大轉放射 ~ 醫學會誌 VoI. XIV. No. 2, 1978 睡場治癡를위한電子線의에너지및散짧 L 線量分布의改善 延世大學校醫科大學放射總科學敎室 秋成實 李道行 朴昌潤 -Abstract- Irnprovernent in Energy and Scattering Distribut

大轉放射 ~ 醫學會誌 VoI. XIV. No. 2, 1978 睡場治癡를위한電子線의에너지및散짧 L 線量分布의改善 延世大學校醫科大學放射總科學敎室 秋成實 李道行 朴昌潤 -Abstract- Irnprovernent in Energy and Scattering Distribution of High Energy Electron for Turnor Radio-therapy. S. S. Chu, M.S. D. H. Lee, M.D. C. Y. Park, M.D. Departmeη t of Rad z'ology and Nuclear Med z'cz'ne, Yonsú Un z'vqrs z'ty Col/ege of Medz'cz' ne, Seoul Korea. High energy electron beams, because of their sharp dose fall-off at the pcrtp hery and rapid dose build up for tumor ha ve come to be used frequently for tumor radio-therapy, however, als0 have a lot of problems in c1inical application because of various conversion factors and compliation of physical reactions. We ha ve experimentally studied the dose distribution of scattering materials and high energies from the Iinear accelerator LMR-13, installed in Yonsei Cancer Center 1. The electron energies are measured precisely with energy spectrometer consisted of magnetic analyzer and tele-control detector, and the practical electron energies are calculated under 5% elfors by maximum range of high energy electron beam in the water, and energy of electron is decreased as a bout 2Me V by penetra ting of 1 cm thickness of wa ter. 2. The electron beams, using the scatterers and cones with various materials, ie., gold. tin, copper, lead, lucite, acryl, aluminium foils, could be adquately distributed in tumor and minimiz ing the induce x-ray in normal tissue. 3. The therapeutic capacity with limited electron energy could be extended further using by optimum scatterers, cones and energy absorbers. 11;: 射 *il1 J 썩射를可能케하며그周圍健康組織에대한被 I. 績論 랬綠量올 i5ti. i 댔시키으로서보다良好한治續갖 b 果를얻 을수있마. i써캘加速器어 l 외한高에너지파子綠의利用으로많 그러나電子값은그에너지와相對物質에따라物理 은鍾써, 민 者을이 보다좋은治擔쳤l 果롤體驗하고있음 的作用이相當히複媒하며臨 fr~ 형用에 많은變傑因子 은疑心할여지가없다. 흘가지고있지만이와같은因子흘 A 工的으로變換 電子쐐은힘 된감子값이드로有限한飛程과一 Æ 또는補完시킴으로서짧皮에꿇適한線훌分布를얻을 距離에서의急없한채옮減少現象은睡찌에대한핏r.þ 수있다. 본는문은 1978 년도연세대학교의과대학연구 HJ 에의하여야루어졌음 끼

