Investor Relations 2010 삼에스코리아 2010.08.17 (KOSDAQ: 060310) 1/29
3S KOREA (KOSDAQ: 060310) Investor Relations 2010 Contents 1. 회사개요 2. 반도체사업개요 3. 시장전망 4. 실적전망 5. Summary 본자료에서제시한향후전망은미래사안과영업성과에대한당사의현재의견을반영하는것으로, 특정위험이나불확실성으로야기될수있는예상치못한사건으로인해달라질수있습니다 2/29.
Chapter1. 회사소개 - 21 세기첨단반도체기업으로의도약 - 2010, 흑자전환의원년 3/29
1. 회사개요 21 세기첨단반도체기업으로의도약 회사개요 회사명 : 삼에스코리아 대표이사 : 박종익 종업원수 : 60명 ( 10.06.30 기준 ) 소재지 : 서울시금천구시흥1동경기도안성시서운면 설립일 : 1991년 1월 자본금 : 155억원 ( 10.06.30 기준 ) 주요제품 : 칼로리메타, 환경제어시스템, 반도체소자 홈페이지 : www.3sref.com 연혁 주요제품 설립및성장기 [1991~ 2001] 성숙기 [2002~ 2006] 도약기 [2007~ 현재 ] FOSB 웨이퍼캐리어사업 FOUP 2009 2008 Siltron Prime Level 공급 FOSB 생산공장준공 냉동공조사업 2004 중국상해현지법인설립 2002 코스닥시장등록 칼로리메타 환경구현장치 2001 무역의날 3백만불수출의탑수상 1996 칼로리메타중국수출개시 1991 법인설립 ( 세기시스템서프라이어 ) 4/29
1. 회사개요 2010, 흑자전환의원년 흑자전환을실현하다! 2010 년 1 분기흑자실현. 금년매출액 270 억, 순이익 30 억을목표로지속적인기업성장을이룰것. FOSB 개발완료후 2009 년 10 월부터 SILTRON 사를통한 FOSB 납품을시작으로계속적인사업영역확대. 매출현황 ( 단위 : 백만원 ) 18기 19기 20기 19기 1Q 20기 1Q 21기 1Q 매출액 7,722 9,293 10,231 1,320 883 4,834 FOSB - - 3,079 - - 2,560 냉동공조 7,722 9,293 7,152 1,320 883 2,274 매출비교매출액순이익 7,722 9,293 10,231-2,703-3,581-2,834 27,000 3,000 18 기 19 기 20 기 21 기 (E) 매출원가 6,589 7,219 8,320 1,258 843 3,591 매출총이익 1,132 2,073 1,911 62 39 1,243 547.5% 매출증가 매출액 4,834 순이익 영업이익 -2,101-2,100-2,176-948 -943 591 당기순이익 -2,703-3,581-2,834-1,102-1,035 578 883-1,035 578 20 기 1Q 21 기 1Q 5/29
Chapter2. 반도체사업개요 - 반도체웨이퍼캐리어사업 Workflow - FOSB 사업 - FOUP 사업 - 반도체사업진행상황 - 반도체사업추진계획 - 타사개발실패원인및당사성공요인 - 사업성공기회요인의증가 6/29
2. 반도체사업개요 반도체웨이퍼캐리어사업 Workflow 3S - FOSB 제작 ( 양산중 ) - FOUP 제작 ( 개발중 ) FOSB 납품 Wafer Maker - Wafer 생산 - FOSB 박스에 Wafer 담아반도체사납품 Wafer 를 FOSB 에담아납품 FOUP 납품 Chip Maker - Wafer 를공정간이 동시 FOUP 사용 7/29
