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1 2017 수급및기술트랜드전망 NH투자증권리서치센터테크팀장, Analyst 이세철 tel 02)

2 Analyst 소개 : 이세철 삼성전자 12년 ('00 ~ '11, 차장 ) - 생산기술팀 ('00 ~'02) 엔지니어. 소재 / 공정엔지니어 : CMP (Chemical Mechanical Polishing) 프로세스 - 기획팀 ('02 ~'03) 대리. 시장조사 / 기술협력 / 컨소시엄 / 벤치마킹 - 기술기획팀 ('03 ~'08) 과장. 미래기술센싱, 지분투자, M&A. 장비공동개발 (Joint Development Project) - 전략마케팅팀 ('08 ~'11) 차장. 수요 / 공급분석. 제품 Promotion 전략수립 메리츠증권 ( 12 ~ 13): 연구위원 ( 13년상반기매경베스트 3위 ) 우리투자증권 ( 13 ~ 14): 연구위원 ( 13년하반기매경베스트 1위, 14년상반기한경베스트 1위 ) NH투자증권 ( 14 ~ 현재 ): 연구위원 ( 14년하반기매경베스트 1위, 14년하반기한경베스트 1위 ) ( 15년상반기한경베스트 1위, ` 15년하반기한경베스트 1위, 15년하반기매경베스트 1위, 16년상반기한경베스트 1위 ) 보유특허 : Ceria CMP 공정 / 소재특허 ( 등록번호 : ( )) 보유자격 : 기술거래사 ( 지식경제부 ), 금융투자분석사 2

3 Executive Summary Key Charts 테크방향 : Convergence Divergence 방향 1. DRAM 제품다양화 (DDR4/LPDDR4X) 방향 2. 3D NAND 확대 방향 3: 테스트공정확대 2017 년 (DRAM/NAND) 수급 시사점 (1Gb eq., Mpcs) 24,000 19,000 14,000 9,000 4,000-1, % 2.1% 공급수요 DRAM 수급 -2.5% 0.9% 0.2% -0.7% 6% 4.8% 4% 2.8% 2% 1.4% 1.1% 0.3% 0.2% 0% -0.6% -1.7% -1.7% -2% -3.8% 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E2Q15F3Q15F4Q15F1Q16E2Q16F3Q16F4Q16F 1Q17 2Q17 3Q17 4Q17-10% 10% 8% -4% -6% -8% 3

4 환경분석 2017 년환경분석 : Convergence 에서 Divergence 로 통합화에서연결성강화로 Convergence 에서 Divergence로변화 대수증가는제한적이지만성능확대필요 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 2017 년이후의테크환경은 Convergence 에서 Divergence 확대 - 과거스마트폰중심으로기술통합화되면서각종기기의수요가축소되었으나향후 VR, 스마트워치등기기확대예상 - 이로인해스마트폰대수증가는제한적이나성능확대필요 4

5 환경분석 2017 년환경분석 : Convergence 에서 Divergence 로 스마트폰주변기기확대 - Divergence 스마트폰사양증가 VR 등 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 Divergence 시대로주변기기확대 - VR 의경우향후 4K 에서 8K 로성능확대필요 - 주변기기성능확대보다는스마트폰성능확대로진행중 5

6 환경분석 2017 년환경분석 : Convergence 에서 Divergence 로 VR Shipment 대수전망 VR 비중 (Phone, 게임컨솔, PC) ( 백만대 ) VR Shipment % 90% 80% 70% 60% Phone Console PC 10% 11% 12% 13% 12% 15% 16% 16% 6% 5% 6% 7% 28% 30% 31% 32% % 40% 30% 20% 10% 0% 84% 84% 82% 80% 59% 55% 53% 52% 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 VR 대수는 2015 년 3 백만대에서 2020 년 56 백만대전망 - VR 은 2015 년을시작으로 2017 년 22 백만대로본격화전망 - VR 은초기스마트폰비중이 80% 이상차지할전망이나 2020 년에는 52% 로, 게임컨솔과 PC 비중이확대될전망 6

7 환경분석 2017 년환경분석 : 스마트폰성장둔화, 메모리탑재량및성능증가 스마트폰시장 : 16 년 15 억대 17 년 15.8 억대 (YoY 5.1%) 스마트폰모바일 DRAM 탑재량 : CAGR 29% 2,000 1,800 1,600 1,400 1,200 1,000 ( 백만대 ) 스마트폰대수 990 1,226 '14 ~18 CAGR 9% 1,503 1,401 1, (GB/Sys) 탑재량 '14 ~18 CAGR 29% 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 스마트폰성장둔화, 탑재량증가확대 년스마트폰시장은 16 년 15 억대에서 17 년 15.8 억대로 5% 성장전망 - 반면탑재량은각종기기간연결성강화에따른버퍼메모리사용량증가로 20% 성장전망 7

