I. 17 년동향 높은수요성장세에기반하여사상최대호황기진입 수요 Bit Growth 및판가상승세에힘입어업계수익성큰폭으로제고 17 년사상최대 호황기 17 년글로벌메모리반도체시장은사상최대호황기를누렸다. 연초전망대비우호적인수 급환경이조성되면서업계전반적으로높은외형성장세와함께큰폭

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반도체산업 1 년 6 개월만에 DRAM 고정가첫상승 Industry Note 월 PC DRAM 고정가는 4GB DDR3 모듈기준 달러로 6 월대비 6% 상승하며 18 개월만에처음으로상승. PC DRAM 현물가강세로고정 가도강세전망. 삼

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NAND 수요전망 217 년 NAND 수요는 SSD 가견인할전망 217년 NAND 산업방향성은 3D NAND SSD이다. 수요측면부터살펴보면 217 년주요응용처인 SSD는 21% 성장예상된다. 한편 SD Card 등 Flash Card는수요성장률 로소폭성장할전망이다.

메모리반도체 호황과 도시바 반도체 매각이 SK하이닉스의 신용도에 미치는 영향

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평정논거 (Key Rating Rationale) 계열기반의수요안정성, 다각화된제품포트폴리오등사업안정성이매우우수하다. 삼성전자및삼성디스플레이에부품소재를제공함으로써수직계열화를구축하고있 다. 전방계열사들이글로벌수위권의지배력을보유하고있는점은동사의수주기반 을강화하는요인이다.

I 년동향 패널의대형화추세및 Fab 구조조정에의한공급완화로양호한수급환경조성 패널가격이 상고하저 의흐름을보이고있으며, 특히상반기판가상승에힘입어업계 수익성큰폭으로개선 수요정체에도, 공급완화에기반하여 양호한수급환경조성 연초전망한바와같이수요정체에도불구하고, 국내업체

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Summary 반도체 : 모바일이수요끌고간다 반도체는 IT세트의수요둔화속에도대당탑재량이증가중에있어성장성유지가능 DRAM은모바일과서버, NAND는모바일과 SSD가수요의핵심 Top pick은삼성전자 : DRAM과 NAND에서공히경쟁력을확보해차별화된수익성시현가능 25% 2%

KCBR-200*-A*****호

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Industry Brief 반도체산업 3D NAND 투자가앞당겨진다 Analyst 박유악 ( ) Overweight Meritz s Top Picks 삼성전자 BUY TP 1,500,000 원 SK 하이닉스 BUY TP 42,000 원

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평정논거 (Key Rating Rationale) 원가경쟁력을바탕으로높은가동률을유지하고있어매우우수한사업안정성을확 보하고있다. 동사는집단에너지사업법에근거하여군장산업단지내다수의수요처에 생산한증기를독점적으로공급하고있으며, 생산된전력을전력거래소 (KPX) 에전량 판매하고있다.

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218 년반도체 CAPEX 삼성전자 23 조원, SK 하이닉스 17 조원예상 219 년메모리 CAPEX 둔화될전망. 18 년대비 18% 감소예상 서버용 DRAM 수요강세지속으로올해삼성전자와 SK 하이닉스의반도체 CAPEX 는각각 23 조원, 17 조원규모로예상한다. 삼

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Company Note SK 하이닉스 (000660) BUY / TP 105,000 원 Analyst 노근창 02) 내년상반기까지강세이어질전망 현재주가 (9/21) 상승여력 83,100 원 26.35%

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Figure 1 분기추정치변경 (K-IFRS 연결기준 ) ( 십억원, %, ppt) 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15E YoY(%) QoQ(%) 기존추정 차이 (%) 컨센서스 차이 (%) 매출액 3,923 4,312 5,148 4,818 4,639

본보고서에있는내용을인용또는전재하시기위해서는본연구원의허락을얻어야하며, 보고서내용에대한문의는아래와같이하여주시기바랍니다. 총 괄 경제연구실 : : 주 원이사대우 ( , 홍준표연구위원 ( ,