2. 반도체사업개요 FOSB 사업 (1) 3S, 세계 FOSB 생산 1 위업체로의도약 FOSB 란? 완성된 Wafer 를 Chip 제조공장으로수송시이용되는 Clean 진공박스 1box : 300mm Wafer 25장내장 1회소모성제품 국내최초양산 사업화동기 기존사업성장성둔화 국내제조전무한신시장발견 국내반도체社호의적태도 적극적사원교육 핵심인력확보 기술제휴 FOSB 사업진출성공 신규사업아이템모색중 FOSB에대한기술이전정보획득 세계적반도체기업이국내에있으나국내제조업체가전무한상황 FOSB 국산화에대한국내반도체제조사의호의적태도 - 공급자우선시장, 급격한환율변동에따른비용증가가요인 특허기술이전을통한상대적으로신속한제품생산이가능한여건 8/29
2. 반도체사업개요 FOSB 사업 (2) 3S, 세계 FOSB 생산 1 위업체로의도약 FOSB 시장상황 전세계적으로 4개社만이 FOSB 생산기술을보유 현재국내에는 FOSB 제조업체가전무하여국내반도체제조업체들은이를전량수입하고있음 삼에스코리아는 2009년 10월부터 SILTRON사를통해하이닉스반도체에, 12월부터삼성전자에납품 MIRAIAL, 3S FOSB 비교 MIRAIAL 특징 : 박스내박스장점 : 고정력좋음단점 : - 세정후조립필요해, 불필요한비용발생 - 국내라인적용시, 불량률높음 - 수리기간장기 3S KOREA 특징 : 최신 SEMI 규격만족 장점 : - 단가경쟁력 - 품질우위 - 납기단축 - A/S 대응력 ( 시간단축 ) - 재고관리필요없음 점유율 2009 년 2011 년 ( 예상 ) 1 위 MIRAIAL 제 3 공장가동 : 월 6 만개생산가능 제 2 공장정지 : 월 5 만개생산가능 전체물량중 40% 삼성전자납품중 삼성전자납품프리미엄 3S KOREA 한국 - 일본 - 싱가폴업체위주로공급 2 라인가동 ( 월 36,000 개 ) 삼성 - 하이닉스전량공급 삼성전자납품프리미엄 2 위 SHINETSU 생산중인웨이퍼에담아서판매중 MIRAIAL 일본내업체위주로공급 3 위 ENTEGRIS 월 10,000 개정도생산중 전량 Intel 에서사용 SHINETSU 지속적인생산예상 4 위 3S KOREA 2009 년 10 월부터양산시작 1 라인가동 ( 월 12,000 개 ) ENTEGRIS 비메모리위주공급이기때문에생산량의증가가쉽지않음 9/29
2. 반도체사업개요 FOUP 사업 FOUP 란? 반도체제조사 Fab 내부에서 Chip 제조공정시사용되는공정간이송용기 FOSB에비해물리적제한사항은적으나화학적으로요구사항이많음 평균 4년정도사용후전량교체 ( 국내시장규모 - 연 300억 ) - 불량으로인한교체율연평균 16% 국내제조사는없으며미국 Entegris, Miraial, 일본 Shinetsu사가독점 개발배경 FOSB 와동일한장비를사용하여생산가능한품목 (FOSB 생산업체모두 FOUP 생산중 ) 반도체제조사는 FOSB 및 FOUP 가동시에필요함 진행상황 개발기간 3년목표로하여 2009년 5월부터진행중 현재초기연구단계이며 2011년개발완료및시제품생산, 2012년 Qual Pass 및양산을목표로기술개발중 2010년현재까지기존제품특허분석및기본설계검토를완료함 10/29
2. 반도체사업개요 반도체사업진행상황 세계 FOSB 생산 1 위업체로의성장시작 라인설비 Test 현황 ü 기간 : 2008.06 ~ 2010.08 ( 공장준공후 2 년 2 개월 ) ü 특징 : 하나의제품으로 2 개의 Chip Maker 동시적용가능 Chip Maker Wafer Maker Hynix Samsung 이천공장 청주공장 중국우시공장 기흥공장 온양공장 미국 SAS Hynix Full Qual 완료, Ramp-Up 결정 (2010. 8. 9, 우시공장최종 Qual Pass) Samsung 국내전라인설비개조완료 Qual Test 진행중 SILTRON 구미공장 Qual Test 완료 / 공급업체등록 (09.12) SSW 싱가포르 V1 Test 완료후납품중 SUMCO 일본 V1 Test 완료. 납품예정 (2010.08) MEMC Korea 천안공장 Qual 테스트진행중 Siltronic Shinetsu 독일 일본 Qual Test 진행중 (2010 년 9 월내완료 ) 기타업체재생웨이퍼하마다외 3 사테스트완료후납품중 11/29
