Microsoft Word - Semiconductor_Industry_Indepth_합본만들기.doc

Transcription

1 Industry Indepth Report 215년 7월 13일 반도체 OVERWEIGHT (신규) 매력은 충분하다 삼성전자(BUY, TP 1,7,원) SK하이닉스(BUY, TP 6,원) 이오테크닉스(BUY, TP 14,원) 테스(BUY, TP 25,원) Analyst 이관수 2)

2

3 CONTENTS SUMMARY 매력은 충분하다 I. 반도체 산업 Key Indicator 점검 5 II. 반도체 분야별 전망: DRAM 9 III. 반도체 분야별 전망: NAND 19 IV. 반도체 이슈 분석: 중국의 메모리 산업 진출 26 종목분석 삼성전자 (593) 세트는 부진하지만 반도체가 있다 3 SK하이닉스 (66) 성장에 대한 가시성과 안정성이 높아졌다 34 이오테크닉스 (393) 다양한 분야의 성장 동력 보유 38 테스 (9561) 성장성이 뚜렷한 장비 업체 41

4 SUMMARY 반도체 OVERWEIGHT (신규) 매력은 충분하다 종목 투자의견 회사명 투자의견 목표주가 (원) 삼성전자 BUY 1,7, ᄂ SK하이닉스 BUY 6, 이오테크닉스 BUY 14, 테스 BUY 25, 반도체 비중확대(OVERWEIGHT) 하반기 수요 개선 전망 n 215년 하반기에는 DRAM 수요의 개선세가 나타나면서 긍정적인 업황이 전망된다. 애플 신규 스마트폰 제품에 2GB LPDDR4가 탑재되면서 3년만에 1GB에서 2GB로 기기당 DRAM 용량 증가가 이루어질 것으로 예상되기 때문이다. n 215년 말 혹은 216년 초에 발열 이슈를 해결한 퀄컴 스냅드래곤 82이 출시되면 안드로이 드 기기들의 경쟁력이 강화될 것으로 예상된다. 안드로이드 기기들은 대당 DRAM 탑재량이 아 이폰보다 높기 때문에 DRAM 수요 개선은 내년에도 이어질 수 있을 것으로 예상된다. n NAND 분야에서는 TLC 및 3D NAND의 생산 비중 확대에 주목할 필요가 있다. 3D NAND를 선도하고 있는 삼성전자 외에 다른 업체들도 양산을 시작하면서 NAND의 신뢰성 및 가격 경쟁 력 상승에 따른 시장 확대가 지속될 것으로 보인다. 성장에 대한 가시성과 안정성이 높은 시장으로 변화 n 메모리 반도체 산업을 전체적으로 보면, DRAM은 성장이 둔화되었지만 안정적으로 수익을 창출 하고 있는 Cash Cow이고, NAND는 데이터 용량 증가 등으로 높은 성장성을 보유한 중장기 성 장 동력의 역할을 하는 이상적인 포트폴리오를 보유한 것으로 판단된다. n 아직은 DRAM 산업의 성장세 둔화가 NAND의 성장성보다 크게 느껴질 수도 있다. 그러나 안정 적이면서도 성장에 대한 가시성이 높아진 점은 과거와는 다른 매력으로 부각될 수 있다. n 중국의 메모리 반도체 육성 정책은 현시점에서 향후 방향에 대해 예측하기는 어려우나 기술적 인 부분의 격차와 성숙기의 DRAM, 성장기의 NAND이라는 상황을 고려해볼 때, DRAM보다는 NAND에 무게 중심이 실릴 것으로 예상된다. 그렇게 된다면 현재의 우호적인 업황에 대한 큰 위협은 되지 않을 것으로 보인다. 반도체 업종 Top pick: SK하이닉스(66), 목표주가 6,원으로 제시 n DRAM 가격 하락 및 전년대비 성장세 둔화에 따른 투자 매력 감소로 현재 주가는 PBR 1.29배 의 역사점 저점 수준에 있다. 하반기 DRAM 수요 개선이 예상되는 점을 감안할 때 현 주가는 과도하게 낮은 수준이라고 판단된다. n SK하이닉스는 성장기인 NAND의 경쟁력은 낮다는 점이 약점으로 지적되어왔다. 그러나 215 년부터 TLC제품의 양산이 시작되고 216년부터는 3D NAND의 생산이 본격화되면서 동사를 바라보는 시각은 변화할 수 있을 것으로 예상된다. 4

5 I. 반도체 산업 Key Indicator 점검 반도체 산업은 투자, 공급, 수급의 함수 반도체 산업은 투자의 함수 반도체 산업은 신규 라인 건설에 대규모 투자 금액이 소요되는 대표적인 장치 산업중의 하나이다. 따라서 반도체 생산 업체들의 투자가 산업 전반의 수급과 이에 따른 시황을 결정하게 된다. 업체들의 투자가 수급 및 업황 의 결정 요인 일반적으로 반도체 업체들이 신규 라인을 건설하게 되면 공급은 일시에 크게 증가하게 된다. 그러나 수요는 대체로 선형으로 증가하는 모습을 보여준다. 따라서 공급과 수요가 증가하는 정도에 차이가 나는 구간이 발생하게 되며 이에 따라 공급 부족 혹은 과잉 상 황이 나타나는 것이다. 이러한 수급 상황은 결국 반도체 가격에 영향을 주어 업체들의 매출과 수익성 및 산업 전체적인 업황을 결정하는 요인으로 작용한다. 따라서 반도체 생 산 업체들의 투자 동향에 대해서 파악하는 것이 반도체 산업 전망에서 중요한 부분이다. 과점 시장하에서 국내 업체들은 높은 수준의 영향력을 보유 215년 메모리 반도체 산업의 투자 금액은 전년대비 3.1% 증가한 21억달러에 이를 것으로 예상된다. 이 중에 DRAM이 61.9%, NAND가 38.2%의 비중을 차지할 것으로 보인다. 메모리 반도체 산업은 DRAM 과 NAND 각 분야의 상위 3개 업체가 214년 기준 전체 시장 매출액의 92.2%와 7.%를 차지하는 과점 산업이다. 이러한 과점 시장 에서 국내 업체인 삼성전자와 SK하이닉스는 전세계 메모리 반도체 투자 금액의 63.% 의 비중을 차지할 것으로 예상되어 업황에 미치는 영향력이 매우 높은 수준인 것으로 판 단된다. 그림1 반도체 산업 수요 공급 흐름도 5

6 그림2 DRAM 시장규모 및 상위업체 비중 그림3 NAND 시장 규모 및 상위업체 비중 (M USD) 6, 5, 4, 3, 2, 1, Samsung Micron 상위3사비중(우) SK Hynix 기타 1% 8% 6% 4% 2% (M USD) 35, 3, 25, 2, 15, 1, 5, Samsung Toshiba 상위3사비중(우) SanDisk 기타 9% 75% 6% 45% 3% 15% '1 '11 '12 '13 '14 '15F % '1 '11 '12 '13 '14 15F % 그림4 DRAM 산업 Capex 그림5 DRAM 업체별 Capex 비중 (M USD) 15, Capex합계(좌) YoY(우) 2% 1% Samsung SK하이닉스 기타 12,5 1, 7,5 5, 15% 1% 5% % 8% 6% 4% 2,5-5% 2% '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15F -1% % '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15F 그림6 NAND 산업 Capex 그림7 NAND 업체별 Capex 비중 (M USD) 9,5 9, 8,5 8, Capex(좌) YoY(우) 25% 2% 15% 1% 5% 1% 8% 6% 4% Samsung Micron 기타 Toshiba + Sandisk SK Hynix 7,5 % 2% 7, '1 '11 '12 '13 '14 '15F -5% % '1 '11 '12 '13 '14 '15F 6

7 공급 업체의 업황 조절로 안정적 성장 전망 IT 산업에서 세트의 성장이 부진한 가운데서도 반도체 산업은 안정적인 성장이 가능할 것으로 예상된다. 그 이유는 앞서 언급한 바와 같이 과점 시장하에서 공급 업체들이 투 자를 조절하면서 업황을 유리한 방향으로 이끌고 있기 때문이다. 기기당 탑재 용량 증가 일단 수요 측면에서 세트의 성장 둔화가 나타나고 있지만 기기당 반도체 채용량은 지속 적으로 증가하면서 반도체 수요는 꾸준히 성장하고 있다. 디스플레이를 비롯한 하드웨어 의 사양이 높아지고 대용량 컨텐츠가 늘고 있는 추세에 따라서 DRAM과 NAND 채용량 이 증가하고 있는 것이다. 공급 업체들의 보수적인 투자 기조 지속 공급 면에서는 보수적인 투자 기조가 지속되고 있다. 반도체 공정이 미세화에 되는 과정 에서 패터닝 공정의 증가로 기존 Capa의 감소가 이루어지고 있다. 이 상황에서 업체들 은 대규모 생산 능력의 확충보다는 Capa 감소를 보완하는 수준에서의 투자 정도만 집행 해 왔다. 삼성전자의 17라인 증설 및 평택 반도체 라인 건설 계획, SK하이닉스의 M14 라인 투자 등이 이루어지고 있지만 이는 공정 미세화가 한계에 이르고 있어 증설이 불가 피하기 때문이지 과거와 같은 점유율 경쟁을 하려는 의도는 아니다. 업황을 결정할 수 있는 과점 체제하의 업체들이 높은 수익성을 유지할 수 있는 상황에서 무리한 점유율 경 쟁을 펼칠 가능성은 적어 보인다. 안정성과 가시성 증가 현재의 반도체 산업이 과거처럼 수요의 폭발적 증가 및 업체들의 대규모 투자에 따라 시 장 확대가 이루어지는 유형의 성장은 보여주고 있는 것은 아니다. 그러나 반도체 공정 미세화가 한계에 이르고 있는 상황에서 보수적인 공급 증가, 이에 따른 수급 안정화로 안정적 성장에 대한 가시성이 높아진 것은 이전과 다른 매력이라고 판단된다. 그림8 DRAM 시장 규모 및 성장률 그림9 NAND 시장 규모 및 성장률 (B USD) 6 DRAM Market Sales(좌) YoY(우) 8% (B USD) 3 NAND Market Sales(좌) YoY(우) 6% 5 6% 25 45% 4 4% 2 3% 3 2% 15 15% 2 % 1 % 1-2% 5-15% '8 '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15F -4% '8 '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15F -3% 7

