산업용반도체제조공정에사용될것으로예상된다. 칩제조를위한새로운물질을사용하려는이러한움직임은, 산업에부과된연속스케일링경향에의해초래되는문제점을해결하는데필요하다. 차세대노드로서, Ru는 FeRAM 및 DRAM 적용을위한전극축전기를위한최상의후보물로서간주된다. Ru는, 요구되는성질, 예컨대높은융점, 낮은저항율 (resistivity), 높은내산화성및적절한일함수를가져, CMOS 트랜지스터를위한잠재적인게이트전극물질이될수있다. 사실상, Ru의저항율은이리듐 (Ir) 및백금 (Pt) 의저항율보다낮고, Ru는건식에칭하는데보다용이하게사용될수있다. 또한, 강유전성필름, 예컨대납-지르코네이트-티타네이트 (PZT), 스트론튬비스무트탄탈레이트 (SBT) 또는비스무트란탄티타네이트 (BLT) 로부터유래될수있는산소확산에의해형성될수있고전도성이높은산화루테늄 (RuO 2 ) 및스트론튬산화루테늄 (SRO, SrRuO 3 ) 은, 더욱절연성인것으로알려진다른금속산화물보다전기적특 성에미치는영향이적을것이다. [0003] [0004] 또한, Ru는구리용라이너 (liner) 물질로서유망한생산라인후단 (Back End Of Line, BEOL) 공정후보물이다. 단일 Ru 필름은 Ta, Ta(Si)N 및구리시드층을대체할것이다. Ru 공정은 2 단계의 Ta/Ta(Si)N 공정을단일단계로대체할것이다. 매우다양한 Ru CVD ( 화학기상증착 ) 전구체가이용가능하며, 많은것들이연구되어왔다. 그러나, 현용가능한전구체는증기압이낮다. 즉, Ru(EtCp) 2 의경우 73 에서 0.1 Torr이다. 이러한공지된전구체들로얻어 진 Ru 필름은상당한양의탄소및산소불순물을함유한다. 탄소불순물은전구체물질로부터유래하는것으로유추된다. 산소불순물은공반응물기체 (O 2 ) 로부터유래한다. 문헌 [T. Shibutami et al. (Tosoh R&D Review, 47, 2003)] 에는, Ru 필름은부착력이불충분하고균일하지않으며또한특질상인큐베이션시간 ( 인큐베이션시간은증착이효과적으로시작되는데요구되는시간으로서, 즉, 기체가반응로 (furnace) 로흐르는순간과필름이성장하는순간사이의시간차이로정의됨 ) 이긴것으로공지되어있다. [0005] [0006] 미국특허제6,897,160호에는, Ru 전구체, 예컨대트리카르보닐 (1,3-시클로헥사디엔) Ru 전구체를사용하고조악한산화루테늄층을증착시키는것이공지되어있으며, 여기서상기특정전구체 ( 상기특허의실시예 4 참조 ) 는실온 ( 약 25 ) 의기포발생저장기에보유되고그를통해헬륨이버블링된다. 그러나, 또한, 미국특허제6,517,616호및제5,962,716호에는, Ru(CO) 3 (1,3-시클로헥사디엔) 생성물은실온에 서액체가아니며, 이를, 헬륨과같은불활성기체가그를통해버블링되는용매및전구체의액체용액을얻기 위해용해시켜야한다고공지되어있다. [0007] 또한, Ru(CO) 3 (1,3- 시클로헥사디엔 ) 은문헌 [Y.W. Song et al. (ECS transactions, 2(4), 1-11, 2006)] 에개시 되어있으며, 주위온도에서고체인그의본성 ( 융점이 35 임 ) 이개시되어있다. [0008] [0009] 모든공지된 CO 함유 Ru 전구체는본질적으로동일한단점 ( 높은융점 ) 을갖는다. 따라서, 전구체의증기가통상적인액체운반방법, 예컨대버블링또는증발방법에의해반응로로보다용이하게흐르도록액체생성물을얻기위해선용매가필요하다. 그러나, 용매의사용은통상적으로, 반응기내로의용매분자의침입및증착된필름중의원하지않는불순물의혼입으로인해증착공정에악영향을미칠것으로보인다. 게다가, 사용되는용매는통상적으로독성이고 / 이거나가연성이어서, 이들의사용에는많은제약 ( 안정성측면, 환경적문제점 ) 이따른다. 이외에, 융점이 - 3 -
4 20 보다높은전구체 ( 및심지어는융점이 0 를초과는것들 ) 를사용하는것에는수송중에그리고증착공 정중에추가의제약 ( 원하지않는위치에서의전구체의응축을피하기위한운반라인의가열 ) 이수반된다. [0010] 공지된 CO 함유전구체의반응성은오늘날, 원자층증착 (ALD) 행태를따르지못하고있다. 루테늄필름은단 지 CVD 에의해증착되고, 일부문헌에는심지어 Ru(CO) 3 (1,3- 시클로헥사디엔 ) 전구체로는 ALD 방식이가능하지 않다고기재되어있다. ALD는, 다른공반응물로포화된표면상에의또다른반응물의화학흡착및그반대의화학흡착으로인해균일하고콘포말 (conformal) 한박막을증착시킬수있어오늘날널리사용되는증착기술이다. 이는, 반응로내로의반응물들의순차적도입을내포하며, 여기서각각의반응물도입단계는불활성기체혼합물에의한반응로의퍼징에의해분리된다. ALD 방식에서루테늄증착은일례의퍼징기간과일치할수있으며, 루테늄전구체증기의도입이뒤따른다. 전구체증기는기판상에균일하게흡착될것이고, 대략하나의원자의층이형성된다. 이러한층이형성되는즉시, 루테늄원자는기판의새로운표면과반응할수없다. 이를 ALD의자가제한적성질이라한다. 이어서, 미반응전구체분자및생성된모든부산물을제거하기위해불활성기체를반응로로흐르게한다. 이전에증착된층과반응시키기위해공반응물이도입되고, 생성된물질은루테늄필름이다. 이러한 4 단계공정을주기라하고, 이러한주기는목적하는루테늄두께가얻어질때까지필요한만큼반복될수있으며, 이상적인 ALD 행태에서 1 주기로루테늄한원자의층을증착시킬수있다고공지되어있다. [0011] [0012] [0013] [0014] 발명의상세한설명따라서, 본발명의목적은, 열안정성이개선되고보다용이하게취급및사용될수있으며 CVD, ALD 또는임의의기타증착기술에의해필름을증착시킬수있고짧은인큐베이션으로필름을증착시킬수있으며부층 (sublayer) 과의계면에서원하지않는성질을초래하는산화물층의형성을제한하는신규한유기루테늄화합물을개발하는것이다. 루테늄필름의낮은증착온도본발명의다른목적은, 실온에서액체이고, 용매의첨가없이순수액체로서제공할수있으며, 전구체와함께사용되는공반응물에따라순수루테늄필름또는루테늄함유필름을증착시킬수있고, 생성필름을탐지가능한인큐베이션시간없이증착시키고, 순수루테늄증착뿐만아니라기타루테늄함유필름 ( 예를들어, SrRuO 3, RuO 2 ) 의증착에대해서도 ALD 방식이가능한유기루테늄화합물을제공하는것이다. 