CONTENTS I. 216년환경분석 수요측면 : SSD 본격화 + 듀얼카메라 + 데이터센터 2. 공급측면 : DRAM 투자조절 + NAND 투자확대 + 중국반도체진출 3. 기술측면 : New Memory vs. DRAM/NAND 1 II. 시사점 : 3D

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1 Industry Report 년수요공급및기술트렌드전망 216 년에는 3D NAND 가모든업체로본격화되고, DDR4 는 PC 향으로확대예상. 또 한듀얼카메라등장으로메모리탑재량증가전망. DRAM 시장은과점화가유지되고 3D NAND 는경쟁본격화전망 3D NAND 본격화 + DDR4 확대 + 카메라센서확대 216 년 3D NAND 본격화, DDR4 확대및듀얼카메라확대전망. DRAM 시장과점 화지속이전망되며 NAND 는 3D NAND 와 2D NAND 양립예상 1) SSD 수요확대로 3D NAND 본격화 : 216 년 SSD 내 3D NAND 비중은 15% 에육박할전망. 삼성전자가 215 년 48 단 3D NAND 를본격화했다면 216 년에는 SK 하이닉스와마이크론투자가진행될것으로판단됨. 삼성전자도 48 단에이어 216 년에는 64 단으로의공정전환예상되고있어 3D NAND 경쟁가속화전망 2) 인메모리및데이터센터확대로 DDR4 증가 : 서버고사양화로서버내 DDR4 비 중은 215 년 33% 에서 216 년 81% 까지확대될전망. 또한 PC 향으로도 DDR4 비중이 215 년 1% 에서 216 년 57% 까지상승할전망 3) 듀얼카메라로카메라센서확대 : 듀얼카메라채택확대로메모리탑재량증가예 상. 듀얼카메라는버퍼메모리용량확대를유도하여 DRAM 탑재량증가하며, 스토리지관점에서도 NAND 용량확대에기여할전망 Positive ( 유지 ) Top Picks 삼성전자 Buy ( 유지 ) 1,55, 원 ( 유지 ) SK하이닉스 Buy ( 유지 ) 53, 원 ( 유지 ) 원익머트리얼즈 Buy( 신규 )1, 원 ( 신규 ) Sector Index '14.1 '15.1 '15.4 '15.7 '15.1 업종시가총액 반도체 KOSPI 주 : KRX 업종분류기준 PER( 배 ) PBR( 배 ) Market Sector ,27 십억원 (Market 비중 16.26%) Top picks: 삼성전자, SK 하이닉스, 원익머트리얼즈 삼성전자 : 48 단 3D NAND 상용화로 216 년 3D NAND 실적개선예상. 또한시스 템반도체부문 1nm 공정및자체 Core 설계로시스템반도체역량확대전망 SK 하이닉스 : DDR4 확대, TLC 및 3D NAND 추진으로 DRAM 경쟁력강화및 NAND 부문실적개선전망. DRAM 가격약세가지속되고있으나중기적관점 DRAM 시장의지속적인과점화로하향안정화가격흐름전개전망 원익머트리얼즈 : 3D NAND 본격화에따른 PE CVD 소재매출확대전망 관련주 : 오킨스전자 (DDR4 소켓 ), 동운아나텍 ( 오토포커스 ), 픽셀플러스 ( 카메라센서 ) Analyst 이세철 2) , peter.lee@nhwm Analyst 고정우 2) , j.ko@nhwm RA 김대근 2) , d.kim@nhwm 반도체업종투자의견 / 투자지표 ( 단위 : 원, 배, %, 십억원 ) 코드 투자의견 목표주가 (12M) 현재가 PER PBR ROE 순차입금 215E 216F 215E 216F 215E 216F 215E 216F 삼성전자 (593.KS) Buy( 유지 ) 1,55,( 유지 ) 1,134, ,421-71,84 SK하이닉스 (66.KS) Buy( 유지 ) 53,( 유지 ) 33, ,852-4,145 원익머트리얼즈 (1483.KQ) Buy( 신규 ) 1,( 신규 ) 62, 오킨스전자 (858.KQ) Not Rated - 8, 동운아나텍 (9417.KQ) Not Rated - 11, 픽셀플러스 (876.KQ) Not Rated - 24, 테스 (9561.KQ) Not Rated - 12, 유진테크 (8437.KQ) Not Rated - 12, 주 : 1 월 1 일종가기준, 자료 : NH 투자증권리서치센터전망

2 CONTENTS I. 216년환경분석 수요측면 : SSD 본격화 + 듀얼카메라 + 데이터센터 2. 공급측면 : DRAM 투자조절 + NAND 투자확대 + 중국반도체진출 3. 기술측면 : New Memory vs. DRAM/NAND 1 II. 시사점 : 3D NAND 본격화 + DDR4 확대 + 카메라센서증가... 시사점 1: SSD 수요확대로 3D NAND 본격화시사점 2: 인메모리및데이터센터확대로 DDR4 증가시사점 3: 듀얼카메라로카메라센서확대 41 III. 216 년수요공급전망 DRAM 수요공급전망 2. NAND 수요공급전망 51 IV. 결론 : DDR4 본격화 + 3D NAND 경쟁가속화 [ 기업분석 ] 삼성전자 [Buy, 1,55, 원 ]... SK하이닉스 [Buy, 53,원 ]... 원익머트리얼즈 [Buy, 1, 원 ]... 오킨스전자 [N/R]... 동운아나텍 [N/R]... 픽셀플러스 [N/R]... 테스 [N/R]... 유진테크 [N/R]

3 [ 표 1] Key assumption 1. 주요응용처별 Set 전망 (M set) CAGR Server % PCs % Desktop PCs % Mobile PCs % Mini-Notebook PCs Media Tablets % SSD % Graphics Cards % HDD % ODD % Handsets 1,828 1,722 1,77 1,772 1,812 1,857 % Basic % Enhanced % Smartphone ,226 1,41 1,532 26% DVD % TV, LCD % Digital Set-Top Boxes % Video Games Machines % Digital Still Camera % PND % FNS % 2. 반도체주요제품시장전망 ( 금액 ) (M.USD) CAGR Memory 62,42 52,684 65,197 77,153 78,768 76,714 4% DRAM 3,345 23,877 34,625 45,861 47,337 44,16 8% PC DRAM 6,664 6,268 9,415 11,828 8,916 6,768 % Mobile DRAM 8,339 9,471 11,736 16,258 21,599 21,716 21% SRAM ,2 1,32 1,32 1% Flash Memory 29,38 26,595 28,336 29,9 29,238 3,361 1% SSD 5,689 8,235 1,41 13,243 13,82 15,879 23% Microcomponent 61,96 61,562 66,836 69,516 73,319 73,319 3% Logic IC 11,95 11,915 12,472 13,92 13,754 13,754 3% Analog IC 2,77 2,532 22,685 23,874 25,713 25,713 4% Discrete 19,62 19,323 21,178 22,258 23,91 23,91 4% Optical 22,1 23,81 25,46 28,26 32,385 32,385 8% ASIC 21,779 22,96 24,818 27,76 29,531 29,531 6% ASSP 77,671 78,452 83,848 88,91 92,143 92,143 3% Application processor 8,525 13,581 21,221 28,581 35,538 39,325 36% Baseband Processor 15,125 17,441 2,441 22,725 24,664 26,211 12% Connectivity(WiFi+BT+GPS) 6,846 6,916 7,49 7,844 8,442 9,12 6% Foundry (Pure Foundry) 29,754 32,79 35,644 38,927 42,14 42,14 7% Total 32,51 294, , ,48 365, ,358 4% 3. 반도체주요제품시장전망 ( 수량 ) (M.pcs) CAGR Memory DRAM(1Gb eq.) 22,645 27,91 37,228 48,997 59,95 73,588 27% PC DRAM 9,983 11,331 11,185 12,18 1,874 1,86 2% Mobile DRAM 2,99 5,697 1,461 15,392 23,67 31,314 61% Flash(8Gb eq.) 18,49 28,752 4,919 57,628 79,868 11,581 44% SSD(8Gb eq.) 2,412 5,64 9,4 15,7 23,591 38,615 74% Application Processor ,223 1,52 1,779 1,917 28% Baseband Processor 1,828 1,722 1,77 1,772 1,812 1,857 % Connectivity(WiFi+BT+GPS) 1,141 1,153 1,27 1,352 1,455 1,554 6% 4. 반도체주요제품 ASP ($) CAGR Memory DRAM(1Gb eq.) % PC DRAM % Mobile DRAM % Flash(8Gb eq.) % SSD(8Gb eq.) % Applicatioln Processor % Baseband Processor % Connectivity(WiFi+BT+GPS) % 자료 : NH 투자증권리서치센터 3

4 [ 표 2] Key assumption 1. 주요응용처별 Set 성장률 CAGR Server 9% 8% 2% 2% 5% 6% 5% PCs % -1.4% -9.5% 1% -16% -7% -7% Desktop PCs -4% -7% 4% -6% -24% -14% -1% Mobile PCs 9% 7% -14% 11% -11% -3% -3% Mini-Notebook PCs -25% -31% -55% -1% -1% Media Tablets 267% 122% 42% 3% 7% 3% 29% SSD 126% 9% 42% 45% 21% 3% 44% Graphics Cards -1% -4% 3% -7% -5% -5% -4% HDD -4% 8% 6% -9% 1% 1% 1% ODD % 6% -11% -14% -8% -8% -7% Handsets 12% -6% 3% % 2% 2% % Basic 18% -17% -12% -16% -15% -15% -15% Enhanced -11% -31% -38% -55% -57% -59% -49% Smartphone 57% 45% 41% 24% 14% 9% 26% DVD -1% -1% -5% -9% -12% -19% -9% TV, LCD 5% 3% 3% 1% 4% 3% 3% Digital Set-Top Boxes 1% 18% 23% 6% 6% 6% 11% Video Games Machines -8% -9% -2% 6% 8% 1% -3% Digital Still Camera -1% -12% -13% -13% -13% -5% -11% PND -9% -16% -12% -4% -4% -4% -8% FNS -12% 36% 15% 2% 2% 2% 11% 2. 반도체주요제품금액성장률 CAGR Memory -6% -15% 24% 18% 2% -3% 4% DRAM -21% -21% 45% 32% 3% -7% 8% PC DRAM -55% -6% 5% 26% -25% -24% % Mobile DRAM 61% 14% 24% 39% 33% 1% 21% SRAM -7% -4% 4% 2% 3% % 1% Flash Memory 18% -9% 7% 3% 1% 4% 1% SSD 138% 45% 26% 27% 4% 15% 23% Microcomponent 1% -1% 9% 4% 5% % 3% Logic IC 2% % 5% 5% 5% % 3% Analog IC -1% -1% 1% 5% 8% % 4% Discrete 1% -2% 1% 5% 7% % 4% Optical 6% 5% 1% 11% 15% % 8% ASIC -2% 1% 12% 9% 9% % 6% ASSP 2% 1% 7% 5% 5% % 3% Application processor 75% 59% 56% 35% 24% 11% 36% Baseband Processor 18% 15% 17% 11% 9% 6% 12% Connectivity(WiFi+BT+GPS) 7% 1% 8% 5% 8% 7% 6% Foundry (Pure Foundry) 5% 1% 9% 9% 8% % 7% Total 1% -3% 14% 5% 4% % 4% 3. 반도체주요제품수량성장률 CAGR Memory DRAM(1Gb eq.) 46% 23% 33% 32% 22% 23% 27% PC DRAM 26% 14% -1% 8% -1% % 2% Mobile DRAM 117% 96% 84% 47% 54% 32% 61% Flash(8Gb eq.) 81% 59% 42% 41% 39% 38% 44% SSD(8Gb eq.) 223% 134% 6% 67% 57% 64% 74% Application Processor 69% 55% 44% 23% 18% 8% 28% Baseband Processor 12% -6% 3% % 2% 2% % Connectivity(WiFi+BT+GPS) 9% 1% 1% 7% 8% 7% 6% 4. 반도체주요제품 ASP 변동률 CAGR Memory DRAM(1Gb eq.) -46% -36% 9% 1% -16% -24% -15% PC DRAM -65% -17% 52% 16% -16% -24% -1% Mobile DRAM -26% -42% -33% -6% -14% -24% -25% Flash(8Gb eq.) -35% -43% -25% -27% -27% -25% -3% SSD(8Gb eq.) -26% -38% -21% -24% -34% -3% -29% Applicatioln Processor 3% 3% 9% 1% 5% 3% 6% Baseband Processor 6% 22% 14% 11% 6% 4% 11% Connectivity(WiFi+BT+GPS) -2% % -2% -2% % % -1% 자료 : NH 투자증권리서치센터 4

5 Key Charts 216 년환경분석 1: SSD 가격하락 + 수요본격화 216 년환경분석 2: 듀얼카메라 ($) '1 '11 '12 '13 '14 '15 '16 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 216 년환경분석 3: DDR4 본격화 (PC 내 DDR4 비중확대 ) DRAM 원가전망 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % DDR3 DDR4 3% 19% 43% 1% 99% 97% 81% 57% % 1% '14 '15 '16 '17 '18 ($) Cost ASP nm 3nm 25nm 2nm 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 DRAM 수급전망 시사점및수혜업체 (1Gb eq.mpcs) 2, 15, 1, 5, -1.% 2.1% DRAM Supply DRAM Demand -2.5% -.7%.9%.2%.9%.7% 3.%3.1%.7%.% 7% 5% 3% 1% -1% -3% Key Factor 기술트랜드 수요공급 3D NAND 본격화 수요 : 데이터센터 + 듀얼카메라공급 : DRAM 조절 +NAND 확대 216 년반도체방향 소재 : 원익머트리얼즈장비 : 테스, 유진테크, 원익 IPS DDR4: 오킨스, 마이크로컨텍솔듀얼 : 동운아나텍, 픽셀플러스 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15 1Q16 3Q16-5% -7% 반도체수급 DRAM/ NAND 상반기공급과잉하반기공급완화 DRAM 수급 +1.5%, NAND 수급 +1.4% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 자료 : NH 투자증권리서치센터 5

6 Executive Summary 216 년반도체환경분석 SSD, 듀얼카메라및 데이터센터확대전망 216 년반도체산업수요측면에서는 SSD 본격화, 듀얼카메라및데이터센터확대가주요인자로작용할전망이다. SSD 128GB 가격이 4달러수준에근접하면서 HDD 대체본격화가예상된다. 또한스마트폰은듀얼카메라가등장하면서스마트폰 DRAM 탑재량증가에기여할것으로판단된다. 서버향으로는데이터센터증가가내년도수요변화요인이될전망이다. 한편공급측면에서는 DRAM 가격하락에따른투자조절이진행될전망이다. 반면 NAND 의경우 3D NAND 본격화로투자확대가예상된다. 또한중국이반도체시장에대한지속적인진출을타진할것으로판단되나과점화된 DRAM 시장에직접진출하기는쉽지않을것으로예상된다. 시사점 : 3D NAND 본격화 + DDR4 확대 + 카메라센서확대 3D NAND 216 년환경변화에따른시사점으로 SSD 수요증가에따른 3D NAND 본격화, 서버데이터센터증가에따른 DDR4 비중확대가예상된다. 또한듀얼카메라확대로카메라센서확대가전망된다. 첫번째시사점으로 216 년 SSD 내 3D NAND 비중은 15% 에육박할전망이다. 3D NAND 비중은 215 년 1% 에서 216년 15%, 217 년 25% 로확대될것으로판단된다. DDR4 및듀얼카메라 확대 두번째시사점은데이터센터확대에따른 DDR4 확대이다. DDR4는 DDR3 보다성능은두배향상되고전력소모는 3% 이상개선된메모리이다. 즉 DDR4 의데이터전송속도는 3,2Mbps 로 DDR3의 1,6Mbps 대비 1% 성능향상된반면전력소모는기존 1.5V에서 1.2V 로줄어차세대서버 DRAM 솔루션으로부각될전망이다. 세번째시사점으로는듀얼카메라확대로 CIS(CMOS Image Sensor) 및오토포커스구동칩확대가전망된다. 특히오토포커스구동칩의경우아날로그반도체로듀얼카메라확대시 1% 확대되진않겠지만단위원가가저렴하기때문에성능개선을위해사용량이증가할것으로판단된다. SSD vs. HDD 가격비교 데이터센터 인메모리컴퓨팅 (USD) SSD (128GB) HDD(5GB) Price Difference (SSD-HDD) '14 '15 '16-34 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 6

7 216 년반도체수요공급전망 216 년 DRAM 수요는 22.7% 성장전망 216 년 DRAM 수급상황으로상반기공급과잉, 하반기수급균형이전망된다. 수요측면부터살펴보면 216년주요응용처인 PC는 -7% 역성장예상된다. 반면서버의경우 216년 1,6 만대로 +6% 성장하며스마트폰은 9% 대의완만한성장예상된다. 216년 DRAM 수요는 22.7% 성장전망된다. DRAM 수량은 1Gb 기준으로 215년 6억개에서 216년 736 억개로증가할전망이다. 216 년 DRAM 수급은 +1.5% 공급과잉전망 216 년 DRAM 공급은 23.8% 성장예상된다. 216 년업체별공급증가율은삼성전자와 SK 하이닉스각각 25.6%, 23.8% 로예상되며마이크론의경우도 25.7% 수준이예상된다. 연간 DRAM 수급은 +1.5% 공급과잉전망된다. 216 년 NAND 수요는 4.3% 성장전망 216 년 NAND 산업방향성은 SSD와 3D NAND 이다. 셋트수요부터살펴보면 216 년주요응용처인 SSD는 3% 성장이예상된다. 반면 SD Card 등 Flash Card 수요성장률은 -18% 로시장이줄어들전망이다. 216 년 NAND 수요는 4.3% 성장전망된다. 응용처별로살펴보면 SSD내 NAND 는 215 년 236억개에서 216 년 298억개로증가하는반면 Flash Card 내 NAND 는 91억개에서 12억개로소폭증가에그칠것으로판단된다. 216 년 NAND 수급은 +1.4% 공급과잉전망 216년 NAND 공급은 39.5% 증가한 억개 (8Gb기준 ) 로전망된다. 216년기술적으로는 Planar NAND 와 3D NAND가양립할전망이다. 하지만 48단 3D NAND 가본격화되고있고 216 년하반기쯤에는 64단도진행될전망이어서 3D NAND 확대가전망된다. 또한내년 64단으로전환되고 TLC 기술도같이적용될경우 3D NAND 가속화가예상된다. 연간 NAND 수급은 +1.4% 공급과잉전망된다. 결론 : DDR4 본격화 + 3D NAND 경쟁가속화전망 216 년반도체산업은 DRAM의과점체제지속, 3D NAND 의확대로귀결된다. DRAM시장에서는삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 3자구도가지속되면서무리한경쟁보다는수익성극대화를추구할것으로판단된다. 다만수요가세트보다는탑재량증가에의존하고있어소폭공급과잉이예상된다. NAND 의경우 SSD 본격화로 3D NAND 시장확대가예상되며 2D 와 3D NAND 가양립하는양상으로전개될것으로예상된다. DRAM 공급전망 216 년전망및수혜업체 (Mpcs,1Gb) eq,) 8, YoY 7, 9% 6, 7% 5% 5, 25.6% 23.8% 25.7% 23.8% 3% 4, 8.4% 3, 1% 2, -1% 1, -3% -5% SEC SK Hynix Micron Nanya WW Total Key Factor 기술트랜드 수요공급 반도체수급 3D NAND 본격화 수요 : 데이터센터 + 듀얼카메라공급 : DRAM 조절 +NAND 확대 DRAM/ NAND 상반기공급과잉하반기공급완화 216 년반도체방향 소재 : 원익머트리얼즈장비 : 테스, 유진테크, 원익 IPS DDR4: 오킨스, 마이크로컨텍솔듀얼 : 동운아나텍, 픽셀플러스 DRAM 수급 +1.5%, NAND 수급 +1.4% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 자료 : NH 투자증권리서치센터 7

8 Top Picks 삼성전자, SK 하이닉스 원익머트리얼즈 삼성전자는 3D NAND 원가경쟁력을바탕으로 SSD 시장확대에주력할것으로판단된다. 삼성전자는메모리뿐아니라 System LSI 제품도보유하고있어향후인텔을넘어서는회사가될전망이다. SK하이닉스역시 DRAM 2z nm (2nm 초반, 1nm=1 억분의 1m) 확대로 DDR4 를본격화하고 TLC(Triple Level Cell) 및 3D NAND 를통해 NAND 경쟁력을강화할것으로판단된다. 한편, 3D NAND 본격화에따른 PE CVD 소재업체인원익머트리얼즈또한관련매출확대로양호한실적을시현할전망이다. 삼성전자 : (Buy, TP: 1,55, 원 ) 삼성전자는 32단 Stack 에서 48단 Stack 으로공정전환하여 3D NAND 경쟁력강화중에있다. 216 년에는 64단 3D NAND 추진으로원가경쟁력확대될전망이다. 클라이언트뿐아니라엔터프라이즈에서도시장장악력강화예상된다. 시스템반도체는 216년 1nm FinFET 공정추진전망된다. 삼성전자가메모리미세공정노하우를활용하여 1nm 공정개발함으로써파운드리거래선이확대될것으로예상된다. 또한 DDR4 공정을 2nm 공정에서 1x nm (1나노후반 ) 공정으로전환함으로써원가경쟁력지속확보예상된다. DRAM 가격은하락하겠지만원가경쟁력으로견조한실적시현할전망된다. 한편삼성전자는삼성페이와갤럭시기어S2 로모바일기기차별화가예상되며향후스마트폰분기 2조원이상의영업이익을유지할수있는발판을구축할것으로판단된다. SK하이닉스 : (Buy, TP: 53, 원 ) SK하이닉스는 M14 내 2z nm 공정확대로 DDR4 물량증가하면서 DDR4 경쟁력확보할것으로전망된다. 216년에는 Server뿐아니라 PC향으로도 DDR4 확대되면서타업체와제품경쟁력차별화전망된다. 또한 SK하이닉스는 2세대인 36단 3D NAND 개발을 3분기초에마무리하고양산추진할전망이다. 15년말에는 3세대 (48단) 3D NAND 사전검증을시작해 3세대 NAND 시대를열어나갈것으로예상된다. 마지막으로 TLC 강화가전망된다. SK하이닉스는 15년 2분기말부터 TLC 확대할전망이다. 하반기스마트폰이 NAND 고용량화로 TLC 솔루션을요구하고있기때문이다. SK하이닉스는 215 년에는스마트폰향 TLC에집중하고 216 년에는 TLC 구조를적용한 SSD 양산할예정이다. 원익머트리얼즈 : (Buy, TP: 1, 원 ) 원익머트리얼즈는절연막 (Oxide) 과질화막 (Nitride) 형성용 Si2H4( 디실란 ), NH3, N2 및 NO 가스등의 PE CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 특수 Gas 생산업체로 2D NAND 대비 3D NAND 양산과정에서 PE CVD 공정이 4배이상많아짐에따라 3D NAND 본격화에따른원익머트리얼즈의 PE CVD 특수가스소재매출확대가전망된다. 8

