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1 (MU US) Global Company Analysis 현재주가 (US$) 16. 국가 거래소 미국 NASDAQ EPS 성장률 (,%) -1. P/E(,x) - MKT P/E(,x). 배당수익률 (%),19 시가총액 ( 십억US$) 17.1 유통주식수 ( 백만주 ) 1,8 주최저가 (US$) 9. 주최고가 (US$) 19. 주가상승률 (%) 1 개월 6 개월 1 개월 절대주가... 상대주가 [ 반도체 / 장비 ] NASDAQ (US) 황준호 j.hwang@miraeasset.com Micron 기업개요 : 글로벌 DRAM 위, NAND 위의메모리반도체업체 Micron 은 1978 년에미국북서부 Idaho 주에있는 Boise 에서설립되었다 년첫번째메모리라인을건설하고 6K DRAM을생산하기시작했다. 현재는글로벌 DRAM 점유율 19% 로 위, NAND 점유율 1% 로 위업체이다. DRAM 은 1966 년도 IBM Watson 연구소에서발명되어 197 년대에는 Intel, Texas Instrument, National 등미국반도체업체들이시장을주도했다. 198 년대에들어오면서일본반도체업체들이공격적인투자와제품경쟁력을앞세워주도권을가져왔으며 199 년대이후에는한국반도체업체들이점차시장지배력을높여현재시장을주도하고있다. 현재대부분의미국반도체업체들은메모리시장에서철수했고 Micron 이유일하게메모리사업을영위하고있다. Micron 은광범위한협력관계구축과공격적인인수합병을통해경쟁력을유지하고있다. 년에는 Micron 과 Intel 이 IMFT(Intel-Micron Flash Technologies) 합작회사를설립하고 Lehi 에첫번째 NAND 공장을건설했다. 8 년에는 Qimonda 가보유한대만의 Inotera 지분 % 를 억달러에매입했으며지난해 1월잔여지분을모두인수해합병을앞두고있다. 1 년에는플래시메모리업체인 Numonyx 를 1억달러에인수했고 1 년에는 Hitachi, NEC, Mitsubishi DRAM 사업의합작회사인 Elpida 를 억달러에인수했다. 최근실적및이슈 : 실적턴어라운드임박 Micron 은 8월결산법인이라연간실적발표를앞두고있다. 지난 QY(~ 월 ) 매출액은 9억달러 (-1% QoQ, -% YoY), 영업적자 -,7 만달러, 순손실 -. 억달러로 6분기연속실적이악화되었다. 재고자산은 9억달러 (+1% QoQ, +% YoY) 로크게증가했다. DRAM 매출액은전기대비 9% 증가했으며전체매출액의 6% 를차지했다. 출하량은전기대비 % 증가해예상치를상회했지만평균판가는 11% 하락했다. 원가절감은 9% 수준에그쳐매출총이익률이 18% 로전기대비 %p 하락해수익성은악화되었다. NAND 매출액은전기대비 16% 감소했으며전체매출액의 1% 를차지했다. 출하량은전기대비 1% 감소해부진했으며평균판가도 6% 하락했다. 매출총이익률은 17% 로하락했다. QY(6~8 월 ) 매출액은 9~ 억달러, 영업적자는 -.6~1. 억달러로시장기대치를하회하는가이던스를제시했다. 1QY(9~11 월 ) 부터본격적인실적개선이예상된다. Valuation: 메모리사이클의고베타 (High-Beta) 종목현재주가는 1M-fwd P/B 1.배수준이다. Micron 은경쟁사에비해실적과주가변동성이높다. 메모리상승사이클에서주가가가장많이오르고하락사이클에서가장많이내리는고베타종목이다. 최근메모리가격상승으로주가는가파른상승국면에진입했다. 결산기 (8월) 1/1 1/1 1/1 1/1 1/ 1/ 매출액 ( 십억US$) 영업이익 ( 십억US$) 영업이익률 (%) 순이익 ( 십억US$) EPS (US$) ROE (%) P/E ( 배 ) P/B ( 배 ) 주 : 추정치는 Bloomberg Consensus 기준 자료 : Micron, 미래에셋대우리서치센터