μμ速器흘使用하여 8~12 MeV 에너지의 시키고이들의組織內分布롤測앓빛 電子線을發生 較正할수있는 方法을模索했으며보다썼果的인線톨分布의改善方 法을 ** 7E 하였다. 電子線의에너지는組織透過彈度 Jln 實用飛程으로 評價하는것이가장 - 般的인方法이다. Markus 의,u 용 { 直에의하면電子線의에너지가 1. 5 ~35 MeV 일때實用飛程은마음式으로주어진다. Rp= O. 51 E -0.26..................... dj Jln 實用飛짧距離 Rp 의單位는 g/cm 2 이고 E 는 MeV 로表示펀電子線의에너지이다. 이式은照射面이 10 x 10cm 야고魚點과皮댐 며의距離 ( SSD ) 가 90cm 內外 일때에거의一致하지만照싸面이매우크거냐매우 적을境遇,. 에너지測定과빼톨分布의뿔 ft 1. 톨用飛程에의한에너지測定 SSD 가매우짧거나클때는相當한差異롤 나타냉 ~ 로훤常 ~ 定한照射面, 距離, 散옮 L a 莫및 i 댄 R 흉 1m 을利用하여標準을定하여야한까. 實用飛程距離의뼈 Ij 定은 Ionex detector 흘울 phantom 에서 그립 l 과같이해差가적은 t 下 ill! 動시킬수 있는 Profile monitor 에의하여主線끓의深部率을 測定할수있고이것에의해서最大 飛程距離를測定 할수있으며 i 보으로實用에너지흘計흉할수있다. 필름을使用할境遇그립 2 와갇야 phantom 內에 子線올照射시키고黑化度에따른綠훌을核當필름 特性曲線에의해서換算하연얻을수있다. 이와같이얻어진電子線의實用飛程은電子綠의에 너지뿐만아니라散亂體과照射商에의한 build up 빛 彈弱의影響도包含되므로 * 용對的인電子線 뽑+짧 꺼씩짧μμl M TI" 11".T Fig. 1. Schematic diagram of struments. 電 에너지의 measurement ín- N T 1l ------4흉者 - 률은延世癡센터에서훌훌 h 중인 LMR-13 線型加 R 一 {:, P 20 J -10 -----J cm Fig. 2.. Phantom a rrangement for film dosimetry 測定보다오히려組織에대한相對的寶섰에너지가될 수있으으로同 ~ 한條件下에서의電子線에너지較표 및組織內 fjí! 量分布變化를據 ìj\ IJ 할수있마. 2. 에너지 Spectrum 에의한方法 電子線의實在에너지껴 IJ 定은磁場에의한偏向을주 IJ 用하는方法이마. Jln 電혜를띈, 함子가磁獨內에서웅칙얼때 Lorentz force 에의해서서로直 f 꺼方向의힘을받게되며그曲 率半찜 ( R ) 은다옴式으로주어진다. = 프쓰............ ~ qb 여기서 q 는電子의電뼈, m 는電子의質훌, v 는電子 速度, B 는磁場을表示한다. 에너지分析器의磁極直없을 1, 磁極에서測定器까지 의距離을 d 라고하연電子總훌의中心點에서畢直偏 倚距離 y 는다음式으로주어진다. s y= 빡 (.;, +dì............. @ ηw \ ι / 寶用單位로換算하면 Bld X 10-4 y 늑-도-i -... @ 여기서 y 는 c m, B 는 Gauss, E 는電子絲에너지 MeV, l 과 d 는 cm 로주어진다. 本寶驗에使用한에너지 Spectrometer 는本敎室 에서計폐製 1'1' 한것으로서그립 3 과같이加速器에서 加速펀電子線의線束은가느다란 Slit 를通하여磁氣 分析裝置에들어가며入射에너지에따라 @ 式에依해 서電子線이偏倚되고이를 Profil monitor 와 X-y record er 로서記錄할수있 며 film 에의해서도얘 IJ 定比較할수있다. 境遇에따라 X-ray - 478-