2. 반도체사업개요 반도체사업추진계획 FOSB 납품본격화및 FOUP 개발에박차 FOSB & FOUP 기술개발로드맵 2009 2010 2011 2012 2013 2014~ 구분 09 3Q 09 4Q 10 1Q 10 2Q 10 3Q 10 4Q 11 1Q 11 2Q 11 3Q 11 4Q 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 웨이퍼 size 300mm 사용 450mm 사용 450mm 승인 / 시생산 FOSB 300mm 1 라인양산 2 라인양산 FOUP 300mm 개발 승인 / 시생산 양산시작 FOSB 450mm 개발 FOUP 450mm 개발 승인 / 시생산 당사는 3 월결산법인임. 본기술개발로드맵은당사기준으로작성되었음. 12/29
2. 반도체사업개요 타사개발실패원인및당사성공요인 타사개발실패원인 당사개발성공요인 J 사 원인 : 자금력바탕으로단순정보만취합, 시기상너무빨리계획 1 치밀한사전계획 H 사 원인 : 정부지원금등을이용하려고기술력및 특성전혀고려하지않고제일고가품을 선정하여개발시도. 2 고객지향적사고 S 사 원인 : 디바이스메이커에서국산화시높은수익률을 낼수있다는정보로시작. 기술력과관계없이기업홍보정책에치중 3 우수한기술개발력 기타 SP 사, B 사 : 개발하겠다고발표하였으나진척사항 미비 반도체관계회사문의결과진행사항미비함확인 4 경영진의정확한통찰력 13/29
2. 반도체사업개요 사업성공기회요인의증가 반도체시장호황 정부정책 2015 반도체발전전략 삼성전자, 하이닉스사상최대실적 우수한기술개발력 FOSB, 국내최초국산화성공 시장확대가능성 국내외반도체업체 CAPEX 증가 가격경쟁력, 품질우위 불량률低, 품질高, 가격低 국내반도체사점유율증가 반도체부문세계 1 위 시장수요증가 공급부족현상발생 14/29
Chapter3. 시장전망 - 2010, 반도체시장 Issue 요약 - 2010, 반도체시장 - 2010, 반도체시장 (DRAM) - 2010, 반도체시장 (NAND) - 2010, 국내반도체사시설투자현황 - 2010, FOSB 시장 - 웨이퍼 /FOSB 수급현황및예상 15/29
3. 시장전망 2010, 반도체시장 Issue 요약 Issue 1 Issue 2 반도체시장의호황기진입 신규어플리케이션의활성화 Issue 3 반도체사설비투자증가 < 세계반도체장비산업규모 > 10년 294억달러 ( 09 대비 76% 증가 ) 11년 364억달러 ( 10 대비 24% 증가 ) 12년 429억달러 ( 11 대비 18% 증가 ) - Gartner, 2010.06 - 태블릿 PC 와스마트폰등신규 어플리케이션이반도체수요 촉발을일으킬것 - 삼성전자, 당초계획보다 100% 증가 (11억투자계획 ) - Hynix, 당초계획보다 52% 증가 (3.5억투자계획 ) Issue 4 Issue 5 Issue 6 실리콘웨이퍼 300mm 집중수요 공급부족으로부품가격상승 국내반도체사의높은시장점유율 - 실리콘웨이퍼수요가올해 30% 가까이증가할것이란전망. 특히 300mm 제품에대해수요가집중될것으로예상. - PC시장의지속적인호황으로 DRAM 공급부족현상발생 -반도체사풀가동에도불구하고공급차질발생 < 10.2Q 국내반도체시장점유율 > - DRAM 부문 : 56.2% - NAND 부문 : 48.7% 16/29