이에, 제1 실시양태에따라, 본발명은하기화학식 I의유기금속화합물에관한것이다 : [0015] [0016] [0017] [0018] [0019] 화학식 I L - Ru - X 상기식에서, L은, 플루오로, 히드록시또는아미노중에서선택된 1개이상의라디칼로치환또는비치환된탄소수 1 내지 6 의선형또는분지형알킬기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미드기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알콕시기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미디네이트중에서선택되는 1개이상의치환기로치환또는비치환된, 시클릭탄소수가 6 이상인비 ( 非 ) 방향족시클릭불포화탄화수소리간드 (L) 이고, X는, 플루오로, 히드록시또는아미노중에서선택된 1개이상의라디칼로치환또는비치환된탄소수 1 내지 6 의선형또는분지형알킬기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미드기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알콕시기, 및탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미디네이트중에서선택되는 1개이상의치환기로치환또는비치환된, L과동일하거나상이한, 시클릭탄소수가 6 이상인비방향족시클릭불포화탄화수소리간드 ; 또는플루오로, 히드록시또는아미노중에서선택된 1개이상의라디칼로치환또는비치환된탄수소 1 내지 6의선형또는분지형알킬기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미드기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알콕시기, 및탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미디네이트중에서선택되는 1개이상의라디칼로치환또는비치환된탄소수 5 내지 10의시클릭또는비시클릭공액알카디에닐탄화수소리간드이다. 상기정의된바와같은유기금속화합물에서, 1개이상의유기리간드는, 시클릭탄소수가 6 이상인탄소고리로이루어진반면, 상응하는 전자 ( 이하에서, " 전자구름 " 이라함 ) 는부분적으로개방된고리를형성한다
5 이러한리간드의일례를하기화학식으로나타낸다 : [0020] [0021] 제1의특정실시양태에따라, 본발명은, L이, 플루오로, 히드록시또는아미노중에서선택된 1개이상의라디칼로치환또는비치환된탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미드기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알콕시기, 및탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미디네이트중에서선택되는 1개이상의치환기로치환또는비치환된시클로헥사디에닐 ( 이하, chxd, C 6 H 7 ) 및시클로헵타디에닐 ( 이하, chpd, C 7 H 9 ) 리간드 ; 또는플루오로, 히드록시또는아미노중에서선택된 1개이상의라디칼로치환또는비치환된탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미드기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알콕시기, 및탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미디네이트중에서선택되는 1개이상의치환기로치환또는비치환된탄소수 5 내지 10의시클릭또는비시클릭공액알카디에닐탄화수소리간드중에서선택되는, 상기정의된화학식 I의유기금속화합물에관한것이다, [0022] 제2의특정실시양태에따라, 본발명은, X가, 플루오로, 히드록시또는아미노중에서선택된 1개이상의라디칼로치환또는비치환된탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미드기, 탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알콕시기, 및탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬아미디네이트중에서선택되는 1개이상의치환기로치환또는비치환된시클로헥사디에닐 ( 이하, chxd, C 6 H 7 ), 시클로헵타디에닐 ( 이하, chpd, C 7 H 9 ), 시클로펜타디에닐, 펜타디에닐, 헥사디에닐및헵타디에닐리간드중에서 선택되는, 상기정의된바와같은화학식 I 의유기금속화합물에관한것이다. X 가비시클릭리간드인경우는, 예를들어 (1-3η:6-8η)-2,7- 디메틸옥타디에닐리간드가있다. [0023] [0024] [0025] 제3의특정실시양태에따라, 본발명은, 리간드 L 및 X의치환기가산소가없는, 상기정의된바와같은화학식 I의유기금속화합물, 보다특히 X 및 L이, 플루오로또는아미노중에서선택된 1개이상의라디칼로치환또는비치환된탄소수 1 내지 6의선형또는분지형알킬기중에서선택되는 1개이상의치환기로치환또는비치환된, 상기정의된바와같은화학식 I의유기금속화합물에관한것이다. 제4의특정실시양태에따라, 본발명은, X 및 L이메틸, 에틸, 프로필및부틸중에서선택된 1개이상의치환기로치환또는비치환된상기정의된바와같은화학식 I의유기금속화합물, 예컨대 L이 1-메틸-시클로헥사디에닐, 2-메틸-시클로헥사디에닐, 3-메틸-시클로헥사디에닐, 6-메틸-시클로헥사디에닐, 1-에틸-시클로헥사디에닐, 2-에틸-시클로헥사디에닐, 3-에틸-시클로헥사디에닐, 6-에틸-시클로헥사디에닐, 1,6- 디메틸-시클로헥사디에닐, 2,6-디메틸-시클로헥사디에닐, 3,6-디메틸-시클로헥사디에닐, 1,6-디에틸-시클로헥사디에닐, 2,6-디에틸-시클로헥사디에닐, 3,6-디에틸-시클로헥사디에닐, 1,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐, 2,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐, 3,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐, 1,6,6-트리에틸-시클로헥사디에닐, 2,6,6-트리에틸-시클로헥사디에닐, 3,6,6-트리에틸-시클로헥사디에닐, 1-메틸-시클로헵타디에닐, 2-메틸-시클로헵타디에닐, 3-메틸-시클로헵타디에닐, 7-메틸-시클로헵타디에닐, 1-에틸-시클로헵타디에닐, 2-에틸-시클로헵타디에닐, 3-에틸-시클로헵타디에닐, 7-에틸-시클로헵타디에닐, 1,6-디메틸-시클로헵타디에닐, 2,6-디메틸-시클로헵타디에닐, 3,6-디메틸-시클로헵타디에닐, 4,6-디메틸-시클로헵타디에닐, 5,6-디메틸-시클로헵타디에닐, 6,6- 디메틸-시클로헵타디에닐, 1,7-디메틸-시클로헵타디에닐, 2,7-디메틸-시클로헵타디에닐, 3,7-디메틸-시클로헵타디에닐, 1,5-디메틸-시클로헵타디에닐, 7,7-디메틸-시클로헵타디에닐, 1,6-디에틸-시클로헵타디에닐, 2,6-디에틸-시클로헵타디에닐, 3,6-디에틸-시클로헵타디에닐, 4,6-디에틸-시클로헵타디에닐, 5,6-디에틸-시클로헵타디에닐, 6,6-디에틸-시클로헵타디에닐, 1,7-디에틸-시클로헵타디에닐, 2,7-디에틸-시클로헵타디에닐, 3,7-디에틸-시클로헵타디에닐, 1,5-디에틸-시클로헵타디에닐및 7,7-디에틸-시클로헵타디에닐중에서선택되는, 상기정의된바와같은화학식 I의유기금속화합물에관한것이다. 제5의특정실시양태에따라, 본발명은, X 및 L이동일한, 상기정의된바와같은화학식 I의유기금속화합물, 보다더특히아래의유기금속화합물에관한것이다 : - 5 -