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전방산업 수주 구성 변화 11년 들어 가스, 발전, 화학 해외수주 늘어나고 있어 밸브, 피팅업체 실적 개선 기대 국내 업체들의 해외건설수주실적은 지난해 하반기부터 가스, 발전, 화학시설에 대한 비중이 꾸준히 늘어나고 있다. 피팅, 밸브 업체로서는 Stainless 소재

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2007

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KCBR-200*-A*****호

( 수출현황 ) 품목별실적및특징 반도체 수요 서버및스마트폰등 증가지속등 으로 개월연속 억불대기록및 개월연속수출증가세 디스플레이 액정표시장치 패널경쟁심화속에서 유기발광다이오드 패널수요확대에힘입어 개월만에증가전환 휴대폰 프리미엄스마트폰수출호조등으로 개월 연속수출증가 컴퓨터

LIG Company Analysis 216/4/12 PC 향 DRAM 재고소진이예상되는 2 분기까지실적부진전망 1Q16 영업이익 5,162억원 (-47.8%QoQ) 추정 작년하반기부터지속된 PC 수요부진으로재고소진미흡및가격하락의악순환이 1Q16까지지속되었다. 2y n

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INDUSTRY REPORT KB RESEARCH 제약 / 바이오 미국 11 월바이오시밀러처방데이터 제약 / 바이오 Analyst 이태영 년 12 월 19 일 Remicade ( 오리지널 ) J&J WAC 기

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Transcription:

17. 12. 12. 18 년산업전망반도체 배영찬평가 1 실평가전문위원 02.368.5636 ycbae@korearatings.com 엄정원평가 1 실선임연구원 02.368.5450 jweom@korearatings.com 사업환경우호적, 실적방향유지, 등급전망긍정적 17 년메모리반도체시장은사상최대호황기를누렸다. 과점화된경쟁구도하에수요성장세가기대치를크게 상회하면서우호적인수급환경이조성되었다. DRAM, NAND 공히판가상승세가나타나면서메모리반도체업계는 높은외형성장과함께큰폭의수익성개선을시현하였다. 반도체산업의사업환경은 18년에도우호적일것으로전망하며, 업계전반의영업실적은올해수준을유지할것으로예상한다. 업계전반의공격적인설비투자로공급이증가하면서판가하방압력이상승할것이다. 그러나모바일및서버용반도체를중심으로수요 Bit Growth가지속되면서양호한수급환경을지지할것으로전망된다. DRAM 업계는안정적인수요기반과제고된원가효율성을바탕으로높은수익창출력을유지할것으로전망된다. 반면 NAND 업계는기술경쟁이치열해지면서판가하락폭이 DRAM 대비크게나타날것으로전망된다. 업체별수익성은 3D NAND에서의경쟁력확보여부에따라차별화될것으로판단된다. 17 년 11 월 SK 하이닉스의무보증사채등급전망이긍정적 (Positive) 으로변경되었다. 이는 SK 하이닉스가주 력하는 DRAM 업계의우호적인수급환경이지속되고, 자체적으로제고된업황대응력및재무완충력이유지될 것으로전망되는점등을반영한것이다. 메모리반도체산업에속한업체들의 18 년등급전망은긍정적이며, 주요모니터링요인은 1 수급동향및 이에따른가격변화, 2 기술경쟁이치열해지는 NAND 시장의경쟁동향, 3 업황변동성에대비한충분한 재무완충력확보여부등이다. 반도체산업주요업체의실적과전망 조원 40 30 매출액 ( 좌 ) EBITDA마진 ( 우 ) 61% 59% 50% 49% 45% 80% 60% 40% % 0 14 15 16 17(E) 18(F) 0% 주 ) SK 하이닉스연결기준 자료 ) 감사보고서, 한국기업평가추정

