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해미 단
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1 韓國電磁波學會論文誌第 9 卷第 9 號 8 年 9 月論文 Winr-Hopf Tchniqu 와 Fourir Transfor Analysis 를이용한병렬슬릿의 파산란해석 Analysis of -Wav Scattring fro Transvrsal-Shiftd Tand Slits Using Winr-Hopf Tchniqus and Fourir Transfor Analysis 서태윤 안성환 이재욱 조춘식 Ta-Yoon So Sung-Hwan Ahn Ja-Woo L Choon Si Cho 요약 본논문에서는 Fourir-transfor analysis와 Winr-Hopf tchniqu을사용하여병렬슬릿에의한 파산란의완전한표현식을유도하고두방법의특징을비교하고자한다. Fourir transfor analysis는슬릿의폭이좁은경우에는빠른수렴해를얻을수있으며, Winr-Hopf tchniqu은슬릿의폭이넓을경우 ( 상호유도결합이적은경우 에매우정확한근사식결과를나타내며, 위의두해석결과는비교적일치하는결과들을보여준다. Astract In this papr, an analysis of -wav scattring fro transvrsal-shiftd tand slits using fourir transfor analysis and Winr-Hopf tchniqu ar drivd and th lctrical prforancs hav n copard with a corcially availal softwar. In Fourir transfor analysis, it is shown that a fast-convrgnt sris solution can otaind whn th distanc twn th slits is vry narrow, whil in Winr-Hopf tchniqu, it is found that th highly-accurat approiation can otaind whn th gap twn th slits cos widr. In addition, this papr has dalt with a good agrnt twn two analytical solutions. Ky words : Winr-Hopf, Fourir Transfor, Scattring, Tand Slits Ⅰ. 서론전자파산란의물리적인현상을이론에기반을두고맥스웰방정식과경계조건을이용하여 closdfor 해석및정확한해를구하고자많은시도들이있으며, 그중에서 od-atching 및 Fourir transfor analysis를이용하는방법과 Winr-Hopf tchniqu을이용한해석방법에관하여논하고자한다. 위의방법들은최근의다양한부품들의출현으로해석하고자하는범위를점점확대하고있으며 []~[], 또한이러한주파수영역에서얻은 closd-for solution은전자파산란이일어나는구조에있어서전자계표현식의각항들이실제전자계를형성하기위하여어떤역할을하는지에대한물리적인개념을주는경우가많으므로아직까지이러한해석방법을이용하여다양한산란구조를해석하고있다. 슬릿에서의전자파산란해석은지금까지많은연구가진행되어왔으며 [5]~[9], 본논문에서는 Fourir transfor analysis와 Winr-Hopf tchniqu을이용하여병렬슬릿을해석하고해석방법의계산속도와 이논문은 6 년정부 ( 교육인적자원부 의재원으로한국학술진흥재단의지원을받아수행된연구임 (KRF-6-33-D. 한국항공대학교항공전자및정보통신공학부 (School of Elctronics, Tlcounication and Coputr Enginring, Kora Arospac Univrsity 논문번호 : 85-7 수정완료일자 : 8 년 7 월 3 일 968