8 환경분석 DRAM 산업은공급과잉으로일부업체적자돌입 투자축소 DRAM 업황사이클 판가하락 공급과잉 투자축소 / 퇴출 - 통상투자축소및업계퇴출구간 - 이번구간은투자축소중심으로진행전망 - 현재판가는마이크론원가이하진입 현상황 자료 : NH 투자증권리서치센터 산업은불황구간최저점진입. 판가하락및공급과잉모습후투자축소를보여주는구간 - 과거에는불황구간에상위업체들이가격하락을유도시켜업계퇴출을유도하였으나금번에는무리한업계퇴출은발생하지않을전망 - DRAM의경우 3개업체로압축되어있고만약마이크론등후발업체가도태될경우중국업체에인수될위험이있기때문 - 실제로중국칭화유니그룹의경우마이크론과 SK 하이닉스인수협의를진행한바있음 8

9 환경분석 과거 History 분석 : PC DRAM NAND(SD Card) 3D NAND(SSD) 과거시장규모와주요이벤트 자료 :Gartner, NH 투자증권리서치센터 2000 년대이후 NAND 수요에따라시장이변화 년이후는 SSD 수요증가로시장성장 년대는 PC의시대.DRAM 탑재량증가로시장은 1995년까지급성장. 이후 DRAM수요약세및아시아금융위기로시장은 1998년까지위축 년대에는 ipod 및 SD Card수요확대로 NAND 시장성장. 2002년이후접어들면서디지털카메라확산으로아날로그필름대신NAND를사용하면서 SD Card 수요가급성장. 이로인해 2000년대주요업체들은 DRAM 대신 NAND 투자에집중되면서 DRAM 시장도상대적으로호황기를거치게됨 9

10 환경분석 2016 년이후모습은 2000 년초반 (NAND 수요증가 ) 과유사할전망 2016 년업황전망 NAND 300 억불 + = HDD 300 억불 NAND + HDD 최소 600 억불시장현재글로벌 NAND CAPA: 1200K CAPA 추가필요 자료 :Gartner, NH 투자증권리서치센터 2016 년이후는 SSD 수요증가로 3D NAND 투자에집중예상 년대와같이 DRAM 투자축소로업황개선전망 년이후에는 SSD 수요확대로 3D NAND 성장전망. 한편 2016년이후부터 SSD 수요가 PC 뿐아니라엔터프라이즈향수요로확대되면서 3D NAND 수요증가중. 이로인해업체들이 2000년초반때와마찬가지로 DRAM보다는 NAND 투자에집중할것으로판단됨 - SSD 수요가과거 (2000년) SD Card와같은흐름을보여준다면 2000년대초반과같은업황상승기가 2016년이후발생가능성이높은상황. DRAM 산업은비록수요약세에따른가격하락으로정체기이나 2000년대초반과같이 NAND 10 수요강세에따른 DRAM 투자감소가진행된다면수급균형방향성으로 DRAM업황변화예상

11 환경분석 2017 년환경분석 : 스마트폰성장둔화, 메모리탑재량및성능증가 2017 년환경분석 테크방향 주요내용 스마트폰탑재량증가 모바일 DRAM 탑재량 21.GB 2.5GB LPDDR4 LPDDR4X PC/Server 성능확대아키텍처변화 DDR4 속도변화 MHz PC DRAM 탑재량 5.5GB 5.9GB 데이터전송량확대 3D NAND /SSD 확대모바일 SSD인 UFS 본격화 자료 : NH 투자증권리서치센터 스마트폰탑재량증가 + PC 성능확대 ( 아키텍처변화 ) + 데이터전송량확대 (SSD/UFS) - 모바일 DRAM 탑재량 21.GB 2.5GB,LPDDR4 LPDDR4X - DDR4 속도변화 Mhz, PC DRAM 탑재량 5.5GB 5.9GB - 3D NAND SSD 확대. 모바일 SSD 인 UFS 본격화 11

12 환경분석 2017 년환경분석 : 모바일 DRAM LPDDR4 LPDDR4X 모바일 DRAM 진화예상 : LPDDR4 LPDR4X 모바일 DRAM 성능비교 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 모바일 DRAM 은 LPDDR4 에서저전력기능을보강한 LPDDR4X 로진화전망 - LPDDR4X 는 LPDDR4 대비전력소모가 18% 감소 - LPDDR4, LPDDR4X 이후 6Gbps 급인 LPDDR5 진행예상 12

13 PC 플랫폼변화 : Skylake(2015) Kaby Lake(2016) Intel Roadmap 변화 Kaby Lake: 14nm 공정사용 (Skylake 의연장선임 ) 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 PC향 Kaby Lake는 16년 3Q말출시예정이며 DDR 지원 - Intel Kaby Lake는 PC향플랫폼으로 Skylake 차기버전으로 DDR4 속도가 2133에서 2400으로증가 - Kaby Lake이후버전은 17년 Cannon Lake이며 10nm 공정적용전망 - 하반기 DDR4 수요확대전망 13

14 Server 플랫폼변화 : Haswell Broadwel(2016) Skylake(2017) Intel Server Roadmap Broadwel vs. Skylake 비교 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 서버는 Haswell 에서 Broadwell 로전환진행중 - Haswell 은 DDR 이나 1866 을지원하나 Broadwell 부터는 DDR 으로속도상향전망 - 하반기 DDR4 속도변화로공급변동성확대및테스터수요증가예상 14

