본발명은구리배선용초저유전절연막에관한것으로서, 더욱상세하게는매트릭스성분으로서폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체와기공형성용템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린나노입자가용해되어있는유기용액으로코팅한후에졸 - 젤반응및고온에서의열처리를수행하여형성된다공성박막으로, 상기템플레이트로서

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(72) 발명자 김재환 인천광역시남동구남동동로 84 한국산업단지 303 호 이도원 인천시남동구남동동로 84 한국산업단지 303 호 ( 주 ) 스피덴트기술연구소 김민성 인천광역시남동구남동동로 84 한국산업단지 303 호 - 2 -

(72) 발명자 정종수 서울특별시 서대문구 모래내로 319, 101동 405호 (홍은동, 진흥아파트) 김정환 서울특별시 구로구 구로동로21길 7 (구로동) - 2 -

등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2014년02월04일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2014년01월24일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C08L 79/08

특허청구의 범위 청구항 1 복수개의 프리캐스트 콘크리트 부재(1)를 서로 결합하여 연속화시키는 구조로서, 삽입공이 형성되어 있고 상기 삽입공 내면에는 나사부가 형성되어 있는 너트형 고정부재(10)가, 상기 프리캐스 트 콘크리트 부재(1) 내에 내장되도록 배치되는 내부

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본 발명은 난연재료 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 케이블이나 전선의 시스체로 쓰이는 저발연, 저독성을 가진 열가소성 난연재료 조성물에 관한 것이다. 종래의 선박용 케이블은 그 사용 용도와 장소에 따라 다양한 제품들로 구별된다. 근래 들어 해양 구조물 및 선박에

공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2013년09월25일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 25/14 ( ) C23

(72) 발명자 박병희 충청북도 청원군 부용면 부강행산로 232, 구 바자지 바랏 대전시 유성구 신성동 19 박병기 대전시 유성구 어은동 한빛A 이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호


항은 발명의 상세한 설명에는 그 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자 (이하 통상의 기술자 라고 한다)가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 그 발명의 목적 구성 및 효과를 기재하여야 한다고 규정하고 있다. 이는 특허출원된 발명의 내용을 제 3자가 명세서만으로

공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2014년06월11일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) B65D 81/24 ( ) B65

Microsoft Word - _29-37_ ƯÁý3~_ÀÌÈñ¿ì, ¹Î¼º±Ô_.doc

명세서청구범위청구항 1 과불소알킬아크릴레이트단량체및불포화이중결합을갖는아크릴레이트단량체를계면활성제가포함된분산용액에첨가한후 65 내지 80 에서 4 내지 5시간동안교반하여불소가포함된발수제를제조하는단계 ; 왁스를계면활성제가포함된분산용액에첨가하고 60 내지 70 에서 4 내지

위해충전효율및온도변화를측정하는신호측정센서층을포함하여구성되는것을그구성상의특징으로한다. 본발명은인체삽입형의료기기의성능평가용인체유사팬텀의제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로는인체유사팬텀의제조방법으로서, (1) 정제수, 액체상태의아가로오스 (agarose) 및소듐클로라이드 (

(72) 발명자 김화용 서울특별시관악구봉천 2 동동아아파트 109 동 803 호 강병희 서울특별시관악구봉천 11 동 번지미림연립 305 호 - 2 -


도 1 특허청구의범위 청구항 1. 자성금속박막을형성하는단계 ; 상기자성금속박막위에알루미늄을증착하는단계 ; 증착된상기알루미늄위에자성금속을증착하여알루미나이드박막을형성하는단계 ; 그리고 상기알루미나이드박막위에자성금속박막을증착하는단계로이루어지고, 상기자성금속은 Co, Fe 및

붙임2-1. 건강영향 항목의 평가 매뉴얼(협의기관용, '13.12).hwp

(52) CPC 특허분류 B01D 53/62 ( ) Y02C 10/10 ( ) (72) 발명자 이정현 대전광역시서구대덕대로 246 넥서스밸리 B 동 1417 호 박영철 대전광역시유성구반석동로 33 반석마을 5 단지아파트 505 동 201 호 이발명

본 발명은 중공코어 프리캐스트 슬래브 및 그 시공방법에 관한 것으로, 자세하게는 중공코어로 형성된 프리캐스트 슬래브 에 온돌을 일체로 구성한 슬래브 구조 및 그 시공방법에 관한 것이다. 이를 위한 온돌 일체형 중공코어 프리캐스트 슬래브는, 공장에서 제작되는 중공코어 프

(72) 발명자 황동준 울산광역시남구팔등로 85 신정푸르지오 111 동 1902 호 박영희 울산광역시동구대송 4 길 5 대송현대아파트 303 동 206 호 오일석 울산광역시중구유곡로

특허청구의 범위 청구항 1 (A) 중합성 화합물 및 (B) 광중합 개시제를 포함하는 임프린트용 경화성 조성물로서: 상기 (A) 중합성 화합물은 (A1) 불소원자와 실리콘원자 중 적어도 하나를 갖는 중합성 화합물 및 (A2) 방향족기 를 갖는 중합성 화합물을 포함하는 것

(72) 발명자 이영애 경기도수원시영통구원천동 35 원천주공아파트 102 동 1304 호 쳉퀼링 헹디안인더스트리얼존, 동양시티, 제지앙프로빈스,322118, 중국 우유리앙 헹디안인더스트리얼존, 동양시티, 제지앙프로빈스,322118, 중국 리징 헹디안인더스트리얼존, 동양

(72) 발명자 진항교 대전유성구어은로 57, 121 동 1205 호 ( 어은동, 한빛아파트 ) 김범식 대전유성구어은로 57, 115 동 206 호 ( 어은동, 한빛아파트 ) 김성인 경상북도칠곡군가산면학하리 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 KK-1

(16-206).fm

특허청구의범위청구항 1 (a) 염화금산 (HAuCl 4 ) 수용액에환원제를첨가하여금나노입자의콜로이드용액을제조하는단계 ; 및 (b) 상기금나노입자의콜로이드용액에카르복실기를가진에틸렌글라이콜과하이드록실기를가진에틸렌글라이콜의혼합용액의유기흡착제를첨가하여표면개질하는단계 ; 를포함

특허청구의범위청구항 1 강화상이포함된 Al-Si계합금을가열하여용융시켜용탕을제조하는단계 ( 단계 1); 상기단계 1에서제조된용탕에금속잉곳또는합금잉곳을첨가한후교반하여혼합용탕을제조하는단계 ( 단계 2); 및상기단계 2에서제조된혼합용탕을가스와함께분무하여금속복합분말을제조하는단계