6 [0026] 하기화학식의비스 (2,6,6- 트리메틸시클로헥사디에닐 ) 루테늄 (Ru(2,6,6-Me 3 -chxd) 2 : 및 [0027] [0028] 하기화학식의비스 ( 메틸 - 시클로헵타디에닐 ) 루테늄 Ru(Me-chpd) 2 : [0029] [0030] [0031] 상기정의된바와같은화학식 I 의유기금속의다른예는다음과같다 : Ru(1- 메틸 - 시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(2- 메틸 - 시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(3- 메틸 - 시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(6- 메틸 - 시클 로헥사디에닐 ) 2, Ru(1-에틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(2-에틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(3-에틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(6-에틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(1,6-디메틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(2,6-디메틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(3,6- 디메틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(1,6-디에틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(2,6-디에틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(3,6-디에틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(1,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(2,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(3,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(1,6,6-트리에틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(2,6,6-트리에틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(3,6,6-트리에틸-시클로헥사디에닐 ) 2, Ru(1-메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(2-메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(3-메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(7-메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(1-에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(2-에틸 -시클로헵타디에닐) 2, Ru(3-에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(7-에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(1,6-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(2,6-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(3,6-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(4,6-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(5,6-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(6,6-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(1,7-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(2,7-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(3,7-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(1,5-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(7,7-디메틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(1,6-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(2,6-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(3,6-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(4,6-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(5,6-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(6,6-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(1,7-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(2,7-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(3,7-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2, Ru(1,5-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2 및 Ru(7,7-디에틸-시클로헵타디에닐 ) 2. [0032] 이들화합물, 보다일반적으로, 상기정의된바와같은화학식 I 의유기금속화합물에서, 시클릭탄소분자및 이들의각각의개방된전자구름의구성과함께리간드의분포는입체장애및전자의상호작용감소를최적화 시켜이들의융점을낮추는것을조력하는것으로여겨진다고강조될수있다. 제 2 실시양태에따라, 본발명 - 6 -