8 메모리 반도체 선두 업체 및 공정 변화에 따른 수혜 장비 업체에 주목 메모리 반도체 시장을 주도하고 있는 삼성성전자(593)와 SK하이닉스(66), 반 도체 공정 변화에 따른 수혜가 예상되는 이오테크닉스(393)와 테스(9561)에 대 해서 투자의견 BUY를 제시한다. 삼성전자, 메모리 및 비메모리 분야에서 선두권 경쟁력 확보 삼성전자(593)에 대해서 목표주가 1,7,원과 투자의견 BUY를 신규로 제시한 다. 동사는 DRAM 공정 미세화 및 3D NAND 양산에서 경쟁사들보다 앞서면서 사실상 메모리 반도체 업황을 주도하고 있다. 그리고 비메모리 반도체에서도 선두권의 공정 기 술을 확보하면서 반도체 전 영역에서의 경쟁력 향상이 예상된다. SK하이닉스, NAND 부문 경쟁력 제고 SK하이닉스(66)에 대해서 목표주가 6,원으로 투자의견 BUY를 신규 제시한 다. 동사는 성숙기에 있는 DRAM에서는 높은 경쟁력을 보유하고 있으나 성장기에 있는 NAND부문은 그렇지 못하다는 점이 약점으로 지적되어왔다. 그러나 올해부터 TLC NAND를 양산하기 시작했고, 216년부터는 3D NAND 생산이 시작될 계획이다. 이에 따라 동사에 대한 저평가 요인도 해소될 수 있을 것으로 예상된다. 이오테크닉스, 레이저 적용처의 다양화 이오테크닉스(393)는 목표주가 14,과 투자의견 BUY를 신규 제시한다. 다양한 산업 분야에서 기존 방식으로는 대응하기 어려운 미세 가공 영역이 증가하고 있다. 이에 따라 동사 레이저 장비의 적용처 확대가 진행되고 있다. 기존의 주력이었던 반도체 후공 정에서 전공정으로의 진출 및 PCB, 디스플레이 등 다양한 분야에서 성장 동력을 확보하 고 있다는 점이 동사의 장점이다. 테스, 반도체 공정 발전 과정에 있는 업체 테스(9561)에 대해서 목표주가 25,원과 투자의견 BUY를 신규 제시한다. 동사의 주력 증착 장비는 DRAM의 공정 미세화, 3D NAND의 적층수 증가에 사용된다. 멀티 패 터닝이 진행되고 적층수를 증가 시킬수록 증착 공정은 증가하게 된다. 따라서 동사의 증 착장비에 대한 수요는 꾸준히 증가할 것으로 예상되며 Gas Etcher와 같은 장비로의 매 출 다변화도 기대되는 부분이다. 8

9 II. 반도체 분야별 전망: DRAM DRAM 산업 전망: 공급 과거 대비 낮은 수준의 공급 증 가율 유지 전망 215년 DRAM 공급은 전년대비 25.4% 증가할 것으로 예상된다. 과거 DRAM의 공급 은 연간 5% 이상의 증가율을 보여주었는데, 212년 31.2%로 낮아진 이후에 2~3% 수준이 지속되고 있으며 올해도 이러한 낮은 수준의 공급 증가율이 유지될 것 으로 예상된다. 수익성 위주의 공급 정책 지속 올해부터 본격적으로 양산되고 있는 DDR4 DRAM은 DDR3대비 5~1%의 Die Penalty가 발생하게 된다. 이에 따라 기존 Capa의 손실이 발생하게 된다. 그런데 공급 업체들은 대규모 라인 증설보다는 미세 공정 전환을 통해 수요에 대응하는데 주력하며 보수적인 관점에서의 증설만 진행하고 있다. 미세 공정 전환에 필요한 기술적 난이도가 갈수록 높아지고 투자 비용이 증가하면서 남아있는 업체들이 점유율 경쟁보다는 수익성 확보 위주로 사업을 하고 있는 것이다. 증설 투자는 공정 미세화의 한 계 상황에서 최소한으로 집행 이렇게 공급 업체들에게 유리한 업황이 언제까지 지속될 수 있는 것인지는 DRAM업계 의 구조조정 이후 계속적으로 제기되는 이슈이다. 현재의 업황에 변동이 발생하려면 공 급이 급격히 증가해야 하는데, 현재 진행중 이거나 계획되어 있는 생산 라인의 증설은 공정 미세화가 한계에 이르고 있는 상황에서 수요에 대응하기 위한 최소한의 수준에서 이루어지고 있다. 라인 증설외에 DRAM의 공급량을 빠르게 증가 시킬 수 있는 방법은 EUV(Extreme Ultra Violet) 장비나 45mm 웨이퍼를 도입하는 것이다. 그런데 이들 은 기술적인 부분 외에도 투자 효용 가치를 고려해 보았을 때 대규모 도입이 어려울 것 으로 예상한다. EUV가 DRAM에서 도입되기에 는 해결할 할 과제가 많은 상황 EUV 장비는 대당 가격이 1,5억원 이상으로 고가이지만 기존 장비 대비 공정에 소요 되는 시간이 최대 8배 수준까지 길어지면서 생산성이 낮아지는 문제점을 가지고 있다. 그리고 업계에서는 7nm까지는 EUV의 도입이 아닌 기존 패터닝 공정의 개선을 통해서 구현 가능할 것으로 예상하고 있다. 또한 DRAM이 미세화 될수록 Capacitor의 종횡비 가 높아지는 것이 문제가 되고 있기 때문에 무조건 EUV 도입을 통해서 회로 선폭을 줄 이기는 어려운 상황이다. 따라서 EUV 장비를 개발하고 있는 ASML에서도 DRAM 산업 에서는 EUV 장비가 도입되지 않을 것으로 예상하고 있다. 45mm 웨이퍼는 수요 증가 속 도 고려시 과다한 투자 금액 소 요 그리고 45mm 웨이퍼 도입 역시 쉽지 않을 것으로 전망된다. 이 역시 투자 효용 관점 의 문제이다. 업계에서는 월간 웨이퍼 투입량 3~4K 기준으로 45mm 라인 건설에 소요되는 비용이 약 11조원에 이를 것으로 추산하고 있다. 이는 현재 사용되고 있는 3mm 웨이퍼 라인 건설 비용의 약 2배 수준이다. 따라서 현재의 DRAM 수요 증가 속도를 감안했을 때 45mm 웨이퍼 도입에 대한 가능성은 낮은 것으로 판단된다. 9

10 그림1 연도별 DRAM 공급 증가율 (백만개, 2Gb Eq.) 공급(좌) YoY(우) 45, 4, 35, 3, 25, 2, 15, 1, 5, '5 '6 '7 '8 '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15E '16E 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % 그림11 DRAM 시장규모 대비 투자금액 비율 (M USD) 6, 5, 4, 3, 2, 1, Total DRAM Revenue CAPEX/Revenue '4 '5 '6 '7 '8 '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15F 75% 6% 45% 3% 15% % 그림12 DRAM Capex (M USD) 25, 2, 15, 1, 5, Total DRAM CAPEX % YoY '1 '2 '3 '4 '5 '6 '7 '8 '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15F 2% 15% 1% 5% % -5% -1% 1

11 그림13 웨이퍼 투입량 기준 Capa (K units) 1,6 1,4 1,2 1, " equiv.(좌) YoY(우) 1% 5% % -5% -1% -15% -2% 1Q1 4Q1 3Q11 2Q12 1Q13 4Q13 3Q14 2Q15E -25% 그림14 DRAM 공정별 비중 1% 기타 5Xnm 4Xnm 3Xnm 2Xnm 8% 6% 4% 2% % 1Q1 3Q1 1Q11 3Q11 1Q12 3Q12 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15F 그림15 DRAM 주요 업체 공정 전환 로드맵 1Q13 2Q13 3Q13 4Q13 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 삼성전자 25nm 2nm SK하이닉스 29nm 25nm 21nm Micron 3nm 25nm 2nm 11

12 그림16 DRAM 수급 전망 (M GB) 2,5 공급(좌) 수요(좌) 수급률(우) 15% 2, 1,5 1, 5 1% 95% 9% 1Q12 3Q12 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15E 85% 그림17 DRAM 시장점유율 및 영업이익률 1% 9% 8% 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% % 1Q1 3Q1 1Q11 3Q11 1Q12 3Q12 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 Samsung SK Hynix Micron Elpida Nanya 기타 Samsung OPM SK Hynix OPM Micron OPM Nanya OPM 1% 5% % -5% -1% -15% 그림18 웨이퍼 크기당 라인 건설 비용 자료: Intel, 토러스투자증권 리서치센터 12

13 표1 DRAM 공급 전망 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15F 3Q15F 4Q15F F Wafer Capa. 전망 천장/월 1,117 1,9 1,11 1,75 1,48 1,5 1,46 1,51 4,326 4,383 4,195 QoQ YoY 업체별 비중(%) Samsung SK Hynix Micron Nanya Powerchip Winbond DRAM 공급 전망(백만개) DRAM 공급(2Gb Eq.) 5,155 5,76 6,38 6,752 6,66 7,125 7,812 8,63 18,42 24,47 3,145 QoQ YoY 업체별 공급 Samsung 1,979 2,375 2,83 2,83 2,873 3,16 3,524 3,911 6,494 9,96 13,468 SK Hynix 1,488 1,681 1,799 2,122 2,16 2,117 2,265 2,48 5,291 7,89 8,879 Micron 1,36 1,356 1,41 1,462 1,345 1,466 1,627 1,86 3,812 5,588 6,245 Nanya Powerchip Winbond 업체별 공급 비중(%) Samsung SK Hynix Micron Nanya Powerchip Winbond