I. 17 년동향 높은수요성장세에기반하여사상최대호황기진입 수요 Bit Growth 및판가상승세에힘입어업계수익성큰폭으로제고 17 년사상최대 호황기 17 년글로벌메모리반도체시장은사상최대호황기를누렸다. 연초전망대비우호적인수 급환경이조성되면서업계전반적으로높은외형성장세와함께큰폭의수익성개선을시현 하였다. 모바일, 서버용메모리반도체를중심으로수요성장세가가속화되었고, DRAM, NAND 공히공급부족현상이심화되면서가격이반등하였다. 하반기에도고성능메모리반도체를탑재한플래그십스마트폰이잇따라출시되면서타이트한수급환경이지속되고있다. 글로벌메모리반도체시장규모는전년대비약 57% 성장한 1,230억달러로추정되며, 주요메모리반도체업체는사상최대영업실적을기록하였다. [ 그림 1] 글로벌메모리반도체시장규모및 YoY 추이 bil$ 150 0 50 DRAM NAND YoY( 우 ) 80% 60% 40% % 0% -% 05 06 07 08 09 11 12 13 14 15 16 17E -40% 자료 ) 시장자료취합 [ 그림 2] DRAM( 좌 ) 및 NAND( 우 ) 수급추이 mil of 1GB equiv. unit mil of 1GB equiv. unit 30,000 수요공급공급 / 수요 ( 우 ) 1. 60,000 수요공급공급 / 수요 ( 우 ) 1. 25,000 1.15 50,000 1.15 1. 1.,000 1.05 40,000 1.05 15,000 1.00 30,000 1.00,000 0.95,000 0.95 0.90 0.90 5,000 0.85,000 0.85 0 Q1-14 Q1-15 Q1-16 Q1-17 0.80-1Q14 1Q15 1Q16 1Q17 0.80 주 ) 17 년 3 분기이후수치는업계전망치 자료 ) 시장자료취합 2

높은수요성장세가 호황기를지지하는 핵심요인 메모리반도체수요가예상을크게뛰어넘는증가세를보였다. 연초에는 PC시장침체와모바일기기의성장둔화등으로메모리반도체의수요성장세도둔화될것으로보였다. 그러나 IT기기전반의고사양화로기기당반도체탑재량이증가하고, 17년들어글로벌 PC 판매량감소세가완화되면서부진했던 PC용반도체수요가다소회복되었다. 또한 16년아이폰 6S 판매부진, 갤럭시노트7 발화이슈등으로이연되었던프리미엄급모바일수요가 17년에집중되면서모바일용반도체수요를견인하였다. 마지막으로글로벌경기회복으로기업의 IT투자가확대되면서고사양의서버용반도체수요가꾸준히증가하고있다. [ 그림 3] PC, 스마트폰및서버판매대수추이 ( 단위 : 백만대 ) -3.4% -0.2% PC YoY -0.6% -4.2% -6.3% 46.0% 41.7% 1,008 스마트폰 YoY 1,377 1,400 1,516 1,279 26.9% 17.6% 9.8.0.4 서버 12.0 11.3 9.1% YoY 12.7 712 5.8% 5.7% -8.2% 333 305 305 286 273 272 7.7% 1.7% 8.3% 2.2% 4.1% 12 13 14 15 16 17E 12 13 14 15 16 17E 12 13 14 15 16 17E 자료 ) 시장자료취합 DRAM, NAND 공히 가격상승 우호적인수급환경에힘입어메모리반도체가격이상승하였다. 16년하반기를기점으로 DRAM, NAND 가격공히반등세를보이기시작하였고, 17년에도유리한판가기조가이어졌다. 특히 DRAM의경우상대적으로안정화된경쟁구조, 고사양제품비중확대등으로가격상승폭이 NAND 대비크게나타났다. [ 그림 4] DRAM( 좌 ) 및 NAND( 우 ) ASP 추이 $1.8 $1.6 $1.4 $1.2 $1.0 $0.8 $0.6 $0.4 $0.2 $0.0 Q1-11 Q1-12 Q1-13 Q1-14 Q1-15 Q1-16 Q1-17 주 ) 1GB equivalent unit 기준자료 ) 시장자료취합 $1.6 $1.4 $1.2 $1.0 $0.8 $0.6 $0.4 $0.2 $- Q1-11 Q1-12 Q1-13 Q1-14 Q1-15 Q1-16 Q1-17 3

