반도체산업 Overweight DRAM 중장기 Tech Roadmap 반도체 Analyst 박유악 Meritz Coverage 삼성전자 (005930) Buy, TP 1,750,000

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1 산업 Overweight Analyst 박유악 Meritz Coverage 삼성전자 (005930) Buy, TP 1,750,000 원 SK 하이닉스 (000660) Buy, TP 62,000 원 LG 디스플레이 (034220) Hold, TP 35,000 원 OCI 머티리얼즈 (036490) Buy, TP 120,000 원 솔브레인 (036830) Buy, TP 53,000 원 리노공업 (058470) Buy, TP 57,000 원 디엔에프 (092070) Buy, TP 30,000 원 INVESTMENT SUMMARY - DRAM은 LCD패널과달리, 중국업체로인한시장파괴가어려움. 삼성전자 1위달성가능성에투자포인트를맞추고, 관련소재및후공정부품 / 장비업체에투자하는전략추천지속. INVESTMENT POINT 1. DRAM: LCD패널과다르다. 중국업체의시장파괴불가대형 LCD패널기술은 10년간정체되어있지만 DRAM은지속발전중. LCD는재료비가 70% 지만 DRAM은고정비가 70% 를차지. 중국업체의시장진입 ( 기술정체기에가능 ) 과이에따른 과열경쟁 ( 재료비 70%, 업체간수익성격차없음 ) 이불가피했던 LCD와달리, DRAM 시장이중국으로인해파괴될가능성은낮음. 과거대만과일본 DRAM 업체의파산을이끌었던 치킨게임 전략으로부터도예외일수없음. 2. DRAM 공정미세화지속 : 2026년 6nm 진입예상 DRAM 기술발전은지속될전망. 현재의 DRAM 미세화기술은한계에부딪히고있지만, QPT와 STT-RAM 신규도입을통해극복될것으로판단. 2026년 DRAM은 6nm 대에진입할것으로예상됨. 3. 투자전략 : 삼성전자, 소재, 후공정부품 / 장비업체집중 DRAM의안정적업황이지속되고, 2Q15부터는삼성전자 V-NAND와 System LSI의성장이본격화될전망. 삼성전자를비롯한, 관련소재및후공정부품 / 장비업체에투자하는전략바람직. TOP PICKS - 업체 : 삼성전자, SK하이닉스 - 소재 : OCI머티리얼즈, 솔브레인, 디엔에프 - 후공정부품 / 장비 : 리노공업, 테크윙, 테스나

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3 Contents 1 Investments Summary 4 1 DRAM 미세공정지속. 중국업체의시장파괴불가 4 2 중국 DRAM 사업진출 : 위기인가? 5 1 산업의기술발전이정체될경우, 신규업체진입가능 DRAM 공정미세화지속 : 신규업체진입에따른시장파괴불가 6 3 DRAM Tech Roadmap: Long-term View Set 업체, DRAM 공정미세화요구지속중 7 2 DRAM 공정미세화한계도달, 돌파구는없는가? Transistor 미세공정한계돌파 : DPT QPT EUV EUV DPT 12 4 Capacitor A/R 한계돌파 (DRAM STT-MRAM 구조변경 ) 15 4 산업 Key Data 21 5 Meritz Coverage 27 1 삼성전자 28 2 SK하이닉스 32 3 LG디스플레이 35 4 OCI머티리얼즈 39 5 솔브레인 42 6 리노공업 45 7 디엔에프 48 메리츠종금증권리서치센터 3

4 I. Investments Summary 1. DRAM 미세공정지속. 중국업체의시장파괴불가 DRAM은 LCD패널과다르다. 기술적측면에서 LCD패널은 2000년이후정체기를겪고있지만 DRAM은지속발전하고있고, 원가구성도 LCD패널은재료비가 70% 를차지하지만 DRAM은고정비가 70% 를차지한다. 따라서 중국업체의시장진입 ( 기술정체기에가능 ) 과이에따른 과열경쟁 ( 재료비 70%, 업체별수익격차거의없음 ) 이불가피했던 LCD패널과달리, DRAM 시장으로의시장진입은사실상불가능하다. 또한중국업체가초기시장진입에성공하더라도, 과거대만과일본 DRAM 업체의파산을이끌었던 치킨게임 전략에서예외일수는없다. DRAM의기술발전 ( 공정미세화 ) 은지속될전망이다. 현재사용되고있는 DRAM의미세화기술은 20nm 이하부터는한계에부딪히게되지만, QPT(Quadruple Patterning Technology) 와 STT-RAM(Spin Torque Transfer RAM) 신규도입을통해극복될것으로예상된다. 2026년 DRAM의미세공정기술은 6nm 대에진입할전망이다. 업종 Top Picks으로삼성전자, SK하이닉스, OCI머티리얼즈, 솔브레인, 디엔에프, 리노공업, 테크윙을제시한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 QPT, STT-RAM을신규도입함으로써 20nm이하에서도 DRAM의기술적경쟁우위를지속할전망이다. OCI머티리얼즈, 솔브레인, 디엔에프는 DRAM용소재를납품하고, 리노공업과테크윙은산업성장에따른후공정투자의수혜를받을것으로예상된다. [ 그림 1] by 메리츠종금증권 35 (nm) Key Challenges 1) QPT 도입 2) STT-RAM 로변경 EUV 도입 ) EUV Multi-pattering 2) Mask 소재변경 자료 : ITRS, IMEC, 메리츠종금증권리서치센터 [ 표 1] Meritz s Coverage ( 단위 : 십억원, 배, %) 매출액 영업이익 PER PBR EV/EBITDA ROE 시가총액 15E 16E 15E 16E 15E 16E 15E 16E 15E 16E 15E 16E 삼성전자 213, , ,522 28,291 30, SK 하이닉스 32,433 19,454 19,688 6,201 6, LG 디스플레이 11,361 27,642 25,154 1,654 1, OCI 머티리얼즈 1, 솔브레인 리노공업 디엔에프 메리츠종금증권리서치센터 4

5 II. 중국 DRAM 사업진출 : 위기인가? 1. 산업의기술발전이정체될경우, 신규업체진입가능기술의발전이정체될경우, 산업내신규참여자가증가하고기존업체와의경쟁이심화된다. 일례로, LCD패널산업은기술정체가지속되던 2004년부터중국 LCD패널업체가신규진입에성공했을뿐만아니라, 2015년에는시장점유율 17% 로큰폭성장할것으로전망된다. [ 그림 2] LCD 패널기술정체기 (2004 년 ~ 현재 ), 중국업체신규참여성공 경쟁심화 ( 백만개 ) 글로벌 LCD 패널중국 (BOE, CSOT, CEC) 합계중국점유율 ( 우 ) 25% Q04 1Q05 1Q06 1Q07 1Q08 1Q09 1Q10 1Q11 1Q12 1Q13 1Q14 1Q15E 주 : TV, NB, MNT 용 LCD 패널출하량합계수치자료 : Witsview, 메리츠종금증권리서치센터 17% 20% 15% 10% 5% 0% 기술격차가좁혀지더라도, 제품원가내고정비비중이크다면후발업체의점유율상 승을막을수있다. 그러나중국업체와의경쟁이심화된 LCD 패널의원가구조를보면, 고정비가 17%~18%, 재료비가 66%~73% 를각각차지하고있다. 삼성디스플레이가중국업체의시장진입을막기위해 LCD 판매가격을공격적으로낮춘다고하더라도, 양사간의수익성차이가크게나타나지않기때문에해당전략의성공가능성은매우낮다. [ 그림 3] LCD 패널원가구성 : 고정비 18% 치킨게임 ( 판가하락 경쟁업체파산 ) 불가 100% Depreciation Direct Labor Operating Expense Meterial 80% 60% 재료비 66% 재료비 71% 재료비 73% 40% 20% 고정비 18% 고정비 18% 고정비 17% 0% 주 : TV, NB, MNT 용 LCD 패널의사이즈별평균값자료 : Witsview, 메리츠종금증권리서치센터 TV MNT NB 메리츠종금증권리서치센터 5

6 2. DRAM 공정미세화지속 : 신규업체진입에따른시장파괴불가 DRAM은향후 6nm까지기술발전이지속될것으로예상되기때문에, 신규업체 (BOE 등 ) 의시장진입이어렵다. 신규업체가 Powerchip, Nanya와기술협약및지분인수등의방법을통해시장진출을시도하더라도, 상위 3사 ( 삼성전자, SK하이닉스, Micron) 와의기술격차 3년을좁히는것도사실상불가능하다. 당사는중국의 BOE가 DRAM 시장진입에성공하더라도 Niche Market Player에머물것이라고판단한다. [ 그림 4] LCD 패널과의차이점 1: DRAM 중장기기술발전은지속된다 40 (DRAM Node, nm) 기술발전 ( 공정미세화 ) 지속 자료 : ITRS, 메리츠종금증권리서치센터 기술격차가좁혀지더라도, 제품원가내고정비비중이크다면후발업체의점유율상 승을막을수있다. DRAM은 LCD패널과달리총원가내고정비의비중이 70% 수준에이르며, 공정미세화가진행될수록그비중은증가하게된다.[ 그림 5 참조 ] 삼성전자가 DRAM 가격을하락시킨다면, 중국업체와의감가상각비차이만큼수익격차가발생하게된다. 특히중국업체의 Cash Cost 이하로가격을하락시키면, 팔수록 Cash Out이되는상황도만들수있다. 과거대만과일본경쟁업체의파산을이끌었던 치킨게임 전략으로, 중국의업체역시예외일수는없다. [ 참조 : ( ) 제품포트폴리오전략과 DRAM 역사 ] [ 그림 5] LCD 패널과의차이점 2: 고정비가크다 & 미세화될수록고정비비중증가 Direct Labor Depreciation Materials Operating Expense 100% 90% 80% 70% 고정비 68% 60% 고정비 61% 고정비 63% 50% 40% 30% 20% 10% 0% 28nm DDR3 25nm DDR3 21nm DDR3 자료 : Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 6