(72) 발명자 이민희 경기도군포시대야미동센트럴아이파크 102 동 1404 호 신창학 서울특별시서초구서초 2 동 로얄주택 B20 1 호 박구일 경기도용인시수지구신봉동삼성쉐르빌

서 인코딩한 데이터를 무선으로 송신하기 위한 무선 송신 수단; 및 통화중 상기 입력 수단으로부터의 음원 데이터 전송신 호에 따라 상기 저장 수단에 저장되어 있는 해당 음원 데이터를 상기 디코딩 수단에 의해 디코딩하고, 상기 디코딩한 음원 데이터와 상기 입력 수단을 통해


특허청구의범위청구항 1 실록산계하이브리드수지 9 ~ 90중량 %, 2 이상의규소결합수소를함유하는유기수소규소화합물 10 ~ 90중량 % 및금속촉매 0.01 ~ 1중량 % 를포함하는 LED 봉지재용실록산수지조성물. 청구항 2 제 1항에있어서, 상기실록산계하이브리드수지는비닐

등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년12월27일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2013년12월20일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) C07D 493/04

(72) 발명자서상호전북군산시나운동주공5차아파트 506동 106호송준혜대전유성구관평동한화꿈에그린 우완종대전유성구신성동 208-8번지들빛촌 203호이성우대전유성구신성동대림두레아파트 110동 905호 - 2 -

특허청구의범위청구항 1 구리나노콜로이드 ; 구리염 ; 및폴리비닐피롤리돈, 에틸렌디아민, 및디에틸렌아민을포함하는군으로부터선택되고, 상기구리염과반응을일으킬수있는고분자 ; 를포함하는전도성금속잉크를인쇄하여제조되는전도성금속막. 청구항 2 삭제청구항 3 제1항에있어서, 상기구리나

특허청구의범위청구항 1 에멀젼조성물이생분해성고분자 10~20중량 %, 상기생분해성고분자용해용용제 30~40중량 %, 유화제 10~20중량 % 및, 물 20~40중량 % 로구성되고, 상기한에멀젼내콜로이드의평균입도가 1~5μm인채과용생분해성발수에멀젼조성물. 청구항 2 제1

Regulation on Approval of Consumer Chemical Products subject to Safety Check without promulgated Safety Standard.hwp

도면의간단한설명 도 1 은본발명의실시예 1 내지 3 에서합성한하이드로탈사이트의 X- 선회절패턴을나타내는그래프, 도 2 는본발명의실시예 1 내지 3 에서합성한나노하이드로탈사이트의투과전자현미경 (TEM) 사진, 도 3 은본발명의실시예 1 내지 3 에서합성한나노하이드로탈사이

(72) 발명자 강철 경기도안산시상록구웃말 5 길 29 ( 일동 ) 김용희 경기도안산시단원구선부광장남로 113, 군자주공 12 단지 1208 동 712 호 ( 선부동 ) 이석재 경기도수원시장안구장안로 200, 109 동 402 호 ( 정자동, 동신아파트 ) 김태림 경기

(52) CPC 특허분류 C08J 7/04 ( ) C08J 7/047 ( ) C08J 2323/08 ( ) C08J 2423/08 ( ) - 2 -

Journal of Life Science 2011, Vol. 21. No μ μ

(72) 발명자 강경태 서울서초구반포본동반포주공아파트 110 동 105 호 이상호 서울관악구봉천 9 동 윤규영 인천남구용현동 신권용 서울구로구천왕동천왕이펜하우스 6 단지 601 동 1203 호 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 ES-1

등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (51) Int. Cl. C08L 23/12 ( ) C08L 23/04 ( ) C08K 9/04 ( ) H01B 7/00 ( ) (45

(72) 발명자 김성균 대전광역시유성구엑스포로 448 엑스포아파트 10 7 동 1006 호 이상익 대전광역시유성구배울 2 로 24 중앙하이츠빌 306 동 701 호 김선영 대전광역시유성구엑스포로 325 ( 주 )SK 대덕기술원 polymer lab 한정석 대전광역시유성

리하는단계 (s300); 를포함하며, 상기양이온중합성수지와광안정성양이온중합개시제를혼합하는단계 (s100) 에서의양이온중합개시제는 nm파장의자외선을흡수하는아이오도늄염 (Iodonium salts) 을포함하며, 상기양이온중합성수지는분자 1개당평균 1종이상의헤테

특허청구의범위청구항 1 구리를포함하는나노입자를포함하고, 상기나노입자는비정질탄소영역과구분되어비정질탄소나노섬유의내부에분포되어있는비정질탄소나노섬유. 청구항 2 제1항에있어서, 상기구리를포함하는나노입자는구리나노입자또는구리합금나노입자인것인비정질탄소나노섬유. 청구항 3 제2항에있

안전확인대상생활화학제품지정및안전 표시기준 제1조 ( 목적 ) 제2조 ( 정의 )

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(72) 발명자 장종산 대전 중구 수침로 138, 103동 204호 (태평동, 유등 마을쌍용아파트) 박용기 대전 유성구 어은로 57, 119동 302호 (어은동, 한 빛아파트) 황동원 경기 안양시 만안구 양화로147번길 7, 102동 403호 (박달동, 박달동동원베네스

특허청구의범위청구항 1 물을여과하는필터부 ; 상기필터부에물을유동시키는정수관 ; 상기정수관에설치되고, 상기정수관의수류를이용하여전기를발생시키는발전모듈 ; 및상기정수관에배치되고, 상기발전모듈에서발생된전기가공급되고, 상기정수관을따라유동되는정수를전기분해하여살균하는살균모듈 ; 을

등록특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 2013년05월30일 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2013년05월24일 (51) 국제특허분류 (Int. Cl.) H01B 3/46 (

청구항 1. 1) 사이클로덱스트린수용액에금속염수용액을가하고교반반응시켜사이클로덱스트린 - 금속염포접착체를얻는단계, 및 2) 단계 1) 에서얻어진포접착체를소성하여열분해시키는단계를포함하는, 금속산화물나노분말의제조방법. 청구항 2. 제 1 항에있어서, 사이클로덱스트린이 α-,

실용신안 등록청구의 범위 청구항 1 톤백마대가 설치될 수 있도록 일정간격을 두고 설치되는 한 쌍의 지지프레임과, 상기 지지프레임과 지지프레임의 상부를 서로 연결하는 한 쌍의 연결프레임과, 상기 연결프레임의 상부에 일정간격을 두고 다수 설치되어 상기 톤백마대와 그 투입구

위와, 카르복실기또는페놀성수산기와반응하여공유결합을형성할수있는관능기를갖는구성단위를갖는수지, ( 성분 B) 식 (1) 또는식 (2) 로나타내는산발생제, 및 ( 성분 C) 증감제를함유하는것을특징으로하는 포지티브형감광성수지조성물. R 5, R 6 및 R 7 은각각독립적으로,

