내지
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- 희지 빙
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1 GRI G3 Guideline GRI G3 A + 3 G3 Guideline A + GOOD MEMORY 2009 FSC(Forest Stewardship Council ) FSC:
2 CONTENTS C2 CEO Economic 30 Performance About This Report 2009 Social Performance GRI(Global Reporting Initiative) G3 BEST (BEST Sustainability Reporting Guidelines) GRI G3 Application Level A + GRI Environmental Performance Ton, TOE, TC, m 2, m 3, mm, GB, Gb, MWh HNSL HNSL HNSL BEST/GRI Guideline Index sustainabilityhynix.com SM
3 GOOD MEMORY BETTER TOMORROW Good Memory
4 DRAM DRAM 2 300mm 5 54 DRAM DRAM 3% 6% 5% 8% 13% Q.2Q.3Q.4Q
5 + 2Gb Mobile DDR + 2GB DDR3 SODIMM
6 (1) FAB(Fabrication)_ (2) SOP(Small Outline Package) (3) CIS(CMOS Image Sensor)_ + CIS + 128Gb NAND Flash TLC
7 NAND Flash 2004 NAND Flash NAND Flash 300mm FAB 200mm FAB 3 32Gb NAND Flash SOP 8 NAND Flash 41 NAND Flash NAND Flash 12.3% % 17.7% isuppli CIS CMOS CIS 1 11 CIS
8 (1) ZRAM_ 별도의 캐패시터를 사용하지 않고, 데이터 저장 및 보존이 가능한 메모리 반도체로 기존 DRAM 대비 구조가 간단하여 미세화나 고용량화에 유리한 장점을 가지고 있음 (2) PCRAM_ 상변화 물질에 전류를 가하면, 고체와 액체로 변하는 상변화에 따른 저항 차이를 이용하는 차세대 비휘발성 메모리 반도체로 플래시 메모리의 비휘발성과 DRAM의 빠른 속도의 장점을 모두 가지고 있음 (3) STT RAM(Spin-Torque Transfer RAM)_ 자성 물질에 전류를 가하여, 자화상태의 변화에 따른 저항 차이를 이용하는 차세대 비휘발성 메모리 반도체로 특히 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능할 뿐만 아니라, DRAM 이상의 고용량을 구현할 수 있는 것이 특징임 미래를 위한 투자 세계 최고의 반도체 전문회사가 되겠다는 신념으로 연구개발에 지속적으로 투자를 아끼지 않은 결과, 과거 매출 액 대비 5~6%수준의 연구개발비 비중을 년에는 10.8%수준까지 확대하였습니다. 전체 인원의 20%수준 의 연구개발인력을 확보하여 미래성장을 위한 기술기반 강화에 노력하고 있으며, 미국, 일본, 대만에 해외기술 센터를 설립하는 한편, 국내외 유망기업, 대학, 연구소와 전략적 협력관계를 강화해 나가고 있습니다. 아울러 하이닉스는 ZRAM⑴, PCRAM⑵, STT RAM⑶과 같은 차세대 메모리 라이선스 취득 등 중장기 성장을 위한 기술 개발에서도 한 발 앞선 준비를 해나가고 있습니다.