7 III. DRAM Tech Roadmap: Long-term View 1. Set 업체, DRAM 공정미세화요구지속중메모리의공정미세화는지속되어야만한다. 특히 DRAM의경우 Mobility 증가를위한속도향상, 사이즈감소를위한 Density(GB/Box) 증가, 그리고 Battery 수명연장을위한저전력이요구되고있다.[ 그림6 참조 ] 따라서, DRAM 업체의당면과제는경쟁력향상을위한지속적인공정미세화이다. [ 그림 6] IoT 시대의 System 및 Memory Requirements System Requirements Memory Requirements Mobility Performance High Speed Thin & Light Devices High Density Longer Battery Life time Low Power [ 그림 7] DRAM 공정미세화 Memory Requirements 충족 1x 65nm 45nm 32nm 22nm 0.1x Server Desktop 0.01x Laptop Ultrabook 0.001x Tablet Pocket Device Higher Transistor Performance (High Speed) 자료 : Intel, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 7

8 공정미세화 (Tech Migration) 가필요한이유는 DRAM에반복배열되는 Cell의속도증가와전력감소를동시에가능케하기때문이다. 공정미세화로단위 Cell의크기가작아지면동작전압이낮아지고 Channel Length가줄어들게되는데, 낮아진동작전압은전력소모를감소시키고줄어든 Channel Length는속도를향상시킨다. [ 그림 8] 삼성전자 4Gb LPDDR3 DRAM 의실제 Chip 구조 자료 : ISSCC, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 9] 16bit DRAM: 1 Cell = 1 Tr + 1 Cap = 1 bit [ 그림 10] 4Gb DRAM 구조 : 40 억개의 Cell 이반복배열 1Cell = 1bit WL DQ WL CA DQ WL DQ WL DQ BL BL BL BL Cell Array: 4Gb DRAM 은총 40 억개의 Cell 이반복배열 메리츠종금증권리서치센터 8

9 [ 그림 11] DRAM 1 Cell 의설계도면 [ 그림 12] DRAM 1 Cell 의실제구조 Gate Source Drain Storage Capacitor Storage Capacitor Bit Line Bit Line Source Gate Drain Silicon Substrate [ 그림 13] DRAM 공정미세화 Channel Length(Source 와 Drain 거리 ) 감소 동작속도증가 & 전력소모감소 Capacitor Bit Line Capacitor 공정미세화 Bit Line Gate Source e e e e e e e e e e Drain Source Gate e e e e e Drain Silicon Substrate Silicon Substrate 메리츠종금증권리서치센터 9

10 2. DRAM 공정미세화한계도달. 돌파구는없는가? 현재사용되고있는 DRAM의미세화기술은 20nm 이하부터는기술적한계에부딪히게된다. 이는 1)Transistor의 Channel Length 감소와 2)Capacitor의 A/R(Aspect Ratio, Capacitor의세로 / 가로비율 ) 증가가한계에이를것으로판단되기때문이다. 따라서, 20nm 공정비중이 50% 를넘어설것으로예상되는 2016년이후 DRAM의공정미세화지속을위한새로운돌파구가필요하다. 사실 DRAM 의미세화한계는과거 30nm 에서도거론됐었지만, DPT(Double Patterning Technology) 및 High-K 소재의도입으로극복됐다. 따라서, 지금부터는 DRAM 의미세 화한계돌파를위한대안과당사가판단하는중장기 Roadmap 에대해논하고자한다. [ 그림 14] DRAM Tech Node 추이및전망 : 20nm 이후돌파구는없는가? 45 (nm) DPT & High-K 도입으로한계돌파 자료 : ITRS, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 15] DRAM Sub-20nm 공정이슈 : 1)Transistor Limit & 2)Capacitor A/R Limit Sub 20nm Process Capacitor Capacitor Bit Line Capacitor Bit Line Bit Line Gate Source Drain Silicon Substrate Gate Source Drain Silicon Substrate Gate Source Drain Silicon Substrate 메리츠종금증권리서치센터 10

11 20nm 이하 DRAM 은 1)QPT(Quadruple Patterning Technology) 또는 EUV(Extreme Ultra Violet) 장비도입, 2)New Memory(STT-RAM) 도입등을통해지속될것으로예상된다. 참고로, Transistor의구조를바꾼 FinFET은당분간 DRAM에적용하기어려울전망이다. FinFET은삼성전자, TSMC, Intel 등이 20nm 이하의비메모리양산을위해도입하였지만, 공정단가가높기때문에판가가낮은 DRAM에사용될경우원가부담의이슈가발생한다. 가격탄력성이높은 DRAM에사용되기는현재로서부적절한기술이다. [ 그림 16] DRAM: 20nm Tech Limit 을넘어 기술혁신 20 1) QPT or EUV 도입 2) New Memory(STT-RAM) 도입 [ 그림 17] Logic : 2019 년 5nm 공정양산예상 nm Path Finding 45nm GL HK/MG 3D-TR Buffer Layer Si Substrate Alternative Channel 32nm 28nm > 50% reduction Tunnel FET 20nm 14nm ('14) 10nm ('16) 7nm ('17~'18) Graphene FET 5nm ('19) 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 11

12 3. Transistor 미세공정한계돌파 : DPT QPT EUV EUV DPT DRAM 미세화공정내 1)Transistor의 Channel Length 감소의한계를넘기위한 Solution으로 EUV 장비 의도입이있다. EUV는극자외선을이용한노광기술로, 미국컨소시엄인 SEMATECH과유럽컨소시엄인 IMEC에서공동개발중이다. 현재 EUV 장비 의 Hardware 성능은기존 ArF Immersion 장비 수준에근접해있으며, 연구개발차원에서는이미 14nm의미세패턴구현도성공했다.[ 그림18 참조 ] 그러나, EUV 장비내 Source의 Power 부족 과 노광시 Mask 결함 이슈가여전히존재하여, 실질적인대량양산은빨라도 2018년하반기에나가능할전망이다.[ 그림20 참조 ] [ 그림 18] ASML: EUV장비 (NXE3300) 이용한 14nm 미세패턴구현성공 Dipole30, Chemically Amplified Resist (CAR) Dipole45, Inpria Resist Quasar30 (CAR) Large Annular (CAR) 자료 : ASML, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 19] ASML ArF Immersion 장비 Throughput 추이및 EUV 장비개발 Schedule Immersion 230WPH 250WPH 275WPH 190WPH EUV 125WPH 165WPH 33WPH 40WPH 75WPH 55WPH 자료 : ASML, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 20] EUV Timelines 빨라야 2018 년하반기 Mass Production 가능할전망 Foundry Suppliers Fabs Demo Tool Start Memory High Volume Manufacturing Logic Year Signals 1) Litho Timelines Published 2) Consortia/Semi Activities 3) Customer Announcements Pilot Lines Synchronized Transition 자료 : ASML( Updated), 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 12

13 EUV 장비의도입지연으로인해 2016 년부터 2018 년까지 3 년간 DRAM 공정미세화의공 백이발생하게되는데, 당사는해당기간 QPT(Quadruple Patterning Technology) 기술의 도입으로 Sub-20nm(under 20nm) 양산이진행될것으로예상하고있다. QPT 는현재 2xnm DRAM 공정에서사용되고있는 SaDPT(Self-Aligned Double Patterning Technology) 기술이반복되는공정으로, SaDPT 대비 1)Hardmask 증착과 2)Etch Back, 그리고 3)Hardmask Etching 공정이 1 회씩추가된다.[ 그림 22 참조 ] [ 그림 21] DRAM Transistor 의 Channel Length 감소중장기 Roadmap 45 (nm) DRAM Transistor Tech Limit 돌파 QPT 도입 EUV 도입 EUV Multi-pattering DPT &High-K 도입으로한계돌파 [ 그림 22] SaDPT vs. SaQPT 공정흐름도분석 DPT Process PR Litho 1st HM Etch DPT 소재 Depo Etch Back 2nd HM Etch Photo Resist Hardmask 1 Hardmask 1 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Film Film Film Film Film Film QPT Process PR Litho 1st HM Etch DPT 소재 Depo Etch Back 2nd HM Etch Photo Resist Hardmask 1 Hardmask 1 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 2 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Hardmask 3 Film Film Film Film Film Film 3rd HM Etch Etch Back Film Hardmask 3 Film Hardmask 3 Film 메리츠종금증권리서치센터 13

