Jurnal f the Krean Ceramic Sciety Vl. 8, N. 1, pp. 86~93, 211. DOI:1.191/KCERS.211.8.1.86 Hydrthermal Synthesis f Red-Emitting Y(V :Eu Nanphsphrs and their Applicatin t Transparent Plasma Display Fabricatin W-Seuk Sng and Heesun Yang Department f Materials Science and Engineering, Hngik University, Seul 121-91, Krea (Received August 18, 21; Accepted Octber 18, 21) Ÿ Y(V :Eu ù xÿ w n v v Á y w œw (21 8 18 ; 21 1 18 ) ABSTRACT Transparent plasma display can be realized by develping the synthetic chemistry f apprpriate nanphsphrs and generating nanphsphr-based transparent luminescent layers. Fr this gal, red-emitting Y(V, P :Eu nanphsphrs were synthesized by a facile hydrthermal rute at 2 C fr 8 h and the resulting nanphsphrs were subsequently annealed at 8 C at an ambient atmsphere. The crystallgraphic structure, mrphlgy, and emissin prperty f the as-synthesized and annealed nanphsphrs were cmpared. Chsing 2-methxyethanl as a dispersin medium and applying a standard snicatin, well-dispersed nanphsphr slutins culd be prepared. Using these dispersins, visible transparent nanphsphr layers were spin-depsited n glass substrates. By cmbining Y(V, P :Eu nanphsphr layer/glass substrate as a rear plate with a frnt plate used in a cnventinal plasma display panels (PDPs), mini-sized transparent red-emitting PDPs were cnstructed. Transmittance and luminance prperties f tw transparent test panels using as-synthesized versus 8 C-annealed nanphsphrs were characterized and cmpared. Key wrds : Y(V :Eu, Nanphsphrs, Hydrthermal, Transparent, Plasma display panels 1. n v (transparent display) s n w k w v t y ƒ w e w, v v 3D v ƒ š v. n v w ZnO TiO 2 n y y d(active layer) w n p l (TFT, thin film transistr) w. 1-3) n TFT» Ÿ (OLED, rganic light-emitting dide) v w n x OLED v x, š n v OLED» v w.,), v v (PDP, plasma Crrespnding authr : Heesun Yang E-mail : hyang@hngik.ac.kr Tel : +82-2-32-339 Fax : +82-2-336-6281 display panel) š w OLED šn y ƒ ƒ w v. PDPƒ n w w xÿ d. p xÿ d j l j» xÿ mw x» ƒ Ÿ ƒvw. xÿ n w» w wù ù j» ù xÿ w w œ mw n xÿ w. xÿ j», x w Ÿ z. š w j xÿ 6,) ~2 µm j» ƒ (quantum yield) ƒ w, ù xÿ (nanphsphr) t w û Ÿz ùkü. ù xÿ z w 6,8) w j» j» s ù xÿ w» w w w, t - (sl-gel), 9,1) w (slutin cmbustin), 11) œe (c-precipitatin), 12) 86
