韓國電磁波學會論文誌第 22 卷第 12 號 2011 年 12 月論文 2011-22-12-02 http://dx.doi.org/10.5515/kjkiees.2011.22.12.1060 Inverse Class-F 기법을이용한 900 MHz 전류모드 Class-D RF 전력증폭기설계 Design of Current-Mode Class-D 900 MHz RF Power Amplifier Using Inverse Class-F Technology 김영웅 임종균 강원실 구현철 Youngwoong Kim Jonggyun Lim Wonshil Kang Hyunchul Ku 요약 본논문에서는 900 MHz 대역에서동작하는전류모드 Class-D(Current-Mode Class-D: CMCD) 전력증폭기를 설계및제작하고특성을분석하였다. 차동구조에의해짝수차고조파성분이제거된다는점에착안하여출력 단의일반적인 CMCD 회로의병렬공진기를제거하고 inverse class-f 전력증폭기를 push-pull 구조로연결하여 CMCD 전력증폭기를설계하였다. 로드 - 풀기법을이용하여 GaN 소자기반의 inverse class-f 및이를적용한 CMCD 전력증폭기를설계및제작하였다. 제작한 CMCD 는 34.2 dbm 의출력과 64.5 % 의드레인효율을가지 며, 이는출력측에공진기구조를가지는일반적인 CMCD 전력증폭기의드레인효율과비교했을때 13.6 % 의효율향상을가진다. Abstract In this paper, Current-Mode Class-D(CMCD) RF Power Amplifier(PA) is designed and implemented at 900 MHz. Conventional CMCD PA has output parallel resonator to reconstruct a fundamental frequency component of the output signal. However the resonator can be removed by connecting inverse class-f PAs because even-harmonic components can be removed by CMCD PA's push-pull structure. Using load-pull, inverse class-f PA with GaN transistors is designed, and CMCD PA with the inverse class-f PA is implemented. The CMCD PA has 64.5 % drain efficiency, 34.2 dbm output power. Comparing with the drain efficiency of a CMCD PA with parallel resonator, the CMCD with the inverse class-f technology has 13.6 % improved drain efficiency. Key words : Current-Mode Class-D(CMCD), Inverse Class-F, Switch Mode Power Amplifier Ⅰ. 서론 RF 전력증폭기는무선통신송신시스템에서전력소모가가장큰부분이며, 전력증폭기의효율은전체무선통신시스템의전력효율을결정하는데 주요한역할을한다. 변조된송신신호를선형적으로증폭하기위해출력을최대출력에서 back-off해서동작시키는 class-ab급과같은증폭기는평균전력효율이크게저하되며, 많은열이발생한다. 발생된열을제거하기위해추가냉각장치를필요로하 본연구는지식경제부한국산업기술평가관리원의산업원천기술개발사업 ( 정보통신 ) 의일환으로수행하였음 [2011-A011-0017, 차세대이동통신기지국용 Class-S 전력증폭기기술연구 ]. 건국대학교전자공학과 (Department of Electronic Engineering, Konkuk University) 논문번호 : 20110725-076 교신저자 : 구현철 (e-mail : hcku@konkuk.ac.kr) 수정완료일자 : 2011 년 11 월 24 일 1060