14 QPT 도입의 Bottleneck은기존 DPT 대비늘어난공정 Steps에따른원가 (Cost/Wafer) 부담이다. 현재 Mask의 Layout Design 효율화와장비의 Throughput 개선등을통해지속적으로감소하고있기때문에, 2016년이후 20nm 이하의 DRAM 양산에충분히적용가능할것으로판단한다. QPT의 Cost/Gate는 DPT 대비최근 10% 수준내외까지감소한것으로파악된다. [ 그림 23] QPT(= Double Spacer) 원가분석 주 : WPD(Wafer Per Day) 자료 : Nikon, 메리츠종금증권리서치센터 QPT 도입에따른수혜업체로삼성전자, 피에스케이, 디엔에프를제시한다. 삼성전자는 QPT 도입을통해 20nm이하에서도 DRAM의경쟁우위를지속할전망이다. 피에스케이와디엔에프는각각 QPT용 Etch Back장비와소재를공급하며중장기적실적성장세를이어갈전망이다. [ 그림 24] QPT 수혜업체 : 삼성전자, 피에스케이, 디엔에프 삼성전자 QPT 도입 20nm 이하 DRAM 경쟁우위지속 피에스케이 Etch Back 장비개발 QPT 도입수혜 QPT 공정내 Etch Back 사용량 DPT 대비 2 배증가 디엔에프 삼성전자 DPT 소재납품으로 2xnm 공정비중증가수혜 향후 QPT 도입에따른실적증가세지속전망 QPT 공정내희생막소재사용량 DPT 대비 2 배증가 메리츠종금증권리서치센터 14

15 4. Capacitor A/R 한계돌파 (DRAM STT-RAM 구조변경 ) DRAM 미세화공정내 Capacitor A/R(Aspect Ratio) 증가의한계를넘기위한 Solution 으로 New Memory 도입이검토되고있는것으로파악된다. New Memory에는 STT-RAM(Spin Torque Transfer RAM), PCRAM(Phase Change RAM), ReRAM (Resistive RAM) 등이있는데, 이중 STT-RAM이 DRAM을대체할것으로예상한다. 참고로, PCRAM 과 ReRAM 은 NAND Flash 의대체제로거론되고있으나, 기술적이슈들 이산재하고있어단기간내양산이어려울것으로판단한다. [ 그림 25] New Memory 종류별특성분석 High Speed STT-RAM DRAM 과동일한 CMOS 공정사용 1 Cell = 1 Transistor + 1 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 비휘발성메모리로 DRAM 대비전력소모적고고속동작함 MTJ 는 10nm 이하공정제조가능하여 DRAM 의 Capacitor 대체가능 PCRAM 비휘발성메모리로 NAND 대비원가및신뢰성우수 DRAM 과 NAND 의성능의중간위치에 Positioning 됨 기존메모리대체보다는 System 성능향상을위해사용가능성존재 ReRAM DRAM 과동일한 CMOS 공정사용 NAND Flash 대체가능성존재하나, 정확한동작 Mechanism 알려지지않았기때문에양산시기미정 High Density [ 그림 26] Memory in Computing Hierarchy [ 그림 27] New Memory 비교분석 Increasing Speed & Endurance CPU Read Speed Write Speed SRAM STT - MRAM SRAM STT-MRAM DRAM NAND PCRAM Endurance Cost HDD ReRAM PRAM DRAM NAND Increasing Density (Decreasing Cost) Retention Power 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 15

16 STT-RAM이 DRAM을대체할것으로판단하는첫번째이유는, 기존 DRAM과동일한공정을사용하여 Fab 전환에용이하기때문이다. STT-RAM의 Cell 구조는 1개의 Transistor와 1개의 MTJ(Magnetic Tunneling Junction) 로구성되어있으며, 이는 1개의 Transistor와 1개의 Capacitor로구성된 DRAM과비슷하다. 다시말해, STT-RAM은 Capacitor를 MTJ로변경하는것을제외하면 DRAM과그구조가동일하며, 제조역시 DRAM의 CMOS공정을사용하기때문에 DRAM STT-RAM의 Fab전환 이용이하다. STT-RAM이 DRAM을대체할것으로판단하는두번째이유는, Capacitor 대신 MTJ를사용되기때문에높아지고있는 DRAM Capacitor의 A/R(Aspect Ratio, 세로 / 가로비율 ) 이슈에서벗어날수있기때문이다. [ 그림 28] 에서확인할수있는것처럼, 공정미세화진행시 Capacitor의 A/R이증가하게되는데, 20nm 이하의공정에서는그수치가 100 에근접하게되어양산이불가능하다. 해결방안이바로 MTJ가될것이라는판단이다. [ 그림 28] DRAM Capacitor의 A/R: 20nm 이하공정에서양산한계 5A ~3A 100 Tox 11A 9A 8A 7A A/R Tech node (nm) 20 0 [ 그림 29] DRAM Capacitor: 20nm 이하제조어려울전 [ 그림 30] STT-RAM MTJ: 10nm 이하제조가능예상 Capacitor Bit Line Bit Line MTJ Source Gate Silicon Substrate Drain Gate Source Drain Silicon Substrate 메리츠종금증권리서치센터 16

17 Capacity (bits) [ 그림 31] DRAM 3xnm 공정 Capacitor 의 A/R = 25 [ 그림 32] Dubai Burj Khalifa 의 A/R = 6 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 33] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage = 1 [ 그림 34] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage =0 BL 1T HDD MTJ MTJ SL WL WL 3F 3F STT-RAM unit cell: 3F x 2F = 6F² 100G Data Storage NAND 10G DRAM 1G STT-RAM NOR PRAM 100M Working Memory Code Storage SRAM 10M MRAM RRAM 1M FeRAM Write Cycle Time(ns) 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 35] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage = 1 [ 그림 36] STT-RAM 의 MTJ 동작 : Stage =0 Parallel spin state (Low resistance) Anti-parallel spin state (High Resistance) Top Electrode Top Electrode Stage = "1" Ferromognetic (Free Loyer) Stage = "0" Ferromognetic (Free Loyer) Tunnel borrier (MgO) Tunnel borrier (MgO) Current Sensing m Ferromognetic (Pinned Loyer) Current Sensing m Ferromognetic (Pinned Loyer) Bottom Electrode Bottom Electrode 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 자료 : SK 하이닉스, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 17

18 STT-RAM의본격양산시 Tech node는 1xnm, 시점은 2018년전 / 후가될것으로예상한다. 현재 STT-RAM의 DRAM 대비의뛰어난성능에도불구하고 DRAM을대체하기위한추가적인원가개선이선행되어야한다. 당사는수율개선이예상되는 2018년을전 / 후로하여본격적으로양산이시작될것으로예상한다. STT-RAM의원천기술을보유하고있는 Grandis는 STT-RAM의 Tech Node가 2013년 32nm에서 2016년 18nm, 2020년에는 10nm까지개발될것으로전망하고있으며, 유럽최대나노및기술연구소인 IMEC 은 2017~2018년 STT-RAM의양산을예상하고있다.[ 표 2 및표 3 참조 ] [ 그림 37] 주요 Memory 제품원가비교 DRAM NAND STT-RAM ReRAM PCRAM 자료 : 업계, 메리츠종금증권리서치센터 [ 표 2] DRAM 2017년 STT-RAM으로대체전망 Year of Production Dram 1/2 pitch (nm) Flash 1/2 pitch (nm) STT-RAM node (nm) Cell size (F2) STT-RAM Application DRAM DRAM DRAM DRAM 자료 : Grandis, 메리츠종금증권리서치센터 [ 표 3] 2017년이후 DRAM STT-RAM으로구조변경예상 Early production 2011~ ~ ~ ~ ~ DRAM 38-32nm 32-28nm 26-22nm 18-15nm 12-10nm Memory MIMEOT 0.6 MIMEOT 0.4 MIMEOT 0.3 STT-RAM STT-RAM Density 2Gb 4Gb 8Gb 8Gb 16Gb Array 6F 2 6F 2 6F 2 6F 2 6F 2 Gate Poly/SiO₂ HKMG HKMG HKMG HKMG Vdd(V) 자료 : IMEC, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 18

19 삼성전자는 2011년 STT-RAM의원천기술을보유한 Grandis를인수 ( 직원및 200여개특허포함 ) 했으며, 2013년에는전세계대학으로부터 STT-RAM의요소기술개발을위탁하는 SGMI(Samsung Global MRAM Innovation) 프로그램을운용하며적극적인행보를보이고있다. Grandis 는 2002 년에설립된회사로미국캘리포니아에위치해있으며, 인수후삼성전 자의 R&D 파트에서차세대메모리를개발중에있는것으로파악된다. SK 하이닉스는 Toshiba 와특허 Cross Licensing 을체결하며공동개발중에있다. [ 표 4] 삼성전자 SGMI Research Themes & Subjects: MTJ 개발에집중됨 ( 총 32개 Item 중 53% 차지 ) Research Category Research Title No. I. Magnetic Materials for MTJ 1. High ipma High Hex SAF Structure Bulk PMA Material for Low Switching Current Magnetostriction & Mechanical Stress Effect 1.5 II. MTJ Integration & MgO 1. MgO Crystallinity & Interface Epitaxy Damage-free MTJ Etch Etch Residue Removal (Cleaning) Post Treatment & Encapsulation 2.4 III. MTJ Characteristics 1. high TMR 3.1 (Read/Write & reliability) 2. Low Switching Current MTJ Write Error Rate MTJ Thermal Stability MTJ Switching Back (Back Hopping) MTJ Endurance 3.6 IV. MTJ Analysis (Modeling) 1. Micro Magnetic Simulator Material Development Simulator 4.2 V. Packaging 1. Magnetic Shielding 5.1 VI. Transistor 1. Straing Engineering Gate Wrok Function Engineering 6.2 VII. Circuit Design 1. Resistive Memory Architecture Read Sensing Circuits Write programming Circuits Design for Test Redundancy and ECC 7.5 VIII. Application (H/W, S/W) 1. H/W and S/W Techniques to Hide Weaknesses of STT-MRAM Techniques to Protect STT-MRAM Systems against Attacks and Power Failures Novel Applications on STT-MRAM Systems Exploiting New Design Trade-offs 8.4 IX. Emerging Technology 1. Materials and Designs Exploiting Spin-Orbit Effects for Memory Switching Materials and Designs Exploiting Voltage-Controlled Anisotropy for Memory Switching MLC and 3D STT-MRAM Technology 9.3 자료 : 삼성전자, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 19