7 은, 아연존재하에서 Ru +++ 염과적절한유기리간드를반응시키는것을포함하는, 상기정의된바와같은화합 물의제조방법에관한것이다. [0033] 제 3 실시양태에따라, 본발명은, 적절한리간드및아세토니트릴을함유하는에탄올의용액과 LiCO 3 중의디 - μ- 클로로디클로로비스 [(1-3η:6-8η)-2,7- 디메틸 - 옥타디에닐 ] 디루테늄을반응시키는것을포함하는, 상기정 의된바와같은화합물의제조방법에관한것이다. [0034] [0035] [0036] [0037] [0038] [0039] [0040] [0041] [0042] [0043] 제4 실시양태에따라, 본발명은, a) 반응기내로 1개이상의기판을제공하는단계 ; b) 상기정의된바와같은화학식 I의유기금속화합물 1종이상을상기반응기내로도입하는단계 ; c) 100 또는그보다높은온도로설정된상기반응기내에서상기 1종이상의유기금속화합물을기판 ( 들 ) 상에분해또는흡착시키는단계 ; 및 d) 루테늄함유필름을상기 1개이상의기판상에증착시키는단계를포함하는, 루테늄함유필름을기판상에증착시키는방법에관한것이다. 상기정의된바와같은방법에서, 다양한반응물들은반응기내로예컨대 CVD에서와같이동시에또는예컨대 ALD에서와같이순차적으로또는이들의상이한조합으로도입할수있다. 따라서, 여기서상기단계 b) 에서정의된루테늄함유전구체는통상적으로액체일것이다. 즉, 융점이 20 미만, 보다바람직하게는융점이 0 미만일것이다. 상기정의된바와같은방법에서, 기판은일반적으로금속전극, 예컨대 MIM, DRAM, 게이트유전체또는축전기를제조하는데사용되는통상적인산화물, 예컨대산화규소및산화게르마늄등중에서선택된다. 상기정의된바와같은방법에서, 온도조건은 100 내지 500, 보다바람직하게는 150 내지 350 에서 선택되고, 반응기내의압력은바람직하게는 1 Pa 내지 10 5 Pa, 보다바람직하게는 25 Pa 내지 10 3 Pa 로유지될 것이다. [0044] [0045] [0046] [0047] 제1의특정실시양태에따라상기정의된바와같은방법은, e) 1종이상의환원성유체를반응기내로제공하는단계를더포함한다. 상기정의된바와같은방법의단계 e) 에서사용되는환원성유체의예로는보다특히 H 2, NH 3, SiH 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, 수소함유유체또는이들의혼합물이있다. [0048] [0049] [0050] [0051] 제2의특정실시양태에따라상기정의된바와같은방법은, f) 1종이상의산소함유유체를반응기내로제공하는단계를더포함한다. 상기정의된바와같은방법의단계 f) 에서사용되는산소함유유체의예로는보다특히 O 2, O 3, H 2 O, H 2 O 2, 산 소함유라디칼, 예컨대또는또는이들의혼합물이있다. [0052] [0053] [0054] 단계 e) 및 / 또는단계 f) 를더포함하는, 상기정의된바와같은방법에서, 수소-함유및 / 또는산소-함유유체는반응기로연속적으로도입될수있고, 유기금속화합물또는유기금속화합물들의혼합물은예컨대펄스화학기상증착 (PCVD) 기술에따라펄스에의해기판상에적용될수있다. 반응물및실험조건에따라, 상기정의된바와같은방법으로루테늄금속필름, 또는산화루테늄또는루테늄 -함유필름을형성할수있다. 몇몇다양한실시예의예시로서, 도 1은 Ru가사용되는상보형금속산화물반도체 CMOS 구조의개략도이고, 도 2는구리와이어들사이의배리어층과단리층 ( 저-k라하고, 통상적으로다공성규소옥시탄화물로제조됨 ) 과의적층구조의개략도이다
8 [0055] 마지막실시양태에따라, 본발명은, 루테늄기재필름코팅된금속전극을제조하기위한루테늄전구체로서의 상기정의된바와같은유기금속화합물또는이들의혼합물의용도에관한것이다. 이러한장치는전자산업 에서주로사용된다. [0056] [0057] [0058] 실시예화학식 I에따른화합물의제조실시예실시예 1: 비스 (2,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐 ) 루테늄에탄올중의무수트리클로라이드루테늄 (RuCl 3 nh 2 O) 을아연 (Zn) 더스트및 2,6,6-트리메틸-시클로헥사디엔 과혼합하였다. [0059] [0060] [0061] 상기혼합물을환류가열한다음여과하였다. 생성된용액을진공하에증발건조시키고, n-펜탄으로추출하고, 알루미나를통해여과시켰다. 이어서, 생성된용액을 -78 로냉각시켜최종생성물을얻었다. 실시예 2: 비스 (1-메틸-시클로헵타디에닐) 루테늄에탄올중의무수트리클로라이드루테늄 (RuCl 3 nh 2 O) 을아연 (Zn) 더스트및 2-메틸-1,3-시클로펜타디엔과혼 합하였다. [0062] [0063] [0064] 상기혼합물을환류가열한다음여과하였다. 생성된용액을진공하에증발건조시키고, n-펜탄으로추출하고, 알루미나를통해여과시켰다. 이어서, 생성된용액을 -78 로냉각시켜최종생성물을얻었다. 실시예 3: (2,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐 )(1-3η:6-8η)-2,7-디메틸옥타디에닐) 루테늄탄산리튬 (LiCO 3 ) 중의디-μ-클로로디클로로비스 [(1-3η:6-8η)-2,7-디메틸옥타디에닐] 디루테늄의슬러리를, 2,6,6- 트리메틸 - 시클로헥사디엔및아세토니트릴 (CH 3 CN) 을함유하는에탄올의용액과혼합하였다. 상기혼합 물을환류시키고, 용매를진공하에증발시키고, 잔류물을교반하였다. 생성된용액을알루미나상에서크로마 토그래피하였다. 헥산을사용한마지막용리단계로생성물을상당히양호한수율로얻었다. [0065] [0066] 실시예 4: (1- 메틸 - 시클로헵타디에닐 )(1-3η:6-8η)-2,7- 디메틸옥타디에닐 ) 루테늄 탄산리튬 (LiCO 3 ) 중의디 -μ- 클로로디클로로비스 [(1-3η:6-8η)-2,7- 디메틸옥타디에닐 ] 디루테늄의슬러리를, 2- 메틸 -1,3- 시클로펜타디엔및아세토니트릴 (CH 3 CN) 을함유하는에탄올의용액과혼합하였다. 상기혼합물을 환류시키고, 용매를진공하에증발시키고, 잔류물을교반하였다. 생성된용액을알루미나상에서크로마토그 래피하였다. 헥산을사용한마지막용리단계로생성물을상당히양호한수율로얻었다. [0067] [0068] [0069] [0070] [0071] [0072] [0073] 여러가지작업조건하에서비스 (2,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐 ) 루테늄을사용하여루테늄필름을증착시키는실시예 Ru(2,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐 ) 2 는 20 에서액체인밝은황색전구체이다. 순수루테늄필름의증착 : 비스 (2,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐 ) 루테늄을사용하여 250 초과의온도에서순수루테늄필름을증착시켰다. 액체전구체는, 80 까지가열된기포발생기에보관하고, 그의증기를버블링방법에의해고온벽 (hot-wall) 반응기로운반하였다. 이경우, 불활성기체인헬륨을캐리어기체로서그리고희석목적을위해사용하였다. 공반응물로서수소를사용하거나사용하지않고시험을행하였다. 본설정조건으로 250 및 0.5 Torr에서필름을증착시켰고, 증착속도는 350 에서평평한영역 (plateau) 에도달하였다. 증착은산화규소상에서수행하였다. 루테늄필름내의다양한원소의농도는아우거 (Auger) 분광계로분석하였다. 순수한루테늄필름을열이산화규소층상에증착시켰다. 루테늄필름내의산소의농도는 AES 검출한계미만이었다. 원자층증착 : 상기전구체비스 (2,6,6-트리메틸-시클로헥사디에닐 ) 루테늄은, 적절한공반응물을사용하는저온 ( ) 에서의루테늄필름의원자층증착 (ALD) 에적합하다. ALD 기술에서금속루테늄증착은, 공반응물이분자및 - 8 -