14 DRAM 산업 전망: 수요 수요 저성장 기조속에 하반기에 는 개선이 나타날 것으로 전망 215년 DRAM 수요는 전년대비 22.5% 증가하면서 공급과 마찬가지로 과거보다 낮은 수준의 성장이 이어질 것으로 보인다. 그런데 하반기에는 상반기 및 전년 동기와 비교했 을 때 수요가 개선되는 모습이 나타날 수 있을 것으로 예상된다. 모바일 시장에서 애플 이 출시할 예정인 아이폰 신모델의 DRAM 채용량이 증가할 것으로 전망되기 때문이다. 그리고 전통적인 DRAM 주요 수요처인 PC의 경우 Microsoft의 Window1과 인텔의 스카이레이크 출시가 이루어질 예정이어서 OS와 CPU 신규 제품 출시에 따른 효과가 기대된다. DRAM 채용량이 적은 아이폰 판매 호조는 상반기 모바일 DRAM 수요 부진의 한 원인 최근 모바일 DRAM의 수요 부진에는 아이러니하게도 애플의 약진에 따른 효과가 반영 된 것으로 판단된다. 지난해 출시된 애플의 아이폰 6와 6플러스는 올해 상반기까지 판매 호조를 기록하고 있는데 이는 아이폰 자체의 상품성 강화와 안드로이드 계열 업체들의 부진이 더해지면서 나타난 현상이다. 결과적으로 이는 모바일 DRAM 수요에는 긍정적이 지 못한 부분인데, 안드로이드 계열의 스마트폰들이 2, 3GB로 DRAM 채용량을 증가시 켜온데 반해서 아이폰 6와 6플러스는 1GB를 고수하고 있기 때문이다. 퀄컴 AP 발열 이슈로 DRAM 채 용량이 많은 안드로이드 폰은 부진한 실적 기록 일반적으로 상반기 스마트폰 시장은 삼성전자 및 중국 로컬업체들과 같은 안드로이드 계 열이 주도하는 시장이었다. 그런데 올해 신규 스마트폰에 탑재를 목표로 출시된 퀄컴 스 냅드래곤 81칩에서 발열 이슈가 발생했다. 삼성전자는 자체적으로 생산한 엑시노스 742 AP를 탑재시킨 갤럭시 S6, S6 엣지를 출시하여 퀄컴 발열 이슈에는 벗어날 수 있 었다. 그러나 퀄컴칩을 사용할 수 밖에 없는 업체들은 스냅드래곤 81칩을 탑재하여 신 제품을 출시했으나 제품에 대한 평가 및 판매량이 좋지 못했다. 그리고 일부 업체들은 아예 신제품 출시를 지연시키기도 했다. 이와 같은 애플의 약진, 안드로이드의 부진의 결 과로 215년 상반기 모바일 DRAM 시장은 예상보다 부진했던 것으로 파악된다. 아이폰 3년만에 DRAM 채용량 확대, 퀄컴 신규 AP로 안드로이 드폰 판매 증가 예상 그런데 하반기부터는 모바일 DRAM 수요 개선세가 나타날 수 있을 것으로 예상된다. 일 단 애플에서 하반기 출시하는 신규 아이폰에 2GB LPDDR4가 탑재될 것으로 보인다. 아 이폰5가 1GB DRAM을 채택한 이래로(아이폰 4, 4S는 512MB) 3년만에 DRAM 채용 량 증가가 이루어지는 것이다. 그리고 퀄컴에서 발열 문제를 해결한 스냅드래곤 82칩 을 이르면 연말 혹은 내년초에 출시할 예정이다. 따라서 지연되었던 안드로이드 스마트 폰 신모델 출시 등이 이루어지면서 216년 상반기까지도 모바일 DRAM 수요 개선이 가능할 것으로 예상된다. Window1, Skylake 효과로 하 반기 PC 수요 개선 기대 모바일뿐만 아니라 PC 분야에서도 Microsoft가 7월 29일 공식 출시할 Window1과 하반기 Intel에서 출시 예정인 차세대 프로세서 스카이레이크가 PC 수요를 자극하면서 전반적인 DRAM 시황이 개선될 것으로 예상된다. 14

15 그림19 연도별 DRAM 수요 증가율 (백만개, 2Gb Eq.) 수요(좌) YoY(우) 45, 4, 35, 3, 25, 2, 15, 1, 5, '5 '6 '7 '8 '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15E '16E 1% 8% 6% 4% 2% % 그림2 분야별 DRAM 수요 비중 1% 모바일스마트기기 노트북 데스크탑 기타 8% 6% 4% 2% % '11 '12 '13 '14 '15F '16F 표2 주요 스마트폰 DRAM 채용량 비교 제조사 삼성전자 샤오미 애플 모델명 갤럭시S5 갤럭시S6 Mi2 Mi3 아이폰5 아이폰6 운영체제 안드로이드4.4.2 안드로이드 5..2 안드로이드 4.1 안드로이드 4.2 ios 6. ios 8. 화면 5.1" 5.1" 4.3" 5." 4" 4.7" DRAM 2GB 3GB 2GB 2GB 1GB 1GB 15

16 그림21 PC 출하량 그림22 PC 대당 DRAM 채용량 (백만대) 9 PC출하량(좌) YoY(우) 5% (GB/Sys.) 5 PC대당채용량(좌) YoY(우) 2% 75 % 4 15% % -1% 3 2 1% 5% % 15-15% 1-5% 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15F -2% 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15F -1% 그림23 스마트폰 출하량 그림24 스마트폰 대당 DRAM 채용량 (백만대) 5 스마트폰출하량(좌) YoY(우) 5% (GB/Sys.) 2. 스마트폰대당채용량(좌) YoY(우) 5% % 3% 2% % 3% 2% 1 1%.5 1% 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15F %. 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15F % 그림25 서버 출하량 그림26 서버 대당 DRAM 채용량 (백만대) 서버출하량(좌) YoY(우) 7% 6% 5% 4% 3% 2% 1% (GB/Sys.) 서버대당DRAM채용량(좌) YoY(우) 75% 6% 45% 3% 15% 2.1 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15F % 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15F % 16

17 표3 DRAM 수요 주요제품 출하 전망 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15F 3Q15F 4Q15F F 완제품 출하량(백만대) PC Desktop Notebook Server Handset ,73 2,141 2,137 Feature Phone Smartphone ,19 1,275 1,463 Tablet TV 증가율 QoQ(%) PC Desktop Notebook Server Handset Feature Phone Smartphone Tablet TV 증가율 YoY(%) PC Desktop Notebook Server Handset Feature Phone Smartphone Tablet TV

18 표4 DRAM 수요 제품별 채용량 전망 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15F 3Q15F 4Q15F F DRAM 채용량(MB/Sys.) PC Desktop 4,41 4,392 4,77 4,792 4,619 4,542 4,466 4,669 4,22 4,482 4,572 Notebook 4,54 4,41 4,712 4,792 4,617 4,539 4,461 4,663 4,3 4,519 4,567 Server 236,45 242, ,33 238, ,17 26, ,38 371,1 186, ,85 296,179 Handset Feature Phone Smartphone 877 1,13 1,131 1,196 1,275 1,486 1,597 1, ,66 1,526 Tablet 1,163 1,259 1,355 1,451 1,566 1,681 1,795 1, ,318 1,742 TV 1,14 1,224 1,344 1,464 1,498 1,532 1,566 1, ,285 1,549 증가율 QoQ(%) PC Desktop Notebook Server Handset Feature Phone Smartphone Tablet TV 증가율 YoY(%) PC Desktop Notebook Server Handset Feature Phone Smartphone Tablet TV

19 III. 반도체 분야별 전망: NAND NAND 산업 전망: 공급 TLC 및 3D NAND 생산 증가로 원가 절감 노력 지속 215년 연간 NAND 공급은 전년대비 38.8% 증가할 것으로 예상된다. 공급량 외에 NAND 공급 측면에서 주목할 부분은 TLC(Triple Level Cell)와 3D NAND 생산 비중 증가이다. SSD(Solid State Drive) 시장이 성장하기 위해서는 기존의 HDD(Hard Disk Drive)만큼의 가격 경쟁력을 갖추는 것이 중요하다. NAND는 DRAM보다 구조가 간단 하기 때문에 빠른 속도로 공정 미세화가 진행이 되어 현재 1nm대의 공정 기술이 확보 되었다. 이 수준부터는 공정 미세화 속도가 둔화되면서 TLC와 3D NAND와 같은 기술 로 제품 단위당 원가를 낮추려는 노력이 지속될 것으로 예상된다. 삼성전자, 48단 제품으로 3D NAND 시장 주도 삼성전자는 업계에서 3D NAND 생산에 가장 앞서있는 업체로 213년 하반기에 24단 3D NAND 양산에 성공했다. 이후 32단 제품이 양산되고 있으나 아직은 1nm급의 TLC 2D NAND 제품과 비교할 때 원가 경쟁력이 낮은 것으로 파악된다. 현재 48단으로 의 전환이 추진되고 있는데 업계에서는 48단에 TLC기술이 더해지면 32단 대비 절반수 준으로 원가가 절감될 것으로 보고 있다. SK하이닉스, TLC, 3D NAND 시 장 진입 3D NAND 생산량 증가에 적극적으로 나서고 있는 삼성전자와 달리 다른 업체들의 경우 는 올해까지는 TLC 생산 확대에 보다 신경을 쓰고 있다. NAND 분야에서 상대적으로 뒤쳐져 있었던 SK하이닉스는 올해 2분기에 16nm TLC 양산에 성공했는데, 연말 까지 전체 NAND 중에 TLC의 생산 비중을 4% 수준으로 높인다는 계획을 가지고 있다. 3D NAND 분야에서는 올해 3분기부터 36단 MLC 제품 양산이 시작되고, 내년부터 48 단 TLC 제품 생산이 시작될 것으로 보인다. 도시바, 216년 3D NAND 제품 출시 계획 도시바는 올해 초 업계에서 두번째로 BiCS(Bit Cost Scalable)구조의 48단 MLC 128GB 3D NAND시제품을 선보인바 있다. 그런데 현재는 15nm 2D NAND 생산에 집 중하면서 3D NAND 생산 계획을 예정보다 지연시킨 상태이다. 216년부터 3D NAND 양산을 시작하면서 48단 제품을 출시할 계획이다. 이러한 추세에 따라서 TLC와 3D NAND가 전체 NAND 생산에서 차지하는 비중은 215년 각각 35.7%, 2.1%에서 216년 39.4%, 6.3%로 증가하면서 NAND 시장 성장 을 위한 원가 경쟁력 증가는 계속될 것으로 예상된다. 19