공개특허 (72) 발명자 최영미 경기도용인시기흥구신구로 22 번길 9, 30 호 ( 구갈동 ) 이민섭 인천광역시연수구컨벤시아대로 30 번길 80, 03 동 903 호 ( 송도동, 송도푸르지오하버뷰 ) 최준헌 경기도용인시기흥구강남동로 28, 90

(72) 발명자 시노하라, 도모이찌 일본 도꾸시마 도꾸시마시 가와우찌쪼 가 가스노 오츠카 세이야쿠 가부시키가이샤 내 오시마, 구니오 일본 도꾸시마 도꾸시마시 가와우찌쪼 가 가스노 오츠카 세이야쿠 가부시키가이샤 내 기따지

(72) 발명자 변영철 경상북도포항시남구중앙로 131 번길 22 ( 해도동 ) 장유미 경상북도포항시남구대이로 15 번길 5, 명기빌 50 1 호 ( 대잠동 ) - 2 -

특허청구의범위청구항 1 (a) 나노크기의기공을형성하고있는다공성물질판에전극으로이용할금속을부착시키는단계 ; (b) 극성용매, 단량체, 및도펀트를포함하는혼합액을교반하여중합용액을형성하고이를상기다공성물질판의나노기공에투입하여유기발광나노튜브를형성하는단계 ; (c) 상기유기발광나노튜

많이 이용하는 라면,햄버그,과자,탄산음료등은 무서운 병을 유발하고 비만의 원인 식품 이다. 8,등겨에 흘려 보낸 영양을 되 찾을 수 있다. 도정과정에서 등겨에 흘려 보낸 영양 많은 쌀눈과 쌀껍질의 영양을 등겨를 물에 우러나게하여 장시간 물에 담가 두어 영양을 되 찾는다

(72) 발명자 정규현 인천광역시남구경인남길인하대학교 5 북 512 호 신문용 서울특별시관악구관악로 1 서울대학교 302 동 70 8 호 김승희 대전광역시유성구반석동로 30 반석마을 7 단지 709 동 203 호 하태환 서울특별시관악구관악로 1 서울대학교 302 동 7

(72) 발명자 송부섭 대전대덕구신탄진로 531, ( 상서동 ) 노항덕 경기화성시동탄중앙로 200, D 동 4605 호 ( 반송동, 메타폴리스 ) 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 부처명 지식경제부 연구관리전문기관 한국산업기술평가관리원 연구사업명

특허청구의범위청구항 1 투입된음식물을분쇄하는분쇄기 ; 상기분쇄된음식물을가열할수있는마그네트론 ; 및탈취작용을하는저온촉매필터를포함하는음식물처리기에있어서, 상기마그네트론이상기저온촉매필터를일정온도로가열할수있는것을특징으로하는, 청구항 2 제 1 항에있어서, 상기음식물처리기는상기

특허청구의범위청구항 1 복수의영상검출부로부터출력되는영상의히스토그램 (histogram) 을계산하는단계 ; 상기복수의영상검출부로부터출력되는영상을히스토그램평활화 (histogram equalization) 하는단계 ; 상기복수의영상검출부중하나의영상검출부를선택하는단계 ; 및

도 3 은실시예 1 및비교예 1 의골시멘트를경화한후만능시험기 (Instron) 을이용하여압축강도를측정한결과를나타낸그래프. 도 4 는실시예 1 및비교예 1 의골시멘트의경화과정에서의발열특성을열전대를이용하여측정한결과를나타낸그래프. 발명의상세한설명 발명의목적 발명이속하는기술및

(72) 발명자 윤이영 서울특별시영등포구대림 3 동 주원제 경기도성남시분당구장안로 41 번길 13, 111 동 1501 호 ( 분당동, 건영아파트 ) - 2 -

< 서식 5> 탐구보고서표지 제 25 회서울학생탐구발표대회보고서 출품번호 유글레나를이용한산소발생환경의탐구 소속청학교명학년성명 ( 팀명 ) 강서교육청서울백석중학교 3 임산해 [ 팀원이름 ]

(72) 발명자 강봉철 대전유성구대학로 291, 1204 호 ( 구성동, 한국과학기술원 ) 한승용 대전유성구대학로 291, 기계공학동응용나노기술과학연구실 ( 구성동, 한국과학기술원 ) - 2 -

(72) 발명자강경태서울서초구반포본동반포주공아파트 110동 105호강희석서울강남구대치1동 888 아이파크 106동 802호 황준영 경기용인시수지구동천동수진마을써니벨리 호 김민수 서울특별시강남구압구정동한양아파트 26 동 701 호 - 2 -

폴리염화비닐수지조성물, 디에틸렌글리콜에스테르계가소제, 식품포장용랩필름, 환경호르몬, 인장강도, 신율, 경도, 투명도, 점착성 명세서 발명의상세한설명 발명의목적 발명이속하는기술및그분야의종래기술 본발명은환경친화적랩필름 (wrap film) 용폴리염화비닐수지조성물에관한것으로

<4D F736F F F696E74202D20BFEBB1E2C6F7C0E5BAD0BCAEB9FDB1B3C0B02DC7EDBCBEBFC1C5D9>

(72) 발명자 최영미 경기도용인시기흥구신구로 22 번길 9, 30 호 ( 구갈동 ) 이민섭 인천광역시연수구컨벤시아대로 30 번길 80, 03 동 903 호 ( 송도동, 송도푸르지오하버뷰 ) 최준헌 경기도용인시기흥구강남동로 28, 907 동 802 호 ( 상하동, 강남

<4D F736F F D20B9DDB5B5C3BC20B0F8C1A420BAAFC8AD D5020B0F8C1A42E646F63>


(72) 발명자 이영일 경기안양시동안구비산동은하수청구아파트 107 동 405 호 전병호 서울금천구독산 3 동

특허청구의 범위 청구항 1 제1 내지 제6 암이 각각의 관절부를 가지며 형성되며, 상기 제1 내지 제6 암 각각은 제1 내지 제6 링크에 의해 링크되고, 상기 제1 내지 제6 암 내부에는 각각의 암을 구동하는 구동모듈이 각각 내장되며, 상기 구동모듈 각각의 선단에는 1

表紙(化学)

저작자표시 - 비영리 - 변경금지 2.0 대한민국 이용자는아래의조건을따르는경우에한하여자유롭게 이저작물을복제, 배포, 전송, 전시, 공연및방송할수있습니다. 다음과같은조건을따라야합니다 : 저작자표시. 귀하는원저작자를표시하여야합니다. 비영리. 귀하는이저작물을영리목적으로이용할