Ÿ Y(V :Eu ù xÿ w n v v 8 w (hydrthermal), 13) w (slvthermal) 1,1). w (milling) w (calcinatin) û (1~3 C) w ƒ w, œ w ww p. w, j» x ƒ, ph, y ƒ mw w ƒ š. 6,13) Yttrium vanadate(yvo ) yttrium phsphate(ypo ) m w w Ÿ rp xw ww (hst lattice). 9,16) YVO :Eu» 3- VO Eu y (activatr in) z w (UV)» mw w» cathde ray tube(crt) š v xÿ y. 9,1) YVO : 3- Eu yw š Ÿ p VO 3- PO w» Y(V 1-x,P x :Eu YVO : Eu ù Ÿ p xÿ ƒ š. 9,16,18) w, œ (VUV, vacuum ultravilet)» w YPO YVO w p ùký, YPO ü VO 3- w VO 3-ƒ (energy transfer) ƒ (bridge) w w», Y(V 1-x,P x : Eu PDP xÿ w z š. 19) Yu - mw ù Y(V x,p 1-x ) O :Eu w, V P w Ÿ Ÿ (decay time) y šw. 2) w w 2 nm w s³ j» Ÿ Y(V :Eu ù xÿ w w, w ù xÿ Ÿ Ÿ(phtluminescence, PL) p w. ù xÿ 2-methxyethanl g vgq ww w»q n ù xÿ x k z, w n v v w Ÿ p w. 2. x Y(V :Eu ù xÿ w w, Y(NO 3 ) 3 6H 2 O, Eu(NO 3 ) 3 H 2 O, Na 3 VO, Na 3 PO w ƒ ƒƒ e w., Y(NO 3 ) 3 6H 2 O (9. mml), Eu(NO 3 ) 3 H 2 O(.6 mml) 2 ml 3 w k, Na 3 VO (. mml) Na 3 PO (. mml) yw z ƒ 3 g. yw» ml autclavable Tefln vessel š ww. Autclave vessel ü 2 C, 8 š w Eu y gƒ ù xÿ w. w Y(V :Eu ù xÿ e k z m w» rpm 1 w z, 9 C 1 g. xÿ Ÿ p w w w ù xÿ œ»» 8 C 2 z w. Y(V :Eu ù xÿ w» w g w ù xÿ 1 ml 2-methxyethanl snicatin mw g. n ù xÿ d 6cm 6cm j»»q vgq(3 rpm, 6 ) mw 2. cm 2. cm ƒ. (ac, alternating current) -PDP mini-sized n PDP test panel. Test panel q(frnt plate)» PDP q w ƒ,»q, (ITO/bus ), d, MgO d.» q ù xÿ ƒ gq»q(wq, rear plate) 1 µm š w z, Trr Ne-2% Xe yw». test panel x pulsed ac pwer supply mw 3 khz q 28 V w. w ù xÿ j» w» w X- z»(philips APD 32) w. ù xÿ j» x k w» w x (SEM, Hitachi S- 3) w. ù xÿ»(excitatin) Ÿ(emissin) p W Xe lamp Ÿ w spectrflurmeter (Jbin Yvn Inc., Flurlg 3) w w. n ù xÿ n d w» w UV-visible spectrscpy(shimadzu, UV-2) w, n test panel» w Ÿ p spectrradimeter(cs-1, Minlta) m w d. 3. š Fig. 1 w w 2 C 8 g Y (V :Eu ù xÿ 8 C w ù xÿ X- z. ù xÿ z vj (tetragnal structure) I 1 /amd œ (space grup) YPO (JCPDS 8-33) YVO (JCPDS 1-31) 2θ ƒ. V + (.9 nm) 8«1y(211)
송우석 양희선 88 Fig. 2. SEM micrgraphs f (a) as-synthesized and (b) 8 Cannealed Y (V,P )O :Eu nanphsphrs with average diameters f ~1 and ~21 nm, respectively. Fig. 1. XRD patterns f (a) as-synthesized and (b) 8 Cannealed Y (V,P )O :Eu nanphsphrs, cnsistent with tetragnal crystal structure. P (.3 nm) 보다 더 크기 때문에 (Y Eu )(V,P )O (x=-1)의 경우 x값이 에서 1까지 증가함에 따라 더 큰 2θ 값을 갖게 된다. 입자들의 평균 크기는 DebyeScherrer s equatin인 =.9λ/ csθ를 통해 구할 수 있다. 여기서 는 평균 입자 직경이고, λ는 Cu α 파장 (.1 nm)이며, 는 반폭값(FWHM, full-width-at-halfmaximum, radians)이며, θ는 회절각이다. 가장 높은 강도 값을 가지는 (2) 면에 해당되는 2θ=2.33 를 나노형광 체의 평균 크기를 계산하는데 사용되었다. 수열반응으로 + 1-x x 16) D B D K B 제조한 나노형광체와 열처리한 나노형광체의 평균 입자 크기는 각각 ~11.6와 ~16.2 nm로 계산되었으며, 이와 같은 계산 결과는 아래 SEM 사진을 통해 관찰된 입자의 평균 크기와 유사함을 확인할 수 있다. 