메모리반도체업계 사상최대영업실적 기록 메모리반도체업계는가격상승과판매증가의이중효과를누리며사상최대이익을창출하였다. 전방수요처가다각화되고, 기기당반도체탑재량이증가하면서 Bit Growth 성장세가이어지고있다. 또한과점화된경쟁구도하에업계전반이수요대응방식의유연한투자정책을통해공급량을조절하면서가격교섭력이제고되었다. 결과적으로업계전반이높은외형성장과함께사상최대수익성을시현하였다. DRAM업체의경우치킨게임이일단락된 13년이후수익성방어능력이개선되었다. 16년업황부진으로인한판가하락기조에서도개선된하방경직성을나타내며양호한수익성을시현한바있다. 17년들어우호적인수급환경에힘입어사상최고수준의수익성을기록하고있으며, 업계평균영업이익률이 50% 내외에달하고있다. NAND업체도수익성개선세가이어지면서약 30% 의평균영업이익률을나타냈다. 특히 3D NAND로의공정전환과정에서주도권을확보한삼성전자가경쟁사와격차를확대시키면서수위권의지배력을더욱공고히하였다. SK하이닉스및 Micron 등의중위권업체도 16년저조한수익성을기록한것과달리, 17년들어양호한수익성을시현하고있다. [ 그림 5] 업체별 DRAM( 좌 ) 및 NAND( 우 ) 사업영업이익률추이 60% 40% % 0% 1Q08 1Q09 1Q 1Q11 1Q12 1Q13 1Q14 1Q15 1Q16 1Q17 -% 40% % 0% 1Q08 1Q09 1Q 1Q11 1Q12 1Q13 1Q14 1Q15 1Q16 1Q17 -% -40% -40% -60% -80% Samsung SK Hynix Micron -60% -80% -0% Samsung Toshiba SK Hynix Micron 자료 ) 시장자료취합 4

II. 18 년사업환경과실적방향전망 반도체산업의 18년사업환경은우호적이며, 업계실적은전년수준유지될전망 업계의공격적인설비확장으로공급이확대되겠으나, 높은수요증가와전방산업다각화로수급여건이양호할전망 DRAM부문의높은수익창출력유지될것, NAND부문은 3D NAND에서의경쟁력확보여부에따라수익성차별화될전망 18 년반도체산업의 사업환경우호적 반도체산업의 18년사업환경전망은우호적이다. 최근업계전반적으로공격적인설비투자가이루어지고있어신규라인이본격적으로가동되는시점에판가하방압력이상승할것이다. 그러나모바일, 서버등을중심으로한수요성장세가이어지면서수급환경이양호할것으로예상한다. 서버를중심으로한수요성장은양호한수급환경을지지하는핵심요인 빅데이터환경하의안정적인수요기반을감안하면메모리반도체업계의수급환경이주로공급에좌우될것으로판단된다. PC시장에집중되어있던전방산업이스마트폰보급화, 데이터트래픽증가에따른서버수요확대등에힘입어다각화되는추세이다. 특히단가가높은서버용반도체수요는차세대메모리반도체시장의핵심성장축이될것으로예상된다. 향후 4차산업이활성화되면산업전반이빅데이터중심으로통합될것으로전망되고, IoT, 자율주행자동차, 인공지능등의분야로전방산업이다각화되면서수요기반의안정성이제고될것으로기대된다. 공격적인설비투자기조 이어질것 그러나업체별투자전략및미세공정기술력에의한공급변동성이수급여건에영향을미칠수있다. 17년메모리반도체업계가사상최대규모의영업실적을기록하면서주요업체는연초대비투자규모를상향조정하였다. 18년에도공격적인투자기조가이어질것으로파악된다. 공급탄력성이낮은산업의특성을감안하면신규라인의가동이본격화되는시점에공급이빠르게증가하면서판가하방압력으로작용할수있다. [ 그림 6] 글로벌메모리반도체업계 Capex 추이및전망 bil US$ 25 DRAM NAND 15 5 0 07 08 09 11 12 13 14 15 16 17E 18F 자료 ) 시장자료취합 5