9 % 5. 9% 5. 3% + 매출액 대비 연구개발비 비중
10 200mm 300mm 2007 The worlds best semiconductor company 08
11
12 Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc. Hynix Semiconductor America Inc CEO , , ,180 21,457 BBB+ B1 (Moody's) BBB+ B+ (S&P) BBB+ B+ (Fitch) CEO DRAM Flash CIS HNSL HSA HSJ HST 10
13 Hynix Semiconductor U.K. Ltd. Europe Holdings Ltd. Hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd. Hynix Semiconductor Deutschland GmbH Hynix Semiconductor Japan Inc. Hynix Semiconductor Hong Kong Ltd. Hynix Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. Hynix Semiconductor Taiwan Inc. Hynix Semiconductor Indian Subcontinent Private Ltd. Hynix Semiconductor Asia Pte., Ltd. Hynix-Numonyx Semiconductor Ltd Hynix Semiconductor America Inc.(HSA) Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc.(HSMA) Hynix Semiconductor Deutschland GmbH(HSD) Hynix Semiconductor Europe Holdings Ltd.(HSE) Hynix Semiconductor U.K. Ltd.(HSU) Hynix Semiconductor Asia Pte.Ltd.(HSS) 13 Hynix Semiconductor Hong Kong Ltd.(HSH) Hynix Semiconductor Japan Inc.(HSJ) Hynix Semiconductor Taiwan Inc.(HST) Hynix Semiconductor (Shanghai)Co., Ltd.(HSCS) Hynix-Numonyx Semiconductor Ltd.(HNSL) Hynix Semiconductor (Wuxi) Ltd.(HSMC) Hynix Semiconductor Indian Subcontinent Private Ltd.(HSIS) 11
14 1. (.12) 4. 1Gb DRAM (.11) 7Gbps 1(Gb) DDR5 54 2(Gb) DRAM 2. NAND Flash 300mm (.8) 40 NAND Flash 300mm 3. (.4) 2 5. (HiSPM) (.3)
15 (1) 3_ Triple-Level Cell 32Gb NAND Flash (.6) MLC(Multi Level Cell) 3 NAND Flash (.8) NAND Flash (.10) 9. (.2) (.10) 9 13
16 SM SM 9 HNSL HNSL SM HNSL SM Creating Top for Sustainable Future Reputation & Brand Image Value-up Economic Development Social Sharing Sustainability Management Eco-Friendly Ethical Culture STEP 03(2011~) STEP 02(~2010) STEP 01(~) 14
17 (1) HNSL(Hynix-Numonyx Semiconductor Ltd.)_ (2) LACP(League of American Communications Professionals) 2001 Annual Report LACP 2007 Vision Awards Annual Report Competition (HYSONIC) 12 5 HYSONIC, Hynix Sustainability's Online and Integrated Communication system HYSONIC HYSONIC 2009 HYSONIC SM SM HNSL SM CEO SM CEO SM SM HNSL SM TFT 15
18 1,
19 QBR (Quarterly Business Review) TQRDC (TechnologyQualityResponsivenessDeliveryCost) 40 QTR (Quarterly Technology Review) 40 CCK (Customer Care Kit) 41 (Newsletter) Newsletter 40 Technology Road Show (Roadmap Align) - - IR - - IR IR - - CEO CEO ESH - HEINET 48 (Joint Workshop) 21 CEO ESH - Win-Win DRAM, NAND Flash, CMOS Image Sensor(CIS) 1,270 NGO 17
20 Test 1 Test 2 Test 3 Test 4 Test 5 Test 6 KPIs ( ~.11) High Medium Low Medium High 18
21 (1) ESH Environment, Safety, Health (2) (LCA, Life Cycle Assessment) DMA(Disclosure of Management Approach) 2009 Economic Performance DRAM % 10.8% Alignment Social Performance e- QBR, QTR QTR, QBR 266 1,105 Good Memory Environmental Performance ESH (LCA) Eco-Efficiency 19