15 환경분석 2017 년환경분석 : 3D NAND SSD SSD 확산방향 서버내 SSD 응용분야 자료 : IEEE, Flash Memory Summit, NH 투자증권리서치센터 자료 : Gartner, NH 투자증권리서치센터 SSD 확산은 PC 에서데이터센터, 궁극적으로는전통적인 Enterprise 향에도진행 - SSD 는 HDD 대비 14 배이상빠르고전기소모도 1/10 수준에해당 - 원가경쟁력을갖춘 3D NAND SSD 확대전망 15

16 환경분석 2017 년환경분석 : 3D NAND SSD NAND 가격강세로 17 년하락은둔화되나배수지속하락 SSD 가격트랜드 프리미엄배수 (SSD/HDD) SSD $/GB HDD $/GB 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 2017 년 SSD 가격은 HDD 대비 2.7 배로하락폭둔화전망 수요강세때문 - SSD 가격은 3D NAND 기술로매년 30% 씩하락이가능하나 SSD 수요강세로가격하락둔화전망 년이후에는 3D NAND 물량수급증가로 SSD 가격은 HDD 대비 1.9 배수준형성전망 16

17 환경분석 2017 년환경분석 : 3D NAND SSD 인터페이스간속도비교 SSD 컨트롤러블록다이어그램 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 2017 년 SSD 가격은 HDD 대비 2.7 배로하락폭둔화전망 수요강세때문 - SSD 가격은 3D NAND 기술로매년 30% 씩하락이가능하나 SSD 수요강세로가격하락둔화전망 년이후에는 3D NAND 물량수급증가로 SSD 가격은 HDD 대비 1.9 배수준형성전망 17

18 환경분석 2017 년환경분석 : 3D NAND SSD 메모리 SSD vs속도 HDD 별세그먼트가격트랜드 자료 : NH 투자증권리서치센터 메모리는속도별로 L1, L2, L3, DRAM, NAND, HDD로구분 - L1, L2, L3는 CPU내존재하며 DRAM이그이후속도를담당 - 즉 CPU속도보다메모리속도가중요 18

19 환경분석 2017 년환경분석 : 모바일 SSD UFS(Universal Flash Solution) UFS 는모바일 SSD UFS = emmc + SSD 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 NAND 시장내또하나의변화는 UFS(Universial Flash Solution) - UFS 는 emmc 와 SSD 를합친개념으로저전력으로모바일향 NAND 에적합. 기존 SD 카드대비 6 배 ( 읽기 ) 빠름. 보급형 SSD 보다도 2 배빠른속도임 - 삼성전자는앞서내놓은 256GB Evo microsd 카드가 UHS 스피드클래스 3 (U3) 의속도를보장했다면새로운 UFS 카드는최대 530MB/s 의순차읽기속도와 170MB/s 의순차읽기속도를지원 - 참고로랜덤 4K 읽기속도는 40,000IOPS, 쓰기속도는 35,000IOPS 로기존의 microsd 카드와비교도되지않을만큼빠른제품 19

20 환경분석 2017 년환경분석 : 모바일 SSD UFS(Universal Flash Solution) UFS 주요사양 UFS vs. emmc 성능비교 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 NAND 시장내또하나의변화는 UFS(Universial Flash Solution) - UFS 는 emmc 와 SSD 를합친개념으로저전력으로모바일향 NAND 에적합. 기존 SD 카드대비 6 배 ( 읽기 ) 빠름. 보급형 SSD 보다도 2 배빠른속도임 - 삼성전자는앞서내놓은 256GB Evo microsd 카드가 UHS 스피드클래스 3 (U3) 의속도를보장했다면새로운 UFS 카드는최대 530MB/s 의순차읽기속도와 170MB/s 의순차읽기속도를지원 - 참고로랜덤 4K 읽기속도는 40,000IOPS, 쓰기속도는 35,000IOPS 로기존의 microsd 카드와비교도되지않을만큼빠른제품 20

21 환경분석 2017 년환경분석 : 모바일 SSD UFS(Universal Flash Solution) UFS 구조 : Serial Interface emmc 구조 : Parallel Interface 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 UFS는 emmc(parallel Interface) 와달리 Serial Interface로작동 - emmc는 Parallel Interface여서도로에많은자동차가있는구조로속도에제한 - 반면 UFS는고속철도처럼한번에많은데이터를빠르게전송하는방식 - 따라서 Read( 읽기 ) 속도가독보적이나, Write( 쓰기 ) 는속도제한이있음 21

22 환경분석 2017 년환경분석 : 모바일 SSD UFS(Universal Flash Solution) UFS 특징 삼성전자 UFS 제품 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 UFS 는 3D NAND 기술을활용하여고용량고스피드구현가능 - UFS 초기제품은 2D NAND 이지만향후 3D NAND 를채용하여고용량구현예상 - 현재 256GB UFS 가출시되었으며 3D NAND 도입으로향후 1TB 의용량을넘어설전망 22