Inverse Class-F 기법을이용한 900 MHz 전류모드 Class-D RF 전력증폭기설계 게되어송신기에서더많은전력을소비하게되고, 송신기의부피또한커지게된다. 전력증폭기의낮은효율을개선을위해다양한효율향상기법이연구되고있다. 이중하나가스위치모드전력증폭기 (Switch-Mode Power Amplifier: SMPA) 를이용하는방법이다. SMPA를이용하면트랜지스터에서의전류와전압값의곱이 0이되어이론적으로 100 % 의효율을얻을수있다. 하지만전력소자인트랜지스터및전력증폭기회로의기생성분들의영향으로손실이유발되어이론치인 100 % 의효율을얻을수없다. 동작주파수가증가함에따라기생성분에의한손실이급격하게증가하기때문에 SMPA를 RF 대역에서활용하는것에는제약이있었다. 또한, SMPA는진폭변조된신호에대해서는비선형적특성을보이므로, 기존선형증폭기를직접적으로대체할수없다 [1]. 이러한점들을극복하기위한다양한기법들이연구되었다. RF 대역에서고효율 SMPA를활용하기위해 class-e 기법이개발되어 GHz 대역에서 SMPA 구현이가능하게되었으며, 펄스폭변조 (Pulse Width Modulation: PWM) 나 Delta-Sigma Modulation(DSM) 기법등을이용하여 RF 입력신호를양자화시킴으로서 SMPA의장점을활용하기에적합한신호를생성하였다. 또한, 최근전류모드 class-d(current-mode Class-D: CMCD) RF 전력증폭기가개발되었다 [2]. 이는기존전압모드 class-d(voltage-mode Class-D: VMCD) 전력증폭기가기생커패시턴스 ( 드레인- 소스커패시턴스 ) 에의해주로오디오대역에서만활용되던것을 RF대역에서까지구현가능하도록하였다. 따라서 SMPA 중에서가장큰출력전력을얻을수있는 CMCD 전력증폭기에대한연구가활발하게진행중에있다 [3]~[8]. 최근 class-s 송신기법이선형성을유지하며높은효율을얻을수있는기법으로각광을받으며연구되고있다. Class-S 송신기법은그림 1과같이크게세부분으로나누어볼수있다. 첫번째부분은 DSM이다. DSM 변조는 PWM과같이입력신호를펄스형태로변조해주는것과동시에 noise shaping 을통하여신호대역의잡음을최소화시키는장점이있다. 두번째부분은펄스신호를증폭하는 SMPA 이다. SMPA는두개의신호레벨을가지는입력신 그림 1. Class-S 송신기법 Fig. 1. Class-S transmission technology. 호에대해동작함으로써전력증폭기의효율을최대 화할수있다. 마지막으로대역통과필터는 DSM 신호를원래 RF 전송신호로복원하는데쓰인다. 본논문에서는그림 1 의 class-s 송신기에서사용 되는 SMPA 의구현을위해서 CMCD 전력증폭기의 특성에대해고찰하고, 900 MHz 대역에서동작하는 CMCD 전력증폭기를설계하고자한다. 일반적 CM- CD 구조의경우는출력측의병렬공진기를이용한 다. 본논문에서는차동구조를통한짝수차고조파 성분이제거됨을보이고, 이를활용하여 inverse class-f 구조를사용하여병렬공진기를제거한 CMCD 회로를설계하는방법에대하여설명한다. 일반적인 출력측에병렬공진기를가진 CMCD 회로와 inverse class-f 를활용한 CMCD 회로를설계, 제작하고효율 특성을상호비교한다. Ⅱ. 전류모드 Class-D 전력증폭기분석 일반적인 CMCD RF 전력증폭기회로는그림 2 와같다. 전류공급원과연결된두개의트랜지스터 가대역저지필터를통해연결되어차동으로동작 한다. 대역저지필터는기본주파수성분만을부하 에전달하고, 고조파성분에대해서단락되도록한다. 입력단의 balun(balance-to-unbalance) 에의해 180 도 위상차이를가지는신호가생성되어각각의트랜지 스터가차동으로동작되도록한다. 출력단의 balun 을이용하여차동신호를출력단의부하에전달 한다. 차동구조와대역저지필터에의해, 트랜지스터 의드레인 - 소스단에서나타나는전압과전류는그림 1061
韓國電磁波學會論文誌第 22 卷第 12 號 2011 年 12 月 전력증폭기의차동동작에대해서살펴보면드레인전류의위상이 180 로차이를가지므로, 각각의드레인단에흐르는전류는다음과같이나타낼수있다. sin (1) sin (2) 그림 2. CMCD 전력증폭기구성 Fig. 2. Topology of CMCD power amplifier. 3 에서도시된바와같이각각반사인파와펄스파의 형태를가지게된다. 이는스위칭순간에트랜지스터의드레인 - 소스단 에인가되는전압을 0 이되게한다. 이를 Zero Voltage Switching(ZVS) 이라하며, 트랜지스터의가장 큰손실유발요소인기생커패시턴스에의한손실 을없앨수있다. 또한, 트랜지스터에전압과전류가 동시에나타나지않게하여, 트랜지스터에서소모되 는전력을최소화할수있다. CMCD 전력증폭기구조에서스위치로동작하는 트랜지스터의기생커패시턴스성분은공진기와병 렬로연결된다. 기생커패시턴스는트랜지스터에서 손실을유발하는가장치명적인기생성분이지만, CMCD 의회로구조에의해기생커패시턴스는신호 복원에이용되는대역저지필터의일부분으로활용 될수있어높은주파수에서동작하는 SMPA 를구현 할수있게되었다. 기본주파수성분을따로기술하고, 두드레인전 류간의차를구해보면, 다음과같은식을얻을수 있다. sin sin (3) 만약매우이상적인공진기를설계하여모든홀 수차고조파성분을제거할수있다면, sin 와같은식을얻을수있다. 