20 [ 그림 38] 스마트폰구조 : NOR, PSRAM, LPDDR 사용 Image Sensor FRAME BUFFER Media Processor [ARM] LCD Display RF Baseband/ Modem [Memory Ctrl] Application Processor [Memory Ctrl] Audio/Video/ TV out MMC/SD NOR PSRAM NOR LP-DDR NAND SLC/MLC MCP 자료 : Grandis, 메리츠종금증권리서치센터 [ 그림 39] STT-RAM 으로인한스마트폰구조변화예상도 Image Sensor On-Chip STT-RAM Media processor [ARM] LCD Display RF Baseband/ Modem [Memory Cntrl] Application Processor [Memory Cntrl] Audio/Video/ TV out MMC/SD STT-RAM STT-RAM NAND SLC/MLC 자료 : Grandis, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 20

21 IV. 산업 Key Data [ 표 5] 주요 Set제품출하량추이및전망 ( 단위 : 백만개 ) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E Shipments Mobile Phone ,808 1,925 1,983 Smart Phone ,259 1,436 Feature Phone Tablet PC Desktop PC Note PC Server LCD/OLED TV MNT %YoY Mobile Phone 6% 6% 8% 6% 7% 6% 2% -2% 6% 7% 3% Smart Phone 33% 27% 28% 23% 20% 18% 12% 8% 41% 27% 14% Feature Phone -21% -19% -17% -17% -15% -15% -18% -23% -19% -19% -18% Tablet PC 11% 14% 17% -8% -3% 15% 11% -1% 47% 6% 5% Desktop PC -2% -1% -4% -5% -6% -7% -7% -8% -8% -3% -7% Note PC 0% 2% 4% 4% -7% -5% -4% -4% -11% 2% -5% Server 2% 4% 4% 8% 8% 4% 4% 2% 2% 4% 5% LCD/OLED TV 4% 5% 11% 7% 10% 10% 6% 7% 2% 7% 8% MNT -11% -7% 3% 8% 5% 1% -1% -6% -11% -2% -1% [ 표 6] 주요 Set제품매출액추이및전망 ( 단위 : 십억달러 ) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E Revenue Total Mobile Phone Smart Phone Feature Phone Tablet PC Desktop PC Note PC Server LCD/OLED TV MNT %YoY Total 4% 3% -5% -4% -6% -4% 3% -4% 1% 3% 1% Mobile Phone 11% 4% -13% -3% -5% -4% 10% -5% 10% 8% 8% Smart Phone 13% 9% 13% 24% 21% 19% 14% -3% 22% 15% 11% Feature Phone -41% -41% -39% -38% -34% -32% -33% -34% -35% -40% -33% Tablet PC 3% 5% 6% -17% -12% 8% 5% -7% 27% -3% -2% Desktop PC -1% 7% -2% -5% -6% -7% -4% -5% -6% 0% -6% Note PC -1% 0% -2% -4% -11% -6% -3% -2% -11% -2% -5% Server 0% 0% 0% 4% 6% 1% 1% -1% -4% 1% 1% LCD/OLED TV -4% 3% 7% 0% -2% -7% -8% -4% -8% 2% -5% MNT -6% -7% 5% 13% 9% 6% 3% -2% -9% 1% 4% 메리츠종금증권리서치센터 21

22 [ 표 7] DRAM Supply/Demand ( 단위 : 백만장 / 월, 12인치 Eq.; 백만개, 1Gb Eq.) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E Oversupply Ratio 2.1% 3.4% 3.9% 5.1% 5.4% 2.4% 0.5% 2.1% 0.1% 3.7% 2.5% DRAM Supply 10,883 11,659 13,140 14,226 14,563 14,466 15,750 17,176 37,226 49,908 61,955 Wafer Input DRAM Demand 10,656 11,278 12,652 13,542 13,822 14,133 15,669 16,818 37,180 48,128 60,442 DRAM Supply 10,883 11,659 13,140 14,226 14,563 14,466 15,750 17,176 37,226 49,908 61,955 Samsung 3,797 4,620 5,510 5,532 5,698 6,496 7,015 7,086 12,777 19,458 26,295 SK Hynix 2,846 3,230 3,442 4,044 3,862 4,171 4,255 4,808 10,253 13,563 17,096 Micron Group 2,920 2,928 3,144 3,396 3,090 3,368 3,469 3,955 11,022 12,388 13,882 Nanya ,382 1,644 1,790 Powerchip ,160 1,058 Winbond DRAM Demand 10,656 11,278 12,652 13,542 13,822 14,133 15,669 16,818 37,180 48,128 60,442 Server 1,458 1,668 1,729 1,969 1,895 2,143 2,311 2,562 4,940 6,824 8,911 Desktop PC 1,039 1,066 1,114 1,111 1,000 1,056 1,025 1,036 4,489 4,330 4,116 Note PC 1,456 1,585 1,678 1,804 1,390 1,471 1,637 1,791 6,254 6,522 6,289 Mobile Phone 2,119 2,394 2,889 3,148 3,048 4,007 4,818 5,269 6,526 10,550 17,141 Tablet PC ,374 2,095 2,886 LCD/OLED TV ,454 2,041 2,780 Memory Module ,269 2,505 2,556 Graphic Card B/G(%QoQ/%YoY) DRAM Supply 11% 7% 13% 8% 2% -1% 9% 9% 27% 34% 24% Samsung 1% 22% 19% 0% 3% 14% 8% 1% 24% 52% 35% SK Hynix 20% 13% 7% 18% -5% 8% 2% 13% 34% 32% 26% Micron Group -3% 0% 7% 8% -9% 9% 3% 14% 45% 12% 12% Nanya 8% 7% 2% 2% 5% -2% 1% 2% -37% 19% 9% Powerchip 34% -17% 1% -10% -2% 5% 2% 3% -22% 97% -9% Winbond 0% 6% 10% 2% -1% 5% 1% 7% 7% 17% 13% DRAM Demand 6% 6% 12% 7% 2% 2% 11% 7% 37% 29% 26% Server 8% 14% 4% 14% -4% 13% 8% 11% 36% 38% 31% Desktop PC -4% 3% 4% 0% -10% 6% -3% 1% -6% -4% -5% Note PC -6% 9% 6% 8% -23% 6% 11% 9% -9% 4% -4% Mobile Phone 6% 13% 21% 9% -3% 31% 20% 9% 71% 62% 62% Tablet PC -25% 3% 18% 39% -23% 21% 12% 23% 98% 52% 38% LCD/OLED TV -24% 10% 25% 32% -22% 9% 19% 32% 40% 40% 36% Memory Module 5% 9% 6% 3% -11% 5% 5% 3% 18% 10% 2% Graphic Card -8% -3% 29% 2% -9% 4% 25% 1% 18% 20% 20% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 22

23 [ 표 8] DRAM 수요분석 Summary ( 단위 : 백만개, 1Gb Eq.) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E DRAM Demand 10,656 11,278 12,652 13,542 13,822 14,133 15,669 16,818 37,180 48,128 60,442 Server 1,458 1,668 1,729 1,969 1,895 2,143 2,311 2,562 4,940 6,824 8,911 Desktop PC 1,039 1,066 1,114 1,111 1,000 1,056 1,025 1,036 4,489 4,330 4,116 Note PC 1,456 1,585 1,678 1,804 1,390 1,471 1,637 1,791 6,254 6,522 6,289 Mobile Phone 2,119 2,394 2,889 3,148 3,048 4,007 4,818 5,269 6,526 10,550 17,141 Tablet PC ,374 2,095 2,886 LCD/OLED TV ,454 2,041 2,780 Memory Module ,269 2,505 2,556 Graphic Card %YoY 27% 26% 29% 35% 30% 25% 24% 24% 37% 29% 26% Server 31% 31% 45% 45% 30% 28% 34% 30% 36% 38% 31% Desktop PC -10% -9% 3% 3% -4% -1% -8% -7% -6% -4% -5% Note PC -6% 0% 7% 16% -5% -7% -2% -1% -9% 4% -4% Mobile Phone 67% 56% 68% 57% 44% 67% 67% 67% 71% 62% 62% Tablet PC 72% 72% 69% 26% 31% 53% 45% 28% 98% 52% 38% LCD/OLED TV 40% 39% 45% 38% 41% 40% 34% 33% 40% 40% 36% Memory Module -2% -6% 31% 25% 6% 2% 1% 0% 18% 10% 2% Graphic Card 23% 14% 26% 17% 17% 24% 21% 19% 18% 20% 20% DRAM GB/System Server Desktop PC Note PC Mobile Phone Tablet PC LCD/OLED TV %YoY Server 29% 26% 39% 35% 21% 23% 28% 27% 33% 32% 25% Desktop PC -8% -7% 7% 8% 2% 6% -1% 1% 2% -1% 2% Note PC -6% -2% 3% 12% 2% -3% 1% 3% 2% 2% 1% Mobile Phone 57% 48% 56% 48% 34% 57% 64% 71% 62% 52% 58% Tablet PC 54% 51% 45% 38% 34% 32% 31% 29% 35% 44% 31% LCD/OLED TV 34% 32% 31% 29% 28% 27% 26% 25% 37% 31% 26% Set Demand Server Desktop PC Note PC Mobile Phone ,808 1,925 1,983 Tablet PC LCD/OLED TV %YoY Server 2% 4% 4% 8% 8% 4% 4% 2% 2% 4% 5% Desktop PC -2% -1% -4% -5% -6% -7% -7% -8% -8% -3% -7% Note PC 0% 2% 4% 4% -7% -5% -4% -4% -11% 2% -5% Mobile Phone 6% 6% 8% 6% 7% 6% 2% -2% 6% 7% 3% Tablet PC 11% 14% 17% -8% -3% 15% 11% -1% 47% 6% 5% LCD/OLED TV 4% 5% 11% 7% 10% 10% 6% 7% 2% 7% 8% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 23