2 국내유사기업과의비교 국내유사기업은삼성전자 (9) 와 SK 하이닉스 (66) 가있다. 삼성전자는글로벌 DRAM 점유율 7%, NAND 점유율 % 로 1위업체이다. SK하이닉스는글로벌 DRAM 점유율 7% 로 위, NAND 점유율 1% 로 위업체이다. 순수하게메모리사업만하다는측면에서는 SK하이닉스와유사하다. 삼성전자의반도체부문은올해매출액 7.조원 (-.% YoY), 영업이익 11.1조원 (-1% YoY) 를기록할전망이다. 지난해부터가파르게하락한메모리가격에도불구하고여전히경쟁사를압도하는실적을유지하고있다. DRAM 에서는올해 nm 공정이주력공정으로안정적인전환이이루어졌으며올해연말부터는 18nm 공정에진입할것으로예상된다. nm 공정에서어려움을겪고있는 SK하이닉스와 Micron 에비해 6개월이상기술이앞서있다. NAND 에서도유일하게 D NAND 를양산하고있다. 특히올해부터 세대 (8단 ) 제품의원가경쟁력을크게개선하면서설비투자를확대하고있다. 경쟁사들도 D NAND 투자확대를발표하며추격하고있지만 1년이상기술이뒤쳐져있다. SK 하이닉스는올해매출액 16. 조원 (-1% YoY), 영업이익.1조원 (-6% YoY) 를기록할전망이다. DRAM 1nm 공정전환지연과글로벌 IT 수요부진으로올해큰폭의실적하락이예상된다. 다만올해하반기부터메모리가격이 18개월만에상승전환해 SK하이닉스의분기실적도 7분기만에개선될전망이다. NAND 부문의경쟁력은여전히선발업체들에비해열위에있다. NAND 는단품이아닌솔루션제품이기때문에공정기술외에컨트롤러및시스템설계기술이중요하다. SK하이닉스는 NAND 경쟁력강화를위해서협력관계구축이필요하다고판단된다. Micron 은국내메모리업체들에비해기술적으로열위에있어상대적으로실적변동성이더크다. 지난해부터 DRAM 가격이크게하락하면서원가구조가취약한 Micron 은 DRAM 영업이익이올해적자전환했다. 국내업체들의 DRAM 수익성도하락했지만흑자기조를유지하고있는것과는대조적이다. Micron 의높은실적변동성은높은주가변동성을의미한다. 메모리상승사이클에서주가가가장많이오르고하락사이클에서가장많이내린다. 즉 Micron 은메모리사이클의고베타 (High-Beta) 종목으로인식되고있다. 지난사이클의상승국면 (1Q1~Q1) 에서 Micron, SK하이닉스, 삼성전자의주가는각각 +9%, +7%, +% 상승했다. 반면하락사이클 (Q1~Q16) 에서는 Micron 과 SK 하이닉스의주가가각각 -71%, -7% 하락한반면삼성전자의주가는 +% 상승했다. 최근메모리가격이반등하면서메모리사이클이바닥을쳤다는기대감들이확산되고있다. 메모리산업이본격적으로상승국면으로전환된다면 Micron 의주가가가장탄력적으로움직일가능성이높다. 실제로최근 Micron 의주가는 분기저점대비 +69% 상승했다. 같은기간동안삼성전자와 SK하이닉스의주가는각각 +9%, +% 상승했다. 그림 1. 메모리업체들의합산영업이익과주가추이 ( 십억달러 ) 8 메모리영업이익 (L) Micron (R) 삼성전자 (R) SK 하이닉스 (R) (1.1.1=1) 6 상승사이클 (1Q1~Q1) Micron +9% SK하이닉스 +7% 삼성전자 +% 하락사이클 (Q1~Q16) Micron -71% SK하이닉스 -7% 삼성전자 +% 1 1Q1 1Q11 1Q1 1Q1 1Q1 1Q1 1Q16 Mirae Asset Daewoo Research

