TopPicks 삼성전자 하이닉스 반도체 Overweight 기업분석팀 Analyst 김성인 02) H11~2012, 메모리반도체호황지속될전망 투자포인트 1. DRAM: 6~7 월은 Slow Season, 하지만 8 월

Transcription

1 TopPicks 삼성전자 하이닉스 Overweight 기업분석팀 Analyst 김성인 2) H11~212, 메모리호황지속될전망 투자포인트 1. DRAM: 6~7 월은 Slow Season, 하지만 8 월부터재차업황가파르게호전예상 2. 낸드플레시 : 스마트폰 / 태블릿 PC 시장확대, 노트북 PC SSD 채용확산에따른업황호조지속예상 3. 비메모리 : 스마트기기용 AP/ASSP 시장확대, Foundry 역량강화에따른국내업체들의시장입지상승예상 산업투자의견 Overweight 유지

2 < 결론 > 국내 : 메모리 승자독식 + 비메모리 장기호황 국내메모리산업 : IT 경기와무관하게 212 년까지장기호황 IT 경기무관 / 삼성전자 Capex 무관메모리는 2H11~212 년에공급부족심화 공급부족심화를해소키위해삼성전자는메모리 Capex 당초계획보다확대할가능성大 메모리산업! 국내업체들의승자독식대호황국면진입 DRAM Worst Case: Back-To-School 수요부진시올 6 월하순 ~7 월일시적가격하락후재차반등예상 국내비메모리산업 : 시황호조 + 장기호황 ( 일본대지진반사이익 ) 삼성전자 Sys.LSI 事 ) 가 Top Tier 로급부상 : 7 년 14 위 9 년 1 위 21 년 7~8 위 212 년 3~4 위권진입예상 일본대지진 : 일 ) 비메모리공장타격예상보다휠씬심각 일본대지진반사이익, 삼성전자의공격적인비메모리 Capex 국내 Fab 업체 Full Capa 가동지속 일본과경쟁하는국내 Fabless 업체의일부, 모든후공정업체최대수혜예상 (= 비메모리후공정물량급증 ) Intel 삼성전자 Toshiba Texas STM TSMC Infineon RenesasT 하이닉스 RenesasE AMD Freescale Broadcom 메모리 Total (= 메모리 + 비메모리 ): 일본대지진前 (M$) 28 년 Qualcomm 34,814 Intel 17,391 삼성전자 1,61 Toshiba 1,593 Texas 1,27 TSMC 1,211 STM 7,81 하이닉스 6,477 RenesasT 6,1 AMD 5,77 Infineon 5,298 RenesasE 4,959 Broadcom 4,563 Micron 29 년 8,224 Qualcomm 33,253 Intel 17,686 삼성전자 9,64 TSMC 9,142 Texas 8,6 Toshiba 8,51 하이닉스 6,49 STM 6,35 Micron 5,67 Qualcomm 5,157 Broadcom 4,682 AMD 4,542 Infineon 4,317 RenesasT 4,17 RenesasE 21 년 41,695 Intel 29,5 삼성전자 14,467 TSMC 12,256 Toshiba 11,817 Texas 1,882 STM 1,288 하이닉스 7,525 Qualcomm 6,666 Micron 6,543 Broadcom 6,36 AMD 6,2 RenesasT 6,12 Infineon 4,87 RenesasE 211 년 E 47,374 Intel 34,224 삼성전자 16,25 TSMC 13,448 Toshiba 12,636 Texas 11,153 STM 9,639 하이닉스 8,436 Qualcomm 7,74 Micron 7,564 Broadcom 6,64 AMD 6,24 RenesasT 5,76 Infineon 4,915 RenesasE 212 년 E 41,246 11,84 Intel Texas TSMC STM Toshiba RenesasT Qualcomm Infineon RenesasE AMD Freescale Broadcom Sony NXP Panasonic 삼성전자 Rohm Total (= 메모리 + 비메모리 ): 일본대지진前 (M$) 28 년 16 위 34,216 Intel 1,593 Texas 1,211 TSMC 9,9 STM 6,729 Toshiba 6,477 RenesasT 5,861 AMD 5,77 RenesasE 5,298 삼성전자 4,959 Infineon 4,274 Sony 4,58 NXP 3,999 MediaTek 3,65 Freescale 29 년 6,931 Qualcomm 4,563 Broadcom 4,1 Panasonic 1 위 32,427 Intel 9,142 TSMC 8,6 Texas 8,228 STM 6,49 삼성전자 5,45 Toshiba 5,157 RenesasT 4,542 AMD 4,493 RenesasE 4,435 Infineon 4,317 Broadcom 4,88 Panasonic 3,843 Sony 3,469 MediaTek 3,462 NXP 3,42 Freescale 21 년 5,413 Qualcomm 7-8 위 4,682 Intel 14,467 TSMC 12,256 Texas 9,988 삼성전자 7,72 STM 6,666 Qualcomm 6,62 Toshiba 5,975 RenesasT 6,36 AMD 5,41 RenesasE 6,2 Infineon 6,543 Broadcom 4,825 Panasonic 4,12 Sony 3,865 NXP 3,575 MediaTek 3,627 Freescale 211 년 E 5 위 44,374 Intel 16,25 TSMC 12,636 Texas 1,339 삼성전자 1,321 STM 8,86 Qualcomm 7,42 Toshiba 6,21 RenesasT 6,64 AMD 4,888 RenesasE 5,76 Infineon 7,564 Broadcom 5,15 Panasonic 4,212 Sony 3,945 NXP 4,134 MediaTek 3,921 Freescale 212 년 E 4 위 12,191

