<C1B6BBE7BFF9BAB85F3130BFF9C8A D322E687770>

Size: px

Start display at page:

Download "<C1B6BBE7BFF9BAB85F3130BFF9C8A D322E687770>"

주아 흥
5 years ago
Views:

1 세계반도체시장의최근동향및국내업계의경기대응방향 49 산업이슈 세계반도체시장의최근동향및국내업계의경기대응방향 I. 세계반도체시장의구성 II. 국내반도체수급동향과전망 목 차 III. 메모리반도체가격변동추이 IV. 국내업계의경기대응방향 Ⅰ. 세계반도체시장의구성 비메모리반도체가메모리반도체보다압도적으로큰시장을형성 반도체는정보를저장하고기억하는메모리반도체와논리적인정보처리와제어기능을수행하는비메모리반도체로구분 비메모리반도체시장규모가메모리반도체의 3.4배 - 10년전체반도체시장규모 2,994억달러중비메모리시장이 2,317억달러로서 77.4% 점유 - 메모리반도체시장규모는 676억달러로서전체반도체시장의 22.6% 시장규모의최근증가속도는메모리반도체가비메모리반도체를능가 - 컴퓨터기능이가미된이동통신기기의등장으로메모리반도체의새로운시장이창출 - 특히모바일기기에서저장장치역할을하는비휘발성반도체수요가늘어나면서 NAND Flash Memory 등이빠른속도로증가 - 비메모리시장은 System 반도체등의첨단제품에서확대되고있으나, Discrete (Diode, Transistor) 등일부전통적부품은성장둔화 * 본고는산은경제연구소이정민수석연구원이집필하였으며, 본고의내용은집필자의견해로당행의공식입장이아님

2 50 산업이슈 세계반도체시장의매출구성 ( 단위 : 백만달러 ) 구분 (f) 2012(f) 연평균성장율 비메모리 183, , , , % 메모리 45,305 67,642 68,478 76, % (DRAM) (22,965) (39,462) (34,564) (37,796) (18.1%) (Flash Memory) (22,340) (28,180) (33,914) (38,336) (19.7%) 합계 228, , , , % 자료 : Gartner 비메모리는서구선진국, 메모리는동양계기업이장악 시장규모가큰비메모리반도체는 CPU(Central Processing Unit; 중앙처리장치 ) 업체인 Intel 이큰차이로시장점유율 1위, TI(Texas Instruments) 와 Renesas 가업계 2,3위를차지 - MCU(MicroController Unit) 1) 를생산하는 STM이 3.5% 의점유율로 4위, Fabless로서통신기기용칩이주제품인 Qualcomm이 5위권에위치 - 비메모리반도체는다품종소량생산분야가많아특정업체에대한시장집중도가메모리반도체에비해높지않은편 업체별세계반도체시장점유율 ( 단위 : 백만달러 ) 비메모리반도체 메모리반도체 업체명 2010 비중 업체명 2010 비중 Intel( 美 ) 40, % SamSung( 韓 ) 22, % TI( 美 ) 12, % Hynix( 韓 ) 10, % Renesas( 日 ) 10, % Micron( 美 ) 7, % STM( 佛 ) 8, % Elpida ( 日 ) 6, % Qualcomm( 美 ) 7, % Toshiba( 日 ) 6, % 기타 152, % 기타 14, % 합계 231,722 합계 67,642 자료 : Gartner, IDC 1) MicroController Unit, 전기제품의시스템전체를제어하는비메모리반도체칩으로중앙처리장치 (CPU) 에메모리와소프트웨어등이결합된소형시스템온칩제품