22 HEMS,Hynix Ethics Management System e- 1 3 Cyber 2 3 HEMS e HEMS e HNSL CEO 20
23 HEMS Joint Workshop HEMS HEMS e- 2 e Photo Drama HEMS HEMS 21
24 ,206 2,112 2,497 1,558 2,382 2, ,
25 CIS (HSA) (Compliance Program) A A AAA AA 1 A 10% 3% 2 A 23
26 ,602, % 36.0% 8.2% 8.0% 6.2%) 6.1% 7.5% 8.2% % 6.2% 6.1% 7.5% 64.0% CEO 67% 2007 Director's Manual 5 24
27 (1) (Surety bond) (2) L/C(, Letter of Credit)_ 5 HNSL 5 3 ( 7 bod.hynix.com (bod.hynix.com) /4 100% 86% 100% 100% ProMOS 100% Surety bond 100% L/C Line 61 3/ % 200mm/300mm % % /4 100% % Syndicated Loan 100% 25
28 Hy-RWS: Hynix Risk Warning System Hy-RWS HNSL Hy-RWS 16,000 Hy-RWS 22 OA 60 IFIS: Integrated Financial Information System IFIS 6 IFIS HICS: Hynix Internal Control System 2 IFRS: International Financial Reporting Standard CEO Hy-RWS IFIS HICS ERP 26
29 3 Q1. Q2. Q Q4. Q5. Q Q7. Q8. Q9. Q Q11. Q12. Q
30 ECONOMIC PERFORMANCE DRAM 19.4%
31 6,999 (10.8%) 4, % 10.8% 2007 (5.9%) 4, (5.3%)
32 (1) (Wafer) (2) Bit-Growth (3) (4) SSDSolid State Disk (5) (Foundry) 6 8,180 DRAM NAND Flash 73% 21% % 1 9,201 47,447 M7 M9 200mm FAB 200mm FAB DRAM 53,687 62,114 49,627 NAND Flash 22,280 21,945 14,457 1,352 2,377 4,096 77,319 86,436 68, ,319 86,436 68,180 20,741 5,137-19, % 5.9% -28.2% 20,540 3,639-47, ,319 86,436 68,180 5,527 6,186 10,360 1,078 1,124 1, ,160 22,498 23, , ,017 4,995 6,999 2,021 2,603 4,143 30
33 mm FAB 300mm 2009 DRAM NAND DRAM DRAM % B/GBit Growth PC DRAM 5444 NAND Flash DRAM.4 NAND Flash STT RAM.6 SD CIS.7.8 NAND Flash NAND Flash Killer Application NAND 2001 B/G(Bit Growth) NAND Flash SSD (Solid State Drive) 300mm FAB 3 300mm FAB 2 9 M11 108, ,
34 (1) 1 (2) Via 2 Metal (3) Fine Pitch Au Bonding Wire % 10.8% DRAM 54NAND Flash DRAM(Dynamic Random Access Memory) 51% DRAM 19.4% % % , ,017 6, % 5.9% 5.3% isuppli 2005 DRAM DRAM (STT RAM 2012 STT RAM 2012 Deep Via ~ ~ DRAM % 32% 17% 7% 12% 8% 29% 31% 17% 9% 11% 3% 27% 36% 15% 9% 13% 32
35 (4) Gb(, Giga bit)10 1 DRAM 256 DRAM 4 (5) Gbps(Giga bit per sec) 1Gbps 1 10 (6) GB(, Giga bytes) % DRAM DRAM 73% Gb GDDR5 11 5Gbps 40% 54 7Gbps Digital TV, DVD Player PC DDR2 1066Mbps FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array) (IT Convergence) 14% % Gb DRAM Gb DRAM DRAM % 14% % isuppli 6 VLSI DRAM Gb DDR3 DRAM DDR2 DDR3 DRAM GB 2GB 1Gb LPDDR GB DDR Gb GDDR5 7Gbps Gb LPDDR Gb DDR3 33
36 (1) SLC (Single Level Cell) 1 (2) MLC (Multi Level Cell) 2 (3) TLC (Triple Level Cell) 3 (4) SOC(System On Chip) NAND Flash NAND Flash SLC(Single-level Cell) MLC(Multi Level Cell) SLC MLC MP3 Player, PMP, NAND Flash 12.3% % % isuppli NAND Flash NAND Flash 21% NAND FlashDRAM 2004NAND Flash 2005NAND Flash 3 NAND Flash TLC(Triple Level Cell) MLC Bit Growth 2,3 MLC 6 TLC 48 32Gb NAND Flash 30% 12 SOP 8 NAND Flash Card 34% 4% MP3 24% USB 36% 2% Card 26% 4% MP3 39% USB 29% 2% Card 32% 2% MP3 31% USB 34% 1% DRAM Countervailing Duty EU The Council of the European Union 4 7EU DRAM EU The European Commission 8 20 DRAM Sunset Review EU EU WTO WTO 34