9 원자수소일때뿐만아니라암모니아및관련라디칼 NH 2, NH, 및산화제를사용해도가능함을발견하였다. [0074] [0075] 산화루테늄필름의증착 : 비스 (2,6,6-트리메틸시클로헥사디에닐 ) 루테늄과산소함유유체를증착로에서반응시킴으로써산화루테늄필름을증착시켰다. 이러한경우구체적으로, 산소함유유체는산소였다. ALD 기술에서산화루테늄증착은공반응물이분자및원자산소일때뿐만아니라수분증기또는임의의기타산소함유혼합물일때에도가능함을발견하였다. [0076] 도면 도면 1 도면 2-9 -
- 1 -
- 1 - - 2 - - 3 - - 4 - 장비구성 : - 5 - - 6 - 치 - 7 - μ - 8 - - 9 - 고체흡착관의안정화방법및기기 (Tube conditioner) - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - 전기냉각저온농축장치 (TD) GC/FPD - 18 - GC/FID Headspace
More information(72) 발명자 정종수 서울특별시 서대문구 모래내로 319, 101동 405호 (홍은동, 진흥아파트) 김정환 서울특별시 구로구 구로동로21길 7 (구로동) - 2 -
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 23/34 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01) B01D 53/86 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0098306 (22) 출원일자 2010년10월08일 심사청구일자 2010년10월08일
More information1 (x + z) 4; 0 y 7, 바람직하게는 y = 2, 0 t 5, 바람직하게는 t = 1; (R 1 yop) 는비치환되거나, 치환된펜타디에닐리간드를나타내고 ; (R 2 tcp) 는비치환되거나, 치환된시클로펜타디에닐 (Cp) 리간드를나타낸다. 또한, 본발명은 x
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C23C 16/18 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/34 (2006.01) C07F 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-7004324( 분할 ) (22) 출원일자 ( 국제 ) 2007 년 03 월
More information특허청구의 범위 청구항 1 화학식 I의 화합물, 또는 그의 거울상이성질체, 부분입체이성질체, 용매화물, 염 또는 전구약물. <화학식 I> W-L-Z 식 중, W는 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릴이며, 이들 모두는 R 1, R 1a, R 1b, R 1c
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2008-0018942 (43) 공개일자 2008년02월28일 (51) Int. Cl. C07D 471/04 (2006.01) A61K 31/437 (2006.01) A61P 3/10 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-7000470 (22) 출원일자 2008년01월08일
More information(72) 발명자 이영애 경기도수원시영통구원천동 35 원천주공아파트 102 동 1304 호 쳉퀼링 헹디안인더스트리얼존, 동양시티, 제지앙프로빈스,322118, 중국 우유리앙 헹디안인더스트리얼존, 동양시티, 제지앙프로빈스,322118, 중국 리징 헹디안인더스트리얼존, 동양
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C07C 229/64 (2006.01) C07C 229/38 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0114660 (22) 출원일자 2007 년 11 월 12 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 과학기술부, 2002 ( 뒷면에계속 ) 2008 년 02 월
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61K 6/04 (2006.01) A61K 6/02 (2006.01) A61K 6/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0167565 (22) 출원일자 2014 년 11 월 27 일 심사청구일자 2014 년 11 월 27 일 (65) 공개번호
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년02월04일 (11) 등록번호 10-1357648 (24) 등록일자 2014년01월24일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C08L 79/08 (2006.01) C08K 3/34 (2006.01) C08L 101/12 (2006.01) C08L 33/12 (2006.01)
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2013-0104189 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 (2006.01) C23C 16/26 (2006.01) C08J 7/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0025472 (22) 출원일자
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(51) Int. Cl. C23F 1/26 (2006.01) C23F 1/16 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 04 월 24 일 10-0710481 2007 년 04 월 16 일 (21) 출원번호 10-2004-0068850 (65) 공개번호 10-2006-0020100
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C07D 487/18 (2006.01) C06B 25/04 (2006.01) C06B 43/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0085155 (22) 출원일자 2012 년 08 월 03 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 논문 2010.