3 세계반도체시장의최근동향및국내업계의경기대응방향 51 메모리반도체는삼성전자, Toshiba, Hynix, Elpida 등한국과일본의 4개사가점유율 5위권내에포함 - 삼성전자는메모리반도체점유율 33.5%( 11 년 2분기기준 DRAM 점유율 42%, NAND Flash Memory 점유율 35%) 로시장내확고한 1위를유지 - Toshiba 는비휘발성 NAND Flash Memory 분야에서 11년 2분기기준점유율 20% 로서, 1위인삼성전자 (35%) 와경쟁 - Hynix는 DRAM 시장점유율은 23% 이나, NAND Flash Memory 시장에서는점유율 11% 로상대적열세 업체별세계메모리반도체시장점유율 (Top 5) ( 단위 : 백만달러 ) DRAM NAND Flash Memory 업체명 Q 비중 업체명 Q 비중 SamSung( 韓 ) 3,418 42% SamSung( 韓 ) 1,996 35% Hynix( 韓 ) 1,848 23% Toshiba( 日 ) 1,165 20% Elpida( 日 ) 1,135 14% SanDisk( 美 ) % Micron( 美 ) % Hynix( 韓 ) % Nanya( 臺 ) 380 5% Micron( 美 ) % 기타 543 6% 기타 359 7% 합계 8,168 합계 5,736 자료 : Gartner

4 52 산업이슈 2010 년세계반도체시장의주요업체별동향 (Top 10) 업체명 Intel( 美 ) Samsung ( 韓 ) TI( 美 ) Toshiba( 日 ) Hynix( 韓 ) Renesas( 日 ) STM( 佛 ) Micron( 美 ) Qualcomm ( 美 ) Broadcom ( 美 ) 주요동향 -19년연속 1위점유, PC용 CPU인 Intel Chip이주제품으로서 PC와 Server 시장의전통적강자 -통신사업부문확대를위해 Infineon( 獨 ) 모바일칩부문 14억불에인수 -메모리시장 1위, '10년메모리비중이전체매출의 80% -Apple사 iphone에장착되는 A5 AP 2) 공급 -노키아핸드폰장착용 Baseband Chip 공급 -통신용 Analog IC(Integrated Circuit) 부문선두 -Flash Memory 부문성장및 20nm 공정전환가속 -LCD TV 매출증가로 ASSP 3) 공급확대 -NAND 비중강화로매출확대, DRAM 매출도증가 -NAND Flash Memory 32nm 달성, 미세공정이앞선 Fab (M11) 가동 월 NEC Electronics와 Renesas Technology가합병한법인으로일본최대업체 -MCU 세계시장점유율 1위 (29.5% 점유 ) -시스템제어전용칩인 MCU 생산 -Ericsson( 瑞 ) 과제휴, 휴대단말용반도체합작회사설립 -대만 Nanya와의합작사인 Inotera로 DRAM 아웃소싱 -NOR Flash Memory 부문 1위업체 Numonyx 인수 -스마트폰 OS용 Baseband Chip 주공급자 -안드로이드기반및윈도폰 7에독점공급되는스냅드래곤 CPU 개발 -무선랜사업확장위해 Atheros 32억달러인수예정발표 - 10년처음으로 Top 10 진입, 주제품군이 Broadband, 모바일과무선랜, 네트워크인 Fabless기업 -통신부문강화를위해기업인수지속추진 주 : 메모리와비메모리부문을합한전체반도체시장의 Top 10 사업자자료 : Gartner 등 2) Application Processor 로스마트폰용장착칩, 컴퓨터의 CPU( 중앙연산처리장치 ) 에해당하는부분 3) Application Specific Standard Product, 특정전자제품에사용되는비메모리반도체칩으로수요업체가정한용도로설계, 제작되는표준제품

5 세계반도체시장의최근동향및국내업계의경기대응방향 53 Ⅱ. 국내반도체수급동향과전망 글로벌경기악화로상반기수출증가세둔화 글로벌경기침체및전방산업 (PC) 부진으로생산및수출증가세약화, 모바일기기용수요증가로내수와수입은증가 - 계절적비수기인상반기생산과수출이소폭이나마증가한데는동일본대지진으로인한 Set 업체들의선제적물량확보노력이일조 구분 2009 국내반도체수급추이 2010 상반기 2011 ( 상반기 ) 10/ 09 ( 단위 : 억원, %) 증가율 11( 上 )/ 10( 上 ) 생산 40,826 29,994 61,251 31, 수입 33,977 16,721 35,944 18, 내수 35,181 19,389 38,565 21, 수출 39,622 27,326 58,630 28, 자료 : 한국전자정보통신산업진흥회 (KEA) 월별국내반도체수급추이 60,000 50,000 40,000 30,000 20,000 10,000 생산내수수출수입 ( 단위 : 억원 ) 자료 : 한국전자정보통신산업진흥회 (KEA)