3 1. 국내비메모리산업 : 시황호조 + 장기호황 ( 일본대지진반사이익 ) 비메모리시장은메모리대비시장규모 4 배수준, 해외업체들의독무대였으나 삼성전자 Sys.LSI 事 ) 가 Top Tier 로급부상 : 7 년 14 위 9 년 1 위 21 년 7~8 위 212 년 3~4 위권진입 Full Capa 가동중인동부하이텍 : 고부가 Analog/Digital Mixed 의 Foundry 비중증가, Own Biz. 비중확대 하이닉스의메모리용 8 인치유휴 Capa(1K 장 / 월 ) : 비메모리및 Foundry 용으로특화 212 년실적에크게기여 일본대지진 : 일 ) 비메모리공장타격심각 가동재기불투명 총 8 개비메모리업체, 15 개 Fab, 45 만장 / 월 (8 인치기준 ) 가동중단 Power IC/Discrete, Logic IC, Analog/Digital Mixed, Logic 제품 국내업체반사이익 가장큰문제는일본제조인프라의안정성훼손 원자력 Shut-Down 에따른전력공급차질장기화 일본의 Fab-lite 비즈니스모델확산될가능성大 국내비메모리업체 Top Tier 로부상 ( 일본지진前, 파운드리포함 ) 일본강진에따른비메모리업체들피해추정 ( 매출 : 억 $) ( 업계순위 ) 매출액 ( 억 $) 업계순위 년 7년 8년 9년 1년 11년 (E) 12년 (E) 업체 Toshiba Texas Instruments Renesas Electronics Fujitsu Semiconductor Oki Semiconductor ON Semiconductor Hitachi Nihon Inter 직접적패해 Capa 피해상황 피해 Capa (Capa) 11K 장 /M 68K 장 /M 72K 장 /M 69K 장 /M 14K 장 /M 45K 장 /M 해당업체의매출액 (M$) 비고 28년 29년 4,76 4,78 * 35~4 매출차질 1,593 9,142 * 1~1 매출차질 4,675 4,317 * 2% 이상매출차질 2,738 2,161 * 이상매출차질 * 심각한매출차질 1,993 1, * 파손 / 단전 / 방사능문제고려시재가동여부불투명