37 CMOS Image Sensor Product, Process, People CMOS Image Sensor CIS SOC CIS 10 1 CIS VGA CIS ProductProcessPeople TFT - Top-Down - - Value Up Alignment - Bottom-Up - - Cost Down TFT Top-Down TPM, TRIZ, DIPS, PI 35
38 (1) SBMS Strategic Business Management System (2) FP(Factory Planning) (3) SCP(Supply Chain Planning) FP (4) SRM(Supplier Relationship Management) (5) ERP(Enterprise Resource Planning) (6) CRM(Customer Relationship Management) (7) BSC(Balanced Scorecard) (8) TRIZ PI,Process Innovation SCMSupply Chain Management SCM 6 SCM Design-in SBMS MDM value chain CEO 25 TPM 2009 TPM(Total Productive Maintenance) (Master Plan, Check Sheet) One Shot (Facilitator) Design-in Workflow 2002 TPM TPM TPM TPM 2 TPM FAB & FP, SCP SPEC SRM ERP CRM SCM IFIS BSC TRIZ TRIZ 36
39 (9) DIPS (Double IP System: Increasing Productivity of Intellectual People) DIPS TPM 1 Change Beginner Change Agent Change Expert Change Master (Cross License) ,856 2,428 2,558 DRAM NAND Flash 37
40 SOCIAL PERFORMANCE
41
42 TFT Apple, Dell, HP, IBM, Lenovo, Sony, NEC, Fujitsu Toshiba (Rating) (On-site Meeting) 2009 QBR (Quartely Business Review) TQRDC(Technology-Quality- Responsiveness- Delivery- Cost- HyCRM Design-in CFC* CDP : Critical Decision Points CFC : Customer Facing Committee CDP* QTR (Quarterly Technology Review) Design Win Biz Win Market Hit 40
43 (1) EICC(Electronic Industry Code of Conduct) HP, Dell, IBM 8 CCK (Customer Care Kit) EICC (Electronic Industry Code of Conduct) EICC Dell, Nokia, Ericsson, Lenovo, HP, Microsoft, Motorola, Apple, Foxconn, AMD EICC EICC HNSL Audit EICC EICC EICC (Design-in) Self Qualification Program AMD, nvidia, Lenovo, Apple Self Qualification Program 11 (PCN, Process Change Notification) DRAM 54 PCN
44 12 21,457 11,416 5, , % % 7.51% 200mm FAB 3 3,300 2,700 2,400 3, % 41.0% 0.2% ,078 4, , ,328 9, , ,406 13, , ,126 51% 9,571 52% 9,090 51% 2.00% % % % 2.00% % % % x100 x % 87.6% 0.4% 42
45 2007 2% 61, , (EOS: Employee Opinion Survey) ,932 60,400 61, Strategy Structure ,105 Outcome 3.76 Culture
46 % , ,226 4,462 7,006 4,418 97% 99% 11 CEO 1 1 Good Morning Talk
47 (ESH) (ILO) (PSM: Process Safety Management) ,719 12,187 11,416 4,688 5,488 5,472 HNSL - 2,730 3, HNSL Walking Day TFT TFT 45
48 (1) HiSPM(Hynix Supplier Performance Management) (Central Monitoring System) 24 (Headquarters) CMS (8000) Utillity FAB (Emergency Response Team) 46
49 HiSPM IN OUT
50 (1) HEINET(Hynix e-procurement Infra Network) (.10.09) HEINET
51 3 (Good Memory) , Hynix Good Memory ,877 3,073 (2007~) (2009~2010) (2011~2012) CEO SM 49