6 54 산업이슈 메모리반도체가격하락이수출증가폭을제한 - 수요업체들이동일본지진직후축적된재고를소진시키면서수요가위축된반면공급은증가하여 Memory 반도체가격이하락, 수출금액증가에악영향 D램수출 ( 11년 7월기준 10억달러, 전년동월대비 43.3%) 은 8개월연속하락세 - 고성능모바일기기 ( 스마트폰, Tablet PC) 용 Memory 및시스템반도체수요증가가긍정적요인으로서가격하락을보완 NAND Flash Memory는단가하락에도불구, 모바일기기의본격출시와맞물려 11년 7월기준전년동월대비 8.4% 증가한 2.6억달러수출 11년상반기비메모리반도체수출액이메모리부문을최초로추월하여국내업계의비메모리확대가능성에긍정적조짐 - 11년 7월비메모리반도체수출액은 100억달러로서 DRAM 수출액 83억달러를상회 최근수요가급증한모바일시스템반도체부문에대한국내업체의진출확대가수출증가에기여 삼성전자는모바일 AP 공급을통해시스템반도체매출 45억달러를기록, Qualcomm을제치고비메모리반도체글로벌 Top 6로부상 - 국내업계의시스템반도체매출은전분기대비 1분기 55.1%, 2분기 30.5% 증가하여미국 (9.6%), 일본 ( 16.9%) 등주요경쟁국보다선전 4) 모바일용과미세공정화가수급의방향을주도할전망 Mobile용반도체시장이확대되면서고성능메모리에대한요구증대 - 스마트폰및 Tablet PC의높은판매성장률과모바일 PC의출현으로모바일용반도체가새로운시장을형성 11년세계시장의 Tablet PC 판매는전년대비 290% 증가한 72백만대예상 - 고부가가치모바일용 DRAM과 NAND Flash Memory 의수요와생산이확대, Memory 업계의향후판매전략도수요가급증하고있는 Mobile용에초점이맞추어질전망 11년 1분기세계시장의 Mobile DRAM 판매는 20억불로서전분기대비 10% 성장, 11년시장규모 69억불로성장예상 4) 지식경제부 11년 8월 IT수출입동향 ( )

7 세계반도체시장의최근동향및국내업계의경기대응방향 55 범용 DRAM 과 Mobile DRAM 의특성 Mobile용 DRAM은휴대성이필요한모바일기기의특성상범용 DRAM보다저전압 저전력이강조 - 전원인배터리의사용시간을늘리기위한저전력설계가핵심 - 저전압을가능케하는 TCSR( 온도에따라충전속도조절 ), PASR( 대기시데이터가있는부분만충전 ), DPD( 미사용시 DRAM 작동차단 ) 기능부여 - 저전력특수설계로인해컴퓨터용주기억장치에쓰이는 DRAM 에비해높은가격형성 Chip 1개당저장용량 (Density) 은최대 4Gb로서아직범용 DRAM의최대 (16Gb) 에미치지못함 - 휴대성향상, 사용시간연장을위해가격이높더라도적은면적에고용량을추구하는패키지기술을적용함으로써보완 삼성전자는 11년 3월 8Gb 용량을구현하기위해기존 2Gb DRAM을 4단적층하는대신 4Gb 2개를적층하여두께를 20% 줄인제품인 4Gb LPDDR2 을출시 범용제품의주력이 DDR3인데비해모바일용은아직 DDR2급의제품이상용화 - 모바일용이 DDR3를적용하게되면전송속도와데이터저장용량도범용 DRAM과동등해지거나개선될전망 - 범용 DRAM보다전송속도가 8배인 12.8Gbps 를목표로하는넓은 Interface 폭의 WIDE I/O가개발중 삼성전자는 11년 2월 WIDE IO 모바일 DRAM 시제품개발완료, 13년 20나노급 4Gb 상용화계획 - WIDE I/O 상용화전좁은 Interface 폭에서전송속도 12.8Gbps 를구현하는 LPDDR3 가등장하여시장의요구를충족할가능성 주요특성비교 구분 범용 DRAM Mobile DRAM 대표제품 DDR3 LPDDR2 초당전송속도 800 ~ 1600Mbps Max 1066Mbps 동작전압 1.28~1.45V 1.2V Chip당저장용량 (Density) 1/2/4/8/16Gb 512Mb/1/2/4Gb 주파수 Max 800Mhz Max 533Mhz 자료 : 삼성전자등관련업계