4 2. 국내비메모리장기호황 최대수혜는후공정업체 삼성전자 Sys.LSI 事 ): 비메모리용 12 인치 Fab 공격적투자 2Q11 중반 2 개라인, 3Q11 에 1 개라인추가가동 LSI Foundry 수주확대와 Own Biz. 순항 : 21 년매출액 48%YoY 급성장한 US$ 년 US$95 억 212 년 US$12 억로급성장확실시 일본대지진반사이익, 삼성전자의공격적인비메모리 Capex 국내 Fab 업체 Full Capa 가동지속 국내후공정업체들최대수혜예상 일본과경쟁하는국내 Fabless 업체의일부, 모든후공정업체최대수혜예상 (= 비메모리후공정물량급증 ) 국내모든후공정업체들장기호황국면으로진입 삼성전자 Sys.LSI 事 ) 의 12 인치신규 Fab 가동 Road Map 후공정업체에수혜정도 : 비메모리 메모리메모리 Vs. K 장 / 월 S- 라인 1Q 년 2Q 3Q 4Q 1Q 212 년 2Q 3Q 4Q 8 년 39 9 년 45 1 년 년 (E) 년 (E) 66 주요특징 메모리 소품종대량양산으로규모의양산성이중요 Commodity 화로 Fab/ 공정 / 제품확보시조기대량양산가능 비메모리대비공정미세화이나공정단순 비메모리 (Sys.LSI) 다품종소량생산으로설계 / 고객중요 Fab/ 공정 / 제품확보했더라도고객지향적이라업체별 Qual. 이필요하며 Qua. 기간도장기간소요 Fab 의조기 Ramp-up 불가능 메모리대비덜미세화나 Family 공정확보필요 비고 비메모리 Fab 이있더라도양산이가능한제품은아님 동일 Design Rule 에 5 개의공정확보필요 Austin(8" 개조 ) 8- 라인 (8" 개조 ) 생산성 Factor ( 생산량 ) Output Capa 증설및수율개선 Tech. Migration (5nm 4nm 3nm) TAT(Turn Around Time) High Density (512Mb 1Gb 2Gb) Output Capa 증설및수율개선 Tech Migration (5nm 4nm 3nm) TAT(Turn Around Time) High Density 화어려움 공급량증가는 Tech. Migration 과 Capa-up 중요 메모리의 High Density 화실제생산량증가제한적 메모리 Bit Growth 실제생산량이아님 9- 라인 (8" 개조 ) Test 공정 소요시간짧음 비용小 소요시간상대적으로길고비용多 특히 Analog 大 총 K 장 / 월 (12") ,671 후공정 PKG 구조단순화로후공정비교적용이 PKG 구조복잡으로후공정도복잡 Mobile 화로인해고부가 MCP/CSP Type 이 PKG 가대세 메모리대비상대적고부가 증가율 (%) 3 19% 8% 11% 2% 31% 3 79% PKG 물량 Tech Migration 에도불구하고 High Density 화로인해 PKG 물량증가제한적 메모리와달리 High Density 개념이약하고 Tech Migration 집중 PKG 물량급증 비메모리물량증가후공정업체에절대유리

5 3. 국내메모리산업 : IT 경기와무관하게 212 년까지장기호황 NAND Flash 메모리 가격탄력성매우높은 NAND Flash 메모리가메모리산업성장주도 DRAM 과달리치킨게임無 PC 용 DDR3 DRAM 산업은 NAND Flash 메모리와 Mobile 메모리 의수급에완전 Dependent 산업! 스마트폰 / 태블릿 PC/SSD/Smart TV 시장급부상 vs. Toshiba 증설연기 212 년까지장기호황지속 DRAM 2 nd Tier 감산및신규증설無 /Sys.LSI Foundry 로전환 / 구조조정 IT 경기와무관하게국내업체 212 년대호황 Elpida/ 대만업체의 1Gb DDR3 DRAM 총원가 US$1.7~2.4(Cash Cost: US$1.2~1.3) vs. 국내업체들의총원가 US$.8~1.1 대만 A 사및 B 사자본잠식상태 : 메모리에서퇴출은시간문제 Elpida 계열 : 일본공장감산 & Sys. LSI Foundry 로전환, 대만 A 사및 B 사 DRAM 업계에서 Fade-out 은시간문제 Micron 계열 : DRAM 라인을 NAND Flash 메모리로전환중 싱가폴 IMFT 의 NAND Flash 메모리 12 인치 Fab 증설완전보류 3 3% 2 2% 1 1% % - -1% -1-2% -2-3% ( 공급과잉 ) % 12% -1% -2% -3% -2% -3% ( 공급부족 ) 3% % 2% 3% % -2% % - -8% 6.1Q 7.1Q 8.1Q 9.1Q 1.1Q 11.1Q 12.1Q NAND Flash 메모리수급전망 ( 삼성전자 /Toshiba 증설연기 ) Toshiba 정전으로공급부족으로전환 % % 1 1% % - -1% -1 DRAM 수급전망 (Full Capa 가동 ) %% ( 공급과잉 ) -1% % 1% ( 공급부족 ) 2% 18% % 2% PC 업체재고조정, 후발업체견제로예상보다심화 - -1% -1% -2% 2'nd Tier Foundry 및 WF Capa 부족 1% 2% 1% -2% - 2% 6.1Q 7.1Q 8.1Q 9.1Q 1.1Q 11.1Q 12.1Q -3% -1%