52 4 Good Memory 5 1 (Good Memory) 4 14 Good Memory NGO 2 4 1, % 50
53 ,500 22,461 48,000 41, ,000 5,494 12,000 10, ,690 51
54 ENVIRONMENTAL PERFORMANCE
55 ton CO
56 ESH ESH ISO14001 OHSAS18001, KOSHA18001 ESH ISO14001 OHSAS18001 OHSAS ESH ESH (1) ISO14001 ISO(International Organization for Standardization: ) (2) OHSAS18001 (Occupational Health & Safety Assessment Series) (3) KOSHA18001 (Korea Occupational Safety & Health Agency : ) NGO 6 2 CEO ( ( CEO.02. ESH (LCA) CEO
57 (1) (2) PFCs (Per Fluoro Carbons) (3) LNG (Liquefied Natural Gas) (4) MMTCE (Million Metric Tons of Carbon Equivalent) PFCs LNG 2005~2007 ton CO2 3, , ,825 (CDP: Carbon Disclosure Project) CDP PFCs PFCs (CDM: Clean Development Mechanism) PFCs MMTCE (CDP: Carbon Disclosure Project) Actual Roadmap
58 LNG LNG 2007 ISO FAB Wafer 418, , , , , ,940 Substrate 57, , ,499 Backend PCB 101, , , , , ,249 1,259,366 1,872,253 2,117, mm LNG TOE /m mm LNG TOE Test Wafer TOE/m 200mm FAB 200mm 300mm % 1.78% TOE/MWh TOE/ton 56
59 (1) (Scrubber) (2) ISO14064 (3) TOE (TOE, Ton of Oil Equivalent)(IEA) 1 10kcal (4) Backend (5) TC (TC, Ton of Carbon Equivalent) (VA: Voluntary Agreement) CO (TOE) 4, (MWH) 15,654 2,909 8,202 2, , ,123 4, ,260 (TC ) 6, (TC) 2, ,075 (TC) 9, , % 90.8% 90.3% 4,648 3,582 1,694 90% Ton 1, , ,159 57
60 (LCA: Life Cycle Assessment) DRAM NAND Flash Memory LCA (Eco-design) "Creating more value with less impact" Eco-efficiency Factor EE EE Source Control Eco-efficiency Eco-efficiency Eco-efficiency 1994 (WBCSD: World Business Council for Sustainable Development) Eco-efficiency Ecoefficiency DRAM Main Memory, Graphics Memory, Consumer Memory 3 NAND Flash Memory SLC, MLC 2 Higher Better Lower Better Eco-efficiency M E Hynix Class T Hynix Class Hynix Class I: EU RoHS, Halogen 8 Hynix Class II: 21 58
61 (1) Mold Compound Epoxy (2) Substrate (3) PCB (Printed Circuit Board) (4) EU REACH (Registration, Evaluation and Authorization of Chemicals)EU 1 Halogen Free BrCl2 Component Mold Compound & Substrate Halogen Free PCB Halogen Free Module - Halogen Free (Br 900ppm, CI 900ppm, Br+CI 1,500ppm) Halogen Free + RoHS compliance Logo 2 (Cobalt dichloride) EU REACH 15 (SVHC,Substances of Very High Concern) 2(Cobalt dichloride) PVC(Polyvinyl chloride) Module Cap Mold Compound, Substrate, PCB Halogen Free Halogen Free 59
62 (1) RTO(Regenerative Thermal Oxidizer) (2) VOC(Volatile Organic Compound) (3) UPW (Ultra Pure Water) (4) ReclaimFAB ESH 106.3% 61.3% 200mm FAB ESH /7 7/7 12/12 3/3 6/8 8/8 19/22 35/37 58/55 ESH 30/35 54/55 62/59 7/7 4/4 2/2 PFCs Emission 11/11 10/10 6/6 Chemical,Gas 16/23 21/26 8/4 ESH 8/8 16/18 12/12 101/ / / /4 2/3 99 1/2 1/2 1/3 3/3 2/3 10/13 ESH 17/19 20/24 13/20 3/3 0/1 3/3 Chemical,Gas 3/3 2/5 6/8 ESH 8/8 16/19 21/25 38/42 43/57 63/75 18, , ,890 20,096 2, , , ,584 5,563 4, ,866 10,294 24, ,465 60