23 시사점 시사점 : DRAM 변화 (DDR4/LPDDR4x) + 3D NAND SSD + 테스트공정 2017 년 Key Factors Key Factor 시사점 DRAM 제품변화 (DDR4/LPDDR4X) 모듈의컴포넌트화 + DDR4 속도변화 + 중저가폰의 PoP 확대 SSD 및 UFS 확대 3D NAND SSD 본격화 테스트 DDR4 속도변화로 DDR4 테스트공정확대 SSD Test 공정수요증가전망 자료 : NH 투자증권리서치센터 DRAM제품변화 + 3D NAND SSD + 테스트기술확대 - 모듈의컴포넌트화 + DDR4 속도변화 + 중저가폰의 PoP 확대 - SSD 및 UFS확대로 3D NAND본격화. - DDR4 속도변화로 DDR4 테스트공정확대. SSD Test 공정수요증가전망 23

24 시사점 시사점 1. DRAM 변화 (DDR4/LPDDR4x) DDR4 속도다양화 DDR3 가격트렌드 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 DDR4 속도변화 ( ) 로제품다양성확대. DDR3는롱테일화가능성 - DDR4속도는 2133에서 2400으로변화중. 향후 2466, 3200으로도확대전망 - 한편 DDR3는 PC향뿐아니라 TV, 셋업박스등컨수머향응용처에서레거시제품으로수요가지속되면서안정적가격형성예상 24

25 시사점 시사점 1. DRAM 변화 (DDR4/LPDDR4x) 단품제품증가현상도발생 LPDDR4X 는기존 LPDDR4 대비 18% 전력소비를낮춤 자료 :Micron, NH 투자증권리서치센터 자료 : MIcron, NH 투자증권리서치센터 모바일은중저가폰의 PoP 확대로모바일 DRAM 단품증가 - 현재하이엔드제품은모바일 DRAM단품이 PoP 형태로 AP와합쳐져있고, - 중저가스마트폰의경우 emcp( 모바일 DRAM + NAND) 와 AP가따로떨어져있는상황 - 하지만최근중저가폰제품에서도 LPDDR4 수요가증가하면서단품수요증가추세 25

26 시사점 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND SSD 본격화 SSD 수요전망 : CAGR 74% 성장 SSD 평균용량 80,000 70,000 60,000 50,000 40,000 (Mpcs, GB eq.) Others Enterprise Storage Enterprise Server Desktop Notebook CAGR 74% ($) Average Capacity (GB) , ,000 10, 자료 : NH 투자증권리서치센터 자료 : NH 투자증권리서치센터 SSD는 CAGR(2011 ~ 2017) 74% 성장중이며 2017년 SSD 평균용량은 236GB에달할전망 - SSD 증가는 HDD를대체할때까지메크로경기와관계없이지속될전망 - 메모리카드의경우 UFS기술로 SSD에준한성능의제품들이출시될전망. 단아직 UFS를채택한제품이없기때문에 2017년갤럭시S8이후제품채택기대 26

27 시사점 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND SSD 본격화 3D NAND vs. 2D NAND 성능비교 2017 년중반이후 3D NAND 비중 50% 예상 자료 :SK 하이닉스, NH 투자증권리서치센터 자료 : Western Digital, NH 투자증권리서치센터 Western Digital에의하면 2017년중반이후 3D NAND비중 50% 예상 - HDD업체인 Western Digital은 Flash Memory Summit 2017에서 3D NAND비중이 2017년중반이후 50% 에달할것으로발표 - 3D NAND의성능은 3D NAND TLC가 2D NAND MLC와유사하거나우수하기때문에가격하락요소가높은기술 - Google의경우 QLC( Quadruple Level Cell) 3D NAND 제품을활용한 SSD제품활용의향도있는상황 27

28 3D NAND 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND SSD 본격화 3D NAND 방향 현재 향후방향 Stack 48 단 Stack 64 단 3D NAND 아파트구조 주상복합구조 (Cell on Peri) 1개업체 6개업체 자료 : NH 투자증권리서치센터 3D NAND 방향성 : 48단에서 64단으로증가 + 주상복합구조 (Cell on Peri) + 경쟁구도 1개 6개업체로확대 - 방향 1: 48단에서 64단으로증가 - 방향 2: 주상복합구조 (Cell on Peri) - 방향 3: 경쟁구도확대 (1개 6개업체 ) 28

29 3D NAND 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 2016 년은 48 단에서 64 단으로증가전망 3D NAND 방향성 140 # of 3D NAND Stacks 자료 : 업계, NH 투자증권리서치센터 자료 : 삼성전자, NH 투자증권리서치센터 방향 1: 3D NAND Stack 수증가 (48 64 단 ) - 3D NAND 기술은 2016 년하반기 64 단으로변화전망 - 64 단은기술난이도가지속증가예상 년은 80 단에서 96 단으로확대되거나 Cell on Peri 를병행사용전망 29

30 3D NAND 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 3D NAND 프로세스 3D NAND: 48 단 64 단 Stack 증가 48 단에서 64 단으로확대 더빠르고균일한증착기술필요 Nitride 식각방식변화 단수증가로 Nitride 식각난이도증가 WET Dry Etch 기술도입 Staircase Stack 증가로계단패터닝증가 KrF 패터닝확대 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 방향 1: 3D NAND Stack 수증가 (48 64 단 ) - 3D NAND 는 64 단으로고단화되면서아파트처럼고층화전망 - 고층화되면서 Nitride 식각이어려워지면서기존 Wet Etching 에서 Dry Etching 방식검토필요 30

31 3D NAND 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 3D NAND 프로세스 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 31