ι 넌겐 Fc 뚜땀 EF 앤트 땀 =r 멜뜯즈탠 -~ n ~~dl,.".ç. 갇폭 ~ ~ n 쟁 [--~ --_;':"'- - -=' -~11 1 한판단 ;;~ I 川 끼 u. Pb. Ni. IOcmPb 니 Ef% 에 jdl 린 객맨객흐 > - z ω z - SSD IOO C. m s c,. Q.2. mm Pb E - 8Me V Fig_ 3. Schema t ic diagra m of the energy spectrometer ~ ---'----'- 二 -------L_. i _..1-. + 18 19 20 21 em SHIF"!" OF BEA '-f DIRECTION \ Fig. 6. Energy spectrum of 8~ 12 MeV electron beams. 그림 4 는앓大 3000 Gauss 의磁場올發生시킬수있는磁氣分析 l빼파이를 ;]'IJ 用한電子싸에너지分析裝置 의光景이다. 훌톨 Fig. 4. Demonstration for set -up of the energy spectrometer w ith LIN:\C units. 以 과같은에너지分析製원를쭈 IJ 用하여電子값에 너지에따른 fiìi 氣分析뼈의 { 낌向距離롤그럽 5 와같이 ijlljæ 할수있으며 2, 000 Gauss 않場內에서 8 MeV 電子 잃의 t 댐向距離는 2 1. 1cm 이고 12 MeV 는 18. 2m 로서 에너지가척을수록급어지는따向距紙는더걸어졌다. 에너지分析앓置에依한 8, 10, 12 MeV ';!i 子絲의 Spectrum 은그링 6 와같이 flj 과에너지分布範圍가크다. 에너지가낮을수록偏! 하 z - υωi ω며ι ι-iω-(] 호y= 윌4잔으f E 얘 R e.l ιι 껴 ::.,ι Ur 서낙 y \~ --'-- -- ---'-- _...1._ L B 10 12 r-t e V CORRECTED SSDI OOC m sc. Pb ι2mm ENER GY Fig. 5. The shift of beam direction für electron ene rgy m 10 MeV 에너지의 ZE 子 % 에서 ff * 장은에너지를較定 했을때이고뭘絲은지긍까지한번도較正치 평遇의 Spectrum 으로서그差累는써 0_ 5 MeV 에 t 힘되며이는治癡 쩌差限界를녕는數 { 直 1 다. 3. 深部百分率의뿔 ft 않았올 電子綠의에너지는어떤物質을通過함으로서그어 l 너지의一部카消짜되어入射에너지는마음式과같이 줄어든다. E =E.-2d............... @ 여기서 Eo, E 는각각電子 ~ 의入射, 透過에너지 (MeV ) 를表示하고 d 는組織等댐物質의두께 (cm) 를 表示하였으며이式을 ;]'IJ 用한 'Æi: 子채의에너지減少는 쩔驗 { 直와거의一줬하고있다. 그럽 7 은 12 MeV 電子값이 1cm.2} 2cm 두께의 週過했올해씩에너지減少를에너지分析앓털로 한것이며여기서 2c m 의 값은 8.5MeV 로줄어들었다. 울에入射한 12MeV 의 까민울該 을定씨子

S 0.2 mm Pb 띠 ι10 % E- 12MeV SSD ICOc rn TH ICKNESS OF WATÈ R c m % SS O 100 cm F S 10X I0 > n z w z 5 6 2 cm 8 / i 10 12 Mev r % 매 Jr ENERG Y OECREASE ~ Fig. 7. Energy spectrum of 12 MeV e!ectron beam.,/ pen etr 따 ed from 1 a nd 2cm t hic kp.ess of / 'I a ter. 2 4 一 L. 6 cm 이와같아파子걱으꽃 1 과같이 自옮에너지를完全 消失할때까지組 &; 內어 l 원 3 펀을미치며組織의最大 飛程距離는電子쐐 c n 너지에거의依存되지만物質과의 衝突, 散亂現象으포物質의두께에따라체量分布의 했化가多樣하며深部 fjf 量分꺼 f 는照 射面의 크기, 散옮 L Jl5( 照射뀐햄 셈等의값짧 L 에도많은影웬올받 A 므로 펀子級의 tä 織內 *~] 쿄分꺼 i 는 -Æ 갚이까지거의均一 한綠量分布를 l 루마가 - 定깊이에서그값量이씀 微 히減少된다. Table 1. Energy Loss in vvater (0. 2mmPb scatter) Energy 포 ax. Rang 얀 cm 간 e 안 fate 樞 e rgy (MeV) 5x5 10 >: 15 :< b~ eq lcm lo 15 CD E-8 3.2 3. 