63 SOx 34% 5~7% NOx, Cl2 1% 7 TMS(Tele Metering System) HCl 24 RTO (Regenerative Thermal Oxidizer), VOC (Volatile Organic Compound) 2 20% g/ (SOx) (NH3) (NOx) (F) (Cl2) TFT Wafer 1 25% 5 (MOU) FAB(M11) 200mm FAB(M9) 300mm FAB(M11) UPW Reclaim Rate UPW Reclaim Rate 3 TFT 200mm FAB g g/ (SOx) (NH3) (F)
64 (1) TMAH (Tetra Methyl Ammonium Hydroxide) (2) TU(Toxic Unit) Water Water ~80% Wafer Output x % % 28% T-N COD F ppm ,812,756 17,355, ,646,776 TMAH TMS T-N: (Total Nitrogen) COD: (Chemical Oxygen Demand) F: (Fluorine) 62
65 9 8 91% %p % TU 2TU X ton ,810 37,684 26,191 8,331 15,962 17,613 63,141 53,646 43,804 ton ,770 13,435 12,774 4,746 6,825 7,544 16,516 20,260 20,318 63
66 12 3,765 (HNSL) HYNIX-NUMONYX SEMICONDUCTOR LTD. HNSL
67 (1) (Numonyx)_ STMicro HNSL HNSL HNSL mm 8 300mm % HSMC % Numonyx) % 3,765 K STMicro mm mm mm STMicro Numonyx. 03 HNSL (Hynix-Numonyx Semiconductor Ltd.) HNSL IPS Materiality Test Model 9 High Medium Low Medium High 65
68 HNSL HNSL HNSL , , ,100 6 (Weekly News of Ethics)
69 HNSL 12 83% % 34 1, , , , ,119 HNSL 2007 (Future Leader) HNSL ,783 87% 14, % 320 HNSL HNSL GWP 2 9 1,700 GWP GWP GWP(Great Work Place): 67
70 HNSL HNSL HNSL HNSL Good memory 11 Good memory HNSL
71 (1) _ HNSL 2012 Innovest AAA ISO14001 & OHSAS18001 PFCs, RoHS ESH ESH PFCs HNSL 2010~2020 HNSL ~2020 ton CO HNSL 8,049,700Kwh 10, ,378 HNSL 94%, % 69
72 BEST/GRI Guideline Index 3
73 ,436 21% 6 8, ,256 DRAM % 73% NAND Flash 200mm FAB NAND MCP Flash % 27% DRAM NAND Flash & ,000 4,000 6,000 8,000 10, ,795 5% 7 3,630 3, % % % - 2,000 4,000 6,000 8,000 10,000 71
74 ,503 20% 1 3,751 2,248 1, % % % ,000 1,500 2,000 11% % 7% , ,186 67% ,174 3, mm 1, , % 3 8, ,208 1, , mm 7,800 7,648 EBITDA -28% 13% % 33% % 47% - 2,000 4,000 6,000 8,000 10,000 72
75 16 5, , , , , , , ,168 5, , ,754 1,963 2,626 5,232 2, mm , , , , , , , , ,777 6,251 4,970 73
76 1 4,683 3,542 4,729 6,787 1, % % % - 2,000 4,000 6,000 8,000 10, , , , % 8.0% 6.2% 6.1% 7.5% 4 7,196 1,667 7, ,480, % 37,742, % 36,877, % 28,572, % 27,979, % 34,310, % 294,112, % 99,613, % 53,287, % 141,221, % 459,602, % 64% 74
77 ,759,455,207 4,424,775,335 (1) 1,667,351,762 3,418,558, ,864,162 1,702,296, ,527, ,080, ,645 1,002, ,387, ,961,818 (10,018,996) (10,254,631) 5. 69,535,986 78,043,287 (7,477,241) (10,306,971) 6. 97,802,516 47,413, ,162, ,729, ,565,710 31,592,776 (2) 1,092,103,445 1,006,216, ,965, ,715,121 (287,409,406) (68,226,816) ,365, ,750,475 (299,500,060) (112,577,117) ,243, ,071,838 (791,246) (433,263) 4. 36,426,193 41,998, ,360,602 54,388,033 (5,557,688) (1,469,625) 13,816,765,062 13,293,523,497 (1) 301,457,427 27,424, ,284,146 1,329, ,237,419 11,543, ,200 1, ,045,322 2,868, ,785, ,478 (23,603) (8,449) 6. 1,186,849 1,186,849 (1,186,849) (1,186,849) ,127,310 7,093, ,229,632 (2) 12,362,603,290 12,368,479, ,126, ,073, ,876,830,968 1,926,393,441 (27,624,686) (27,624,686) (326,591,659) (439,865,598) (Continued) 75