24 [ 표 9] DRAM Wafer Input Capa 추이및전망 ( 단위 : 천장 / 월, 12 Eq.) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E Wafer Input Capa 1,097 1,075 1,071 1,077 1,068 1,085 1,082 1,094 1,073 1,080 1,082 %YoY 1% -3% 1% 4% -3% 1% 1% 2% -2% 1% 0% Samsung Fab Fab12 Fab Fab Fab Fab SK Hynix M Wuxi Fab M M Micron Group Dominion Fab JV-TECH Inotera Fab E Rexchip Nanya Powerchip Winbond % of Total Samsung 35% 34% 34% 36% 36% 37% 37% 37% 34% 35% 37% Fab11 5% 4% 4% 4% 4% 4% 4% 4% 5% 4% 4% Fab12 Fab13 11% 11% 11% 11% 11% 11% 10% 10% 12% 11% 11% Fab15 16% 16% 16% 16% 16% 16% 15% 15% 17% 16% 15% Fab16 3% 3% 3% 3% 3% 3% 3% 3% 1% 3% 3% Fab17 2% 2% 4% 6% 5% 0% 4% SK Hynix 23% 24% 23% 22% 22% 21% 21% 22% 23% 23% 21% M10 13% 12% 12% 11% 11% 11% 9% 8% 12% 12% 10% Wuxi Fab2 8% 11% 11% 11% 10% 10% 10% 10% 9% 10% 10% M12 2% 1% 1% 1% M14 2% 5% 2% Micron Group 31% 30% 31% 30% 29% 29% 28% 27% 33% 30% 28% Dominion Fab2 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% JV-TECH 1% 0% 0% 4% 0% Inotera Fab2 11% 11% 11% 11% 10% 10% 9% 8% 10% 11% 9% E300 9% 9% 10% 10% 10% 10% 10% 10% 9% 10% 10% Rexchip1 7% 7% 7% 7% 7% 7% 7% 7% 7% 7% 7% Nanya 5% 5% 5% 5% 5% 5% 6% 5% 5% 5% 5% Powerchip 5% 5% 5% 5% 6% 6% 6% 6% 3% 5% 6% Winbond 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 2% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 24

25 [ 표 10] NAND Supply/Demand Summary ( 단위 : 백만장 / 월, 12 Eq; 백만개 / 분기, 1GB Eq.) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E Oversupply Ratio 6% 4% 0% -2% 5% 7% -1% -1% 3% 1% 2% NAND Supply 12,446 13,430 14,659 16,200 17,218 19,031 19,854 21,741 42,004 56,735 77,843 Wafer Input NAND Demand 11,758 12,886 14,690 16,600 16,434 17,749 20,056 21,903 40,937 55,935 76,142 NAND Supply 12,446 13,430 14,659 16,200 17,218 19,031 19,854 21,741 42,004 56,735 77,843 Samsung 4,353 5,273 5,800 6,090 6,699 7,972 9,008 9,729 14,879 21,516 33,407 SK Hynix 1,162 1,789 2,254 2,920 2,733 2,938 3,040 3,390 5,068 8,125 12,101 Toshiba/SanDisk 4,888 5,132 5,286 5,656 5,939 6,473 7,250 8,193 15,735 20,962 27,855 Micron/Intel 2,518 2,367 2,675 2,701 2,647 2,859 3,431 4,220 6,347 10,260 13,157 NAND Demand 11,758 12,886 14,690 16,600 16,434 17,749 20,056 21,903 40,937 55,935 76,142 SSD 2,539 3,172 3,895 4,321 4,871 5,591 6,574 7,844 5,217 13,927 24,880 Note PC Mobile Phone 6,044 6,507 7,622 8,825 8,325 8,866 9,682 10,188 22,204 28,997 37,062 Tablet PC , ,116 3,790 3,819 3,900 LCD/OLED TV ,216 Digital Camera ,487 1,969 1,928 USB ,013 2,183 2,908 3,640 PMP ,646 1,195 1,029 B/G(%QoQ/%YoY) NAND Supply 6% 8% 9% 11% 6% 11% 4% 10% 41% 35% 37% Samsung 6% 21% 10% 5% 10% 19% 13% 8% 59% 45% 55% SK Hynix -8% 54% 26% 30% -6% 8% 3% 12% 45% 60% 49% Toshiba/SanDisk 12% 5% 3% 7% 5% 9% 12% 13% 36% 33% 33% Micron/Intel 35% -6% 13% 1% -2% 8% 20% 23% 30% 62% 28% NAND Demand 0% 10% 14% 13% -1% 8% 13% 9% 45% 37% 36% SSD 68% 25% 23% 11% 13% 15% 18% 19% 144% 167% 79% Note PC -21% 75% 42% 8% -19% 3% 11% 4% 38% 24% 20% Mobile Phone -9% 8% 17% 16% -6% 6% 9% 5% 34% 31% 28% Tablet PC -34% -9% 8% 31% -28% 14% 2% 14% 29% 1% 2% LCD/OLED TV -33% 35% 27% 21% -9% 11% 15% 33% 37% 36% 57% Digital Camera -12% -1% -2% -1% -6% 4% 6% 1% 28% -21% -2% USB 4% 8% 10% 13% -2% 2% 10% 8% 20% 33% 25% PMP -6% 16% 1% -13% -21% 14% 2% 14% -19% -27% -14% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 25

26 [ 표 11] NAND Wafer Input Capa 추이및전망 ( 단위 : 천장 / 월, 12 Eq.) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E Wafer Input Capa 1,070 1,130 1,142 1,172 1,202 1,212 1,222 1,262 1,038 1,129 1,225 Samsung Fab Fab14 Fab XiAn Fab SK Hynix M8 M M Micron Group Lehi Dominion Fab JV-TECH IMFT Toshiba Y-Cube Y-Cube Y-Cube Powerchip Fab12A % of Total Samsung 31% 30% 30% 30% 31% 31% 30% 32% 32% 30% 31% Fab12 12% 12% 11% 10% 10% 10% 10% 10% 13% 11% 10% Fab14 Fab16 18% 17% 17% 16% 16% 16% 16% 15% 19% 17% 16% XiAn Fab 1% 2% 3% 3% 5% 5% 5% 8% 2% 6% SK Hynix 11% 13% 14% 15% 14% 14% 14% 13% 13% 13% 14% M8 M11 10% 12% 11% 11% 11% 11% 11% 10% 12% 11% 11% M12 1% 2% 3% 3% 3% 3% 3% 3% 1% 2% 3% Micron Group 21% 21% 21% 20% 20% 19% 19% 19% 19% 21% 19% Lehi 7% 6% 6% 6% 6% 6% 6% 6% 7% 6% 6% Dominion Fab2 4% 4% 4% 3% 3% 3% 3% 3% 4% 4% 3% JV-TECH 4% 5% 5% 5% 5% 5% 5% 4% 1% 5% 4% IMFT 7% 6% 6% 6% 6% 6% 6% 6% 7% 6% 6% Toshiba 36% 35% 35% 35% 35% 35% 36% 35% 35% 35% 35% Y-Cube 3 14% 13% 13% 13% 12% 12% 12% 12% 14% 13% 12% Y-Cube 4 19% 19% 18% 18% 17% 17% 17% 17% 18% 18% 17% Y-Cube 5 4% 4% 4% 4% 5% 6% 7% 6% 3% 4% 6% Powerchip 0% 0% 1% 1% 1% 1% 1% 1% 1% 0% 1% Fab12A 0% 0% 1% 1% 1% 1% 1% 1% 1% 0% 1% 자료 : DRAMeXchange, Gartner, 메리츠종금증권리서치센터 메리츠종금증권리서치센터 26

27 Meritz Coverage 1 삼성전자 Buy TP 1,750,000 원 28p 2 SK 하이닉스 Buy TP 62,000 원 32p 3 LG 디스플레이 Hold TP 35,000 원 35p 4 OCI 머티리얼즈 Buy TP 120,000 원 39p 5 솔브레인 Buy TP 53,000 원 42p 6 리노공업 Buy TP 57,000 원 45p 7 디엔에프 Buy TP 30,000 원 48p 메리츠종금증권리서치센터 27