9 4. 2 3.8 5. 7MeV 3. 5MeV E-10 4. 6 5. 0 5. 2 4.9 8. 1MeV 5.8MeV E-12 5. 7 6.1 6.2 5.810. 8MeV 8.5MeV 그림 8 은 H 션射面 10xIOcm 의 1E 子값 8. 10, 12MeV 의主값束深部百分率로서값 l 례싸 1 갚이각각 80, 90, 95 % 이고最 ~\.:* 쳐월 l:ji!! 點이갔벼 1 下 1.5, 2. 2.5cm 이며 :N 떠飛원이각각 4, 5, 6cm 이다. m. 電子쨌의散홈 L 과線훌훌分布의찔홍動 1. 電子線의散亂 ~] 텐 1J u ;ili ~ 옹에서 JJuili 띈피 f 는 U 써 t~j 磁! 핑에 f:& 하여 108 0 1퍼빽한 i.;;- Titaniu :T1 11. 셋을펴하여예出되는데이때電子束의크기는 2mm9의짜영된것으로서넓은 t'm Í;l 全體에 Jt1 一찬채옳分 ;{fî 를주지못한다. Fig. 8. Percentage depth dose in water for 8~12 MeV electron beams 散젊 Lß 껏과 i 댄 llii 倚等은이와같은集束왼電子를綠束 의훌륭直平面上에均等한 *!il 量分布로散亂시키는重꽂 한 f 앓힘을 r 한다. - 定한에너지를가진電子가어떤物質에衝突할 성중遇 1 7 떤 { 生또는非패 { 生散짧 LJ. 見象이光子綠에比하여 相當히크게일어내며電子綠의에너지가크거나 (l MeV 以上 ) 物質의質量이큰境遇, 原子核周圍의電 磁場과入射電子의電磁場과의相互作用으로大部分의 電子는 ~~'1 i 生散짧 L 을하게되고物質의두께에따라單一 散亂또는多重散옳 L 으로區分할수있으며이들의理 論式은相當히複雜하며그중에도高에너지의電子絲 파두꺼운物質에대한散짧 L 現象을합驗的으로 ~ 導한 Mo tt 의多重 WT. 옮 L 公式이가장近似 { 렐로週用될수있 마. 지금衝갓에의한散亂 π1 & 플統 H 的散布度에相當 하는平 J0 꾀乘散亂 1 ( 1 &2 으로表示하연 &2= 전쁨쌀암스 t!o g(4πz 15 Nt( 잃 )\.. @ 이며, t 는 gjcm 2 으로表示한物質의두께이고 p 는入 射電子의 Bl!l0ilJ:, N 는 lcm 3 중의 } 떤子動이다. @ 式을물질의두께 d(cm), 入射電子의에너지 E (MeV) 빛原子뽑號 Z 와의關係흘近似式으로表示하 연 72 &2 늑공 2' d..............,.................!j) 가되며 &2 은 1 썽子짧號가클수록커지며入射핍子의에 너지가클수록적어지고 d 가相當히클境遇, 散亂 1(1 度分布는 Gauss 의正常分까 i 와거의一致한다. - 480-

L---~ ~ -----L-- 한펀 파子채이物 n 을 j띠 J섣할때 二 L 에너지의大쩌 ; 分 llx짧l얘으로부터發生되는不必핏한뻐止 x-랬짧生 운非페 11초衝갓에의해서찌까되지만그 ~ fm 는 Bre π: s - 은그립 1 3과같이 J~( 子얘싸가높을수록 Jí'i tm 되며特 strahlung ( 예 1 m끼따射싸 ) 으로뼈떠하여 ßIi 部組織까지 J!<.!tl 씹원중를주기에운에퍼子 \!. (; 台폈에 짧효하지않으 연안된마. Bethe와 Heit J1(' r의 JlJ! iì쩌에 의하연 l c m ' 힘 7 야 } 에너 지 員 % 은 IdE \ Z2 -( 김끼 r d = 3.44 X l0 (E+mc 2 ) -jr,, ~~ 2(E+mc 2 ) _.4 ì ρt4 log mc2 3 (MeV/cm) @ - 이고여기서 E 는파 H Ji.l 에너지, Z 는 1 낀子뺨값, p 는펌단를나타내며 m 는電子의칩파 c 는光댈을냐 타낸마. 또한씨 ; 바術갓과 ;1i1J 파 bj!i 射체에의한에너지떠 ι 比는마음과같이 示할수있다. ( 쥐 /( 프 ) 0 0 11 = 프 d x ) "d \ dχ }OOIl EOJ... @ 여기서 E 는에너지 ( MeV ) 이며, E 와 z 가클수폭 br e m s stral 니 ung 씨 의한에너지펌 % 이 Ç ì ï! 1 生衛핏에의 한어 l 너지慣失에비해정정 j 샘加하고있아. 