특허청구의범위청구항 1 금속표면처리조성물로서, 전체고형분 100을기준으로할때수용성유기수지로서아크릴-올레핀및우레탄혼합수지 30~80중량부, 무기계바인더로서실리카 10~40중량부, 방청내식제로서바나듐인산염고형분 0.5~2중량부, 금속킬레이트제로서테트라노말부틸티타네이트 2~

공개특허 (51) Int. Cl. (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) C08J 3/22 ( ) C08L 33/10 ( ) C08K 5/20 ( ) (21) 출원번호

도 3 은 본 발명에 따른 제거수단을 보인 사시도 도 4 는 본 발명에 따른 제거수단의 해파필터와 카본필터의 구성을 보인 개략단면도 <도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> (1) : 케이싱 (1a) : 천연음이온 도료 (2) : 제거수단 (3) : UV살균장치 (4)


(72) 발명자 성대경 광주북구첨단과기로 261 광주과학기술원생명과학과 양해식 부산연제구거제 1 동쌍용아파트 호 - 2 -

특허청구의 범위 청구항 1 앵커(20)를 이용한 옹벽 시공에 사용되는 옹벽패널에 있어서, 단위패널형태의 판 형태로 구성되며, 내부 중앙부가 후방 하부를 향해 기울어지도록 돌출 형성되어, 전면이 오 목하게 들어가고 후면이 돌출된 결속부(11)를 형성하되, 이 결속부(11

36 Chap 20 : Conjugated Systems 20.1 Stability of Conjugated Dienes Diene : 2 개의 C=C 이중결합을가진화합물 C 1,4-Pentadiene 1,3-Pentadiene 1,2-Pentadiene (unconj

(72) 발명자 김미숙 경상남도양산시중부동 조은혜 경기도부천시원미구역곡 2 동동부센트레빌 105 동 1106 호 이발명을지원한국가연구개발사업 과제고유번호 R0A 부처명 한국과학재단 연구관리전문기관 연구사업명 국가지정연구실사업 (

(52) CPC 특허분류 C07C 235/32 ( ) - 2 -

특허청구의 범위 청구항 1 제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계; 상기 제 1 도전형 기판에 포토 레지스트를 패터닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계; 상기 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나

<4D F736F F F696E74202D2035BBF3C6F2C7FC5FBCF8BCF6B9B0C1FA2E BC8A3C8AF20B8F0B5E55D>

열화 아세테이트 필름, 산 성분, 용매추출, 감압(가열)처리, 산성도 명세서 기술분야 본 발명은 아세테이트 필름의 보존에 의한 열화로부터 발생하는 산 성분을 이의 표면 및 특히 내부로부터 제거하는 방법에 관한 것이다. 또한, 이러한 방법에 의해 현상된 아세테이트 필름의

도 3 은본발명의제조장치에사용되는캡의개략적인평면도이다. 도 4 는본발명의제조장치에사용되는클램프의개략적인평면도이다. 도 5 는본발명의제조장치에사용되는고정판의개략적인정면도이다. 도 6 은본발명의제조장치에사용되는심봉의개략적인정면도이다. 도 7 은본발명의제조장치를나타낸개략적인

특허청구의 범위 청구항 1 화학식 I의 화합물, 또는 그의 거울상이성질체, 부분입체이성질체, 용매화물, 염 또는 전구약물. <화학식 I> W-L-Z 식 중, W는 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 또는 헤테로시클릴이며, 이들 모두는 R 1, R 1a, R 1b, R 1c

Wire & Cable Àü·ÂÀÌÈÄ


이 발명을 지원한 국가연구개발사업 과제고유번호 부처명 방송통신위원회 연구사업명 방송통신기술개발사업 연구과제명 안전한 전자파환경 조성 주관기관 한국전자통신연구원 연구기간 ~

공개특허 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 공개특허공보 (A) (11) 공개번호 (43) 공개일자 2011년06월16일 (51) Int. Cl. B22F 3/20 ( ) (21) 출원번호 10-

목차 Ⅰ 시험개요 1 Ⅱ 건전지품질비교시험결과요약 4 Ⅲ 건전지종합평가표 8 Ⅳ 시험결과조치계획 9 [ ]

특허청구의범위청구항 1 방열판 ; 상기방열판상부에형성된세라믹박막 ; 및상기세라믹박막상부에형성된회로패턴을포함하여이루어지는방열기판. 청구항 2 제1항에있어서, 상기방열판은 Al, Cu, Mo, W, Ti, Mg 중에서선택된어느하나의물질로이루어지는것을특징으로하는방열기판. 청

(72) 발명자 송, 양 중국 , 지앙수, 리아니운강, 더 10 인더스트리얼서브 - 존오브디벨로프먼트존 리우, 샤오펭 중국 , 지앙수, 리아니운강, 더 10 인더스트리얼서브 - 존오브디벨로프먼트존 장, 춘홍 중국 , 지앙수, 리아니운강,

(72) 발명자 홍성표 경북구미시임은동 웅진아파트 D 동 408 호 정용두 경기도파주시금촌동

특허청구의범위청구항 1 수지조성물에있어서, 수지바인더 50~80 중량부 ; 와, 차열소재 10~20 중량부 ; 와, 수용성합성고무수지 SBR(styrene butadiene rubber) 15~25 중량부 ; 와, 자외선차단제 0.5~2 중량부 ; 와, 분산제 0.5~

OMEGA KFH 시리즈 사전배선스트레인게이지 OMEGA KFH SERIES PRE-WIRED STRAIN GAGES 주문하세요! 빠른배송은 kr.omega.com/kfh 를방문하세요. 쉬운설치를위한오메가고급 2-선 /3-선스트레인게이지 U 측정포인트납땜없음 U 각게이

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(51) Int. Cl. 7 H01L 21/31 (19) 대한민국특허청 (KR) (12) 등록특허공보 (B1) (45) 공고일자 (11) 등록번호 (24) 등록일자 2005 년 08 월 17 일 10-0508696 2005 년 08 월 08 일 (21) 출원번호 10-2003-0086244 (65) 공개번호 10-2005-0052710 (22) 출원일자 2003년12월01일 (43) 공개일자 2005년06월07일 (73) 특허권자학교법인서강대학교서울마포구신수동 1 번지의 1 (72) 발명자이희우서울시서초구반포본동반포아파트 61 동 502 호 윤도영서울시관악구봉천 7 동팩컬티하우스 936-208 차국헌서울특별시서초구반포 4 동 104-6 반포현대빌라 A 동 304 호 이진규서울시관악구봉천 5 동관악드림타운 143-902 문봉진경기도고양시덕양구행신동무원마을신우아파트 704 동 14 08 호 민성규서울시광진구광장동 549-1 금탑빌라 303 호 박세정서울시관악구봉천 7 동 1618-9 신재진서울시노원구공릉동육사아파트 722 호 (74) 대리인허상훈백남훈이학수 심사관 : 김희주 (54) 구리배선용초저유전절연막 요약 - 1 -