마찬가지로짝수차고조 파성분으로이루어진반사인파의드레인전압또 한아래와같이표현할수있다. sin sin (4) cos (5) cos (6) 위의두전압간의차는 sin (7) 그림 3. CMCD 전력증폭기의전압 전류특성 Fig. 3. Voltage current characteristics of CMCD power amplifier. 가된다. 위식 (7) 에서와같이이상적인경우고조파 성분은차동구조에의해제거된다. 즉, 차동구조에 의해짝수차고조파에대한부하저항은무한대가 되며, 공진기에의존하지않고서도해당하는성분을 제거할수있다. Ⅲ. Inverse Class-F 전력증폭기를이용한전류모드 Class-D 전력증폭기설계 1062
Inverse Class-F 기법을이용한 900 MHz 전류모드 Class-D RF 전력증폭기설계 SMPA의입력신호는 on/off의두가지상태만을가지며동작하도록한다. 이와같은동작에의해, 트랜지스터가 off 상태에서소모하는전력은최소화된다. 이는기존선형증폭기의동작방식과근본적인차이를가진다. 증폭기를필요로하는거의모든분야에서선형증폭기가폭넓게사용되었기때문에트랜지스터제조사에서제공하는트랜지스터라이브러리는대부분 class-a/ab 등의선형증폭기설계에적합하게만들어져있다. 그러므로이를그대로이용하는것은 SMPA 설계및제작에적합하지않다. 또한, CMCD 설계를위해정확한스위치동작을하는대신호모델을도출하는과정은많은시간과노력을필요로한다. 본논문에서는대신호모델대신로드-풀실험을통한선형증폭기의모델을이용하여 inverse class-f PA를설계하고, 이를이용하여 CMCD를구현하는방법을제시하였다. CMCD 전력증폭기는 class-b, inverse class-f 전력증폭기와동일한게이트바이어스를가진다 [9]. 특히높은입력신호에대해서 class-b 증폭기는 SMPA와유사하게트라이오드및차단영역에서동작한다. 즉, class-b 전력증폭기의고조파성분을제어하여, 높은효율을가지는 inverse class-f 전력증폭기를설계할수있으며, 이를기반으로 push-pull 구조로변경함으로써 CMCD 회로로변환될수있다. 즉, 본논문에서는그림 4에서보는바와같이 CMCD 전력증폭기의파형과 class-b 및 inverse class-f 전력증폭기파형이가지는유사성에착안하여, class-b 및 in- verse class-f 를기반으로한 CMCD 전력증폭기를 설계하였다. 3-1 Inverse Class-F 전력증폭기설계 Class-F 전력증폭기는 class-b 전력증폭기에고 조파성분을제어하여효율을향상시킨것이다. class-f 전력증폭기의출력단부하저항은짝수차 고조파에대해서단락 (short), 홀수차고조파에대해 서개방 (open) 되도록한다. 이로인해, 트랜지스터드 레인 - 소스단에인가되는전압은구형파의형태로나 타나며, 전류는반 - 사인파의형태를가진다. Inverse class-f 전력증폭기의전압과전류파형은 class-f 전 력증폭기의파형과반대되는형태로나타난다. 본 논문에서는 inverse class-f 전력증폭기설계시로드 - 풀기법을이용하여최적의효율특성을얻을수있 는부하저항을도출하였다. 그림 5 는로드 - 풀실험 (a) 로드 - 풀실험 (a) Load-pull test (b) 측정 GaN 트랜지스터 (b) Device under test, GaN Transistor 그림 4. 전력증폭기분류 Fig. 4. Power amplifier classification. 그림 5. 로드 - 풀기법을이용한부하임피던스도출 Fig. 5. Load impedance extraction by using load-pull technique. 1063
韓國電磁波學會論文誌第 22 卷第 12 號 2011 年 12 月 표 1. 로드 - 풀기법을이용한부하임피던스 Table 1. Load impedance by using load-pull technique. 항목이득드레인효율출력전력 최적부하임피던스 9.533+j28.037 14.774+j36.024 8.588+j33.716 (a) CMCD 전력증폭기의블록도 (a) Block diagram of CMCD power amplifier 그림 6. Inverse class-f 전력증폭기의블록도 Fig. 6. Inverse class-f power amplifier block diagram. 