또한 8 C로 열처리한 경우 수열 합성된 나노형광체보다 좁은 반폭값을 가지는 데, 이는 열처리를 통해 입자 성장이 발생한 동시에 결정 Fig. 2(a)의 화도(crystallinity)가 증가했기 때문이다. SEM 사진에서와 같이 수열반응으로 합성된 나노형광체 는 균일한 입자 분포를 가지면서 약 1 nm의 크기의 구 형입자로 구성되어 있음을 확인할 수 있다. Fig. 2(b)는 열 처리한 나노형광체의 SEM 사진이며, 입자 평균 크기는 약 21 nm로 측정되었으며, 열처리하기 전 보다 입자 크기 가 약간 증가한 동시에 입자 간 응집을 관찰할 수 있었다. Fig. 3(a)는 수열반응으로 합성된 나노형광체의 여기 및 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다. 여기 스펙트럼은 2~ 36 nm의 범위에서 넓은 밴드를 형성하는데, 이는 VO 의 산소 리간드(O )에서 중심의 V 이온으로의 전하 이 동(charge transfer)과 Eu 와 O 사이의 전하 이동에 기인 한 것이다. 하지만, F - L (39 nm), F - D (6 nm)과 같 이 더 긴 파장대에서 나타나는 피크들은 Eu 바닥 상태 에서 f 의 더 높은 에너지 준위로의 직접적인 f-f 전이에 1,21,22) 3-2- + 2-6 2 6 한국세라믹학회지 Fig. 3. (a) PL excitatin and emissin spectra f as-synthesized Y (V,P )O :Eu nanphsphrs and variatin f PL emissin intensity with Eu cncentratin, and (b) cmparisn f PL emissin intensity f as-synthesized versus 8 C-annealed nanphsphrs. 의한 것이다. 6,8,12,1,2) 3 nm 여기 파장 하에서 발광 스
적색발광 Y(V,P )O :Eu 나노형광체의 수열 합성 및 투명 플라즈마 디스플레이 소자 제작으로의 응용 Fig.. 89 Phtgraphs shwing highly transparent layers spin-depsited (3 rpm, 6 s) n glass substrates using (a,b) as-synthesized and (c,d) 8 C-annealed Y (V,P )O : Eu nanphsphrs. (a,c) See-thrugh images under rm light and (b,d) red-emitting images under UV (2 nm) irradiatin. 펙트럼은 3가의 Eu 이온들로부터 다중선 전이(mutiplet transitins)인 D - F (J=1,2,3,) 전이에 의해 일어나게 된 다. 일반적으로, YVO :Eu 형광체의 경우에서는 electricdiple이 허용된 전이인 D - F (618 nm) 및 D - F (69 nm) 는 magnetic-diple이 허용된 전이인 D - F (93 nm) 및 D - F (68 nm) 보다 상대적으로 더 강한 발광 피크를 갖 는다. 그 이유는 Eu 이온들이 inversin center 이외의 자 리에 위치하게 되면 electric-diple 전이인 D - F 이 허 용될 수 있기 때문이다. Eu 이온의 농도(x=.3-.12) 에 따른 Y (V,P )O :Eu 나노형광체의 발광 강도 변 화를 Fig. 3(a)에 나타내었다. D - F 전이(618 nm)의 발광 강도는 Y(V,P)O 모체 안에서 Eu 의 농도에 대한 높은 의존도를 보이고 있는데, 발광 강도는 Eu 의 농도가 x=까지 증가함에 따라 증가하다가, 이상의 Eu 농도에서 농도 소광(cncentratin quenching) 효과로 인하 여 발광 강도가 감소하는 경향을 나타내었다. 이러한 농 도 소광은 이웃해 있는 Eu 이온들 사이에서 교환 상호 작용(crss relaxatin)에 의해 발생되는 에너지 이주(energy migratin) 때문이다. Eu 이온의 농도가 낮은 경우에는 J 2 1 3 8,22) 1-x 2, x 2 23) 이온들 간의 평균 거리는 길어짐에 따라 에너지 이주는 어려워져 농도 소광은 거의 일어나지 않는 반면에, 높은 농도에서는 에너지 이주에 의한 비방사 재결합(nnradiative recmbinatin)의 가능성이 증가하게 된다. 수열반응으 로 합성된 나노형광체와 8 C에서 열처리한 나노형광체 의 발광 강도를 Fig. 3(b)에 비교하였다. XRD 패턴과 SEM 사진으로부터 알 수 있듯이 열처리 과정은 나노형 광체의 입자 크기 및 결정화도를 증가시키기 때문에, 이 2,2) 로 인해 열처리된 나노형광체는 수열 합성된 나노형광체 보다 약 1.2배 정도의 다소 우수한 발광 강도를 나타내게 된다. Laser ablatin 등과 같은 진공 증착법을 이용하여 Y O : Eu 와 YVO :Eu 형광체 박막 제조에 대한 보고가 있었 지만, 형광체가 갖는 다성분계의 복잡한 조성으로 인해 원하는 조성을 갖는 형광체 박막 구현에는 많은 난관이 따른다. 