9 Peer group Valuation Table 삼성전자 Peer group Valuation Table 시가총액 ( 백만 USD) EV/EBITDA PER PBR ROE(%) 215E 216F 215E 216F 215E 216F 215E 216F 삼성전자 141, SK하이닉스 2, 인텔 143, 마이크론 16, 도시바 1, TSMC 15, LGD 6, 애플 629, HTC 1,61.6 n/a n/a n/a n/a LG전자 6, 소니 31, 주 : 1 월 1 일종가기준자료 : Bloomberg 컨센서스 SK 하이닉스 Peer group Valuation Table 시가총액 ( 백만 USD) EV/EBITDA PER PBR ROE(%) 215E 216F 215E 216F 215E 216F 215E 216F SK하이닉스 2, 도시바 1, 마이크론 16, 난야 2,754.4 n/a n/a 이노테라 4, 주 : 1 월 1 일종가기준자료 : Bloomberg 컨센서스 원익머트리얼즈 Peer group Valuation Table 시가총액 ( 백만 USD) EV/EBITDA PER PBR ROE(%) 215E 216F 215E 216F 215E 216F 215E 216F 원익머트리얼즈 한솔케미칼 Air Liquide Air Product 주 : 1 월 1 일종가기준자료 : Bloomberg 컨센서스 9

10 I. 216 년반도체환경분석 수요 : SSD 본격화 + 듀얼카메라 + 데이터센터 216 년반도체산업수요측면에서는 SSD 본격화, 듀얼카메라및데이터센터확대가주요인자로작용할전망이다. SSD 128GB 가격이 4달러수준에근접하면서 HDD 대체본격화가예상된다. 또한듀얼카메라가등장하면서스마트폰메모리탑재량증가에기여할것으로판단된다. 서버향으로는데이터센터증가가내년도수요변화요인이라고판단된다. DRAM 투자조절 + NAND 투자확대 + 중국반도체진출 한편공급측면에서는 DRAM 가격하락에따른투자조절이진행될전망이다. 반면 NAND 의경우 3D NAND 본격화로투자확대가예상된다. 또한중국이반도체시장에대한지속적인진출을타진할것으로판단되나과점화된 DRAM시장에직접진출하기는쉽지않을것으로예상된다. 3개업체가중국진출이의미하는바를모두인식하고있기때문에특정회사의실적악화로인한회사매각을제외하고는인수가능성은희박하다고판단된다. 상기 216 년수요및공급변화인자에대해더자세히살펴보기로하겠다. 데이터센터확대 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 듀얼카메라 증강현실 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 1

11 1. 수요측면 : SSD 본격화 + 듀얼카메라 + 데이터센터 SSD(Solid State Disk) 본격화 빅데이터및데이터 트래픽증가로 SSD 확대 수요측면 216 년의첫번째환경변화는 SSD(Solid State Disk) 본격화이다. 즉빅데이터확대및데이터트래픽증가로 SSD가본격화될전망이다. 조사기관인가트너에따르면모바일데이터트래픽은 22 년까지 1배증가하며데이터스토리지트래픽은 21배증가할전망이다. 이같은데이터트래픽증가로 HDD(Hard Drive Disk) 를 SSD로대체하는수요가발생할것으로전망된다. 최근삼성전자는 HDD보다더고용량인 16TB SSD를선보였다. 삼성전자는 3D NAND 기술을적용하여현존하는가장큰용량의스토리지제품을발표했다. 삼성전자는 Flash Memory Summit 행사에서이제품을공개하였는데 2.5인치크기인이제품에는삼성전자가최근개발한 48단 256Gb NAND가적용됐다. 해당제품은내년본격양산될전망이다. 모바일데이터트래픽증가 스토리지데이터트래픽증가 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 16TB SSD 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 11

12 SSD 특징 SSD는 HDD 대비 14배빠른속도를갖고있다. 초당입출력횟수인 IOPS (Input Output Operation per second) 를보면 SSD가 5,5 인반면 HDD는 4에불과하다. 실제로 PC 성능테스트를할경우, SSD를장착한 PC는 7.7점으로주하드디스크성능이최고수준으로나타난반면, HDD를장착한 PC는최고사양 HDD라할지라도 5.8점을기록하였다. 저전력 SSD는 HDD 대비 9% 의전력소모량를획기적으로줄일수있다. 즉 HDD 전력소모는 1W 인반면 SSD는 1W에불과하다. 시스템전체레벨로전기소모를계산해봐도 14% 전력감소효과를가져온다. 즉 HDD를사용한시스템은 23W를사용한반면 SSD를사용한시스템은 175W 로 28W의전력감소효과를가져온다. 이런점때문에최근전력소모에민감한서버시장뿐아니라컨슈머 PC 시장에서도 SSD 채택이증가하고있다. SSD 성능비교 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 데이터센터내 HDD 대신 SSD 대체시기대효과 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 12

13 SSD 구성 SSD는 NAND 기반으로만들어진반도체제품이다. 만약 SSD가 DRAM 기반으로만들어질경우 PC 부팅을 2~ 3초만에끝낼수있을정도로빠른속도를보일수있다. 다만, DRAM 은전원이꺼지면저장데이터가모두사라지기때문에 PC의전원을끈상태에서도 SSD에지속적으로전원을공급해주는전용배터리를필수적으로갖춰야한다. 이런문제로일반적으로 SSD는휘발성인 DRAM 대신비휘발성메모리인 NAND Flash 를탑재하고있다. SSD의내부구조를살펴보면 PC와연결되는인터페이스 ( 연결포트등 ) 와데이터저장용메모리, 그리고인터페이스와메모리사이의데이터교환작업을제어하는컨트롤러 (controller), 외부장치와 SSD 간의처리속도차이를줄여주는버퍼 (buffer) 메모리로구성되어있다. SSD 구조 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 삼성전자 SSD 85 Pro 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 13

14 SSD에서가장중요한부분은 SSD 컨트롤러다. SSD 컨트롤러의주요기능은 ECC, Wear Leveling, Bad block management, 신호처리등이다. ECC는 Error Correction Code 의약자로에러를수정해주는기능을한다. Wear Leveling 은 NAND Cell의수명을연장시켜주는기술로신뢰성과연관이있다. Bad block management 는불량요소를보정해주는기능이다. 마지막으로신호처리는동일 Cell 에더많은저장공간을확보할수있게끔하는 MLC, TLC 기술을통해셀간섭현상을최소화하여양호한신호를구현하는기술이다. 이처럼 SSD 컨 트롤러는 NAND 의부족한기능을보완하는역할을수행한다. SSD 컨트롤러블록다이어그램 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 SLC MLC, TLC 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 SLC, MLC, TLC 개념도 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 14

15 SSD 가격전망 216 년 SSD 가격은 128GB 기준 4달러에근접할것으로전망된다. 즉 SSD 가격이 GB당.3달러에근접하면서 SSD 채용이확대될것으로예상된다. 특히 1달러미만의스토리지시장에서 SSD는 HDD 최소용량제품인 512GB 제품 (74달러 ) 보다높은경쟁력을갖게될전망이다. SSD vs HDD 가격트렌드 (USD) Premium (SSD/HDD) HDD ASP SSD ASP (x) '13 '14 '15 '16 '17 '18 '19. 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 1 달러이하 SSD vs. HDD 가격비교 (USD) SSD (128GB) HDD(5GB) Price Difference (SSD-HDD) '14 '15 ' 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 15

16 SSD 설문조사 : 가격이중요요소 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 PC 내 SSD 비중은 45% 에육박할전망 216 년 SSD 가격하락으로인해 PC 내 SSD 비중은확대될전망이다. SSD 가격이 128GB 기준 4달러이하로내려가면서중저가노트북과일부태블릿에서도탑재율이올라갈것으로판단된다. 특히 HDD의경우 4달러이하제품이거의존재하지않기때문에 4달러이하 SSD는가격경쟁력도갖출수있을것으로판단된다. 216 년에 256GB SSD가 6달러대에근접하게된다면 SSD 수요는더욱급증할것으로예상된다. 이렇게될경우 PC 내 SSD 비중은 215 년 34% 에서 216 년 45% 로확대될것으로전망된 다. SSD 가격이 128GB 기준으로 21 년 285 달러에서 214 년 91 달러, 215 년 61 달러, 216 년에는 41 달러로내려가면서 SSD 탑재율은더욱가속화될것으로판단된다. PC 내 SSD 탑재비중 (Mset) SSD 채용 PC PC Total 채용율 45% 34% 23% 16% 5% 1% 2% '1 '11 '12 '13 '14 '15 '16 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터전망 16

17 128GB SSD 가격 Trend ($) '1 '11 '12 '13 '14 '15 '16 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터전망 Consumer SSD 제품현황 Company Type 용량 (GB) 읽기 / 쓰기 ( 최대 MB/s) 인터페이스특징 Intel 삼성전자 SK 하이닉스 Toshiba Micron SSD 75 Series 4/1.2TB 2,4/1,2 PCI Express Gen3 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 SSD 73 Series 24/48 55/47 SATA 6Gb/s 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 SSD 535 Series 12/18/24/36 /48 54/49 SATA 6Gb/s 2.5 inch/m.2 폼팩터 /MLC 기술적용 SSD 53 Series 8/12/18/24 /36/48 54/49 SATA 6Gb/s 2.5 inch/msata/m.2 폼팩터 /MLC 기술적용 SSD 52 Series 3/6 55/52 SATA 6Gb/s msata /MLC 기술적용 SSD 85 Pro 128/256/512/1T 55/52 Series B/2TB SATA 6Gb/s 2.5 inch 폼팩터 /32-layer 3D V-NAND/MLC 기술적용 SSD 85 Evo 12/25/5/1, Series 54/52 SATA 6Gb/s 2.5 inch/msata/m.2 폼팩터, 32 layer 3D V-NAND/MLC 기술적용 SSD T1 25/5/1TB Transfer Speed : 45 USB 3./2. 초소형포터블 SSD(3g) SC3 Series 128/256/512 53/47 SATA 6Gb/s 2.5 inch, msata, M.2폼팩터 /MLC 기술적용 SL3 Series 25/5 54/47 SATA 6Gb/s 2.5 inch 폼팩터 /TLC 기술적용 HG6 Series 6/128/256/ /482 SATA 6Gb/s 2.5 inch, msata, M.2폼팩터 /MLC 기술적용 HG5 Series 6/128/256/ /482 SATA 6Gb/s 2.5 inch, msata 폼팩터 /MLC 기술적용 M5 12/24/48/96 (2.5 inch only) 5/ 4 SATA 6Gb/s 2.5 inch/msata/m.2 폼팩터 /MLC 기술적용 M51 128/256 52/3 SATA 6Gb/s 2.5 inch/msata/m.2 폼팩터 /MLC 기술적용 64/128/256/512 M55 /1TB(2.5 inch 55/5 SATA 6Gb/s 2.5 inch/msata/m.2 폼팩터 /MLC 기술적용 only) M6 128/256/512/1T 56/51 B(2.5 inch only) SATA 6Gb/s 2.5 inch/msata/m.2 폼팩터 /MLC 기술적용 자료 : 각사, NH 투자증권리서치센터 17

18 Enterprise SSD 제품현황 Company Type 용량 (GB) 읽기 / 쓰기 ( 최대 MB/s) 인터페이스특징 Intel 삼성전자 Toshiba Micron SSD DC P37 4/8/1.6TB/2.TB 2,8/2, PCI Express Gen3 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 SSD DC P36 4/8/1.2TB/1.6TB/2.TB 2,6/1,7 PCI Express Gen3 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 SSD DC P35 4/1.2TB/2TB 2,7/1,8 PCI Express Gen3 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 SSD DC S371 2/4/8/1.2TB 55/52 SATA 6Gb/s 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 SSD DC S37 1/2/4/8 5/46 SATA 6Gb/s 1.8/2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 SSD SM863 12/24/48/96/1,92 52/485 SATA 6Gb/s 2.5 inch 폼팩터 /32-layer 3D V-NAND/TLC 기술적용 SSD PM863 12/24/48/96/1,92/3,84 54/48 SATA 6Gb/s 2.5 inch 폼팩터 /32-layer 3D V-NAND/TLC 기술적용 PX4SHB Series 2/4/8/1,6 1.9/85 SAS 12.GB/s 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 PX4SHQ Series 2/4/8/1,6 1.9/85 SAS 12.GB/s 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 PX2SSF Series 1/2/4/8 1,1/41 SAS 12.GB/s 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 PXSSU Series 1/2/4/8 91/41 SAS 12.GB/s 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 M5DC 12/24/48/8 425/375 SATA 6Gb/s 1.8, 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 M51DC 12/24/48/8/96 42/38 SATA 6Gb/s 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 P32h 175/35/7(HHHL only) 1.75/1.1GB/s(2.5 inch) 3.2/1.9GB/s(HHHL) PCI Express Gen2 2.5 inch, HHHL 폼팩터 /MLC 기술적용 P41m 1/2/4 41/345 SATA 6Gb/s 2.5 inch 폼팩터 /MLC 기술적용 P42m 자료 : 각사, NH 투자증권리서치센터 35/7/1.4TB(HHHL only) 1.7GB/5MB/s (2.5 inch) PCI Express Gen2 3.3GB/s/63MB/s (HHHL) 2.5 inch, HHHL 폼팩터 /MLC 기술적용 18

19 스마트폰고사양화 듀얼카메라 듀얼카메라 216 년에는스마트폰산업의경쟁이심화되면서신제품차별성을위해고사양카메라에무게가쏠릴것으로판단된다. 일반스마트폰카메라는화소수를늘리기위해모듈에탑재되는렌즈숫자를늘려왔다. 하지만, 이로인해모듈의두께가두꺼워져디자인측면에서부정적이다. 따라서, 단순히카메라의화소만늘린다고해서해결되는문제가아니다. 1) 차별화된이미지캡처능력, 2) 기존에없었던다양한이미지편집기능, 3) 고성능이면서도슬림한디자인구현등의부분을위해스마트폰업체들은듀얼렌즈 (Dual-lens) 카메라에눈을돌리고있다. 시장조사업체테크노시스템리서치 (TSR) 는듀얼카메라를장착한스마트폰이 214년 6만대 ( 채택비중.3%) 에서 218년 4억3, 만대 ( 채택비중 21.1%) 까지증가할것으로전망했다. 듀얼 (Dual) 이라는단어에서알수있듯이, 듀얼카메라는렌즈 2개를탑재한카메라다. 각렌즈들의기능은다르다. 한쪽에서는주변배경에, 또다른한쪽에서는피사체에초점을맞춰촬영하고, 두렌즈들이찍은영상이한이미지로합성되어결과물을만든다. 듀얼카메라탑재한스마트폰출하량전망 카메라모듈구조 ( 백만대 ) 듀얼카메라스마트폰출하량 CAGR 191% '14 '15E '16F '17F '18F 자료 : TSR, NH 투자증권리서치센터전망 자료 : 삼성전기 Huawei Honor 6 Plus 에탑재된듀얼카메라 LinX 의 Multi-lens 카메라모듈 자료 : Pin-Chung Lin 자료 : LinX 19

20 애플, 듀얼카메라검토 중 듀얼카메라관련최근가장관심을표명하고있는회사는애플이다. 애플은 215 년 4월 LinX Computation Imaging 을 2, 만달러에인수하였다. LinX는특수용도센서및이미지처리를조합한초소형다중이미지처리기술을보유한기업이다. 애플의카메라업체인수는카메라를통해스마트폰기능변화를추구하고있음을시사하고있다. 즉애플은향후아이폰모델에다중조리개 Computational Imaging 기술을적용할것으로판단된다. 듀얼카메라적용시카메라모듈크기축소, 화질개선및 3D 영상구현가능하기때문이다. 듀얼카메라를상대적으로빠르게채택한중화권업체들 : HTC, Huawei, ZTE 한편 HTC는경쟁사들대비듀얼카메라를좀더이른시점에채택했다. 214 년 4월에출시한 'One M8' 의메인카메라는일반적인이미지촬영을하고보조카메라는초점을측정해화상의깊이데이터 (Depth data) 를저장하는기능을탑재했다. Huawei 역시 214 년 12월에출시한 'Honor 6 Plus' 에듀얼카메라를적용했다..1초만에초점을잡아주는 'Auto-focusing' 기능과 3차원촬영이가능한제품으로시장의호의적인반응을얻어내는데성공했다. 가장최근듀얼카메라탑재제품을출시한업체는 ZTE다. 이번신규플래그십모델인액손엘리트 (AXON ELITE) 는후면에두개의카메라가달려있다. 후면카메라는 13만-2 만화소, 전면카메라는 8만화소이다. HTC, One M8 Dual camera 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 화웨이, Honor 6 Plus 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 2

21 듀얼카메라탑재한중화권업체모델별스펙 제조업체 HTC Huawei ZTE 모델명 One M8 Honor 6 Plus Axon Elite 외관 출시시점 214년 3월 214년 12월 215년 9월 디스플레이 Super LCD3 IPS LCD IPS LCD 해상도 192x18 192x18 192x18 무게 16g 165g N/A 메모리 16/32GB 16/32GB 32GB RAM 2GB 3GB 3GB 카메라 Dual 4MP, 2688x152 pixels Dual 8MP, 3264x2448 pixels 13MP+2MP Dual camera, 4128x396 pixels OS Android v4.4.2 (KitKat) Android v4.4.2 (KitKat) Android v5. (Lollipop) CPU Quad-core 2.3GHz (US/EMEA)/ Quad-core 1.8GHz Cortex-A15/Quad-core Quad-core 1.5GHz Cortex-A53/ 2.5GHz (Asia, China) Krait 4 1.3GHz Cortex-A7 Quad-core 2GHz Cortex-A57 Chipset Qualcomm MSM8974AB Snapdragon 81 HiSilicon Kirin 925 Qualcomm MSM8994 Snapdragon 91 Battery 2,6 mah 3,6 mah 3, mah 자료 : GSMArena, NH 투자증권리서치센터 안드로이드및 ios( 애플 ) 스마트폰사양 Android ios 자료 : NH 투자증권리서치센터 Year of release Model Display (ppi) Camera RAM Front Back Capacity 21 Galaxy S VGA 5MP 512MB 211 Galaxy S II 217 2MP 8MP 1GB 211 Galaxy S II LTE MP 8MP 1GB 211 Galaxy S II HD LTE MP 8MP 1GB 212 Galaxy S III MP 8MP 1GB 212 Galaxy S III LTE MP 8MP 1GB 213 Galaxy S4 LTE MP 13MP 2GB 213 Galaxy S4 LTE-A MP 13MP 2GB 214 Galaxy S MP 16MP 2GB 214 Galaxy S5 광대역 LTE-A MP 16MP 2GB 215 Galaxy S MP 16MP 3GB 215 Galaxy S6 엣지 577 5MP 16MP 3GB 211 Note MP 8MP 1GB 212 Note MP 8MP 2GB 213 Note MP 13MP 3GB 214 Note MP 16MP 3GB 27 iphone 2G 163 2MP 128MB 28 iphone 3G 163 2MP 128MB 29 iphone 3GS 163 3MP 128MB 21 iphone MP 512MB 211 iphone 4S 33 VGA 8MP 512MB 212 iphone MP 8MP 1GB 213 iphone 5C MP 8MP 1GB 214 iphone 5S MP 8MP 1GB 214 iphone MP 8MP 1GB 214 iphone 6 plus MP 8MP 1GB 21

22 당사자체분석결과, 스마트폰등 IT기기에듀얼카메라를적용할경우 3가지측면에서기존카메라대비특화될것으로판단된다. 첫째, 듀얼카메라를적용할경우현재고사양화되는스마트폰카메라모듈의돌출부위를줄여디자인구현에용이하다. 둘째, 듀얼카메라는사람눈의원리와같이두개화면상의색감오류를보정할수있어색상정확도가훨씬뛰어나고더욱선명한이미지구현가능할것으로예상된다. 또한저조도환경에서도시각노이즈를줄일수있을것으로판단된다. 셋째, 듀얼카메라채택시깊이를측정할수있어 2D 뿐아니라 3D 이미지구현이가능하다. 향후듀얼카메라가스마트폰에접목될경우 3D 영상구현으로증강현실등다양한기능확대 가진행될것으로판단된다. Smartphone 증강현실이미지 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 Smartphone 3D 이미지구현 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 22

23 카메라화소수증가에 따라모바일 DRAM 탑재량증가전망 한편듀얼카메라채용외에도카메라성능향상을위한스마트폰제조업체들의카메라화소수경쟁은지속될것으로전망된다. 이에따라모바일 DRAM 탑재량증가전망된다. 당사의카메라화소와 DRAM 용량간회귀분석결과, 강한양의상관관계를나타냈다. 통계적으로결정계수.7 이상, 상관계수 85% 수준에해당된다. Android 진영스마트폰의경우회귀분석방정식으로분석한결과카메라화소가 16M픽셀일경우 3GB, 2M픽셀일경우 4GB의 DRAM이필요하다. 참고로카메라와 DRAM 용량상관방정식은 DRAM용량 =.191 X 카메라픽셀 (MP) 에해당된다. ios( 애플 ) 스마트폰의경우카메라화소가 16M픽셀일경우필요한모바일 DRAM은 2GB 이상이다. 2M픽셀일경우 3GB의모바일 DRAM이필요하다. 카메라와 DRAM 용량상관방정식은 DRAM용량 =.1383 X 카메라픽셀 (MP) 에해당된다. 스마트폰내듀얼카메라적용시최소두배이상의 DRAM이필요할것으로판단된다. Android - Camera 픽셀과 DRAM 탑재량상관관계 (DRAM, GB) 3.5 [Android - Camera vs.dram ] y =.191x R² =.7462 (Camera,MP) 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 ios - Camera 픽셀과 DRAM 탑재량상관관계 (DRAM, GB) [ios - Camera vs.dram ] y =.1383x R² = (Camera,MP) 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 23

24 카메라화소별필요한 DRAM 용량 : 16M 화소 안드로이드 아이폰 M 화소 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 카메라화소별필요한 DRAM 용량 : 2M 화소 안드로이드 아이폰 M 화소 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 24

25 데이터센터 - 인메모리컴퓨팅 인메모리는버퍼메모리를스토리지콘셉트로사용하는방식 216년환경변화요인중하나는데이터센터의인메모리화이다. 인메모리는버퍼메모리를스토리지콘셉으로사용하는방식이라할수있다. 즉서버 DRAM을활용하여 Hot Data를 DRAM 내에서처리함으로써효율을높이는방식이다. 인메모리는디스크가아닌주메모리에모든데이터를보유하고있는데이터베이스로디스크검색보다자료접근에훨씬빠른것이가장큰장점이다. 최근페이스북등비정량적인데이터가늘어나면서데이터양이빠르게증가하였고, 이로인해데이터응답속도가느려지고있는데이를해결하는방안이인메모리컴퓨팅이라할수있다. HDD를사용하는디스크방식은스토리지에있는데이터를대상으로쿼리를수행하는반면인메모리컴퓨팅은 DRAM과같은메모리에서쿼리를수행하고필요한데이터를메모리상에서검색한다. 인메모리를활용한데이터분석 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 인메모리아키텍처 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 25