6 4. 메모리 : 국내업체 승자독식 (1) Elpida 계열 3 rd Tier 로전락 DRAM 업계 : 8~9 년에 1 차구조조정 (2 강 2 중 3 약 ) 211 년 2 차구조조정 (2 강 1 중 4 약 ) 1 st Tier: 삼성전자 / 하이닉스, 2 nd Tier : Micron(Nanya/Inotera), 3 rd Tier : Elpida(Rexchip/Powerchip)/Promos (Wafer 구매불투명 ) 해외업체국내업체와경쟁불가 공정기술력 Gap 확대 : Tier 1 vs. Tier2 間 1 년이상, Tier1 vs. Tier3 間의 2 년이상 Gap 확대 Top Tier 45nm/35nm vs. 2 nd Tier 66nm/54nm. 4Q1 의업체별실적고려시에 Elpida/ 대만업체들의수율매우저조한것으로판단 1Gb DDR3 총원가 : Top Tier 는 US$.8~1.5 vs 2 nd Tier US$ 1.6~2.2 로 29 년보다오히려원가 Gap 크게확대 Mobile DRAM: 소비전력 /Clock Speed 가경쟁요소 공정기술력 1% 좌우 국내업체의독점화예상 Mobile DRAM 은 Customization 제품으로 Set 업체별로개별 Qual. 필요 공정기술력취약업체진입거의불가능 국내업체의제품 Portfolio 월등히우수 삼성전자와하이닉스의고부가제품 Mix 비중급증 : Non-DDR3 비중은각각 7/6 (DDR3 비중각각 23%/3) (US$) DRAM 의 Tech Migration vs. 원가추이 12" DDR3 DRAM 총원가추이 (1Gb) " DDR3 DRAM Cash Cost 1Gb DDR3 DRAM 현물가격 Nanya/Inotera/Powerchip/ Promos 공정 Shift 중인공정 Micron/Elpida 주력공정 국내업체 Shift 진행중 nm 8nm 54nm 35nm DDR3 비중 DDR1/2 Etc Mobile 메모리 NAND Flash 1% 8% 2% % Top Tier 의제품 Portfolio 황금분할 18%1119% %23%23%23%23% 2 3 8% 9% 11% 13%12%12%13% 119%22%22%22%2 52% 438%329% 2 22% 38%38% 58% %41% 19%11 39% 3 29% 3 19% 1% 2% 1% 8.1Q 3Q 9.1Q 3Q 1.1Q 3Q 11.1Q 3Q