32 3D NAND 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 아파트 ( 아파트와상가가별도공간차지 ) 주상복합아파트 ( 상가가아파트아래있음 ) 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 방향2 : Cell on Peri 아파트구조에서주상복합으로변화 년이후 3D NAND의큰변화는 Cell on Peri 또는 Peri under Cell 임 - Cell on Peri 구조는기존 Peri 구조를먼저형성하고그위에 Cell을얹는구조임 - 과거에는 Cell과 Peri를별도의공간에형성하여공간을많이차지하였으나 Cell on Peri 도입시주상복합아파트처럼공간을줄일수있는장점을갖고있음 32

33 3D NAND 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 Cell on Peri 구조 기존 3D NAND 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 방향2 : Cell on Peri 아파트구조에서주상복합으로변화 년이후 3D NAND의큰변화는 Cell on Peri 또는 Peri under Cell 임 - Cell on Peri 구조는기존 Peri 구조를먼저형성하고그위에 Cell을얹는구조임 - 과거에는 Cell과 Peri를별도의공간에형성하여공간을많이차지하였으나 Cell on Peri 도입시주상복합아파트처럼공간을줄일수있는장점을갖고있음 33

34 3D NAND 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 틱톡전략구사가능 ( 스텍수증가 + Cell on Peri) 3D NAND 원가방향 Cost 2DNAND 3DNAND 3DNAND + Cell on Peri 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 방향 2 : Cell on Peri 아파트구조에서주상복합으로변화 - Cell on Peri 기술은마이크론이먼저도입검토중이며향후 3D NAND 원가개선에기여할전망 - 다른 NAND 업체들도해당기술도입예상 34

35 3D NAND 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 3D NAND 플레이어수증가 2016 년하반기 3D NAND 진행방향 24,32, 48 단 64 단 64단 + Cell on Peri(?) 64단 + Cell on Peri(?) 36단 48단 36단 48단 /64단(FG) + Cell on Peri 36단 48단 /64단(FG) + Cell on Peri 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 방향3 : 3D NAND 경쟁본격화로 1개업체에서 6개업체로확대 - 업체간 3D NAND기술상이성으로치열한경쟁전망 - 삼성전자 : 24, 32, 48단을거쳐 64단도입전망 - 도시바 / 샌디스크 : 16년연말 48단을거치지않고바로 64단에 Cell on Peri도도입전망 - SK하이닉스 : 36단이후 48단도입전망 - 마이크론 / 인텔 : 48 단시험생산후프로팅게이트방식의 64 단에 Cell on Peri 도입전망 35

36 3D NAND 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 3D NAND 로드맵 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 36

37 3D NAND 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 삼성전자, 3D NAND 구조 삼성전자, 3D NAND 방식 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 방향3 : 3D NAND 경쟁본격화로 1개업체에서 6개업체로확대삼성전자, 2016년하반기 48단에서 64단으로제품양산전망 CTF + Gate Last 방식 - 삼성전자는 24, 32, 48단의양산경험을기반으로 64단도입하여원가경쟁력강화전망 - 3D NAND 캐파는 11만장까지올라가면서전체 NAND 매출비중의 40% 에육박할것으로예상됨 37

38 기술방향 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 삼성전자평택부지 삼성전자, 평택공사현장 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 방향3 : 3D NAND 경쟁본격화로 1개업체에서 6개업체로확대삼성전자, 2017년상반기 3D NAND 평택추진전망 - 삼성전자평택사업장은총 120만평으로세계최대규모의생산라인설립전망 년상반기생산라인1기가동을목표로하고있으며가장먼저공사가이뤄지는곳은평택라인은총 87.5만평 - 이는삼성전자화성사업장 (48만평) 의두배이며기흥-화성을합친규모에해당 38

39 기술방향 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 도시바 3D NAND 도시바 3DNAND: P-BiCS 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 방향3 : 3D NAND 경쟁본격화로 1개업체에서 6개업체로확대도시바 3D NAND는 P-BiCS 방식사용 삼성전자와유사한방식 (CTF) - 도시바도삼성전자와같은공법으로 (CTF) 제품을개발하고있으며 Pipe 방식으로연결되는구조임 - 도시바는공장을신설하기위해 3천600억엔 ( 약 3조8천억원 ) 을투자할계획이라고발표. 샌디스크와동일금액투자시약 8조원수준투자예상 39

40 기술방향 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 도시바 3D NAND 프로세스 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 방향 3 : 3D NAND 경쟁본격화로 1 개업체에서 6 개업체로확대 도시바는당초 48 단에서 64 단으로 3D NAND 를개발중 - 도시바는삼성전자와의경쟁을위해 Cell on Peri 기술도함께도입진행중 40

41 기술방향 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 마이크론 3D NAND 구조 - Floating Gate 마이크론 / 인텔로드맵 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 방향3 : 3D NAND 경쟁본격화로 1개업체에서 6개업체로확대마이크론은 Floating Gate 방식을사용하고추가로 Cell on Peri 방식을도입 - 마이크론 / 인텔은삼성전자 / 도시바 / 샌디스크 /SK하이닉스와달리 Floating Gate를사용 - Cell on Peri 기술을도입하여주상복합아파트구조 (Peri를형성하고 Cell을쌓는방식 ) 을채택 - 마이크론은당초 48단을진행할계획이었으나 64단으로단계를올리는것을검토중에있음 41