본발명은구리배선용초저유전절연막에관한것으로서, 더욱상세하게는매트릭스성분으로서폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체와기공형성용템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린나노입자가용해되어있는유기용액으로코팅한후에졸 - 젤반응및고온에서의열처리를수행하여형성된다공성박막으로, 상기템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린의선택사용으로최고 60 부피 % 까지많은양을포함시킬수있고, 그리고형성된박막은실리케이트매트릭스내에 5 nm 이하의매우작은나노기공이균일하게분포되어있으며, 유전율이 1.5 정도로낮으며, 기공간의상호연결성 (interconnectivity) 이매우우수한특성이있는구리배선용초저유전절연막에관한것이다. 대표도 도 1 색인어 초저유전물질, 유기실리케이트매트릭스, 아세틸사이클로덱스트린나노입자, 유전율, 기공크기, 상호연결성 (interconnectivity) 명세서 도면의간단한설명 도 1 은본발명의초저유전박막과선행기술의초저유전박막에대한, 공극율및유전특성을비교하여나타낸그래프이다. 발명의상세한설명 발명의목적 발명이속하는기술및그분야의종래기술 본발명은구리배선용초저유전절연막에관한것으로서, 더욱상세하게는매트릭스성분으로서폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체와기공형성용템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린나노입자가용해되어있는유기용액으로코팅한후에졸 - 젤반응및고온에서의열처리를수행하여형성된다공성박막으로, 상기템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린의선택사용으로최고 60 부피 % 까지많은양을포함시킬수있고, 그리고형성된박막은실리케이트매트릭스내에 5 nm 이하의매우작은나노기공이균일하게분포되어있으며, 유전율이 1.5 정도로낮으며, 기공간의상호연결성 (interconnectivity) 이매우우수한특성이있는구리배선용초저유전절연막에관한것이다. 최근반도체분야에서의고집적화및고속화가요구됨에따라최소선폭이급속하게줄어들고있다. 현재집적도가높고성능이우수한반도체소자로알려져있는알루미늄배선물질과층간절연막으로실리콘산화막 (SiO 2, k=4.0) 또는불소 치환된실리콘산화막 (k=3.5) 를사용한저유전막의경우, 배선물질의저항 (resistance, R) 과층간절연막의정전용량 (capacitance, C) 의곱으로표시되는 RC 딜레이에의한신호지연과, 누화 (crosstalk) 에의한잡음및전력소모가아주심각한수준에이르고있다. 이에, 금속배선의저항을줄이기위해기존의알루미늄배선대신에구리배선으로대체사용하고, 절연재료로서는보다유전율이낮은초저유전재료의개발이시급히요구되고있다. 미국 SEMATECH 과같은연구기관에서는오랫동안물성측정및소자적용테스트를거친결과, 향후구리칩제조에사용될가능성있는대표적인저유전물질로서는 Applied Materials 사의 Black Diamond 가유전율이약 2.7 의건식박막성형 (CVD) 에유용하다고판정하였고, 이물질을사용하여많은소자를제작한바있다. 또한, 유전율이약 2.7 의습식박막성형 (spin-on) 에는 Dow Chemical 사의 SiLK 유기고분자가가장유력한것으로알려져있다. 그러나, 유전율이 2.2 이하의차세대저유전물질은아직까지도어떤물질이구리칩제조에사용될수있다고확실히결론지을수없다. - 2 -