2. 敵홉 L 線의없 IJ~ 살및分布 散움 L 랬의 ij! IJ 定은쫓國 Victoreen 製 Radocon n 와 Ionex A, 를使用했으며이들은 probe driving units 에의해서패隔操짧 l 可 fiε 했고大 % 分의채量찌 IJ 定 ( 直 는 X-Y recorder 로 n 動記값하였다. ( 그림 1) phantom 은 40 x30 x30cm 의 Acryl 個에組廠等 IJU 物質인울을便用했으며모든等체量 rj1 1 *.!lt 운 * 잃뀔때앓 自動記웠 g 홍원로記錄했고그외 Mix Dp Phantom 을 利用한 film dosim etry 와 Fluoro glass dosimeter 等 을使用하여 rjji l 즙分 1β 를짜正 lilf 認하였다. 散亂쩌 IJ 定 j 뀔 物質은 J 띠常使用되고구하기쉬운市中 物品으로서原子홈般와密度쏠을考 h 전 - 하여 關入하였으 며그種類는 Acryl, 알아늄, 구리, 긍, 아연, 닉켈, 주 석으로構 'ix 되었다. 各젠散옳 LH 꽃에 依한原子 % 의 lwi 散分布는그림 9 와 같으며 10 MeV 電子綠의完全開放 } 썩射面에서압 t 옮 L Il 햇 이없을때 90."-6 等꿇 I Il I 綠의 g 뀐園가불과 4cm 에지나 치않지만 0.2mm 의純金 f 없을 { 更用할境遇約 20cm 로넓어지고있다. 散亂陳에의한에너지펌失은그림 10 와같이使用物 質의密, 몇두께 (g/c m 2 ) 에의하며같은密度두께에대 한散업 L 分布는그림 11 과같이패子훔號가높은金과 짧板 l 덴子爾값가낮은얄미늄, 닉켈보다더크게따 子淑을않散시걸수있으며같은핸類의 냥판일지라도 그림 12 과같이두께가두꺼울수록또한에너지가낮 을수록뎌크게펴子값을散짧 L 하고있마. ~, a m Fig. 9.,Flatness of 10 MeV elcctron by various scatterers 1.0 M.V m s o5 g 버Z ω J '" o 30 em ~ 20 u.. I -~5 띠 _ ~2 mm E- IO MeV / hlck y / 00.2 /ι 0. 4 2 / ð. Pb 디 ð 0.2 口 Ni / 0.1 XAI /1>0.1 0 Au sc 이 erer t Fig. 10. Enery loss to density of various sca tterers for E- IO MeV. O.4 mm A SSD 10 no conll mm hkk / ~. 0 Au scattere, ò Pb 口 Ni )( AI 0.2 04 0.6 Qιz T HICKNESS DEtlSIT Y... Fig. 11. Scatter ratio (width of 90 % dose) to density thickness for scatters in E- I0 Me\' -- 48 1 --

E- 8 MeV / ~Pb Enngy Sca tte r.\rea / "" E-I OMeV l % -l3 l > E-12MeV 예 α mm t hick o.~/ /OAU (f) 호 ] I, m IIerel 룹; ; 노324 ι 100 cm ω / 왜 /"1 ~ i Ni 디 0.1 i 0.2 4 0.6 Q/tm2 0.2 0.4 0.6ν 'fcm THICKNESS DENSITY THICK NESS DENSIT Y r'ig. 13. The rate of induced X-ray to density t hickness for scatterers in E- lomev. Fig. 12. Scatter ratio to density thickness of P b scatterer for 8~ 1 2MeV electron beams 파子체 ( SSD 'JOcm,!WltfÍIÏ 10 X 10cm 內外 ) 에서 가장 히 짧板일境遇많은 x- r.}f 이 發生되고있다. f!i :t!! 的인散亂뼈아라生쩔펀마. 以 h 의 諸 { 生質을렁 r&. 할애 P b O. 5mm 의 散亂 R잇은 또한없板 0. 