42 기술방향 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 마이크론 3D NAND 공정프로세스 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 42

43 기술방향 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 SK 하이닉스 3D NAND SK 하이닉스 NAND 로드맵 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 자료 : 언론, NH 투자증권리서치센터 SK 하이닉스 3D NAND 는삼성전자와유사하나 Control Gate 로다른물질사용 - SK 하이닉스의 3D NAND 는삼성전자와같이 CTF 방식을채택 - SK 하이닉스는 36 단공정개발을완료하고 48 단도입추진중 43

44 시사점 시사점 2. SSD 및 UFS 확대 3D NAND 본격화 3D NAND 방향 기술방향 주요변화 주요내용 3D NAND: 48 단 64 단 Stack 증가 PECVD/ALD 공정중요. 스텝확대 H2O2 증가 Nitride 식각방식변화 WET Dry Etch 도입 WET Dry Etch 도입. 클리닝확대 H2O2 증가 H2O2 사용증가 Cell on Peri 주상복합구조공정확대 경쟁구도 업체간투자확대 1개 6개업체투자확대 자료 : NH 투자증권리서치센터 48 단 64 단으로 PECVD/ALD 및클리닝 (H2O2) 공정확대 Nitride 시각방식변화및업체간투자확대 Cell on Peri 방식 44

45 시사점 시사점 3. 테스트공정확대 테스트공정 Flow Test 시장전망 5000 (M$) Test(ATE) 시장규모 4500 Automated Test Equipment Revenue 4000 Wafer Level Packaging & Assembly Equpment , ,520 1,825 2,039 2,482 2,218 2, 자료 : Teradyne, NH 투자증권리서치센터 자료 : NH 투자증권리서치센터 테스트시장은 2016년 22억불에서 2017년 30억불시장성장전망 - SSD는 16TB, 32TB등고용량화로테스트공정시간이길어지고있음. 16TB의경우 2 ~4일걸릴정도임 - 또한 SSD 속도, 즉 SATA, SAS, NVMexpress 등제품속도별로다양한제품출시필요 - DDR4도 2133, 2400등속도변화로테스트공정확대예상 45

46 시사점 시사점 3. 테스트공정확대 SSD 테스트공정 Flow 테스트개념도 자료 : Teradyne, NH 투자증권리서치센터 자료 : NH 투자증권리서치센터 SSD 및 DDR4속도변화로테스트공정확대전망 - SSD는 16TB, 32TB등고용량화로테스트공정시간이길어지고있음. 16TB의경우 2 ~4일걸릴정도임 - 또한 SSD 속도, 즉 SATA, SAS, PCIexpress 등제품속도별로다양한제품출시필요 - DDR4도 2133, 2400, 2666 등속도변화로테스트공정확대예상 46

47 시사점 시사점 3. 테스트공정확대 테스트공정프로세스 자료 :Gartner, NH 투자증권리서치센터 테스트는크게전공정테스트와후공정테스트로구분 - 전공정테스트는웨이퍼레벨테스트와번인테스트로진행 - 후공정테스트는커포넌트 ( 단품 ) 테스트와번인테스트로나뉨 47

48 시사점 시사점 3. 테스트공정확대 SSD 테스트방식 자료 : TechInsights.com, NH 투자증권리서치센터 SSD 테스트는모듈테스트가진행되며 SATA/PCIexpress 등인터페이스분석과 NAND cell 테스트가진행 48

49 2017년수급분석 2017 년수급 : DRAM 수요 주요응용처수요전망 주요응용처탑재량전망 (M s e t) 1,600 1,400 1,200 1, % YoY % Server PCs Media Tablets 3.0% 1, % Smartphone TV 0.9% 229 6% 5% 4% 3% 2% 1% 0% -1% -2% -3% -4% -5% (G B/S y s ) YoY % 19.8% % 15.0% % Server PCs Media Tablets Smartphone TV 25.0% 20.0% 15.0% 10.0% 5.0% 0.0% 자료 : Gartner, DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : Gartner, DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 2017 년세트수요증가는미미. 탑재량은지속증가 년세트수요증가는미미. 탑재량은지속증가 - GB/Sys 는서버 +22%, 스마트폰은 +20% 성장전망반면. 반면 PC 는 7% 수준예상 49

50 2017년수급분석 2017 년수급 : DRAM 수요 2017 년수요전망응용처별수요비중전망 (Mpcs 1Gb eq.) Mobile PC Server Etc 100,000 86,705 90, % 80,000 12,953 70,000 12,007 60,000 24,549 11,268 50,000 19,114 10,929 10,843 40,000 14,084 7,406 10,509 30,000 10,568 8,176 10,604 6,136 20,000 6,413 4,746 12,108 38,361 3,340 11,185 31,036 10,000 11,331 22,795 9,983 2,909 5,697 10,461 15, % 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% Mobile PC Server Etc 25% 21% 20% 22% 19% 17% 15% 13% 18% 22% 17% 22% 24% 26% 28% 32% 18% 14% 13% 11% 41% 30% 25% 44% 39% 43% 44% 45% 28% 31% 20% 13% 자료 : Gartner, DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : Gartner, DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 2017 년수요는 867 억개로 19.3% 성장전망 년 DRAM 수요는서버및모바일 DRAM 수요증가로 19.37% y-y 증가한 867 억개전망 - 서버 DRAM 비중은 2011 년 17% 에서, 2017 년 28%, 2018 년 32% 로증가예상 50