28 삼성전자 (005930) Buy (Maintain) TP 1,750,000 원 DRAM 경쟁력우위지속전망 투자의견 매수, 목표주가 175만원유지 - 20nm 이하의 DRAM 미세화에대한경쟁우위지속. V-NAND 양산본격화와 System LSI 가동률증가로부분의사상최대실적지속될전망. 업종 Top Pick으로매수추천지속함. DRAM 미세화 : 삼성전자경쟁우위지속 - 삼성전자는 QPT를도입하며 EUV장비의양산본격화예상되는 18년까지 DRAM 미세화에대한경쟁우위지속할전망 - STT-RAM 원천기술보유한 Grandis 인수. STT-RAM이 DRAM의구조대체시최대수혜. STT-RAM은 DRAM과동일공정을사용하여 DRAM STT-RAM Fab 전환 이용이하며, Capacitor 대신 MTJ를사용하기때문에 DRAM 미세화시문제가되는 Capacitor의 Aspect Ratio 이슈에서자유로움 2Q15 영업이익 7.3조원, 성장세지속전망 - 2Q15 매출액 56.7조원 (+20%QoQ), 영업이익 7.3조원 (+25%QoQ) 으로성장세지속될전망. IM과부문의실적성장을예상. - 2Q15 갤럭시S6 출하량은 2,000만대로기대치에부합할것으로예상. 부문은 DRAM, NAND, AP, BP, PMIC의갤럭시S6 점유율증가효과가반영되며, 영업이익 3.5조원으로사상최대실적기록할전망. 업종 : / Analyst 박유악 ( / yuak.pak@meritz.co.kr) Rating & Target Price New : Buy 1,750,000원 종가 (4/17) 1,450,000원 Market Data KOSPI 2,143.50pt KOSDAQ pt 시가총액 2,135,840억원 발행주식수 14,730만주 외국인지분율 51.53% DPS(2013) 14,300 원 배당수익률 (2013) 1.0% Company Data 주요주주 이건희 ( 외 10인 ) 17.6% 국민연금관리공단 7.6% 삼성생명 7.5% Bloomberg KS Price Range(52주 ) 1,083,000~1,503,000원 60일평균거래량 219,989주 60일평균거래대금 3,129.2억원 ( 십억원, 원, 배,%) E 2015E 2016E 매출액 228, , , ,522 영업이익 36,785 25,025 28,291 30,309 순이익 29,821 23,082 24,774 26,368 EPS 225, , , ,189 증감율 (%) BPS 825, ,138 1,053,481 1,200,941 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 시장대비상대강도 : 1개월 (1.02), 3개월 (0.94), 6개월 (1.00) 000'S 1,600 1,400 1,200 1, SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. FROM 17/4/14 TO 17/4/15 DAILY 0 Apr May May Jun Jul Aug Sep Oct Nov Dec Jan Feb Mar PRICE HIGH /03/15, LOW /10/14, LAST PRICE REL. TO KOREA SE COMPOSITE(KOSPI) 메리츠종금증권리서치센터 28

29 [ 표 1] 삼성전자연결실적추이및전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E 2016E 매출액 53,675 52,353 47,447 52,730 47,379 56,699 52,799 55, , , ,522 %QoQ/%YoY -9% -2% -9% 11% -10% 20% -7% 6% -10% 3% -2% IT & Mobile 32,442 28,452 24,577 26,291 24,959 31,372 27,967 29, , , ,766 무선사업부 31,360 27,510 23,520 25,022 23,970 30,339 26,836 27, , , ,241 네트워크 / 기타 1, ,057 1, ,033 1,131 1,283 4,351 4,436 4,525 Semiconductor 9,394 9,784 9,890 10,657 11,245 12,169 12,802 13,016 39,725 49,231 52,842 Memory 6,294 6,921 7,930 8,178 8,120 8,891 9,255 8,941 29,323 35,207 37,764 System LSI 2,897 2,612 1,910 2,338 2,703 2,905 3,365 3,800 9,757 12,773 15,078 Display Panel 6,097 6,329 6,255 7,051 6,455 6,810 6,606 6,519 25,732 26,390 24,601 Large Panel 3,060 3,259 3,676 3,952 3,540 3,917 3,830 3,563 13,948 14,851 14,687 Mobile & Tablet 3,131 2,779 2,600 3,098 2,914 2,893 2,776 2,955 11,608 11,538 9,914 Consumer Electronics 11,316 13,003 11,596 14,273 9,640 11,996 10,845 12,918 50,189 45,400 45,167 VD 7,390 8,060 7,210 9,793 5,931 6,630 6,198 8,434 32,453 27,193 26,778 매출원가 32,050 31,672 30,711 33,846 29,252 34,651 31,345 33, , , ,604 매출원가율 60% 60% 65% 64% 62% 61% 59% 61% 62% 61% 61% 매출총이익 21,626 20,681 16,736 18,884 18,127 22,047 21,454 21,925 77,927 83,553 81,918 판매비와관리비 13,137 13,490 12,675 13,600 12,253 14,704 13,725 14,580 52,902 55,263 51,610 영업이익 8,489 7,187 4,061 5,288 5,874 7,343 7,729 7,344 25,025 28,291 30,309 %QoQ/%YoY 2% -15% -44% 30% 11% 25% 5% -5% -32% 13% 7% IT & Mobile 6,429 4,422 1,751 1,962 2,486 3,064 3,228 2,801 14,564 11,579 10,649 %QoQ/%YoY 18% -31% -60% 12% 27% 23% 5% -13% -42% -20% -8% Semiconductor 1,949 1,861 2,263 2,707 3,058 3,474 3,956 3,939 8,781 14,427 17,042 %QoQ/%YoY -2% -5% 22% 20% 13% 14% 14% 0% 27% 64% 18% Display Panel ,819 1,658 %QoQ/%YoY 적전 흑전 -75% 751% 8% 7% -20% -25% -78% 177% -9% Consumer Electronics , %QoQ/%YoY -71% 300% -94% 299% -197% -246% -58% 154% -29% -61% 106% 영업이익률 16% 14% 9% 10% 12% 13% 15% 13% 12% 13% 15% IT & Mobile 20% 16% 7% 7% 10% 10% 12% 10% 13% 10% 10% Semiconductor 21% 19% 23% 25% 27% 29% 31% 30% 22% 29% 32% Display Panel -1% 3% 1% 7% 8% 8% 7% 5% 3% 7% 7% Consumer Electronics 2% 6% 0% 1% -2% 2% 1% 2% 2% 1% 2% 법인세차감전순이익 9,649 7,785 4,847 5,594 7,097 8,030 8,359 8,035 27,875 31,521 33,549 법인세비용 2,075 1, ,455 1,646 1,714 1,647 4,481 6,462 6,878 당기순이익 7,574 6,251 4,222 5,347 5,642 6,384 6,646 6,388 23,394 25,059 26,672 당기순이익률 14% 12% 9% 10% 12% 11% 13% 11% 11% 12% 13% 총포괄손익 7,617 3,929 4,049 5,806 6,127 6,932 7,217 6,937 21,401 27,213 28,963 지배주주지분 7,508 3,915 3,977 5,590 6,010 6,799 7,078 6,804 20,991 26,691 28,408 KRW/USD 1,070 1,029 1,035 1,085 1,087 1,095 1,075 1,065 1,055 1,080 1,060 메리츠종금증권리서치센터 29

30 [ 표 2] 삼성전자연결실적추이및전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E 2016E 매출액 53,675 52,353 47,447 52,730 47,379 56,699 52,799 55, , , ,522 %QoQ/%YoY -9% -2% -9% 11% -10% 20% -7% 6% -10% 3% -2% Semiconductor 9,394 9,784 9,890 10,657 11,245 12,169 12,802 13,016 39,725 49,231 52,842 Memory 6,294 6,921 7,930 8,178 8,120 8,891 9,255 8,941 29,323 35,207 37,764 DRAM 3,788 4,370 5,194 5,445 5,366 5,854 6,021 5,723 18,798 22,965 24,417 NAND 2,306 2,458 2,616 2,603 2,754 3,037 3,234 3,218 9,982 12,243 13,347 System LSI 2,897 2,612 1,910 2,338 2,703 2,905 3,365 3,800 9,757 12,773 15,078 Display Panel 6,097 6,329 6,255 7,051 6,455 6,810 6,606 6,519 25,732 26,390 24,601 Large Panel 3,060 3,259 3,676 3,952 3,540 3,917 3,830 3,563 13,948 14,851 14,687 Mobile & Tablet 3,131 2,779 2,600 3,098 2,914 2,893 2,776 2,955 11,608 11,538 9,914 IT&Mobile 32,442 28,452 24,577 26,291 24,959 31,372 27,967 29, , , ,766 무선사업부 31,360 27,510 23,520 25,022 23,970 30,339 26,836 27, , , ,241 네트워크 / 기타 1, ,057 1, ,033 1,131 1,283 4,351 4,436 4,525 Consumer Electronics 11,316 13,003 11,596 14,273 9,640 11,996 10,845 12,918 50,189 45,400 45,167 VD 7,390 8,060 7,210 9,793 5,931 6,630 6,198 8,434 32,453 27,193 26,778 영업이익 8,489 7,187 4,061 5,288 5,874 7,343 7,729 7,344 25,025 28,291 30,309 %QoQ/%YoY 2% -15% -44% 30% 11% 25% 5% -5% -32% 13% 7% Semiconductor 1,949 1,861 2,263 2,707 3,058 3,474 3,956 3,939 8,781 14,427 17,042 Memory 1,886 2,217 2,731 3,054 3,225 3,411 3,651 3,419 9,888 13,706 14,629 DRAM 1,402 1,713 2,182 2,559 2,656 2,843 2,915 2,701 7,856 11,115 11,447 NAND ,032 2,591 3,182 System LSI , ,412 Display Panel ,819 1,658 LCD , OLED IT&Mobile 6,429 4,422 1,751 1,962 2,486 3,064 3,228 2,801 14,564 11,579 10,649 Consumer Electronics , 영업이익률 16% 14% 9% 10% 12% 13% 15% 13% 12% 13% 15% Semiconductor 21% 19% 23% 25% 27% 29% 31% 30% 22% 29% 32% Memory 30% 32% 34% 37% 40% 38% 39% 38% 34% 39% 39% DRAM 37% 39% 42% 47% 49% 49% 48% 47% 42% 48% 47% NAND 21% 21% 21% 19% 21% 19% 23% 22% 20% 21% 24% System LSI -1% -11% -25% -15% -4% 4% 10% 15% -12% 7% 16% Display Panel -1% 3% 1% 7% 8% 8% 7% 5% 3% 7% 7% IT&Mobile 20% 16% 7% 7% 10% 10% 12% 10% 13% 10% 10% Consumer Electronics 2% 6% 0% 1% -2% 2% 1% 2% 2% 1% 2% 메리츠종금증권리서치센터 30