26 64bit 운영체제본격화및데이터트래픽증가로인메모리는확대될전망이다. 인메모리가최근주목받게된이유는데이터트래픽증가와 CPU 및메모리가격하락을들수있다. 또한 CPU 및 OS(Operating system, 운영체제 ) 가 64bit화되면서 DRAM 용량의제한이없어진것도이유중하나다. 즉 4GB가한계였던 32bit 운영체제와달리 64bit 운영체제는무한대수준의용량을지원해메모리를통한인메모리도입이용이해졌기때문이다. 32bit 운영체제가인식할수있는용량은 2^32 / ((124)^3) = 4GB인반면 64bit 운영체제의경우 2^64 / ((124)^3) = 17,179,869,184GB 로거의무한대라고볼수있겠다. 최근메모리가격까지하향안정화되면서인메모리컴퓨팅에대한수요가증가하고있다. 따라서인메모리컴퓨팅방향으로서버내 DRAM용량증대가예상되며최근마이크론이발표한 3D xpoint 같은뉴메모리도 DRAM대비가격경쟁력을확보할수만있다면 DRAM의서브메모리로활용될가능성이높다고할수있겠다. 인메모리의역할 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 인메모리반응속도 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 26

27 221 년빅데이터 시장의 65% 가 인메모리도입예상 가트너에따르면 216 년기업의 35% 가인메모리를도입하고 221 년경에는빅데이터시장의 65% 가인메모리를도입할것으로예상하고있다. 현재서버스토리지에서는느린속도를보완하기위해캐시메모리를사용한다. 하지만인메모리는이캐시를필요치않게되어더효율적이며빠른분석이가능하다. 인메모리아키텍처 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 인메모리아키텍처 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 27

28 인메모리처리속도 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 인메모리구성 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 인메모리구조 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 28

29 2. 공급측면 : DRAM 투자조절 + NAND 투자확대 + 중국반도체진출 DRAM 투자조절 DRAM 가격 3nm 급 원가에근접 현재 PC DRAM 가격은 3나노원가 (4GB DDR3 모듈기준 17달러 ) 에근접하고있다. DRAM 가격은 15년연말마이크론 3나노원가수준인 17달러에근접할것으로예상되며 17달러이하로하락시마이크론의 DRAM 감산이불가피할것으로판단된다. 따라서 DRAM 업체들의무리한 DRAM 공급은제한될것으로판단된다. 참고로 DRAM 원가는 25nm급 14달러, 2nm급 11달러수준으로분석되는바주요상위업체들의이익은가격약세에도불구견조할것으로예상된다. 4Gb 단품기준으로 3nm 원가는 2.달러, 25nm 원가는 1.6달러, 2nm 원가는 1.2달러로단품역시 3nm 원가수준에근접한것으로판단된다. PC DRAM 원가 (4GB 모듈기준 ) ($) Cost 17.1 ASP nm 3nm 25nm 2nm 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 PC DRAM 원가 (4Gb 단품기준 ) ($) 3 Cost ASP nm 3nm 25nm 2nm 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 29

30 PC DRAM 의 PC BOM 비중은 5.3% 수준 현재 PC DRAM의 PC BOM( 총재료비 ) 비중은 5.3% 로양호한상황이다. 참고로과거 PC DRAM의 PC BOM 비중고점은 1% 였으며저점은금융위기가있었던 28 년과 211 년에는 4.3% 수준이었다. 따라서현재 BOM 레벨로볼때 PC DRAM 가격은 PC 업체에부담스러운수준은아닌상황으로판단된다. PC DRAM 의 PC BOM 비중 ($) 5 9.5% PC DRAM Price in PC PC DRAM BOM 비중 1% % 4.4% 5.2% 4.7% 4.3% 5.8% 7.4% 5.3% 8% 6% 4.8% 4% '7 '8 '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15( 현재 ) '16 2% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 PC DRAM 가격트렌드 (4Gb 단품기준 ) ($) Spread (RHS) DDR3 4Gb 16Mhz Spot 5. DDR3 4Gb 16Mhz Contract '12.8 '12.12 '13.4 '13.8 '13.12 '14.4 '14.8 '14.12 '15.4 '15.8 ($) 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 3

31 NAND 투자확대 3D NAND 본격화로 투자확대전망 216 년 3D NAND 투자가본격화될것으로판단된다. 삼성전자가 215년에 48단 3D NAND를본격화했다면 216년에는 SK하이닉스와마이크론투자가진행될것으로판단된다. 삼성전자도 48단에이어 216년에는 64단으로의공정전환예상되고있어 3D NAND 경쟁은가속화될것으로판단된다. 반면 2D NAND 의경우상대적으로투자가이뤄지지않으면서물량이부족해질수도있을것으로판단된다. 모바일수요는최근둔화되고있지만스마트폰내탑재량은증가하고있어내년 2D NAND 시장에서는상대적인수급불균형이발생할것으로판단된다. 그럼에도불구하고 2D NAND 공정전환에한계가있어 NAND 업체들의 3D NAND 투자는불가피할것으로전망된다. 3D NAND Stack 변화 '14 '15 '16 '17 '18 '19 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 SK 그룹투자발표 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 31

32 중국반도체진출 마이크론인수가능성 제한적이나 최근에중국칭화유니그룹이마이크론인수를제안하였다. 하지만마이크론경영진성향감안시중국의마이크론인수가능성은희박한것으로판단된다. 이는 1) 마이크론은미국 Simplot 가문중심으로경영되고있는, 전형적으로미국적성향이강한기업으로마이크론경영진들의거부감높을것으로판단되기때문이다. 2) 최근마이크론의실적은다소저조하지만흑자기조를유지하고있고과거엘피다를인수하여시너지효과가나오고있는상황이며, 3) 지분관계도기관투자자들로세분화되어있어중국기업이인수하기에는어려움이많을것으로판단되기때문이다. 지속적인시도예상 마이크론이중국에회사를매각할가능성은희박하지만향후공정전환등의 CAPEX ( 설비투자 ) 를위해중국기업과협력할가능성은있을것으로예상된다. 중국이정책적으로반도체산업진흥을지원하고있어지속적인인수 합병시도는우려요인으로작용할전망이다. 다만이로인해 DRAM업체간무리한 DRAM 가격경쟁은자제할것으로판단된다. 특정업체가경영에어려움을겪을경우중국이인수할가능성이더높아지기때문이다. 중국칭화그룹 vs. 마이크론 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 마이크론주주현황 (Top 15) 주주지분율보유주식 ( 주 ) 종류 BLACKROCK 6.82% 73,856,944 Investment Advisor VANGUARD GROUP INC 5.54% 6,66,265 Investment Advisor STATE STREET CORP 4.15% 44,974,98 Investment Advisor WADDELL & REED FINAN 3.34% 36,157,85 Investment Advisor PRIMECAP MANAGEMENT 3.24% 35,5,735 Investment Advisor GREENLIGHT CAPITAL 3.1% 33,549,546 Hedge Fund Manager VIKING GLOBAL INVEST 2.87% 31,146,6 Hedge Fund Manager PUTNAM INVESTMENTS 2.22% 24,21,856 Investment Advisor BAUPOST GROUP LLC 1.82% 19,76,35 Hedge Fund Manager FMR LLC 1.8% 19,52,987 Investment Advisor T ROWE PRICE ASSOCIA 1.66% 18,14,69 Investment Advisor BANK OF NEW YORK MEL 1.53% 16,617,79 Investment Advisor DONALD SMITH & CO IN 1.41% 15,39,246 Investment Advisor JANUS CAPITAL MANAGE 1.3% 14,113,241 Investment Advisor ALKEN ASSET MANAGEME 1.3% 14,68,577 Investment Advisor 자료 : Bloomberg, NH 투자증권리서치센터 32

33 3. 기술측면 : New Memory vs. DRAM/NAND Memory hierarchy 216 년에 New Memory 가본격화되지는않겠지만마이크론의 3D Xpoint 발표를계기로이에대한관심이높아질전망이다. 메모리성능별특징을살펴보면 STT-MRAM 이가장빠르며, PRAM과 ReRAM 이그뒤를잇는다. New Memory 는 DRAM보다는빠르지않지만 NAND 보다빠르기때문에성능측면에서는 STT-MRAM 을제외하고는대부분 DRAM과 NAND 사이에있다고볼수있다. 한편원가측면에서는 ReRAM 이가장우수하며 PRAM과 STT-MRAM 가그뒤를잇는다. 원가에서도 New Memory는 DRAM보다는저렴하지만 NAND보다는비싸다. 즉 DRAM과 NAND 사이에있다고볼수있겠다. 하지만 ReRAM 의경우향후기술이보완된다면 NAND 보다원가를낮출수있는가능성이있는제품이라할수있다. Memory hierarchy Increasing Performance & Endurance SRAM DRAM NAND HDD STT-MRAM PRAM ReRAM Capacity or Density 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 New Memory 특성비교 Type Cell size Function & Performance Nonvolatility W/E Speed cycle Lowpower 장점 / 단점 PRAM 4F 2 - 간단한구조, 4F 2 의작은셀크기, 적층가능구조, 상대적으로약한내구성 ReRAM 4~ 6F 2-4F2 의작은셀크기, 적층가능구조, 셀내 2 개이상의 Bit 데이터저장가능, 높은리셋값, 상대적으로약한내구성 STT-MRAM 4~ 64F 2 - 뉴메모리중최고의성능, 복잡한멀티레이어및 Etching 구조, 적층불가 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 33

34 제품별성능및가격 Matrix 분석상뉴메모리중 MRAM은 DRAM을대체할수있을것으로판단된다. 다만아직원가측면에서불리하기때문에당장상용화되기보다는지속적인개발이필요하며, 이경우 217년말쯤상용화될것으로판단된다. 한편스토리지쪽으로는 2D NAND 가 3D NAND 로진행되고있지만 218년경에이르면 3D ReRAM 도출현할것으로판단된다. Memory 성능및가격 Matrix 자료 : NH 투자증권리서치센터 Intel Purely Platform 자료 : Intel, NH 투자증권리서치센터 34

35 참고로인텔은 217년이후 Purely Platform 을준비하고있는데이는 3D Xpoint 와연관되어있다. 즉 DRAM 옆에추가로뉴메모리를배치하는방식으로빅데이터시대에인메모리컴퓨팅을강화시키는방향이라할수있다. 3D Xpoint 가 DRAM보다원가를낮출수있다면추가로신규응용처에부합되는솔루션이될것으로판단된다. Intel Purely 로드맵 자료 : Intel, NH 투자증권리서치센터 Intel 제품로드맵 자료 : Intel, NH 투자증권리서치센터 35

36 마이크론 3D Xpoint 3D Xpoint 마이크론이발표한 3D Xpoint 기술은트랜지스터사용을줄인것으로워드라인및빗라인의교차점에메모리셀을배치하는방식으로구현된다. 이를 3차원바둑판모양으로형성하여데이터속도가 NAND 보다 1, 배빠르다. 즉 NAND 의경우는블록단위로데이터를저장하거나읽기를수행하나 3D Xpoint 는빗라인과워드라인으로데이터를인식하기때문에코드메모리에가까운기술이다. 마이크론에의하면 215 년말경 2 개메모리 Layer 에칩당 128Gb 용량으로제품을선보일 예정이며이를기반으로 216 년양산진행할것으로보인다. 마이크론 3D Xpoint 자료 : Micron, NH 투자증권리서치센터 3D Xpoint 구조 자료 : Micron, NH 투자증권리서치센터 36

37 3D Xpoint 는 NAND 와 DRAM 성격을동시에보유한 New Memory 제품이다. 즉 DRAM보다는느리지만비휘발성특성을갖고있고, NAND 보다속도가빠르기때문에인메모리컴퓨팅방식에적합할수있다. 3D Xpoint 기술은 1,28 억개의메모리셀이수직의 Selector 로연결되어있는형태로각메모리셀에데이터를저장하는방식으로구현된다. 3D Xpoint 기술이어떤 New Memory 를채용한지는아직명확하지않지만 PRAM(Phase Change Memory) 계열로추측되고있다. MRAM은속도는빠르지만아직물질개발이진행중이고 ReRAM 은 3차원구조에적합하지만아직업계에서개발중인제품이기때문이다. 반면 PRAM은이미상용화된기술이기때문에 3차원에접목만하면바로구현가능할것으로판단된다. 3D Xpoint 기능 자료 : Intel, NH 투자증권리서치센터 3D Xpoint 포지셔닝 자료 : Intel, NH 투자증권리서치센터 37

38 New Memory PRAM(Phase Change RAM) PRAM 은비결정질과 결정질의변화로 데이터저장 New Memory 는크게 PRAM(Phase Change RAM), ReRAM(Resistance RAM) 과 MRAM(Magnetic RAM) 으로구분된다. PRAM부터살펴보면 PRAM은상변이를이용하여데이터를저장하는방식이다. 즉기존메모리가전하를이용하여데이터를저장하는것과달리비결정질과결정질의저항값을사용하는방식이라할수있다. PRAM은칼고게나이드계합금인 GST(GeSbTe) 라는물질을사용하는기술로 DRAM 공정과유사하여양산도용이할것으로판단된다. 단위소자의동작원리에대해구체적으로살펴보면 GST 합금막에전압을인가하여 Joule heating 을가하게되면 GST 물질이비결정질에서결정질로바뀌게된다. 이때전기저항이높은상태에서낮은상태로바뀌게되며이를 1과 으로변환하는방식을이용한다. 하지만 PRAM은온도에민감하기때문에이에대한물성관리가필요하다는단점이있다. PRAM: Phase Change RAM 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 PRAM 구성 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 38

39 New Memory - ReRAM ReRAM 은저항차이로 데이터저장 ReRAM 은 Resistance RAM의약자로두개의금속전극사이에절연막을삽입한구조의메모리이자전기신호의저항값변화를이용한저항메모리이다. ReRAM 은저항소자를활용하여 1과 을인식하는방식으로전기신호발생시필라멘트가연결되면서저항값이달라지는형태로작동한다. 다양한방식이존재하나주로 ReRAM 은 TiO계열물질을활용하여저항값을달리가져감으로써데이터를저장하는방식이라할수있다. ReRAM 은용량을높이기에유리하고 3차원구조도가능하기때문에중장기적으로 NAND를대체하는솔루션이될전망이다. 따라서 3D NAND 가 15단이상으로커지게된이후에는 3D ReRAM 으로의구조변화가발생할것으로판단된다. ReRAM 동작 On 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 ReRAM 동작 Off 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 39

40 New Memory - MRAM MRAM 은자기장 변화를활용 MRAM(Magnetic RAM) 은마그네틱성질을가진물질을활용하여자기장변화로데이터를저장하는방식이다. MRAM은 DRAM보다속도가빠르면서도 NAND 와같이비휘발성특성을가지고있다. MRAM은 MgO( 산화마그네슘 ) 같은자기저항효과가있는물질을사용하여만든다. MRAM은 IBM에서이미 1974 년에개발되었지만성능구현및단가문제로계속개발중인기술이다. 향후기술완성도가올라갈경우 DRAM을대체할기술이라할수있다. 삼성전자는 211년미국그란디스라는회사를인수하면서 STT-MRAM 원천기술을확보해차세대반도체시장을선점할발판을마련하고있다. 그란디스는 22년 1,5 만달러 ( 약 157억원 ) 의벤처투자자금과미국국방성고등연구계획청 (DARPA) 의연구보조비를 1대1로매칭해설립된회사로 STT-MRAM 의원천기술을보유하고있다. 하이닉스역시도시바와 STT-MRAM 을공동개발중에있다. 하이닉스의연구개발거점인이천에도시바엔지니어가파견되는방식으로공동개발을시작했다. 하이닉스는 11년 4분기실적발표때도도시바와의 STT-MRAM 개발추진을재발표한바있어양사공동개발은이미기정사실화되었고, 이에 STT-MRAM 개발경쟁은가속화될전망이다. MRAM 구조 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 MRAM 물성 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 4

41 II. 시사점 : 3D NAND 본격화 + DDR4 확대 + 카메라센서확대 216 년환경변화에따른시사점으로 SSD 수요증가에따른 3D NAND 본격화, 서버데이터센터증가에따른 DDR4 비중확대가예상된다. 또한듀얼카메라확대로카메라센서확대가전망된다. 3D NAND 본격화 첫번째시사점으로 216년 SSD 내 3D NAND 비중은 15% 에육박할것으로전망된다. 3D NAND 비중은 215 년 1% 에서 216년 15%, 217년 25% 로확대될것으로판단된다. 특히 3D NAND 는 16년에 48단으로본격확대되며 16년하반기에는 64단추진이예상되고있다. 또한 16년에는삼성전자뿐아니라, 마이크론, 도시바, 샌디스크, SK하이닉스등경쟁본격화가전망된다. DDR4 확대 두번째시사점은데이터센터확대에따른 DDR4 확대이다. DDR4는 DDR3보다성능은두배향상되고전력소모는 3% 이상개선된메모리이다. 즉 DDR4의데이터전송속도는 3,2Mbps 로 DDR3의 1,6Mbps 대비 1% 성능향상된반면전력소모는기존 1.5V에서 1.2V 로줄어차세대서버 DRAM 솔루션으로부각될전망이다. 카메라센서확대 세번째시사점으로는듀얼카메라확대로 CIS(CMOS Image Sensor) 및오토포커스구동칩확대가전망된다. 특히오토포커스구동칩의경우아날로그반도체로듀얼카메라확대시 1% 확대되진않겠지만단위원가가저렴하기때문에성능개선을위해사용량이증가할것으로판단된다. CIS 역시사용량확대가전망되며카메라렌즈및노이즈필터사용량도증가할것으로판단된다. 216 년 Key Factors Key Factor 시사점 à 관련주 SSD 확대 SSD 확대로 3D NAND 본격화 소재 : 원익머트리얼즈장비 : 테스, 유진테크, 원익 IPS, 데이터센터, 인메모리 DDR4 본격화 오킨스전자 ( 소켓 ) 마이크로컨텍솔 ( 소켓 ) 듀얼카메라 오토포커스구동칩, CIS 확대메모리용량확대 동운아나텍 ( 오토포커스 ) 픽셀플러스 (CIS) 자료 : NH 투자증권리서치센터 41

42 시사점 1: SSD 수요확대로 3D NAND 본격화 3D NAND 본격화 데이터스토리지측면에서 SSD 가 HDD 를본격대체할것으로전망된다. 이에 216 년을기 점으로 SSD 에 3D NAND 가본격채용될것으로예상된다. 48 단부터는 2D NAND 1z nm 급 과경쟁이가능하기때문에 3D NAND 확대가예상되고있다 216 년 48 단양산 확대, 하반기 64 단 추진예상 특히 3D NAND 는 16년에 48단으로본격확대되며 16년하반기에는 64단추진이예상되고있다. 또한 16년에는삼성전자뿐아니라, 마이크론, 도시바, 샌디스크, SK하이닉스등경쟁본격화가전망된다. 현재삼성전자만이 3D NAND 양산하고있으며주로 SSD향으로제품화를추진하고있다. 주요업체들이 48단에서제품화를진행한다면향후 3D NAND 가본격화될것으로판단된다. SSD Product Life Cycle 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 업체별 3D NAND Die Size 비교 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 42

43 3D NAND 는 2D NAND 보다성능및 전력소모우수 3D NAND 가채용된 SSD는기존 2D NAND 를사용한 SSD보다성능및전력소모측면에서우수하다. 3D NAND 는 2D NAND 대비순차적쓰기기준 22% 빠르며, 랜덤쓰기기준 2% 빠른기술이다. 한편 3D NAND 의전력소모량역시 2D NAND대비평균 27% 적으며피크파워로는 45% 개선효과가있다. 일반 SSD vs 3D NAND 성능비교 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 일반 SSD vs 3D NAND 전력소모비교 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 43

44 3D NAND 비중은 216 년 SSD 내 15% 에 육박할전망 SSD 내 3D NAND 비중은 216 년 15% 에육박할것으로판단된다. 삼성전자시안투자로 3D NAND CAPA( 생산능력 ) 가확대되고 SK하이닉스역시 3D NAND 투자가불가피하기때문이다. 3D NAND 비중은 215 년 1% 에서 216 년 15%, 217년 25% 로확대될것으로판단된다. 3D NAND 관련주 따라서 3D NAND 관련주에대해서는지속적인관심이필요할것으로판단된다. 우선장비주부터살펴보면단기적으로는수주모멘텀은제한적이나중기적관점에서수혜가예상된다. 테스 (PE CVD, 플라즈마화학증착장비 ), 원익IPS(PE CVD), 유진테크 (ALD, 원자층증착장비 ), 주성엔지니어링 (ALD) 이이에해당된다. 3D NAND 소재주로는원익머트리얼즈 (3D NAND 특수가스 ), OCI머티리얼즈 (CVD 세정가스 ), 한솔케미칼 (H2O2, 과산화수소 ) 이수혜를받을것으로판단된다. 마지막으로소켓관련주로는마이크로컨텍솔 (SSD 테스트소켓 ) 이해당된다. 3D NAND 구조 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 SSD 내 3D NAND 비중전망 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % 3D NAND 2D NAND 25% 47% 62% 75% 85% 99% 75% 53% 38% 25% 15% 1% '15 '16 '17 '18 '19 '2 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 44

45 삼성 SSD 비교 : 85Pro(2D NAND) vs 85EVO(3D NAND) 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 삼성전자 3D NAND 구조 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 45

46 원가 Trend 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 업체별 NAND die 구조 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 46

47 시사점 2: 인메모리및데이터센터확대로 DDR4 수요증가 DDR4 본격화 두번째시사점은데이터센터확대에따른 DDR4 수요증가이다. DDR4는 DDR3보다성능은두배향상되고전력소모는 3% 이상개선된메모리이다. 즉 DDR4의데이터전송속도는 3,2Mbps 로 DDR3의 1,6Mbps 대비 1% 성능향상된반면전력소모는기존 1.5V에서 1.2V 로줄어차세대서버 DRAM 솔루션으로부각될전망이다. 최근서버의집합체인데이터센터건립이증가하고있다. 데이터센터는수천, 수만대의서버컴퓨터를한장소에모은것이라할수있다. 구글은전세계 12개의데이터센터를운영하고있다. 북미에 6곳, 남미에 1곳, 유럽에 3곳, 아시아에 2곳의데이터센터를보유중이다. 따라서서버성능강화및최근 PC향 Skylake 본격화로 DDR4 수요는더욱확대될것으로판단된다. DDR4 vs. DDR3 성능상세비교 Feature/Option DDR3 DDR4 DDR4 Advantage Voltage(core and I/O) 1.5V 1.2V Reduces memory power demand VREF inputs 2-DQs and CMD/ADDR 1-CMD/ADDR VREFDQ now internal Low voltage standard Yes(DDR3L at 1.35V) Anticipated(likely 1.5V) Memory power reductions Data rate(mb/s) 8,166,1333,16, 1866, ,1866,2133, 24,,2667,32 Densities 512Mb-8Gb 2Gb-16Gb Migration to higher-spped I/O Better enablement for large-capacity memory subsystems Internal banks 8 16 More banks Bank groups(bg) 4 Faster burst accesses CK-DLL enabled 3MHz to 8MHz 667MHz to 1.6GHz Higher data rates CK-DLL disabled 1MHz to 125MHz(optional) Underfined to 125MHz DLL-off now fully supported Read latency AL+CL AL+CL Expanded values Write latency AL+CWL AL+CWL Expanded values DQ driver(alt) 4Ω 48Ω Optimized for PtP(Point to Point) applications DQ bus SSTL15 POD12 Mitigate I/O noised and power RTT values 12, 6, 4, 3, 2 24,12,8,6,48,4,34 Support higher data rates RTT not allowed READ bursts Disables during READ bursts Ease-of-use 자료 : Micron, NH 투자증권리서치센터 DDR4 특성 자료 : Micron, NH 투자증권리서치센터 47