51 2017년수급분석 2017 년수급 : DRAM 공급 CAPA 변동 업체별 CAPA 변동 1,200 1,150 1,100 1,050 1, ( 천매 // 월 ) 1,109 1,088 최근 4 년 -84K 매 / 월, YoY -20K 매감소 1,049 1, WW CAPA 15 WW CAPA 16 WW CAPA 17 WW CAPA (KW/Mon) sheets/mont CAPA 2017 CAPA Chg SEC SK Hynix Micron Taiwan 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 2017년 DRAM CAPA는 2만장축소전망. 14년이후지속축소중 년신규 CAPA 변화는 SK하이닉스 M14에서진행예상. M14는 4만장이추가될전망이지만 M10 장비이설등으로 SK하이닉스전체 CAPA는큰변화없을전망 - 삼성전자는 17L 추가 2만장투자가예상되나추가하더라도 CAPA Loss로인해 -17K매/ 월수준의 CAPA 축소예상. 또한업황변화시추가 CAPA가발생안할수도있는상황 - 마이크론은추가 CAPA 증설없을전망. 공정전환에집중예상 51

52 2017년수급분석 2017 년수급 : DRAM 공급 WW DRAM CAPA 현황 52

53 2017년수급분석 2017 년수급 : DRAM 공급 2017 년공급전망 2017 년공정비중변화 90,000 80,000 70,000 (Mpcs,1Gb) eq,) YoY 85,690 72,887 90% 70% 00% 90% 80% 4xnm 3xnm 2xnm 2ynm 2znm 1xnm 60,000 50% 70% 50,000 40,000 30,000 20,000 10, % 20.1% 18.7% 7.1% 17.6% 30% 10% -10% -30% 60% 50% 40% 30% 20% 0-50% 10% SEC SK Hynix Micron Nanya WW Total 0% 1Q14F 3Q14F 1Q15 3Q15 1Q16 3Q16 1Q17 3Q17 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 2017년 DRAM 공급증가는 17.6% 예상 년 DRAM 공급은 757억개로 23.8% 성장예상. 삼성전자 17%, SK하이닉스 20%, 마이크론 19% 전망 - 일반적으로공정전환에따른 Bit Growth는통상 30% 수준이나, 공정전환어려움및이에따른자연 Capa loss로인해 20% 대이하로하락 53

54 2017년수급분석 2017 년수급 : DRAM 수급전망 2017 년수급전망 (- 공급부족, + 공급초과 ) (1Gb eq., Mpcs) 24,000 공급 수요 DRAM 수급 19, % 2.8% 14, % 0.9% 1.4% 1.1% 0.2% 0.3% 0.2% -1.0% -0.7% -0.6% -1.7% -1.7% 9, % 4, % -1,000 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E2Q15F3Q15F4Q15F1Q16E2Q16F3Q16F4Q16F 1Q17 2Q17 3Q17 4Q17 10% 8% 6% 4% 2% 0% -2% -4% -6% -8% -10% 자료 :DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 2017 년 DRAM 수급은연간 -1.2% 공급부족전망 - 상반기는 Tier2 업체들의공정전환으로소폭공급과잉, 하반기는공급부족전망 54

55 2017년수급분석 2017 년수급 : DRAM 가격전망 2017 년공급전망 2017 년공정비중변화 ($) DRAM ASP 10% 5% 0% 8.7% DRAM ASP YoY 0.6% % -10% -15% -9.8% E 2016E 2017 자료 : DRAMeXchange, NH투자증권리서치센터 -20% -19.8% -25% -30% -31.2% -35% -36.2% -40% E 2016E 2017 자료 : DRAMeXchange, NH투자증권리서치센터 2017 년연간전체 DRAM 가격하락율은 -9.8% 로하락폭둔화전망 년은 DDR4 의 Speed 다양화와 LPDDR4X 로출시로복잡한제품 Mix 전개예상 - 즉, PC/ 서버디램내다양한속도의 DDR4 제품출시와모바일 DRAM 에서는 LPDDR4 와 LPDDR4X 확대전망 55

56 2017년수급분석 2017 년수급 : NAND 수요 주요응용처수요전망 주요응용처탑재량전망 (Mset) 1, YoY 25% (G B/S y s ) Y oy 1,400 1,200 21% 20% % 40% 1, % 15% % % 5% 4% 10% 5% SS D 9% 3% Flash Card M edia Table t(premium) Smartphone (Premium) LCD TV 0 SSD Flash Card Tablet Smartphone LCD TV 0% 자료 : Gartner, DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : Gartner, DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 2017년 NAND 수요는 SSD가견인전망. Flash Card는 2016년역성장에서 2017년 +4% 성장전망 - 세트수요중 SSD는 2017년 21% 성장하며수요견인전망. 스마트폰수요는 5% 성장전망. 반면 Flash Card는 4% 성장예상 - GB/Sys는 SSD 32%, 스마트폰은 40% 성장예상 56