이러한 어려움을 극복하고자 나노형광체를 합성 하여 분산액을 제조한 후 저비용의 용액 코팅 공정을 통 해 균일한 나노형광체 박막을 형성시키는 연구가 최근 본 연구팀에 의해서 보고되었다. 본 연구에서는 투명한 적 색 발광층을 형성하기 위하여 나노형광체를 초음파(ultrasnic) 를 통하여 2-methxyethanl에 분산시켰으며, 분산용액에 서의 나노형광체의 농도는 약.23 ml/l이었다. 수열반 응으로 합성된 나노형광체 및 열처리한 나노형광체가 분 산된 용액을 유리 기판 위에 1번 스핀 코팅하여 증착된 나노형광체 막을 Fig. (a,c)에 각각 나타내었다. 이러한 나노형광체 막은 실내 조명 하에서 육안으로 보이지 않 을 정도로 투명한 것을 확인 할 수 있었다. 하지만, UV lamp의 2 nm 자외선을 조사한 경우 Fig. (b,d)에서와 같이 강한 적색 발광을 나타내는 나노형광체 막을 확인 할 수 있다. 유리 기판 위에 1번 코팅하여 증착된 나노형 광체 막들의 가시광 투과도를 측정하기 위해 유리 기판 과 비교한 투과율 스펙트럼들을 Fig. (a)에 나타내었다. 수열반응으로 합성된 나노형광체 막의 투과율은 유리 기 판 대비 nm에서 약 9%의 투과율을 보이는 반면, 열 처리한 나노형광체 막의 투과도는 같은 파장에서 약 68% 2 26 3 2 28) 제 8 권 제 1 호(211)
송우석 양희선 9 Fig.. UV-visible transmittance spectra f (a) bare glass, assynthesized and 8 C-annealed Y (V,P )O : Eu nanphsphr layers depsited n glass substrate, and (b) mini-sized transparent test panels using the rear plates in (a). Fig. 6. (a) Schematic illustratin f a mini-sized transparent PDP cnsisting f the frnt plate (glass substrate/ito electrde/bus electrde/dielectric layer/mgo film) and the rear plate (Y (V,P )O :Eu nanphsphr layer/glass substrate) with a gap f 1 nm between them and (b) phtgraph f the cmpleted test panel with rear plate f 8 C-annealed nanphsphr/glass. 로 다소 감소한 것을 볼 수 있다. 이는 XRD 패턴과 SEM 사진에서 볼 수 있듯이, 열처리 과정을 통해 나노 형광체 의 입자 크기가 증가하였고, 입자 간 응집 현상이 나타나 기 때문이라 사료된다. 따라서, 열처리된 나노형광체를 가 지고 형성된 형광막은 그 두께가 다소 증가했을 뿐 아니 라, 막 균일성 역시 저하되었을 것으로 판단된다. 이와 같 은 이유로 인해 열처리된 나노형광체기반의 형광막에서 는 보다 높은 광 산란이 발생되어 가시광 투과율이 감소 되는 결과를 나타나게 된다. Fig. (b)는 상판과 하판(나 노형광체 막/유리기판)을 결합한 test panel의 광 투과율 스펙트럼을 나타낸 것이다. 상판을 유리 기판만으로 사용 한 test panel은 nm에서 약.3%의 투과율을 보이며, 수열반응으로 합성된 나노형광체와 열처리한 나노형광체 막이 적용된 test panel의 경우에는 같은 파장에서 투과율 이 각각 ~3.9%와 ~28.3%로 감소하였다. 완성된 test 29) 한국세라믹학회지 panel의 모식도를 Fig. 6(a)에 나타내었으며, 또한 Fig. 6(b) 에서와 같이 나노형광체 투명 막이 적용된 test panel의 실 제 사진을 통해 제작된 panel의 가시광에서의 투명성을 확인할 수 있었다. 수열반응으로 합성된 나노형광체와 열처리한 나노형광 체가 적용된 test panel의 기체방전 하에서의 발광 스펙트 럼을 Fig. (a)에 나타내었다. 열처리한 나노형광체로 코 팅된 panel의 휘도(brightness)가 열처리하지 않은 나노형 광체가 코팅된 panel보다 약 2배 증가한 것을 볼 수 있다. 열처리 전과 후의 나노형광체의 경우 PL 발광 강도는 약 1.2배의 차이를 보이는 것을 비교한다면(Fig. 3(b)), 각각 의 나노형광체가 적용된 panel에서의 휘도값은 더 큰 차 이를 나타내고 있다. 열처리로 인한 나노형광체의 입자 성장 및 입자 간 응집현상을 감안한다면, 단지 수열 합성