48 216 년서버내 DDR4 비중은 81% 에달할 전망 서버성능고사양화로서버내 DDR4 비중은 215 년 33% 에서 216 년 81% 까지확대될전망이다. 즉서버향에서는 DDR4 가주력제품화된다고볼수있겠다. 또한 PC향에서도 DDR4 비중이 215 년 1% 에서 216년 57% 로상승할전망이다. 최근인텔의 SkyLake 수율문제로수급이원활하지않아 PC 내 DDR4 채용이본격화되고있지않지만 216년에는수율문제가해결되면서 PC 내 DDR4 비중확대가가속화될것으로판단된다. 216 년 PC 내 DDR4 비중은 57% 에달할 전망 DDR4 가본격화될경우테스트장비소모품인소켓관련주가수혜를받을것으로판단되며 해당종목으로는오킨스전자 (DDR4 소켓 ), 마이크로컨텍솔 (DDR4 소켓 ), ISC( 테스트소켓 ) 등 이있다. 서버내 DDR4 비중전망 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % DDR3 DDR4 5% 1% 19% 67% 99% 95% 99% 81% 33% 1% '14 '15 '16 '17 '18 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 PC 내 DDR4 비중전망 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % DDR3 DDR4 3% 19% 43% 1% 99% 97% 81% 57% % 1% '14 '15 '16 '17 '18 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 48

49 시사점 3: 듀얼카메라로카메라센서확대 오토포커스, CIS(CMOS Image Sensor) 확대 세번째시사점으로는듀얼카메라확대로 CIS(CMOS Image Sensor) 및오토포커스구동칩확대가전망된다. 특히오토포커스구동칩의경우아날로그반도체로듀얼카메라확대시 1% 확대되진않겠지만단위원가가저렴하기때문에성능개선을위해사용량이증가할것으로판단된다. CIS 역시사용량확대가전망되며카메라렌즈및노이즈필터사용량도증가할것으로판단된다. 물론반도체메모리탑재량도증가될전망이다. 해당관련주로는오토포커스구동칩을공급하는동운아나텍 ( 오토포커스 ) 과 CIS 업체인픽셀 플러스 (CIS) 가수혜를입을것으로판단된다. 특히동운아나텍의경우전세계 M/S 가 36% 에 달하고있어업체간듀얼카메라경쟁시수혜가전망된다. 오토포커스구동칩 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 Canon 오토포커스기술 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 49

50 일반스마트폰카메라 ( 좌 ) 와듀얼카메라 ( 우 ) 의 zoom 차이 자료 : LinX, NH 투자증권리서치센터 LinX 의 Depth Mapping 자료 : LinX, NH 투자증권리서치센터 5

51 III. 216 년반도체수요공급전망 이번장에서는상기언급된 216년환경분석및시사점을토대로 216 년반도체수요공급전망에대해알아보고자한다. 결론적으로 DRAM 시장에서는 3자구도가지속되는가운데 DDR4 공급본격화되면서공급이수요보다 1.5% 정도많을전망이다. 한편 NAND 시장에서는 SSD와 3D NAND 본격화되는가운데공급이수요보다 1.4% 정도많을것으로판단된다. 216 년 DRAM 수급은 +1.5% 공급과잉전망 216 년 DRAM 수요는 22.7%, DRAM 공급은 23.8% 성장전망된다. 216 년 DRAM 수급상황으로방향성은상반기공급과잉, 하반기수급균형이전망된다. 즉 216 년상반기에는 1 분기비수기돌입및마이크론 2nm 공정전환과 SK하이닉스 2z nm 공정전환으로공급과잉이전망된다. 하지만하반기에는계절적성수기및공급둔화로수급균형이전망된다. 216 년 NAND 수급은 +1.4% 공급과잉전망 216 년 NAND 수요는연간 4.3%, 공급은 39.5% 성장전망된다. 216 년 NAND 수급상황으로연간 1.4% 공급과잉이전망된다. 분기별로는상반기공급과잉이후하반기수급균형이전망된다. 상반기의경우비수기영향으로공급과잉이예상된다. 하지만하반기에는 SSD 수요본격화및모바일세트업체들의 NAND 탑재량증가로수급균형이진행될전망이다. DRAM 수급전망 24, 18, 12, -1.% DRAM Supply DRAM Demand 2.1% -2.5% -.7%.9%.2%.9%.7% 3.% 3.1%.7%.% 7.% 5.% 3.% 1.% -1.% 6, -3.% -5.% 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16-7.% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 NAND 수급전망 (1Gb eq., Mpcs) 3, NAND supply NAND demand 15% 25, 2, 15, 6.% 5.7% 6.1% 5.% 1.3% 2.5% 1.4% 2.6% 1.5% 3.6%.4%.4% 1% 5% % 1, -5% 5, -1% 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16-15% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 51

52 1. DRAM 수요공급전망 216 년상반기 공급과잉, 하반기 수급균형전망 216 년 DRAM 수급상황으로상반기공급과잉, 하반기수급균형이전망된다. 수요측면부터살펴보면 216년주요응용처인 PC는 -7% 역성장예상된다. 반면서버의경우 216년 1,6 만대로 +6% 성장하며스마트폰은 9% 대의완만한성장예상된다. 216년의주요특징은데이터전송량확대에따른탑재량증가가두드러지는반면세트수치는전반적으로둔화될것으로예상된다는점이다. DRAM 수요측면에서 세트증가보다는 탑재량증가예상 즉거의모든세트에서탑재량증가예상된다. PC보다는모바일향탑재량이증가하며, 특히서버향탑재량증가가예상된다. 서버의경우는대당 DRAM 탑재량이 116GB 에서 149GB 로 28% 증가할전망이다. 스마트폰의경우는모바일 DRAM 평균탑재량이 2.1GB 에이를것으로판단된다. 특히주로하이엔드보다는미드엔드및로우엔드스마트폰의평균탑재량이증가하는추세가전개될전망이다. 주요응용처세트전망 ( 백만대 ) YoY 9% 6% 3% 3% -7% Server PCs Media Tablets Smartphone TV 12% 1% 8% 6% 4% 2% % -2% -4% -6% -8% -1% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 주요응용처 DRAM 탑재량전망 (GB/Sys) % 23% YoY 25% 2% 3% 25% 2% % Server PCs Media Tablets Smartphone TV 15% 1% 5% % 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 52

53 216 년 DRAM 수요는 22.7% 성장전망 216 년 DRAM 수요는 22.7% 성장전망된다. DRAM 수량은 1Gb 기준으로 215 년 6억개에서 216년 736억개로증가할전망이다. 응용처별로살펴보면 Mobile DRAM은 215년 237억개에서 216년 313억개로증가하며, PC DRAM은 215년, 216년모두 19억개로수요정체될것으로판단된다. 서버 DRAM 수요는 35.7% 성장전망 반면서버 DRAM은 215 년 141억개에서 216 년 191억개로증가예상된다. 즉수량측면에서 216 년에도서버 DRAM이 PC DRAM보다우위에있을것으로전망된다. 특히 216년에는 DDR4가본격화되고 32GB 서버 DRAM도본격화될전망이어서서버 DRAM 용량증대가전망된다. 또한데이터센터확대와인메모리컴퓨팅출현으로서버 DRAM 수요는지속성장예상된다. DRAM 수요전망 (mn units) 8, 7, 6, 5, 4, 3, 2, 1, Mobile PC Server Etc 73, % 6,136 4,746 11,331 5,697 7,46 8,176 11,185 1,461 1,929 1,568 12,18 15,392 11,323 14,84 1,874 23,67 '12 '13 '14 '15 '16 12,3 19,114 1,86 31,314 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 DRAM 응용처별비중전망 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % Mobile PC Server Etc 25% 21% 2% 22% 19% 17% 14% 12% 18% 22% 17% 22% 23% 26% 29% 33% 18% 15% 13% 11% 41% 3% 25% 44% 39% 43% 44% 44% 28% 31% 2% 13% '11 '12 '13 '14 '15 '16 '17 '18 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 53

54 서버 DRAM 비중은 216 년 26% 로확대 전망 DRAM 응용처내서버 DRAM 비중은 211년 17% 에서 216년 26% 로확대전망된다. 수량측면에서서버 DRAM은 216년에도 PC DRAM보다우위에있을것으로예상된다. 최근모바일수요둔화를우려하고있지만데이터트래픽은증가하고세트가상향평준화되면서서버내 DRAM 수요는확대예상된다. DDR4 증가본격화 특히 215 년하반기부터 PC 에서도 DDR4 채용이본격화되고있어 216 년은 PC 에서도 DDR4 가주력제품이되는해가될전망이다. 즉 216 년에는서버향제품으로 DDR4 가 DDR3 를대체하며 PC 향에서도 DDR4 가주력제품으로전환예정이다. 서버 DRAM 수요전망 (Mpcs) 45, 4, 35, 3, 25, 2, 15, 1, 5, Multi-node Rack-Blade Rack-Mountable Rack-Optimized Tower/Standalone Workstation 1,568 14,84 CAGR 37% (214 ~218) 19,114 26,973 37,145 '14 '15 '16 '17 '18 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터전망 서버내 DDR4 비중예상 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % DDR3 DDR4 5% 1% 19% 67% 99% 95% 99% 81% 33% 1% '14 '15 '16 '17 '18 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 54

55 DRAM 공급전망 DRAM 공급월 CAPA는 215 년 18.8 만장 / 월에서 216 년 14.8 만장 / 월로 4% 감소예상된다. 이는 Capa Loss( 공정전환에따른 CAPA 자연손실분 ) 를반영한수치이다. 업체별로살펴보면 SK하이닉스신규라인인 M14와삼성전자 17라인의 CAPA 추가가예상되나공정전환에따른 CAPA Loss 감안시 CAPA 증가는제한적일것으로판단된다. 삼성전자 DRAM CAPA는 215 년월 38만장수준을 216 년에도유지할것으로전망된다. SK하이닉스역시 215년월 25만장수준을 216 년에도유지할것으로판단된다. 마이크론및대만업체들의경우공정전환에따른 CAPA Loss 현상이예상된다. 이는현재 DRAM시장이과점화되어있고무리한증설은곧서로에게불리한상황으로전개되기때문이다. 다만삼성전자의경우시스템반도체부문실적회복이지연되고있는데, 향후그개선여부에따라메모리시장에일부영향을줄수도있을것으로판단된다. DRAM CAPA 변동 (k sheets/month) 1,2 1,15 1,1 1,5 1,88-4 1,48 1, WW CAPA 216 WW CAPA 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 업체별 DRAM CAPA 변동 (k sheets/month) CAPA 216 CAPA Chg SEC SK Hynix Micron Taiwan 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 55

56 216 년 DRAM 공급 23.8% 성장전망 216 년 DRAM 공급은 23.8% 성장예상된다. 공정전환에따른공급성장률은통상 3% 대였으나지금은미세공정난이도상승으로 DPT(Double Patterning Technology) 공정이증가하면서 2% 초반대로낮아지고있다. 216 년 DRAM 공급증가는공정전환기여분 (22%) 과 CAPA 증가분 (2%) 을반영한수치라할수있다. 216 년업체별공급증가율은삼성전자와 SK 하이닉스각각 25.6%, 23.8% 로예상된다. 마이 크론의경우도 216 년에는 25.7% 수준의성장예상된다. 이는 215 년물량증가가거의없 었기때문에발생하는기저효과로판단된다. DRAM 공급전망 (Mpcs,1Gb) eq,) 8, 7, 6, 5, 4, 3, YoY 25.6% 23.8% 25.7% 8.4% 23.8% 9% 7% 5% 3% 1% 2, -1% 1, -3% SEC SK Hynix Micron Nanya WW Total -5% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 DRAM 공정비중전망 4xnm 3xnm 2xnm 2ynm 2znm 1xnm 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15 1Q16 3Q16 자료 : NH투자증권리서치센터전망 56

57 DRAM 수급은연간 1.5% 공급과잉전망 216 년 DRAM 수급은상고하저로전망된다. 즉 216 년상반기에는 1 분기비수기돌입및 마이크론 2nm 공정전환과 SK 하이닉스 2z nm 공정전환으로공급과잉이전망된다. 하지만 하반기에는계절적성수기및공급둔화로수급균형이전망된다. 분기별수급을살펴보면 1 분기 +3.% 공급과잉, 2 분기 3.1% 공급과잉이예상된다. 따라서 216 년상반기에는가격하락이진행될것으로예상된다. 하지만 3 분기에는하반기수요증 가영향으로 +.7% 로수급균형이전개되며 4 분기에도 +.% 수급균형이전망된다. 216 년업황다운턴에대한시장우려는크지만 215 년과같이 DRAM 산업이 3 개업체로 압축되는과점화과정이지속되면서안정적성장예상된다. 다만 DRAM 가격이과거평균 매년 3% 씩하락한패턴감안시 216 년에도가격하락은불가피할전망이다. DRAM 수급전망 (1Gb eq.mpcs) 24, DRAM Supply DRAM Demand 7.% 18, 12, -1.% 2.1% -2.5% -.7%.9%.2%.9%.7% 3.% 3.1%.7%.% 5.% 3.% 1.% -1.% 6, -3.% -5.% 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16-7.% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 DRAM 수급전망수치 ( 단위 : Mpcs,1Gb eq.) 1Q16 2Q16 3Q16 4Q DRAM Supply 16,391 17,639 19,913 2,777 74,72 DRAM Demand 15,912 17,19 19,781 2,786 73,588 Supply/Demand 3.% 3.1%.7%.% 1.5% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 57

58 DRAM 가격전망 216 년연간전체 DRAM 가격하락률은 -25% 수준으로원가하락률 -22% 보다소폭높아질전망이다. 이는 216 년수요성장이세트보다는탑재량에의존하기때문이라할수있겠다. 공급부분 CAPA는제한적이지만공정전환진행으로공급량소폭증가요소가있는상황이다. 다만미세공정전환의난이도는지속상승하고있어공급제한요소로지속작용할것으로판단된다. 또한 216 년에는 DDR4 와 LPDDR4 전환이본격화되면서제품 Mix 도다양하게전개될전 망이어서가격하락폭이과거와달리둔화될것으로판단된다. 즉, PC DRAM 내 DDR4 는 DDR3 와양립하고, 모바일 DRAM 에서는 LPDDR4 와 LPDDR3 가양립할것으로판단된다. DRAM 가격전망 ($) DRAM ASP '12 '13 '14 '15E '16F 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 DRAM 가격변동률전망 1% 5% % -5% -1% -15% -2% -25% -3% -35% -4% 9% DRAM ASP YoY 1% -2% -25% -36% '12 '13 '14 '15E '16F 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 58

59 2. NAND 수요공급전망 216 년 NAND 수요는 SSD 가견인할전망 216 년 NAND 산업방향성은 SSD와 3D NAND 이다. 수요측면부터살펴보면 216 년주요응용처인 SSD는 3% 성장이예상된다. 반면 SD Card 등 Flash Card 수요성장률은 -18% 로시장이줄어들전망이다. 이는최근스마트폰이유니바디화되면서 Nand Flash Card 수요가정체되고있기때문이다. 최근 NAND 채널수요약세가지속되는것도이런이유라할수있겠다. 반면세트당탑재량측면에서는 SSD와 UHD TV 쪽탑재량증가예상된다. SSD의경우는전년대비 25% 성장하여 263GB 수준이될전망이다. SSD는최근가격이하락하면서 256GB 의경우 7달러이하에서거래되고있으며 128GB 도 4달러수준으로하향되어있어서 SSD 수요성장본격화가예상된다. 특히 128GB 의경우 HDD 가격이하드웨어상 4달러이하로내려가기어렵기때문에가격경쟁력도갖출수있을것으로판단된다. UHD TV의경우는고화질을구현하기위해서 DRAM뿐아니라 NAND 수요역시증가할것으로예상되고있다. 주요응용처세트전망 (Mset) 1, YoY 4% 1,4 3% 3% 1,2 1, % 3% 9% 4% 2% 1% % -1% 2-2% SSD Flash Card Tablet Smartphone LCD TV -3% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 주요응용처 NAND 탑재량전망 (GB/Sys) 3 61% YoY 7% 6% % 19% SSD Flash Card Media Tablet(Premium) 7% Smartphone(Premium) 27% LCD TV 5% 4% 3% 2% 1% % 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 59

60 216 년 NAND 수요는 4.3% 성장전망 216 년 NAND 수요는 4.3% 성장전망된다. NAND 수량은 8Gb 기준으로 215년 792억개에서 216년 1,111억개로증가할전망이다. 응용처별로살펴보면 SSD는 215년 236억개에서 216년 386억개로증가하는반면 Flash Card는 91억개에서 12억개로소폭증가에그칠것으로판단된다. SSD 비중은 216 년 35% 에달할전망 SSD의 NAND 수요내비중은 215 년 3% 에서 216 년 35% 로확대될전망이다. 반면 Flash Card 는 12% 에서 11% 로축소될전망이다. SSD는 NAND Flash 는과거 MLC 방식이주를이루었지만최근삼성전자가 TLC 기반의 SSD인 85 시리즈를출시한이후 TLC SSD 가본격화되고있다. TLC SSD는이론상 MLC SSD보다성능은낮아지지만컨트롤러로이를극복하고단가를 3% 이상낮출수있어 SSD 보급화에기여할전망이다. 따라서 SSD 수요는더욱확대될것으로전망된다. NAND 수요전망 (Mpcs, 8Gb eq.) 12, ETC Smartphone Media Tablet Flash Card SSD 111,143 1, 8, 6, 4, 2, +4.3% 25,781 79,218 17,377 3,832 25,651 3,878 12,37 3,462 9,137 38,615 23,591 '15 '16 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 NAND 응용처별비중전망 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % ETC Smartphone Media Tablet Flash Card SSD 22% 23% 32% 28% 3% 4% 11% 12% 3% 35% '15 '16 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 6

61 NAND 공급전망 NAND 공급월 CAPA는 215 년 만장 / 월에서 216 년 만장 / 월로 5% 증가예상된다. 216 년 NAND CAPA 증가분은주로 3D NAND 향으로예상되며 2D NAND 의추가투자는발생하지않을것으로판단된다. 삼성전자의경우는 3D NAND 시안 2차투자가마무리되어 3D NAND 향으로 216 년에는총 9만장의 CAPA가가동될것으로판단된다. 삼성전자 NAND CAPA는 215년평균 37만장 / 월에서 216년 41만장 / 월로증가전망되나 2D NAND 쪽 CAPA변동이없을것으로판단된다. SK하이닉스는 215년 2만장 / 월수준을 216 년에도유지할것으로판단된다. 도시바의경우는 44만장 / 월에서 47만장 / 월로증가예상되나 NAND 업황에따라유동적일것으로판단된다. 마이크론뿐아니라하이닉스역시 216 년에는 3D NAND 투자본격화하면서 3D NAND 경쟁은심화될것으로판단된다. NAND CAPA 변동 (k sheets/month) 1,4 1,3 1,263 +6K Sheets 1,323 1,2 1,1 1, 9 8 '15 CAPA '16 CAPA 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 업체별 NAND CAPA 변동 (k sheets/month) CAPA CAPA 48 Chg SEC SK Hynix Toshiba/SanDisk Micron 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 61

62 216 년 NAND 공급 39.5% 성장전망 216년 NAND 공급은 39.5% 증가한 1,127.1 억개 (8Gb기준 ) 로전망된다. 216년기술적으로는 Planar NAND 와 3D NAND 가양립할전망이다. 하지만 48단 3D NAND 가본격화되고있고 216년하반기쯤에는 64단도진행될전망이어서 3D NAND 확대가전망된다. 또한내년 64단으로전환되고 TLC 기술도같이적용될경우 3D NAND 가속화가예상된다. 216 년업체별공급을살펴보면 8Gb 기준으로삼성전자는 53.8% 성장한 459억개, SK하이닉스는 34.2% 성장한 148억개, 도시바 / 샌디스크는 31.2% 성장한 368억개, 마이크론은 28.% 성장한 151억개로전망된다. 삼성전자는 TLC와 3D NAND 에주력할것으로판단되며, 도시바는 3D NAND에대해상대적으로미온적인상황이나 216 년에는 3D NAND 추진이불가피할것으로판단된다. NAND 공급전망 (Mpcs,8Gb eq,) 12, 53.8% YoY 112,697 6% 1, 5% 8, 6, 4, 45, % 31.2% 36, % 39.5% 4% 3% 2% 2, 14,89 15,11 1% Samsung SK Hynix Toshiba/ SanDisk IM Flash WW Total % 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 NAND 공정기술비중전망 6x nm 5x nm 4x nm 3x nm 2x nm 1x nm 3D NAND 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % 1Q1 4Q1 3Q11 2Q12 1Q13 4Q13 3Q14 2Q15 1Q16F 4Q16F 자료 : NH투자증권리서치센터전망 62

63 NAND 수급전망 216 년 NAND 수급은 1.4% 공급과잉전망된다. 분기별로는상반기공급과잉이후하반기수급균형이전망된다. 상반기의경우는 3D NAND 물량증가및비수기영향으로공급과잉이예상된다. 하지만하반기부터는 SSD 수요본격화및모바일세트업체들의 NAND 탑재량증가로수급균형이진행될전망이다. NAND 수급전망 3, Supply Demand Supply/Demand 15.% 25, 1.% 5.7% 6.1% 2, 15, 6.% 5.% 1.3% 2.5% 1.4% 2.6% 1.5% 3.6%.4%.4% 5.%.% 1, -5.% 5, -1.% 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16-15.% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 63

64 NAND 가격전망 216 년 NAND 가격은연간 24% 하락예상된다. NAND 가격하락이지속되는것은 3D NAND 진행에따른원가하락지속및 SSD 신규수요확대에따른 NAND 업체들의가격정책때문이다. 또한 TLC(Triple Level Cell) 확대로원가를낮출수있어 NAND 가격하락은지속될것으로판단된다. NAND ASP(Average Selling Price, 평균판가 ) 는 215 년.37 달러에서 216 년.28 달러로 하락할전망이다. 216 년 SSD 가격이 128GB 기준 4 달러, 256GB 기준 7 달러이하로하 락하면서 HDD 수요대체가본격화되는원년이될것으로판단된다. NAND 가격전망 ($) NAND ASP '12 '13 '14 '15E '16F 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 NAND 가격변동률 1% 5% % -5% -1% -15% -2% -25% -3% -35% -4% NAND ASP YoY -7% -24% -24% -39% -35% '12 '13 '14 '15E '16F 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 64