DRAM 업계는 3사중심의과점화구도가안착되어있어수요에연동하는유연한투자정책을펼치고있다. 최근미세공정난이도상승으로 나노급으로의진전이지연되고있어생산량확대를위해서는라인증설이불가피한상황이다. 이러한가운데 16년보수적인투자에따른제한적인공급증가가 17년수요회복과맞물려판가상승을주도한바있다. 17~18년 DRAM 업계 Capex 규모가증가하면서판가하방압력으로작용할것이나, 공급증가율을상회하는수요증가율에기반하여양호한수급여건이이어질것으로전망된다. 반면 NAND 업계는공격적인설비투자가이루어지고있다. 17년 NAND부문 Capex 가 DRAM 부문을크게추월한것으로파악되고, 이러한투자기조가 18년까지이어질것으로전망된다. 또한 3D NAND부문의치열한적층경쟁, Intel 및중국업체의시장진입등을감안하면 NAND 업계의판가하방압력이 DRAM 대비높을것으로판단된다. 다만 SSD, 고용량모바일 NAND 등을중심으로한높은수요성장이판가하락폭을일정수준완화시킬것으로전망된다. [ 그림 7] DRAM 업계 Applicaion 별수요 ( 좌 ) 및업체별공급 ( 우 ) 추이및전망 bil of 1GB euqiv. unit 35 Others 30 Graphics Consumer 25 Server Mobile PC bil of 1GB euqiv. unit 35 Other Micron 30 SK Hynix Samsung 25 15 15 5 5 Q1-15 Q1-16 Q1-17 Q1-18 Q1-15 Q1-16 Q1-17 Q1-18 [ 그림 8] NAND 업계 Applicaion 별수요 ( 좌 ) 및업체별공급 ( 우 ) 추이및전망 bil of 1GB euqiv. unit 80 Others 70 Cloud/Enterprise Removable & Consumer 60 Compute Mobile 50 40 30 bil of 1GB euqiv. unit 80 Other 70 SK Hynix Micron 60 Toshiba Samsung 50 40 30 1Q15 1Q16 1Q17 1Q18 1Q15 1Q16 1Q17 1Q18 주 ) 17 년 3 분기이후수치는업계전망치 자료 ) 시장자료취합 6

반도체산업전반의 18년영업실적은전년수준을유지할것으로예상된다. 업계전반의공격적인설비확장으로공급이증가하면서판가하방압력이상승할것으로전망된다. 그러나안정적인수요성장세가지속되고, 꾸준한기술개발을통해원가효율성이제고되면서높은수익창출력이유지될것으로전망된다. DRAM부문의경우안정화된경쟁구도하에타이트한수급환경이이어지고, 서버용반도체를중심으로제품Mix가개선되면서높은수익성이유지될것으로전망된다. 또한 18년하반기이후 18나노제품으로의공정전환이점진적으로이루어지면서생산효율성이제고될것으로예상된다. DRAM업계전반의높은수익성은대규모 Capex부담을충당하는주력 Cash Cow로써, 차세대투자를위한자본확충에크게기여할것으로판단된다. NAND부문은안정적인수요 Bit Growth에기반하여양호한판매실적이이어질것으로예상된다. 그러나경쟁심화로인해 DRAM 대비판가하락폭이크게나타날것으로전망된다. 이에업체별수익성은 3D NAND제품에서의경쟁력에따라차별화될것으로예상된다. 삼성전자는우수한제품경쟁력을바탕으로확고한 1강체제를구축하고있어독보적인수익창출력이유지될것이다. 반면여타업체들은 3D NAND제품에서의경쟁우위및수주기반확보여부가수위권업체와의수익성격차를축소시키는데관건으로판단된다. [ 그림 9] 반도체산업주요업체의실적과전망 조원 40 30 매출액 ( 좌 ) EBITDA마진 ( 우 ) 61% 59% 50% 49% 45% 80% 60% 40% % 0 14 15 16 17(E) 18(F) 0% 주 ) SK 하이닉스연결기준 자료 ) 감사보고서, 한국기업평가추정 7