3 차세대메모리기술개발현황 지난해 Micron 은 Intel 과함께차세대메모리기술인 D XPoint 를공개했다. D XPoint 는기존 NAND 와같은비휘발성메모리소자이면서속도는기존 NAND 에비해서 1, 배빠르고내구성도 1, 배높은것으로발표했다. 아직까지가격이높아기존기술을대체하기보다는새로운어플리케이션으로사용될가능성이높다고판단되며기존메모리시장에비해서규모는크지않을전망이다. 시장은아직작지만 D XPoint 기술이가지는의미는크다. 다른차세대반도체기술들이대용량으로양산된적이없는데비해 D XPoint 는 1세대 18Gb 제품을 nm 공정에서 -layer 로양산준비를하고있다. 현재 Lehi( 미국, Utah) 팹캐파 K/ 월중에서일부를 D XPoint 생산에이용하고있다. 향후 D XPoint 는공정미세화와 layer 증가를통해확장성을높일수있다고밝히고있다. Intel 은중국다롄공장을메모리라인으로전환해 D XPoint 를양산할계획이다. In-memory database, Big Data 등의서버어플리케이션에먼저사용될전망이다. Intel 은지난해개발자포럼 (Intel Developer Forum) 에서 D XPoint 를이용한제품의브랜드인 Optane Technology 공개했다. 올해개발자포럼에서는 Optane SSD를이용한클라우드기반의테스트베드를공개했다. 가상화및클라우드서비스를제공하는 ScaleMP 와협업으로 Optane SSD의성능을검증할수있도록했다. D XPoint 의기술은플로팅게이트에전하를저장하는 NAND 와근본적으로다르다. 데이터를저장하는원리는재료의속성변화 (bulk material property change) 를이용한다. 여기서속성이상변화 (PRAM) 인지저항 (ReRAM) 인지는알려지지않았지만재료와장비가많이달라질것이라는전망이우세하다. 기존설비들을활용하기어렵기때문에신규투자가필요하다는재무적인부담이있다. 표 1.. D XPoint 성능및가격비교 성능 DRAM NAND D XPoint HDD 읽기속도 ( 초 ) ns (1-9 ) 수십 μs (1 - ) 수십 ns (1-8 ) 수십 ms (1 - ) 가격 (USD/GB) $~ $.~. 미정 ($ 수준예상 ) $.1 그림. D XPoint 구조 자료 : Micron Mirae Asset Daewoo Research

4 표. Micron 실적추이및전망 ( 백만달러, %) 1Q1 Q1 Q1 Q1 1Q16 Q16 Q Q 1 1 매출액,7,166,8,6,,9,898,68 16,8 16,19 1, 1,9 DRAM,18,61,,1 1,9 1,7 1,7 1,716 11,16 1,1 6,7 - NAND 1,88 1,9 1, 1,1 1, 1,19 1,7 1,7,7,11,8 - 영업이익 1, ,87, 영업이익률 순이익 1, ,,899-8 순이익률 출하증가율 DRAM NAND 자료 : Micron, Bloomberg 컨센서스 표.. DRAM 업체별생산능력 ( 웨이퍼투입기준 ) (1" 기준, 천장 / 월 ) 1Q1 Q1 Q1 Q1 1Q16 Q16 Q Q 1 1 Micron Manassas (US) 8 Inotera (Taiwan) Rexchip (Taiwan) Elpida (Japan) 삼성전자 Fab 11 Fab Fab Fab 16 Fab SK 하이닉스 M Wuxi (China) M 기타 합계 1,8 1,8 1, 1,67 1,71 1,6 1,7 1,7 1,96 1,7 1,7 1,9 표. NAND 업체별생산능력 ( 웨이퍼투입기준 ) (1" 기준, 천장 / 월 ) 1Q1 Q1 Q1 Q1 1Q16 기타 합계 1,17 1, 1,7 1, 1,19 1, 1,7 1, 1,119 1, 1,6 1,8 Mirae Asset Daewoo Research Q16 Q Q 1 1 Micron Manassas (US) IMFT (US) IMFT (Singapore) Tech Semi (Singapore) 삼성전자 Fab Fab Xian (China) Fab 17 6 평택 11 SK 하이닉스 M M M1 11 Toshiba/Sandisk Fab Fab Fab Fab