2 Winr-Hopf Tchniqu 와 Fourir Transfor Analysis 를이용한병렬슬릿의 파산란해석 IV l l y (, [ cos ξ ( l E q l l l l l l c sin ξ ( q ] sin a ( a p (6 ' l l V V iζ i ( q d Ey (, E% y dζ π 여기서, ξ l -(a l, a l π a l, (7 l nπ an l a 이며, j ω µεε j, j,, 3 은영역 j에서의파수이다. 또한, 위첨자 l 은그림 에서 l 번째스크린을뜻하며, 편의상 번째스크린으로부터계산을시작한다. 그림. 평행한완전도체스크린에서의산란구조 Fig.. Scattring gotry fro tand slits for Winr-Hopf tchniqu. 정확성의차이및수식의연관성을살펴보고자한다. Ⅱ. Fourir Transfor Analysis - 전자계표현식 영역 (I 에서의파수는 ω µε ε I 이며, 시간조 i t 화인자 (ti haronic factor ω 는생략하였다. 입사, 반사, 산란의전장은다음과같이표현된다. i ii Ey (, ( r i i Ey (, ( s s iζ i' Ey(, E% y( ζ dζ π 여기서 sinθ, cos θ, ' - ζ 이다. 또한, 영역 (Ⅱ, (Ⅲ, (Ⅳ, (Ⅴ 의전장은다음과같이표현할수있다. II l l y ξ l E (, [ cos ( q (3 c l sin l ( l ] sin l ( l l ξ q a a p ( ' l l III III i ( q d Ey (, [ E% y π III ' l l ( ( i q E d ] i ζ % y ζ dζ (5 - 경계조건 위에서정의된전장과자장에서미지의계수,, c, c 을찾기위해경계조건을이용한다. 먼저영역 (Ⅰ 과 (Ⅱ 에서는 i an n ia ia ( µ [ ( an ] ian cnξna ai ( δ πµ µ n 을얻을수있다. 여기서 δ n 는 Kroncr dlta이고 I ( ( ( n iζa iζa iζa iζa ' d ( a ζ ( an ζ ( ( a π a a δn I ( I ( 이다. 위식에서첫항은유수정리로얻을수있으 며, I ( 와 I ( 는 ranch cut에서의적분값이다 []. 영역 (Ⅱ, (Ⅲ, (Ⅳ 에서는각각의경계조건을연립함으로써다음과같은결과를얻을수있다. ( c d a ( cosξ sin ξ ( πξ sinξ cosξ n n n n n,,, d c d I I I3 ζ (8 (9 πξ n ca n,,, cosξd csin ξd I I5 I6 ( ( ( ( 969

3 韓國電磁波學會論文誌第 9 卷第 9 號 8 年 9 月,,,,,, 여기서, I, I, I 3, I, I 5, I6 는적분식으로표현되며, 식 (9 와유사하므로자세한내용은생략한다. 영역 (Ⅳ, (Ⅴ 의경계조건으로부터는아래식을구할수있다. ( sin cos i ξ d c ξ d ξ a n n n n n n an π 여기서, I ( ( ξ sinξ ( a cod d c d I ( ( ( n iζa iζa iζa iζa ' d ( a ζ ( an ζ ( ( a π a a δn I ( I( ζ (3 이다. 위식의결과는식 (9 와같은형태를띄게된다. 각각의경계조건으로부터구한위의네개의식 (8, (, (, ( 를정리하면,, c, c 에관한연립방정식이며, 행렬식으로간단하게쓸수있다. 행렬식을계수에관하여정리함으로써전자계 표현식에서의계수,, c, c 을찾을수있다. 행렬식은아래와같은형태를보이며자세한표현식은생략한다. Ψ, Ψc, Γ,,, Ψ Ψc Ψ c Ψ,3 Ψc,3 Ψ,3 Ψ c,3 Ψ, Ψc, c ( ia sinθs ia sinθs a ( sin θs ( a π i r t v y( v, θt cos t π rv E r a θ ( ξ sin ( ξ cos d c d ( ( sin θt ( a ia sinθt ia sinθt 을얻을수있으며, 여기서 θ sin s ( / r, θt sin ( p / r v ( (5, r, rv ( p ( q d 이다. Ⅲ. Winr-Hopf Tchniqu 3- 전자계표현식그림 와같은구조에서 Winr-Hopf 방법으로해석하고자할때필드를각영역별로정의해보면전자계표현식은입사파와반사파, 산란파로나눌수있으며, 다음과같이입사파및반사파에대해서각각정의할수있다. j ρ j( cosθ ysinθ E ˆ i E E ˆ (6 E ( r j cosθ j( y sinθ ˆ E (7 여기서 ( cos θ,sin θ, ρ (, y 이며, y -에완전도체판이놓여있기때문에도체판에 -3 투과파및산란파계산 위에서얻은,, c, c 의계수값을앞서정 의된전자계표현식에대입하면산란된전자계와투과된전자계에관한완전한해를얻을수있다. 얻어진표현식을 stationary phas approiation을써서계산을하면, 영역 (I 과영역 (V 에서 π i r s y(, θs cosθs π r E r 그림. 평행한완전도체스크린에서의산란구조 Fig.. Scattring gotry fro tand slits for Winr-Hopf tchniqu. 97