[ 예측정보관련유의사항 ] 본문내전망과관련된모든정보는평가시점에있어당사의합리적인분석방법과절차에의하여생성된예측정보이며, 이는분석대상업체의핵심지표관련당사의전망에기초한영업손익추정과분석대상업체가제시한사업계획등을근거로하고있습니다. 향후핵심지표의변화폭이당초의예상범위를크게이탈하고, 이러한추세가구조적인요인에기인하는것으로판단되는경우당사는이를반영한 Credit 검토를토대로신용등급또는등급전망을변경할수있습니다. 예측정보는수급요인이나환율, 금리등과같은외생변수를포함한대내외적인환경변화에따라실제결과치와차이가발생할수있습니다. 추정시가정한기본전제및방법은다음과같습니다. 1. 17년 : DRAM 및 NAND의수량 YoY 각각 27%, 38%, 가격 YoY 각각 41%, 7% 18년 : DRAM 및 NAND의수량 YoY 각각 22%, 37%, 가격 YoY 각각 -13%, -23% 2. 고정비부담이높은사업의특성상 17~18년높은외형성장에연동하여원가율빠르게개선, 이후외형감소로인한레버리지효과로원가율상승. 다만 19년이후미세공정진전등으로원가효율성이개선되면서원가율상승폭을제약. 3. 운전자본부담은최근 3개년평균수준 4. Capex는 17년 9~조원, 18년 12~13조원 5. 18년도시바지분투자관련약 4조원소요 6. 배당성향 9% 8

III. 신용등급전망 17 년 11 월 SK 하이닉스의무보증사채등급전망긍정적 (Positive) 으로변경 18 년반도체산업의등급전망긍정적 1 개사신용등급보유 당사가유효등급을보유하고있는메모리반도체업체는 SK 하이닉스 1 개사이다. SK 하이닉스 : AA-( 긍정적 ) 17 년 11 월 9 일당사는 SK 하이닉스의무보증사채등급전망을긍정적 (Positive) 으로변경 하였다. 이는 SK 하이닉스가주력하는 DRAM 업계의우호적인수급환경이지속되고, 자체적으 로제고된업황대응력및재무완충력이유지될것으로전망되는점을반영한것이다. [ 표 1] 업체별신용등급추이 업체명 구분 14 15 16 17 에스케이하이닉스 장기 A+( 안정적 ) AA-( 안정적 ) AA-( 안정적 ) AA-( 긍정적 ) 단기 A1 A1 A1 - 주 ) 1. 당사공시등급기준 2. 장기는기업신용등급내지무보증사채기준이며, 단기는기업어음내지전자단기사채기준 주 3. 17 년신용등급은 12월 11일기준 18 년반도체산업의 등급전망긍정적 18 년반도체산업의등급전망은긍정적이다. 메모리반도체업계의호황기가 18 년에도이 어질것으로예상된다. 업계전반의대규모투자부담에도불구하고, 안정적인수요기반을바탕으 로타이트한수급여건이유지되면서높은수익창출력이유지될것으로전망된다. 특히 PC, 모바일에이어서버가차세대메모리반도체시장의핵심성장축이될것으로예상된다. 향후 4차산업에발맞춰산업전반이빅데이터를중심으로통합될것으로전망되고, IoT, 자율주행자동차, 인공지능등의분야로전방산업이다각화되면서수요기반의안정성이제고될것으로기대된다. 한편 NAND 부문은 3D NAND 제품의적층경쟁이치열해지고있고, 다수의신규 Fab 가동이예 정되어있어경쟁강도가높아질것으로예상된다. 3D NAND 에서의경쟁력확보여부는업체의 중장기적인사업안정성뿐만아니라, 수익구조및재무안정성측면에도영향을미칠수있다. 향후반도체산업의신용등급과관련한주요모니터링요인은 1 수급동향및이에따른가격변 화, 2 기술경쟁이치열해지는 NAND 시장의경쟁동향, 및 3 업황변동성에대비한충분한재 무완충력확보여부등이다. 9