20 그림27 연도별 NAND 공급증가율 (백만개 16Gb Eq.) 7, 6, 5, 4, 3, 2, 1, 공급(좌) YoY(우) '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15F '16F 9% 75% 6% 45% 3% 15% % 그림29 NAND 제품별 비중 1% SLC NAND MLC NAND TLC NAND 3D NAND 8% 6% 4% 2% % 1Q11 3Q11 1Q12 3Q12 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15F 1Q16F 3Q16F 그림3 2D NAND 업체별 공정 로드맵 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16 삼성전자 19nm 16nm 1Znm SK하이닉스 16nm 1Znm Toshiba 19nm 15nm 1Znm Micron 16nm 1Znm 그림31 3D NAND 업체별 공정 로드맵 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15 3Q15 4Q15 1Q16 2Q16 3Q16 4Q16 삼성전자 24단 32단MLC 32단TLC 48단TLC SK하이닉스 36단MLC 48단TLC Toshiba 48단TLC Micron 48단TLC 2

21 표5 NAND 공급 전망 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15F 3Q15F 4Q15F F Wafer Capa. 전망 천장/월 1,54 1,125 1,13 1,165 1,171 1,2 1,249 1,39 4,145 4,474 4,928 QoQ YoY 업체별 비중 Samsung SK Hynix Toshiba/Sandisk Micron/Intel Others NAND 공급 전망(백만개) NAND 공급(16Gb Eq.) 6,786 7,651 8,445 9,131 9,747 1,669 11,458 12,548 22,732 32,14 44,423 QoQ YoY 업체별 공급 Samsung 2,115 2,55 2,84 2,961 3,26 3,685 3,828 4,189 7,265 1,43 14,962 SK Hynix ,156 1,158 1,235 1,155 1,151 2,2 3,27 4,699 Toshiba/Sandisk 2,964 3,18 3,337 3,39 3,593 4,26 4,699 5,281 9,893 12,871 17,599 Micron/Intel 1,246 1,215 1,41 1,618 1,728 1,716 1,767 1,917 3,556 5,489 7,128 Others 업체별 공급 비중 Samsung SK Hynix Toshiba/Sandisk Micron/Intel Others

22 NAND 산업 전망: 수요 SSD 시장 확대가 NAND 수요 성장의 관건 215년 NAND 수요는 전년대비 36.3% 증가할 것으로 예상된다. 시장 초기 대비 증가 율이 낮아진 것으로 나타나지만 빅데이터, 대용량 컨텐츠 증가 등으로 여전히 성장 잠재 력이 높은 성장기 시장이다. NAND의 가장 큰 수요처는 SSD와 모바일 기기 시장이다. 이 두 시장이 NAND 수요에서 차지하는 비중은 214년 기준으로 각각 34.2%, 21.3% 였으며, 올해는 44.3%, 18.2%를 차지할 것으로 예상된다. 두 시장 모두 대당 채용량 증 가에 따른 성장이 예상되는데, 특히 SSD 시장은 HDD를 대체하면서 NAND 시장의 성 장을 견인할 것으로 보인다. 대용량 컨텐츠 증가로 NAND 수 요 확대 대용량 컨텐츠 증가는 기기당 NAND 탑재량을 증가 시키고 있다. 4K 디스플레이용 고 해상도 컨텐츠가 대용량 컨텐츠의 대표적인 예이다. 그리고 애플은 고사양 게임의 증가 를 언급하면서 앱스토어에 올릴 수 있는 파일의 용량 제한을 2GB에서 4GB로 변경한 바 있다. 이렇게 대용량 컨텐츠가 늘어나면서 SSD뿐만 아니라 모바일 기기에 내장되는 NAND의 용량도 증가되고 있다. 삼성전자의 갤럭시 S5는 내장 메모리 용량이 16, 32GB 였는데 올해 출시된 S6는 32, 64, 128GB로 대용량화 되었다. 그리고 애플의 아 이폰 역시 이전 모델인 5, 5S는 16, 32, 64 GB의 내장 메모리를 지원했는데 아이폰 6와 6플러스에서는 16, 64, 128GB로 상향된 바 있다. 데이터센터용 SSD 수요 증가 전망 일반 소비자용 시장뿐만 아니라 기업용 데이터 센터에도 SSD의 채용이 증가할 전망이 다. 페이스북 등 여러 업체가 기존의 HDD로 구축되어 있는 서버를 SSD기반의 서버로 교체하는 계획을 가지고 있다. 데이터 처리 속도 및 전력 소모면에서 HDD 대비 SSD가 우수한 특성을 가지고 있기 때문이다. SSD는 HDD대비 속도 및 전력 소모에서 우수 HDD의 속도를 높이기 위해서 HDD와 시스템 사이를 연결하는 인터페이스의 전송 속도 를 높이거나 자기디스크(플래터)의 회전 속도를 높이는 등의 노력이 이루어졌다. 그러나 물리적인 회전이 필요하다는 점 때문에 속도 향상에 한계가 나타나고 있다. 그리고 회전 속도를 높일수록 전력 소모량과 소음이 높아지는 단점도 있다. 이에 따라 기업 데이터 센터용 SSD에 대한 잠재 수요는 높은 것으로 보이나 HDD대비 높은 가격이 걸림돌로 작용하고 있었다. NAND 가격 하락에 따른 수요 성장 예상 그런데 최근 TLC 및 3D NAND의 생산 비중이 높아지면서 가격 경쟁력이 확보되고 있 는 것으로 파악된다. 최근 삼성전자, 도시바 등에서 출시한 SSD 제품들의 가격을 살펴 보면 1GB 당 가격이 HDD와 유사한 수준으로 형성되어 있다. 앞서 언급한 바와 같이 TLC와 3D NAND가 NAND 시장 공급량에서 차지하는 비중은 215년 기준으로 각각 35.7%, 2.1%로 예상되는데 이 비중은 점차 높아지면서 가격 하락 및 SSD 수요 성장이 본격화 될 수 있을 것으로 예상된다. 22

23 그림31 연도별 NAND 수요 증가 (백만개 16Gb Eq.) 7, 6, 5, 4, 3, 2, 1, 수요(좌) YoY(우) 9% 75% 6% 45% 3% 15% '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15F '16F % 그림32 SSD 출하량 (M Units) SSD Shipment(좌) YoY(우) 175% 15% 125% 1% 75% 5% 25% 1Q12 3Q12 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15E % 그림33 SSD 대당 NAND 채용량 (GB) NAND 채용량(좌) YoY(우) 1Q12 3Q12 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15E 25% 2% 15% 1% 5% % -5% 23

24 그림34 NAND 수급 전망 (M GB) 3, 공급(좌) 수요(좌) 수급률(우) 15% 25, 2, 1% 15, 95% 1, 5, 9% 1Q12 3Q12 1Q13 3Q13 1Q14 3Q14 1Q15 3Q15E 85% 표6 SSD와 HDD 가격 비교 SSD HDD 제조사 모델명 1GB당 ASP 제조사 모델명 1GB당 ASP 삼성전자 85프로 약.6달러 삼성전자 스핀포인트M8.5~.6달러 도시바 벡터18 약.8달러 웨스턴디지털 75블랙.5달러 도시바 MQ1ABD.5~.6달러 표7 주요 제품별 NAND 수요 NAND 수요 전망 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15E 3Q15E 4Q15E E NAND 수요(백만개, 16GB Eq.) 5,789 6,258 7,361 7,256 7,667 8,268 9,74 1,6 19,989 26,666 36,239 QoQ YoY Handset 3,91 3,281 3,655 4,694 4,988 5,27 5,953 6,74 1,898 14,721 22,916 Tablet ,749 1,649 1,73 PMP USB Flash Drives ,91 1,412 1,743 Digital Camera ,244 1,64 1,1 SSD 1,228 1,486 2, ,228 1,486 2,19 2,11 2,68 5,58 6,924 Otners ,575 1,634 1,613 비중(%) Handset Tablet PMP USB Flash Drives Digital Camera SSD Otners

25 표8 주요 제품 출하량 전망 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15E 3Q15E 4Q15E E 제품출하량(백만대) Handset ,774 1,843 1,898 Tablet PMP USB Flash Drives Digital Camera SSD QoQ(%) Handset Tablet PMP USB Flash Drives Digital Camera SSD YoY(%) Handset Tablet PMP USB Flash Drives Digital Camera SSD 표9 주요 제품별 NAND 채용량 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15E 3Q15E 4Q15E E GB Per Sytem Handset Tablet PMP USB Flash Drives Digital Camera SSD QoQ(%) Handset Tablet PMP USB Flash Drives Digital Camera SSD YoY(%) Handset Tablet PMP USB Flash Drives Digital Camera SSD