8 56 산업이슈 공정전환경쟁으로생산효율성이증대 - 국내업계가미세공정화에앞서가면서원가경쟁력우위확보 - 반도체가격이하락하면서미세공정과원가경쟁력이뒤진업체들의감산을압박 11.9월 DRAM시장 5위업체인 Nanya( 臺 ) 가범용 DRAM 10% 감산발표 메모리업체별미세공정전환시기 주 : 엘피다의 25nm 공정전환이상용화수준으로이루어질지에대해서의구심을제기하는견해가많음자료 : 서울경제 ( ), 지식경제부 국내반도체산업의 11년하반기생산은전년동기대비 20.6% 증가하여증가폭이확대될전망 - 메모리반도체한계기업들의감산으로국내기업들의공급이증가할여지가확대 - 국내생산이증가하면서수입증가율은 5.3% 로완화될전망 글로벌경기회복이불확실해지면서하반기수출증가는 12.7% 로전년대비낮은수준에그칠전망 - 내수는모바일용시장확대가지속되면서전년동기대비 18.0% 증가예상

9 세계반도체시장의최근동향및국내업계의경기대응방향 국내반도체수급증가율전망 ( 단위 : 전년동기대비, %) (E) 상반기 하반기 상반기 하반기 생 산 수 입 내 수 수 출 자료 : 한국전자정보통신산업진흥회, 2011년산은경제연구소추정 Ⅲ. 메모리반도체가격변동추이 DRAM 및 Flash Memory 가격이지속적으로하락 DDR3 1Gb는제품출시후최저가기록 - PC용수요감소가진행되면서 DRAM가격은 10.5월고점이후하락세지속, 11.8월 DDR3 1Gb 고정거래가격 5) 이제품출시후최저인 0.52달러기록 - 10년 11월고성능 DDR3 가격이 DDR2를하회하는 Generation Cross 6) 현상발생한후현재까지지속 DDR3가시장의주력으로부상한후 DDR2의퇴출이가속화될전망 5) 고정거래가격 (Contract Price) 이란반도체제조업체들이주요대량수요업체들에게적용하는가격으로서현물가격 (Spot Price) 과달리시장가격이오르내리더라도재협상전까지는고정된가격을유지 6) Generation Cross 란세대가높은고성능제품의가격이오히려세대가낮은저성능제품의가격보다낮아지는현상으로서제품의세대교체가진행되면서수요가많은고성능제품의생산이늘어나기때문에발생

10 58 산업이슈 DRAM 가격추이 자료 : DRAMeXchange 재고의증가로 Flash Memory 가격도하락추세 - Flash Memory 가격하락은범용제품 (Flash Cards, USB) 에쓰이는메모리의과잉공급이원인 - 일본대지진의여파가 Flash Memory 주요공급업체인 Toshiba 생산량에별다른영향이없었던점역시재고증가와가격하락을촉진 NAND FLASH 가격추이 ( 단위 : 달러 ) NAND 32Gb 고정 NAND 32Gb 현물 NAND 16Gb 현물 NAND 16Gb 고정 자료 : DRAMeXchange