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C07C 231/12 (2006.01) A61K 49/04 (2006.01) C07C 235/32 (2006.01) (52) CPC 특허분류 C07C 231/12 (2013.01) A61K 49/04 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-7011933
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C07C 209/60 (2006.01) C07C 209/86 (2006.01) C07C 211/21 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0056009 (22) 출원일자 2013 년 05 월 16 일 심사청구일자 (30) 우선권주장 2013 년
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) A61B 6/00 (2006.01) (52) CPC 특허분류 A61B 6/583 (2013.01) (21) 출원번호 10-2015-0025541 (22) 출원일자 2015 년 02 월 24 일 심사청구일자 2015 년 02 월 24 일 (65) 공개번호 10-2016-0103273
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공개특허 0-204-0038324 (9) 대한민국특허청 (KR) (2) 공개특허공보 (A) () 공개번호 0-204-0038324 (43) 공개일자 204년03월28일 (5) 국제특허분류 (Int. Cl.) C07D 207/2 (2006.0) A6K 3/405 (2006.0) A6P 35/00 (2006.0) (2) 출원번호 0-203-037 (22) 출원일자
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년11월20일 (11) 등록번호 10-1331589 (24) 등록일자 2013년11월14일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 21/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0052189 (22) 출원일자 2012 년 05 월 16 일 심사청구일자
More information(30) 우선권주장 JP-P 년 03 월 29 일일본 (JP) JP-P 년 10 월 19 일일본 (JP) - 2 -
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01L 31/04 (2014.01) H01M 14/00 (2006.01) C07D 213/79 (2006.01) C07D 401/04 (2006.01) C07D 409/14 (2006.01) C09B 57/10 (2006.01) C09B 67/44 (2006.01)
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F26B 3/347 (2006.01) F23G 5/00 (2006.01) B09B 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0104077 (22) 출원일자 2009 년 10 월 30 일 심사청구일자 (30) 우선권주장 없음 2020090010354 2009
More information(72) 발명자 메츠, 매튜 미국 오레곤주힐스보로노스이스트 13 번애비뉴 3136 브라스크, 저스틴 미국 오레곤주포트랜드노스웨스트바이언래인 데이타, 수만 미국 오레곤주비버톤노스웨스트토킹스틱웨이 차우, 로버트 미국 9
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/8238 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-7001572 (22) 출원일자 2007 년 01 월 22 일 심사청구일자 2007 년 01 월 22 일 번역문제출일자 2007 년 01 월 22 일 (65)
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2015-0069268 (43) 공개일자 2015년06월23일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B01J 20/10 (2006.01) B01D 53/62 (2006.01) B01J 20/282 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0155502 (22) 출원일자
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국제특허심사공유시스템 OPD 사용자매뉴얼 1 목차 A B C OPD 개요 메인화면구성 구성화면설명 1. 조회 2. 전체패밀리정보 3. 전체인용 & 분류정보 4. 전체심사정보 5. ( 국가별 ) 패밀리정보 6. ( 국가별 ) 인용 & 분류정보 7. ( 국가별 ) 심사목록정보 8. ( 국가별 ) 심사문서정보 9. 심사문서 Viewer 설치 10. 게시판 2 B.
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(51) Int. Cl. 7 C08L 31/04 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년03월08일 10-0473564 2005년02월17일 (21) 출원번호 10-2001-0074372 (65) 공개번호 10-2003-0043291 (22) 출원일자 2001년11월27일 (43)
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C08F 4/6592 (2006.01) C08F 10/02 (2006.01) C08F 210/16 (2006.01) C07F 17/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0059443 (22) 출원일자 2012 년 06 월 01 일 심사청구일자
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C09J 4/06 (2006.01) C08F 20/10 (2006.01) C08F 4/40 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-7003244 (22) 출원일자 ( 국제 ) 2008 년 07 월 14 일 심사청구일자 2013 년 07 월 12
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2014-0071307 (43) 공개일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 81/24 (2006.01) B65D 25/14 (2006.01) B65D 1/40 (2006.01) B32B 27/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0058932(
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2015년04월23일 (11) 등록번호 10-1514370 (24) 등록일자 2015년04월16일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C09K 3/18 (2006.01) C08F 220/24 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0097432 (22) 출원일자
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) F25B 30/06 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0088941 (22) 출원일자 2008 년 09 월 09 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 7 항 2008 년 09 월 09 일 (54) 지중열교환기의공급파이프 (11) 공개번호 10-2010-0030143
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년12월27일 (11) 등록번호 101345650 (24) 등록일자 2013년12월20일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C07D 493/04 (2006.01) C07D 307/20 (2006.01) C07D 233/56 (2006.01) (21) 출원번호 1020110047894
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) G06Q 30/00 (2006.01) G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0133476 (22) 출원일자 2008년12월24일 심사청구일자 2008년12월24일 (65) 공개번호 10-2010-0074918 (43) 공개일자 2010년07월02일
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C22F 1/04 (2006.01) C22C 21/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2014-0023399 (22) 출원일자 2014 년 02 월 27 일 심사청구일자 2014 년 02 월 27 일 (65) 공개번호 10-2015-0101744
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C08F 210/16 (2006.01) C08F 4/64 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01) C08L 23/08 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-7001691 (22) 출원일자 ( 국제 ) 2007 년 06 월 05 일
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H04B 7/26 (2006.01) H04B 7/155 (2006.01) H04Q 7/30 (2006.01) H04Q 7/20 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0085572 (22) 출원일자 2006 년 09 월 06 일 심사청구일자 2006 년 09 월
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) B23K 9/133 (2006.01) B23K 9/28 (2006.01) B23K 9/26 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0133016 (22) 출원일자 2006년12월22일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 2006년12월22일 (45) 공고일자 2007년10월26일
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개실용신안공보(U) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B65B 67/12 (2006.01) B65D 88/16 (2006.01) (21) 출원번호 20-2012-0003587 (22) 출원일자 2012년05월01일 심사청구일자 2012년05월01일 (11) 공개번호 20-2013-0006479 (43) 공개일자
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대 법 원 제 2 부 판 결 사 건 2013후518 권리범위확인(특) 원고, 상고인 코오롱인더스트리 주식회사 소송대리인 변리사 경진영 외 2인 피고, 피상고인 토요보 가부시키가이샤(변경 전: 토요 보세키 가부시키가이샤) 소송대리인 변호사 박성수 외 4인 원 심 판 결 특허법원 2013. 1. 25. 선고 2012허6700 판결 판 결 선 고 2015. 9.