Ÿ Y(V :Eu ù xÿ w n v v 91 Fig.. (a) Luminance spectra and phtgraphs f test panels with as-synthesized versus 8 C-annealed Y (V : Eu nanphsphr layers. Variatins f luminance f test panels with (b) as-synthesized versus (c) 8 C- annealed nanphsphr layers with cating time. ù xÿ x xÿ w ù xÿ x xÿ xÿ t e»(surface rughness)ƒ ƒw. x Ÿ t e» z (external quantum efficiency) w w e»ƒ ƒw Ÿ ƒw Ÿ (light extractin) z w. ù 3-32) xÿ x xÿ t e» w z ƒw q. Fig. (b) w ù xÿ w panel ù xÿ gq z panel { y ùkü. 1 gq panel { 2 1.8 cd/m ùk ü, gq panel 2 16.2 cd/m ƒ w. ù xÿ ƒ gq 2 ~ cd/m { ùkü» Ne l range-reddish Ÿ» w. gq z ƒ { ƒw VUV»Ÿ n w ¾ ƒ 1~2 nm» xÿ ̃ ƒw { j yƒ., Fig. (c), w ù xÿ w 1 gq panel { 28.2 cd/m 2, gq 6.1 cd/m 2 gq z ƒ ƒw { ƒ x ƒw w. ù xÿ x xÿ, gq xÿ Ì ƒw, t e» ƒ f» š q. w Ÿ Ÿ w { ùkü. w, gq ù xÿ { ƒ j» w, Ì ƒ t Ÿ wì ƒw panel Ÿ n ƒ w w ùkü.. Ÿ Y (V :Eu ù xÿ ƒ w w. ù x Ÿ j» 1 nm š, 8 C w ù xÿ j» 21 nm ƒw, mw Eu Ÿ 1.2 w. n ù xÿ ù xÿ w ù xÿ 2-methxyethanl g»q v gq w x, 1 gq ù xÿ Ÿ n nm ƒƒ 9 68% d. n PDP test panel» PDP q w, ù xÿ ƒ»q wq w test panel w. n test panel Ÿ n w ù xÿ w 3.9%, w ù xÿ w 28.3% ùkü.», n test panel Ÿ ùkü, w ù xÿ ù xÿ ƒ š 1z gq test panel { ƒƒ 1.8 2 28.2 cd/m ùkü. { w ù xÿ mw n xÿ x w t e»ƒ jš, w Ÿ ƒwš Ÿ z w». Acknwledgment v p» v» (F1-21-33) w. 8«1y(211)
92 Á REFERENCES 1. E. Frtunat, A. Pimentel, L. Pereira, G. Lavareda, I. Ferreira, and R. Martins, High Field-Effect Mbility Zinc Oxide Thin Film Transistrs Prduced at Rm Temperature, J. Nn-Cryst. Sl., 338 86-9 (2). 2. B. Y. Oh, M. C. Jeng, M. H. Ham, and J. M. Myung, Effects f the Channel Thickness n the Structural and Electrical Characteristics f Rm-Temperature Fabricated ZnO Thin-Film Transistrs, Semicnd. Sci. Technl., 22 68-12 (2). 3. P. Grrn, M. Sander, J. Meyer, M. Krger, E. Becker, H. Jhannes, W. Kwalsky, and T. Riedl, Twards See- Thrugh Displays: Fully Transparent Thin-Film Transistrs Driving Transparent Organic Light-Emitting Dides, Adv. Mater., 18 38-1 (26).. C. H. Chung, Y. W. K, Y. H. Kim, C. Y. Shn, H. Y. Chu, and J. H. Lee, Imprvement in Perfrmance f Transparent Organic Light-Emitting Dides with Increasing Sputtering Pwer in the Depsitin f Indium Tin Oxide Cathde, Appl. Phys. Lett., 86 93 (2).. G. Gu, V. Bulvic, P. E. Burrws, S. R. Frrest, and M. E. Thmpsn, Transparent Organic Light Emitting Devices, Appl. Phys. Lett., 68 266-8 (1996). 6. Y. H. Wang, Y. Y. Zu, and H. Ga, Luminescence Prperties f Nancrystalline YVO :Eu under UV and VUV Excitatin, Mater. Res. Bull., 1 21-3 (26).. L. P. Li, M. L. Zha, W. M. Tng, X. F. Guan, G. S. Li, and L. S. Yang, Preparatin f Cereal-like YVO :Ln (Ln=Sm, Eu, Tb, Dy) fr High Quantum Efficiency Phtluminescence, Nantechnlgy, 21 1961 (21). 