5 그림. PC DRAM 현물, 고정가격 (DDR Gb 1,6MHz) 추이 ( 달러 ) 스프레드 (R) 현물가격 (L) (%) 고정가격 (L) 그림. NAND 현물, 고정가격 (6Gb MLC) 추이 ( 달러 ) 스프레드 (R) 현물가격 (L) (%). 고정가격 (L) 자료 : DRAMeXchange, 미래에셋대우리서치센터 자료 : DRAMeXchange, 미래에셋대우리서치센터 그림. 반도체재고순환지표추이 그림 6. Micron 재고자산및재고 / 매출액비중추이 (%p) 반도체재고순환지표 ( 출하증가율 - 재고증가율, YoY) 달연속개선 ( 백만달러 ) (%),,,, 1, 1, 재고자산 (L) 재고 / 매출액 (R) 사상최대 Bear Cycle 재고수준 (11~1) Bull Cycle (1~1) 자료 : 통계청, 미래에셋대우리서치센터 1Q11 1Q1 1Q1 1Q1 1Q1 1Q16 자료 : Micron, 미래에셋대우리서치센터 그림 7. 글로벌 DRAM 설비투자추이및전망 그림 8. 글로벌 NAND 설비투자추이및전망 ( 십억달러 ) 삼성전자 (L) SK하이닉스 (L) (%) Micron (L) 기타 (L) YoY 성장률 (R) ( 십억달러 ) 삼성전자 (L) SK하이닉스 (L) (%) Toshiba/Sandisk(L) Micron/Intel(L) 기타 (L) YoY 성장률 (R) 17~18 년대규모 D NAND 투자 F F Mirae Asset Daewoo Research

6 글로벌메모리반도체업체 Valuation 비교 표. 글로벌팹리스반도체업체 Valuation 테이블 ( 백만달러, 배,%) 시가총액 매출액 영업이익 순이익 ROE PER PBR EV/EBITDA Micron 16,8 1,7 1, 삼성전자,8 18,6 19, 7,8 8,91,6, SK하이닉스,69 1,17 1,8 1,97,9 1,9 1, Toshiba 1,86,7,86 1, 1,779 1,19 1, Intel 166,11 7,66 9,89 1,18 16,91 9,666 1, Western Digital 1,7 17,7 17,67,7,9 9 1, Inotera,66 1,8 1, Nanya,78 1,1 1, Winbond 1,1 1,8 1, Transcend 1, 평균 그림 9. Micron 분기영업이익및주가추이 ( 달러 ) ( 십억달러 ) 영업이익 (R) 주가 (L) 1. 그림 1. Micron 연간영업이익컨센서스및주가추이 ( 십억달러 ) ( 달러 ) 6 영업이익추정치 (L) 주가 (R) 그림 11. Micron 1M-fwd P/B 밴드차트 그림 1. 글로벌메모리반도체업체 P/B-ROE 비교 () ( 달러 ) (P/B, 배 ).6x.x 1.8x 1.x 1.x 1.6x Micron Inotera SK 하이닉스 Winbond -1 1 Transcend Intel Nanya 삼성전자 Western Digital Toshiba (ROE, %) 6 Mirae Asset Daewoo Research

7 Compliance Notice - 당사는자료작성일현재해당회사와관련하여특별한이해관계가없음을확인합니다. - 당사는본자료를제 자에게사전제공한사실이없습니다. - 본자료를작성한애널리스트는자료작성일현재본자료에서매매를권유한금융투자상품및권리를보유하고있지않습니다. - 본자료는외부의부당한압력이나간섭없이애널리스트의의견이정확하게반영되었음을확인합니다. 본조사분석자료는당사의리서치센터가신뢰할수있는자료및정보로부터얻은것이나, 당사가그정확성이나완전성을보장할수없으므로투자자자신의판단과책임하에종목선택이나투자시기에대한최종결정을하시기바랍니다. 따라서본조사분석자료는어떠한경우에도고객의증권투자결과에대한법적책임소재의증빙자료로사용될수없습니다. 본조사분석자료의지적재산권은당사에있으므로당사의허락없이무단복제및배포할수없습니다. Mirae Asset Daewoo Research 7