65 IV. 결론 : DDR4 본격화 + 3D NAND 경쟁가속화전망 DRAM 과점체제지속 + 3D NAND 확대 216 년반도체산업은 DRAM의과점체제지속, 3D NAND 의확대로귀결된다. DRAM 시장에서는삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 3자구도가지속되면서무리한경쟁보다는수익성극대화를추구할것으로판단된다. 다만수요가세트보다는탑재량증가에의존하고있어소폭공급과잉이예상된다. NAND 의경우 SSD 본격화로 3D NAND 시장확대가예상되며 2D NAND 는모바일응용처에서당분간사용될것으로판단되는바 3D NAND 와 2D NAND 가양립하는양상으로전개될것으로예상된다. DDR4 로전환본격화 216 년 DRAM 산업에서는 DDR4가본격화될전망이다. 215년서버에서시작된 DDR4 제품전환은 216 년에는 PC로확대될전망이다. 모바일부문도지금은하이엔드급에서만사용되지만 216년에는미드엔드급까지전환될것으로판단된다. 따라서 DDR4 관련테스트소켓증가가전망되며, 이에 DDR4 소켓관련주에주목할필요가있을것으로판단된다. 216 년 DRAM 산업에서는과점체제가지속될것으로판단된다. 즉삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 3개업체가무리한경쟁보다는수익성극대화를위한전략을펼칠것으로예상된다. 다만수요성장이세트보다는탑재량증가로진행되고있는만큼상대적수요약세로소폭의공급과잉이전망된다. 최근반도체산업우려로반도체장비및소재주주가가급락하는데반도체산업이과점적흐름지속시최근주가급락은과도한부분으로판단된다. 3D NAND 216 년 NAND 산업의특징은 3D NAND 본격화이다. 그동안 3D NAND가삼성전자중심으로전개되었다면, 216년에는 SK하이닉스, 도시바및마이크론이경쟁에가세하는형국으로전개될전망이다. 3D NAND 의 3차원적층구조가 32단에서 48단, 64단으로지속확대될것이기때문에 CVD Gas 수요확대는계속될것으로판단된다. 듀얼카메라는메모리 탑재량증가에기여 예상 마지막으로 216 년에는듀얼카메라를채택하는세트 ( 스마트폰 ) 가늘어날것으로예상되며듀얼카메라는화질개선이든 3차원영상이든궁극적으로는메모리탑재량증가에기여할것으로판단된다. 듀얼카메라가버퍼메모리용량확대를유도함으로써 DRAM 탑재량증가하며, 스토리지관점에서도 NAND 용량확대에기여할것으로예상된다. 216 년전망 Key Factor 216 년반도체방향 기술트랜드 3D NAND 본격화 소재 : 원익머트리얼즈장비 : 테스, 유진테크, 원익 IPS 수요공급 수요 : 데이터센터 + 듀얼카메라공급 : DRAM 조절 +NAND 확대 DDR4: 오킨스, 마이크로컨텍솔듀얼 : 동운아나텍, 픽셀플러스 반도체수급 DRAM/ NAND 상반기공급과잉하반기공급완화 DRAM 수급 +1.5%, NAND 수급 +1.4% 자료 : NH 투자증권리서치센터 65

66 삼성전자 (593.KS) Company Report D NAND 실적본격화전망 삼성전자는세계최초로 48 단 3D NAND 상용화하여 3 차원구조를주도. 216 년에 는 3D NAND 실적개선예상. 또한시스템반도체부문 1nm 공정추진및자체 Core 설계로시스템반도체역량확대전망 3D NAND 및시스템반도체역량확대로인텔넘어서는종합반도체회사전망 목표주가 1,55, 원은 RIM 을통해산출되었음. 목표주가는 48 단 3D NAND 가본격화되고시스템반도체가회복되는 216 년실적기준 PER 1.8 배, PBR 1.4 배 에해당 삼성전자는 3D NAND 실적본격화및시스템반도체역량강화로반도체 1 위업체로성장할것으로기대됨 투자포인트 : 3D NAND + 1nm FinFET + DDR4 원가경쟁력강화 3D NAND: 삼성전자는 32 단 Stack 에서 48 단 Stack 으로공정전환하여 3D NAND 경쟁력강화중. 216 년에는 64 단 3D NAND 추진으로원가경쟁력확대전망. 클라이언트시장뿐아니라엔터프라이즈시장에서도시장장악력강화예상 시스템반도체 : 216 년 1nm FinFET 공정추진전망. 삼성전자는메모리미세공정노하우를활용하여 1nm 공정개발함으로써파운드리거래선이확대될것으로예상됨 Buy ( 유지 ) 목표주가 1,55, 원 ( 유지 ) 현재가 ( 15/1/1) 업종 Price Trend 삼성전자 KOSPI 1,134, 원 반도체 KOSPI 1, KOSDAQ 시가총액 ( 보통주 ) 167,37.4십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 147.3백만주 52주최고가 ( 15/3/18) 1,53,원 최저가 ( 14/8/26) 1,67,원 평균거래대금 (6일) 317.7십억원 배당수익률 (214) 1.51% 외국인지분율 5.8% 주요주주 삼성물산외 9인 17.6% 국민연금공단 8.% 주가상승률 (%) 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 상대수익률 '14.1 '15.1 '15.4 '15.7 '15.1 DDR4 경쟁력강화 : 삼성전자는 DDR4 공정을 2nm 공정에서 1x nm(1 나노급, 1nm=1 억분의 1nm) 공정으로전환함으로써원가경쟁력지속확보예상. DRAM 가격은하락하겠지만원가경쟁력으로견조한실적시현전망 모바일차별화 : 삼성전자는삼성페이와갤럭시기어 S2 로모바일폰차별화추진. 삼성페이를통한타스마트폰과의차별화가예상되며향후스마트폰분기 2 조원이상 의영업이익을유지할수있는발판을구축할것으로판단 216 년연간영업이익 27 조원전망. 스마트폰사업정체에도불구, 반도체를중심으로한부품부문이익개선전망 Analyst 이세철 2) , peter.lee@nhwm RA 김대근 2) , d.kim@nhwm 결산기 -12 월 매출액 증감률 영업이익 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) ( 원 ) (%) ( 배 ) ( 배 ) ( 배 ) (%) (%) ( 십억원 ) , , ,821 2, , , , ,82 153, ,63 215E 25, , ,136 14, , F 212, , , , ,84 217F 221, , ,633 15, ,769 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분순이익기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망

67 삼성전자 1. RIM 에의한목표주가 1,55, 원 목표주가는 216 년 PER 1.8 배에해당, 상승여력 37.1% 삼성전자에대해목표주가 1,55, 원및투자의견 Buy 를유지한다. ( 현주가대비 37% 의 상승여력보유 ). 목표주가 1,55, 원은 RIM 을통해산출되었다. 3D NAND 와시스템반도 체로반도체역량확대가예상되는 216 년실적기준 PER 1.8 배에해당한다. 삼성전자잔여이익모델 (RIM) ( 단위 : 십억원, 원 ) 215E 216F 217F 218F 219F 22F 221F 222F 223F 224F 225F 226F Net profit 21,136 21,619 22,633 23,56 23,784 24,159 25,862 29,871 34,541 4,39 43,51 47,428 Shareholder s equity 178,46 195, , , ,275 27, , , ,79 377, , ,651 Forecast ROE (FROE) 12.4% 11.6% 11.1% 1.6% 9.8% 9.3% 9.2% 9.8% 1.4% 11.1% 11.% 11.% Spread (FROE-COE) 3.2% 2.4% 1.9% 1.4%.6%.1%.%.6% 1.2% 1.9% 1.8% 1.8% Residual income 5,466 4,417 3,824 3,1 1, ,776 4, 6,733 7,173 7,895 Cost of equity (COE) 9.2% Beta 1. Market risk premium (Rm-Rf) 5.2% Risk-free rate (Rf) 4.% Beginning shareholder s equity 162,182 PV of forecast period RI 27,523 PV of continuing value 19,946 Equity value (C+P) 29,651 No of shares (common, mn) 147,299 12m TP Fair price (C) 1,554,242 Current price (C) 1,134, Upside (-downside) 37.1% Implied P/B (x) 1.5 Implied P/E (x) 1.8 주 : RIM(Residual Income Model, 잔여이익모델 ) 은현금흐름할인모형의하나로주주입장에서투자원금인자기자본과자기자본비용을초과하는이익 ( 잔여이익 ) 의현재가치를합한금액을적정주주가치 ( 자기자본가치 ) 로보는 Valuation 모델이다. 산식으로표현하면다음과같다. 자기자본가치 = 자기자본 + 미래잔여이익의현재가치합 * 잔여이익 (RIt) = 당기순이익 t - 자기자본 t-1 * 자기자본비용 (Cost of Equity)t = 자기자본 t-1 * (ROEt - COEt) RIM 은이론적으로배당할인모형 (DDM), 잉여현금흐름할인모형 (DCF) 과같은결과를도출하면서도측정지표상의주관성을최소화시킨객관적인 Valuation 모델이라고할수있어당사 Valuation 기본모델로사용하고있다. Market Risk Premium 적용기준 (Guidance) 구분 Mega Cap. Large Cap. Middle Cap. Small Cap. 기준 M-cap 1 조원이상 M-cap M-cap M-cap 2 천억 ~1 조원 +'BBB+' 이상 + 신용등급 'AAA' 이상 1 조 ~1 조원 + 'A' 이상 2 천억원미만 +'BBB-' 이상 Risk Premium 5.2% 6.% 7.% 8.% * Risk Free Rate = 4.%( 공통 ) 67

68 삼성전자 2. 투자포인트 : 3D NAND + 1nm FinFet + DDR4 경쟁력강화 투자포인트 1 : 3D NAND 3D NAND 확대 삼성전자는 3D NAND 경쟁력강화를위해 32단 Stack 에서 48단 Stack 으로공정전환을진행하고있다. 삼성전자는 3D NAND 양산경험이있는유일한회사로 48단공정전개시기존 32단보다원가를 3% 이상낮출수있을것으로판단된다. 또한 216년에는 64단으로의전환을진행하면서원가경쟁력을더욱높일것으로판단된다. 참고로 3D NAND 를 32단에서 48단으로전개할경우몇가지문제가발생하는데, 1) 높게쌓다보니셀간하중문제로 Layer 가무너지는문제가발생할수있고, 2) 더깊게에칭해야하는문제가있으며, 3) 계단공정이더많아지는어려움이있다. 따라서단순히 32단구현되었다고 48단이나 64단으로쉽게진행되지는못한다. 즉 3차원구조의난이도도높아진입장벽이있는셈이다. 이런기술난이도는 64단에서도심화될것으로판단되는바 NAND 업체간기술차별화가발생할것으로판단된다. 삼성전자 3D NAND 방향 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 삼성전자 3D NAND 원가방향 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 68

69 삼성전자 3D NAND는 Stack 공정에서는더얇게 PE CVD( 플라즈마화학증착장비 ) 로증착해야하며, Hole은더깊어져보다균일한에칭공정과 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정이필요하다. 또한계단공정역시더높아지면서난이도가상승한다. 삼성전자는해당공정부분에서이미이런문제들을경험하고보완책을마련하고있어타사대비경쟁에서우위를점할것으로판단된다. 삼성전자 3D NAND 구조 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 삼성전자 3D NAND 채용 SSD 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 69

70 삼성전자 투자포인트 2 : 1nm FinFET 216 년 1nm FinFET 공정추진 삼성전자는 215 년 14nm FinFET 공정을본격화하고있다. 삼성전자는메모리미세공정노하우를활용하여 1nm 공정개발도진행하고있다. 현재 1nm급공정기술을보유하고있는회사는인텔, 삼성전자, TSMC로삼파전이될것으로판단된다. 삼성전자는또한 Common Platform 의멤버로 IBM, Global Foundry 와 FinFET 기술을공동개발하고있는데, 기술난이도가높은만큼리스크도크기때문에독자개발보다는공동개발을진행하고있다. 설계측면삼성전자는언론에서언급된바와같이몽구스프로젝트를통해엑시노스제품의자체설계를진행하고있다. 갤럭시 S7 이후부터는자체설계프로세서를탑재하여성능최적화를진행할것으로판단된다. 다만파운드리고객유치를위해퀄컴물량을병행해서사용할것으로판단된다. 삼성전자 1nm FinFET Wafer 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 삼성전자 14nm FinFET 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 7

71 삼성전자 투자포인트 3 : DDR4 경쟁력강화 12Gb LPDDR4 양산 추진 삼성전자는 12Gb LPDDR4 로 DDR4 경쟁력을강화할전망이다. 삼성전자는최대용량의 DDR4 양산체제를갖추고있다. 참고로 12Gb LPDDR4 는 2nm 8Gb LPDDR4 DRAM보다용량은 5%, 속도는 3% 이상높였다. 가장최신사양인 PC DRAM과비교해도속도가 2배빠르며소비전력은 2% 줄였다. 12Gb LPDDR4 의최고속도는 4,266Mbps 로 PC DRAM 최고사양속도인 2,133Mbps 보다도훨씬빠른솔루션이다. 12Gb DDR4 는하나의단품으로 1.5GB 구현이가능하며 2 개를적층했을경우 3GB, 4 개를 적층했을경우 6GB 구현이가능하다. 해당응용처로는향후고사양스마트폰의 6GB 채택을 유도할수있으며, 태블릿이나올인원모바일솔루션도구현가능할것으로판단된다. 삼성전자 DDR4 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 삼성전자 12Gb LPDDR4 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 71

72 삼성전자 투자포인트 4 : 삼성페이로모바일차별화추진 삼성페이 삼성전자는삼성페이확대를위해중국유니온페이와의협력추진하고있다. 삼성전자는유니온페이와의전략적협력을통해중국스마트폰시장내경쟁력회복예상된다. 유니온페이는알리바바알리페이와경쟁관계에있는중국 UPI(UnionPay International) 사의서비스로총 15여개국에서사용중에있다. 유니온페이연계카드는총 51억장이발급되어세계최대규모를자랑하며국내에서도 1,4 만장의유니온페이연계카드가발급된바있다. 삼성페이는카드결제기로암호화된결제정보를전달하는 MST (Magnetic Secure Transmission, 마그네틱 ) 와 NFC (Near Field Communication, 근거리무선통신 ) 방식을동시에지원한다. 그런데중국은마그네틱카드거래비중이낮고 IC카드거래비중이높은상황이다. 이런가운데최근 NFC기반결제비중이급증하고있어양사협력을통해삼성페이를유니온페이 NFC 결제인프라와연동하는방안추진에있다.. 유니온페이는 NFC 단말기기반으로스마트폰결제가가능한 퀵패스 서비스확대를위해 6만대규모의단말기를중국내구축한바있다. 향후대중교통뿐아니라편의점등다양한업종으로서비스확대가전망되고있어금번삼성페이와의협력은중국내삼성전자스마트폰경쟁력확대에기여할전망된다. 삼성전자는최근스마트폰차별화부재로판매부진우려가지속되고있는상황이다. 금번중국유니온페이협력을통해삼성페이편의성확대예상된다. 삼성전자는삼성페이를통해타스마트폰과의차별화추진할것으로예상되며향후스마트폰분기 2조원이상의영업이익을유지할수있는발판을구축할것으로판단된다. 삼성페이 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 72

73 삼성전자 기어 S2 삼성전자는기어 S2를통해스마트워치의진보가능성를보여주고있다. 기어S2 는 36 x 36 해상도의원형스크린을사용하여 32ppi 의선명한화면구현하고디자인도개선하였다. 삼성전자기어S2 의베젤을왼쪽으로회전할경우문자, 전화등의알림메시지에접근가능하다. 한편오른쪽으로회전할경우에는다양한앱들에접근가능하여편의성을극대화하였다. 또한기기오른쪽에두개의물리적버튼이있어앞뒤로의화면이동이용이하다.. 금번기어 S2에삼성페이를적용함으로써카드없이결제가가능하며, 향후교통버스카드기능도구현될예정이다. 이밖에도알리페이, 시럽등을지원할전망이다. 또한폭스바겐등과같은자동차업체와의협업으로자동차열쇠기능이가능하며방열쇠나커넥티드홈을위한원격제어도가능할것으로판단된다. 기어S2 는둥근모양의시각표를통해매일의활동패턴과심박수등의건강상태를실시간체크할수있다. 또한 Healthy Clock 프로그램으로사용자의운동량을자동으로모니터링해운동을독려하고시계화면을통해개인별새로운경험을제공한다. 기어 S2에는 1.2인치원형아몰레드, 25mAh 배터리, DRAM 512MB, NAND 4GB가채택되었으며심박센서, 자이로센서, 기압센서등각종센서와 NFC가기본탑재되었다. 삼성전자기어 S2 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 기어 S2 주요기능 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 73

74 삼성전자 기어 S2 디자인 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 돌려서사용하는베젤로알림및위젯사용 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 물리키로뒤로가기및 Watch 사용 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 74

75 삼성전자 스마트피트니스기능 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 모바일결제 & 스마트키 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 갤럭시기어 S2 사양 크기 / 무게 42.3 x 49.8 x 11.4 mm (47g) 프로세서 1.GHz 듀얼코어 네트워크 WiFi, 블루투스 4.1, NFC 디스플레이 1.2형슈퍼아몰레드 (Super AMOLED) 원형디스플레이 (36 x 36, 32ppi) 플랫폼 타이젠기반웨어러블플랫폼 배터리 25mAh ( 일반적사용환경 2~3일 ) 무선충전 색상 다크그레이 ( 블랙스트랩 ), 실버 ( 화이트스트랩 ) 메모리 4GB 내장메모리, 512MB RAM 자료 : 삼성전자, NH투자증권리서치센터 75

76 삼성전자 갤럭시기어 S2 3G 사양 크기 / 무게 43.9 x 55.2 x 13.7 mm (51g) 프로세서 1.GHz 듀얼코어 네트워크 WiFi, 블루투스 4.1, NFC, GPS, 3G 디스플레이 1.2형슈퍼아몰레드 (Super AMOLED) 원형디스플레이 (36 x 36, 32ppi) 플랫폼 타이젠기반웨어러블플랫폼 배터리 3mAh ( 일반적사용환경 2일 ) 무선충전 색상 다크그레이 ( 블랙스트랩 ), 실버 ( 화이트스트랩 ) 메모리 4GB 내장메모리, 512MB RAM 자료 : 삼성전자, NH투자증권리서치센터 삼성전자스마트폰제품라인업 모델명 Galaxy Note 5 Galaxy S6 Edge Plus Galaxy S6 Edge Galaxy E5 Galaxy A3 Galaxy A5 Galaxy A7 Galaxy Note 4 외관 Display Resolution 5.7 Super AMOLED 144x ppi 5.7 Super AMOLED 144x ppi 5.1 QHD Super AMOLED 256x144, 577 ppi 5. Super AMOLED 128x72, 294ppi 4.5 Super AMOLED 96x54, 245ppi 5. Super AMOLED 128x72, 294ppi 5.2 Super AMOLED 18p FHD( 추정 ) 5.7 Super AMOLED 256x144, 515ppi 무게 171g 153g N/A N/A 11g 123g N/A 176g 저장용량 32/64GB 32/64GB 32/64/128GB 16GB 16GB 16GB 12GB 32GB RAM 4GB 4GB 3GB 1.5GB 1.5GB 2GB 1.8GB 3GB 카메라 후면 :16MP +IOS 전면 : 5MP 후면 :16MP +IOS 전면 : 5MP 후면 : 16MP+OIS, 전면 : 5MP 후면 : 8MP, 3264x2448 전면 : 5MP 후면 : 8MP, 3264x2448 전면 : 5MP 후면 : 13MP, 4128x396 전면 : 5MP 후면 : 13MP, 4128x396 전면 : 5MP 후면 : 16MP+OIS 5312x2988 전면 : 3.7MP OS Android Android Android Android Android Android Android Android CPU Quad-core 1.5GHz Coretex-A53 & Quad-core 2.1Ghz Coretex-A57 Quad-core 1.5GHz Coretex-A53 & Quad-core 2.1Ghz Coretex-A57 Octa-core (Quad-core 2.1 GHz & Quad-core 1.5 GHz), Quad-core 1.2 GHz Chipset Exynos 742 Exynos 742 Exynos 742 N/A Quad-core 1.2 GHz Cortex-A53 Qualcomm MSM8916 Snapdragon 41 Quad-core 1.2 GHz Cortex- A53 Qualcomm MSM8916 Snapdragon 41 Octa-core 1.5 GHz Qualcomm Snapdragon 615 (ARMv7) Quad-core 2.7 GHz Krait 45 (SM- N91S) Quad-core 1.3 GHz Cortex-A53 & Quad-core 1.9 GHz Cortex-A57 (SM- N91C) Qualcomm Snapdragon 85 (SM-N91S) Exynos 5433 (SM-N91C) Battery 3mAh 3mAh 26mAh 24mAh 19mAh 23mAh N/A 322mAh 자료 : 삼성전자, GSMArena 76

77 삼성전자 삼성전자스마트폰판매량 Break Down ( 단위 : 백만대 ) 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15F 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F E 216F Handset Smartphone 고급형 (High-end) S 노트 S 노트 S S6 Edge Plus 노트 S 보급형 (Mid) 저가형 (Low) Feature phone 자료 : Counterpoint, NH 투자증권리서치센터 삼성전자사업부별실적추이및전망 ( 단위 : 십억원, %) ( 십억원 ) 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15F 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F E 216F 매출액반도체 1,273 11,293 13,288 13,914 12,333 12,649 13,1 13,213 39,718 48,768 51,295 Memory 8,317 8,493 9,528 1,23 8,762 8,893 9,92 8,813 29,261 36,362 35,56 DRAM 5,724 5,664 6,241 6,635 5,495 5,489 5,838 5,582 19,791 24,264 22,44 Flash 2,594 2,829 3,287 3,388 3,267 3,43 3,254 3,231 9,31 12,98 13,156 System LSI 1,96 2,75 3,7 3,85 3,131 3,546 3,788 4,15 1,117 12,26 14,615 Display 6,851 6,624 7,124 7,188 6,959 7,11 7,24 7,24 25,734 27,788 28,478 IM 25,89 26,6 27,427 26,458 25,873 28,42 26,47 25, ,76 15,835 15,297 Handset 24,99 25,5 26,28 24,934 24,928 27,454 24,645 23,56 38,15 53,43 1,533 System ,219 1, ,42 1,829 3,4 14,1 4,764 CE 1,259 11,199 12,349 15,811 11,326 12,72 13,75 16,746 5,186 49,617 53,218 Total 47,118 48,538 53,11 56,698 5,363 53,246 52,734 56,224 26,26 25, ,567 영업이익반도체 2,93 3,42 3,596 3,859 3,228 3,525 4,122 4,32 8,774 13,787 15,177 Memory 3,99 3,257 3,374 3,497 2,884 3,5 3,553 3,677 1,1 13,226 13,164 DRAM 2,73 2,779 2,989 3,165 2,564 2,556 2,878 2,821 8,399 11,663 1,818 Flash ,61 1,563 2,346 System LSI , ,1 Display ,385 2,233 IM 2,74 2,76 2,237 2,153 2,127 2,414 1,861 2,52 14,56 9,89 8,454 CE , ,271 Total 5,979 6,898 6,74 6,895 5,923 6,685 7,18 7,41 25,25 26,511 27,27 영업이익률반도체 28.5% 3.1% 27.1% 27.7% 26.2% 27.9% 31.5% 32.6% 22.1% 28.3% 29.6% Memory 37.3% 38.3% 35.4% 34.9% 32.9% 34.3% 39.1% 41.7% 34.2% 36.4% 37.% DRAM 47.7% 49.1% 47.9% 47.7% 46.7% 46.6% 49.3% 5.5% 42.4% 48.1% 48.3% Flash 14.2% 16.9% 11.7% 9.8% 9.8% 14.5% 2.8% 26.5% 17.3% 12.9% 17.8% System LSI -8.3% 5.5% 6.% 9.5% 11.% 13.4% 15.% 15.% -12.% 4.8% 13.8% Display 7.6% 8.2% 9.7% 8.8% 5.9% 7.6% 9.2% 8.6% 2.6% 8.6% 7.8% IM 1.6% 1.6% 8.2% 8.1% 8.2% 8.6% 7.1% 8.1% 13.% 9.3% 8.% CE -1.4% 1.9% 2.4% 1.9% 1.6% 2.% 3.1% 2.7% 2.4% 1.3% 2.4% Total 12.7% 14.2% 12.7% 12.2% 11.8% 12.6% 13.3% 13.2% 12.1% 12.9% 12.7% 주 : IFRS 연결기준자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터전망 77