2mm 두께의散亂 8껏도電子級을넓게 ~X Pb O.lmm 의 散홉대맺보다 2fS OO 上 웠量分찌i 를改善할 짧L시키며에너지의 f섭 X 도적은데 다만며止 X - f, 싱훌 l 수있었지만에너지의低下, 뼈止 x-값익 j힘 110, 出力 多少높고金屬의야 度가낮은것이 缺點이지만臨 LKj쉽 級쿄의減少로因하여! 앤흉f 面에따른散옳 L ß셋의 X팩擇 l j덤에는거의 無視윌수있으므로이를 IJ 用하고있다. 必핏하게된마. 表 2 는파子웠에너지에 따른最 i험 i.ix 옮 L Il#~ 과취 t:ljffili f![j 電子 % 에너지 8~12 MeV 에서 10 X locm 內外의 @ 웹 (8 0 % 等量 ill j 쐐 ) 의 넓이와걸이롤表示하였다. 照射 llii 은主로 P b O.2mm 또는 A u 0.2mm 두께의 散 또한! 앤射面의크기에 따른深部百分率의變化는그 원 iþj~ 이 가장펴휩하며 l앤용t illî 이 척을수록뎌욱앓은 립 14와같이 照 용t 面 l 척을수록最大 綠量地點이表 없亂에을 [ 更댐하고있마. i회으로移動 j되고均等한分布範圍가적어지며 深돼率 ~!j퍼 0.2mm 두께의 金板 (gj cm 2 ) 으로엄었싸된 gi 염L 이 減少되는끔ß 分에서 앓 헝허 줄어들고最大 飛程距 잇은파子 f% 에너지둡 1 MeV 減少시키고 ßlili: X -값많은파子값에 Jt하여 6% 以下로줄일수있으며 90 0-6 離도용少줄어들고있다. 한편 i'! 핸때쇠에의한電子채의 散홉L 分깨 i 는싸 It<: 材차 양샘 jer 벼 i h' i 의 1'1 젠을 20cm 로 넓힐수있어 10 MeV 와形狀에따라! 씬射해位의 * 생量分꺼I 가짧 it한다, Table 2. E lectron Effective A rea (80 % Isodose) F ield size (cm) a t 100cm 2X2 4 X4 5X6 8 X8 IOX I0 12 X l2 15X 15 18x l8 E-8.'.1eV O.lmm Pb O. 2mm Pb w idth dept h v d 1. 4 3. 2 5.3 7.2 1. 7 2.2 2 2.4 9.2 11. 2 2.5 2.5 14.3 17.3 2. 6 2. 6 F:-J (j :\1e\' O. 2mm Pb 1. 5 3.3 5. 4 7.3 9.4 11. 5 2. 4 3.1 3. 3 3. 4 3. 4 3. 5 14. 5 17. 6 3.5 3. 6 E- 12 Mt:/ (). 2mm Pb O. 2mm Au w d w d 1. 6 3.4 5. 5 7.5 9.6 3. 2 3.8 4.0 1. 1 4. 1 11. 6 4. 2 14.6 17.7 4_2 4.3-482 -

. 50 E-IOMeV SSD 100 cm SC;. 0.2 mm Pb i뺀빼 ~r. 혐材料와 } 월射面에따릎없훌分布의平뀔度變化훌은그링 1 6과같으며電子線에너지 10 MeV 에서照射面야 1O ~50cm2 일얘는 Acryl 이나 Al 等의 ; 꽉 h& 商 l 良好한平멍度를나타내며照射面이 200cm 2 以上일때는늦쇠板또는우리板을利用하는것이더均等한分布를얻을수있다 2 4 @ ω - Fig. 14. Percentage depth dose in water by field sizes for E-10 MeV. 그링 1 5는 10 MeV 電子線의材料別散亂綠量分布롤測定한것이며, 水面下 2cm 에서綠束에파直인方向의散홉L 率로서最大線量에대한彈度比率은 Acryl, 알마늄, 납판끝에서각각 21, 22, 20% 였다. Fig. ' 16. Variation of flatness with field sizes of electron cones consisted of acryl, A l and brass for E-lO MeV. r - zu z-a F u s : 야)? 밤 ---hs ", e Materj 이 Scoffer E-IOMeV SSO 90 FS 10)( I,_ 1% 에 la30cm d~2 c m. A 그립 17 은照射面 lo x lo cm 일얘의 Acryl 젠磁倚과 鐵 * 網을附홉한 i 엎廠倚에의한總量分布로서後者가 더良好한分布뻐線을이루고있지만뼈止 x- 線이보 다增加된마. '0. 