IV. 주요 Credit Issue Q1. 중국의메모리반도체시장진입, 시나리오별가능성및영향력은? A) 가장유력한시나리오는자체기술경쟁력개선을통한시장진입이다. 중국업체는정부의적극적인지원을바탕으로 18년하반기 3D NAND의양산을목표로하고있다. 그러나수율및품질이개선되기까지상당기간소요될것으로예상되어, 중기적으로업계에유의미한영향을미치기는어려울것이다. 다만장기적으로중국업체의기술진화속도, 기존업체의시장지배력방어전략및이에따른비용부담이업계판가및수익구조에미치는영향에대해모니터링이필요하다. 반도체산업에대한중국정부의강력한육성의지는지속적으로제기되는위협요인이다. 중국정부의막강한자본력과거대한내수시장이업계판도를빠르게흔들수있기때문이다. 메모리반도체산업의높은기술진입장벽으로인해중국업체의진출성과가부진한상황이나, 최근반도체시장이호황기에진입하면서중국업체의사업전개가더욱빨라지는추세이다. 이에중국업체가메모리반도체시장에영향을미칠수있는시나리오별가능성및파급효과를짚어볼필요가있다. 중국업체의시장진입시나리오는 1 자체기술경쟁력개선을통한시장진입, 2 M&A 를통 한시장진입, 및 3 신개념반도체등의대체재개발을통한시장진입등이있다. 자체기술경쟁력개선을 통한시장진입이 가장유력한방식 1 자체기술경쟁력개선을통한시장진입은가장유력한방식이다. 기존업체와의기술격차를감안하면중기적으로메모리반도체업계에미치는영향이제한적일것이다. 그러나장기적으로중국업체의기술진화속도, 기존업체의시장지배력방어전략및이에따른비용부담등에대해모니터링이필요하다. 중국정부는메모리반도체기업육성을위해오랜기간적극적인지원정책을펼쳐왔다. 그러나대규모자본투입에도불구하고반도체산업의높은기술진입장벽으로인해뚜렷한성과를내지못하였다. 결과적으로중국 ( 대만 ) 업체는다른기업으로부터반도체설계디자인을받아위탁생산을전담하는파운드리분야에서만활약하고있는상황이다. 그러나중국정부의궁극적인목표는종합메모리반도체기업을육성하는것이다. 이를위해대 규모반도체펀드를조성하여자금을지원하고있고, 일부중국기업이 18 년하반기에 3D NAND 양산을목표로하고있다. 파운드리분야에집중되어있는중국업체가메모리반도체칩의설계단계부터양산까지전과정에서의경쟁력을갖추기까지는상당기간이소요될것으로예상된다. 특히 High-end 제품의미세공정및양산기술난이도는더욱높아단기간내기존업체를따라잡기는어려울것으로판단된다. 중국업체가 18년부터생산하는제품은저사양제품이고, 양산과정에서의수율문제, 품질검증과정등을감안하면중기적으로업계에유의미한영향을미칠가능성이제한적이다.

장기적으로는기존업체와중국업체간의기술격차가유지되는지에대해모니터링이필요하 다. 또한기존업체의시장지배력방어를위한대응전략및이에따른비용부담이업계판가 및수익구조에미치는영향에대해서도지속적인관찰이필요하다. M&A 를통한시장진입 가능성제한적 2 M&A 를통한시장진입은가장효과적인방법이나, 실현가능성이크지않은것으로판단 된다. 업계전반적으로중국으로의기술유출을우려하고있고, 주요메모리반도체생산국인 한국, 일본및미국이정부차원에서중국의시장진입을견제하고있기때문이다. DRAM시장은수차례의치킨게임을거쳐삼성전자, SK하이닉스및 Micron 등 3사중심의과점화구도가안착되었다. 이과정에서키몬다, 엘피다등중상위권의시장지위를보유한업체가경영위기로인해 M&A 매물로나온바있으나, 업계전반적으로중국으로의기술유출을우려하여중국과의거래가성사되지않았다. 상위 3개사는안정적인시장지배력과양호한재무안정성을보유하고있어지배구조의변경가능성이낮은상황이다. NAND시장의경쟁강도는 DRAM 대비높은수준이다. 최근글로벌수위권의시스템반도체업체인 Intel과더불어다수의중국기업이 NAND 시장으로진출하면서경쟁이더욱치열해지고있다. 중장기적으로기존업체들이시장지배력을강화또는방어하기위해치킨게임을촉발시킬가능성을배제할수없다. 그러나일부업체가 M&A 매물로등장하는경우에도중국으로의매각의지는여전히낮을것으로예상된다. 특히최근메모리반도체시장이급격히성장하면서각국경제에서의비중및중요도가높아진점을감안하면, 중국을견제하기위한다방면의정부정책또는기업자체적인사업전략이이어질것으로예상된다. 신개념반도체개발을 통한시장진입 가능성도낮음 3 신개념반도체등의대체재를통한시장진입가능성도제한적이다. 최근 Intel이 Micron과의공동개발을통해 DRAM과 NAND의성능을고루갖춘 3D X포인트를출시한바있다. NAND 대비속도가현저히빠른비휘발성메모리로성능측면에서는대체가가능한신개념제품이다. 그러나단가가높고, 포지셔닝이명확하지않아틈새시장공략에그치고있는상황이다. 이와같이중국업체도전통적인메모리칩이아닌신개념제품을통한시장진입을모색하고있는것으로파악된다. 그러나 Intel과달리중국업체는기술력이미흡하고, 선두권업체와의기술협업도쉽지않은상황이다. 또한기존메모리반도체업체들도오랜기간쌓아온기술노하우를바탕으로관련분야에서적극적인 R&D활동을펼치고있다. 이들이보유한 R&D 인력, 기술력등측면의경쟁우위를감안하면중장기적으로메모리반도체시장에서의주도권을유지할것으로예상된다. 11