이와관련하여, 저유전물질의유전율을낮추는방법의하나로서, 열적으로불안정한유기물질을층간절연물질인무기매트릭스와혼합한다음졸 - 젤반응을거쳐매트릭스의경화를유도하여유기 - 무기나노하이브리드를제조한후, 고온에서의열처리를통하여유전율이 1.0 인공기를저유전박막내에도입하려는시도가활발히진행되고있다 [C.V. Nguyen, K.R. Carter, C.J. Hawker, R.D. Miller, H.W. Rhee and D.Y. Yoon, Chem. Mater., 11, 3080 (1999)]. 이때, 기공의크기가작고그분포도가균일한초저유전물질을제조하기위해서는무엇보다도무기매트릭스와유기포라젠물질과의열역학적인상호작용이우수해야된다고알려져있다. 이에, 최근에는저유전무기매트릭스와상용성이우수한기공형성수지개발에전세계적인관심이집중되고있다. 기존에사용했던포라젠으로서는하이퍼브랜치드폴리에스터 [C. Nguyen, C.J. Hawker, R.D. Miller and J.L. Hedrick, Macromolecules, 33, 4281 (2000)], 에틸렌 - 프로필렌 - 에틸렌트리블록공중합체 (tetronics ) [S. Yang, P.A. Mirau, E.K. Lin, H.J. Lee and D.W. Gidley, Chem. Mater., 13, 2762 (2001)], 폴리메틸메타아크릴레이트 -N,N- 다이메틸아미노에틸메타아크릴레이트공중합체 [Q.R. Huang, W. Volksen, E. Huang, M. Toney and R.D. Miller, Chem. Mater., 14(9), 3676 (2002)] 등이있으며, 상기물질들을이용하여 2.0 이하의유전율을갖는나노기공초저유전물질을제조하였다고보고된바도있다. 그러나, 상기포라젠을이용한초저유전물질을제조함에있어, 포라젠의함량이적은경우에있어서는무기매트릭스와의상용성이우수하여기공의크기가작고그분포도가매우균일한반면, 상기포라젠의함량이증가할수록무기매트릭스와의상용성감소로인한포라젠도메인끼리의뭉침현상이일어나게되어기공의크기및분포도가증가하게된다. 그러나, 포라젠이일정함량이상으로함유되었을때저유전박막내에열린기공구조가형성되기때문에, 박막의기계적강도및공정신뢰성측면에있어서도포라젠의함량제한은심각한문제를야기한다. 최근에는기계적및유전특성이우수하고기공의크기가작으며동시에닫힌기공구조를갖는초저유전박막을제조하기위해서, 유기나노입자를템플레이트로사용하려는시도가전세계적으로활발히진행되고있다. 이와관련하여, 최근 IBM 에서는분자량조절이가능한 ATRP(atom transfer radical polymerization) 방법을이용하여가교결합을할수있는관능기를갖는유기물질전구체예를들면, 폴리 ε- 카프로락톤 -co- 아크릴로일옥시카프로락톤을제조한다음, 매우낮은 농도 (M 10-5 ) 의용액상태에서라디칼개시제를첨가하고온도를증가시키게되면분자내에서의가교반응이진행되어나노크기를갖는유기입자를제조하였다고발표하였다 [D. Mecerreyes, V. Lee, C.J. Hawker and R.D. Miller, Adv, Mater., 13(3), 204 (2001)]. 또한, 상기나노입자를폴리메틸실세스퀴옥산매트릭스와혼합한다음, 졸 - 젤반응및고온에서의열처리를통하여매트릭스내에생성된기공의크기가혼합전벌크상태의것과거의유사하였다고보고하였다. 이는기존의포라젠물질을이용하여제조한저유전박막과는달리, 상용성이우수한나노입자를템플레이트로사용할경우졸 - 젤반응과정에서의나노입자끼리뭉치는현상이거의발생하지않으며, 또한생성된기공이서로닫힌상태로존재한다는것을의미한다. 그러나, 상기물질은유기전구체의분자량을통하여입자크기를조절해야하며희박용액상태에서가교반응을진행하기때문에실제로얻는수득률이매우낮다는단점이있다. 따라서, 이러한문제점을보완하기위해서최근에는나노크기를갖는유기입자자체를템플레이트로사용하는연구가진행되고있으며, 그대표적인물질중의하나로서는 3 차원원통형구조를갖는사이클로덱스트린을들수있다. 상기물질은입자자체의크기가약 1.4 1.7 nm 정도로매우작고다양한관능기를사이클로덱스트린말단에도입할수있기때문에매트릭스와의상용성조절측면에서매우유리하다고할수있다. 실제로삼성종합기술원에서는헵타키스 [(2,3,6- 트리 -O- 메틸 )-β- 사이클로덱스트린 ] 을사이클릭실세스퀴옥산 (CSSQ) 매트릭스와혼합하여제조한저유전막은, 사이클로덱스트린의함량이약 40% 정도까지기공의크기가벌크상태의것과거의유사하며, 또한닫힌기공구조를갖는다고보고하였다 [J.H. Yim, Y.Y. Lyu, H.D. Jeong, S.K. Mah, J.G. Park and D.W. Gidley, Adv. Funct. Mater., 13(5) (2003), 한국특허공개제 2002-75720 호 ]. 그러나이러한우수한기공특성에도불구하고나노기공을함유한 CSSQ 매트릭스는이론적인값보다매우높은유전율을나타내었다. 따라서우수한기계적특성, 닫힌기공구조및낮은유전율을동시에만족하는초저유전물질을제조하기위해서는무엇보다도우수한유전특성을나타낼수있는유기나노입자의개발이절실하다고할수있겠다. 한편, 스핀 - 온타입의대표적인실리케이트저유전매트릭스중의하나인폴리메틸실세스퀴옥산은 (CH 3 -SiO 1.5 ) n 의구 조식을갖으며, 유전율이낮고 (k=2.7), 수분및열안정성등이우수하여층간절연막재료로서우수한특성을나타내는것으로알려져있다. 그러나, 화학적기계적평탄화작업 (chemical mechanical planarization, CMP) 과같은격렬한반도체공정에노출된경우에는낮은기계적강도로인하여박막이쉽게깨지게되는단점이있다. 또한유전율을더욱낮추려는목적으로, 폴리메틸실세스퀴옥산매트릭스내에많은양의기공을도입하는경우에는더욱더많은문제점이발생하게된다. 이에, 본발명자들은폴리메틸실세스퀴옥산의중합모노머인알킬트리알콕시실란에 α,ω- 비스트리알콕시실릴화합물을공중합단량체로첨가하여기계적물성이우수하고포라젠과의상용성이우수한폴리알킬실세스퀴옥산공중합체를제조한바있다 [ 한국특허공개제 2002-38540 호 ]. - 3 -

발명이이루고자하는기술적과제 이에, 본발명의발명자들은종래초저유전절연막이가지는문제점을극복하기위하여연구를수행한결과, 폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체를매트릭스로사용하면서아세틸사이클로덱스트린나노입자를기공형성용템플레이트로사용하게되면, 두성분간의우수한상용성으로인하여 60 부피 % 정도의과량의템플레이트가함유될수있었고, 그리고제조된박막은공극율및유전특성이매우우수하고기공의크기가작고기공의상호연결성이우수한구리배선용층간절연막으로서유용하다는것을알게됨으로써완성하게되었다. 따라서, 본발명은구리배선용층간절연막으로유용한초저유전막을제공하는데그목적이있다. 발명의구성및작용 본발명은유기또는무기매트릭스와시클로덱스트린계기공형성용템플레이트를사용하여제조된초저유전절연막에있어서, 상기매트릭스로서폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체 40 70 부피 % 와, 상기템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린나노입자 30 60 부피 % 가유기용매에용해되어있는유기 - 무기혼합용액을코팅하여박막을제조한다음, 졸 - 젤반응및열처리하여제조되어진구리배선용초저유전절연막을그특징으로한다. 이와같은본발명을더욱상세히설명하면다음과같다. 본발명은구리배선용초저유전절연막을제조함에있어, 매트릭스로서폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체를선택사용하고, 기공형성용템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린나노입자를선택사용하여제조된박막으로, 최대공극율이 60% 이고, 최소유전율이 1.5 인초저유전절연막에관한것이다. 즉, 본발명은폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체를매트릭스로하는절연막을제조함에있어기공형성용템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린나노입자를선택사용한데기술구성상의특징이있는바, 이로써종래템플레이트를최고 40 부피 % 미만함유될수있었던것을 60 부피 % 까지그함량을증가시킬수있어최대공극율을크게향상시켰음은물론유전특성도우수한초저유전절연막을제조할수있었던것이다. 본발명에따른초저유전절연막에대해보다상세히설명하면다음과같다. 본발명에서는매트릭스성분으로서, 폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체를사용하는바, 상기매트릭스성분은기공형성용템플레이트로선택사용하게되는아세틸사이클로덱스트린과의상용성이탁월하다. 매트릭스로사용되는폴리알킬실세스퀴옥산공중합체는알킬트리알콕시실란과 α,ω- 비스트리알콕시실릴알칸의공중합체, 예를들면메틸트리메톡시실란과 α,ω- 비스트리메톡시실릴에탄공중합체또는메틸트리메톡시실란과 α,ω- 비스트리에톡시실릴에탄공중합체가포함된다. 특히매트릭스성분으로서, 본발명자들이처음제조하여특허출원한바있는폴리알킬실세스퀴옥산공중합체 [ 한국특허공개제 2002-38540 호 ] 를사용하였을때, 공극율및유전율이보다향상된결과를얻을수있었다. 본발명자들에의해제조된폴리알킬실세스퀴옥산공중합체는다음화학식 1 로표시되는알킬트리알콕시실란단량체와다음화학식 2 로표시되는 α,ω- 비스트리알콕시실릴단량체를유기용매 / 물의혼합용매중에서산촉매를사용하여공중합하여제조된것으로, 기계적물성이우수하고템플레이트특히아세틸사이클로덱스트린과의상용성이우수하다. 화학식 1-4 -