8. Y. H. Zhu and J. Lin, Mrphlgy Cntrl and Luminescence Prperties f YVO :Eu Phsphrs Prepared by Spray Pyrlysis, Opt. Mater., 2 126-32 (2). 9. Z. Y. Hu, P. P. Yang, C. X. Li, L. L. Wang, H. Z. Lian, Z. W. Quan, and J. Lin, Preparatin and Luminescence Prperties f YVO :Ln and Y(V, P :Ln (Ln=Eu, Sm, Dy ) Nanfibers and Micrbelts by Sl-Gel/Electrspinning Prcess, Chem. Mater., 2 6686-96 (28). 1. M. Yu, J. Lin, Z. Wang, J. Fu, S. Wang, H. J. Zhang, and Y. C. Han, Fabricatin, Patterning, and Optical Prperties f Nancrystalline YVO :A (A=Eu, Dy, Sm, Er ) Phsphr Films via Sl-Gel Sft Lithgraphy, Chem. Mater., 1 222-31 (22). 11. S. Ekambaram and K. C. Patil, Rapid Synthesis and Prperties f FeVO, AlVO, YVO and Eu -Dped YVO, J. Ally. Cmpd., 21 1- (199). 12. Y. H. Li and G. Y. Hng, Synthesis and Luminescence Prperties f Nancrystalline YVO :Eu, J. Slid State Chem., 18 6-9 (2). 13. X. C. Wu, Y. R. Ta, C. Y. Sng, C. J. Ma, L. Dng, and J. J. Zhu, Mrphlgical Cntrl and Luminescent Prperties f YVO :Eu Nancrystals, J. Phys. Chem. B, 11 191-96 (26). 1. S. Kawphng, K. Nakashima, V. Petrykin, S. Thngtem, and M. Kakihana, Methanl-Water System fr Slvthermal Synthesis f YVO :Eu with High Phtluminescent Intensity, J. Am. Ceram. Sc., 92 S16-2 (29). 1. A. Huignard, V. Buissette, G. Laurent, T. Gacin, and J. P. Bilt, Synthesis and Characterizatins f YVO :Eu Cllids, Chem. Mater., 1 226-69 (22). 16. H. L. Zhu, H. Yang, D. L. Jin, Z. K. Wang, X. Y. Gu, X. H. Ya, and K. H. Ya, Hydrthermal Synthesis and Phtluminescent Prperties f YV 1-x P x O :Eu (x=-1.) Nanphsphrs, J. Nanpart. Res., 1 119- (28). 1. H. K. Yang, K. S. Shim, B. K. Mn, B. C. Chi, J. H. Jeng, S. S. Yi, and J. H. Kim, Luminescence Characteristic f YVO :Eu Thin Film Phsphrs by Li Dping, Thin Slid Films, 16-81 (28). 18. S. Erdei, L. Kvacs, M. Martini, F. Meinardi, F. W. Ainger, and W. B. White, High Temperature 3-D Thermluminescence Spectra f Eu Activated YVO -YPO Pwder Systems Reacted by Hydrlyzed Cllid Reactin (HCR) Technique, J. Lumin., 68 2-3 (1996). 19. K. S. Shn, I. W. Zen, H. J. Chang, S. K. Lee, and H. D. Park, Cmbinatrial Search fr New Red Phsphrs f High Efficiency at VUV Excitatin Based n the YRO (R = As, Nb, P, V) System, Chem. Mater., 1 21-8 (22). 2. M. Yu, J. Lin, and S. B. Wang, Effects f x and R n the Luminescent Prperties f Eu in Nancrystalline YV x P 1-x O :Eu and RVO :Eu Thin-Film Phsphrs, Appl. Phys. A, 8 33-6 (2). 