26 IV. 반도체 이슈 분석: 중국의 메모리 산업 진출 DRAM보다는 NAND에 무게 중심이 실릴 가능성 DRAM보다는 NAND에 집중 가 능성 최근 중국이 정부 주도하에 메모리 반도체 산업 진출 움직임을 강화하면서 업체들간의 점유율 경쟁 심화에 따른 부정적 시황이 나타날 가능성에 대한 우려가 일부에서 제기되 고 있다. 현재 정책의 방향에 대해 예측하기는 어렵지만, 중국의 메모리 반도체 산업 육 성은 DRAM 보다는 NAND에 무게 중심이 실리면서 현재의 우호적인 시황에 미치는 영 향은 제한적일 것으로 예상된다. 성장 잠재력 및 기술적 난이도 면에서 NAND가 DRAM보다 신 규 진입에 유리 DRAM은 성숙기에 이른 시장으로 수요 성장이 둔화되어 있다. 그리고 기술적인 면에서 보았을 때 업계의 구조조정 이후 남아있는 업체들조차도 공정 미세화에 어려움을 겪고 있을 정도로 난이도가 높아져 있다. 그러므로 중국이 DRAM 산업에 진출한다고 하더라 도 기술적 격차를 줄이는데에는 상당한 어려움이 있을 것으로 예상된다. 반면에 NAND 는 성장기에 있는 시장이다. 데이터 용량 증가에 따른 NAND 채용량 확대는 지속될 것 으로 예상된다. 그리고 일반 소비자 및 기업용 시장에서 SSD가 HDD를 대체할 것으로 예상되면서 성장 잠재력에 대해서 높게 평가를 받고 있는 시장이다. 이러한 점들을 고려했을 때 현재 시점에서 메모리 반도체 산업에 진입하고자 한다면 DRAM보다는 NAND 시장에 진출하는 것이 정책적인 효과가 더 높게 나타날 수 있을 것으로 판단된다. 따라서 향후 정책의 방향은 NAND산업을 육성하는 데에 보다 집중될 가능성이 높을 것으로 보인다. 그림35 DRAM 시장 규모 및 성장률 그림36 NAND 시장 규모 및 성장률 (B USD) 6 DRAM Market Sales(좌) YoY(우) 8% (B USD) 3 NAND Market Sales(좌) YoY(우) 6% 5 6% 25 45% 4 4% 2 3% 3 2% 15 15% 2 % 1 % 1-2% 5-15% '8 '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15F -4% '8 '9 '1 '11 '12 '13 '14 '15F -3% 26

27 27

28 28

29 종목분석 삼성전자 SK하이닉스 이오테크닉스 테스 29

30 삼성전자 삼성전자 (593) 세트는 부진하지만 반도체가 있다 Analyst 이관수 2) 투자의견 목표주가 현재주가 (7월1일) BUY (신규) 1,7,원 1,259,원 Upside 35.% KOSPI 2,31.17pt 시가총액(보통주) 26,913 십억원 발행주식수 17,133 천주 액면가 5, 원 자본금 898 십억원 6일 평균거래량 225 천주 6일 평균거래대금 299,138 백만원 외국인 지분율 51.8% 52주 최고가 1,53.원 52주 최저가 1,83,원 주요 대주주 이건희 외 9인 17.64% 국민연금공단 8.% 주가추이 및 상대강도 (%) 절대수익률 상대수익률 1M M M 스마트폰 사업은 기대치 하회 n 삼성전자는 2분기 잠정 실적으로 매출액 48.조원(+1.9% QoQ, -8.3% YoY), 영업 이익 6.9조원(+15.4% QoQ, -4.% YoY)을 발표했다. 이는 시장 기대치였던 매출액 52.5조원, 영업이익 7.1조원을 다소 하회하는 실적이다. 주요 사업 부문별 영업이익은 반도체 3.2조원, IM 2.9조원, DP.5조원, CE,2조원으로 추정된다. n IM 부문의 스마트폰 판매 부진이 기대치에 미치지 못한 실적의 원인으로 파악된다. 갤 럭시 S6가 출시되었으나 소비자의 수요에 미치지 못한 엣지 모델의 공급량이 아쉬운 부분이다. 그리고 중저가 모델 라인업이 재정비되는 과정에서 판매량 감소가 일어났 다. 그 결과 2분기 전체 스마트폰 판매량은 전분기대비 11.5% 감소한 7,418만대를 기록한 것으로 보인다. 반도체 부문은 앞선 공정 경쟁력을 바탕으로 상승세 지속 n 215년 삼성전자의 실적은 매출액 195.3조원(-5.3% YoY), 영업이익 27.1조원 (+8.4% YoY)을 기록할 것으로 예상된다. 이 중에 반도체 사업 부문은 매출액 46.7조 원(+17.5% YoY), 영업이익 13.5조원(+54.4% YoY)로 전사 이익 개선세를 주도할 것 으로 예상된다. n DRAM은 2nm 공정전환에서 경쟁사보다 앞서나가고 17라인 가동 및 DDR4 양산 효 과가 더해지면서 매출액 23.4조원(+14.5% YoY)을 기록할 것으로 예상된다. NAND역 시 TLC, 3D NAND에서 우위를 점하면서 13.6조원(+19.6% YoY)의 매출액이 예상된 다. System LSI는 14nm FinFET 공정 도입 효과로 자체 물량과 파운드리 사업 물량 증가가 이어지면서 매출액 12.조원(+15.1% YoY)을 기록할 것으로 보인다. 투자의견 BUY, 목표주가 1,7, 원 신규 제시 n 스마트폰 사업에 대한 우려, 기대치를 하회하는 실적으로 하락한 주가는 PBR 1.2배로 역사적 저점 수준에 있어 추가적인 급락 가능성은 제한적이라고 판단된다. 반도체를 중심으로한 개선세에 주목하며, 향후 주가는 스마트폰 사업이 의미있는 개선세를 보일 때 본격적인 상승이 나타날 수 있을 것으로 예상된다. 주가차트 (원) 삼성전자 1,6, Relative to KOSPI 1,4, 1,2, 1,, 8, 6, 4, 2, (pt) Financial Data 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 매출액 228,693 26,26 195, , ,1 영업이익 36,785 25,25 27,114 28,648 32,451 세전이익 38,364 27,875 28,463 3,839 35,395 순이익 3,475 23,394 21,917 23,746 27,254 Net debt -43,335-5,552-69,846-92,62-118,35 BPS(원) 848, ,266 1,52,858 1,163,21 1,294,167 EPS(원) 173,67 133,29 124, ,41 155,749 PER(H/L) (배) 9.1/ / PBR(H/L) (배) 1.9/ / EV/EBITDA(H/L) (배) 4./3. 4.6/ ROE (%)

31 삼성전자 Valuation 삼성전자에 대해서 목표주가 1,7,원과 투자의견 BUY를 신규로 제시한다. 목표주 가는 동사의 영업가치와 자산가치를 합산하여 산출했으며 215년 실적기준으로 PER 12.8배, PBR 1.6배에 해당하는 수준이다. 기대감이 높아졌던 스마트폰 사업이 예상에 미치지 못할 것으로 보이면서 주가가 하락했 으나 반도체 사업을 중심의 실적 개선세는 이어질 수 있을 것으로 예상한다. 세트는 경 쟁 심화 등의 요인으로 기대에 미치지 못했지만 반도체 및 디스플레이와 같은 부품 분야 에서 높은 경쟁력을 보유하고 있으며, 이를 바탕으로 스마트폰 사업에서도 차별화된 요 인을 만들어낼 가능성은 충분하다고 판단된다. 표1 삼성전자 목표주가 산정 (십억원) 215F EBITDA EV/EBITDA EV 비고 IM 13, ,997 글로벌 스마트폰 업체 평균 3% 할인 반도체 24, ,932 글로벌 반도체(메모리)업체 평균 디스플레이 4, ,49 글로벌 패널업체 평균 CE 1, ,564 글로벌 가전업체 평균 영업가치 44, ,543 자산가치 5,59 3% 할인 순현금 48,273 주주가치 287,874 우선주 가치 3,94 보통주 가치 256,97 주식수(천주) 147,299 적정주가(원) 1,744,543 목표주가(원) 1,7, 현재주가(원) 1,259, 상승여력(%) 35. 그림1 PER Band (원) 주가 13.8X 12.1X 3,, 2,5, 1.4X 8.7X 6.9X 2,, 1,5, 1,, 5, 그림2 PBR Band (원) 주가 2.1X 1.8X 3,, 2,5, 1.6X 1.3X 1.1X 2,, 1,5, 1,, 5,

32 삼성전자 표2 분기별 실적 (십억원,%) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15E 3Q15E 4Q15E E 216E 매출액 53,675 52,353 47,447 52,73 47,122 48,55 49,348 5,769 26,26 195, ,692 QoQ YoY 반도체 9,391 9,78 9,89 1,663 1,273 11,273 12,3 13,111 39,724 46,659 51,473 Memory 6,29 6,92 7,926 8,172 8,32 8,476 8,827 9,47 29,38 34,67 35,682 DRAM 4,251 4,761 5,539 5,853 5,722 5,722 5,858 6,64 2,45 23,366 23,84 NAND 2,654 2,75 2,994 2,962 3,71 3,37 3,577 3,588 11,36 13,66 15,27 Non Memory 3,11 2,86 1,964 2,491 1,953 2,797 3,175 4,63 1,416 11,989 15,791 디스플레이 6,28 6,336 6,254 7,49 6,851 6,969 7,462 7,628 25,667 28,91 3,484 IM 32,44 28,45 24,58 26,29 25,878 26,751 25,832 22,45 111,76 1,867 93,767 CE 11,317 13,2 11,586 14,27 1,262 1,86 11,25 14,265 5,175 46,582 47,694 기타 -5,51-5,215-4,862-5,542-6,142-7,743-7,199-6,64-21,121-27,724-26,726 매출비중 반도체 디스플레이 IM CE 영업이익 8,489 7,187 4,61 5,288 5,983 6,894 6,932 7,36 25,25 27,115 28,648 QoQ YoY 반도체 1,948 1,863 2,259 2,696 2,882 3,217 3,521 3,915 8,766 13,536 15,446 Memory 2,176 2,239 2,846 2,868 3,34 3,29 3,362 3,498 1,129 13,13 13,685 DRAM 1,568 1,784 2,31 2,458 2,473 2,47 2,563 2,66 8,111 1,165 1,72 NAND ,5 1,886 2,77 Non Memory , 디스플레이 ,15 2,294 IM 6,431 4,418 1,75 1,956 2,739 2,941 2,726 2,396 14,555 1,82 1,31 CE , 영업이익률 반도체 Memory DRAM NAND Non Memory 디스플레이 IM CE 순이익 7,574 6,251 4,222 5,347 4,626 5,599 5,757 5,463 23,394 21,917 23,746 순이익률