4 Winr-Hopf Tchniqu 와 Fourir Transfor Analysis 를이용한병렬슬릿의 파산란해석 i r 서의경계조건은 E E 을만족하여야한다. 이때전체전자계표현은다음처럼보여지며, t t ( E, H i i r r s s ( ( ( s s ( E, H, E, H E, H E, H, y y t t s s 여기서 E, H 는전체전자계이며, E, H는산란계이다. 중요한점은 Fourir transfor analysis와다르게각스크린사이의슬릿영역을구분하지않는다는것이다. 따라서슬릿에서의도체간상호결합 (utual coupling 효과를고려하는영역이없어서슬릿의두께역시무시되고있다. 이러한특성때문에본해석방법은도체두께를무시할수있을정도로큰구조에서비교적정확한해석결과를보여준다. 퓨리에변환된파동방정식의해는다음과같은형태를띠게된다. jη ( y, η ( ( jη ( y, A y s j y j y E% η ( ζ, y B ζ C ζ, y D y 여기서 η ζ 이다. 3- 경계조건 전장의경계조건은 y ±, j ( ( η jη ζ ζ at < <에서, 각각 A B C y (8 j ( ( η jη ζ ζ at D B C y (9 으로표현된다. 전계의경계조건인위의식으로부터 B( ζ 및 C(ζ 에관한표현식을아래와같은식으로표현할수있으며 B C jζ jη sin i ( η ( A D jζ sin i ( η A D jη ( 자계의경계조건대신아래그림과같은전류분포를이용하고자한다. 그림 3. 평행한완전도체스크린에서의전류분포 Fig. 3. Currnt distriutions in tand slits. 전류분포 J 에퓨리에변환을취하면위쪽슬릿에서는 (, ζ s s jζ E (, E (, d jωµ y y η jη jη B C A ωµ ( 이되며, 아래쪽슬릿에서의얻어지는전류분포식의퓨리에변환은다음과같다. ( ζ, ζ E (, E (, d H% jωµ y y η jη jη P D B C H% ( ζ, ωµ s s j P (3 P 여기서 H % ( ζ, 는 P (, i r H H H 의퓨리에변환이며, J % ( ζ, ± 는각각의슬릿에서전류분포의퓨리에변환이다. 퓨리에변환된전류분포방정식인식 (, (3 에식 (, ( 을대입한후연립방정식을풀면 A(ζ 와 D(ζ 에관한다음의식을얻을수있으며 A ωµ j η ( ζ, P ( ( η ζ, H% ζ, j η ( ζ P ( ( ωµ, D η J % ζ, H% ζ, ( (5 그내용을살펴보면정의된산란계의표현식에서의계수인 A( ζ 와 D( ζ 가슬릿위, 아래의전류분포와입사파와반사파의조합으로표현된다는것이 97

5 韓國電磁波學會論文誌第 9 卷第 9 號 8 年 9 月 다. 이것은물리적인현상과일치하는것으로위 아래도체판에서의전류및입사파반사파가상호작용함을알수있다. 식 (, (5 의해를구하기위해계산의편리를위해아래와같이재정의할필요가있다. ± jζ ( aw ωµ ε φ η µ jη P { ( ζ, ( ζ, H% ( ζ, } (6 ± jζ ( a± w ωµ ε ψ η µ j P { η ( ζ, ( ζ, H% ( ζ, } (7 ± ± 식 (6, (7 의 φ ( ζ 와 ψ ( ζ 는분리 (factoriation 계산의편리를위해정의되었으며, 각각 A( ζ 와 D( ζ 의다른표현식이다. 표현된수식은슬릿위아래의전류분포와입사파와반사파의합으로표현되고있어서, 각각의영역을나타내는계수 A( ζ 와 D( ζ 가독립적으로계산되지않음을의미한다. 식 (6, (7 에서 η/ - ζ / 은곱의형태인 K ( ζk - ( ζ 으로분리하여풀수있으며, 이때 K ( ζ - ζ, K - ( ζ ζ 으로표 현된다. 이것은각각파수 도메인의위아래영역에서해석함수 (analytic function 임을의미한다. 아래식 (8 은분해 (dcoposition 과정의편리를위해정의되었다. P { J ( ζ, J ( ζ, K J H P ± jζ( aw jη P jζ( a w jη ( ζ, % ( ζ, } P P ( α P dα π j C± α ζ jζw jζa jη 식 (6 을분리과정과분해과정으로정리한후, dg condition [] 을 y, a± w와 y, a± w에서적용하면, 아래와같은수식을만족하는 ntir function, u( ζ 를얻을수있다. K φ P J ( ζ, P ( ζ K u( ζ (8 (9 전류분포방정식을다음의방정식 (3 및 (3 과같이나타내면, 슬릿의위치에따라위, 아래, 왼쪽과오른쪽의전류표현식으로구분된다. ( ( ( ζ, J ζ, J ζ, 3 3 j ζ ( a w jζ( a w K P K Q ( ( ( ζ, J ζ, J ζ, 3 3 j ζ ( a w jζ( aw K R K S 여기서, Q, R, S 는 P 와같은목적으 로정의된함수들이며, φ ( ζ, ψ ( ζ, ψ ( ζ 에관한식을분리 분해계산을적용하면, J ( ζ, K φ Q Q K J ( ζ, K ψ R R K J ( ζ, K ψ S S K (3 식 (3 을얻을수있다. 따라서 Winr-Hopf의해는아래처럼표현된다. φ ψ P K R K φ,, ψ Q K S K (33 (3 ( ζ, (35 J K P ( ζ, (36 J K Q ( ζ, (37 J K R ( ζ, (38 J K S (3 (3 을얻을수있다. 지금까지얻어진 Winr-Hopf 해를살펴보면식 (35 에서 (38 의우변 P, Q, R, S 에전류분포가포함되어있음을식 (8 로부터알수있다. 따라서이들로부터연립방정식을만들수있으며, 위의연립방정식의해 J ( cos θ,, J ( cos θ,, J ( cos θ,, J ( cos θ, 를구해서원역장 (far fild 방사패턴을구할수있다. 97