21. H. P. Zhang, M. K. Lu, Z. L. Xiu, G. J. Zhu, S. F. Wang, Y. Y. Zhu, and S. M. Wang, Influence f Prcessing Cnditins n the Luminescence f YVO :Eu Nanparticles, Mater. Sci. Eng. B, 13 11- (26). 22. R. J. Han, R. Hu, and K. Z. Chen, CTAB-Assisted Precipitatin Synthesis and Phtluminescence Prperties f Olive-Like YVO :Eu Nancrystallites, Opt. Mater., 32 329-33 (29). 23. S. F. Wang, F. Gu, M. K. Lu, C. F. Sng, D. Xu, D. R. Yuan, and S. W. Liu, Phtluminescence f Sl-Gel Derived ZnTiO 3 :Ni 2+ Nancrystals, Chem. Phys. Lett., 33 223-2 (23). 2. W. J. Park, M. K. Jung, T. Masaki, S. J. Im, and D. H. Yn, Characterizatin f YVO :Eu, Sm Red Phsphr Quick Synthesized by Micrwave Rapid Heating Methd, Mater. Sci. Eng. B, 16 9-8 (28). 2. H. P. Zhang, M. Lu, Z. L. Xiu, S. F. Wang, G. J. Zhu, Y. Y. Zhu, S. M. Wang, Z. F. Qiu, and A. Y. Zhang, Synthesis and Phtluminescence Prperties f a New Red Emitting Phsphr: Ca 3 (VO ) 2 :Eu ; Mn 2+, Mater. Res. Bull., 2 11-2 (2). 26. O. Pns-Y-Mll, J. Perriere, E. Milln, R. M. Defurneau, D. Defurneau, B. Vincent, A. Essahlaui, A. Budriua, and W. Seiler, Structural and Optical Prperties f Rare- Earth-Dped Y 2 O 3 Waveguides Grwn by Pulsed-Laser Depsitin, J. Appl. Phys., 92 88-9 (22). 2. W. Y. Kang, J. S. Park, D. K. Kim, and K. S. Suh, Pulsed- Laser Depsitin f YVO :Eu Phsphr Thin-Films fr Lw Temperature Fabricatin, Bull. Kr. Chem. Sc., 22 921-2 (21). 28. W. S. Sng, H. N. Chi, Y. S. Kim, and H. Yang, Frmatin f Green-Emitting LaPO :Ce,Tb Nanphsphr w wz
Ÿ Y(V :Eu ù xÿ w n v v 93 Layer and its Applicatin t Highly Transparent Plasma Displays, J. Mater. Chem., 2 6929-3 (21). 29. R. Kasuya, A. Kawan, T. Isbe, H. Kuma, and J. Katan, Characteristic Optical Prperties f Transparent Clr Cnversin Film Prepared Frm YAG:Ce Nanparticles, Appl. Phys. Lett., 91 111916 (2). 3. K. S. Shn, N. Shin, Y. C. Kim, and Y. R. D, Effect f Crrugated Substrates n Light Extractin Efficiency and the Mechanism f Grwth in Pulsed Laser Depsited Y 2 O 3 :Eu Thin-Film Phsphrs, Appl. Phys. Lett., 8 - (2). 31. K. Y. K, Y. K. Lee, Y. R. D, and Y. D. Huh, Structural Effect f a Tw-Dimensinal SiO 2 Phtnic Crystal Layer n Extractin Efficiency in Sputter-Depsited Y 2 O 3 :Eu Thin-Film Phsphrs, J. Appl. Phys., 12 139 (2). 32. P. Uthirakumar, J. H. Kang, B. D. Ryu, H. G. Kim, H. K. Kim, and C. H. Hng, Nanscale ITO/ZnO Layer-Texturing fr High-Efficiency InGaN/GaN Light Emitting Dides, Mater. Sci. Eng. B, 166 23-3 (21). 8«1y(211)