화학식 2 상기화학식 1 또는 2 에서, 상기 R 은서로같거나다른것으로서탄소수 1 내지 6 의알킬기를나타내고, X 및 Y 는서로같거나다른것으로서탄소수 1 내지 6 의알킬렌기를나타낸다. 또한, 본발명에서는기공형성용템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린나노입자를선택사용한다. 본발명의선행기술로서한국특허공개제 2002-75720 호에서는사이클로덱스트린유도체가공지되어있기는하지만, 이발명에서는아세틸사이클로덱스트린을템플레이트로서구체적으로사용한예는없고, 다만헵타키스 (2,3,6- 트리 -O- 메틸 )-β- 사이클로덱스트린 (HTM-β-CD) 을사용한실시예만이기재되어있고, HTM-β-CD 는최고 40 중량 % 함유시키고있다. 이에반하여, 본발명에서는템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린의선택사용으로, 최고 60 부피 % 까지함유시키는것도가능해졌다. 본발명이기공형성용템플레이트로사용하는아세틸사이클로덱스트린은다음화학식 3 으로표시될수있다. 화학식 3 상기화학식 3 에서, n 은 6 내지 8 의정수이고 ; R 1, R 2 및 R 3 은각각수소원자또는아세틸기이고, R 1, R 2 및 R 3 중적어도 하나가아세틸기이다. 상기화학식 3 으로표시되는아세틸사이클로덱스트린을구체적으로예시하면, 트리아세틸 -α- 사이클로덱스트린, 트리아세틸 -β- 사이클로덱스트린, 트리아세틸 -γ- 사이클로덱스트린, 다이아세틸 -α- 사이클로덱스트린, 다이아세틸 -β- 사이클로덱스트린, 다이아세틸 -γ- 사이클로덱스트린, 모노아세틸 -α- 사이클로덱스트린, 모노아세틸 -β- 사이클로덱스트린, 모노아세틸 -γ- 사이클로덱스트린등이포함될수있다. 본발명에따른초저유전박막의제조방법에대하여구체적으로설명하면다음과같다. 먼저, 매트릭스성분으로서폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체와템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린을각각유기용매에용해시킨다음, 서로혼합하여유기 - 무기혼합용액을얻는다. 이때, 유기용매로는다이메틸포름아마이드 (DMF), 다이메틸아크릴아마이드 (DMA), 다이메틸설폭사이드 (DMSO) 등이포함될수있다. 그런다음, 상기유기 - 무기혼합용액을기판위에몇방울떨어뜨린후, 2000 4000 rpm 에서 20 70 초동안스핀코팅을하여박막을제조한다. 이때, 기판으로는일반적으로사용되어온통상의것을사용하며, 바람직하기로는폴리테트라플루오로에틸렌실린지필터 (0.2 μm ) 로통과시켜준비된실리콘웨이퍼를사용한다. 그런다음, 이렇게제조된박막은온도를 200 400 까지증가시켜잔류용매제거및매트릭스의실란올말단기의축합반응을진행시킨후, 350 500 에서한시간동안유지하여아세틸사이클로덱스트린유기물질을제거함으로써나노기공을함유한초저유전박막을제조하였다. 경화반응및유기물질제거는질소분위기하에서실시하였으며, 승온및하강속도는각각 3 /min 로하였다. 이상의제조방법으로제조된본발명의초저유전박막은최대공극율이 60% 이고, 최소유전율이 1.5 로서구리배선용절연막으로유용하다. - 5 -

이와같은본발명은다음의실시예에의거하여더욱상세히설명하겠는바, 본발명이이에의해한정되는것은아니다. 실시예 1: 폴리메틸실세스퀴옥산공중합체의제조 메틸트리메톡시실란 [CH 3 Si(OCH 3 ) 3 ] 이용해된메틸이소부틸케톤 (MIBK) 용액에 HCl 용액및증류수를주입하고 α,ω- 비스트리메톡시실릴에탄 [(CH 3 O) 3 Si-CH 2 -CH 2 -Si(OCH 3 ) 3, BTMSE] 을적가한다음반응을진행시킨후용매및 HCl 촉매를제거함으로써, BTMSE 함량 10 mol%, Mw 2426, Mn 2,700, Si-OH/Si 원자비 = 27% 인폴리메틸실세스퀴옥산 2 원공중합체를제조하였다. 실시예 2: 나노기공을함유한초저유전박막의제조 매트릭스성분로서폴리메틸실세스퀴옥산 (MSSQ) 단일중합체, 메틸트리메톡시실란과 α,ω- 비스트리메톡시실릴에탄의 2 원공중합체 (BTESE 10%), 또는메틸트리메톡시실란과 α,ω- 비스트리에톡시실릴에탄의 2 원공중합체 (BTESE 25%) 를사용하고, 템플레이트로서트리아세틸 -β- 사이클로덱스트린나노입자 (TABCD) 를각각사용하여, 초저유전박막을제조하였다. 그제조과정은구체적으로, 먼저매트릭스성분및템플레이트를각각 DMF 유기용매에녹인후, 다음표 1 에나타낸조성비로혼합하여유기 - 무기혼합용액을제조하였다. 폴리테트라플루오르 (PTFE) 실린지필터 (0.2 μm ) 로통과시켜실리콘웨이퍼위에, 상기유기 - 무기혼합용액을몇방울떨어뜨린후, 3500 rpm 속도로 50 초동안스핀코팅을하여박막을제조하였다. 이렇게제조된박막은온도를 250 까지증가시켜용매제거및무기매트릭스의축합반응을유도한후, 다시 430 에서한시간동안열처리를하여최종적으로나노기공을함유한초저유전박막을제조하였다. 경화반응및유기물질제거는질소분위기하에서실시하였으며, 승온및하강속도는각각 3 /min 로하였다. 상기와같은방법으로제조된각각의박막은다음의실험예의방법으로물성을측정하였으며, 그결과는다음표 1 에각각나타내었다. 실험예 1: 박막의굴절률, 두께, 공극율, 유전율의측정 상기실시예 2 에서제조된박막의굴절률및두께는엘립소미터 (ellipsometer, L166C, Gaertner Scientific Corp.) 를이용하여 632.8 nm 파장에서측정하였다. 박막의공극율은다음수학식 1 로표시되는로렌쯔 - 로렌쯔식 (Lorentz-Lorentz equation) 을이용하여계산하였다. 수학식 1 상기수학식 1 에서, n s 또는 n r 은각각다공성또는비다공성필름의굴절률 (refractive indices) 을나타내고, p 는다공도 (Porosity) 를나타낸다. 박막의유전율측정은다음과같은방법으로수행하였다. 전도도가매우높은실리콘웨이퍼 (0.008 Ω m) 를하부전극으로사용하고, 그위에상기실시예 2 에서제조된초저유전박막을, 그리고그위에지름이약 1 mm 인알루미늄전극을다시진공증착하여상부전극을제조하였다. 이렇게준비된시편은 HP 4194A 임피던스분석기 (impedence analyzer) 를이용하여 1 MHz 에서정전용량을측정한후, 이미알고있는박막두께및전극면적을고려하여유전율을계산하였다. 또한이론적인유전율은다음수학식 2 로표시되는 Maxwell-Garnett 식을이용하여계산하였다. - 6 -