3. 시장전망 2010, 반도체시장 2010 년, 반도체시장호황기진입 2010 년평균 28.7% 의성장예상. 정부는 2015 반도체발전전략 을수립. 10.2Q, 국내반도체사의사상최대실적달성. 신규애플리케이션의등장에따른반도체수요급증예상. 국내반도체사 CAPEX 증가로해외반도체사와의격차 더욱커질전망. 반도체시장전망 < 세계반도체산업성장률예상 > < 세계반도체출하량전망 > ( 단위 : 억개 ) 항목 2007 2008 2009 2010 2011 Future Horizons(May 10) Semico Research(May 10) IC Insights(May 10) VLSI Research(May 10) Gartner(Jun 10) WSTS(Jun 10) Henderson Ventures(Jun 10) SIA(Jun 10) 출처 : SEMI (2010.07.14) 31.0% 29.8% 27.0% 25.0% 27.1% 28.6% 32.7% 28.4% 세계반도체출하량 전년대비성장율 1,511 1,553 1,320 1,492 1,641 10.0% 2.8% -15.0% 13.0% 10.0% < 세계반도체출하액전망 > 출처 : WSTS(2009.06) 항목 2009 년 2010 년 2011 년 세계반도체출하액 ( 단위 : 억달러 ) 2,201 2,469 2,698 전년대비성장율 -11.5% 12.2% 9.3% 출처 : WSTS 17/29
3. 시장전망 2010, 반도체시장 (DRAM) 2010 년, DRAM 역사상 45 년만에맞는최고의호황 2010 년전세계 DRAM 성장률 58.8% 추산. 이중웨이퍼투입량증가가 17.5% 를차지할전망. ( 우리투자증권 ) DRAM 시장규모사상최고치경신지속전망 DRAM 웨이퍼투입량전망 DRAM 시장점유율 <2010 년전세계 DRAM 업체시장점유율 > 4.5 14.4 16.7 4.4 13.3 17.3 단위 : % 출처 : Gartner, (2010.08) 21.2 20.9 Nanya Micron 출처 : Dramexchange, 우리투자증권 32.1 35.3 10.1Q 10.2Q Elpida Hynix Samsung 18/29
3. 시장전망 2010, 반도체시장 (NAND) NAND 사용비율의증가로인한장기적성장추세 2010 년 NAND 시장규모 213 억달러로전년대비 44% 증가전망. 스마트폰등의 NAND 탑재용량증가. (IBK 투자증권 ) 2010 년 12 NAND 웨이퍼투입량은월 80 만장으로 2009 년대비 8.7% 증가할전망 ( 우리투자증권 ) 2010 년 Bit 기준으로 38% 와 2011 년 40% 의 NAND 가스마트폰에사용될것으로예상. (SK 증권 ) 연간 NAND 웨이퍼투입량추이및전망 전세계 NAND 부문 Market Share 9.1 9.4 7.9 8.3 12.1 12 단위 : % 출처 : Dramexchange (2010.05.07) 34.2 34.4 33.1 Hynix Micron 37.9 39.2 40.4 Toshiba 출처 : Dramexchange, 우리투자증권 09.4Q 10.1Q 10.2Q Samsung 19/29
3. 시장전망 2010, 국내반도체사시설투자현황 반도체생산라인증설로인한당사수혜예상 메모리공급부족지속상황에서전세계메모리업체설비투자계획상향조정. 생산라인증설로인한 FOSB 사용량의증가예상 (2010 년대비 2011 년, 삼성전자 50% 증가하이닉스반도체 41% 증가예상 ). 이로인해국내유일 FOSB 생산업체인당사수혜예상. 반도체업체의설비투자금액확대발표 출처 : 각사 업체명 당초계획 변경 변경시점 Samsung 5.5조 11조 ( 메모리9조 ) 10.05.17 Hynix 2.3조 3.5조 10.05.31 TSMC 30억달러 59억달러 10.07 Intel 48억달러 52억달러 10.07 Micron 9억달러 - - Elpida 600억엔 1150억엔 10.05.18 Toshiba 1000억엔 1600억엔 10.05.18 20/29