33 삼성전자 Income Statement 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 매출액 228,69 26,2 195,29 196,69 198,1 매출원가 137,69 128,27 118,15 118,56 116,55 매출총이익 9,996 77,927 77,141 78,126 81,541 매출총이익률(%) 판관비 54,211 52,92 5,27 49,478 49,9 영업이익 36,785 25,25 27,114 28,648 32,451 영업이익률(%) EBITDA 53,23 43,78 46,135 49,13 53,152 EBITDA Margin 영업외손익 1,579 2,85 1,35 2,19 2,944 관계기업손익 금융수익 8,15 8,26 7,632 8,143 8,747 금융비용 7,755 7,294 6,61 6,61 6,61 기타 816 1, 법인세비용차감전순손익 38,364 27,875 28,463 3,839 35,395 법인세비용 7,89 4,481 6,547 7,93 8,141 계속사업순손익 3,475 23,394 21,917 23,746 27,254 중단사업순손익 당기순이익 3,475 23,394 21,917 23,746 27,254 당기순이익률(%) 지배지분순이익 29,821 23,82 21,624 23,429 26,891 비지배지분순이익 매도가능금융자산평가 6,238 12,668 12,668 12,668 12,668 기타포괄이익 -1,7-1,993-1,993-1,993-1,993 포괄순이익 29,468 21,41 19,923 21,752 25,261 지배지분포괄이익 28,838 2,991 19,541 21,335 24,777 비지배지분포괄이익 주: K-IFRS 회계기준 개정으로 기존의 기타영업수익/비용 항목은 제외됨 Cashflow Statement 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 영업활동 현금흐름 46,77 36,975 46,249 47,193 51,31 당기순이익 3,475 23,394 21,917 23,746 27,254 비현금항목의 가감 23,85 22,324 24,35 25,65 26,365 감가상각비 15,47 16,91 17,878 19,545 2,112 외환손익 지분법평가손익 기타 7,831 5,71 17,971 17,523 17,696 자산부채의 증감 -1,313-3,837 5,31 3,152 3,165 기타현금흐름 -7,45-7,493-6,547-7,93-8,141 투자활동 현금흐름 투자자산 1,858-4,897 1,295 1,295 1,295 유형자산 기타 - -6,252-8, 재무활동 현금흐름 -4,137-3,57-3,75-2,979-2,979 단기차입금 -1,862 1,833 단기사채 장기차입금 사채 -1,342-1,559 현금배당 1,872 2,67 2,586 2,586 2,586 기타 ,332-3,75-2,979-2,979 현금의 증감 -2, ,331 12,843 15,21 기초 현금 18,791 16,285 16,841 28,172 41,14 기말 현금 16,285 16,841 28,172 41,14 56,225 NOPLAT 29,697 19,183 2,878 22,59 24,987 FCF 22,984 13,66 21,976 24,211 27,631 Balance Sheet 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 비유동자산 13, , , ,45 118,18 유형자산 75,496 8,873 86,219 88,39 89,15 관계기업투자금 6,422 5,232 4,178 3,23 2,249 기타금융자산 기타비유동자산 21,396 29,172 28,28 27,28 26,619 유동자산 11,76 115, , , ,69 현금및현금성자산 16,285 16,841 28,172 41,14 56,225 매출채권 및 기타채권 27,876 28,234 27,728 28,876 3,247 재고자산 19,135 17,318 16,41 16,518 16,637 기타유동자산 47,465 52,753 59,475 67,85 77,961 자산총계 214,75 23,423 25,21 272, ,87 비유동부채 12,744 1,321 1,321 1,321 1,321 사채 1,311 1,356 1,356 1,356 1,356 장기차입금 기타비유동부채 1,53 8,941 8,941 8,941 8,941 유동부채 51,315 52,14 54,556 57,93 61,78 매입채무 및 기타채무 3,154 32,272 34,813 38,187 41,965 단기차입금 6,439 8,29 8,29 8,29 8,29 유동성채무 2,426 1,779 1,779 1,779 1,779 기타유동부채 12,297 9,934 9,934 9,934 9,934 부채총계 64,59 62,335 64,876 68,25 72,29 지배지분 144, , , ,899 22,18 자본금 자본잉여금 4,44 4,44 4,44 4,44 4,44 이익잉여금 148,6 169,53 188,467 29, ,58 기타자본변동 -9,459-12,649-14,643-16,636-18,63 비지배지분 5,573 5,96 6,199 6,515 6,878 자본총계 15,16 168,88 185,324 24, ,59 Valuation Indicator 12월 결산 (원, 배) 213A 214A 215F 216F 217F EPS 173,6 133,29 124,79 135,4 155,74 PER BPS 848,99 953,26 1,52, 1,163, 1,294,1 PBR EBITDAPS 312,87 253,2 271,17 288,8 312,41 EV/EBITDA SPS 1,344, 1,212, 1,147, 1,156, 1,164,3 PSR CFPS 319,4 268,72 271,68 29,6 315,16 DPS 14,3 2, 2, 2, 2, Financial Ratio 12월 결산 (%) 213A 214A 215F 216F 217F 성장성 매출액 증가율 영업이익 증가율 순이익 증가율 수익성 ROIC ROA ROE 안정성 부채비율 순차입금비율 이자보상배율

34 SK하이닉스 SK하이닉스 (66) 성장에 대한 가시성과 안정성이 높아졌다 Analyst 이관수 2) 투자의견 BUY (신규) 목표주가 6,원 현재주가 (7월1일) 4,85원 Upside 46.9% KOSPI pt 시가총액(보통주) 29,739 십억원 발행주식수 728,2 천주 액면가 5, 원 자본금 3,658 십억원 6일 평균거래량 3,5 천주 6일 평균거래대금 136,824 백만원 외국인 지분율 51.9% 52주 최고가 51,5원 52주 최저가 4,75원 주요 대주주 SK텔레콤 외 4인 2.77% 국민연금공단 9.65% DRAM 안정적 성장기, NAND 경쟁력 강화 n DRAM 산업은 과점체제하에서 안정적인 성장이 예상된다. 215년 DRAM 수요는 22.5% 증가할 것으로 예상된다. 과거에 비해 낮은 수준의 성장이지만 공급 역시 25.4%로 수요 증가에 맞추어 증가하면서 타이트한 수급과 안정적인 시황은 지속될 것 으로 전망된다. n SK하이닉스는 성숙기에 있는 DRAM 시장 대비, 성장기에 있는 NAND 시장에서의 경 쟁력이 낮다는 점이 약점으로 지적되어왔다. 그런데 215년부터 TLC(Triple Level Cell) NAND의 양산이 시작되고, 216년부터는 3D NAND 의 생산이 본격화될 것으로 보인다. 이에 따라서 NAND 시장의 성장을 주도할 SSD에 대응 가능한 경쟁력을 갖추 게 됨으로써 동사에 대한 할인 요인은 해소될 수 있을 것으로 판단된다. 실적 성장세 지속 n 215년 SK하이닉스의 실적은 매출액 19.4조원(+13.% YoY), 영업이익 6.1조원 (+19.6% YoY)을 기록할 것으로 예상된다. 2분기는 매출액 4.7조원(-2.5% QoQ, +19.8% YoY), 영업이익 1.4조원(-11.3% QoQ, +3.% YoY)이 예상된다. n 동사는 215년에 DRAM에 사용되는 주력 생산라인인 M1라인을 신규로 건설된 M14 라인으로 재배치하면서 일시적으로 Capa 감소가 나타날 수 밖에 없을 것으로 보인다. 그러나 25nm 및 2nm로의 공정 전환이 이루어 지면서 수익성은 향상될 것으로 예상 된다. 그리고 NAND의 경우 2분기말부터 16나노 공정이 적용된 TLC 제품 양산이 시 작되면서 연간 실적 기준으로 소폭의 흑자전환이 이루어질 전망이다. 주가추이 및 상대강도 (%) 절대수익률 상대수익률 1M M M 주가차트 (원) 6, 5, 4, 3, 2, 1, SK하이닉스 Relative to KOSPI (pt) 목표주가 6,원, 투자의견 BUY 신규 제시 n 목표주가는 214년 추정 BPS 31,237원에 적정 PBR 2.배 적용했다. n 동사의 주가는 215년 예상 BPS의 1.29배 수준으로 역사적 저점 수준에 머물러 있 다. PC DRAM 가격 하락에 대한 우려, NAND의 경쟁력에 대한 의구심이 주가에 영향 을 미친 것으로 파악된다. 그러나 하반기 모바일 DRAM을 중심으로 업황이 개선될 것 으로 보이고, NAND에서의 경쟁력 강화가 이루어지고 있어서 주가 상승 가능성은 충 분하다고 판단된다. Financial Data 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 매출액 14,165 17,126 19,35 2,118 2,959 영업이익 3,38 5,19 6,11 6,632 7,42 세전이익 3,75 5,48 5,986 6,67 7,141 순이익 2,873 4,195 4,975 5,491 5,935 Net debt 1, ,94-11,771-21,497 BPS(원) 18,399 24,775 31,237 38,49 46,189 EPS(원) 4,99 5,842 6,835 7,544 8,153 PER(H/L) (배) 9.2/5.8 9./ PBR(H/L) (배) 2./ / EV/EBITDA(H/L) (배) 4.3/ / ROE (%)