78 삼성전자 부문별 Key Data ( 단위 : 십억원, M.pcs, $) 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15F 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F E 216F DRAM 매출액 5,724 5,664 6,241 6,635 5,495 5,489 5,838 5,582 19,791 24,264 22,44 변동률 % -1% 1% 6% -17% % 6% -4% 4% 23% -8% 영업이익 2,73 2,779 2,989 3,165 2,564 2,556 2,878 2,821 8,399 11,663 1,818 영업이익률 48% 49% 48% 48% 47% 47% 49% 51% 42% 48% 48% 출하량 (1Gb eq.) 5,786 6,6 7,53 8,59 7,515 8,119 8,99 9,199 2,97 26,958 33,823 변동률 2% 5% 16% 14% -7% 8% 11% 2% 56% 34% 25% ASP(1Gb eq.) 변동률 -4% -6% -11% -5% -6% -7% -3% -6% -7% -15% -22% Flash 매출액 2,594 2,829 3,287 3,388 3,267 3,43 3,254 3,231 9,31 12,98 13,156 변동률 8% 9% 16% 3% -4% 4% -4% -1% -3% 3% 9% 영업이익 ,61 1,563 2,346 영업이익률 14% 17% 12% 1% 1% 15% 21% 26% 17% 13% 18% 출하량 (8Gb eq.) 5,735 6,524 8,145 9,39 1,425 11,547 11,731 12,25 18,59 29,794 45,954 변동률 12% 14% 25% 15% 11% 11% 2% 4% 39% 65% 54% ASP(8Gb eq.) 변동률 -6% -4% -12% -9% -8% -5% -5% -4% -28% -27% -25% Sys LSI 매출액 1,96 2,75 3,7 3,85 3,131 3,546 3,788 4,15 1,117 12,26 14,615 변동률 -21% 44% 35% 4% -19% 13% 7% 1% -22% 21% 2% 영업이익 , ,1 영업이익률 -8% 6% 6% 1% 11% 13% 15% 15% -12% 5% 14% Display 매출액 6,851 6,624 7,124 7,188 6,959 7,11 7,24 7,24 25,734 27,788 28,478 변동률 -3% -3% 8% 1% -3% 2% 1% % -18% 8% 2% 영업이익 ,385 2,233 영업이익률 8% 8% 1% 9% 6% 8% 9% 9% 3% 9% 8% 출하량 변동률 11% -4% -4% -2% 11% -4% -4% -2% -1% % % ASP 변동률 -7% -16% 4% % -6% 1% % % -29% -1% -9% IM 매출액 25,89 26,6 27,427 26,458 25,873 28,42 26,47 25, ,76 15,835 15,297 변동률 -2% 1% 5% -4% -2% 8% -7% -3% -19% -5% -1% 영업이익 2,74 2,76 2,237 2,153 2,127 2,414 1,861 2,52 14,56 9,89 8,454 영업이익률 11% 11% 8% 8% 8% 9% 7% 8% 13% 9% 8% 출하량 변동률 2% -1% 1% -2% 2% -5% 6% 2% -11% -6% 2% ASP 변동률 -4% 16% -15% -2% 3% 18% % -23% -7% -1% -2% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 78

79 삼성전자 삼성전자 Media Tablet 제품라인업 모델명갤럭시탭 S2 8. 갤럭시탭 S 8. 갤럭시탭 4 7. 갤럭시노트 Pro 12.2 외관 OS 안드로이드 5. 안드로이드 4.4 안드로이드 4.4 안드로이드 4.4 CPU 1.9GHz 쿼드코어 & 1.3GHz 1.9GHz 옥타코어 & 1.3Ghz 2.3GHz 쿼드코어 1.2GHz 쿼드코어쿼드코어쿼드코어 Display 8."Super AMOLED LCD (32ppi) 8."Super AMOLED LCD (359ppi) 7." TFT LCD (216ppi) 12.2" Super Clear LCD (247ppi) (1536x 248) (16 x 256) (8 x 128) (256 x 16) 카메라 8 만화소 8 만화소 315 만화소 8 만화소 크기 198.6x134.8x5.6mm 212.8x125.6x6.6mm 186.9x17.9x9.mm 295.6x23.9x8.mm 무게 265g 298g 276g 75g 배터리용량 4,mAh 4,9mAh 4,mAh 9,5mAh 자료 : 삼성전자 Forward PER Band Trailing PBR Band (won) 3,5, 3,, 2,5, Price 5.x 7.x 9.x 11.x 13.x (won) 2,5, 2,, Price.9x 1.2x 1.5x 1.8x 2.1x 2,, 1,5, 1,5, 1,, 1,, 5, 5, '5.1 '6.1 '7.1 '8.1 '9.1 '1.1 '11.1 '12.1 '13.1 '14.1 자료 : NH 투자증권리서치센터 '5.1 '6.1 '7.1 '8.1 '9.1 '1.1 '11.1 '12.1 '13.1 '14.1 자료 : NH 투자증권리서치센터 79

80 삼성전자 삼성전자 Peer group Valuation Table ( 단위 : 백만달러 ) 삼성전자 SK 하이닉스 Intel Micron Toshiba TSMC LGD Apple HTC LG 전자 Mkt Cap 141, , , , , ,543. 6, ,1.2 1,61.6 6,339.1 매출액 ,918 16,271 55,87 16,358 54,244 25,166 25, ,795 6,199 56,95 215E 168,485 16,168 55,12 16,121 55,47 25,712 23,52 233,263 3,71 47, F 173,628 16,283 57,354 15,654 55,466 27,859 22, ,58 3,391 49,321 영업이익 ,777 4,855 15,347 3,87 2,464 9,795 1,29 52, , E 22,17 4,735 13,364 2,965 2,981 9,748 1,656 7, F 22,85 4,275 15,24 2,212 3,71 1,461 1,234 72, ,188 EBITDA 214 4,929 8,127 23,896 5,19 4,233 16,41 4,68 6, , E 39,398 8,15 22,6 5,786 4,86 16,323 4,54 81, , F 4,75 7,875 24,31 5,471 4,96 18,64 4,13 84, ,861 순이익 ,931 3,986 11,74 3,45 1,26 8, , E 17,773 3,799 1,526 2,756 1,385 9,9 1,131 53, F 18,429 3,398 11,346 2,31 1,433 9, , EPS (USD) 215E F BPS 214 1, (USD) 215E F 1, Net debt , ,44 1,24 9,45-5,884 1, ,944-1,763 6,12 (-net cash) 215E -5, ,126 3,74 8,629-7, ,638-1,28 5,58 216F -6,562-2,774-6,342 4,368 8,123-1, , ,234 PER n/a ( 배 ) 215E n/a F n/a 1.2 PBR ( 배 ) 215E F EV/EBITDA ( 배 ) 215E n/a F n/a 4.5 ROE (%) 215E F 자료 : Bloomberg Consensus 8

81 삼성전자 STATEMENT OF COMPREHENSIVE INCOME VALUATION INDEX ( 십억원 ) 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 매출액 26,26 25, , ,7 PER (X) 증감률 (%) PER (High,X) 매출원가 128, , , ,6 PER (Low,X) 매출총이익 77,927 77,647 8,331 84,47 PBR (X) Gross 마진 (%) PBR (High,X) 판매비와일반관리비 52,92 51,135 53,34 56,733 PBR (Low,X) 영업이익 (GP-SG&A) 25,25 26,511 27,27 27,737 PCR (X) 증감률 (%) PSR (X) OP 마진 (%) PEG (X) EBITDA 43,78 48,76 5,393 52,364 PER/ 주당EBIT 증감률 (X) 영업외손익 2,85 2,89 2,325 2,927 PER/ 주당EBITDA 증감률 (X) 금융수익 ( 비용 ) ,372 1,7 EV/EBITDA (X) 기타영업외손익 1, EV/EBIT (X) 종속및관계기업관련손익 Enterprise Value 174, , ,51 19,531 세전계속사업이익 27,875 28,6 29,352 3,664 EPS CAGR (3년) (%) 법인세비용 4,481 6,993 7,232 7,586 EBITPS CAGR (3년) (%) 계속사업이익 23,394 21,67 22,12 23,78 EBITDAPS CAGR (3년) (%) 당기순이익 23,394 21,67 22,12 23,78 주당EBIT (W) 169, , , ,32 증감률 (%) 주당EBITDA (W) 292,455 33, ,11 355,491 Net 마진 (%) EPS (W) 153,952 14, ,1 15,984 지배주주지분순이익 23,82 21,136 21,619 22,633 BPS (W) 953,266 1,48,945 1,149,36 1,254,269 비지배주주지분순이익 CFPS (W) 31, , , ,499 기타포괄이익 -1,993-1,572-1,524-1,697 SPS (W) 1,399,911 1,394,874 1,443,96 1,5,82 총포괄이익 21,41 2,35 2,596 21,381 DPS (W) 2, 2, 2, 2, CASH FLOW STATEMENT RIM & EVA ( 십억원 ) 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 영업활동현금흐름 36,975 41,865 47,92 47,59 RIM 당기순이익 23,394 21,67 22,12 23,78 Spread (FROE-COE) (%) 유 / 무형자산상각비 18,53 22,194 23,365 24,627 Residual Income 8,33.2 5,466. 4, , 종속, 관계기업관련손실 ( 이익 ) M RIM Target Price (W) 1,554,242 + 외화환산손실 ( 이익 ) EVA + 자산처분손실 ( 이익 ) 566 투하자본 94, , , ,487. Gross Cash Flow 45,718 46,883 48,586 5,744 세후영업이익 19, ,1.8 21, , 운전자본의증가 ( 감소 ) -3,837-1,326 2, 투하자본이익률 (%) 투자활동현금흐름 -32,86-33,42-32,324-32,519 투하자본이익률 - WACC (%) 유형자산의감소 386 EVA 11, , , , 유형자산의증가 (CAPEX) -22,43-25,883-25,6-26,7 DCF + 투자자산의매각 ( 취득 ) -5,258-2,48-2, EBIT 25, , , ,736.8 Free Cash Flow 14,932 15,982 22,32 2,89 + 유 / 무형자산상각비 18,53 22,194 23,365 24,627 Net Cash Flow 4,169 8,822 15,596 15,71 - CAPEX -22, , ,6. -26,7. 재무활동현금흐름 -3,57-3,637-4,278-4,71 - 운전자본증가 ( 감소 ) 3, ,32.9 1, 자기자본증가 Free Cash Flow for Firm 13, , , ,83.3 부채증감 -3,57-3,637-4,278-4,71 WACC 현금의증가 556 4,879 11,231 1,946 타인자본비용 (COD) 기말현금및현금성자산 16,841 21,72 32,951 43,897 자기자본비용 (COE) 기말순부채 ( 순현금 ) -5,63-57,421-71,84-85,769 WACC(%) STATEMENT OF FINANCIAL POSITION PROFITABILITY & STABILITY ( 십억원 ) 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 현금및현금성자산 16,841 21,72 32,951 43,897 자기자본이익률 (ROE) (%) 매출채권 24,695 25,189 25,944 26,722 총자산이익률 (ROA) (%) 유동자산 115, , , ,374 투하자본이익률 (ROIC) (%) 유형자산 8,873 86,298 9,155 93,873 EBITDA/ 자기자본 (%) 투자자산 17,9 2,712 23,386 24,322 EBITDA/ 총자산 (%) 비유동자산 115, , , ,634 배당수익률 (%) 자산총계 23, ,43 264, ,8 배당성향 (%) 단기성부채 9,88 9,358 8,37 6,945 총현금배당금 ( 십억원 ) 3,75 2,979 2,979 2,979 매입채무 7,915 7,598 6,458 5,49 보통주주당현금배당금 (W) 2, 2, 2, 2, 유동부채 52,14 49,876 51,826 51,258 순부채 ( 현금 )/ 자기자본 (%) 장기성부채 1,458 1,344 1,366 1,366 총부채 / 자기자본 (%) 장기충당부채 순이자비용 / 매출액 (%) 11,266 1,73 9,44 8,312 비유동부채 1,321 1,329 1,662 11,34 EBIT/ 순이자비용 (X) 부채총계 62,335 6,25 62,488 62,292 유동비율 (%) 자본금 당좌비율 (%) 자본잉여금 4,44 4,44 4,44 4,44 총발행주식수 (mn) 이익잉여금 169,53 187,686 26, ,979 액면가 (W) 5, 5, 5, 5, 비지배주주지분 5,96 6,378 6,879 7,324 주가 (W) 1,327, 1,134, 1,134, 1,134, 자본총계 168,88 184,838 22,368 22,716 시가총액 ( 십억원 ) 219,19 187, , ,976 81

82 SK 하이닉스 (66.KS) Company Report DDR4 및 2z nm 공정확대 SK 하이닉스는 DDR4 확대그리고 TLC 및 3D 1NAND 추진으로 DRAM 경쟁력강 화및 NAND 부문실적개선전망. DRAM 가격약세가지속되고있으나중기적관점 DRAM 시장의지속적인과점화로하향안정화가격흐름전개전망 투자의견 Buy 및목표주가 53, 원유지 목표주가 53, 원은 RIM 을통해산출되었으며, DRAM 과점화지속및 NAND 경쟁력개선이예상되는 216 년실적기준 PBR 1.5 배, PER 1.1 배에해당 DDR4, 3D NAND 및 TLC 확대통한제품역량강화, 그리고 DRAM 가격하향안정화예상 투자포인트 : DDR4 확대 + 3D NAND 추진 + TLC(Triple Level Cell) DDR4 확대 : M14 내 2z nm(2 나노초반, 1nm=1 억분의 1nm) 공정확대로 DDR4 물량증가전망. 216 년에는 Server 뿐아니라 PC 에서도 DDR4 로확대되면서타 업체와제품경쟁력차별화전망 3D NAND 추진 : SK 하이닉스는 2 세대인 36 단 3D NAND 개발을 3 분기초에마무 리하고양산추진전망. 또한 15 년말에는 3 세대 (48 단 ) 3D NAND 사전검증을시작해 3 세대 NAND 시대를열어나갈것으로예상 TLC 본격화 : SK 하이닉스는 15 년하반기부터 TLC 본격확대전망. 하반기스마트 폰이 NAND 고용량화로 TLC 솔루션을요구하고있기때문. SK 하이닉스는 2 분기에스마트폰향 TLC 에우선집중하고 216 년에는 TLC 구조를적용한 SSD 양산예정 Buy ( 유지 ) 목표주가 53, 원 ( 유지 ) 현재가 ( 15/1/1) 업종 Price Trend 33,7 원 반도체 KOSPI 1, KOSDAQ 시가총액 ( 보통주 ) 24,533.7십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 728.백만주 52주최고가 ( 15/6/2) 51,2원 최저가 ( 15/8/24) 31,5원 평균거래대금 (6일) 159.4십억원 배당수익률 (214).63% 외국인지분율 48.% 주요주주 SK텔레콤외 4인 2.8% 국민연금공단 9.7% 주가상승률 (%) 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 상대수익률 SK하이닉스 KOSPI '14.1 '15.1 '15.4 '15.7 '15.1 하반기에는스마트폰탑재량증가로모바일 DRAM 수요가확대됨에따라 SK 하이닉스 215 년연간영업이익은 5.73 조원전망. PC 수요약세가위험요소이나 DRAM 가격흐름은 4 분기하향안정화전망 Analyst 이세철 2) , peter.lee@nhwm RA 김대근 2) , d.kim@nhwm 결산기 -12 월 매출액 증감률 영업이익 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) ( 원 ) (%) ( 배 ) ( 배 ) ( 배 ) (%) (%) ( 십억원 ) , , ,872 4,99 흑전 , , , ,195 5, E 19, , ,625 6, , F 17, , ,839 5, , F 18, , ,73 5, ,92 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분순이익기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망 82

83 SK 하이닉스 1. RIM 에의한목표주가 53, 원제시 목표주가는 216 년 PBR 1.5 배에해당, 상승여력 57.9% SK 하이닉스에대해목표주가 53, 원및투자의견 Buy 를유지한다 ( 현주가대비 58% 의 상승여력보유 ). 목표주가 53, 원은 RIM 을통해산출되었다. 3D NAND 추진및 DDR4 확 대예상되는 216 년실적기준 PBR 1.5 배및 PER 1.1 배에해당한다. SK 하이닉스잔여이익모델 (RIM) ( 단위 : 십억원, 원 ) 215E 216F 217F 218F 219F 22F 221F 222F 223F 224F 225F 226F Net profit 4,625 3,839 4,73 4,322 4,64 4,9 5,631 6,194 7,15 7,936 9,231 1,385 Shareholder s equity 22,912 26,54 3,41 34,511 38,92 43,59 48,865 54,543 6,954 67,912 75,821 84,51 Forecast ROE (FROE) 22.6% 15.5% 14.3% 13.3% 12.5% 11.9% 12.2% 12.% 12.4% 12.3% 12.8% 13.% Spread (FROE-COE) 12.9% 5.8% 4.6% 3.6% 2.8% 2.2% 2.5% 2.3% 2.7% 2.6% 3.1% 3.3% Residual income 2,639 1,441 1,312 1,174 1, ,147 1,178 1,548 1,686 2,26 2,69 Cost of equity (COE) 9.7% Beta 1. Market risk premium (Rm-Rf) 6.% Risk-free rate (Rf) 4.% Beginning shareholder s equity 18,36 PV of forecast period RI 11,54 PV of continuing value 5,728 Equity value (C+P) 35,34 No of shares (common, mn) 728,2 12m TP Fair price (C) 53,199 Current price (C) 33,7 Upside (-downside) 57.9% Implied P/B (x) 1.8 Implied P/E (x) 9.8 주 : RIM(Residual Income Model, 잔여이익모델 ) 은현금흐름할인모형의하나로주주입장에서투자원금인자기자본과자기자본비용을초과하는이익 ( 잔여이익 ) 의현재가치를합한금액을적정주주가치 ( 자기자본가치 ) 로보는 Valuation 모델이다. 산식으로표현하면다음과같다. 자기자본가치 = 자기자본 + 미래잔여이익의현재가치합 * 잔여이익 (RIt) = 당기순이익 t - 자기자본 t-1 * 자기자본비용 (Cost of Equity)t = 자기자본 t-1 * (ROEt - COEt) RIM 은이론적으로배당할인모형 (DDM), 잉여현금흐름할인모형 (DCF) 과같은결과를도출하면서도측정지표상의주관성을최소화시킨객관적인 Valuation 모델이라고할수있어당사 Valuation 기본모델로사용하고있다. Market Risk Premium 적용기준 (Guidance) 구분 Mega Cap. Large Cap. Middle Cap. Small Cap. 기준 M-cap 1 조원이상 M-cap M-cap M-cap 2 천억 ~1 조원 +'BBB+' 이상 + 신용등급 'AAA' 이상 1 조 ~1 조원 + 'A' 이상 2 천억원미만 +'BBB-' 이상 Risk Premium 5.2% 6.% 7.% 8.% * Risk Free Rate = 4.%( 공통 ) 83

84 SK 하이닉스 투자포인트 : DDR4 확대 + 3D NAND 추진 + TLC(Triple Level Cell) 투자포인트 1: DDR4 확대 DDR4 확대 SK하이닉스가 215년 8월 M14 준공식을거행함으로써 M14 가동이본격화될전망이다. M14에서생산될제품의대부분은 LPDDR4 를포함한 DDR4로예상된다. 특히 SK하이닉스는 15년말부터 2z nm 공정추진예상되고있어 216 년 DDR4 본격추진이예상된다. 언론에의하면 SK하이닉스는 M14 준공식에서향후총 46조원을투자해 M14 외에국내에두개의반도체공장을더구축하겠다는미래비전도밝혔다. M14 구축에는 15조원, 나머지두공장의구축에는 31조원을투자할것으로판단된다. 즉, 214년이후 1년간 M14를포함해세개의신규공장건설추진을고려하고있다. SK 하이닉스, M14 전경 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 SK 하이닉스 DDR4 기반 128GB 모듈 SK 하이닉스 Fab 전경 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 84

85 SK 하이닉스 투자포인트 2: 3D NAND 추진 3D NAND 추진 SK하이닉스는 2세대인 36단 3D NAND 개발을 215 년내마무리하고양산진행할것으로판단된다. 또한 16년에는 3세대 (48단) 3D NAND 사전검증을시작해 3세대 NAND 시대를열어나갈것으로예상된다. 216 년은 3D NAND 가본격화되는시기이기때문에 3D NAND 를적극적으로검토할것으로판단된다. 3D NAND 는기존 2D NAND Fab 을그대로사용하기힘들기때문에기존 Fab 을개조하든지 M14 와같은신규 Fab 을사용하는방법을고려해야한다. 하지만장비상이성을고려해볼 때신규 Fab 을활용하는방안이더합리적이라고판단된다. SK 하이닉스, 3D NAND Wafer 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 SK 하이닉스 3D NAND 구조 SK 하이닉스 3D NAND 제품 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 85

86 SK 하이닉스 투자포인트 3: TLC 역량강화 TLC 본격화 SK 하이닉스는 TLC 역량강화를진행하고있다. 하반기스마트폰이 NAND 고용량화로 TLC 솔루션을요구하기때문이다. 현재는스마트폰향 TLC 에집중하고있지만 16 년에는 TLC 구 조를적용한 SSD 를양산할예정이다. SK 하이닉스는새로운종류의제품도진행중이다. SK 하이닉스는 DRAM 과 NAND 를결합한 NVDIMM 제품기술을보유하고있다. SK 하이닉스는 16GB 에달하는대용량의비휘발성메 모리모듈을구현한바있으며이는주로서버향응용처에사용될것으로판단된다. SK 하이닉스, TLC NAND 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 SK 하이닉스, NVDIMM 자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 86

87 SK 하이닉스 분기실적추이 ( 단위 : 십억원, %) ( 십억원 ) 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15F 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F E 216F 매출액 Memory 4,72 4,546 4,763 4,77 4,16 4,75 4,455 4,472 16,65 18,719 17,17 DRAM 3,624 3,458 3,52 3,492 2,94 2,99 3,38 3,445 13,164 14,76 12,719 Flash 1,78 1,88 1,262 1,215 1,112 1,84 1,75 1,27 3,441 4,643 4,298 기타 Total 4,818 4,639 4,847 4,799 4,122 4,159 4,531 4,556 17,126 19,13 17,368 영업이익 Memory 1,587 1,375 1,337 1,426 1,22 1,77 1,327 1,399 5,97 5,725 4,824 DRAM 1,534 1,314 1,228 1, ,248 1,314 5,179 5,328 4,461 Flash 기타 Total 1,589 1,375 1,34 1,426 1,23 1,79 1,329 1,41 5,19 5,73 4,831 영업이익률 Memory 34% 3% 28% 3% 25% 26% 3% 31% 31% 31% 28% DRAM 42% 38% 35% 36% 31% 33% 37% 38% 39% 38% 35% Flash 5% 6% 9% 14% 1% 8% 7% 8% -2% 9% 8% 기타 1% % 4% % 1% 2% 3% 2% 2% 1% 2% Total 33% 3% 28% 3% 25% 26% 29% 31% 3% 3% 28% 주 : IFRS 연결기준자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터전망 부문별 Key Data ( 단위 : 십억원, %, 백만대 ) ( 십억원 ) 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15F 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F E 216F DRAM 매출액 3,624 3,458 3,52 3,492 2,94 2,99 3,38 3,445 13,164 14,76 12,719 변동률 -7% -5% 1% % -17% 3% 13% 2% 29% 7% -1% 영업이익 1,534 1,314 1,228 1, ,248 1,314 5,179 5,328 4,461 영업이익률 42% 38% 35% 36% 31% 33% 37% 38% 39% 38% 35% 출하량 (1Gb eq.) 3,796 3,945 4,284 4,567 4,412 4,818 5,557 5,979 13,43 16,592 2,767 변동률 -5% 4% 9% 7% -3% 9% 15% 8% 34% 24% 25% ASP(1Gb eq.) 변동률 -4% -8% -12% -5% -1% -5% -1% -4% 1% -2% -25% Flash 매출액 1,78 1,88 1,262 1,215 1,112 1,84 1,75 1,27 3,441 4,643 4,298 변동률 -5% 1% 16% -4% -8% -2% -1% -4% % 35% -7% 영업이익 영업이익률 5% 6% 9% 14% 1% 8% 7% 8% -2% 9% 8% 출하량 (8Gb eq.) 2,395 2,578 2,964 3,26 3,188 3,49 3,666 3,722 6,699 1,963 13,986 변동률 % 8% 15% 2% 5% 7% 8% 2% 6% 64% 28% ASP(8Gb eq.) 변동률 -7% -6% -5% -4% -9% -8% -7% -5% -35% -24% -24% 주 : IFRS 연결기준자료 : SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터전망 87