3. 시장전망 2010, FOSB 시장 실리콘웨이퍼수요약 30% 증가 300mm 에집중수요예상 2010 년, 300mm 제품에대해수요가집중될것. 300mm 비중은올해전체수요의 30% 를넘을것. (Gartner, 2009.12) FOSB 제조업체는현재국내에는 3S KOREA 유일. 세계실리콘웨이퍼출하량 ( 단위 : 평방인치 ) 2008 2009 2010.1Q 2010.2Q 2010(E) 출하량 81 억 370 만 67 억 700 만 22 억 1,028 만 23 억 6,500 만 87 억 671 만 전년대비증가율 18% 하락 40% 증가 ( 전년동기대비 ) 29.5% 증가 출처 : SEMI, Gartner FOSB 시장규모 2009 년전세계시장규모 : 83.4M$ ( 약 960 억 ) 2009 년국내시장규모 : 491 억 ( 세계시장의 51.2% 수준 ) 웨이퍼수요와동일하게 23.4% 증가가정시 ( 단위 : 억원 ) 960 1150 491 606 2010 년전세계시장규모 (E) : 102.92M$ ( 약 1,150 억 ) 2010 년국내시장규모 (E) : 606 억 ( 세계시장의 52.7% 수준 ) 2009 2010 21/29
3. 시장전망 웨이퍼 /FOSB 수급현황및예상 일본社과점상황에서의탈피, 국산화시급 일본업체들 (Shinetsu, SUMCO) 이계속해서세계시장 60% 점유중. 점유율의변동은거의일어나지않음. 국내 SILTRON 社의시장점유율은 2009 년 9% 정도로, 4 위를기록. 국내반도체사웨이퍼 /FOSB 사용현황및예상 (300mm) Wafer 제조사 국적 2010 2011 2010 2011 2010 2011 Capa( 만장 / 월 ) 만장 / 월제조사만장 / 월제조사만장 / 월제조사만장 / 월제조사 Shinetsu 일본 100 100 8 Mir/3S 15 3S 20 Shi 25 3S SUMCO 일본 65 100 23 Mir/3S 30 3S 5 Ent 5 3S MEMC 미국 10 15 일본 10 12 한국 5 10 2.5 Mir/3S 5 3S 2.5 3S 5 3S TOSHIBA 일본 10 12 SILTRON 한국 50 60 13 3S/Mir 15 3S 17 3S 25 3S SSW 싱가폴 20 30 17 Mir 30 3S 1 3S 3 3S Siltronic 독일 45 50 5 Shi 8 3S 전체웨이퍼수량 315 389 63.5 95 50.5 71 FOSB 사용량 ( 개 / 월 ) 126,000 155,600 25,400 38,000 15,200 20,200 28,400 11,300 22/29
Chapter4. 실적전망 - FOSB 매출계획 FOSB 판매실적및판매계획 Wafer Maker별 Qual 및납품예상시기 - 사업실적및추정 - 주식현황 23/29
4. 실적전망 FOSB 매출계획 (1) FOSB 판매실적및판매계획 2010 년실적및계획 ( 단위 : 백만원 ) 5,116 3,799 2,560 2,876 10.1Q 10.2Q(E) 10.3Q(E) 10.4Q(E) 5,116 1,184 1,895 2,560 2,876 3,799 09.3Q 09.4Q 10.1Q 10.2Q(E) 10.3Q(E) 10.4Q(E) 24/29
4. 실적전망 FOSB 매출계획 (2) Wafer Maker 별 Qual 및납품예상시기 Country Maker 대응 Model V1 V2 V1 납품 V2 샘플제출 V2 Qual. V2 납품예상시점 Japan Sumco 10.08 ShinEtsu - Singapore SSW 10.05 LG Siltron 09.10 Korea MEMC Korea 10.11 10.11.01 11.01.30 11.02 Germany Siltronic 10.11 25/29