6 Winr-Hopf Tchniqu 와 Fourir Transfor Analysis 를이용한병렬슬릿의 파산란해석 원역장 (far fild 방사패턴의전자계표현식을살펴보면아래와같다. s ωµ E (, y { ( ζ, π C η P jη jζ jη( y (, (, } ζ H% ζ dζ ( 산란파계산위에서구한전류관계식을통하여원역장 (far fild 방사패턴을구할수있다.,,,3 ( ρ, θ ( ρ, θ ( ρ, θ ( ρ, θ ( E E E E 여기서, s s s s π, j ρ s ( ρ, θ sinθ Φ ( cosθ E π ρ E E s, s,3 ( ρθ, ( ρθ, π ρ π j ρ ( cosθ sinθφ π ρ π j ρ ( cosθ sinθφ3 jζ ajη jζajη ( ζ cosθ ( ζ cosθ (3 이며또한, ωµ Φ J ( ζ, J ( ζ, η jζ( a w jζ( a w ωµ jζw Φ J ( ζ, J ( ζ, η ωµ Φ P H% ( ζ η 이다., jζw Ⅳ. 근사식의계산 Fourir-transfor analysis와 Winr-Hopf tchniqu 방법은각각장단점이있다. 슬릿의폭이매우좁은구조에서는도체의두께 (Fourir transfor analysis에서의영역 에해당 가모드 (od 형성에큰영향을끼치기때문에슬릿에서상호결합 (utual coupling 이중요해지는경우에는 Fourir transfor analysis가빠른수렴특성을보여빠른계산결과를보여주지만, 슬릿의폭이멀어질수록고차모드의증가로인해서계산시간이많이증가하게된다. 반면에 Winr-Hopf tchniqu는구조가단순하며 ( 도체의두께를고려하는영역및계산이없기때문에, 슬릿의폭이클때는고차모드가많이발생하는 Fourir transfor analysis보다빠른해석결과를보여주고있다. 하지만슬릿사이의간격이가까울수록상호결합 (utual coupling 의영향을고려하는계산이없어서정확도가떨어진다. 현재까지의문헌조사및연구결과를바탕으로볼때이러한두가지해석방법의장단점을분석하는작업이없는것으로확인되어두해석방법의유사성및차이점에대해서논하고자한다. 식 (3 을적분방향을고려하여정리하면아래와같다. I ( iζ a ζ n ( ζ a( ζ an a π η δ n In In a dζ ( (5 식 ( 를유수정리 (rsidu calculus 를이용하면식 (5 의첫번째항이나오게되며, 두번째항 I n 와 I n 은다음과같이정리할수있다. iζ a n n ( I I ζ n Γ dζ Γ ( ζ a( ζ an, (6 ζ ( ζ a( ζ an dζ. (7 식 (6 과 (7 을계산할때 과 n 의관계를생각해야한다. 먼저 n일때는아래의변환식을이용할수있다. ( ζ a( ζ an a ζ a ζ a an ζ an ζ an ( a an (8 973