31 Income Statement Statement of Cash Flow ( 십억원 ) E 2016E ( 십억원 ) E 2016E 매출액 228, , , ,522 영업활동현금흐름 46,707 36,975 35,341 40,708 매출원가 137, , , ,604 당기순이익 ( 손실 ) 30,475 23,394 25,059 26,552 매출총이익 90,996 77,927 83,553 81,918 유형자산감가상각비 15,470 16,910 12,992 14,764 판매비와관리비 54,211 52,902 55,263 51,610 무형자산상각비 975 1,143 1,128 1,260 기타손익 4,936 4,963 6,008 3,187 운전자본의증감 -1,472-4,796-3,599-1,618 영업이익 36,785 25,025 28,291 30,309 투자활동현금흐름 -44,747-32,806-26,759-23,127 금융수익 ,451 1,451 유형자산의증가 (CAPEX) -23,158-22,043-24,420-24,600 종속 / 관계기업관련손익 투자자산의감소 ( 증가 ) 1,858-4, 기타영업외손익 816 1,542 1,540 1,540 재무활동현금흐름 -4,137-3,057-4,449-4,128 세전계속사업이익 38,364 27,875 31,521 33,549 차입금증감 -3, ,979-1,164 법인세비용 7,890 4,481 6,462 6,878 자본의증가 당기순이익 30,475 23,394 25,059 26,672 현금의증가 -2, ,132 13,453 지배주주지분순이익 29,821 23,082 24,774 26,368 기초현금 18,791 16,285 16,841 20,973 기말현금 16,285 16,841 20,973 34,426 Balance Sheet Key Financial Data ( 십억원 ) E 2016E ( 원,%, 배 ) E 2016E 유동자산 110, , , ,606 주당데이터 ( 원 ) 현금및현금성자산 16,285 16,841 20,973 34,426 SPS 1,552,571 1,399,911 1,443,890 1,415,637 매출채권 24,989 24,695 25,805 24,105 EPS 225, , , ,189 재고자산 19,135 17,318 18,918 17,671 CFPS 368, , , ,933 비유동자산 103, , , ,705 EBITDAPS 361, , , ,547 유형자산 75,496 80,873 92, ,922 BPS 825, ,138 1,053,481 1,200,941 무형자산 3,981 4,785 4,518 4,807 DPS 14, ,000 22,000 투자자산 12,661 17,900 18,945 18,338 배당수익률 (%) 자산총계 214, , , ,311 Valuation(Multiple) 유동부채 51,315 52,014 53,037 48,591 PER 매입채무 8,437 7,915 9,706 9,066 PCR 단기차입금 6,439 8,029 6,718 6,276 PSR 유동성장기부채 2,426 1,779 1,498 1,448 PBR 비유동부채 12,744 10,321 9,981 8,227 EBITDA 53,230 43,078 42,411 46,333 사채 1,311 1,356 1,218 1,138 EV/EBITDA 장기차입금 Key Financial Ratio(%) 부채총계 64,059 62,335 63,017 56,818 자기자본이익률 (ROE) 자본금 EBITDA이익률 자본잉여금 4,404 4,404 4,404 4,404 부채비율 기타포괄이익누계액 -1,982-4,154-2, 금융비용부담률 이익잉여금 148, , , ,307 이자보상배율 (x) 비지배주주지분 5,573 5,906 6,192 6,494 매출채권회전율 (x) 자본총계 150, , , ,492 재고자산회전율 (x) 메리츠종금증권리서치센터 31

32 SK 하이닉스 (000660) Buy (Maintain) TP 62,000 원 25nm Mobile DRAM 비중확대본격화 투자의견 매수, 목표주가 62,000원유지 - 1H15 25nm Mobile DRAM 공정비중확대와이에따른원가절감예상. Toshiba와 STT-RAM 공동개발중으로, 향후 STT-RAM 상용화시 Micron과의기술격차확대예상. 업종 Top Pick으로매수추천지속함. 업종 : / Analyst 박유악 ( / yuak.pak@meritz.co.kr) Rating & Target Price New : Buy 62,000원 DRAM 미세화지속예상 - 1H15 Mobile DRAM 내 25nm 공정비중증가와이에따른원가절감예상. 25nm Mobile DRAM 비중은 4Q14 13% 에서 4Q15 90% 로급증할것으로예상되며, 미세화지연에따른고객사내점유율하락우려도일축될것이라고판단. - SK하이닉스는 2011년부터 Toshiba와 STT-RAM 공동개발중. STT-RAM은 DRAM의고속정보처리능력과 NAND의비휘발성특성을모두보유. 향후 STT-RAM 상용화될경우, Micron과의기술격차가확대될것으로예상. 종가 (4/17) 44,550원 Market Data KOSPI 2,143.50pt KOSDAQ pt 시가총액 324,325억원 발행주식수 72,800만주 외국인지분율 50.94% DPS(2013) 0 원 배당수익률 (2013) 0.0% Company Data 주요주주 에스케이텔레콤 20.1% 국민연금관리공단 9.7% 2Q15 영업이익 1.6 조원, 성장세지속전망 - 2Q15 매출액 4.9조원 (+25%YoY), 영업이익 1.6조원 (+49%YoY) 으로, 견조한흐름을이어갈전망. DRAM은 25nm Mobile DRAM 비중증가효과로, NAND는스마트폰성수기진입효과로전분기대비실적성장세이어질것으로예상. - 사업부문별영업이익은 DRAM 1.6조원 (+39%YoY), NAND 114억원 ( 흑자전환 ) 으로각각예상. Bloomberg KS Price Range(52주 ) 38,050~51,900원 60일평균거래량 2,849,730주 60일평균거래대금 1,302.1억원 ( 십억원, 원, 배,%) E 2016E 매출액 14,165 17,126 19,454 19,688 영업이익 3,380 5,109 6,201 6,476 순이익 2,872 4,195 4,834 5,065 EPS 4,099 5,842 6,640 6,914 증감율 (%) BPS 16,836 22,939 28,850 34,622 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 시장대비상대강도 : 1개월 (1.02), 3개월 (0.94), 6개월 (1.00) 000'S SK hynix FROM 17/4/14 TO 17/4/15 DAILY 0 Apr May May Jun Jul Aug Sep Oct Nov Dec Jan Feb Mar PRICE HIGH /07/14, LOW /04/14, LAST PRICE REL. TO KOREA SE COMPOSITE(KOSPI) 메리츠종금증권리서치센터 32

33 [ 표 1] SK하이닉스연결실적추이및전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E 2016E DRAM 출하량 [ 백만개. 1Gb Eq] 2,846 3,230 3,440 4,044 3,862 4,171 4,255 4,808 13,561 17,096 21,268 %QoQ/%YoY 20% 13% 6% 18% -5% 8% 2% 13% 32% 26% 24% ASP/1Gb [USD] %QoQ/%YoY 0% -6% 1% -3% -5% -4% -2% -6% 1% -13% -13% Cost/1Gb [USD] %QoQ/%YoY -9% -9% -3% -7% -4% -6% 2% -5% -15% -16% -11% Operating Profits/1Gb [USD] OPm/1Gb 36% 38% 40% 42% 41% 43% 41% 40% 39% 41% 40% NAND 출하량 [ 백만개. 1Gb Eq] 1,162 1,789 2,254 2,920 2,733 2,938 3,040 3,390 8,125 12,101 17,183 %QoQ/%YoY -8% 54% 26% 30% -6% 8% 3% 12% 60% 49% 42% ASP/1Gb [USD] %QoQ/%YoY -14% -19% -3% -8% -5% -6% -4% -7% -35% -21% -21% Cost/1Gb [USD] %QoQ/%YoY 0% -17% -11% -9% -2% -8% -5% -10% -23% -24% -29% Operating Profits/1Gb [USD] OPm/1Gb -5% -7% 1% 2% -1% 1% 2% 5% -2% 2% 12% 매출액 3,743 3,923 4,312 5,148 4,698 4,909 4,817 5,030 17,126 19,454 19,688 %QoQ/%YoY 11% 5% 10% 19% -9% 4% -2% 4% 21% 14% 1% DRAM 2,985 3,060 3,271 3,922 3,577 3,762 3,692 3,906 13,238 14,938 14,974 NAND ,131 1,008 1,034 1,008 1,036 3,398 4,086 4,271 매출원가 2,110 2,246 2,377 2,729 2,545 2,580 2,617 2,668 9,462 10,410 10,435 매출원가율 56% 57% 55% 53% 54% 53% 54% 53% 55% 54% 53% 매출총이익 1,632 1,677 1,935 2,419 2,153 2,329 2,199 2,363 7,664 9,044 9,253 판매비와관리비 ,554 2,843 2,777 영업이익 1,057 1,084 1,301 1,667 1,466 1,612 1,495 1,628 5,109 6,201 6,476 %QoQ/%YoY 35% 3% 20% 28% -12% 10% -7% 9% 51% 21% 4% DRAM 1,075 1,163 1,308 1,647 1,481 1,618 1,507 1,582 5,193 6,188 5,961 NAND 영업이익률 28% 28% 30% 32% 31% 33% 31% 32% 30% 32% 33% DRAM 36% 38% 40% 42% 41% 43% 41% 40% 39% 41% 40% NAND -5% -7% 1% 2% -1% 1% 2% 5% -2% 2% 12% 법인세차감전손익 ,315 1,905 1,426 1,572 1,455 1,588 5,048 6,041 6,330 법인세비용 ( 이익 ) ,208 1,266 당기순이익 ,095 1,624 1,141 1,258 1,164 1,270 4,195 4,833 5,064 당기순이익률 21% 17% 25% 32% 24% 26% 24% 25% 24% 25% 26% KRW/USD 1,070 1,029 1,025 1,083 1,085 1,095 1,075 1,065 1,052 1,080 1,060 메리츠종금증권리서치센터 33