[ 유의사항 ] (1) 신용등급은특정금융상품, 금융계약, 발행자등의상대적인신용위험에관한현재시점에서의한국기업평가 의의견입니다. 신용등급은특별한언급이없는경우신용위험을제외한다른위험 ( 금리나환율변동등에따른시장가치변동위험, 해당증권의유동성위험, 내부절차나시스템으로인해발생하는운영위험 ) 에대해서는설명하지않습니다. 특히, 구조화금융상품의신용등급은법령조세제도의변경등에따라발생하는위험을반영하지않습니다. 또한신용평가는현재또는과거사실에관한진술이아니라, 당사고유의평가기준에따라평가대상의미래상환능력에대해예측한독자적인의견으로, 이러한예측정보는실제결과치와다를수있습니다. 신용등급은환경변화및당사가정한기준에따라변경또는취소될수있습니다. (2) 본보고서상모든정보는평가대상회사또는기관이제출한자료와함께각종공시자료등의자료원으로부터수집된자료에근거하고있습니다. 평가대상회사또는기관이제출한자료의경우제출자료에거짓이없고중요사항이누락되어있지않으며중대한오해를불러일으키는내용이들어있지않다고전제하고있으며, 이용하는정보에대해별도의실사나감사를실시하고있지않습니다. 따라서제공된정보의오류및사기, 허위에따른결과에대해당사는어떠한책임도부담하지않습니다. (3) 보고서작성에사용된정보에대해별도의검증절차를거치지않았고, 분석자 분석도구또는기타요인에의한오류발생가능성이있기때문에당사는본보고서내용의정확성및완전성을보증하거나확약하지않습니다. 따라서고의또는중대한과실에기인한사항을제외하고본보고서상정보의이용으로발생하는어떠한손해및결과에대해서도당사는책임지지않습니다. (4) 당사는금융상품의매매와관련한조언을제공하거나투자를권유하지않습니다. 신용등급은특정유가증권의매수, 매도혹은보유를권유하는정보가아니며시장가격의적정성에대한정보도아닙니다. 본보고서의내용으로이용자의투자결정을대신할수없고금융상품의투자결과에대한법적책임소재를판단하기위한증빙자료로도사용될수없습니다. 따라서정보이용자들은스스로투자대상의위험에대해분석하고평가한다음그결과에따라각자투자에대한의사결정을하여야만합니다. (5) 본보고서의내용은필자의개인의견으로당사의공식의견이아닙니다. Copyright 17 : Korea Ratings. 서울특별시영등포구의사당대로 97 대표전화 : 368-5500 FAX: 368-5353. 본보고서에서제공하는모든정보의저작권은한국기업평가 의소유입니다. 따라서어떠한정보도당사의서면동의없이무단으로전재되거나복사, 인용 ( 또는재인용 ), 배포될수없습니다. 12