흩逢갱 01 STA CE Fig. 15. Sca ttering distribution along the parall. el direction of water surface at 2cm dep th with Pb. Al and acryl plates for E. 10 MeV. Fig. 17. Comparison of dose distribution by 10 x locm cones according t9 a ttached or not the wire netting on acryl cone fo E-8 MeV. - 483 -

N. 톨分布톨改훌시킨徒例 56 歲男子, 全身皮 1월에펴져있는흉狀憶肉 :!JE (Myco. sis fungoides). 뽑者로서電子線治鷹를받아야했다. 그러냐病짧카全身皮 I홉이고깊 l 가約 1. 5cm 에 l 르고있기때운에 LMR-13 線型加速器로서는治혔가不可能하였다. 왜냐하연 8MeV 以下의電子線에너지와 1m 에서照없面이 30X 30cm 以 t으로操作할수가없었다. 그러나지금까지의흩驗을通해서그럽 18와갈이散亂板을 0.2mm 두께의金板으로使用하고 1. 5cm 두께의 Lucite 板을吸收體로便用하여 t흰點과. 뿔 者의距離롤 2m 間隔을두고上下, 左右, 前後롤治續함으로서可能하게되었다. 01 때에너지는約 4.5 MeV로줄어플어서 랜 휩의深部에까지放射線障훌흘주지않고病찌에만 ~ 中 ~ M 가可能하였마 때 : 땀짧 * T S. ξ칭 '~ c s 뚫 // l /A ; 츠 : E -8Me v 0.2 mmau r 구 --- ABSO Fi8E Fi. I.S,m \ -- E- 4.5 Mev EFF. DEPTH 1.5 Gm OSE DI5T. _.1: 1 40IREGT.l Fig. 18. Treatment pla nning for whole body skin tumor (Mycosis fungoides) 그럽 1 9 는이 t 뭔 者의治薦光景을나타낸것이마 Fig. 19. A view of electron therapy for patients with Mycosis fungoides. 著者들은 8 ~ 12 MeV 의高에너지電子線올使用함 에있어서이들외級물, 에너지빛組織內分布狀態롤 臨 tr 的 1 하差飯圍內에서正確히 E 握해야할必꽂性이 있어에너지分析裝置를製作하고이를利用하여電子 線의에너지를양驗的으로얘 IJ 定할수있었고較正된 합用에너지에따라組織內最大飛程距離를얘 IJ 定하여 使用함으로서臨 tr 的싸差 (5% ) 以內의 IE 確 { 生을期할 수있었다. 또한散亂牌과않應쐐에의한組織內散亂線分布롤 얘 IJ 定하고體系化시킴으로서特別한 g 훨陽 { 에대해서放 射線治癡를可能케했으며多樣한治續方法올構想할 수가있었다. REFERENCES 高에너지 V. * iji~ 소를P A I애 電子 ~ 은陣씨에대한集中 } 썩쳐 t 와 1 힘圍健 康組織에대한被 1 앓激減으로 jf~ 영 t 값治續의 1ß1J ll 꺼的인 짧展을주었으나電子그自體가有限한質量파電핸 를갖었기때문에物理的, 生物的特 { 生과睡찌에適用 시키는技術빛그評없方法이光子와는根本的差異 를갖었으며組織과의相互作用이複雜하다 - 1. Ada wi, I. : Pe η etηztion of electron beams!η to water. Physical Rev. 107, 1476-1482, 1957. 2. Bostick, W.H.: Possible techniques i n direct electroη beam tumor therapy. Physical Rev. 77 : 561-565. 1950. 3. Beattie. J.W., Tsien, K.C., Ovadia, J. and Laugh1in, J.S. : Productioη and properties of 1.; π ι ι n p. rvv electrons for therapy. Amer. J. ~84

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