7 韓國電磁波學會論文誌第 9 卷第 9 號 8 年 9 月 식 (8 의변환식을 I n 에대입하면 n ( ( a an i i i In ( h ( a h ( a n i a a n 의근사식을얻을수있으며, 여기서 iζ a ζ h( a dζ Γ ζ a (9 (5 이다. 이때, 변수 ζ 를 ζ iu/a의관계를이 용하여 u 로치환하면 h( a 는아래처럼표현된다. iau iu h( a du aiu a( a 3 π / ia u u du a uia a ( 3 π / ia 3 Γ ( a / / W 3, ia a (5 3 π / ia ia( a iu π a( a i du a ( a a a( a 3 π / ia ia( a π a( a i F a a a a( a ( ( (5 여기서, W, ( 는 Whittar 함수, F ( 는 Frsnl 적 분, Γ ( 는 Gaa 함수를의미하며, 아래처럼정의된다. / t t W, ( t dt Γ / t ( t t dt Γ j t j t dt Γ j W j j t,, / ( W / ( ( 3, ph π δ δ : aritrary sall positiv constant ( iu F du 두번째로 n의경우에는 ( n n 5 5 a ( ( I h a h a (53 의근사식을얻을수있으며, 여기서변수 ζ 를 ζ iu/a 의관계를이용하여 u 로치환하면 h ( a 는아래처럼표현된다. iζ a ζ h a dζ ( ( ζ a 5 Γ iu i a iu a a i a( iu/a idu a u ia iu ai du π i ( a uia a 5 u i a u du a uia( a π i i a 5 / a Γ W 5 (, (5 위의근사식을그래프로그려보게되면중요한것을알수있다. 식 (5 은근사적으로식 (53 이되며 Frsnl 적분을포함한다. 여기서 Frsnl 적분값과식 (5 을비교하여보면, 다른모드일때 ( n 두식의결과가일치하지않음을알수있다. 하지만변수 a가넓어짐에따라두식의결과값의차이가줄어드는것을볼수있었는데, 변수 a 는실제적인전자파산란현상을해석할때슬릿의폭을의미하였다. 즉, 슬릿간의거리가넓어질수록근사식이 Frsnl 적분에가깝게됨을알수있다. 여기서중요한점은 Frsnl 적분이 Winr-Hopf tchniqu에서의적분표현식에나타나는함수로서 Winr-Hopf tchniqu의특성인거리가멀어서구조를간단히할수있을때정확한특성을보이는것과일치하는것이다. 따라서슬릿간의간격이좁을때는 Winr- Hopf tchniqu이부정확하지만간격이넓어질수록 Fourir transfor analysis에서의수식이근사로서 Winr-Hopf tchniqu에가까워짐을살펴보았다. 따라서슬릿의폭이넓어상호결합효과를무시할수있을때, Winr-Hopf tchniqu의계산식이훌륭한 97

8 Winr-Hopf Tchniqu 와 Fourir Transfor Analysis 를이용한병렬슬릿의 파산란해석 정확도와빠른계산결과를얻을수있음을보았다. Ⅴ. 시뮬레이션및결론그림 ~7은각각슬릿두께 d λ, 도체사이의간격 /3 λ로설정하였을때슬릿의폭이작은 a.5 λ부터 a.5 λ,.58 λ, λ로변해감에따른투과파의복사패턴 (radiation pattrn 관하 여나타내고있으며, 두가지해석적인방법과상용전자파시뮬레이터를이용한결과가각해석방법의특징을보여줌을알수있다. 그림 에서처럼슬릿의폭이좁을때는 Winr- Hopf tchniqu이매우다른결과로부정확함을드러내고있으며, Fourir transfor analysis는상용툴인 CST MWS와매우비슷함을알수있다. 또한, 슬릿 그림. 투과되는전자파의산란패턴. 슬릿두께 d λ, 슬릿너비 a.5 λ, 도체사이거리 q -q -d /3 λ Fig.. Th radiation pattrn of transittd wav with slit thicnss, d λ, a gap twn slits, a.5 λ, and th distanc twn uppr and lowr conductors, q -q -d /3 λ. 그림 6. 투과되는전자파의산란패턴. 슬릿두께 d λ, 슬릿의폭 a.58 λ, 도체사이거리 q - q -d /3 λ Fig. 6. Th radiation pattrn of transittd wav with slit thicnss, d λ, a gap twn slits, a.58 λ, and th distanc twn uppr and lowr conductors, q -q -d /3 λ. 그림 5. 투과되는전자파의산란패턴. 슬릿두께 d λ, 슬릿너비 a.5 λ, 도체사이거리 q -q -d /3 λ Fig. 5. Th radiation pattrn of transittd wav with slit thicnss, d λ, a gap twn slits, a.5 λ, and th distanc twn uppr and lowr conductors, q -q -d /3 λ. 그림 7. 투과되는전자파의산란패턴. 슬릿두께 d λ, 슬릿의폭 a λ, 도체사이거리 q --q -d /3 λ Fig. 7. Th radiation pattrn of transittd wav with slit thicnss, d λ, a gap twn slits, a λ, and th distanc twn uppr and lowr conductors, q -q -d /3 λ. 975