78 ,055, ,976,172 (61,367,240) (3,874,456) (282,073,398) (251,637,856) 4. 21,577,697,965 19,833,848,650 (387,006,879) (63,664,176) (11,275,293,252) (10,245,954,320) 5. 2,695,176 2,475,171 (1,749,682) (1,436,816) ,686, ,656,081 (5,014,343) (2,860,909) (337,188,475) (286,135,436) ,421, ,111,201 (3) 496,407, ,979, ,083,467,422 2,083,467,422 (1,044,560,703) (1,044,560,703) (612,820,453) (573,184,522) ,089, ,018,077 (86,406,353) (77,984,186) , ,582 (4) 656,296, ,639, ,605, ,410, ,013, ,420, ,677,374 27,808,915 16,576,220,269 17,718,298,832 5,237,522,160 4,059,806, ,727, ,541, ,554,377, ,268, ,867,340 1,060,042,551 (26,867,635) (26,136,828) ,449, ,912, ,589, ,857, ,243,521 6,513, , ,875,770 25,675, ,348, ,058,189, ,856,795-81,130,694 (223,386) (3,787,740) (55,158) - (Continued) 76
79 (113,291,093) 5,812,458,610 4,344,163, ,348,750, ,920,000 (8,197,004) (6,615,250) 2. 1,036,943, ,353,300 80,536,000 - (12,365,086) (5,355,015) (187,068,724) (88,839,801) 3. 2,895,344,255 2,210,132,163 (17,593,634) (11,088,090) ,883, ,378,707 (61,584,586) (54,130,362) ,339, ,285, ,521,874 (3,048,575) (3,837,268) (9,410,950) (9,977,930) ,279, ,984,972 36,082,972 11,049,980,770 8,403,970,280 5,090,202,415 9,045,037,229 2,315,654,175 2,313,783, ,315,654,175 2,313,783, ,002, ,685,334 5,839,683 14,660, ,839,683 14,660, ,642,719 (219,716,676) 1. (7,646,383) 1,803, ,289,102 (221,520,359) 1,356,062,982 6,075,624, ,037, ,291,323 5,526,239,499 9,314,328,552 16,576,220,269 17,718,298,832 77
80 ,817,984,885 8,643,565,453 7,362,955,828 6,979,506,824 (544,970,943) 1,664,058,629 1,375,149,242 1,150,343, ,085, ,401, ,839,231 15,822, ,481,723 31,112, ,437,915 10,336, ,604,138 54,173, ,240,136 51,505, ,059,334 7,034, ,687, ,947, ,496,668 19,706, ,962,997 31,516, ,967, ,131, ,623,809 10,732, ,663,859 63,924,270 (1,920,120,185) 513,714,805 1,036,049, ,602, ,256,102 80,395, ,431,529 21,604, ,381,147 1,997, ,143, ,733, ,884, ,931, ,602,248 4,479, ,648,654 1,194, ,314, ,526,038 6,834, ,665, ,378, ,001, ,817,472 4,429,793 3,890,540, ,698, ,669, ,554, ,276,774 2,008, ,043, ,944, ,432,383 52,652, ,282,337 - (Continued) 78
81 ,947,294 5,838, ,003, , ,735,364 2,392, ,631, ,606,769 57,943, ,992, ,178, ,439,184 84,917, ,293,337 13,454,272 (4,774,611,535) 462,618,849 (29,887,227) 98,705,110 (4,744,724,308) 363,913,739 (4,719,632,924) 346,295,480 (25,091,384) 17,618,259 (10,273) 754 (10,273)
82 ECONOMIC PERFORMANCE DRAM 20% 4~5% 10.8% IMD 7 GDP R&D
83 SOCIAL PERFORMANCE GRI G3 BEST 1 (EICC) CSR 99.9% 3 CEO HEINET (MDG) 81