을통하여설계에사용된 GaN 소자에대하여최적부하임피던스도출과정을나타내며, 표 1은도출된최적부하임피던스값을나타낸다. Inverse class-f 전력증폭기설계는최대드레인효율을얻을수있는최적부하임피던스를고려하여설계하였으며, inverse class-f 전력증폭기의특징을얻을수있도록짝수차고조파에대해서는개방, 홀수차고조파에대해서는단락으로보이도록스텁을이용한임피던스매칭회로를구성하였다. Inverse class-f 전력증폭기의블록도는그림 6과같다. 3-2 CMCD 전력증폭기설계 CMCD 전력증폭기는차동구조를가지며, 180 위상차이를가지는신호로구동된다. 이러한신호는 balun을통해서얻을수있다. 본논문에서는두출력이 180 위상차이를가지는 ring hybrid 커플러를이용하였다. CMCD 전력증폭기는 900 MHz 대역에서동작하는 ring hybrid 커플러로차동구조의 inverse class-f 전력증폭기를구성하여그림 7과같이설계하였다. 차동구조에의해짝수차고조파가제거됨을식 (7) 을통해확인하였다. 또한, inverse class-f 전력증폭기의출력신호에서홀수차고조파성분이매우 (b) CMCD 전력증폭기의 layout (b) Layout of CMCD power amplifier 그림 7. Inverse class-f 전력증폭기를이용한 CMCD 전력증폭기 Fig. 7. CMCD power amplifier by using inverse class-f power amplifier. 작다는특성에착안하여, 기존 CMCD 전력증폭기 에서나타나는공진회로를제거하였다. 그림 7(a) 는 CMCD 전력증폭기의블록도를보여주며, 그림 7(b) 는 CMCD 전력증폭기의 layout 을나타낸다. Ⅳ. 전류모드 Class-D 전력증폭기구현및성능측정 설계된 CMCD 전력증폭기회로를 FR4 기판 (12GD1530) 에구현하였다. 전력소자로는 GaN HE- MT 트랜지스터가이용되었으며, 1.8 V 의게이트 바이어스와 10 V 의드레인바이어스를인가하였다. 그림 8 은 inverse class-f 구조의 CMCD 와의성능비 교를위해, 출력측드레인단에병렬공진기로연결 한그림 2 의회로를동일한 FR4 기판에구현한일반 적인 CMCD 전력증폭기를나타낸다. 그림 8 의회로 에서는입 출력단에 Anaren 사의 90 Hybrid 커플러 (XC0900P-03S) 와 90 보상 microstrip 선로를이용하 1064
Inverse Class-F 기법을 이용한 900 MHz 전류 모드 Class-D RF 전력 증폭기 설계 그림 8. 출력측 병렬 공진기를 이용한 CMCD 전력 증폭기 Fig. 8. CMCD power amplifier using output parallel resonator. (a) 전력 증폭기 성능 측정 (a) Performance measurement for power amplifier (a) Inverse class-f 전력 증폭기 (a) Inverse class-f power amplifier (b) 전력 증폭기 성능 측정 블록도 (b) Block diagram of measurement for power amplifier 그림 10. CMCD RF 전력 증폭기 측정 환경 및 측정 블록도 Fig. 10. Measurement environment and block diagram for CMCD power amplifier. 를 나타낸다. 그림 10은 CMCD 전력 증폭기의 효율 측정을 위 (b) CMCD 전력 증폭기 (b) CMCD power amplifier 한 측정환경 및 블록도를 나타낸다. 드라이브 증폭 기로 Prewell사의 PH830-S8을 이용하였고, Tektronix 그림 9. Inverse class-f 전력 증폭기 및 이를 이용한 CMCD 전력 증폭기 Fig. 9. Inverse class-f power amplifier and CMCD power amplifier. 사의 스펙트럼 분석기(RSA3408A)를 이용해 CMCD 여 balun을 구현하였다. 출력단 매칭시에는 표 1의 드레인 효율 최적 임피던스를 이용하였다. 그림 8의 의 영향으로 출력측 공진 회로의 튜닝에 의해서 달 회로에서 공진기의 L, C값은 900 MHz 중심 주파수 와 Q=10을 기준으로 ±20 % 범위에서 L, C값을 변 율을 달성하기 위해서는 정확한 대신호 스위치 모델 경하면서 최대 효율을 낼 수 있는L, C값을 선정하 였다. 그림 9는 3절에서 설계한 inverse class-f 전력 조의 스위치 증폭기 설계가 필요할 것으로 사료된다. 증폭기와 이를 기반으로 제작된 CMCD 전력 증폭기 점을 보완하고, 공진부 없이 고조파 성분을 제어할 전력 증폭기의 출력 신호에 대한 특성을 확인하였다. 그림 8의 회로에 대해 최대 드레인 효율을 측정한 경우 그 값이 50.9 %이다. 트랜지스터의 기생 성분 성할 수 있는 효율 향상이 제약적이었다. 더 높은 효 추출, 이에 기반한 입 출력 매칭 변화 및 향상된 구 본 논문에서는 기존 CMCD(그림 8의 회로)의 단 1065