9 韓國電磁波學會論文誌第 9 卷第 9 號 8 年 9 月 Hopf tchniqu이비교적빠른해석결과를보여주게된다. 그결과는 Fourir transfor Analysis의적분값 I ( 과 Winr-Hopf tchniqu의전류와관련식인 J ± ( ζ,± 의적분항계산식비교로부터알수있다. 참고문헌 그림 8. θ t 에서 5 사이의투과되는전자파의산란패턴. 슬릿두께 d λ, 슬릿의폭 a λ, 도체사이거리 q -q -d /3 λ Fig. 8. Th dtaild radiation pattrn of transittd wav fro θ t to 5. radiation pattrn of transittd wav with slit thicnss, d λ, a gap twn slits, a λ, and th distanc twn uppr and lowr conductors, q -q -d /3 λ. 간격이넓어질수록 Winr-Hopf tchniqu의결과가다른두해석방법에따른결과와흡사함을알수있다. 하지만 Fourir transfor analysis에서는슬릿간격이넓어질수록고차모드의증가때문에계산시간이증가하였으며, Winr-Hopf tchniqu에서는계산시간에변화가없었다. 또한, 그림에서알수있듯이슬릿간격이증가함에따라복사패턴의지향성 (dirctivity 이좋아지는것을확인할수있다. 그리고그림 8은그림 7의슬릿간격이가장넓은경우 ( a λ 에서복사되는각도를 ~ 5 사이로국한시켜세가지해석결과 (Fourir transfor analysis, Winr-Hopf tchniqu, CST MWS 의경향을보여주고있다. 일반적으로 Fourir transfor analysis와 Winr- Hopf tchniqu의해석결과는두슬릿의폭에따라서로다른특성을보여준다. 슬릿의폭이좁을때에는슬릿에서의결합효과를 Fourir-Transfor analysis가정확하게보여주고있으며, 빠른수렴특성으로빠른계산결과를보여주는반면에거리가멀어질수록상호결합효과가작아지게되어 Winr- [] Jung H. L, Hyo Joon Eo, and J. W. L, "Scattring and radiation fro finit thic slits in paralll-plat wavguid", IEEE Trans. Antnnas Propagat., vol., pp. -6, F [] Jung Hyong L, Hyo Joon Eo, "Scattring and radiation fro a slittd paralll-plat with rctangular groovd: -Wav", IEEE Trans. Antnnas Propagat., vol. 6, pp. -8, Oct [3] Y. E. Eloan, Lotfollah Shafai, "Mutual coupling twn paralll-plat wavguids", IEEE Trans., Microwav Thory Tch., vol. MTT-, pp , Dc [] Gohan Cinar, Alinur Buyuasoy, "Diffraction of a norally incidnt plan wav y thr paralll half-plans with diffrnt fac ipdancs", IEEE Trans. Antnnas and Propagat., vol. 5, pp , F.. [5] Kohi Hongo, Gihi Ishii, "Diffraction of an lctroagntic plan wav y a thic slit", IEEE Trans. Antnnas and Propagat., vol. AP-6, pp. 9-99, May 978. [6] Satish C. Kashyap, M. A. K. Haid, "Diffraction charactristics of a slit in a thic conducting scrn", IEEE Trans. Antnnas and Propagat., vol. AP-9, pp , Jul. 97. [7] V. G. Danil, "Th Winr-Hopf tchniqu for th diffraction y a wdg having aritrary aprtur angl", in IEEE Int. Antnnas Propag. Soc. Syp. Dig., pp. 9-93,. [8] Lroy R. Alldrdg, "Diffraction of icrowavs y tand slits", IEEE Trans. Antnnas and Propagat. vol., pp. 6-69, Oct [9] Yhuda Lviatan, "Elctroagntic coupling t- 976