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(51) Int. Cl. G11B 5/31 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2007 년 05 월 09 일 10-0716104 2007 년 05 월 02 일 (21) 출원번호 10-2003-0075402 (65) 공개번호 10-2005-0040248 (22)
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) B82B 3/00 (2006.01) C01G 3/00 (2006.01) B22F 9/24 (2006.01) (21) 출원번호 10-2006-0098315 (22) 출원일자 2006 년 10 월 10 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR1020050101101 A
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C22B 9/10 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0096777 (22) 출원일자 2007 년 09 월 21 일 심사청구일자 2007 년 09 월 21 일 (65) 공개번호 10-2009-0031006 (43) 공개일자 2009 년 03 월 25 일 (56)
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) H01L 31/0256 (2006.01) H01L 27/28 (2006.01) (21) 출원번호 10-2009-0017749 (22) 출원일자 2009 년 03 월 02 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 13 항 2009 년 03 월 02 일 (54) 광전자소자및그제조방법
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B82B 3/00 (2006.01) B22F 9/18 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01) C22B 9/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0112150 (22) 출원일자 2011 년 10 월 31 일 심사청구일자 2011
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01M 4/60 (2006.01) C07F 1/02 (2006.01) H01M 10/0525 (2010.01) (21) 출원번호 10-2012-7029801 (22) 출원일자 ( 국제 ) 2011 년 04 월 19 일 심사청구일자 없음 (85) 번역문제출일자
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B64C 13/20 (2006.01) B64C 39/02 (2006.01) G05D 1/00 (2006.01) H04M 1/725 (2006.01) (52) CPC 특허분류 B64C 13/20 (2013.01) B64C 39/024 (2013.01) (21)
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최첨단반도체에서의 ALD 증착기술 DOI: 10.3938/PhiT.21.006 황철주 ALD (Atomic Layer Deposition) Process Technology in the Semiconductor Industry Chul Joo HWANG New and improved semiconductor technology will open a new generation
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (11) 공개번호 10-2010-0042502 (43) 공개일자 2010년04월26일 (51) Int. Cl. G06Q 50/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0101675 (22) 출원일자 2008년10월16일 심사청구일자 전체 청구항 수 : 총 13 항 2008년10월16일 (71)
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2016년01월29일 (11) 등록번호 10-1589738 (24) 등록일자 2016년01월22일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01M 4/525 (2010.01) H01M 10/052 (2010.01) H01M 4/505 (2010.01) (21) 출원번호 10-2013-0162948
More information(72) 발명자 김진근 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) 김기민 울산광역시울주군삼남면가천리 818 삼성 SDI( 주 ) - 2 -
(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) G06F 3/041 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0067375 (22) 출원일자 2008 년 07 월 11 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 12 항 2008 년 07 월 11 일 (54) 터치스크린패널및그제조방법 (11) 공개번호 10-2010-0006987
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 9/00 (2006.01) H04B 1/38 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0134285 (22) 출원일자 2011년12월14일 심사청구일자 없음 기술이전 희망 : 기술양도, 실시권허여, 기술지도 전체 청구항 수 : 총 1 항 (54)
More information(72) 발명자 이도훈 서울특별시서초구서초중앙로 200, 16 동 1503 호 ( 서초동, 삼풍아파트 ) 김보라 대전광역시서구관저동로 42, 1206 동 1403 호 ( 관저동, 느리울마을 ) 정재원 서울특별시성북구한천로 81 길 20 ( 석관동 ) 이발명을지원한국가연
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2012 년 09 월 27 일 (11) 등록번호 10-1186502 (24) 등록일자 2012년09월21일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B01J 31/02 (2006.01) C07D 307/50 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0013826 (22)
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 공개특허공보(A) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H01L 21/027 (2006.01) C08F 220/30 (2006.01) C08F 220/12 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-7014745 (22) 출원일자(국제) 2010년11월10일 심사청구일자 없음 (85) 번역문제출일자 2012년06월07일
More information- 1 -
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ABS 소재개발팀이수경 lsklg@lgchem.com 증착기술소개 우리일상에서 증착 이이용된제품을찾는것은어렵 지않다. 금속이아니면서은빛을내는알루미늄포장지와램프하우징 (lamp housing) 을비롯하여반도체, OLED 는모두금속을증착한제품이다. 증착 (deposition) 이란기체상태의금속입자를금속, 플라스틱과같은물체표면에수마이크로미터의얇은고체막을입히는방법이다.