35 SK하이닉스 Valuation SK하이닉스에 대해서 목표주가 6,원과 투자의견 BUY를 신규로 제시한다. 목표주 가는 215년 예상 BPS 31,237원에 과거 5년 평균 PBR을 적용하여 산출했다. 목표주 가는 현재 주가대비 46.9%의 상승여력을 보유하고 있다. 동사의 주력 사업인 DRAM 산업을 바라볼 때에는 다양한 관점이 있을 수 있다. 전방 수 요 성장의 둔화에 따라 예전에 비해 성장의 측면에서는 매력이 감소했다고 볼 수도 있다. 현재 주가는 이러한 부정적인 시각들이 반영이 되어 Valuation 측면에서 저점 수준으로 내려온 상태이다. 그러나 과점 체제하의 DRAM 시장에서 업황을 조절해가며 안정적인 이익을 창출할 수 있는 능력은 과거에 비해서 높아진 상태이다. 그리고 하반기는 모바일 수요 등에 힘입어 업황도 개선될 것으로 예상된다. 또한 약점으로 지적되어왔던 NAND 산업에서의 경쟁력 강화도 이루어지고 있다. 따라서 상승 가능성이 충분하다고 판단되어 투자의견 BUY를 제시한다. 표1 목표주가 산출 내역 항목 산출내역 비고 BPS (원) 31, 년 예상 BPS 적정 PBR(배) 평균 PBR 적정주가 (원) 6,956 목표주가 (원) 6, 현재주가 (원) 4, 종가 기준 상승여력 (%) 46.9% 그림1 PER Band (원) 주가 9.2X 8.4X 7, 6, 7.5X 6.7X 5.9X 5, 4, 3, 2, 1, 그림2 PBR Band (원) 주가 2.8X 2.4X 14, 12, 2.X 1.6X 1.2X 1, 8, 6, 4, 2,

36 SK하이닉스 표2 분기별 실적 (십억원, %) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15E 3Q15E 4Q15E E 216E 매출액 3,743 3,923 4,312 5,148 4,818 4,698 4,84 4,994 17,126 19,35 2,118 QoQ YoY DRAM 2,979 3,53 3,27 3,98 3,615 3,446 3,517 3,662 13,21 14,24 14,73 NAND ,111 1,92 1,136 1,192 1,29 3,45 4,629 4,87 매출비중 DRAM NAND 영업이익 1,57 1,84 1,31 1,667 1,589 1,49 1,58 1,64 5,11 6,11 6,632 QoQ YoY DRAM 1,62 1,16 1,296 1,614 1,581 1,399 1,469 1,447 5,132 5,897 5,882 NAND 영업이익률 DRAM NAND 표3 주요 가정 (백만개, USD, %) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15E 3Q15E 4Q15E E 216E DRAM 출하량 2,952 3,325 3,569 4,191 3,976 4,114 4,346 4,693 14,36 17,129 2,69 QoQ,YoY ASP QoQ,YoY NAND 출하량 ,169 1,167 1,297 1,424 1,547 3,227 5,435 6,957 QoQ,YoY ASP QoQ,YoY

37 SK하이닉스 Income Statement 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 매출액 14,165 17,126 19,35 2,118 2,959 매출원가 8,865 9,462 1,429 1,489 1,795 매출총이익 5,31 7,664 8,92 9,628 1,164 매출총이익률(%) 판관비 1,921 2,554 2,81 2,996 3,123 영업이익 3,38 5,19 6,11 6,632 7,42 영업이익률(%) EBITDA 6,458 8,553 9,852 1,849 11,316 EBITDA Margin 영업외손익 관계기업손익 금융수익 금융비용 기타 법인세비용차감전순손익 3,75 5,48 5,986 6,67 7,141 법인세비용 ,11 1,116 1,26 계속사업순손익 2,873 4,195 4,975 5,491 5,935 중단사업순손익 당기순이익 2,873 4,195 4,975 5,491 5,935 당기순이익률(%) 지배지분순이익 2,872 4,195 4,976 5,492 5,936 비지배지분순이익 매도가능금융자산평가 기타포괄이익 포괄순이익 2,895 4,143 4,923 5,439 5,883 지배지분포괄이익 2,895 4,143 4,923 5,439 5,882 비지배지분포괄이익 주: K-IFRS 회계기준 개정으로 기존의 기타영업수익/비용 항목은 제외됨 Cashflow Statement 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 영업활동 현금흐름 6,372 5,867 9,674 12,22 14,169 당기순이익 2,873 4,195 4,975 5,491 5,935 비현금항목의 가감 3,717 4,768 4,665 5,147 5,17 감가상각비 2,922 3,27 3,567 4,91 4,183 외환손익 ,25-1,25-1,25 지분법평가손익 기타 895 1,682 2,99 2,58 1,988 자산부채의 증감 -69-2,657 1,18 2,664 4,111 기타현금흐름 ,11-1,116-1,26 투자활동 현금흐름 -4,892-6,88-7,868-7,879-9,183 투자자산 유형자산 -3,19-4,62-5,32-4,4-4,3 기타 -1,62-1,552-2,548-3,479-4,883 재무활동 현금흐름 -1, 단기차입금 단기사채 장기차입금 -1,5 28 사채 현금배당 기타 현금의 증감 ,375 4,91 5,555 기초 현금 ,811 7,721 기말 현금 ,811 7,721 13,276 NOPLAT 3,337 4,176 5,78 5,512 5,852 FCF 3, ,68 7,993 9,937 Balance Sheet 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 비유동자산 14,144 16,52 18,121 18,328 18,376 유형자산 12,13 14,9 15,843 16,152 16,269 관계기업투자금 기타금융자산 기타비유동자산 1,899 2,325 2,151 2,24 1,933 유동자산 6,653 1,364 15,539 24,45 35,767 현금및현금성자산 ,811 7,721 13,276 매출채권 및 기타채권 2,263 4,611 5,36 6,98 7,994 재고자산 1,178 1,498 1,692 1,759 1,833 기타유동자산 2,58 3,818 5,676 8,467 12,664 자산총계 2,797 26,883 33,66 42,373 54,143 비유동부채 4,652 3,82 3,82 3,82 3,82 사채 1,95 1,157 1,157 1,157 1,157 장기차입금 1,73 1,263 1,263 1,263 1,263 기타비유동부채 유동부채 3,78 5,765 7,838 11,331 17,437 매입채무 및 기타채무 2,136 3,398 5,47 8,963 15,69 단기차입금 유동성채무 732 1,21 1,21 1,21 1,21 기타유동부채 부채총계 7,73 8,847 1,919 14,412 2,519 지배지분 13,67 18,36 22,741 27,962 33,626 자본금 3,569 3,658 3,658 3,658 3,658 자본잉여금 3,46 4,144 4,144 4,144 4,144 이익잉여금 6,21 1,277 15,34 2,37 26,23 기타자본변동 비지배지분 -1-1 자본총계 13,67 18,36 22,74 27,961 33,625 Valuation Indicator 12월 결산 (원, 배) 213A 214A 215F 216F 217F EPS 4,99 5,842 6,835 7,544 8,153 PER BPS 18,399 24,775 31,237 38,49 46,189 PBR EBITDAPS 9,215 11,911 13,532 14,93 15,544 EV/EBITDA SPS 2,212 23,848 26,579 27,634 28,789 PSR CFPS 9,44 12,481 13,242 14,613 15,254 DPS Financial Ratio 12월 결산 (%) 211A 212A 213F 214F 215F 성장성 매출액 증가율 영업이익 증가율 -1, 순이익 증가율 -1, 수익성 ROIC ROA ROE 안정성 부채비율 순차입금비율 이자보상배율

38 이오테크닉스 이오테크닉스 (393) 다양한 분야의 성장 동력 보유 Analyst 이관수 2) 투자의견 BUY (신규) 목표주가 14,원 현재주가 (7월1일) 111,5원 Upside 25.6% 다양한 응용처를 보유한 레이저 장비 업체 n 이오테크닉스는 레이저를 이용하여 반도체용 Marking 장비를 주력으로 하며 반도체 외에도 디스플레이, PCB, 태양광 등의 산업에서 3여 고객사를 상대로 Marking, Drilling, Cutting 장비를 생산하고 있다. 전방 산업에서 기존의 방식으로는 대응하기 어려워 레이저 사용이 필요한 수준의 미세 가공 분야가 증가하고 있어 높은 성장 잠재 력을 보유하고 있는 것으로 평가된다 KOSDAQ 73.72pt 시가총액(보통주) 1,368 십억원 발행주식수 12,271 천주 액면가 5 원 자본금 6 십억원 6일 평균거래량 28 천주 6일 평균거래대금 21,421 백만원 외국인 지분율 12.5% 52주 최고가 151,원 52주 최저가 63,원 주요 대주주 성규동 외 11인 31.64% 쿼드자산운용 6.37% 레이저 적용 공정 확대로 중장기 성장 동력 확보 n 215년 연간 실적은 매출액 3,851억원(+27.6% YoY), 영업이익 872억원(+53.8% YoY)을 기록할 것으로 예상된다. 2분기는 매출액 636억원(+5.1% QoQ, -27.3% YoY), 영업이익 81억원(+13.4% QoQ, -57.6% YoY)의 실적이 전망된다. n 주력 장비인 반도체 Marking 장비의 고객사인 주요 글로벌 반도체 후공정 업체들의 투자 규모가 축소되면서 상반기 매출은 전년대비 22.8% 감소할 것으로 예상된다. 반 면에 하반기에는 신규 장비의 매출에 힘입어 전년대비 85.1%의 매출 증가가 전망된 다. n 신규 장비 중에서 주목하고 있는 반도체 Anealing 장비는 부분적으로 열처리가 가능 하다는 특징을 가지고 있다. 기존에 사용되었던 RTP 장비는 웨이퍼 전체적으로만 가 공이 가능하여 불필요한 영역까지 가공이 이루어지는 단점이 있었다. 그런데 레이저를 열처리에 이용하면 이를 해결할 수 있어 반도체 미세화에 따라 도입 증가가 지속될 것 으로 예상된다. 주가추이 및 상대강도 (%) 절대수익률 상대수익률 1M M M 목표주가 14,원, 투자의견 BUY 신규 개시 n 목표주가는 12개월 예상 EPS 6,835원에 PER 2.5배 적용 n 국내 장비업체 중에서 동사에 적용되는 Valuation 수준은 높은 편이지만, 레이저에 대 한 기술력을 바탕으로 다양한 산업에서 성장 동력을 확보하고 있기 때문에 투자 매력 은 충분하다고 판단된다. 주가차트 (원) 이오테크닉스 16, Relative to KOSDAQ 14, 12, 1, 8, 6, 4, 2, (pt) Financial Data 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 매출액 영업이익 세전이익 순이익 Net debt BPS(원) 19,158 22,547 27,464 36,3 49,63 EPS(원) 2,785 3,423 5,28 8,641 13,61 PER(H/L) (배) 17./ / PBR(H/L) (배) 2.5/ / EV/EBITDA(H/L) (배) 11.1/ / ROE (%)