7 5. 메모리 : 국내업체 승자독식 (2) 후발업체재무상황최악 DDR3 DRAM 가격이대만 4 개 DRAM 업체들의 Cash Cost 휠씬하회 2 개 DRAM 업체완전자본잠식상태 특히 Powerchip/ProMos 최악의국면으로전환 EBITDA 적자전환 현금흐름악화 재무여건악화 기존 Fab 의 Up-Grade 불가 Fade-out 은시간문제 생존의마지막수단 : 1 합병등의구조조정, 2 무조건적인감산, 3 Sys. LSI Foundry 로전환 PC 업체들의재고확충본격화 DDR3 가격이최고였던 2Q11 말의 BOM 비중 : 9~11% 가격급락으로 4Q1 말 BOM 비중 3~ 로이미무의미한수준 DRAM 가격의추가인하를통한 PC 원가절감제한적 샌드브릿지 (CPU+GPU) 탑재신모델출시, 웨이퍼부족으로공급부족가능성우려 DRAM 재고확충움직임 현재가격장기간지속 대만업체파산 공급부족 가격급등 Global PC 업체최대피해 ( 인지 ) 대만 4 개 DRAM 업체의 EBITDA 추이 Desk Top PC 의재료비비중추이 (MNT$) 2, 15, 1, 5, -5, Powerchip Promos Inotera Nanya (USD) % 1% 9% Desktop PC 출고 ASP DRAM BoM Cost DRAM BoM 비중 3% 3% 8% 3% 9% 9% 11% 3% 12% 1% 8% 2% -1, % 1Q7 3Q7 1Q8 3Q8 1Q9 3Q9 1Q1 3Q1 1Q11 1Q5 1Q6 1Q7 1Q8 1Q9 1Q1

8 삼성전자 (593) BUY (Maintain) 주가 (891, 원 ) / TP(12,, 원 ) KOSPI (5/27) 2,1.24pt 메모리事 ) 가 DRAM 업황회복기 (211 년 ) 에확장기 (21 년 ) 만큼의이익을창출할것으로예상 시가총액 1,448,296 억원 52 주주가동향 최고가 1,1,원 최고가 74,원 2 년숙원인 Sys.LSI 事 ) 의 Dramatic 한외형성장과수익성개선으로 AMLCD 부문과 DM 부문의부진을상쇄할것으로예상 최고 / 최저가대비등락율 % 2.41% 주가수익률 절대 절대 AMLCD 事 ) 의실적악화가불가피하나 AMOLED 시장을독점을하고있는 SMD 의급성장세지속될것으로예상 1M % 6M 고부가 Smart Phone/Smart Pad 에서 M/S 확대, ASP 상승에따른수익성호전지속예상 1Y 발행주식수일평균거래량 (3M) 17,133천주 445천주 투자의견 BUY, 목표주가 12,, 원 유지 외국인지분율 51. 배당수익률 (11E) 1.1% BPS(11E) 59,438 원 ( 원 ) 1,2, 1,, 8, 6, 4, 2, 수정주가 ( 좌 ) 상대수익률 ( 우 ) (%) '1/5 '1/8 '1/1 '1/12 '11/3 '11/5-5 12월결산매출액 ( 억원 ) 영업이익 ( 억원 ) EBITDA( 억원 ) 세전이익 ( 억원 ) 순이익 ( 억원 ) EPS( 원 ) PER( 배 ) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 영업이익률 (%) ROE(%) 순부채비율 (%) , , ,533 59,82,259 32, ,363, , , ,915 97,65 57, E 1,546, , ,279 19, ,579 97, E 1,637, , , , ,583 92, E 1,818, , ,666 24,758 24,644 12,