34 Income Statement Statement of Cash Flow ( 십억원 ) E 2016E ( 십억원 ) E 2016E 매출액 14,165 17,126 19,454 19,688 영업활동현금흐름 6,372 5,867 8,381 8,516 매출원가 8,865 9,462 10,410 10,435 당기순이익 ( 손실 ) 2,873 4,195 4,833 5,064 매출총이익 5,301 7,664 9,044 9,253 유형자산감가상각비 2,922 3,270 3,105 3,416 판매비와관리비 1,921 2,554 2,843 2,777 무형자산상각비 기타손익 운전자본의증감 -69-2, 영업이익 3,380 5,109 6,201 6,476 투자활동현금흐름 -4,892-6,088-5,385-5,162 금융수익 유형자산의증가 (CAPEX) -3,206-4,801-5,300-5,103 종속 / 관계기업관련손익 투자자산의감소 ( 증가 ) 기타영업외손익 ,232-1,108 재무활동현금흐름 -1, 세전계속사업이익 3,075 5,048 6,041 6,330 차입금증감 -1, 법인세비용 ,208 1,266 자본의증가 당기순이익 2,873 4,195 4,833 5,064 현금의증가 ,571 2,502 지배주주지분순이익 2,872 4,195 4,834 5,065 기초현금 ,008 기말현금 ,008 5,510 Balance Sheet Key Financial Data ( 십억원 ) E 2016E ( 원,%, 배 ) E 2016E 유동자산 6,653 10,364 12,112 14,434 주당데이터 ( 원 ) 현금및현금성자산 ,008 5,510 SPS 20,212 23,848 26,722 26,876 매출채권 1,942 3,733 2,990 2,938 EPS 4,099 5,842 6,640 6,914 재고자산 1,178 1,498 1,525 1,496 CFPS 9,404 12,481 12,726 13,445 비유동자산 14,144 16,520 18,796 20,513 EBITDAPS 9,215 11,911 12,920 13,665 유형자산 12,130 14,090 16,285 17,972 BPS 16,836 22,939 28,850 34,622 무형자산 1,110 1,337 1,438 1,484 DPS 투자자산 배당수익률 (%) 자산총계 20,797 26,883 30,908 34,947 Valuation(Multiple) 유동부채 3,078 5,765 5,716 5,512 PER 매입채무 PCR 단기차입금 PSR 유동성장기부채 732 1, PBR 비유동부채 4,652 3,082 2,753 2,590 EBITDA 6,458 8,553 9,405 10,011 사채 1,950 1,157 1,027 1,027 EV/EBITDA 장기차입금 1,730 1,263 1, Key Financial Ratio(%) 부채총계 7,730 8,847 8,468 8,102 자기자본이익률 (ROE) 자본금 3,569 3,658 3,680 3,680 EBITDA이익률 자본잉여금 3,406 4,144 4,277 4,277 부채비율 기타포괄이익누계액 금융비용부담률 이익잉여금 6,201 10,277 14,525 18,931 이자보상배율 (x) 비지배주주지분 매출채권회전율 (x) 자본총계 13,067 18,036 22,439 26,844 재고자산회전율 (x) 메리츠종금증권리서치센터 34

35 LG 디스플레이 (034220) Hold (Downgrade) TP 35,000 원 단기 Trading 은가능하겠으나... 투자의견 Hold, 목표주가 35,000원으로하향조정 - 1Q15 실적은기대치상회예상. 그러나중국및대만 LCD패널업체의 Capa 증설과이에따른공급증가율이예상치를상회할전망. LCD패널공급과잉과가격하락예상. - 단기주가급락에따른매수전략은가능하나, 중장기적접근은어렵다고판단. LG디스플레이에대한보수적접근바람직. 대형 (8Gen) LCD패널 Capa 증설, 예상치상회 - 중국및대만 LCD패널업체의 Capa 증설이예상치를상회전망. 15년예상되는투자는중국업체 (BOE, CSOT, CEC Penda) 의총 270K/ 월와대만업체 (AUO, INX) 의총 40K/ 월, 국내업체 (LGD, SDC) 의총 85K/ 월이며, 2Q15 본격양산에들어갈것으로예상. - 15년글로벌 LCD패널의공급면적도총 218백만m 2 (+10%YoY) 으로, 전년대비큰폭증가할전망. LCD패널공급과잉진입, 2Q15 TV패널가격하락지속예상 - TV패널산업은삼성전자 TV Set로부터의수요강세에도불구하고, 중국 TV Set 업체의재고조정영향으로인해소폭의공급과잉국면에진입할것으로예상. - 2Q15부터는중국 LCD패널업체의공급증가가본격화되기때문에, 당분간공급과잉이지속될것으로판단. LG디스플레이에대한보수적인접근바람직. 업종 : / Analyst 박유악 ( / yuak.pak@meritz.co.kr) Rating & Target Price New : Hold 35,000원 종가 (4/17) 31,750원 Market Data KOSPI 2,143.50pt KOSDAQ pt 시가총액 113,606억원 발행주식수 35,782만주 외국인지분율 33.60% DPS(2013) 0 원 배당수익률 (2013) 0.0% Company Data 주요주주 LG전자 37.9% 국민연금관리공단 10.2% Bloomberg KS Price Range(52주 ) 26,800~36,900원 60일평균거래량 1,445,110주 60일평균거래대금 474.3억원 ( 십억원, 원, 배,%) E 2016E 매출액 27,033 26,456 27,642 25,154 영업이익 1,163 1,357 1,654 1,380 순이익 ,136 1,009 EPS 1,191 2,527 3,174 2,820 증감율 (%) BPS 28,347 30,336 33,740 36,447 PER PBR EV/EBITDA ROE 부채비율 시장대비상대강도 : 1개월 (1.02), 3개월 (0.94), 6개월 (1.00) 000'S LG Display Co., Ltd. FROM 17/4/14 TO 17/4/15 DAILY 0 Apr May May Jun Jul Aug Sep Oct Nov Dec Jan Feb Mar PRICE HIGH /01/15, LOW /06/14, LAST PRICE REL. TO KOREA SE COMPOSITE(KOSPI) 메리츠종금증권리서치센터 35

36 [ 표 1] LG디스플레이연결실적추이및전망 ( 단위 : 십억원 ) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15E 2Q15E 3Q15E 4Q15E E 출하면적 ['000m 2 ] 8,325 9,360 9,654 10,060 9,220 9,858 10,207 10,240 35,440 37,398 39,524 %QoQ/%YoY -13% 12% 3% 4% -8% 7% 4% 0% -1% 6% 6% ASP/m 2 [US$] %QoQ/%YoY -10% -2% 7% 17% -13% -8% 0% 10% -4% -4% -4% COGS/m 2 [US$] %QoQ/%YoY -10% -2% 1% 11% -10% -5% 1% 12% -7% -8% -3% Gross Profit/m 2 [US$] GPm/m 2 12% 12% 17% 21% 18% 16% 15% 13% 13% 16% 15% 매출액 5,588 5,979 6,547 8,342 6,729 6,700 6,806 7,407 27,033 26,456 27,642 %QoQ/%YoY -21% 7% 9% 27% -19% 0% 2% 9% -8% -2% 4% Monitor 1,118 1,238 1,147 1,128 1,058 1,192 1,181 1,058 5,294 4,630 4,487 Note PC ,845 2,722 2,704 Tablet PC , ,277 3,452 3,485 3,523 TV 2,291 2,523 2,738 3,004 2,831 2,920 2,869 2,761 11,824 10,556 11,382 Mobile Etc ,220 1,924 1,403 1,155 1,278 1,710 3,618 5,062 5,546 매출총이익 ,084 1,332 1,215 1, ,508 3,788 4,210 매출총이익률 12% 12% 17% 16% 18% 16% 15% 13% 13% 14% 15% 판매비와관리비 ,345 2,431 2,555 영업이익 ,163 1,357 1,654 %QoQ/%YoY -63% 73% 191% 32% -6% -27% -16% -25% 28% 17% 22% 영업이익률 2% 3% 7% 8% 9% 6% 5% 4% 4% 5% 6% 법인세차감전손익 ,242 1,526 법인세비용 ( 이익 ) 당기순이익 ,175 당기순이익률 -1% 4% 5% 5% 6% 5% 4% 3% 2% 3% 4% 매출비중 Monitor 20% 21% 18% 14% 16% 18% 17% 14% 20% 18% 16% Note PC 12% 12% 10% 8% 10% 11% 9% 8% 11% 10% 10% Tablet PC 10% 9% 12% 19% 11% 10% 12% 17% 13% 13% 13% TV 41% 42% 42% 36% 42% 44% 42% 37% 44% 40% 41% Mobile Etc. 17% 16% 19% 23% 21% 17% 19% 23% 13% 19% 20% 메리츠종금증권리서치센터 36