39 이오테크닉스 표1 목표주가 산출 항목 산출 내역 비고 EPS(원) 6,835 12개월 Forward EPS 적정 PER(배) 2.5 최근 4년 평균 PER 적정주가(원) 14,6 목표주가(원) 14, 현재주가(원) 111,5 7월 1일 종가 기준 상승여력(%) 25.6% 표2 분기별 실적 (억원, %) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15E 3Q15E 4Q15E E 216E 매출액 ,165 1,446 3,18 3,851 5,493 QoQ YoY 영업이익 ,38 % QoQ YoY 당기순이익 ,151 % 그림1 매출액 및 성장률 그림2 영업이익 및 영업이익률 (억원) 6, 5, 4, 매출액(좌) YoY(우) 6% 45% 3% (억원) 1,6 1,4 1,2 1, 영업이익(좌) 영업이익률(우) 3% 25% 2% 3, 2, 1, 15% % -15% % 1% 5% '11 '12 '13 '14 '15E '16E -3% '11 '12 '13 '14 '15E '16E % 39

40 이오테크닉스 Income Statement 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 매출액 매출원가 매출총이익 매출총이익률(%) 판관비 영업이익 영업이익률(%) EBITDA EBITDA Margin 영업외손익 관계기업손익 금융수익 금융비용 기타 법인세비용차감전순손익 법인세비용 계속사업순손익 중단사업순손익 당기순이익 당기순이익률(%) 지배지분순이익 비지배지분순이익 매도가능금융자산평가 기타포괄이익 -1 포괄순이익 지배지분포괄이익 비지배지분포괄이익 주: K-IFRS 회계기준 개정으로 기존의 기타영업수익/비용 항목은 제외됨 Balance Sheet 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 비유동자산 유형자산 관계기업투자금 기타금융자산 기타비유동자산 유동자산 현금및현금성자산 매출채권 및 기타채권 재고자산 기타유동자산 자산총계 비유동부채 사채 장기차입금 기타비유동부채 유동부채 매입채무 및 기타채무 단기차입금 유동성채무 기타유동부채 부채총계 지배지분 자본금 자본잉여금 이익잉여금 기타자본변동 비지배지분 자본총계 Cashflow Statement 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 영업활동 현금흐름 당기순이익 비현금항목의 가감 감가상각비 외환손익 지분법평가손익 기타 자산부채의 증감 기타현금흐름 투자활동 현금흐름 투자자산 2 유형자산 기타 재무활동 현금흐름 단기차입금 단기사채 장기차입금 사채 현금배당 기타 현금의 증감 기초 현금 기말 현금 NOPLAT FCF Valuation Indicator 12월 결산 (원, 배) 213A 214A 215F 216F 217F EPS 2,785 3,423 5,28 8,641 13,61 PER BPS 19,158 22,547 27,464 36,3 49,63 PBR EBITDAPS 4,816 6,27 8,364 12,46 17,919 EV/EBITDA SPS 18,981 24,668 31,385 44,755 59,73 PSR CFPS 5,129 6,138 8,6 12,456 17,969 DPS Financial Ratio 12월 결산 (%) 213A 214A 215F 216F 217F 성장성 매출액 증가율 영업이익 증가율 순이익 증가율 수익성 ROIC ROA ROE 안정성 부채비율 순차입금비율 이자보상배율

41 테스 테스 (9561) Analyst 이관수 2) 성장성이 뚜렷한 장비 업체 투자의견 BUY (신규) 목표주가 25,원 현재주가 (7월1일) 16,55원 Upside 51.1% KOSDAQ 73.72pt 시가총액(보통주) 17 십억원 발행주식수 1,288 천주 액면가 5 원 자본금 5 십억원 6일 평균거래량 329 천주 6일 평균거래대금 6,35 백만원 외국인 지분율 17.9% 52주 최고가 22,4원 52주 최저가 13,15원 주요 대주주 주숭일 외 11인 31.73% 국민연금공단 11.8% 주가추이 및 상대강도 (%) 절대수익률 상대수익률 1M M M DRAM 공정 미세화, 3D NAND 적층에 필수 장비 업체 n 테스는 반도체 증착 장비를 주력으로 하는 업체로 주요 제품으로는 PECVD, LPCVD, Gas Etcher를 보유하고 있다. 주요 고객사는 삼성전자와 SK하이닉스이며 DRAM과 3D NAND 공정에 동사의 장비가 사용되고 있다. 단기적 변화에도 중장기 성장성은 뚜렷하다 n 215년 연간 매출액 1,284억원(+17.% YoY), 영업이익 212억원(+29.8% YoY)을 기록할 것으로 예상된다. 삼성전자는 215년 하반기부터 48단 NAND를 양산할 계획 이며, SK하이닉스는 216년부터 3D NAND의 생산을 본격화 할 것으로 예상된다. n 멀티 패터닝에 의한 DRAM 공정 미세화가 진행될수록 증착 공정수가 증가하며, 3D NAND는 24, 36, 48단 등으로 적층 수가 늘어나고 있다. 계획이 일부 변동이 되면 단 기 실적에는 영향이 있겠지만, 공정 미세화 및 적층 증가는 DRAM과 3D NAND 기술 의 기본적 방향이므로 동사 장비에 대한 수요 증가는 꾸준히 지속될 전망이다. 미행사 신주인수권부사채 92억원 보유 n 동사는 213년 15억원 규모의 BW를 발행했다. 215년 7월 24일 이후부터 채권자들 의 조기상환 청구가 가능한데, 215년 1분기 분기보고서 기준으로 금융자산을 포함한 동사의 현금은 524억원 규모이다. n 신주인수권의 행사가액은 8,43원이며 미행사 신주인수증권 잔액은 92억원, 행사가능 주식수는 1,91,34주이다. BW 발행 직후 권면총액 9억원 규모의 신주인수권이 최 대주주 및 특수관계인에게 매각되어 현재 미행사된 신주인수권의 대부분은 최대주주 측이 보유한 것으로 파악된다. 목표주가 25,원 투자의견 BUY 신규 제시 n 목표주가는 12개월 예상 EPS 2,163원에 적정 PER 12.배 적용 주가차트 (원) 테스 25, Relative to KOSDAQ 2, 15, 1, 5, (pt) Financial Data 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 매출액 영업이익 세전이익 순이익 Net debt BPS(원) 6,691 8,171 9,732 12,16 14,723 EPS(원) 519 1,491 1,89 2,517 2,941 PER(H/L) (배) 26.6/ / PBR(H/L) (배) 2.1/.7 2.3/ EV/EBITDA(H/L) (배) 12.5/ / ROE (%)

42 테스 표1 목표주가 산출 내역 항목 산출 내역 비고 EPS(원) 2,163 12개월 Forward EPS 적정 PER(배) 12. 국내반도체장비 평균 적정주가(원) 25,956 목표주가(원) 25, 현재주가(원) 18, 7월 1일 종가 기준 상승여력(%) 표2 분기별 실적 전망 (억원, %) 1Q14 2Q14 3Q14 4Q14 1Q15 2Q15E 3Q15E 4Q15E E 216E 매출액 ,97 1,284 1,462 QoQ YoY 영업이익 % QoQ 적전 흑전 YoY 흑전 1,685.1 적전 흑전 당기순이익 % 그림1 매출액 및 성장률 그림2 영업이익 및 영업이익률 (억원) 1,75 1,5 1,25 1, 매출액(좌) YoY(우) 8% 6% 4% 2% % (억원) 영업이익(좌) 영업이익률(우) 25% 2% 15% 1% 5% '11 '12 '13 '14 '15E '16E -2% '11 '12 '13 '14 '15E '16E % 42

43 Income Statement 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 매출액 매출원가 매출총이익 매출총이익률(%) 판관비 영업이익 영업이익률(%) EBITDA EBITDA Margin 영업외손익 관계기업손익 -1-1 금융수익 금융비용 기타 법인세비용차감전순손익 법인세비용 계속사업순손익 중단사업순손익 당기순이익 당기순이익률(%) 지배지분순이익 비지배지분순이익 매도가능금융자산평가 기타포괄이익 포괄순이익 지배지분포괄이익 비지배지분포괄이익 주: K-IFRS 회계기준 개정으로 기존의 기타영업수익/비용 항목은 제외됨 Cashflow Statement 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 영업활동 현금흐름 당기순이익 비현금항목의 가감 감가상각비 외환손익 지분법평가손익 -1-1 기타 자산부채의 증감 기타현금흐름 투자활동 현금흐름 투자자산 -7 2 유형자산 기타 재무활동 현금흐름 6 3 단기차입금 -11 단기사채 장기차입금 사채 15 현금배당 기타 2 3 현금의 증감 기초 현금 기말 현금 NOPLAT FCF Balance Sheet 12월 결산 (십억원) 213A 214A 215F 216F 217F 비유동자산 유형자산 관계기업투자금 기타금융자산 2 기타비유동자산 유동자산 현금및현금성자산 매출채권 및 기타채권 재고자산 기타유동자산 자산총계 비유동부채 사채 13 장기차입금 기타비유동부채 유동부채 매입채무 및 기타채무 단기차입금 유동성채무 기타유동부채 부채총계 지배지분 자본금 자본잉여금 이익잉여금 기타자본변동 -1-2 비지배지분 자본총계 Valuation Indicator 12월 결산 (원, 배) 213A 214A 215F 216F 217F EPS 519 1,491 1,89 2,517 2,941 PER BPS 6,691 8,171 9,732 12,16 14,723 PBR EBITDAPS 1,32 2,88 2,456 3,91 3,346 EV/EBITDA SPS 6,985 11,14 12,49 14,21 15,911 PSR CFPS 1,287 2,141 2,36 2,941 3,196 DPS Financial Ratio 12월 결산 (%) 213A 214A 215F 216F 217F 성장성 매출액 증가율 영업이익 증가율 순이익 증가율 수익성 ROIC ROA ROE 안정성 부채비율 순차입금비율 이자보상배율