11 세계반도체시장의최근동향및국내업계의경기대응방향 59 최근가격하락을부추기는시장환경이조성 수요업체들은재고정책을보수적으로운용 - 일본대지진직후물량확보차원의과도한재고를축적한 Set업체들이최근물량공급이원활해지자재고수춘을낮추며신규구매를억제 IT 패러다임의전환기에전통적인 IT제품의수요가위축 - 경기침체로가처분소득이감소하자젊은소비자를중심으로모바일기기의수요가우선시되는경향이있어, 반도체의주력수요처인 PC산업이퇴조 - IT제품의주축이 PC, Settop Box에서 Smartphone, Tablet PC 등의모바일기기로이전되는과정에서범용 DRAM 수요가약화 하반기가격추세는 L자형 예상 메모리반도체가격이 Cash Cost를하회하면서일부기업의감산과공급축소가추가적인가격하락을방지할것으로예상 전통시장인 PC산업의수요가감소하고 Mobile 기기용으로시장이전환되는과정에서수요가정체되어하반기중급격한 U자형 상승전환도어려울전망 - 감산돌입이예상되는대만기업들의시장점유율이 10% 미만으로미미한것과공급이감소하여도수요가급격히상승하지않을것이라는점이가격상승을제한하는요인 반도체업체들의장비수주가부진하여설비확장이억제될가능성증대 - 북미반도체장비 BB율 7) 11.7월 0.86으로서 10년 10월이후 9개월째 1미만기록 11.7월장비수주액 ( 직전 3개월평균 ) 은 13억달러로서전년동월대비 29.3% 감소하여시장의부진과생산능력억제를예고 - 경기침체와반도체가격하락등영업환경악화로업계의투자의욕이약화 7) Book to Bill Ratio, 북미반도체장비제조업체들의직전 3 개월간의평균수주액을출하액으로나눈수치로반도체경기의선행지표

12 60 산업이슈 북미반도체장비업체수주 출하동향 ( 단위 : 백만불 ) 2,000 출하액수주액수주 / 출하비율 (B/B 율 ) 1.4 1,800 1,600 1, , , 자료 : KDBS Ⅳ. 국내업계의경기대응방향 가격하락을점유율확대기회로활용 해외한계기업에대한압박이강화되는분위기 - 메모리반도체가격이현금원가를밑도는수준으로하락하여, 미세공정전환이늦고범용 DRAM 비중이높은한계기업들의타격예상 - 평균판매가격의지속적인하락으로대만업체를중심으로한감산가능성이현실화 난야 (-56.9%), 이노테라 (-34.3%), 파워칩 (-33.7%) 등이 11년 2분기마이너스영업이익률을기록, 적자누적으로감산압력에직면 - 대만과일본기업들의미세공정이 30~40nm 에머물러있는반면, 국내기업은연내 20nm대진입이예상되어생산효율성면에서유리

13 세계반도체시장의최근동향및국내업계의경기대응방향 61 메모리수요다양화는국내업체에유리한환경으로작용할전망 - Mobile용수요증가는앞선미세공정을통해 Mobile 메모리생산에강점을가진국내업체에게유리 국내업체의 Mobile DRAM 생산비중은 70%, 대만업체는 30% 선 11년 1분기세계 Mobile DRAM 시장규모 20억달러중삼성전자와 Hynix가 15억달러로전체시장의 76% 차지 - 최근국내업계의 NAND Flash Memory 비중확대도긍정적요소 SSD기반초박형노트북출시및하반기성수기도래는 NAND Flash Memory의수요증가요인 가격하락기에국내메모리시장내지위는강화 가격하락으로매출이감소하였으나, 국내메모리업계의피해는상대적으로약화 - 일본의 Elpida와대만업계의영업손실이이어지고있는반면, 삼성전자와 Hynix 는영업이익실현 - 해외업체의 DRAM Cash Cost는현시장가격보다높은평균 1.1~1.2달러 /Gb로추정되나, 생산효율성이높은국내업체의 Cash Cost는해외업체의 50% 이하인것으로추정 최근국내업계의고가 NAND Flash Memory 비중확대도영업흑자실현에긍정적요소 업체명 메모리반도체업체의분기실적비교 ( 단위 : 백만달러, %) 매출 영업이익 영업이익률 1분기 2분기 1분기 2분기 1분기 2분기 삼성전자 5,724 5,735 1,310 1, 하이닉스 2,328 2, Elpida 1,140 1, Nanya 주 : 각사의메모리반도체기준 자료 : DART, 전자신문 ( 자 )