韓國電磁波學會論文誌第 22 卷第 12 號 2011 年 12 月 그림 11. Inverse class-f 전력증폭기효율및출력특성 Fig. 11. Efficiency & output power of inverse class-f power amplifier. 수있는 inverse class-f 기반의새로운 CMCD 를제안 하였다. 그림 11 은그림 9(a) 의 inverse class-f 전력증폭기 측정된입, 출력특성과효율특성을도시하였다. 18 dbm 이상의입력신호를인가하여스위치모드로 동작시키는경우최대효율은 80.8 % 이고, 이경우 출력전력은 32.4 dbm 이다. 그림 12 는그림 8 에서의공진기를사용하는 CM- CD 전력증폭기 (Type I) 와그림 9(b) 의 inverse class-f 를이용한 CMCD 전력증폭기 (Type II) 에대하여 그림 12. 병렬공진기 CMCD, inverse class-f 전력증폭기효율및출력특성 Fig. 12. Efficiency & output power of parallel resonator CMCD, inverse class-f CMCD power amplifier. 입력신호의전력을변화하면서측정한출력과효율특성을도시하였다. 스위치모드에서동작하도록설계된회로임을고려하면입력이 21 dbm 이상인경우스위치모드로서동작함을확인할수있다. 스위치증폭기로동작하는경우최대효율은 64.5 % 이고, 최대출력전력은 34.3 dbm이다. 새로제안된 CMCD 전력증폭기의경우, 단일 inverse class-f에비해스위치모드동작영역에서 16 % 가량드레인효율이줄어들었는데, 이는 CMCD 구조로변경되면서공진부에의한커플링영향및입 출력단에있는 balun에서발생하는손실에의한영향으로분석된다. 하지만측정된 inverse class-f 기반의 CMCD 회로의효율은동일한소자를이용하여구성된출력에병렬공진회로를가진 CMCD 회로에비해 13.6 % 가량의효율향상을얻을수있었다. 효율향상에대한원인으로는 inverse class-f의임피던스변환회로를통하여기존두경로간의커플링에대한영향을제거하고, 고조파제거를통하여 balun이광대역특성을가지고있어야하는기존 CMCD 회로에서의단점을보완하였기때문이다. 또한, 일반적인 CMCD의경우이상적인스위치를기반으로설계하는기법이지만, 실제스위치모드동작에서는트랜지스터의기생커패시턴스가존재하므로이상적인스위치로동작하지않게된다. 따라서트랜지스터가이상적이지않는경우기생성분을고려한설계변경이어려움이있으므로, 본논문에서는 inverse class F 설계는 class B를기반으로입력신호를 saturation 시키는기법으로설계하고, 이를기반으로한새로운 CMCD 설계기법은기생성분이있더라도상대적으로설계가용이하다는장점을가질수있다. 마지막으로로드풀을이용한설계방법으로기존의 vendor사에서제공한모델기반의설계가아닌, 실제측정한로드풀기반의모델로설계함으로써, 실제사용되는두개의트랜지스터의입출력임피던스를고려하여트랜지스터의고유한특성을반영하였기에효율향상에영향을준것으로보인다. Ⅴ. 결론본논문에서는 class-s 송신기의핵심기술인스위 1066
Inverse Class-F 기법을이용한 900 MHz 전류모드 Class-D RF 전력증폭기설계 치모드전력증폭기를설계하는방법을기술하고, 그성능을측정하였다. 900 MHz 대역에서동작하는 inverse class-f 전력증폭기를로드풀기반으로설계하고, 이를바탕으로 CMCD 전력증폭기를설계, 제작하였다. 제작된 inverse class-f 기반의 CMCD 전력증폭기는 34.2 dbm의출력과 64.5 % 드레인효율특성을갖는다. 이결과는출력측에공진기를포함하는 CMCD 회로와비교시 13.6 % 의드레인효율향상특성을보여주었다. 향후 RF 신호에서스위치로동작하는트랜지스터소자에대한기생성분을고려하는정확한소자모델도출에대한연구가필요하며, 이를활용할경우더욱향상된효율을가진스위치모드 RF 전력증폭기회로의구현이가능할것으로사료된다. 사의본연구수행을지원해준전자부품연구원 (KETI) 의유찬세박사님, 김동수박사님, 이우성박사님께감사드립니다. 