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기체크로마토그래피 Gas Chromatography (GC) 1 GC 의장점 빠른시간내에분석가능 높은분리능으로다성분분석가능 높은감도 MSD, AED와쉽게연결가능 높은정량재현성 적은시료주입량 ( 여러번주입가능 ) 2 기체크로마토그래프구성 운반기체 주입구 컬럼 검출기 데이터시스템 3 RESET 장치의구성도 Filters/Traps Data system H Regulators
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2016년07월22일 (11) 등록번호 10-1641839 (24) 등록일자 2016년07월15일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C01B 31/36 (2006.01) B01J 19/08 (2015.01) B01J 6/00 (2006.01) C01B 33/02 (2006.01)
More information(72) 발명자 오인환 서울 노원구 중계로 195, 101동 803호 (중계동, 신 안동진아파트) 서혜리 서울 종로구 평창14길 23, (평창동) 한훈식 서울 강남구 언주로71길 25-5, 301호 (역삼동, 영 훈하이츠) 이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2014년04월14일 (11) 등록번호 10-1384704 (24) 등록일자 2014년04월07일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) F16L 9/18 (2006.01) F17D 1/00 (2006.01) F16L 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0113933
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) B25J 9/06 (2006.01) B25J 19/02 (2006.01) (21) 출원번호 10-2011-0079361 (22) 출원일자 2011년08월10일 심사청구일자 2011년08월10일 (65) 공개번호 10-2013-0017122 (43) 공개일자 2013년02월20일
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 21/60 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0028172 (22) 출원일자 2010 년 03 월 29 일 심사청구일자 2010 년 03 월 29 일 (65) 공개번호 10-2011-0108779 (43) 공개일자 2011 년 10 월 06 일 (56)
More information도 3 은 본 발명에 따른 제거수단을 보인 사시도 도 4 는 본 발명에 따른 제거수단의 해파필터와 카본필터의 구성을 보인 개략단면도 <도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> (1) : 케이싱 (1a) : 천연음이온 도료 (2) : 제거수단 (3) : UV살균장치 (4)
(51) Int. Cl. 7 A61L 9/20 (19)대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005년05월25일 10-0491080 2005년05월13일 (21) 출원번호 10-2004-0022173 (65) 공개번호 10-2004-0037034 (22) 출원일자 2004년03월31일 (43)
More information(72) 발명자 김준기 경기 군포시 광정동 한양목련아파트 1226동 805호 유세훈 인천광역시 연수구 송도동 성지리벨루스 110동 50 1호 방정환 인천 연수구 연수동 578-1 고용호 인천광역시 연수구 해송로30번길 송도 웰카운티 4 단지 20 (송도동) 407동 4
(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (51) 국제특허분류(Int. Cl.) H05K 3/34 (2006.01) B23K 1/19 (2006.01) (21) 출원번호 10-2012-0091105 (22) 출원일자 2012년08월21일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004172398 A JP2004255426 A KR1020080083127
More information(72) 발명자 송부섭 대전대덕구신탄진로 531, ( 상서동 ) 노항덕 경기화성시동탄중앙로 200, D 동 4605 호 ( 반송동, 메타폴리스 ) 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 부처명 지식경제부 연구관리전문기관 한국산업기술평가관리원 연구사업명
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 10-2014-0131817 (43) 공개일자 2014년11월14일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C07C 209/24 (2006.01) C07C 211/49 (2006.01) C01B 7/13 (2006.01) (21) 출원번호 10-2013-0050914 (22) 출원일자
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제 3 강역함수의미분과로피탈의정리 역함수의미분 : 두실수 a b 와폐구갂 [ ab, ] 에서 -이고연속인함수 f 가 ( a, b) 미분가능하다고가정하자. 만일 f '( ) 0 이면역함수 f 은실수 f( ) 에서미분가능하고 ( f )'( f ( )) 이다. f '( ) 에서 증명 : 폐구갂 [ ab, ] 에서 -이고연속인함수 f 는증가함수이거나감소함수이다 (
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) C02F 3/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2008-0003918 (22) 출원일자 2008 년 01 월 14 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 KR100417761 B1 KR1020020080285 A JP05084490 A JP60150886 A
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(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2012 년 07 월 23 일 (11) 등록번호 10-1167967 (24) 등록일자 2012년07월17일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B82B 3/00 (2006.01) B82B 1/00 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0033186 (22) 출원일자
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) C08L 83/04 (2006.01) C08K 5/54 (2006.01) (21) 출원번호 10-2010-0004232 (22) 출원일자 2010 년 01 월 18 일 심사청구일자 전체청구항수 : 총 21 항 2010 년 01 월 18 일 (54) 엘이디봉지재용실록산수지조성물
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SOP 4 순수이산화탄소가스나공기중 이산화탄소의 ugacity 계산 1. 대상및적용분야 이절차는순수이산화탄소가스나공기에서이산화탄소의 ugacity 를계산하는 방법을다룬다. ƒ(co ) 는 Pascal 또는기압으로표시한다 1.. 정의 기체상태인화학종의화학포텐셜 (chemical otential, µ ) 은그들의 ugacity (ƒ ) 로 나타내진다. 이는다음식으로정의된다.
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(51) Int. Cl. B82B 3/00 (2006.01) (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2006 년 07 월 14 일 10-0601016 2006 년 07 월 07 일 (21) 출원번호 10-2003-0049850 (65) 공개번호 10-2005-0010610 (22)
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(51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) H01L 23/12 (2006.01) (21) 출원번호 10-2007-0057147 (22) 출원일자 2007 년 06 월 12 일 심사청구일자 (56) 선행기술조사문헌 JP2004014722 A US6861288 B2 2007 년 06 월 12 일 (45) 공고일자 2008년10월24일
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(19) 대한민국특허청(KR) (12) 등록특허공보(B1) (45) 공고일자 2013년08월12일 (11) 등록번호 10-1295372 (24) 등록일자 2013년08월05일 (51) 국제특허분류(Int. Cl.) D01F 8/12 (2006.01) D01D 5/00 (2006.01) D04H 1/42 (2006.01) (73) 특허권자 한국화학연구원 대전광역시
More information(72) 발명자 장, 얀 캐나다앨버타티 3 쥐 4 제이 9 캘거리아버크레스트로드엔더블유 303 호앙, 피터펑민 캐나다앨버타티 3 에이 5 더블유 1 캘거리햄프턴스하이츠엔더블유 78 카터, 찰스애시턴가렛 캐나다앨버타티 3 에이 6 엘 7 캘거리히든크릭로드엔더블유 142
(19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C08F 210/16 (2006.01) C08F 4/6592 (2006.01) C08F 4/659 (2006.01) (21) 출원번호 10-2015-7001674 (22) 출원일자 ( 국제 ) 2013 년 05 월 24 일 심사청구일자 없음 (85) 번역문제출일자
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- i - - ii - - iii - - iv - - v - - vi - Photograph of miniature SiC p-n and Schottky diode detector Photograph SiC chip mounted on a standard electrical package Photograph of SiC neutron detector with
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제 장촉매반응과촉매반응기 (aalysis and aalyic Reaco 촉매는반응이일어나는경우에대부분관여하는물질입니다. 근래의들어와대량생산공정에는거의모두촉매를사용합니다. 이장에서는불균일촉매만다. 촉매.. 정의 촉매는반응속도에는영향을주지만공정을변화시키지않는물질이다. 촉매는일반적으로반응에서다른분자경로를촉진시킴으로써반응속도를변화시킨다... 촉매의특성촉매는균일촉매와불균일촉매가있다.
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