9 하이닉스 (66) BUY (Maintain) 업황 Up-Cycle 을앞두고 주가 (31,3 원 ) / TP(44, 원 ) KOSPI(5/27) 2,1.24pt 해외경쟁사들의도태에따른 국내업체들의승자독식현실화 시가총액 185,334 억원 52주주가동향최고 / 최저대비등락률 최고가 37,원 -15. 최저가 2,3원 54.2% 메모리에있어절대적공정기술력, 우수한제품 Portfolio, 원가경쟁력을보유하고있어중장기성장성 / 수익성 / 안정성에대한 Visibility 가매우높음 상대수익률 1M 절대 -7. 상대 -3.% NAND Flash 메모리경쟁력확보했을뿐만아니라 Mobile DRAM 에서경쟁력이한층강화 발행주식수 6M 12M 27.% 22.% 15.% ,276천주 8 인치유휴 Fab 이일본대지진의반사이익으로비메모리 Foundry 로사업영역을확장함으로써 212 년에는외형과수익성개선에크게기여할것으로예상 일평균거래량 (3M) 외국인지분율 9,76천주 23.99% 투자의견 BUY, 목표주가 44, 원 유지 배당수익률 (11E).% BPS(11E) 17,614 원 ( 원 ) 4, 35, 3, 25, 2, 15, 1, 5, 수정주가 ( 좌 ) 상대수익률 ( 우 ) (%) 월결산매출액 ( 억원 ) 영업이익 ( 억원 ) EBITDA( 억원 ) 세전이익 ( 억원 ) 순이익 ( 억원 ) EPS( 원 ) PER( 배 ) PBR( 배 ) EV/EBITDA( 배 ) 영업이익률 (%) ROE(%) 순부채비율 (%) 28 75, ,158 적전 16,378-3,982-3, 적전 , ,158 적전 16,378-3,982-3, 적전 E 119, ,89 적지 49,139 27,1 26,479 4,487 적지 E 116, ,633 흑전 42,742 25,446 23,156 3,923 흑전 E 118, , ,953 37,843 33,32 5,

10 일자 투자의견 목표주가 삼성전자 (593) 29/5/25 BUY (Maintain) 79,원 29/6/8 BUY (Maintain) 79,원 29/7/2 BUY (Maintain) 79,원 29/8/17 BUY (Maintain) 1,,원 29/9/21 BUY (Maintain) 1,,원 29/1/3 BUY (Maintain) 1,,원 29/11/2 BUY (Maintain) 1,,원 29/11/16 BUY (Maintain) 1,,원 29/11/23 BUY (Maintain) 1,,원 21/1/11 BUY (Maintain) 1,,원 21/1/19 BUY (Maintain) 1,9,원 21/2/2 BUY (Maintain) 1,9,원 21/3/8 BUY (Maintain) 1,9,원 21/3/31 BUY (Maintain) 1,9,원 21/4/26 BUY (Maintain) 1,9,원 21/5/24 BUY (Maintain) 1,9,원 21/8/5 BUY (Maintain) 1,9,원 21/9/8 BUY (Maintain) 1,9,원 21/11/8 BUY (Maintain) 1,9,원 21/9/8 BUY (Maintain) 1,9,원 21/11/8 BUY (Maintain) 1,9,원 211/1/3 BUY (Maintain) 1,2,원 211/2/14 BUY (Maintain) 1,2,원 211/3/8 BUY (Maintain) 1,2,원 211/3/21 BUY (Maintain) 1,2,원 211/4/14 BUY (Maintain) 1,2,원 211/5/3 BUY (Maintain) 1,2,원 하이닉스 (66) 29/5/28 BUY (Maintain) 24,원 29/9/21 BUY (Maintain) 29,원 29/9/21 BUY (Maintain) 29,원 29/1/3 BUY (Maintain) 29,원 29/11/2 BUY (Maintain) 29,원 29/11/23 BUY (Maintain) 31,원 21/1/11 BUY (Maintain) 31,원 21/1/27 BUY (Maintain) 39,원 21/3/31 BUY (Maintain) 39,원 21/4/26 BUY (Maintain) 39,원 21/8/5 BUY (Maintain) 39,원 21/9/8 BUY (Maintain) 39,원 21/11/8 BUY (Maintain) 39,원 211/1/3 BUY (Maintain) 44,원 211/2/14 BUY (Maintain) 44,원 211/3/21 BUY (Maintain) 44,원 211/4/14 BUY (Maintain) 44,원 211/5/3 BUY (Maintain) 44,원 하이닉스 (66) 삼성전자 (593) ( 원 ) 주가 ( 원 ) 5, 목표주가 1,4, 1,2, 4, 1,, 3, 8, 2, 6, 1, 4, 2, 주가목표주가 '9/5/29 '9/11/5 '1/4/14 '1/9/21 '11/2/28 '9/5/29 '9/11/5 '1/4/14 '1/9/21 '11/2/28