참고문헌 [1] B. Berglund, J. Johansson, and T. Lejon, "High efficiency power amplifiers" Ericsson Review, no. 3, pp. 92-96, 2006. [2] H. Kobayashi, J. Hinrichs, and P. M. Asbeck, "Current-mode class-d power amplifiers for high-efficiency RF applications", IEEE Trans. Micorowave Theory and Techniques, vol. 49, no. 12, pp. 2480-2485, Dec. 2001. [3] A. Long, J. Yao, and S. I. Long, "A 13W current- mode class-d high efficiency 1 GHz power amplifier", MWSCAS-2002, Circuits and Systems, vol. 1, pp. I-33~I-36, Aug. 2002. [4] J. Y. Kim, D. H. Han, J. H. Kim, and S. P. Stapleton, "A 50 W LDMOS current-mode 1,800 MHz class-d power amplifier", IEEE MTT-S, Microwave Symposium Digest, pp. 1295-1298, Jun. 2005. [5] T. P. Hung, A. G. Metzger, P. J. Zampardi, M. Iwamoto, and P. M. Asbeck, "Design of high-efficiency current-mode class-d amplifier for wireless handsets", IEEE Trans., Microwave Theory and Techniques, vol. 53, no. 1, pp. 144-151, Jan. 2005. [6] H. M. Nemati, C. Fager, and H. Zirath, "High efficiency LDMOS current-mode class-d power amplifier at 1 GHz", EuMC, pp. 176-179, Sep. 2006. [7] A. A. Tanany, A. Sayed, and G. Boeck, "A 2.14 GHz 50 watt 60 % power added efficiency GaN current-mode class-d power amplifier", EuMC, pp. 432-435, Oct. 2008. [8] P. Aflaki, R. Negra, and F. M. Ghannouchi, "Enhanced architecture for microwave current-mode class-d amplifiers applied to the design of an S-band GaN-based power amplifier", IET Microwaves, Antennas & Propagation, vol. 3, no. 6, pp. 997-1006, Sep. 2009. [9] F. Raab, P. Asbeck, S. Cripps, P. B. Kenington, Z. B. Popovich, N. Pothecary, J. F. Sevic, and N. O. Sokal, "RF and microwave power amplifier and transmitter technologies - part 2", High Frequency Electronics, Jul. 2003. 김영웅 2009 년 2 월 : 건국대학교전자공학 ( 공학사 ) 2011 년 8 월 : 건국대학교전자공학과 ( 공학석사 ) [ 주관심분야 ] 무선통신시스템 임종균 RF 전력증폭기 2008 년 2 월 : 서일대학정보전자전공 ( 공학사 ) 2011 년 2 월 : 건국대학교전자공학과 ( 공학석사 ) 2011 년 3 월 ~ 현재 : 건국대학교전자공학과공학박사과정 [ 주관심분야 ] 무선통신시스템, 1067
韓國電磁波學會論文誌第 22 卷第 12 號 2011 年 12 月 강원실 2008 년 2 월 : 건국대학교전자공학과 ( 공학사 ) 2009 년 9 월 ~ 현재 : 건국대학교전자공학과공학석박사과정 [ 주관심분야 ] RF 전력증폭기, Digital RF, CR/SDR, 원격계측시스템등 구현철 1995 년 2 월 : 서울대학교전기공학과 ( 공학사 ) 1997 년 2 월 : 서울대학교전기공학과 ( 공학석사 ) 2003 년 12 월 : Dept. ECE, Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA ( 공학박사 ) 1997 년 2 월 ~1999 년 7 월 : KT 연구개발본부전임연구원 2004 년 1 월 ~2005 년 2 월 : 삼성전자무선사업부책임연구원 2005 년 3 월 ~ 현재 : 건국대학교전자공학부부교수 [ 주관심분야 ] RF 전력증폭기, Digital RF, 비선형시스템해석및선형화, CR/SDR 등 1068