수학식 2 상기수학식 2 에서, k s 또는 k r 은각각다공성또는비다공성필름의유전체상수 (dielectric constants) 를나타내고, p 는 다공도 (Porosity) 를나타낸다. 매트릭스성분 폴리메틸실세스퀴옥산 (MSSQ) 폴리메틸실세스퀴옥산 2 원공중합체 (BTMSE 10%) 폴리메틸실세스퀴옥산 2 원공중합체 (BTESE 25%) BTMSE: α,ω- 비스트리에톡시실릴에탄 표 1. 아세틸사이클로덱스트린 ( 부피 %) 두께 (A ) 굴절률공극율 (%) 유전체상수 (k) 기대치측정치 0 2998 1.371 0 2.7 2.7 10 3011 1.337 10.1 2.41 2.43 20 2932 1.290 20.2 2.16 2.19 30 2869 1.259 28.3 1.98 1.95 40 2817 1.209 41.3 1.74 1.71 0 2918 1.402 0 2.87 2.87 10 2888 1.362 9.1 2.60 2.62 20 2845 1.310 20.7 2.29 2.31 30 2806 1.284 26.3 2.14 2.17 40 2778 1.230 39.2 1.87 1.89 50 2746 1.180 50.2 1.64 1.66 60 2523 1.150 59.2 1.52 1.55 0 2723 1.373 0 3.0 10 2569 1.345 7.1 2.74 20 2817 1.315 14.2 2.50 30 2442 1.282 20.2 2.28 40 2325 1.206 40.6 1.86 실험예 2 : 템플레이트에따른공극율및유전특성비교 본발명의초저유전박막과, 한국특허공개제 2002-75720 호에공지되어있는초저유전박막을제조함에있어, 템플레이트의함량변화에따른공극율과유전특성변화를측정하여도 1 로서나타내었다. 본발명의초전유전박막은, 폴리메틸실세스퀴옥산 2 원공중합체 ( 실시예 1, BTMSE 10% 함유 ) 에템플레이트로서트리아세틸 -β- 사이클로덱스트린나노입자 (TABCD) 를 0, 10, 20, 30, 40, 50, 60 부피 % 로함유량을변화시켜제조한박막이다. 비교예로서제시되는초저유전도막은, 사이클릭실세스퀴옥산 (CSSQ) 에템플레이트로서헵타키스 (2,3,6- 트리 -O- 메틸 )-β- 사이클로덱스트린 [tcd] 을 0, 10, 20, 30, 40, 50 부피 % 로함유량을변화시켜제조한박막이다. 도 1 의결과에의하면, 템플레이트의함량이 30 부피 % 를초과하여과량함유되면서부터, 공극율과유전율에서현저한차이를나타냄을확인할수있다. 발명의효과 이상에서살펴본바와같이, 본발명에따른초저유전막은매트릭스성분으로사용되는폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체와의우수한상용성을갖는아세틸사이클로덱스트린나노입자의선택사용으로인하여공극율및유전율특성이매우우수함과동시에생성된기공의크기가작고닫힌기공구조를형성하기때문에구리배선용층간절연막으로서유용하다. 본발명의단순한변형내지변경은모두본발명의영역에속하는것으로본발명의구체적인보호범위는첨부된특허청구범위에의하여명확해질것이다. - 7 -

(57) 청구의범위 청구항 1. 유기또는무기매트릭스와시클로덱스트린계기공형성용템플레이트를사용하여제조된초저유전절연막에있어서, 상기매트릭스로서폴리알킬실세스퀴옥산전구체또는이의공중합체 40 70 부피 % 와, 상기템플레이트로서아세틸사이클로덱스트린나노입자 30 60 부피 % 가유기용매에용해되어있는유기 - 무기혼합용액을코팅하여제조된것임을특징으로하는초저유전절연막. 청구항 2. 제 1 항에있어서, 상기폴리알킬실세스퀴옥산공중합체는알킬트리알콕시실란과 α,ω- 비스트리알콕시실릴알칸의공중합체인것을특징으로하는구리배선용초저유전절연막. 청구항 3. 제 2 항에있어서, 상기폴리알킬실세스퀴옥산공중합체는메틸트리메톡시실란과 α,ω- 비스트리메톡시실릴에탄공중합체, 또는메틸트리메톡시실란과 α,ω- 비스트리에톡시실릴에탄공중합체인것을특징으로하는구리배선용초저유전절연막. 청구항 4. 제 1 항에있어서, 상기아세틸사이클로덱스트린은다음화학식 3 으로표시되는것을특징으로하는구리배선용초저유전절연막 : [ 화학식 3] 상기화학식 3 에서, n 은 6 내지 8 의정수이고 ; R 1, R 2 및 R 3 은각각수소원자또는아세틸기이고, R 1, R 2 및 R 3 중적어도 하나가아세틸기이다. 청구항 5. 제 4 항에있어서, 상기아세틸사이클로덱스트린은트리아세틸 -α- 사이클로덱스트린, 트리아세틸 -β- 사이클로덱스트린, 트리아세틸 -γ- 사이클로덱스트린, 다이아세틸 -α- 사이클로덱스트린, 다이아세틸 -β- 사이클로덱스트린, 다이아세틸 -γ- 사이클로덱스트린, 모노아세틸 -α- 사이클로덱스트린, 모노아세틸 -β- 사이클로덱스트린및모노아세틸 -γ- 사이클로덱스트린중에서선택된것을특징으로하는구리배선용초저유전절연막. 청구항 6. - 8 -

제 1 항에있어서, 상기유기용매는다이메틸포름아마이드 (DMF), 다이메틸아크릴아마이드 (DMA) 및다이메틸설폭사이드 (DMSO) 중에서선택된것을특징으로하는구리배선용초저유전절연막. 청구항 7. 제 1 항내지제 6 항중에서선택된어느한항에있어서, 최대공극율이 60% 이고, 최소유전율이 1.5 인것을특징으로하는구리배선용초저유전절연막. 도면 도면 1-9 -