4. 실적전망 사업실적및추정 ( 단위 : 백만원 ) 구분 2008 2009 2010 1Q 2010 2Q(E) 2010 3Q(E) 2010(E) 2011(E) 2012(E) 매출액 9,293 10,231 4,834 10,850 18,000 27,000 42,000 70,000 -냉동공조 9,293 7,152 3,274 5,100 7,800 9,800 11,000 13,000 -FOSB+FOUP 0 3,079 2,560 5,750 10,200 17,200 31,000 57,000 매출원가 7,219 8,320 3,591 8,000 12,600 18,700 31,450 56,870 매출총이익 2,073 1,911 1,243 2,850 5,400 8,300 10,550 13,130 판관비 4,173 4,087 652 1,470 2,500 4,100 4,250 4,860 영업이익 -2,100-2,176 591 1,380 2,900 4,200 6,300 8,270 영업외수익 888 1,003 282 510 680 930 1,350 1,710 영업외비용 2,288 1,761 614 1,120 1,630 2,000 2,200 2,380 당기순이익 -3,581-2,834 578 1,000 2,000 3,000 5,200 7,200 꾸준한매출증가. 흑자지속화. 2008 2009 2010(E) 2011(E) 2012(E) 매출액 영업이익 당기순이익 ( 단위 : 백만원 ) 매출액 순이익 4,834 1,320 883 578-1,102-1,035 19기 1Q 20기 1Q 21기 1Q (2008) (2009) (2010) 26/29
4. 실적전망 주식현황 지분구조 이름주식수지분율비고 ( 10.07.31 기준 ) 박종익 3,004,910 9.64% 대표이사, 최대주주 특수관계인 59,631 0.19% 이사 기타 28,092,864 90.16% 기타주주 합계 31,157,405 100.00% 월별주가및거래량 09.08 09.09 09.10 09.11 09.12 10.01 MAX 1,210 1,045 1,000 925 1,175 1,520 MIN 1,000 740 745 790 860 1,265 거래량 5,814,499 7,879,034 4,319,083 1,949,309 5,363,981 10,897,688 10.02 10.03 10.04 10.05 10.06 10.07 MAX 1,520 1,960 2,045 1,990 1,810 1,745 MIN 1,380 1,310 1,760 1,780 1,420 1,480 거래량 5,814,342 16,543,261 6,521,102 3,028,390 6,545,414 3,732,293 <09.04.06~10.08.09> * 최고 : 2,085원 (10.04.19) * 최저 : 440원 (09.04.06) * 현재 : 1,810원 (10.08.16) 27/29
Chapter5. Summary - 2010 년, 21 세기첨단반도체기업으로의도약성공의해 28/29
5. Summary 2010 년, 21 세기첨단반도체기업으로의도약성공의해 2010 년, 흑자전환의해 2011 년, 반도체사업의발전 2012 년, 웨이퍼캐리어시장 Top 흑자전환실현!!! 반도체사업의 비약적발전을통한 흑자경영의지속화 FOSB 점유율 80% 차지, FOUP 양산을통해 웨이퍼캐리어시장 Top 재무구조개선및사업활성화를통해 21세기첨단반도체기업으로의도약을위한발판다지기. 2010, 목표매출액 : 270억원목표당기순이익 : 30억원 사상최대실적달성한국내반도체社들 300mm 라인증설에박차를가함. 이로인해당사수혜예상. 국내반도체사의 FOSB 사용량증가예상 - 2011년 2010년대비약 45% 우수한기술개발력, 저가격고품질의제품을바탕으로비약적인발전을이룩하여웨이퍼캐리어시장의 TOP이되어시장선도. FOUP 사업활성화시간단축 29/29
Investor Relations 2010 감사합니다 (KOSDAQ: 060310) 주의사항 : 본자료는회사의자체추정자료이며이로인해발생되는투자손실에대해법적책임을지지않습니다. 30/29