14 62 산업이슈 불황기에도불구, 국내업계의메모리반도체시장내입지는공고화 - 11년 2분기기준삼성전자와 Hynix의세계 DRAM 시장점유율은 41.8% 와 22.6% 로서사상최고를기록 - NAND Flash Memory시장의 11년 2분기현재점유율은삼성전자 34.8%, 2위인 Toshiba 20.3% 로서양사의점유율격차는전분기의 12.8% 에서 14.5% 로확대 Hynix는순조로운미세공정전환으로 11년 2분기점유율 11.4% 로서종전 4위였던 Micron를추월, 새로운 4위로부상 DRAM 메모리업계의세계시장점유율추이 NAND Flash Memory ( 단위 : %) ( 단위 : %) Samsung Hynix Elpida Micron Nanya Samsung Toshiba Sandisk Hynix Micron Q 10.2Q 10.3Q 10.4Q 11.1Q 11.2Q Q 10.2Q 10.3Q 10.4Q 11.1Q 11.2Q 자료 : Gartner 자료 : Gartner 메모리의존도를완화하여경기변동의충격을최대한흡수 경기변동에민감한 Memory 반도체의존도를탈피하고비메모리를강화 - 메모리반도체는대규모설비투자를요하는장치산업으로서치킨게임의리스크를지속적으로부담 - 반면시스템반도체는 Commodity보다 Specialty 의성격이강하고특정기능의수요가늘어나시장의표준으로정착될경우안정적으로시장지배력을유지 Intel의 CPU칩과 Qualcomm의무선통신용 Baseband Chip은별도의대규모설비투자없이도장기간시장을장악한대표적사례 최근 Mobile 중심의 IT생태계변화는비메모리시스템반도체진출의기회 - PC와는다른모바일용 AP시장이부상하면서 Intel 과경쟁할수있는여지가발생

15 세계반도체시장의최근동향및국내업계의경기대응방향 63 - 추후 Mobile 용시스템반도체시장도유력공급자중심으로재편될가능성이 있어초기시장형성기에 Captive 수요확보여부가장기적성패를가름 DRAM의경쟁력평준화에대비 메모리반도체산업에서선두업체들의경쟁력은공정전환을통한생산원가절감이좌우 10nm대이하의미세공정은어려울것이란점을감안할때미세공정에의한경쟁력확보가한계에봉착할전망 - 1년에 10nm 정도씩단축되는추세이므로 1~2년내에 DRAM기업들의미세공정이동일한수준에도달할가능성 DRAM이제조업체간차별성없는 Commodity 化하기전에새로운개념의차세대 Memory 개발을선도할필요 - 이상적으로 DRAM과 NAND의장점을공유한 MRAM, PRAM, FRAM 등이차세대메모리로유력하게거론

목 차 < 요약 > Ⅰ. 검토배경 1 Ⅱ. 반도체산업이경기지역경제에서차지하는위상 2 Ⅲ. 반도체산업이경기지역경제에미치는영향 7 Ⅳ. 최근반도체산업의여건변화 15 Ⅴ. 정책적시사점 26 < 참고 1> 반도체산업개관 30 < 참고 2> 반도체산업현황 31

반도체산업이경기지역경제에 미치는영향및정책적시사점 한국은행경기본부 목 차 < 요약 > Ⅰ. 검토배경 1 Ⅱ. 반도체산업이경기지역경제에서차지하는위상 2 Ⅲ. 반도체산업이경기지역경제에미치는영향 7 Ⅳ. 최근반도체산업의여건변화 15 Ⅴ. 정책적시사점 26 < 참고 1> 반도체산업개관 30 < 참고 2> 반도체산업현황 31 i / ⅶ ii / ⅶ iii / ⅶ iv