88 SK 하이닉스 Global Peer Analysis ( 단위 : USD mn) 회사명 SK 하이닉스삼성전자 Toshiba Micron Nanya Inotera 시가총액 2, , , , , ,26. 매출액 , ,918 54,244 16,358 1,62 2, E 16, ,485 55,47 16,121 1,439 1,95 216F 16, ,628 55,466 15,654 1,249 2,18 영업이익 214 4,855 23,777 2,464 3, , E 4,735 22,17 2,981 2, F 4,275 22,85 3,71 2, EBITDA 214 8,127 4,929 4,233 5, , E 8,15 39,398 4,86 5, ,19 216F 7,875 4,75 4,96 5, ,149 순이익 214 3,986 21,931 1,26 3, , E 3,799 17,773 1,385 2, F 3,398 18,429 1,433 2, EPS ( 달러 ) E F BPS ( 달러 ) , E F , Net Debt ,246 9,45 1, (-Net Cash) 215E ,138 8,629 3,74 n/a F -2,774-6,562 8,123 4,368 n/a -416 PER ( 배 ) n/a E F PBR ( 배 ) E F EV/EBITDA ( 배 ) E n/a F n/a 3.3 ROE (%) E F 자료 : Bloomberg 컨센서스 SK 하이닉스연간 ROE 추이및전망 Trailing PBR Band (%) 5 ROE (won) 7, Price 1.x 1.4x , 1.9x 2.3x 2.7x '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15E '16F 5, 4, 3, 2, 1, '5.1 '6.1 '7.1 '8.1 '9.1 '1.1 '11.1 '12.1 '13.1 '14.1 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 자료 : NH 투자증권리서치센터 88

89 SK 하이닉스 STATEMENT OF COMPREHENSIVE INCOME VALUATION INDEX ( 십억원 ) 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 매출액 17,126 19,13 17,368 18,97 PER (X) 증감률 (%) PER (High,X) 매출원가 9,462 1,41 9,42 9,797 PER (Low,X) 매출총이익 7,664 8,694 7,948 8,31 PBR (X) Gross 마진 (%) PBR (High,X) 판매비와일반관리비 2,554 2,964 3,117 3,286 PBR (Low,X) 영업이익 (GP-SG&A) 5,19 5,73 4,831 5,15 PCR (X) 증감률 (%) PSR (X) OP 마진 (%) PEG (X) EBITDA 8,553 9,877 9,281 9,663 PER/ 주당EBIT 증감률 (X) 영업외손익 PER/ 주당EBITDA 증감률 (X) 금융수익 ( 비용 ) EV/EBITDA (X) 기타영업외손익 EV/EBIT (X) 종속및관계기업관련손익 Enterprise Value 34,878 21,681 2,413 18,682 세전계속사업이익 5,48 5,735 4,848 5,113 EPS CAGR (3년) (%) 법인세비용 853 1, ,14 EBITPS CAGR (3년) (%) 계속사업이익 4,195 4,625 3,864 4,99 EBITDAPS CAGR (3년) (%) 당기순이익 4,195 4,625 3,864 4,99 주당EBIT (W) 7,115 7,87 6,637 6,888 증감률 (%) 주당EBITDA (W) 11,911 13,567 12,748 13,273 Net 마진 (%) EPS (W) 5,842 6,353 5,274 5,595 지배주주지분순이익 4,195 4,625 3,839 4,73 BPS (W) 24,775 31,473 36,456 41,759 비지배주주지분순이익 CFPS (W) 12,481 13,628 12,728 13,249 기타포괄이익 -52 SPS (W) 23,848 26,241 23,857 24,859 총포괄이익 4,143 4,625 3,864 4,99 DPS (W) CASH FLOW STATEMENT RIM & EVA ( 십억원 ) 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 영업활동현금흐름 5,867 9,219 6,989 7,258 RIM 당기순이익 4,195 4,625 3,864 4,99 Spread (FROE-COE) (%) 유 / 무형자산상각비 3,444 4,147 4,449 4,648 Residual Income 2, , ,44.8 1, 종속, 관계기업관련손실 ( 이익 ) M RIM Target Price (W) 53,199 + 외화환산손실 ( 이익 ) 37 EVA + 자산처분손실 ( 이익 ) 투하자본 16, , , ,132.8 Gross Cash Flow 8,963 9,921 9,266 9,646 세후영업이익 4, ,61.9 3,85.2 4,2.5 - 운전자본의증가 ( 감소 ) -2, ,331-1,468 투하자본이익률 (%) 투자활동현금흐름 -6,88-6,831-5,776-5,633 투하자본이익률 - WACC (%) 유형자산의감소 199 EVA 3, , , , 유형자산의증가 (CAPEX) -4,81-6, -5,5-5,2 DCF + 투자자산의매각 ( 취득 ) EBIT 5,19.5 5, , ,14.7 Free Cash Flow 1,66 3,219 1,489 2,58 + 유 / 무형자산상각비 3,444 4,147 4,449 4,648 Net Cash Flow ,388 1,213 1,625 - CAPEX -4,8.7-6,. -5,5. -5,2. 재무활동현금흐름 ,137 - 운전자본증가 ( 감소 ) , ,485.4 자기자본증가 Free Cash Flow for Firm 3, , ,64.9 4,953.9 부채증감 , ,137 WACC 현금의증가 , 타인자본비용 (COD) 기말현금및현금성자산 437 2,12 2,316 2,84 자기자본비용 (COE) 기말순부채 ( 순현금 ) 116-2,852-4,145-5,92 WACC(%) STATEMENT OF FINANCIAL POSITION PROFITABILITY & STABILITY ( 십억원 ) 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 214/12A 215/12E 216/12F 217/12F 현금및현금성자산 437 2,12 2,316 2,84 자기자본이익률 (ROE) (%) 매출채권 3,733 4,32 4,435 4,878 총자산이익률 (ROA) (%) 유동자산 1,364 12,558 13,741 15,498 투하자본이익률 (ROIC) (%) 유형자산 14,9 16,13 17,279 17,96 EBITDA/ 자기자본 (%) 투자자산 EBITDA/ 총자산 (%) 비유동자산 16,52 18,86 19,888 2,55 배당수익률 (%) 자산총계 26,883 31,418 33,629 36,48 배당성향 (%) 단기성부채 1,755 1,471 1, 총현금배당금 ( 십억원 ) 매입채무 보통주주당현금배당금 (W) 유동부채 5,765 5,973 5,174 4,266 순부채 ( 현금 )/ 자기자본 (%) 장기성부채 2,42 1,764 1, 총부채 / 자기자본 (%) 장기충당부채 순이자비용 / 매출액 (%) 4,175 3,234 2,474 1,549 비유동부채 3,82 2,533 1,892 1,33 EBIT/ 순이자비용 (X) 부채총계 8,847 8,56 7,65 5,596 유동비율 (%) 자본금 3,658 3,739 3,739 3,739 당좌비율 (%) 자본잉여금 4,144 4,526 4,526 4,526 총발행주식수 (mn) 이익잉여금 1,277 14,69 18,317 22,178 액면가 (W) 5, 5, 5, 5, 비지배주주지분 24 5 주가 (W) 47,75 33,7 33,7 33,7 자본총계 18,36 22,912 26,564 3,452 시가총액 ( 십억원 ) 34,762 24,534 24,534 24,534 89

90 원익머트리얼즈 (1483.KQ) Company Report PE CVD 및 ALD 용소재업체 원익머트리얼즈는반도체용특수가스업체로, 3D NAND 본격화및미세공정확대에 따른 PECVD(Plasma Enhanced CVD) 증가로매출확대예상. 또한신규아이템인 ALD(Atomic Layer Deposition) 공정용전구체는 217 년이후매출본격화전망 216 년 3D NAND 확대로 PE CVD Gas 수요확대전망 원익머트리얼즈에대해투자의견 Buy, 목표주가 1, 원으로신규커버리지개시. 목표주가 1, 원은 RIM 을통해산출되었으며 3D NAND 가본격화되는 216 년실적기준 PER 18.4 배, PBR 2.6 배에해당 원익머트리얼즈는 PE CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 특수 Gas 업체로 3D NAND 본격화시 PE CVD 소재매출확대전망. 참고로원익머트리얼즈가공급하는 PE CVD 용특수가스는절연막 (Oxide) 과질화막 (Nitride) 형성용 Si2H4( 디실란 ), NH3, N2 및 NO 가스등임 2D NAND 대비 3D NAND 양산과정에서 PE CVD 공정이 4 배이상많아짐에따라원익머트리얼즈의 PE CVD 특수가스소재매출확대전망 217 년 ALD 용소재인전구체시장도본격진출전망 원익머트리얼즈는미국소재회사인노바켐인수로 217 년이후 ALD (Atomic Layer Deposition) 용전구체시장진출예상. 노바켐은 3D NAND 에사용되는 HCDS(Hexa Chloro Di-Silane) 원료공급회사임 원익머트리얼즈는삼성전자 DRAM 17 라인 (4 만장 ) 가동본격화및시안 2 차가동에따라반도체용특수가스매출확대전망 또한삼성전자가경기도평택에최첨단반도체라인을 217 년착공할것으로예상되고있어라인완공시원익머트리얼즈특수가스소재수요도확대예상 Buy ( 신규 ) 목표주가 1, 원 ( 신규 ) 현재가 ( 15/1/1) 업종 62,2 원 반도체 KOSPI 1, KOSDAQ 시가총액 ( 보통주 ) 385.1십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 6.2백만주 52주최고가 ( 15/6/25) 84,원 최저가 ( 14/12/16) 4,75원 평균거래대금 (6일) 2.6십억원 배당수익률 (214).% 외국인지분율 4.% 주요주주 원익아이피에스 46.5% 국민연금공단 11.4% 주가상승률 (%) 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 상대수익률 Price Trend 원익머트리얼즈 KOSDAQ 85 '14.1 '15.1 '15.4 '15.7 ' 년매출 2,132 억원, 영업이익 415 억원전망 3D NAND 본격화에따른 PE CVD 특수가스매출증가및반도체미세공정증가로원익머트리얼즈의 216 년매출 2,132 억원, 영업이익 415 억원전망. 215 년매출은 1,82 억원, 영업이익 348 억원전망 또한삼성전자가향후 5 년간평택신규라인진행할것으로판단되는바지속적인반도체용특수가스매출증가기대 Analyst 이세철 2) , peter.lee@nhwm RA 김대근 2) , d.kim@nhwm 결산기 -12 월 매출액 증감률 영업이익 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) ( 원 ) (%) ( 배 ) ( 배 ) ( 배 ) (%) (%) ( 십억원 ) , , E , F , F , 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분순이익기준자료 : FnGuide 컨센서스, NH 투자증권리서치센터

91 기업개요 동사는 26 년 12 월주식회사아토의특수가스사업부문을물적분할하여설립되었으며, 충청북도청원군에본점및공 장을두고반도체용특수가스및일반산업용가스의충전, 제조, 정제및판매등을영위하고있음. 한편, 14 년 9 월지분 5.67% 를취득하여주요종속회사로편입시킨노바켐은 212 년 4 월 15 일 Prochem,Inc 로부터물적분할하여설립되 었으며, 미국 Edison Dr, Germantown,WI 에본점을두고있음. 반도체산업에쓰이는전구체의제조및판매를주된사업목적으로현재까지 HCDS(Hexachlorodisilane) 의제조및판매에주력하고있음 제품별매출비중 동사는반도체및디스플레이내 LCD 패널의증착, 식각, 세정등의공정에쓰이는다양한특수가스 (NH3, NO, N2O, GeH4, Si2H6 등 ) 를판매하고있음. 215년 2분기기준특수가스중응용처별매출비중은반도체 74.8%, 디스플레이 19.6%, LED LED 2.7% 디스플레이 19.6% 기타 2.9% 2.7%, 기타 2.9% 임반도체 74.8% 자료 : 원익머트리얼즈, NH 투자증권리서치센터 영업실적추이 동사는 214년 SK하이닉스로매출처를다각화하였고 214년 9월노바켐인수를통해전구체사업에도진출함에따라실적개선되며꾸준한성장세나타내고있음 향후노바켐인수에따른실적성장반영됨은물론삼성전자의 DRAM/NAND Capa( 생산능력 ) 증대및이에따른소재소비량증가로수혜가능. 또한반도체의지속적인공정미세화및디스플레이산업내 OLED 가동률회복등에따라견조한실적유지할전망 ( 십억원 ) 매출액 ( 좌 ) 영업이익 ( 좌 ) 영업이익률 ( 우 ) 14 15E 16F (%) 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 과거주가및거래대금추이 ( 원 ) 전방산업수요약세로반도체업황 ( 백만원 ) 부진우려확대 9, 거래대금 ( 우 ) 14 반도체공정미세화지속및 3D 8, 주가 ( 좌 ) 사업다각화위해미국전구체 NAND 확대로반도체소재수요증가 12 7, 제조판매업체노바캠지분 5.67% 기대감취득 1 6, 15년 1분기실적발표 5, 4, 3, 2, 1, '13.1 '13.12 '14.2 '14.4 '14.6 '14.8 '14.1 '14.12 '15.2 '15.4 '15.6 '15.8 ' 자료 : FnGuide, NH 투자증권리서치센터

92 원익머트리얼즈 RIM 에의한목표주가 1, 원제시 목표주가는 216 년 PBR 2.6 배에해당, 상승여력 61.3% 원익머트리얼즈에대해목표주가 1, 원및투자의견 Buy로신규커버리지를개시한다 ( 현주가대비 61% 의상승여력보유 ). 목표주가 1, 원은 RIM을통해산출되었다. 목표주가 1, 원은대다수 NAND 업체들의 3D NAND 제품본격화에따른 PE CVD 소재증가로이익견조세가예상되는 216년실적기준 PBR 2.6배및 PER 18.4 배에해당한다. SK 하이닉스잔여이익모델 (RIM) ( 단위 : 십억원, 원 ) 215E 216F 217F 218F 219F 22F 221F 222F 223F 224F 225F 226F Net profit Shareholder s equity ,164 Forecast ROE (FROE) 15.3% 15.5% 15.6% 16.5% 17.1% 17.5% 16.1% 16.3% 16.7% 16.9% 17.1% 17.3% Spread (FROE-COE) 5.8% 5.9% 6.1% 6.9% 7.5% 8.% 6.6% 6.7% 7.2% 7.3% 7.5% 7.7% Residual income Cost of equity (COE) 9.6% Beta.8 Market risk premium (Rm-Rf) 7.% Risk-free rate (Rf) 4.% Beginning shareholder s equity 172 PV of forecast period RI 233 PV of continuing value 162 Equity value (C+P) 567 No of shares (common, mn) 6,191 12m TP Fair price (C) 1,339 Current price (C) 62,2 Upside (-downside) 61.3% Implied P/B (x) 3.2 Implied P/E (x) 18.9 주 : RIM(Residual Income Model, 잔여이익모델 ) 은현금흐름할인모형의하나로주주입장에서투자원금인자기자본과자기자본비용을초과하는이익 ( 잔여이익 ) 의현재가치를합한금액을적정주주가치 ( 자기자본가치 ) 로보는 Valuation 모델이다. 산식으로표현하면다음과같다. 자기자본가치 = 자기자본 + 미래잔여이익의현재가치합 * 잔여이익 (RIt) = 당기순이익 t - 자기자본 t-1 * 자기자본비용 (Cost of Equity)t = 자기자본 t-1 * (ROEt - COEt) RIM 은이론적으로배당할인모형 (DDM), 잉여현금흐름할인모형 (DCF) 과같은결과를도출하면서도측정지표상의주관성을최소화시킨객관적인 Valuation 모델이라고할수있어당사 Valuation 기본모델로사용하고있다. Market Risk Premium 적용기준 (Guidance) 구분 Mega Cap. Large Cap. Middle Cap. Small Cap. 기준 M-cap 1 조원이상 M-cap M-cap M-cap 2 천억 ~1 조원 +'BBB+' 이상 + 신용등급 'AAA' 이상 1 조 ~1 조원 + 'A' 이상 2 천억원미만 +'BBB-' 이상 Risk Premium 5.2% 6.% 7.% 8.% * Risk Free Rate = 4.%( 공통 ) 92

93 원익머트리얼즈 원익머트리얼즈사업부실적추이및전망 ( 백만원 ) 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15F 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F E 216F 매출액 38,642 43,173 48,351 5,33 47,46 5,355 57,425 58,38 145,152 18, ,25 반도체 28,595 32,38 37,23 38,526 34,814 37,766 44,217 44,952 11,77 136,73 166,3 Display 7,728 8,23 8,22 8,56 9,49 9,567 9,762 9,925 26,366 32,657 36,245 LED 1,159 1,295 1,451 1,51 1,411 1,511 1,723 1,751 4,355 5,46 6,396 영업이익 5,892 8,963 9,978 9,929 8,56 1,154 11,779 11,474 27,34 34,762 41,463 영업이익률 15.2% 2.8% 2.6% 19.8% 17.1% 2.2% 2.5% 19.7% 18.8% 19.3% 19.4% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 Global Peer Analysis ( 단위 : USD mn) 회사명원익머트리얼즈한솔케미칼 Air Liquide Air Product 시가총액 , ,427.5 매출액 ,43 1, E ,421 1,14 216F ,344 1,616 영업이익 ,52 1, E ,286 1, F ,539 2,145 EBITDA ,166 2, E ,791 2, F ,13 3,283 순이익 , E ,61 1, F ,233 1,65 EPS ( 달러 ) E F BPS ( 달러 ) E F Net Debt ,431 5,782 (-Net Cash) 215E ,537 5, F ,23 5,633 PER ( 배 ) E F PBR ( 배 ) E F EV/EBITDA ( 배 ) E F ROE (%) E F 자료 : Bloomberg 컨센서스 93

94 오킨스전자 (858.KQ) Company Report DDR4 번인소켓수요확대전망 Not Rated 현재가 ( 15/1/1) 8,38 원 모바일향 LPDDR4 및 DDR4 수요증가로동사번인소켓매출확대전망. 2 분기까지 예상만큼 DDR4 확대본격화되지않으면서실적약세우려로최근주가하락. 그러나 15 년하반기및 16 년 DDR4 전환본격화예상되는만큼동사매출확대전망 DDR4 Burn-In-Socket 매출증가전망 오킨스전자는반도체번인소켓전문업체로 216 년 DDR4 본격화시번인소켓수요확대전망 번인소켓은가혹테스트를통해반도체제품의특성을검증하는번인테스트용소모품으로반도체제품변경시수요가증가하는특성을갖고있음 번인테스트는 125 도정도의가혹한온도조건에서 4~ 48 시간까지각각의 Cell 에 Data 를쓰고지우며각 Cell 의동작여부를검사하는테스트를뜻함 15 년 3 분기이후 LPDDR4 등 DDR4 수요확대로실적개선전망 서버향뿐아니라모바일향 (LPDDR4) 으로도 DDR4 수요확대될것으로예상됨에따라 3 분기실적확대전망 또한인텔 Skylake 출시로 216 년에는 PC 향제품중 DDR4 비중이 6% 까지확대 될것으로예상되어본격적인실적개선이기대됨 업종 Price Trend 오킨스전자 KOSDAQ 반도체 KOSPI 1, KOSDAQ 시가총액 ( 보통주 ) 52.5십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 6.2백만주 52주최고가 ( 15/4/13) 2,15원 최저가 ( 14/6/12) 7,81원 평균거래대금 (6일).7십억원 배당수익률 (214).6% 외국인지분율.6% 주요주주 전진국외 3인 3.1% 김종휘 6.9% 주가상승률 (%) 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 상대수익률 '14.1 '15.1 '15.4 '15.7 ' 년매출 639 억원, 영업이익 8 억원전망 오킨스전자는 LPDDR4 및서버향 DDR4 수요확대에따른번인소켓매출증가로 216 년매출 639 억원, 영업이익 8 억원시현전망 215 년하반기부터모바일향제품인 LPDDR4 채택확대되고있고, 216 년에는 DDR4 확대본격화될것으로보여동사실적확대전망 Analyst 이세철 2) , peter.lee@nhwm RA 김대근 2) , d.kim@nhwm 결산기 -12 월 매출액 증감률 영업이익 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) ( 원 ) (%) ( 배 ) ( 배 ) ( 배 ) (%) (%) ( 십억원 ) , E F , F , 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분순이익기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망

95 기업개요 동사는 1998 년 4 월에반도체검사용소켓등의제조및판매를주사업목적으로설립되었으며 214 년 12 월에코스닥 시장에상장되었음. 동사는반도체검사용소켓제조사업 (BiTS 사업부 ) 과반도체테스트용역사업 ( 반도체사업부 ) 을영위하고있음. 동사는 1998 년설립이래국내최초로번인소켓 (Burn-In Socket) 을개발, 기존해외메이커제품 이독식하고있던번인소켓시장에진입하여삼성전자, SK 하이닉스등에제품공급하며본격적인성장궤도에올라섬. 26 년도에는반도체사업부설립하여반도체후공정테스트사업을영위중임. 한편자회사로는 Vision Tech 가있으 며 CIS 패키지테스트를주요사업으로영위하고있음 제품별매출비중 215년 2분기기준동사의사업부문별매출비중은 Burn-in Socket, Test Socket 등반도체검사용소켓부문이 67.7%, 패키지, 웨이퍼, LED 테스트등반도체테스트관련부문이 28.4%, 기타 3.9% 임 반도체테스트 28% 기타 4% 반도체검사용소켓 68% 자료 : 오킨스전자, NH 투자증권리서치센터 영업실적추이 동사의주력제품인반도체검사용소켓은소모성자재로서꾸준한매출이발생하는것이특징. 특히국내반도체검사용소켓시장의경우 2-4개업체가과점체제를형성하고있어안정적실적성장세나타낼전망 또한, 215년을기점으로 DRAM 산업내기존 DDR3, LPDDR3에서 DDR4, LPDDR4로의제품전환본격화. 이에반도체칩테스트물량확대수혜로양적 / 질적성장가능할전망 ( 십억원 ) 매출액 ( 좌 ) 영업이익 ( 좌 ) 영업이익률 ( 우 ) '14 '15E '16F (%) 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 과거주가및거래대금추이 ( 원 ) ( 백만원 ) 25, 2, 15, 1, 5, 메모리반도체업황침체우려에따른주가하락세지속 거래대금 ( 우 ) 주가 ( 좌 ) '15.1 '15.3 '15.5 '15.7 ' 자료 : FnGuide, NH 투자증권리서치센터