84 ENVIRONMENTAL PERFORMANCE 2009 (Economic performance) (Social performance) (Environmental performance) PFC % % (Stability of system) (Resistance) (Resilience) (Sustaining management) (Sustainable management) Sutainability Management 82
85 2 4 83
86 BEST GRI Guideline Index BEST GRI A A_1 CEO 1.1 8~9 A_ ~32 A_3 2.1 C1, 10 A_ ~5, 32~35 A_ A_ A_7 2.4/2.5 10~11 A_ A_ ~32 A_ A_ B B_1 3.6 C2 B_2 3.7 C2 B_3 3.1 C2 B_4 3.5 C2 B_ C2 B_6 3.3 C2 B_ C2 B_8 2.9/3.2 C2 B_9 3.4 C2 B_10 BEST ~87 C C_1 4.14/ ~17 C_2 4.14/4.16/SO1 17 C_ D D_1-19 D_2-19 D_3-19 EC EC1 EC1 30 EC2 EC2 55 EC3 EC3 44 EC4 EC6/EC7 42, 67 EC5 EC4 32 EC6 EC8 45~47,49~51,55, 58~59 EC7 EC9 30 EC8-10, 27 EC9-35~37 EC10-37 EC_DMA DMA 19 84
87 BEST GRI GR GR1 4.1/4.2 24~25 GR GR ~25 GR GR GR ~15 GR GR8-24~25 GR9-24 GR10 4.8/ GR GR GR EM EM1 LA1 42 EM2 LA13 42 EM3 LA14 42 EM4 EC5 42 EM5 LA2 42 EM6-42 EM7 HR4 42 EM8 HR5 44 EM9 HR6 42 EM10 HR7 42 EM11-44 EM12 LA4 44 EM13 LA5 44 EM14 LA6 45 EM15 LA9 45 EM16-41, 45 EM17 ILO LA14 45 EM18 LA8 45 EM19 LA7 45 EM20 LA3 44 EM21-45 EM22-42, 45 EM23-20 EM24-44 EM25-20 EM26-21~22 EM27 LA10 43 EM28 LA11 43 EM29 LA12 43 EM30 HR3 22 EM31 HR8 22 EM32-44 EM_DMA - 19 EM_DMA
88 BEST GRI PN PN1-47 PN2 HR1 47 PN3 HR2 47 PN4-22, 47 PN5-48 CS CS1-17, 40 CS2-41 CS3 SO7 23 CS4 PR1 58 CS5 PR3 40, 41 CS6-40, 41 CS7-31~37 CS8-58, 59 CS9 PR5 40~41 CS10-87 CS11 PR2 41 CS12 PR4/PR9 41 CS13 PR6 41 PR7 41 PR8 N/A 87 CS_DMA - 19 CO CO1 SO1 49 CO2 HR9/SO1 49 CO3-51 CO4-49~51 CO5 SO2/SO3/SO4 87 CO6 SO5 87 CO7 SO6 87 CO CO9 SO8 87 CO_DMA - 19 EV01 EV1 EN30 60 EV2-60~62 EV3-60 EV4 EN18 55 EV5 EN5/EN6/EN7 57 EV6 EN14 62 EV02 EV7 EN3 56 EV8 EN4 56 EV9 EN8 61~62 EV10 EN1 56 EV11 EN2 56 EV03 EV12 EN16 55, 69 EV13 CO2,CH4,N2O,HFCs,PFCs,SF6 EN17 55, 69 EV14 EN
89 BEST GRI EV15 NOx, SOx EN20 61 EV16 EN22 63 EV17 EN21 62 EV18 EN10 62 EV19 EN25 61, 62 EV20 EN9 61 EV21 EN23 87 EV22 EN11/EN12 63 EV23 EN26 58, 59 EV24 EN27 63 EV25 EN7 57 EV26 EN12/EN14 63, 68 EV27 EN13 N/A 87 EV28 EN15 N/A 87 EV29 EN24 87 EV30 EN29 57 EV31 EN28 87 EV_DMA - 19 BEST BEST GR3 GR12 GR13 CS10 CO5 CO6 CO7 CO9 EV EV21 EV31 BEST BEST CS15 N/A EV27 EV28 EV29 N/A N/A 87
90 (IPS: The Institute for Industrial Policy Studies) (Independence) (Objective) * AA1OOOAS(Assurance Standard): AccountAbility 1999 ** BEST (BEST Sustainability Reporting guidelines): *** GRI 1997 (CERES) (UNEP) G3 (Criteria) AA1000Assurance Standard(2003)* BEST ** GRI G3 *** (Scope and Work Undertaken) (1) (2)GRI/ BEST
91 (Conclusions) Q. (Materiality) A. Q. (Completeness) A. Q. (Responsiveness) A. BEST BEST % (Recommendations) (1) (2) (3)
92 (14) CFO (36) WSTS SM CIO SCM CIO CIO Roundtable JEDEC MMCA USB-IF SDA SiWEDS SoC IMAPS EPRC9 SATA-IO Core Member MATRIZ TIM (KSA) (13)
93 2009 ( ) (sustainabilityhynix.com) 2009
94 Good Memory
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