57 2017년수급분석 2017 년수급 : NAND 수요 2017 년수요전망응용처별수요비중전망 200, , ,000 80,000 40,000 0 (Mpcs, 8Gb eq.) 169,869 YoY +40.5% 31,730 46,692 26,652 6,242 31,991 15,062 17,377 4,869 25,651 13,256 3,462 70,143 9,137 44,166 23, ETC Smartphone Media Tablet Flash Card SSD 100% 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0% 22% 22% 19% 32% 26% 27% 4% 4% 4% 9% 11% 12% 30% 37% 41% ETC Smartphone Media Tablet Flash Card SSD 자료 : Gartner, DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : Gartner, DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 2017 년 NAND 수요는 1699 억개로 YoY 40.5% 성장전망 년에도 SSD 가 NAND 수요의주력으로성장전망. SSD 비중은 16 년 37% 에서 17 년 41% 로확대전망 - 반면 Flash Card 는비중이 2015 년 11% 에서 9% 로축소전망 57

58 2017년수급분석 2017 년수급 : NAND 공급 CAPA 변동 업체별 CAPA 변동 ( 천매 / 월 ) 1,600 1,500 1,400 1,300 1,200 1,100 1, 최근 4년 +500K매 / 월, YoY 183K매증가 1,539 1,356 1,249 1, ( 천매 / 월 ) CAPA 2017 CAPA Chg SEC SK Hynix Toshiba/SanDisk Micron 11 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 NAND CAPA 는 3D NAND 기술변화에따른업체간경쟁으로 18 만매이상증가예상 - NAND CAPA 는 2D NAND 보다는 3D NAND 중심으로증가전망 - 또한 3D NAND 가회사별로서로다른기술을사용하고있어서회사간물량변동폭이클것으로예상됨 58

59 2017년수급분석 2017 년수급 : NAND 공급 2017 년공급전망 2017 년공정비중변화 (Mpcs,8Gb eq,) 200, , % YoY 30.6% 32.5% 30.6% 35.2% 165,594 50% 40% 30% 100% 90% 80% 70% 60% 6x nm 5x nm 4x nm 3x nm 2x nm 1x nm 3D NAND 100,000 50% 65,611 57,270 20% 40% 50,000 21,459 21,253 10% 30% 20% 0 Samsung SK Hynix Toshiba/ SanDisk IM Flash WW Total 0% 10% 0% 1Q10 3Q10 1Q11 3Q11 1Q12 3Q12E 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15E 1Q16F 3Q16F 1Q17E 3Q17E 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 2017 년 NAND 공급은 35.2% 성장전망 - 삼성전자 41%, SK 하이닉스 31%, 도시바 33%, 마이크론 31% 전망 - NAND 기술은 2017 년 3D NAND 본격화전망 59

60 2017년수급분석 2017 년수급 : NAND 공급 60

61 2017년수급분석 2017 년수급 : NAND 수급전망 2017 년수급전망 ( 부호표시 : - 공급부족, + 공급초과 ) (Mpcs,8Gb eq,) 50,000 40,000 Supply Demand Supply/Demand 5.4% 15.0% 10.0% 30,000 20, % 1.5% -0.7% 0.2% 2.2% -0.6% -0.6% -0.6% -1.1% -3.5% 5.0% 0.0% -4.3% -5.0% 10, % 0 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16 1Q17E 2Q17E 3Q17E 4Q17E -15.0% 자료 :DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 2017 년 NAND 수급은 -2.5% 공급부족전망 - 상반기, 하반기모두공급부족예상 61

62 2017년수급분석 2017 년수급 : NAND 가격전망 2017 년가격전망 2017 년가격변화율 ($) 1 NAND ASP NAND ASP YoY % 5% 0% -5% -10% -15% -20% -25% -30% -35% -40% -6.8% -9.9% -29.2% -33.0% -35.2% -38.5% 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 자료 : DRAMeXchange, NH 투자증권리서치센터 NAND 가격은 2017 년 -9.9% 가격하락율기록전망 - 연간평균가격은 1GB(8Gb) 기준 2016 년 0.23 달러에서 0.21 달러로하락예상 - 가격하락율은 -9.9% 수준예상 62

63 결론 2017 년은 DRAM 제품다양화 + SSD 확대. 수급은 DRAM/NAND 공급부족전망 2017 년업황전망 Key Factor 2017년방향 DRAM 제품다양화 DDR4 속도다변화 (2133/2400), LPDDR4X 3D NAND SSD 확대 엔터프라이즈 SSD 및모바일 3D NAND SSD 본격화 수급 DRAM/ NAND 연간공급부족전망 (DRAM - 1.2%, NAND - 2.5%) 자료 : NH 투자증권리서치센터 DRAM 다양화 (DDR4/LPDDR4X) + 3D NAND SSD + 테스트공정확대, DRAM/NAND공급부족전망 - DRAM 제품다양화 : DDR4 속도다변화 + LPDDR4X - 3D NAND SSD 확대 - 수급은 DRAM/NAND 공급부족전망 63

64 감사합니다 64