96 오킨스전자 오킨스전자사업부실적추이및전망 ( 백만원 ) 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15F 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F E 216F 매출액 9,484 1,265 14,297 16,37 14,54 15,65 16,515 17,69 47,8 5,353 63,89 소켓 6,924 6,964 1,666 12,545 1,726 1,87 11,9 12,928 33,65 37,1 46,425 Test 2,46 3,8 3,38 3,48 3,442 3,786 4,165 4,29 13,642 12,13 15,682 기타 ,8 5,353 63,89 영업이익 ,942 2,15 1,57 2,25 2,286 2,199 6,661 5,457 8,17 영업이익률 4.7% 9.4% 13.6% 12.9% 1.4% 13.4% 13.8% 12.4% 14.2% 1.8% 12.6% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 국내 Peer Analysis ( 단위 : 십억원 ) 회사명오킨스전자 ISC 마이크로컨텍솔리노공업 시가총액 매출액 E F 영업이익 E F EBITDA E F 순이익 E F EPS ( 달러 ) 214 1, ,8 2,25 215E 1,113 1,438 1,227 2, F 1,919 2,862 1,42 2,696 BPS ( 달러 ) 214 6,127 9,751 4,735 1, E 6,718 9,954 5,858 12, F 7,679 12,312 7,98 14,231 PER ( 배 ) E F PBR ( 배 ) E F EV/EBITDA ( 배 ) E F ROE (%) E F 자료 : Bloomberg 컨센서스 96

97 동운아나텍 (9417.KQ) Company Report 듀얼카메라로오토포커스구동칩수혜전망 Not Rated 현재가 ( 15/1/1) 11,7 원 동운아나텍은오토포커스구동칩전문회사로향후듀얼카메라본격화시수혜전망. 또한중국향매출이 6% 로중국스마트폰사양상향시매출확대전망 오토포커스구동칩중심의 Analog 반도체설계회사 동운아나텍은 Auto Focus (AF) Driver IC, 모바일 Display Power IC 및 LED Driver IC 등의제품을주력으로하는반도체설계전문업체. 특히, AF Driver IC 칩의경우 214 년기준글로벌시장점유율 36% 로세계 1 위임 동사는기존스마트폰제조사의인증을통해제품수주를받는방식대신퀄컴, 미디어텍등주요애플리케이션프로세서제조사들의인증을통해스마트폰제조사에제품을납품하는전략으로오토포커스시장을빠르게잠식 동사는삼성전자, LG 전자등의국내업체뿐만아니라샤오미, 화웨이, ZTE, Lenovo, 소니, 샤프등글로벌주요스마트폰제조사에 AF Driver IC 제품을납품중 전면카메라성능개선 + 후면듀얼카메라채택등의변화에따른수혜전망 영상통화가보편화되고셀피문화 (Selfie culture, 자신의사진을직접찍고온라인으 로공유하는것 ) 가정착됨에따라전면카메라오토포커스기능탑재수요확대 또한화웨이 ( 아너 6 플러스 ), HTC (One M8) 등의스마트폰제조사가듀얼카메라를탑재하는등중화권스마트폰을중심으로듀얼카메라탑재비중확대 향후스마트폰시장내카메라성능개선이마케팅주요포인트로자리매김할것으 로예상. 이에현재와같은단순카메라화소경쟁이아닌듀얼카메라적용등의폼펙터개선을통해제품차별화가이뤄질전망 업종 Price Trend 동운아나텍 KOSDAQ 반도체 KOSPI 1, KOSDAQ 시가총액 ( 보통주 ) 7.1십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 6.백만주 52주최고가 ( 15/7/21) 15,1원 최저가 ( 15/8/24) 8,51원 평균거래대금 (6일) 1.3십억원 배당수익률 (214).% 외국인지분율.% 주요주주 김동철외 17인 24.5% 스틱인베스트먼트외 1인 1.7% 주가상승률 (%) 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 상대수익률 '15.6 '15.7 '15.8 ' 년매출 622 억원, 영업이익 91 억원전망 15 년동사실적은매출 542 억원, 영업이익 81 억원전망되며 16 년에는매출 622 억 원, 영업이익 91 억원전망 동사가작년 4 분기에개발에착수한 OIS ( 광학손떨림보정 ) 제품또한 16 년내매출이가시화될것으로전망됨에따라향후매출성장모멘텀확대전망 Analyst 이세철 2) , peter.lee@nhwm RA 김대근 2) , d.kim@nhwm 결산기 -12 월 매출액 증감률 영업이익 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) ( 원 ) (%) ( 배 ) ( 배 ) ( 배 ) (%) (%) ( 십억원 ) , n/a n/a , n/a n/a E , F , F , 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분순이익기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망

98 기업개요 동사는 26 년 7 월에전자집적회로제조업을영업목적으로주식회사동운인터내셔널에서인적분할하여설립되었으며, 215 년 6 월코스닥시장에상장됨. 동사는휴대폰, 태블릿, 기타전자기기에들어가는아날로그반도체회로설계, 개발및일괄외주생산상용화하여고객사에게판매하는팹리스아날로그반도체회사임 특히 Auto Focus Driver IC, 모바일 Display Power IC, LED Driver IC 등의제품에강점을보이고있으며삼성전자, LG 전자, LG 이노텍, 파트론, 캠시스등국내업체외미국, 일본, 중국등글로벌 IT 제조사로도공급하고있음. 동사의주력제품인모바일카메라용 Auto Focus Driver IC 는 214 년기준글로벌시장점유율 36% 로세계 1 위 사업별매출비중 동사의 15년상반기기준제품별매출비중은 AF Driver IC 88.4%, Display Driver IC 9.2%, LED Driver IC 2.4% 로모바일향 AF Driver IC 비중이절대적으로큼. 특히 AF Driver IC의경우 214년기준글로벌시장점유율 36% 로세계 1위 Display LED Driver IC Driver IC 2.4% 9.2% AF Driver IC 88.4% 자료 : 동운아나텍, NH 투자증권리서치센터 영업실적추이 동사는애플리케이션프로세서업체인퀄컴, 미디어텍등의제품인증을통해중화권시장에서비교적높은시장점유율을기록하고있음. 삼성전자, LG전자등국내업체뿐만아니라샤오미, 화웨이, ZTE, Lenovo, 소니, 샤프등다양한글로벌고객포트폴리오관리를통한안정적실적성장전망됨 스마트폰의차별화포인트로카메라부품이부각되면서향후동사의실적성장모멘텀은유효한것으로판단. 미래성장동력으로자동차전장부품관련사업또한진행되고있어동사에긍정적 ( 십억원 ) 매출액 ( 좌 ) 영업이익 ( 좌 ) 영업이익률 ( 우 ) '14 '15E '16F 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 (%) 과거주가및거래대금추이 ( 원 ) ( 백만원 ) 16, 15, 14, 13, 12, 11, 1, 9, 8, 글로벌경기둔화부진우려확산되면서주가하락 거래대금 ( 우 ) 주가 ( 좌 ) 7, '15.6 '15.7 '15.8 ' 자료 : FnGuide, NH 투자증권리서치센터 98

99 동운아나텍 동운아나텍사업부실적추이및전망 ( 백만원 ) 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15F 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F E 216F 매출액 11,688 12,883 14,485 15,93 12,994 15,94 16,849 17,267 44,453 54,15 62,24 Auto Focus 1,269 11,442 13,132 13,83 11,828 13,823 15,559 15,974 37,85 48,673 57,185 Display 1,125 1,145 1, ,571 4,283 3,744 LED ,32 1,189 1,275 영업이익 ( 연결 ) 1,776 1,95 2,171 2,232 1,58 2,368 2,751 2,488 5,473 8,84 9,116 영업이익률 15.2% 14.8% 15.% 14.8% 11.6% 15.7% 16.3% 14.4% 12.3% 14.9% 14.7% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 Global Peer Analysis ( 단위 : USD mn) 회사명동운아나텍 Texas Instrument ST Microelectronics Rohm Analog Device 시가총액 , , , ,694.4 매출액 ,45 7,335 3,25 2, E 45 12,781 7,163 3,361 3,37 216F 53 13,229 7,517 3,59 3,644 영업이익 , E 7 4, ,12 216F 8 4, ,273 EBITDA ,177 1, E n/a 5, , F n/a 5,221 1, ,464 순이익 , E 7 2, F 8 2, EPS ( 달러 ) n/a E F BPS ( 달러 ) n/a E F Net Debt 214 1, ,531-1,994 (-Net Cash) 215E n/a 1, ,57-2, F n/a 1, ,655-3,147 PER ( 배 ) 214 n/a 19.7 n/a E F PBR ( 배 ) 214 n/a 5.4 n/a E F EV/EBITDA ( 배 ) 214 n/a E n/a F n/a ROE (%) E F 자료 : Bloomberg 컨센서스 99

100 픽셀플러스 (876.KQ) Company Report 이미지센서산업내의강자 Not Rated 현재가 ( 15/1/1) 24,45 원 픽셀플러스는 CMOS 이미지센서설계전문팹리스회사로보안감시카메라센서 1 위업체임. 다양한고객포트폴리오를기반으로하이엔드급제품판매확대하고있어매출성장은물론수익성또한개선될전망 픽셀플러스는 CMOS 이미지센서의설계를전문으로하는팹리스 (Fabless) 회사 픽셀플러스의주력사업은보안카메라용 CMOS 이미지센서 (CIS, CMOS Image Sensor) 와자동차카메라용 CIS 분야이며, 의료기기인내시경카메라용센서및 지문 / 홍채인식처리 SoC (System on Chip) 등도양산하고있음 픽셀플러스의주력제품인 CIS 의특징을살펴보면기존 CCD 이미지센서에비해제조단가측면에서우수하고주변 IC 칩과의 One-chip 화가가능해전체카메라모듈의 부피를줄일수있음. 이러한장점으로인해 CIS 가확대되고있음 CCD 센서최대생산업체인 Sony 가 2 년내 CCD 사업에서철수키로결정함에따라 CIS 가향후 CCD 시장을잠식해나갈전망 투자포인트 : 카메라성능개선 (VGA HD/FHD) + 자동차용제품매출확대 보안및자동차부문에사용되는카메라센서는통상 VGA 급이었으나, 최근빠른속도로 HD/FHD( 고선명 / 고화질 ) 급카메라센서의가격이낮아지면서 VGA 급과의가격차가줄어들었기때문. 이에따라동사수익성개선전망 업종 Price Trend 픽셀플러스 KOSDAQ 반도체 KOSPI 1, KOSDAQ 시가총액 ( 보통주 ) 199.7십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 8.2백만주 52주최고가 ( 15/8/7) 37,7원 최저가 ( 15/8/24) 24,3원 평균거래대금 (6일) 1.7십억원 배당수익률 (214).% 외국인지분율.7% 주요주주이서규외 7 인 32.% 코에프씨스카이레이크사모투자 12.% 주가상승률 (%) 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 상대수익률 '15.6 '15.7 '15.8 '15.9 또한현재삼성전기를통해르노삼성에자동차용 CIS 를공급하고있는데, 216 년부터는 LG 이노텍을통해유럽등의해외고객향매출이가시화될것으로예상됨. 이에따라추가적인매출성장예상 215 년매출 1,414 억원, 영업이익 225 억원전망 215 년동사매출은컨센서스기준 1,414 억원, 영업이익은 225 억원전망됨 동사는 1,2 여개에이르는고객군을보유하고있고안정적제품생산을위해파운드리다각화도진행하고있어안정적실적성장지속전망 Analyst 이세철 2) , peter.lee@nhwm RA 김대근 2) , d.kim@nhwm 결산기 -12 월 매출액 증감률 영업이익 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) ( 원 ) (%) ( 배 ) ( 배 ) ( 배 ) (%) (%) ( 십억원 ) , n/a n/a , n/a n/a E , F , F , 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분순이익기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망

101 기업개요 동사는 2 년 4 월설립된 CMOS 이미지센서및카메라모듈개발, 제조및공급을목적으로하는팹리스회사로 215 년 6 월코스닥시장에상장되었음. 동사의주력사업은보안카메라용 CMOS 이미지센서와자동차카메라용 CMOS 이미지센서분야이며, 의료기기인내시경카메라용센서및지문 / 홍채인식처리 SoC, 도어폰에사용할수있는 Encoder Chip 및 Camera SoC 도양산하고있음 사업별매출비중 215년 2분기기준동사제품매출비중은 Analog Image Sensor 72.7%, Digital Image Sensor 24.6%, 기타 2.7% 로 Analog Image Sensor의비중이가장높음 한편, 215년 2분기기준응용처별매출비중의경우보안용 67.2%, 자동차용 31.5%, 의료용등기타 1.3% 로보안용제품이대다수를차지 Others 2.7% Digital Image Sensor 24.6% Analog Image Sensor 72.7% 자료 : 픽셀플러스, NH 투자증권리서치센터 영업실적추이 카메라산업내 CMOS 제품계열이기존 CCD 제품을대체하면서 CMOS Image Sensor에강점을보이고있는동사는안정적양적성장세이어가고있는중 동사는 214년기준글로벌보안용카메라시장점유율 37.7% 로세계 1위, 글로벌자동차용카메라시장점유율 18% 로세계 2위를기록중. 향후자동차용카메라시장내점유율확대를통해수익성을개선시켜안정적인양적성장과함께질적성장을일구어낼수있을것으로판단 ( 십억원 ) 매출액 ( 좌 ) 영업이익 ( 좌 ) 영업이익률 ( 우 ) '14 '15E '16F (%) 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 과거주가및거래대금추이 ( 원 ) ( 백만원 ) 4, 38, 36, 34, 32, 3, 28, 26, 24, 22, 거래대금 ( 우 ) 주가 ( 좌 ) 글로벌경기둔화우려확대로주가하락세지속 2, '15.6 '15.7 '15.8 ' 자료 : FnGuide, NH 투자증권리서치센터 11

102 테스 (9561.KQ) Company Report 년하반기 3D NAND 투자수혜전망 테스는 216 년상반기수주모멘텀둔화후하반기부터 3D NAND 전환투자수혜 전망. 향후 NAND 업체들은집적도향상을위해 3D NAND 기술적용을가속화할것으로예상됨에따라장비수요확대로연결될전망 3D NAND 적층수증가및공정전환확대로 ACL PE CVD 장비수요확대전망 3D NAND 공정에서증착되는층이두꺼워지면서식각선택비개선을위한 ACL(Amorphous Carbon Layer) 수요는증가할것으로판단. 향후 3D NAND 적층 수 32 단 (2 세대 ) 48 단 (3 세대 ) 64 단 (4 세대 ) 96 단 (5 세대 ) 등으로높아질것으로예상되는바테스의 ACL 용 PE CVD 장비수요는보다확대될것으로전망 삼성전자는올연말 48 단에이어 216 년에는 64 단 3D NAND 공정개발을진행할 것으로예상. SK 하이닉스도 216 년에는 3D NAND 로공정을전환할것으로예상되는바동사의증착장비납품가능성은높다고판단 DRAM 2z nm 미세공정투자확대로 ARC PE CVD 장비수혜확대전망 DRAM 공정에서패턴의일관성과충실도를향상시키기위한 ARC(Anti Reflection Coating) 수요는지속증가할것으로판단. 특히증착장비중반사방지막형성에서높은경쟁력을보유하고있는테스의 ARC 용 PE CVD 장비의수혜가확대될것으로 전망 삼성전자는 2nm DRAM 양산비율을올해 45% 에서 216 년 62% 로확대할것으로예상되며, SK 하이닉스도 2nm DRAM 공정도입확대를본격화할것으로전망되는 상황 Not Rated 현재가 ( 15/1/1) 업종 Price Trend 테스 KOSDAQ 12,7 원 반도체 KOSPI 1, KOSDAQ 시가총액 ( 보통주 ) 13.7십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 1.3백만주 52주최고가 ( 15/1/1) 22,4원 최저가 ( 14/5/2) 11,3원 평균거래대금 (6일) 2.6십억원 배당수익률 (214).88% 외국인지분율 17.9% 주요주주 주숭일외 11인 31.7% 국민연금공단 9.9% 주가상승률 (%) 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 상대수익률 '14.1 '15.1 '15.4 '15.7 ' 년실적개선추세지속되어매출 1,337 억원, 영업이익 214 억원전망 당사는 216 년전방산업의 3D NAND 투자, DRAM 2z nm 공정전환투자에따른증설효과와테스의장비경쟁력을감안할때, 216 년실적개선전망에무리가없다고판단 또한 217 년에는삼성전자평택투자가본격화될것으로예상되어실적개선추세는지속될것으로전망 Analyst 이세철 2) , peter.lee@nhwm Analyst 고정우 2) , j.ko@nhwm RA 김대근 2) , d.kim@nhwm 결산기 -12 월 매출액 증감률 영업이익 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) ( 원 ) (%) ( 배 ) ( 배 ) ( 배 ) (%) (%) ( 십억원 ) , E , F , F , 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분순이익기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망

103 기업개요 22 년 9 월설립된동사는반도체제조에필요한전공정장비를생산하는장비제조업을주력으로영위하며, 그외에디 스플레이, LED, 태양전지장비제조업도함께영위하고있음. 이중반도체장비관련매출이전체매출의 9% 이상을차지. 특히, 213 년반도체전공정장비인 LP CVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 와개선된 PE CVD 장 비양산에성공하며주요고객사인삼성전자와 SK 하이닉스내에서의장비점유율이점진적으로상승하고있음. 이외에메모리반도체업체들의미세공정전환노력이지속되면서 Etcher 장비수주또한점진적으로늘어나면서동사의실적견 조한성장세유지전망 제품별매출비중 215 년 2 분기기준동사의제품별매출비중은 PE CVD 71.1%, Etcher 15.%, 기타 13.8% 로 CVD 장비가전체매출의 대부분을차지하고있음 Others 13.8% Etcher 15.% PECVD 71.1% 자료 : 테스, NH 투자증권리서치센터 영업실적추이 215년 DRAM 산업내미세공정이지속되고있고, NAND 또한 3D제품방향으로발전됨에따라동사의 PE CVD 증착장비필요성부각 특히, 올해하반기부터삼성전자의 48단적층 3D NAND본격양산과함께 SK하이닉스및마이크론또한 3D NAND 투자지속으로 PE CVD 장비수요지속증대전망. 이에따라동사의매출액및영업이익은안정적인성장유지할전망 ( 십억원 ) 매출액 ( 좌 ) 영업이익 ( 좌 ) 영업이익률 ( 우 ) '14 '15E '16F (%) 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 과거주가및거래대금추이 ( 원 ) ( 백만원 ) 반도체업황부진우려 25, 거래대금 ( 우 ) 삼성전자평택투자및 SK하이닉스 M14 2 수혜기대감증폭투자지연 18 주가 ( 좌 ) 2, 214년반도체관련설비투자확대 16 15, 1, 5, '13.1 '13.12 '14.2 '14.4 '14.6 '14.8 '14.1 '14.12 '15.2 '15.4 '15.6 '15.8 ' 자료 : FnGuide, NH 투자증권리서치센터

104 테스 테스사업부실적추이및전망 ( 십억원 ) 1Q15 2Q15 3Q15E 4Q15F 1Q16F 2Q16F 3Q16F 4Q16F E 216F 매출액 반도체 Display Solar Others 영업이익 영업이익률 13.8% 14.7% 18.5% 16.2% 14.6% 15.6% 16.5% 16.8% 14.9% 15.9% 16.% 자료 : NH 투자증권리서치센터전망 테스증착장비 자료 : 테스, NH 투자증권리서치센터

105 유진테크 (8437.KQ) Company Report 년신규고객, 신규장비진입효과기대 반도체공정은미세화및 3 차원구조화진행으로 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장비수요는지속확대될전망. 유진테크는 216 년 3D NAND 기술적용본격화로 Plasma Treatment 및 ALD(Atomic Layer Deposition) 장비수혜확대전망 유진테크는다양한반도체전공정장비라인업을보유한업체 유진테크의주요제품으로는미세공정향 LP CVD(Low Pressure CVD), 3D NAND 향 Plasma Treatment, 미세공정및 3D NAND 향 ALD(Atomic layer deposition), 3D NAND 및비메모리향 SEG(Selective Epitaxial Growth) 장비등이있음 동사는올해삼성전자 3D NAND 투자확대로 Plasma Treatment 장비출하를본격화한상황. 216 년에는주요메모리업체들의 NAND 관련투자확대로신규해외 고객확보및신규장비진입가능성이높아질전망 216 년 3D NAND 투자확대에따른수혜전망 Planar NAND 의경우주요 NAND 업체들이 1y nm 등차세대공정수율안정화로미세공정투자를지속할것으로전망. 이에동사의 LP CVD 장비수주양호한흐름 전개예상 3D NAND 의경우주요 NAND 업체들이 3D NAND 기술적용및투자확대를본격화할것으로예상. 이에동사의 Plasma Treatment 장비수주확대전망 Not Rated 현재가 ( 15/1/1) 업종 Price Trend 유진테크 KOSDAQ 12,2 원 반도체 KOSPI 1, KOSDAQ 시가총액 ( 보통주 ) 272.9십억원 발행주식수 ( 보통주 ) 22.4백만주 52주최고가 ( 15/5/15) 18,35원 최저가 ( 15/8/21) 11,2원 평균거래대금 (6일) 1.7십억원 배당수익률 (214).93% 외국인지분율 17.8% 주요주주 엄평용외 15인 38.% KB자산운용 6.5% 주가상승률 (%) 3 개월 6 개월 12 개월 절대수익률 상대수익률 '14.1 '15.1 '15.4 '15.7 '15.1 참고로 3D NAND 공정에서는우수한균일도가중요하기때문에단차피복성 (Step coverage) 이우수한 ALD 장비납품가능성이충분히존재한다고판단. 그리고전하가이동하는통로를최대한확대하여저항을감소시키는 SEG 장비의 3D NAND 향수주연결가능성은지속관찰필요 216 년매출 1,489 억원, 영업이익 357 억원전망 유진테크의 216 년실적은 1) 전방업체의 Planar NAND 미세공정투자지속, 3D NAND 투자확대, 2) 해외신규고객사확보, 3) 신규장비공급전망등이예상됨에따 라매출액은 1,489 억원 (+36.% y-y), 영업이익은 357 억원 (+37.3% y-y) 으로전망 Analyst 이세철 2) , peter.lee@nhwm Analyst 고정우 2) , j.ko@nhwm RA 김대근 2) , d.kim@nhwm 결산기 -12 월 매출액 증감률 영업이익 영업이익률 ( 지배지분 ) 순이익 EPS 증감률 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 순차입금 ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) (%) ( 십억원 ) ( 원 ) (%) ( 배 ) ( 배 ) ( 배 ) (%) (%) ( 십억원 ) , E , F , F , 주 : EPS, PER, PBR, ROE 는지배지분순이익기준자료 : NH 투자증권리서치센터전망