Winr-Hopf Tchniqu 와 Fourir Transfor Analysis 를이용한병렬슬릿의 파산란해석 wn two half-spac rgions sparatd y two slotprforatd paralll conducting scrns",

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서태윤 7 년 월 : 한국항공대학교항공전자공학과 ( 공학사 7 년 3 월 ~ 현재 : 한국항공대학교전자공학과석사과정 [ 주관심분야 ] 마이크로파및밀리미터파수동소자해석및설계, 전자파산란해석 이재욱 99년 월 : 한양대학교전자공학과 ( 공학사 99년 월 :

[ 주관심분야 ] 마이크로파및밀리미터파능동, 수동소자해석및설계, EMI/EMC 대책기술, 고출력증폭기및고출력안테나설계 안성환 7 년 월 : 한국항공대학교항공전자공학과 ( 공학사 7 년 3 월 ~ 현재 : 한국항공대학교전자공학과석사과정 [ 주관심분야 ]

10 Winr-Hopf Tchniqu 와 Fourir Transfor Analysis 를이용한병렬슬릿의 파산란해석 wn two half-spac rgions sparatd y two slotprforatd paralll conducting scrns", IEEE Trans. Microwav Thory and Tch., vol. 36, pp. -5, Jan [] Soo H. Kang, Hyo J. Eo, and Tah J. Par, "TMscattring fro a slit in a thic conducting scrn: rvisitd", IEEE Trans. Microwav Thory and Tch., vol., pp , May 993. [] R. Mittra, W. W. L, Analytical Tchniqus in th Thory of Guidd Wavs, Th Macillan Copany, pp. -, 97. 서태윤 7 년 월 : 한국항공대학교항공전자공학과 ( 공학사 7 년 3 월 ~ 현재 : 한국항공대학교전자공학과석사과정 [ 주관심분야 ] 마이크로파및밀리미터파수동소자해석및설계, 전자파산란해석 이재욱 99년 월 : 한양대학교전자공학과 ( 공학사 99년 월 : 한국과학기술원전기및전자공학과 ( 공학석사 998년 월 : 한국과학기술원전기및전자공학과 ( 공학박사 998년 3월~년 월 : 한국전자통신연구원디지털방송연구단전파기반연구그룹 년 3월~현재 : 한국항공대학교항공전자및정보통신공학부, 전자및항공전자전공, 부교수 [ 주관심분야 ] 마이크로파및밀리미터파능동, 수동소자해석및설계, EMI/EMC 대책기술, 고출력증폭기및고출력안테나설계 안성환 7 년 월 : 한국항공대학교항공전자공학과 ( 공학사 7 년 3 월 ~ 현재 : 한국항공대학교전자공학과석사과정 [ 주관심분야 ] 마이크로파및밀리미터파수동소자해석및설계, 전자파해석 조춘식 887년 월 : 서울대학교제어계측공학과 ( 공학사 995년 월 : 미국 South Carolina 대학교전기및컴퓨터공학과 ( 공학석사 998년 월 : 미국 Colorado 대학교전기및컴퓨터공학과 ( 공학박사 년 3월~현재 : 한국항공대학교항공전자및정보통신공학부교수 [ 주관심분야 ] RFIC/MMIC, 전력증폭기, 믹서, 발진기, 안테나, 전자장수치해석 977

PCB PCB. PCB P/G de-cap [2],[3]., de-cap ESL(Equivalent Series Inductance) [3],. P/G [4], P/G. de-cap P/G, PCB.. 단일비아를이용한 P/G 면공진상쇄 2-1 P/G 면공진현상 PCB

PCB PCB. PCB P/G de-cap [2],[3]., de-cap ESL(Equivalent Series Inductance) [3],. P/G [4], P/G. de-cap P/G, PCB.. 단일비아를이용한 P/G 면공진상쇄 2-1 P/G 면공진현상 PCB 韓國電磁波學會論文誌第 20 卷第 12 號 2009 年 12 月論文 2009-20-12-05 PCB Improved Characteristic of Radiated Emission of a PCB b Using the Via-Hole Position 김리진 이재현 Li-Jin Kim Jae-Hun Lee 요약 4 PCB(Printed Circuit Boards)